4835B datasheet. Si4835BDY: Мощный МОП-транзистор Vishay для эффективной коммутации

Какие основные характеристики имеет МОП-транзистор Si4835BDY от Vishay. Какие преимущества дает его использование в схемах коммутации. На что следует обратить внимание при работе с этим компонентом.

Основные характеристики и особенности Si4835BDY

Si4835BDY — это мощный P-канальный МОП-транзистор производства компании Vishay Siliconix. Данный компонент обладает следующими ключевыми характеристиками:

  • Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
  • Максимальный постоянный ток стока: -13 А
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: 0.039 Ом
  • Корпус: PowerPAK SO-8

Благодаря низкому сопротивлению канала и высокой нагрузочной способности по току, Si4835BDY отлично подходит для применения в схемах коммутации и управления нагрузкой. Компактный корпус позволяет использовать его в устройствах с ограниченным пространством на печатной плате.

Преимущества использования Si4835BDY в схемах коммутации

Применение Si4835BDY в качестве ключевого элемента в схемах коммутации дает ряд существенных преимуществ:


  1. Низкие потери проводимости благодаря малому сопротивлению открытого канала
  2. Высокая скорость переключения за счет малой входной и выходной емкости
  3. Возможность коммутации значительных токов нагрузки
  4. Простота управления — требуется относительно небольшое управляющее напряжение
  5. Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам

Эти свойства позволяют создавать на основе Si4835BDY эффективные схемы управления питанием, электронные ключи и драйверы двигателей.

Области применения Si4835BDY

Благодаря своим характеристикам, МОП-транзистор Si4835BDY находит применение в различных электронных устройствах и системах:

  • Источники питания и DC/DC преобразователи
  • Схемы управления двигателями постоянного тока
  • Зарядные устройства для аккумуляторов
  • Системы распределения питания в мобильных устройствах
  • Автомобильная электроника
  • Промышленные системы управления

В этих приложениях Si4835BDY обеспечивает эффективное переключение нагрузок при минимальных потерях мощности.

Особенности применения Si4835BDY в схемах

При работе с МОП-транзистором Si4835BDY следует учитывать некоторые важные моменты:


  1. Необходимость защиты от статического электричества при монтаже
  2. Правильный расчет цепи управления затвором для обеспечения быстрого переключения
  3. Учет теплового режима при работе с большими токами нагрузки
  4. Защита от перенапряжений в цепи стока при коммутации индуктивных нагрузок
  5. Обеспечение надежного теплоотвода от корпуса транзистора

Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности Si4835BDY и обеспечить надежную работу устройства.

Сравнение Si4835BDY с аналогами

Для оценки преимуществ Si4835BDY полезно сравнить его характеристики с аналогичными МОП-транзисторами других производителей:

МодельПроизводительUds max, ВId max, АRds(on), мОм
Si4835BDYVishay30-1339
IRF7805Infineon30-9.433
DMN3030LK3Diodes Inc.30-1244

Как видно из сравнения, Si4835BDY обладает оптимальным сочетанием низкого сопротивления канала и высокой токовой нагрузки, что делает его привлекательным выбором для многих применений.


Рекомендации по выбору Si4835BDY для конкретных задач

При выборе Si4835BDY для применения в конкретном устройстве следует учитывать следующие факторы:

  • Максимальное рабочее напряжение в схеме
  • Требуемый ток нагрузки
  • Частоту коммутации
  • Температурный режим работы
  • Требования к размерам и массе устройства

Для каждого из этих параметров Si4835BDY имеет свои предельные значения, которые необходимо сопоставить с требованиями проекта. При соответствии характеристик транзистора требованиям задачи, его применение позволит создать эффективное и надежное устройство.

Типовые схемы включения Si4835BDY

Рассмотрим несколько типовых схем применения МОП-транзистора Si4835BDY:

1. Простой ключ низкой стороны

В этой схеме Si4835BDY используется для коммутации нагрузки, подключенной к положительному полюсу источника питания:

«`
M +V Load Si4835BDY «`

Эта простая схема позволяет управлять включением и выключением нагрузки с помощью логического сигнала, подаваемого на затвор транзистора.


2. H-мост для управления двигателем постоянного тока

В этой схеме четыре транзистора Si4835BDY образуют H-мост, позволяющий управлять скоростью и направлением вращения двигателя постоянного тока:

«` M Si4835BDY Si4835BDY Si4835BDY Si4835BDY «`

Такая схема позволяет эффективно управлять двигателем, обеспечивая высокий КПД и низкие потери на ключевых элементах.

