Что такое MOSFET-транзистор и как он работает. Какие бывают типы MOSFET. Основные характеристики и параметры MOSFET-транзисторов. Где применяются MOSFET в современной электронике. Преимущества MOSFET перед биполярными транзисторами.
Что такое MOSFET-транзистор и принцип его работы
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) — это полевой транзистор с изолированным затвором. Это один из наиболее распространенных типов транзисторов, широко применяемых в современной электронике.
Принцип работы MOSFET основан на эффекте поля — управлении проводимостью полупроводникового канала с помощью электрического поля. Основными элементами MOSFET являются:
- Исток (Source) — электрод, из которого в канал поступают основные носители заряда
- Сток (Drain) — электрод, к которому движутся носители заряда
- Затвор (Gate) — управляющий электрод
- Подложка (Bulk) — полупроводниковая основа транзистора
При подаче напряжения на затвор в канале формируется электрическое поле, которое управляет током между истоком и стоком. Таким образом, MOSFET выполняет функцию электронного переключателя или усилителя, управляемого напряжением.
Основные типы MOSFET-транзисторов
Существует два основных типа MOSFET-транзисторов:
- N-канальные — в качестве носителей заряда выступают электроны
- P-канальные — носителями заряда являются дырки
Также MOSFET делятся на:
- Обогащенные — для открытия канала требуется напряжение на затворе
- Обедненные — канал открыт при нулевом напряжении на затворе
N-канальные MOSFET более распространены из-за более высокой подвижности электронов по сравнению с дырками.
Ключевые характеристики и параметры MOSFET
При выборе MOSFET-транзистора для конкретного применения важно учитывать следующие основные характеристики:
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS)
- Максимальный ток стока (I D)
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on))
- Пороговое напряжение (VGS(th))
- Входная, выходная и проходная емкости
- Время включения и выключения
- Максимальная рассеиваемая мощность
Эти параметры определяют возможности применения транзистора в различных схемах.
Области применения MOSFET-транзисторов
MOSFET-транзисторы нашли широкое применение во многих областях современной электроники:
- Источники питания и преобразователи напряжения
- Силовая электроника и управление двигателями
- Цифровые интегральные схемы
- Аналоговые схемы и усилители
- Системы защиты от перегрузки
- Драйверы светодиодов
- Схемы коммутации и переключения
Универсальность MOSFET обусловлена их высоким быстродействием, низким энергопотреблением и хорошей масштабируемостью.
Преимущества MOSFET перед биполярными транзисторами
MOSFET имеют ряд преимуществ по сравнению с биполярными транзисторами:
- Управление напряжением, а не током
- Более высокое входное сопротивление
- Меньшее энергопотребление в статическом режиме
- Лучшая температурная стабильность
- Возможность создания комплементарных пар
- Более простая технология изготовления
Эти качества сделали MOSFET основой современной микроэлектроники.
Особенности выбора MOSFET для конкретных применений
При выборе MOSFET для конкретной схемы необходимо учитывать следующие факторы:
- Требуемые напряжения и токи в схеме
- Частота переключения
- Допустимые потери мощности
- Требования к быстродействию
- Тип нагрузки (активная, индуктивная, емкостная)
- Условия эксплуатации (температура, влажность)
Правильный выбор MOSFET позволяет оптимизировать работу схемы и избежать проблем с надежностью.
Современные тенденции в развитии MOSFET-технологий
Основные направления совершенствования MOSFET-транзисторов включают:
- Уменьшение размеров для повышения плотности интеграции
- Снижение сопротивления канала в открытом состоянии
- Повышение рабочих напряжений и токов
- Улучшение температурных характеристик
- Оптимизация частотных свойств
- Разработка новых материалов для затвора и канала
Эти инновации позволяют создавать все более эффективные и производительные электронные устройства.
Заключение
MOSFET-транзисторы являются ключевым компонентом современной электроники, обеспечивая высокую производительность, низкое энергопотребление и широкие возможности применения. Понимание принципов работы и основных характеристик MOSFET необходимо для эффективного проектирования электронных устройств. Дальнейшее развитие MOSFET-технологий будет способствовать созданию еще более совершенных электронных систем в будущем.
5ШТ NTMFS4835NT1G 4835N QFN8 Web-goods.news
Изображението се дава само линк.Той може да не е съвсем така, тъй като в нашия склад, поради различните партиди няма. Естеството на продукта 1.ние ще изпратим информация до 3 работни дни, след като компенсация ще бъде постигната. 2.ние можем да кораб към вас UPS/DHL/TNT/EMS/Fedex. Моля, свържете се директно с нас, и ние ще се използват предпочитаните от тях начини. За страните и регионите, където EMS не може да достави, pls да изберат други начини за доставка. 3.Ние не носим отговорност за всякакви злополуки, забавяне или други въпроси, които са отговорност на доставка на услуги. Връщане и замяна 1. моля, свържете се с нас преди да изпратите продукта обратно. Дефектная ситуацията трябва да бъде разкрита на нас в рамките на 3~5 дни приложен със снимки на 2. моля, уверете се, че стоката ще бъде върната в добро състояние.И возвратите детайл в рамките на 2 седмици от стоките ще получите. 3.ние ще изпратим нова подмяна или връщане на парите, след като стоката ще бъде получена.
Ако той бъде върнат, а след това само на цената за регистрация деталя refundable, корабоплаването и всички необходими такси страхсбора не refundable. 4. купувачът е отговорен и за всички разходи по доставката за връщане, ако пълното плащане се връща, моля, оставете положителен отзив след потвърждение на доставка, 5 старта ще бъде високо оценена.2. обратната връзка е много важна за нас, моля, не оставяйте нагативную обратна връзка, преди да се свържете с нас. Ако имате някакви проблеми и недоволство,моля,уведомете ни, ние ще направим всичко възможно, за да разреши проблема навреме. Желая ви весела пазаруване!Горещо приветствам следващото си посещение! Обслужване на клиенти 1.Можете да се свържете с нас чрез MSN, имейл или Skype. 2.ние ще ви отговорим в рамките на 24 часа. Обратна връзка 1.Ако сте доволни от нашите продукти, моля да ни положителните отзиви, Благодаря ви за вашата помощ. 2.Ако не сте доволни, моля, любезно ни уведомите. Вашият конструктивен съвет ще бъде нашето предложение да се преразгледа и подобри, благодаря ви за вашето разбиране
5ШТ NTMFS4835NT1G 4835N QFN8 категория интегрални схеми
Изображението се дава само линк.
