8550S транзистор характеристики: S8550 , , datasheet, , ,

Содержание

digma Plane 8550S 4G - Характеристики, сравнение, отзывы

Что мы знаем о планшете Digma Plane 8550S 4G на 2021 год? Прошло 3 года с момента выпуска устройства. Планшет выпущен в 2018 году. Насколько его характеристики актуальны сегодня?

Корпус планшета и его особенности

Габариты планшета на 6.24 см³ меньше чем средний показатель (279.28 см³) гаджетов 2018-2021 годов с подобными размерами экрана. При этом, ширина корпуса составляет 208.4 мм, делая аппарат более удобным для удержания в руках.

По толщине Plane 8550S 4G проигрывает среди конкурентов при показателе 10.6 мм (среднее у конкурентов ≈ 9.03 мм).

Планшет в сборе весит 320 г, что делает его легким среди аналогов (на 62.87 г легче средних показателей веса ≈ 382.87 г).

Материалами корпуса служат:

Данные материалы присущи бюджетным планшетам, что влияет на себестоимость аппарата.

Дисплей digma plane 8550s 4g

Матрица экрана построена по технологии IPS отображает яркие насыщенные цвета, при этом не выгорает в процессе эксплуатации.

Диагональ полезной части составляет 8 дюймов, а плотность пикселей 189 точек на дюйм, что является распространенным показателем при усредненном значении 232.55 ppi среди конкурентов. Такой показатель плотности пикселей вполне достаточен, чтобы не замечать пикселей на экране.

Полезная площадь экрана составляет 72.28% по отношению к корпусу планшета. Данный показатель является максимальным показателем.

76.12% - средний показатель отношения площади дисплея к корпусу планшетов 2018-2021 годов.

183.63% - лучшее отношениие площади дисплея к устройству на 2021 год.

Soc, процессор

Аппарат построен на базе известного чипа Spreadtrum SC9832 и имеет 4 ядра с максимальной тактовой частотой 1300 МГц.

Пиковая производительность самых сильных ядер отстает на 33.03% от усредненных показателей производительности за последние 3 года (1941.28 мГц) .

Размер полупроводников в данном чипе 28 nm, что является весьма плохим значением среди современных моделей. Размер транзисторов (полупроводников) влияет на потребление энергии планшета (чем меньше, тем лучше) и соответственно на нагрев ядер.

Если задачей будет обработка видео файлов, то данное устройство не лучший выбор для подобной работы, стоит рассмотреть варианты с более производительным процессором .

Оперативная память планшета

Оперативная память Digma Plane 8550S 4G в минимальной комплектации имеет объем 1 ГБ , что типично для данного класса планшетов.

Такой объем памяти (1 ГБ), позволит выполнять базовые задачи и использовать распространенные приложения, однако может вызвать трудности с обработкой емких файлов, требующих большого пространства во временном хранилище, например видео высокого разрешения.

Среди конкурентов Plane 8550S 4G это не самый высокий показатель, его опережает:

  1. DEXP Ursus L180 (2018) - 2 ГБ RAM;
  2. Digma Plane 8595 3G (2019) - 2 ГБ RAM;
  3. Alcatel 3C (2019) (2019) - 2 ГБ RAM;
  4. Digma Citi 7591 3G (2019) - 2 ГБ RAM;
  5. Digma Citi 7587 3G (2019) - 2 ГБ RAM;
  6. DEXP Ursus N570 4G (2019) - 2 ГБ RAM;
  7. Lenovo Tab M7 Wi-Fi (2019) - 2 ГБ RAM;

Накопитель

Емкость накопителя Digma Plane 8550S 4G составляет 8 ГБ, и это единственная доступная модификация для нашего рынка.

Это не рекордный показатель, и планшет уступает конкурентам:

  1. Lenovo Tab M7 3G (2019) - 32 ГБ;
  2. Lenovo Tab M7 Wi-Fi (2019) - 32 ГБ;
  3. Irbis TZ858 (2019) - 32 ГБ;
  4. Digma Citi 8592 3G (2019) - 32 ГБ;
  5. Amazon Fire HD 8 (2018) (2018) - 32 ГБ;
  6. Digma Citi 7591 3G (2019) - 32 ГБ;
  7. Lenovo Tab M7 4G (2019) - 32 ГБ;

Тем не менее, такого объема будет достаточно для стабильной работы устройства, обновления приложений и хранения небольшого количества медиа информации.

Не стоит забывать о поддержке карт памяти (microSDHC, microSD, microSDXC), которыми можно расширить внутренний накопитель при необходимости.

Характеристики камеры

Основная камера Digma Plane 8550S 4G имеет разрешение 1.92 МП, это не высокий показатель на 2021 год (средний показатель на 2018-2021 года составляет ≈ 7.61 МП).

Однако, стоит понимать, что для камеры важны не толко мегапиксели, но и размер матрицы с апертурой.

Если выбираете планшет с хорошей камерой, рекомендуем рассмотреть модели, имеющие два и более основных модуля камер, это позволяет значительно улучшить качество снимков.

Батарея

Планшет оснащен батареей на 3800 мАч.

Это слабоватый показатель, планшет будет чаще разряжаться. Средний показатель емкости батареи на 2018-2021 год составляет ≈ 5374.69 mAh.

Среди конкурентов, мы нашли с более емкой батареей:

  1. Irbis TZ757 (2019) - 6500 мАч;
  2. Lenovo Tab E8 (2018) - 4850 мАч;
  3. Lenovo Tab 8 (2018) - 4850 мАч;
  4. Amazon Fire HD 8 (2018) (2018) - 4750 мАч;
  5. Alcatel 3T 8 (2018) - 4080 мАч;
  6. Prestigio Grace 5778 4G (2018) - 4000 мАч;
  7. Irbis TZ858 (2019) - 4000 мАч;

На продолжительность работы Digma Plane 8550S 4G влияют: использование модулей связи, процессор, размер дисплея, операционная система.

IC Datashee-Технические характеристики,усилитель,процессор,транзисторы,диодные,интегральных схем и других полупроводниковых Datasheets поиска и загрузки IC-Datasheet.com

803-99-016-30-002 803-99-016-66-001 8044 804-4 8050SS-TO-92 8050S-TO-92 80535 80546KF 805-99-016-10-001 805-99-016-10-012 8061-12-11 8069 8070 8085A 808-H-8A 80960CF-30 80AL 80BL 80C187 80C49AP 80C52-L16 80CNQ35APBF 80CNQSM 80EBU02 80EBU04 80EPF12 80EPS16 80N055 80N60B 80SQ045NRL 80SQ05 80SQ30 80USR8200M35X45 80VXP3300M35X35 8105 8110-11-202 8136R5KL.
25 8143RPFS 8148R5KT5L.25XX 816 8160000000 8163 818L8L 81CNQ045 81NXXX 81RIA80 81XXL-T92-E-K 8201 8203 82050 82077AA 820KD05JX 821KD07X 8230 8231A 82371SB 8237-9004 8239 82434NX 82439TXC 82443GX 82443MX 82454NX 824BP25-4 824L8Y5 8250-7006 82530-6 82541ER 82546EB 82559ER 8255ABQA 82572EI 8261SHAV2PE223 82731-2 82801DB 82801FR 828L8L-6 82A436 82C215 82C288-8 82C433 82C501AD 82C862 82C881 82C900 82HS195B 82LHS191 82M98A 82NXXL-T92-E-K 82PFR80W 82S101BYA 82S147N 82S153A 82S212 82WR5KLFTR 8312 8313 8320 8-321519-1 8323 8326 8327 832-90-016-20-001 8330 833-99-016-20-001 833-99-016-30-001 833-99-016-64-001 833h2CS12VDC 8-34304-1 8344 835-20 8-35559-1 836C-X 837 83930 83C054 83C51KB 83PR5KLFTR 840002AL 84004 8400-68G 8401-680 8402-681 8403-681 8404-681 8405-68G 8408RPFS 8409-17 8417-17 8422 8425SHAV2BE3 843003STR10 843103GT68N 843208MTR27 8450 8453 845GV 845HN 845PE 8464 846TN-1009 8488 8496 8497 84E3D-C20-K10L 84XR5KLFTR 85037-T 8507 850HFL10S02 851 85122 8526 852-90-016-30-002 853 8531 8531T1AVQE1 8532-52L 8534MZQE22 8534T1ZQD12 853-99-016-10-002 853-99-016-30-002 854622 854660 854663 854665 854666 854668 854670 854672 854678 8547 854733-1 854747-1 854823 854833-1 854L8Y5-6 855049 855068 855079 855091 855094 8550SL-X-T92-K 8550S-TO-92 855104 8551T1ZQD22 855271 855272 8552J82AVBD12 855377 855394 855398 855399 855444 855500 855529 855561 855590 855625 855626 855653

