Биполярный транзистор фото. Биполярные транзисторы: принцип работы, характеристики и применение — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Что такое биполярный транзистор. Какие бывают типы биполярных транзисторов. Как устроен и работает биполярный транзистор. Каковы основные характеристики и параметры биполярных транзисторов. Где применяются биполярные транзисторы.

Содержание

Что такое биполярный транзистор

Биполярный транзистор — это полупроводниковый прибор с тремя выводами, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Он состоит из трех областей полупроводника с различным типом проводимости.

Основные особенности биполярных транзисторов:

Имеют три вывода — эмиттер, база и коллектор
Работают за счет инжекции неосновных носителей заряда
Ток через прибор создается движением как электронов, так и дырок
Управляются током базы
Могут усиливать как ток, так и напряжение

Типы биполярных транзисторов

В зависимости от чередования областей с разным типом проводимости различают два основных типа биполярных транзисторов:

n-p-n транзисторы

p-n-p транзисторы

В n-p-n транзисторах эмиттер и коллектор имеют электронную проводимость, а база — дырочную. В p-n-p транзисторах наоборот — эмиттер и коллектор имеют дырочную проводимость, а база — электронную.

Устройство биполярного транзистора

Биполярный транзистор состоит из трех областей полупроводника с чередующимся типом проводимости:

Эмиттер — сильнолегированная область, служащая источником носителей заряда
База — тонкая слаболегированная область
Коллектор — умеренно легированная область, собирающая носители заряда из базы

Между этими областями образуются два p-n перехода:

Эмиттерный переход (между эмиттером и базой)
Коллекторный переход (между базой и коллектором)

Принцип работы биполярного транзистора

Принцип работы биполярного транзистора основан на управлении потоком носителей заряда через базу с помощью тока базы. Рассмотрим работу n-p-n транзистора:

На эмиттерный переход подается прямое напряжение, а на коллекторный — обратное.
Электроны инжектируются из эмиттера в базу через эмиттерный переход.
Большая часть электронов проходит через тонкую базу в коллектор под действием поля коллекторного перехода.
Небольшая часть электронов рекомбинирует в базе с дырками, образуя ток базы.
Изменение тока базы позволяет управлять потоком электронов из эмиттера в коллектор.

Таким образом, малым током базы можно управлять большим током коллектора, что обеспечивает усиление сигнала.

Основные характеристики биполярных транзисторов

К основным характеристикам и параметрам биполярных транзисторов относятся:

Коэффициент усиления по току (β) — отношение изменения тока коллектора к вызвавшему его изменению тока базы
Максимально допустимый ток коллектора

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Граничная частота усиления
Входное и выходное сопротивления
Емкости переходов
Температурные коэффициенты параметров

Применение биполярных транзисторов

Биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных устройствах и цепях:

Усилители сигналов (аудио, радио, видео)
Генераторы сигналов
Ключевые и переключательные схемы
Стабилизаторы напряжения и тока
Импульсные источники питания
Логические элементы и цифровые схемы
Аналоговые интегральные схемы

Какие факторы влияют на характеристики биполярных транзисторов?

На характеристики и параметры биполярных транзисторов оказывают влияние следующие факторы:

Температура — с ростом температуры увеличиваются токи утечки и уменьшается коэффициент усиления
Частота сигнала — на высоких частотах усиление падает из-за емкостей переходов
Режим работы — параметры транзистора зависят от напряжений и токов в рабочей точке

Технология изготовления — влияет на предельные параметры и характеристики
Конструкция корпуса — определяет тепловые свойства и паразитные параметры

Как выбрать биполярный транзистор для конкретного применения?

При выборе биполярного транзистора для определенной схемы необходимо учитывать следующие критерии:

Тип проводимости (n-p-n или p-n-p) в зависимости от схемы включения
Максимально допустимые ток и напряжение коллектора
Требуемый коэффициент усиления по току
Граничная частота усиления для высокочастотных схем
Допустимая рассеиваемая мощность
Входное и выходное сопротивления
Температурный диапазон работы
Корпус и способ монтажа

Также важно изучить рекомендации производителя по применению конкретной модели транзистора.

Преимущества и недостатки биполярных транзисторов

Биполярные транзисторы имеют ряд достоинств и ограничений:

Преимущества:

Высокий коэффициент усиления по току
Способность работать на высоких частотах
Низкий уровень шумов
Хорошая линейность характеристик
Высокая надежность и долговечность

Недостатки:

Управление током, а не напряжением
Относительно низкое входное сопротивление
Сильная зависимость параметров от температуры
Наличие эффекта накопления заряда
Ограниченный динамический диапазон

Современные тенденции в развитии биполярных транзисторов

Несмотря на конкуренцию со стороны полевых транзисторов, биполярные транзисторы продолжают совершенствоваться. Основные направления развития:

Повышение быстродействия и граничной частоты
Улучшение шумовых характеристик
Увеличение допустимой мощности рассеяния
Расширение температурного диапазона работы

Разработка новых конструкций и технологий производства
Создание интегральных схем на биполярных транзисторах
Применение новых полупроводниковых материалов

Это позволяет биполярным транзисторам оставаться востребованными во многих областях электроники.

Учёные впервые создали биполярный транзистор из органических материалов — это обещает прорыв для гибкой электроники

3DNews Технологии и рынок IT. Новости разработка и производство электроники Учёные впервые создали биполярный транзи…

Самое интересное в обзорах

24.06.2022 [09:46], Геннадий Детинич

Дисплеи OLED стали прорывом после ЖК-экранов, в чём существенно помогла органическая природа светодиодов первых. Органические материалы идеальны для производства электроники на тонких и гибких подложках, поскольку для этого широко используются технологии струйной печати. И если со светодиодами и полевыми транзисторами из органики всё было более-менее хорошо, то достойных органических биполярных транзисторов не было. Но теперь они есть!

Источник изображения: TU Dresden

Первый в мире эффективного биполярный транзистор из органических (углеродсодержащих) материалов создали специалисты из Технического университета Дрездена (TUD). Группа работала под руководством профессора Карла Лео (Karl Leo), который вынашивал идею более 20 лет. И всё получилось, о чём разработчики сообщили в статье в журнале Nature.

Решающее значение для изобретения имело использование высокоупорядоченных тонких органических слоёв. Новая технология обеспечила создание намного более производительного транзистора, чем предыдущие разработки в этой области. Впервые органические биполярные транзисторы достигли рабочих частот в гигагерцовом диапазоне. Это означает, что «органика» открывает себе путь к «цифре» — к мощным и производительным процессорам и контроллерам на гибких подложках, которым найдутся сотни применений, от электроники до имплантатов.

Источник изображения: Nature

Доктор Шу-Джен Ванг (Shu-Jen Wang), который руководил проектом вместе с доктором Майклом Савацки, объяснил: «Первая реализация органического биполярного транзистора была большой проблемой, поскольку нам пришлось создавать слои очень высокого качества и новые структуры. Однако превосходные параметры компонента вознаградили эти усилия».

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

Материалы по теме

Постоянный URL: https://3dnews.ru/1068757/razrabotan-perviy-v-mire-bipolyarniy-tranzistor-iz-organicheskih-materialov-eto-stanet-prorivom-dlya-gibkoy-elektroniki

Рубрики: Новости Hardware, нанотехнологии, на острие науки, разработка и производство электроники, носимая электроника,

Теги: транзисторы, учёные, гибкая электроника

← В прошлое В будущее →

Транзистор, цена в Украине, виды, фото. ЧП Неликвид

Транзисторы не сразу стали так называться, изначально их называли по аналогии с электронными лампами полупроводниковыми триодами. Нынешнее название деталь получила от двух английских слов – трансфер (передатчик или преобразователь) и резистор (сопротивление).

Таким образом, транзистор – это преобразователь сопротивления, полупроводник, который необходим, чтобы усиливать, преобразовывать и генерировать электрические колебания. Представляет собой транзистор кристалл, который помещен в специальный пластмассовый или металлический корпус, снабжен тремя выводами. Кристаллы транзистора производят из полупроводниковых материалов, эти кристаллы после определенной обработки способны изменять электропроводимость в обширных пределах.

История изобретения

Изобретение транзистора по праву считают одним из значимых. Транзисторы сменили электронные лампы, которые длительное время являлись единственными активными компонентами для всех устройств в радиоэлектронике. Но лампы имели большую потребляемую мощность, размеры, небольшой эксплуатационный срок и малая прочность. По мере того, как электроника совершенствовалась, изменяла размеры в сторону уменьшения, недостатки ламп становились всё очевиднее.

Впервые работающий транзистор был представлен в 1947 году сотрудниками одной из американских фирм – Bell Telephone Laboratories, в 1956 году изобретатели получили премию Нобеля. Как и большинство великих изобретений, транзистор не сразу стали массово применять. Производители техники и электроники со скептицизмом отнеслись к этому маленькому приборчику, и еще почти 30 лет производители электроламп не замечали конкурента. В самом начале своей «жизни» транзистор изготавливали с использованием Германия, в качестве полупроводника, а затем, с целью уменьшения стоимости, стали применять Кремний, который более распространен в природе.

Виды изделий

Сегодня применяются такие виды транзистора, как биполярный и полевой. Биполярный транзистор появился первым, поэтому наиболее распространен. Полевой, появившийся несколько позже и менее распространен.

Биполярный

Этот вид радиодеталей называется так потому, что электроток образуется в них при помощи электрического заряда двойной полярности – положительной/отрицательной. Носитель положительного заряда называют «дыркой», отрицательный заряд переносится при помощи электронов. В биполярных транзисторах, в качестве полупроводников используют кристаллы и из германия и из кремния. Обе разновидности транзистора имеют различные характеристики, которые необходимо учитывать при создании устройств.

Полевой

Это полупроводниковая радиодеталь, в которой ток, образованный движением дырок и электронов между двумя электродами осуществляется электрополем, создающимся при помощи напряжения третьего электрода. Два электрода, между которыми идет управляемый электроток, называются исток/сток. Исток – электрод, выдающий заряд. Управляющий электрод (третий) – затвор.

Применение

Сегодня биполярный транзистор широко применяются при создании аналоговых электронных устройств, как усилитель в дискретной цепи. Используются вместе интегральной, аналоговой, цифровой микросхемами, для усиления слабого сигнала на выходе в интегральной схеме, которая обычно не имеет высокой мощности.
Полевые транзисторы используют в цифровой электронике, так как они более скоростные и экономичные, в процессорах, памяти компьютеров, играют роль электронного переключателя.

Наша компания может купить советские транзисторы в неограниченном количестве, так как именно в них, чтобы обеспечить надежный контакт проводимости, использовали такие драгметаллы, как золото и различные сплавы серебра и золота. На сегодняшний день, производители транзисторов стараются заменить драгоценные металлы другими, более дешевыми. Поэтому, цены на старые радиодетали намного выше, чем на современные детали.

Если вы хотите продать транзисторы в любом количестве, мы приобретем их у вас по самым привлекательным ценам в Украине. Сотрудничаем и с юридическими и с физическими лицами на договорной основе. На крупные партии деталей предлагаем наиболее выгодные условия.

Поставщики беспроводных радиочастот и ресурсы

Веб-сайт RF Wireless World является домом для поставщиков и ресурсов RF и Wireless. На сайте представлены статьи, учебные пособия, поставщики, терминология, исходный код (VHDL, Verilog, MATLAB, Labview), тесты и измерения, калькуляторы, новости, книги, загрузки и многое другое.

Сайт RF Wireless World охватывает ресурсы по различным темам, таким как RF, беспроводная связь, vsat, спутник, радар, оптоволокно, микроволновая печь, wimax, wlan, zigbee, LTE, 5G NR, GSM, GPRS, GPS, WCDMA, UMTS, TDSCDMA, Bluetooth, Lightwave RF, z-wave, Интернет вещей (IoT), M2M, Ethernet и т. д. Эти ресурсы основаны на стандартах IEEE и 3GPP. Он также имеет академический раздел, который охватывает колледжи и университеты по инженерным дисциплинам и дисциплинам MBA.

Статьи о системах на основе IoT

Система обнаружения падений для пожилых людей на основе IoT : В статье рассматривается архитектура системы обнаружения падений, используемой для пожилых людей. В нем упоминаются преимущества или преимущества системы обнаружения падения IoT. Подробнее➤
См. также другие статьи о системах на основе IoT:
• Система очистки туалетов AirCraft. • Система измерения удара при столкновении • Система отслеживания скоропортящихся продуктов и овощей • Система помощи водителю • Система умной розничной торговли • Система мониторинга качества воды • Система интеллектуальной сети • Умная система освещения на основе Zigbee • Умная система парковки на базе Zigbee • Умная система парковки на базе LoRaWAN.

Радиочастотные беспроводные изделия

Этот раздел статей охватывает статьи о физическом уровне (PHY), уровне MAC, стеке протоколов и сетевой архитектуре на основе WLAN, WiMAX, zigbee, GSM, GPRS, TD-SCDMA, LTE, 5G NR, VSAT, Gigabit Ethernet на основе IEEE/3GPP и т. д. , стандарты. Он также охватывает статьи, связанные с испытаниями и измерениями, посвященные испытаниям на соответствие, используемым для испытаний устройств на соответствие RF/PHY. СМ. УКАЗАТЕЛЬ СТАТЕЙ >>.

Физический уровень 5G NR : Обработка физического уровня для канала 5G NR PDSCH и канала 5G NR PUSCH была рассмотрена поэтапно. Это описание физического уровня 5G соответствует спецификациям физического уровня 3GPP. Подробнее➤

Основные сведения о повторителях и типы повторителей : В нем объясняются функции различных типов повторителей, используемых в беспроводных технологиях. Подробнее➤

Основы и типы замираний : В этой статье рассматриваются мелкомасштабные замирания, крупномасштабные замирания, медленные замирания, быстрые замирания и т. д., используемые в беспроводной связи. Подробнее➤

Архитектура сотового телефона 5G : В этой статье рассматривается блок-схема сотового телефона 5G с внутренними модулями 5G. Архитектура сотового телефона. Подробнее➤

Основы помех и типы помех: В этой статье рассматриваются помехи по соседнему каналу, помехи в одном канале, Электромагнитные помехи, ICI, ISI, световые помехи, звуковые помехи и т. д. Подробнее➤

Раздел 5G NR

В этом разделе рассматриваются функции 5G NR (новое радио), нумерология, диапазоны, архитектура, развертывание, стек протоколов (PHY, MAC, RLC, PDCP, RRC) и т. д. 5G NR Краткий справочный указатель >>
• Мини-слот 5G NR • Часть полосы пропускания 5G NR • БАЗОВЫЙ НАБОР 5G NR • Форматы 5G NR DCI • 5G NR UCI • Форматы слотов 5G NR • IE 5G NR RRC • 5G NR SSB, SS, PBCH • 5G NR PRACH • 5G NR PDCCH • 5G NR PUCCH • Опорные сигналы 5G NR • 5G NR m-Sequence • Золотая последовательность 5G NR • 5G NR Zadoff Chu Sequence • Физический уровень 5G NR • MAC-уровень 5G NR • Уровень 5G NR RLC • Уровень PDCP 5G NR

Учебники по беспроводным технологиям

В этом разделе рассматриваются учебные пособия по радиочастотам и беспроводным сетям. Он охватывает учебные пособия по таким темам, как сотовая связь, WLAN (11ac, 11ad), wimax, bluetooth, zigbee, zwave, LTE, DSP, GSM, GPRS, GPS, UMTS, CDMA, UWB, RFID, радар, VSAT, спутник, беспроводная сеть, волновод, антенна, фемтосота, тестирование и измерения, IoT и т. д. См. ИНДЕКС УЧЕБНЫХ ПОСОБИЙ >>

Учебное пособие по 5G — В этом учебном пособии по 5G также рассматриваются следующие подтемы, посвященные технологии 5G:
Учебник по основам 5G Диапазоны частот учебник по миллиметровым волнам Рамка волны 5G мм Зондирование канала миллиметровых волн 5G 4G против 5G Испытательное оборудование 5G Архитектура сети 5G Сетевые интерфейсы 5G NR звучание канала Типы каналов 5G FDD против TDD Нарезка сети 5G NR Что такое 5G NR Режимы развертывания 5G NR Что такое 5G ТФ

В этом учебнике GSM рассматриваются основы GSM, сетевая архитектура, сетевые элементы, системные спецификации, приложения, Типы пакетов GSM, структура кадров GSM или иерархия кадров, логические каналы, физические каналы, Физический уровень GSM или обработка речи, вход в сеть мобильного телефона GSM или настройка вызова или процедура включения питания, Вызов MO, вызов MT, модуляция VAMOS, AMR, MSK, GMSK, физический уровень, стек протоколов, основы мобильного телефона, Планирование RF, нисходящая линия связи PS и восходящая линия связи PS.
➤Читать дальше.

LTE Tutorial , описывающий архитектуру системы LTE, включая основы LTE EUTRAN и LTE Evolved Packet Core (EPC). Он предоставляет ссылку на обзор системы LTE, радиоинтерфейс LTE, терминологию LTE, категории LTE UE, структуру кадра LTE, физический уровень LTE, Стек протоколов LTE, каналы LTE (логические, транспортные, физические), пропускная способность LTE, агрегация несущих LTE, Voice Over LTE, расширенный LTE, Поставщики LTE и LTE vs LTE advanced.➤Подробнее.

