Какие основные параметры транзистора 2Т825А. Для чего используется данный транзистор. Какие есть аналоги 2Т825А среди отечественных и зарубежных транзисторов. Какие особенности применения 2Т825А в электронных схемах.
Основные характеристики транзистора 2Т825А
Транзистор 2Т825А представляет собой мощный биполярный p-n-p транзистор, предназначенный для работы в усилительных и ключевых схемах. Рассмотрим его ключевые параметры:
- Структура: p-n-p
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 20 А
- Максимальный импульсный ток коллектора: 40 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 160 Вт
- Коэффициент усиления по току: 500-18000
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
- Корпус: КТ-9 (TO-3)
Как видим, 2Т825А обладает высокой мощностью и значительным усилением, что делает его подходящим для применения в мощных усилителях и импульсных источниках питания.
Области применения транзистора 2Т825А
Благодаря своим характеристикам, транзистор 2Т825А находит применение в следующих областях:
- Мощные усилители звуковой частоты
- Импульсные источники питания
- Регуляторы напряжения и тока
- Силовые ключи
- Драйверы управления электродвигателями
Высокая допустимая мощность рассеивания позволяет использовать 2Т825А в схемах с большими токами нагрузки. При этом значительный коэффициент усиления обеспечивает хорошую управляемость транзистора даже при небольших токах базы.
Аналоги транзистора 2Т825А
При необходимости замены 2Т825А можно рассмотреть следующие отечественные и зарубежные аналоги:
- КТ827А — близкий отечественный аналог с немного меньшей мощностью
- 2N6287 — зарубежный аналог с похожими параметрами
- TIP147 — популярный зарубежный аналог в корпусе TO-247
- BDX66C — еще один распространенный зарубежный аналог
При выборе аналога важно учитывать не только электрические параметры, но и тип корпуса, особенно для мощных применений, где критично эффективное теплоотведение.
Особенности применения 2Т825А в электронных схемах
При использовании транзистора 2Т825А в электронных устройствах следует учитывать некоторые важные моменты:
- Необходимость качественного теплоотвода из-за высокой рассеиваемой мощности
- Большой разброс коэффициента усиления, требующий схем стабилизации режима
- Возможность теплового пробоя при отсутствии ограничения тока базы
- Склонность к самовозбуждению на высоких частотах
Для обеспечения надежной работы устройств с 2Т825А рекомендуется применять следующие меры:
- Установка транзистора на массивный радиатор с использованием теплопроводящей пасты
- Применение схем температурной компенсации и стабилизации рабочей точки
- Ограничение максимального тока базы резистором в цепи управления
- Использование цепей коррекции для подавления паразитных колебаний
При правильном применении транзистор 2Т825А способен обеспечить высокую надежность и эффективность работы мощных электронных устройств.
Преимущества и недостатки 2Т825А по сравнению с современными транзисторами
Рассмотрим основные плюсы и минусы использования 2Т825А в современных разработках:
Преимущества:
- Высокая надежность и стойкость к перегрузкам
- Проверенная временем конструкция
- Доступность и низкая стоимость
- Хорошая совместимость со старыми схемотехническими решениями
Недостатки:
- Большие габариты по сравнению с современными транзисторами аналогичной мощности
- Относительно низкое быстродействие
- Значительный разброс параметров
- Сложность автоматизированного монтажа из-за устаревшего типа корпуса
Несмотря на ряд недостатков, 2Т825А остается востребованным в ремонте старой техники и разработке недорогих устройств, не требующих миниатюризации.
Рекомендации по выбору режима работы 2Т825А
Для обеспечения оптимальной работы транзистора 2Т825А следует придерживаться следующих рекомендаций:
- Не превышать максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 100 В
- Ограничивать ток коллектора на уровне не более 15-18 А в длительном режиме
- Обеспечивать эффективный теплоотвод, позволяющий поддерживать температуру корпуса не выше 100°C
- Выбирать рабочую точку в линейном режиме с учетом большого разброса коэффициента усиления
- Использовать цепи отрицательной обратной связи для стабилизации режима
Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально реализовать потенциал транзистора 2Т825А и обеспечить длительный срок его службы в составе электронных устройств.