Той може да не е съвсем така, тъй като в нашия склад, поради различните партиди няма. Естеството на продукта 1.ние ще изпратим информация до 3 работни дни, след като компенсация ще бъде постигната. 2.ние можем да кораб към вас UPS/DHL/TNT/EMS/Fedex. Моля, свържете се директно с нас, и ние ще се използват предпочитаните от тях начини. За страните и регионите, където EMS не може да достави, pls да изберат други начини за доставка. 3.Ние не носим отговорност за всякакви злополуки, забавяне или други въпроси, които са отговорност на доставка на услуги. Връщане и замяна 1. моля, свържете се с нас преди да изпратите продукта обратно. Дефектная ситуацията трябва да бъде разкрита на нас в рамките на 3~5 дни приложен със снимки на 2. моля, уверете се, че стоката ще бъде върната в добро състояние.И возвратите детайл в рамките на 2 седмици от стоките ще получите. 3.ние ще изпратим нова подмяна или връщане на парите, след като стоката ще бъде получена. Ако той бъде върнат, а след това само на цената за регистрация деталя refundable, корабоплаването и всички необходими такси страхсбора не refundable.
|
|
5Приказ Приказ Минприроды России от 29.
06.2012 N 179 (ред. от 16.01.2015) Об утверждении Административного регламента Федеральной службы по надзору в сфере природопользования по предоставлению государственной услуги по выдаче разрешений на трансграничное перемещение отходов (Зарегистрировано в Минюсте России 13.09.2012 N 25459)МИНИСТЕРСТВО ПРИРОДНЫХ РЕСУРСОВ И ЭКОЛОГИИ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ПРИКАЗ
от 29 июня 2012 г. N 179
ОБ УТВЕРЖДЕНИИ АДМИНИСТРАТИВНОГО РЕГЛАМЕНТА
ФЕДЕРАЛЬНОЙ СЛУЖБЫ ПО НАДЗОРУ В СФЕРЕ ПРИРОДОПОЛЬЗОВАНИЯ
ПО ПРЕДОСТАВЛЕНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЙ УСЛУГИ ПО ВЫДАЧЕ
РАЗРЕШЕНИЙ НА ТРАНСГРАНИЧНОЕ ПЕРЕМЕЩЕНИЕ ОТХОДОВ
В соответствии с Федеральным законом от 27 июля 2010 г. N 210-ФЗ «Об организации предоставления государственных услуг и муниципальных услуг» (Собрание законодательства Российской Федерации, 2010, N 31, ст. 4179; 2011, N 15, ст. 2038; N 27, ст. 3873, ст. 3880; N 29, ст. 4291; N 30, ст. 4587; N 49, ст. 7061), пунктом 5.3.16 Положения о Федеральной службе по надзору в сфере природопользования, утвержденного постановлением Правительства Российской Федерации от 30 июля 2004 г.
N 400 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2004, N 32, ст. 3347; 2006, N 44, ст. 4596; N 52, ст. 5597; 2007, N 22, ст. 2647; 2008, N 16, ст. 1707; N 22, ст. 2581; N 32, ст. 3790; N 46, ст. 5337; 2009, N 6, ст. 738; N 33, ст. 4081; N 49, ст. 5976; 2010, N 5, ст. 538; N 14, ст. 1656; N 26, ст. 3350; N 31, ст. 4247; N 38, ст. 4835; N 42, ст. 5390; N 47, ст. 6123; 2011, N 14, ст. 1935), Правилами разработки и утверждения административных регламентов предоставления государственных услуг, утвержденными постановлением Правительства Российской Федерации от 16 мая 2011 г. N 373 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2011, N 22, ст. 3169; N 35, ст. 5092), приказываю:
1. Утвердить прилагаемый Административный регламент Федеральной службы по надзору в сфере природопользования по предоставлению государственной услуги по выдаче разрешений на трансграничное перемещение отходов.
2. Признать утратившим силу приказ Минприроды России от 31 октября 2008 г. N 292 «Об утверждении Административного регламента Федеральной службы по экологическому, технологическому и атомному надзору по исполнению государственной функции по выдаче разрешений на трансграничное перемещение отходов» (зарегистрирован в Минюсте России 18 марта 2009 г.
, регистрационный N 13524) (Бюллетень нормативных актов федеральных органов исполнительной власти, 2009, N 24).
Министр
С.Е.ДОНСКОЙ
👆Что такое VRM материнской платы | Материнские платы | Блог
VRM (Voltage Regulator Module) является неотъемлемым и одним из важнейших элементов материнской платы, который отвечает за питание центрального процессора. Высокочастотные чипы, такие как ЦПУ компьютера, очень чувствительны к качеству питания. Малейшие неполадки с напряжением или пульсациями могут повлиять на стабильность работы всего компьютера. VRM представляет собой не что иное, как импульсный преобразователь, который понижает 12 вольт, идущие от блока питания, до необходимого процессору уровня. Именно от VRM зависит подаваемое на ядра напряжение.
Принцип работы VRM был описан в более ранней статье, а сейчас мы рассмотрим, из чего состоит подсистема питания процессора.
VRM состоит из пяти основных составляющих: MOSFET-транзисторы, дроссели, конденсаторы, драйверы и контроллер.
Транзисторы
«MOSFET» является аббревиатурой, которая расшифровывается как «Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor». Так что MOSFET — это полевой МОП-транзистор с изолированным затвором.
Дроссели
Дроссели — это катушки индуктивности, которые стабилизируют напряжение. Вместе с конденсаторами они образуют LC-фильтр, позволяющий избавиться от скачков напряжения и уменьшить пульсации. В современных материнских платах дроссели выглядят как темные кубики, находящиеся около МОП-транзисторов.
Конденсаторы
В современных платах твердотельные полимерные конденсаторы уже давно вытеснили электролитические. Это связано с тем, что полимерные конденсаторы имеют намного больший срок эксплуатации. Конденсаторы помогают стабилизировать напряжение и уменьшать пульсации.
Контроллер
Контроллер — чип, рассчитывающий, с каким сдвигом по времени будет работать та или иная фаза.
Является «мозгом» всей VRM.
Драйвер
Драйвер — это чип, исполняющий команды контроллера по открытию или закрытию полевого транзистора.
Охлаждение — зачем оно нужно
Существует прямая связь между энергопотреблением процессора и нагревом VRM. Чем больше потребляет процессор, тем больше нагрузка на цепи питания, и, следовательно, больше их нагрев. MOSFET-транзисторы во время работы выделяют значительное количество тепла. Поэтому на них устанавливают пассивное охлаждение в виде радиатора, чтобы избежать перегрева и нестабильной работы. Производители материнских плат начального уровня часто экономят на этом, оставляя цепи питания без охлаждения, что, конечно, не очень хорошо, но не слишком критично, поскольку на подобные материнские платы обычно не ставят топовые процессоры с высоким TDP.
На транзисторы цепей питания можно не ставить охлаждение при условии, что температура во время нагрузки не будет превышать допустимых значений.
Поэтому без охлаждения VRM очень нежелательно устанавливать «прожорливые» процессоры. На материнских платах, рассчитанных под оверклокинг, обязательно имеется охлаждение.
