Каковы основные параметры светодиода АЛ307БМ. Где применяется данный светодиод. Какие особенности конструкции имеет АЛ307БМ. На что следует обратить внимание при использовании этого светодиода.
Содержание
Основные характеристики светодиода АЛ307БМ
Светодиод АЛ307БМ представляет собой полупроводниковый прибор, излучающий свет при прохождении через него электрического тока. Данный светодиод обладает следующими ключевыми характеристиками:
Цвет свечения: красный
Длина волны излучения: 655 нм
Сила света: 0,9 мкд (при токе 10 мА)
Угол излучения: 50°
Диаметр корпуса: 5 мм
Прямое напряжение: 2 В (типовое значение)
Максимальный прямой ток: 20 мА
Обратное напряжение: до 2 В
Рабочая температура: от -60°C до +70°C
Области применения АЛ307БМ
Светодиод АЛ307БМ находит широкое применение в различных областях электроники и приборостроения:
Индикация состояний и режимов работы электронных устройств
Подсветка кнопок, переключателей и органов управления
Световая сигнализация в автомобильной электронике
Декоративная подсветка в бытовой технике
Оптические датчики и датчики приближения
Оптопары и оптроны
Светодиодные матрицы и табло
Особенности конструкции и производства
АЛ307БМ имеет ряд конструктивных особенностей, обеспечивающих его надежную работу:
Корпус из прозрачной эпоксидной смолы, защищающий кристалл
Линзованная форма корпуса для формирования нужной диаграммы направленности
Позолоченные выводы для улучшения пайки и снижения контактного сопротивления
Применение высококачественных полупроводниковых материалов
Герметичная конструкция, защищающая от влаги и пыли
Преимущества использования АЛ307БМ
Данный светодиод обладает рядом преимуществ по сравнению с другими источниками света:
Высокая яркость свечения при малом энергопотреблении
Долгий срок службы — до 100 000 часов непрерывной работы
Высокая надежность и стойкость к механическим воздействиям
Быстрое включение/выключение (наносекунды)
Отсутствие ИК и УФ излучения в спектре
Низкое тепловыделение при работе
Широкий диапазон рабочих температур
Особенности подключения и эксплуатации
При использовании светодиода АЛ307БМ следует учитывать некоторые важные моменты:
Необходимость ограничения прямого тока до 20 мА с помощью резистора
Соблюдение полярности подключения (длинный вывод — анод, короткий — катод)
Рекомендуемый рабочий ток 10-15 мА для оптимальной яркости и срока службы
Возможность последовательного и параллельного соединения для увеличения яркости
Недопустимость превышения максимально допустимых параметров
Аналоги и заменители АЛ307БМ
В случае отсутствия АЛ307БМ его можно заменить следующими аналогами с близкими характеристиками:
КЛ101А — отечественный аналог с похожими параметрами
L-53SRD — светодиод от Kingbright с аналогичными характеристиками
SSL-LX5093SRD — светодиод производства Lumex
TLHR5400 — светодиод компании Vishay
RL5-R1-0 — светодиод от SuperBrightLEDs
При замене следует учитывать возможные отличия в силе света, прямом напряжении и диаграмме направленности.
Типичные схемы включения АЛ307БМ
Рассмотрим несколько базовых схем подключения светодиода АЛ307БМ:
Простейшая схема с токоограничивающим резистором:
— Анод светодиода подключается к положительному полюсу источника питания
— Катод соединяется с резистором
— Второй вывод резистора идет на минус источника питания
— Номинал резистора рассчитывается по формуле: R = (U пит — U св) / I св
Схема с транзисторным ключом:
— Коллектор транзистора подключается к аноду светодиода
— Катод светодиода через резистор идет на землю
— База транзистора управляется микроконтроллером или логическим элементом
Схема ШИМ-регулировки яркости:
— Анод светодиода подключается к питанию через резистор
— Катод соединяется с коллектором транзистора
— На базу транзистора подается ШИМ-сигнал для регулировки яркости
Маркировка и обозначения АЛ307БМ
При работе со светодиодом АЛ307БМ важно правильно интерпретировать его маркировку:
АЛ — обозначение серии (алюмо-галлиевый светодиод)
307 — порядковый номер разработки
Б — красный цвет свечения
М — модернизированный вариант
На корпусе светодиода также может присутствовать цветовая маркировка катода в виде плоского среза или более короткого вывода.