2Т825А транзистор PNP (30А 100В) 165W (ТО-3) (військове приймання по якості)
2Т825А транзистор PNP (30А 100В) 165W (ТО-3)| Наимен. | тип | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h21э | Iкбо, мкА | fгр., МГц | Uкэн, В |
| 2Т825А | p-n-p | 100 | 100 | 20000 (40000) | (160) | 500-18000 | ≤1000 | ≥4 | <2 |
| 2Т825Б | 80 | 80 | 20000 (40000) | (160) | 750-18000 | ≤1000 | ≥4 | <2 | |
| 2Т825В | 60 | 60 | 20000 (40000) | (160) | 750-18000 | ≤1000 | ≥4 | <2 | |
| КТ825Г | 90 | 90 | 20000 (30000) | (125) | 750-18000 | ≤1000 | ≥4 | <2 | |
| КТ825Д | 60 | 60 | 20000 (30000) | 750-18000 | ≤1000 | ≥4 | <2 | ||
| КТ825Е | 30 | 30 | 20000 (30000) | (125) | 750-18000 | ≤1000 | ≥4 | <2 |
Чертеж корпуса:
| Uкбо | — Максимально допустимое напряжение коллектор-база |
| Uкбои | — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база |
| Uкэо | — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |
| Uкэои | — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
| Iкmax | — Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
| Iкmax и | — Максимально допустимый импульсный ток коллектора |
| Pкmax | — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода |
| Pкmax т | — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом |
| h21э | — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером |
| Iкбо | — Обратный ток коллектора |
| fгр | — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
| Uкэн | — напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
Транзистор 2т825а — Електро Maг Ровно (Украина)
2Т825АТранзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т825А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора:
 - - — в металлическом корпусе не более 20 г,
 - - — кристалла не более 0,025 г.
Тип корпуса: КТ-9 (-ТО-3)-.
Технические условия: аА0.339.054 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т825А:
• Структура транзистора: p-n-p-
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт-
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц-
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В-
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А-
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А-
• h31э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 500.
..18000-• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ-
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом
Технические характеристики транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А-5:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max | Т max | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max | IК. И. max | UКЭR max (UКЭ0 max) | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) | h31Э | UКЭ нас. | IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | мА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| 2Т825А | p-n-p | 20 | 40 | 100 | — | 5 | 3 (125) | 500. ..18000 | <-2 | — | — | — | >-4 | <-600 | <-600 | 175 | -60…+125 |
| 2Т825Б | p-n-p | 20 | 40 | 80 | — | 5 | 3 (125) | 750…18000 | <-2 | — | — | — | >-4 | <-600 | <-600 | 175 | -60…+125 |
| 2Т825В | p-n-p | 20 | 40 | 60 | — | 5 | 3 (125) | 750…18000 | <-2 | — | — | — | >-4 | <-600 | <-600 | 175 | -60…+125 |
| 2Т825А-5 | p-n-p | 20 | 40 | 100 | — | 5 | 3 (125) | 500…18000 | <-2 | — | — | — | >-4 | <-600 | <-600 | 175 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h31Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR — обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Транзистор КТ825, kt825 характеристики (datasheet)
Кремниевый составной транзистор КТ825 (p-n-p)
Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.
Содержание драгоценных металлов в 1000 штук транзисторов: золото 10.0332 грамм, серебро 48.0028 грамм. Содержание цветных металлов медь — 3.8 грамм в одном транзисторе.
Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.
Основные технические характеристики транзисторов КТ825:
| Прибор | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | при TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКБ,В | IЭ, А | UКЭ нас, В | IКБ0, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
| КТ825Г | 20 | 30 | 70 | 5 | 125 | 25 | 150 | 100 | 750 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1 | |||
| КТ825Д | 20 | 30 | 45 | 5 | 125 | 25 | 150 | 100 | 750 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1 | |||
| КТ825Е | 20 | 30 | 25 | 5 | 125 | 25 | 150 | 100 | 750 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1 | |||
| 2Т825А | 20 | 40 | 80 | 5 | 160 | 25 | 175 | 125 | 500…18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1,2 | |||
| 2Т825Б | 20 | 40 | 60 | 5 | 160 | 25 | 175 | 125 | 750…18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1,2 | |||
| 2Т825В | 20 | 40 | 45 | 5 | 160 | 25 | 175 | 125 | 750…18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1,2 | |||
| 2Т825А2 | 15 | 40 | 80 | 100 | 5 | 30 | 25 | 150 | 100 | 500…18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 250 | 400 | 4,17 | ||||
| 2Т825Б2 | 15 | 40 | 60 | 80 | 5 | 30 | 25 | 150 | 100 | 750…18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 250 | 400 | 4,17 | ||||
| 2Т825В2 | 15 | 40 | 45 | 60 | 5 | 30 | 25 | 150 | 100 | 750…18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 250 | 400 | 4,17 | ||||
КТ825 эквивалентная схема составного танзистора:
КТ825, 2Т825 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом
КТ825, 2Т825 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка.
