Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307 на основании технических формуляров и документации к устройству.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307 Золото: 0,0009906 грамм. Серебро: 0,0000585 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника 1.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307А Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307АМ Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307Б Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307БМ Золото: 0,0000802 грамм. Серебро: 0,001094 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307БМ Золото: 0,0006 грамм. Серебро: 0,00004грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: данным НПО Импульс.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307БМ Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307ВМ Золото: 0,035644 грамм. Серебро: 0,0000177 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника 1.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307ГМ Золото: 0,000802 грамм. Серебро: 0 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника 1.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307ГМ Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307ДМ Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307ЕМ Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307КМ Золото: 0,000802 грамм. Серебро: 0 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307Л Золото: 0,0031999 грамм. Серебро: 0,0004149 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника 1.
Для пополнения сайта доступной, наиболее полной и бесплатной информации о АЛ307 — вышлите нам ее мы ее разместим на сайте посвященному переработке драгоценных и ценных металлов.
Фото прибор излучающий АЛ307:
Характеристики прибора излучающего АЛ307:
Купить или продать а также цены на АЛ307:
Оставьте отзыв о приборе излучающем АЛ307:
Спецификация bfg65 и примечания по применению
2SC3355 МОДЕЛЬ SPICE
Резюме: транзистор C2003 C319B MGF1412 RF TRANSISTOR 10GHZ MRF134 rf модель .lib файл 2SK571 MGF1402 MRF9331 pb_hp_at41411_19921101 Текст: Библиотеки компонентов поставщиков Библиотека радиочастотных транзисторов Май 2003 г. Уведомление Информация, содержащаяся в этом документе, может быть изменена без предварительного уведомления. Agilent Technologies не дает никаких гарантий в отношении этого материала, включая, помимо прочего, подразумеваемые гарантии товарного состояния и пригодности.
Реферат: K4005 U664B MOSFET K4005 MB8719 Транзистор MOSFET K4004 SN16880N stk5392 STR451 BC417 Text: 1 BHIAB Electronics Du som söker besvärliga IC&transtorer, börja Ditt sökande hos oss – vi har fler typer på lager än man rimlingen kan begära av ett företag Denna utgåva Visar lagerartiklar men tyvärr saknas priser och kontinursker viss information Men uppdateringu
Реферат: транзистор 3702 558 npn MSB037 4221 транзистор D 1414 транзистор MBB332 Текст: Philips Semiconductors b S B ‘ÌB l G0 3 in 3 SCH • AP X Спецификация изделия NPN Широкополосный транзистор 8 ГГц — — — — BFG65 N APIER P H IL IP S /D IS C R E T E b’JE ]> ОПИСАНИЕ Транзистор NPN в a четырехпроводный пластиковый конверт с двойным эмиттером SOT103.
Реферат: TAG 9223 TAG 8653 702 P TRANSISTOR 4221 транзистор транзистор тег 306 558 npn 809 npn BFU65 транзистор 3702 Text: Спецификация продукта Philips Semiconductors BFG65 NPN Широкополосный транзистор 8 ГГц SBE D PHILIPS INTERNATIONAL DESCRIPTION 7110ÛSb 0045DÔ2 D04 «P H I N PINNING Транзистор NPN в четырехвыводном пластиковом корпусе с двумя эмиттерами SOT103. Он предназначен для широкополосного
9BFG65 N AI1ER PHILIPS/DISCRETE ОПИСАНИЕ b’iE J> КОНТАКТ NPN-транзистор в четырехвыводном пластиковом корпусе с двойным эмиттером SOT103. Он предназначен для широкополосного
OCR-сканирование
PDF
БФГ65
ОТ103)
Транзистор BFG65
E » — «10»Eh 0 0 Вт 0,2 BFG65 ODM M P H I N КОНТАКТ NPN-транзистор в четырехвыводном пластиковом корпусе с двойным эмиттером SOT103 . Он предназначен для широкополосного
Резюме: тримпоты 3296 транзистор C5386 1n4740 2N5591 Motorola 2N5688 CQ 542 Транзистор npn Motorola эквивалент транзистора 2sc3358 HB215/D ic cd 2399 gp Text: Selector Guide 1 Листы технических данных дискретных транзисторов Листы технических данных усилителей Монолитная интегральная схема H Листы технических данных мм Размеры корпуса Перекрестные ссылки и офисы продаж 6 M MOTOROLA RF Device Data В этой публикации представлена техническая информация для нескольких семейств продуктов, которые
953=131 0D1202Ô S ■ 11 СПИСОК ПРЕОБРАЗОВАНИЙ .
СПИСОК ПРЕОБРАЗОВАНИЯ обычный номер типа в номер типа S M D обычный тип микроминиатюрный тип обычный тип BA243 BA314 BA480 BA481 BA482 BA483 BAT85 BAT 18 BAS 17 BAT 17
Резюме: cm .02m z5u 1kv конфигурация контактов BFW10 la4347 B2X84 TDA3653, эквивалентная TRIAC TAG 9322 HEF40106BP, эквивалентная fx4054 core dsq8 Текст: Содержание Стр. Стр. Указатель новых продуктов Комбинированный индекс и коды состояния viii x Компоненты, одобренные Mullard Списки BS9000, CECC и D3007 CV-список Интегральные схемы Указатель разделов xliii 1 5 Стандартные функции LOGIC FAMILIES Технические характеристики семейства CMOS HE4000B Обзор семейства CMOS HE4000B
OCR-сканирование
PDF
БС9000,
Д3007
HE4000B
80 ОТВЕТ
БС9000
BPW22A
см . 02м z5u 1кв
конфигурация контактов BFW10
ла4347
B2X84
эквивалент TDA3653
TRIAC TAG 9322
Эквивалент HEF40106BP
ядро fx4054
дск8
БФ679Т
Реферат: BF606 VALVO GMBH BF440 funkamateur BF681 BF479T BF023 транзистор BF936 транзистор BF451 Текст: FUNKAMATEUR — Bauelementeinformation Transistoren für die Hochfrequenztechnik Hinweise Symbole • Es wurden häufig verwendete und neue Typen zusammengestellt; SMDBauelem ente blieben unberücksich tigt. • Einsatzgebiete sind Video-, KW-, VHF- и UHF-Verstärkcr sowie Os
OCR-сканирование
PDF
транзистор f6 13003
Реферат: аналог транзистора bj 131-6 транзистор Eb 13003 BM BB112 smd ТРАНЗИСТОР код маркировка 2F 6n a1211 lg CQY58 BU705 ТРАНЗИСТОР 131-6 BJ 026 philips om350 Текст: ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ И ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ГИБРИДНЫЕ 1С МОДУЛИ стр. Предисловие. 3 Руководство по выбору широкополосных транзисторов.
Аннотация: транзистор bf 175 BFG65 аналог BF547B BFG25AXD Текст: Philips Semiconductors Радиочастотные широкополосные транзисторы Новое поколение Страница содержания ПРЕДИСЛОВИЕ 3 РУКОВОДСТВО ПО ВЫБОРУ 6 S-ПАРАМЕТРЫ 22 ПАРАМЕТРЫ ПАКЕТА И УПАКОВКИ 44 ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ 48 ДАННЫЕ УСТРОЙСТВА в буквенно-цифровой последовательности 54 СХЕМА 442 УКАЗАТЕЛЬ 448 ОПРЕДЕЛЕНИЯ
Реферат: SC08a bfr591 sot173x BB544 sot122 sot172 bfg65 sot143 SIEMENS BFP520 macro-X керамика Текст: Philips Semiconductors Полупроводники для телекоммуникационных систем Список выбора Общее Для получения дополнительной информации см. Data Handbook S C 1 4,1993; «Широкополосные радиочастотные транзисторы», если не указано иное. Широкополосные ВЧ транзисторы Март 1993 г. 14 Philips Semiconductors
Реферат: BFW10 FET транзистор CQY58 германиевый RX101 эквивалентные компоненты FET BFW10 bd643 bf199 283 to92 600a транзисторный стабилитрон phc Текст: МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ стр. Руководство по выбору N-канальные полевые транзисторы общего назначения. для дифференциальных усилителей.
OCR-сканирование
PDF
LCD01
BGY41
Полевой транзистор BFW10
CQY58
германий
RX101
эквивалентные компоненты FET BFW10
бд643
бф199
Транзистор 283-92 600А
стабилитрон фк
org/Product»>
ФЕТ BFW10
Реферат: KP101A FET BFW11 BDX38 KPZ20G CQY58A BFW10 FET RPW100 B0943 ФЭТ BFW11 Текст: ИНДЕКС _ ИНДЕКС НОМЕРОВ ТИПА Включение номера типа в эту публикацию не обязательно означает его доступность. Введите номер книжный раздел № типа книжный раздел № типа книжный раздел BA220 BA221 BA223 BA281 BA314 SCOI SCOI SCOI SCOI
Реферат: SOD80C PHILIPS BCB47B 1N4148 SOD80C PMBTA64 PXTA14 BF960 FET BFW11 BF345C BC558B PHILIPS Текст: Указатель Philips Semiconductors Полупроводники для поверхностного монтажа Буквенно-цифровой указатель: типы, добавленные в ассортимент с момента последнего выпуска справочника SC10 1991 г.
ru
Уведомление Информация, содержащаяся в этом документе, может быть изменена без предварительного уведомления. Agilent Technologies не дает никаких гарантий в отношении этого материала, включая, помимо прочего, подразумеваемые гарантии товарного состояния и пригодности.
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
E » — «10»Eh 0 0 Вт 0,2 BFG65 ODM M P H I N КОНТАКТ NPN-транзистор в четырехвыводном пластиковом корпусе с двойным эмиттером SOT103 . Он предназначен для широкополосного
02м z5u 1кв
конфигурация контактов BFW10
ла4347
B2X84
эквивалент TDA3653
TRIAC TAG 9322
Эквивалент HEF40106BP
ядро fx4054
дск8
Предисловие. 3 Руководство по выбору широкополосных транзисторов.
org/Product»>
org/Product»>
Data Handbook S C 1 4,1993; «Широкополосные радиочастотные транзисторы», если не указано иное. Широкополосные ВЧ транзисторы Март 1993 г. 14 Philips Semiconductors
org/Product»>