Радиочастотные технологии Материал

На этой странице мира беспроводных радиочастот описывается пошаговое проектирование преобразователя частоты на примере повышающего преобразователя частоты 70 МГц в диапазон C. для микрополосковой платы с использованием дискретных радиочастотных компонентов, а именно. Смесители, гетеродин, MMIC, синтезатор, опорный генератор OCXO, амортизирующие прокладки. ➤Читать дальше.
➤ Проектирование и разработка РЧ приемопередатчика ➤Дизайн радиочастотного фильтра ➤Система VSAT ➤Типы и основы микрополосковых ➤Основы волновода

Секция испытаний и измерений

В этом разделе рассматриваются ресурсы по контролю и измерению, контрольно-измерительное оборудование для тестирования тестируемых устройств на основе Стандарты WLAN, WiMAX, Zigbee, Bluetooth, GSM, UMTS, LTE. ИНДЕКС испытаний и измерений >>
➤Система PXI для контрольно-измерительных приборов. ➤ Генерация и анализ сигналов ➤ Измерения физического уровня ➤ Тестирование устройства WiMAX на соответствие ➤ Тест на соответствие Zigbee ➤ Тест на соответствие LTE UE ➤ Тест на соответствие TD-SCDMA

Волоконно-оптические технологии

Волоконно-оптический компонент основы, включая детектор, оптический соединитель, изолятор, циркулятор, переключатели, усилитель, фильтр, эквалайзер, мультиплексор, разъемы, демультиплексор и т. д. Эти компоненты используются в оптоволоконной связи. ИНДЕКС оптических компонентов >>
➤Руководство по оптоволоконной связи ➤APS в SDH ➤Основы SONET ➤ Структура кадра SDH ➤ SONET против SDH

Поставщики беспроводных радиочастот, производители

Сайт RF Wireless World охватывает производителей и поставщиков различных радиочастотных компонентов, систем и подсистем для ярких приложений, см. ИНДЕКС поставщиков >>.

Поставщики ВЧ-компонентов, включая ВЧ-изолятор, ВЧ-циркулятор, ВЧ-смеситель, ВЧ-усилитель, ВЧ-адаптер, ВЧ-разъем, ВЧ-модулятор, ВЧ-трансивер, PLL, VCO, синтезатор, антенну, осциллятор, делитель мощности, сумматор мощности, фильтр, аттенюатор, диплексер, дуплексер, чип-резистор, чип-конденсатор, чип-индуктор, ответвитель, ЭМС, программное обеспечение RF Design, диэлектрический материал, диод и т. д. Поставщики радиочастотных компонентов >>
➤Базовая станция LTE ➤ РЧ-циркулятор ➤РЧ-изолятор ➤Кристаллический осциллятор

MATLAB, Labview, Embedded Исходные коды

Раздел исходного кода RF Wireless World охватывает коды, связанные с языками программирования MATLAB, VHDL, VERILOG и LABVIEW. Эти коды полезны для новичков в этих языках. СМОТРИТЕ ИНДЕКС ИСТОЧНИКОВ >>
➤ 3–8 код декодера VHDL ➤Скремблер-дескремблер Код MATLAB ➤32-битный код ALU Verilog ➤ T, D, JK, SR триггер коды labview

Общая медицинская информация

Сделайте эти пять простых вещей, чтобы помочь остановить коронавирус (COVID-19).
СДЕЛАЙТЕ ПЯТЬ
1. РУКИ: Мойте их часто
2. ЛОКОТЬ: кашляйте в него
3. ЛИЦО: Не прикасайтесь к нему
4. НОГИ: Держитесь на расстоянии более 3 футов (1 м) друг от друга
5. ЧУВСТВУЙТЕ: Болен? Оставайтесь дома

Используйте технологию отслеживания контактов >> , следуйте рекомендациям по социальному дистанцированию >> и установить систему наблюдения за данными >> спасти сотни жизней. Использование концепции телемедицины стало очень популярным в таких стран, как США и Китай, чтобы остановить распространение COVID-19так как это заразное заболевание.

Радиочастотные калькуляторы и преобразователи

Раздел «Калькуляторы и преобразователи» охватывает ВЧ-калькуляторы, беспроводные калькуляторы, а также преобразователи единиц измерения. Они охватывают беспроводные технологии, такие как GSM, UMTS, LTE, 5G NR и т. д. СМ. КАЛЬКУЛЯТОРЫ Указатель >>.
➤Калькулятор пропускной способности 5G NR ➤ 5G NR ARFCN и преобразование частоты ➤ Калькулятор скорости передачи данных LoRa ➤ LTE EARFCN для преобразования частоты ➤ Калькулятор антенны Yagi ➤ Калькулятор времени выборки 5G NR

IoT-Интернет вещей Беспроводные технологии

В разделе, посвященном IoT, рассматриваются беспроводные технологии Интернета вещей, такие как WLAN, WiMAX, Zigbee, Z-wave, UMTS, LTE, GSM, GPRS, THREAD, EnOcean, LoRa, SIGFOX, WHDI, Ethernet, 6LoWPAN, RF4CE, Bluetooth, Bluetooth с низким энергопотреблением (BLE), NFC, RFID, INSTEON, X10, KNX, ANT+, Wavenis, Dash7, HomePlug и другие. Он также охватывает датчики IoT, компоненты IoT и компании IoT.
См. главную страницу IoT>> и следующие ссылки.
➤РЕЗЬБА ➤EnOcean ➤ Учебник LoRa ➤ Учебник по SIGFOX ➤ WHDI ➤6LoWPAN ➤Зигби RF4CE ➤NFC ➤Лонворкс ➤CEBus ➤УПБ

СВЯЗАННЫЕ ПОСТЫ

Учебники по беспроводным радиочастотам

GSM ТД-СКДМА ваймакс LTE UMTS GPRS CDMA SCADA беспроводная сеть 802.11ac 802.11ad GPS Зигби z-волна Bluetooth СШП Интернет вещей Т&М спутниковое Антенна РАДАР RFID

Различные типы датчиков

Датчик приближения Датчик присутствия против датчика движения Датчик LVDT и RVDT Датчик положения, смещения и уровня датчик силы и датчик деформации Датчик температуры датчик давления Датчик влажности датчик МЭМС Сенсорный датчик Тактильный датчик Беспроводной датчик Датчик движения Датчик LoRaWAN Световой датчик Ультразвуковой датчик Датчик массового расхода воздуха Инфразвуковой датчик Датчик скорости Датчик дыма Инфракрасный датчик Датчик ЭДС Датчик уровня Активный датчик движения против пассивного датчика движения

Поделиться этой страницей

Перевести эту страницу

СТАТЬИ Раздел T&M ТЕРМИНОЛОГИИ Учебники Работа и карьера ПОСТАВЩИКИ Интернет вещей Онлайн калькуляторы исходные коды ПРИЛОЖЕНИЕ. НОТЫ Всемирный веб-сайт T&M

Фототранзисторный датчик — TN Mikro

Сообщение от: Тауфикуллах 23 декабря 2022 г. 196 Просмотров

Фототранзистор — это тип транзистора, базовое смещение которого представляет собой инфракрасный свет. Величина тока, протекающего между коллектором и эмиттером, пропорциональна интенсивности света, принимаемого фототранзистором. Фототранзисторы часто используются в качестве переключателя управления инфракрасным светом, который использует условия насыщения (насыщения) и выключения (отсечки) от фототранзистора. Фототранзистор работает как переключатель, когда база получает инфракрасный свет, поэтому фототранзистор будет в состоянии насыщения, а когда он не получает инфракрасный свет, фототранзистор выключен. Структура фототранзистора аналогична биполярному транзистору (биполярному переходному транзистору).

В базовую область можно ввести снаружи через прозрачный зазор снаружи таранзистор. Этот зазор обычно защищен небольшой линзой, которая фокусирует свет на краю разъема основания излучателя.

Характеристики фототранзистора

Принципы работы фототранзисторных датчиков Соединение между базой и коллектором, работающее в режиме резервного питания и функционирующее как фотодиод, реагирующий на поступающие извне лучи. Когда нет входящего света, ток через соединение обратной подачи равен нулю. Если света от фотонной энергии достаточно и что касается соединения обратных связей, то в обедненной области произойдет добавление пар дырок и электронов, что приведет к переносу связи.

Количество дырок и электронов, образующихся в соединении, будет пропорционально интенсивности света на нем. Соединения между базами эмиттеров могут быть расширены, что позволяет им работать как обычные биполярные транзисторы. Коллекторный ток фототранзистора определяется по формуле: Базовая клемма фототранзистора не требует подключения (без подключения) для работы. Если база не подключена и напряжение VCE положительное, соединение базы коллектора будет вести себя как восстановленный фотодиод.