Какие преимущества имеет метод управляемого импульсного нагрева для изучения теплофизических свойств наножидкостей. Как устроен экспериментальный комплекс для исследования теплообмена в наножидкостях при мощном нагреве. Какие результаты получены с помощью данной установки для водных суспензий наночастиц оксида алюминия.
Актуальность исследований теплофизических свойств наножидкостей
Наножидкости представляют собой коллоидные растворы наночастиц в базовых жидкостях. Они привлекают большое внимание исследователей благодаря своим уникальным теплофизическим свойствам. Наножидкости демонстрируют повышенную теплопроводность и интенсивность теплообмена по сравнению с базовыми жидкостями. Это открывает перспективы их применения в качестве теплоносителей нового поколения в различных технологических процессах и энергетических установках.
Для практического использования наножидкостей необходимо детальное изучение их теплофизических характеристик, в том числе при высоких тепловых нагрузках. Однако стандартные методы измерения теплопроводности и теплоотдачи имеют ряд ограничений при исследовании наножидкостей:
- Длительное время измерения может приводить к седиментации наночастиц
- Невозможно изучать процессы при быстром нагреве и высоких плотностях теплового потока
- Сложно исследовать метастабильные состояния жидкости
Поэтому актуальной задачей является разработка новых экспериментальных методов и установок для исследования теплообмена в наножидкостях в широком диапазоне параметров.
Преимущества метода управляемого импульсного нагрева
Для исследования теплофизических свойств наножидкостей перспективным является метод управляемого импульсного нагрева. Он основан на быстром нагреве тонкого металлического зонда, погруженного в исследуемую жидкость, при пропускании через него мощного электрического импульса.
Данный метод обладает рядом важных преимуществ при изучении наножидкостей:
- Позволяет проводить измерения за очень короткое время (доли секунды), что исключает влияние седиментации наночастиц
- Обеспечивает высокие плотности теплового потока (до 10^7 Вт/м^2) и скорости нагрева (до 10^7 К/с)
- Дает возможность исследовать метастабильные перегретые состояния жидкости
- Позволяет изучать динамические процессы теплообмена
Благодаря этим особенностям метод управляемого импульсного нагрева открывает новые возможности для изучения теплофизических свойств наножидкостей в экстремальных условиях.
Устройство экспериментального комплекса
Для реализации метода управляемого импульсного нагрева авторами разработан специальный экспериментальный комплекс. Он состоит из следующих основных элементов:
- Измерительная ячейка с зондом-нагревателем
- Источник импульсного питания
- Система регистрации и управления
- Термостат
Рассмотрим подробнее устройство и функции каждого элемента.
Измерительная ячейка
Измерительная ячейка представляет собой герметичный сосуд объемом около 50 мл, в который помещается исследуемая наножидкость. В жидкость погружен зонд-нагреватель, представляющий собой тонкую металлическую проволоку диаметром 20 мкм и длиной 1-2 см. Обычно используется платиновая или никелевая проволока.
Зонд закреплен на токоподводах, которые обеспечивают подачу электрического импульса. Для измерения температуры зонда используется 4-проводная схема подключения, позволяющая исключить влияние сопротивления токоподводов.
Ячейка снабжена датчиком давления для контроля давления в процессе нагрева. Также предусмотрена возможность создания избыточного давления до 5 МПа для расширения диапазона исследуемых температур.
Источник импульсного питания
Для быстрого нагрева зонда используется специально разработанный источник импульсного питания. Он позволяет формировать мощные прямоугольные импульсы тока длительностью от 1 мкс до 1 с.
Основные характеристики источника питания:
- Максимальная мощность импульса — до 1 кВт
- Амплитуда тока — до 50 А
- Длительность фронта импульса — менее 1 мкс
- Нестабильность амплитуды тока — не более 0.1%
Источник питания управляется от компьютера и позволяет задавать различные формы импульса тока для реализации различных режимов нагрева.
Система регистрации и управления
Система регистрации и управления построена на базе персонального компьютера с платой сбора данных. Она обеспечивает следующие функции:
- Формирование управляющих сигналов для источника питания
- Регистрация тока и напряжения на зонде с частотой до 1 МГц
- Измерение температуры зонда
- Контроль давления в ячейке
- Управление термостатом
- Обработка и визуализация экспериментальных данных
Программное обеспечение системы позволяет задавать параметры эксперимента, проводить измерения в автоматическом режиме и выполнять первичную обработку результатов.
Термостат
Для поддержания заданной начальной температуры наножидкости используется жидкостный термостат. Он обеспечивает термостатирование измерительной ячейки в диапазоне температур от 0 до 90°C с точностью ±0.1°C.