Заключение

МОП-транзистор Si4835BDY от Vishay представляет собой современный и эффективный ключевой элемент для различных схем коммутации и управления нагрузкой. Его основные преимущества:

  • Низкое сопротивление открытого канала
  • Высокая нагрузочная способность по току
  • Быстрое переключение
  • Компактный корпус

Эти характеристики делают Si4835BDY отличным выбором для широкого спектра применений — от источников питания до систем управления двигателями. При правильном применении этот компонент позволяет создавать эффективные и надежные электронные устройства.


4835B pdf Технический паспорт P1 Номер детали — IC-ON-LINE



4835B pdf Лист данных P1 Номер детали — IC-ON-LINE
Номер детали Горячий поиск:
3BR1065 MAX87 UPD720 EC30H BCY78 ADAV400 PM1JDXX C67078
Описание продукта
Полнотекстовый поиск
4835B Лист данных в формате PDF

Для 4835B Found Datasheets File :: 2+       Страница :: | |

   

Vishay Intertechnology, Inc.
Vishay Силиконикс

Деталь № SI4835BDY SI4835BDY-T1
Описание P-канальный 30-В (D-S) МОП-транзистор
Размер файла 43,15 тыс. / 5 Страница

Вид он-лайн

Скачать техпаспорт

   

Vishay Силиконикс

Деталь № SI4835BDY05
Описание P-канальный 30-В (D-S) МОП-транзистор
Размер файла 87,26 К / 6 Страница

Вид он-лайн

Скачать техпаспорт

gif»>

Для 4835B Found Datasheets File :: 2+       Страница :: | |

▲До Поиск▲



Bom2Buy.com


Цена и наличие


cctc-hfpcb.com

ДЖИТОНГ ТЕХНОЛОГИЯ
(CHINA HK & SZ)
Спонсор Datasheet.hk

Деталь: 4833637
Производитель: PHILIPS(飞利浦)
Упаковка: SOP20
На складе: 124
Цена за единицу для :
50: 2,81 доллара
100: 2,67 доллара
1000: $2,53

Электронная почта: oulindz@gmail. com

Свяжитесь с нами

 
Цена и наличие 4835B от

Все права защищены © IC-ON-LINE 2003 — 2022  

[Добавить закладку] [Контакты Нас] [Обмен ссылками] [Политика конфиденциальности]
Сайты-зеркала:  [www.datasheet.hk] [www.maxim4u.com]  [www.ic-on-line.cn] [www.ic-on-line.com] [www.ic-on-line.net] [www.alldatasheet.com.cn] [www.gdcy.com] [www.gdcy.net]


  Мы используем файлы cookie, чтобы предоставлять наилучшие возможности веб-опыт и помощь в наших рекламных усилиях. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookie. Для получения дополнительной информации о куки, пожалуйста, взгляните на наш Политика конфиденциальности. Х

0,61258506774902

mosfet+4835b спецификация и примечания по применению

ECAD-модель Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить часть ТК2Р4А08QМ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-канальный, 80 В, 100 А, 0,00244 Ом при 10 В, TO-220SIS XPN1300ANC Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-канальный МОП-транзистор, 100 В, 30 А, 0,0133 Ом при 10 В, TSON Advance(WF) org/Product»> ТК155У65З Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-канальный, 650 В, 18 А, 0,155 Ом при 10 В, ПОРЯДОК ТК6Р9П08КМ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-канальный, 80 В, 62 А, 0,0069 Ом при 10 В, DPAK XPW4R10ANB Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-канальный МОП-транзистор, 100 В, 70 А, 0,0041 Ом при 10 В, DSOP Advance(WF)L org/Product»> ТК5Р1А08QМ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-канальный, 80 В, 70 А, 0,0051 Ом при 10 В, TO-220SIS

mosfet+4835b Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Каталог Лист данных MFG и тип ПДФ Теги документов
2000 — 4835b

Реферат: c 4835b SL905YCV TIC 160 D SL905RCS SL905RCV SL903GD SL905RC 160SL
Текст: 888 756-2699 Бесплатный звонок: 805 676-3200 Телефон/805 676-3206 Факс www.Sloancorp.com 4835B Colt Street, Ventura, California 93003 Дискретные светодиодные продукты — Water Clear МОДЕЛЬ SL903 T-1 (3 мм) WATERCLEAR SL 9 0 3G C SL 9 0 3G CH SL 9 0 3G CV SL 9 0 3G CS Цвет излучения ЗЕЛЕНЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ, 888 756-2699 Бесплатный номер 805 676-3200 Телефон/805 676 -3206 Факс www. Sloancorp.com 4835B Colt Street , Phone/805 676-3206 Факс www.Sloancorp.com 4835B Colt Street, Ventura, California 93003 Дискретный светодиод


Оригинал
PDF Телефон/805 4835Б SL903 Ч-4009, с 4835b SL905YCV ТИК 160 Д SL905RCS SL905RCV SL903GD SL905RC 160SL
4835б

Аннотация: Sloan CH-4009 gs-200s 4009 ультраяркий белый светодиод 5 мм SL903ACE SL903BCE SL903GCE SL903WCE
Текст: 888 756-2699 Бесплатный звонок: 805 676-3200 Телефон/805 676-3206 Факс www.Sloancorp.com 4835B Colt Street, Ventura, California 93003 Дискретные светодиодные продукты — сверхъяркая МОДЕЛЬ SL903 T-1 (3 мм) ULTRA BRIGHT Деталь № SL903WCE SL903BCE SL903GCE SL903RCE SL903YCE SL903ACE Чип R aw Излучаемая волна Материал Цвет Длина InGaN/YAG Чистый белый GaN/SiC Синий 430 AlGaln P Зеленый 575 AlGaln P R ed 635 AlGaln P Желтый 590 AlGaln P Янтарный 620 Цвет линз Вода Чистая вода Чистая вода


Оригинал
PDF Телефон/805 4835Б SL903 SL903WCE SL903BCE SL903GCE SL903RCE SL903YCE SL903ACE Ч-4009, Слоан СН-4009 гс-200с 4009 ультраяркий белый светодиод 5 мм SL903ACE SL903BCE SL903GCE SL903WCE
д 434 мосфет

Резюме: T0220AB MOSFET 345 T0-220AB MOSFET MOSFET N BUK854-500IS 200B 100a MOSFET MOSFET 606
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF БУК100-50ДЛ БУК100-50ГЛ БУК100-50ГС БУК101-50ДЛ БУК101-50ГЛ БУК101-50ГС БУК102-50ДЛ БУК102-50ГЛ БУК102-50ГС БУК104-50Л д 434 мосфет T0220AB мосфет 345 Т0-220АБ мосфет МОП-транзистор N БУК854-500ИС 200Б 100а мосфет МОП-транзистор 606
2006 — ан799

Аннотация: MOSFET 500V 15A MOSFET 55 nf 06 an799 микрочип tc1426 TC4431 приложение 348 MOSFET MOSFET 6A «MOSFET» 400V TC4425
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF АН799 500В14АН ан799 МОП-транзистор 500В 15А мосфет 55 нф 06 микросхема ан799 тк1426 Приложение TC4431 348 мосфет МОП-транзистор 6А «МОП-транзистор» 400В TC4425
БУК417-500Б

Реферат: TOPFETs FETs T0-220AB mosfet BUK454-600 BUK617-500BE BUK551-100A PHILIPS MOSFET igbt Руководство по выбору полупроводников Philips Руководство Igbts
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF T0220AB ОТ186 ОТ186 БУК856-400ИЗ БУК417-500Б полевые транзисторы Т0-220АБ мосфет БУК454-600 БУК617-500БЭ БУК551-100А PHILIPS МОП-транзистор igbt Руководство по выбору полупроводников Philips Руководство по IGBT
Т0-220АБ

Реферат: PHILIPS MOSFET igbt mosfet переключатель BUK866 4001z
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF БУК100-50ДЛ БУК100-50ГЛ БУК100-50ГС БУК101-50ДЛ БУК101-50ГЛ БУК101-50ГС БУК102-50ДЛ БУК102-50ГЛ БУК102-50ГС БУК104-50Л Т0-220АБ PHILIPS МОП-транзистор igbt МОП-переключатель БУК866 4001з
МОП-транзистор

