Каковы основные параметры транзистора BF422. Где используется BF422. Какие есть аналоги транзистора BF422. Как проверить работоспособность BF422. Какие схемы включения применяются для BF422.
Основные характеристики транзистора BF422
BF422 — это биполярный NPN транзистор малой мощности, предназначенный для высоковольтных применений. Вот его ключевые параметры:
- Структура: NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 250 В
- Максимальный ток коллектора: 250 мА
- Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 Вт
- Коэффициент усиления по току: 40-250
- Граничная частота: 60 МГц
- Корпус: TO-92
Благодаря высокому допустимому напряжению коллектор-эмиттер, BF422 хорошо подходит для работы в высоковольтных схемах. При этом он имеет относительно небольшой максимальный ток, что ограничивает его применение маломощными устройствами.
Области применения транзистора BF422
Транзистор BF422 находит применение в следующих областях:
- Импульсные источники питания
- Преобразователи напряжения
- Драйверы электродвигателей
- Усилители мощности звуковой частоты
- Переключающие схемы
- Усилители общего назначения
Высокое допустимое напряжение делает BF422 хорошим выбором для работы в высоковольтных цепях, например, в импульсных блоках питания или преобразователях напряжения. Однако из-за ограниченного максимального тока его применение ограничено маломощными устройствами.
Аналоги и замены транзистора BF422
При необходимости заменить BF422 можно рассмотреть следующие аналоги:
- BF420 — практически полный аналог с незначительными отличиями в характеристиках
- BF423 — улучшенная версия с большим коэффициентом усиления
- MPSA42 — похожий высоковольтный транзистор в корпусе TO-92
- 2SC2235 — японский аналог с близкими параметрами
- KSP44 — транзистор с похожими характеристиками от STMicroelectronics
При замене важно сравнить ключевые параметры, такие как максимальное напряжение, ток и коэффициент усиления. В большинстве случаев указанные аналоги могут напрямую заменить BF422 без изменения схемы.
Как проверить работоспособность транзистора BF422
Для проверки исправности транзистора BF422 можно использовать следующие методы:
- Проверка мультиметром:
- Измерьте сопротивление между базой и эмиттером, базой и коллектором в обоих направлениях
- Исправный транзистор должен показывать низкое сопротивление в прямом направлении и высокое в обратном
- Проверка тестером транзисторов:
- Подключите выводы транзистора к соответствующим разъемам тестера
- Исправный транзистор покажет коэффициент усиления в пределах 40-250
- Проверка в простой схеме:
- Соберите простую схему усилителя или переключателя с BF422
- Подайте входной сигнал и проверьте правильность работы схемы
При обнаружении отклонений от ожидаемых результатов транзистор следует заменить на заведомо исправный.
Типовые схемы включения транзистора BF422
Для BF422 применяются следующие основные схемы включения:
- Схема с общим эмиттером — наиболее распространенная, обеспечивает усиление по току и напряжению
- Схема с общей базой — применяется реже, дает высокий коэффициент усиления по напряжению
- Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель) — используется как согласующий каскад
- Схема переключателя — транзистор работает в ключевом режиме
Выбор конкретной схемы зависит от требований к усилению, входному и выходному сопротивлению, частотному диапазону и другим параметрам разрабатываемого устройства.
Особенности применения BF422 в высоковольтных схемах
При использовании BF422 в высоковольтных цепях следует учитывать некоторые нюансы:
- Не превышать максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 250 В
- Обеспечить надежное охлаждение транзистора для отвода тепла
- Использовать защитные цепи для предотвращения пробоя при скачках напряжения
- Применять высоковольтные компоненты в остальных частях схемы
- Соблюдать правила техники безопасности при работе с высоким напряжением
Правильное применение этих мер позволит максимально эффективно использовать возможности BF422 в высоковольтных устройствах.
Рекомендации по монтажу и эксплуатации BF422
Для обеспечения надежной работы транзистора BF422 рекомендуется соблюдать следующие правила:
- Использовать антистатические меры предосторожности при монтаже
- Не превышать максимально допустимую температуру перехода 150°C
- Обеспечить хороший тепловой контакт с радиатором при необходимости
- Соблюдать полярность и порядок выводов при монтаже
- Не допускать механических напряжений на выводах транзистора
- Использовать режимы работы в пределах паспортных данных
Соблюдение этих рекомендаций поможет продлить срок службы транзистора и обеспечить стабильность параметров устройства в целом.
Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.
е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. |
Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U 1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1 схема |
Uи. п.= 4,5 В |
2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
Iк. з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
Bf422 транзистор характеристики
Запомнить меня. U КБО — максимально допустимое напряжение коллектор — база;. U КБО и — максимально допустимое импульсное напряжение коллектор — база;. U КЭО — максимально допустимое напряжение коллектор — эмиттер;.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- BF422 транзистор
- transistor f422 100 hxms3 electronic component
- Также рекомендуем следующие товары:
- КТ541А кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор
- BF422 (CBF422)
- Транзисторы биполярные
- Аналоги для bf422
- Транзистор BF422
- BF422, покупаем в интернете — получаем у себя дома.
- Навигация по записям
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Полевые транзисторы. Принцип действия, параметры и характеристики
BF422 транзистор
Как проверить транзистор? Или как прозвонить транзистор Такой вопрос, к сожалению, рано или поздно возникает у всех. Транзистор может быть повреждён перегревом при пайке либо неправильной эксплуатацией. Если есть подозрение на неисправность, есть два лёгких способа проверить транзистор.
Проверка транзистора мультиметром тестером прозвонка транзистора производится следующим образом. Для лучшего понимания процесса на рисунке изображён «диодный аналог» npn-транзистора. Тестер устанавливается на прозвонку диодов и прозванивается каждая пара контактов в обоих направлениях.
Всего шесть вариантов. При прозвонке pnp-транзистора «диодный аналог» будет выглядеть также, но с перевёрнутыми диодами.
Соответственно направление прохождения тока будет обратное, но также, только в одном направлении, а в случае «Эмиттер — Коллектор» — ни в каком направлении.
Соберите схему с транзистором, как показано на рисунке. В этой схеме транзистор работает как «ключ». Такая схема может быть быстро собрана на монтажной печатной плате, например.
Обратите внимание на 10Ком резистор , который включается в базу транзистора. Это очень важно, иначе транзистор «сгорит» во время проверки. Если транзистор исправен, то при нажатии на кнопку светодиод должен загораться и при отпускании — гаснуть.
Эта схема для проверки npn-транзисторов. Если необходимо проверить pnp-транзистор, в этой схеме надо поменять местами контакты светодиода и подключить наоборот источник питания. Таким образом, можно сказать, что проверка транзистора мультиметром более проста и удобна. К тому же, существуют мультиметры с функцией проверки транзисторов.
Они показывают ток базы, ток коллектора и даже коэффициент усиления транзистора.
Как проверить транзистор Как проверить транзистор? Как проверить транзистор мультиметром тестером Проверка транзистора мультиметром тестером прозвонка транзистора производится следующим образом. База — Эмиттер BE : соединение должно вести себя как диод и проводить ток только в одном направлении. База — Коллектор BC : соединение должно вести себя как диод и проводить ток только в одном направлении. Эмиттер — Коллектор EC : соединение не должно проводить ток ни в каком направлении.
Проверка простой схемой включения транзистора Соберите схему с транзистором, как показано на рисунке. И помните, никто не умирает так быстро и так бесшумно, как транзистор.
transistor f422 100 hxms3 electronic component
Электронные компоненты и оборудование Транзисторы. Транзистор — электронный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.
В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора — изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Транзисторы разделяют, в основном, на полярные и биполярные. В цифровой технике в основном применяют полевые транзисторы, а биполярные — в аналоговой. Биполярный транзистор представляет собой трехслойную полупроводниковую структуру с чередующимся типом электропроводности слоев и содержит два p-n перехода.
Транзистор BF (CBF) в наличие заходите у нас широкий выбор электронных компонентов доставка Биполярный транзистор, характеристики.
Также рекомендуем следующие товары:
Днепр, ул. Новокрымская 58 на углу пересечения с ул. Грузия Казахстан Литва. Корзина пуста! Уважаемые клиенты и посетители магазина! Все Новости. Новинки Все Новинки. Рекомендуемые Все Код товара: Транзистор BF Транзистор n-p-n В 0.
КТ541А кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор
Как проверить транзистор? Или как прозвонить транзистор Такой вопрос, к сожалению, рано или поздно возникает у всех.
Транзистор может быть повреждён перегревом при пайке либо неправильной эксплуатацией. Если есть подозрение на неисправность, есть два лёгких способа проверить транзистор.
Основное назначение транзисторов использование в выходных каскадах видеоусилителей телевизоров мониторов и другой радиоэлектронной аппаратуре.
BF422 (CBF422)
Оставьте Ваше сообщение и контактные данные и наши специалисты свяжутся с Вами в ближайшее рабочее время для решения Вашего вопроса. Все права защищены. Фактический адрес магазина для самовывоза: г. Москва, ул. Перерва, д. Братиславская последний вагон из центра.
Транзисторы биполярные
Регистрация Забыл пароль. Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса исполнение , поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить BF, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.
