A708 транзистор характеристики: 2SA708 транзистор характеристики, аналоги, datasheet, параметры, цоколевка, маркировка A708 — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Содержание

S9012 характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

По своим техническим характеристикам биполярный кремниевый транзистор S9012 (он же SS9012, C9012, 2sc9012), выделяется хорошей линейностью коэффициента передачи тока H_fe,высокой частотой и может выдерживать значительный коллекторный ток. Изготавливается по эпитаксальной технологии и имеет структуру p-n-p. Наиболее часто используется в предварительных каскадах усилителей. Его можно также встретить в выходных каскадах УНЧ небольшой мощности.

Содержание

Роспиновка
Технические характеристики
Электрические параметры
Классификация по hfe
Комплементарная пара
Аналоги
Производители

Роспиновка

Производители выпускают цоколевку s9012 в двух корпусах SOT-23 (SMD) и в классическом пластиковом ТО-92. Маркируются транзисторы в корпусе для SMD монтажа обозначением 2T1. Ниже приведена схема рассматриваемого изделия этих типах упаковки. Здесь цифрой 1 обозначен эмиттер, 2 – база, 3 – коллектор.

Технические характеристики

При проектировании нового электронного устройства в первую очередь следует обратить внимание на предельно допустимые характеристики используемых транзисторов. Если один или несколько значений превысят их, то прибор выйдет из строя. Поэтому надо чтобы рабочие значения параметров при эксплуатации были на 20 % меньше максимальных. Для S9012, согласно технической документации от разных производителей, они имеют такие величины:

наибольшее возможное напряжение между коллектором и базой V_CBO (U_{кб max}) = -40 В;
предельно допустимое напряжение между коллектором и эмиттером V_CEO (U_{кэ max}) = -25 В;
максимально возможное напряжение между эмиттером и базой V_EBO (U_{эб max}) = -5 В;
предельно возможный постоянный ток коллектора I_C (I_{к max}) = -500 мА;
максимально допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_{к max}) = 625 мВт;
наибольшая возможная температура на кристалле T_Сдо +150^ОС;
диапазон рабочих температур T_stg = -55 … 150^ОС;

Выше приведены данные для изделий, выполненных в корпусе ТО-92. Устройства в SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания 300 мВт. Некоторые фирмы-производители в своей документации пишут разные значения для максимального напряжения коллектор-эмиттер V_CEO (U_{кэ max}). Например у компании Nanjing International Group оно равно 30 В, а у фирмы Tiger Electronic – 20 В.

Электрические параметры

Рассмотрим электрические параметры S9012. Они не менее важны для инженера, занимающегося разработкой устройств на данном транзисторе. Их значения также тестировались в лаборатории при температуре +25^ОС:

Классификация по h

_fe

Транзистор S9012 делится на несколько классов, в зависимости от коэффициента передачи тока h_fe1 измеренного, при V_CE (U_кэ) = 1В и I_C (I_к) =50 мА. Большинство компаний подразделяют свои изделия на три класса: L с коэффициентом передачи тока от 120 до 200, H от 200 до 350 и J от 300 до 400. Однако некоторые, например Jiangsu High diode Semiconductor (для своей продукции в корпусе ТО-92) и Weitron Technology делят свои изделия на шесть категорий:

Категория	D	E	F	G	H	I
hfe1	64-91	78-112	96-135	112-166	144-202	190-300

Комплементарная пара

У рассматриваемого устройства существует комплементарная пара, рекомендуемая всеми фирмами-производителями — S9013.

Аналоги

В качестве аналогов для транзистора S9012 можно использовать такие зарубежные устройства: 2S A708, BC 527, KSA 708, KSP 55, MPS 6652G, MPSA 92, MPSA 93, MPSW 51, MPSW 51A, MPSW 51AG, MPSW 51G, MPSW 55, MPSW 55G, MPSW 56, MPSW 56G, MPSW 92, MPSW 92G, PN 4354, ZTX 554, ZTX 555, ZTX 556, ZTX 557. В качестве альтернативы для замены также можно рассмотреть 2SA562, но у него другая цоколевка — ЭКБ. Имеются и отечественная замена: КТ681А, КТ6109А, КТ6109Б, КТ6109В, КТ6109Г, КТ6109Д.

Транзисторы с маркировкой 2sc9012, ss9012, c9012 являются «близнецами-братьями» для рассмотренного s9012, с полностью идентичными параметрами.

Производители

DataSheet от транзистора S9012 можно скачать от фирм которые занимаются их производством: SeCoS Halbleitertechnologie, Galaxy Semi-Conductor Holdings, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Jiangsu High diode Semiconductor, KEC Semiconductor, Weitron Technology, Nanjing International Group, Tiger Electronic, SHENZHEN SLS TECHNOLOGY, Diode Semiconductor Korea, Daya Electric Group, SHIKE Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor.

На отечественном рынке данные изделия представлены несколькими компаниями: Weitron Technology, KEC Semiconductor.

Kt817b2 — параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор BC817DS — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC817DS

Маркировка: N3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160

Корпус транзистора: SOT457

BC817DS

Datasheet (PDF)

2n2222a datasheet, equivalent, cross reference search

1. 1. bc817ds.pdf Size:215K _upd

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D302
BC817DS
NPN general purpose double
transistor
Product data sheet 2002 Nov 22
Supersedes data of 2002 Aug 09
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN general purpose double transistor BC817DS
FEATURES QUICK REFERENCE DATA
• High current (500 mA)
SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
• 600 mW total power dissipation
VCEO colle

1.2. bc817ds.pdf Size:128K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D302
BC817DS
NPN general purpose double
transistor
Product data sheet 2002 Nov 22
Supersedes data of 2002 Aug 09
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN general purpose double transistor BC817DS
FEATURES QUICK REFERENCE DATA
High current (500 mA)
SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
600 mW total power dissipation
VCEO collector-em

4.1. bc817dpn.pdf Size:149K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D302
BC817DPN
NPN/PNP general purpose
transistor
Product data sheet 2002 Nov 22
Supersedes data of 2002 Aug 09
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN/PNP general purpose transistor BC817DPN
FEATURES QUICK REFERENCE DATA
High current (500 mA)
SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
600 mW total power dissipation
VCEO collector-emitte

Другие транзисторы… BC817-25LT3G
, BC817-25QA
, BC817-40-G
, BC817-40LG
, BC817-40LT1G
, BC817-40LT3G
, BC817-40QA
, BC817-40WT1G
, BC548
, BC817K-16
, BC817K-16W
, BC818-40LT1G
, BC818K-16
, BC818K-25
, BC818LT1
, BC818W
, BC846_SER
.

BC817-40L Datasheet (PDF)

1.1. bc817-25lg bc817-40lg.pdf Size:570K _upd

BC817 SERIES
General Purpose Transistors
BC817-16/25/40LG
BC817-16LG,
BC817-25LG,BC817-40LG
SERIES
Features 3
• Pb-Free Packages are Available
1
2
Maximum Ratings
Rating Symbol Value Unit
SOT-23
Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V
Collector-Base Voltage VCBO 50 V
COLLECTOR
Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 V 3
Collector Current — Continuous IC 500 mAdc
1
BASE
2
EMITTER
Devi

1.2. bc817-16lt3g bc817-40lt3g.pdf Size:89K _upd

BC817-16L, SBC817-16L,
BC817-25L, SBC817-25L,
BC817-40L, SBC817-40L
General Purpose
Transistors
http://onsemi. com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 1
BASE
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
2
Complian

1.3. bc817-25lt1g bc817-40lt1g.pdf Size:125K _upd

BC817-16LT1G,
BC817-25LT1G,
BC817-40LT1G
General Purpose
Transistors
http://onsemi.com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
1
Compliant
BASE
2
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 V
3
Collector — Base Voltage VCBO 50 V
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 V
1
2
Collect

1.4. sbc817-40lt3g.pdf Size:89K _onsemi

1.5. sbc817-40lt1g.pdf Size:89K _onsemi

BC817-16L, SBC817-16L,
BC817-25L, SBC817-25L,
BC817-40L, SBC817-40L
General Purpose
Transistors
http://onsemi.com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 1
BASE
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
2
Complian

1.6. lbc817-40lt1g.pdf Size:280K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LBC817-16LT1G
LBC817-25LT1G
General Purpose Transistors
LBC817-40LT1G
NPN Silicon
S-LBC817-16LT1G
S-LBC817-25LT1G
• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
• S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and
S-LBC817-40LT1G
Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
3
MA

2SB817C Datasheet (PDF)

S8550t datasheet, equivalent, cross reference search

1.1. 2sb817c 2sd1047c.pdf Size:445K _update_bjt

Ordering number : ENN6987
2SB817C/2SD1047C
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SB817C/2SD1047C
140V / 12A, AF 80W Output Applications
Features Package Dimensions
• Large current capacitance. unit : mm
• Wide ASO and high durability against breakdown. 2022A
• Adoption of MBIT process.
[2SB817C/2SD1047C]
15.6
3.2
4.8
14.0
2.0

1.2. 2sb817c.pdf Size:195K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB817C
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage-
: V = -2.0V(Max.) @I = -5A
CE(sat) C
·Good Linearity of h
FE
·High Current Capability
·Wide Area of Safe Operation
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audio frequency amplifier output
stage a

4. 1. 2sb817p 2sd1047p.pdf Size:30K _sanyo

Ordering number : ENN6572
2SB817P / 2SD1047P
2SB817P : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SD1047P : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SB817P / 2SD1047P
140V / 12A, AF80W Output Applications
Features
Package Dimensions
Capable of being mounted easily because of one- unit : mm
point fixing type plastic molded package (Inter-
2022A
changeable with TO-3).
[2SB817P / 2S

4.2. 2sb817.pdf Size:199K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon PNP Power Transistors 2SB817
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·Complement to type 2SD1047
APPLICATIONS
·140V/12A AF 60W output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Tc=25?)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

4.3. 2sb817.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB817
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -140V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·High Current Capability
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SD1047
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Recommend for 60W audio frequency amplifier output
stage

4. 4. 2sb817e.pdf Size:195K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB817E
DESCRIPTION
·
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -140V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·High Current Capability
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SD1047E
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audio frequency

BC817-40W Datasheet (PDF)

Tip142 datasheet, equivalent, cross reference search

1.1. bc817-40wt1g.pdf Size:66K _upd

BC817-40W
45 V, 0.5 A, General
Purpose NPN Transistor
ON Semiconductor’s BC817-40W is a General Purpose NPN
Transistor that is housed in the SC-70/SOT-323 package.
Features
www.onsemi.com
• AEC-Q101 Qualified and Consult Factory for PPAP Capable
• This Device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS
COLLECTOR
Compliant
3
1
BASE
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)
Rating Symbo

1. 2. bc817-40wt1.pdf Size:287K _willas

FM120-M
WILLAS
THRU
BC817-40WT1
General Purpose Transistors
FM1200-M
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY
BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V
SOD-123 PACKAGE
Pb Free Product
Package outline
Features
• Batch process design, excellent power dissipation offers
better reverse leakage current and thermal resistance.
SOD-123H
• Low profile surface mounted application in order to
optimize boa

1.3. lbc817-40wt1g.pdf Size:170K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
LBC817-40WT1G
• S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
S-LBC817-40WT1G
3
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
1
2
Collector–Emit

BC817W Datasheet (PDF)

1. 1. bc817 bc817w bc337.pdf Size:236K _philips

BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
Rev. 06 17 November 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
NPN general-purpose transistors.
Table 1. Product overview
Type number Package PNP complement
NXP JEITA
BC817 SOT23 — BC807
BC817W SOT323 SC-70 BC807W
BC337 SOT54 (TO-92) SC-43A BC327
Also available in SOT54A and SOT54 variant

1.2. bc817w 3.pdf Size:55K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D102
BC817W
NPN general purpose transistor
1999 Apr 15
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 05
Philips Semiconductors Product specification
NPN general purpose transistor BC817W
FEATURES PINNING
High current (max. 500 mA)
PIN DESCRIPTION
Low voltage (max. 45 V).
1 base
2 emitter
APPLICATIONS
3 collector
Gene

1.3. bc817w. pdf Size:235K _secos

BC817 -16W, -25W, -40W
500 mA, 50 V
NPN Plastic Encapsulate Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
SOT-323
FEATURES
? For general AF applications
A
L
? High collector current
3
3
? High current gain
Top View C B
? Low collector-emitter saturation voltage
1
1 2
2
K E
PACKAGE INFORMATION
D
Wei

1.4. bc817w.pdf Size:35K _kec

SEMICONDUCTOR BC817W
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
E
FEATURES
M B M
Complementary to BC807W.
DIM MILLIMETERS
_
+
A 2.00 0.20
D
2
_
B 1.25 + 0.15
_
+
C 0.90 0.10
3
1
D 0.3+0.10/-0.05
_
E 2.10 + 0.20
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 0.65
H 0.15+0.1/-0.06
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT J 1.30
K 0.00~0. 10
V

1.5. bc817w.pdf Size:1232K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
BC817W (KC817W)
■ Features
● For General AF Applications
● High Collector Current
● High Current Gain
● Low Collector-Emitter Saturation Voltage
● Complementary to BC807W
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 50
Collector — Emitter Volt

Цоколевка

Распиновку у РС817 определить несложно. Он изготавливается в четырехконтактном DIP-корпусе (DIP-4). Встречается как для поверхностного, так и для дырочного монтажа. Один из контактов отмечен вдавленной точкой, которая указывает на анод внутреннего светодиода. Ножки нумеруются против часовой стрелки. Следующим по счёту является катод. Третий и четвертый выводы соответственно: эмиттер и коллектор фототранзистора.

Последние версии устройства прошли успешное тестирование на соответствие международному стандарту безопасности UL1577 и классу воспламеняемости упаковки 94V-0

Биполярный транзистор BC817-40L — описание производителя.

Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC817-40L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250

Корпус транзистора: SOT23

BC817-40L

Datasheet (PDF)

1.1. bc817-25lg bc817-40lg.pdf Size:570K _upd

1. 2. bc817-16lt3g bc817-40lt3g.pdf Size:89K _upd

BC817-16L, SBC817-16L,
BC817-25L, SBC817-25L,
BC817-40L, SBC817-40L
General Purpose
Transistors
http://onsemi.com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 1
BASE
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
2
Complian

1.3. bc817-25lt1g bc817-40lt1g.pdf Size:125K _upd

1. 4. sbc817-40lt3g.pdf Size:89K _onsemi

BC817-16L, SBC817-16L,
BC817-25L, SBC817-25L,
BC817-40L, SBC817-40L
General Purpose
Transistors
http://onsemi.com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 1
BASE
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
2
Complian

1.5. sbc817-40lt1g.pdf Size:89K _onsemi

BC817-16L, SBC817-16L,
BC817-25L, SBC817-25L,
BC817-40L, SBC817-40L
General Purpose
Transistors
http://onsemi.com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 1
BASE
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
2
Complian

1.6. lbc817-40lt1g. pdf Size:280K _lrc

Другие транзисторы… BC327-025
, BC337-025
, BC337-040
, BC807-16L
, BC807-25L
, BC807-40L
, BC817-16L
, BC817-25L
, 2SC5200
, BC846AL
, BC846BL
, BC846BM3T5G
, BC846BPDW1
, BC846C
, BC847AL
, BC847BDW1
, BC847BL
.

Биполярный транзистор KTB817B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KTB817B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO3P(N)-E

KTB817B

Datasheet (PDF)

1. 1. ktb817b.pdf Size:688K _kec

SEMICONDUCTOR KTB817B
TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.
FEATURES
·Complementary to KTD1047B.
·Recommended for 60W Audio Frequency
Amplifier Output Stage.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
VCBO -160 V
Collector-Base Voltage
VCEO -140 V
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage -6 V
IC
DC -12
C

4.1. ktb817.pdf Size:392K _kec

SEMICONDUCTOR KTB817
TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.
A Q B
K
FEATURES
Complementary to KTD1047.
Recommended for 60W Audio Frequency
DIM MILLIMETERS
Amplifier Output Stage.
A 15.9 MAX
B 4.8 MAX
_
C 20.0 + 0.3
_
D 2.0 + 0.3
D
d 1.0+0.3/-0.25
E 2.0
F 1.0
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
G 3.3 MAX
d
H 9.0
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

Другие транзисторы… KTB2234
, KTB2510
, KTB2530
, KTB598
, KTB631K
, KTB688B
, KTB764
, KTB772
, 2SC2625
, KTB985
, KTC1815
, KTC2020D
, KTC2020L
, KTC2022D
, KTC2022L
, KTC2025D
, KTC2025L
.

Биполярный транзистор KT817A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT817A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817A

Datasheet (PDF)

1.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.1. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в
импульсных источниках питания, пускорегули

5.2. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817
n-p-n кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

5.3. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

5.4. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

KTB817B Datasheet (PDF)

1.1. ktb817b.pdf Size:688K _kec

4.1. ktb817.pdf Size:392K _kec

Биполярный транзистор A817 — описание производителя.

Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: A817

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора: TO92L

A817

Datasheet (PDF)

1.1. sia817edj.pdf Size:319K _upd-mosfet

New Product
SiA817EDJ
Vishay Siliconix
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET
Qg
• Thermally Enhanced PowerPAK
VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)
(Typ.)
SC-70 Package
0.065 at VGS = — 10 V — 4.5a
— Small Footprint Area
0.080 at VGS = — 4.5 V — 4.5a
— Low On-Resistance
— 30
0.092 at VGS = — 3.7

1.2. 2sa817a.pdf Size:173K _toshiba

1.3. 2sa817.pdf Size:209K _toshiba

2SA817
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA817
Audio Frequency Amplifier Applications
Unit: mm
• Complementary to 2SC1627.
• Suitable for driver of 20~25 watts audio amplifiers.
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO -80 V
Collector-emitter voltage VCEO -80 V
Emitter-base voltage VEB

1.4. 2sa817a to-92mod.pdf Size:232K _lge

2SA817A
TO-92MOD Transistor (PNP)
TO-92MOD
1. EMITTER
1
2
2. COLLECTOR
3
3. BASE
5.800
6.200
Features 8.400
8.800
Complementary to 2SC1627A.
0.900
1.100
Driver Stage Application of 30 to
0. 400
0.600
35 Watts Amplifiers.
13.800
14.200
1.500 TYP
2.900 Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
3.100
0.000 1.600
Sym

1.5. a817.pdf Size:244K _fgx

风光欣技术资料
A817
—PNP silicon —
■■APPLICATION: General Purpose Applications.
■■MAXIMUM RATINGS（Ta＝25℃）
PARAMETER SYMBOL RATING UNIT
Collector-base voltage VCBO -80 V
Collector-emitter voltage VCEO -80 V
TO-92L
1
Emitter-base voltage VEBO -5 V
1. Emitter 2. Collector 3. Base
Collector current IC -0.4 A
Collector Power Dissipation PC 0.8 W
Junction Te

Другие транзисторы… A1663
, A2071
, A327A
, A3355
, A708
, A720
, A751
, A773
, S9018
, A838
, A844
, A9015
, A928A
, A931
, A933
, A933AS
, A940
.

Биполярный транзистор KT817B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT817B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817B

Datasheet (PDF)

5. 1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

BC817DS Datasheet (PDF)

1.1. bc817ds.pdf Size:215K _upd

1.2. bc817ds.pdf Size:128K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D302
BC817DS
NPN general purpose double
transistor
Product data sheet 2002 Nov 22
Supersedes data of 2002 Aug 09
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN general purpose double transistor BC817DS
FEATURES QUICK REFERENCE DATA
High current (500 mA)
SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
600 mW total power dissipation
VCEO collector-em

4.1. bc817dpn.pdf Size:149K _philips

Оцените статью:

характеристики, схемы применения и аналоги

Кремниевый транзистор КТ838А, согласно характеристикам предоставленным производителем в технической документации, разрабатывался для использования в строчной развёртке телевизоров и видеоконтрольных устройствах. Изготавливается по мезапланарной технологии. Структура n-p-n. Его вес не превышает 20 г.

Цоколевка

КТ838А выполнен в металлическом корпусе, имеющем жёсткие ножки со стеклянными изоляторами. Маркировка транзистор наносится сверху на корпус. На рисунке ниже представлена схема расположения выводов.

Что внутри КТ838А можно узнать, посмотрев видео:

Характеристики транзистора КТ838А

Напряжение коллектор-база, действующее постоянно – 1500 В;
Импульсное напряжение коллектор эмиттер (R_БЭ = 10 Ом, t_И = 20 мкс, t_Ф = 2 мкс, Q = 4):
- при температуре Т_К = -45 … +75°С – 1500 В;
- при температуре Т_К = +100°С – 1100 В.

Ток коллектора, текущий постоянно – 5 А;
Ток коллектора, текущий непродолжительное время (импульсный) – 7,5 А;
Ток базы, текущий постоянно – 0,1 А;
Ток базы, текущий непродолжительное время (импульсный) – 3,5 А;
Мощность, рассеиваема на коллекторе длительное время (Т_К = -45 … +25°С) – 12,5 Вт;
Максимальная температура n-p перехода +115°С;
Рабочая температура окружающей среды Т_К = -45 … +100°С

Выше мы рассмотрели предельно допустимые технические эксплуатационные данные.
Именно они показывают, при каких значениях может работать транзистор. При их превышении во время эксплуатации, даже на непродолжительное время, КТ838А может выйти из строя.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических параметров. Они также важны, так как от них во многом зависят возможности транзистора. Все они были сняты при температуре +25°С.

*Электрические характеристики транзистора КТ838А (при Т = +25* ^оC)
Параметры	Режимы измерения	min	typ	max	Ед. изм
Статический к-т передачи тока в схеме с общим эмиттером	I_К = 50 мА	6
Граничная частота к-та передачи тока в схеме с общим эмиттером	U_КЭ = 20 В, I_К = 0,3 А	3			МГц
Граничное напряжение	I_К = 0,1 А, L = 40 мГн	700			В
Постоянное напряжение эмиттер-база	I_Э = 0,01 А	5			В
Постоянное напряжение эмиттер-база	I_Э = 0,1 А	7			В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Т = +25°С, I_К = 4,5 А, I_Б = 2 А			5	В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Т = -45 и +100°С, I_К = 4,5 А, I_Б = 3 А			5	В
Напряжение насыщения база-эмиттер	I_К = 4,5 А, I_Б = 2 А			1,5	В
Время спада	U_КЭ= 500 В, U_БЭ= 5 В, I_К = 4,5 А, I_Б = 1,8 А		0. 7	1,5	мкс
Время рассасывания	U_КЭ= 500 В, U_БЭ= 5 В, I_К = 4,5 А, I_Б = 1,8 А		10		мкс
Ёмкость коллекторного перехода	U_ЭБ= 5 В		2200		пФ
Обратный ток коллектор-эмиттер	Т = +25°С, U_КЭ=1500 В, U_БЭ=0 В,			1	мА
Обратный ток коллектор-эмиттер	Т = -45 и +100°С, U_КЭ=1100 В, U_БЭ=0 В,			1	мА

В технических условиях ещё прописаны правила, которые нужно соблюдать при пайке. Нагрев допускается на расстоянии 5 мм или более от корпуса транзистора. Температура паяльника не должна быть больше +250°С. Время пайки до 3 с.

На КТ838А можно сделать регулируемый блок питания переменного напряжения:

Ещё можно сделать классический качер на 50 В, 0,45 А, 800 кГц:

Аналоги

Для замены КТ838А подходят следующие зарубежные устройства: BU204, BU205, BU207, BU207А, BU208А. В случае необходимости можно использовать другие транзисторы, у которых корпус отличается от КТ838А, и возможно потребуется модернизация печатной платы: BU2506DF, BU706, BU506, BU506D, 2SD1738. В любом случае перед принятием решения лучше уточнить параметры устройств в справочнике.

Вышедшее из строя устройство обязательно проверьте на драгметаллы, во многих радиоэлементах они есть и стоят некоторые прилично.

Производители

На данные момент единственным производителем КТ838А является акционерное общество «Кремний» г. Брянск (кликните на названия чтобы скачать datasheet). Соответственно и в продаже можно встретить изделия только этого производителя.

npn%20a708 техническое описание и примечания по применению

org/Product»>

org/Product»> org/Product»>

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог техническое описание	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
Букс81 Резюме: BUY12 NPN/8D140 NPN/SML1258 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	БУКС60 БУКС61 БУКС62 БУКС63 БУКС64 БУКС65 БУКС66 БУКС67 БУКС67А БУКС67С Букс81 КУПИТЬ12 НПН/8Д140 НПН/СМЛ1258
2N3397 Резюме: 2N3390 2N2926 2N2925 2N2924 2N2923 2N2714 2N2713 2N2712 2N2711 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н2711 2Н2712 2Н2713 2Н2714 2Н2923 2Н2924 2Н2925 2Н2926 2Н3390 2Н3391 2Н3397
SSY20 Реферат: SF828 funkamateur ВЭБ микроэлектроник BUX 127 SF126 SF 127 SF819 SF128 SF 829 B Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
2008 — Дарлингтон NPN Аннотация: 2n555 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
2010 — 2u 62 диода Реферат: Диод КТ808А 2У 81 кт808ам 2Н3076 2СД867У кт808 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDT3208 SDT7140 БДТ95 БДТ96 диод 2u 62 КТ808А диод 2U 81 кт808am 2Н3076 2SD867Y кт808
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н3739 2Н656 2Н3740 2Н656А 2Н3741 2Н1047 2N3749 2Н1047А 2N3766 2Н1048А
2N702 Резюме: 2N3565 2N3569 2N1506 2N10692N3645 2N1389 2N3566 2N3644 2N2405A Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н329А 2Н332 2Н333 2Н334 2Н335 2Н336 2Н337 2Н338 2Н339 2Н340 2Н702 2Н3565 2N3569 2Н1506 2Н1069 2Н3645 2Н1389 2Н3566 2Н3644 2Н2405А
БСВ66 Реферат: BSW67 BU208A BLY49 BLY49A BLY50 BSS15 BSS33 BSS50 T066 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	BLY49 BLY49A BLY50 BLY50A BSS15 BSS33 120тип 2/10м 40мин БСС50 БСВ66 БСВ67 БУ208А Т066
Т053 Резюме: BC140-16 BC108A BC107A BC109C NPN bc108 IC час 2N6609 2N6654 2N6590 2N6672 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	ай331фл7 0000MH5 2N6589 2Н6590 2N6594 2Н6609 2N6653 10 минут 2N6654 Т053 БК140-16 BC108A BC107A BC109C НПН bc108 IC час 2N6672
TO82 ТРАНЗИСТОР Резюме: npn 2N2383 2N2753 TO53 2N1069 транзистор 2n2383 2NXXXX 2N2227 NPN 200 Вольт 20 Ампер ТРАНЗИСТОР МОЩНОСТИ 2N1620 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	e6DjP073L. 254Д22 2Н1015 2Н1015А 2Н1015Б 2Н1015С 2Н1015Д 2Н1015Э 2Н1016 2Н1016А ТО82 ТРАНЗИСТОР НПН 2N2383 2Н2753 ТО53 2Н1069 транзистор 2n2383 2NXXXX 2Н2227 NPN 200 ВОЛЬТ 20 А СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР 2Н1620
ФН1016 Реферат: 2sC9012 on4409 on4673 ON4843 C9012 S2000A3 bul310xi 2SD5080 MN1016 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2Н1112 2Н1212 2Н1217 2Н1711 2Н2219А 2Н2222 2Н2222А 2Н2369 2Н2369А FN1016 2sC9012 на4409 на4673 ON4843 C9012 С2000А3 bul310xi 2SD5080 МН1016
м2222а Резюме: BCB47B SOD80C PHILIPS BF960 PMBTA64 1N4148 SOD80C PXTA14 BCB47BW pzt222a BF606A Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	БА582 ОД123 БА482 BA682 BA683 БА483 БАЛ74 БАВ62, 1Н4148 pm2222a BCB47B SOD80C ФИЛИПС BF960 ПМБТА64 1N4148 СОД80С PXTA14 BCB47BW пзт222а BF606A
2N3391A Резюме: 2N3390 2N2926 2N2925 2N2924 2N2923 2N2714 2N2713 2N2712 2N2711 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н2711 2Н2712 2Н2713 2Н2714 2Н2923 2Н2924 2Н2925 2Н2926 2Н3390 2Н3391 2Н3391А
2n3901 эквивалент Резюме: 2N3900 pnp 2N3392 эквивалент 2n3900 2N3900 pnp транзистор 2N3390 2N2924 2N2923 2N2714 2N2712 расширенный Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н2711 2Н2712 2Н2713 2Н2714 2Н2923 2Н2924 2Н2925 2Н2926 2Н3390 2Н3391 эквивалент 2n3901 2Н3900 пнп эквивалент 2N3392 2н3900 Транзистор 2N3900 п-н-п 2Н2712 усовершенствованный

Т0251 Аннотация: T0-251 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	БУЛ47А БУЛ47Б БУЛ48А БУЛ48Б БУЛ49А БУЛ49Б БУЛ50А БУЛ50Б БУЛ51А БУЛ51Б T0251 Т0-251
Транзистор BFR 30 Реферат: BFY 99 bss17 BFY 93 bfx 63 bfw 96 Транзистор BFR 96 BFR 450 BFR 30 Транзистор BFY 22 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	BFR10 БФР36 БФР96* 97/2Н 98/ТО-39 BFX97A 15/2Н 16/2Н 17/2Н 18/2Н Транзистор БФР 30 БФГ 99 бсс17 БФГ 93 БФХ 63 мдф 96 Транзистор БФР 96 БФР 450 Транзистор БФР 30 22 БФГ
2N784 Резюме: 35-140 2N834 2N783 2N760A 2N760 2N706 2N703 2N699 2N697 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н656 2Н697 2Н699 2Н703 2Н706 2Н760 2Н760А 2Н783 2Н784 2Н834 35-140
2N5415 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н5338 2N5338X 2Н5339 2N5339X 2Н5344 2Н5344А 2Н5345 2Н5345А 2Н5357 2Н5415
КТ 839 Реферат: КТ 828 А КТ 829 КТ 8232 КТ-119 КТ 505 кт 201 500 КТ 818 КТ 907 КТ 982 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	КТ-19 КТ-26 КТ 839 КТ 828 А КТ 829 Кт 8232 КТ-119 КТ 505 201 500 кт КТ 818 КТ 907 КТ 982
2n5347 Реферат: а/ТО111 2н5100 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2N4999 2N5000 2Н5001 2Н5002 2Н5003 О-111 2Н5004 2Н5005 2Н5006 2n5347 а/ТО111 2н5100
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
С736 Реферат: Транзистор C495 bc303 эквивалент 2N2222A 026 bc143 эквивалент C735 BFY52 эквивалент NPN C460 эквивалент транзистор 2N1711 C588 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	4-95J0 2Н3570 2Н3571 2Н3572 2Н918 2Н4252 2Н4253 БС9300 2Н2219А C736 Транзистор С495 эквивалент bc303 2Н2222А 026 эквивалент bc143 C735 Эквивалент BFY52 НПН C460 аналог транзистора 2N1711 C588
2N3901 Резюме: 2N5249A 2N5232A 2N5232 2N5174 2N4425 2N4424 2N4256 GES93 2N5306 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н4256 2Н4424 2Н4425 130-б40 2ИМ5172 2Н5174 2Н5232 2Н5232А 2Н5249А 100 мА, 2Н3901 ГЭС93 2Н5306
cs9011j Реферат: MPS151 PN5180 MPS4424 BC5608 8c527-25 2N3304 BC5568 PN2897 MPS9633C Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н1507 2Н1566 2НИ613 2Н1889 2Н1890 2Н1893 2Н1973 2Н1974 2НИ975 О-237 cs9011j MPS151 PN5180 MPS4424 BC5608 8с527-25 2Н3304 BC5568 PN2897 MPS9633C
2C415 Резюме: 2C425 2N2222ACSM4 2C746 2N1721 1N5617CSMD 2N2222A LCC1 2N2219АКФ Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	1Н914КСМ 1N4001CSM 1N4001QCSM 1N4003CSM4 1N4003QCSM 1N4148CSM 1N4151CSM 1N4572ACSMD 1N5617CSMD 1N5711CSM 2С415 2С425 2N2222ACSM4 2С746 2Н1721 2N2222A ЛЦК1 2N2219AQF

Предыдущий 1 2 3 . .. 23 24 25 Next

a%20708%20transistor datasheet & application notes

Top Results (6)

org/Product»> org/Product»>

Часть	Производитель	Описание
0522070833	Молекс	Соединитель края платы, 8 контактов, 1 ряд, гнездо, прямоугольный, клемма для поверхностного монтажа, розетка, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS AND REACH
52207-0833	Молекс	Соединитель края платы, 8 контактов, 1 ряд, гнездо, под прямым углом, шаг 0,039 дюйма, клемма для поверхностного монтажа, с замком, натуральный изолятор, розетка, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS
52207-0860	Молекс	Соединитель края платы, 8 контактов, 1 ряд, гнездо, прямоугольный, клемма для поверхностного монтажа, розетка, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS AND REACH
0522070860	Молекс	Соединитель края платы, 8 контактов, 1 ряд, гнездо, под прямым углом, шаг 0,039 дюйма, клемма для поверхностного монтажа, с замком, натуральный изолятор, розетка, соответствует требованиям ROHS AND REACH
BQ298000RUGR	Инструменты Техаса	Защита верхней стороны для одноэлементных литий-ионных и литий-полимерных аккумуляторов 8-X2QFN от -40 до 85
ИНА2180А4ИДГКР	Инструменты Техаса	Двухканальный, 26 В, выходное напряжение низкого/высокого напряжения, измеритель тока, усилитель 8-VSSOP от -40 до 125

a%20708%20транзистор Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог Лист данных	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
2012 — 70F3233M2A Реферат: A/atmlh202 A/CEP83A3+эквивалент A/D78F1143A a/A69154 A/048N04N A/A/IXGh2644 A/G2H+поверхность+крепление+диод A/df3421 2SC945A-PA Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
2012 — a/FAN7530+аналог Реферат: A/50U54 A/A/IXGh2644 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	PCA9629 a/FAN7530+аналог А/50U54 А/А/IXGh2644
ТД8208 Реферат: 70F3336GCA a/a/vu+bug A/friwo A/50U54 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ТД8208 TD8208В 100 нс ТД8208 70F3336GCA а / а / ву + ошибка А/фриво А/50U54
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	М058/М0516 32-бит
2006 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	DSM09-MT-C DSM15-MT-C DSM21-MT-C DSM25-MT-C DSM31-MT-C DSM37-MT-C DSM09-FT-C DSM15-FT-C DSM21-FT-C DSM25-FT-C
2000 — S2230 Аннотация: SD1902 BLF244 DV2820 MRF136 MRF166C ВК200 А/985-117 А/50U54 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	MRF166C/D MRF166C MRF166C МРФ136, ДВ2820, БЛФ244, SD1902, ST1001 S2230 SD1902 BLF244 ДВ2820 МРФ136 ВК200 А/985-117 А/50U54
МС 13320 Аннотация: керамический фильтр 450 кГц модем FSK 11789 gea3 U2796B U2782B U3501BM U3550BM A/50U54 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	U3501BM D-74025 10 июня 97 г. МС 13320 керамический фильтр 450 кГц модем ФСК 11789 gea3 U2796B U2782B U3501BM U3550BM А/50U54
ТСП70 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ТСП2305А ТСП40ГД120П ТСП25Г135Т О-247 ТСП25ГД135Т ТСП25Г135П ТСП25ГД135П ТСП70
2000 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ЕСА9753
ПФ175 Аннотация: A/50U54 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	ПФ175-10 СЭД1330Ф СЭД1330Ф 11i11i111ii1i1i1 ПФ175 А/50U54
2013 — AS85049/8 и MS3188A Аннотация: A2149 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	AS50151 AS34001 MIL-DTL-26482 AS81703 MIL-DTL-83723 40М39569, NFC93422 HE302 MS3188A M85049/8 AS85049/8 и MS3188A А2149
2013 — AS85049/6 и MS3189A Реферат: a2724 A1093 A/50U54 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	AS50151 MIL-DTL-26482 AS81703 MIL-DTL-83723 40М39569, NFC93422 HE302 AS85049 AS85049/6 MS3189A AS85049/6 и MS3189A а2724 А1093 А/50U54
2013 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2002/95/ЕС. 2002/95/ЕС 2011/65/ЕС. JS709A 02 окт 12
1998 — 871l-xcb15s40 Резюме: 871L-B20E40-T2 872C-D4NP12-E2 872c-d4np12-d4 871C-P5A18 872c-dh5np12-d4 872C-D5NP18-D4 871C-P2A12 871C-C5A18 875CP-D20NP30-A2 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF

2000 — А/транзистор+смд+а77 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	МС100ЭП210/Д MC100EP210 MC100EP210 150 пс А/транзистор+смд+а77
ТД1591 Аннотация: A/friwo Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	380 кГц ТД1591 ТД1591 до 32 В А/фриво
2013 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	/-50ppm/В РЛ-0816-3 РЛ-1220-4 РЛ1632Х РЛ1632Л4 РЛ-1632-6С РЛ-3264-0W РЛ-3264-6С РЛ-3264-9В РЛ3264Л4
2004 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	1-866-9-ОМИТ
2014 — RV2C010UN Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	RV2C010UN 400 мВт VML1006 ВМЛ1006) RV2C010UN
1996 — U7001BG Аннотация: A/friwo Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	U7001BG U7001BG D-74025 24 июня 96 г. А/фриво
ТД1482 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ТД1482 ТД1482
ТД1529 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ТД1529 ТД1529
2006 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	БУДИ-1200Д-1А
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ТД6815 ТД6815
тд6811 Аннотация: A/friwo Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ТД6811 ТД6811 ЦОТ23В А/фриво

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее

Поиск

Возможна отправка в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Внимательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

Купите сейчас, вам понравится
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓Доставка по всему миру!
✓Ограниченная распродажа
✓Легкий возврат.

Обзор продукта
Название продукта	Поиск
Доступное количество	Возможна отправка немедленно
Модель №.
Код ТН ВЭД	8529 0
Минимальное количество	Начиная с одной детали
Атрибуты продукта
Категории	Поиск
идентификатор продукта
артикул
gtin14
мпн
Статус детали	Активный

Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
Paypal (AMEX принимается через Paypal)
Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы вышлем вам полные инструкции по электронной почте.

Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

Товары отправляются с использованием почтовых услуг и оплачиваются по себестоимости.
Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней после оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы доставки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для получения подробной информации.

Судоходная компания	Расчетное время доставки	Информация об отслеживании
Плоская транспортировочная	30-60 дней	Недоступно
Заказная авиапочта	15-25 дней	В наличии
ДХЛ/ЭМС/ФЕДЕРАЛ ЕХПРЕСС/ТНТ	5-10 дней	В наличии
Окончательное время доставки Может быть задержано вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

Спасибо за покупку нашей продукции на нашем сайте.
Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть продукт в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь никаких повреждений.
После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали во время покупки. Для платежей по кредитной карте может потребоваться от 5 до 10 рабочих дней, чтобы возмещение появилось в выписке по кредитной карте.
Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по истечении 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
Если что-то неясно или у вас есть дополнительные вопросы, не стесняйтесь обращаться в нашу службу поддержки клиентов.

Подробнее о программе защиты покупок PayPal.
Получите заказанный товар или верните деньги.
Включает стоимость покупки и первоначальную доставку.
Если вы не получили товар в течение 25 дней, просто сообщите нам об этом, будет выдан новый пакет или замена.
Защита покупателя PayPal
Защита вашей покупки от клика до доставки
Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
Вариант 2) Полный или частичный возврат средств, если товар не соответствует описанию
Если ваш товар значительно отличается от наше описание продукта, вы можете A: вернуть его и получить полный возврат средств или B: получить частичный возврат средств и сохранить товар.

Спецификация или техническая спецификация в формате PDF доступны для скачивания по запросу.

Почему выбирают нас?

Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.

100% гарантия качества компонентов: Оригинал.

Достаточный запас по вашему срочному требованию.

Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риск при производстве по требованию.

Более быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.

Круглосуточно.

Каковы ваши основные продукты?

Наша основная продукция
Интегральные схемы (ИС)	Дискретный полупроводник	Потенциометры, регулируемые R
Звук специального назначения	Аксессуары	Реле
Часы/хронометраж	Мостовые выпрямители	Датчики, преобразователи
Сбор данных	Диакс, Сидак	Резисторы
Встроенный	Диоды	Катушки индуктивности, катушки, дроссели
Интерфейс	МОП-транзисторы	Фильтры
Изоляторы — драйверы затворов	БТИЗ	Кристаллы и осцилляторы
Линейный	JFET (эффект поля перехода)	Соединители, межсоединения
Логика	ВЧ полевые транзисторы	Конденсаторы
Память	ВЧ-транзисторы (BJT)	Изоляторы
PMIC	SCR	Светодиод
	Транзисторы (БЮТ)
	Транзисторы
	Триаки

Какова цена?

Все цены указаны за единицу в долларах США (USD).

Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, чтобы узнать самую последнюю и лучшую цену.

Какой способ оплаты?

PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union.

Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.

Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.

Что такое возврат и замена?

Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возврат или замену. (Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).

Каков минимальный объем заказа вашей продукции?

Минимальный объем заказа от ОДНОЙ штуки.

Вы можете купить столько, сколько захотите.

Когда вы отправите мне детали?

Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.

S9012 характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

Роспиновка

Технические характеристики

Электрические параметры

Классификация по h

Комплементарная пара

Аналоги

Производители

Kt817b2 — параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор BC817DS — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

BC817DS

BC817-40L Datasheet (PDF)

2SB817C Datasheet (PDF)

BC817-40W Datasheet (PDF)

BC817W Datasheet (PDF)

Цоколевка

Биполярный транзистор BC817-40L — описание производителя.

BC817-40L

Биполярный транзистор KTB817B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

KTB817B

Биполярный транзистор KT817A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

KT817A

KTB817B Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор A817 — описание производителя.

A817

Биполярный транзистор KT817B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

KT817B

BC817DS Datasheet (PDF)

характеристики, схемы применения и аналоги

Цоколевка

Характеристики транзистора КТ838А

Аналоги

Производители

npn%20a708 техническое описание и примечания по применению

Букс81

2N3397

SSY20

2008 — Дарлингтон NPN

2010 — 2u 62 диода

Недоступно

2N702

БСВ66

Т053

TO82 ТРАНЗИСТОР

ФН1016

м2222а

2N3391A

2n3901 эквивалент

Т0251

Транзистор BFR 30

2N784

2N5415

КТ 839

2n5347

Недоступно

С736

2N3901

cs9011j

2C415

a%20708%20transistor datasheet & application notes

Top Results (6)

a%20708%20транзистор Листы данных Context Search

2012 — 70F3233M2A

2012 — a/FAN7530+аналог

ТД8208

Недоступно

2006 — Недоступно

2000 — S2230

МС 13320

ТСП70

2000 — Недоступно

ПФ175

2013 — AS85049/8 и MS3188A

2013 — AS85049/6 и MS3189A

2013 – Недоступно

1998 — 871l-xcb15s40

2000 — А/транзистор+смд+а77

ТД1591

2013 – Недоступно

2004 — Недоступно