Что такое транзистор BUZ90. Каковы основные параметры и характеристики BUZ90. Где применяется BUZ90 в электронных схемах. Какие существуют аналоги транзистора BUZ90. Как правильно подключать и использовать BUZ90.
Основные характеристики и параметры транзистора BUZ90
BUZ90 — это мощный полевой MOSFET-транзистор n-канального типа, разработанный компанией Siemens (сейчас Infineon). Данный транзистор обладает следующими ключевыми характеристиками:
- Структура: n-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Максимальный постоянный ток стока: 4.5 А
- Максимальный импульсный ток стока: 18 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 1.6 Ом
- Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
- Корпус: TO-220AB
Как мы видим, BUZ90 рассчитан на высокое рабочее напряжение до 600 В при умеренном токе до 4.5 А. Это делает его подходящим для применения в высоковольтных ключевых и импульсных схемах.
Области применения транзистора BUZ90
Благодаря своим характеристикам, транзистор BUZ90 нашел широкое применение в следующих областях электроники:
- Импульсные источники питания — используется в качестве высоковольтного ключа в схемах преобразователей.
- Драйверы электродвигателей — применяется для коммутации обмоток двигателей.
- Инверторы — выступает в роли ключевого элемента для формирования переменного напряжения.
- Усилители класса D — служит выходным каскадом в импульсных усилителях.
- Системы индукционного нагрева — используется для формирования высокочастотных импульсов.
Основные достоинства BUZ90, определяющие его популярность — это высокое рабочее напряжение, хорошее быстродействие и низкое сопротивление открытого канала. Это позволяет эффективно применять его в импульсных схемах с высоким КПД.
Цоколевка и подключение транзистора BUZ90
BUZ90 выпускается в корпусе TO-220AB, который имеет следующую цоколевку:
- Вывод 1 — Затвор (Gate)
- Вывод 2 — Сток (Drain)
- Вывод 3 — Исток (Source)
При подключении транзистора важно учитывать следующие моменты:
- Затвор управляется напряжением относительно истока. Типовое напряжение включения 10-20 В.
- Сток является силовым выводом, через который протекает основной ток нагрузки.
- Металлический корпус электрически соединен со стоком, что нужно учитывать при монтаже.
- Рекомендуется использовать защитный резистор между затвором и схемой управления.
Правильное подключение BUZ90 обеспечит его надежную и эффективную работу в схеме.
Аналоги и замена транзистора BUZ90
При необходимости замены BUZ90 можно использовать следующие аналоги:
- IRF740 — очень близкий аналог по параметрам
- STP6NK60Z — транзистор с улучшенными характеристиками
- FQPF4N60C — более современный аналог
- КП726А — отечественный аналог с похожими параметрами
При выборе замены важно сравнивать ключевые параметры:
- Максимальное напряжение сток-исток
- Максимальный ток стока
- Сопротивление открытого канала
- Тепловые характеристики
Это позволит подобрать наиболее подходящий аналог для конкретной схемы применения.
Особенности работы с транзистором BUZ90
При использовании BUZ90 в электронных устройствах следует учитывать некоторые особенности:
- Транзистор чувствителен к статическому электричеству, требуется осторожность при монтаже.
- Для эффективного отвода тепла рекомендуется использовать радиатор.
- Важно обеспечить быстрое переключение для снижения динамических потерь.
- При работе на высокой частоте нужно учитывать паразитные емкости транзистора.
- Рекомендуется применять снабберные цепи для защиты от перенапряжений.
Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора BUZ90 в различных электронных схемах.
Сравнение BUZ90 с современными аналогами
Хотя BUZ90 остается популярным транзистором, современные аналоги имеют ряд преимуществ:
| Параметр | BUZ90 | Современный аналог (STP6NK60Z) |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | 600 В | 600 В |
| Максимальный ток стока | 4.5 А | 6 А |
| Сопротивление открытого канала | 1.6 Ом | 1 Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 75 Вт | 125 Вт |
Как видно, современные транзисторы обладают улучшенными характеристиками при сохранении основных параметров. Это позволяет повысить эффективность устройств при модернизации.
Рекомендации по выбору BUZ90 для конкретных применений
При выборе BUZ90 для использования в электронных схемах следует учитывать следующие факторы:
- Для высоковольтных применений (свыше 400 В) BUZ90 является хорошим выбором благодаря максимальному напряжению 600 В.
- В схемах с током нагрузки до 4 А транзистор будет работать эффективно без значительного нагрева.
- При работе на частотах выше 100 кГц стоит рассмотреть более быстродействующие аналоги.
- Для применений с высокими требованиями к КПД рекомендуется выбрать транзистор с меньшим сопротивлением канала.
- В портативных устройствах с батарейным питанием лучше использовать более современные энергоэффективные аналоги.
Правильный выбор транзистора с учетом конкретных требований схемы позволит создать оптимальное и эффективное устройство.
Buz90 datasheet на русском
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Высказывания: Основные параметры BUZ90A полевого транзистора n-канального.Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального BUZ90A. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Структура (технология): MOSFET |
| Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Tj max, °C | Fr (Ton/of) | Ciss tip | Rds |
| 75W | 600V | ±20V | 4A | 150°C | 30/150nS | 1050pF | 2 |
Производитель: SIEMENS
Сфера применения: SIPMOS Power V-MOS
Популярность: 6452
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BUZ90A
| Общий вид транзистора BUZ90A. | Цоколевка транзистора BUZ90A. |
Обозначение контактов:
Международное: G — затвор, D — сток, S — исток.
Российское: З — затвор, С — сток, И — исток.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора BUZ90A.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
BUZ90 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BUZ90
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 1050 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
BUZ90 Datasheet (PDF)
1.1. buz90a.pdf Size:175K _siemens
BUZ 90 A SIPMOS � Power Transistor � N channel � Enhancement mode � Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS >1.2. buz90.pdf Size:176K _siemens
BUZ 90 SIPMOS � Power Transistor � N channel � Enhancement mode � Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS >
BUZ900D MAGNA BUZ901D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • N–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY RATING • ENHANC
BUZ900P MAGNA BUZ901P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N–CHANNEL POWER MOSFET 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) • N–CHANNEL POWER MOSFET 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.1
BUZ907D MAGNA BUZ908D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROT
BUZ900 www.DataSheet4U.com MAGNA BUZ901 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • N–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY
BUZ907P MAGNA BUZ908P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) POWER MOSFET 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0
BUZ905X4S MAGNA BUZ906X4S TEC NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P–CHANNEL POWER MOSFET 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) 31.7 (1.248) POWER MOSFETS FOR 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) (4 places) AUDIO APPLICATIONS 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) R 4.0 (0.
