Каковы основные параметры и особенности транзистора КТ827. Как правильно использовать КТ827 в электронных схемах. Какие существуют аналоги КТ827 отечественного и зарубежного производства.

Общая характеристика транзистора КТ827

КТ827 — это мощный составной биполярный транзистор структуры n-p-n, выпускаемый в нескольких модификациях (КТ827А, КТ827Б, КТ827В). Данный транзистор широко применяется в силовой электронике благодаря своим высоким значениям максимально допустимого тока коллектора и рассеиваемой мощности.

Ключевые особенности КТ827:

• Структура n-p-n
• Максимальный постоянный ток коллектора — 20 А
• Импульсный ток коллектора — до 40 А
• Максимальная рассеиваемая мощность — 125 Вт
• Высокий коэффициент усиления по току (h21э) — от 750 до 18000
• Граничная частота усиления — 4 МГц

Основные параметры транзистора КТ827

Рассмотрим подробнее ключевые электрические характеристики КТ827 и его модификаций:

Параметр	КТ827А	КТ827Б	КТ827В
Макс. напряжение коллектор-эмиттер, В	100	80	60
Макс. напряжение коллектор-база, В	100	80	60
Макс. напряжение эмиттер-база, В	5	5	5
Макс. постоянный ток коллектора, А	20	20	20
Макс. импульсный ток коллектора, А	40	40	40
Макс. рассеиваемая мощность, Вт	125	125	125
Коэффициент усиления h21э	750-18000	750-18000	750-18000
Граничная частота fгр, МГц	4	4	4

Применение транзистора КТ827 в электронных схемах

Благодаря своим характеристикам, КТ827 находит широкое применение в следующих областях:

• Усилители мощности звуковой частоты
• Импульсные источники питания
• Регуляторы напряжения и тока
• Драйверы электродвигателей
• Коммутаторы силовых цепей

При использовании КТ827 важно учитывать следующие особенности:

1. Необходимость качественного теплоотвода из-за высокой рассеиваемой мощности
2. Возможность работы в ключевом и линейном режимах
3. Высокий коэффициент усиления, требующий мер по предотвращению самовозбуждения

Цоколевка и корпус транзистора КТ827

КТ827 выпускается в пластиковом корпусе TO-3P (SOT-9). Расположение выводов следующее:

• 1 — база (B)
• 2 — коллектор (C)
• 3 — эмиттер (E)

Важно отметить, что металлическое основание корпуса соединено с коллектором транзистора. Это необходимо учитывать при монтаже на радиатор, используя изолирующие прокладки при необходимости.

Особенности применения КТ827 в усилителях мощности

КТ827 часто используется в выходных каскадах усилителей мощности звуковой частоты. Его применение позволяет создавать усилители мощностью до 100-150 Вт на канал. При проектировании таких усилителей следует обратить внимание на следующие аспекты:

• Выбор оптимальной рабочей точки для минимизации искажений
• Обеспечение температурной стабилизации
• Защита от короткого замыкания в нагрузке
• Предотвращение теплового разгона

Для улучшения линейности и уменьшения искажений транзисторы КТ827 часто включают в составные пары по схеме Дарлингтона.

Использование КТ827 в импульсных источниках питания

В импульсных источниках питания КТ827 может применяться в качестве силового ключа. Его высокая допустимая мощность и относительно высокая рабочая частота позволяют создавать эффективные преобразователи. При таком применении важно учитывать:

• Время включения и выключения транзистора
• Потери при переключении
• Необходимость снабберных цепей для защиты от перенапряжений
• Обеспечение надежного управления базой для быстрого переключения

Для повышения эффективности и уменьшения потерь при работе на высоких частотах вместо КТ827 в современных разработках часто используют полевые MOSFET-транзисторы.

Аналоги транзистора КТ827

При отсутствии КТ827 можно использовать следующие отечественные и зарубежные аналоги:

Отечественные аналоги:

• КТ8105А
• КТ8115А
• КТ8175А

Зарубежные аналоги:

• 2N6057
• BDX87
• TIP142 (с некоторыми ограничениями)

При замене важно учитывать, что полных аналогов КТ827 среди зарубежных транзисторов нет. Например, популярный TIP142 имеет меньший максимальный ток коллектора (10А против 20А у КТ827) и большее напряжение насыщения коллектор-эмиттер.

Особенности монтажа и эксплуатации КТ827

При работе с КТ827 следует соблюдать ряд правил для обеспечения надежной работы устройства:

1. Обязательное использование качественного теплоотвода, способного рассеять выделяемую мощность
2. Применение теплопроводящей пасты между корпусом транзистора и радиатором
3. При необходимости — использование электроизолирующих термопрокладок
4. Защита от статического электричества при монтаже
5. Соблюдение температурного режима при пайке выводов

Правильный монтаж и эксплуатация позволят полностью реализовать потенциал транзистора и обеспечить долговременную работу устройства.

Измерение параметров и диагностика КТ827

Для проверки исправности КТ827 и измерения его параметров можно использовать следующие методы:

• Проверка состояния переходов с помощью мультиметра в режиме «прозвонки диодов»
• Измерение коэффициента усиления по току с помощью специализированных приборов
• Проверка напряжения насыщения коллектор-эмиттер при заданном токе базы
• Измерение тока утечки коллектора при заданном напряжении коллектор-эмиттер

При диагностике важно сравнивать полученные результаты с паспортными данными транзистора, учитывая допустимый разброс параметров.

КТ827, 2Т827 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ827, 2Т827 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.

