Биполярный транзистор pnp типа. Биполярные транзисторы NPN и PNP: принцип работы, характеристики и применение

Что такое биполярные транзисторы NPN и PNP. Как устроены и работают транзисторы NPN и PNP. В чем отличия NPN от PNP транзисторов. Основные характеристики и области применения биполярных транзисторов. Как использовать NPN и PNP транзисторы в схемах.

Что такое биполярные транзисторы NPN и PNP

Биполярные транзисторы — это полупроводниковые приборы, состоящие из трех слоев полупроводника с различным типом проводимости. Существует два основных типа биполярных транзисторов:

• NPN-транзисторы
• PNP-транзисторы

Буквы N и P обозначают тип проводимости полупроводниковых слоев:

• N — электронная проводимость (отрицательные носители заряда)
• P — дырочная проводимость (положительные носители заряда)

Таким образом, NPN-транзистор состоит из двух N-слоев, разделенных тонким P-слоем. А PNP-транзистор имеет два P-слоя, между которыми находится тонкий N-слой.

Структура и принцип работы биполярных транзисторов

Биполярный транзистор имеет три вывода:

• Эмиттер (Э)
• База (Б)
• Коллектор (К)

Принцип работы биполярного транзистора основан на взаимодействии двух близко расположенных p-n переходов. При подаче небольшого тока на базу происходит инжекция носителей заряда из эмиттера в базу. Это приводит к появлению гораздо большего тока между эмиттером и коллектором.

Таким образом, биполярный транзистор позволяет управлять большим током коллектора с помощью малого тока базы. В этом заключается основное свойство транзистора — усиление тока.

Основные отличия NPN и PNP транзисторов

Хотя NPN и PNP транзисторы имеют схожий принцип работы, между ними есть ряд важных различий:

• В NPN-транзисторе ток течет от коллектора к эмиттеру, а в PNP — от эмиттера к коллектору
• NPN открывается при подаче положительного напряжения на базу, PNP — при отрицательном
• В NPN основные носители — электроны, в PNP — дырки
• NPN быстрее переключается из-за большей подвижности электронов
• PNP имеет меньший шум при работе с малыми токами

Основные характеристики биполярных транзисторов

К основным параметрам биполярных транзисторов относятся:

• Коэффициент усиления по току β — отношение тока коллектора к току базы
• Максимально допустимый ток коллектора
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
• Граничная частота усиления
• Мощность рассеивания

Эти параметры определяют возможности применения транзистора в различных схемах.

Режимы работы биполярных транзисторов

Биполярные транзисторы могут работать в нескольких режимах:

1. Активный режим — используется для усиления сигналов
2. Режим насыщения — транзистор полностью открыт
3. Режим отсечки — транзистор полностью закрыт
4. Инверсный активный режим — редко используется

В цифровых схемах транзисторы обычно работают в режимах насыщения и отсечки, выполняя роль ключей. В аналоговых схемах чаще используется активный режим для усиления сигналов.

Применение биполярных транзисторов

Биполярные транзисторы широко используются в различных электронных устройствах:

• Усилители аналоговых сигналов
• Генераторы и модуляторы
• Стабилизаторы напряжения
• Переключатели и ключи в цифровых схемах
• Драйверы для управления мощной нагрузкой
• Датчики температуры

Выбор между NPN и PNP транзисторами зависит от конкретной схемы и требований к ней.

Как правильно включать NPN и PNP транзисторы

При использовании биполярных транзисторов важно соблюдать правильную полярность включения:

• Для NPN:
  • Коллектор подключается к положительному полюсу питания
  • Эмиттер — к отрицательному
  • На базу подается положительное напряжение для открытия
• Для PNP:
  • Эмиттер подключается к положительному полюсу
  • Коллектор — к отрицательному
  • На базу подается отрицательное напряжение для открытия

Неправильное включение может привести к выходу транзистора из строя.