Реферат: AN9506 ISL6572 переключатель zvs драйвер SEM600 Lloyd H. Dixon ISL6752 ISL6753 индуктор переключающий MOSFET каталог MOSFET
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ИСЛ6752ИСЛ6753 АН1262 ISL6752 ISL6753 АН1002 АН1246 ИСЛ6752ИСЛ6753ЗВС АН1002АН1246 МОП-транзистор AN9506 ISL6572 переключить драйвер zvs СЭМ600 Ллойд Х. Диксон ISL6752 ISL6753 индуктор переключающий мосфет каталог мосфетов
ссф7509

Резюме: MC33035 K1 mosfet SIL-PAD400 mosfet 400a 1335W MOSFet MOSFET B TO220 RthJA 400A mosfet
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SSF7509 15 кГц MC33035 SSF7509 MC33035 МОП-транзистор K1 SIL-PAD400 мосфет 400а 1335 Вт MOSFet МОП-транзистор B ТО220 РтЯ МОП-транзистор 400А
Схема контактов
MOSFET

Реферат: LM3641 MOSFET 2KV mosfet+on+09ng
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF LM3641 схема выводов MOSFET LM3641 МОП-транзистор 2 кВ мосфет+на+09нг
Мощный МОП-транзистор 200 кГц

Резюме: транзистор c 558 mosfet 4b npn транзистор dc 558 транзистор dc 558 npn 12v 10A dc драйвер управления двигателем mosfet mosfet драйвер с npn транзистором ic 558 mosfet 300v 10a импульсный трансформатор привод pwm ic
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF Ан-558 AN010063-01-JP 112нс 200нс Мощный мосфет 200 кГц транзистор с 558 мосфет 4b npn-транзистор постоянного тока 558 транзистор постоянного тока 558 npn МОП-транзистор управления двигателем постоянного тока 12 В 10 А драйвер мосфета с транзистором npn ик 558 мосфет 300в 10а привод импульсного трансформатора pwm ic
2007 — LM25116

Реферат: Si7850DP TSSOP-20-EP amp mosfet принципиальная схема IC MOSFET QG 6 PIN mosfet
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ЛМ25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП дс300075 DS300156-01-JP ЛМ25116 Si7850DP ЦСОП-20-ЭП схема усилителя мосфета IC МОП-транзистор QG 6 PIN мосфет
1970 — МОП-транзистор-48В

Аннотация: схема powr607 emmc 4700uF mosfet-n EIA96 ISPPAC-POWR607 eMMC DC-DC 5V-3,3V ISPPAC-POWR1014
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ГС-12В MOSFET8сек32сек 12VNMOSFET 12В12В страница-126- 32сек2сек ispPAC-POWR1220AT8 AldecActive-HDLHDL9-10 МОП-транзистор-48В мощность607 схема эммк 4700 мкФ мосфет-н ОВОС96 ИСППАК-POWR607 eMMC DC-DC 5В-3,3В ИСППАК-POWR1014
837 мосфет

Реферат: 912 MOSFET T0-220AB PHILIPS MOSFET igbt BUK108-50DL 50SP 200b MOSFET MOSFET 1053 MOSFET справочник
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF БУК100-50ДЛ БУК100-50ГЛ БУК100-50ГС БУК101-50ДЛ БУК101-50ГЛ БУК101-50ГС БУК102-50ДЛ БУК102-50ГЛ БУК102-50ГС БУК104-50Л 837 МОП-транзистор 912 МОП-транзистор Т0-220АБ PHILIPS МОП-транзистор igbt БУК108-50ДЛ 50СП 200b мосфет МОП-транзистор 1053 руководство по МОП-транзисторам
2007 — IC MOSFET QG 6 PIN

Резюме: MOSFET amp ic ZF 24060 14 В 10 А MOSFET 100 ампер MOSFET 200 кГц мощность MOSFET MOSFET 12 В 4A BAT54 IC MOSFET QG LM78L05
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF LM2747 дс201509 50 кГц 250 кГц 50кГц1МГц 250 кГц 1 МГц ЦСОП-14 IC МОП-транзистор QG 6 PIN MOSFET усилитель IC ЗФ 24060 мосфет 14В 10А МОП-транзистор на 100 ампер Мощный мосфет 200 кГц мосфет 12В 4А БАТ54 IC МОП-транзистор QG LM78L05
1995 — 10063

