Buz11 datasheet. BUZ11 MOSFET: характеристики, применение и особенности N-канального транзистора

Каковы основные параметры BUZ11 MOSFET. Как применяется этот N-канальный транзистор. Какие особенности делают BUZ11 популярным выбором для различных электронных схем. Какие аналоги можно использовать вместо BUZ11.

Основные характеристики BUZ11 MOSFET

BUZ11 представляет собой N-канальный MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором) средней мощности, широко применяемый в различных электронных схемах. Рассмотрим его ключевые параметры:

• Тип корпуса: TO-220AB
• Максимальное напряжение сток-исток: 50 В
• Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
• Максимальный постоянный ток стока: 30 А
• Максимальный импульсный ток стока: 120 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
• Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,040 Ом
• Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C

Какие преимущества дают эти характеристики? Высокая нагрузочная способность по току и напряжению позволяет использовать BUZ11 в мощных схемах. Низкое сопротивление канала обеспечивает малые потери при коммутации больших токов. Широкий температурный диапазон делает транзистор пригодным для работы в жестких условиях эксплуатации.

Особенности и преимущества BUZ11

BUZ11 обладает рядом важных особенностей, делающих его привлекательным выбором для разработчиков электроники:

• Высокая скорость переключения (наносекундный диапазон)
• 100% лавинное тестирование на заводе
• Возможность прямого управления от логических микросхем
• Высокое входное сопротивление
• Очень низкое сопротивление канала в открытом состоянии
• Линейная передаточная характеристика

Как эти особенности влияют на применение BUZ11? Высокая скорость переключения позволяет использовать транзистор в высокочастотных схемах. Лавинное тестирование гарантирует надежность при кратковременных перегрузках. Простота управления упрощает схемотехнику. Низкие потери обеспечивают высокий КПД в силовых применениях.

Области применения BUZ11 MOSFET

Благодаря своим характеристикам, BUZ11 находит применение во многих областях электроники:

• Высокоскоростные переключатели
• Драйверы реле и электромагнитов
• Импульсные источники питания
• Преобразователи DC-DC и DC-AC
• Драйверы электродвигателей
• Мощные аудиоусилители
• Зарядные устройства для аккумуляторов
• Автомобильная электроника

Где конкретно используется BUZ11 в этих применениях? В импульсных блоках питания он может работать ключевым элементом. В аудиотехнике BUZ11 применяется в выходных каскадах усилителей. В автомобильной электронике транзистор используется для управления различными нагрузками.

Распиновка и подключение BUZ11

BUZ11 выпускается в корпусе TO-220AB с тремя выводами. Распиновка транзистора следующая:

1. Затвор (Gate) — управляющий электрод
2. Сток (Drain) — силовой вывод, через который протекает основной ток
3. Исток (Source) — общий вывод, соединяемый с «землей» схемы

Как правильно подключать BUZ11 в схеме? Затвор соединяется с выходом управляющей схемы через резистор 100-1000 Ом. Сток подключается к коммутируемой нагрузке. Исток обычно соединяется с общим проводом. Для защиты затвора рекомендуется использовать стабилитрон на 15-18 В.

Аналоги и замены для BUZ11

В случае отсутствия BUZ11 можно использовать ряд аналогичных транзисторов с близкими характеристиками:

• BUZ11A
• IRLZ24N
• IRLZ34N
• STP32N06L
• STP36N06
• MTP30N06EL
• RFP23N06LE

Какие особенности нужно учитывать при замене BUZ11? Важно сравнить ключевые параметры: максимальное напряжение сток-исток, максимальный ток, сопротивление открытого канала. Также следует проверить совместимость корпусов и распиновку выводов.

Меры предосторожности при работе с BUZ11

При использовании BUZ11 MOSFET следует соблюдать некоторые меры предосторожности:

• Не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов
• Обеспечивать адекватный теплоотвод при работе с большими токами
• Использовать защитные цепи для предотвращения пробоя затвора статическим электричеством
• Соблюдать правила монтажа для чувствительных к статике компонентов

Каковы последствия несоблюдения этих мер? Превышение предельных режимов может привести к выходу транзистора из строя. Недостаточный теплоотвод вызовет перегрев и деградацию характеристик. Повреждение затвора статикой сделает транзистор неработоспособным.