Основные технические параметры транзистора КТ827, 2Т827. Транз истор IК, макс (имп) А UКЭ макс В UКБ макс В UЭБ макс В PК макс  Вт h21Э UКЭ нас В IКБ0 мА fгр МГц КТ827А 20 (40) 100 100 5 125 750…18000 2 3 4 КТ827Б 20 (40) 80 80 5 125 750…18000 2 3 4 КТ827В 20 (40) 60 60 5 125 750…18000 2 3 4 2Т827А 20 (40) 100 100 5 125 750…18000 2 3 4 2Т827Б 20 (40) 80 80 5 125 750…18000 2 3 4 2Т827В 20 (40) 60 60 5 125 750…18000 2 3 4 2Т827А2 20 (40) 60 60 5 125 750…18000 2 3 4 2Т827А5 20 (40) 100 100 5 125 750…18000 2 3 4 2Т827Б2 20 (40) 80 80 5 125 750…18000 2 3 4 2Т827В2 20 (40) 60 60 5 125 750…18000 2 3 4 Обозначение на схеме и реальные размеры транзистора КТ827, 2Т827 Внешний вид транзистора на примере КТ827Б

radiohome.ru

Транзисторы КТ827 и КТ973 — маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы КТ973

Транзисторы КТ973 — мощные, высокочастотные, кремниевые, составные, структура — p-n-p. Корпус пластиковый TO-126.
Маркировка либо буквенно — цифровая, либо — кодированная, на лицевой части корпуса. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ973.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — свыше 750.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ973А — — 60в.
У транзисторов КТ973Б — — 45в.

Коэффициент передачи тока — от 750.

Максимальный постоянный ток коллектора — 4 А.

Обратный ток колектора

при напряжении коллектор-эмиттер 60 в:
У транзисторов КТ973А, КТ973В — 1 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
У транзисторов КТ973Б при напряжении коллектор-эмиттер 45в — 1 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА — не более 1,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА — не более 2,5в.

Рассеиваемая мощность коллектора — 8 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока — — 200 МГц.

Транзистор комплементарный КТ973 — КТ972.

Зарубежный аналог КТ973 —

BD876.

На главную страницу
В начало

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор КТ827 — DataSheet

Цоколевка транзисторов КТ827, КТ828

 

Параметры транзистора КТ827

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ827А		BDX63A, MJ3521, SK9440, SK3858,  2N6284, PMD1603K *2, MJ3521 *2
		КТ827Б		BDX65, PMD1602K, SK9438 *2, SMD4006 *2, 2N6357 *2
		КТ827В		BDX85, MJ3520, PMD1601К, 2N6282,  SDM4005 *2, 2N6057 *2
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ827А	—	125*	Вт
		КТ827Б	—	125*
		КТ827В	—	125*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ827А	—	≥4	МГц
		КТ827Б	—	≥4
		КТ827В	—	≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ827А	1к	100*	В
		КТ827Б	1к	80*
		КТ827В	1к	60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ827А	—	5	В
		КТ827Б	—	5
		КТ827В	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ827А	—	20(40*)	А
		КТ827Б	—	20(40*)
		КТ827В	—	20(40*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ827А	100 В	≤3	мА
		КТ827Б	80 В	≤3
		КТ827В	60 В	≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ827А	3 В; 10 А	750..18000*
		КТ827Б	3 В; 10 А	750..18000*
		КТ827В	3 В; 10 А	750..18000*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ827А	10 В	≤400	пФ
		КТ827Б	10 В	≤400
		КТ827В	10 В	≤400
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ827А	—	≤0.2	Ом, дБ
		КТ827Б	—	≤0.2
		КТ827В	—	≤0.2
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ827А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ827Б	—	—
		КТ827В	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ827А	—	≤4.5* мкс	пс
		КТ827Б	—	≤4.5* мкс
		КТ827В	—	≤4.5* мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Схема транзистора КТ827 | Все своими руками

Опубликовал admin | Дата 16 марта, 2013

Аналог КТ827А

     Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.

     Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.

     Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.

     При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.

     Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.

     В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.

     На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.

     Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.

     Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.

Обсудить эту статью на — форуме «Радиоэлектроника, вопросы и ответы».

Просмотров:82 256

www.kondratev-v.ru

КТ827 характеристики (datasheet) | Техника и Программы

September 18, 2012 by admin Комментировать »

   Кремниевый составной транзистор КТ827 (n-p-n)

Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.

      

Основные технические характеристики тарнзисторов КТ827:

Прибор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C											RТ п-к, °C/Вт
			при T = 25°C
	IК, max, А	IК и, max, А	UКЭ0 гр, В	UКБ0 max, В	UЭБ0 max, В	PК max, Вт	TК, °C	Tп max, °C	TК max, °C	h21Э	UКЭ, В	IК, А	UКЭ нас, В	IКЭR, мА	fгр, МГц	Кш, дБ	CК, пФ	CЭ, пФ	tвкл, мкс	tвыкл, мкс
КТ827А	20	40	100	100	5	125	25	200	100	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…10,9
КТ827Б	20	40	80	80	5	125	25	200	100	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…10,9
КТ827В	20	40	60	60	5	125	25	200	100	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…10,9
2Т827А	20	40	100	100	5	125	25	200	125	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…10,9
2Т827А2	20	40	100	100	5	125	25	200	125	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…19,4
2Т827А5	20	40	100	100	5	125	25	200	125	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…19,4
2Т827Б	20	40	80	80	5	125	25	200	125	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…10,9
2Т827Б2	20	40	80	80	5	125	25	200	125	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…19,4
2Т872В	20	40	60	60	5	125	25	200	125	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…10,9
2Т872В2	20	40	60	60	5	125	25	200	125	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…19,4

Зарубежные аналоги транзистора КТ827: 2N6057, BDX87

nauchebe.net