(новый Оригинал) Биполярный Npn Транзистор A42 B331 To-92
(Новый оригинальный) биполярный транзистор типа NPN, A42 B331 TO-92
Описание продукта:
| Характеристики продукта | |
| Категории | Дискретный полупроводник товары |
|---|---|
| Транзисторы-биполярные (BJT)-одиночные | |
| Серия | — |
| Упаковка | Трубка |
| Состояние части | Для активного отдыха |
| Транзистор типа | Силовые транзисторы NPN |
| Тококоллектор (Ic) (макс.) | 500mA |
| Пробой излучателя напряжения (макс.) | 300 V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| Тококоллектор среза (макс.) | 100nA (ICBO) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, алюминиевая крышка, 10В |
| Мощность макс | 625 МВт |
| Частота-Переход | 50 МГц |
| Рабочая температура | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Тип установки | Сквозное отверстие |
| Посылка/Чехол | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Информация о поставщике устройство посылка | До-92-3 |
Упаковка & Доставка
- Доставка:UPS/FedEx/DHL/TNT/EMS. Пожалуйста, свяжитесь с нами напрямую, какой способ вы предпочитаете.
Для стран и регионов, где EMS не могут доставить, пожалуйста, выберите другие способы доставки.
Информация о компании
Шэньчжэнь XieFengDa Electronics co., Ltd Был создан в 2007 году. Ранее он известен как XieFeng (H. K.) Electron Limited, который был найден в 2003 году. Компания основана в Гонконге, в Шэньчжэне. Специализируется на электронных компонентах: IC/транзистор/диод/конденсатор/резистор и т. д. наши клиенты по всему миру, в разных часовых поясах. Особенно в Европе.
Общий объем продаж в 2016 году превысил 10 миллионов долларов. После многих лет развития, наша компания имеет много старых клиентов, которые являются производителями аудио, LCD, PC, PCB.
Большинство товары являются новыми и оригинальными, пожалуйста, свяжитесь со мной.
1. более чем 1000000 собственными запасами Инвентаризация для удовлетворения ваших потребностей различных товары.
Мы специализируемся на различных типахМодули.Активные электронные компоненты(Интегральные схемы, реле, датчики и т. д.)И
Транзистор S8050 Эквивалент S8550 D331 Pnp To-92 Транзистор
S8050 транзистор эквивалент s8550 d331 pnp to-92 транзистор
Примечание:Большое количество общего mosfer taransistor в наличии, полная серия транзисторов, включая горячие продажи Z0607, s9013. Посылка, такие как TO92, TO126, SOT23, SOT323, SOT523, SIT123 и т. Д.
Из-за большого количества существующих моделей транзисторов, мы не можем показать их все на сайте,
Описание продукта:
Информация о компании
Упаковка & Доставка
Склад
Вопросы и ответы
Связаться с нами
Микросхемы.
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке ( серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
Динамические параметры микросхем ТТЛ серииПри совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи.п.= 4,5 В | 2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В | -40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
| Iк.з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
S8550 транзистор характеристики и его российские аналоги
Биполярный транзистор S8550 как говорят его характеристики является p-n-p структуры. Это означает что коллектор и эмиттер останутся открытыми (смещенными в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (смещенными в прямом направлении), когда на базовый вывод подается сигнал.
Распиновка
Цоколевка S8550 корпуса To-92 выглядит следующим образом:
- Эмиттер — ток вытекает через излучатель, нормально подключенный к земле;
- База — управляет смещением транзистора, используется для его включения или выключения;
- Коллектор — ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке.
Основные характеристики
- Низкое напряжение, большой ток;
- Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 500 мА;
- Напряжение коллектора-эмиттера (VCEO) составляет -25 В;
- Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет -40В;
- Напряжение базы эмиттера (VBE0) -5В;
- Текущее усиление (hFE) от 85 до 300
- Обычно используется в качестве двухтактных транзисторов класса B;
- Корпус To-92.
Комплементарной парой для него является S8050.