Сравнение BUZ11 с другими MOSFET

Сравним характеристики BUZ11 с некоторыми популярными MOSFET транзисторами:

Параметр	BUZ11	IRFZ44N	IRF3205
Макс. напряжение сток-исток	50 В	55 В	55 В
Макс. ток стока	30 А	49 А	110 А
Сопротивление открытого канала	0,040 Ом	0,0175 Ом	0,008 Ом

Какие выводы можно сделать из этого сравнения? BUZ11 имеет более скромные характеристики по току и сопротивлению канала. Однако он обладает достаточной мощностью для многих применений и может быть более доступным и экономичным выбором в ряде случаев.

BUZ11 MOSFET Распиновка, объяснение, характеристики, эквиваленты, особенности, применение В этом посте мы собираемся обсудить распиновку BUZ11 MOSFET, объяснение, спецификации, эквиваленты, функции, приложения и другую важную информацию об этом устройстве.

Реклама

Реклама

 

Характеристики/технические характеристики:

• Тип упаковки:  ТО-220АБ
• Тип транзистора: Канал N
• Максимальное напряжение от стока к источнику: 50 В
• Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
• Максимальный постоянный ток утечки: 30 А
• Максимальный импульсный ток стока: 120 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
• Макс. сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.): 0,040 Ом
• Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть:  от -55 до +150 по Цельсию

 

Replacement and Equivalent:

BUZ11A, BUZ11AL, BUZ11FI, BUZ11S2, IRLZ24N, IRLZ34, IRLZ34N, STP32N06L, STP36N06, MTP30N06EL, RFP23N06LE, STP32N05L, BUK555-60A

 

BUZ11 Transistor Explained / Description:

BUZ11 — широко используемый N-канальный полевой МОП-транзистор в корпусе TO-220AB, способный выдерживать непрерывную нагрузку до 30 А. Он в первую очередь предназначен для таких приложений, как высокоскоростное переключение, сильноточное переключение, импульсные стабилизаторы, схемы преобразования постоянного тока в переменный и постоянный ток, драйверы реле, мощные аудиоусилители и драйверы двигателей. Но его также можно использовать в самых разных общих приложениях, которые подпадают под его рейтинги.

 

Полевой МОП-транзистор имеет множество функций и преимуществ, таких как:

Высокая нагрузка по току и напряжению

Транзистор способен выдерживать непрерывную нагрузку с высоким током до 30 А и нагрузкой с высоким напряжением до 50 В.

 

Скорость переключения в наносекундах

Функция переключения в наноскорости делает его идеальным для приложений, в которых крайне важна очень высокая скорость переключения, например, в цепи ИБП.

 

100% лавинное тестирование

МОП-транзистор прошел 100% лавинное тестирование, благодаря чему он может выдерживать и стабильно работать, когда его напряжение сток-исток превышает максимальные пределы.

 

Работает непосредственно от интегральных схем

Транзистор прост в управлении и может напрямую управлять ИС и электронными платформами, такими как Arduino и Raspberry Pi.

 

Высокое входное сопротивление

Высокий входной импеданс снижает входной ток и рассеиваемую мощность MOSFET.

 

Очень низкий RDS(on)

МОП-транзистор имеет очень низкое сопротивление сток-исток во включенном состоянии, что обеспечивает меньшее рассеивание тепла во время работы.

 

Другими особенностями являются возможности линейной передачи, устройство с основной несущей и т.д. ток стока 120А, максимальная рассеиваемая мощность 75Вт.

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

Как обсуждалось выше, транзистор в первую очередь предназначен для высокоскоростного переключения и переключения сильного тока, драйверов реле, регуляторов переключения, драйверов двигателей, постоянного тока в переменный. и преобразование постоянного тока в постоянный и использование мощного аудиоусилителя, но также может использоваться для самых разных целей общего назначения.

 

Применение:

Источники питания

Солнечные зарядные устройства и расходные материалы

Автомобильные приложения

Другие схемы зарядных устройств батареи

Схемы управления аккумуляторами

БЕЗОПАСНЫ производительности в ваших проектах предлагается не использовать какое-либо устройство выше его абсолютных максимальных значений и оставаться на 20% ниже его максимальных значений, и то же самое относится к BUZ11 MOSFET. Максимальное напряжение сток-исток составляет 50 В, поэтому не подключайте нагрузку более 50 В. Максимальное напряжение сток-исток составляет 50 В, поэтому не подключайте нагрузку более 40 В и всегда храните или эксплуатируйте транзистор при температуре выше -55 °C и ниже +150 °C.

 

Техническое описание:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/B/U/Z/BUZ11-FairchildSemiconductor.pdf

BUZ11 MOSFET: аналог, спецификация, распиновка, техническое описание Обновлено

2 декабря 2022 г.

BUZ11 BUZ11

BUZ11 представляет собой N-канальный полупроводниковый МОП-транзистор средней мощности, который в основном используется для переключения и управления.

Спецификация BUZ11

• BUZ11 — это устройство MOSFET с N-канальным режимом расширения
• Напряжение сток-исток ( В _DS ) равно 50 В
• Напряжение затвор-исток ( В _GS ) составляет +/- 20 В
• Затвор для порогового напряжения ( В _{ГС (th)} ) 1В, 3В и 4В
• Ток стока ( I _D ) 30A
• Импульсный ток стока ( I _DM ) 120A
• Рассеиваемая мощность ( P _D ) 75 Вт
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ( R _{DS (ON)} ) от 03 Ом до 0,04 Ом
• Входная емкость ( C _ISS ) составляет от 1500 до 2000 пф
• Выходная емкость ( C _ob ) составляет 750 до 1100пФ
• Температура соединения/температура хранения находится в пределах от -55 до 150 ℃
• Термическое сопротивление, переход к корпусу ( R _th J-C) составляет 67℃/Вт
• Время восстановления внутреннего диода ( trr ) составляет 200 нс
• Время нарастания ( tr ) составляет от 70 до 110 нс
• 100% лавинное испытание
• Повторяющиеся лавинные данные при масштабе 100 %
• Низкая зарядка затвора
• Способность к сильному току
• SOA — рассеиваемая мощность
• Наносекундная скорость переключения
• Линейная передаточная характеристика
• Высокое входное сопротивление
• Устройство мажоритарной несущей

Схема контактов BUZ11 Схема контактов BUZ11

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	ВОРОТ	Клемма затвора используется для запуска МОП-транзистора
2	СЛИВ	Клемма стока является входом MOSFET
3	ИСТОЧНИК	В источнике терминальный ток вытекает из MOSFET

 

БУЗ11 в корпусе

БУЗ11 представляет собой полупроводниковый прибор средней мощности в корпусе ТО-220АБ.

TO-220AB изготовлен из эпоксидно-пластикового материала, который обладает более высокой термостойкостью и компактностью.

BUZ11 n-канальный полевой МОП-транзистор, объяснение электрических характеристик 

В этом разделе мы объясняем электрические характеристики BUZ11 MOSFET, это объяснение действительно полезно для процесса замены.

Характеристики напряжения

Характеристики напряжения n-канального МОП-транзистора BUZ11: напряжение сток-исток составляет 50 В, напряжение затвор-исток составляет +/-20 В, а пороговое напряжение затвора составляет 2,1 В, 3 В и 4 В. .

Характеристики напряжения n-канального МОП-транзистора BUZ11 показывают, что это устройство средней мощности с низкими значениями напряжения.

Характеристики тока

Значение тока коллектора N-канального МОП-транзистора BUZ11 составляет 30 А, это нагрузочная способность устройства.

Импульсный ток коллектора n-канального МОП-транзистора BUZ11 составляет 120 А, импульсный ток в три раза превышает текущее значение.

Характеристики рассеивания

Рассеиваемая мощность BUZ11 составляет 75 Вт, она в основном зависит от комплекта компонентов.

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии составляет от 0,03 до 0,04 Ом, это полное значение сопротивления данного устройства МОП-транзистор от – 55 до +150℃ .

Входная емкость

Входная емкость N-канального МОП-транзистора BUZ11 составляет от 1500 до 2000 Пф, это полное значение емкости, предлагаемое устройством МОП-транзистора.

Выходная емкость

Выходная емкость BUZ11 N-канального MOSFET составляет от 750 до 1100PF

BUZ11 DATASHEET

Если вам нужен DataShiet в PDF Please

.

Полупроводниковые устройства, такие как BUZ11A, IRLZ24N, IRLZ34N, STP32N06L, STP36N06 и BUK555-60A, являются эквивалентными MOSFET-устройствами BUZ11 MOSFET. Все эти устройства имеют одинаковый набор электрических характеристик, поэтому мы можем легко использовать их в качестве замены цепям.

BUZ11 vs BUZ11A vs IRLZ34

В этой таблице мы перечислили электрические характеристики BUZ11, BUZ11A и IRLZ34.

Характеристики	BUZ11	BUZ11A	IRLZ34
Напряжение сток-исток (VDS))	50 В	50 В	60 В
Напряжение затвор-исток (Vgs)	+/-20 В	+/-20 В	+/-10 В
Пороговое напряжение затвора (Vg(th))	2,1 В, 3 В и 4 В	2,1 В, 3 В и 4 В	1 В до 2 В
Ток стока (ID)	30 мА	26 А	30 А
Импульсный ток стока (IDM)	120 А	110 А	110 А
Рассеиваемая мощность (PD)	75 Вт	88 Вт	88 Вт
Температура перехода (ТДж)	от -55 до +150°C	от -55 до +175°C	от -55 до +175°C
Термическое сопротивление, соединение с корпусом	1,67 ℃/Вт	1,7 ℃/Вт	1,7 ℃/Вт
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS)	от 0,03 до 0,04 Ом	от 0,045 до 0,055 Ом	0,050 Ом
Восстановление диода в корпусе	200 нс	85 нс	120–180 нс
Входная емкость	от 1500 до 2000пф	1400пф	1600пф
Выходная емкость	от 750 до 1100 пф	200 пф	660 пф
Пакет	ТО-220АБ	ТО-220	ТО-220АБ

Применение BUZ11

• Драйвер реле
• Драйвер двигателя
• Импульсный регулятор
• Импульсный преобразователь
• Приложения для высокоскоростных драйверов
• Приложения драйвера с низкими воротами
• Интегрированные приложения, драйверы соленоидов и реле
• Преобразователь постоянного/постоянного тока и преобразователь переменного/переменного тока
• Цепь управления двигателем
• Приложения автоматизации
• Цепь драйвера лампы

Графические характеристики n-канального МОП-транзистора BUZ11 Выходные характеристики n-канального МОП-транзистора BUZ11

На рисунке показаны выходные характеристики n-канального МОП-транзистора BUZ11, а на графике представлена ​​зависимость тока стока от напряжения сток-исток.

При постоянном значении рассеяния, различном напряжении затвора и истока значение тока стока увеличивается и становится постоянным по отношению к значениям напряжения.

Характеристики безопасной рабочей зоны BUZ11 MOSFET

На рисунке показаны характеристики безопасной рабочей зоны BUZ11 MOSFET, графики зависимости тока стока от напряжения сток-исток, сопротивления в открытом состоянии и скорости переключения.

Схема BUZ11 Схема драйвера лампы с использованием BUZ11 MOSFET,

На рисунке показана схема драйвера лампы с использованием BUZ11 MOSFET, схема состоит из диода и MOSFET с лампой.

Когда питание проходит через цепь, диод используется для управления полевым МОП-транзистором, и он будет контролировать ток и управлять лампой.

Похожие сообщения

МОП-транзистор

CS630 MOSFET Лист данных, распиновка, ЭКВИВАЛЕНТ, спецификация

Byadharsh 15 февраля 2022 г.

CS630 N-канальный МОП-транзистор Спецификация CS630 MOSFET Это N-канальный МОП-транзистор Напряжение сток-исток (Vds) составляет 200 В Напряжение затвор-исток (Vgs) составляет 30В От затвора до порогового напряжения…

Подробнее CS630 MOSFET Лист данных, распиновка, ЭКВИВАЛЕНТ, спецификацияПродолжить

МОП-транзистор

IRF250 MOSFET: распиновка, аналог, спецификация, техническое описание

Byadharsh 6 декабря 2022 г.

IRF250 MOSFET Спецификация IRF250 IRF250 — это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор Напряжение сток-исток (VDS) составляет 200 В Напряжение затвор-исток (VGS) составляет +/- 20В Затвор-пороговое напряжение…

Подробнее IRF250 MOSFET: распиновка, эквивалент, спецификация, техническое описаниеПродолжить

МОП-транзистор

IRF1405 MOSFET: распиновка, аналог, спецификация, техническое описание

Byadharsh 2 декабря 2022 г.

IRF1405 MOSFET IRF1405 — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор с быстрым переключением и умеренными характеристиками напряжения. Спецификации IRF1405 IRF1405 — это N-канальное устройство POWER MOSFET Напряжение сток-исток (VDS)…

Подробнее IRF1405 MOSFET: распиновка, эквивалент, спецификация, техническое описаниеПродолжить

МОП-транзистор

IRF740 MOSFET Лист данных: распиновка, спецификация, ЭКВИВАЛЕНТ

Byadharsh 11 июля 2022 г. 11 июля 2022 г.

IRF740 MOSFET Спецификация IRF740 MOSFET IRF740 — это N-канальное устройство POWER MOSFET Напряжение сток-исток (VDS) составляет 400 В Напряжение затвор-исток (VGS) составляет +/- 20 В Затвор до порога…

Подробнее IRF740 MOSFET Datasheet: распиновка, спецификация, ЭКВИВАЛЕНТПродолжить

МОП-транзистор

IRF730 MOSFET: аналог, распиновка, спецификация, упаковка, применение и техническое описание

Byadharsh 12 марта 2022 г.