Bc557 Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°. BC557: характСристики, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ особСнности PNP-транзистора

КакиС основныС характСристики ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ транзистор BC557. Π“Π΄Π΅ примСняСтся этот PNP-транзистор. КакиС особСнности Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ использовании BC557 Π² элСктронных схСмах. На Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² BC557.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики транзистора BC557

BC557 — это ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ биполярный PNP-транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния. Он выпускаСтся Π² пластиковом корпусС TO-92 ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹:

  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр: -45 Π’
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°: -100 мА
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (hFE): 110-800 (Π² зависимости ΠΎΡ‚ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹)
  • Граничная частота: 100 ΠœΠ“Ρ†
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: 500 ΠΌΠ’Ρ‚

КакиС прСимущСства Π΄Π°ΡŽΡ‚ эти характСристики? ΠžΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ высокий коэффициСнт усилСния позволяСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ BC557 Π² каскадах ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилСния. Граничная частота 100 ΠœΠ“Ρ† обСспСчиваСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π² Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅. НизкоС напряТСниС насыщСния Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ транзистор подходящим для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.


ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ примСнСния BC557

Благодаря своим характСристикам BC557 Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… элСктронных устройствах:

  • ΠœΠ°Π»ΠΎΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ усилитСли Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… частот
  • ΠšΠ°ΡΠΊΠ°Π΄Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилСния
  • ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ схСмы для Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ Π΄ΠΎ 100 мА
  • Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ свСтодиодов
  • Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
  • ΠšΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ напряТСния

Π“Π΄Π΅ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ BC557? Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ транзистор часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ элСктроникС, Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ…, усилитСлях Π·Π²ΡƒΠΊΠ°, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°Ρ… ΠΈ сигнализациях. Π•Π³ΠΎ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ BC557 популярным Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ для Π»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΈ прототипирования.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ использования BC557 Π² схСмах

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ схСм с BC557 Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹:

  • ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. Как PNP-транзистор, BC557 открываСтся ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ эмиттСра.
  • ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹. РСкомСндуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ рСзистор Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.
  • ВСмпСратурная стабилизация. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠ°Ρ†ΠΈΡŽ.
  • Π—Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΎΡ‚ пробоя. НС ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ максимально допустимыС напряТСния.

Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ BC557? Для Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилСния Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 1-10 мА. НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр рСкомСндуСтся ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρ‹ напряТСния питания для получСния максимального нСискаТСнного сигнала.


Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² BC557

ΠŸΡ€ΠΈ нСобходимости Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ BC557 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ транзисторы с Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ характСристиками:

  • BC556 — практичСски ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ с Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшим коэффициСнтом усилСния
  • 2N3906 — популярный амСриканский эквивалСнт
  • КВ3107 — отСчСствСнный Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ Π² мСталличСском корпусС
  • BC327 — Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ с большим допустимым Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°

На Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹? ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ, коэффициСнт усилСния, граничная частота. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ корпус ΠΈ располоТСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² транзистора.

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° ΠΈ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° BC557

BC557 выпускаСтся Π² пластиковом корпусС TO-92 с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. РасполоТСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ (Ссли ΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΠ»ΠΎΡΠΊΡƒΡŽ сторону корпуса):

  1. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
  2. Π‘Π°Π·Π°
  3. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€

Как Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° Π½Π° корпусС? ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π° транзисторС указываСтся прСфикс BC557 ΠΈ Π±ΡƒΠΊΠ²Π°, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡƒ ΠΏΠΎ коэффициСнту усилСния:

  • BC557A: hFE = 110-220
  • BC557B: hFE = 200-450
  • BC557C: hFE = 420-800

Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики BC557

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ схСм с BC557 Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹:


  • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€: -65Β°C Π΄ΠΎ +150Β°C
  • Максимальная Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°: +150Β°C
  • Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄-ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ срСда: 200Β°C/Π’Ρ‚

