2Т827А параметры – КТ827, 2Т827 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ827, 2Т827 - биполярный кремниевый NPN транзистор - параметры, использование, цоколёвка. - Биполярные отечественные транзисторы - Транзисторы - Справочник Радиокомпонентов - РадиоДом


КТ827, 2Т827 - биполярный кремниевый NPN транзистор - параметры, использование, цоколёвка.


Основные технические параметры транзистора КТ827, 2Т827.

Транз
истор
IК, макс (имп)
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
 Вт
h21Э UКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
КТ827А 20 (40) 100 100 5 125
750...18000
2 3 4
КТ827Б 20 (40) 80 80 5 125 750...18000 2 3 4
КТ827В 20 (40) 60 60 5 125 750...18000 2 3 4
2Т827А 20 (40) 100 100 5 125 750...18000 2 3 4
2Т827Б 20 (40) 80 80 5 125 750...18000 2 3 4
2Т827В 20 (40) 60 60 5 125 750...18000 2 3 4
2Т827А2 20 (40) 60 60 5 125 750...18000 2 3 4
2Т827А5 20 (40) 100 100 5 125 750...18000 2 3 4
2Т827Б2 20 (40) 80
80
5 125 750...18000 2 3 4
2Т827В2 20 (40) 60 60 5 125 750...18000 2 3 4

Обозначение на схеме и реальные размеры транзистора КТ827, 2Т827

Внешний вид транзистора на примере КТ827Б



radiohome.ru

Транзисторы КТ827 и КТ973 - маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы КТ973

Транзисторы КТ973 - мощные, высокочастотные, кремниевые, составные, структура - p-n-p. Корпус пластиковый TO-126.
Маркировка либо буквенно - цифровая, либо - кодированная, на лицевой части корпуса. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка КТ973.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока

- свыше 750.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ973А - - 60в.
У транзисторов КТ973Б - - 45в.

Коэффициент передачи тока - от 750.

Максимальный постоянный ток коллектора - 4 А.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-эмиттер 60 в:
У транзисторов КТ973А, КТ973В - 1 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
У транзисторов КТ973Б при напряжении коллектор-эмиттер 45в - 1 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА - не более 1,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА - не более 2,5в.

Рассеиваемая мощность коллектора

- 8 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока - - 200 МГц.

Транзистор комплементарный КТ973 - КТ972.

Зарубежный аналог КТ973 - BD876.


На главную страницу
В начало

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор КТ827 — DataSheet

Цоколевка транзисторов КТ827, КТ828Цоколевка транзисторов КТ827, КТ828

 

Параметры транзистора КТ827
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ827А BDX63A, MJ3521, SK9440, SK3858, 

2N6284, PMD1603K *2, MJ3521 *2

КТ827Б BDX65, PMD1602K, SK9438 *2, SMD4006 *2, 2N6357 *2
КТ827В BDX85, MJ3520, PMD1601К, 2N6282, 

SDM4005 *2, 2N6057 *2

Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ827А 125* Вт
КТ827Б 125*
КТ827В 125*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ827А ≥4 МГц
КТ827Б ≥4
КТ827В ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ827А 100* В
КТ827Б 80*
КТ827В 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ827А 5
В
КТ827Б 5
КТ827В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ827А 20(40*) А
КТ827Б 20(40*)
КТ827В 20(40*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ827А 100 В ≤3 мА
КТ827Б 80 В ≤3
КТ827В 60 В ≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ827А 3 В; 10 А 750..18000*
КТ827Б 3 В; 10 А 750..18000*
КТ827В 3 В; 10 А 750..18000*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ827А 10 В ≤400 пФ
КТ827Б 10 В ≤400
КТ827В 10 В ≤400
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ827А ≤0.2 Ом, дБ
КТ827Б ≤0.2
КТ827В
≤0.2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ827А Дб, Ом, Вт
КТ827Б
КТ827В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ827А ≤4.5* мкс пс
КТ827Б ≤4.5* мкс
КТ827В ≤4.5* мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Схема транзистора КТ827 | Все своими руками

Опубликовал admin | Дата 16 марта, 2013

Аналог КТ827А

     Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.

     Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.

     Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.

     При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.

     Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.

     В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.

     На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.

     Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.

     Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.

Обсудить эту статью на - форуме "Радиоэлектроника, вопросы и ответы".

Просмотров:82 256


www.kondratev-v.ru

КТ827 характеристики (datasheet) | Техника и Программы

September 18, 2012 by admin Комментировать »

   Кремниевый составной транзистор КТ827 (n-p-n)

Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.

      

Основные технические характеристики тарнзисторов КТ827:

Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт
    при T = 25°C                        
IК, max, А IК и, max, А UКЭ0 гр, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, Вт TК, °C Tп max, °C TК max, °C h21Э UКЭ, В IК, А UКЭ нас, В IКЭR, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ827А 20 40 100 100 5 125 25 200 100 750…18000 3 10 2 3 4   400 350 1 6 1,4…10,9
КТ827Б 20 40 80 80 5 125 25 200 100 750…18000 3 10 2 3 4   400 350 1 6 1,4…10,9
КТ827В 20 40 60 60 5 125 25 200 100 750…18000 3 10 2 3 4   400 350 1 6 1,4…10,9
2Т827А 20 40 100 100 5 125 25 200 125 750…18000 3 10 2 3 4   400 350 1 6 1,4…10,9
2Т827А2 20 40 100 100 5 125 25 200 125 750…18000 3 10 2 3 4   400 350 1 6 1,4…19,4
2Т827А5 20 40 100 100 5 125 25 200 125 750…18000 3 10 2 3 4   400 350 1 6 1,4…19,4
2Т827Б 20 40 80 80 5 125 25 200 125 750…18000 3 10 2 3 4   400 350 1 6 1,4…10,9
2Т827Б2 20 40 80 80 5 125 25 200 125 750…18000 3 10 2 3 4   400 350 1 6 1,4…19,4
2Т872В 20 40 60 60 5 125 25 200 125 750…18000 3 10 2 3 4   400 350 1 6 1,4…10,9
2Т872В2 20 40 60 60 5 125 25 200 125 750…18000 3 10 2 3 4   400 350 1 6 1,4…19,4

Зарубежные аналоги транзистора КТ827: 2N6057, BDX87

nauchebe.net

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о