В самых топовых платах, помимо обычного радиатора, можно встретить испарительную камеру или водоблок для подключения к контуру СЖО.
Количество фаз
У неопытных пользователей именно эта характеристика зачастую становится ключевой при выборе материнской платы. Производители знают об этом и часто прибегают к различным уловкам. Чаще всего можно встретить использование двойного набора компонентов для одной фазы, что создает видимость большего количества фаз. Количество и характеристики фаз обычно не указываются производителями в расчете на то, что неопытный покупатель увидит много дросселей и купит плату, решив, что «больше — лучше».
Чтобы узнать реальное количество фаз и используемые компоненты, нужно посмотреть характеристики установленного на материнскую плату ШИМ-контроллера в технической спецификации.
Количество дросселей далеко не всегда говорит о реальном количестве фаз. Кроме того, стоит учитывать, что некоторые драйверы способны работать в качестве удвоителя фазы. Это позволяет увеличить количество фактических фаз без использования более продвинутого ШИМ-контроллера.
Конфигурация фаз питания
В описаниях материнских плат часто можно увидеть такие обозначения, как 8+2, 4+1, и т. п. Эти цифры означают количество фаз, отведенных на питание ЦПУ и остальных элементов. Например, 8+2 означает, что 8 фаз отведено на питание ядер процессора, а оставшиеся 2 рассчитаны на контроллер памяти.
youtube.com/vi/gV9vIgi3Liw/hqdefault.jpg><svg width=68 height=48><path fill=#f00 d=’M66.52,7.74c-0.78-2.93-2.49-5.41-5.42-6.19C55.79,.13,34,0,34,0S12.21,.13,6.9,1.55 C3.97,2.33,2.27,4.81,1.48,7.74C0.06,13.05,0,24,0,24s0.06,10.95,1.48,16.26c0.78,2.93,2.49,5.41,5.42,6.19 C12.21,47.87,34,48,34,48s21.79-0.13,27.1-1.55c2.93-0.78,4.64-3.26,5.42-6.19C67.94,34.95,68,24,68,24S67.94,13.05,66.52,7.74z’></path><path fill=#fff d=’M 45,24 27,14 27,34′></path></svg></a>» frameborder=»0″ allow=»accelerometer; autoplay; encrypted-media; gyroscope; picture-in-picture» allowfullscreen=»»/>
От количества фаз зависит уровень пульсаций, действующих на процессор. Чем больше фаз, тем меньше пульсаций тока. Большее количество фаз означает большее количество MOSFET-транзисторов в цепи, что положительно сказывается на температурных показателях. Кроме того, чем больше транзисторов, тем легче будет поставить высокое напряжение на ядра, что позитивно скажется на оверклокинге.
В большом количестве фаз, по большому счету, имеются только плюсы. Главным и единственным недостатком, пожалуй, является лишь высокая цена.
Источники изображений: HWP, chipdip, Gigabyte, price-altai, electro-goods, pcdvd
MOSFET — питание, одиночный, N-канальный, SO-8FL 30 В, 104 А
% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 6 0 obj / ModDate (D: 20201112094643 + 01’00 ‘) / Производитель (Acrobat Distiller 19.0 \ (Windows \)) / Название (МОП-транзистор — питание, одиночный, N-канал, SO-8FL 30 В, 104 А) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > поток BroadVision, Inc.2020-11-12T09: 46: 43 + 01: 002019-05-24T10: 42: 40 + 08: 002020-11-12T09: 46: 43 + 01: 00application / pdf
Указания по применению AND8195 / D 
Q0Vf.pIdn / #
\ B` + RCS’gz *] например 誸 O
t]%, 1 @ JIw /H./ajip&R כ y9
2006 — 4835н
Аннотация: MOSFET 4835N
|
Оригинал |
NTMFS4835N NTMFS4835N / D 4835n MOSFET 4835N | |
2010 — 4835Н
Аннотация: MOSFET 4835N NTMFS4835NT1G NTMFS4835N onsemi Маркировка LG NTMFS4835NT3G
|
Оригинал |
NTMFS4835N AND8195 / D NTMFS4835N / D 4835N MOSFET 4835N NTMFS4835NT1G NTMFS4835N Маркировка onsemi LG NTMFS4835NT3G | |
2006 — 4835Н
Аннотация: MOSFET 4835N
|
Оригинал |
NTMFS4835N NTMFS4835N / D 4835N MOSFET 4835N | |
2006 — 4835н
Аннотация: NTMFS4835N NTMFS4835NT1G NTMFS4835NT3G
|
Оригинал |
NTMFS4835N NTMFS4835N / D 4835n NTMFS4835N NTMFS4835NT1G NTMFS4835NT3G | |
2007 — 4835н
Аннотация: силовой МОП-транзистор so8 FL NTMFS4835N NTMFS4835NT1G NTMFS4835NT3G
|
Оригинал |
NTMFS4835N NTMFS4835N / D 4835n мощность MOSFET SO8 FL NTMFS4835N NTMFS4835NT1G NTMFS4835NT3G | |
2007 — MOSFET — описание производителя 4835N
Аннотация: 4835N NTMFS4835NT1G NTMFS4835N NTMFS4835NT3G
|
Оригинал |
NTMFS4835N NTMFS4835N / D MOSFET 4835N 4835N NTMFS4835NT1G NTMFS4835N NTMFS4835NT3G | |
2012 — 4835н
Аннотация: MOSFET 4835N
|
Оригинал |
NTMFS4835N AND8195 / D NTMFS4835N / D 4835n MOSFET 4835N | |
2012 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
NTMFS4835N AND8195 / D NTMFS4835N / D | |
2009 — 4835Н
Аннотация: MOSFET 4835n NTMFS4835N NTMFS4835NT1G NTMFS4835NT3G
|
Оригинал |
NTMFS4835N AND8195 / D NTMFS4835N / D 4835N MOSFET 4835N NTMFS4835N NTMFS4835NT1G NTMFS4835NT3G | |
2006 — 4835Н
Аннотация: NTMFS4835N NTMFS4835NT1G NTMFS4835NT3G
|
Оригинал |
NTMFS4835N NTMFS4835N / D 4835N NTMFS4835N NTMFS4835NT1G NTMFS4835NT3G | |
2006 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
NTMFS4835N NTMFS4835N / D | |
D 434 MOSFET — описание производителя.
Аннотация: T0220AB T0-220AB MOSFET 345 MOSFET 100A MOSFET 200B MOSFET N BUK854-500IS MOSFET 606
|
OCR сканирование |
БУК100-50ДЛ BUK100-50GL БУК100-50ГС BUK101-50DL BUK101-50GL БУК101-50ГС BUK102-50DL BUK102-50GL БУК102-50ГС БУК104-50Л D 434 MOSFET — описание производителя T0220AB T0-220AB MOSFET 345 mosfet 100A MOSFET — описание производителя 200B МОП-транзистор N БУК854-500ИС МОП-транзистор 606 | |
2006 — Ан799
Аннотация: MOSFET 500V 15A mosfet 55 nf 06 an799 микрочип «MOSFET» 400V MOSFET 6A tc1426 TC4431 application 348 mosfet TC426
|
Оригинал |
AN799 500В14АН an799 МОП-транзистор 500 В, 15 А MOSFET 55 NF 06 an799 микрочип «МОП-транзистор» 400В МОП-транзистор 6A tc1426 Приложение TC4431 348 MOSFET — описание производителя TC426 | |
Т0-220АБ
Аннотация: TOPFETs Полевые транзисторы BUK417-500B BUK617-500BE BUK454-600 mosfet BUK551-100A 100a mosfet buk456 Руководство по ИГБЦ
|
OCR сканирование |
T0220AB OT186 OT186 БУК856-400ИЗ T0-220AB TOPFET полевые транзисторы БУК417-500Б BUK617-500BE BUK454-600 mosfet БУК551-100А 100A MOSFET — описание производителя бук456 Путеводитель игбц | |
Т0-220АБ
Аннотация: PHILIPS MOSFET igbt mosfet switch BUK866 4001z
|
OCR сканирование |
БУК100-50ДЛ BUK100-50GL БУК100-50ГС BUK101-50DL BUK101-50GL БУК101-50ГС BUK102-50DL BUK102-50GL БУК102-50ГС БУК104-50Л T0-220AB ФИЛИПС МОП-транзистор igbt переключатель mosfet BUK866 4001z | |
МОП-транзистор
Аннотация: Драйвер zvs коммутатора AN9506 ISL6572 SEM600 ISL6752 Lloyd H.Каталог Dixon MOSFET Переключающий дроссель MOSFET ISL6753
|
Оригинал |
ISL6752ISL6753 AN1262 ISL6752 ISL6753 AN1002 AN1246 ISL6752ISL6753ZVS AN1002AN1246 МОП-транзистор AN9506 ISL6572 переключатель zvs драйвер SEM600 ISL6752 Ллойд Х. Диксон каталог mosfet индуктор переключения mosfet ISL6753 | |
ssf7509
Аннотация: MOSFET MC33035 K1 SIL-PAD400 MOSFET 400a 1335W 400A MOSFet TO220 RthJA MOSFET B
|
Оригинал |
SSF7509 15 кГц MC33035 SSF7509 MC33035 K1 MOSFET — описание производителя SIL-PAD400 mosfet 400a 1335 Вт 400A МОП-транзистор MOSFet TO220 RthJA МОП-транзистор B | |
Схема контактов полевого МОП-транзистора
Аннотация: LM3641 MOSFET 2KV MOSFET + on + 09ng
|
Оригинал |
LM3641 Схема выводов полевого МОП-транзистора LM3641 МОП-транзистор 2 кВ MOSFET + на + 09нг | |
МОП-транзистор мощностью 200 кГц
Аннотация: транзистор c 558 mosfet 4b npn транзистор dc 558 транзистор dc 558 npn 12v 10A драйвер постоянного тока управление двигателем mosfet драйвер mosfet с npn-транзистором ic 558 mosfet 300v 10a импульсный трансформатор привод pwm ic
|
Оригинал |
Ан-558 AN010063-01-JP 112 нс 200 нс МОП-транзистор мощностью 200 кГц транзистор c 558 MOSFET 4B npn транзистор dc 558 транзистор dc 558 npn 12v 10A dc драйвер управления двигателем mosfet драйвер mosfet с npn-транзистором ic 558 mosfet 300v 10a импульсный трансформатор привода pwm ic | |
2007 — LM25116
Аннотация: Si7850DP TSSOP-20-EP MOSFET принципиальная схема IC MOSFET QG 6 PIN mosfet
|
Оригинал |
LM25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП ds300075 DS300156-01-JP LM25116 Si7850DP ЦСОП-20-ЭП принципиальная схема усилителя mosfet IC MOSFET QG 6 PIN mosfet | |
1970 — МОП-транзистор-48В
Аннотация: схема emmc powr607 mosfet-n 4700uF eMMC DC-DC 5V-3,3V ISPPAC-POWR607 mosfet ISPPAC-POWR1014
|
Оригинал |
HS-12V МОП-транзистор 8сек 32сек 12VNMOSFET 12 В 12 В стр-126- 32сек2сек ispPAC-POWR1220AT8 AldecActive-HDLHDL9-10 МОП-транзистор-48В схема emmc powr607 MOSFET-N 4700 мкФ eMMC DC-DC 5В-3,3В ISPPAC-POWR607 mosfet ISPPAC-POWR1014 | |
837 MOSFET — описание производителя.
Аннотация: МОП-транзистор T0-220AB 912 BUK108-50DL МОП-транзистор PHILIPS igbt MOSFET 1053 MOSFET руководство 200b 200a mosfet
|
OCR сканирование |
БУК100-50ДЛ BUK100-50GL БУК100-50ГС BUK101-50DL BUK101-50GL БУК101-50ГС BUK102-50DL BUK102-50GL БУК102-50ГС БУК104-50Л 837 MOSFET — описание производителя T0-220AB 912 МОП-транзистор BUK108-50DL ФИЛИПС МОП-транзистор igbt МОП-транзистор 1053 mosfet Справочник MOSFET 200b 200a MOSFET — описание производителя | |
2007 — ИМС полевой МОП-транзистор QG 6 PIN
Аннотация: mosfet amp ic 200kz power mosfet 100 amp mosfet mosfet 12V 4A ZF 24060 14v 10A mosfet MTC14 FDS6898A IC MOSFET QG
|
Оригинал |
LM2747 ds201509 50 кГц 250 кГц 50 кГц 1 МГц 250 кГц 1 МГц ЦСОП-14 IC MOSFET QG 6 PIN mosfet amp ic МОП-транзистор мощностью 200 кГц 100 ампер MOSFET МОП-12В 4А ZF 24060 14V 10A MOSFET — описание производителя MTC14 FDS6898A IC MOSFET QG | |
1995 г. — 10063
Аннотация: siemens MOSFET 14 mosfet 10063 AN-558 IRF330 IRF450 siemens mosfet TI mosfet RRD-B30M115 10063
|
Оригинал |
TL / G / 10063 Ан-558 TL / G / 10063 RRD-B30M115 / Печатный ЦСП-9-111С2 10063 siemens MOSFET 14 MOSFET 10063 Ан-558 IRF330 IRF450 Сименс MOSFET TI MOSFET — описание производителя RRD-B30M115 10063 | |
2001 — международный выпрямитель SMD
Аннотация: IRHNJ597230SCS 30CLJQ100SCS IRHNJ597034SCS IRHG6110SCS IRHNJ57234SESCS 35CLQ045SCS IRFE130SCX IRHNJ597130SCS IRHNA57064SCS
|
Оригинал |
4047A IRHNJ597130 IRHNJ593130 O-254AA 22JGQ045SCV 22GQ100SCV 25GQ045SCS международный выпрямитель SMD IRHNJ597230SCS 30CLJQ100SCS IRHNJ597034SCS IRHG6110SCS IRHNJ57234SESCS 35CLQ045SCS IRFE130SCX IRHNJ597130SCS IRHNA57064SCS | |
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»>
|
|
|||||||||||
gif»/>
81 Si4800BDY Лист данных. Www.s manuals.com. Vishay
Руководство пользователя: Маркировка электронных компонентов, коды SMD 48, 4800, 4800B, 4810, 4816, 4816B, 4835B, 4835N, 4870, 48N025S, 48T.Даташиты 1N4448X, BSC048N025S G, NTMFS4835NT1G, SD4870TR, Si4800, Si4800BDY, Si4800DY, Si4810DY, Si4816BDY, Si4816DY, Si4835BDY, TK71548AS.