Как Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° влияСт Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ BC557? Π‘ ростом Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ увСличиваСтся коэффициСнт усилСния ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ транзистора. ΠŸΡ€ΠΈ высоких Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ для прСдотвращСния Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ пробоя.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ BC557 Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅

BC557 часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² качСствС элСктронного ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹:

  • НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр: ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ -0,2 Π’
  • НапряТСниС насыщСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр: ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ -0,7 Π’
  • ВрСмя Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ: ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 35 нс
  • ВрСмя Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ: ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 35 нс

Как ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ насыщСниС BC557? Для Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ насыщСния рСкомСндуСтся ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 1/10 ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. ΠŸΡ€ΠΈ этом напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ -0,7 Π’ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ эмиттСра.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ BC557 Π² схСмах стабилизации напряТСния

BC557 ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² простых схСмах стабилизации напряТСния. Рассмотрим Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΡƒΡŽ схСму:


  1. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ BC557 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ стабилизируСмому Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ
  2. На Π±Π°Π·Ρƒ подаСтся ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ
  3. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ нСстабилизированному Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ такая схСма? ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния транзистор приоткрываСтся, увСличивая ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ рСзисторС. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ стабилизации Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ стабилизации Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ схСмы ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ составляСт 20-50.


BC557 транзистор характСристики, datasheet, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ ΠΈ Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°

Главная Β» Вранзисторы

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· характСристик транзистора Π’Π‘557 ΠΎΠ½ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадах высококачСствСнных Hi-Fi усилитСлСй, каскадах ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΡ„ΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΈ Π² Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ…. Он Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… схСмах, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ усилитСлями. Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ высокий коэффициСнт усилСния ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ напряТСниС насыщСния.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  1. Распиновка
  2. Π₯арактСристики
  3. Аналоги
  4. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ

Распиновка

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°Β ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ p-n-p транзистора Π’Π‘557 производят Π² пластмассовом корпусС ВО-92 с Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ.

ВсС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ располоТСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²: ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ слСва Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ – Π±Π°Π·Π°, Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ – эмиттСр.

Π₯арактСристики

ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅ΠΌ основныС ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимыС характСристики транзистора Π’Π‘557 ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды 25ΠΎΠ‘:

  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° UΠΊΠ± max = β€” 50 Π’;
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Uкэ max = -45 Π’;
  • НаибольшСС Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° Uэб max = -5 Π’;
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊ max = -100 мА;
  • Наибольший допустимый Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊ ΠΏΠΈΠΊ = -200 мА;
  • РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (максимальная) Π ΠΊ max = 0,5 Π’Ρ‚;
  • Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° хранСния (рабочая) Tstg = -65 … 150 ΠΎΠ‘;
  • Максимальная Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Tj = 150 ΠΎΠ‘.

Π’ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ написаны основныС элСктричСскиС значСния устройства.

Π’ Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ производитСля присутствуСт Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΊΠ°ΠΊ Β«Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС кристалл-ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ срСда»

Π”Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ число ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, насколько градусов увСличится Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° кристалла, ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ рассСиваСмой мощности.

ВсС транзисторы Π’Π‘557 ΠΏΠΎ статичСскому коэффициСнту ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hfe) дСлятся Π½Π° Ρ‚Ρ€ΠΈ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ А, Π’ ΠΈ Π‘.

  1. Для Π’Π‘557А – hfe = ΠΎΡ‚ 110 Π΄ΠΎ 200;
  2. Для Π’Π‘557Π’ – hfe = ΠΎΡ‚ 200 Π΄ΠΎ 450;
  3. Для Π’Π‘557Π‘ – hfe = ΠΎΡ‚ 420 Π΄ΠΎ 800;

На ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ рисункС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ зависимости коэффициСнта усилСния транзистора ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром hfe ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

На Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΠΎ оси абсцисс ΠΎΡ‚Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Ρ‹ значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² логарифмичСском ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±Π΅. По оси ΠΎΡ€Π΄ΠΈΠ½Π°Ρ‚ ΠΎΡ‚Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Ρ‹ значСния hfe.