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30

Приставка к цифровому мультиметру m 832 для измерения эффективного напряжения


Приставка основана на микросхеме преобразователя переменного напряжения в его эффективное значение AD736JN, описываемой в справочном листке этого номера. Также, как и приставка для измерения емкости и индуктивности, она питается от батареи мультиметра и требует его доработки.

Приставка имеет следующие диапазоны измерений: 200 мВ, 2, 20, 200 и 2000 В. Погрешность измерений порядка ±(1 % + 3 единицы младшего разряда), частотный диапазон не уже 50 Гц... 10 кГц при измерении напряжения, большего 0,1 предела измерений. Входное сопротивление приставки -11 МОм, емкость— 120 пФ. Приставка потребляет ток менее 0,5 мА и сохраняет свою точность при снижении напряжения батареи питания до 7 В.

Схема приставки приведена на рис. 1. Приставку подключают штырями ХЗ—Х6 к четырем гнездам мультиметра. Общий провод соединяется с гнездом “СОМ”, при этом на гнезде “Е PNP” мультиметра будет напряжение +3В относительно гнезда “СОМ”, а на “С NPN” — напряжение -6 В относительно того же гнезда и общего провода. Микросхема AD736JN приставки питается от батареи мультиметра непосредственно, т. е. от двуполярного источника +3/-6 В. Мультиметр используется в режиме измерения постоянного напряжения со шкалой 200 мВ.

Рис.1

При измерении переменного напряжения оно через делитель R1—R6 и защитную цепь R7VD1VD2 поступает на высокоомный вход 2 микросхемы DA1.

Сопротивления большинства резисторов делителя выбраны кратными 10, что облегчает их подбор. Сопротивление нижнего плеча делителя в этом случае составляет 1,111 кОм, оно получается последовательным соединением резисторов R5 и R6 стандартного ряда Е192.

Возможно параллельное соединение резисторов 1,2 кОм и 15 кОм, что обеспечивает тот же результат. При использовании резисторов делителя с допуском 0,1 % никакого дополнительного их подбора не требуется.

Во входном делителе важную роль играют конденсаторы С2—С8, обеспечивающие точность деления входного сигнала. Значение емкостей этих конденсаторов рассчитать затруднительно, так как неизвестна точная емкость монтажа. Поэтому конденсаторы нижних плеч делителя С7 и С8 рассчитаны на некоторую усредненную емкость монтажа, поскольку ее разброс мало влияет на точность деления при относительно большой емкости конденсатора С8. Верхние плечи делителя снабжены подстроечными конденсаторами для точной его настройки. Построение делителя в две ступени (С2, С4 — первая ступень, С5, С7, С8 — вторая) позволяет в 10 раз уменьшить емкости нижних плеч. Относительно большая емкость С2 верхнего плеча делителя позволяет точно подстроить это плечо конденсатором СЗ и уменьшить погрешность делителя из-за изменения емкости монтажа соединительных проводников. Нижнее низкоомное плечо делителя выполнено без конденсаторов.

Микросхема AD736JN используется в режиме подачи сигнала по постоянному току, поэтому вместо конденсатора Сс установлена перемычка. Емкости конденсаторов Сf и Cav выбраны исходя из обеспечения необходимой точности измерений на частоте 50 Гц. Резистор R8 служит начальной нагрузкой стабилизатора напряжения 3В микросхемы мультиметра.

Все детали приставки смонтированы на печатной плате размерами 55x65 мм из двусторонне фольгированного стеклотекстолита толщиной 1,5 мм. На рис. 2 приведен рисунок проводников платы и расстановка элементов приставки. Резисторы за исключением R5 и R6 установлены перпендикулярно плате. На противоположной стороне фольга платы сохранена за исключением мест установки штырей Х1, ХЗ, Х4, Х6 и выполняет роль общего провода. Вокруг отверстий для этих штырей выполнены контактные площадки, изолированные от общего провода вытравленным кольцом. Места пайки выводов элементов к фольге общего провода помечены на рис. 2 крестиками.

 

Переключатель SA1 (ПР2-5П2Н) установлен на кронштейне, изготовленном из латуни толщиной 1 мм. Переключатель снабжен ручкой-барабаном, на гранях которой выгравированы пределы измерений.

Рис.2.

Для подключения приставки к мультиметру на плате гайками закреплены два разрезных штыря диаметром 4 мм от сетевой вилки, один из штырей использован еще и для крепления кронштейна переключателя.

В качестве ХЗ и Х6 впаяны латунные штырьки диаметром 0,8 мм, а для подачи входного сигнала — гнезда Х1 и Х2 от разъемов 2РМ под штыри диаметром 1 мм. Более целесообразно было бы установить любой коаксиальный разъем, например, разъем для подключения сетевых адаптеров DJK-02B на плату и DJK-11B на экранированный провод.

Плата прикрыта коробчатым латунным кожухом, подпаянным к общему проводу платы по углам. Фотография приставки без кожуха приведена на первой странице обложки.

Резисторы R1—R6 следует подобрать с погрешностью не хуже 0,2 %. В описываемой конструкции в основном использованы резисторы типа С2-29В мощностью 0,125 Вт. Резистор R1 составлен из пяти последовательно соединенных резисторов С2-29В 2 МОм 0,25 Вт.

Конденсатор С1 — К73-17 на напряжение 400В, полярные конденсаторы, использованные в приставке, — импортные аналоги К50-35. С7 подбирают из конденсаторов с номинальной емкостью 1100 пФ. Его емкость должна составлять 0,109 от емкости С8 с погрешностью 0,5 %.

Конденсаторы С4 и С7 должны иметь группу по ТКЕ не хуже М750. Подстроечные конденсаторы СЗ и С6 — КТ4-216 на напряжение 250 В.

Настройка приставки заключается в подстройке делителя конденсаторами СЗ и С6. Возможно, что при этом придется подобрать конденсаторы С2 и С5. Рекомендуемый порядок здесь такой. Вначале следует подать на вход напряжение около 190 мВ с частотой 5 кГц и на пределе 200 мВ запомнить показания. Переключив приставку на следующий предел, увеличить входное напряжение в 10 раз и подстроечным конденсатором СЗ установить такие же показания. Далее необходимо установить предел 20В, увеличить входное напряжение еще в 10 раз и конденсатором С6 откалибровать приставку на этом пределе. Указанные операции по подстройке делителя необходимо повторить несколько раз, так как они оказывают влияние друг на друга.

Постоянное и переменное напряжения, подаваемые на вход приставки, не должны превышать 400 В.

