Какие основные характеристики имеет МОП-транзистор Si4835BDY от Vishay. Какие преимущества дает его использование в схемах коммутации. На что следует обратить внимание при работе с этим компонентом.
Основные характеристики и особенности Si4835BDY
Si4835BDY — это мощный P-канальный МОП-транзистор производства компании Vishay Siliconix. Данный компонент обладает следующими ключевыми характеристиками:
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Максимальный постоянный ток стока: -13 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 0.039 Ом
- Корпус: PowerPAK SO-8
Благодаря низкому сопротивлению канала и высокой нагрузочной способности по току, Si4835BDY отлично подходит для применения в схемах коммутации и управления нагрузкой. Компактный корпус позволяет использовать его в устройствах с ограниченным пространством на печатной плате.
Преимущества использования Si4835BDY в схемах коммутации
Применение Si4835BDY в качестве ключевого элемента в схемах коммутации дает ряд существенных преимуществ:
- Низкие потери проводимости благодаря малому сопротивлению открытого канала
- Высокая скорость переключения за счет малой входной и выходной емкости
- Возможность коммутации значительных токов нагрузки
- Простота управления — требуется относительно небольшое управляющее напряжение
- Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам
Эти свойства позволяют создавать на основе Si4835BDY эффективные схемы управления питанием, электронные ключи и драйверы двигателей.
Области применения Si4835BDY
Благодаря своим характеристикам, МОП-транзистор Si4835BDY находит применение в различных электронных устройствах и системах:
- Источники питания и DC/DC преобразователи
- Схемы управления двигателями постоянного тока
- Зарядные устройства для аккумуляторов
- Системы распределения питания в мобильных устройствах
- Автомобильная электроника
- Промышленные системы управления
В этих приложениях Si4835BDY обеспечивает эффективное переключение нагрузок при минимальных потерях мощности.
Особенности применения Si4835BDY в схемах
При работе с МОП-транзистором Si4835BDY следует учитывать некоторые важные моменты:
- Необходимость защиты от статического электричества при монтаже
- Правильный расчет цепи управления затвором для обеспечения быстрого переключения
- Учет теплового режима при работе с большими токами нагрузки
- Защита от перенапряжений в цепи стока при коммутации индуктивных нагрузок
- Обеспечение надежного теплоотвода от корпуса транзистора
Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности Si4835BDY и обеспечить надежную работу устройства.
Сравнение Si4835BDY с аналогами
Для оценки преимуществ Si4835BDY полезно сравнить его характеристики с аналогичными МОП-транзисторами других производителей:
| Модель | Производитель | Uds max, В | Id max, А | Rds(on), мОм |
|---|---|---|---|---|
| Si4835BDY | Vishay | 30 | -13 | 39 |
| IRF7805 | Infineon | 30 | -9.4 | 33 |
| DMN3030LK3 | Diodes Inc. | 30 | -12 | 44 |
Как видно из сравнения, Si4835BDY обладает оптимальным сочетанием низкого сопротивления канала и высокой токовой нагрузки, что делает его привлекательным выбором для многих применений.
Рекомендации по выбору Si4835BDY для конкретных задач
При выборе Si4835BDY для применения в конкретном устройстве следует учитывать следующие факторы:- Максимальное рабочее напряжение в схеме
- Требуемый ток нагрузки
- Частоту коммутации
- Температурный режим работы
- Требования к размерам и массе устройства
Для каждого из этих параметров Si4835BDY имеет свои предельные значения, которые необходимо сопоставить с требованиями проекта. При соответствии характеристик транзистора требованиям задачи, его применение позволит создать эффективное и надежное устройство.
Типовые схемы включения Si4835BDY
Рассмотрим несколько типовых схем применения МОП-транзистора Si4835BDY:
1. Простой ключ низкой стороны
В этой схеме Si4835BDY используется для коммутации нагрузки, подключенной к положительному полюсу источника питания:
«` «`Эта простая схема позволяет управлять включением и выключением нагрузки с помощью логического сигнала, подаваемого на затвор транзистора.
2. H-мост для управления двигателем постоянного тока
В этой схеме четыре транзистора Si4835BDY образуют H-мост, позволяющий управлять скоростью и направлением вращения двигателя постоянного тока:
«` «`Такая схема позволяет эффективно управлять двигателем, обеспечивая высокий КПД и низкие потери на ключевых элементах.
Заключение
МОП-транзистор Si4835BDY от Vishay представляет собой современный и эффективный ключевой элемент для различных схем коммутации и управления нагрузкой. Его основные преимущества:
- Низкое сопротивление открытого канала
- Высокая нагрузочная способность по току
- Быстрое переключение
- Компактный корпус
Эти характеристики делают Si4835BDY отличным выбором для широкого спектра применений — от источников питания до систем управления двигателями. При правильном применении этот компонент позволяет создавать эффективные и надежные электронные устройства.
4835B pdf Технический паспорт P1 Номер детали — IC-ON-LINE
4835B pdf Лист данных P1 Номер детали — IC-ON-LINE
|
| 4835B Лист данных в формате PDF |
Для 4835B Found Datasheets File :: 2+ Страница :: | | |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
gif»>
com | Цена и наличие 4835B от |
|
Все права защищены © IC-ON-LINE 2003 — 2022 |
| [Добавить закладку] [Контакты Нас] [Обмен ссылками] [Политика конфиденциальности] |
| Сайты-зеркала: [www.datasheet.hk] [www.maxim4u.com] [www.ic-on-line.cn] [www.ic-on-line.com] [www.ic-on-line.net] [www.alldatasheet.com.cn] [www.gdcy.com] [www.gdcy.net] |
Мы используем файлы cookie, чтобы предоставлять наилучшие возможности
веб-опыт и помощь в наших рекламных усилиях. Продолжая использовать
этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookie. Для получения дополнительной информации о
куки, пожалуйста, взгляните на наш
Политика конфиденциальности. |
Х |
mosfet+4835b спецификация и примечания по применению
org/Product»> 
org/Product»> mosfet+4835b Листы данных Context Search
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
2000 — 4835b
Реферат: c 4835b SL905YCV TIC 160 D SL905RCS SL905RCV SL903GD SL905RC 160SL
|
Оригинал |
Телефон/805 4835Б SL903 Ч-4009, с 4835b SL905YCV ТИК 160 Д SL905RCS SL905RCV SL903GD SL905RC 160SL | |
4835б
Аннотация: Sloan CH-4009 gs-200s 4009 ультраяркий белый светодиод 5 мм SL903ACE SL903BCE SL903GCE SL903WCE
|
Оригинал |
Телефон/805 4835Б SL903 SL903WCE SL903BCE SL903GCE SL903RCE SL903YCE SL903ACE Ч-4009, Слоан СН-4009 гс-200с 4009 ультраяркий белый светодиод 5 мм SL903ACE SL903BCE SL903GCE SL903WCE | |
д 434 мосфет
Резюме: T0220AB MOSFET 345 T0-220AB MOSFET MOSFET N BUK854-500IS 200B 100a MOSFET MOSFET 606
|
OCR-сканирование |
БУК100-50ДЛ БУК100-50ГЛ БУК100-50ГС БУК101-50ДЛ БУК101-50ГЛ БУК101-50ГС БУК102-50ДЛ БУК102-50ГЛ БУК102-50ГС БУК104-50Л д 434 мосфет T0220AB мосфет 345 Т0-220АБ мосфет МОП-транзистор N БУК854-500ИС 200Б 100а мосфет МОП-транзистор 606 | |
2006 — ан799
Аннотация: MOSFET 500V 15A MOSFET 55 nf 06 an799 микрочип tc1426 TC4431 приложение 348 MOSFET MOSFET 6A «MOSFET» 400V TC4425
|
Оригинал |
АН799 500В14АН ан799 МОП-транзистор 500В 15А мосфет 55 нф 06 микросхема ан799 тк1426 Приложение TC4431 348 мосфет МОП-транзистор 6А «МОП-транзистор» 400В TC4425 | |
БУК417-500Б
Реферат: TOPFETs FETs T0-220AB mosfet BUK454-600 BUK617-500BE BUK551-100A PHILIPS MOSFET igbt Руководство по выбору полупроводников Philips Руководство Igbts
|
OCR-сканирование |
T0220AB ОТ186 ОТ186 БУК856-400ИЗ БУК417-500Б полевые транзисторы Т0-220АБ мосфет БУК454-600 БУК617-500БЭ БУК551-100А PHILIPS МОП-транзистор igbt Руководство по выбору полупроводников Philips Руководство по IGBT | |
Т0-220АБ
Реферат: PHILIPS MOSFET igbt mosfet переключатель BUK866 4001z
|
OCR-сканирование |
БУК100-50ДЛ БУК100-50ГЛ БУК100-50ГС БУК101-50ДЛ БУК101-50ГЛ БУК101-50ГС БУК102-50ДЛ БУК102-50ГЛ БУК102-50ГС БУК104-50Л Т0-220АБ PHILIPS МОП-транзистор igbt МОП-переключатель БУК866 4001з | |
МОП-транзистор
Реферат: AN9506 ISL6572 переключатель zvs драйвер SEM600 Lloyd H. Dixon ISL6752 ISL6753 индуктор переключающий MOSFET каталог MOSFET
|
Оригинал |
ИСЛ6752ИСЛ6753 АН1262 ISL6752 ISL6753 АН1002 АН1246 ИСЛ6752ИСЛ6753ЗВС АН1002АН1246 МОП-транзистор AN9506 ISL6572 переключить драйвер zvs СЭМ600 Ллойд Х. Диксон ISL6752 ISL6753 индуктор переключающий мосфет каталог мосфетов | |
ссф7509
Резюме: MC33035 K1 mosfet SIL-PAD400 mosfet 400a 1335W MOSFet MOSFET B TO220 RthJA 400A mosfet
|
Оригинал |
SSF7509 15 кГц MC33035 SSF7509 MC33035 МОП-транзистор K1 SIL-PAD400 мосфет 400а 1335 Вт MOSFet МОП-транзистор B ТО220 РтЯ МОП-транзистор 400А | |
Схема контактов MOSFET
Реферат: LM3641 MOSFET 2KV mosfet+on+09ng
|
Оригинал |
LM3641 схема выводов MOSFET LM3641 МОП-транзистор 2 кВ мосфет+на+09нг | |
Мощный МОП-транзистор 200 кГц
Резюме: транзистор c 558 mosfet 4b npn транзистор dc 558 транзистор dc 558 npn 12v 10A dc драйвер управления двигателем mosfet mosfet драйвер с npn транзистором ic 558 mosfet 300v 10a импульсный трансформатор привод pwm ic
|
Оригинал |
Ан-558 AN010063-01-JP 112нс 200нс Мощный мосфет 200 кГц транзистор с 558 мосфет 4b npn-транзистор постоянного тока 558 транзистор постоянного тока 558 npn МОП-транзистор управления двигателем постоянного тока 12 В 10 А драйвер мосфета с транзистором npn ик 558 мосфет 300в 10а привод импульсного трансформатора pwm ic | |
2007 — LM25116
Реферат: Si7850DP TSSOP-20-EP amp mosfet принципиальная схема IC MOSFET QG 6 PIN mosfet
|
Оригинал |
ЛМ25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП дс300075 DS300156-01-JP ЛМ25116 Si7850DP ЦСОП-20-ЭП схема усилителя мосфета IC МОП-транзистор QG 6 PIN мосфет | |
1970 — МОП-транзистор-48В
Аннотация: схема powr607 emmc 4700uF mosfet-n EIA96 ISPPAC-POWR607 eMMC DC-DC 5V-3,3V ISPPAC-POWR1014
|
Оригинал |
ГС-12В MOSFET8сек32сек 12VNMOSFET 12В12В страница-126- 32сек2сек ispPAC-POWR1220AT8 AldecActive-HDLHDL9-10 МОП-транзистор-48В мощность607 схема эммк 4700 мкФ мосфет-н ОВОС96 ИСППАК-POWR607 eMMC DC-DC 5В-3,3В ИСППАК-POWR1014 | |
837 мосфет
Реферат: 912 MOSFET T0-220AB PHILIPS MOSFET igbt BUK108-50DL 50SP 200b MOSFET MOSFET 1053 MOSFET справочник
|
OCR-сканирование |
БУК100-50ДЛ БУК100-50ГЛ БУК100-50ГС БУК101-50ДЛ БУК101-50ГЛ БУК101-50ГС БУК102-50ДЛ БУК102-50ГЛ БУК102-50ГС БУК104-50Л 837 МОП-транзистор 912 МОП-транзистор Т0-220АБ PHILIPS МОП-транзистор igbt БУК108-50ДЛ 50СП 200b мосфет МОП-транзистор 1053 руководство по МОП-транзисторам | |
2007 — IC MOSFET QG 6 PIN
Резюме: MOSFET amp ic ZF 24060 14 В 10 А MOSFET 100 ампер MOSFET 200 кГц мощность MOSFET MOSFET 12 В 4A BAT54 IC MOSFET QG LM78L05
|
Оригинал |
LM2747 дс201509 50 кГц 250 кГц 50кГц1МГц 250 кГц 1 МГц ЦСОП-14 IC МОП-транзистор QG 6 PIN MOSFET усилитель IC ЗФ 24060 мосфет 14В 10А МОП-транзистор на 100 ампер Мощный мосфет 200 кГц мосфет 12В 4А БАТ54 IC МОП-транзистор QG LM78L05 | |
1995 — 10063
Резюме: SIEMENS MOSFET 14 MOSFET 10063 AN-558 IRF330 IRF450 SIEMENS MOSFET TI MOSFET RRD-B30M115 10063
|
Оригинал |
ТЛ/Г/10063 Ан-558 ТЛ/Г/10063 РРД-Б30М115/Печать ЦСП-9-111С2 10063 Сименс МОП-транзистор 14 мосфет 10063 Ан-558 IRF330 IRF450 сименс мосфет TI МОП-транзистор РРД-Б30М115 10063 | |
2001 — IRHNJ597230SCS
Аннотация: международный выпрямитель SMD 30CLJQ100SCS IRHNJ597034SCS IRHG6110SCS IRHNJ57234SESCS IRFE130SCX 35CLQ045SCS IRHNJ597130SCS IRHNJ7430SESCS
|
Оригинал |
4047А ИРХНДЖ597130 ИРХНДЖ593130 О-254АА 22JGQ045SCV 22GQ100SCV 25GQ045SCS ИРХНДЖ597230СКС международный выпрямитель SMD 30CLJQ100SCS ИРХНДЖ597034СКС ИРХГ6110СКС ИРХНДЖ57234СЕСКС IRFE130SCX 35CLQ045SCS ИРХНДЖ597130СКС IRHNJ7430SESCS | |
2007 — МОП-транзистор 14В 10А
Аннотация: IC MOSFET QG 6-контактный MOSFET amp IC MOSFET 12V 4A 300 Amp MOSFET RCS 72 BAT54 FDS6898А LM2747 LM78L05
|
Оригинал |
LM2747 дс201509 50 кГц 250 кГц 50кГц1МГц 250 кГц 1 МГц ЦСОП-14 мосфет 14В 10А IC МОП-транзистор QG 6 PIN MOSFET усилитель IC мосфет 12В 4А МОП-транзистор на 300 ампер ркс 72 БАТ54 ФДС6898А LM2747 LM78L05 | |
2001 — ИРХНА57064СКС
Резюме: IRHNJ597230SCS IRHNJ9130SCS IRHG6110SCS IRHY7434 IRHE57130SCS 8CLJQ045SCV IRHNJ57034SCS irfy9230 35CLQ045SCS
|
Оригинал |
94046Б ИРХНДЖ597230 ИРХНДЖ593230 О-254АА 22JGQ045SCV 22GQ100SCV 25GQ045SCS ИРХНА57064СКС ИРХНДЖ597230СКС IRHNJ9130SCS ИРХГ6110СКС ИРХИ7434 IRHE57130SCS 8CLJQ045SCV ИРХНДЖ57034СКС irfy9230 35CLQ045SCS | |
2005 — 5 мм
Резюме: LDR 5 мм 300 кГц драйвер MOSFET IC ldr 10k LM2655MTC-ADJ 593D 594D LM2653 LM2655 MTC16
|
Оригинал |
LM2655 ЦСОП-16 300 кГц DS101284-04-JP LM2655 nat2000 5 мм лдр ЛДР 5мм Микросхема драйвера МОП-транзистора 300 кГц лдр 10к LM2655MTC-ADJ 593D 594D LM2653 МТС16 | |
Силовой МОП-транзистор
Реферат: МОП-переключатель Диод Шоттки 40В 2А Диод Шоттки 30В MOSFET
|
Оригинал |
Si4642DY SiE726DF 1-1500 мкФ 47-680 мкФ Мощный МОП-транзистор МОП-переключатель Диод Шоттки 40В 2А диод шоттки 30v МОП-транзистор | |
2010 — Схема усилителя MOSFET
Реферат: IC MOSFET QG IC MOSFET CFT top 256 en схема LM25116 модулятор RDS Si7850DP MOSFET 2KV
|
Оригинал |
ЛМ25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП DS300156-03-JP МХА20А схема усилителя мосфета IC МОП-транзистор QG IC МОП-транзистор CFT топ 256 ru схема ЛМ25116 модулятор РДС Si7850DP МОП-транзистор 2 кВ | |
2005 — СЛУП169
Реферат: slup206 peter markowski Руководство по проектированию и применению SLUP206 для высокоскоростных MOSFET IC SEM 2005 СПИСОК ДРАЙВЕРОВ МОП-транзисторов Драйвер IGBT-транзистора Bill Andreycak SLUA341 Синхронный выпрямитель MOSFET
|
Оригинал |
SLUA341 SLUP169 slup206 Питер Марковски СЛУП206 Руководство по проектированию и применению высокоскоростных полевых МОП-транзисторов ИК СЭМ 2005 СПИСОК ДРАЙВЕРОВ МОП-транзисторов Драйвер IGBT MOSFET Билл Андрейчак SLUA341 синхронный выпрямитель mosfet | |
Sloancorp.com 4835B Colt Street , Phone/805 676-3206 Факс www.Sloancorp.com 4835B Colt Street, Ventura, California 93003 Дискретный светодиод
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