Аналоги

Вранзистор BC557 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³Π°ΠΌΠΈ:

  • BC556;
  • BC560;
  • 2N6015;
  • 2SA1015;
  • 2SA733;
  • BC307.

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ транзисторы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈ ΠΏΠΎ своим ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ, Π½ΠΎ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ корпусом: BCY98B, 2PB709AS, 2PB709Q, 2SA1589, 2SA1591, 2PB709S, 2SA1590, 2PB709R, 2SA1654

ΠžΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ Π’Π‘ 557 являСтся КВ361Π”, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ ΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ корпус.

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Π°Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ, это – BC547. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ BC546 ΠΈ BC550.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ

ВсС DataSheet ΠΎΡ‚ ΡƒΠΊΠ°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π’Π‘557 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ здСсь. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ: Diotec Semiconductor, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Rectron Semiconductor, Unisonic Technologies, Fairchild Semiconductor, Continental Device India Limited, Olitech Electronics, Foshan Blue Rocket Electronics, First Silicon, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, KEC(Korea Electronics), Micro Electronics, ON Semiconductor, NXP Semiconductors, Dc Components, SEMTECH ELECTRONICS, Tiger Electronic, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Micro Commercial Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Siemens Semiconductor Group, General Semiconductor.

PNP БиполярныС

характСристики, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ, datasheet ΠΈ Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°

По своим тСхничСским характСристикам транзистор BC557 ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Ρ‘Ρ‚ для использования Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадах УНЧ, Π² схСмах управлСния. Π•Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ Π² ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π°Ρ… ΠΈ Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΎΡ€Π°Ρ…. Он отличаСтся Π½Π΅ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΈΠΌ коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. Π˜Π·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΠΎ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎ-ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° p-n-p.

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°

Π˜Π·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ этот транзистор Π² корпусС ВО-92, сдСланном ΠΈΠ· пластмассы ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΡ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°. Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Ρ‘Π²ΠΊΠ° Π½ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ BC557 Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ порядкС: слСва ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, посСрСдинС Π±Π°Π·Π°, справа эмиттСр. Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΉ Π²ΠΈΠ΄ прСдставлСн Π½Π° рисункС.

ВСхничСскиС характСристики

РассмотрСниС тСхничСских характСристик Π½Π°Ρ‡Π½Ρ‘ΠΌ с рассмотрСния ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимых. Π‘Π΅Π· ΠΈΡ… знания нСльзя ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π΅ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ устройства. Если Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния прСвысят ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅, Ρ‚ΠΎ транзистор Π²Ρ‹ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· строя. Для BC557 ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹:

  • Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² К-Π‘ VCBO (UΠΊΠ± max) = β€” 50 Π’;
  • Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² К-Π­ VCΠ•O (Uкэ max) = β€” 45 Π’;
  • Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π­-Π‘ VΠ•Π’O (Uэб max) = β€” 5 Π’;
  • ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ IC (I
    ΠΊ max
    ) = -100 мА
    ;
  • ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ICM max (IΠΊ ΠΏΠΈΠΊ) = -200 мА;
  • ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ PD (Π ΠΊ max) = 0,5 Π’Ρ‚;
  • Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ-Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ… RΞΈJA = 200 Β°Π‘/Π’Ρ‚;
  • Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° хранСния (рабочая) Tstg = -65 … 150Β°Π‘;
  • максимальная Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° Tj = 150Β°Π‘.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… стоит Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° элСктричСскиС характСристика BC557. ΠžΡ‚ Π½ΠΈΡ… Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ зависят возмоТности транзистора. ВсС ΠΎΠ½ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΠ»ΠΈΡΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ 12Β°Π‘. ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π² ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ½ΠΊΠ΅ «Условия измСрСния».

ЭлСктричСскиС характСристики транзистора 2SD882 (ΠΏΡ€ΠΈ Π’ = +25
ΠΎ
C)
ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΡΠžΠ±ΠΎΠ·Π½.min typmaxΠ•Π΄. ΠΈΠ·ΠΌ
ΠŸΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС К-Π‘IC = -100 ΠΌΠΊAV(BR)CΠ’O-50Π’
ΠŸΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС К-Π­IC=1 ΠΌAV(BR)CEО-45Π’
ΠŸΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π­-Π‘IE= 10 ΠΌΠΊAV(BR)EBO6-5Π’
ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°VCΠ’ = -20 Π’ICΠ’O-0,1мкА
ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ К-Π­VCE= -40Π’ICEΠ₯-0,1мкА
ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСраVEB = -5 Π’IEBO-0,1мкА
НапряТСниС насыщСния К-Π­IC= -10 ΠΌA, IB = -0,5ΠΌ AV CE(sat)-0,3Π’
IC= -100 ΠΌA, IB = -5 ΠΌA-0,65Π’
НапряТСниС насыщСния Π‘-Π­IC= -10 ΠΌA, IB = -0,5 ΠΌAV Π’E(sat)-0,8Π’
IC= -100 ΠΌA, IB = -5 ΠΌA-1Π’
НапряТСниС Π‘-Π­VCE =-5 Π’, IC =-2 ΠΌAVBE-0,55-0,7Π’
VCE =-5 Π’, IC =-10 ΠΌA-0,82Π’
Выходная Ρ‘ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅VCB =-10Π’,IE =0, f=1 ΠœΠ“Ρ†Cob8ΠΏΠ€
Граничная частота ΠΊ-Ρ‚Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°VCE=-5Π’, IC= -10ΠΌA,

f=100 ΠœΠ“Ρ†

fT50150ΠœΠ“Ρ†

Вранзисторы BC557, Π² зависимости ΠΎΡ‚ коэффициСнта усилСния дСлятся Π½Π° Ρ‚Ρ€ΠΈ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹:

  • А β€” hFE = 120…220;
  • Π’ β€” hFE = 180 … 460;
  • Π‘ β€” hFE = 420 …800.

Аналоги

Π‘Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³Π°ΠΌΠΈ BC557 ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ транзисторы 2SA1015 ΠΈ 2SA733. БущСствуСт Ρ‚Ρ€ΠΈ отСчСствСнных транзистора Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ BC557 – это КВ3107, КВ361Π” ΠΈ КВ668Π‘. ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Π°Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π° для BC557 это – BC547. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ BC546 ΠΈ BC550.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈ Datasheet

Нам ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ datasheet Π½Π° BC557 ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΈΡ€ΠΌ:

  • Continental Device India Limited;
  • Dc Components;
  • Diotec Semiconductor;
  • Fairchild Semiconductor;
  • Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
  • KEC(Korea Electronics);
  • Micro Commercial Components;
  • NXP Semiconductors;
  • ON Semiconductor;
  • Unisonic Technologies.

Π’ ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π°Ρ… России Ρ‡Π°ΡˆΠ΅ всСго ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΉ: NXP Semiconductors, Micro Commercial Components, Continental Device India Limited, ON Semiconductor ΠΈ Diotec Semiconductor.

PNP

Распиновка транзистора

BC557, описаниС, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ ΠΈ тСхничСскоС описаниС

26 октября 2017Β —Β 0 ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠ΅Π²

          BC557 Вранзистор
          Распиновка транзистора BC557

      BC557 Pin ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ

      НомСр ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°

      Имя ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°

      ОписаниС

      1

      ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€

      Π’ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€

      2

      Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ

      УправляСт смСщСниСм транзистора

      3

      Π˜Π·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ

      Π£Ρ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСр

      Β 

      ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ
      • Биполярный транзистор PNP
      • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (h FE ) Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 300
      • НСпрСрывный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (I C ) составляСт 100 мА
      • Π‘Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС эмиттСра (V BE ) составляСт 6 Π’
      • Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (I B ) составляСт максимум 5 мА
      • ДоступСн Π² ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π΅ To-92

      Β 

      ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅. ΠŸΠΎΠ»Π½ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π² тСхничСском описании BC557 , ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ этой страницы.

      Β 

      BC557 Π­ΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ PNP-транзисторы

      BC157, BC558, 2N3906, 2SA1943, BD140, S8550, TIP127, TIP42

      Β 

      ΠšΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ΅ описаниС транзистора BC557. сигнал подаСтся Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚. Π’ этом ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ PNP-транзистора ΠΎΡ‚ NPN-транзистора: логичСскоС состояниС (синий Ρ†Π²Π΅Ρ‚) ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм (напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° V BE ), ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅ 9.0003

      BC557 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ усилСния ΠΎΡ‚ 110 Π΄ΠΎ 800, это Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ опрСдСляСт ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилСния транзистора. МаксимальноС количСство Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, составляСт 100 мА, поэтому ΠΌΡ‹ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 100 мА, с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ этого транзистора. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор, ΠΌΡ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, этот Ρ‚ΠΎΠΊ (I B ) Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ Π΄ΠΎ 5 мА.

      Когда этот транзистор ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ смСщСн, ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр максимум 100 мА. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ этап называСтся ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ насыщСния ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, допустимоС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ-эмиттСром (V CE ) ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ-эмиттСром (V BE ), ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ 200 ΠΈ 900 ΠΌΠ’ соотвСтствСнно. Когда Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ удаляСтся, транзистор ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ закрываСтся, этот этап называСтся ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ отсСчки , Π° напряТСниС Π±Π°Π·Ρ‹-эмиттСра ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 660 ΠΌΠ’.

      Β 

      BC557 Вранзистор Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ

      Когда транзистор ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ, ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΠ°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ отсСчки , ΠΊΠ°ΠΊ описано Π²Ρ‹ΡˆΠ΅. Как ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ, транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ прямом смСщСнии ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ смСщСнии, это смСщСниС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достигнуто ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ количСства Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄. Как ΡƒΠΆΠ΅ ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΡΡŒ, Ρ‚ΠΎΠΊ смСщСния Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 5 мА. ВсС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 5 мА, ΡƒΠ±ΡŒΠ΅Ρ‚ транзистор; ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, рСзистор всСгда добавляСтся ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого рСзистора (R B ) ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌ.

      R BΒ  = V BE / I B

      C ). Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ I B Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ мА.

      Β 

      BC557 Вранзистор ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ

      Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… конфигурациях

      НСкоторыС ΠΈΠ· ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² схСмах усилитСля:

      1. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром
      2. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ
      3. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ

      Из Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡ΠΈΡΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² Ρ‚ΠΈΠΏ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром являСтся популярной ΠΈ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ. ΠŸΡ€ΠΈ использовании Π² качСствС усилитСля усилСниС ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌ

      .
        ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° = Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (I  C  ) / Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (I  B  )  

      Β 

      ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ
      • ΠœΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ Ρ€Π΅Π»Π΅, Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ свСтодиодов ΠΈ Ρ‚. Π΄.
      • Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ аудиоусилитСли, усилитСли сигналов ΠΈ Ρ‚. Π΄.
      • ΠŸΠ°Ρ€Π° Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°

      Β 

      2D-модСль ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹

      Если Π²Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ PCD ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Ρ„ΠΎΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρƒ с этим ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‚ΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… BC557 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏ корпуса ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹.

        Π’Π΅Π³ΠΈ

        BC557

        Вранзистор

        Вранзистор PNP

        Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ транзистор



      Вранзистор BC557 Распиновка, Π­ΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚, ИспользованиС, Π₯арактСристики ΠΈ ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅

      Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ Π²Ρ‹ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΎ распиновкС транзистора BC557, Π­ΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚, ИспользованиС, Π₯арактСристики, ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, описаниС этого транзистора ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π³Π΄Π΅ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² элСктроникС.

