Что такое AT24C1024. Как устроена эта микросхема памяти. Какие у нее характеристики и особенности. Где применяется AT24C1024. Как работать с этой EEPROM.
Общая характеристика микросхемы AT24C1024
AT24C1024 — это серия микросхем энергонезависимой памяти типа EEPROM (электрически стираемое программируемое ПЗУ) производства компании Microchip. Данная серия имеет следующие ключевые характеристики:
- Объем памяти: 1 048 576 бит (128 КБ)
- Организация памяти: 131 072 слова по 8 бит
- Интерфейс: двухпроводной последовательный (совместимый с I2C)
- Напряжение питания: 2,7-5,5 В
- Время доступа: от 5 мс
- Количество циклов записи/стирания: 100 000
- Срок хранения данных: 40 лет
Микросхемы AT24C1024 выпускаются в различных корпусах, включая 8-выводные PDIP, SOIC, LAP и dBGA. Это позволяет использовать их в самых разных применениях, где требуется энергонезависимое хранение данных.
Особенности и преимущества AT24C1024
Серия AT24C1024 обладает рядом важных особенностей, делающих ее привлекательной для разработчиков:
- Низкое энергопотребление — идеально для батарейных устройств
- Высокая надежность хранения данных
- Поддержка высокоскоростной передачи данных до 1 МГц
- Функция каскадирования для увеличения объема памяти
- Аппаратная и программная защита от записи
- Поддержка произвольного и последовательного доступа
Как эти особенности влияют на применение микросхемы? Низкое энергопотребление позволяет использовать AT24C1024 в портативных устройствах с батарейным питанием. Высокая надежность обеспечивает сохранность важных данных. Скоростной интерфейс ускоряет обмен информацией с микроконтроллером. А различные режимы защиты предотвращают случайную потерю данных.
Принцип работы и внутреннее устройство
AT24C1024 имеет следующую внутреннюю организацию:
- 512 страниц по 256 байт
- 17-битная адресация для доступа к отдельным ячейкам
- 8-битный регистр данных
- Контроллер интерфейса I2C
- Схемы защиты и управления записью/чтением
Как происходит запись и чтение данных? При записи микроконтроллер передает по шине I2C адрес устройства, адрес ячейки и данные. Контроллер AT24C1024 записывает информацию в указанную ячейку. При чтении передается только адрес, а микросхема возвращает хранящиеся там данные. Страничная организация позволяет записывать до 256 байт за одну операцию, что ускоряет работу.
Области применения AT24C1024
Благодаря своим характеристикам, AT24C1024 находит применение во многих областях:
- Потребительская электроника — хранение настроек, калибровочных данных
- Промышленная автоматика — сохранение параметров оборудования
- Медицинская техника — ведение журналов работы приборов
- Телекоммуникационное оборудование — хранение конфигурации
- Автомобильная электроника — сохранение диагностических данных
Где еще может использоваться эта микросхема? AT24C1024 подходит для любых устройств, где требуется энергонезависимое хранение относительно небольших объемов данных с высокой надежностью. Это могут быть системы контроля доступа, торговые автоматы, измерительные приборы и многое другое.
Работа с AT24C1024 в микроконтроллерных системах
Для взаимодействия с AT24C1024 необходимо:
- Подключить выводы SCL и SDA к соответствующим линиям микроконтроллера
- Настроить подтягивающие резисторы на линиях шины I2C
- Инициализировать интерфейс I2C на микроконтроллере
- Использовать библиотеку для работы с EEPROM или написать собственные функции
Как выглядит базовый алгоритм записи данных? Сначала передается адрес устройства и адрес ячейки памяти. Затем отправляются байты данных. После этого необходимо дождаться завершения внутреннего цикла записи, прежде чем выполнять следующую операцию. Чтение происходит аналогично, но после передачи адреса микроконтроллер переключается на прием данных от AT24C1024.