Методика проведения эксперимента
Типовой эксперимент по исследованию теплообмена в наножидкости с помощью разработанного комплекса включает следующие этапы:
- Подготовка образца наножидкости и заполнение измерительной ячейки
- Установка начальной температуры с помощью термостата
- Задание параметров импульса нагрева (амплитуда, длительность)
- Подача импульса тока на зонд и регистрация его сопротивления
- Расчет температуры зонда по его сопротивлению
- Определение теплофизических характеристик наножидкости
Важной особенностью методики является возможность многократного повторения импульсного нагрева для одного и того же образца. Это позволяет исследовать воспроизводимость результатов и влияние термоциклирования на свойства наножидкости.
Определение теплофизических характеристик наножидкостей
На основе измеренной зависимости температуры зонда от времени при импульсном нагреве можно определить следующие теплофизические характеристики наножидкости:
- Теплопроводность
- Температуропроводность
- Коэффициент теплоотдачи
- Удельная теплоемкость
Для расчета этих величин используются различные методы обработки экспериментальных данных:
Метод регулярного режима
Основан на анализе квазистационарной стадии нагрева. Теплопроводность определяется по наклону линейного участка зависимости температуры от логарифма времени.
Метод конечных разностей
Применяется численное решение уравнения теплопроводности и минимизация отклонения расчетной температуры от экспериментальной.
Импульсный метод
Используется анализ начальной стадии нагрева. Температуропроводность определяется по времени достижения определенной доли от максимальной температуры.
Выбор конкретного метода обработки зависит от режима нагрева и исследуемых свойств наножидкости.
Результаты исследований водных суспензий наночастиц оксида алюминия
С помощью разработанного экспериментального комплекса были проведены исследования теплофизических свойств водных суспензий наночастиц оксида алюминия Al2O3. Основные результаты:
- Обнаружено увеличение теплопроводности на 5-15% по сравнению с чистой водой
- Выявлена нелинейная зависимость теплопроводности от концентрации наночастиц
- Определены коэффициенты теплоотдачи при кипении в условиях большой плотности теплового потока (до 10 МВт/м^2)
- Обнаружено снижение перегрева жидкости при кипении на 10-30% для наносуспензий по сравнению с водой
Полученные результаты демонстрируют эффективность разработанного комплекса для исследования теплофизических свойств наножидкостей в широком диапазоне параметров.
Перспективы развития экспериментального комплекса
Дальнейшее развитие экспериментального комплекса для исследования теплообмена в наножидкостях может идти по следующим направлениям:
- Повышение максимальной мощности и скорости нагрева
- Расширение диапазона рабочих температур и давлений
- Реализация различных режимов нагрева (ступенчатый, модулированный и т.д.)
- Применение дополнительных методов диагностики (оптических, акустических)
- Автоматизация процесса измерений и обработки данных
Это позволит получать более детальную информацию о теплофизических свойствах и процессах теплообмена в наножидкостях при экстремальных условиях.
Заключение
Разработанный экспериментальный комплекс на основе метода управляемого импульсного нагрева открывает новые возможности для исследования теплофизических свойств наножидкостей. Его основные преимущества:
- Высокая скорость измерений
- Возможность создания больших плотностей теплового потока
- Исследование метастабильных состояний
- Изучение динамики процессов теплообмена
Полученные с помощью комплекса результаты для водных суспензий наночастиц Al2O3 демонстрируют его эффективность и информативность. Дальнейшее развитие установки позволит получать уникальные данные о теплофизических свойствах широкого класса наножидкостей в экстремальных условиях.
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются. Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные: КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в схемах автоматики и защиты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Масса транзистора не более 20 гр. Чертёж транзистора КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827ВЭлектрические параметры КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В.
Предельные эксплуатационные данные КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В.
Примечания. РК макс=(Тп-Тк)/RТ п к, где RТ п к — тепловое сопротивление переход-корпус, определяется из области максимальных режимов. 2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора. 1-2. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.1-2. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 1-2. Зависимости напряжений насыщений коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Область максимальных режимов.1-2. Зависимости напряжений насыщений коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. | |
1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Тк>24,85°С определяется по формуле:
3. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Область максимальных режимов.КТ827, 2Т827 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом
КТ827, 2Т827 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.
Основные технические параметры транзистора КТ827, 2Т827.
Обозначение на схеме и реальные размеры транзистора КТ827, 2Т827 Внешний вид транзистора на примере КТ827Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
..18000Транзистор КТ827 характеристики (datasheet)
Кремниевый составной транзистор КТ827 (n-p-n)
Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.
Цоколевка и размеры корпуса
Технические характеристики
Основные технические характеристики транзисторов КТ827:
| Прибор | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКЭ, В | IК, А | UКЭ нас, В | IКЭR, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
| КТ827А | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 100 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| КТ827Б | 20 | 40 | 80 | 80 | 5 | 125 | 25 | 200 | 100 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| КТ827В | 20 | 40 | 60 | 60 | 5 | 125 | 25 | 200 | 100 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| 2Т827А | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| 2Т827А2 | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…19,4 | |
| 2Т827А5 | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…19,4 | |
| 2Т827Б | 20 | 40 | 80 | 80 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| 2Т827Б2 | 20 | 40 | 80 | 80 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…19,4 | |
| 2Т872В | 20 | 40 | 60 | 60 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| 2Т872В2 | 20 | 40 | 60 | 60 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…19,4 | |
Аналоги и замена
Зарубежные аналоги транзистора КТ827: 2N6057, BDX87.
Список возможных замен на зарубежные транзисторы:
| КТ827А | КТ827Б | КТ827В |
| BDX65A BDX67 BDX87C MJ3521 MJ4035 |
2N6058 2N6283 BDX63 BDX65 BDX67 BDX85B BDX87B MJ3001 MJ4034 |
2N6057 2N6282 BDX85 BDX85A BDX87 BDX87A MJ3000 MJ3520 MJ4033 |
Эквивалентная схема составного транзистора КТ827:
Составной Транзистор КТ827 А Б В 2Т827 А Б В
Опис
Купить Цена Составной Транзистор КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В.
Количество уточняйте!
Цена за штуку нового или б.у. одна – 45грн!
Новые отдельно выбирать не будем!
Может попастся или новый или б.у.
Все транзисторы проверяем на пробой!
ОПТ(от 50штук) – по 40грн!
Транзисторы КТ и 2Т считаем одинаковыми, тоесть для нас
КТ827В = 2Т827В.
Транзисторы n-p-n, составные, большой мощности, средней частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе, предназначенные для работы в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.
Транзисторы биполярные 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В (составной) структуры n-р-n усилительные, предназначены для использования в выходных каскадах усилителей мощности, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, в ШИМ-преобразователях, в схемах управления электроприводом, электронных системах управления защиты и автоматики. Транзисторы 2Т827А—2Т827В, КТ827А—КТ827В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 .
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Цоколевка и размеры корпуса Кт827 2т827
Технические характеристики
Основные технические характеристики транзисторов КТ827:
Предельные параметры КТ827 2Т827
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):
- КТ827А, Б, В – 20 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):
- КТ827А, Б, В – 40 А
Граничное напряжение (UKЭ0 гр):
- КТ827А – 100 В
- КТ827Б – 80 В
- КТ827В – 60 В
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UKБ0 max):
- КТ827А – 100 В
- КТ827Б – 80 В
- КТ827В – 60 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):
- КТ827А, Б, В – 5 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:
- КТ827А, Б, В – 125 Вт
Максимально допустимая температура перехода (Тп max):
- КТ827А, Б, В – 200° C
Значения параметров КТ827 при Т
перехода=25oССтатический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (UКЭ) 3 В, при постоянном токе коллектоpа (IК) 10 А:
- КТ827А, Б, В – 750…18000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)
Обратный ток коллектоp-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер (IКЭR)
- КТ827А, Б, В – 3 мА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
- КТ827А, Б, В – 4 МГц
Емкость коллектоpного перехода (CК)
- КТ827А, Б, В – 400 пф
Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)
- КТ827А, Б, В – 350 пф
Время включения биполярного транзистора (tвкл)
- КТ827А, Б, В – 1 мкс
Время выключения биполярного транзистора (tвыкл)
- КТ827А, Б, В – 6 мкс
Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)
- КТ827А, Б, В – 1,4…10.9° С/Вт
Аналоги и замена
Зарубежные аналоги транзистора КТ827(2Т827): импортные 2N6057, BDX87.
Полного аналога нету.
Список возможных замен на зарубежные транзисторы:
| КТ827А | КТ827Б | КТ827В |
| BDX65A BDX67 BDX87C MJ3521 MJ4035 | 2N6058 2N6283 BDX63 BDX65 BDX67 BDX85B BDX87B MJ3001 MJ4034 | 2N6057 2N6282 BDX85 BDX85A BDX87 BDX87A MJ3000 MJ3520 MJ4033 |
Эквивалентная схема составного транзистора КТ827:
Транзисторы КТ827 и КТ973 — маркировка, цоколевка, основные параметры.
Транзисторы КТ973
Транзисторы КТ973 — мощные, высокочастотные, кремниевые, составные, структура — p-n-p.
Корпус пластиковый TO-126.
Маркировка либо буквенно — цифровая, либо — кодированная, на лицевой части корпуса.
На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ973.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока — свыше 750.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ973А —
— 60в.
У транзисторов КТ973Б —
— 45в.
Коэффициент передачи тока — от 750.
Максимальный постоянный ток коллектора — 4 А.
Обратный ток колектора при напряжении коллектор-эмиттер 60 в:
У транзисторов КТ973А, КТ973В — 1 мА, при температуре окружающей среды
+ 25 по Цельсию.
У транзисторов КТ973Б при напряжении коллектор-эмиттер 45в — 1 мА, при температуре окружающей среды
+ 25 по Цельсию.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА
— не более 1,5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА
— не более 2,5в.
Рассеиваемая мощность коллектора — 8 Вт(на радиаторе).
Граничная частота передачи тока —
— 200 МГц.
Транзистор комплементарный КТ973 — КТ972.
Зарубежный аналог КТ973 — BD876.
На главную страницу
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
2Т827А транзистор кремниевый NPN (30А 100В) 125W (ТО-3) 5-я приемка
2Т827А транзистор NPN (30А 100В) 125W (ТО-3) 5-я приемка Корпус: ТО-3 Наименование 2Т827А ТО-3 Транзистор Функциональный тип биполярный Типоразмер корпуса КТ-9 Структура n-p-n Дата выпуска 01.01.1986 Торговая марка АО ЭЛЕКТРОНПРИБОР, Фрязино Страна происхождения СССР ТУ аА0.339.119 ТУ Вид приемки «5» Материал корпуса металл со стеклянными изоляторами Тип вывода жесткий Рабочее положение любое Фактическая маркировка 2Т827А Вид упаковки полиэт.пакет Состояние упаковки самоупаковка Кратность отгрузки 1 Габаритные размеры L*W*H 26х40х26 Высота корпуса 10 mm Длина выводов 13 mm Масса изделия, гр. 14,5 Зарубежные аналоги BDX63 2N6059 Английская транскрипция Transistor 2T827A Макс. допустимое напряжение коллектор-база 100 V Макс. допустимое напряжение коллектор-эмиттер 100 V Макс. допустимое напряжение эммитер-база 5 V Макс. допустимый постоянный ток коллектора 20 A Максимальная мощность рассеивания 125 W Максимальный обратный ток, Iобр 2 mA Транзистор 2Т827А биполярный, кремниевый, эпитаксиальный, мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в услителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных систем управления защиты и автоматики. Код ОКП 6341135805 Uкбо — Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax — Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и — Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо — Обратный ток коллектора fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Uкэн — напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Транзистор 2Т827А —
Драгоценные металлы в транзисторе 2Т827А согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.
Содержание драгоценных металлов в транзисторе 2Т827А.
Золото: 0.016 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Примечание: .
Если у вас есть интересная информация о транзисторе 2Т827А сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.
Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,
Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,
Фото транзистора марки 2Т827А:
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
Схемы включения полевых транзисторов
Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).
Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.
Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.
Справочные данные на транзисторы (DataSheet) 2Т827А включая его характеристики:
Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:
Транзистор доступное описание принципа работы.
Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.
Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.
Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.
В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на 2Т827А:
Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, 2Т827А:
(PDF) Аппарат для изучения теплообмена в наножидкостях при мощном нагреве
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕПЛООБМЕНА В НАНОЖИДКОСТЯХ 153
БЛАГОДАРНОСТИ
Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований, грант №. 10-08-00538-а.
Авторы благодарят Э.Г. Калининой и А.П. Сафронову, Институт электрофизики УрО,
РАН, за синтез и сертификацию образцов наножидкостей.Программное обеспечение для системы
разработано В.С. Рутин, Институт теплофизики Уральского отделения Российской академии
наук.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Терехов В.И., Калинина С.В., Леманов В.В. Механизм теплопереноса в наножидкостях: современное состояние
(обзор), ч. 1. Синтез и свойства наножидкостей, Thermophys. Аэромех., 2010, т. 17. С. 1–14.
2. Дас, С.К., Чой, С.Ю., Ю., В., Прадип, Т., Наножидкости: наука и технологии, Wiley, 2008.
3. Ассаэль, М.Дж., Антониадис, К.Д., Уэйкхэм, В.А., Историческая эволюция переходной технологии с горячей проволокой.
Technique, Int. Журнал Thermophys., 2010, т. 31. С. 1051–1072.
4. Скрипов П.В., Смотрицкий А.А., Старостин А.А., Шишкин А.В. Метод управляемого импульсного нагрева:
Applications, J. Eng. Therm., 2007, т. 16. С. 155–163.
5. Жуков С.А., Афанасьев С.Ю., Эчмаев С.Б. // Междунар. J. Тепломассообмен, 2003, т. 46, стр. 3411.
6. Волосников Д.В., Сивцов А.В., Скрипов П.В., Старостин А.А. Метод управляемого импульсного нагрева
для исследования свойств короткоживущих жидкостей // Инструментальные средства. Exper. Techniq., 2000, т. 43. С. 134–139.
7. Скрипов П.В., Старостин А.А., Волосников Д.В. Теплообмен в импульсных перегретых жидкостях // Докл. Физ.,
2003, т. 48. С. 228–231.
8. Васильев С.Н., Волосников Д.В., Скрипов П.В., Старостин А.А., Шишкин А.В., Программируемое устройство
для экспериментов с перегретым датчиком в импульсном режиме работы // Инстр. Exper. Techniq.,
2004, т. 47, стр. 539.
9. Ермаков Г.В. Термодинамические свойства и кинетика вскипания перегретых жидкостей. Екатеринбург: Уральское отделение, Акад. Наук, 2002.