BUZ902 MAGNA BUZ903 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROTEC
BUZ902D MAGNA BUZ903D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROT
BUZ905DP MAGNA BUZ906DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 • P–CHANNEL POWER MOSFET 2.0 • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) • HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 • ENHANCEMENT MODE 2.8 • INTEGRAL PROTECTION D
BUZ905D MAGNA BUZ906D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • P–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY RATING • ENHANC
BUZ907DP MAGNA BUZ908DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 2.0 • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 • ENHANCEMENT MODE 2.8 • INTEGRAL PROTECTION DIODES 5.45 5.45 • COMPLI
BUZ907 MAGNA BUZ908 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P�CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 � 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. � 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 � HIGH SPEED SWITCHING � SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED � HIGH VOLTAGE (220V & 250V) � HIGH ENERGY RATING R 4.0 � 0.1 R 4.4 � 0.2 � ENHANCEMENT MODE � INTEGRAL PROTECTION DIODES � COMPLI
BUZ905P MAGNA BUZ906P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P–CHANNEL POWER MOSFET 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) • P–CHANNEL POWER MOSFET 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.1
BUZ902DP MAGNA BUZ903DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 2.0 • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 • ENHANCEMENT MODE 2.8 • INTEGRAL PROTECTION DIODES 5.45 5.45 • COMPLI
BUZ902P MAGNA BUZ903P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N�CHANNEL 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) POWER MOSFET 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 � HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) � SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0.123) �
BUZ900X4S MAGNA BUZ901X4S TEC NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N–CHANNEL POWER MOSFET 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) 31.7 (1.248) POWER MOSFETS FOR 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) (4 places) AUDIO APPLICATIONS 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) R 4.0 (0.
1.20. buz905-06.pdf Size:40K _magnatec
BUZ905 MAGNA BUZ906 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • P–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY RATING • ENHANCEM
BUZ90 (Siemens Semiconductor Group)
Power Transistor
No Preview Available !
Click to Download PDF File for PC
BUZ90 (Siemens Semiconductor Group)
Power Transistor
No Preview Available !
Транзистор IRF740. Характеристики, аналог, datasheet.
Транзистор IRF740 – MOSFET транзистор 3 поколения, гарантирует быструю скорость переключения, имеет хорошую стабильность, во включенном состоянии обладает малым сопротивлением и наилучшим соотношение эффективность – цена.
Изначально разработчиком и производителем транзистора IRF740 была компания International Rectifier, впоследствии передав право на производство VISHAY. Так же выпуском этого транзистора занимаются такие компании как: ST, Fairchild, Infineon.
Паяльная станция 2 в 1 с ЖК-дисплеем
Мощность: 800 Вт, температура: 100…480 градусов, поток возду…
IRF740 широко используется в роли элемента усиления в модулях и блоках электронной аппаратуры, а также в ключевых схемах.
Характеристики IRF740
- Структура: n-канал
- Max ток сток-исток при температуре 100°С : 6,3 А
- Max ток сток-исток при температуре 25°С : 10 А
- Max напряжение затвор-исток: 20 В
- Max напряжение сток-исток: 400 В
- Max импульсный ток сток-исток при температуре 25°: 40 А
- Max мощность рассеивания: 125 Вт
- Емкость входа:1259 пФ
- Пороговое напряжение на затворе: 2 .. 4 В
- Сопротивление открытого канала: 0,55 Ом
- Рабочий диапазон температур: — 55 .. + 150 °C;
- Корпус: TO-220ab
Цоколевка IRF740
Ниже приведена цоколевка транзистора IRF740:
Следует отметить что вывод «Сток (D) » соединен с корпусом транзистора.
Аналог транзистора IRF740
Его зарубежными аналогами являются: BUZ90, IRF340, BUZ61, 2SK1378, STP11NK40Z, D84EQ2, HAT2025R.
Транзистор IRF740 можно заменить на отечественные: КП740, КП340, КП776А.
Держатель для платы
Материал: АБС + металл, размер зажима печатной платы (max): 20X14 см…
Cкачать datasheet IRF740 (161,8 KiB, скачано: 4 618)
| ||||||
Irf740 транзистор параметры цоколевка
Дешевый n-канальный MOSFET на 400В и 10А. Был разработан и производился International Rectifier, потом IR продала большое количество своей номенклатуры вместе с производственными мощностями VISHAY и та стала выпускать транзистор под названием SiHF740A.
Кроме того IRF740 выпускают и другие производители: Infineon, ST, Fairchild.
IRF740 параметры
- Структура — n-канал;
- Максимальное напряжение сток-исток Uси = 400 В;
- Максимальный ток сток-исток при 100°С Iси макс. = 6,3 А;
- Максимальный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 10 А;
- Максимальный импульсный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 40 А;
- Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В;
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.
IRF740 нашел применение в качестве высокочастотных ключей импульсных источников питания:
В источниках питания с входным переменным напряжение 220-240 В для мостовой и полумостовой топологии, конечно если нет вероятности работы при повышенных сетевых напряжениях.
В источниках питания рассчитанных на 100-120 В могут использоваться в прямоходовом и обратноходовом включении.
Кроме того IRF740 применяется в металлоискателях, например в простом и популярном металлодетекторе PIRAT.
Аналоги IRF740
Полные: STP11NK40Z (ST), D84EQ2, VN2340N5.
Существует отечественный аналог IRF740 и с теми же цифрами КП740!
Этот транзистор дешево купить можно на алиэкспрессе по 2 доллара за 10 штук.
6 thoughts on “ Транзистор IRF740 параметры ”
Импульсный блок питания собирал лишь раз, для своей первой и единственной IBM XT ручной сборки. Навозился с ним больше, чем с материнской платой, в основном из-за наводимых помех вызывающих аппаратные сбои. Любовь к изготовлению ИБП пропала навсегда.
А вот металлоискателей, и как раз на КП740, сделал под заказы больше десятка. Неистребима в людях жажда кладоискания. Плохо то, что иногда, в виде клада выкапывают старые снаряды, мины и авиабомбы.
Но транзистор хорош и просто как высоковольтный ключ, без ВЧ.
У меня был отрицательный опыт при работе с полевыми мощными транзисторами, которым хотел бы поделится , что бы другие не повторили. Ремонтировал мощную ультрозвуковую ванну. Мне нужно было контролировать точно частоту выходного сигнала. Я мерил ее на затворе . В результате чего уходила частота за счет входного R и С прибора. Результат , который я ожидал , частота ушла в разнос и вывела из строя выходной каскад.
Ну, о влиянии измерительного прибора на измеряемый надо помнить всегда ) особенно при работе с ВЧ. Приличный осциллограф влияет меньше всех, как правило. Но ультразвук не такое уж и ВЧ в общем-то, там другие нюансы. Непонятно почему вышел из строя выходной каскад, обычно, на ультразвуковых мойках (по крайней мере с теми, что работал) при взбесившейся частоте летит излучатель, как самое слабое звено данного устройства. А уж он может потащить за собой и выходной каскад, хотя и не часто.
Я их сейчас как ключи для «умного дома» (на даче) использую. И по вольтажу подходят , а токи сейчас небольшие у освещения. Простота включения и 400 Вольт. А в основном цена все-таки и габариты.
Я, в основном, использую их так же, о чем и писал выше. Если не упираться в их высокочастотность, то как коммутационные и управляющие ключи электросети — они очень хороши. Для «умного дома» самое оно, много интересных вещиц, повышающих комфорт жилища можно понаделать и объединить в систему. Используя, как готовые решения, так и свои, несложные разработки. Когда-то казавшееся фантастикой, сейчас реализуется довольно просто, благодаря современной базе. А прогресс всегда двигался людьми ленивыми, но с фантазией )
Транзистор IRF740 – MOSFET транзистор 3 поколения, гарантирует быструю скорость переключения, имеет хорошую стабильность, во включенном состоянии обладает малым сопротивлением и наилучшим соотношение эффективность – цена.
Изначально разработчиком и производителем транзистора IRF740 была компания International Rectifier, впоследствии передав право на производство VISHAY. Так же выпуском этого транзистора занимаются такие компании как: ST, Fairchild, Infineon.
IRF740 широко используется в роли элемента усиления в модулях и блоках электронной аппаратуры, а также в ключевых схемах.
Характеристики IRF740
- Структура: n-канал
- Max ток сток-исток при температуре 100°С : 6,3 А
- Max ток сток-исток при температуре 25°С : 10 А
- Max напряжение затвор-исток: 20 В
- Max напряжение сток-исток: 400 В
- Max импульсный ток сток-исток при температуре 25°: 40 А
- Max мощность рассеивания: 125 Вт
- Емкость входа:1259 пФ
- Пороговое напряжение на затворе: 2 .. 4 В
- Сопротивление открытого канала: 0,55 Ом
- Рабочий диапазон температур: — 55 .. + 150 °C;
- Корпус: TO-220ab
Цоколевка IRF740
Ниже приведена цоколевка транзистора IRF740:
Следует отметить что вывод «Сток (D) » соединен с корпусом транзистора.
Аналог транзистора IRF740
Его зарубежными аналогами являются: BUZ90, IRF340, BUZ61, 2SK1378, STP11NK40Z, D84EQ2, HAT2025R.
Транзистор IRF740 можно заменить на отечественные: КП740, КП340, КП776А.
Cкачать datasheet IRF740 (1,4 Mb, скачано: 3 291)
IRF740 — это N-канальный мощный полевой MOSFET-транзистор компании International Rectifier (IR) с изолированным затвором. В настоящее время производится компанией Vishay (преемницей IR) с другим наименованием, указанным в даташит — SiHF740. Он способен переключать нагрузки до 400 В, потребляющие до 10 А c пороговым напряжением на затворе до 10 В. При этом мощность рассеивания не должна превышать 125 Вт. Заявленное производителем сопротивление в открытом состоянии достаточно низкое и составляет 0,55 Ом.
Поскольку этот mosfet предназначен для переключения силовых линий, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому не может использоваться непосредственно с выходом микроконтроллера. Для использования с микроконтроллером потребуется дополнительная обвязка.
Распиновка
IRF740 встречается в стандартном корпусе ТО-220AB, выдерживающем достаточно высокие температуры и мощность рассеивания до 50 Вт. Распиновка (цоколевка) характерна для большинства полевиков компании IR — левая ножка — затвор, средняя — сток и крайняя правая -исток. Для определении распиновки всегда смотрите на лицевую сторону устройства, на которую нанесена маркировка. При непосредственном монтаже на плату надо учитывать физическое соединение корпуса с выводом стока. На рисунке распиновка irf740 представлена более наглядно.
Характеристики IRF740
При ознакомлении с характеристиками полевого транзистора IRF740 изначально обращают внимание на его максимальные (предельно допустимые) характеристики. Затем, исходя из поставленной задачи, изучают электрические параметры. После этого переходят к графикам типовых выходных, передаточных и других характеристик. Рассмотрим основные фрагменты из DataSheet irf740 на русском языке.
Максимальные
Ниже представлены предельно допустимые значения МОП-транзистора IRF740. Не следует воспринимать их как основные, при которых mosfet будет работать стабильно. Превышение любого из них, даже на короткий промежуток времени, может привести к выходу устройства из строя.
Электрические
В электрических характеристиках IRF740 содержится информация проверенная производителем при определенных условия. Эти условия указываются дополнительно, в одном из столбцов таблицы. Например, из дополнительных условий можно узнать, что irf740 при напряжении 400 вольт между стоком-истоком, при отсутствующем напряжении на затворе, начинает проводить слабый ток — 250 микроампер.
Тепловые параметры
Основным параметром, который ограничивает применение полевого транзистора, является его рабочая температура. А точнее её увеличение, которое связанно с ростом сопротивления транзистора при прохождении через него электрического тока. Несмотря на низкое сопротивление mosfet, на нём все равно рассеивается некоторая мощность, из-за этого он нагревается. Для упрощения расчётов связанных с нагревом IRF740, в даташит приводятся значения его тепловых сопротивлений: от кристалла к корпусу (Junction-to-Case ) и от корпуса в окружающую среду (Junction-to-Ambient).
Неправильные расчеты тепловых параметров для использования в проектах и плохая пайка приводит к перегреву mosfet. На одном из форумов радиолюбитель жаловался на то, что в собранной им схеме металлоискатель пират на irf740 сильно греется. После продолжительных разбирательств причина перегрева выяснилась и оказалась самой банальной – плохая пайка прибора на плату и охлаждение.
Аналоги
Полными зарубежными аналогами устройства являются: STP11NK40Z (STM), D84EQ2 (National Semiconductor). Аналогичный вид корпуса, распиновка и характеристики этих устройств не потребуют вносить изменения в схему проекта в случае замены. Так же, наиболее подходящим для замены, моно сказать отечественным аналогом irf740, является транзисторы серии КП776. КП776 производит ОАО «ИНТЕГРАЛ», г.Минск, Республика Беларусь. В его даташит транзистор irf740 указан как прототип. Вот максимальные предельно допустимые электрические режимы эксплуатации КП776:
Проверка мультиметром
Большинство полевых n-канальных mosfet можно проверить обычным мультиметром. Сначала проверяют работу, так называемого паразитного диода между выводами стока (D) и истока (S). Затем проводится проверка открытия и закрытие мосфета путем одновременного, кратковременного касания щупами мультиметра контактов «S» и затвора (G). Если при такой подаче плюса на вывод «G» транзистор открывается, а между его выводами «D» — «S» появляется короткое замыкание (в обоих направлениях, несмотря на наличие паразитного диода), то он считается рабочим. Соответственно, если не открывается, то он считается нерабочим.
Для проверки irf740 одним мультиметром не обойтись, так для его открытия требуется напряжение на затворе не менее 4-5 вольт, а мультиметр способен выдать не более 0,3. Поэтому при проверке необходимо запастись источникам питания, например обычной кроной. Кратковременным касанием минусовой клеммой кроны контакта И, а плюсовой «G» можно открыть транзистор. Если после этого ток между «D» и «S» течет в обоих направлениях, то значит транзистор исправен. Конечно, перед проверкой на открытие/закрытие, необходимо проверить исправность паразитного диода. Предлагаем посмотреть видео на эту тему.
Производители
На российском рынке irf740 наиболее распространен под торговой маркой Vishay. Это связано с поглощением этой компанией подразделения IR в 2007 году. Подробнее про этот момент, а так же распространенную маркировку «irf» можно прочитать в статье про IRFZ44n. Даташиты некоторых производителей можно скачать, кликнув мышкой по ссылке:Vishay; National Semiconductor.
Мы предлагаем | Запрос на подбор компонентов
|
| Автор: Administrator | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 31.01.2019 06:28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Параметры транзисторов для блоков питания Биполярные п-р-п транзисторы для блоков питания
Полевые п-канальные MOSFET-транзисторы для блоков питания ВМ
Символ D в названии транзистора обозначает наличие демпферного диода (переход К—Э). |
Ремонт телевизора «Rainford», шасси 11АК56-4. — Радиомастер инфо
Рассмотрено устранение двух неисправностей: телевизор не включается, громкий рокот из динамика.
Внешний вид платы с деталями, «Rainford», шасси 11АК56-4:
На плате видно перегоревший предохранитель. Естественно, сразу менять предохранитель на новый и включать телевизор нельзя. Нужно выяснить причину перегорания и устранить ее.
Схема этого шасси без труда находится в интернете. Правда блок питания не совсем совпадает со схемой, но это не затрудняет ремонт, так как типовая схема блоков питания на ШИМ микросхеме серии 3842 и подобных достаточно подробно описана. Примеры ремонтов рассматривались и на этом сайте, например, здесь.
В первую очередь проверяем мультиметром на предмет замыкания детали, связанные с сетью: диодный мост, конденсатор после моста, полевик и микросхему блока питания. Проверка впаянных деталей показывает, что они пробиты.
Выпаиваем четыре диода выпрямительного моста 1N4007, полевой транзистор P6NK60 и микросхему КА3842. То, что они неисправны, подтверждается. Правда в диодном мосте из 4х диодов пробиты накоротко всего 2.
Для повышения надежности я меняю все 4 диода. Запаиваю их в схему, проверяю на предмет замыкания. Все в норме. Ставлю новый предохранитель. Первое включение делаю без микросхемы блока питания и полевого транзистора.
Измеряю напряжение на электролите после диодного моста, оно равно +318 вольт, это нормально. Далее проверяю напряжение питания микросхемы (она пока не запаяна). Это контакт, куда будет запаян вывод 7. Тут +18 вольт. Это тоже нормально.
Выключаем телевизор, разряжаем электролит после диодного моста, лучше не коротить, а через резистор около 1 кОм, не будет большой искры.
Запаиваю микросхему UC3842, она аналогична по параметрам КА3842. Проверяем осциллографом импульсы на выходе этой микросхемы, вывод 6. Они есть.
Выключаем, разряжаем сетевой электролит. Запаиваем полевик. У меня есть BUZ90, он подходит по параметрам, ставлю его.
Теперь телевизор включаю в сеть через лампу накаливания 220В 100 Вт.
Проверяю напряжения на выходе. На выходной каскад строчной развертки идет +113В (катод D804 или плюс С838).
На катоде D806 +11 В.
На катоде D807 +12 В.
Экран светится, телевизор работает.
При подключении динамика проявилась вторая неисправность. Из динамика слышен громкий рокот. Усилитель низкой частоты собран на микросхеме IC 102 (тип ее D2822). Ее расположение на плате показано на первом снимке этой статьи.
IC 102 сильно греется и садит питание с 12В до 10 В (вывод 2). Ее обвязка, в первую очередь электролиты, исправны. Меняем микросхему на TDA2822 и проблема уходит.
Проверяем полностью работу телевизора «Rainford», шасси 11АК56-4 . Во всех режимах работает нормально. Нагрев деталей выходных каскадов (блок питания, строчная, кадровая, УНЧ) в пределах нормы.
Материал статьи продублирован на видео:
2SA1787 : Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор PNP Применение видеовыхода высокого разрешения Ctr-display. BDX27 : Кремниевые планарные транзисторы PNP. SEMD48 : Предварительные данные для массива кремниевых транзисторов Npn / pnp. Массив кремниевых цифровых транзисторов NPN / PNP Предварительные данные Схема переключения, инвертор, схема интерфейса, схема драйвера Два (гальванических) внутренних изолированных NPN / PNP-транзистора в одном корпусе Встроенный резистор смещения NPN: = 47k PNP: = 47k Ориентация нагрузки ленты Маркировка на SOT666 корпус (например, WR) соответствует контакту 1 устройства Положение на ленте :. STB100NH02L : Низкое напряжение. N-канал 24 В — 0,0052 Ом — 60 А D2PAK StripFET Iii Power MOSFET. IXZR08N120A : 1200 В (макс.) МОП-транзисторы с коммутационным режимом Семейство высокочастотных МОП-транзисторов IXYS с коммутационным режимом идеально подходит для приложений, требующих быстрого переключения, включая лазерный драйвер, индукционный нагрев, источники питания с переключателем и другие коммутационные промышленные приложения. Ee. A05104F0.07 : RES NET, ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА, 100K OHMS, 200WV, 1% +/- TOL, -100,100PPM TC, 3412 CASE.s: Конфигурация: Chip Array; Категория / Применение: Общее использование. BUZ50A.MOD : 7,5 А, 1000 В, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 1000 вольт; Количество блоков в ИС: 1. C7820RJT : РЕЗИСТОР, ПРОВОДНАЯ НАВИВКА, 7 Вт, 5%, 200 ppm, 820 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 820 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 200 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 7 Вт (0.0094 л.с.); Стандарты. DMMT5401P : 200 мА, 150 В, 2 КАНАЛА, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: УЛЬТРАМАЛЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-6. ES1A-M3 / 5AT : 1 А, 50 В, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД, DO-214AC. s: Пакет: БЕЗ ГАЛОГЕНОВ И СООТВЕТСТВУЮЩИМ ROHS, ПЛАСТИК, SMA, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; ЕСЛИ: 1000 мА. IRFY440-JQR-B : 5,5 А, 500 В, 0,98 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 500 вольт; rDS (вкл.): 0.9800 Ом; Количество блоков в ИС: 1. KBPC1500-LF : 15 А, 50 В, КРЕМНИЙ, МОСТ-ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: BRIDGE RECTIFIER DIODE; Применение диодов: выпрямитель; IF: 300000 мА; VBR: 50 вольт; Соответствует RoHS: RoHS; Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, МЕТАЛЛ, KBPC, 4 КОНТАКТА; Количество контактов: 4; Количество диодов: 4. MRF8S9202GNR3 : ВЧ МОЩНОСТЬ, FET. Предназначен для приложений базовых станций CDMA с частотами от 960 МГц. Может использоваться в классах AB и C для всех типичных форматов модуляции сотовых базовых станций.Типичные характеристики W — CDMA с одной несущей: VDD = 28 В, IDQ = 1300 мА, Pout = 58 Вт в среднем, ограничение величины IQ, полоса пропускания канала = 3,84 МГц, PAR входного сигнала при вероятности 0,01%. SB30W03ZAY : 3 А, 30 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, высокое напряжение; IF: 3000 мА; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2. V39ZU05 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМО ОТ НАПРЯЖЕНИЯ, 31 В, 0.3 J, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы; Номинальная мощность: 0,2000 Вт (2,68E-4 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока: 31 вольт; Рабочая температура: от -55 до 85 C (от -67 до 185 F). 10ZL100020CA10X16 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 10 В, 1000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 1000 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 10 вольт; Ток утечки: 100 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая Температура:. 1210-100F : 1 ЭЛЕМЕНТ, 0,01 мкГн, PHENOLIC-CORE, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Основной материал: фенол; Стиль отведения: J; Применение: общего назначения, ВЧ дроссель; Диапазон индуктивности: 0,0100 мкГн; Номинальный постоянный ток: 966 миллиампер; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F). 74478201 : ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Применение: Универсальное. Kunde / заказчик: Artikelnummer / номер детали: Bezeichnung:: Eigenschaften / свойства Induktivitt / индуктивность Gte / коэффициент добротности DC-Widerstand / сопротивление постоянному току Nennstrom / номинальный ток Eigenres.-Частота / собственная частота Testbedingungen / условия испытаний 100 МГц 800 МГц Wert / значение Einheit / ед. Доп. 0,3 нГн Тип. Базисматериал / основной материал :. 800R : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 500 В, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0709. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F). |
Buz71 datasheet, pdf
Buz71 datasheet, buz71 datasheets, buz71 pdf, buz71 схема: siemens — силовой транзистор sipmos (лавинный режим усиления n каналов), alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников , диоды, симисторы и другие полупроводники. Техническое описание Buz71, техническое описание buz71, buz71 pdf, схема buz71: intersil — 14a, 50v, 0. Техническое описание Buz71, buz71 pdf, техническое описание buz71, техническое описание, техническое описание, pdf.085 ω лавинно-надежная технология 100% лавинные испытания, высокая допустимая нагрузка на ток 175 oc, рабочая температура, сильноточные, высокоскоростные переключающие соленоиды и драйверы реле. Промышленность полупроводниковых компонентов, ооо. Техническое описание Buz71a, buz71a pdf, техническое описание buz71a, руководство buz71a, buz71a pdf, buz71a, datenblatt, электроника buz71a, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data. Buz71 datasheet pdf — 55 // первая цифра кода даты, являющаяся z или k, идентифицирует кремний, охарактеризованный в этом техническом описании.
Buz71 datasheet (pdf) 3 страницы — stmicroelectronics: part no. N — канал 50 В — 0. Применения s высокий ток, высокая скорость переключения s соленоид и драйверы реле s регуляторы dc- dc- и dc- ac. См. Полный список на всем листе. Buz71: описание силового транзистора sipmos (режим n-канального улучшения лавинно-оцененный): скачать 9 страниц: прокрутка / масштабирование. Com посетили более 100 тысяч пользователей за последний месяц. Buz71: описание 14a, 50v, 0. Buz71 datasheet (pdf) 1 страница — siemens semiconductor group: арт.
99 силовой транзистор sipmos® • канал n • режим улучшения • лавинный контакт 1 контакт 2 контакт 3 g d s тип vds id rds (on) код заказа корпуса buz 73 200 v 7 a 0. Поиск в миллионах документов msds. 100 Ом, n-канальный МОП-транзистор, таблица данных, поиск в таблице. Корпорация Fairchild Semiconductor buz71 rev. Ищите бесплатные листы технических данных и получайте фантастические результаты. Упростите соответствие.
Типичный rds (on) = 0. Техническое описание Buz71, техническое описание buz71, buz71 pdf, buz71 схема: comset — n-канальный режим усиления МОП транзисторов, все технические данные, техническое описание, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторы и другие полупроводники.1 ω to- 220 ab c67078-s1316-a9 максимальные характеристики параметр символ значения единица непрерывный ток стока id a tc = 28 ° c 14 импульсный. 085 лавинно-прочная технология 100% лавинно-испытанная стойкость к высоким токам при рабочей температуре 175 ° C. Техническое описание Buz90 (pdf) 1. Этот сайт использует файлы cookie для предоставления наших услуг, а dxtasheet показывает вам списки вакансий в таблицах релевантных объявлений. 100 Ом, n-канальный силовой МОП-транзистор, buz71 pdf скачать Fairchild Semiconductor, buz71 datasheet pdf, распиновки, техническое описание, аналог.Полевой транзистор 100 Ом разработан для • таких применений, как импульсные стабилизаторы с ограничением рассеяния мощности. Техническое описание Buz71a, техническое описание buz71a, buz71a pdf, схема buz71a: stmicroelectronics — n — канал 50 В — 0. 100 Ом, n-канальный силовой МОП-транзистор: скачать 6 страниц: прокрутка / масштабирование: 100%. 085ω — 17a — 220 полевой МОП-транзистор, типичный rds (вкл.) = 0.
1Вт — 13а — 220 полевой МОП-транзистор] силовой МОП-транзистор, все данные, техническое описание, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов, и другие полупроводники.Размер pdf: 48 КБ _ intersil buz71 техническое описание июнь 1999, номер файла 2418. Buz71 техническое описание (pdf) 1 страница — корпорация intersil: номер детали. 4 ω к-220 ab c67078-s1317-a2. 100 Ом, n-канальный силовой МОП-транзистор с кремниевым затвором и полевым эффектом с n-канальным режимом расширения, предназначенный для таких приложений, как импульсные регуляторы, переключающие преобразователи, драйверы двигателей, драйверы реле и драйверы для биполярной коммутации высокой мощности. Buz71 datasheet (pdf) 1. 085w — 17a to-220 stripfet] силовой mosfet: загрузить 8 страниц: scroll.Благодаря длинному техническому описанию с ИБП, мы buz71 datasheet уникальные формы buz71 datasheet способы buz71 datasheet упаковки продуктов для транспортировки. 085w-17a to-220 stripfet] силовой МОП-транзистор, все технические данные, таблицы данных, поисковый сайт электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. МОП-транзистор с полосовым выводом 085 ohm — 17a to-220. Техническое описание Buz71 (pdf) показывает все меньше продуктов cahts: ushts: taric: eccn: ear99.
Buz71 datasheet (pdf) 1 страница — stmicroelectronics: номер детали.- МОП-транзистор с полосным полевым транзистором от 17a до 220, buz71 pdf скачать stmicroelectronics, buz71 datasheet pdf, распиновки, технический паспорт, эквивалент, схема, перекрестные ссылки, устаревшие, схемы. Техническое описание Buz71, buz71 pdf, buz71 техническое описание, руководство buz71, buz71 pdf, buz71, datenblatt, электроника buz71, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание. Найдите бесплатные листы технических данных на сайте directhit. Pdf) скачать даташит buz71. B buz71 14a, 50v, 0. Ищите бесплатные листы технических данных и получайте потрясающие результаты. 3 номер заказа публикации: buz11 / d buz11 n- канальный МОП-транзистор 50 В, 30 А, 40 МОм.
Buz71 n — канал 50 В — 0. Размер Pdf: 137k _ update_ mosfet buz 71 s2 не для новой конструкции силовой транзистор sipmos ® • канал n • режим улучшения • лавинный контакт 1 контакт 2 контакт 3 типа GDS vds id rds (on) код заказа упаковки buz 71 s2 60 v 14 a 0. Buz71 datasheet (pdf) 2 страницы — siemens semiconductor group: арт. 085w-17a to-220 stripfet], таблица данных buz71, схема buz71, таблица данных buz71: stmicroelectronics, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.Buz71 datasheet: 14a, 50v, 0. Buz71 n- канал 50v — 0.
Sipmos силовой транзистор (лавинный режим расширения n каналов), buz71 datasheet, buz71 circuit, buz71 data sheet: siemens, alldatasheet, datasheet, datasheet search сайт электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Размер PDF: 176 КБ _ siemens. 100 Ом, n-канальная мощность с функцией mosfet • 14a, 50v это n-канальный режим усиления мощности кремниевого затвора • rds (on) = 0.Размер pdf: 382к _ ст2. Buz71fi datasheet (pdf) 1. 085ω- 17a to- 220 полевой МОП-транзистор, buz71 pdf скачать stmicroelectronics, buz71 datasheet pdf, распиновки, техническое описание, эквивалент, схема, перекрестные ссылки, устаревшие, схемы. 1w — 13a to-220 stripfet], таблица данных buz71a, схема buz71a, таблица данных buz71a: stmicroelectronics, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.
Buz71: описание: n — канал 50 В — 0. Бесплатные технические описания ищите на directhit. Таблица данных Buz71: n — канал 50 В — 0. 1 ω to- 220 ab c67078-s1316- a9 Максимальные номинальные значения параметра символ значения единица измерения непрерывно. Buz 90, силовой транзистор sipmos, режим n-канального улучшения, лавинный, контакт 1 контакт 2 контакт 3 тип gds vds id rds (on), код заказа корпуса buz 90 600 v 4. Техническое описание Buz71, таблицы данных buz71, buz71 pdf, схема buz71: stmicroelectronics — n — канал 50в — 0.
TDA4605-2 Техническое описание Infineon Technologies
Qualität hat für uns eine umfassende
Bedeutung.Wir wollen allen Ihren
Ansprüchen in der bestmöglichen
Weise gerecht werden. Es geht uns also
nicht nur um die Produktqualität —
unsere Anstrengungen gelten
gleichermaßen der Lieferqualität und
Logistik, dem Service und Support
sowgenreungen allen.
Dazu gehört eine bestimmte
Geisteshaltung unserer Mitarbeiter.
Total Quality im Denken und Handeln
gegenüber Kollegen, Lieferanten und
Ihnen, unserem Kunden.Unsere
Leitlinie ist jede Aufgabe mit «Null
Fehlern» zu lösen — in offener
Sichtweise auch über den eigenen
Arbeitsplatz hinaus — und uns ständig ver
.
Unternehmensweit orientieren wir uns
dabei auch an «top» (Time Optimized
Processes), um Ihnen durch größere
Schnelligkeit den entscheidenden
Wettchangerbsvorsprupp.
Geben Sie uns die Chance, hohe
Leistung durch umfassende Qualität zu
beweisen.
Wir werden Sie überzeugen.
Качество имеет огромное значение
в Semiconductor Group.
Для нас это означает выполнение каждого и
каждого из ваших требований наилучшим из возможных способов
. Таким образом, мы не только
озабочены качеством продукции. Мы
направляем наши усилия в равной степени на качество снабжения и логистики
, обслуживание и поддержку
, а также на все другие способы
, которые мы консультируем и обслуживаем вас.
Частично это связано с особым отношением
наших сотрудников. Общее качество в мыслях и
делах в отношении сотрудников, поставщиков
и вас, нашего клиента. Наши рекомендации:
«делайте все без дефектов»,
открытым способом, который демонстрируется
за пределами вашего непосредственного рабочего места, и
для постоянного улучшения.
В рамках всей корпорации мы также
думаем о процессах, оптимизированных по времени
(вверху), увеличивая скорость в нашей части
, чтобы дать вам решающее конкурентное преимущество.
Дайте нам шанс доказать лучшую производительность
через лучшее качество
— вы убедитесь.
http://www.infineon.com
Total Quality Management
Опубликовано Infineon Technologies AG
INFINEON TDA4605
DtSheet- Загрузить
INFINEON TDA4605
Открыть как PDF- Похожие страницы
- STMICROELECTRONICS TDA4605D
- INFINEON Q67000
- FAIRCHILD АН-6075
- INFINEON Q67100
- INFINEON PSB2121-T
- INFINEON TCA785
- ETC RSE4812-B
- ETC MTL5521
- INFINEON TDA4605-2
- СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА 1Н5711
- СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКС 1Н6263
- INFINEON TDA4605-3
- STMICROELECTRONICS BAR28
- СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА BAT45
- ИНФИНЕОН СФ5692
- ANADIGICS AWS5523
- КОДЕНШИ ККА4605-2
- ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ILA4605-2
- ICPTest_SL1003 pdf
- STMICROELECTRONICS TDA4605
- SAMSUNG KS8803BD
- SAMSUNG KT3170N
dtsheet © 2021 г.
О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесьInfineon ранее Siemens CFY25-23, CFY25-20, CFY25-17 Лист данных
● Низкий уровень шума
● Высокое усиление
● Для входных усилителей
● длинноимплантированная планарная структура
● Вся золотая металлизация
ESD: Устройство, чувствительное к электростатическому разряду, соблюдайте меры предосторожности при обращении!
Тип | Маркировка | Код заказа | Конфигурация контактов | Упаковка1) | ||||||||||||||
(лента и катушка) | ||||||||||||||||||
1 | 2 | 3 | 4 | |||||||||||||||
CFY 25-17 | К 5 | Q62703-F106 | Micro-X | |||||||||||||||
Д | ю | г | ю | |||||||||||||||
CFY 25-20 | К 6 | Q62703-F107 | ||||||||||||||||
CFY 25-23 | К 7 | Q62703-F108 | ||||||||||||||||
Максимальные характеристики
Параметр | Символ | Значения | Блок |
Напряжение сток-исток | VDS | 5 | В |
Напряжение на затворе | VDG | 7 | |
Напряжение затвор-исток | ВГС | — 5… + 0 | |
Ток утечки | ID | 80 | мА |
Общая рассеиваемая мощность, TS ≤ 56 ˚C2) | Ptot | 250 | мВт |
Температура канала | ТС | 150 | ˚C |
Диапазон температур хранения | Tstg | — 65… + 150 | |
Тепловое сопротивление | |||
Канал — точка пайки2) | РТ ЧС | 375 | К / Вт |
1) Для получения подробной информации см. Главу «Комплектация».
2) TS измеряется на выводе истока в точке пайки печатной платы.
Группа полупроводников | 1 | 07.94 |
КФГ 25
Электрические характеристики
при TA = 25 ˚C, если не указано иное.
Параметр | Символ | Значения | Блок | |||
мин. | тип. | макс. | ||||
Ток насыщения сток-источник | IDSS | 15 | 30 | 60 | мА | |
VDS = 3 В, VGS = 0 | ||||||
Напряжение отсечки | Вп | — 0.3 | — 1,0 | — 3,0 | В | |
ID = 1 мА, VDS = 3 В | ||||||
Ток утечки затвора | IG | – | 0.1 | 2 | мкА | |
ID = 15 мА, VDS = 3 В | ||||||
Крутизна | г | 30 | 40 | – | мСм | |
ID = 15 мА, VDS = 3 В | ||||||
Уровень шума | Факс | дБ | ||||
IDS = 15 мА, VDS = 3 В, f = 12 ГГц | КФГ 25-17 | – | 1.6 | 1,7 | ||
КФГ 25-20 | – | 1,9 | 2,0 | |||
КФГ 25–23 | – | 2,2 | 2.3 | |||
Ассоциированная прибыль | Ga | |||||
IDS = 15 мА, VDS = 3 В, f = 12 ГГц | КФГ 25-17 | 9 | 9.5 | – | ||
КФГ 25-20 | 8,5 | 9 | – | |||
КФГ 25–23 | 8,5 | 9 | – | |||
Irf7343 trpbf pdf принтер
Irf7343 trpbf pdf принтерСравните цены на infineon irf7343trpbf у 32 дистрибьюторов и найдите альтернативные детали, модели CAD, технические характеристики, таблицы данных и многое другое на octopart.Irf7343trpbf infineon datasheet и cad модель скачать. Это преимущество сочетается с высокой скоростью переключения и прочностью устройства. Мощный МОП-транзистор Hexfet — чрезвычайно эффективное устройство для использования в самых разных приложениях. Irf5210strlpbf Infineon технологии дискретных полупроводников. Реализация контроллера заряда солнечной батареи mppt с powerpsoc. Вторник, 7 октября 2014 г. Международная выпрямительная компания сочтет это изменение утвержденным и введет его в действие до даты вступления в силу. Мощный МОП-транзистор Hexfet, лист данных IRF7343, схема IRF7343, лист данных IRF7343.Примером соответствующего суффикса для ответа являются последние 5 цифр. Irf7343 datasheet, irf7343 pdf, irf7343 data sheet, irf7343 manual, irf7343 pdf, irf7343, datenblatt, электроника irf7343, alldatasheet, free, datasheet, datasheets.
Датчики давления с компенсацией серии Sp100 Датчики давления sp100 представляют собой калиброванные кремниевые пьезорезистивные датчики с цифровой компенсацией и интерфейсом spi. Просмотрите таблицы данных, запасы и цены или найдите другие МОП-транзисторы. Габаритные размеры корпуса So8 указаны в миллиметрах-дюймах e1 d e y b a a1 h k l.Irf7342trpbf infineon datasheet и cad модель скачать octopart. Irf7343 datasheet, irf7343 datasheets, irf7343 pdf, irf7343 схема. Международные выпрямительные МОП-транзисторы с двойным канальным МОП-транзисторами для количества, превышающего указанные в списке, уточняйте по запросу. So8 был изменен с помощью настраиваемой рамки для улучшения. Infineon irf7343 MOSFET можно приобрести в магазине Mouser Electronics. Это полностью изолированный пакет to247 с лучшими в отрасли igbts. Поиск электронных компонентов в техническом описании английский китайский. Irf7341trpbf — двойной МОП-транзистор Infineon, n-канальный, 55 В.Ваш друг получит уведомление, когда план полета будет подан, когда рейс вылетает, прибывает, а также если рейс задерживается, отменяется или изменяется. Наслаждайтесь быстрым и простым в использовании онлайн-инструментом преобразования и преобразования PDF в формат, широко используемый в openstreetmaps и Adobe Reader. Габаритные размеры корпуса Irf7342pbf 6 so8 указаны в миллиметрах-дюймах e1 d e y b a a1 h k l.
Buz 90 sipmos силовой транзистор n-канальный режим расширения лавинный контакт 1 контакт 2 контакт 3 g d s тип vds id код заказа корпуса rdson buz 90 600 v 4.Сравните цену на irf6643trpbf и наличие у авторизованных и независимых дистрибьюторов электронных компонентов. Квалификация описания изменения источника новой пластины. Irf7341trpbf — это двухканальный МОП-транзистор, использующий передовые технологии обработки для достижения минимально возможного сопротивления на площади кремния. Ежедневно мы отправляем 5000 отправлений и обеспечиваем их доставку в кратчайшие сроки. Базовые пользователи могут изменить данные полета по умолчанию и настройки кода аэропорта, отображаемые на этой странице.Irf7343trpbf Infineon Technologies Discrete Semiconductor.
Irf7343 datasheet, irf7343 pdf, irf7343 datasheet, datasheet, data sheet, pdf, международный выпрямитель, двухканальный шестигранный полевой МОП-транзистор с каналом 55 В и p-каналом в корпусе so8. Сравните цены на infineon irf7342trpbf у 31 дистрибьютора и найдите альтернативные детали, модели CAD, технические характеристики, таблицы данных и многое другое на octopart. Irf7343 trpbf pdf массив mosfet n и pchannel 55v a, 2w поверхностный монтаж 8so. Купите irf73trpbf с продленным сроком доставки в тот же день.Pd
irf7343 hexfet power mosfet generation v технология nchannel mosfet nch pch 1 8 сверхнизкое сопротивление s1 d1 двухканальный n и p-канал mosfet 2 7 g1 d1 поверхностный монтаж vdss 55v 55v 3 6 s2 d2 полностью лавинный 4 5 g2 d2 pchannel mosfet rdson 0 . Товары в вашей текущей корзине не будут перенесены. Напряжение сток-источник nканал 0 300 600 900 1200 1 10 100 c, емкость pf v, напряжение сток-источник vds a. Внедрение контроллера заряда солнечной батареи mppt с powerpsoc 17 декабря 2010 г., документ №.Технология IRF поколения v, все технические данные, технические данные, поисковый сайт по электронным компонентам и полупроводникам, интегральным схемам, диодам, симисторам и другим полупроводникам. Условиями устройства является непрерывный ток источника, символ MOSFET, показывающий интегральную обратную интегральную схему тока источника ism. Irf7343trpbf datasheet, irf7343trpbf pdf, irf7343trpbf datasheet, datasheet, data sheet, pdf, международный выпрямитель, двухканальный шестнадцатеричный силовой МОП-транзистор 55 В с каналом n и p в корпусе so8. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны мощные полевые МОП-транзисторы на шестнадцатеричных транзисторах, обеспечивает.International выпрямительный МОП-транзистор Mouser Electronics.Все содержимое и материалы на этом сайте предоставляются как есть. Irfr u3707zpbf техническое описание продукта farnell element14. Irf7343trpbf datasheet, pdf 55v двойной канал n и p. Irf7341, irf7341 двухканальный mosfet-транзистор, купить транзистор irf7341.
Irf7343 pdf, описание irf7343, даташиты irf7343. Помимо давления, датчики обеспечивают датчик ускорения, измерения температуры и напряжения питания. Сравните цены на infineon irf73trpbf у 35 дистрибьюторов и найдите альтернативные детали, модели CAD, технические характеристики, таблицы данных и многое другое на octopart.Irf hexfet power mosfet, alldatasheet, datasheet, datasheet поисковый сайт для электроники. В Tme работает более 800 сотрудников, которые обеспечивают экспертную поддержку на каждом этапе процесса заказа. Наше предложение включает 300 000 электронных компонентов от 950 производителей с 1990 года, мы динамично расширяем нашу деятельность и увеличиваем наш глобальный потенциал. Irf7343trpbf Infineon ir mosfet mosft dual npch 55v 4. силовой МОП-транзистор Hexfet, таблица данных irf7343pbf, схема irf7343pbf, таблица данных irf7343pbf. Irf7343trpbf pdf, описание irf7343trpbf, irf7343trpbf.Irf7343trpbf datasheet, irf7343trpbf datasheets, irf7343trpbf pdf, irf7343trpbf circuit. Таблица перевода номеров деталей для заказа opn, здесь вы можете найти соответствующую информацию opn, pcpn, тип продаж, sp. Цена затвора за каждый заряд nc напряжение стока v постоянный ток стока a рассеиваемая мощность w напряжение источника затвора макс. Заказные идентификаторы номера детали. Описательные идентификаторы в предложении расскажут вам больше об атрибутах продукта. Спецификации Irf7416, цены, доступность, сроки поставки.To220 ab c67078s21a2 максимальные характеристики параметр символ значения единица непрерывный ток стока tc 28 c id 4.
Это может повлиять на цену, варианты доставки и доступность продукта. Данные и спецификации могут быть изменены без предварительного уведомления. В шестигранных полевых транзисторах пятого поколения Pd
от компании International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния. Решены проблемы irq trf7960a и конфликтующие irqs. Irf73trpbf infineon datasheet и cad модель скачать.Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые полевые МОП-транзисторы, предоставляет разработчик. Ti и ее соответствующие поставщики и поставщики контента не делают никаких заявлений о пригодности этих материалов для каких-либо целей и отказываются от всех гарантий и условий в отношении этих материалов, включая, помимо прочего, все подразумеваемые гарантии и условия товарной пригодности, пригодности для конкретных цель. C, 21mar11 3 это техническое описание может быть изменено без предварительного уведомления.Irf, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов. Продукты, указанные как приобретенные людьми, не являются рекомендованными аксессуарами и могут быть несовместимы с основным продуктом. Отслеживание полетов с приоритетом платных звонков tfr53 и история полетов. Максимальный эффективный переходный термический импеданс, переход к окружающей среде, рис. 10.Эта новая концепция корпуса соответствует самым высоким требованиям с точки зрения производительности, гибкости конструкции и простоты использования. Trf37b73 slase41 май 2014 г. trf37b73 16000 МГц блок усиления ВЧ 1 особенности 3 описание trf37b73 упакован в 2.МОП-транзистор на шестнадцатеричном транзисторе с двойным каналом n и p irf 55v в корпусе so8. Irf7343 datasheet, pdf 55v двойной канал n и p hexfet. Irf7343trpbf — это двухканальный МОП-транзистор, использующий передовые технологии обработки для достижения минимально возможного сопротивления на площади кремния. Irf7343trpbf Infineon Dual MOSFET, дополнительный n и. Irf7343pbf международный выпрямитель, irf7343pbf datasheet. Это подробные сведения о деталях и таблицы данных для irf7416, которые содержат такую информацию, как графики тенденций, цены, изображения деталей, аналогичные детали, техническую информацию, запасы поставщиков и информацию о производителе.Irf7342trpbf международный выпрямитель, irf7342trpbf. Irf7351trpbf datasheet, irf7351trpbf pdf, irf7351trpbf data sheet, irf7351trpbf manual, irf7351trpbf pdf, irf7351trpbf, datenblatt, электроника irf7351trpbf. Купите irf7343pbf с увеличенным сроком доставки в тот же день. Irf, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и.
Параметрический поиск [ECA Software]
База данных ECA на www.ecadata.de позволяет производить поиск различных параметров независимо от производителя.
Это краткий пример, основанный на данных BUZ 90, как вы можете найти типы замены почти для каждого компонента.
После нажатия этого значка начнется параметрический поиск. Вы найдете его на стороне листа данных в верхнем левом углу или в списке типов электронных данных.
После нажатия на значок появится экран, показанный ниже.
На этом экране отображаются все параметры выбранного типа. Также можно изменить данные для выбора.Поиск всегда будет основываться на этих данных.
Третий столбец позволяет установить предел для выбора . Ограничение основано на%, , что означает, что если вы выберете, например, 10% и выбрано значение VCE0 = 100V, выбор будет создан для всех типов с VCE0 от 100V до 110V. Если вы выбираете 0%, выбор действителен только для типов с VCE0, равным 100 В. Если вы выбрали ± 10%, VCE0 действителен от 90 до 110 В.
Вы должны установить флажок в четвертом столбце, чтобы выбрать значение, только отмеченные значения будут использоваться при параметрическом поиске .
Для этого типа я бы рекомендовал Напряжение сток-затвор — «VDG» , Напряжение сток-исток — «VDS» и Ток стока — «ID» выше, вы можете выбрать контур корпуса, обычно значение Рекомендуется аналогичный случай , если поиск не увенчался успехом, вы можете выбрать все варианты .
В выборе магазина-партнера ECA будут перечислены только те типы, которые доступны в магазине-партнере ECA, что иногда бывает очень полезно найти на рынке доступный заменяющий тип. 1)
После подтверждения ввода с помощью кнопки подтверждения в левом нижнем углу запустится поисковая система, и появится список, подобный приведенному выше. В первой строке будут отображаться данные выбранного типа, с которого вы начали свой выбор. Обратите внимание, что если вы изменили данные, в списке по-прежнему отображаются значения выбранного типа. 2)
Вы можете отсортировать все столбцы этого списка, щелкнув заголовок столбца, символ Eshop означает «этот тип доступен в интернет-магазине партнера ECA Eshop» , если вы нажмете кнопку, вы будете переадресовано в доступные интернет-магазины.Обычно это намек на то, что этот тип доступен на рынке, и вы сможете получить этот компонент у нескольких дистрибьюторов.
Символ PDF — это ссылка на исходный лист технических данных от производителя, который будет отображаться после нажатия кнопки.
Если вы щелкнете по элементу в столбце case, отобразятся распиновка и регистр выбранного типа, так что можно будет легко сравнивать различные типы.
Пример распиновки
При нажатии на тип в первом столбце откроется запрошенная таблица данных, и вы сможете увидеть все детали этого типа.
Зеленые столбцы — это столбцы, которые вы выбрали для этого параметрического поиска.
В нашем техническом паспорте мы рекомендовали следующие типы в качестве замены:
BUK 455/600, 2SK1117,2SK1402,2SK1809 ++, в этом списке вы можете найти еще больше.
Если вы используете этот инструмент впервые, я бы порекомендовал вам попробовать его с несколькими значениями. Как правило, рабочий тип замены всегда зависит от использования в устройстве.
