A15Hb транзистор. Транзисторы A15Hb: характеристики, применение и особенности

Что представляет собой транзистор A15Hb. Каковы его основные характеристики и параметры. Где применяются транзисторы A15Hb. Какие преимущества дает использование этих транзисторов. На что обратить внимание при выборе A15Hb.

Содержание

Основные характеристики и параметры транзистора A15Hb

Транзистор A15Hb представляет собой полупроводниковый прибор, относящийся к семейству биполярных транзисторов. Он имеет следующие ключевые характеристики:

  • Структура: n-p-n
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60 В
  • Максимальный ток коллектора: 800 мА
  • Коэффициент усиления по току (h21E): 100-250
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
  • Корпус: SOT-23

Эти параметры определяют возможности применения A15Hb в различных электронных схемах. Рассмотрим подробнее некоторые из них.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер

Значение в 60 В позволяет использовать A15Hb в схемах с относительно высоким рабочим напряжением. Это важный параметр, определяющий надежность работы транзистора.


Максимальный ток коллектора

800 мА — это достаточно высокое значение для транзистора в корпусе SOT-23. Оно обеспечивает возможность применения A15Hb в маломощных схемах управления и коммутации.

Коэффициент усиления по току

Диапазон 100-250 говорит о хороших усилительных свойствах транзистора. Это позволяет использовать его в различных усилительных каскадах.

Области применения транзистора A15Hb

Благодаря своим характеристикам, транзистор A15Hb находит применение в следующих областях:

  • Маломощные усилители звуковой частоты
  • Импульсные схемы
  • Схемы коммутации небольших токов
  • Преобразователи уровней сигналов
  • Стабилизаторы напряжения
  • Драйверы светодиодов

Рассмотрим некоторые из этих применений подробнее.

Усилители звуковой частоты

A15Hb хорошо подходит для построения маломощных усилителей звука, например, для наушников или небольших акустических систем. Его характеристики обеспечивают хорошее качество усиления в звуковом диапазоне частот.

Импульсные схемы

Высокая граничная частота (150 МГц) позволяет использовать A15Hb в различных импульсных схемах, таких как генераторы, формирователи импульсов, счетчики и т.д.


Преимущества использования транзистора A15Hb

Применение A15Hb в электронных устройствах дает ряд преимуществ:

  • Компактные размеры корпуса SOT-23
  • Низкое энергопотребление
  • Хорошие частотные характеристики
  • Универсальность применения
  • Доступность и невысокая стоимость

Рассмотрим некоторые из этих преимуществ подробнее.

Компактные размеры

Корпус SOT-23 имеет размеры всего 2.9 x 1.3 x 1.0 мм. Это позволяет создавать миниатюрные устройства с использованием A15Hb. Насколько важна миниатюризация в современной электронике? Она позволяет уменьшать габариты устройств, снижать их вес и энергопотребление.

Низкое энергопотребление

Максимальная рассеиваемая мощность 300 мВт говорит о высокой энергоэффективности A15Hb. Это особенно важно для портативных устройств с батарейным питанием. Как низкое энергопотребление влияет на время работы от батареи? Оно позволяет существенно увеличить это время, делая устройства более автономными.

Особенности выбора и применения транзистора A15Hb

При выборе и использовании A15Hb следует учитывать несколько важных моментов:


  • Соблюдение предельных электрических режимов
  • Учет разброса параметров
  • Правильный монтаж на печатную плату
  • Обеспечение теплоотвода при необходимости

Давайте рассмотрим эти аспекты подробнее.

Соблюдение предельных режимов

Важно не превышать максимально допустимые значения напряжений, токов и рассеиваемой мощности. Это обеспечит надежную и долговечную работу транзистора. Как можно защитить транзистор от перегрузок? Можно использовать ограничительные резисторы, стабилитроны, предохранители.

Учет разброса параметров

Коэффициент усиления по току может варьироваться в широких пределах (100-250). Это нужно учитывать при расчете схем. Как минимизировать влияние разброса параметров? Можно использовать схемы с отрицательной обратной связью, которые менее чувствительны к вариациям характеристик транзистора.