Резюме: SIEMENS MOSFET 14 MOSFET 10063 AN-558 IRF330 IRF450 SIEMENS MOSFET TI MOSFET RRD-B30M115 10063
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ТЛ/Г/10063 Ан-558 ТЛ/Г/10063 РРД-Б30М115/Печать ЦСП-9-111С2 10063 Сименс МОП-транзистор 14 мосфет 10063 Ан-558 IRF330 IRF450 сименс мосфет TI МОП-транзистор РРД-Б30М115 10063
2001 — IRHNJ597230SCS

Аннотация: международный выпрямитель SMD 30CLJQ100SCS IRHNJ597034SCS IRHG6110SCS IRHNJ57234SESCS IRFE130SCX 35CLQ045SCS IRHNJ597130SCS IRHNJ7430SESCS
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 4047А ИРХНДЖ597130 ИРХНДЖ593130 О-254АА 22JGQ045SCV 22GQ100SCV 25GQ045SCS ИРХНДЖ597230СКС международный выпрямитель SMD 30CLJQ100SCS ИРХНДЖ597034СКС ИРХГ6110СКС ИРХНДЖ57234СЕСКС IRFE130SCX 35CLQ045SCS ИРХНДЖ597130СКС IRHNJ7430SESCS
2007 — МОП-транзистор 14В 10А

Аннотация: IC MOSFET QG 6-контактный MOSFET amp IC MOSFET 12V 4A 300 Amp MOSFET RCS 72 BAT54 FDS6898А LM2747 LM78L05
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF LM2747 дс201509 50 кГц 250 кГц 50кГц1МГц 250 кГц 1 МГц ЦСОП-14 мосфет 14В 10А IC МОП-транзистор QG 6 PIN MOSFET усилитель IC мосфет 12В 4А МОП-транзистор на 300 ампер ркс 72 БАТ54 ФДС6898А LM2747 LM78L05
2001 — ИРХНА57064СКС

Резюме: IRHNJ597230SCS IRHNJ9130SCS IRHG6110SCS IRHY7434 IRHE57130SCS 8CLJQ045SCV IRHNJ57034SCS irfy9230 35CLQ045SCS
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 94046Б ИРХНДЖ597230 ИРХНДЖ593230 О-254АА 22JGQ045SCV 22GQ100SCV 25GQ045SCS ИРХНА57064СКС ИРХНДЖ597230СКС IRHNJ9130SCS ИРХГ6110СКС ИРХИ7434 IRHE57130SCS 8CLJQ045SCV ИРХНДЖ57034СКС irfy9230 35CLQ045SCS
2005 — 5 мм

Резюме: LDR 5 мм 300 кГц драйвер MOSFET IC ldr 10k LM2655MTC-ADJ 593D 594D LM2653 LM2655 MTC16
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF LM2655 ЦСОП-16 300 кГц DS101284-04-JP LM2655 nat2000 5 мм лдр ЛДР 5мм Микросхема драйвера МОП-транзистора 300 кГц лдр 10к LM2655MTC-ADJ 593D 594D LM2653 МТС16
Силовой МОП-транзистор

Реферат: МОП-переключатель Диод Шоттки 40В 2А Диод Шоттки 30В MOSFET
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF Si4642DY SiE726DF 1-1500 мкФ 47-680 мкФ Мощный МОП-транзистор МОП-переключатель Диод Шоттки 40В 2А диод шоттки 30v МОП-транзистор
2010 — Схема усилителя MOSFET

Реферат: IC MOSFET QG IC MOSFET CFT top 256 en схема LM25116 модулятор RDS Si7850DP MOSFET 2KV
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ЛМ25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП DS300156-03-JP МХА20А схема усилителя мосфета IC МОП-транзистор QG IC МОП-транзистор CFT топ 256 ru схема ЛМ25116 модулятор РДС Si7850DP МОП-транзистор 2 кВ
2005 — СЛУП169

Реферат: slup206 peter markowski Руководство по проектированию и применению SLUP206 для высокоскоростных MOSFET IC SEM 2005 СПИСОК ДРАЙВЕРОВ МОП-транзисторов Драйвер IGBT-транзистора Bill Andreycak SLUA341 Синхронный выпрямитель MOSFET
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SLUA341 SLUP169 slup206 Питер Марковски СЛУП206 Руководство по проектированию и применению высокоскоростных полевых МОП-транзисторов ИК СЭМ 2005 СПИСОК ДРАЙВЕРОВ МОП-транзисторов Драйвер IGBT MOSFET Билл Андрейчак SLUA341 синхронный выпрямитель mosfet