Непосредственное открытие PDF: Просмотр PDF.
Количество страниц: 10
Si4800BDY Vishay Siliconix N-канальный полевой МОП-транзистор с уменьшенной Qg и быстрой коммутацией ОСОБЕННОСТИ РЕЗЮМЕ ПРОДУКТА VDS (V) RDS (вкл.) (Ом) 30 ID (A) 0,0185 при VGS = 10 В 9 0,030 при VGS = 4,5 В 7 • Без галогенов Согласно IEC 61249-2-21 Имеется в наличии • Силовой МОП-транзистор TrenchFET® • Оптимизированный высокоэффективный ШИМ • 100% тестирование UIS и Rg SO-8 S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D грамм 4 5 D D грамм Вид сверху S Информация для заказа: Si4800BDY-T1-E3 (без свинца) Si4800BDY-T1-GE3 (без свинца (Pb) и без галогенов) N-канальный полевой МОП-транзистор АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ TA = 25 ° C, если не указано иное Параметр Символ 10 с Устойчивое состояние Напряжение сток-исток VDS 30 Напряжение затвор-исток ВГС ± 25 Постоянный ток утечки (TJ = 150 ° C) a, b TA = 25 ° C TA = 70 ° C Постоянный ток источника (диодная проводимость) a, b Одноимпульсная лавинная энергия Максимальное рассеивание мощностиa, b 9 ЯВЛЯЕТСЯ L = 0.1 мГн TA = 25 ° C TA = 70 ° C А 2.3 15 EAS 11,25 мДж 2,5 1.3 1.6 0,8 TJ, Tstg Диапазон рабочих температур спая и хранения 5.0 40 МСФО PD V 6.
) (Ом)
30
ID (A)
0,0185 при VGS = 10 В
9
0,030 при VGS = 4,5 В
7
• Без галогенов Согласно IEC 61249-2-21
Имеется в наличии
• Силовой МОП-транзистор TrenchFET®
• Оптимизированный высокоэффективный ШИМ
• 100% тестирование UIS и Rg
SO-8
S
1
8
D
S
2
7
D
S
3
6
D
грамм
4
5
D
D
грамм
Вид сверху
S
Информация для заказа: Si4800BDY-T1-E3 (без свинца)
Si4800BDY-T1-GE3 (без свинца (Pb) и без галогенов)
N-канальный полевой МОП-транзистор
АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ TA = 25 ° C, если не указано иное
Параметр
Символ
10 с
Устойчивое состояние
Напряжение сток-исток
VDS
30
Напряжение затвор-исток
ВГС
± 25
Постоянный ток утечки (TJ = 150 ° C) a, b
TA = 25 ° C
TA = 70 ° C
Постоянный ток источника (диодная проводимость) a, b
Одноимпульсная лавинная энергия
Максимальное рассеивание мощностиa, b
9
ЯВЛЯЕТСЯ
L = 0.1 мГн
TA = 25 ° C
TA = 70 ° C
А
2.3
15
EAS
11,25
мДж
2,5
1.3
1.6
0,8
TJ, Tstg
Диапазон рабочих температур спая и хранения
5.0
40
МСФО
PD
V
6.
5
7.0
IDM
Импульсный ток стока (длительность импульса 10 мкс)
Лавинное течение
Я БЫ
Ед. изм
- от 55 до 150
W
° C
ПОКАЗАТЕЛИ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ
Пределы
Параметр
Максимальное соединение с окружающей средой
Максимальное расстояние от стыка до опоры (слив)
Символ
t ≤ 10 с
Устойчивое состояние
Устойчивое состояние
RthJA
RthJF
Тип.
Максимум.
40
50
70
95
24
30
Ед. изм
° C / Вт
Заметки:
а. Поверхностный монтаж на плате FR4.б. t ≤ 10 с.
Номер документа: 72124
S-83039-Rev. H, 29-дек-08
www.vishay.com
1
Si4800BDY
Vishay Siliconix
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ MOSFET TJ = 25 ° C, если не указано иное
Параметр
Символ
Условия испытаний
Мин.
0,8
Тип.
Максимум.
Ед. изм
Статический
ВГС (th)
VDS = VGS, ID = 250 мкА
1,8
V
Утечка в корпусе затвора
IGSS
VDS = 0 В, VGS = ± 20 В
± 100
nA
Ток утечки нулевого напряжения затвора
IDSS
VDS = 30 В, VGS = 0 В
1
VDS = 30 В, VGS = 0 В, TJ = 55 ° C
5
Текущий сток Currenta
ID (вкл.)
Пороговое напряжение затвора
Сопротивление в открытом состоянии источника утечкиa
Прямая трансмиссияa
Прямое напряжение диода
а
RDS (вкл.
)
VDS ≥ 5 В, VGS = 10 В
30
мкА
А
VGS = 10 В, ID = 9 А
0.0155
0,0185
VGS = 4,5 В, ID = 7 А
0,023
0,030
gfs
VDS = 15 В, ID = 9 А
16
VSD
IS = 2,3 А, VGS = 0 В
0,75
1.2
8,7
13
Ω
S
V
Dynamicb
Общая стоимость ворот
Qg
Заряд затвора-источника
Qgs
Врата-дренажный заряд
Qgd
Сопротивление ворот
Rg
Время задержки включения
Время нарастания
Время задержки выключения
VDS = 15 В, VGS = 5,0 В, ID = 9 А
3.5
0,5
тд (на)
tr
тд (выкл)
Осеннее время
tf
Время обратного восстановления истока-стока
trr
nC
1.5
VDD = 15 В, RL = 15 Ом
ID ≅ 1 А, VGEN = 10 В, Rg = 6 Ом
IF = 2,3 A, dI / dt = 100 A / мкс
1.4
2.2
7
15
12
20
32
50
14
25
30
60
Ω
нс
Заметки:
а. Пульсовый тест; ширина импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%.