В магазине указаны розничные цены.
BF — TRANS NPN GP SS V 50MA TO макcимальная: mW · Модуляция частот: 60MHz · Тип транзистора: Схожие по характеристикам .
Аналоги для bf422
Днепр, ул. Новокрымская 58 на углу пересечения с ул. Грузия Казахстан Литва.
Транзистор BF422
ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Характеристики транзисторов, 1ч
Power Portal. С помощью инструментов, представленных на портале, можно легко найти интересующие товары и лучших поставщиков в своем регионе, провести аналитическое сравнение цен , узнать много нового и интересного. Информационные инструменты позволяют публиковать новости компаний, доводя их до широкого круга посетителей портала, размещать объявления и прайс-листы компании. Баннерная реклама на портале всегда попадает точно в цель.
Введите Ваш номер телефона и в ближайшее время представитель компании свяжется с Вами.
BF422, покупаем в интернете — получаем у себя дома.
Выберите свою страну или регион. Сделать запрос О нас русский. Целевая цена: Кол-во: Пожалуйста, дайте нам вашу целевую цену, если количество превышает отображаемое. DHL www. UPS www.
Навигация по записям
Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью. Как покупать? Не выбрасывайте старые HDD жесткие диски.
Спецификация BF422 — Транзистор с малым сигналом, высоковольтный импульсный биполярный
Где купить
| Функции, приложения |
| Высоковольтное применение Контрольное оборудование Характеристики Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора Рассеивание коллектора Температура перехода Температура хранения Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Ток отсечки коллектора Ток отсечки эмиттера Коэффициент усиления по постоянному току Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Частота транзистора Выходная емкость коллектора |
| Номер детали того же производителя AUK Corporation |
| БФ423 небольшой сигнальный транзистор, высоковольтный двухполярный транзистор | переключения
| C2012X5R0J225KT Регулятор выходного напряжения с малым падением напряжения |
| К2012С5Р1А105КТ |
| Небольшой сигнальный транзистор ДН500, транзистор | Биплоар строба внезапный
| Ду500F |
| DP500 Маломощный сигнальный транзистор, биполярный транзистор общего назначения | небольшой сигнальный транзистор
| ДП500Ф, транзистор Биплоар 9 строба внезапный0007 |
| DRF1401 Микроволновый транзистор, силовой радиочастотный транзистор |
| ДРФ1402 |
| ДРФ1601 |
| EMK316BJ105KL Регулятор выходного напряжения с малым падением напряжения |
| ЭМК316БДЖ225МЛ |
| ГРМ40С7Р105К010 |
| ГРМ42-6С5Р475К010 |
| ГРМ42-6С7Р105К016 |
| KAN-063LAS LDM, в двери используется LDM |
| КБМ-008ЛФУ |
| LMK212BJ105KG Регулятор выходного напряжения с малым падением напряжения |
| ЛМК316БДЖ475МЛ | небольшой сигнальный транзистор
| ПН2222, высокоскоростной биполярный транзистор | переключения
| PN2222A |
S7915PIC : Регулятор фиксированного отрицательного напряжения SB5311-HB : Светодиодная лампа SRC1211E: Транзистор малого сигнала общего назначения BRT, малый сигнал общего назначения BRT SUR541EF: Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN SDS915 : Переключающий диод S78L24L : Регуляторы положительного напряжения SHE144AF : Высокоэффективная светодиодная лампа SB1314E-H : Чип-светодиод |
| Та же категория |
1N5402 : Пакет = DO-201AD ;; Максимум. DFA75BA160 : Трехфазные диоды + тиристоры. Силовой модуль SanRex, DFA75BA, представляет собой сложный изолированный модуль, предназначенный для цепей броскового тока. Он содержит шесть диодов, соединенных по схеме трехфазного моста, и тиристор, подключенный к линии постоянного тока. Этот модуль спроектирован очень компактно. Потому что диодный модуль и тиристор вместе взятые. Этот модуль также является изолированным типом между. FS20SM-12 : для общего переключения. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Mitsubishi Electric и Mitsubishi XX, в Renesas Technology Corp. Полупроводниковые операции Hitachi и Mitsubishi Electric были переданы Renesas Technology Corporation 1 апреля 2003 года. Эти операции включают в себя микрокомпьютер, логику, аналоговые и дискретные устройства, и память. HMJE13007 : Напряжение между эмиттером и базой: 9 В; Эпитаксиальный планарный транзистор 8A NPN. MBR1040 : от 5 до 100 ампер. Выпрямитель с барьером Шоттки 10А. Конструкция матрицы с защитным кольцом с барьером Шоттки для защиты от переходных процессов Низкие потери мощности, высокая эффективность Высокая устойчивость к перенапряжениям Способность к высоким токам и низкое падение прямого напряжения Для использования в низковольтных, высокочастотных инверторах, свободном вращении и защите от полярности Применение Пластиковый материал: классификация воспламеняемости UL Рейтинг 94V-0 Корпус:. MMBTA55 : SOT/поверхностный монтаж. Маломощный транзистор PNP для поверхностного монтажа. NTE351 : Кремниевый транзистор NPN. RF Power Amp, Driver..: кремниевый NPN-транзистор в корпусе типа T72H, разработанный в первую очередь для использования в широкополосных усилителях мощности 12,5 В VHF, необходимых в коммерческом и промышленном оборудовании до 300 МГц. : D Указанные характеристики 12,5 В, 175 МГц: Выходная мощность = 25 Вт Минимальное усиление = 6,2 дБ Эффективность = 65% Абсолютный максимум Номинальные значения: напряжение коллектор-эмиттер, VCEO. IRFP4004PBF : Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор MEXFET 40 В в корпусе TO-247AC Одиночный силовой N-канальный МОП-транзистор MEXFET 40 В в корпусе TO-247AC. C3-Z1.5REA : ИНД, НЕ УКАЗАНО, 10UH, 20% + TOL, 20% -TOL, 1212 КОРПУС. s: Применение: общего назначения. D63068-000 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ от ТЕМПЕРАТУРЫ, ПЕРЕСТАНАВЛИВАЕМЫЙ ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ PTC, КРЕПЛЕНИЕ ЧЕРЕЗ ОТВЕРСТИЕ. s: Категория/применение: Общее использование; Монтаж/упаковка: Сквозное отверстие, Радиальные выводы, РАДИАЛЬНЫЕ ВЫВОДЫ, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS; Номинальная мощность: 0,2600 Вт (3,48E-4 л.с.); Рабочее напряжение переменного тока: 60 вольт; Стандарты и сертификаты: RoHS. ОМД100Т : 25 А, 100 В, 0,08 Ом, 4 КАНАЛА, N-КАНАЛА, Si, POWER, MOSFET. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 100 вольт; RDS (вкл.): 0,0800 Ом; Тип упаковки: ГЕРМЕТИЧНАЯ, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ, MOD, 12 PIN; Количество единиц в IC: 4. PES1M100K : РЕЗИСТОР, ПОТЕНЦИОМЕТР, ПРОВОЛОЧНЫЙ, 1 ОБИТ., 5 Вт, 100000 Ом. s: Категория/применение: Общее использование; Монтаж/упаковка: Монтаж на панели (втулка); Диапазон сопротивления: 100000 Ом; Допуск: 20 +/- %; Номинальная мощность: 5 Вт (0,0067 л.с.); Рабочая температура: от -65 до 125 C (от -85 до 257 F). RLP16KR010FB : RES, SMT, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛАСТИНА, 10M OHMS, 1% +/-TOL, -100,100PPM TC, 0603 CASE. s: Категория/приложение: измерение тока, общее использование. TCF20B60 : 20 А, 600 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Аранжировка: Общий катод; Тип диода: Универсальный, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; ЕСЛИ: 20000 мА; Количество выводов: 2; Количество диодов: 2. WW04P : РЕЗИСТОР, 0,125 Вт, 1; 5 %, 200; 300 частей на миллион, 0,1 Ом — 0,91 Ом, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0402. s: Категория/Применение: Общее использование; Монтаж/упаковка: технология поверхностного монтажа (SMT/SMD), 0402, ЧИП, БЕССВИНЦОВЫЙ; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F). 1812B106J100SB : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 10 В, X7R, 10 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 1812. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Диапазон емкости: 10 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 5 (+/- %); WVDC: 10 вольт; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа; Операционная. 3520110KJT : РЕЗИСТОР, 1 Вт, 5 %, 200 частей на миллион, 110000 Ом, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ. s: Категория/применение: Общее использование; Монтаж/упаковка: технология поверхностного монтажа (SMT/SMD), ЧИП; Диапазон сопротивления: 110000 Ом; Допуск: 5 +/- %; Температурный коэффициент: 200 ±ppm/°C; Номинальная мощность: 1 Вт (0,0013 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока: 200 вольт; Рабочая Температура:. |
Обратное напряжение VRM (В) = 200 ;; Максимум. Авер. Прямо. Ток io (А)= 3 ;; Ifsm (А)= 200,
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
BF420
D027bflÃ
BF422
транзистор бф422
BF423
МАМ259
SCA52
117041/00/02/стр.8
BF420
BF422
BF423
транзистор BF422
org/Product»>