Использование в двухтактной конфигурации
Как уже упоминалось в параметрах, S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.
Двухтактный усилитель, обычно известный как усилитель класса B, является типом многоступенчатого усилителя, обычно используемого для усиления звука динамика. Это очень просто построить и требует двух идентичных дополнительных транзисторов. Под дополнительным подразумевается, что нам нужен транзистор NPN и его эквивалентный PNP. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.
2D модель корпуса
Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, вам будет полезно изучить следующее изображение , чтобы узнать тип и размеры корпуса данного устройства.
Аналоги
Отечественный аналог транзистора S8550 найти не удалось, но чем заменить из зарубежных достаточно много:
- S8050;
- BC527;
- KSA708;
- MPS750;
- BC557;
- 2N3906;
- A1015;
- 2SA1943;
- BD140.
DataSheet
Полные технические данные про s8550 подробно можно найти в его DataSheet.
D882 транзистор характеристики, российские аналоги, цоколевка
По техническим характеристикам биполярный транзистор d882 является мощным высокочастотный устройством, изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии. Предназначен для применения в ключевых и линейных схемах, приборах широкого назначения. Имеет n-p-n структуру. Отличается высоким значением пропускаемого постоянного коллекторного тока (до 3 А) и низкими порогами напряжения насыщения.
Распиновка
Цоколевка транзистор d882 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-126. Европейская компания STMicroelectronics выпускает его в похожей по параметрам фирменной упаковке с наименованием SOT-32. Слева на право: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).
Многие производители выпускают D882 в корпусе для поверхностного монтажа на плату (SMD) — SOT-89. Распиновки их имеет зеркальный вариант, слева на право — БКЭ.
Технические характеристики
D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:
- напряжение между: К-Б — VCBO (Uкб max) до 40 В; К-Е — VCEO (Uкэ max) до 30 В;Э-Б — VEBO (Uэб max) до 6 В;
- коллекторный ток: постоянный IC (Iк max) = 3 А; переменный, при tP < 5ms — ICM (Iки max) до 6 А;
- ток базы IB (IБ max) = 3 А до 1 А;
- мощность рассеиваемая на коллекторе РС (Рк max) до 1.25 Вт;
- тепловое сопротивление перехода Rthj-case — 10 ° C/Вт;
- диапазон температур хранения и использования Tstg = -55 … 150 оС;
- температура кристалла TJ до 150 оС.
У разных производителей отдельные величины немного отличатся от приведенных в этой статье.
Электрические параметры
Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.
Коэффициента усиления по току
В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.
Комплементарная пара
Рекомендуемая комплементарная пара — транзистор 2SB772, имеющий противоположную структуру p-n-p.
Влияние радиатора
Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.
Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.
Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.
Аналоги
Полными зарубежными аналогами у D882 являются:2sD882, 2SC1368. В качестве замены можно так же рассмотреть похожие по своим свойствам устройства: BD437, KTD882, HSD882S, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, BDX37, KSD882, KSH882, MJE222, MJE225, MJE242, MJE244. В некоторых случаях можно рекомендовать хорошую альтернативу от белорусского предприятия “Интеграл” — КТ815 или достаточно редкий КТ9177А . Стоит признать, что полноценного (отечественного) российского аналога для рассмотренного транзистора нет.
Производители
На международном рынке распространены транзисторы D882 изготовленные следующими компаниями: Jiangsu Changjiang Electronics Technнology, SeCoS Halbleitertechnologie, Shenzhen Jingdao Electronic, Shike Electronics, Daya Electric Group, Diode Semiconductor Korea, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, STMicroelectronics(STM), Stanson Technology, Nanjing International Group, Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited и другие.