Сравнение AT24C1024 с аналогами
Как AT24C1024 соотносится с другими микросхемами EEPROM?
| Модель | Объем | Интерфейс | Напряжение | Особенности |
|---|---|---|---|---|
| AT24C1024 | 128 КБ | I2C | 2,7-5,5 В | Каскадирование |
| 24LC1025 | 128 КБ | I2C | 2,5-5,5 В | Защита блоков |
| FM24CL64B | 8 КБ | I2C | 2,0-3,6 В | FRAM технология |
Чем AT24C1024 выделяется на фоне конкурентов? Она обеспечивает оптимальный баланс объема памяти, скорости работы и энергопотребления. Поддержка широкого диапазона напряжений питания упрощает интеграцию в различные системы. А возможность каскадирования позволяет легко наращивать объем памяти при необходимости.
Советы по применению AT24C1024
При работе с AT24C1024 рекомендуется учитывать следующие моменты:
- Использовать подтягивающие резисторы 4,7-10 кОм на линиях SCL и SDA
- Не превышать максимальную частоту шины I2C (1 МГц для 5В питания)
- Учитывать время цикла записи страницы (до 5 мс) при последовательной записи
- Применять программную защиту от записи для критичных данных
- Использовать CRC или другие методы контроля целостности данных
Как оптимизировать работу с памятью? Для ускорения записи больших объемов данных используйте страничную запись. При частом обновлении небольших блоков данных применяйте циклическую запись для равномерного износа ячеек. Также рекомендуется периодически проверять целостность хранимых данных, особенно в ответственных применениях.
Перспективы развития серии AT24C1024
Какие тенденции наблюдаются в развитии микросхем EEPROM? Основные направления включают:
- Увеличение объема памяти
- Снижение энергопотребления
- Повышение скорости работы
- Улучшение показателей надежности
- Внедрение новых интерфейсов (например, SPI)
Как это может отразиться на будущих версиях AT24C1024? Вероятно, появятся модификации с увеличенным объемом памяти при сохранении совместимости по выводам. Возможно внедрение режимов сверхнизкого энергопотребления для применения в IoT устройствах. Также можно ожидать появления версий с улучшенными характеристиками по количеству циклов записи и времени хранения данных.
Серия at24c1024 (Microchip)
Microchip
Общие характеристики
| Раздел | Память | |
| Тип памяти | ||
|---|---|---|
| Подтип памяти | ||
| Интерфейс | ||
| Объём памяти | ||
| Организация памяти | ||
| Рабочая температура |
Документация на серию at24c1024
- найти at24c1024.pdf
Товары серии at24c1024
| Наименование | i | Упаковка | Напряжение | Время доступа | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|
| AT24C1024-10CI-2.7 (MCRCH)
|
| — | |||
| AT24C1024-10PU-2.7 (MCRCH)
| в линейках 50 шт | — | — | DIP8300 | |
| AT24C1024B-PU (MCRCH)
| DIP8300 | ||||
| AT24C1024B-TH-T (MCRCH)
| — | ||||
| AT24C1024B-Th35-B (MCRCH)
| в линейках 100 шт | TSSOP-8 | |||
| AT24C1024BN-SH-B (MCRCH)
| SO-8 SOIC8 | ||||
| AT24C1024BN-SH-T (MCRCH)
| 1 шт | SO-8 SOIC8 | |||
| AT24C1024BN-Sh35-B (MCRCH)
| в линейках 100 шт | SO-8 SOIC8 | |||
| AT24C1024BW-SH-B (MCRCH)
| 50 шт | SO-8 SOIC8 | |||
| AT24C1024BW-SH-T (MCRCH)
| — | ||||
| AT24C1024BW-Sh35-B (MCRCH)
|
| в линейках 95 шт | SO-8 SOIC8 | ||
| AT24C1024BW-Sh35-T (MCRCH)
|
| в ленте 2000 шт | SO-8 SOIC8 | ||
AT24C1024C1-10CI-2. 7 (MCRCH)
|
| 8-LAP (5×8) | |||
| AT24C1024W-10SI-2.7 (MCRCH)
|
| в линейках 94 шт | SO-8 SOIC8 | ||
| AT24C1024W-10SI-2.7 SL383 (MCRCH)
| SO-8 8-SOIC | ||||
| AT24C1024W-10SU-2.7 SL383 (MCRCH)
| SO-8 8-SOIC | ||||
| AT24C1024W-10SU-2.7TR (MCRCH)
|
| в ленте 2000 шт | SO8208127 |
AT24C1024 техническое описание —
Детали, техническое описание, цитата по номеру детали: AT24C1024
| Деталь | AT24C1024 |
| Категория | Память => ПЗУ => EEPROM => 1 Мб |
| Описание | |
| Компания | Корпорация ATMEL |
| Техническое описание | Загрузить AT24C1024 Техническое описание |
| Цитата | Где купить |
| Функции, приложения |
| Особенности 2. AT24C1024 обеспечивает 1 048 576 бит последовательной электрически стираемой и программируемой постоянной памяти (EEPROM), организованной как 131 072 слова по 8 бит каждое. Функция каскадирования устройства позволяет 2 устройствам использовать общую двухпроводную шину. Устройство оптимизировано для использования во многих промышленных и коммерческих приложениях, где необходимы маломощные и низковольтные операции. Имя контакта A1 SDA SCL WP NC Функция Адрес Ввод Последовательные данные Последовательный вход часов Защита от записи Нет соединения Рабочая температура……………………………….до +125C Температура хранения……… …………………………..до +150C Напряжение на любом выводе по отношению к максимальному рабочему напряжению +7,0В…… ………………… 6,25 В пост. тока Выходной ток…….. ………………………………………… 5,0 мА *ВНИМАНИЕ: Нагрузки, превышающие указанные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к необратимому повреждению устройства. Это только оценка нагрузки, и функциональная работа устройства в этих или любых других условиях, кроме указанных в эксплуатационных разделах этой спецификации, не подразумевается. SERIAL CLOCK (SCL): Вход SCL используется для передачи данных синхронизации положительного фронта в каждое устройство EEPROM и данных синхронизации отрицательного фронта из каждого устройства. ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЕ ДАННЫЕ (SDA): контакт SDA является двунаправленным для последовательной передачи данных. Этот штырь управляется открытым стоком и может быть связан проводным ИЛИ с любым количеством других устройств с открытым стоком или открытым коллектором. АДРЕСА УСТРОЙСТВА/СТРАНИЦЫ (A1): контакт A1 является входом адреса устройства, который может быть жестко подключен или оставлен не подключенным для аппаратной совместимости с AT24C128/256/512. Когда контакт A1 жестко подключен, на одной шинной системе может быть адресовано до двух устройств 1024K (адресация устройств подробно обсуждается в разделе «Адресация устройств»). Когда контакт не подключен, по умолчанию A1 равен нулю. AT24C1024, 1024K ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНАЯ EEPROM: 1024K внутренне организована как 512 страниц по 256 байт каждая. Для случайной адресации слова требуется 17-битный адрес слова данных. |
7 (VCC до 5,5 В) Внутренний 8 2-проводных последовательных интерфейсов Триггеры Шмитта, входы с фильтрацией для подавления шума Двунаправленный протокол передачи данных Тактовая частота 400 кГц (2,7 В) и 1 МГц (5 В) Защита от записи Контакт для аппаратной и программной защиты данных Режим записи 256-байтовой страницы (разрешена запись неполной страницы) Режимы произвольного и последовательного чтения Самосинхронный цикл записи (обычно 5 мс) Высокая надежность Долговечность: 100 000 циклов записи/сохранение данных страницы: 40 лет 8- Пакеты PDIP для выводов, 8-выводов EIAJ SOIC, 8-выводов LAP и 8-ball dBGATM
Устройства доступны в компактных 8-выводных корпусах PDIP, 8-выводных EIAJ SOIC, 8-выводных безвыводных массивах (LAP) и 8-шариковых корпусах dBGA. Кроме того, для всего семейства доступны 5,5-вольтовые версии.
Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного времени может повлиять на надежность устройства.
ЗАЩИТА ОТ ЗАПИСИ (WP): контакт аппаратной защиты от записи полезен для защиты всего содержимого памяти от непреднамеренных операций записи. Вход защиты от записи при подключении к GND разрешает обычные операции записи. Когда WP привязан к VCC, все операции записи в память запрещаются. Если оставить его неподключенным, WP внутренне подтягивается к GND. Переключение WP на VCC перед операцией записи создает программную функцию защиты от записи.
| Связанные продукты с тем же паспортом |
| AT24C1024-10CI-2.7 |
| AT24C1024-10PI-2.7 |
| AT24C1024-10UI-2.7 |
| AT24C1024C1-10CI-2.7 |
| AT24C1024W-10SI-2.7 |
| AT24C1024W-10SI-2.7 SL383 |
AT24C1024W-10SU-2. 7 SL383 |
| Некоторые номера деталей того же производителя ATMEL Corporation |
| AT24C1024-10CI-2.7 |
| AT24C128 2-проводные последовательные EePROM 128 тыс. (16 384 X 8) 256 тыс. (32 768 X 8) |
| AT24C128SC 2-проводная, 128K и 256K Serial EePROM |
| AT24C128T1-10TC 2-проводные последовательные EePROM 128 тыс. (16 384 X 8) 256 тыс. (32 768 X 8) |
| AT24C16 2-проводная последовательная EePROM 1k (128×8), 2k (256×8), 4k (512×8), 8k (1024×8), 16k (2048×8) |
| AT24C16-10PI-2.7 2-проводная последовательная CMOS E2PROM |
| AT24C16-10TI-1.8 2-проводная последовательная EePROM 1k (128×8), 2k (256×8), 4k (512×8), 8k (1024×8), 16k (2048×8) |
| AT24C164 2-проводная последовательная EePROM 16k (2048×8) |
| AT24C16A 2/4/8/16K, 2-проводная шина, последовательная EePROM. Использует другую защиту массива по сравнению с AT24C02/04/08 |
AT49BV040-20VC: 4-мегабитная (512kx8) одиночная батарея 2,7 В, напряжение ™ Флэш-память: 512kx8 AT49LV002NT-90PI: 2-мегабитная (256kx8) одиночная 2,7-вольтовая батарея-напряжение ™ флэш-память AT49LV161T: 16 Мбит, 2,7 В, секторная (верхняя загрузка) ATR2434-PLT : Wirelessusb 2,4 ГГц DSSS Radio SoC AT89C51ID2-RLTIM: 8-битный микроконтроллер с флэш-памятью 4 КБ AT68166FT : Многокристальный модуль Rad Hard 16 Мбит 3,3 В SRAM ATWEBEVK-05: Eval и демонстрационная плата и набор программаторов, система разработки; КОМПЛЕКТ EVAL MODULE RS232 TO TCP/IP Спецификации: Основное назначение: Интерфейс, Ethernet; Первичные атрибуты: RS232 к Ethernet; Вторичные атрибуты: — ; Комплект поставки: плата, кабели, блок питания; Используемая микросхема / Деталь: AT89C51RC2 ; Встроенный: Да, MCU, 8-бит; Статус без содержания свинца: содержит свинец; Статус RoHS: не соответствует требованиям RoHS AT65609EHV-C940SV: 128K X 8 STANDARD SRAM, 40 нс, PDIP32 Технические характеристики: Категория памяти: Чип SRAM; Плотность: 1049кбит ; Количество слов: 128 тыс. ATF22LV10CZ-15DI: FLASH PLD, 10 нс, CDIP24 Технические характеристики: Тип корпуса: CDIP, Другое, 0,300 ДЮЙМА, ОКНА, CERDIP-24; Штифты: 24 ; Семейство логики: CMOS; Пользовательские входы/выходы: 10 контактов; Задержка распространения: 10 нс; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F); Напряжение питания: 5 В ATMEGA88A-MUR: 8-БИТ, ФЛЭШ, 16 МГц, МИКРОКОНТРОЛЛЕР RISC, PQFP32 Характеристики: Стадия жизненного цикла: АКТИВНАЯ; Тактовая частота: 16 МГц; Тип ПЗУ: флэш-память; Напряжение питания: от 4,5 до 5,5 вольт; Порты ввода/вывода: 23; Тип упаковки: TQFP, Другой, 7 X 7 ММ, ВЫСОТА 1 ММ, ШАГ 0,80 ММ, ПЛАСТИКОВЫЙ, MS-026ABA, TQFP-32; Рабочий диапазон: коммерческий; Количество выводов: 32; Рабочая температура: 0 TS(X)PC603EMAB/T2ML: 32-битный, 80 МГц, RISC-ПРОЦЕССОР, CQFP240 Технические характеристики: Архитектура: RISC; Шина данных: 64-битная; Напряжение питания: 3,3 В; Тип упаковки: QFP, Другой, КЕРАМИЧЕСКИЙ, QFP-240; Количество выводов: 240; Тактовая частота: 80 МГц; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F) TS87C51RD2-LCLD: 8-бит, OTPROM, микроконтроллер, PDIP40 Технические характеристики: Шина данных: 8 бит; Этап жизненного цикла: АКТИВНЫЙ; Тип ПЗУ: OTP; Порты ввода-вывода: 32; Тип упаковки: CDIP, Другой, ПЛАСТИКОВЫЙ, DIP-40 ; Количество выводов: 40; Особенности: ШИМ |
; Бит на слово: 8 бит; Тип упаковки: 0,400 дюйма, боковая пайка-32; Штифты: 32 ; Семейство логики: CMOS; Напряжение питания: 5 В; Время доступа: 40 нс; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F)| Та же категория |
Am50DL128CH : Стекированная флэш-память MCP и SRAM, 2 X Am29DL640G 64 Мбит (4M X 16-бит) CMOS 3,0 В, одновременная работа флэш-памяти. AT45DCB002 : Флэш-память данных. 8 МБ, 4 МБ, 2 МБ, только 2,7 В, флэш-карты с последовательным интерфейсом. CY62146CV18LL-55BAI : Асинхронная SRAM MicroPower. Асинхронные SRAM Micropower. Высокая скорость Доступность 55 нс и 70 нс Диапазон низкого напряжения: CY62146CV18: 1,65–1,95 В, совместимость по выводам с CY62146V18/BV18 Сверхнизкая активная мощность Типовой активный ток: 0,5 мА МГц Типовой активный ток: f = fmax (скорость 70 нс) Низкое энергопотребление в режиме ожидания Простое расширение памяти с помощью CE и OE Автоматическое отключение питания при отмене выбора CMOS для оптимальной скорости/мощности и автоматически. HY5RS573225F : Память GDDR3. Этот документ является общим продуктом и может быть изменен без предварительного уведомления. Hynix Electronics не несет никакой ответственности за использование описанных схем. Никаких патентных лицензий не подразумевается. Ред. 0.4 / апрель 2004 г. HYMR16416 : 128 МБ. Direct RAMbus Rimm с 128/144 Мбит Rдрамами Предварительно. Модуль Rambus RIMMTM представляет собой высокопроизводительную подсистему памяти общего назначения, подходящую для использования в широком диапазоне приложений, включая компьютерную память, персональные компьютеры, рабочие станции и другие приложения, где требуется высокая пропускная способность и низкая задержка. Модуль Rambus RIMM состоит из 128Mb/144Mb устройств Direct Rambus DRAM. Эти чрезвычайно. IDT72T20108 : 64K X 20/128K X 10 Terasync DDR Fifo, 2,5 В. ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ TeraSyncTM DDR/SDR FIFO 2,5 В, 20-БИТНАЯ/10-БИТНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ x 10 Выберите одну из следующих организаций памяти: до 250 МГц. скорость передачи данных порта, 500 Мбит/с Скорость передачи данных -DDR в DDR -DDR в SDR -SDR в DDR -SDR в SDR Выбирается пользователем HSTL или LVTTL. K4h380438D : = K4h380438D 128Mb D-die (x4/8) DDR Sdram ;; Организация = 32Mx4 ;; Банк/Интерфейс = 4B/SSTL2 ;; Обновление = 4K/64 мс ;; Скорость = B3,A2,B0,A0 ;; Пакет = 66TSOP2 ;; Мощность = C,l ;; Статус производства = Eol ;; Комментарии = DDR200/266, 2,5 В VDD. KMM372F803BS : DIMM с буферизацией. = KMM372F803BS 8Mx72 DRAM Dimm с Ecc с использованием обновления 8Mx8,4K&8K, 3,3 В ;; Плотность (МБ) = 64 ;; Организация = 8Mx72 ;; Режим = Эдо ;; Обновление = 