б. Гарантированно конструктивно, производственным испытаниям не подлежат.
Напряжения, превышающие указанные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к необратимому повреждению устройства. Это только рейтинги стресса и функциональная работа.
работы устройства в этих или любых других условиях, помимо тех, которые указаны в рабочих разделах спецификаций, не подразумевается. Воздействие на абсолютный максимум
номинальные условия в течение длительного времени могут повлиять на надежность устройства.www.vishay.com
2
Номер документа: 72124
S-83039-Rev. H, 29-дек-08
Si4800BDY
Vishay Siliconix
ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ 25 ° C, если не указано иное
40
40
VGS = от 10 до 5 В
35 год
4В
TC = - 55 ° С
35 год
25 ° С
30
I D - ток утечки (A)
I D - ток утечки (A)
30
25
20
3В
15
10
25
125 ° С
20
15
10
5
5
0
0,0
0
0
1
2
3
4
5
0,5
1.0
1.5
2.0
2,5
3.0
3.5
4.0
4.5
VGS - Напряжение затвор-исток (В)
VDS - напряжение сток-исток (В)
Передаточные характеристики
Выходные характеристики
1200
0.040
C - Емкость (пФ)
R DS (on) - Сопротивление во включенном состоянии (Ом)
1000
0,032
VGS = 4,5 В
0,024
ВГС = 10 В
0,016
Сисс
800
600
400
Coss
0,008
200
Crss
0
0,000
0
5
10
15
20
25
0
30
4
8
16
20
VDS - напряжение сток-исток (В)
ID - ток утечки (A)
Емкость
Сопротивление во включенном состоянии и ток утечки
1,8
6
VDS = 15 В
ID = 9 А
5
1.
6
RDS (on) - сопротивление при включении
(Нормализовано)
V GS - Напряжение затвор-исток (В)
12
4
3
2
ВГС = 10 В
ID = 9 А
1.4
1.2
1.0
0,8
1
0
0
2
4
6
Qg - Общий заряд затвора (нКл)
Заряд ворот
Номер документа: 72124
S-83039-Rev.H, 29-дек-08
8
10
0,6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Температура перехода (° C)
Сопротивление в открытом состоянии в зависимости от температуры перехода
www.vishay.com
3
Si4800BDY
Vishay Siliconix
ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ 25 ° C, если не указано иное
0,06
50
r DS (on) - Сопротивление во включенном состоянии (Ом)
I S - ток источника (A)
0,05
TJ = 150 ° C
10
0,04
ID = 9 А
0,03
0,02
0,01
TJ = 25 ° C
1
0,0
0,00
0,2
0,4
0,6
0,8
1.0
0
1.2
2
4
6
8
10
VGS - Напряжение затвор-исток (В)
VSD - напряжение исток-сток (В)
Прямое напряжение истока-сток-диода
Сопротивление при включении vs.Напряжение затвор-исток
0,4
150
0,2
0,0
Мощность (Вт)
V GS (th) Разница (V)
120
ID = 250 мкА
- 0,2
90
60
- 0,4
30
- 0,6
- 0,8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
0
10-3
150
10-2
TJ - Температура (° C)
10-1
1
10
Время (с)
Одноимпульсная мощность, переход к окружающей среде
Пороговое напряжение
100
Ограничено
автор: R DS (on) *
I D - ток утечки (A)
10
1 мс
1
10 мс
0,1
100 мс
1 с
10 с
TC = 25 ° C
Одиночный импульс
ОКРУГ КОЛУМБИЯ
0,01
0,1
1
10
100
VDS - напряжение сток-исток (В)
* VGS> минимальное V GS, при котором задана RDS (вкл.
)
Безопасная рабочая зона, соединение с окружающей средой
www.vishay.com
4
Номер документа: 72124
S-83039-Rev. H, 29-дек-08
Si4800BDY
Vishay Siliconix
ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ 25 ° C, если не указано иное
2
Нормализованный эффективный переходный процесс
Тепловое сопротивление
1
Рабочий цикл = 0,5
0,2
Заметки:
0,1
PDM
0,1
0,05
t1
t2
1. Рабочий цикл, D =
0,02
t1
t2
2. База на единицу = R thJA = 70 ° C / Вт
3. T JM - TA = PDMZthJA (t)
Одиночный импульс
4. Поверхностный монтаж
0,01
10-4
10-3
10-2
10-1
1
Длительность импульса прямоугольной волны (с)
10
100
600
Нормализованный термический переходный импеданс, переход к окружающей среде
2
Нормализованный эффективный переходный процесс
Тепловое сопротивление
1
Рабочий цикл = 0.5
0,2
0,1
0,1
0,05
0,02
Одиночный импульс
0,01
10-4
10-3
10-2
10-1
Длительность импульса прямоугольной волны (с)
1
10
Нормализованный термический переходный импеданс, переход к стопе
Vishay Siliconix поддерживает производственные мощности по всему миру.
Продукция может производиться в одном из нескольких квалифицированных мест. Данные о надежности кремния
Надежность технологий и комплектации - это совокупность всех квалифицированных местоположений. Для сопутствующих документов, таких как чертежи упаковки / ленты, маркировка деталей и
данные о надежности см. на сайте www.vishay.com/ppg?72124.
Номер документа: 72124
S-83039-Rev. H, 29-дек-08
www.vishay.com
5
Информация о пакете
Vishay Siliconix
SOIC (УЗКИЙ): 8 выводов
Номер детали JEDEC: MS-012
8
6
7
5
E
1
3
2
ЧАС
4
S
в x 45
D
C
0,25 мм (измерительная плоскость)
А
е
B
Все лиды
q
A1
L
0,004 "
МИЛЛИМЕТРОВ
ДЮЙМЫ
Тусклый
Мин.
Максимум
Мин.
Максимум
А
1,35
1,75
0,053
0,069
A1
0,10
0,20
0,004
0,008
B
0,35
0,51
0,014
0,020
C
0,19
0,25
0,0075
0,010
D
4,80
5.00
0,189
0,196
E
3,80
4.00
0,150
е
0.101 мм
1,27 BSC
0,157
0,050 BSC
ЧАС
5,80
6.20
0,228
0,244
час
0,25
0,50
0,010
0,020
L
0,50
0,93
0,020
0,037
q
0 °
8 °
0 °
8 °
S
0,44
0,64
0,018
0,026
ECN: C-06527-Rev.
I, 11.09.06
DWG: 5498
Номер документа: 71192
11-сен-06
www.vishay.com
1
ВИШАЙ СИЛИКОНИКС
Силовые МОП-транзисторы TrenchFET®
Примечание по применению 808
Монтаж силовых полевых МОП-транзисторов LITTLE FOOT®, SO-8
Уортон МакДэниел
Накладные силовые МОП-транзисторы LITTLE FOOT используют
интегральные схемы и малосигнальные пакеты, которые имеют
был модифицирован для обеспечения возможности теплопередачи
требуется силовым устройствам.Материалы свинцовой рамки и
конструкция, формовочные смеси и материалы для крепления штампа
был изменен, в то время как размер пакетов остается
тоже самое.
См. Примечание по применению 826, Рекомендуемая минимальная подкладка
Шаблоны с доступом к контурным чертежам для Vishay Siliconix
МОП-транзисторы (http://www.vishay.com/ppg?72286) для
основа конструкции колодки для LITTLE FOOT SO-8 power
МОП-транзистор. При преобразовании этого рекомендуемого минимального пэда
к площадке для силового MOSFET, разработчики должны сделать
два соединения: электрическое соединение и тепловое
соединение, чтобы отвести тепло от упаковки.
0,288
7.3
0,050
1,27
0,196
5.0
0,027
0,69
0,078
1,98
0,2
5,07
Рисунок 1. Пэд SO-8 с одиночным МОП-транзистором
Узор с медным растеканием
Номер документа: 70740
Редакция: 18.06.07
0,050
1,27
0,088
2,25
0,088
2,25
0,027
0,69
0,078
1,98
0,2
5,07
Рисунок 2. Схема контактных площадок SO-8 с двойным МОП-транзистором
С медным покрытием
Минимальные рекомендуемые шаблоны пэдов для
одинарный МОП-транзистор SO-8 с медным растеканием (рис. 1) и
Dual-MOSFET SO-8 с медным растеканием (рис. 2)
отправная точка для использования площади доски, доступной для
медь теплоноситель.Чтобы создать этот узор, плоскость
медь покрывает сливные штыри. Медная плоскость соединяет
сливные штифты электрически, но, что более важно, обеспечивает
плоская медь для отвода тепла от дренажных проводов и запуска
процесс распространения тепла, чтобы его можно было рассеять в
окружающий воздух. Эти шаблоны используют всю доступную площадь
для этого под корпусом.
Поскольку корпуса для поверхностного монтажа имеют небольшие размеры, и оплавление
пайка - наиболее распространенный способ
прикреплены к печатной плате, «тепловые» соединения от
плоская медь к колодкам не использовалась.
Даже если
используется дополнительная плоская медная площадка, не должно быть
проблемы в процессе пайки. Собственно припой
соединения определяются отверстиями в паяльной маске. От
совмещая базовый след с медной плоскостью на
сливные штифты, создание паяльной маски происходит автоматически.
Последний пункт, о котором следует помнить, - это ширина линий питания.
Абсолютная минимальная ширина следа мощности должна быть
определяется величиной тока, который он должен проводить. Для
по тепловым причинам минимальная ширина должна быть не менее
0.020 дюймов. Использование широких следов, подключенных к водостоку
плоскость обеспечивает путь с низким сопротивлением для отвода тепла
с устройства.
www.vishay.com
1
ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ
В случае пакета SO-8 тепловые соединения
очень простые. Контакты 5, 6, 7 и 8 являются стоком
MOSFET для одного пакета MOSFET и подключаются
все вместе. В сдвоенном корпусе контакты 5 и 6 - это один сток, а
контакты 7 и 8 - другой сток. Для малосигнального устройства или
интегральная схема, типовые соединения будут выполняться с
следы, которые равны 0.
020 дюймов в ширину. Поскольку сливные штифты служат
дополнительная функция обеспечения теплового соединения
к упаковке этот уровень связи неадекватен. В
общее поперечное сечение меди может быть достаточным для переноски
ток, необходимый для приложения, но он представляет собой
большое тепловое сопротивление. Также тепло распространяется по круговой
мода от источника тепла. В этом случае сливные штифты
источники тепла, если смотреть на распространение тепла на ПК
доска.
0,288
7.3
Примечание по применению 826
Vishay Siliconix
РЕКОМЕНДУЕМЫЕ МИНИМАЛЬНЫЕ КОЛОДКИ ДЛЯ SO-8
0.172
(4,369)
0,028
0,022
0,050
(0,559)
(1,270)
0,152
(3.861)
0,047
(1.194)
0,246
(6,248)
(0,711)
Рекомендуемый минимальный размер колодок
Размеры в дюймах / (мм)
Вернуться к индексу
ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ
Вернуться к индексу
www.vishay.com
22
Номер документа: 72606
Редакция: 21.01.08
Уведомление об отказе от ответственности
www.vishay.com
Vishay
Отказ от ответственности
ВСЕ ПРОДУКТЫ, ХАРАКТЕРИСТИКИ И ДАННЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИЗМЕНЕНЫ БЕЗ УВЕДОМЛЕНИЯ ОБ УЛУЧШЕНИИ
НАДЕЖНОСТЬ, РАБОТА ИЛИ ДИЗАЙН ИЛИ ИНОЕ.
Vishay Intertechnology, Inc., ее аффилированные лица, агенты и сотрудники, а также все лица, действующие от ее или их имени (совместно,
«Vishay»), отказываемся от любой ответственности за любые ошибки, неточности или неполноту, содержащиеся в любом техническом описании или в любом другом
раскрытие информации о любом продукте.Vishay не дает никаких гарантий, заверений или гарантий относительно пригодности продукции для какой-либо конкретной цели или
непрерывное производство любого продукта. В максимальной степени, разрешенной действующим законодательством, Vishay отказывается от (i) любых и всех
ответственность, возникающая в результате применения или использования любого продукта, (ii) любая и вся ответственность, включая, помимо прочего, особые,
косвенные или случайные убытки, и (iii) любые подразумеваемые гарантии, включая гарантии пригодности для конкретных
цель, ненарушение прав и товарность.Заявления о пригодности продуктов для определенных типов приложений основаны на знании Vishay типичных
требования, которые часто предъявляются к продуктам Vishay в общих приложениях.
Такие заявления не являются обязывающими.
о пригодности продукции для конкретного применения. Ответственность за подтверждение того, что конкретный
продукт со свойствами, описанными в спецификации продукта, подходит для использования в конкретном приложении. Параметры
Представленные в таблицах данных и / или спецификации могут отличаться в зависимости от приложения, а производительность может меняться со временем.Все
рабочие параметры, включая типовые параметры, должны проверяться для каждого приложения клиента
технические специалисты. Характеристики продуктов не расширяют и не изменяют иным образом условия покупки Vishay,
включая, но не ограничиваясь, выраженную в нем гарантию.
За исключением случаев, явно указанных в письменной форме, продукты Vishay не предназначены для использования в медицине, спасении или жизнеобеспечении.