В России наиболее популярны устройства произведенные компаниями: Shenzhen Electronics, STM. Кликнув по ссылке, можно скачать соответствующее техническое описание — DataSheeat.
| USB3317C-CP-TR | Microchip Technology Inc | DATACOM, ИНТЕРФЕЙСНАЯ ЦЕПЬ | |||
| USB3316C-GJ-TR | Microchip Technology Inc | DATACOM, ИНТЕРФЕЙСНАЯ ЦЕПЬ, PBGA25, 3 X 3 ММ, ВЫСОТА 0,88 ММ, ШАГ 0,50 ММ, СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS, VFBGA-25 | |||
| USB3316C-GM-TR | Microchip Technology Inc | DATACOM, ИНТЕРФЕЙСНАЯ ЦЕПЬ | |||
| USB3310C-CP | Microchip Technology Inc | IC TXRX USB 2.0 ULPI 24VQFN | |||
| USB3310C-CP-TR | Microchip Technology Inc | DATACOM, ИНТЕРФЕЙСНАЯ ЦЕПЬ | |||
| USB3319C-GJ-TR | Microchip Technology Inc | DATACOM, ИНТЕРФЕЙСНАЯ ЦЕПЬ |
Транзисторный радиоприемник Mos B331 с низким энергопотреблением, эквивалентный npn-пакет To-92
информация
Маломощный транзисторный радиомодуль mos b331, эквивалентный npn-пакет TO-92
ГОРЯЧАЯ ПРОДАЖА
Щелкните нас, чтобы получить БЕСПЛАТНЫЙ ОБРАЗЕЦ
Как насчет послепродажного обслуживания?Гарантия 1,365 дней
Возврат 2,20 дней без причины
3. Если у клиента возникнут вопросы, мы своевременно предоставим техническую поддержку.
Q: Каковы преимущества вашей продукции?
1.У нас есть все модели материала, сэкономим ваше время на его поиски и порекомендуем вам материалы, если они вам нужны.
2. С таким же качеством продукции, мы можем предложить вам лучшую цену. Запросы к послепродажному обслуживанию, мы предоставим хорошее обслуживание, такое как обновление статуса продукта, техническая поддержка и т. Д. (24 часа онлайн)
3. У нас много запасов, и время доставки обычно короткое.
Q: Каково ваше MOQ?
A: MOQ.Мы принимаем небольшие заказы. Потому что мы верим, что в будущем небольшие заказы могут стать большими.
В: Если я размещу заказ, сколько времени займет его доставка?
A: Обычно это занимает всего 2-3 дня после получения платежа, в зависимости от заказанного количества и состояния запасов.
Вопрос: У вас есть OEM / ODM?
A: Да. У нас есть наш завод. Сообщите нам ваши требования, мы ответим как можно скорее, для вашего удобства мы предлагаем услуги по индивидуальной упаковке и печати.
Q: Как вы проверяете продукт перед его упаковкой?
A: У нас есть строгая процедура контроля качества, каждый продукт будет протестирован с помощью профессиональных процедур перед упаковкой.
Если вы не нашли нужный материал на нашей платформе. Пожалуйста, не уходите сразу. Вы можете нажать связаться с поставщиком . В нашей компании есть все модели материалов, но не все они отображаются на платформе.
.Что такое транзистор, его функции и характеристики [видео]
Теплые советы: Слово в этой статье составляет около 3200 слов, а время чтения — около 15 минут.
Введение
Эта статья в основном расскажет, что такое транзистор, а также его подробные характеристики и функции. Транзистор — это своего рода твердое полупроводниковое устройство, которое имеет множество функций, таких как обнаружение, выпрямление, усиление, переключение, стабилизация напряжения, модуляция сигнала и так далее.В качестве переключателя переменного тока транзистор может управлять выходным током в зависимости от входного напряжения. В отличие от обычных механических переключателей (таких как реле и переключатели), транзисторы используют телекоммуникационные сигналы для управления их включением и выключением, а скорость переключения может быть очень высокой, которая может достигать более 100 ГГц в лаборатории. Национальная лаборатория Лоуренса Беркли преодолела физический предел и сократила самый сложный транзисторный процесс с 14 до 1 нм, сделав прорыв в вычислительной технологии.
Что такое транзистор? Определение, функции и использование
Ядро статьи | Введение в транзисторы | Назначение | Знакомство с транзистором, его функциями и характеристиками |
Английское название | Транзистор | Категория | Дискретные полупроводниковые приборы |
Функция | Используется как детектор, выпрямитель, усилитель, переключатель, стабилизатор напряжения, модуляция сигнала | Характеристика | Высокий отклик и высокая точность |
Каталог
I Что такое транзистор?
Транзисторы — это полупроводниковые устройства, которые обычно используются в усилителях или электрически управляемых переключателях.Транзисторы являются основным строительным блоком, регулирующим работу компьютеров, мобильных телефонов и всех других современных электронных схем.
Благодаря высокому отклику и высокой точности транзисторы могут использоваться для широкого спектра цифровых и аналоговых функций, включая усилители, переключатели, стабилизаторы напряжения, модуляцию сигнала и генераторы. Транзисторы могут быть упакованы независимо или на очень небольшой площади, вмещая часть 100 миллионов или более транзисторных интегральных схем.
(технология транзисторов Intel 3D)
Строго говоря, под транзисторами понимаются все отдельные элементы на основе полупроводниковых материалов, включая диоды, транзисторы, полевые транзисторы, тиристоры и т. Д., Изготовленные из различных полупроводниковых материалов. Транзисторы в основном относятся к кристаллическим триодам.
Транзисторыделятся на две основные категории: биполярные транзисторы (BJT ) и полевые транзисторы (FET) .
структура транзистора
Транзистор имеет три полюса: три полюса биполярного транзистора состоят из типа N и типа P соответственно: Эмиттер, База и Коллектор ; три полюса полевого транзистора: Source, Gate, Drain .
Из-за трех полярностей транзистора их также можно использовать тремя способами: заземленный эмиттер (также называемый общим усилителем излучения / конфигурацией CE), заземленная база (также называемая конфигурацией усилителя общей базы / CB) и заземленный коллектор (также называемый общий набор усилитель / конфигурация CC / эмиттерный соединитель).
II Разработка транзисторов
В декабре 1947 года группа компаний Belle Labs, Shockley, Barding и Bratton разработала германиевый транзистор с точечным контактом, появление которого было главным изобретением 20 века и предвестником революции в микроэлектронике. С появлением транзисторов люди смогли использовать небольшое электронное устройство с низким энергопотреблением вместо лампы с большим объемом и большим потреблением энергии. Изобретение транзистора послужило толчком к рождению интегральной схемы.
В начале 1910-х годов в системах связи начали использовать полупроводники. В первой половине 20-го века рудные радиоприемники, которые были широко популярны среди радиолюбителей, использовались для обнаружения с помощью таких полупроводников. Электрические свойства полупроводников также применяются в телефонных системах.
В феврале 1939 года лаборатория Белла делает великое открытие — кремниевый PN переход. В 1942 году студент по имени Сеймур Бензер из исследовательской группы Университета Пердью, возглавляемой Ларком Горовицем, обнаружил, что монокристаллы германия обладают превосходными выпрямляющими свойствами, которых нет у других полупроводников.Эти два открытия соответствовали требованиям правительства США и заложили основу для последующего изобретения транзисторов.
2.2 Точечно-контактные транзисторы
В 1945 году точечный транзистор, изобретенный Шокли и другими учеными, стал предвестником революции в области микроэлектроники человека. По этой причине Шокли подал заявку на патент на первый транзистор для Bell. Наконец, он получил разрешение на первый патент на транзистор.
2.3 Биполярные и униполярные транзисторы
В 1952 году Шокли предложил концепцию униполярного переходного транзистора на основе биполярного транзистора в 1952 году, который сегодня называют переходным транзистором. Его структура аналогична структуре биполярного транзистора PNP или NPN, но на границе раздела материала PN имеется обедненный слой, который образует выпрямительный контакт между затвором и проводящим каналом стока истока. В то же время полупроводник на обоих концах используется как затвор.Ток между истоком и стоком регулируется затвором.
Подробное описание того, как работает биполярный переходной транзистор NPN и что он делает
Fairy Semiconductor, производящая транзисторы, выросла из компании, состоящей из нескольких человек, в большую компанию с 12 000 сотрудников.
После изобретения кремниевого транзистора в 1954 году большие перспективы применения транзисторов становились все более очевидными. Следующая цель ученых — еще более эффективно соединять транзисторы, провода и другие устройства.
2.6 Полевой транзистор (FET) и МОП-транзистор
В 1962 году Стэнли, Хейман и Хофштейн, которые работали в исследовательской группе интеграции устройств RCA, обнаружили, что транзисторы, то есть МОП-транзисторы, могут быть сконструированы путем диффузии и термического окисления проводящих полос, каналов с высоким сопротивлением и оксидных изоляторов на поверхности. Подложки Si.
В начале основания Intel компания все еще фокусировалась на планках памяти.Hoff объединил все функции центрального процессора на одном кристалле, а также память. И это первый в мире микропроцессор — 4004 (1971). Рождение 4004 года знаменует начало целой эпохи. С тех пор Intel стала неконтролируемой и доминирующей в области исследований микропроцессоров.
В 1989 году Intel представила 80486 процессоров. В 1993 году Intel разработала новое поколение процессоров. А в 1995 году Intel выпустила Pentium_Pro. Процессор PentiumII выпущен в 1997 году. В 1999 году выпущен процессор Pentium III, а процессор Pentium 4 — в 2000 году.
III Классификация транзисторов
3.1 Как классифицировать транзистор
> Материал, используемый в транзисторе
По полупроводниковым материалам, используемым в транзисторе, его можно разделить на кремниевый транзистор и германиевый транзистор. В зависимости от полярности транзистора, его можно разделить на германиевый транзистор NPN, германиевый транзистор PNP, кремниевый транзистор NPN и кремниевый транзистор PNP.
> Технологии
По своей структуре и процессу изготовления транзисторы можно разделить на диффузионные транзисторы, транзисторы из сплава и планарные транзисторы.
> Текущая мощность
По допустимому току транзисторы можно разделить на транзисторы малой мощности, транзисторы средней мощности и транзисторы большой мощности.
> Рабочая частота
По рабочей частоте транзисторы можно разделить на низкочастотные транзисторы, высокочастотные транзисторы и сверхвысокочастотные транзисторы.
> Структура пакета
В зависимости от структуры упаковки транзисторы можно разделить на транзисторы с металлической упаковкой, транзисторы с пластиковой упаковкой, транзисторы со стеклянной оболочкой, транзисторы с поверхностной упаковкой и транзисторы с керамической упаковкой и т. Д.
> Функции и использование
По функциям и использованию транзисторы можно разделить на малошумящие транзисторы усилителя, транзисторы усилителя средней и высокой частоты, переключающие транзисторы, транзисторы Дарлингтона, транзисторы с высоким обратным напряжением, полосовые транзисторы, демпфирующие транзисторы, микроволновые транзисторы, оптические транзисторы и магнитные транзистор и многие другие типы.
3.2 Типы транзисторов и их характеристики
> Гигантский транзистор (GTR)
GTR — это высоковольтный сильноточный биполярный транзистор (BJT), поэтому его иногда называют мощным BJT.
Особенности: Высокое напряжение, высокий ток, хорошие характеристики переключения, высокая мощность привода, но схема управления сложна; Принцип работы ОТО и обычных биполярных транзисторов одинаков.