С. Бирюков

Advance Acoustic X - A160

Стерео усилитель мощности  Advance Acoustic X - A160 

Выходная мощность:2 х 160 Вт на 8 Омах. Выходные транзисторы (как у MAA 1000), режим работы класс А / АВ. Входы RCA, XLR типа.  Фронтальная панель - черное стекло, со стрелочной индикацией по каналам. Вес 19 кг.

 

Advance Acoustic X-A160

 

Строгий дизайн с массивной передней панелью из акрила черного цвета, с выточенной кнопкой управления из алюминия и синей подсветкой дисплея, выглядит элегантным и стильным.

Два огромных стрелочных индикатора с подсветкой придают облику усилителя мощь и основательность. Действительно, все в этом усилителе мощности выполнено качественно и убедительно стильно.

Новые схемотехника, выходные транзисторы мощности, как и во флагманской модели MAA 1000, переработанный блок питания, больше мощности, больше музыки, больше современной косметики – вот отличительные черты новой модели.

Скрупулезная работа французских дизайнеров разработчиков коснулась всего и, в итоге, получился замечательный продукт, при этом, как и вся продукция Advance Acoustic, по чрезвычайно привлекательной цене.

 

Особенности:

 

- усилитель мощности X-A160 состоит из ультра жесткого шасси, обеспечивая эффективное экранирование, что исключает любой риск помех между различными устройства и деталями в электрической цепи.

- использование "Audiophile" компонентов является гарантией высококачественного воспроизведения вашей любимой музыки, обеспечивая высочайшее разрешение и нюансировку.

- высокая мощность блока питания, в сочетании с «большими токами» силовых транзисторов (NJW0281G - NJW0302G) обеспечивает солидную выходную мощность динамический диапазон.

- выходная мощность X-A160 в режиме АВ составляет 160 Вт на канал, выключатель на задней панели позволяет обеспечивать первые 45 Вт в чистом классе А. Свыше этой мощности, усилитель коммутирует автоматически переход в режим работы в классе АВ.

 

Только до конца марта 2017 года - специальная цена на эту модель (-20%)!

Технические характеристики:

 

Выходная мощность: 2 x 160 Вт/8 Ом, 2 x 240 Вт/4 Ом

Частотный диапазон: 10 Гц – 80 кГц

Искажения: < 0,07 %

Соотношение сигнал/шум: > 120 дБ

Разделение по каналам: > 80 дБ

Входное сопротивление: 20 КОм (не балансное подключение) , 38 КОм (при балансном включении)

Входное напряжение: 115 -230 В (автоматический выбор)

Энергопотребление в режиме ожидания: < 0,5 Вт

Размеры:W. 44 см х D.42 см х H.16 см

Вес: 19 кг

SPECIFICATIONS :

 

Puissance de sortie 8 Ω : 2 X 160 W RMS

Puissance de sortie 4 Ω : 2 X 240 W RMS

Bande passante : 10 Hz - 80 kHz

Distorsion < 0,07%

Rapport Signal/Bruit > 120 dB

Séparation des canaux > 80 dB

Impédance d'entrée : 20KΩ  (Asymétrique)

Impédance d'entrée : 38KΩ (Symétrique)

Tension d'alimentation : 115V/230V (Commutation automatique)

Consommation du standby  < 0,5W

Consommation Max : 500W

Puissance du transformateur : 700W

Transformateur toroïdal

Dimensions : H.16 cm x W.44 cm x D.42 cm

Poids net : 19 kg

20-9-2013 datasheets |

ZVP3306ZVP3306
140 6140 6
XC2V2XC2V2
PRME 15015BPRME 15015B
PIC16F04PIC16F04
max232max232
d78044hgf026d78044hgf026
CEL1465CEL1465
KSh51CKSh51C
IC mip3e4IC mip3e4
D602D602
SW 01VOSW 01VO
4h2c4h2c
22L722L7
tda8042mtda8042m
945945
PFNIPFNI
C1009C1009
svi3101dsvi3101d
NJL5162NJL5162
NJL5162NJL5162
NJL5162NJL5162
hy 2004a8hy 2004a8
DD
E060837GPE060837GP
MTFC2GDKDMMTFC2GDKDM
5143b5143b
es49es49
TM1003TM1003
MC34016MC34016
LS025Q7UA01LS025Q7UA01
7056B7056B
70010ab70010ab
Behzad Razavi -Behzad Razavi -
737737
182154182154
IC mip3e4IC mip3e4
133Tm2133Tm2
1 HO265 R1 HO265 R
1561115611
DD
3303khc3303khc
1W4066BN1W4066BN
74HC573e74HC573e
CXP82300CXP82300
STR s6702STR s6702
E060837GPE060837GP
CR6848T CR6848T
samsung CK-508 samsung CK-508
bza55cbza55c
74LS244D74LS244D
LC-B350ATXLC-B350ATX
-5-5
E060837GPE060837GP
BS100LBS100L
tda9394hn15tda9394hn15
hmc252hmc252
BS100LBS100L
ATMLH 144ATMLH 144
TDA7386TDA7386
max232max232
KS-144H-EAKS-144H-EA
WM9713GWM9713G
15531553
MAX3238MAX3238
CXD1803CXD1803
18rm18rm
NTE467NTE467
1802L1802L
Si5020-BMSi5020-BM
zo 103 mazo 103 ma
ur9002ur9002
4558 pdf4558 pdf
SQT7011KSQT7011K
cs5211agpcs5211agp
tda 7499 satda 7499 sa
LST1094LST1094
TOP1TOP1
STH-54D500STH-54D500
E154515 lei-6E154515 lei-6
228ph228ph
4251g4251g
CXA1878CXA1878
6450764507
ska9ska9
¸samsung tcpa9095pc27
DMO 565DMO 565
8 8
SMD M144SMD M144
903903
uA79CKuA79CK
358cd358cd
TOS5661TOS5661
BSC2548BSC2548
fr104blfr104bl
3-5 3-5
29f64g08cbaaa29f64g08cbaaa
C3198C3198
¸ byg20
2ska 25082ska 2508
RX-V659RX-V659
30g12330g123
BUX53CBUX53C
P24adP24ad
LMH6672LMH6672
SML-020MLSML-020ML
BD 512BD 512
un8hxun8hx
MC34C63MC34C63
STK411-220E-SNSTK411-220E-SN
273D273D
476J476J
32G032G0
247247
56575657
K48 C3196 GRK48 C3196 GR
p734Hp734H
2sp052sp05
ad680arad680ar
16f6216f62
chn k339chn k339
BLV20BLV20
MC68851MC68851
1370E1370E
5z1235z123
¸d 85
MBT3946MBT3946
08340834
TDA 8281TDA 8281
DATASHEET 2SC3834DATASHEET 2SC3834
LO44LO44
FQPF 9N50CFQPF 9N50C
str z2152str z2152
LPH 777LPH 777
и BSm52326sp
TDA-2822MTDA-2822M
PHILIPS 8022 22cs121PHILIPS 8022 22cs121
MAN6680MAN6680
ntp7411sntp7411s
CXP402CXP402
561-16561-16
2n50g2n50g
stk 4044Xstk 4044X
74hc595m74hc595m
tda 7496lstda 7496ls
LT7216LT7216
5fwk25fwk2
W05310WSCW05310WSC
44608p4044608p40
HLS-T73 12VDCHLS-T73 12VDC
pic18f67pic18f67
K226K226
Pioneer DEN-P40MPPioneer DEN-P40MP
apm2509napm2509n
602602
Sg7912aigSg7912aig
p31ADp31AD
CXP85112CXP85112
1300 381300 38
017g017g
HFBR-5301HFBR-5301
558b558b
Simple MD5 Summer 1Simple MD5 Summer 1
rsn35h3rsn35h3
Q0365RQ0365R
datasheet xmega128A1datasheet xmega128A1
ZC422388CBZC422388CB
100nf100nf
07mn07mn
K174XA53K174XA53
421421
SN74ABT240SN74ABT240
uln2008uln2008
040CG040CG
2ap12ap1
¸651401
bt 139e 600ebt 139e 600e
SAMSUNG CK-5385TFSAMSUNG CK-5385TF
mer0050 v33 20100223mer0050 v33 20100223
TI116626 UTKTI116626 UTK
str 3035str 3035
ta9842ta9842
CA3082CA3082
13 l4r713 l4r7
431d431d
Samsung SD-8550SSamsung SD-8550S
47c400rn f26747c400rn f267
ILC811ILC811
4CA5P4CA5P
605605
tda 7285tda 7285
HA 17358HA 17358
SONY CXA 16918SONY CXA 16918
jvc 21zjvc 21z
51CTV51CTV
70YY70YY
--
2sc3303y2sc3303y
oki ml 183oki ml 183
Ÿ6078L12A
BU9437BU9437
01p2m01p2m
k6r1008c10k6r1008c10
ILC5140ILC5140
MC74AC109MC74AC109
L497L497
HVR190HVR190
1055110551
kxtnk 1000kxtnk 1000
QCPM-9302QCPM-9302
pm1008espm1008es
3754837548
2146a2146a
4mm704mm70
IFRS630AIFRS630A
41914191
158RA120158RA120
hal501hal501
75639p75639p
sc14470sc14470
gd75188gd75188
BA7795BA7795
d2nk9ozd2nk9oz
lolitaslolitas
43414341
ta8615ta8615
STP20N06STP20N06
rtl 8185rtl 8185
154wk154wk
STP5N30STP5N30
GS-R4122GS-R4122
03312300331230
0207302073
CXK77B1810AGB-5CXK77B1810AGB-5
76143s76143s
la74la74
063ECKUF019063ECKUF019
LM1117DT-2. 8510n25exsicon
NEC mPA1556AHNEC mPA1556AH
LM 324 NLM 324 N
1561515615
ac 472mac 472m
5232752327
HYPER HCLT-113HYPER HCLT-113
gp 1u5gp 1u5
175175
LMH6645LMH6645
tranzistor a144tranzistor a144
45n5045n50
0twg0twg
LA 7958NLA 7958N
AMSBAMSB
K555sa3K555sa3
l 6916dl 6916d
01260126
c763c763
MN152811T6NMN152811T6N
T650T650
PCB ASM-31798-00PCB ASM-31798-00
QO765RTQO765RT
Dell VS15 V1528EDell VS15 V1528E
PANASONIC SA Ch43 scPANASONIC SA Ch43 sc
str 456astr 456a
3MP219013MP21901
1017110171
em449em449
¸25P32V6G
2cs1022cs102
HEF40194HEF40194
SM6T33ASM6T33A
2SK16252SK1625
MC74VHC132MC74VHC132
wyei-35cwyei-35c
KT 502KT 502
k2sd880k2sd880
LM391N-90LM391N-90
CXL5512CXL5512
st62t20m6st62t20m6
mpD70F3029YmpD70F3029Y
mnq59245mnq59245
2SC50852SC5085
IX0733IX0733
2cn4c2cn4c
itps-200itps-200
el36el36
R8CB05BOR8CB05BO

Нет сигнала в спутниковом ресивере Openbox x-800

Еще одна типичная неисправность: если пропал сигнал в восьмисотом опенбоксе, это наверняка лопнул от перегрузки один из транзисторов A929A (через которые со стабилизатора LM317 идет напряжение питания на LNB). Забавно выгорают, с вот такими вот аккуратными вулканчиками, как на фотографии. Ремонт: замена пары транзисторов q8 и q5 (возле селектора, на них указывает стрелка) и ресивер снова пригоден к работе. По прогнозам, завтра будет дождь и вполне вероятно, что грозой где-нибудь вынесет еще пару таких вот аппаратов. А один не дождался грозы и приехал ремонтироваться заранее - уже сегодня.

№1 от 23.10.2014 19:29

 Хафис

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста аналог транзистора А929А т.к у нас их нет в продаже,проблема пропал сигнал в опенбоксе х800. Спасибо!!!


№2 от 30.10.2014 18:28

 Вова Техник

Добрый день! Говорят, что замена для А929А - отечественный КТ814, но я отношусь к этой ротации с подозрением.


№3 от 06.11.2014 16:08

 Замира

У меня Опенбокс Х800 Все время пишнт нет сигнала помогите пожалуйста чт делать


№4 от 05. 07.2015 15:57

 Саша

Здраствуйте у меня проблема Jeferson X-800(Openbox-X800)не показывал каналы при при снятиии верхней крышки обнаружил что q5 и q8 сгоревшие на одном из них небольшая трещина и черная точка транзисторы прямые PNP оба одинаковой маркировки 8550S поставил вместо них A1013 сигнал появился например переключил на сириус 12380 H 27500 канал TV Centr International работает потом переключил на хотбирд 12597 H 27500 Perviy kanal Europa и остальные каналы на этом транспондере не показывают замеры делал на радиаторе кренки 13 и 18 вольт присутсвуют. Заметил также что при переключении в пределах одного спутника такая же проблема твц 12380h 27500 показывает а 12284 V 27500 5 Kanal Ukraine и все каналы с этого транспондера не работают где копать подскажите?


№5 от 05.07.2015 16:39

 Саша

12597 V 27500 Perviy kanal Europa я ошибся кароче каналы в горизонтали показывают в вертикали не показывают


№6 от 05. 07.2015 19:49

 Игорь

У меня Опенбокс Х800 Все время пишет нет сигнала помогите пожалуйста что делать, заменил транзисторы не помогло.


№7 от 05.07.2015 19:54

 Вова Техник

2 Саша 05.07.2015 16:39 - а точно LM317 (трехногая, на радиаторе) выдает 13/18? Если кажет только горизонталь, скорее всего оно дает сквозняком через себя 23 вольта с блока питания и ничего не переключает.


№8 от 05.07.2015 19:55

 Вова Техник

2 Игорь 05.07.2015 19:54 - напряжения на выходе селектора есть? Какие?


№9 от 05.07.2015 22:38

 Саша

измерил еще раз под нагрузкой 13 и 18 вольт получил соотвественно 16.2 вольта и 10.5 вольт .С блока питания все напряжения в норме 23 вольта есть 12 вольт тоже в норме . 16.2 вольта и 10.5 вольт мерял под нагрузкой на желтом предохранителе возле транзисторов q5 и q8. Подскажите что после кренки можеть просаживать напругу?


№10 от 05. 07.2015 22:40

 Саша

трехногая LM317 точно выдает 13 и 18 вольт замерял .а вот на желтом предохранителе 16.2 и 10.5 вольт соответственно.


№11 от 07.07.2016 21:26

 Triger-2009

Спасибо !Умным людям и удачи Вам родные !!!


№12 от 09.08.2016 17:35

 Triger-2009

во первых транзисторы целые и проблема по ходу не в них напряжение идет на лбн и переключается !


Добавь комментарий! подумайте и напишите, чур без матов

Питание мультиметра от батарейки АА

Батарейка 6F22, она же «Крона», от которой питаются китайские мультиметры — штука довольно недолговечная, да и стоит прилично (особенно в щелочном варианте). Поэтому у многих (в том числе и меня) возникает желание пересадить мультиметр на батарейку попроще — пальчиковую. Попутно реализуется (по необходимости) вторая популярная доработка — отдельный выключатель (если его еще нет, иначе можно к нему и подключиться).


Схема базируется на достаточно популярном у китайцев step-up преобразователе на двух транзисторах, обычно применяемом как драйвер в дешевых светодиодных фонариках (он не обеспечивает стабилизации выходных параметров, только преобразование для питания от одной АА/ААА). Как работает схема я толком не вкуривал, поэтому переведу (и дополню) описание отсюда.
  1. Ток через R1 открывает транзистор VT1.
  2. Ток через открывшийся VT1, ограниченный R2, открывает VT2 (кстати, некоторые китайцы экономят на R2 при питании 1.5В)

  3. Ток через открывшийся VT2 течет через катушку L1 (левую половину, в оригинале только она и есть), которая при этом запасает энергию в магнитном поле. Через C1 сигнал положительной обратной связи дополнительно открывает транзисторы, вводя VT2 в насыщение. Ток через катушку линейно нарастает.
  4. Когда ток через катушку достигает тока насыщения транзистора (зависит от тока базы, т.е. значения R2 и h21э транзистора), напряжение на нем начинает расти. Через конденсатор C1 этот сигнал подается на VT1, закрывая его (т.е. как только транзистор начал закрываться из-за выхода из насыщения, ПОС это подхватывает) и увеличивая падение тока. Транзисторы лавинообразно закрываются.
  5. Поскольку транзистор VT2 закрылся, ток через него прекращается. Но ток через катушку мгновенно прекратиться не может — она должна сбросить запасенную энергию. Единственный путь — через VD2. Чтобы протолкнуть ток туда (напряжение на C2 выше напряжения батарейки) — напряжение на катушке повышается (это стандартно для топологии step-up, подробней и с традиционными канализационными аналогами здесь).
  6. Покуда катушка сбрасывает энергию в C2, конденсатор C1 перезаряжается через R1. После закрытия транзисторов на левой обкладке C1 напряжение выше, чем на правой, а катушка дополнительно удерживает правую обкладку выше питания. Это, во первых, приводит к тому, что на стадии сброса VT1 надежно закрыт, а во вторых, ускоряет заряд C1. Когда катушка сбросит всю энергию — напряжение на правой обкладке упадет до напряжения питания и через ПОС это изменение приведет к открыванию VT1. После чего все повторяется с пункта 2.
Выводы:
Время заряда C1 и время сброса энергии в нагрузку определяют время закрытого состояния VT2 (toff). Слишком малый C1 успеет зарядиться до напряжения открывания VT1 еще до окончания сброса энергии в выходной конденсатор и схема перейдет в непрерывный режим работы. Слишком большой будет долго заряжаться после цикла сброса энергии и существенно снизит частоту преобразования (а значит — и передаваемую мощность).
Индуктивность L1 и ток насыщения VT2 (определяемый его базовым током, т.е. номиналом R2) определяют время открытого состояния транзистора (ton) и запасаемую при этом энергию.
ton и toff определяют частоту преобразования.
По сравнению с описанной схемой есть пара отличий.
Во первых, это вторая половина L1. Поскольку повысить напряжение требуется довольно сильно (в 6 раз, и это не считая падения напряжения на диоде и транзисторе) — правая половина катушки работает как автотрансформатор, дополнительно повышая напряжение.
Цепь стабилизации напряжения. Дело в том, что исходная схема хоть как-то стабилизирует только выходную мощность (причем только по изменениям нагрузки — при повышени напряжения питания передаваемая мощность будет расти). Это немного не то — без нагрузки на выходе будет напряжение, ограничиваемое только утечками. У меня получалось 30В — вполне достаточно для пробоя конденсатора C2. Ну и мультиметр не одобрит тоже. А потребление его меняется достаточно сильно, примерно в пределах 2-10 мА, т.е. 5 раз. При постоянной мощности во столько же раз будет изменяться и выходное напряжение. Ffffuuuu~. Но проблема довольно просто решается введением стабилитрона VD1. При повышении выходного напряжения выше, чем напряжение открывания стабилитрона (точнее, выше чем Vcc + VVD1 — 0.7V) — он откроется и закроет транзистор VT1, сорвав генерацию. Генерация возобновится только тогда, когда напряжение на выходе снизится ниже порога открывания стабилитрона. Получается вполне типичная стабилизация включением/выключением. Пульсации выходного напряжение у такой схемы довольно велики, но мультиметру они не мешают.

Плата в аттаче. Рассчитана на выведение выключателя SA1 через боковую стенку батарейного отсека мультиметра DT83x, ставится непосредственно в него, на термоклей или что-то подобное. Правда, я лоханулся с отзеркаливанием и у меня оно попало на сторону с гнездами 🙂 Пришлось выводить в другом месте, где уже была дырка от предыдущей доработки.

Детали.
VT1 — любой PNP, наш КТ3107 сойдет. А вот к VT2 дополнительное требование — он должен иметь малое напряжение насыщения и приличный ток коллектора. Я пробовал с указанным на схеме SS8050, который часто попадается в китайских девайсах. Возможно, подойдут SS9013, КТ503, КТ645Б, КТ646Б, КТ817Б1/Б2/Г2 (последние два здоровые), FMMT617.
VD1 — любой стабилитрон на 8.2В, я использовал КС182. VD2 — любой быстрый диод на ток не менее 50 мА — прекрасно подойдут наши КД521, КД522, маломощные диоды шоттки.
Дроссель также можно намотать на практически любом примерно похожем по размерам колечке, количество витков вторички определяется местом (у меня влезло 100, больше 150 тоже не стоит). Вообще, ферритовое колечко — далеко не лучший вариант для такого преобразователя, но работает и их у меня было дофига. Можно намотать на небольшой гантельке, число витков скорее всего можно сократить — левая половина должна иметь индуктивность 50-100 мкГн. В правой половине должно быть в 2-3 раза больше витков, чем в левой. Можно попробовать вообще отказаться от правой половины (тогда анод VD2 подсоединяется к коллектору VT2) и поставить готовый дроссель, но может не выдать требуемого напряжения.

Также есть одна грабля. При выключении преобразователя напряжение на выходе падает довольно медленно, поэтому при включении менее чем через минуту-другую после выключения микросхема АЦП может не сброситься и заглючить. Правда, я такого ни разу не наблюдал, но инструкция от мультиметра рекомендует при переключении пределов через положение OFF задержаться на нем — именно для этого.

Готовая конструкция:

Слева заметен страшный колхоз 🙂 Это неспроста — примерно лет так 10-11 назад этот мультиметр спалили) Годик-два назад я счел себя достаточно крутым, чтобы его починить (а главное — переборол лень и нагуглил схему и инфу о работе, хе-хе), купил новую микру АЦП (родная сгорела, и она была капелькой). В общем, менять микру-капельку (причем без альтернативной разводки под QFP или DIP) развлечение то еще, экономически выгоднее купить новый мультметр 🙂
Ну а красная стрелочка указывает, где примерно стоит выключатель на боковой стенке.

22.08.2012
Прошло полтора года и появились некоторые данные о сроке службы батареек. Все это время мультиметр питался от одной щелочной батарейки AA, причем сдохла она традиционно — забыл выключить (либо сам случайно включился). Эксперименты с полудохлыми батарейками показали, что преобразователь нормально работает где-то до 0.8-0.9В на батарейке (под нагрузкой, естественно — одна из батареек имела на холостом ходу 1.05В, под нагрузкой просела до 0.75В и преобразователь выдал 6.3В на выходе, что недостаточно для мультиметра). Не особо высокие параметры (тот же NCP1400 при 0.8В на ХХ еще запускается, а выжрать вроде как способен до 0.5-0.6), но вполне приемлемо. Возможно, параметры можно улучшить, более тщательно подойдя к выбору дросселя.
Поставил в мультиметр батарейку из мышки, где она отработала полгода (1.23В на ХХ, 1.12В под нагрузкой). Посмотрим, насколько хватит. По мнению мышки в батарейке осталось 10% заряда.

02.10.2016
Батарейка из мышки до сих пор стоит. Зараза.

Распиновка транзистора

S8550, техническое описание, характеристики и образец схемы

S8550 - Транзистор PNP

S8550 - Транзистор PNP

S8550 Распиновка транзистора

нажмите на картинку для увеличения

Конфигурация распиновки S8550

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Излучатель

Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей

2

База

Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

3

Коллектор

Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке

Характеристики
  • Низковольтный, сильноточный транзистор PNP
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 500 мА
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) -25 В
  • Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет -40 В
  • Базовое напряжение эмиттера (VBE0) составляет -5 В
  • Коэффициент усиления по току (hFE), от 85 до 300
  • Обычно используются как двухтактные транзисторы класса B
  • Доступен в пакете To-92

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в описании транзистора S8550 , приведенном в конце этой статьи.

Дополнительный транзистор NPN для S8550

S8050

S8550 Эквивалентный транзистор

BC527, KSA708, MPS750

Альтернативные транзисторы PNP

BC557, 2N3906, A1015, 2SA1943, BD140

Краткое описание транзистора S8550

S8550 - это транзистор PNP , поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (с обратным смещением), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (с прямым смещением), когда сигнал подается на базовый вывод.Он имеет максимальное значение усиления 300; это значение определяет усилительную способность транзистора обычно S8550. Поскольку он очень высокий, его обычно используют для усиления.

Когда этот транзистор полностью смещен, через коллектор и эмиттер может протекать максимум 700 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 20 В и 30 В соответственно. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки.

S8550 в двухтактной конфигурации

Как упоминалось в характеристиках , транзистор S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.

Двухтактный усилитель, широко известный как усилитель класса B, представляет собой тип многокаскадного усилителя, обычно используемого для усиления звука в громкоговорителях. Он очень прост в конструкции и требует работы двух идентичных комплементарных транзисторов.Под дополнительным значением это означает, что нам нужен транзистор NPN и эквивалентный ему транзистор PNP. Как и здесь, NPN-транзистор будет S8050, а его эквивалентный PNP-транзистор будет S8550. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

Приложения
  • Схемы усиления звука
  • Усилители класса B
  • Двухтактные Транзисторы
  • Схемы, где требуется высокий коэффициент усиления
  • Приложения с низким уровнем сигнала

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных S8550 будет полезен, чтобы узнать его тип корпуса и размеры.

Распиновка транзистора

S8550, эквивалент, применение, особенности и применение

В этой статье описывается распиновка транзистора S8550, эквиваленты, использование, особенности, приложения, а также подробности использования его в электронной схеме или проекте.

Характеристики / Технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-92
  • Тип транзистора: PNP
  • Максимальный ток коллектора (I C ): -0.7 А или -700 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): -20 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): -30 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VBE): -5 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 1 Вт
  • Максимальная частота перехода (fT): 100 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 40–400
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации Должна быть: от 65 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный:

NPN Дополнительным к S8550 является S8050

Аналог:

Альтернативными транзисторами для S8550 являются BC528, 2N2906, BC527 и S8050, это всего лишь несколько эквивалентов, если вы их не штрафуете, есть также другие альтернативы S8550.

S8550 Транзистор объяснено / Описание:

Как и S8050, его альтернатива PNP S8550 также является широко используемым транзистором, это надежный недорогой транзистор с очень хорошими техническими характеристиками. Он разработан для усиления звука и других общих требований в электронных схемах, но помимо этого он также широко используется в коммерческих приборах. S8550 обладает некоторыми очень хорошими характеристиками в своем небольшом корпусе TO-92, поэтому его можно использовать во многих электронных приложениях, например, выходное рассеивание составляет 1 Вт, что очень хорошо для использования его для усиления аудиосигнала примерно до 1 Вт, а также во многих других стадиях усиления звука.Максимальный ток коллектора составляет -700 мА, поэтому его также можно использовать для различных применений переключения в электронных схемах. Максимальное усиление транзистора составляет 400, что также является плюсом этого транзистора.

Где и как использовать:

S8550 - транзистор общего назначения, поэтому вы можете использовать его на выходе схем аудиоусилителя для усиления выходного аудиосигнала до 1 Вт, например, его можно использовать в схемах электронного дверного звонка, усилителях звука mp3 и на выходе схем зуммера. и т.п.Если вы хотите использовать его в качестве переключателя, вы можете легко управлять большими реле, множеством маленьких светодиодов одновременно и одним или двумя светодиодами высокой мощности мощностью от 10 до 20 Вт, включать другую часть или приложение в электронном проекте / схеме и т. Д. Более того, он также может использоваться в качестве альтернативы или эквивалента многим другим транзисторам общего назначения, а также является идеальным транзистором для использования в ваших электронных проектах, поэтому транзистор обязательно должен быть в вашей лаборатории электроники.

Приложения:

Усилители класса B

Управляющие нагрузки ниже -700 мА

Как переключатель в электронных схемах

Усиление сигналов с низким усилением до высокого усиления

Выходной каскад небольших аудиопроектов и схем

Как безопасно работать в цепи в течение длительного времени:

Электронные компоненты очень хорошо работают в схеме в течение длительного периода времени, если все меры безопасности приняты во внимание во время проектирования и изготовления схемы, чтобы обеспечить длительную работу этого транзистора в вашем электронном приложении, рекомендуется не использовать его. в цепи выше 20 В и не увеличивайте выходную нагрузку с -700 мА, всегда используйте хороший токоограничивающий резистор на базе транзистора и не используйте его при температуре выше 150 и ниже -65.

npn% 20transistor% 208550s техническое описание и примечания по применению

Bux81

Аннотация: КУПИТЬ12 NPN / 8D140 NPN / SML1258
Текст: Текст файла недоступен


Сканирование OCR
PDF BUX60 BUX61 BUX62 BUX63 BUX64 BUX65 BUX66 BUX67 BUX67A BUX67C Bux81 КУПИТЬ12 NPN / 8D140 NPN / SML1258
2N3397

Аннотация: 2N3390 2N2926 2N2925 2N2924 2N2923 2N2714 2N2713 2N2712 2N2711
Текст: Текст файла недоступен


Сканирование OCR
PDF 2N2711 2N2712 2N2713 2N2714 2N2923 2N2924 2N2925 2N2926 2N3390 2N3391 2N3397
SSY20

Аннотация: SF828 funkamateur VEB микроэлектроник BUX 127 SF126 SF 127 SF819 SF128 SF 829 B
Текст: Текст файла отсутствует


Сканирование OCR
PDF
2008 - Дарлингтон NPN

Резюме: 2n555
Текст: Нет текста в файле


Оригинал
PDF
2010 - 2u 62 диод

Аннотация: Диод КТ808А 2U 81 kt808am 2N3076 2SD867Y kt808
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF SDT3208 SDT7140 BDT95 BDT96 2u 62 диод КТ808А диод 2U 81 kt808am 2N3076 2SD867Y kt808
Нет в наличии

Резюме: нет текста аннотации
Текст: файла нет текста


Сканирование OCR
PDF 2N3739 2N656 2N3740 2N656A 2N3741 2N1047 2N3749 2N1047A 2N3766 2N1048A
2N702

Аннотация: 2N3565 2N3569 2N1506 2N1069 2N3645 2N1389 2N3566 2N3644 2N2405A
Текст: Текст файла недоступен


Сканирование OCR
PDF 2N329A 2N332 2N333 2N334 2N335 2N336 2N337 2N338 2N339 2N340 2N702 2N3565 2N3569 2N1506 2N1069 2N3645 2N1389 2N3566 2N3644 2N2405A
BSW66

Аннотация: BSW67 BU208A BLY49 BLY49A BLY50 BSS15 BSS33 BSS50 T066
Текст: Текст файла недоступен