приложений или для любого другого приложения, в котором отказ продукта Vishay может привести к травмам или смерти.Клиенты, использующие или продающие продукты Vishay, явно не указанные для использования в таких приложениях, делают это на свой страх и риск.
Пожалуйста
свяжитесь с авторизованным персоналом Vishay, чтобы получить письменные положения и условия в отношении продуктов, предназначенных для таких приложений.
Никакая лицензия, явная или подразумеваемая, в порядке эстоппеля или иным образом, на какие-либо права интеллектуальной собственности не предоставляется этим документом или
любое поведение Vishay. Приведенные здесь названия продуктов и маркировка могут быть товарными знаками их соответствующих владельцев.
Политика категории материалов
Vishay Intertechnology, Inc.настоящим удостоверяет, что все его продукты, отмеченные как соответствующие RoHS, соответствуют требованиям
определения и ограничения, определенные в Директиве 2011/65 / ЕС Европейского парламента и Совета
от 8 июня 2011 г. об ограничении использования некоторых опасных веществ в электрическом и электронном оборудовании
(EEE) - переработать, если иное не указано как несовместимое.
Обратите внимание, что в некоторой документации Vishay все еще могут содержаться ссылки на Директиву RoHS 2002/95 / EC.
Мы подтверждаем, что
все продукты, определенные как соответствующие Директиве 2002/95 / EC, соответствуют Директиве 2011/65 / EU.Vishay Intertechnology, Inc. настоящим удостоверяет, что все ее продукты, обозначенные как безгалогенные, не содержат галогенов.
требования в соответствии со стандартами JEDEC JS709A. Обратите внимание, что в некоторой документации Vishay все еще могут содержаться ссылки
согласно определению IEC 61249-2-21. Мы подтверждаем, что все продукты, идентифицированные как соответствующие стандарту IEC 61249-2-21
соответствуют стандартам JEDEC JS709A.
Редакция: 02-окт-12
1
Номер документа: Исходные данные Exif:
Тип файла: PDF Расширение типа файла: pdf Тип MIME: приложение / pdf Версия PDF: 1.6 Линеаризованный: Нет XMP Toolkit: Adobe XMP Core 4.0-c316 44.253921, вс, 01 октября 2006 г., 17:14:39 Дата создания: 2014: 03: 27 23: 24: 59-04: 00 Дата изменения: 2014: 04: 04 22: 06: 59 + 03: 00 Дата метаданных: 2014: 04: 04 22: 06: 59 + 03: 00 Производитель: iText® 5.
3.3 © 2000-2012 1T3XT BVBA (AGPL-версия)
Формат: заявка / pdf
Название: Si4800BDY - Datasheet.www.s-manuals.com.
Создатель:
Тема: Si4800BDY - Лист данных. www.s-manuals.com.
Идентификатор документа: uuid: HEL-4835-N — Лучшая цена для TE HEL-4835-N
Распределитель на складе для разъемов Реле пассивных компонентов
Дистрибьютор TE
Лучшая цена сейчас
Производитель / Торговая марка: TE
Desc.
: Механические соединители, всемирно известные, оконечные устройства шины с болтовым соединением, ≤ 1 кВ, алюминий-медь, секторные / многожильные / одножильные, 1 контакт
Псевдоним (внутренний номер детали): 2-1198999-1
Доступное количество: Более 94100 штук
Наша электронная почта: [email protected] (расценки по электронной почте)
Лист данных для HEL-4835-N:
Подробное описание HEL-4835-N:
Наличие механического соединителя:
по всему мируТехнология механического разъема:
Оконечное устройство с болтовым соединениемКласс напряжения механического соединителя (кВ):
≤ 1Материал проводника механического соединителя:
Алюминий-медьТип проводника:
Круглый, секторный, цельный, многожильный
HEL-4835-N Параметры
- Номер детали производителя: HEL-4835-N
- Производитель: TE
- Описание: Механические соединители, во всем мире, оконечные устройства на болтах, ≤ 1 кВ, алюминий-медь, секторные / многожильные / сплошные, 1 контакт
- Серия: —
- TE Код внутренней части: 708332-000
- Внутреннее описание: HEL-4835-N
- Наша цена: Обращаться по электронной почте
- Функция: —
- Статус: активен
- Статус ROHS: соответствует требованиям RoHS
- Тип упаковки: —
- Стандартный тип упаковки: катушка / лоток / коробка
- Количество в стандартной упаковке: —
- Рабочая температура: —
- Другая часть номер: TE-HEL-4835-N
- Способы доставки: DHL FEDEX UPS TNT
- Срок поставки: Доставка в течение 1 дня.
- Производитель Срок изготовления: 6-8 недель (обычно есть в наличии)
- Вес: —
- Другая категория: Механические соединители
Лучшая цена на HEL-4835-N
Свяжитесь с нами, чтобы узнать лучшую цену и количество запасов в реальном времени для HEL-4835-N. Если вам нужна дополнительная информация о HEL-4835-N, вы также можете отправить нам по электронной почте.Наш адрес электронной почты: [email protected]
HEL-4835-N Техническая документация (файлы данных и чертежи)
Таблицы данных и страницы каталога
Дополнительное описание для HEL-4835-N
Просмотрите документацию на продукт или свяжитесь с нами для получения последней информации об утверждении агентства.
Обратите внимание: используйте чертеж продукта для всей деятельности по проектированию.
Тип продукта Характеристики
Технология механического разъема:
Оконечное устройство с болтовым соединениемТип компонента подземной сети:
Плоский прямой зажим V-образного типаСемейство продуктов :
C04 — Hellstern Underground C&F / на болтах
Особенности конфигурации
Количество контактных болтов:
1Диапазон поперечного сечения — круглый провод — жесткий (мм²):
35–50Диапазон поперечного сечения — круглый провод — многожильный (мм²):
10–70Диапазон поперечного сечения — секторный провод — жесткий (мм²):
50–240Диапазон поперечного сечения — секторный провод — многожильный (мм²):
50–185
Электрические характеристики
Класс напряжения механического соединителя (кВ):
≤ 1
Особенности кузова
Материал проводника механического соединителя:
Алюминий-медьТип проводника:
Круглый, секторный, цельный, многожильный
Размеры
Размер головки болта (по плоскости) (мм):
6
Эксплуатация / применение
Установка под напряжением:
№
Наличие товара
Наличие механического соединителя:
по всему миру
Мы также продаем следующие товары TE
| Главная Автозвук DVD Материнские платы Мобильные телефоны Мониторы Ноутбуки Принтеры Планшеты Телевизоры Таблицы данных Маркировка SMD Forum |
|
Даташиты 1N4448X, BSC048N025S G, NTMFS4835NT1G, SD4870TR, Si4800, Si4800BDY, Si4800DY, Si4810DY, Si4816BDY, Si4816DY, Si4835BDY, TK71548AS.
) = 0,16 惟, ID = 9,7 A) 