> Фототранзистор
Фототранзисторы — это оптоэлектронные устройства, состоящие из биполярных транзисторов или полевых транзисторов.Свет поглощается в активной области таких устройств, производя фотогенерируемые носители, которые проходят через внутренний механизм электрического усиления и генерируют усиление фототока. Фототранзисторы работают на трех концах, поэтому их легко реализовать с помощью электронного управления или электрической синхронизации. Материалами, используемыми в фототранзисторах, обычно являются GaAs, которые в основном делятся на биполярные фототранзисторы, полевые фототранзисторы и связанные с ними устройства. Биполярные фототранзисторы обычно имеют высокое усиление, но не слишком быстрое.Для GaAs-GaAlAs коэффициент увеличения может быть больше 1000, время отклика больше наносекунды, что часто используется в качестве фотодетектора и оптического усиления. Фототранзисторы с полевым эффектом (FET) реагируют быстро (около 50 пикосекунд), но недостатком является то, что светочувствительная площадь и малое усиление, что часто используется в качестве сверхвысокоскоростного фотодетектора. Есть много других связанных с ними плоских оптоэлектронных устройств, отличительными чертами которых являются высокая скорость отклика (время отклика составляет десятки пикосекунд) и которые подходят для интеграции.Ожидается, что такого рода устройства будут применяться в оптоэлектронной интеграции.
> Биполярный транзистор
Биполярный транзистор — это разновидность транзистора, обычно используемого в аудиосхемах. Биполярность возникает из-за протекания тока в двух типах полупроводниковых материалов. Биполярные транзисторы можно разделить на тип NPN или тип PNP в зависимости от полярности рабочего напряжения.
> Биполярный переходной транзистор (BJT)
«Биполярный» означает, что электроны и дырки находятся в движении одновременно с работой.Биполярный переходный транзистор, также известный как полупроводниковый триод, представляет собой устройство, которое объединяет два PN перехода посредством определенного процесса. Есть две комбинированные структуры PNP и NPN. Внешнее выявление трех полюсов: коллектора, эмиттера и базы. BJT имеет функцию усиления, которая в зависимости от его эмиттерного тока может передаваться через область базы в область коллектора. Для обеспечения этого процесса переноса, с одной стороны, должны быть выполнены внутренние условия, то есть концентрация примеси в области излучения должна быть много больше концентрации примеси в области основания, а толщина области основания должен быть очень маленьким; с другой стороны, должны выполняться внешние условия.То есть эмиссионный переход должен иметь положительное смещение (плюс положительное напряжение), а коллекторный переход должен иметь обратное смещение. Есть много видов BJT, в зависимости от частоты, есть высокочастотные и низкочастотные лампы; по мощности бывают лампы малой, средней и большой мощности; в зависимости от материала полупроводника бывают кремниевые и германиевые лампы и т. д. Схема усилителя состоит из общего эмиттера, общей базы и общего коллектора.
БЮТ
> Полевой транзистор (FET)
Значение «полевого эффекта» заключается в том, что принцип работы транзистора основан на эффекте электрического поля полупроводника.
Полевые транзисторы — это транзисторы, работающие по принципу полевых эффектов. Существует два основных типа полевых транзисторов: Junction FET (JFET) и металл-оксидные полупроводниковые полевые транзисторы (MOS-FET). В отличие от BJT, полевой транзистор состоит только из одной несущей, поэтому его также называют униполярным транзистором. Он относится к полупроводниковым устройствам с регулируемым напряжением, которые обладают такими преимуществами, как высокое входное сопротивление, низкий уровень шума, низкое энергопотребление, широкий динамический диапазон, простота интеграции, отсутствие вторичного пробоя, широкая безопасная рабочая зона и т. Д.
Эффект поля состоит в изменении направления или величины электрического поля, перпендикулярного поверхности полупроводника, для управления плотностью или типом большинства носителей в полупроводниковом проводящем слое (канале). Ток в канале модулируется напряжением, а рабочий ток переносится большинством носителей в полупроводнике. По сравнению с биполярными транзисторами, полевые транзисторы характеризуются высоким входным импедансом, низким уровнем шума, высокой предельной частотой, низким энергопотреблением, простым производственным процессом и хорошими температурными характеристиками, которые широко используются в различных усилителях, цифровых схемах и микроволновых схемах и т. Д.Металлические полевые МОП-транзисторы на основе кремния и полевые транзисторы с барьером Шоттки (MESFET) на основе GaAs являются двумя наиболее важными полевыми транзисторами. Они являются основными устройствами крупномасштабной интегральной схемы MOS и сверхскоростной интегральной схемы MES соответственно.
FET
> Одноэлектронный транзистор
Транзистор, который может записывать сигнал с одним или небольшим количеством электронов. С развитием технологии травления полупроводников интеграция крупномасштабных интегральных схем становится все более и более высокой.Возьмем, к примеру, динамическую память с произвольным доступом (DRAM), ее интеграция растет почти в четыре раза каждые два года, и ожидается, что конечной целью будет одноэлектронный транзистор. В настоящее время средняя память содержит 200 000 электронов, в то время как одноэлектронный транзистор содержит только один или несколько электронов, поэтому это значительно снизит энергопотребление и улучшит интеграцию интегральных схем. В 1989 году J.H. Ф. Скотт-Томас и другие исследователи открыли феномен кулоновской блокировки.Когда подано напряжение, через квантовую точку не будет проходить ток, если изменение количества электрического заряда в квантовой точке меньше одного электрона. Таким образом, зависимость тока от напряжения — это не нормальная линейная зависимость, а ступенчатая. Этот эксперимент является первым случаем в истории, когда движение электрона регулируется вручную, что обеспечивает экспериментальную основу для изготовления одного электрона. транзистор.
> Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
Биполярный транзисторс изолированным затвором сочетает в себе преимущества гигантских транзисторов GTR и силовых полевых МОП-транзисторов.Он обладает хорошими свойствами и имеет широкий спектр применения. IGBT также является трехполюсным устройством: затвор, коллектор и эмиттер.
IV Основные параметры транзисторов
Основные параметры транзистора включают коэффициент усиления тока, мощность рассеяния, характеристическую частоту, максимальный ток коллектора, максимальное обратное напряжение, обратный ток и так далее.
4.1 Коэффициент усиления постоянного тока
Коэффициент усиления постоянного тока, также называемый коэффициентом усиления статического тока или коэффициентом усиления постоянного тока, относится к отношению IC тока коллектора транзистора к базовому току IB, которое обычно выражается через hFE или β, когда вход статического сигнала не изменяется. .
4.2 Коэффициент усиления переменного тока
Коэффициент усиления переменного тока, также называемый коэффициентом усиления переменного тока и коэффициентом усиления динамического тока, относится к отношению IC к IB в состоянии переменного тока, которое обычно выражается через hfe или β. hfe и β тесно связаны, но также различны. Эти два параметра близки на низкой частоте и имеют некоторые различия на высокой частоте.
Мощность рассеивания, также известная как максимально допустимая мощность рассеивания коллектора —- PCM, относится к максимальной мощности рассеивания коллектора, когда параметр транзистора не превышает заданное допустимое значение.
Рассеиваемая мощность тесно связана с максимально допустимым переходным и коллекторным током транзистора. Фактическая потребляемая мощность транзистора не должна превышать значение PCM, когда он используется, иначе транзистор будет поврежден из-за перегрузки.
Транзистор, мощность рассеяния PCM которого меньше 1 Вт, обычно называется транзистором малой мощности, который равен или больше 1 Вт, транзистор меньше 5 Вт называется транзистором средней мощности, а транзистор, PCM которого равен или больше чем 5Вт называется мощным транзистором.
4.4 Характеристическая частота (fT)
Когда рабочая частота транзистора превышает частоту среза fβ или fα, коэффициент усиления тока β будет уменьшаться с увеличением частоты. Характерная частота — это частота транзистора, при которой значение β уменьшается до 1.
Транзисторы, характеристическая частота которых меньше или равна 3 МГц, обычно называются низкочастотными транзисторами, транзисторы с fT больше или равными 30 МГц называются высокочастотными транзисторами, транзисторы с fT более 3 МГц и транзисторы менее 30 МГц называются транзисторы промежуточной частоты.
4,5 Максимальная частота (фМ)
Максимальная частота колебаний — это частота, при которой усиление мощности транзистора уменьшается до 1.