Преимущества и недостатки биполярных транзисторов

К основным преимуществам биполярных транзисторов относятся:

• Высокий коэффициент усиления по току
• Способность работать на высоких частотах
• Малые размеры
• Низкая стоимость

Недостатки биполярных транзисторов:

• Относительно большой ток управления (базы)
• Сильная зависимость параметров от температуры
• Меньшее входное сопротивление по сравнению с полевыми транзисторами

Заключение

Биполярные транзисторы NPN и PNP являются основой современной электроники. Несмотря на появление новых типов полупроводниковых приборов, они продолжают широко применяться благодаря своим уникальным свойствам. Понимание принципов работы и особенностей биполярных транзисторов необходимо для успешного проектирования электронных устройств.

Режимы работы биполярного транзистора | Основы электроакустики

Режимы работы биполярного транзистора

 

Биполярный транзистор – полупроводниковый элемент с двумя p-n переходами и тремя выводами, который служит для усиления или переключения сигналов. Они бывают p-n-p и n-p-n типа. На рис.7.1, а и б показаны их условные обозначения.

 Рис.7.1. Биполярные  транзисторы  и  их  диодные  эквивалентные   схемы:  а) p-n-p, б) n-p-n транзистор

Транзистор состоит из двух противоположно включенных диодов, которые обладают одним общим p- или n- слоем. Электрод, связанный с ним, называется базой Б. Два других электрода называются эмиттером Э и коллектором К. Диодная эквивалентная схема, приведенная рядом с условным обозначением, поясняет структуру включения переходов транзистора. Хотя эта схема не характеризует полностью функции транзистора, она дает возможность представить действующие в нем обратные и прямые напряжения. Обычно переход эмиттер – база смещен в прямом направлении (открыт), а переход база – коллектор – в обратном (заперт). Поэтому источники напряжения должны быть включены, как показано на рис.7.2.

Рис.7.2. Полярность включения: а) n-p-n, б) p-n-p транзистора 

Транзисторы n-p-n типа подчиняются следующим правилам (для транзисторов p-n-p типа правила сохраняются, но следует учесть, что полярности напряжений должны быть изменены на противоположные):

1. Коллектор имеет более положительный потенциал, чем эмиттер.

2. Цепи база-эмиттер и база-коллектор работают как диоды (рис.7.1). Обычно переход база-эмиттер открыт, а переход база-коллектор смещен в обратном направлении, т.е. приложенное напряжение препятствует протеканию тока через него. Из этого правила следует, что напряжение между базой и эмиттером нельзя увеличивать неограниченно, так как потенциал базы будет превышать потенциал эмиттера более чем на 0,6 – 0,8 В (прямое напряжение диода), при этом возникает очень большой ток. Следовательно, в работающем транзисторе напряжение на базе и эмиттере связаны следующим соотношением: UБ ≈ UЭ+0,6В; (UБ = UЭ + UБЭ).    

3. Каждый транзистор характеризуется максимальными значениями IК, IБ, UКЭ. В случае превышения этих параметров необходимо использовать еще один транзистор. Следует помнить и о предельных значениях других параметров, например рассеиваемой мощности РК, температуры, UБЭ и др.

4. Если правила 1-3 соблюдены, то ток коллектора прямо пропорционален току базы. Соотношение токов коллектора и эмиттера приблизительно равно 

IК = αIЭ,    где α=0,95…0,99 – коэффициент передачи тока эмиттера. Разность между эмиттерным и коллекторным токами в соответствии с первым законом Кирхгофа (и как видно из рис. 7.2, а) представляет собой базовый ток IБ = IЭ – IК.    Ток коллектора зависит от тока базы в соответствии с выражением: IК = βIБ,   где β=α/(1-α) – коэффициент передачи тока базы, β >>1.

Правило 4 определяет основное свойство транзистора: небольшой ток базы управляет большим током коллектора.

Режимы работы транзистора. Каждый переход биполярного транзистора можно включить либо в прямом, либо в обратном направлении. В зависимости от этого различают следующие четыре режима работы транзистора.

Усилительный или активный режим – на эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный – обратное. Именно этот режим работы транзистора соответствует максимальному значению коэффициента передачи тока эмиттера. Ток коллектора пропорционален току базы, обеспечиваются минимальные искажения усиливаемого сигнала.

Инверсный режим – к коллекторному переходу подведено прямое напряжение, а к эмиттерному – обратное. Инверсный режим приводит к значительному уменьшению коэффициента передачи тока базы транзистора по сравнению с работой транзистора в активном режиме и поэтому на практике используется только в ключевых схемах.

Режим насыщения – оба перехода (эмиттерный и коллекторный) находятся под прямым напряжением. Выходной ток в этом случае не зависит от входного и определяется только параметрами нагрузки. Из-за малого напряжения между выводами коллектора и эмиттера режим насыщения используется для замыкания цепей передачи сигнала.

Режим отсечки – к обоим переходам подведены обратные напряжения. Так как выходной ток транзистора в режиме отсечки практически равен нулю, этот режим используется для размыкания цепей передачи сигналов.

Основным режимом работы биполярных транзисторов в аналоговых устройствах является активный режим. В цифровых схемах транзистор работает в ключевом режиме, т.е. он находится только в режиме отсечки или насыщения, минуя активный режим.

 

 

Биполярные транзисторы

Конструирование Математика

• Главная
/
• Статьи
/
• Конструирование

Биполярные транзисторы, изобретённые в 1948 году, совершили революцию в мире электроники. Технические характеристики, которых можно было добиться только с помощью громоздких, механически хрупких и энергоёмких электронных ламп, стали достижимы при использовании небольших, механически прочных и не требующих большого количества энергии кусочков кристаллического кремния.

Этот переворот создал возможности для разработки и производства недорогих электронных устройств с небольшими габаритами, без которых немыслим современный мир. Понимание принципов работы транзисторов имеет первостепенную важность для любого, кто интересуется современной электроникой.

В данной статье в первую очередь речь пойдёт о возможном практическом применении биполярных транзисторов и принципах его работы. Мы не будем разбирать теорию работы полупроводников и оставим в стороне вопрос «дырок» и «электронов». Здесь будет дана информация об использовании транзисторов, а не анализ составляющих их компонентов. Речь не идёт о преуменьшении важности понимания физики полупроводников, — всё дело в том, что довольно часто чрезмерное внимание на теории удаляет нас от понимания функционирования транзисторов в реальных схемах. Однако, предполагается, что читатель уже имеет некоторый объём знаний о работе полупроводников: знает разницу между полупроводниками n-типа и p-типа, функциональные характеристики p-n (диодного) перехода и значение терминов «обратносмещённый» и «прямосмещённый».

Если эти концепции не слишком понятны для вас, то вам следует предварительно ознакомиться с базовыми понятиями твердотельной электроники.

Своей структурой биполярный транзистор напоминает трёхслойный сендвич из примесных полупроводниковых материалов в комбинациях p-n-p или n-p-n (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). Для каждого слоя, образующего транзистор, существует особое название и на каждом слое имеется вывод для подключения транзистора к схеме. Ниже приведены схематическое условное изображение и внешний вид транзисторов обоих типов.

 

Единственным функциональным различием между транзистором PNP-типа и транзистором NPN-типа является полярность переходов при работе. При каждом данном режиме работы, направления тока и полярности напряжения полностью противоположны для транзисторов PNP- и NPN-типа.

Биполярные транзисторы представляют собой токоуправляемые регуляторы тока. Другими словами, они ограничивают количество проходящего через них тока в соответствии с меньшим управляющим током. В зависимости от типа транзистора основной (управляемый) ток течёт с коллектора на эмиттер, или же с эмиттера на коллектор (PNP или NPN соответственно). И также в зависимости от типа транзистора небольшой (управляющий) ток течёт с базы на эмиттер, или же с эмиттера на базу (PNP или NPN соответственно). Согласно сбивающим с толку стандартам полупроводниковой электроники, стрелки на схемах всегда направлены в сторону, противоположную реальному направлению потока электронов:

Собственно название биполярных транзисторов объясняется тем, что в биполярном транзисторе, в отличие от обычного, основными носителями являются и электроны, и дырки (от слова «би» — «два»).

