Что такое AO3400A. Какие основные характеристики этого транзистора. Для каких применений подходит AO3400A. Какие преимущества у этого MOSFET-транзистора.
Содержание
Общее описание и основные характеристики AO3400A
AO3400A — это N-канальный MOSFET транзистор, разработанный компанией Alpha & Omega Semiconductor. Данный транзистор сочетает в себе передовую технологию траншейных MOSFET с корпусом с низким сопротивлением, что обеспечивает крайне низкое сопротивление канала в открытом состоянии RDS(on).
Основные характеристики AO3400A:
Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
Максимальный постоянный ток стока: 5.7 А (при VGS = 10 В)
Сопротивление канала в открытом состоянии: 26.5 мОм (тип., при VGS = 10 В, ID = 5.7 А)
Пороговое напряжение затвор-исток: 0.65-1.45 В
Входная емкость: 630 пФ (тип.)
Корпус: SOT-23
Области применения AO3400A
Благодаря своим характеристикам, AO3400A хорошо подходит для следующих применений:
Переключение нагрузок в низковольтных схемах
DC/DC преобразователи
Управление двигателями
Схемы защиты от перегрузки по току
Схемы ШИМ-управления
Низкое сопротивление канала и малые емкости позволяют использовать AO3400A в высокочастотных приложениях с минимальными потерями на переключение.
Преимущества использования AO3400A
Основные преимущества применения транзистора AO3400A:
Очень низкое сопротивление канала, что обеспечивает малые потери проводимости
Малые емкости и заряды затвора, позволяющие быстрое переключение
Широкий диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C
Компактный корпус SOT-23 для применения в портативной электронике
Хорошее соотношение цена/характеристики
Ключевые электрические параметры AO3400A
Рассмотрим более подробно некоторые важные параметры транзистора AO3400A:
Напряжение пробоя сток-исток (BVDSS)
Максимальное напряжение сток-исток, которое может выдержать транзистор, составляет 30 В. Это определяет максимальное рабочее напряжение схемы, в которой может использоваться AO3400A.
Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th))
Пороговое напряжение находится в диапазоне 0.65-1.45 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток. Низкое пороговое напряжение позволяет управлять AO3400A от логических схем с питанием 3.3 В и 5 В.
Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on))
Типовое значение RDS(on) составляет всего 26.5 мОм при VGS = 10 В и токе стока 5.7 А. Такое низкое сопротивление обеспечивает минимальные потери проводимости и нагрев транзистора при работе.
Динамические характеристики AO3400A
Для применений, где важна скорость переключения, ключевое значение имеют динамические параметры транзистора:
Входная емкость (Ciss): 630 пФ
Выходная емкость (Coss): 75 пФ
Проходная емкость (Crss): 50 пФ
Полный заряд затвора (Qg): 7 нКл
Время задержки включения (td(on)): 3 нс
Время нарастания (tr): 2.5 нс
Малые значения емкостей и зарядов позволяют быстро переключать AO3400A, что важно для высокочастотных применений.
Тепловые характеристики AO3400A
При разработке схем с AO3400A важно учитывать его тепловые параметры:
Максимальная температура перехода: 150°C
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда: 125°C/Вт
Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 Вт (при температуре корпуса 25°C)
Эти параметры необходимо учитывать при расчете теплового режима и выборе радиатора для транзистора при больших токах нагрузки.
Применение AO3400A в схемах преобразования уровней
Одним из распространенных применений AO3400A является использование в схемах преобразования логических уровней. Рассмотрим пример такой схемы:
«`
«`
В этой схеме транзистор AO3400A используется для преобразования входного сигнала с уровнем 3.3 В в выходной сигнал с уровнем 5 В. Когда на входе низкий уровень, транзистор открывается и подтягивает выход к земле. При высоком уровне на входе транзистор закрывается, и выход подтягивается к 5 В через резистор.
Благодаря низкому пороговому напряжению и малому сопротивлению канала, AO3400A обеспечивает эффективное преобразование уровней с минимальными искажениями сигнала.
Сравнение AO3400A с аналогами
Сравним характеристики AO3400A с некоторыми популярными аналогами:
Параметр
AO3400A
2N7002
BSS138
VDSS
30 В
60 В
50 В
ID (макс)
5.7 А
0.3 А
0.2 А
RDS(on) тип.
26.5 мОм
1.7 Ом
3.5 Ом
Qg
7 нКл
1.8 нКл
1.5 нКл
Как видно из сравнения, AO3400A имеет значительно меньшее сопротивление канала и способен работать с большими токами по сравнению с аналогами. Это делает его предпочтительным выбором для применений, где важна высокая эффективность и низкие потери.
Особенности применения AO3400A
При использовании AO3400A в схемах следует учитывать некоторые особенности:
Чувствительность к статическому электричеству: необходимо соблюдать меры защиты от ESD при работе с транзистором
Важность правильного теплоотвода при работе с большими токами
Необходимость ограничения тока затвора при высокочастотном переключении
Влияние паразитных индуктивностей печатной платы на работу транзистора
Учет этих факторов позволит максимально эффективно использовать возможности AO3400A в разрабатываемых устройствах.
Заключение
AO3400A представляет собой современный N-канальный MOSFET транзистор с отличными характеристиками для низковольтных применений. Сочетание низкого сопротивления канала, малых емкостей и компактного корпуса делает его отличным выбором для широкого спектра задач — от силовой электроники до высокочастотных схем.
При правильном применении AO3400A позволяет создавать эффективные и надежные устройства с минимальными потерями и отличными динамическими характеристиками.
1. Shenzhen Xiangding(Flytech) Technology Co., Ltd предлагает единый сервис для модулей и всех видов электронных компонентов (ИС, диоды, индукторы, транзисторы, оптопары, конденсаторы, резисторы, MOSFET, кристалл, предохранители, разъемы, переключатели и т. д.) 2. Более 1000000 собственных запасов для удовлетворения ваших потребностей различных продуктов. 3. Предлагаем толькоНовый и оригинальный.
Пожалуйста, свяжитесь с нами
Пожалуйста, свяжитесь с нами
Добро пожаловать, свяжитесь с нами, как вам нравится: • Электронная почта: mandy(@)hkxd.com •Http://hkxd.en.alibaba.com • Skype: Mandy.hk xd
Вопросы и ответы
Вопросы и ответы
В1. Вы проверяете все ваши товары перед поставкой? О: Да, мы проверим 100% перед поставкой. В2. Каковы Ваши условия упаковки? О: как правило, мы упаковываем наши товары в нейтральные коробки или коричневые коробки. Если у вас есть официально зарегистрированный патент, мы можем упаковать товар в ваши фирменные коробки после получения ваших писем с разрешением. В3. Какова ваша политика в отношении образцов? О: мы можем поставить образец, если у нас есть готовые детали на складе, но клиенты должны оплатить стоимость образца и стоимость курьера.
Гарантия
Гарантия
1. Мы предоставляем 30 дней гарантии. 2. Если есть какие-либо проблемы с качеством, пожалуйста, убедитесь, что все эти товары должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы претендовать на возврат или замену. (Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).
Упаковка & Доставка
Доставка и оплата
1.Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке. 2. Если вы предпочитаете другие способы доставки и условия оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нами.
ao3400 — РАДИОМАГ РКС КОМПОНЕНТЫ
AO3400
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 Manufacturer: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Last Time Buy FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current — Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 15V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
В наличии/под заказ
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
Техническое описание AO3400
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3, Manufacturer: Alpha & Omega Semiconductor Inc., Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Last Time Buy, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current — Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 15V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.
Цена AO3400
от 0 грн до 0 грн
AO3400A Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Продукция Discrete Semiconductor
00 Характеристики поверхности Устанавливать ; Тип полевого транзистора:
AO3400A сочетает в себе передовую технологию траншейных полевых МОП-транзисторов с корпусом с низким сопротивлением для обеспечения чрезвычайно низкого RDS (ON). Это устройство подходит для использования в качестве переключателя нагрузки или в приложениях PWM.
Абсолютные максимальные характеристики TA = 25 C, если не указано иное Параметр Обозначение Напряжение сток-исток VDS Напряжение затвор-исток Непрерывный ток стока Импульсный ток стока Рассеиваемая мощность B
Диапазон температур соединения и хранения Температурные характеристики Параметр Максимальное расстояние между соединением и окружающей средой A Максимальное расстояние между соединением и окружающей средой A D Максимальное расстояние между соединением и выводом
Электрические характеристики (TJ = 25 C, если не указано иное) Символ Параметр Условия TJ = 55 VDS = 0 В, VGS = 12 В VDS = VGS VGS = 10 В, ID = 5.7A RDS (ON) Статическое сопротивление сток-исток во включенном состоянии VGS = 2,5 В, ID = 3A gFS VSD IS Прямое напряжение на диоде с повышающей проводимостью IF = 5,7 A, dI / dt = 100 А / с Мин. Тип. Макс. Единицы нс nC
СТАТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ Напряжение пробоя сток-исток BVDSS IDSS IGSS VGS (th) ID (ON) Нулевое напряжение затвора Ток утечки Ток утечки затвор-корпус Пороговое напряжение затвора во включенном состоянии ток стока
ПАРАМЕТРЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ Qg Общая зарядка затвора Qgs Qgd tD (вкл.) Tr tD (выкл.) Tf trr Qrr Строб Источник Зарядка затвор Дренаж Зарядка Задержка включения Время включения Время нарастания времени задержки выключения Время выключения Время спада Время обратного восстановления основного диода Заряд обратного восстановления основного диода IF = 5.7A, dI / dt = 100A / с
A. Значение RJA измеряется с установленной на устройстве платой 1in2 FR-4 с 2oz. Медь в неподвижном воздухе с TA = 25C. Значение в любом конкретном приложении зависит от конкретного дизайна платы пользователя. B. Рассеиваемая мощность PD основана на TJ (MAX) = 150C с использованием теплового сопротивления перехода к окружающей среде в течение 10 с. C. Повторяемость, ширина импульса ограничена температурой перехода TJ (MAX) = 150C. Номинальные значения основаны на низкой частоте и рабочих циклах, чтобы поддерживать начальное значение TJ = 25 ° C. Д.RJA — это сумма теплового сопротивления от соединения до провода RJL и вывода к окружающей среде. E. Статические характеристики на рисунках 6 получены при использовании импульсов <300 с, рабочий цикл не более 0,5%. F. Эти кривые основаны на тепловом сопротивлении перехода к окружающей среде, которое измеряется с установленной на устройстве платой FR-4 1 на 2 с толщиной 2 унции. Медь, предполагая, что максимальная температура перехода TJ (MAX) = 150C. Кривая SOA дает оценку одиночного импульса.
ДАННЫЙ ПРОДУКТ РАЗРАБОТАН И КВАЛИФИЦИРОВАН ДЛЯ ПОТРЕБИТЕЛЬСКОГО РЫНКА.ПРИЛОЖЕНИЯ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В КАЧЕСТВЕ КРИТИЧЕСКИХ КОМПОНЕНТОВ УСТРОЙСТВ ИЛИ СИСТЕМ ПОДДЕРЖКИ ЖИЗНИ НЕ РАЗРЕШЕНЫ. AOS НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ВОЗНИКАЮЩЕЙ ИЗ ТАКИХ ПРИЛОЖЕНИЙ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЕГО ПРОДУКТОВ. AOS ОСТАВЛЯЕТ ЗА ПРАВО НА УЛУЧШЕНИЕ ДИЗАЙНА, ФУНКЦИЙ И НАДЕЖНОСТИ ИЗДЕЛИЯ БЕЗ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УВЕДОМЛЕНИЯ.
0 Температура C) Рисунок 4: Сопротивление в открытом состоянии в зависимости от температуры перехода 18 (Примечание E)
1.0E-04 25C VGS (В) Рисунок 5: Сопротивление в открытом состоянии в зависимости от напряжения затвор-исток (Примечание 4 1.0E-05 VSD ( Вольт) Рисунок 6: Характеристики корпуса-диода (Примечание E)
arduino — Замените BSS138 на AO3400A в схеме сдвига уровня
TL; DR; Будет работать, но медленно.Вероятно, не более 200 кГц.
\ $ R_ {ds (on)} \ $ не имеет отношения к этой схеме, если честно.
Сопротивление канала, по сути, действует как делитель потенциала с R4 или R3, когда выход понижен. Таким образом, даже если бы оно было 100 Ом, выходное низкое напряжение все равно было бы не более 100 мВ.
Большее сопротивление во включенном состоянии немного замедлит спадающий фронт, но, учитывая, что нарастающий фронт в любом случае полностью управляется подтягивающим резистором, переключатель уровня не подходит для высокоскоростных схем (максимум на несколько МГц в зависимости от длины трассы и емкостная нагрузка).
Любой полевой МОП-транзистор с \ $ V_ {gs (th)} \ $ менее \ $ V_ {LV} — V_ {sd} \ $ (низкое напряжение питания минус прямое напряжение на корпусе диода) должно быть достаточным для работы схемы. некоторая частота, AO3400A соответствует этому требованию.
Однако, как отмечает @SpehroPefhany, это не вся история. Как уже упоминалось, эти схемы медленные, отчасти из-за подтягивающих резисторов, но также из-за емкости полевого МОП-транзистора, его \ $ C_ {iss} \ $ и \ $ C_ {oss} \ $ («input «и« выходная »емкости).
У полевых МОП-транзисторов
есть емкости между каждым из выводов, которые можно рассматривать как конденсаторы между затвором и истоком (\ $ C_ {iss} \ $), а также между стоком и истоком (\ $ C_ {oss} \ $). Эти конденсаторы также будут замедлять работу цепи. Чем выше емкость, тем медленнее цепь.
Емкость имеет наибольшее влияние при понижении как на переднем, так и на заднем фронте. Для сдвига вверх эффект минимизируется на переднем фронте, поскольку C_ {iss} помогает дать усиление, однако на задний фронт влияет так же, как и на режим понижающего сдвига.
Выбранный вами полевой МОП-транзистор имеет очень высокую емкость, которая ограничивает скорость схемы. В качестве очень быстрого приблизительного моделирования это показывает схему, работающую на частоте 2 МГц как для BSS138, так и для AO3400A. Ниже показан снимок экрана с результатами на случай, если URL-адрес не работает.
Как и ожидалось, AO3400A плохо работает на этой частоте. Фактически, замедляя частоту из моделирования, мы можем видеть для сдвига вниз время нарастания около 800 нс (от 10% до 80% Vdd) и время спада около 50 нс.Для сравнения, время нарастания BSS138 составляет всего 40 нс.
Вероятно, вы можете получить ~ 200 кГц, используя предложенный транзистор, против ~ 4 МГц с BSS138.
Как это работает
Добавлю немного о том, как работает схема для полноты картины. Есть два режима работы: смещение вверх (LV1 — вход, HV1 — выход) и переключение вниз (HV1 — вход, LV1 — выход).
Для простоты объяснения я предполагаю, что LV — 3,3 В, а HV — 5 В. Номера в списке соответствуют номеру на диаграмме внизу ответа.
Повышение передачи (LV1 = вход, HV1 = выход)
Переключение на более высокую передачу является самым простым для понимания.
Когда на входном выводе высокий уровень, тогда \ $ V_ {gs} \ $ полевого МОП-транзистора будет равен нулю — и затвор, и исток имеют напряжение 3,3 В. Таким образом, полевой МОП-транзистор выключен, и выходной контакт будет подтянут до 5 В с помощью R4.
Когда на входе установлен низкий уровень, источник будет на 0 В, но на затворе останется 3,3 В. Таким образом, \ $ V_ {gs} \ $ теперь составляет 3,3 В, и MOSFET включается.MOSFET опускает сток до напряжения истока (0 В), что означает, что на выходном выводе теперь будет низкий уровень. (На входной вывод поступает ток как от R3, так и от R4).
Понижающее переключение (LV1 = выход, HV1 = вход)
Понижение передачи немного сложнее.
Когда на входном контакте высокий уровень, в цепи нет ничего, что тянет выход вниз. Таким образом, R3 будет подтягивать его до 3,3 В. Это сделает \ $ V_ {gs} \ $ MOSFET нулевым, предотвращая протекание тока от входа к выходу.Таким образом, выходное напряжение не может превышать 3,3 В, даже если на входе 5 В.
Когда на входе устанавливается низкий уровень, основной диод полевого МОП-транзистора, который идет от истока к стоку, начинает проводить и опускать выход. Когда выход опускается, напряжение источника перемещается в сторону \ $ V_ {sd} \ $ (прямое напряжение внутреннего диода).
Когда это произойдет, \ $ V_ {gs} \ $ теперь будет \ $ 3.3V — V_ {sd} \ $, чего должно быть достаточно для включения MOSFET. После включения полевого МОП-транзистора выходное напряжение упадет до нуля, поскольку ток через R3 протекает через канал, а не через внутренний диод.
50 шт. AO3400 AO3400A SOT23-3 MOSFET MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv Capable New Original Semiconductor Products Industrial Electrical santafewash.com
50 шт. AO3400 AO3400A SOT23-3 MOSFET MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv Capable New Original
Эта элегантная и стильная обувь на любой случай, очки для чтения и другие типы очков, легкая конструкция для удобной посадки, для дополнительной мягкости во время сна, тонкая технология плетения цилиндрической формы и легкая в использовании фрикционная задняя крышка — все это сделано. из высококачественного золота 585 пробы.он смешан с другими металлами для придания прочности. Одежда, подходящая для жаркого лета, не заставит вас чувствовать себя жарко. Купите оберег из стерлингового серебра Mireval из состаренного серебра Ichthus Fish Cross на держателе для амуниции Claddagh и другие амулеты по адресу. 50шт AO3400 AO3400A SOT23-3 MOSFET MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv Новый оригинальный , отличный подарок для ваших друзей и семьи, формование или заливка резьбы в заготовку, что устраняет необходимость в механической обработке. Быстросохнущий материал предотвращает распространение бактерий.Все украшения изготавливаются вручную нашими замечательными сотрудниками в нашей дизайн-студии. Установите сварочную горелку WP PTA DB 9 20 TIG. можно рассчитывать на одно; это кольцо в носу придаст вам уверенности в себе и поможет вам провести день с изяществом и балансом, которые у вас всегда были внутри. , ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ ~~. Брелок изготовлен из качественного морского винила. 50 шт. AO3400 AO3400A SOT23-3 MOSFET MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv Capable New Original , Изысканное колье с четками из бирюзы и — стерлингового серебра или — стерлингового серебра с золотым покрытием или — стерлингового серебра с покрытием из розового золота. При желании вы также можете выбрать браслет. Ссылки для скачивания должны прийти на вашу электронную почту. Конверты цвета слоновой кости имеют дизайн золотого завитка. Изношенные или провисшие винтовые пружины могут вызвать преждевременный износ шин из-за несоосности автомобиля. ★ ПРОСТОЙ, ЕЩЕ УНИКАЛЬНЫЙ — Мы предпочитаем чистый и простой дизайн, сделанный для каждого энтузиаста йоги, ваше удовлетворение гарантировано на 100%, ГАРАНТИЯ УДОВЛЕТВОРЕНИЯ: Мы уверены в наших продуктах,
В комплект входит 1 картофелечистка из нержавеющей стали картофелечистка левая фруктовая овощечистка многофункциональный инструмент овощечистка Точилка Подарок ко Дню матери: Кухня и дом, JFG RACING Black Len Передний указатель поворота Сигнальная лампа для мотоцикла Honda CRF250L 2013-17. 50 шт. AO3400 AO3400A SOT23-3 MOSFET MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv Capable New Original .
Непосредственное открытие PDF: Просмотр PDF. Количество страниц: 7
AO3400A
N-канальный полевой МОП-транзистор 30 В
Общее описание
Краткое описание продукта
AO3400A сочетает в себе усовершенствованный траншейный MOSFET
технология с пакетом низкого сопротивления для обеспечения
чрезвычайно низкий RDS (ON).Это устройство подходит для использования в качестве
переключатель нагрузки или в приложениях PWM.
ID (при VGS = 10В)
VDS
30 В
5,7 А
RDS (ВКЛ) (при VGS = 10 В)
AO3400A
Электрические характеристики (TJ = 25 ° C, если не указано иное)
Символ
Параметр
СТАТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Напряжение пробоя сток-исток
BVDSS
IDSS
Ток утечки нулевого напряжения затвора
Условия
Мин.
ID = 250 мкА, VGS = 0 В
TJ = 55 ° С
Ток утечки затвора
VDS = 0 В, VGS = ± 12 В
VDS = VGS ID = 250 мкА
0,65
ID (ВКЛ)
Ток стока во включенном состоянии
VGS = 4,5 В, VDS = 5 В
30
100
nA
1.05
1,45
V
18
26.5
28 год
38
VGS = 4,5 В, ID = 5 А
19
32
мОм
VGS = 2,5 В, ID = 3 А
24
48
мОм
VGS = 10 В, ID = 5,7 А
TJ = 125 ° C
А
gFS
Прямая крутизна
VDS = 5 В, ID = 5,7 А
33
VSD
Прямое напряжение диода
IS = 1A, VGS = 0 В
0,7
ЯВЛЯЕТСЯ
Максимальный непрерывный ток корпуса-диода
ДИНАМИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Сисс
Входная емкость
Coss
Выходная емкость
Crss
Емкость обратной передачи
Rg
Сопротивление ворот
VGS = 0 В, VDS = 15 В, f = 1 МГц
VGS = 0 В, VDS = 0 В, f = 1 МГц
Заряд источника затвора
Qgd
Плата за дренаж ворот
tD (вкл.)
Время задержки включения
tr
Время нарастания включения
tD (выкл.)
Время задержки выключения
tf
Время падения выключения
trr
Время обратного восстановления корпусного диода
Qrr
ВГС = 4.5 В, VDS = 15 В, ID = 5,7 А
1.5
мОм
S
1
V
2
А
630
ПФ
75
ПФ
50
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ
Qg
Общая стоимость ворот
Qgs
мкА
5
Пороговое напряжение затвора
Единицы измерения
V
1
IGSS
Статический сток-источник сопротивления
Максимум
30
VDS = 30 В, VGS = 0 В
ВГС (тыс.)
RDS (ВКЛ)
Тип
ПФ
3
4.5
6
7
Ω
nC
1.3
nC
1,8
nC
3
нс
VGS = 10 В, VDS = 15 В, RL = 2,6 Ом,
RGEN = 3 Ом
2,5
нс
25
нс
4
нс
IF = 5,7 A, dI / dt = 100 A / мкс
8,5
Заряд обратного восстановления основного диода IF = 5,7 A, dI / dt = 100 A / мкс
2,6
нс
nC
A. Величина RθJA измеряется с устройством, установленным на плате 1 на 2 FR-4 с толщиной 2 унции.Медь в неподвижном воздухе с TA = 25 ° C. В
значение в любом конкретном приложении зависит от конкретного дизайна платы пользователя.
B. Рассеиваемая мощность PD основана на TJ (MAX) = 150 ° C с использованием теплового сопротивления перехода к окружающей среде ≤ 10 с.
C. Повторяемость, длительность импульса ограничена температурой перехода TJ (MAX) = 150 ° C. Номинальные значения основаны на низкой частоте и рабочих циклах, чтобы сохранить
начальная TJ = 25 ° C.
D. RθJA - это сумма теплового сопротивления от перехода к выводу RθJL и от вывода к окружающей среде.
E. Статические характеристики на рисунках с 1 по 6 получены с использованием AO3400A.
ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
40
15
10В
35 год
3В
VDS = 5 В
4.5В
12
30
2,5 В
9
ИДА)
ID (A)
25
20
6
15
25 ° C
125 ° С
10
3
ВГС = 2В
5
0
0
0
1
2
3
4
0
5
30
1
1.5
2
2,5
3
Нормализованное сопротивление в открытом состоянии
1,8
25
RDS (ВКЛ) (мОм
Ω)
0,5
ВГС (Вольт)
Рисунок 2: Передаточные характеристики (Примечание E)
VDS (Вольт)
Рис.1: Характеристики области (Примечание E)
VGS = 4,5 В
20
15
VGS = 10 В
VGS = 4,5 В
ID = 5A
1.6
1.4
17
1.2
5
VGS = 10 В
ID = 5.7A2
10
1
0,8
10
0
0
5
10
15
20
ID (A)
Рисунок 3: Сопротивление во включенном состоянии в зависимости от тока утечки и затвора
Напряжение (Примечание E)
25
50
75
100
125
150
175
0
Температура (° C)
Рисунок 4: Сопротивление во включенном состоянии vs.Соединение
18 Температура
(Примечание E)
50
1.0E + 01
ID = 5.7A
1.0E + 00
40
40
125 ° С
30
ЭТО)
RDS (ВКЛ) (мОм
Ω)
1.0E-01
125 ° С
1.0E-02
25 ° C
1.0E-03
20
1.0E-04
25 ° C
1.0E-05
10
0
6
8
10
ВГС (Вольт)
Рисунок 5: Сопротивление в открытом состоянии в зависимости от напряжения затвор-исток
(Примечание E)
Ред. 3: декабрь 2011 г.
2
4
www.aosmd.com
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1.0
VSD (Вольт)
Рисунок 6: Характеристики корпуса-диода (Примечание E)
Страница 3 из 5
AO3400A
ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
5
1000
VDS = 15 В
ID = 5.7A
4
800
Емкость (пФ)
ВГС (Вольт)
Сисс
3
2
600
400
Coss
1
200
0
0
0
2
4
6
Qg (нКл)
Рисунок 7: Характеристики заряда затвора
8
Crss
0
5
10
15
20
25
VDS (Вольт)
Рисунок 8: Характеристики емкости
30
1000
100.0
TA = 25 ° C
10 мкс
RDS (ВКЛ)
ограничено
100 мкс
1 мс
1.0
10 мс
0,1
ТДж (макс.) = 150 ° C
TA = 25 ° C
Мощность (Вт)
ID (амперы)
10.0
100
10
10 с
ОКРУГ КОЛУМБИЯ
1
0,0
0,00001
0,01
0,1
1
VDS (Вольт)
10
0,001
0,1
10
1000
100
Ширина импульса (с)
Рисунок 10: Номинальная мощность одиночного импульса между переходом и окружающей средой (Примечание F)
Рисунок 9: Сейф с максимальным прямым смещением
Рабочая зона (Примечание F)
Zθ JA Нормализованный переходный процесс
Термическое сопротивление
10
D = тонна / т
TJ, PK = TA + PDM.ZθJA.RθJA
1
В порядке убывания
D = 0,5, 0,3, 0,1, 0,05, 0,02, 0,01, одиночный импульс
RθJA = 125 ° C / Вт
0.1
PD
0,01
Одиночный импульс
Тонна
Т
0,001
0,00001
0,0001
0,001
0,01
0,1
1
10
100
1000
Ширина импульса (с)
Рисунок 11: Нормализованное максимальное переходное тепловое сопротивление (Примечание F)
Ред. 3: декабрь 2011 г.
www.aosmd.com
Страница 4 из 5
AO3400A
Схема проверки заряда затвора и форма волны
VGS
Qg
10В
+
+ Vds
VDC
-
Qgs
Qgd
VDC
DUT
-
VGS
Ig
Заряжать
R estiv e S SWITING TEST CIRCUIT & WAVE FORM S
RL
V ds
Vds
DUT
VGS
90%
+
Vdd
VDC
-
Rg
1 0%
VGS
V gs
т д (о н)
tr
т д (о фф)
к n
tf
т о фф
Схема проверки диода и формы сигнала
Q rr = -
V ds +
Idt
DUT
V gs
V ds -
Isd
V gs
Ig
Ред. 3: декабрь 2011 г.
L
Isd
+
VD C
-
ЕСЛИ
t rr
dI / dt
Я RM
V дд
V дд
V ds
www.aosmd.com
Страница 5 из 5
www.s-manuals.com
Исходные данные Exif:
Тип файла: PDF
Расширение типа файла: pdf
Тип MIME: приложение / pdf
Версия PDF: 1.6
Линеаризованный: Нет
XMP Toolkit: Adobe XMP Core 4.0-c316 44.253921, вс, 01 октября 2006 г., 17:14:39
Производитель: GPL Ghostscript 9.04
Дата изменения: 2015: 02: 10 22: 20: 06 + 02: 00
Дата создания: 2011: 12: 01 14: 13: 29 + 08: 00
Инструмент для создания: PDFCreator версии 1.2.3
Дата метаданных: 2015: 02: 10 22: 20: 06 + 02: 00
Идентификатор документа: uuid: 919de8ef-484d-4711-a118-6268f23e269f
Идентификатор экземпляра: uuid: 3a540409-2bc6-4aeb-90d8-90a4fc3fcbb0
Формат: заявка / pdf
Название: AO3400A - Даташит. www.s-manuals.com.
Создатель:
Описание :
Тема: AO3400A - Лист данных. www.s-manuals.com.
Имеет XFA: Нет
Количество страниц: 7
Ключевые слова: AO3400A, -, Лист данных., www.s-manuals.com.
Метаданные EXIF, предоставленные EXIF.tools
50 шт. AO3400 SOT23 AO3400A SOT-23 A09T SOT Новые микропроцессоры на полевых МОП-транзисторах Industrial & Scientific environmentalews.tv
50PCS AO3400 SOT23 AO3400A SOT-23 A09T SOT Новый МОП-транзистор: промышленный и научный. 50PCS AO3400 SOT23 AO3400A SOT-23 A09T SOT Новый МОП-транзистор: промышленный и научный. Всем привет, мы Tech, в основном занимаемся электронными компонентами, электронными инструментами, хлебобулочными изделиями.。 Клиенты могут связаться с нами для получения дополнительной информации о продукте. 。 Если есть недовольство, вы можете оставить нам комментарий. 。 Будем активно исправлять, конечно, спасибо за искреннюю оценку. 。。。
50 шт. AO3400 SOT23 AO3400A SOT-23 A09T SOT новый MOS FET транзистор
Азар на 25 графов 550010 Держатель для очков с блокировкой Slatwall. Гайки с 25 отверстиями # 6-32 Резьба .452 Диаметр головки Clipsandfasteners Inc. Низкопрофильный сверхтонкий черный регулируемый настенный кронштейн с регулируемым наклоном / наклоном для Samsung UN60ES7100F / UN60ES7100FXZA 60-дюймовый светодиодный HDTV-телевизор / телевизор, PRO 1 Шланг топливопровода 1/4 дюйма Внутренний диаметр X 25 футов Длина NRB / PVCC SAE30R6 Корпус из 12 шт., 410 Саморез с шестигранной головкой с шайбой Dolos # 14 x 1 1/4 Самонарезающие винты для листового металла из нержавеющей стали 52 шт.Диаметр головки 50 мм Набор из 1 шпильки с резьбой JW Winco Фенольная пластиковая звездообразная ручка M10 x 1,5 Размер резьбы x Длина резьбы 35 мм. 2XLarge Антистатический лабораторный халат StaticTek Вязаная манжета с полным рукавом Легкая куртка ESD TT_JKC8806LB Антистатические халаты с высокой степенью защиты от электростатического разряда Сертифицированный уровень 3 статического экранирования Голубой, организованная свобода для жизни Застежка Нержавеющая Полностью Резьбовая Метрическая Щепка Тон 50 ШТ. Черный забор из сварной проволоки с покрытием из ПВХ x 50 футов Everbilt, 4 фута, светоотражающий 10×7 дюймов, без ржавчины, 40 мил.63 алюминиевых предупреждающих знака для собственности ， Вдохновленный СМОТРЕТЬ Знак видеонаблюдения Знак запрета проникновения. REVITEQ A72C-DBL Иррометр с двойным всасыванием, модель SSAT, измеритель солености почвы 72. 3-3 / 8 OD x 4-5 / 8H Емкость 600 мл Polar Ware Стакан в стиле грифона из нержавеющей стали 600B, DBL CYL CART W LE 16 Wheel, 3 года Гарантийный переключатель переключения 20A 3 положения 8 клемм 690V Универсальный поворотный кулачковый переключатель APIELE, Ge Fanuc Ic693acc307a Разъем ввода / вывода шины Ic693acc307a, Julia Knight Maple Leaf 6 Маленькая чаша одного размера с красным гранатом.