4K/64 мс ;; Скорость(нс) = 50,60 ;; #Пин = 168 ;; Состав компонентов = (8Mx8)x9+Привод ICx2 ;; Статус производства = Eol ;; Комментарии = Буферизовано. KT3272SRN0R : ->DIMM. Этот модуль памяти представляет собой высокопроизводительный 256-мегабайтный зарегистрированный синхронный динамический модуль RAM, организованный в 168-контактный пакет модуля памяти Dual In-Line (DIMM). Модуль использует тридцать шесть (36) устройств 4Mx4X4 SDRAM (обновление 64 мс) в корпусе TSOP II 400 mil. M368L3313BT0 : = M368L3313BT0 32Mx72 DDR Sdram 184pin Dimm На основе 32Mx8 ;; Плотность (МБ) = 256 ;; Организация = 32Mx64 ;; Банк/Интерфейс = 4B/SSTL2 ;; Обновление = 4K/64 мс ;; Скорость = A2,B0,A0 ;; #Пин = 184 ;; Мощность = C,l ;; Состав компонентов = (16Mx8)x16 ;; Статус производства = Eol ;; Комментарии = не Ecc. M5M5V5636GP-13I : Сетевая SRAM->Быстрая SRAM. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Mitsubishi Electric и Mitsubishi XX, в Renesas Technology Corp. Полупроводниковые операции Hitachi и Mitsubishi Electric были переданы Renesas Technology Corporation 1 апреля 2003 года. Эти операции включают в себя микрокомпьютер, логику, аналоговые и дискретные устройства, и память. MCM2532 : 4096 X 8-битный ультрафиолетовый стираемый пром. MR18R1626MN1 : Обычный RIMM. МСК23Б136Д : DRAM и ASM. 1M X 36 DRAM FPM. MC2GU512NMCA : Флэш-карта MultiMediaCard представляет собой универсальный недорогой носитель данных и средств связи. Он предназначен для широкого спектра применений, таких как мобильные телефоны, электронные игрушки, органайзеры, карманные компьютеры, фотоаппараты, смартфоны, цифровые записывающие устройства, MP3-плееры, пейджеры и т. д. Нацелены на высокую мобильность и высокую производительность при низкой себестоимости. Это также может быть выражено. IDT709159L6BFG : ДВУХПОРТОВАЯ SRAM 8K X 9, 15 нс, PBGA100. U62H824PA35G1 : 8K X 24 СТАНДАРТНАЯ SRAM, 35 нс, PQCC52. s: Категория памяти: Чип SRAM ; Плотность: 197 кбит; Количество слов: 8 тыс.; Бит на слово: 24 бита; Тип упаковки: ПЛАСТИКОВАЯ, LCC-52; Штифты: 52 ; Семейство логики: CMOS; Напряжение питания: 5 В; Время доступа: 35 нс; Рабочая температура: от -40 до 125 C (от -40 до 257 F). |
1 Номер редакции История Определенная целевая спец. Полная версия спецификации IDD. Вставить параметр AC Дата проекта Апрель 2003 г. Октябрь 2003 г. Декабрь 2003 г. Апрель
256-байтная последовательная EEPROM содержит информацию о конфигурации модуля. EEPROM можно настроить.
= MR18R1626MN1 (16M X 18) X4(6/8)шт. Модуль RIMM(TM) на основе M-кристалла 288Mb, банки 32s, 16K/32ms Ref, 2.5V ;; Плотность (МБ) = 192 ;; Организация = 96Mx18 ;; Компонентный состав = 288M(1st)x6 ;; Напряжение (В) = 2,5;; Обновление = 16К/32мс ;; Скорость (МГц)/ TRAC (нс) = 300/53,3 356/45 400/45; #Пин = 184 ;; Статус производства = Eol ;; Комментарии = Ss,ecc.
s: Категория памяти: Чип SRAM ; Плотность: 74 кбит; Количество слов: 8 тыс.; Бит в слове: 9биты; Тип упаковки: 10 х 10 мм, высота 1,40 мм, шаг 0,80 мм, FPBGA-100; Пины: 100; Семейство логики: CMOS; Напряжение питания: 5 В; Время доступа: 15 нс; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F).
0-C D-L M-R S-Z
Datasheet begin, distributors inventory
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 2-1 | 0007 | 2-2 | 2-3 |