10. Скрипов В.П. Метастабильные состояния // Неравновесные состояния.Термодин., 1992, т. 17. С. 193–236.
11. Скрипов П.В. , Скрипов А.П. Феномен перегрева жидкостей: памяти Владимира П. Скрипова,
Int. Журнал Thermophys., 2010, т. 31. С. 816–831.
12. Родер Ю.М., Перкинс Р.А., Ласеке А. и Нието де Кастро, К.А., Абсолютные стационарные тепловые измерения
Измерения проводимости с использованием переходной системы с горячей проволокой, J. Res. Natl. Inst. Стоять. Technol.,
2000, т. 105. С. 221–253.
13.Родер Х.М. Аппарат для определения нестационарной теплопроводности с горячей проволокой для жидкостей // J. Res. Nat. Бур. Stand.,
1981, т. 86. С. 457–480.
14. Зиновьев В.Е. Теплофизические свойства металлов при высоких температурах. Справочник. М .: Металлугия, 1989.
. 15. Скрипов П.В. и Рутин С.Б., Патент RU 92728 U1, 2009.
16. Калинина Е.Г., Рутин В.С., Рутин С.Б., Сафронов А.П., Скрипов П.В. Теплообмен наножидкостями при импульсном тепловыделении
// Тр. Всероссийская конференция, 29 Сибирский теплофизический семинар, Новосибирск: Институт теплофизики
СО РАН, 2010, CD.
17. Скрипов П.В., Рутин С.Б., Казаков А.А., Калинина Е.Г., Сафронов А.П., Бызов И.В., Уимин М.А.,
Теплообмен в наножидкостях при импульсном нагреве большой мощности, Технические конференции International ,
Наножидкости: основы и приложения 2, Монреаль, 2010 г., стр.9.
18. Дин, Ю., Чен, Х., Ван, Л., Ян, Ч-Ю., Хе, Ю., Ян, В., Ли, В.П., Чжан, Л., и Хо, R., Heat
Интенсификация переноса с использованием наножидкостей, Powder Particle, 2007, т. 25. С. 23–38.
19. Волосников Д.В., Павлов П.А., Скрипов П.В. Метод кратковременных измерений комплекса теплофизических свойств жидкостей
. Теория и эксперимент // Метастабильные состояния и фазовые переходы. Екатеринбург: УрО РАН, 2001. Вып.5. С. 80–99.
ЖУРНАЛ ИНЖЕНЕРНОЙ ТЕРМОФИЗИКИ Том. 21 № 2 2012
Управляющие сигма-дельта-измерительные АЦП высокого разрешения
Управляющий сигма-дельта-измерительный АЦП высокого разрешенияСемейство АЦП AD77XX оптимизировано для приложений измерения низкочастотных преобразователей с высоким разрешением (16–24 бит).
- Разрешение: 16-24 бит
- Ширина полосы входного сигнала: <60 Гц
- Эффективная частота дискретизации: <100 Гц
- Общая архитектура сигма-дельта
- Предназначен для непосредственного подключения к датчикам (<1 кОм), таким как мосты без внешнего буферного усилителя (например,g., AD77XX - серия)
— Встроенный PGA и АЦП высокого разрешения исключает необходимость во внешнем усилителе - Если используется буфер, он должен быть прецизионным с низким уровнем шума (особенно с шумом 1 / f)
— OP177
— AD707
— AD797
Некоторые члены этого семейства, например AD7730, имеют входной буфер с высоким импедансом, который изолирует аналоговые входы от коммутационных переходных процессов, генерируемых входным усилителем с программируемым усилением (PGA) и сигма-дельта-модулятором. Таким образом, никаких особых мер предосторожности при управлении аналоговыми входами не требуется.Однако другие члены семейства AD77XX либо не имеют входного буфера, либо, если он встроен в микросхему, его можно включать или выключать под управлением программы. Обход буфера дает небольшое улучшение шумовых характеристик.
Эквивалентная входная схема семейства AD77XX без входного буфера показана ниже. Входной переключатель переключается между дискретным конденсатором 10 пФ и землей. Внутреннее сопротивление 7 кОм, R INT , является активным сопротивлением входного мультиплексора.Частота переключения зависит от частоты входных тактовых импульсов, а также от внутреннего усиления PGA. Если преобразователь работает с точностью до 20 бит, внутренний конденсатор 10 пФ, C INT , должен заряжаться с точностью до 20 разрядов, пока переключатель подключает конденсатор ко входу. Этот интервал составляет половину периода сигнала переключения (рабочий цикл 50%). Постоянная времени RC на входе из-за резистора 7 кОм и конденсатора выборки 10 пФ составляет 70 нс. Если заряд должен достичь 20-битной точности, конденсатор должен заряжаться не менее 14 постоянных времени, или 980 нс.Любое внешнее сопротивление, включенное последовательно со входом, увеличит эту постоянную времени.
- R EXT Увеличивает время зарядки C INT и может привести к ошибке усиления
- Время зарядки, зависящее от частоты дискретизации входного сигнала и настройки внутреннего усиления PGA
- Допустимые значения R EXT см. В специальном листе данных для поддержания требуемой точности
- Некоторые АЦП серии AD77XX имеют внутреннюю буферизацию, которая изолирует вход от схем переключения
В технических описаниях различных АЦП AD77XX есть таблицы, в которых указаны максимально допустимые значения R EXT для поддержания заданного уровня точности.С этими таблицами следует обращаться, если сопротивление внешнего источника превышает несколько кОм.
Обратите внимание, что для случаев, когда требуется внешний буфер операционного усилителя с этим типом преобразователя, существуют рекомендации для наилучшей общей производительности. Этот усилитель должен быть прецизионного типа с биполярным входом с низким уровнем шума, например OP177, AD707 или AD797.
% PDF-1.6 % 2 0 obj > / OCGs [305 0 R] >> / Тип / Каталог >> эндобдж 568 0 объект > поток 2011-11-21T11: 51: 17 + 13: 00Canon iR C5185 PDF2011-11-21T14: 04: 52 + 13: 002011-11-21T14: 04: 52 + 13: 00Canon iR C5185 PDFapplication / pdfuuid: e27c12bf-dfee- 4975-8673-b3f73a62f0abuid: fb3e2eb5-9bfc-453b-a609-2f51d94f4749 конечный поток эндобдж 285 0 объект > / Кодировка >>>>> эндобдж 3 0 obj > эндобдж 305 0 объект >>> / Имя (верхние / нижние колонтитулы) / Тип / OCG >> эндобдж 297 0 объект > эндобдж 296 0 объект > эндобдж 298 0 объект > эндобдж 81 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 87 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 93 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 100 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 106 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 112 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 119 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 125 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 132 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 139 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 146 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 153 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 159 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 166 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 174 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 182 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 189 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 196 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 202 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 208 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 215 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 223 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 231 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 238 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 246 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 252 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 259 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 266 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 273 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 277 0 объект > / ProcSet [/ PDF / ImageB] / ExtGState >>> / Тип / Страница >> эндобдж 284 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC] / ExtGState >>> / Type / Page >> эндобдж 567 0 объект > поток HtKoS1JɌ = ~ QPQUKVM7 {fđ | w9 \ ‘U a! «/ {:’ Xq ݃ c Krϡ) & * p XMxTc \ yl + Klx & fo> a 纪 ogA0] QI {| ^ w0 & j
^ yh] ùSN-ss> 6t3R \ 8 = ^ x2W} (hĢk1G $ ihsb} ٸ dXmO 鑭 Y (WsoQ6K7} @Wäc}? P ! Dx ^ mxI ?.B4Ih ܯ1 / Yw |} «ٺ e +
Ферриты и производство ферромагнетиков свободной энергии — JLN Labs
Ферриты и ферромагнетики Генерация свободной энергии Заев Николай Евгеньевич Граничная ул. Россия, 143930, Московская область, с. Салтыковка, д. 8 Тел. (095) 529-96-64Предложен способ генерации свободной энергии ферритов и ферромагнетиков, основанный на способности индуктивности обмениваться температурой со средой. Для практических целей качество ферромагнетика как материала индукционных систем оценивается по удельным потерям (Вт / кг), возникающим в процессе перемагничивания при соотношении частот f и индукции B = const.Например, если f = 50 Гц, имеется 50 циклов перемагничивания и 100 циклов размагничивания (MD) за 1 секунду. В электротехнологической стали типа 1100 потери 7,5 Вт / кг при В = 1,5 Т, т.е. удельные потери стали 7,5 кВт / т, 64,5 кВт / м 3. Одно перемагничивание занимает 20 миллисекунд и в этом случае температура нагрева стали на 36 · 10-6 ° C выше за это время. Петля гистерезиса является интегральным силовым универсальным индикатором смены знака циклов МД. Его площадь пропорциональна потерям энергии, затрачиваемой на джоулево тепло, которое генерируется вихревыми токами за счет перемагничивания, т.е.е. изменением знака Br (остаточная индукция). Классическое определение магнитной проницаемости следующее:
µ =
B ⋅ H µ0 ⋅ H 2 1 J A1 = — = µ 0 ⋅ H 2 (µ — 1) 3 2 2 2 м
Как процесс намагничивания начинается с µ1> 1 (так как остаточная индукция Br> 0), то доступная для захвата энергия равна:
A2 =
(1)
A2 =
µ 1 ω 4 ⋅i2 µ 0 ⋅ µ1 ⋅ max — 1 ⋅ V0 ⋅ 2 J 2 l µ1
(5)
, если V0 — магнитный объем, ω — количество витков обмотки индуктивности, а l — средняя длина
Am>
1 2 H ⋅ µ0 2
, поскольку ток намагничивания расходует часть своей энергии на джоулево тепло
B⋅H µ0 ⋅ H 2
(4)
Его абсолютное значение составляет
, где µ0 — проницаемость вакуума.Тогда нам нужно просто изменить его:
µ =
µ 1 Дж µ 0 ⋅ µ1 ⋅ max — 1 ⋅ H 2 3 2 м µ1
магнитопровод ферромагнетика. Очевидно,
B µ0 ⋅ H
(3)
Θ J таким образом, что tm
Am = 0,5 ⋅ µ 0 ⋅ H ⋅ V0 + R ∫ i 2 dt 2
(6)
0
(2)
, и становится очевидным, что это уравнение является отношением магнитной энергии к энергии, вложенной в индуктивность при намагничивании. Эта энергия генерируется, индуцируется магнитной энергией и сопровождается нагревом.Как обычно µ >> 1, тогда источник энергии
B ⋅ H µ0 ⋅ H 2 — 2 2
— это не источник тока, а энергия самого магнита. Он становится магнитным из-за способности ферромагнетика самопроизвольно увеличивать ориентационное упорядочение электронных (или доменных) спинов и одновременно изменять теплоемкость при образовании намагниченности. Удельная величина возникающей магнитной энергии составляет
, где R — сопротивление цепи тока намагничивания im, а tm — время намагничивания.Эффективность отбора доступной энергии следует оценивать как произведение Am
µ ω 4 ⋅i2 0,5 ⋅ µ 0 ⋅ µ1 ⋅ max — 1 ⋅ Ve ⋅ 2 l A µ1 ϕ = d = t 4 2 Am ω ⋅i 0,5 ⋅ µ 0 ⋅ 2 ⋅ Ve + R ∫ i 2 ⋅ dt + Θ F l 0 где
(7)
Θ F — потери вихревых токов. Только если
Θ J → 0, то Θ F → 0 µ ϕ max ≅ µ1 ⋅ max — 1 µ1
New Energy Technologies Issue # 5 (8) сентябрь-октябрь 2002
( 8)
35
Значение µ1 находится в диапазоне ~ 100 ÷ 10000, Θ F невзрачно.Поскольку
Θ J >> 0, то ϕ зависит от 8
параметров в (7) и может иметь большее значение. Геометрический объем магнитного V0 используется редко; эффективный объем
AII =
Ve = V0 ⋅ β, β
∑U
2 i
(10)
i
а энергию начальных импульсов можно описать следующим образом:
AI = a ⋅
Плотность циклов преобразования оценивается только по V0, т.е. по
∆t RII2
0.5 10 −6 U r
(11)
A — Am , то из (7) мы видим Wd = f ⋅ d V 0
способы умножения этой мощности. Поскольку принят «нетоковый источник» (который составляет только H), внутренняя энергия генерируется внешними силами, которые осуществляют обмен энергией с магнитным. Для единицы изотропного диэлектрического объема при изменении обозначений можно предложить [1] следующее выражение:
µ 0 ⋅ ∂µ 2 ∂TH ⋅ T 1 1 2 U = U 0 (T) + µ 0 µH + ⋅ или 2 2 ∂µ µ0 H 2 ⋅ T ∂T
µ 0 ⋅ ∂µ
RII 1
Рис.1
(9)
H 2 ⋅ T или электрическая
Схемы устройства показаны на рисунке 2. Имеются двухлучевой осциллограф С1-96, генератор частоты Г5-54, переключатель на транзисторе 2Т827А. Входная емкость — 25 пФ, сопротивление — 1 Ом. Все индуктивности находятся в условиях максимальной магнитной проницаемости. Измерения производились на частоте 30 кГц. Точность составила около 8%. Свободная энергия для этого подхода действительно свободна и ограничена только точкой Кюри выше.То же самое везде ниже точки Кюри (то есть в воздухе, вакууме или космосе). Пример: Материал 65 нм, a = 2V,
∂µ µ 0 ⋅ H 2 ⋅ T . Это экстремальное значение, но на самом деле они ∂T
1 ⋅10 −6 AII = ⋅15,33 = 1,3936 ⋅10 −9 Дж. 3 11 ⋅10
смешаны и представляют собой конгломерат. Индуктивность и среда — это открытые системы с точки зрения термодинамики. Это должно быть доказано фактом генерации их свободной энергии. Во-первых, необходимо выбрать «минимально» возможное сравнение энергии AI; что равно 0.5 · 10-6 сек, выбор тока и сопротивления зависит от обстоятельств. Выбираем ti = 0,5 · 10-6 сек. мы предельно минимизировали (AI) без ухудшения возможности измерения. Во-вторых, нам нужно интерпретировать ответ. Повторный импульс, инициированный начальным, будет отображаться на экране осциллографа в виде экспоненциальной кривой. Он останавливается на нулевом делении шкалы, когда кинетическая энергия превращается в потенциальную. Это очень важно. Их поведение нас больше не интересует: они могут тут же останавливаться или совершать какие-то затухающие колебания.Энергия повторяющихся импульсов может быть описана следующим выражением:
36
i
1
Самый последний член показывает, что тип энергии может быть либо тепловым ∂T
a
AI = 2 ⋅
1 10 −6 ⋅ 0,3 = 0,588 ⋅10 −9 Дж, т.е. λ = 2,37. 510
Конечно, возникает вопрос, какова величина охлаждающего эффекта? Из примера видно, что материал 65 нм показывает 1,3936 · 10-9 · 30 · 103 = 41,808 · 10-6 Дж / сек, экспериментально наблюдать такое значение невозможно.+
11 кОм
_ r +/- 5%
Рис.2
Результаты показаны в таблице 1:
New Energy Technologies Выпуск № 5 (8) сентябрь-октябрь 2002 г.
Таблица 1 Материал
Hc, А / м
L, Генри, 10-3
R, Ом
U, V
r, Ом
µ min µ max
V0, см3
λ
Точка Кюри
81 НМ
2,07
495
5,4
1,16
2200
50000 139 ⋅10 3
6.15
16,3
260 ° C
79 NM
2,0
10,2
0,2
1,27
510
30000 130 ⋅10 −3
17,9
2,96
NM
3,2
100
0,7
1,63
510
5,91
2,37
____
50 N
7,9
51,9
000251,9
.984
500 ° C
15
0,15
28,5
510
242
3,25
> 200 ° C
2500NSM-1 16
Эти данные сравниваются с теми данными, которые были получены ранее другим способом. Этот метод представлял собой сравнение A d («размагничивание») и Am («намагничивание») с одними и теми же материалами. Эксперимент с 50Ncore был удивительным, потому что он не продемонстрировал ничего, кроме ~ 1 индекса магнитной генерации. Оказалось, что его λ тоже равно ~ 1.Метод генерации тесно связан с петлей гистерезиса, являющейся причиной магнитной энергии.
µ max — 1 позволяет полагаться на коэффициент ϕ ≈ µ1 ⋅ µ1 увеличения коэффициента генерации λ, например ti
Политика ITS Repository — ITS Repository
Политика метаданных
для информации, описывающей элементы в репозитории- Кто угодно может получить доступ к метаданным бесплатно.
- Метаданные могут быть повторно использованы на любом носителе без предварительного разрешения в некоммерческих целях и перепроданы на коммерческой основе при условии указания идентификатора OAI или ссылки на исходную запись метаданных.
Политика данных
для полнотекстовых и других полных элементов данных- Любой желающий может получить доступ ко всем элементам бесплатно.
- Копии полных экземпляров обычно могут быть:
- воспроизводится, отображается или исполняется и передается третьим лицам в любом формате или на любом носителе
- для личных исследований или обучения, в образовательных или некоммерческих целях без предварительного разрешения или платы.
- авторы, название и полные библиографические данные приводятся
- гиперссылка и / или URL даны для исходной страницы метаданных
- содержание никак не изменено
- Полные элементы не должны продаваться в коммерческих целях в любом формате или на любом носителе без официального разрешения правообладателей.
Политика содержания
для типов хранимых документов и наборов данных- Это институциональный или ведомственный репозиторий.
- ITS Repository хранит все типы материалов.
- Элементы индивидуально помечены:
- тип их версии и дата.
- их статус экспертной оценки.
- статус их публикации.
Политика представления
в отношении вкладчиков, качества и авторских прав- Предметы могут сдавать на хранение только аккредитованные члены организации или их уполномоченные агенты.
- Авторы могут отправлять в архив только свои собственные работы.
- Администратор проверяет только элементы на соответствие критериям авторов / депонентов, соответствие объему репозитория ITS, допустимый макет и формат, а также исключение спама
- Ответственность за достоверность и достоверность представленных материалов лежит исключительно на депоненте.
- Предметы можно сдать на хранение в любое время, но они не станут общедоступными до тех пор, пока не истечет период эмбарго любого издателя или спонсора.
- Ответственность за любые нарушения авторских прав полностью ложится на авторов / депонентов.
- Если ITS Repository получит доказательство нарушения авторских прав, соответствующий элемент будет немедленно удален.
Политика сохранения
- Предметы будут храниться бессрочно.
- ITS Repository постарается обеспечить постоянную читаемость и доступность.
- При необходимости элементы будут перенесены в новые форматы файлов.
- Там, где это возможно, будут предоставлены программные эмуляции для доступа к немигрированным форматам.
- ITS Repository регулярно выполняет резервное копирование файлов в соответствии с передовой практикой.
- Исходный битовый поток сохраняется для всех элементов, помимо любых обновленных форматов.
- Элементы обычно не могут быть удалены из репозитория ITS.
- Приемлемые причины отказа включают:
- Доказанное нарушение авторских прав или плагиат
- Требования законодательства и доказанные нарушения
- Национальная безопасность
- Фальсифицированное исследование
- Удаленные элементы не удаляются как таковые , но удаляются из общего просмотра.