Рекомендации по монтажу АЛ307БМ
Для качественного и надежного монтажа светодиода АЛ307БМ следует придерживаться следующих рекомендаций:
Использовать паяльник с регулировкой температуры, устанавливая её не выше 260°C
Время пайки не должно превышать 2-3 секунды для одного вывода
Применять флюс, не содержащий кислот
Соблюдать минимальное расстояние 3-5 мм от корпуса до места пайки
Использовать теплоотвод при монтаже для защиты кристалла от перегрева
После пайки проводить очистку от остатков флюса
Тестирование и проверка работоспособности
Для проверки исправности светодиода АЛ307БМ можно выполнить следующие шаги:
Визуальный осмотр на предмет механических повреждений
Проверка прямого падения напряжения мультиметром (должно быть около 2 В)
Измерение обратного тока утечки при подаче обратного напряжения 2 В
Подключение к источнику питания через резистор 220 Ом для проверки свечения
Измерение силы света с помощью люксметра на расстоянии 20 см
При обнаружении отклонений от номинальных параметров светодиод следует заменить.
Параметры, цоколевка и аналоги светодиода АЛ307БМ
RadioLibs.ru
Справочник
Аудио и видео обзоры
Объявления
Главная
/
Светодиоды
/
Светодиод АЛ307БМ
Цвет свечения
Красный
сила света светодиода (яркость светодиода)
900 мккд (кд/м2)
прямое падение напряжения на светодиоде при токе Iпр. ном.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307 на основании технических формуляров и документации к устройству.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307 Золото: 0,0009906 грамм. Серебро: 0,0000585 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника 1.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307А Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307АМ Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307Б Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307БМ Золото: 0,0000802 грамм. Серебро: 0,001094 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307БМ Золото: 0,0006 грамм. Серебро: 0,00004грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: данным НПО Импульс.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307БМ Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307ВМ Золото: 0,035644 грамм. Серебро: 0,0000177 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника 1.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307ГМ Золото: 0,000802 грамм. Серебро: 0 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника 1.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307ГМ Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307ДМ Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307ЕМ Золото: 0,00099 грамм. Серебро: 0,00006 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307КМ Золото: 0,000802 грамм. Серебро: 0 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника Связь-Инвест.
Содержание драгоценных металлов в приборе излучающем АЛ307Л Золото: 0,0031999 грамм. Серебро: 0,0004149 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Источник информации: справочника 1.
Для пополнения сайта доступной, наиболее полной и бесплатной информации о АЛ307 — вышлите нам ее мы ее разместим на сайте посвященному переработке драгоценных и ценных металлов.
Фото прибор излучающий АЛ307:
Характеристики прибора излучающего АЛ307:
Купить или продать а также цены на АЛ307:
Оставьте отзыв о приборе излучающем АЛ307:
Спецификация bfg65 и примечания по применению
2SC3355 МОДЕЛЬ SPICE
Резюме: транзистор C2003 C319B MGF1412 RF TRANSISTOR 10GHZ MRF134 rf модель .lib файл 2SK571 MGF1402 MRF9331 pb_hp_at41411_19921101 Текст: Библиотеки компонентов поставщиков Библиотека радиочастотных транзисторов Май 2003 г. Уведомление Информация, содержащаяся в этом документе, может быть изменена без предварительного уведомления. Agilent Technologies не дает никаких гарантий в отношении этого материала, включая, помимо прочего, подразумеваемые гарантии товарного состояния и пригодности.
Реферат: K4005 U664B MOSFET K4005 MB8719 Транзистор MOSFET K4004 SN16880N stk5392 STR451 BC417 Text: 1 BHIAB Electronics Du som söker besvärliga IC&transtorer, börja Ditt sökande hos oss – vi har fler typer på lager än man rimlingen kan begära av ett företag Denna utgåva Visar lagerartiklar men tyvärr saknas priser och kontinursker viss information Men uppdateringu
Реферат: транзистор 3702 558 npn MSB037 4221 транзистор D 1414 транзистор MBB332 Текст: Philips Semiconductors b S B ‘ÌB l G0 3 in 3 SCH • AP X Спецификация изделия NPN Широкополосный транзистор 8 ГГц — — — — BFG65 N APIER P H IL IP S /D IS C R E T E b’JE ]> ОПИСАНИЕ Транзистор NPN в a четырехпроводный пластиковый конверт с двойным эмиттером SOT103.
Реферат: TAG 9223 TAG 8653 702 P TRANSISTOR 4221 транзистор транзистор тег 306 558 npn 809 npn BFU65 транзистор 3702 Text: Спецификация продукта Philips Semiconductors BFG65 NPN Широкополосный транзистор 8 ГГц SBE D PHILIPS INTERNATIONAL DESCRIPTION 7110ÛSb 0045DÔ2 D04 «P H I N PINNING Транзистор NPN в четырехвыводном пластиковом корпусе с двумя эмиттерами SOT103. Он предназначен для широкополосного
9BFG65 N AI1ER PHILIPS/DISCRETE ОПИСАНИЕ b’iE J> КОНТАКТ NPN-транзистор в четырехвыводном пластиковом корпусе с двойным эмиттером SOT103. Он предназначен для широкополосного
OCR-сканирование
PDF
БФГ65
ОТ103)
Транзистор BFG65
E » — «10»Eh 0 0 Вт 0,2 BFG65 ODM M P H I N КОНТАКТ NPN-транзистор в четырехвыводном пластиковом корпусе с двойным эмиттером SOT103 . Он предназначен для широкополосного
Резюме: тримпоты 3296 транзистор C5386 1n4740 2N5591 Motorola 2N5688 CQ 542 Транзистор npn Motorola эквивалент транзистора 2sc3358 HB215/D ic cd 2399 gp Text: Selector Guide 1 Листы технических данных дискретных транзисторов Листы технических данных усилителей Монолитная интегральная схема H Листы технических данных мм Размеры корпуса Перекрестные ссылки и офисы продаж 6 M MOTOROLA RF Device Data В этой публикации представлена техническая информация для нескольких семейств продуктов, которые
953=131 0D1202Ô S ■ 11 СПИСОК ПРЕОБРАЗОВАНИЙ . СПИСОК ПРЕОБРАЗОВАНИЯ обычный номер типа в номер типа S M D обычный тип микроминиатюрный тип обычный тип BA243 BA314 BA480 BA481 BA482 BA483 BAT85 BAT 18 BAS 17 BAT 17
Резюме: cm .02m z5u 1kv конфигурация контактов BFW10 la4347 B2X84 TDA3653, эквивалентная TRIAC TAG 9322 HEF40106BP, эквивалентная fx4054 core dsq8 Текст: Содержание Стр. Стр. Указатель новых продуктов Комбинированный индекс и коды состояния viii x Компоненты, одобренные Mullard Списки BS9000, CECC и D3007 CV-список Интегральные схемы Указатель разделов xliii 1 5 Стандартные функции LOGIC FAMILIES Технические характеристики семейства CMOS HE4000B Обзор семейства CMOS HE4000B
OCR-сканирование
PDF
БС9000,
Д3007
HE4000B
80 ОТВЕТ
БС9000
BPW22A
см . 02м z5u 1кв
конфигурация контактов BFW10
ла4347
B2X84
эквивалент TDA3653
TRIAC TAG 9322
Эквивалент HEF40106BP
ядро fx4054
дск8
БФ679Т
Реферат: BF606 VALVO GMBH BF440 funkamateur BF681 BF479T BF023 транзистор BF936 транзистор BF451 Текст: FUNKAMATEUR — Bauelementeinformation Transistoren für die Hochfrequenztechnik Hinweise Symbole • Es wurden häufig verwendete und neue Typen zusammengestellt; SMDBauelem ente blieben unberücksich tigt. • Einsatzgebiete sind Video-, KW-, VHF- и UHF-Verstärkcr sowie Os
OCR-сканирование
PDF
транзистор f6 13003
Реферат: аналог транзистора bj 131-6 транзистор Eb 13003 BM BB112 smd ТРАНЗИСТОР код маркировка 2F 6n a1211 lg CQY58 BU705 ТРАНЗИСТОР 131-6 BJ 026 philips om350 Текст: ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ И ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ГИБРИДНЫЕ 1С МОДУЛИ стр. Предисловие. 3 Руководство по выбору широкополосных транзисторов.
Аннотация: транзистор bf 175 BFG65 аналог BF547B BFG25AXD Текст: Philips Semiconductors Радиочастотные широкополосные транзисторы Новое поколение Страница содержания ПРЕДИСЛОВИЕ 3 РУКОВОДСТВО ПО ВЫБОРУ 6 S-ПАРАМЕТРЫ 22 ПАРАМЕТРЫ ПАКЕТА И УПАКОВКИ 44 ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ 48 ДАННЫЕ УСТРОЙСТВА в буквенно-цифровой последовательности 54 СХЕМА 442 УКАЗАТЕЛЬ 448 ОПРЕДЕЛЕНИЯ
Реферат: SC08a bfr591 sot173x BB544 sot122 sot172 bfg65 sot143 SIEMENS BFP520 macro-X керамика Текст: Philips Semiconductors Полупроводники для телекоммуникационных систем Список выбора Общее Для получения дополнительной информации см. Data Handbook S C 1 4,1993; «Широкополосные радиочастотные транзисторы», если не указано иное. Широкополосные ВЧ транзисторы Март 1993 г. 14 Philips Semiconductors
Реферат: BFW10 FET транзистор CQY58 германиевый RX101 эквивалентные компоненты FET BFW10 bd643 bf199 283 to92 600a транзисторный стабилитрон phc Текст: МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ стр. Руководство по выбору N-канальные полевые транзисторы общего назначения. для дифференциальных усилителей.
OCR-сканирование
PDF
LCD01
BGY41
Полевой транзистор BFW10
CQY58
германий
RX101
эквивалентные компоненты FET BFW10
бд643
бф199
Транзистор 283-92 600А
стабилитрон фк
org/Product»>
ФЕТ BFW10
Реферат: KP101A FET BFW11 BDX38 KPZ20G CQY58A BFW10 FET RPW100 B0943 ФЭТ BFW11 Текст: ИНДЕКС _ ИНДЕКС НОМЕРОВ ТИПА Включение номера типа в эту публикацию не обязательно означает его доступность. Введите номер книжный раздел № типа книжный раздел № типа книжный раздел BA220 BA221 BA223 BA281 BA314 SCOI SCOI SCOI SCOI
Реферат: SOD80C PHILIPS BCB47B 1N4148 SOD80C PMBTA64 PXTA14 BF960 FET BFW11 BF345C BC558B PHILIPS Текст: Указатель Philips Semiconductors Полупроводники для поверхностного монтажа Буквенно-цифровой указатель: типы, добавленные в ассортимент с момента последнего выпуска справочника SC10 1991 г.
ном.
ru
Уведомление Информация, содержащаяся в этом документе, может быть изменена без предварительного уведомления. Agilent Technologies не дает никаких гарантий в отношении этого материала, включая, помимо прочего, подразумеваемые гарантии товарного состояния и пригодности.
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
E » — «10»Eh 0 0 Вт 0,2 BFG65 ODM M P H I N КОНТАКТ NPN-транзистор в четырехвыводном пластиковом корпусе с двойным эмиттером SOT103 . Он предназначен для широкополосного
СПИСОК ПРЕОБРАЗОВАНИЯ обычный номер типа в номер типа S M D обычный тип микроминиатюрный тип обычный тип BA243 BA314 BA480 BA481 BA482 BA483 BAT85 BAT 18 BAS 17 BAT 17
02м z5u 1кв
конфигурация контактов BFW10
ла4347
B2X84
эквивалент TDA3653
TRIAC TAG 9322
Эквивалент HEF40106BP
ядро fx4054
дск8
Предисловие. 3 Руководство по выбору широкополосных транзисторов.
org/Product»>
org/Product»>
Data Handbook S C 1 4,1993; «Широкополосные радиочастотные транзисторы», если не указано иное. Широкополосные ВЧ транзисторы Март 1993 г. 14 Philips Semiconductors
org/Product»>