Сканирование OCR
PDF BLY49 BLY49A BLY50 BLY50A BSS15 BSS33 120тип 2 / 10м 40 мин. BSS50 BSW66 BSW67 BU208A T066
T053

Резюме: BC140-16 BC108A BC107A BC109C NPN bc108 IC hr 2N6609 2N6654 2N6590 2N6672
Текст: Текст файла недоступен


Сканирование OCR
PDF ai331fl7 0000MH5 2N6589 2N6590 2N6594 2N6609 2N6653 10 минут 2N6654 T053 BC140-16 BC108A BC107A BC109C NPN bc108 IC час 2N6672
TO82 ТРАНЗИСТОР

Аннотация: npn 2N2383 2N2753 TO53 2N1069 транзистор 2n2383 2NXXXX 2N2227 NPN 200 Вольт 20 ампер СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР 2N1620
Текст: Нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF e6DjP073L.254D22 2N1015 2N1015A 2Н1015Б 2N1015C 2Н1015Д 2N1015E 2N1016 2N1016A ТО82 ТРАНЗИСТОР npn 2N2383 2N2753 TO53 2N1069 транзистор 2n2383 2NXXXX 2N2227 NPN 200 Вольт 20 ампер СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР 2N1620
FN1016

Аннотация: 2sC9012 on4409 on4673 ON4843 C9012 S2000A3 bul310xi 2SD5080 MN1016
Текст: Нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N1112 2N1212 2N1217 2N1711 2N2219A 2N2222 2N2222A 2N2369 2N2369A FN1016 2sC9012 on4409 on4673 ON4843 C9012 С2000А3 Bul310xi 2SD5080 MN1016
pm2222a

Резюме: BCB47B SOD80C PHILIPS BF960 PMBTA64 1N4148 SOD80C PXTA14 BCB47BW pzt222a BF606A
Текст: Текст файла недоступен


Сканирование OCR
PDF BA582 OD123 BA482 BA682 BA683 BA483 BAL74 BAW62, 1N4148 pm2222a BCB47B SOD80C ФИЛИПС BF960 PMBTA64 1N4148 SOD80C PXTA14 BCB47BW pzt222a BF606A
2N3391A

Аннотация: 2N3390 2N2926 2N2925 2N2924 2N2923 2N2714 2N2713 2N2712 2N2711
Текст: Текст файла недоступен


Сканирование OCR
PDF 2N2711 2N2712 2N2713 2N2714 2N2923 2N2924 2N2925 2N2926 2N3390 2N3391 2N3391A
2n3901 эквивалент

Аннотация: 2N3900 pnp 2N3392 эквивалент 2n3900 2N3900 транзистор pnp 2N3390 2N2924 2N2923 2N2714 2N2712 advanced
Текст: текст файла недоступен


Сканирование OCR
PDF 2N2711 2N2712 2N2713 2N2714 2N2923 2N2924 2N2925 2N2926 2N3390 2N3391 2n3901 эквивалент 2N3900 pnp 2N3392 эквивалент 2n3900 2N3900 pnp транзистор 2Н2712 продвинутый
T0251

Резюме: T0-251
Текст: Нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF BUL47A BUL47B BUL48A BUL48B BUL49A BUL49B BUL50A BUL50B BUL51A BUL51B T0251 T0-251
Транзистор BFR 30

Аннотация: BFY 99 bss17 BFY 93 bfx 63 bfw 96 Транзистор BFR 96 BFR 450 Транзистор BFR 30 BFY 22
Текст: Текст файла недоступен


Сканирование OCR
PDF BFR10 BFR36 BFR96 * 97 / 2N 98 / ТО-39 BFX97A 15 / 2N 16 / 2N 17 / 2N 18 / 2N Транзистор BFR 30 BFY 99 bss17 BFY 93 bfx 63 толстушки 96 Транзистор BFR 96 450 бразильских франков Транзистор BFR 30 BFY 22
2N784

Аннотация: 35-140 2N834 2N783 2N760A 2N760 2N706 2N703 2N699 2N697
Текст: Текст файла недоступен


Сканирование OCR
PDF 2N656 2N697 2N699 2N703 2N706 2N760 2N760A 2N783 2N784 2N834 35–140
2N5415

Резюме: нет текста аннотации
Текст: файла нет текста


Сканирование OCR
PDF 2N5338 2N5338X 2N5339 2N5339X 2N5344 2N5344A 2N5345 2N5345A 2N5357 2N5415
кт 839

Резюме: KT 828 A KT 829 Kt 8232 KT-119 KT 505 kt 201 500 KT 818 KT 907 KT 982
Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF КТ-19 КТ-26 KT 839 КТ 828 А КТ 829 Kt 8232 КТ-119 КТ 505 кт 201 500 КТ 818 КТ 907 КТ 982
2n5347

Резюме: a / TO111 2n5100
Текст: Нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF 2N4999 2N5000 2N5001 2N5002 2N5003 O-111 2N5004 2N5005 2N5006 2n5347 a / TO111 2n5100
Нет в наличии

Резюме: нет текста аннотации
Текст: файла нет текста


Сканирование OCR
PDF
C736

Аннотация: Транзистор C495 эквивалент bc303 2N2222A 026 эквивалент bc143 C735 эквивалент BFY52 NPN Эквивалент C460 транзистор 2N1711 C588
Текст: Текст файла отсутствует


Сканирование OCR
PDF 4-95J0 2N3570 2N3571 2N3572 2N918 2N4252 2N4253 BS9300 2N2219A C736 C495 транзистор эквивалент bc303 2N2222A 026 эквивалент bc143 C735 Эквивалент BFY52 NPN C460 эквивалентный транзистор 2Н1711 C588
2N3901

Аннотация: 2N5249A 2N5232A 2N5232 2N5174 2N4425 2N4424 2N4256 GES93 2N5306
Текст: Текст файла недоступен


Сканирование OCR
PDF 2N4256 2N4424 2N4425 130-b40 2IM5172 2N5174 2N5232 2N5232A 2N5249A 100 мА, 2N3901 GES93 2N5306
cs9011j

Аннотация: MPS151 PN5180 MPS4424 BC5608 8c527-25 2N3304 BC5568 PN2897 MPS9633C
Текст: Текст файла недоступен


Сканирование OCR
PDF 2N1507 2N1566 2NI613 2N1889 2N1890 2N1893 2N1973 2N1974 2NI975 О-237 cs9011j MPS151 PN5180 MPS4424 BC5608 8c527-25 2N3304 BC5568 PN2897 MPS9633C
2C415

Аннотация: 2C425 2N2222ACSM4 2C746 2N1721 1N5617CSMD 2N2222A LCC1 2N2219AQF
Текст: Текст файла недоступен


Сканирование OCR
PDF 1N914CSM 1N4001CSM 1N4001QCSM 1N4003CSM4 1N4003QCSM 1N4148CSM 1N4151CSM 1N4572ACSMD 1N5617CSMD 1N5711CSM 2C415 2C425 2N2222ACSM4 2C746 2N1721 2N2222A LCC1 2N2219AQF

Сайты для поиска технических данных для полупроводников

Что такое лист данных?

Таблица данных представляет собой своего рода руководство для полупроводников, интегральных схем .Таблица - это документ, печатный или электронный, который предоставляет подробную информацию о продукте, таком как компьютер, компьютерный компонент или программное обеспечение. Таблица включает информацию, которая может помочь в принятии решения о покупке продукта, предоставляя технические характеристики продукта.

Содержимое файла обычно содержит подробную информацию, пакеты, коды заказа и максимальные номинальные напряжения.

Раньше он распространялся в виде книги, которая называлась книгой данных, но теперь она доступна в виде файла PDF.Обычно он предоставляется в виде файла PDF. Как правило, таблицы данных часто имеют несколько дистрибутивов, поэтому полезно проверять последние версии таблиц.

Тем не менее, я рекомендую вам сверяться с таблицей данных за тот период времени, когда вы знаете год производства принадлежащих вам деталей.

Ссылки сайтов

1. Сайт с техническими данными, предоставленный магазином полупроводников

  • https://www.arrow.com/
  • https://www.digikey.com/
  • https://www.mouser.com/
  • http: // www.element14.com/
  • https://www.verical.com/
  • http://www.chip1stop.com/
  • https://www.avnet.com/
  • http://www.newark.com/
  • http://www.futureelectronics.com/
  • https://www.ttiinc.com/

2. Семейство сайтов поиска по таблицам

  • http://www.datasheet39.com/
  • http://www.datasheet4u.com/
  • http://www.datasheetcatalog.com/
  • http: //www.alldatasheet.com /
  • http://www.icpdf.com/
  • http://www.htmldatasheet.com/
  • http://www.datasheets360.com/
  • https://octopart.com/

Octopart - это поисковый движок для электронных и промышленных деталей. Найдите детали, проверьте наличие и сравните цены у сотен дистрибьюторов и тысяч производителей.

3. Другие семейства веб-сайтов, связанные с таблицами

  • https: // en.wikipedia.org/wiki/Datasheet
  • http://www.smdcode.com/en/
  • http://www.s-manuals.com/smd
  • http://www.qsl.net/yo5ofh/data_sheets/data_sheets_page.htm

4. Как читать техническое описание

Статьи по теме в Интернете

Datenblatt PDF Suche - Datenblätter

Teilenummer Beschreibung Херстеллер PDF
YS253X Контроллеры ШИМ постоянного напряжения / постоянного тока с высокой точностью управления первичной стороной
ETC
STGW19NC60WD N-канальный IGBT
STMicroelectronics
STGW19NC60W 19 А - 600 В - сверхбыстрый IGBT
STMicroelectronics
STGW19NC60H 19 А - 600 В - очень быстрый IGBT
STMicroelectronics
STGP19NC60W 19 А - 600 В - сверхбыстрый IGBT
STMicroelectronics
STGP19NC60SD 600 В, быстрый IGBT
STMicroelectronics
STGP19NC60S , 600 В, быстрый IGBT
STMicroelectronics
STGP19NC60H 19 А - 600 В - очень быстрый IGBT
STMicroelectronics
STGF19NC60SD , 600 В, быстрый IGBT
STMicroelectronics
STGB19NC60W 19 А - 600 В - сверхбыстрый IGBT
STMicroelectronics
STGB19NC60S , 600 В, быстрый IGBT
STMicroelectronics
RF01D Считыватель карт RFID 125 кГц
RS электронный

8550S TO-92 Транзисторы в пластиковом корпусе

Интегральные схемы

Дискретные компоненты

Разъемы и структурные элементы

Монтажный блок Модули и аксессуары

Источники питания и модули питания

Электронные материалы

Набор инструментов и испытаний

Электроинструменты и материалы

Мехатроника

Обработка и настройка

8550S_1164167.Загрузить техническое описание в формате PDF --- IC-ON-LINE

PART Описание Изготовитель
OC28 OC22 OC23 OC30 OC25 OC19 OC36 AUY29IV AUY24 A ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 10A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 32В В (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 24В В (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 16V V (BR) Генеральный директор | 1.4A I (C) | ТО-66ВАР
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 40В В (BR) Генеральный директор | 4A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 32В В (BR) Генеральный директор | 3A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 32В В (BR) Генеральный директор | 8A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 32В В (BR) Генеральный директор | 15A I (C) | ТО-41
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 45В В (BR) Генеральный директор | 3A I (C) | ТО-41
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 3A I (C) | ТО-41
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 8A I (C) | TO-41 晶体管 | 晶体管 | 进步 党 | 60V 的 五 (巴西) 总裁 | 8A 条 一 (c) | 1
Vicor, Corp.
Marktech Optoelectronics
2N2904 JANTX2N2905A JAN2N2904 JAN2N2905 2N2904A 2N 600 мА, 60 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-39
PNP-транзистор
КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙСЯ PNP, 600 мА, 60 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-5
3-контактный 1,5A, фиксированный, 12 В Регулятор положительного напряжения 3-TO-220 от 0 до 125 600 мА, 60 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-5
600 мА, 40 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-205AD
MICROSEMI CORP-LAWRENCE
http: //
MICROSEMI [Microsemi Corporation]
Microsemi, Corp.
FCX1151A FCX1151ATA PNP Транзистор с низким уровнем насыщения
SOT89 Кремниевый PNP-транзистор (ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ)
3000 мА, 40 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
ZETEX [Zetex Semiconductors]
Diodes Incorporated
Список неклассифицированных производителей
ZXT13P12DE6 ZXT13P12DE6TA ZXT13P12DE6TC КРЕМНИЙНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО НАСЫЩЕНИЯ, PNP, 12 В, 4000 мА, 12 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
, 4000 мА, 12 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР SOT-23, 6-контактный
PNP Транзистор низкого насыщения
Zetex Semiconductor PLC
Diodes, Inc.
Diodes Incorporated
ZETEX [Zetex Semiconductors]
ZXTD3M832TC ZXTD3M832 ZXTD3M832TA Двойной PNP-транзистор с низким уровнем насыщения
MPPSTM Решения для питания в миниатюрном корпусе ДВОЙНОЙ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО НАСЫЩЕНИЯ, PNP, 40 В, 3000 мА, 40 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
ZETEX [Zetex Semiconductors]
Zetex Semiconductor PLC
FXT3866SM FXT449SM FXT549SM FXT749SM FXT649SM FXT6 ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 20В В (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | СОТ-89
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 20В В (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | СОТ-89
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 25В В (BR) Генеральный директор | 2A I (C) | SO
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 25В В (BR) Генеральный директор | 2A I (C) | SO
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 300V V (BR) Генеральный директор | 500MA I (C) | SO
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 150V V (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | SO 晶体管 | 晶体管 | npn 型 | 150 伏 五 (巴西) 总裁 | 1A 条 一 (c) |
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 100В В (BR) Генеральный директор | 2A I (C) | SO 晶体管 | 晶体管 | 进步 党 | 100V 的 五 (巴西) 总裁 | 甲 一 (c) |
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | SOT-89 晶体管 | 体管 | 进步 党 | 60V 的 五 (巴西) 总裁 | 1A 条 一 (c) | 采用 SOT - 89
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 45В В (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | SO 晶体管 | 晶体管 | 叩 | 45V 的 五 (巴西) 总裁 | 1A 条 一 (c) |
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 30В В (BR) Генеральный директор | 400MA I (C) | SO 晶体管 | 晶体管 | 叩 | 30V 的 五 (巴西) 总裁 | 400 мА 的 一 (c) |
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 80В В (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | СОТ-89
Zetex Semiconductor PLC
Fujitsu, Ltd.
Bourns, Inc.
Amphenol, Corp.
MSB92T1G Кремниевый высоковольтный транзистор общего назначения PNP
SS SC59 HV XSTR PNP 300 В 150 мА, 300 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Rectron Semiconductor
ZXTP23015CFHTA ZETEXSEMICONDUCTOR-ZXTP23015CFH07 Дискретный - Биполярные транзисторы - Главный стол транзисторов (BJT) - Транзисторы
15 В, SOT23, PNP транзистор средней мощности
5000 мА, 15 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Diodes Incorporated
DMJT9435-13 DMJT9435 Дискретный - Биполярные транзисторы - Главный стол транзисторов (BJT) - Транзисторы от 30 В до 50 В
3000 мА, 30 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-4
ТРАНЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА PNP
(SAT)
Diodes, Inc.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *