Что такое транзистор 3Ft. Каковы основные характеристики и параметры транзистора 3Ft. Где применяется транзистор 3Ft. Как правильно использовать транзистор 3Ft в электронных схемах. На что обратить внимание при выборе транзистора 3Ft.
Что представляет собой транзистор 3Ft
Транзистор 3Ft — это маломощный биполярный транзистор общего назначения в корпусе SOT-23. Он относится к семейству PNP-транзисторов и имеет следующие основные характеристики:
- Структура: PNP
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Максимальный ток коллектора: 100 мА
- Коэффициент усиления по току: 220-475
- Граничная частота: 100 МГц
- Корпус: SOT-23
Данный транзистор часто используется в маломощных усилительных каскадах, схемах коммутации и других применениях, где требуется недорогой универсальный PNP-транзистор.
Основные параметры и характеристики транзистора 3Ft
Рассмотрим более подробно ключевые параметры транзистора 3Ft:
Предельные эксплуатационные данные
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Максимальное напряжение коллектор-база: 50 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 100 мА
- Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт
- Диапазон рабочих температур: -55°C до +150°C
Электрические характеристики
- Коэффициент усиления по току h21E: 220-475 (при Ic=2мА, Vce=-5В)
- Граничная частота ft: 100 МГц (типовое значение)
- Емкость коллекторного перехода: 5 пФ (типовое значение)
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: -0.3 В (макс. при Ic=-10мА, Ib=-0.5мА)
Как видно из характеристик, транзистор 3Ft обладает достаточно высоким коэффициентом усиления и может работать на частотах до 100 МГц, что делает его подходящим для широкого спектра применений.
Области применения транзистора 3Ft
Благодаря своим характеристикам, транзистор 3Ft находит применение во многих областях электроники:
- Маломощные усилительные каскады
- Схемы коммутации и переключения
- Источники питания и стабилизаторы напряжения
- Преобразователи уровня логических сигналов
- Драйверы светодиодов
- Схемы управления реле и другими нагрузками
- Генераторы и осцилляторы
- Входные каскады операционных усилителей
Универсальность и доступность делают этот транзистор популярным выбором для многих разработчиков электронных устройств.
Особенности использования транзистора 3Ft в схемах
При проектировании схем с использованием транзистора 3Ft следует учитывать некоторые важные моменты:
- Как PNP-транзистор, 3Ft требует «обратной» полярности включения по сравнению с NPN-транзисторами
- Максимальный ток коллектора ограничен 100 мА, что нужно учитывать при расчете нагрузки
- Коэффициент усиления может значительно варьироваться в пределах 220-475, что может потребовать дополнительных мер стабилизации в некоторых схемах
- При работе на высоких частотах необходимо учитывать паразитные емкости и индуктивности корпуса SOT-23
- Для минимизации шумов рекомендуется использовать качественную развязку по питанию
Соблюдение этих рекомендаций позволит наиболее эффективно использовать возможности транзистора 3Ft в ваших схемах.
Сравнение транзистора 3Ft с аналогами
Для понимания преимуществ и недостатков транзистора 3Ft полезно сравнить его с некоторыми аналогами:
| Параметр | 3Ft (BC857B) | BC327 | 2N3906 |
|---|---|---|---|
| Структура | PNP | PNP | PNP |
| Макс. напряжение Vce | 45 В | 45 В | 40 В |
| Макс. ток коллектора | 100 мА | 800 мА | 200 мА |
| Коэффициент усиления h21E | 220-475 | 100-250 | 100-300 |
| Граничная частота | 100 МГц | 130 МГц | 250 МГц |
| Корпус | SOT-23 | TO-92 | TO-92 |
Как видно из сравнения, 3Ft обладает высоким коэффициентом усиления, но уступает некоторым аналогам по максимальному току и граничной частоте. Его преимуществом является компактный корпус SOT-23, удобный для поверхностного монтажа.
Рекомендации по выбору транзистора 3Ft
При выборе транзистора 3Ft для вашего проекта обратите внимание на следующие аспекты:
- Соответствие максимальных напряжений и токов требованиям вашей схемы
- Достаточность коэффициента усиления для решения поставленной задачи
- Соответствие граничной частоты требуемому быстродействию схемы
- Совместимость корпуса SOT-23 с технологией монтажа вашего устройства
- Доступность и стоимость транзистора у поставщиков
- Наличие качественной технической документации от производителя
Учет этих факторов поможет вам сделать оптимальный выбор и обеспечить надежную работу вашего устройства.
Типовые схемы включения транзистора 3Ft
Рассмотрим несколько типовых схем включения транзистора 3Ft, которые часто используются в электронных устройствах:
Схема с общим эмиттером
Это наиболее распространенная схема включения, обеспечивающая усиление как по току, так и по напряжению. В этой конфигурации эмиттер транзистора подключается к общему проводу, база — через резистор к источнику входного сигнала, а коллектор — через нагрузочный резистор к отрицательному полюсу источника питания.
Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель)
В этой схеме коллектор подключается к отрицательному полюсу питания, база — к источнику входного сигнала, а нагрузка включается в цепь эмиттера. Такая конфигурация обеспечивает высокий входной импеданс и низкий выходной, что полезно для согласования высокоомных источников сигнала с низкоомной нагрузкой.
Схема с общей базой
Здесь база подключается к фиксированному потенциалу, эмиттер — к источнику входного сигнала, а коллектор — через нагрузку к отрицательному полюсу питания. Эта схема обеспечивает хорошие высокочастотные характеристики и используется в ВЧ-усилителях.
Выбор конкретной схемы включения зависит от требований к усилению, входному и выходному сопротивлению, частотным характеристикам и другим параметрам вашего устройства.
Работа транзистора в ключевом режиме
РАБОТА ТРАНЗИСТОРА В КЛЮЧЕВОМ РЕЖИМЕ
Статические характеристики
В ключевом режиме используются схемы ОЭ, ОБ, ОК, но чаще всего схема ОЭ.
Как правило, в ключевом режиме транзистор находится в двух крайних состояниях:
1 Закрытое состояние.
Iб = 0; Iк = Iк0; Vк ~ Vист.
2. Открытое состояние.
Iб > Iк / b; Vк = Vнас., где
Этот режим называется режимом насыщения. В нем транзистор теряет свои усилительные свойства и становится по коллекторной цепи малым сопротивлением. Сопротивление коллекторного перехода уменьшается до десятков ом у маломощных транзисторов до долей ома у мощных.
Пример: КТ3102 Iб = 1 мА, Iк = 10 мА, Vнас. £ 0.1 В, Rнас. = 10 ом
КТ818А Iб = 0.5 А, Iк =
3 А, Vнас.
0.3 ¸ 0.5 В, Rнас.
~ 0.1 ом
Коэффициент насыщения транзистора:
Пример: КТ3102. b = 100 — 250
S = 100 ∙ 1.0/10 = 10
Для маломощных транзисторов S = 5 – 20, для мощных транзисторных ключей b = 2 — 3.
Распределение потенциала.
Vбэ нас. = 1 В. Пусть Vкэ нас. = 0.4 В, тогда Vкб = -0.6 В. Коллекторный переход смещается в прямом направлении и тоже начинает инжектировать в область базы не основные носители. Это приводит к существенному уменьшению сопротивления между эмиттером и коллектором транзистора.
Расчет схем по постоянному току в ключевом режиме.
Необходимо обеспечить надежное запирание транзистора с учетом возможного увеличения обратного тока коллектора Iк0 с ростом температуры. Если между базой и эмиттером транзистора включено сопротивление Rб, то ток Iк0 создает на нем падение напряжение Vбэ = Iк0 * Rб. Транзистор будет заперт, если выполняется условие:
Vбэ £ (3 – 4) ∙ ft; где ft = 25 мВ —
температурный потенциал.
Надежный переход транзистора в насыщенное состояние при минимальном значении bмин. для данного типа транзистора обеспечивается при:
Пример: Обеспечить ключевой режим транзистора.