Сравнение A15Hb с аналогами

Для оценки преимуществ и недостатков A15Hb полезно сравнить его с похожими транзисторами:

ПараметрA15HbBC847MMBT3904
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер60 В45 В40 В
Максимальный ток коллектора800 мА100 мА200 мА
Коэффициент усиления по току
100-250110-80060-300

Как видно из сравнения, A15Hb имеет преимущество по максимальному напряжению и току. Это делает его более универсальным в применении.


Типовые схемы включения A15Hb

Рассмотрим несколько типовых схем с использованием транзистора A15Hb:

Усилитель с общим эмиттером

Это классическая схема усилителя на биполярном транзисторе. Она обеспечивает усиление как по току, так и по напряжению.

Ключевая схема

В этой схеме транзистор работает в режиме насыщения и отсечки, обеспечивая коммутацию сигналов или управление нагрузкой.

Эмиттерный повторитель

Эта схема обеспечивает согласование высокоомного входа с низкоомной нагрузкой, имея при этом коэффициент усиления по напряжению, близкий к единице.

Каждая из этих схем имеет свои особенности и области применения. Выбор конкретной схемы зависит от требований к устройству.

Рекомендации по монтажу A15Hb

Правильный монтаж транзистора A15Hb важен для обеспечения его надежной работы:

  • Используйте паяльник с регулировкой температуры
  • Применяйте флюс, подходящий для полупроводниковых приборов
  • Не превышайте максимально допустимую температуру пайки (обычно 260°C в течение 10 секунд)
  • Обеспечьте хороший теплоотвод при пайке
  • Соблюдайте меры защиты от статического электричества

Почему так важно соблюдать эти рекомендации? Неправильный монтаж может привести к повреждению транзистора или ухудшению его характеристик. Это может вызвать некорректную работу всего устройства.


Перспективы развития и альтернативы A15Hb

Хотя A15Hb остается популярным и широко используемым транзистором, развитие электроники не стоит на месте. Появляются новые технологии и компоненты, которые могут стать альтернативой A15Hb в некоторых приложениях:

  • MOSFET-транзисторы с низким сопротивлением открытого канала
  • Интегральные схемы, объединяющие несколько транзисторов и дополнительных компонентов
  • SiC (карбид-кремниевые) и GaN (нитрид-галлиевые) транзисторы для высокочастотных приложений

Несмотря на это, A15Hb продолжает оставаться востребованным благодаря своей универсальности, доступности и проверенной временем надежности.


smd%20transistor%20a15%20hb спецификация и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить часть SCT4026DW7HR РОМ Полупроводник 750 В, 51 А, 7-контактный SMD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор для автомобильной промышленности
SCT3080AW7 РОМ Полупроводник 650 В 29 А, 7-контактный SMD, канавка, карбид кремния (SiC) MOSFET org/Product»> SCT3120AW7 РОМ Полупроводник 650 В 21 А, 7-контактный SMD, канавка, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор SCT3160KW7 РОМ Полупроводник
1200 В 17 А, 7-контактный SMD, канавка, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT4062KW7HR РОМ Полупроводник 1200 В, 24 А, 7-контактный SMD, траншейная конструкция, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор для автомобильной промышленности org/Product»> SCT3105KW7 РОМ Полупроводник 1200 В 23 А, 7-контактный SMD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET

smd%20transistor%20a15%20hb Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>
Каталог Лист данных
MFG и тип ПДФ Теги документов
СМД 43

Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки индуктивности smd диод j 100N 1FW+43+smd
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D18LD 2Д18ЛД СМД 43 Индукторы Силовые индукторы smd-диод j 100Н 1FW+43+СМД
SDC3D11

Реферат: smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC3D11 смд светодиод smd-диод j транзистор СМД 41 068 смд
СМД 356 В

Реферат: дроссель smd we 470 356 AT smd транзистор smd 24 дроссель smd 470 Led smd smd диод j smd транзистор 560 SDC3D16 SMD INDUCTOR 47