Как вы видите, управляющий ток и управляемый ток всегда объединяются на выводе эмиттера, и здесь поток электронов всегда двигается в направлении противоположном стрелке. Отсюда можно вывести первое и наиболее важное правило по использованию транзисторов: для того чтобы транзистор работал как регулятор тока, токи должны двигаться в верных направлениях.

Небольшой управляющий ток обычно называют током базы, поскольку он является единственным током, протекающим через базу транзистора. И наоборот, больший управляемый ток называют током коллектора, так как он является единственным током, протекающим через вывод коллектора. Ток эмиттера является суммой токов базы и коллектора, что соответствует закону токов Кирхгофа.

Если на базе транзистора ток отсутствует, то транзистор будет отключён подобно выключателю, что не позволит току протекать через коллектор. При наличии тока базы транзистор включается (теперь он напоминает замкнутый выключатель) и позволяет протекать через коллектор пропорциональному количеству тока. В первую очередь ток коллектора ограничивается током базы, в независимости от существующего напряжения. Таким образом, биполярные транзисторы могут использоваться в качестве переключающего элемента.

• РЕЗЮМЕ:
• Основными носителями заряда в биполярных транзисторах выступают как электроны, так и дырки.
• Биполярный транзистор состоит из трёх слоёв полупроводниковых материалов с различным типом проводимости. Возможны две структуры слоёв — P-N-P или N-P-N.
• Три вывода биполярного транзистора называются эмиттер, база и коллектор.
• Транзистор работает как регулятор тока, в котором посредством изменения малого тока базы, можно управлять значительно большим током коллектора. Количество тока, протекающего через коллектор определяется в первую очередь током, движущемся между базой и эмиттером.
• Для корректной работы транзистора, управляющий ток (ток базы) и управляемый ток (ток коллектора) должны течь в правильных направлениях. При этом они объединяются на эмиттере и движутся в направлении противоположном стрелке.

Нравится

Твитнуть

Теги Конструирование

Сюжеты Конструирование

Тактические фонари и профессиональная светотехника.

Тактические и профессиональные фонари. В первую очередь, это светотехнические средства, пригодные для применения в экстремальных и сложных условиях, а так же техника, оптимизированная для узкого спектра задач, например подствольные фонари или фонари для дайвинга.

14738 0

Активная распределенная антенная система

Активная распределенная антенная система представляет собой двунаправленный репитер, который усиливает и дублирует выходной сотовый сигнал внутри одного помещения. Усиленный сигнал дублируется с помощью внутренней антенны. Подобным образом дублируется сотовый сигнал и за пределами здания.

6769 0

Интегратор

Для схемы данного интегратора подойдёт практически любая модель операционного усилителя, но в списке необходимых компонентов указана модель 1458, так как входные токи смещения этого ОУ гораздо выше. Как правило, высокий входной ток смещения считается плохой стороной того или иного операционного усилителя, если он используется в схеме усилителя постоянного тока (и особенно в схеме интегратора!).

8342 0

Комментарии (0)

Вы должны авторизоваться, чтобы оставлять комментарии.

Вход

NPN и PNP BJT Transistor: Понимание основ

Униполярные транзисторы или полевые транзисторы (FET), как следует из названия, используют только один тип носителей заряда, либо электроны, либо дырки, в зависимости от типа используемого полупроводникового материала. Если используется полупроводник N-типа, носителями заряда являются электроны, а если используется полупроводник P-типа, носителями заряда являются дырки. В случае БЯТ в качестве носителей заряда могут использоваться как электроны, так и дырки.

Что такое BJT?

Транзистор с биполярным переходом (BJT или BJT Transistor) представляет собой полупроводниковое устройство с тремя выводами, состоящее из двух P-N переходов, которые могут усиливать или усиливать сигнал. Три вывода биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Основная функция биполярных транзисторов заключается в усилении тока, что позволяет использовать биполярные транзисторы в качестве усилителей. Еще одним важным применением BJT является коммутация цепей. Следовательно, они широко используются в качестве усилителей и переключателей в электронном оборудовании, таком как мобильные телефоны, промышленные системы управления, телевидение и радиопередатчики.

Подробная схема транзистора

Транзистор с биполярным переходом создается путем соединения двух легированных полупроводниковых материалов, расположенных встречно-параллельно. Другими словами, BJT образован «сэндвичем» из внешних полупроводниковых материалов, расположенных спиной к спине. Два диода с PN-переходом соединены вместе, образуя BJT. PN-переход, соединяющий базу и область эмиттера, называется BE-переходом, а переход, соединяющий базу и коллектор, называется BC-переходом. Базовая область слегка легирована и тоньше по сравнению с другими областями. Область эмиттера сильно легирована, в то время как область коллектора имеет сбалансированное легирование. Терминал эмиттера испускает носители заряда, которые являются электронами в случае типа NPN и дырками в случае типа BJT типа PNP.

Поток заряда в BJT происходит из-за диффузии носителей заряда через переход между двумя областями с различной концентрацией носителей заряда. В типичной работе BE-переход смещен в прямом направлении, что означает, что слой P-типа имеет более положительный потенциал, чем слой N-типа, а BC-переход смещен в обратном направлении. При прямом смещении электроны (в случае NPN) и дырки (в случае PNP) термически возбуждаются, заставляя их разрушать обедненный слой, попадать в базовый слой и рекомбинировать с дырками или электронами в зависимости от типа транзистора. Базовый слой тоньше и слегка легирован, чтобы уменьшить количество рекомбинаций в базовом слое, гарантируя, что электроны/дырки достигают CB-перехода. Переход CB смещен в обратном направлении, что предотвращает движение основных носителей от коллектора к базе, но носители от эмиттера пробивают область обеднения CB и достигают слоя коллектора из-за приложенного электрического поля.

BJT имеет четыре различных области работы в зависимости от полярности смещения и величины, которые обсуждаются ниже:

• Прямой активный режим. переход смещен в обратном направлении. В этом случае ток коллектор-эмиттер примерно пропорционален току базы, но во много раз больше при небольших изменениях тока базы. Этот режим предлагает наибольшее усиление по току.

• Обратно-активный режим: при изменении условий смещения области прямого действия биполярный транзистор переходит в обратно-активный режим. В этом режиме области эмиттера и коллектора меняются ролями.

• Режим насыщения: когда оба перехода смещены в прямом направлении, а BJT действует как замкнутый переключатель, облегчающий протекание тока.

• Режим отсечки: В режиме отсечки оба перехода смещены в обратном направлении, и биполярный транзистор не пропускает через себя ток, поэтому он действует как разомкнутый переключатель.

Прямой активный режим работы используется, когда биполярный транзистор используется в качестве усилителя, а режимы отсечки и насыщения используются вместе, когда биполярный транзистор используется в качестве переключателя.

Типы биполярных транзисторов — NPN и PNP

В зависимости от характера легирования трех полупроводниковых слоев биполярные транзисторы классифицируются как PNP или NPN. Транзистор PNP состоит из двух полупроводниковых переходов P-типа, которые имеют общую тонкую область, легированную N, тогда как транзистор NPN состоит из двух полупроводниковых переходов N-типа, которые имеют общую тонкую область, легированную P. N-тип означает легирование примесями, которые обеспечивают подвижные электроны (например, фосфор или мышьяк), тогда как P-тип означает легирование примесями, которые обеспечивают дырки, которые легко принимают электроны (например, бор). PNP BJT будет функционировать как два диода с общей катодной областью N-типа, а NPN — как два диода с общей анодной областью P-типа.

Транзистор NPN и PNP

Оба типа биполярных транзисторов работают, давая усиленный выходной сигнал от коллектора с небольшим входным током на базу. В результате BJT хорошо работает как переключатель, управляемый его базовым входом. BJT также является отличным усилителем, поскольку он может усилить слабый входной сигнал примерно в 100 раз по сравнению с исходной силой. Сети BJT используются для создания мощных усилителей с широким спектром применения.

В чем разница между транзисторами NPN и PNP?

Транзисторы NPN и PNP имеют различия в конструкции, работе и применении. Одно из поразительных отличий заключается в том, что в NPN-транзисторе ток течет от коллектора к эмиттеру, когда на базу подается положительное напряжение, тогда как в PNP-транзисторе носитель заряда течет от эмиттера к коллектору при отрицательном питании. наносится на основу. В следующей таблице показано сравнение двух типов BJT на основе разных параметров.

Параметр	NPN Тип	PNP Type
Структура	два слоя N-Type разделены на одном P-типе Layer	Два P-Type Layers Sepate Sepate One N-Ty-Ty-Tye		.	Направление тока	Коллектор к эмиттеру	Эмиттер к коллектору
Включение экземпляра	Когда электроны входят в базу	Когда дырки входят в базу
Мажопредактивные перевозчики	Электроны — это мажоровные перевозчики	Отверстия — мажоровные перевозчики
Меньшинные перевозчики	HOLES — это носители меньшинства	Electrons				51951	5151900 гг. следовательно, более быстрое переключение	Более длительное время переключения, следовательно, более медленное переключение
Внутренний ток	Развивается из-за различного положения электронов	Возникает из-за различного положения отверстий
Выключатель	Выключается при подаче низкого базового напряжения	Выключается при подаче положительного базового напряжения

Транзистор обычно используется для двух типов приложений: операций переключения и усиления сигналов. Твердотельный переключатель может быть создан с использованием транзистора. Транзистор работает как закрытый ключ при работе в зоне насыщения и как открытый ключ при работе в зоне отсечки. В качестве переключателей можно использовать как транзисторы PNP, так и NPN. Транзистор проводит ток по пути коллектор-эмиттер только тогда, когда к базе приложено напряжение. Когда базовое напряжение отсутствует, переключатель выключен.

Когда базовое напряжение присутствует, переключатель включен.

Для работы транзистора в области отсечки (открытый ключ) оба PN-перехода смещаются в обратном направлении, в результате чего входной и выходной ток становятся равными нулю, а напряжение на транзисторе становится максимальным. Следовательно, работает как открытый переключатель. Для работы транзистора в области насыщения (открытый ключ) оба PN-перехода смещены в прямом направлении, в результате чего входной и выходной ток максимальны, а напряжение на транзисторе минимально. Следовательно, работает как замкнутый переключатель.

Схема включения NPN-транзистора

Для работы NPN-транзистора в качестве переключателя напряжение, подаваемое на базовую клемму, изменяется. Когда между клеммами базы и эмиттера подается достаточное напряжение (обычно более 0,7 В), напряжение между коллектором и эмиттером приблизительно равно 0, что означает, что транзистор действует как короткозамкнутый или замкнутый переключатель. Точно так же, когда на вход не подается напряжение или нулевое напряжение, транзистор работает в области отсечки и действует как разомкнутая цепь.

Схема включения транзистора PNP

В транзисторе типа PNP вывод базы всегда смещен отрицательно по отношению к выводу эмиттера, и, следовательно, ток всегда течет от базы. Когда напряжение приложено к базе, транзистор действует как закрытый переключатель, а когда напряжение, приложенное к базе, равно нулю, транзистор действует как открытый переключатель.

Применение

Большое количество электронных устройств, которые мы используем в повседневной жизни, используют транзисторы типа NPN и PNP в различных приложениях переключения и усиления. В качестве усилителей они используются в различных генераторах, модуляторах и детекторах. Некоторые из приложений упомянуты ниже:

• Транзисторы с биполярным переходом (BJT) усиливают ток от эмиттера к коллектору, когда небольшой ток проходит через базу. Это свойство используется в схемах связи для усиления слабых сигналов при дальней связи.

• Используются в звуковых модуляторах и схемах усилителей.

• Они используются в качестве переключателей для управления переключением таких устройств, как светодиоды и двигатели.

• Пара Дарлингтона — это два встречно-параллельных биполярных транзистора, используемых для получения высокого коэффициента усиления по току в приложениях с большой мощностью.

• Фототранзисторы — это биполярные устройства, которые проводят ток, когда свет падает на базу. Это свойство используется для обнаружения наличия света в различных приложениях автоматизации.

• Они входят в схемы мультивибраторов, которые используются для реализации множества простых устройств с двумя состояниями, таких как релаксационные генераторы, таймеры и триггеры.

Ключевые выводы

Биполярные транзисторы находят множество применений в различном электронном оборудовании. Это твердотельные устройства, которые используются в операциях переключения и усиления. Статья поможет читателям понять и оценить чудо инженерной мысли, которое составляет основу почти каждого сложного электронного устройства, существующего сегодня. Некоторые из ключевых выводов из статьи:

• BJT представляет собой трехполюсное полупроводниковое устройство, состоящее из трех полупроводниковых слоев.

• В зависимости от типа и расположения полупроводникового слоя они делятся на типы NPN и PNP.

• Тип PNP имеет два слоя P-типа со слоем N-типа между ними. В то время как тип NPN имеет два слоя N-типа со слоем P-типа между ними.

• Основные отличия между этими двумя типами транзисторов также были поняты.

• Работа биполярных транзисторов в качестве переключателей также изучалась. Оба типа NPN и PNP могут использоваться в качестве переключателей, но тип NPN предпочтительнее, поскольку основными носителями являются электроны, которые более подвижны.

• Применение BJT также обсуждалось ближе к концу.

Каталожные номера

[1] https://pnpntransistor.com/applications-of-transistor-in-daily-life/

[2] https://www.electrical4u.com/bipolar-junction-transistor -или-bjt-N-P-N-или-P-N-P-транзистор/

[4] https://www.electricaltechnology.org/2020/04/pnP-transistor.html

NPN и PNP: Что?! | Транзисторы 101

НПН и ПНП: Что?!

Сохранить Подписаться

Пожалуйста, войдите, чтобы подписаться на это руководство.

После входа в систему вы будете перенаправлены обратно к этому руководству и сможете подписаться на него.

NPN и PNP относятся к расположению деталей, из которых состоит транзистор. Практическим результатом является направление тока.

Биполярный переходной транзистор состоит из трех кусочков кремния. В зависимости от того, что добавляется в кремний, он будет либо N-типа, либо P-типа. Транзистор NPN имеет кусок кремния P-типа (база), зажатый между двумя кусками N-типа (коллектор и эмиттер). В транзисторе PNP тип слоев меняется на противоположный. Ниже приведено типичное поперечное сечение транзистора.

В открытом доступе от пользователя Википедии Inductiveload

Транзисторы NPN и PNP имеют очень похожие условные обозначения. Отличие только в направлении стрелки на излучателе. В NPN (слева) он направлен наружу, в PNP (справа) — внутрь.

 

Вы можете интерпретировать эту стрелку двумя способами: это направление протекания положительного тока (противоположное потоку электронов), а также как указание на более низкое напряжение, когда транзистор включен, т. е. для NPN эмиттер имеет быть при более низком напряжении, чем база / коллектор, чтобы он проводил, тогда как для PNP оно должно быть выше.

Пример использует

Поскольку транзистор PNP работает более или менее противоположно NPN, его можно использовать там, где задействованы отрицательные напряжения. Одним из таких примеров является усиление сигнала переменного тока* для управления динамиком. Динамик перемещает воздух для создания звука. Хотя вы можете использовать динамик с сигналом постоянного тока (который варьируется от 0 до некоторого положительного напряжения), который выталкивает диффузор динамика наружу (и расслабляет его до нейтрального положения) для создания звуковой волны, вы можете создать более громкий звук, если вы также потянете конус назад.

Ниже приведен упрощенный пример. когда вход положительный, транзистор NPN проводит и направляет выход к +V. Когда вход отрицательный, транзистор PNP проводит, направляя выход к -V.

Пользователь Википедии Krishnawhite — в общественном достоянии

В моем учебном пособии по инструментам цифровой электроники есть логический пробник, сделанный своими руками, который использует транзистор PNP для управления одним из светодиодов.