1. Транзистор открыт:
Iк » Епит/R = 10 мА
Iб = Iк ∙ S/b = 10 ∙ 10/100 = 1 мА.
Rб = (3В – Vбэнас.)/Iб = (3-1)/10 -3 = 2кОм.
2. Транзистор закрыт:
Vбэ = Iк0 ∙ Rб = 2Е-6 А * 2Е+3 = 4 мВ< 3ft
Cуществование режима насыщения транзистора приводит к появлению некоторых важных особенностей во временных характеристиках его переключения. Оказывается, процессы включения выключения имеют инерционных характер, что объясняется наличием накопленного заряда неосновных носителей Q в базе.
Накопление заряда Q в базе транзистора аналогично процессам в диоде:
при Iб = const
t ® ∞
Q ® Iб∙tb
Известна также другое соотношение
= // =
tb — постоянная времени накопления
заряда с общим эмиттером.
ta — постоянная времени накопления заряда с общей базой
ta = 1/(2p×fгр.), где fгр. – граничная частота транзистора – частота, на которой бета транзистора становится равным единице. На этой частоте транзистор теряет свои усилительные свойства.
Отпирание транзистора
|
Если tb = ta ∙ b, то в пределе можно получить:
Следует заметить, что переходные процессы при этом не
кончаются, и еще в течение некоторого времени dt = (2 – 3) ∙ tb
продолжается накопление заряда в базе транзистора.
Этот процесс можно наблюдать
по медленному спаданию коллекторного и базового напряжений до установившегося
значения, при этом dV = 0.2 – 0.5 В в зависимости от типа транзистора.
Замечание. Все предыдущие рассуждения касались тока транзистора. Если рассчитывается переходной процесс напряжения коллектора, то надо учитывать влияние коллекторной емкости, иначе ошибки будут большими. В реальной схеме ключа (см рисунок) во время переходного процесса при включении транзистора ток базы тратится на
· на увеличение накопленного заряда в базе (ток I1)
· на зарядку емкости коллекторного перехода транзистора Ск при изменении коллекторного напряжения от Епит. до Vкнасыщ (ток I2).
Влияние Ск приводит к увеличению времени включения на величину :
Таким образом, общее время включение будет равно:
Например, для транзистора КТ3102:
Ск = 7пф, Епит = 10В, Vнас. = 0, S = 10, Iб = 1
мА, Iк = 10 мА.
fa= 200 ∙ 10 6 Гц. = 0,8нсек, f b = ∙ b = 80 нсек.
Запирание транзистора
Случай ненасыщенного режима – рассчитывается так же, как и при отпирании, при этом надо также учитывать перезарядку емкостей переходов и монтажных емкостей.
Насыщенный транзистор.
Пусть входной ток Iб1 скачком меняется от Iб1 до Iб2, имеющего отрицательную величину. Тогда накопленный заряд в базе будет рассасываться в результате:
а. Рекомбинации неосновных носителей в базе.
б. Возвращения их обратно в эмиттер за счет Iб2.
Ток в коллекторной цепи, как и напряжение на коллекторе, пока заряд в базовой области не достигнет величины , меняется мало, так что можно считать его постоянным. После этого коллекторный ток начнет уменьшаться. Интервал времени, в течение которого накопленный заряд в базе Qб уменьшается до Qграничн. называется временем выхода из насыщения и его можно получить из соотношения:
Решение можно получить из дифференциального уравнения
для запирания диода в предыдущей лекции.
Предполагается, что транзистор был
включен достаточно долго перед выключением (tвкл > (2 –
3) tb.
t2 определим, воспользовавшись формулой из предыдущей лекции.
Нужно кроме того помнить, что так же, как и для случая включения транзистора в ненасыщенном режиме, время t2 увеличивается за счет влияния коллекторной емкости, разряжаемой током Iб2.
Пример: Iб1 = — Iб2 = 1 мА. Iк = 10 мА, S = 10.
t1 + t2 = 80 ∙ 10– 9 ∙ ln(2) + 80 ∙ 10 – 9 ∙
Зависимость величины постоянной времени tb от температуры приводит к нестабильности задержки
переключения транзистора. Нестабильность источников питания тоже может вызывать
тот же эффект. В мостовых схемах накопление заряда в базе вызывает появление
«сквозных» токов, когда один из транзисторов уже включен, а другой еще не
успел выйти из насыщения и еще открыт. Сквозной ток приводит к разогреву
транзисторов, потреблению дополнительной мощности, при высоких частотах
переключения становится заметным появление наводок по питанию.
Для ускорения переключения используется ключ с корректирующей емкостью. Использование емкости позволяет увеличить ток базы в момент переключения транзистора, затем он может быть уменьшен до величины Iкнасыщ/b точностью до разброса b.
Если Rген << Rб и постоянная времени Rген ∙ Сб << tb, то при включении транзистора заряд, прошедший через Сб тратится на:
1. на зарядку емкости коллекторного перехода Сбк,
3F SMD МАРКИРОВКА
Перейти к содержимому
Справочник по SMD деталям
Краткая расшифровка кодов SMD радиоэлементов, начинающихся на символы 3F (преобразователи, стабилитроны, транзисторы, диоды, датчики, микросхемы и другие радиоэлектронные детали). Различные варианты обозначения, хотя с каждым годом появляются всё новые элементы, особенно у китайских производителей. Главная таблица по СМД находится тут
код | наименование | функция | корпус | производитель |
3F | 30BQ040 | диод Шоттки: 40В/3А | smc | IR |
3F | BC857BDW1 | 2xpnp: 45В/100 мА | sot363 | ON Semi |
3F | BC857B|BT | pnp: 45В/100 мА | sot23|sot416 | NXP |
3F | BC857BL3 | pnp: 45В/100 мА | tslp3 | Infineon |
3F | MMBT6543 | npn: 25В/4 мА 0,75 ГГц | sot23 | ON Semi |
3F | PBSS4160PANS | 2х npn LowSat: 60В/1,0А/240мОм automotive | dfn2020-6 | Nexperia |
3Fx | NCV8170BXV|MX280 | LDO: 2,8В/150 мА Iq=0,5 мкА | sot563|xdfn4 | ON Semi |
3F## | R3117K121C | супервизор: 1,2В «push-pull» | dfn4 | Ricoh |
3Fp | BC857B | pnp: 45В/100 мА | sot23 | NXP |
3FR | BC857BR | pnp: 45В/100 мА | sot23r | NXP |
3Fs | BC857B|BW|BF | pnp: 45В/100 мА h31=250 | sot23|sot323|tsfp3 | Infineon |
3Ft | BC857B|BW|BS | pnp: 45В/100 мА h31=220…475 | sot23|sot323|sot363 | NXP |
Обратите внимание, что при маркировке планарных радиокомпонентов символы «О» и «0» (ноль и круглая буква) считаются одинаковыми.
А по этой ссылке приводятся различного типа фото корпусов SMD деталей.
%20smd%203ft техническое описание и примечания по применению
org/Product»>
org/Product»>транзистор%20smd%203ft Листы данных Context Search
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998 | |
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | OCR-сканирование | 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП | |
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ | |
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337 | |
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц
32 кГц,
64 кГц,
100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора | |
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 | OCR-сканирование | БК327;
БК327А;
до н. э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
транзистор 649 | |
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611 | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф | |
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75 | OCR-сканирование | ||
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA | OCR-сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна | |
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855 | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855 | |
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора | Оригинал | 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора | |
2007 — ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Следующий
транзистор%203ft техническое описание и примечания по применению
org/Product»>
org/Product»>
РФФ220,
РФФ221,
РФФ222,
RFF223
ФФ220
org/Product»>
э.327
до н.э.328
до н.э.337
до н.э.338
транзистор
транзистор ИТТ
BC548 п-н-п транзистор
транзистор п-н-п
BC337 п-н-п транзистор
pnp bc547 транзистор
BC327 NPN-транзистор
MPSA92 168
транзистор 206
2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора
org/Product»>