Как правило, максимальная частота колебаний высокочастотных транзисторов ниже, чем общая базовая частота среза fα, в то время как характеристическая частота fT выше, чем общая базовая частота среза fα, и ниже, чем частота среза общего коллектора fβ.
4.6 Максимальный ток коллектора (ICM)
Максимальный ток коллектора (ICM) — это максимально допустимый ток через коллектор транзистора. Когда ток коллектора IC транзистора превышает ICM, значение β транзистора явно изменится, что повлияет на его нормальную работу и даже вызовет повреждение.
4,7 Максимальное обратное напряжение
Максимальное обратное напряжение — это максимальное рабочее напряжение, которое транзистор может подавать во время работы.Оно включает в себя обратное напряжение пробоя коллектор-эмиттер, обратное напряжение пробоя коллектор-база и обратное напряжение пробоя эмиттер-база.
> Напряжение обратного пробоя коллектор-коллектор
Это напряжение относится к максимально допустимому обратному напряжению между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы транзистора, обычно выражается в VCEO или BVCEO.
> Обратное напряжение пробоя база — база
Напряжение относится к максимально допустимому обратному напряжению между коллектором и базой при включении транзистора, которое выражается в VCBO или BVCBO.
> Напряжение обратного пробоя эмиттер-эмиттер
Это напряжение относится к максимально допустимому обратному напряжению между эмиттером и базой, когда коллектор транзистора открыт, которое выражается в VEBO или BVEBO.
Обратный ток между коллектором и базовым электродом
> Коллектор — база обратного тока (ICBO)
ICBO, также называемый током обратной утечки коллектора, относится к обратному току между коллектором и базовым электродом, когда эмиттер транзистора открыт.Обратный ток чувствителен к температуре. Чем меньше значение, тем лучше температурная характеристика транзистора.
> Ток обратного пробоя коллектор — эмиттер (ICEO)
Обратный ток пробоя ICEO между коллектором и эмиттером
ICEO — обратный ток утечки между коллектором и эмиттером при открытой базе транзистора. Чем меньше ток, тем лучше производительность транзистора.
Книжное предложение
Тщательно переработанный и обновленный, этот весьма успешный учебник знакомит студентов с анализом и проектированием транзисторных схем.Он охватывает широкий спектр схем, как линейных, так и переключающих. Методы транзисторных схем: дискретные и интегральные предоставляет студентам обзор основных качественных операций схемы с последующим изучением процедуры анализа и проектирования. Он включает в себя решенные задачи и примеры дизайна, чтобы проиллюстрировать концепции. Это третье издание включает две дополнительные главы об усилителях мощности и источниках питания, которые развивают многие методы проектирования схем, представленные в предыдущих главах.Эта книга, входящая в серию «Руководства по электронной инженерии», предназначена для студентов первого и второго курсов бакалавриата. Сам по себе полный текст, он предлагает дополнительное преимущество в виде перекрестных ссылок на другие заголовки в серии. Это идеальный учебник как для студентов, так и для преподавателей.
— Гордон Дж. Ричи
Создавайте сложные транзисторные радиоприемники, которые недороги, но очень эффективны. Создайте свои собственные транзисторные радиоприемники: «Руководство по высокопроизводительным и маломощным радиосхемам» для любителей предлагает полные проекты с подробными схемами и идеями о том, как были разработаны радиоприемники.Узнайте, как выбирать компоненты, создавать различные типы радиомодулей и устранять неполадки в своей работе. Если копнуть глубже, этот практический ресурс покажет вам, как создавать инновационные устройства, экспериментируя с существующими конструкциями и радикально улучшая их.
— Рональд Куан
Актуальная информация по теме «Что такое транзистор, а также его функции и характеристики»
О статье «Что такое транзистор, а также его функция и характеристики», Если у вас есть лучшие идеи, не стесняйтесь писать свои мысли в следующей области комментариев.Вы также можете найти больше статей об электронных полупроводниках через поисковую систему Google или обратиться к следующим связанным статьям.
.