Основные технические параметры транзистора КТ825, 2Т825.
Внешний вид транзистора на примере КТ825Г | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Транзистор 2Т825А —
Драгоценные металлы в транзисторе 2Т825А согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.
Содержание драгоценных металлов в транзисторе 2Т825А.
Золото: 0.008 грамм.
Серебро: 0.045 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Примечание: .
Если у вас есть интересная информация о транзисторе 2Т825А сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.
Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,
Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,
Фото транзистора марки 2Т825А:
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
Схемы включения полевых транзисторов
Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).
Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.
Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.
Справочные данные на транзисторы (DataSheet) 2Т825А включая его характеристики:
Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:
Транзистор доступное описание принципа работы.
Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.
Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.
Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.
В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на 2Т825А:
Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, 2Т825А:
Транзистор КТ825: характеристики, параметры, аналоги, цоколевка
Транзистор КТ825 — кремниевый составной (схема Дарлингтона), большой мощности, низкочастотный p-n-p транзистор. Используется в ключевых и линейных схемах. Выпускается в металлостеклянном корпусе (КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В) и пластмассовом (2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2).
Цоколевка транзистора КТ825
Характеристики транзистора КТ825
| Транзистор | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), А | Pкmax, Вт | h31э | fгр., МГц |
| КТ825Г | 70 | 20 (30) | 125 | 750 | 4 | |
| КТ825Д | 45 | 20 (30) | 125 | 750 | 4 | |
| КТ825Е | 25 | 20 (30) | 125 | 750 | 4 | |
| 2Т825А | 80 | 20 (40) | 160 | 500-18000 | 4 | |
| 2Т825Б | 60 | 20 (40) | 160 | 750-18000 | 4 | |
| 2Т825В | 45 | 20 (40) | 160 | 750-18000 | 4 | |
| 2Т825А2 | 100 | 80 | 15 (40) | 30 | 500-18000 | 4 |
| 2Т825Б2 | 80 | 60 | 15 (40) | 30 | 750-18000 | 4 |
| 2Т825В2 | 60 | 45 | 15 (40) | 30 | 750-18000 | 4 |
Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Вместо КТ825 можно использовать схему составного транзистора (схема Дарлингтона)
Аналоги транзистора КТ825
КТ825Г — 2N6051, 2N6052, 2N6286, 2N6287
КТ825Д — 2N6050, 2N6285
КТ825Е — BDX64
2Т825В — 2N6285
2Т825Б — 2N6286
2Т825А — TIP147, TIP142
Электрооборудование и материалы 2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125W BDX66 co
Электрооборудование и принадлежности 2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125W BDX66 co2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100 В 20A 125 Вт BDX66, ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125 Вт BDX66 2T825A KT825A = 2N6287, 100 В (фактически мин. 120 В, пиковое значение), 20 A, (25 Вт, пик. Pc -175W) Hfe 500 — 18000, Power PNP — Darlington, BDX66C, BDX68C 2N6287, Делает покупки легкими Лучшая торговля по ценам 100% подлинность Покупки сейчас Мода, это модно, а не тратится! 2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125W BDX66.
перейти к содержанию
2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125W BDX66
2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125W (BDX66). BDX66C, BDX68C 2N6287. 100 В (фактически мин. 120 В), 20 А, (пик 40 А), 125 Вт, 160 Вт, продолжение (25 C ––> Pc -175 Вт) Hfe 500 — 18000. Мощность PNP — Дарлингтон .. Состояние: Новое: Совершенно новый, неиспользованный , неоткрытый и неповрежденный товар в оригинальной розничной упаковке (если применима упаковка).Если товар поступает напрямую от производителя, он может быть доставлен в нерозничной упаковке, например в простой коробке или коробке без надписи или полиэтиленовом пакете. См. Список продавца для получения полной информации. Просмотреть все определения условий ： Торговая марка: ： ELORG ， MPN: ： 2T825A ： Модель: ： 2 (K) T825A ， Страна / регион производства: ： Российская Федерация ，。
2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125W BDX66
2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125W BDX66
100V (фактически мин. 120V), 20A, (40A пиковое значение), 125W, 160W продолжить (25C ––> Pc-175W) Hfe 500 — 18000, мощность PNP — Дарлингтон, BDX66C, BDX68C 2N6287, Делает покупки легкими Лучшая торговля по ценам 100% аутентичные покупки сейчас Мода, это модно, а не излишне дорого!
Электрооборудование и материалы 2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125W BDX66 asiathinkers
Электрооборудование и принадлежности 2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP Trinkers DARLINGTON 100V 20A 125W as BDX66- Дом
- Бизнес, офис и промышленность
- Электрооборудование и принадлежности
- Электронные компоненты и полупроводники
- Полупроводники и активные элементы
- Транзисторы
- 2T825A KT825A = 2N6287 PNP ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ DARLINGTON0002 900V 20A 12527T25825A DARLINGTON Tr 100V 20A 12527TBDX 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125W BDX66,2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125W BDX66 2T825A KT825A =, BDX68C 2N6287, 100 В (фактически мин. 120 В), 20 A, макс. -175W) Hfe 500 — 18000, Power PNP — Darlington, BDX66C, Интернет-магазин Гарантировано 100% подлинность Мы предлагаем БЕСПЛАТНУЮ доставку в тот же день Бесплатная доставка по всем заказам Доступно и быстро доставляется прямо к вашей двери! 125W BDX66 2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A.
2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125W BDX66
2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125W (BDX66). BDX66C, BDX68C 2N6287. 100 В (фактически мин. 120 В), 20 А, (пик 40 А), 125 Вт, 160 Вт, продолжение (25 C ––> Pc -175 Вт) Hfe 500 — 18000. Мощность PNP — Дарлингтон .. Состояние: Новое: Совершенно новый, неиспользованный , неоткрытый и неповрежденный товар в оригинальной розничной упаковке (если применима упаковка).Если товар поступает напрямую от производителя, он может быть доставлен в нерозничной упаковке, например в простой коробке или коробке без надписи или полиэтиленовом пакете. См. Список продавца для получения полной информации. Просмотреть все определения условий ： Торговая марка: ： ELORG ， MPN: ： 2T825A ： Модель: ： 2 (K) T825A ， Страна / регион производства: ： Российская Федерация ，。
2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100V 20A 125W BDX66
2T825A KT825A = 2N6287 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ PNP DARLINGTON Tr 100 В 20 А 125 Вт BDX66
BDX68C 2N6287, 100 В (фактически мин. 120 В), 20 А, (пик 40 А), 125 Вт, 160 Вт продолжить (25 C ––> Pc -175 Вт) Hfe , Power PNP — Darlington, BDX66C, Интернет-магазин Гарантия 100% подлинность Мы предлагаем БЕСПЛАТНУЮ доставку в тот же день Бесплатная доставка по всем заказам Доступно и быстро доставляется прямо к вашей двери!Поячало snage S-001
U ovom ćemo članku govoriti o pojačalu koje je dalekih 80-ih napravio moj otac.Tih je godina moj otac radio u lokalnoj tvornici radija, gdje su na njegov zahtjev lokalni obrtnici nacrtali krug pojačala za koji je moj otac razdvojio pločicu i potom sastavio pojačalo udiza. Da bih vratio krug, već sam morao rastaviti pojačalo, odmotati jednu od ploča pojačala i izvući krug iz njega. Све е у свом готовом облику изгледало овако:
Било е потребно одмотавати жице напаянья, жику улазного сигнала, жице до ид.Ovo nije trajalo puno time i vrlo je brzo jedna od ploča uklonjena iz kućišta u bijelo svjetlo. Ploča s obje strane izgleda ovako:
Odmah sam počeo mjeriti vrijednosti svih otpornika i kondenzatora, označio gdje se i koji tranzistori, 9000, 9000 просмотров 9000, на 9000 пользователей 2. БОЛЬШОЕ РЕЧЕНО, Цветочный Photoshop, Спойо сам два слова: Сложная запись и сложность с деталями. Evo što se dogodilo:
Zahvaljujući dobivenoj sloi, shema za crtanje bila je samo pljuvanje.Prilično brzo, bavio sam se krugom i evo što sam učinio, prestavljam vam originalni krug pojačala S-001 iz 80-ih:
Kao što vidite, krug je prilično na standardan, ali s okretima Struni VT5 и VT13 VT14, каскадный коди иэ уключен у рамена диференциального ступня, струйно огледало, прилично напредно появилось каскадног напона с медуспремником. Круг, где есть доступ и доступ к материалам: KT3102A в металлическом кучу с пожеланиями ног, врло райдак в составе транзистора 2T830V / 2T831V и надежный изолятор 2T82725A.Не используйте KT830 / KT831 и 2T830 / 831, KT825 / KT827 и 2T825 / 2T827 — ово на потпуно различить транзисторы с различными параметрами (на примере, 2T825 / 827 изображение 35W с использованием 8 средств использования). Префикс 2Т означала припадность военной операции, такие транзисторы представляю пуно больше параметра «аналога» с префиксом CT. Podrazumijeva se da je tranzistore s 2T prefiksom mnogo teže pronaći.
Это параметр круга, яко су мне обрадовали:
- Harmonski faktor isobličenja na 1 kHz = 0, 001%
- Harmonska distorzija pri 20 kHz = 0, 016%
- saponomja na Izlazna 2x45V) = 100W
- Распон частоты у односу на 1 кГц и разини -3dB = 15 — 120 000Гц
- Ulazna impedancija = 150kOhm
Prema shemi, napravio rekvencija u odnosu na 1 kHz u razini -3dB = 15 — 120 000Hz - Ulazna impedancija = 150kOhm
Prema shemi, napravio sam model pojačalti na modern 14 tranzulator модель ииграти се с ним.
Kopirao sam i originalnu štampanu pločicu jednu na other, a dolje možete preuzeti i datoteku izgleda ploče u formatu Sprint Layout 5.
Jasno je da sada gotovo nema nikoga kaj . Stoga nadalje представляет собой склопове истог пояс, али вец на современной элементарной основе:
Ovdje se umjesto rijetkih, vojnih, sovjetskih elemenata koriste uobičajtimojeni moderni. На улице, транзистори с ниским шумом 2SC2240, у манье критичным чворовым кругом, као транзистори мужской снадж, коридор с добро доказательства пар — 2N5551 / 2N5401.У Пояслу Напона, Као и У Излазном Ступню, Користе, что Широко Распространены Транзистори MJE340 / MJE350. На излазной Pozornici koriste se cestovni visokokvalitetni kompozitni tranzistori MJ11032 / MJ11033. Da biste uštedjeli novac, canete koristiti izlaz povoljnijih i jeftinijih tranzistora TIP142 / TIP147. Это имя находится в TIP142 / TIP147 imaju other kućište.
Nekoliko riječi o samom pojačalu. Поясало это произведено 80-го года у локальной творческой радиации. Sve se radi rukama moga oca.Futrola je izraena od izdržljivog debelog čelika (первая площадь из алюминия толщиной 5 мм). Bočni zidovi su radijatori od jednog komada aluminija na glodalici. Появилось покрытие двух трансформеров TAN-69, čija je ukupna snaga 224W. Napon napajanja pojačala je 2x44V. Ogromni snažni kondenzatori koji zauzimaju čitavu širinu prednjeg dijela pojačala su K50-18 22000uF x 50V. Kondenzatori su savršeno očuvani za svoju dob i imaju vrlo nizak ESR, omogućuju pojačalo da radi bez napajanja gotovo 15 секунд. Akustička zaštita ima zajednički rej za oba kanala odjednom — u slučaju nesreće na jednom od kanala oba će se izlaza odmah isključiti.Велика плоца с микровезама у средины поясе круг за означаванье излазне снадж пойчала, что есть индикатор приказ на предыдущей площади. Сигнал «Улaзни» на поясе дaводи кaк конектора SG-5, «сигнал» кaк уклaн. Сe из Утичница Джек 6.3.
Фотографии:
Hvala na pažnji!