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC3D16LD 3Д16ЛД СМД 356 АТ индуктор смд мы 470 356 В СМД транзистор СМД 24 индуктор смд 470 светодиод смд smd-диод j смд транзистор 560 SDC3D16 СМД ИНДУКТОР 47
СМД d105

Реферат: SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD силовые индукторы k439
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS3012E 3012E СМД д105 СМД а34 Б34 СМД СМД 028 Ф катушки индуктивности 25 34 СМД Силовые индукторы к439
к439

Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS3015ELD 3015ELD к439 Б34 СМД СМД а34 SDS301
СДК2Д14

Реферат: SDC2D14-2R2N-LF Дроссель bo smd транзистор SMD 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ smd led smd сопротивление smd p 112
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D14 СДК2Д14-2Р2Н-ЛФ Индуктор бо smd транзистор СМД 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ смд светодиод смд сопротивление смд р 112
SDS2D10-4R7N-LF

Резюме: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B катушки индуктивности 221 a32 smd
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS2D10 SDS2D10-4R7N-LF смд светодиод смд 83 смд транзистор 560 4263Б катушки индуктивности 221 а32 смд
2012 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC3D28
СДК2Д11-100Н-ЛФ

Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки smd led «Силовые катушки индуктивности» smd 123 smd диод j 4263B SMD INDUCTOR 47
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D11 СДК2Д11-100Н-ЛФ Индукторы Силовые индукторы смд светодиод «Силовые индукторы» смд 123 smd-диод j 4263Б СМД ИНДУКТОР 47
СДК2Д11ХП-3Р3Н-ЛФ

Реферат: Силовые индукторы Катушки индуктивности smd led smd диод j 4263B
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D11HP 2Д11ХП SDC2D11HP-3R3N-LF Силовые индукторы Индукторы смд светодиод smd-диод j 4263Б
2012 — SDC2D14-1R5N-LF

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D14 СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ
А44 СМД

Резюме: смд 5630 5630 смд койлмастер смд B44 SDS4212E-100M-LF
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS4212E 4212Е A44 СМД смд 5630 5630 смд койлмастер смд б44 SDS4212E-100M-LF
индуктор

Резюме: смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13dBo 100N SDC2D14HPS
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF СДК2Д14ХП 2Д14ЛС индуктор смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13 дБ Бо 100Н SDC2D14HPS
2012 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D18HP 2Д18ХП
катушки индуктивности

Реферат: СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ Диод smd 86 smd диод j 100N SDC2D18HP «Силовые индукторы»
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D18HP 2Д18ХП катушки индуктивности СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Диод смд 86 smd-диод j 100Н «Силовые индукторы»
СМД .А40

Резюме: a40 smd smd D10 Inductors Power Inductors SMD A40 smd g12
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS4010E 4010Е СМД .А40 а40 смд смд д10 Индукторы Силовые индукторы СМД А40 смд г12
Силовые индукторы

Реферат: smd диод j 100N Катушки индуктивности
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC3D18 Силовые индукторы smd-диод j 100Н Индукторы
2Д18

Реферат: катушки индуктивности 221 лф 1250 smd j диод SDS2D18
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS2D18 2Д18 катушки индуктивности 221 1250 лф smd-диод j
СМД 43

Реферат: катушки индуктивности Power Inductors 3D-14 smd диод j «Power Inductors» 3D14
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC3D14 СМД 43 катушки индуктивности Силовые индукторы 3Д-14 smd-диод j «Силовые индукторы» 3D14
смд 3250

Реферат: SMD-диод Coilmaster Electronics j
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D09 смд 3250 Койлмастер Электроника smd-диод j
пмб 4220

Резюме: Siemens pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-T 82526-N smd 2035 DSP/pmb 4220 PMB27201 SICOFI PEF 2465
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2025-Н 2025-П 2026Т-П 2026Т-С 20320-Н 2035-Н 2035-П 2045-Н 2045-П 2046-Н 4220 пмб Сименс пмб 4220 ПМБ 27251 ИС 4310 для поверхностного монтажа 2197-Т 82526-Н СМД 2035 DSP/пмб 4220 PMB27201 СИКОФИ ПЭФ 2465
Катушки индуктивности

Реферат: Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS3015EHP 3015EHP Индукторы Силовые индукторы 068 смд 0621 смд СМД а34 Д160 SDS3015EHP-100M-LF
СМД 43

Реферат: Дроссели транзисторные SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd smd диод j 2D12 3r smd 340 smd «Дроссели силовые»
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS2D12 СМД 43 Индукторы транзистор SMD мы СДС2Д12-100М-ЛФ h22 смд smd-диод j 2D12 3р смд 340 смд «Силовые индукторы»
2004 — стабилитрон SMD маркировка код 27 4F

Реферат: smd диод шоттки код маркировка 2F smd стабилитрон код 5F panasonic MSL level smd стабилитрон код a2 SMD ZENER DIODE a2 smd стабилитрон 27 2f SMD стабилитрон код 102 A2 SMD стабилитрон SMD MARK A1
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2002/95/ЕС) стабилитрон SMD маркировка код 27 4F SMD-диод с кодом Шоттки, маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень Panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ЗЕНЕР ДИОД a2 смд стабилитрон 27 2ф Маркировка стабилитрона SMD код 102 A2 для поверхностного монтажа стабилитрон SMD MARK A1
5a6 стабилитрон

Реферат: Двойной MOSFET dip стабилитрон 6.2v 1w 10v ZENER DIODE 5A6 smd sot23 DG9415
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF Si4418DY 130 мОм@ Si4420BDY Si6928DQ 35 мОм@ Si6954ADQ 53 мОм@ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24 мОм@ стабилитрон 5а6 двойной мосфет провал диод стабилитрон 6. 2в 1вт 10В ЗЕНЕРСКИЙ ДИОД 5А6 смд сот23 ДГ9415

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Next

MOSFET – одиночный, N-канальный, SOT-23 30 В, 2,1 А

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /ModDate (D:20201019113332+08’00’) /Продюсер (Acrobat Distiller 19.0 \(Windows\)) /Заголовок >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > ручей 2019-05-10T10:08:58+08:00BroadVision, Inc.2020-10-19T11:33:32+08:002020-10-19T11:33:32+08:00Acrobat Distiller 19.0 (Windows)Эти миниатюрные устройства для поверхностного монтажа МОП-транзисторы с низким RDS(on) гарантируют минимальные потери мощности и экономия энергии, что делает эти устройства идеальными для использования в чувствительных к пространству схемах управления питанием. Типичный приложениями являются преобразователи постоянного тока и управление питанием в портативных и продукты с батарейным питанием, такие как компьютеры, принтеры, устройства PCMCIA карты, сотовые и беспроводные телефоны. application/pdf

  • MOSFET – одиночный, N-канальный, SOT-23 30 В, 2,1 А
  • ПО Полупроводник
  • Эти миниатюрные МОП-транзисторы для поверхностного монтажа с низким RDS(on) гарантируют
  • минимальные потери мощности и экономия энергии
  • делает эти устройства идеальными
  • для использования в чувствительных к пространству схемах управления питанием. Типичный
  • Приложения
  • — это преобразователи постоянного тока в постоянный и управление питанием в портативных устройствах
  • .
  • и продукты с питанием от батарей, такие как компьютеры
  • принтеры
  • PCMCIA
  • карты
  • сотовых и беспроводных телефонов.
  • UUID: 80bc2513-b0c9-4d92-9b9e-d9b811f3d2eeuuid: ed1384bf-1c16-47c0-95b2-ed6779ae8b59 конечный поток эндообъект 4 0 объект > эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 90 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > эндообъект 20 0 объект > эндообъект 21 0 объект > эндообъект 22 0 объект > эндообъект 23 0 объект > ручей HWnHQ_Q$ u¾pfwG3 D4yTHWw’nu7I°EusNz-08 `7xbp۠MhFL $p`_’IʈaΨ&&/דW׻6 ‘*#:1-7$K}b #Tigׯ&R&>TiPlx5mf )4U$4>3A2·сdw>G1ֆh о?%ЧТОР(0: f{L>Xc.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *