Серия at24c1024 (Microchip)
Microchip
Общие характеристики
| Раздел | Память | |
| Тип памяти | ||
|---|---|---|
| Подтип памяти | ||
| Интерфейс | ||
| Объём памяти | ||
| Организация памяти | ||
| Рабочая температура |
Документация на серию at24c1024
- найти at24c1024.pdf
Товары серии at24c1024
| Наименование | i | Упаковка | Напряжение | Время доступа | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|
| AT24C1024-10CI-2.7 (MCRCH)
|
| — | |||
| AT24C1024-10PU-2.7 (MCRCH)
| в линейках 50 шт | — | — | DIP8300 | |
| AT24C1024B-PU (MCRCH)
| DIP8300 | ||||
| AT24C1024B-TH-T (MCRCH)
| — | ||||
| AT24C1024B-Th35-B (MCRCH)
| в линейках 100 шт | TSSOP-8 | |||
| AT24C1024BN-SH-B (MCRCH)
| SO-8 SOIC8 | ||||
| AT24C1024BN-SH-T (MCRCH)
| 1 шт | SO-8 SOIC8 | |||
| AT24C1024BN-Sh35-B (MCRCH)
| в линейках 100 шт | SO-8 SOIC8 | |||
| AT24C1024BW-SH-B (MCRCH)
| 50 шт | SO-8 SOIC8 | |||
| AT24C1024BW-SH-T (MCRCH)
| — | ||||
| AT24C1024BW-Sh35-B (MCRCH)
|
| в линейках 95 шт | SO-8 SOIC8 | ||
| AT24C1024BW-Sh35-T (MCRCH)
|
| в ленте 2000 шт | SO-8 SOIC8 | ||
AT24C1024C1-10CI-2. 7 (MCRCH)
|
| 8-LAP (5×8) | |||
| AT24C1024W-10SI-2.7 (MCRCH)
|
| в линейках 94 шт | SO-8 SOIC8 | ||
| AT24C1024W-10SI-2.7 SL383 (MCRCH)
| SO-8 8-SOIC | ||||
| AT24C1024W-10SU-2.7 SL383 (MCRCH)
| SO-8 8-SOIC | ||||
| AT24C1024W-10SU-2.7TR (MCRCH)
|
| в ленте 2000 шт | SO8208127 |
AT24C1024 техническое описание —
Детали, техническое описание, цитата по номеру детали: AT24C1024
| Деталь | AT24C1024 |
| Категория | Память => ПЗУ => EEPROM => 1 Мб |
| Описание | |
| Компания | Корпорация ATMEL |
| Техническое описание | Загрузить AT24C1024 Техническое описание |
| Цитата | Где купить |
| Функции, приложения |
| Особенности 2. AT24C1024 обеспечивает 1 048 576 бит последовательной электрически стираемой и программируемой постоянной памяти (EEPROM), организованной как 131 072 слова по 8 бит каждое. Функция каскадирования устройства позволяет 2 устройствам использовать общую двухпроводную шину. Устройство оптимизировано для использования во многих промышленных и коммерческих приложениях, где необходимы маломощные и низковольтные операции. Имя контакта A1 SDA SCL WP NC Функция Адрес Ввод Последовательные данные Последовательный вход часов Защита от записи Нет соединения Рабочая температура……………………………….до +125C Температура хранения……… …………………………..до +150C Напряжение на любом выводе по отношению к максимальному рабочему напряжению +7,0В…… ………………… 6,25 В пост. тока Выходной ток…….. ………………………………………… 5,0 мА *ВНИМАНИЕ: Нагрузки, превышающие указанные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к необратимому повреждению устройства. Это только оценка нагрузки, и функциональная работа устройства в этих или любых других условиях, кроме указанных в эксплуатационных разделах этой спецификации, не подразумевается. SERIAL CLOCK (SCL): Вход SCL используется для передачи данных синхронизации положительного фронта в каждое устройство EEPROM и данных синхронизации отрицательного фронта из каждого устройства. ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЕ ДАННЫЕ (SDA): контакт SDA является двунаправленным для последовательной передачи данных. Этот штырь управляется открытым стоком и может быть связан проводным ИЛИ с любым количеством других устройств с открытым стоком или открытым коллектором. АДРЕСА УСТРОЙСТВА/СТРАНИЦЫ (A1): контакт A1 является входом адреса устройства, который может быть жестко подключен или оставлен не подключенным для аппаратной совместимости с AT24C128/256/512. Когда контакт A1 жестко подключен, на одной шинной системе может быть адресовано до двух устройств 1024K (адресация устройств подробно обсуждается в разделе «Адресация устройств»). Когда контакт не подключен, по умолчанию A1 равен нулю. AT24C1024, 1024K ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНАЯ EEPROM: 1024K внутренне организована как 512 страниц по 256 байт каждая. Для случайной адресации слова требуется 17-битный адрес слова данных. |
7 (VCC до 5,5 В) Внутренний 8 2-проводных последовательных интерфейсов Триггеры Шмитта, входы с фильтрацией для подавления шума Двунаправленный протокол передачи данных Тактовая частота 400 кГц (2,7 В) и 1 МГц (5 В) Защита от записи Контакт для аппаратной и программной защиты данных Режим записи 256-байтовой страницы (разрешена запись неполной страницы) Режимы произвольного и последовательного чтения Самосинхронный цикл записи (обычно 5 мс) Высокая надежность Долговечность: 100 000 циклов записи/сохранение данных страницы: 40 лет 8- Пакеты PDIP для выводов, 8-выводов EIAJ SOIC, 8-выводов LAP и 8-ball dBGATM
Устройства доступны в компактных 8-выводных корпусах PDIP, 8-выводных EIAJ SOIC, 8-выводных безвыводных массивах (LAP) и 8-шариковых корпусах dBGA. Кроме того, для всего семейства доступны 5,5-вольтовые версии.
Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного времени может повлиять на надежность устройства.
| Связанные продукты с тем же паспортом |
| AT24C1024-10CI-2.7 |
| AT24C1024-10PI-2.7 |
| AT24C1024-10UI-2.7 |
| AT24C1024C1-10CI-2.7 |
| AT24C1024W-10SI-2.7 |
| AT24C1024W-10SI-2.7 SL383 |
AT24C1024W-10SU-2. |
| Некоторые номера деталей того же производителя ATMEL Corporation |
| AT24C1024-10CI-2.7 |
| AT24C128 2-проводные последовательные EePROM 128 тыс. (16 384 X 8) 256 тыс. (32 768 X 8) |
| AT24C128SC 2-проводная, 128K и 256K Serial EePROM |
| AT24C128T1-10TC 2-проводные последовательные EePROM 128 тыс. (16 384 X 8) 256 тыс. (32 768 X 8) |
| AT24C16 2-проводная последовательная EePROM 1k (128×8), 2k (256×8), 4k (512×8), 8k (1024×8), 16k (2048×8) |
| AT24C16-10PI-2.7 2-проводная последовательная CMOS E2PROM |
| AT24C16-10TI-1.8 2-проводная последовательная EePROM 1k (128×8), 2k (256×8), 4k (512×8), 8k (1024×8), 16k (2048×8) |
| AT24C164 2-проводная последовательная EePROM 16k (2048×8) |
| AT24C16A 2/4/8/16K, 2-проводная шина, последовательная EePROM. Использует другую защиту массива по сравнению с AT24C02/04/08 |
AT49BV040-20VC: 4-мегабитная (512kx8) одиночная батарея 2,7 В, напряжение ™ Флэш-память: 512kx8 AT49LV002NT-90PI: 2-мегабитная (256kx8) одиночная 2,7-вольтовая батарея-напряжение ™ флэш-память AT49LV161T: 16 Мбит, 2,7 В, секторная (верхняя загрузка) ATR2434-PLT : Wirelessusb 2,4 ГГц DSSS Radio SoC AT89C51ID2-RLTIM: 8-битный микроконтроллер с флэш-памятью 4 КБ AT68166FT : Многокристальный модуль Rad Hard 16 Мбит 3,3 В SRAM ATWEBEVK-05: Eval и демонстрационная плата и набор программаторов, система разработки; КОМПЛЕКТ EVAL MODULE RS232 TO TCP/IP Спецификации: Основное назначение: Интерфейс, Ethernet; Первичные атрибуты: RS232 к Ethernet; Вторичные атрибуты: — ; Комплект поставки: плата, кабели, блок питания; Используемая микросхема / Деталь: AT89C51RC2 ; Встроенный: Да, MCU, 8-бит; Статус без содержания свинца: содержит свинец; Статус RoHS: не соответствует требованиям RoHS AT65609EHV-C940SV: 128K X 8 STANDARD SRAM, 40 нс, PDIP32 Технические характеристики: Категория памяти: Чип SRAM; Плотность: 1049кбит ; Количество слов: 128 тыс. ATF22LV10CZ-15DI: FLASH PLD, 10 нс, CDIP24 Технические характеристики: Тип корпуса: CDIP, Другое, 0,300 ДЮЙМА, ОКНА, CERDIP-24; Штифты: 24 ; Семейство логики: CMOS; Пользовательские входы/выходы: 10 контактов; Задержка распространения: 10 нс; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F); Напряжение питания: 5 В ATMEGA88A-MUR: 8-БИТ, ФЛЭШ, 16 МГц, МИКРОКОНТРОЛЛЕР RISC, PQFP32 Характеристики: Стадия жизненного цикла: АКТИВНАЯ; Тактовая частота: 16 МГц; Тип ПЗУ: флэш-память; Напряжение питания: от 4,5 до 5,5 вольт; Порты ввода/вывода: 23; Тип упаковки: TQFP, Другой, 7 X 7 ММ, ВЫСОТА 1 ММ, ШАГ 0,80 ММ, ПЛАСТИКОВЫЙ, MS-026ABA, TQFP-32; Рабочий диапазон: коммерческий; Количество выводов: 32; Рабочая температура: 0 TS(X)PC603EMAB/T2ML: 32-битный, 80 МГц, RISC-ПРОЦЕССОР, CQFP240 Технические характеристики: Архитектура: RISC; Шина данных: 64-битная; Напряжение питания: 3,3 В; Тип упаковки: QFP, Другой, КЕРАМИЧЕСКИЙ, QFP-240; Количество выводов: 240; Тактовая частота: 80 МГц; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F) TS87C51RD2-LCLD: 8-бит, OTPROM, микроконтроллер, PDIP40 Технические характеристики: Шина данных: 8 бит; Этап жизненного цикла: АКТИВНЫЙ; Тип ПЗУ: OTP; Порты ввода-вывода: 32; Тип упаковки: CDIP, Другой, ПЛАСТИКОВЫЙ, DIP-40 ; Количество выводов: 40; Особенности: ШИМ |
; Бит на слово: 8 бит; Тип упаковки: 0,400 дюйма, боковая пайка-32; Штифты: 32 ; Семейство логики: CMOS; Напряжение питания: 5 В; Время доступа: 40 нс; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F)| Та же категория |
Am50DL128CH : Стекированная флэш-память MCP и SRAM, 2 X Am29DL640G 64 Мбит (4M X 16-бит) CMOS 3,0 В, одновременная работа флэш-памяти. AT45DCB002 : Флэш-память данных. 8 МБ, 4 МБ, 2 МБ, только 2,7 В, флэш-карты с последовательным интерфейсом. CY62146CV18LL-55BAI : Асинхронная SRAM MicroPower. Асинхронные SRAM Micropower. Высокая скорость Доступность 55 нс и 70 нс Диапазон низкого напряжения: CY62146CV18: 1,65–1,95 В, совместимость по выводам с CY62146V18/BV18 Сверхнизкая активная мощность Типовой активный ток: 0,5 мА МГц Типовой активный ток: f = fmax (скорость 70 нс) Низкое энергопотребление в режиме ожидания Простое расширение памяти с помощью CE и OE Автоматическое отключение питания при отмене выбора CMOS для оптимальной скорости/мощности и автоматически. HY5RS573225F : Память GDDR3. Этот документ является общим продуктом и может быть изменен без предварительного уведомления. Hynix Electronics не несет никакой ответственности за использование описанных схем. Никаких патентных лицензий не подразумевается. Ред. 0.4 / апрель 2004 г. HYMR16416 : 128 МБ. Direct RAMbus Rimm с 128/144 Мбит Rдрамами Предварительно. Модуль Rambus RIMMTM представляет собой высокопроизводительную подсистему памяти общего назначения, подходящую для использования в широком диапазоне приложений, включая компьютерную память, персональные компьютеры, рабочие станции и другие приложения, где требуется высокая пропускная способность и низкая задержка. Модуль Rambus RIMM состоит из 128Mb/144Mb устройств Direct Rambus DRAM. Эти чрезвычайно. IDT72T20108 : 64K X 20/128K X 10 Terasync DDR Fifo, 2,5 В. ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ TeraSyncTM DDR/SDR FIFO 2,5 В, 20-БИТНАЯ/10-БИТНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ x 10 Выберите одну из следующих организаций памяти: до 250 МГц. скорость передачи данных порта, 500 Мбит/с Скорость передачи данных -DDR в DDR -DDR в SDR -SDR в DDR -SDR в SDR Выбирается пользователем HSTL или LVTTL. K4h380438D : = K4h380438D 128Mb D-die (x4/8) DDR Sdram ;; Организация = 32Mx4 ;; Банк/Интерфейс = 4B/SSTL2 ;; Обновление = 4K/64 мс ;; Скорость = B3,A2,B0,A0 ;; Пакет = 66TSOP2 ;; Мощность = C,l ;; Статус производства = Eol ;; Комментарии = DDR200/266, 2,5 В VDD. KMM372F803BS : DIMM с буферизацией. = KMM372F803BS 8Mx72 DRAM Dimm с Ecc с использованием обновления 8Mx8,4K&8K, 3,3 В ;; Плотность (МБ) = 64 ;; Организация = 8Mx72 ;; Режим = Эдо ;; Обновление = 4K/64 мс ;; Скорость(нс) = 50,60 ;; #Пин = 168 ;; Состав компонентов = (8Mx8)x9+Привод ICx2 ;; Статус производства = Eol ;; Комментарии = Буферизовано. KT3272SRN0R : ->DIMM. Этот модуль памяти представляет собой высокопроизводительный 256-мегабайтный зарегистрированный синхронный динамический модуль RAM, организованный в 168-контактный пакет модуля памяти Dual In-Line (DIMM). Модуль использует тридцать шесть (36) устройств 4Mx4X4 SDRAM (обновление 64 мс) в корпусе TSOP II 400 mil. M368L3313BT0 : = M368L3313BT0 32Mx72 DDR Sdram 184pin Dimm На основе 32Mx8 ;; Плотность (МБ) = 256 ;; Организация = 32Mx64 ;; Банк/Интерфейс = 4B/SSTL2 ;; Обновление = 4K/64 мс ;; Скорость = A2,B0,A0 ;; #Пин = 184 ;; Мощность = C,l ;; Состав компонентов = (16Mx8)x16 ;; Статус производства = Eol ;; Комментарии = не Ecc. M5M5V5636GP-13I : Сетевая SRAM->Быстрая SRAM. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Mitsubishi Electric и Mitsubishi XX, в Renesas Technology Corp. Полупроводниковые операции Hitachi и Mitsubishi Electric были переданы Renesas Technology Corporation 1 апреля 2003 года. Эти операции включают в себя микрокомпьютер, логику, аналоговые и дискретные устройства, и память. MCM2532 : 4096 X 8-битный ультрафиолетовый стираемый пром. MR18R1626MN1 : Обычный RIMM. МСК23Б136Д : DRAM и ASM. 1M X 36 DRAM FPM. MC2GU512NMCA : Флэш-карта MultiMediaCard представляет собой универсальный недорогой носитель данных и средств связи. Он предназначен для широкого спектра применений, таких как мобильные телефоны, электронные игрушки, органайзеры, карманные компьютеры, фотоаппараты, смартфоны, цифровые записывающие устройства, MP3-плееры, пейджеры и т. д. Нацелены на высокую мобильность и высокую производительность при низкой себестоимости. Это также может быть выражено. IDT709159L6BFG : ДВУХПОРТОВАЯ SRAM 8K X 9, 15 нс, PBGA100. U62H824PA35G1 : 8K X 24 СТАНДАРТНАЯ SRAM, 35 нс, PQCC52. s: Категория памяти: Чип SRAM ; Плотность: 197 кбит; Количество слов: 8 тыс.; Бит на слово: 24 бита; Тип упаковки: ПЛАСТИКОВАЯ, LCC-52; Штифты: 52 ; Семейство логики: CMOS; Напряжение питания: 5 В; Время доступа: 35 нс; Рабочая температура: от -40 до 125 C (от -40 до 257 F). |
1 Номер редакции История Определенная целевая спец. Полная версия спецификации IDD. Вставить параметр AC Дата проекта Апрель 2003 г. Октябрь 2003 г. Декабрь 2003 г. Апрель
256-байтная последовательная EEPROM содержит информацию о конфигурации модуля. EEPROM можно настроить.
= MR18R1626MN1 (16M X 18) X4(6/8)шт. Модуль RIMM(TM) на основе M-кристалла 288Mb, банки 32s, 16K/32ms Ref, 2.5V ;; Плотность (МБ) = 192 ;; Организация = 96Mx18 ;; Компонентный состав = 288M(1st)x6 ;; Напряжение (В) = 2,5;; Обновление = 16К/32мс ;; Скорость (МГц)/ TRAC (нс) = 300/53,3 356/45 400/45; #Пин = 184 ;; Статус производства = Eol ;; Комментарии = Ss,ecc.
s: Категория памяти: Чип SRAM ; Плотность: 74 кбит; Количество слов: 8 тыс.; Бит в слове: 9биты; Тип упаковки: 10 х 10 мм, высота 1,40 мм, шаг 0,80 мм, FPBGA-100; Пины: 100; Семейство логики: CMOS; Напряжение питания: 5 В; Время доступа: 15 нс; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F).
0-C D-L M-R S-Z
Datasheet begin, distributors inventory
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 2-1 | 0007 | 2-2 | 2-3 |
