Buz90 параметры: BUZ90, Транзистор, SIPMOS, N-канал 600В 4.5А 1.6Ом [TO-220AB], Infineon

Buz90 datasheet на русском

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Hи одно прошедшее проверку подразделение не готово к бою. Основные параметры BUZ90A полевого транзистора n-канального. Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального BUZ90A. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Структура (технология): MOSFET

Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Tj max, °C	Fr (Ton/of)	Ciss tip	Rds
75W	600V	600V	±20V	4A	150°C	30/150nS	1050pF	2

Производитель: SIEMENS
Сфера применения: SIPMOS Power V-MOS
Популярность: 6452
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора BUZ90A

Общий вид транзистора BUZ90A.	Цоколевка транзистора BUZ90A.

Обозначение контактов:
Международное: G — затвор, D — сток, S — исток.
Российское: З — затвор, С — сток, И — исток.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора BUZ90A.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.

Спасибо за терпение и сотрудничество.

BUZ90 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: BUZ90

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 1050 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

BUZ90 Datasheet (PDF)

1.1. buz90a.pdf Size:175K _siemens

BUZ 90 A SIPMOS � Power Transistor � N channel � Enhancement mode � Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS >1.2. buz90.pdf Size:176K _siemens

BUZ 90 SIPMOS � Power Transistor � N channel � Enhancement mode � Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS >

BUZ900DP MAGNA BUZ901DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N�CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 � HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 � N�CHANNEL POWER MOSFET 2.0 � SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 � HIGH VOLTAGE (160V & 200V) � HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 � ENHANCEMENT MODE 2.8 � INTEGRAL PROTECTION DIODE 5.45 5.45 � P�

BUZ900D MAGNA BUZ901D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • N–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY RATING • ENHANC

BUZ900P MAGNA BUZ901P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N–CHANNEL POWER MOSFET 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) • N–CHANNEL POWER MOSFET 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.1

BUZ907D MAGNA BUZ908D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROT

BUZ900 www.DataSheet4U.com MAGNA BUZ901 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • N–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY

BUZ907P MAGNA BUZ908P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) POWER MOSFET 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0

BUZ905X4S MAGNA BUZ906X4S TEC NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P–CHANNEL POWER MOSFET 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) 31.7 (1.248) POWER MOSFETS FOR 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) (4 places) AUDIO APPLICATIONS 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) R 4.0 (0.

BUZ902 MAGNA BUZ903 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROTEC

BUZ902D MAGNA BUZ903D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROT

BUZ905DP MAGNA BUZ906DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 • P–CHANNEL POWER MOSFET 2.0 • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) • HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 • ENHANCEMENT MODE 2.8 • INTEGRAL PROTECTION D

BUZ905D MAGNA BUZ906D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • P–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY RATING • ENHANC

BUZ907DP MAGNA BUZ908DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 2.0 • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 • ENHANCEMENT MODE 2.8 • INTEGRAL PROTECTION DIODES 5.45 5.45 • COMPLI

BUZ907 MAGNA BUZ908 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P�CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 � 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. � 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 � HIGH SPEED SWITCHING � SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED � HIGH VOLTAGE (220V & 250V) � HIGH ENERGY RATING R 4.0 � 0.1 R 4.4 � 0.2 � ENHANCEMENT MODE � INTEGRAL PROTECTION DIODES � COMPLI

BUZ905P MAGNA BUZ906P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P–CHANNEL POWER MOSFET 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) • P–CHANNEL POWER MOSFET 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.1

BUZ902DP MAGNA BUZ903DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 2.0 • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 • ENHANCEMENT MODE 2.8 • INTEGRAL PROTECTION DIODES 5.45 5.45 • COMPLI

BUZ902P MAGNA BUZ903P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N�CHANNEL 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) POWER MOSFET 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 � HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) � SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0.123) �

BUZ900X4S MAGNA BUZ901X4S TEC NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N–CHANNEL POWER MOSFET 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) 31.7 (1.248) POWER MOSFETS FOR 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) (4 places) AUDIO APPLICATIONS 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) R 4.0 (0.

1.20. buz905-06.pdf Size:40K _magnatec

BUZ905 MAGNA BUZ906 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • P–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY RATING • ENHANCEM

BUZ90 (Siemens Semiconductor Group)
Power Transistor
No Preview Available !

Click to Download PDF File for PC

BUZ90 (Siemens Semiconductor Group)
Power Transistor
No Preview Available !

Транзистор IRF740. Характеристики, аналог, datasheet.

Транзистор IRF740 – MOSFET транзистор 3 поколения, гарантирует быструю скорость переключения, имеет хорошую стабильность, во включенном состоянии обладает малым сопротивлением и наилучшим соотношение эффективность – цена.

Изначально разработчиком и производителем транзистора IRF740 была компания International Rectifier, впоследствии передав право на производство VISHAY. Так же выпуском этого транзистора занимаются такие компании как: ST, Fairchild, Infineon.

Паяльная станция 2 в 1 с ЖК-дисплеем

Мощность: 800 Вт, температура: 100…480 градусов, поток возду…

IRF740 широко используется в роли элемента усиления в модулях и блоках электронной аппаратуры, а также в ключевых схемах.

 

Характеристики IRF740

• Структура: n-канал
• Max ток сток-исток при температуре 100°С : 6,3 А
• Max ток сток-исток при температуре 25°С : 10 А
• Max напряжение затвор-исток: 20 В
• Max напряжение сток-исток: 400 В
• Max импульсный ток сток-исток при температуре 25°: 40 А
• Max мощность рассеивания: 125 Вт
• Емкость входа:1259 пФ
• Пороговое напряжение на затворе: 2 .. 4 В
• Сопротивление открытого канала: 0,55 Ом
• Рабочий диапазон температур: — 55 .. + 150 °C;
• Корпус: TO-220ab

Цоколевка IRF740

Ниже приведена цоколевка транзистора IRF740:

Следует отметить что вывод «Сток (D) » соединен с корпусом транзистора.

Аналог транзистора IRF740

Его зарубежными аналогами являются: BUZ90, IRF340, BUZ61, 2SK1378, STP11NK40Z, D84EQ2, HAT2025R.

Транзистор IRF740 можно заменить на отечественные: КП740, КП340, КП776А.

Держатель для платы

Материал: АБС + металл, размер зажима печатной платы (max): 20X14 см…

Cкачать datasheet IRF740 (161,8 KiB, скачано: 4 618)

Справочник полевых транзисторов отечественных. Импортные аналоги.

Импортные MOSFET + отечественные полевые транзисторы Отечественные производители транзисторов Наименование Аналог PDF Тип Imax, A Uкэmax, В Rmin, Ом КП150 IRFP150   n 38  100  0,055 КП250 IRFP250 n 30 200 0,085 КП302 (А1-Г1) BFR30,2SK543-5 n 0,043 20 100 КП350 IRFP350   n 14  400 0,3 КП364 (А-И) 2SK653   n 0.02 25   КП402 (А) BF998 p 0,15 200 20 КП403 (А) 3SK132   n 0,3 200  6 КП450 IRFP450 n 12 500 0,4 КП460 IRFP460 n 20  500  0,27 КП501(А,Б,В) ZVN2120 n 0,18 240 10 КП502А BSS124 n 0,12 400 28 КП504(А-Е) BSS88 n 0,25 240  8 КП505(А-Г) BSS295 n 1,4 60  0,3 КП507А BSS315 p 1,1 50 0,8 КП508А BSS92 p 0,15 240 20 КП511А,Б TN0535 n 0,14 400 22 КП601 (А,Б)   n 0,4 20   2П701 (А,Б) MTP3N50   n 9 500  1,2 2П703 (А,Б) RRF623   p 12 150 0,7 КП704 (А,Б) 2SK757   n 10 200  0,2 КП705 (А-В) APT1004 n 5,4 1000 3,3 2П706 (А-В) 2SK1248   n 20  500  0,4 КП707 (А-В) 2SK1117 n 25 750 1 КП707(А1-В1) BUZ90   n 6 750  1  КП709(А,Б) BUZ90A n 4 600 2 КП723 (А-В) IRFZ44,IRFZ45 n 50 60 0,028 КП726 (А,Б) BUZ90 n 4,5 600 1,6 КП727 (А,Б) КП727 (А-В) (new) IRFZ34 n 30 60 0,05 КП728 (Г1-С1)   n 3,3 700 3 КП731 (А-В) IRF710 n 2  400  3,6 КП733 (А)   n 1,5 400 3,6 КП737 (А-В) IRF634,IRF630 n 9 250 0,4 КП739 (А-В) IRFZ14,IRFZ10 n 10 60 0,2 КП740 (А-В) IRFZ24,IRFZ25 n 17 60 0,1 КП741 (А,Б) IRFZ48 n 50 60 0,018 КП742 (А,Б) STH75N06 n 80 60 0,012 КП743 (А-В) IRF510,IRF512 n 5,6 100 0,54 КП743 (А1-В1)   n 5,6 100 0,54 КП744 (А-Г) IRF520 n 9,2 100  0,27 КП745 (А-В) IRF530 n 14 100 0,16 КП746 (А-В) IRF540 n 28 100  0,077 КП747А IRFP150 n 41 100 0,055 КП748 (А-В) IRF610 n 3,3 200 1,5  КП749 (А-Г) IRF620 n 5,2 200 0,8 КП750 (А-Г) IRF640 n 18 200  0,18 КП751 (А-В) IRF720 n 3,3 400 0,8 КП767 (А-В) IRF640,IRF630   n 18 200 0,18 КП768 (А-М) IRF730,IRF720 n 10 400 0,55 КП769 (А-Г) IRF540,IRF530   n 28  100  0,077 КП770 (А,Д,К) IRF840,IRF830 n 8 500 0,85 КП771 (А-Г) STP40N10 n 40 100 0,055 КП775 (А-В) 2SK2498A n 50 60 0,009 КП780 (А-В) IRF820 n 2,5 500  3 КП784А IRF9Z34 p 18 60 0,14 КП785А IRF9540 p 19 100 0,2 КП796(А-В) IRF9540 p 4,1 300 1 2П797Г IRF540 n 28 100 0,077 2П7102Д IRFZ44 n 50 60 0,028 КП7128А,Б IRF5210 p 40 100 0,06 КП7129А SSU1UN60 n 1,2 600 11,5 2П7140А IRF7103 n 3 ??? 0,13 2П7144А IRF9140 p 19 100 0,2 2П7145А,Б IRF250 n 30 200 0,085 2П7160А   n 46 30 0,006 КП7173А STP4NK60Z n 4 600 2 КП7174А   n 18 75 0,075 КП7176А     n 80 100 0,026 КП7177 А,Б IXFH50N20,IRF260 n 50 200 0,045 КП7178А   n 40 300 0,085 КП7180 А,Б IRF460, IXFh34N50 n 26 500 0,2 КП7181А     n 40 500 0,14 КП7182А IXFh30N60 n 20 500 0,35 КП7183А OM6053SJ   n 30 600 0,83 КП7184А IXFh25N80 n 15 800 0,6 КП7275 IXFH75N10   n 75 100 0,026 КП801 (А-Г)   n 5 65 2,2 2П802А     n 2,5  500  1,5 2П803 (А,Б) BV2310   n 4,5 1000 4 КП804А RFL2N05   n 1 60 0,6 КП805 (А-В) BUZ216 n 4 600 2 КП809 (А-Е1) BVZ90   n 9,6 800  0,3 КП810 (А-В) DVZ216 n 7 700 0,2 КП812 (А1-В1) IRFZ44,IRFZ34   n 50 60  0,028 КП813 (А1,Б1)   n 22 200 0,12 КП901     n 2 85   КП902     n 0,25 70   КП904     n 7,5 100    КП905     n 0,3 80   КП907     n 2,1 80   2П912 (А,Б)   n 20 100 0,1 2П914А     n 0,1 50 23 2П917 (А,Б)   n 5 300 2,5 КП921А     n 10 45 0,08 КП922 (А,Б,А1,Б1) NTP7N05   n 10 100  0,13 2П926(А,Б)   n 16,5 450 0,1 КП931 (А-В) NTP7N05   n 5 800  0,07 КП932А MTP5N05 n 0,3 250 40 КП934 (А,Б) F1053   n 10 450 0,03 2П942 (А-В) MRF136 n 10 800 0,2 КП953 (А-Д) F1014   n 15 800  0,05 КП954 (А-Е) BFL545 n 20 150 0,025 КП959 (А-В) BVK462   n 0,2 300    КП960 (А-В) 2SK659 p 0,2 300   КП961 (А-Е) BLF242(A)   n 5 250 0,1 КП965 (А-Д)     p 5 250 0,1 КП971 А,Б КТ847,КТ878   n 25 900 0,04 КП973 А,Б КТ847,КТ848   n 30 700 0,03

Irf740 транзистор параметры цоколевка

Дешевый n-канальный MOSFET на 400В и 10А. Был разработан и производился International Rectifier, потом IR продала большое количество своей номенклатуры вместе с производственными мощностями VISHAY и та стала выпускать транзистор под названием SiHF740A.
Кроме того IRF740 выпускают и другие производители: Infineon, ST, Fairchild.

IRF740 параметры

• Структура — n-канал;
• Максимальное напряжение сток-исток Uси = 400 В;
• Максимальный ток сток-исток при 100°С Iси макс. = 6,3 А;
• Максимальный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 10 А;
• Максимальный импульсный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 40 А;
• Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В;
• Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.

IRF740 нашел применение в качестве высокочастотных ключей импульсных источников питания:
В источниках питания с входным переменным напряжение 220-240 В для мостовой и полумостовой топологии, конечно если нет вероятности работы при повышенных сетевых напряжениях.
В источниках питания рассчитанных на 100-120 В могут использоваться в прямоходовом и обратноходовом включении.

Кроме того IRF740 применяется в металлоискателях, например в простом и популярном металлодетекторе PIRAT.

Аналоги IRF740

Полные: STP11NK40Z (ST), D84EQ2, VN2340N5.
Существует отечественный аналог IRF740 и с теми же цифрами КП740!

Этот транзистор дешево купить можно на алиэкспрессе по 2 доллара за 10 штук.

6 thoughts on “ Транзистор IRF740 параметры ”

Импульсный блок питания собирал лишь раз, для своей первой и единственной IBM XT ручной сборки. Навозился с ним больше, чем с материнской платой, в основном из-за наводимых помех вызывающих аппаратные сбои. Любовь к изготовлению ИБП пропала навсегда.
А вот металлоискателей, и как раз на КП740, сделал под заказы больше десятка. Неистребима в людях жажда кладоискания. Плохо то, что иногда, в виде клада выкапывают старые снаряды, мины и авиабомбы.
Но транзистор хорош и просто как высоковольтный ключ, без ВЧ.

У меня был отрицательный опыт при работе с полевыми мощными транзисторами, которым хотел бы поделится , что бы другие не повторили. Ремонтировал мощную ультрозвуковую ванну. Мне нужно было контролировать точно частоту выходного сигнала. Я мерил ее на затворе . В результате чего уходила частота за счет входного R и С прибора. Результат , который я ожидал , частота ушла в разнос и вывела из строя выходной каскад.

Ну, о влиянии измерительного прибора на измеряемый надо помнить всегда ) особенно при работе с ВЧ. Приличный осциллограф влияет меньше всех, как правило. Но ультразвук не такое уж и ВЧ в общем-то, там другие нюансы. Непонятно почему вышел из строя выходной каскад, обычно, на ультразвуковых мойках (по крайней мере с теми, что работал) при взбесившейся частоте летит излучатель, как самое слабое звено данного устройства. А уж он может потащить за собой и выходной каскад, хотя и не часто.

Я их сейчас как ключи для «умного дома» (на даче) использую. И по вольтажу подходят , а токи сейчас небольшие у освещения. Простота включения и 400 Вольт. А в основном цена все-таки и габариты.

Я, в основном, использую их так же, о чем и писал выше. Если не упираться в их высокочастотность, то как коммутационные и управляющие ключи электросети — они очень хороши. Для «умного дома» самое оно, много интересных вещиц, повышающих комфорт жилища можно понаделать и объединить в систему. Используя, как готовые решения, так и свои, несложные разработки. Когда-то казавшееся фантастикой, сейчас реализуется довольно просто, благодаря современной базе. А прогресс всегда двигался людьми ленивыми, но с фантазией )

Транзистор IRF740 – MOSFET транзистор 3 поколения, гарантирует быструю скорость переключения, имеет хорошую стабильность, во включенном состоянии обладает малым сопротивлением и наилучшим соотношение эффективность – цена.

Изначально разработчиком и производителем транзистора IRF740 была компания International Rectifier, впоследствии передав право на производство VISHAY. Так же выпуском этого транзистора занимаются такие компании как: ST, Fairchild, Infineon.

IRF740 широко используется в роли элемента усиления в модулях и блоках электронной аппаратуры, а также в ключевых схемах.

Характеристики IRF740

• Структура: n-канал
• Max ток сток-исток при температуре 100°С : 6,3 А
• Max ток сток-исток при температуре 25°С : 10 А
• Max напряжение затвор-исток: 20 В
• Max напряжение сток-исток: 400 В
• Max импульсный ток сток-исток при температуре 25°: 40 А
• Max мощность рассеивания: 125 Вт
• Емкость входа:1259 пФ
• Пороговое напряжение на затворе: 2 .. 4 В
• Сопротивление открытого канала: 0,55 Ом
• Рабочий диапазон температур: — 55 .. + 150 °C;
• Корпус: TO-220ab

Цоколевка IRF740

Ниже приведена цоколевка транзистора IRF740:

Следует отметить что вывод «Сток (D) » соединен с корпусом транзистора.

Аналог транзистора IRF740

Его зарубежными аналогами являются: BUZ90, IRF340, BUZ61, 2SK1378, STP11NK40Z, D84EQ2, HAT2025R.

Транзистор IRF740 можно заменить на отечественные: КП740, КП340, КП776А.

Cкачать datasheet IRF740 (1,4 Mb, скачано: 3 291)

IRF740 — это N-канальный мощный полевой MOSFET-транзистор компании International Rectifier (IR) с изолированным затвором. В настоящее время производится компанией Vishay (преемницей IR) с другим наименованием, указанным в даташит — SiHF740. Он способен переключать нагрузки до 400 В, потребляющие до 10 А c пороговым напряжением на затворе до 10 В. При этом мощность рассеивания не должна превышать 125 Вт. Заявленное производителем сопротивление в открытом состоянии достаточно низкое и составляет 0,55 Ом.

Поскольку этот mosfet предназначен для переключения силовых линий, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому не может использоваться непосредственно с выходом микроконтроллера. Для использования с микроконтроллером потребуется дополнительная обвязка.

Распиновка

IRF740 встречается в стандартном корпусе ТО-220AB, выдерживающем достаточно высокие температуры и мощность рассеивания до 50 Вт. Распиновка (цоколевка) характерна для большинства полевиков компании IR — левая ножка — затвор, средняя — сток и крайняя правая -исток. Для определении распиновки всегда смотрите на лицевую сторону устройства, на которую нанесена маркировка. При непосредственном монтаже на плату надо учитывать физическое соединение корпуса с выводом стока. На рисунке распиновка irf740 представлена более наглядно.

Характеристики IRF740

При ознакомлении с характеристиками полевого транзистора IRF740 изначально обращают внимание на его максимальные (предельно допустимые) характеристики. Затем, исходя из поставленной задачи, изучают электрические параметры. После этого переходят к графикам типовых выходных, передаточных и других характеристик. Рассмотрим основные фрагменты из DataSheet irf740 на русском языке.

Максимальные

Ниже представлены предельно допустимые значения МОП-транзистора IRF740. Не следует воспринимать их как основные, при которых mosfet будет работать стабильно. Превышение любого из них, даже на короткий промежуток времени, может привести к выходу устройства из строя.

Электрические

В электрических характеристиках IRF740 содержится информация проверенная производителем при определенных условия. Эти условия указываются дополнительно, в одном из столбцов таблицы. Например, из дополнительных условий можно узнать, что irf740 при напряжении 400 вольт между стоком-истоком, при отсутствующем напряжении на затворе, начинает проводить слабый ток — 250 микроампер.

Тепловые параметры

Основным параметром, который ограничивает применение полевого транзистора, является его рабочая температура. А точнее её увеличение, которое связанно с ростом сопротивления транзистора при прохождении через него электрического тока. Несмотря на низкое сопротивление mosfet, на нём все равно рассеивается некоторая мощность, из-за этого он нагревается. Для упрощения расчётов связанных с нагревом IRF740, в даташит приводятся значения его тепловых сопротивлений: от кристалла к корпусу (Junction-to-Case ) и от корпуса в окружающую среду (Junction-to-Ambient).

Неправильные расчеты тепловых параметров для использования в проектах и плохая пайка приводит к перегреву mosfet. На одном из форумов радиолюбитель жаловался на то, что в собранной им схеме металлоискатель пират на irf740 сильно греется. После продолжительных разбирательств причина перегрева выяснилась и оказалась самой банальной – плохая пайка прибора на плату и охлаждение.

Аналоги

Полными зарубежными аналогами устройства являются: STP11NK40Z (STM), D84EQ2 (National Semiconductor). Аналогичный вид корпуса, распиновка и характеристики этих устройств не потребуют вносить изменения в схему проекта в случае замены. Так же, наиболее подходящим для замены, моно сказать отечественным аналогом irf740, является транзисторы серии КП776. КП776 производит ОАО «ИНТЕГРАЛ», г.Минск, Республика Беларусь. В его даташит транзистор irf740 указан как прототип. Вот максимальные предельно допустимые электрические режимы эксплуатации КП776:

Проверка мультиметром

Большинство полевых n-канальных mosfet можно проверить обычным мультиметром. Сначала проверяют работу, так называемого паразитного диода между выводами стока (D) и истока (S). Затем проводится проверка открытия и закрытие мосфета путем одновременного, кратковременного касания щупами мультиметра контактов «S» и затвора (G). Если при такой подаче плюса на вывод «G» транзистор открывается, а между его выводами «D» — «S» появляется короткое замыкание (в обоих направлениях, несмотря на наличие паразитного диода), то он считается рабочим. Соответственно, если не открывается, то он считается нерабочим.

Для проверки irf740 одним мультиметром не обойтись, так для его открытия требуется напряжение на затворе не менее 4-5 вольт, а мультиметр способен выдать не более 0,3. Поэтому при проверке необходимо запастись источникам питания, например обычной кроной. Кратковременным касанием минусовой клеммой кроны контакта И, а плюсовой «G» можно открыть транзистор. Если после этого ток между «D» и «S» течет в обоих направлениях, то значит транзистор исправен. Конечно, перед проверкой на открытие/закрытие, необходимо проверить исправность паразитного диода. Предлагаем посмотреть видео на эту тему.

Производители

На российском рынке irf740 наиболее распространен под торговой маркой Vishay. Это связано с поглощением этой компанией подразделения IR в 2007 году. Подробнее про этот момент, а так же распространенную маркировку «irf» можно прочитать в статье про IRFZ44n. Даташиты некоторых производителей можно скачать, кликнув мышкой по ссылке:Vishay; National Semiconductor.

Полевые транзисторы

Мы предлагаем

Запрос на подбор компонентов Марка  Цветовая маркировка КП312А  КП312Б  2П312А  2П312Б  маркируется двумя желтыми точками  маркируется двумя синими точками  маркируется одной желтой точкой  маркируется одной синей точкой  3П320А-2 3П320Б-2 маркируется одной красной точкой  маркируется одной зеленой точкой  КП323А-2 КП323Б-2 маркируется черным символом «+»  маркируется синим символом «+»  3П324А-2 3П324Б-2 маркируется одной красной точкой  маркируется одной синей точкой  АП325А-2 3П325А-2 маркируется черной полосой и точкой  маркируется черной полосой  3П326А-2 3П326Б-2 не маркируется  маркируется черной точкой  КП327А  КП327Б  КП327В  КП327Г  маркируется одной белой точкой  маркируется двумя белыми точками  маркируется одной красной точкой  маркируется двумя красными точками  3П328А-2 маркируется черной точкой  КП329А  КП329Б  маркируется одной цветной точкой  маркируется двумя цветными точками  3П330А-2 3П330Б-2 3П330В-2 не маркируется  маркируется белой точкой  маркируется черной точкой  3П331А-2 маркируется черной полосой  3П339А-2 маркируется черными точкой и полосой  3П343А-2 маркируется двумя черными точками  3П344А-2 маркируется черной точкой  КП346А-9 КП346Б-9 маркируется белой точкой  маркируется желтой точкой  3П606А-2 3П606Б-2 3П606В-2 маркируется черной точкой  маркируется двумя черными точками  маркируется тремя черными точками  3П608А-2 3П608Б-2 3П608Г-2 маркируется желтой точкой  маркируется двумя желтыми точками  маркируется зеленой точкой  3П927А-2 3П927Б-2 3П927В-2 3П927Г-2 3П927Д-2 маркируется красной точкой  маркируется белой точкой  маркируется черной точкой  маркируется красной и белой точками  маркируется красной и черной точками    Известные аналоги   КП150  IRF150  КП240  IRF240  КП250  IRF250  КП340  IRF340  КП350  IRF350  КП365А  BF410C  КП382А  BF960  КП440  IRF440  КП450  IRF450  КП501А  ZVN2120  КП502  BSS124  КП503  BSS129  КП504  BSS88  КП505  BSS295  КП510  IRF510  КП520  IRF520  КП530  IRF530  КП540  IRF540  КП610  IRF610  КП620  IRF620  КП630  IRF630  КП640  IRF640  КП707Б1 BUZ90  КП710  IRF710  КП717Б  IRF350  КП718А  BUZ45  КП718Е1 IRF453  КП720  IRF720  КП722А  BUZ36  КП723А  IRFZ44  КП723Б  IRFZ45  КП723В  IRFZ40  КП723Г  IRLZ44  КП724А  MTP6N60  КП724Б  IRF842  КП725А  TPF450  КП726А  BUZ90A  КП727А  BUZ71  КП727Б  IRFZ34  КП727В  IRLZ34  КП728А  BUZ80A  КП730  IRF730  КП730А  IRGPH50F  КП731А  IRF710  КП731Б  IRF711  КП731В  IRF712  КП737А  IRF630  КП737Б  IRF634  КП737В  IRF635  КП739А  IRFZ14  КП739Б  IRFZ10  КП739В  IRFZ15  КП740  IRF740  КП740А  IRFZ24  КП740Б  IRFZ20  КП740В  IRFZ25  КП741А  IRFZ48  КП741Б  IRFZ46  КП742А  STH75N06  КП742Б  STH75N05  КП743А  IRF510  КП743Б  IRF511  КП743В  IRF512  КП744А  IRF520  КП744Б  IRF521  КП744В  IRF522  КП744Г  IRL520  КП745А  IRF530  КП745Б  IRF531  КП745В  IRF532  КП745Г  IRL530  КП746А  IRF540  КП746Б  IRF541  КП746В  IRF542  КП746Г  IRL540  КП747А  IRFP150  КП748А  IRF610  КП748Б  IRF611  КП748В  IRF612  КП749А  IRF620  КП749Б  IRF621  КП749В  IRF622  КП750А  IRF640  КП750Б  IRF641  КП750В  IRF642  КП750Г  IRL640  КП751А  IRF720  КП751Б  IRF721  КП751В  IRF722  КП752А  IRF730  КП752Б  IRF731  КП752В  IRF732  КП753А  IRF830  КП753Б  IRF831  КП753В  IRF832  КП771А  STP40N10  КП820  IRF820  КП830  IRF830  КП840  IRF840    Наименование Аналог Напряжение Сопротивление канала, Ом Ток стока, A Корпус КП150 IRF150 100 0,055 38 TO-204 КП240 IRF240 200 0,18 18 TO-204 КП250 IRF250 200 0,085 30 TO-204 КП340 IRF340 400 0,55 10 TO-204 КП350 IRF350 400 0,30 14 TO-204 КП440 IRF440 500 0,85 8,0 TO-204 КП450 IRF450 500 0,4 12 TO-204 КП510 IRF510 100 0,54 5,6 TO-220 КП520 IRF520 100 0,27 9,2 TO-220 КП530 IRF530 100 0,16 14 TO-220 КП540 IRF540 100 0,077 28 TO-220 КП610 IRF610 200 1,5 3,3 TO-220 КП620 IRF620 200 0,8 5,2 TO-220 КП630 IRF630 200 0,4 9,0 TO-220 КП640 IRF640 200 0,18 18 TO-220 КП710 IRF710 400 3,6 2,0 TO-220 КП720 IRF720 400 1,8 3,3 TO-220 КП730 IRF730 400 1,0 5,5 TO-220 КП740 IRF740 400 0,55 10 TO-220 КП820 IRF820 500 3,0 2,5 TO-220 КП830 IRF830 500 1,5 4,5 TO-220 КП840 IRF840 500 0,85 8,0 TO-220 КП707A1   400 1,0 6 TO-220 КП707Б1 BUZ90 600 2,0 4 TO-220 КП707В1   750 3,0 3 TO-220 КП707В2   650 2,3 3,5 TO-220 КП733А   400 3,6 1,5 TO-220 КП733Б   400 3,6 1,5 TO-220 КП733В1   550 10 0,5 TO-92 КП809A1   400 0,3 9,6 TO-218 КП809Б1   500 0,6 9,6 TO-218 КП809А   400 0,3 9,6 TO-204 КП809Б   500 0,6 9,6 TO-204 КП812A1   60 0,028 50 TO-220 КП812Б1   60 0,035 35 TO-220 КП812В1   60 0,05 30 TO-220 КП813А1   200 0,12 22 TO-218 КП813Б1   200 0,18 22 TO-218 КП813А   200 0,12 22 TO-204 КП813Б   200 0,18 22 TO-204

Параметры транзисторов для блоков питания

Автор: Administrator

31.01.2019 06:28

Параметры транзисторов для блоков питания Биполярные п-р-п транзисторы для блоков питания Тип Uкбо (В) Iктах (А) Рк (Вт) Frp (МГц) h31 min Корпус 2SC3447 800 3 40 18 15 Т0220АВ 2SC3451 800 15 100 18 15 ТО-ЗРВ 2SC3457 1100 3 50 15 10 Т0220АВ 2SC3460 1100 6 100 15 10 ТО-ЗРВ 2SC3461 1100 8 120 15 10 ТО-ЗРВ 2SC3466 1200 8 120 5 10 ТО-ЗРВ 2SC3549 900 3 40   10 Т0220АВ 2SC3552 1100 12 150 15 10 ТО-ЗРВ 2SC3678 900 3 80 5 10 ТО-3РВ 2SC3679 900 5 100 6 10 МТ100 2?С3680 900 7 120 6 10 МТ100 2SC3795 800 5 40 8 15 TOP-3FB 2SC3866 900 3 40 4 10 SC67 2SC4304 900 3 35 15 10 FM20 2SC4313 900 10 100 3 8 МР80 2SC4517 800 3 30 6 10 T0220F 2SC4538 900 5 80 3 10 TO-3PF 2SC4706 600 15 100 18 20 ТО-ЗРВ 2SC4744 700 7 120 3 4 TO-3PML BUT11AF 850 5 30 10 25 Т0220 BUT12A 1000 10 23     Т0220 BUT18AF 1000 6 33   10 FP64 BUV48 850 15 150   8 Т0218 BUV48A 1000 15 150   8 Т0218 BUW13A 1000 15 150   8 Т0218 MJE13005 700 4 60 4 6 Т0220АВ Полевые п-канальные MOSFET-транзисторы для блоков питания ВМ Тип uch (В) 1си.мах (А) Рси (Вт) S (мА/В) Корпус 2SK904 800 3 80   Т0220 2SK1082 900 6 125 2000 ТО-ЗРВ 2SK1102 500 10 50 4000 T0220FM 2SK1117 600 6 100 2500 Т0220 2SK1118 600 6 45 3000 T0220ML 2SK1120 1000 8 150 2000 ТО-ЗРВ 2SK1162 500 10 100 4000 ТО-ЗРВ 2SK1198 700 2 35 1000 T0220F 2SK1202 900 5 100 1400 ТО-ЗРВ 2SK1358 900 9 150 2000 ТО-ЗРВ 2SK1462 900 8 150 2500 ТО-ЗРВ 2SK1758 600 2 30 500 T0220F 2SK1794 900 6 100 2000 ТО-ЗРВ 2SK1833 500 2.5 40 1000 T0220F BUZ355A 800 6 125 3000 ТО-ЗР BUZ41A 500 4.5 75 1500 Т0220АВ BUZ90 600 4 75   Т0220 IRF840 500 8 125 4900 Т0220АВ IRFBC30 600 3.6 74 2400 Т0220АВ IRFBC40 600 6.2 125 4700 Т0220АВ           Тип Uкбо (В) Iкmax (A) Рк(Вт) Frp (МГц) h31 min Корпус 2SC2898 500 8 50 20 15 Т0220 2SC3482 D 1500 6 120 3 6 SC65 2SC3686 1500 7 120 2 8 TO-3PBL 2SC3688 1500 10 150 13 8 TO-3PBL 2SC3729 1500 5 50 3 8 SC65 2SC3883 D 1500 5 50 3 3 SC65 2SC3886A 1500 8 50 1 8 SC65 2SC3892A D 1500 7 50 1 8 SC65 2SC3895 1500 7 60 3 8 TO-3PBL 2SC3897 1500 10 70 3 8 Т0218 2SC3995 1500 12 180 3 8 TO-3PBL 2SC3996 1500 15 180 3 8 TO-3PBL 2SC3997 1500 20 250 2 8 TO-3PBL 2SC4111 1500 10 150 2 3 TOP-3L 2SC4123 D 1500 7 60 2 4 TO-3PML 2SC4125 1500 10 70 2 4 TO-3PML 2SC4288A 1500 12 200 8 8 TO-3PBL 2SC4742 1500 6 60 3 8 TO-3PML 2SC4769 D 1500 7 60 6 3 TO-3PML 2SC4770 1500 7 60 6 3 TO-3PBL 2SD1391 1500 5 100 3 4 SC65 2SD1397 D 1500 35 80 3 8 ТО-ЗРВ 2SD1398 D 1500 5 80 3 8 ТО-ЗРВ 2SD1399 D 1500 6 120 3 8 ТО-ЗРВ 2SD1402 1500 5 120 3 8 ТО-ЗРВ 2SD1426 D 1500 35 80 3 8 TO-69 2SD1427 D 1500 5 80 3 8 TO-69 2SD1428 D 1500 6 80 3 8 TO-69 2SD1431 1500 5 80 3 8 TO-69 2SD1441 D 1500 4 70 10 5 SC65 2SD1453 1500 3 50   8 SC65 2SD1455 1500 5 50 3 6 SC65 2SD1497 1500 6 50 3 5 SC65 2SD1545 1500 5 50 3 8 T0220F 2SD1548 1500 10 50 3 8 T0220F 2SD1555 D 1500 5 50 3 8 TO-3PML 2SD1577 1500 5 100 3 4 TO-3F 2SD1651 D 1500 5 60 3 8 TO-3PML 2SD1663 1500 5 80   18 TOP-3FB 2SD1710 1500 5 100 3 6 TOP-3F 2SD1878 D 1500 5 60 3 8 TO-3PML 2SD1879 D 1500 6 60 3 8 TO-3PML 2SD1881 D 1500 10 70 3 8 TO-3PML 2SD1398 D 1500 5 80 3 8 ТО-ЗРВ BU2508A 1500 8 125       BU2508AF 1500 8 45       BU2508D D 1500 8 125       BU2508DF D 1500 8 45       BU2520AF 1500 10 45       BU2520DF D 1500 10 45       BU2525AF 1500 12 45       BU508A 1500 8 125 7 3 Т0218 BU508AF 1500 8 34 7 3   BU508DF D 1500 8 125 7 3 Т0218 S2000AF 1500 8 50 3 3 W286 S2055AF D 1500 8 50 3 3 — Символ D в названии транзистора обозначает наличие демпферного диода (переход К—Э).

Ремонт телевизора «Rainford», шасси 11АК56-4. — Радиомастер инфо

Рассмотрено устранение двух неисправностей: телевизор не включается, громкий рокот из динамика.

 

 

Внешний вид платы с деталями, «Rainford», шасси 11АК56-4:

На плате видно перегоревший предохранитель. Естественно, сразу менять предохранитель на новый и включать телевизор нельзя. Нужно выяснить причину перегорания и устранить ее.

Схема этого шасси без труда находится в интернете. Правда блок питания не совсем совпадает со схемой, но это не затрудняет ремонт, так как типовая схема блоков питания на ШИМ микросхеме серии 3842 и подобных достаточно подробно описана. Примеры ремонтов рассматривались и на этом сайте, например, здесь.

В первую очередь проверяем мультиметром на предмет замыкания детали, связанные с сетью: диодный мост, конденсатор после моста, полевик и микросхему блока питания. Проверка впаянных деталей показывает, что они пробиты.

Выпаиваем четыре диода выпрямительного моста 1N4007, полевой транзистор P6NK60 и микросхему КА3842. То, что они неисправны, подтверждается. Правда в диодном мосте из 4х диодов пробиты накоротко всего 2.

Для повышения надежности я меняю все 4 диода. Запаиваю их в схему, проверяю на предмет замыкания. Все в норме. Ставлю новый предохранитель. Первое включение делаю без микросхемы блока питания и полевого транзистора.

Измеряю напряжение на электролите после диодного моста, оно равно +318 вольт, это нормально. Далее проверяю напряжение питания микросхемы (она пока не запаяна). Это контакт, куда будет запаян вывод 7. Тут +18 вольт. Это тоже нормально.

Выключаем телевизор, разряжаем электролит после диодного моста, лучше не коротить, а через резистор около 1 кОм, не будет большой искры.

Запаиваю микросхему UC3842, она аналогична по параметрам КА3842. Проверяем осциллографом импульсы на выходе этой микросхемы, вывод 6. Они есть.

Выключаем, разряжаем сетевой электролит. Запаиваем полевик. У меня есть BUZ90, он подходит по параметрам, ставлю его.

Теперь телевизор включаю в сеть через лампу накаливания 220В 100 Вт.

Проверяю напряжения на выходе. На выходной каскад строчной развертки идет +113В (катод D804 или плюс С838).

На катоде D806 +11 В.

На катоде D807 +12 В.

Экран светится, телевизор работает.

При подключении динамика проявилась вторая неисправность. Из динамика слышен громкий рокот. Усилитель низкой частоты собран на микросхеме IC 102 (тип ее D2822). Ее расположение на плате показано на первом снимке этой статьи.

IC 102 сильно греется и садит питание с 12В до 10 В (вывод 2). Ее обвязка, в первую очередь электролиты, исправны. Меняем микросхему на TDA2822 и проблема уходит.

Проверяем полностью работу телевизора «Rainford», шасси 11АК56-4 . Во всех режимах работает нормально. Нагрев деталей выходных каскадов (блок питания, строчная, кадровая, УНЧ) в пределах нормы.

Материал статьи продублирован на видео:

BUZ90 datasheet — MOSFET Power Transistor 600v 4.5a To-220ab

2SA1787 : Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор PNP Применение видеовыхода высокого разрешения Ctr-display. BDX27 : Кремниевые планарные транзисторы PNP. SEMD48 : Предварительные данные для массива кремниевых транзисторов Npn / pnp. Массив кремниевых цифровых транзисторов NPN / PNP Предварительные данные Схема переключения, инвертор, схема интерфейса, схема драйвера Два (гальванических) внутренних изолированных NPN / PNP-транзистора в одном корпусе Встроенный резистор смещения NPN: = 47k PNP: = 47k Ориентация нагрузки ленты Маркировка на SOT666 корпус (например, WR) соответствует контакту 1 устройства Положение на ленте :. STB100NH02L : Низкое напряжение. N-канал 24 В — 0,0052 Ом — 60 А D2PAK StripFET Iii Power MOSFET. IXZR08N120A : 1200 В (макс.) МОП-транзисторы с коммутационным режимом Семейство высокочастотных МОП-транзисторов IXYS с коммутационным режимом идеально подходит для приложений, требующих быстрого переключения, включая лазерный драйвер, индукционный нагрев, источники питания с переключателем и другие коммутационные промышленные приложения. Ee. A05104F0.07 : RES NET, ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА, 100K OHMS, 200WV, 1% +/- TOL, -100,100PPM TC, 3412 CASE.s: Конфигурация: Chip Array; Категория / Применение: Общее использование. BUZ50A.MOD : 7,5 А, 1000 В, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 1000 вольт; Количество блоков в ИС: 1. C7820RJT : РЕЗИСТОР, ПРОВОДНАЯ НАВИВКА, 7 Вт, 5%, 200 ppm, 820 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 820 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 200 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 7 Вт (0.0094 л.с.); Стандарты. DMMT5401P : 200 мА, 150 В, 2 КАНАЛА, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: УЛЬТРАМАЛЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-6. ES1A-M3 / 5AT : 1 А, 50 В, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД, DO-214AC. s: Пакет: БЕЗ ГАЛОГЕНОВ И СООТВЕТСТВУЮЩИМ ROHS, ПЛАСТИК, SMA, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; ЕСЛИ: 1000 мА. IRFY440-JQR-B : 5,5 А, 500 В, 0,98 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 500 вольт; rDS (вкл.): 0.9800 Ом; Количество блоков в ИС: 1. KBPC1500-LF : 15 А, 50 В, КРЕМНИЙ, МОСТ-ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: BRIDGE RECTIFIER DIODE; Применение диодов: выпрямитель; IF: 300000 мА; VBR: 50 вольт; Соответствует RoHS: RoHS; Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, МЕТАЛЛ, KBPC, 4 КОНТАКТА; Количество контактов: 4; Количество диодов: 4. MRF8S9202GNR3 : ВЧ МОЩНОСТЬ, FET. Предназначен для приложений базовых станций CDMA с частотами от 960 МГц. Может использоваться в классах AB и C для всех типичных форматов модуляции сотовых базовых станций.Типичные характеристики W — CDMA с одной несущей: VDD = 28 В, IDQ = 1300 мА, Pout = 58 Вт в среднем, ограничение величины IQ, полоса пропускания канала = 3,84 МГц, PAR входного сигнала при вероятности 0,01%. SB30W03ZAY : 3 А, 30 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, высокое напряжение; IF: 3000 мА; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2. V39ZU05 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМО ОТ НАПРЯЖЕНИЯ, 31 В, 0.3 J, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы; Номинальная мощность: 0,2000 Вт (2,68E-4 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока: 31 вольт; Рабочая температура: от -55 до 85 C (от -67 до 185 F). 10ZL100020CA10X16 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 10 В, 1000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 1000 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 10 вольт; Ток утечки: 100 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая Температура:. 1210-100F : 1 ЭЛЕМЕНТ, 0,01 мкГн, PHENOLIC-CORE, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Основной материал: фенол; Стиль отведения: J; Применение: общего назначения, ВЧ дроссель; Диапазон индуктивности: 0,0100 мкГн; Номинальный постоянный ток: 966 миллиампер; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F). 74478201 : ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Применение: Универсальное. Kunde / заказчик: Artikelnummer / номер детали: Bezeichnung:: Eigenschaften / свойства Induktivitt / индуктивность Gte / коэффициент добротности DC-Widerstand / сопротивление постоянному току Nennstrom / номинальный ток Eigenres.-Частота / собственная частота Testbedingungen / условия испытаний 100 МГц 800 МГц Wert / значение Einheit / ед. Доп. 0,3 нГн Тип. Базисматериал / основной материал :. 800R : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 500 В, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0709. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

Buz71 datasheet, pdf

Buz71 datasheet, buz71 datasheets, buz71 pdf, buz71 схема: siemens — силовой транзистор sipmos (лавинный режим усиления n каналов), alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников , диоды, симисторы и другие полупроводники. Техническое описание Buz71, техническое описание buz71, buz71 pdf, схема buz71: intersil — 14a, 50v, 0. Техническое описание Buz71, buz71 pdf, техническое описание buz71, техническое описание, техническое описание, pdf.085 ω лавинно-надежная технология 100% лавинные испытания, высокая допустимая нагрузка на ток 175 oc, рабочая температура, сильноточные, высокоскоростные переключающие соленоиды и драйверы реле. Промышленность полупроводниковых компонентов, ооо. Техническое описание Buz71a, buz71a pdf, техническое описание buz71a, руководство buz71a, buz71a pdf, buz71a, datenblatt, электроника buz71a, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data. Buz71 datasheet pdf — 55 // первая цифра кода даты, являющаяся z или k, идентифицирует кремний, охарактеризованный в этом техническом описании.

Buz71 datasheet (pdf) 3 страницы — stmicroelectronics: part no. N — канал 50 В — 0. Применения s высокий ток, высокая скорость переключения s соленоид и драйверы реле s регуляторы dc- dc- и dc- ac. См. Полный список на всем листе. Buz71: описание силового транзистора sipmos (режим n-канального улучшения лавинно-оцененный): скачать 9 страниц: прокрутка / масштабирование. Com посетили более 100 тысяч пользователей за последний месяц. Buz71: описание 14a, 50v, 0. Buz71 datasheet (pdf) 1 страница — siemens semiconductor group: арт.

99 силовой транзистор sipmos® • канал n • режим улучшения • лавинный контакт 1 контакт 2 контакт 3 g d s тип vds id rds (on) код заказа корпуса buz 73 200 v 7 a 0. Поиск в миллионах документов msds. 100 Ом, n-канальный МОП-транзистор, таблица данных, поиск в таблице. Корпорация Fairchild Semiconductor buz71 rev. Ищите бесплатные листы технических данных и получайте фантастические результаты. Упростите соответствие.

Типичный rds (on) = 0. Техническое описание Buz71, техническое описание buz71, buz71 pdf, buz71 схема: comset — n-канальный режим усиления МОП транзисторов, все технические данные, техническое описание, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторы и другие полупроводники.1 ω to- 220 ab c67078-s1316-a9 максимальные характеристики параметр символ значения единица непрерывный ток стока id a tc = 28 ° c 14 импульсный. 085 лавинно-прочная технология 100% лавинно-испытанная стойкость к высоким токам при рабочей температуре 175 ° C. Техническое описание Buz90 (pdf) 1. Этот сайт использует файлы cookie для предоставления наших услуг, а dxtasheet показывает вам списки вакансий в таблицах релевантных объявлений. 100 Ом, n-канальный силовой МОП-транзистор, buz71 pdf скачать Fairchild Semiconductor, buz71 datasheet pdf, распиновки, техническое описание, аналог.Полевой транзистор 100 Ом разработан для • таких применений, как импульсные стабилизаторы с ограничением рассеяния мощности. Техническое описание Buz71a, техническое описание buz71a, buz71a pdf, схема buz71a: stmicroelectronics — n — канал 50 В — 0. 100 Ом, n-канальный силовой МОП-транзистор: скачать 6 страниц: прокрутка / масштабирование: 100%. 085ω — 17a — 220 полевой МОП-транзистор, типичный rds (вкл.) = 0.

1Вт — 13а — 220 полевой МОП-транзистор] силовой МОП-транзистор, все данные, техническое описание, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов, и другие полупроводники.Размер pdf: 48 КБ _ intersil buz71 техническое описание июнь 1999, номер файла 2418. Buz71 техническое описание (pdf) 1 страница — корпорация intersil: номер детали. 4 ω к-220 ab c67078-s1317-a2. 100 Ом, n-канальный силовой МОП-транзистор с кремниевым затвором и полевым эффектом с n-канальным режимом расширения, предназначенный для таких приложений, как импульсные регуляторы, переключающие преобразователи, драйверы двигателей, драйверы реле и драйверы для биполярной коммутации высокой мощности. Buz71 datasheet (pdf) 1. 085w — 17a to-220 stripfet] силовой mosfet: загрузить 8 страниц: scroll.Благодаря длинному техническому описанию с ИБП, мы buz71 datasheet уникальные формы buz71 datasheet способы buz71 datasheet упаковки продуктов для транспортировки. 085w-17a to-220 stripfet] силовой МОП-транзистор, все технические данные, таблицы данных, поисковый сайт электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. МОП-транзистор с полосовым выводом 085 ohm — 17a to-220. Техническое описание Buz71 (pdf) показывает все меньше продуктов cahts: ushts: taric: eccn: ear99.

Buz71 datasheet (pdf) 1 страница — stmicroelectronics: номер детали.- МОП-транзистор с полосным полевым транзистором от 17a до 220, buz71 pdf скачать stmicroelectronics, buz71 datasheet pdf, распиновки, технический паспорт, эквивалент, схема, перекрестные ссылки, устаревшие, схемы. Техническое описание Buz71, buz71 pdf, buz71 техническое описание, руководство buz71, buz71 pdf, buz71, datenblatt, электроника buz71, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание. Найдите бесплатные листы технических данных на сайте directhit. Pdf) скачать даташит buz71. B buz71 14a, 50v, 0. Ищите бесплатные листы технических данных и получайте потрясающие результаты. 3 номер заказа публикации: buz11 / d buz11 n- канальный МОП-транзистор 50 В, 30 А, 40 МОм.

Buz71 n — канал 50 В — 0. Размер Pdf: 137k _ update_ mosfet buz 71 s2 не для новой конструкции силовой транзистор sipmos ® • канал n • режим улучшения • лавинный контакт 1 контакт 2 контакт 3 типа GDS vds id rds (on) код заказа упаковки buz 71 s2 60 v 14 a 0. Buz71 datasheet (pdf) 2 страницы — siemens semiconductor group: арт. 085w-17a to-220 stripfet], таблица данных buz71, схема buz71, таблица данных buz71: stmicroelectronics, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.Buz71 datasheet: 14a, 50v, 0. Buz71 n- канал 50v — 0.

Sipmos силовой транзистор (лавинный режим расширения n каналов), buz71 datasheet, buz71 circuit, buz71 data sheet: siemens, alldatasheet, datasheet, datasheet search сайт электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Размер PDF: 176 КБ _ siemens. 100 Ом, n-канальная мощность с функцией mosfet • 14a, 50v это n-канальный режим усиления мощности кремниевого затвора • rds (on) = 0.Размер pdf: 382к _ ст2. Buz71fi datasheet (pdf) 1. 085ω- 17a to- 220 полевой МОП-транзистор, buz71 pdf скачать stmicroelectronics, buz71 datasheet pdf, распиновки, техническое описание, эквивалент, схема, перекрестные ссылки, устаревшие, схемы. 1w — 13a to-220 stripfet], таблица данных buz71a, схема buz71a, таблица данных buz71a: stmicroelectronics, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.

Buz71: описание: n — канал 50 В — 0. Бесплатные технические описания ищите на directhit. Таблица данных Buz71: n — канал 50 В — 0. 1 ω to- 220 ab c67078-s1316- a9 Максимальные номинальные значения параметра символ значения единица измерения непрерывно. Buz 90, силовой транзистор sipmos, режим n-канального улучшения, лавинный, контакт 1 контакт 2 контакт 3 тип gds vds id rds (on), код заказа корпуса buz 90 600 v 4. Техническое описание Buz71, таблицы данных buz71, buz71 pdf, схема buz71: stmicroelectronics — n — канал 50в — 0.

TDA4605-2 Техническое описание Infineon Technologies

Qualität hat für uns eine umfassende

Bedeutung.Wir wollen allen Ihren

Ansprüchen in der bestmöglichen

Weise gerecht werden. Es geht uns also

nicht nur um die Produktqualität —

unsere Anstrengungen gelten

gleichermaßen der Lieferqualität und

Logistik, dem Service und Support

sowgenreungen allen.

Dazu gehört eine bestimmte

Geisteshaltung unserer Mitarbeiter.

Total Quality im Denken und Handeln

gegenüber Kollegen, Lieferanten und

Ihnen, unserem Kunden.Unsere

Leitlinie ist jede Aufgabe mit «Null

Fehlern» zu lösen — in offener

Sichtweise auch über den eigenen

Arbeitsplatz hinaus — und uns ständig ver

.

Unternehmensweit orientieren wir uns

dabei auch an «top» (Time Optimized

Processes), um Ihnen durch größere

Schnelligkeit den entscheidenden

Wettchangerbsvorsprupp.

Geben Sie uns die Chance, hohe

Leistung durch umfassende Qualität zu

beweisen.

Wir werden Sie überzeugen.

Качество имеет огромное значение

в Semiconductor Group.

Для нас это означает выполнение каждого и

каждого из ваших требований наилучшим из возможных способов

. Таким образом, мы не только

озабочены качеством продукции. Мы

направляем наши усилия в равной степени на качество снабжения и логистики

, обслуживание и поддержку

, а также на все другие способы

, которые мы консультируем и обслуживаем вас.

Частично это связано с особым отношением

наших сотрудников. Общее качество в мыслях и

делах в отношении сотрудников, поставщиков

и вас, нашего клиента. Наши рекомендации:

«делайте все без дефектов»,

открытым способом, который демонстрируется

за пределами вашего непосредственного рабочего места, и

для постоянного улучшения.

В рамках всей корпорации мы также

думаем о процессах, оптимизированных по времени

(вверху), увеличивая скорость в нашей части

, чтобы дать вам решающее конкурентное преимущество.

Дайте нам шанс доказать лучшую производительность

через лучшее качество

— вы убедитесь.

http://www.infineon.com

Total Quality Management

Опубликовано Infineon Technologies AG

INFINEON TDA4605

DtSheet

Загрузить

INFINEON TDA4605

Открыть как PDF

Похожие страницы

STMICROELECTRONICS TDA4605D

INFINEON Q67000

FAIRCHILD АН-6075

INFINEON Q67100

INFINEON PSB2121-T

INFINEON TCA785

ETC RSE4812-B

ETC MTL5521

INFINEON TDA4605-2

СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА 1Н5711

СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКС 1Н6263

INFINEON TDA4605-3

STMICROELECTRONICS BAR28

СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА BAT45

ИНФИНЕОН СФ5692

ANADIGICS AWS5523

КОДЕНШИ ККА4605-2

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ILA4605-2

ICPTest_SL1003 pdf

STMICROELECTRONICS TDA4605

SAMSUNG KS8803BD

SAMSUNG KT3170N

dtsheet © 2021 г.

О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь

Infineon ранее Siemens CFY25-23, CFY25-20, CFY25-17 Лист данных

● Низкий уровень шума

● Высокое усиление

● Для входных усилителей

● длинноимплантированная планарная структура

● Вся золотая металлизация

ESD: Устройство, чувствительное к электростатическому разряду, соблюдайте меры предосторожности при обращении!

Тип

Маркировка

Код заказа

Конфигурация контактов

Упаковка1)

(лента и катушка)

1

2

3

4

CFY 25-17

К 5

Q62703-F106

Micro-X

Д

ю

г

ю

CFY 25-20

К 6

Q62703-F107

CFY 25-23

К 7

Q62703-F108

Максимальные характеристики

Параметр	Символ	Значения	Блок
Напряжение сток-исток	VDS	5	В
Напряжение на затворе	VDG	7
Напряжение затвор-исток	ВГС	— 5… + 0
Ток утечки	ID	80	мА
Общая рассеиваемая мощность, TS ≤ 56 ˚C2)	Ptot	250	мВт
Температура канала	ТС	150	˚C
Диапазон температур хранения	Tstg	— 65… + 150
Тепловое сопротивление
Канал — точка пайки2)	РТ ЧС	375	К / Вт

1) Для получения подробной информации см. Главу «Комплектация».

2) TS измеряется на выводе истока в точке пайки печатной платы.

Группа полупроводников

1

07.94

КФГ 25

Электрические характеристики

при TA = 25 ˚C, если не указано иное.

Параметр		Символ		Значения		Блок
			мин.	тип.	макс.
Ток насыщения сток-источник		IDSS	15	30	60	мА
VDS = 3 В, VGS = 0
Напряжение отсечки		Вп	— 0.3	— 1,0	— 3,0	В
ID = 1 мА, VDS = 3 В
Ток утечки затвора		IG	–	0.1	2	мкА
ID = 15 мА, VDS = 3 В
Крутизна		г	30	40	–	мСм
ID = 15 мА, VDS = 3 В
Уровень шума		Факс				дБ
IDS = 15 мА, VDS = 3 В, f = 12 ГГц	КФГ 25-17		–	1.6	1,7
	КФГ 25-20		–	1,9	2,0 ​​
	КФГ 25–23		–	2,2	2.3
Ассоциированная прибыль		Ga
IDS = 15 мА, VDS = 3 В, f = 12 ГГц	КФГ 25-17		9	9.5	–
	КФГ 25-20		8,5	9	–
	КФГ 25–23		8,5	9	–

Irf7343 trpbf pdf принтер

Irf7343 trpbf pdf принтер

Сравните цены на infineon irf7343trpbf у 32 дистрибьюторов и найдите альтернативные детали, модели CAD, технические характеристики, таблицы данных и многое другое на octopart.Irf7343trpbf infineon datasheet и cad модель скачать. Это преимущество сочетается с высокой скоростью переключения и прочностью устройства. Мощный МОП-транзистор Hexfet — чрезвычайно эффективное устройство для использования в самых разных приложениях. Irf5210strlpbf Infineon технологии дискретных полупроводников. Реализация контроллера заряда солнечной батареи mppt с powerpsoc. Вторник, 7 октября 2014 г. Международная выпрямительная компания сочтет это изменение утвержденным и введет его в действие до даты вступления в силу. Мощный МОП-транзистор Hexfet, лист данных IRF7343, схема IRF7343, лист данных IRF7343.Примером соответствующего суффикса для ответа являются последние 5 цифр. Irf7343 datasheet, irf7343 pdf, irf7343 data sheet, irf7343 manual, irf7343 pdf, irf7343, datenblatt, электроника irf7343, alldatasheet, free, datasheet, datasheets.

Датчики давления с компенсацией серии Sp100 Датчики давления sp100 представляют собой калиброванные кремниевые пьезорезистивные датчики с цифровой компенсацией и интерфейсом spi. Просмотрите таблицы данных, запасы и цены или найдите другие МОП-транзисторы. Габаритные размеры корпуса So8 указаны в миллиметрах-дюймах e1 d e y b a a1 h k l.Irf7342trpbf infineon datasheet и cad модель скачать octopart. Irf7343 datasheet, irf7343 datasheets, irf7343 pdf, irf7343 схема. Международные выпрямительные МОП-транзисторы с двойным канальным МОП-транзисторами для количества, превышающего указанные в списке, уточняйте по запросу. So8 был изменен с помощью настраиваемой рамки для улучшения. Infineon irf7343 MOSFET можно приобрести в магазине Mouser Electronics. Это полностью изолированный пакет to247 с лучшими в отрасли igbts. Поиск электронных компонентов в техническом описании английский китайский. Irf7341trpbf — двойной МОП-транзистор Infineon, n-канальный, 55 В.Ваш друг получит уведомление, когда план полета будет подан, когда рейс вылетает, прибывает, а также если рейс задерживается, отменяется или изменяется. Наслаждайтесь быстрым и простым в использовании онлайн-инструментом преобразования и преобразования PDF в формат, широко используемый в openstreetmaps и Adobe Reader. Габаритные размеры корпуса Irf7342pbf 6 so8 указаны в миллиметрах-дюймах e1 d e y b a a1 h k l.

Buz 90 sipmos силовой транзистор n-канальный режим расширения лавинный контакт 1 контакт 2 контакт 3 g d s тип vds id код заказа корпуса rdson buz 90 600 v 4.Сравните цену на irf6643trpbf и наличие у авторизованных и независимых дистрибьюторов электронных компонентов. Квалификация описания изменения источника новой пластины. Irf7341trpbf — это двухканальный МОП-транзистор, использующий передовые технологии обработки для достижения минимально возможного сопротивления на площади кремния. Ежедневно мы отправляем 5000 отправлений и обеспечиваем их доставку в кратчайшие сроки. Базовые пользователи могут изменить данные полета по умолчанию и настройки кода аэропорта, отображаемые на этой странице.Irf7343trpbf Infineon Technologies Discrete Semiconductor.

Irf7343 datasheet, irf7343 pdf, irf7343 datasheet, datasheet, data sheet, pdf, международный выпрямитель, двухканальный шестигранный полевой МОП-транзистор с каналом 55 В и p-каналом в корпусе so8. Сравните цены на infineon irf7342trpbf у 31 дистрибьютора и найдите альтернативные детали, модели CAD, технические характеристики, таблицы данных и многое другое на octopart. Irf7343 trpbf pdf массив mosfet n и pchannel 55v a, 2w поверхностный монтаж 8so. Купите irf73trpbf с продленным сроком доставки в тот же день.Pd

irf7343 hexfet power mosfet generation v технология nchannel mosfet nch pch 1 8 сверхнизкое сопротивление s1 d1 двухканальный n и p-канал mosfet 2 7 g1 d1 поверхностный монтаж vdss 55v 55v 3 6 s2 d2 полностью лавинный 4 5 g2 d2 pchannel mosfet rdson 0 . Товары в вашей текущей корзине не будут перенесены. Напряжение сток-источник nканал 0 300 600 900 1200 1 10 100 c, емкость pf v, напряжение сток-источник vds a. Внедрение контроллера заряда солнечной батареи mppt с powerpsoc 17 декабря 2010 г., документ №.Технология IRF поколения v, все технические данные, технические данные, поисковый сайт по электронным компонентам и полупроводникам, интегральным схемам, диодам, симисторам и другим полупроводникам. Условиями устройства является непрерывный ток источника, символ MOSFET, показывающий интегральную обратную интегральную схему тока источника ism. Irf7343trpbf datasheet, irf7343trpbf pdf, irf7343trpbf datasheet, datasheet, data sheet, pdf, международный выпрямитель, двухканальный шестнадцатеричный силовой МОП-транзистор 55 В с каналом n и p в корпусе so8. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны мощные полевые МОП-транзисторы на шестнадцатеричных транзисторах, обеспечивает.International выпрямительный МОП-транзистор Mouser Electronics.

Все содержимое и материалы на этом сайте предоставляются как есть. Irfr u3707zpbf техническое описание продукта farnell element14. Irf7343trpbf datasheet, pdf 55v двойной канал n и p. Irf7341, irf7341 двухканальный mosfet-транзистор, купить транзистор irf7341.

Irf7343 pdf, описание irf7343, даташиты irf7343. Помимо давления, датчики обеспечивают датчик ускорения, измерения температуры и напряжения питания. Сравните цены на infineon irf73trpbf у 35 дистрибьюторов и найдите альтернативные детали, модели CAD, технические характеристики, таблицы данных и многое другое на octopart.Irf hexfet power mosfet, alldatasheet, datasheet, datasheet поисковый сайт для электроники. В Tme работает более 800 сотрудников, которые обеспечивают экспертную поддержку на каждом этапе процесса заказа. Наше предложение включает 300 000 электронных компонентов от 950 производителей с 1990 года, мы динамично расширяем нашу деятельность и увеличиваем наш глобальный потенциал. Irf7343trpbf Infineon ir mosfet mosft dual npch 55v 4. силовой МОП-транзистор Hexfet, таблица данных irf7343pbf, схема irf7343pbf, таблица данных irf7343pbf. Irf7343trpbf pdf, описание irf7343trpbf, irf7343trpbf.Irf7343trpbf datasheet, irf7343trpbf datasheets, irf7343trpbf pdf, irf7343trpbf circuit. Таблица перевода номеров деталей для заказа opn, здесь вы можете найти соответствующую информацию opn, pcpn, тип продаж, sp. Цена затвора за каждый заряд nc напряжение стока v постоянный ток стока a рассеиваемая мощность w напряжение источника затвора макс. Заказные идентификаторы номера детали. Описательные идентификаторы в предложении расскажут вам больше об атрибутах продукта. Спецификации Irf7416, цены, доступность, сроки поставки.To220 ab c67078s21a2 максимальные характеристики параметр символ значения единица непрерывный ток стока tc 28 c id 4.

Это может повлиять на цену, варианты доставки и доступность продукта. Данные и спецификации могут быть изменены без предварительного уведомления. В шестигранных полевых транзисторах пятого поколения Pd

от компании International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния. Решены проблемы irq trf7960a и конфликтующие irqs. Irf73trpbf infineon datasheet и cad модель скачать.Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые полевые МОП-транзисторы, предоставляет разработчик. Ti и ее соответствующие поставщики и поставщики контента не делают никаких заявлений о пригодности этих материалов для каких-либо целей и отказываются от всех гарантий и условий в отношении этих материалов, включая, помимо прочего, все подразумеваемые гарантии и условия товарной пригодности, пригодности для конкретных цель. C, 21mar11 3 это техническое описание может быть изменено без предварительного уведомления.Irf, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов. Продукты, указанные как приобретенные людьми, не являются рекомендованными аксессуарами и могут быть несовместимы с основным продуктом. Отслеживание полетов с приоритетом платных звонков tfr53 и история полетов. Максимальный эффективный переходный термический импеданс, переход к окружающей среде, рис. 10.

Эта новая концепция корпуса соответствует самым высоким требованиям с точки зрения производительности, гибкости конструкции и простоты использования. Trf37b73 slase41 май 2014 г. trf37b73 16000 МГц блок усиления ВЧ 1 особенности 3 описание trf37b73 упакован в 2.МОП-транзистор на шестнадцатеричном транзисторе с двойным каналом n и p irf 55v в корпусе so8. Irf7343 datasheet, pdf 55v двойной канал n и p hexfet. Irf7343trpbf — это двухканальный МОП-транзистор, использующий передовые технологии обработки для достижения минимально возможного сопротивления на площади кремния. Irf7343trpbf Infineon Dual MOSFET, дополнительный n и. Irf7343pbf международный выпрямитель, irf7343pbf datasheet. Это подробные сведения о деталях и таблицы данных для irf7416, которые содержат такую ​​информацию, как графики тенденций, цены, изображения деталей, аналогичные детали, техническую информацию, запасы поставщиков и информацию о производителе.Irf7342trpbf международный выпрямитель, irf7342trpbf. Irf7351trpbf datasheet, irf7351trpbf pdf, irf7351trpbf data sheet, irf7351trpbf manual, irf7351trpbf pdf, irf7351trpbf, datenblatt, электроника irf7351trpbf. Купите irf7343pbf с увеличенным сроком доставки в тот же день. Irf, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и.

Параметрический поиск [ECA Software]

База данных ECA на www.ecadata.de позволяет производить поиск различных параметров независимо от производителя.
Это краткий пример, основанный на данных BUZ 90, как вы можете найти типы замены почти для каждого компонента.

После нажатия этого значка начнется параметрический поиск. Вы найдете его на стороне листа данных в верхнем левом углу или в списке типов электронных данных. После нажатия на значок появится экран, показанный ниже.

На этом экране отображаются все параметры выбранного типа. Также можно изменить данные для выбора.Поиск всегда будет основываться на этих данных.
Третий столбец позволяет установить предел для выбора . Ограничение основано на%, , что означает, что если вы выберете, например, 10% и выбрано значение VCE0 = 100V, выбор будет создан для всех типов с VCE0 от 100V до 110V. Если вы выбираете 0%, выбор действителен только для типов с VCE0, равным 100 В. Если вы выбрали ± 10%, VCE0 действителен от 90 до 110 В.
Вы должны установить флажок в четвертом столбце, чтобы выбрать значение, только отмеченные значения будут использоваться при параметрическом поиске .
Для этого типа я бы рекомендовал Напряжение сток-затвор — «VDG» , Напряжение сток-исток — «VDS» и Ток стока — «ID» выше, вы можете выбрать контур корпуса, обычно значение Рекомендуется аналогичный случай , если поиск не увенчался успехом, вы можете выбрать все варианты .

В выборе магазина-партнера ECA будут перечислены только те типы, которые доступны в магазине-партнере ECA, что иногда бывает очень полезно найти на рынке доступный заменяющий тип. ¹⁾

После подтверждения ввода с помощью кнопки подтверждения в левом нижнем углу запустится поисковая система, и появится список, подобный приведенному выше. В первой строке будут отображаться данные выбранного типа, с которого вы начали свой выбор. Обратите внимание, что если вы изменили данные, в списке по-прежнему отображаются значения выбранного типа. ²⁾
Вы можете отсортировать все столбцы этого списка, щелкнув заголовок столбца, символ Eshop означает «этот тип доступен в интернет-магазине партнера ECA Eshop» , если вы нажмете кнопку, вы будете переадресовано в доступные интернет-магазины.Обычно это намек на то, что этот тип доступен на рынке, и вы сможете получить этот компонент у нескольких дистрибьюторов.
Символ PDF — это ссылка на исходный лист технических данных от производителя, который будет отображаться после нажатия кнопки.
Если вы щелкнете по элементу в столбце case, отобразятся распиновка и регистр выбранного типа, так что можно будет легко сравнивать различные типы.
Пример распиновки

При нажатии на тип в первом столбце откроется запрошенная таблица данных, и вы сможете увидеть все детали этого типа.
Зеленые столбцы — это столбцы, которые вы выбрали для этого параметрического поиска.

В нашем техническом паспорте мы рекомендовали следующие типы в качестве замены:
BUK 455/600, 2SK1117,2SK1402,2SK1809 ++, в этом списке вы можете найти еще больше.
Если вы используете этот инструмент впервые, я бы порекомендовал вам попробовать его с несколькими значениями. Как правило, рабочий тип замены всегда зависит от использования в устройстве.