      ОбъявлСния

      ОбъявлСния

      ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ/тСхничСскиС характСристики:
      • Π’ΠΈΠΏ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ: TO-92
      • Π’ΠΈΠΏ транзистора: PNP
      • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (I C ): -100 мА
      • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Π’ CE ): -45 Π’
      • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Π’ CB ): -50 Π’
      • МаксимальноС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (VBE): -5 Π’
      • МаксимальноС рассСиваниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (ΡˆΡ‚. ): 500 ΠΌΠ’Ρ‚
      • Макс. частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (fT): 100 ΠœΠ“Ρ†
      • МинимальноС ΠΈ максимальноС усилСниС постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (h FE ): ΠΎΡ‚ 125 Π΄ΠΎ 800
      • Максимальная Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° хранСния ΠΈ эксплуатации Π”ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ: ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ +150 ΠΏΠΎ ЦСльсию

      Β 

      Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ NPN:

      Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ NPN ΠΊ BC557: BC547

      Β 

      Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° ΠΈ эквивалСнт:

      ΠΠ»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ транзисторы для BC557: 2N3906 , 2N4403 , BC556 , BC327, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² транзистора см. Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ свСдСния ΠΎΠ± эквивалСнтных Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ… Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… эквивалСнтов.

      Β 

      ОписаниС транзистора BC557:

      BC557 β€” ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ транзистор с биполярным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ PNP, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π² нСбольшом корпусС TO-92. Π­Ρ‚ΠΎ PNP-транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ ΠΈΠ»ΠΈ усилитСля Π² элСктронных схСмах. Π•Π³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ΠΈ HFE ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚ 125 Π΄ΠΎ 800, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ транзистором для использования Π² качСствС усилитСля слабого сигнала Π² элСктронных схСмах, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, для усилСния аудиосигнала ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ. Π Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ΠΈ HFE BC557 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ послСднСй Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅ послС Π΅Π³ΠΎ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π°, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, BC557A. Π Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ΠΈ HFE ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ 110–220, Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ΠΈ HFE BC557B β€” 200–450, Π° Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ΠΈ HFE BC557C β€” 420–800. МаксимальноС рассСиваниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° составляСт 500 ΠΌΠ’Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ являСтся Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌ Π°Ρ€Π³ΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ Π² ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·Ρƒ Π΅Π³ΠΎ использования Π² каскадах усилСния. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΎΠ½ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ использовании Π΅Π³ΠΎ Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ для Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 100 мА. Вранзистор Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (VCE), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ составляСт -45 Π’, поэтому Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² схСмах, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΎΡ‚ 40 Π΄ΠΎ 45 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

      Помимо этих ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ, BC557 Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ являСтся Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌ PNP-транзистором ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния для использования Π² Π²Π°ΡˆΠΈΡ… Ρ…ΠΎΠ±Π±ΠΈ-ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ… ΠΏΠΎ элСктроникС, поэтому ΠΎΠ½ просто Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ Π² вашСй Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΈ элСктроники.

      Β 

      Π“Π΄Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ:

      Как ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, BC557 являСтся транзистором ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, поэтому Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС аудиоусилитСля Π² Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΈ, элСктронныС Π·ΡƒΠΌΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹, элСктронныС Π·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠΈ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ схСмы, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ нСбольшого усилСния. Благодаря Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΌΡƒ коэффициСнту усилСния этот транзистор Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использован Π² каскадах прСдусилитСля Π·Π²ΡƒΠΊΠ°. Помимо этих ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ, этот транзистор Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ Π² элСктронных прилоТСниях для Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ 100 мА, Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ любой части элСктронной схСмы, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов, свСтодиодов, Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈ Ρ‚. Π΄.

      Β 

      ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ примСнСния:

      ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ

      ΠΡƒΠ΄ΠΈΠΎΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ слабого сигнала

      ΠŸΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 0,1 мА ΠΈΠ»ΠΈ 100 мА

      Β 

      Как ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π±Π΅Π·ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΡƒΡŽ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ:

      Для бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ этого транзистора с Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π² вашСй элСктронной схСмС Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзистор ΠΏΡ€ΠΈ -45 Π’ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, всСгда ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ подходящий Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ рСзистор.

      Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

      Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *