Buz90 характеристики. BUZ90: Мощный N-канальный MOSFET транзистор для импульсных источников питания

Каковы основные характеристики BUZ90. Какие параметры важны для применения в импульсных источниках питания. Как правильно выбрать и использовать BUZ90 в схемах.

Основные характеристики транзистора BUZ90

BUZ90 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для применения в импульсных источниках питания и других схемах с высоким напряжением. Рассмотрим его ключевые параметры:

• Структура: N-канальный MOSFET с изолированным затвором
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Максимальный постоянный ток стока: 4.5 А
• Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
• Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
• Корпус: TO-220AB

Эти характеристики делают BUZ90 отличным выбором для применения в импульсных преобразователях напряжения, инверторах, драйверах электродвигателей и других силовых схемах.

Преимущества BUZ90 для импульсных источников питания

BUZ90 обладает рядом преимуществ, которые делают его популярным выбором для импульсных источников питания:

• Высокое пробивное напряжение 600 В обеспечивает надежную работу в сетевых устройствах
• Низкое сопротивление открытого канала 1.6 Ом снижает потери проводимости
• Хорошие динамические характеристики позволяют работать на высоких частотах
• Встроенный защитный диод упрощает схему
• Корпус TO-220 обеспечивает эффективный теплоотвод

Эти свойства позволяют создавать эффективные и компактные импульсные преобразователи на основе BUZ90.

Области применения транзистора BUZ90

Благодаря своим характеристикам, BUZ90 находит применение во многих областях силовой электроники:

• Импульсные источники питания
• AC/DC и DC/DC преобразователи
• Инверторы для солнечных батарей
• Драйверы электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Балласты для газоразрядных ламп
• Зарядные устройства

Во всех этих применениях BUZ90 обеспечивает эффективное переключение высоких напряжений и токов.

Важные параметры BUZ90 для импульсных источников питания

При проектировании импульсных источников питания на основе BUZ90 следует обратить внимание на следующие ключевые параметры:

• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 600 В
• Максимальный ток стока (I_D): 4.5 А
• Сопротивление открытого канала (R_DS(on)): 1.6 Ом
• Пороговое напряжение (V_GS(th)): 2-4 В
• Входная емкость (C_iss): 1050 пФ
• Время включения (t_on): 30 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс

Эти параметры определяют динамические и статические характеристики транзистора в импульсном режиме работы.

Особенности применения BUZ90 в импульсных источниках питания

При использовании BUZ90 в импульсных преобразователях следует учитывать некоторые особенности:

1. Необходимо обеспечить надежное управление затвором для быстрого переключения
2. Следует ограничивать скорость нарастания напряжения dv/dt для предотвращения ложных включений
3. Важно правильно рассчитать тепловой режим и при необходимости использовать радиатор
4. Рекомендуется применять снабберные цепи для ограничения выбросов напряжения
5. Необходимо учитывать паразитные индуктивности в цепи стока при разработке топологии платы

Соблюдение этих рекомендаций позволит создать надежный и эффективный импульсный источник питания на основе BUZ90.

Сравнение BUZ90 с аналогами

BUZ90 имеет ряд близких аналогов от других производителей. Рассмотрим сравнение основных параметров:

Параметр	BUZ90	IRF840	STP4N60
VDSS, В	600	500	600
ID, А	4.5	8	4
RDS(on), Ом	1.6	0.85	1.5

Как видно, BUZ90 имеет схожие характеристики с аналогами, но отличается более высоким напряжением пробоя.

Типовая схема включения BUZ90 в импульсном источнике питания

Рассмотрим типовую схему применения BUZ90 в качестве ключевого элемента обратноходового преобразователя:

«`text +Vin | Z R1 | C1 === | +———+ +—-| Driver | | +———+ | | R2 Z | | | | +——+ | | | C2 === D /_\ BUZ90 | S | | | | | | +-+-+ +——+ | | | +—-| PWM | | | | T1| +——+ | | | | | | +-+-+ | | | | | | GND O—+——+ «`

В этой схеме BUZ90 выполняет роль ключевого элемента, коммутирующего ток в первичной обмотке трансформатора T1. Драйвер обеспечивает управление затвором, а ШИМ-контроллер формирует управляющие импульсы для регулирования выходного напряжения.

Рекомендации по выбору BUZ90 для конкретного применения

При выборе BUZ90 для конкретной схемы следует учитывать следующие факторы:

1. Максимальное рабочее напряжение должно быть меньше V_DSS с запасом 20-30%
2. Пиковый ток стока не должен превышать максимально допустимое значение I_D
3. Рассеиваемая мощность на транзисторе не должна превышать P_D с учетом теплового сопротивления корпуса
4. Частота переключения должна выбираться с учетом динамических параметров транзистора
5. Напряжение управления затвором должно быть достаточным для полного открытия канала

Правильный выбор параметров обеспечит надежную и эффективную работу BUZ90 в вашей схеме.

Простой импульсный источник питания 5 В, 4А — Меандр — занимательная электроника

Источник питания представляет собой однотактный обратноходовый преобразователь напряжения с самовозбуждением. Отличительная особенность предлагаемого устройства — отсутствие специализированных микросхем, простота и дешевизна в изготовлении.

Основные технические характеристики

Максимальная выходная мощность, Вт	20
Выходное напряжение, В	5
Максимальный ток нагрузки, А	4
Интервал входного напряжения сети, В	187…242
Частота входного напряжения, Гц	50
Нестабильность выходного напряжения, %, не более	2
Амплитуда пульсаций, %	1
Интервал рабочей температуры, °С	-40…+70
Габариты, мм	80x65x20
Масса с теплоотводом, г	120

Схема устройства показана на рисунке 1. Источник питания содержит сетевой выпрямитель VD1—VD4, по-мехоподавляющий фильтр L1C1—СЗ, преобразователь на коммутирующем транзисторе VT1 и импульсном трансформаторе Т1, выходной выпрямитель VD8 с фильтром C9C10L2 и узел стабилизации, выполненный на стабилизаторе DA1 и оптроне U1.

Рис.1. Принципиальная схема устройства

Устройство работает следующим образом. После включения источника питания приоткрывается коммутирующий транзистор VT1 и по первичной обмотке импульсного трансформатора Т1 начинает протекать ток. В обмотке обратной связи II трансформатора наводится ЭДС, которая по цепи положительной обратной связи — резистор R9, диод VD5, конденсатор С5 поступает на затвор полевого транзистора VT1.

В результате чего развивается лавинообразный процесс, приводящий к полному открыванию коммутирующего транзистора. Начинается накопление энергии в трансформаторе Т1. Ток через коммутирующий транзистор VT1 линейно нарастает, а напряжение с датчика тока— резистора R10 через диод VD6 и конденсатор С7 воздействует на базу фототранзистора оптрона U1.1, приоткрывая его, из-за чего уменьшается напряжение на затворе полевого транзистора. Начинается обратный процесс, приводящий к закрыванию коммутирующего транзистора VT1. В этот момент открывается диод VD8 и энергия, накопленная в трансформаторе Т1, передается в конденсатор выходного фильтра С9.

Когда выходное напряжение по какой-либо причине превысит номинальное значение, стабилизатор DA1 откроется и через него и последовательно включенный излучающий диод оптрона U1.2 начинает протекать ток. Излучение диода приводит к более раннему открыванию транзистора оптрона, в результате чего время открытого состояния коммутирующего транзистора уменьшается, энергии в трансформаторе запасается меньше, а следовательно, выходное напряжение уменьшается.

Если же выходное напряжение понижается, ток через излучающий диод оптрона уменьшается, а транзистор оптрона закрывается. В результате время открытого состояния коммутирующего транзистора увеличивается, энергии в трансформаторе запасается больше и выходное напряжение восстанавливается.

Резистор R3 необходим для уменьшения влияния темнового тока транзистора оптрона и улучшения термостабильности всего устройства. Конденсатор С7 повышает устойчивость работы источника питания. Цепь C6R8 форсирует процессы переключения транзистора VT1 и увеличивает КПД устройства.

По приведенной схеме были изготовлены несколько десятков источников питания с выходной мощностью 15…25 Вт.

На месте коммутирующего транзистора VT1 можно использовать как полевые, так и биполярные транзисторы, например, серий 2Т828, 2Т839, КТ872, КП707, BUZ90 и т. д. Транзисторный оптрон 4N35 заменим любым из серий АОТ110, АОТ126, АОТ128, а стабилизатор КР142ЕН19А — TL431. Однако лучшие результаты получились с импортными элементами (BUZ90, 4N35, TL431).

Все резисторы в источнике питания — для поверхностного монтажа типоразмера 1206 мощностью 0,25 Вт, конденсаторы С1 —СЗ, С8 — К10-47в на напряжение 500 В, С5—С7 — для поверхностного монтажа типоразмера 0805, остальные — любые оксидные.

Трансформатор Т1 наматывают на двух, сложенных вместе, кольцевых магнитопроводах К19x11x6,7 из пермаллоя МП 140. Первичная обмотка содержит 180 витков провода ПЭВ-2 0,35, обмотка II — 8 витков провода ПЭВ-2 0,2, обмотка III на выходное напряжение 5В — 7 витков из пяти проводников ПЭВ-2 0,56. Порядок намотки соответствует их нумерации, причем витки каждой обмотки необходимо равномерно распределить по всему периметру магнитопровода.

Дроссели L1 и L2 выполнены на кольцевых магнитопроводах К15x7x6,7 из пермаллоя МП140. Первый содержит две обмотки по 30 витков в каждой, намотанных проводом ПЭВ-2 0,2 на разных половинах магнитопровода, второй наматывают проводом ПЭВ-2 0,8 в один слой по всей длине магнитопровода сколько уместится.

Чтобы уменьшить пульсации выходного напряжения, общую точку конденсаторов С2 и СЗ сначала следует соединить с минусовым выводом конденсатора С10, а затем с остальными деталями — обмоткой III трансформатора Т1, минусовым выводом конденсатора С9, резистором R12 и выводом 2 стабилизатора DA1.

Устройство собрано на печатной плате размерами 80×60 мм. На одной стороне платы расположены печатные проводники и элементы для поверхностного монтажа, а также коммутирующий транзистор VT1 и диод VD8, которые прижаты к алюминиевой пластине—теплоотводу таких же размеров, а на другой — все остальные.

Первое включение прибора лучше производить от источника питания с ограничением тока, например, Б5-50, причем подавать следует сразу рабочее напряжение, а не повышать его постепенно. Налаживание устройства заключается в подстройке выходного напряжения делителем R11R12 и, если необходимо, установке датчиком тока R10 порога ограничения выходной мощности (начала резкого падения выходного напряжения при увеличении тока нагрузки).

Для получения другого выходного напряжения нужно пропорционально изменить число витков обмотки III трансформатора Т1 и коэффициент деления делителя R11R12.

При эксплуатации устройства следует помнить, что его минусовый вывод гальванически связан с сетью.

Автор: М.ДЫЦКОВ, г. Жуков

Простой импульсный источник питания 5В 4А

Источник питания представляет собой однотактный обратнохо-довый преобразователь напряжения с самовозбуждением.

Отличительная особенность предлагаемого устройства — отсутствие специализированных микросхем, простота и дешевизна в изготовлении.

Основные технические характеристики:

Максимальная выходная мощность, Вт…………………………………….20;

Выходное напряжение, В…………………………………………………….5;

Максимальный ток нагрузки, А……………………………………………..4;

Интервал входного напряжения сети, В………………………….. 187…242;

Частота входного напряжения, Гц………………………………………….50;

Нестабильность выходного напряжения, %, не более………………….2;

Амплитуда пульсации, %………………………………………………………1;

Интервал рабочей температуры, °С………………………………..-40…+70;

Габариты, мм………………………………………………………………….80x65x20;

Масса с теплоотводом, г………………………………………………………120.

Схема устройства показана на рис. 5.20. Источник питания содержит сетевой выпрямитель VD1…VD4, помехоподавляющий фильтр LI, С1…СЗ, преобразователь на коммутирующем транзисторе VT1 и импульсном трансформаторе Т1, выходной выпрямитель VD8 с фильтром С9, СЮ, L2 и узел стабилизации, выполненный на стабилизаторе DA1 и оптроне U1. Устройство работает следующим образом. После включения источника пи

тания приоткрывается коммутирующий транзистор VT1 и по первичной обмотке импульсного трансформатора Т1 начинает протекать ток. В обмотке обратной связи II трансформатора наводится ЭДС, которая по цепи положительной обратной связи через резистор R9, диод VD5, конденсатор С5 поступает на затвор полевого транзистора VT1. В результате чего развивается лавинообразный процесс, приводящий к полному открыванию коммутирующего транзистора. Начинается накопление энергии в трансформаторе Т1.

Ток через коммутирующий транзистор VT1 линейно нарастает, а напряжение с датчика тока — резистор R10 — через диод VD6 и конденсатор С7 воздействует на базу фототранзистора оптрона U1.1, приоткрывая его, из-за чего уменьшается напряжение на затворе полевого транзистора. Начинается обратный процесс, приводящий к закрыванию коммутирующего транзистора VT1. В этот момент открывается диод VD8 и энергия, накопленная в трансформаторе Т1, передается в конденсатор выходного фильтра С9. Когда выходное напряжение по какой-либо причине превысит нрминальное значение, стабилизатор DA1 откроется и через него и последовательно включенный излучающий диод оптрона U1.2 начинает протекать ток.

Излучение диода приводит к более раннему открыванию транзистора оптрона, в результате чего время открытого состояния коммутирующего транзистора уменьшается, энергии в трансформаторе запасается меньше, а следовательно, выходное напряжение уменьшается.

Если же выходное напряжение понижается, ток через излучающий диод оптрона уменьшается, а транзистор оптрона закрывается. В результате время открытого состояния коммутирующего транзистора увеличивается, энергии в трансформаторе запасается больше и выходное напряжение восстанавливается. Резистор R3 необходим для уменьшения влияния темнового тока транзистора оптрона и улучшения термостабильности всего устройства. Конденсатор С7 повышает устойчивость работы источника питания. Цепь С6, R8 форсирует процессы переключения транзистора VT1 и увеличивает КПД устройства. По приведенной схеме были изготовлены несколько десятков источников питания с выходной мощностью 15…25 Вт.

На месте коммутирующего транзистора VT1 можно использовать как полевые, так и биполярные транзисторы, например, серий 2Т828, 2Т839, КТ872А, КП707, BUZ90 и т.д. Транзисторный опт-рон можно применить любой из серий АОТИО, АОТ126, АОТ128, а стабилизатор КР142ЕН19А — TL431. Однако лучшие результаты получились с импортными элементами (BUZ90, 4N35, TL431). Все резисторы в источнике питания — для поверхностного монтажа типоразмера 1206 мощностью 0,25 Вт, конденсаторы С1…СЗ, С8 — К10-47в на напряжение 500 В, С5…С7 — для поверхностного монтажа, остальные — любые оксидные.

Трансформатор Т1 наматывают на двух, сложенных вместе, кольцевых магнитопроводах К19х11х6,7 из пермаллоя МП140. Первичная обмотка содержит 180 витков провода ПЭВ-2-0,35, обмотка II — 8 витков провода ПЭВ-2-0,2, обмотка III на выходное напряжение 5 В — 7 витков из пяти сложенных проводников ПЭВ-2-0,56. Порядок намотки соответствует их нумерации, причем витки каждой обмотки необходимо равномерно распределить по всему периметру магнитопровода.

Дроссели L1 и L2 выполнены на кольцевых магнитопроводах К 15x7x6,7 из пермаллоя МП 140. Первый содержит две обмотки по 30 витков в каждой, намотанных проводом ПЭВ-2-0,2 на разных половинах магнитопровода, второй наматывают’проводом ПЭВ-1-0,8 в один слой по всей длине магнитопровода, сколько уместится. Чтобы уменьшить пульсации выходного напряжения, общую точку конденсаторов С2 и СЗ сначала следует соединить с минусовым выводом конденсатора СЮ, а затем с остальными деталями — обмоткой III трансформатора Т1, минусовым выводом конденсатора С9, резистором R12 и выводом 2 стабилизатора DA1.

Первое включение прибора лучше производить от источника питания с ограничением тока, например, Б5-50, причем подавать следует сразу рабочее напряжение, а не повышать его постепенно. Налаживание устройства заключается в подстройке выходного напряжения делителем Rll, R12 и, если необходимо, установке датчиком тока R10 порога ограничения выходной мощности (начала резкого падения выходного напряжения при увеличении тока нагрузки). Для получения другого выходного напряжения нужно пропорционально изменить число витков обмотки III трансформатора Т1 и коэффициент деления делителя Rll, R12.

схема улиц казани — 5hhpbgo9jr.onlinewebshop.net

Схемы телевизоров по названию найти оказалось сложно так, как производители на базе одной и той же типовой схемы выпускают разные модели аппаратов с разной диагональю кинескопа, а зачастую встречаются клоны от других производителей. Поэтому общим для них всех является не схема, а номер шасси. На плате отыскал надпись KS1A. Скачав архив с похожей схемой шасси и технической документацией к нему, приступил к изучению схемы.

Как и любой ремонт электроники решил начать с блока питания, а точнее его запуска. Выпаяв ТДКС и строчный транзистор задумался над тем, как заставить работать блок питания без. Схемы и Service Manual к телевизорам SAMSUNG. Каталог с возможностью бесплатно скачать принципиальные электрические схемы телевизоров SAMSUNG — ЖК (LED), CRT, LCD, PDP, а так-же их отдельных узлов — блоки питания, модули, отдельные платы и другую схемотехнику необходимую для ремонта ТВ данных моделей.

Категории. Категории. Принесли мне старенький Samsung CSC8R на шасси KS1A, БП на KA 5QRT, проблема у него в следующем. При включении на кнопку сети, светодиод зажигается зеленым на секунды и гаснет, соответственно ничего дальше не происходит! Проверил входную цепочку, все в норме, были подозрения на емкость во вторичной цепи мкр на В (была вздутая), заменил, не помогло, остальные емкости и стабилитроны живые, все прозвонил.

Скачать бесплатно и без регистрации схемы и мануалы телевизоров SAMSUNG. Сборник из 61 схемы и мануала телевизоров SAMSUNG моделей: 29d4v3x, CBZ, CBT,CB, CB, CK (SCT11), CK14C8VR5S, CK14E1VR5S, SK14E3VR5X, CK14h2VR5S, CK14R1VR5X, CK20C8VR5C, CK20E1VR5C, CK20T3VR5C, CKVR5X, CKVR5S, CKXR5X, CKVR5S, CKXR5X, CKVR5X, 5hhpbgo9jr.onlinewebshop.net, CKTR, CKTR1, CK, CK, CKA, CK, CKZ(t), CK, CKTBWCX, CKZR_tbwcx, LW32A23, LW40A23W, CS29K5ZQQ, CS29Z57HPQ_S65A_QUEEN-2, TB14C52S_X, TBVBZ1S-X, TBVCT1X_TBVDZ1S.

Шасси KS1, KS2A, KS3A, K. Обзор электрической схемы телевизора Samsung. Обзор моделей Cs 29a11ssq, Cs 29a11ssq, Ue39fakxru, Ve39fak, Ckz, Le32s81b.  В данном случае требуется рассмотреть, какие схемы присутствуют для устройств, а кроме того порядок их применения.

В данной статье вы подробнее ознакомитесь со схемой данного телевизоора. Схемы телевизоров Самсунг. На данный момент встречаются в продаже различные варианты этого оборудования, где применяются наиболее распространенные схемы блока питания телевизора Самсунг и иные вспомогательные компоненты. Рассмотрим более детально наиболее часто встречающиеся варианты: Разновидность серии Cs 29a11ssq.

Автомат ограничивающий время работы светильника

 

Автомат ограничивающий время работы светильника зачастую, мы забываем выключать свет в подсобных помещениях. В результате, например, забытый в гараже, свет может гореть неделями и месяцами, накручивая счетчик. Здесь предлагается описание автомата, который автоматически выключает свет, если он горит более шести минут. Чтобы свет не гас внезапно, автомат, за полторы минуты до выключения света подает звуковой сигнал. Если свет еще нужен, нужно нажать кнопку, после чего отсчет времени начинается заново. Если же, кнопку не нажать, через полторы минуты после звукового сигнала свет выключается автоматически. Таким образом, бесконтрольно свет может гореть не более шести минут.

Принципиальная схема автомат ограничивающий время работы светильника показана на рисунке.

Для включения света нужно нажать кнопку S1, которая устанавливает счетчик D2 в нулевое положение. На всех выходах счетчика устанавливаются нули, поэтому на выходе D1.3 единица, которая открывает транзисторный ключ на VT1 и VT2, включающий осветительную лампу Н1. А нули с выводов 12 и 2 счетчика D2 посредством диодов VD2 и VD3 заблокируют сигнальный мультивибратор на элементах D1.4-D1.6. При этом диод VD4 открывается и позволяет работать мультивибратору на элементах D1.1 и D1.2. Этот мультивибратор работает, и его импульсы поступают на счетный вход D2.

Состояние счетчика постепенно увеличивается. Спустя примерно четыре с половиной минуты возникают единицы на выводах 12 и 2 D2, что приводит к разблокировке мультивибратора на элементах D1.4-D1.6. Пьезоэлектрический звукоизлучатель F1 начинает звучать. Еще через полторы минуты единица устанавливается на выводе 3 счетчика, звучание при этом прекращается, а на выходе элемента D1.3 устанавливается ноль. Транзисторный ключ VT1-VT2 закрывается и выключает осветительный прибор Н1. При этом открывается диод VD4 и блокирует мультивибратор D1.1-D1.2, фиксируя счетчик в таком положении.

Каждый раз, когда нажимаете кнопку S1 происходит обнуление счетчика D2 и после отпускания кнопки отсчет времени начинается снова. Поэтому, чтобы свет не выключился, нужно услышав звуковой сигнал, нажать эту кнопку.

Питается автомат ограничивающий время работы светильника от бестрансформаторного источника напряжением 11V, собранного на стабилитроне VD7, гасящем сопротивлении R5-R7 и диоде VD8.

Звукоизлучатель F1 – пьезоэлектрический, такой как у мультиметра. Можно использовать любой аналогичный звукоизлучатель, например, от электронных часов, различных игрушек и брелков, телефонных аппаратов. Если звукоизлучатель электромагнитный или динамический, его нужно подключать к выходу мультивибратора через транзисторный ключ.

Полевые транзисторы IRF840 обладают низким сопротивлением канала в открытом состоянии, и на них рассеивается минимальная мощность. Поэтому, при мощности осветительного прибора до 200W транзисторы VT1 и VT2 можно оставить без радиаторов.

Диоды 1N4007 можно заменить любыми аналогичными выпрямительными диодами, например, 1N4004, 1N4006 или КД209. Диоды КД522 можно заменить любыми импульсными диодами, например, КД521, КД503, 1 N4148.

Стабилитрон VD7 – любой стабилитрон на напряжение 11-12V.

Транзисторы IRF840 можно заменить на BUZ90 или КП707В2.

Временные характеристики таймера можно установить подбором сопротивления R2, а тон звучания – R4. Резистор R4 желательно подобрать в любом случае, чтобы настроить мультивибратор так, чтобы пьезоэлектрический звукоизлучатель входил в резонанс (это заметно по значительному увеличению его громкости на определенной частоте).

Buz90 datasheet на русском

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Hи одно прошедшее проверку подразделение не готово к бою. Основные параметры BUZ90A полевого транзистора n-канального. Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального BUZ90A. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Структура (технология): MOSFET

Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Tj max, °C	Fr (Ton/of)	Ciss tip	Rds
75W	600V	600V	±20V	4A	150°C	30/150nS	1050pF	2

Производитель: SIEMENS
Сфера применения: SIPMOS Power V-MOS
Популярность: 6452
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора BUZ90A

Общий вид транзистора BUZ90A.	Цоколевка транзистора BUZ90A.

Обозначение контактов:
Международное: G – затвор, D – сток, S – исток.
Российское: З – затвор, С – сток, И – исток.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора BUZ90A.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

BUZ90 MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: BUZ90

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 1050 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

BUZ90 Datasheet (PDF)

1.1. buz90a.pdf Size:175K _siemens

BUZ 90 A SIPMOS � Power Transistor � N channel � Enhancement mode � Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS >1.2. buz90.pdf Size:176K _siemens

BUZ 90 SIPMOS � Power Transistor � N channel � Enhancement mode � Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS >

BUZ900DP MAGNA BUZ901DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N�CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 � HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 � N�CHANNEL POWER MOSFET 2.0 � SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 � HIGH VOLTAGE (160V & 200V) � HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 � ENHANCEMENT MODE 2.8 � INTEGRAL PROTECTION DIODE 5.45 5.45 � P�

BUZ900D MAGNA BUZ901D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • N–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY RATING • ENHANC

BUZ900P MAGNA BUZ901P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N–CHANNEL POWER MOSFET 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) • N–CHANNEL POWER MOSFET 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.1

BUZ907D MAGNA BUZ908D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROT

BUZ900 www.DataSheet4U.com MAGNA BUZ901 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • N–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY

BUZ907P MAGNA BUZ908P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) POWER MOSFET 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0

BUZ905X4S MAGNA BUZ906X4S TEC NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P–CHANNEL POWER MOSFET 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) 31.7 (1.248) POWER MOSFETS FOR 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) (4 places) AUDIO APPLICATIONS 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) R 4.0 (0.

BUZ902 MAGNA BUZ903 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROTEC

BUZ902D MAGNA BUZ903D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROT

BUZ905DP MAGNA BUZ906DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 • P–CHANNEL POWER MOSFET 2.0 • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) • HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 • ENHANCEMENT MODE 2.8 • INTEGRAL PROTECTION D

BUZ905D MAGNA BUZ906D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • P–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY RATING • ENHANC

BUZ907DP MAGNA BUZ908DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 2.0 • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 • ENHANCEMENT MODE 2.8 • INTEGRAL PROTECTION DIODES 5.45 5.45 • COMPLI

BUZ907 MAGNA BUZ908 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P�CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 � 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. � 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 � HIGH SPEED SWITCHING � SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED � HIGH VOLTAGE (220V & 250V) � HIGH ENERGY RATING R 4.0 � 0.1 R 4.4 � 0.2 � ENHANCEMENT MODE � INTEGRAL PROTECTION DIODES � COMPLI

BUZ905P MAGNA BUZ906P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P–CHANNEL POWER MOSFET 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) • P–CHANNEL POWER MOSFET 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.1

BUZ902DP MAGNA BUZ903DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 2.0 • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 • ENHANCEMENT MODE 2.8 • INTEGRAL PROTECTION DIODES 5.45 5.45 • COMPLI

BUZ902P MAGNA BUZ903P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N�CHANNEL 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) POWER MOSFET 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 � HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) � SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0.123) �

BUZ900X4S MAGNA BUZ901X4S TEC NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N–CHANNEL POWER MOSFET 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) 31.7 (1.248) POWER MOSFETS FOR 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) (4 places) AUDIO APPLICATIONS 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) R 4.0 (0.

1.20. buz905-06.pdf Size:40K _magnatec

BUZ905 MAGNA BUZ906 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • P–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY RATING • ENHANCEM

BUZ90 (Siemens Semiconductor Group)
Power Transistor
No Preview Available !

Click to Download PDF File for PC

BUZ90 (Siemens Semiconductor Group)
Power Transistor
No Preview Available !

Зарубежные аналоги полевых транзисторов — Вместе мастерим

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ

Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным полевым транзисторам, решил создать таблицу аналогов . Полные и функциональные аналоги транзисторов. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

Мощные полевые транзисторы :

Импортные. Отечественные.
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы:

Импортные. Отечественные.
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

Отечественные производители транзисторов

Наименование	Аналог	PDF	Тип	Imax, A	Uкэmax, В	Rmin , Ом
КП150	IRFP150		n	38	100	0,055
КП250	IRFP250		n	30	200	0,085
КП302 (А1-Г1)	BFR30,2SK543-5		n	0,043	20	100
КП350	IRFP350		n	14	400	0,3
КП364 (А-И)	2SK653		n	0.02	25
КП402 (А)	BF998		p	0,15	200	20
КП403 (А)	3SK132		n	0,3	200	6
КП450	IRFP450		n	12	500	0,4
КП460	IRFP460		n	20	500	0,27
КП501(А,Б,В)	ZVN2120		n	0,18	240	10
КП502А	BSS124		n	0,12	400	28
КП504(А-Е)	BSS88		n	0,25	240	8
КП505(А-Г)	BSS295		n	1,4	60	0,3
КП507А	BSS315		p	1,1	50	0,8
КП508А	BSS92		p	0,15	240	20
КП511А,Б	TN0535		n	0,14	400	22
КП601 (А,Б)		n	0,4	20
2П701 (А,Б)	MTP3N50	n	9	500	1,2
2П703 (А,Б)	RRF623	p	12	150	0,7
КП704 (А,Б)	2SK757		n	10	200	0,2
КП705 (А-В)	APT1004		n	5,4	1000	3,3
2П706 (А-В)	2SK1248	n	20	500	0,4
КП707 (А-В)	2SK1117		n	25	750	1
КП707(А1-В1)	BUZ90		n	6	750	1
КП709(А,Б)	BUZ90A		n	4	600	2
КП723 (А-В)	IRFZ44,IRFZ45		n	50	60	0,028
КП726 (А,Б)	BUZ90		n	4,5	600	1,6
КП727 (А,Б) КП727 (А-В) (new)	IRFZ34		n	30	60	0,05
КП728 (Г1-С1)		n	3,3	700	3
КП731 (А-В)	IRF710		n	2	400	3,6
КП733 (А)		n	1,5	400	3,6
КП737 (А-В)	IRF634,IRF630		n	9	250	0,4
КП739 (А-В)	IRFZ14,IRFZ10		n	10	60	0,2
КП740 (А-В)	IRFZ24,IRFZ25		n	17	60	0,1
КП741 (А,Б)	IRFZ48		n	50	60	0,018
КП742 (А,Б)	STH75N06		n	80	60	0,012
КП743 (А-В)	IRF510,IRF512		n	5,6	100	0,54
КП743 (А1-В1)		n	5,6	100	0,54
КП744 (А-Г)	IRF520		n	9,2	100	0,27
КП745 (А-В)	IRF530		n	14	100	0,16
КП746 (А-В)	IRF540		n	28	100	0,077
КП747А	IRFP150		n	41	100	0,055
КП748 (А-В)	IRF610		n	3,3	200	1,5
КП749 (А-Г)	IRF620		n	5,2	200	0,8
КП750 (А-Г)	IRF640		n	18	200	0,18
КП751 (А-В)	IRF720		n	3,3	400	0,8
КП767 (А-В)	IRF640,IRF630		n	18	200	0,18
КП768 (А-М)	IRF730,IRF720		n	10	400	0,55
КП769 (А-Г)	IRF540,IRF530		n	28	100	0,077
КП770 (А,Д,К)	IRF840,IRF830		n	8	500	0,85
КП771 (А-Г)	STP40N10		n	40	100	0,055
КП775 (А-В)	2SK2498A		n	50	60	0,009
КП780 (А-В)	IRF820		n	2,5	500	3
КП784А	IRF9Z34		p	18	60	0,14
КП785А	IRF9540		p	19	100	0,2
КП796(А-В)	IRF9540		p	4,1	300	1
2П797Г	IRF540		n	28	100	0,077
2П7102Д	IRFZ44		n	50	60	0,028
КП7128А,Б	IRF5210		p	40	100	0,06
КП7129А	SSU1UN60		n	1,2	600	11,5
2П7140А	IRF7103		n	3	.	0,13
2П7144А	IRF9140		p	19	100	0,2
2П7145А,Б	IRF250		n	30	200	0,085
2П7160А		n	46	30	0,006
КП7173А	STP4NK60Z		n	4	600	2
КП7174А		n	18	75	0,075
КП7176А	n	80	100	0,026
КП7177 А,Б	IXFH50N20,IRF260		n	50	200	0,045
КП7178А		n	40	300	0,085
КП7180 А,Б	IRF460, IXFh34N50		n	26	500	0,2
КП7181А	n	40	500	0,14
КП7182А	IXFh30N60		n	20	500	0,35
КП7183А	OM6053SJ	n	30	600	0,83
КП7184А	IXFh25N80		n	15	800	0,6
КП7275	IXFH75N10	n	75	100	0,026
КП801 (А-Г)		n	5	65	2,2
2П802А		n	2,5	500	1,5
2П803 (А,Б)	BV2310	n	4,5	1000	4
КП804А	RFL2N05		n	1	60	0,6
КП805 (А-В)	BUZ216		n	4	600	2
КП809 (А-Е1)	BVZ90		n	9,6	800	0,3
КП810 (А-В)	DVZ216		n	7	700	0,2
КП812 (А1-В1)	IRFZ44,IRFZ34		n	50	60	0,028
КП813 (А1,Б1)		n	22	200	0,12
КП901	n	2	85
КП902	n	0,25	70
КП904	n	7,5	100
КП905	n	0,3	80
КП907	n	2,1	80
2П912 (А,Б)		n	20	100	0,1
2П914А		n	0,1	50	23
2П917 (А,Б)		n	5	300	2,5
КП921А		n	10	45	0,08
КП922 (А,Б,А1,Б1)	NTP7N05		n	10	100	0,13
2П926(А,Б)		n	16,5	450	0,1
КП931 (А-В)	NTP7N05		n	5	800	0,07
КП932А	MTP5N05		n	0,3	250	40
КП934 (А,Б)	F1053		n	10	450	0,03
2П942 (А-В)	MRF136		n	10	800	0,2
КП953 (А-Д)	F1014		n	15	800	0,05
КП954 (А-Е)	BFL545		n	20	150	0,025
КП959 (А-В)	BVK462		n	0,2	300
КП960 (А-В)	2SK659		p	0,2	300
КП961 (А-Е)	BLF242(A)		n	5	250	0,1
КП965 (А-Д)		p	5	250	0,1
КП971 А,Б	КТ847,КТ878		n	25	900	0,04
КП973 А,Б	КТ847,КТ848		n	30	700	0,03
	Главная страница Документация создана сканированием данных на транзисторы из справочников, что-то из интернета. В таблице справа приведено наименование транзистора, аналог (если известен), ссылка на PDF файл , тип проводимости и основные характеристики транзистора: максимальный ток , максимальное допустимое напряжение сток-исток, минимальное сопротивление канала. Подробные параметры и графики содержатся в pdf файле.
Полевой транзистор КП302, параметры, характеристики
Полевой транзистор КП364 , характеристики, аналоги
Мощный полевой транзистор КП402 , параметры, аналоги
Полевой транзистор КП403, параметры, аналог
Полевой транзистор с затвором на основе p-n перехода КП601
КП460 на 500В 20А
Мощный полевой транзистор КП704, характеристики
Характеристики MOSFET транзистора КП705
КП505 на 60В 1А
Параметры полевого транзистора КП707
MOSFET транзистор КП707, характеристики, цоколевка, аналог
Схема полевого транзистора КП733, характеристики, параметры
отечественный полевой транзистор на 60В 30А
полевой транзистор на 700В 3А
полевой транзистор на 400В 2А
400В 1.5А
250В 9А
60В 10А
60В 17А
60В 50А
Характеристики мощного полевого транзистора КП767, аналоги, характеристики
Параметры мощного полевого транзистора КП768 на 100В 5А
мощный полевой транзистор КП769, аналоги, параметры
полевой транзистор КП770, на 500В 5А характеристики
Полевой транзистор КП801 для усилителей звуковой частоты с затвором на основе p-n перехода
транзистор КП802 с затвором на основе p-n перехода
MOSFET транзистор КП804, справочные данные, аналоги
MOSFET транзистор КП805, параметры, характеристики
MOSFET транзистор КП809, справочные данные, аналог
Полевой транзистор КП810, описание, аналог
Полевой транзистор КП812, область применения, аналог
Мощный полевой транзистор КП813, типовое применение, характеристики
Полевые транзисторы , по сравнению с биполярными обладают следующими достоинствами: -малая мощность в цепи управления (по сути, она затрачивается лишь на заряд суммарной емкости затвора) -высокие скорости переключения (при правильном выборе схемы управления транзистором) -отсутствие вторичного пробоя К основным недостаткам можно отнести: — типичная взаимосвязь между максимальным допустимым напряжением полевого транзистора и сопротивлением его канала, т.е., при выборе высоковольтного транзистора нужно быть готовым к тому, что потери проводимости будут значительными — неприятная связь между сопротивлением открытого MOSFET транзистора и его температурой, типично при 150 градусах на кристалле сопротивление (и потери проводимости соответственно) будут в два с лишним раза больше, чем при 25 градусах. Сопротивление же обычно указывают именно при нормальных условиях. Содержание Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов: Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом; Биполярные – имеют два p-n перехода; Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока. Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами: Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь. Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров. В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов. Таблицы зарубежных аналогов транзисторов Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их — напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Irf740 транзистор параметры цоколевка

Дешевый n-канальный MOSFET на 400В и 10А. Был разработан и производился International Rectifier, потом IR продала большое количество своей номенклатуры вместе с производственными мощностями VISHAY и та стала выпускать транзистор под названием SiHF740A.
Кроме того IRF740 выпускают и другие производители: Infineon, ST, Fairchild.

IRF740 параметры

• Структура — n-канал;
• Максимальное напряжение сток-исток Uси = 400 В;
• Максимальный ток сток-исток при 100°С Iси макс. = 6,3 А;
• Максимальный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 10 А;
• Максимальный импульсный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 40 А;
• Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В;
• Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.

IRF740 нашел применение в качестве высокочастотных ключей импульсных источников питания:
В источниках питания с входным переменным напряжение 220-240 В для мостовой и полумостовой топологии, конечно если нет вероятности работы при повышенных сетевых напряжениях.
В источниках питания рассчитанных на 100-120 В могут использоваться в прямоходовом и обратноходовом включении.

Кроме того IRF740 применяется в металлоискателях, например в простом и популярном металлодетекторе PIRAT.

Аналоги IRF740

Полные: STP11NK40Z (ST), D84EQ2, VN2340N5.
Существует отечественный аналог IRF740 и с теми же цифрами КП740!

Этот транзистор дешево купить можно на алиэкспрессе по 2 доллара за 10 штук.

6 thoughts on “ Транзистор IRF740 параметры ”

Импульсный блок питания собирал лишь раз, для своей первой и единственной IBM XT ручной сборки. Навозился с ним больше, чем с материнской платой, в основном из-за наводимых помех вызывающих аппаратные сбои. Любовь к изготовлению ИБП пропала навсегда.
А вот металлоискателей, и как раз на КП740, сделал под заказы больше десятка. Неистребима в людях жажда кладоискания. Плохо то, что иногда, в виде клада выкапывают старые снаряды, мины и авиабомбы.
Но транзистор хорош и просто как высоковольтный ключ, без ВЧ.

У меня был отрицательный опыт при работе с полевыми мощными транзисторами, которым хотел бы поделится , что бы другие не повторили. Ремонтировал мощную ультрозвуковую ванну. Мне нужно было контролировать точно частоту выходного сигнала. Я мерил ее на затворе . В результате чего уходила частота за счет входного R и С прибора. Результат , который я ожидал , частота ушла в разнос и вывела из строя выходной каскад.

Ну, о влиянии измерительного прибора на измеряемый надо помнить всегда ) особенно при работе с ВЧ. Приличный осциллограф влияет меньше всех, как правило. Но ультразвук не такое уж и ВЧ в общем-то, там другие нюансы. Непонятно почему вышел из строя выходной каскад, обычно, на ультразвуковых мойках (по крайней мере с теми, что работал) при взбесившейся частоте летит излучатель, как самое слабое звено данного устройства. А уж он может потащить за собой и выходной каскад, хотя и не часто.

Я их сейчас как ключи для «умного дома» (на даче) использую. И по вольтажу подходят , а токи сейчас небольшие у освещения. Простота включения и 400 Вольт. А в основном цена все-таки и габариты.

Я, в основном, использую их так же, о чем и писал выше. Если не упираться в их высокочастотность, то как коммутационные и управляющие ключи электросети — они очень хороши. Для «умного дома» самое оно, много интересных вещиц, повышающих комфорт жилища можно понаделать и объединить в систему. Используя, как готовые решения, так и свои, несложные разработки. Когда-то казавшееся фантастикой, сейчас реализуется довольно просто, благодаря современной базе. А прогресс всегда двигался людьми ленивыми, но с фантазией )

Транзистор IRF740 – MOSFET транзистор 3 поколения, гарантирует быструю скорость переключения, имеет хорошую стабильность, во включенном состоянии обладает малым сопротивлением и наилучшим соотношение эффективность – цена.

Изначально разработчиком и производителем транзистора IRF740 была компания International Rectifier, впоследствии передав право на производство VISHAY. Так же выпуском этого транзистора занимаются такие компании как: ST, Fairchild, Infineon.

IRF740 широко используется в роли элемента усиления в модулях и блоках электронной аппаратуры, а также в ключевых схемах.

Характеристики IRF740

• Структура: n-канал
• Max ток сток-исток при температуре 100°С : 6,3 А
• Max ток сток-исток при температуре 25°С : 10 А
• Max напряжение затвор-исток: 20 В
• Max напряжение сток-исток: 400 В
• Max импульсный ток сток-исток при температуре 25°: 40 А
• Max мощность рассеивания: 125 Вт
• Емкость входа:1259 пФ
• Пороговое напряжение на затворе: 2 .. 4 В
• Сопротивление открытого канала: 0,55 Ом
• Рабочий диапазон температур: — 55 .. + 150 °C;
• Корпус: TO-220ab

Цоколевка IRF740

Ниже приведена цоколевка транзистора IRF740:

Следует отметить что вывод «Сток (D) » соединен с корпусом транзистора.

Аналог транзистора IRF740

Его зарубежными аналогами являются: BUZ90, IRF340, BUZ61, 2SK1378, STP11NK40Z, D84EQ2, HAT2025R.

Транзистор IRF740 можно заменить на отечественные: КП740, КП340, КП776А.

Cкачать datasheet IRF740 (1,4 Mb, скачано: 3 291)

IRF740 — это N-канальный мощный полевой MOSFET-транзистор компании International Rectifier (IR) с изолированным затвором. В настоящее время производится компанией Vishay (преемницей IR) с другим наименованием, указанным в даташит — SiHF740. Он способен переключать нагрузки до 400 В, потребляющие до 10 А c пороговым напряжением на затворе до 10 В. При этом мощность рассеивания не должна превышать 125 Вт. Заявленное производителем сопротивление в открытом состоянии достаточно низкое и составляет 0,55 Ом.

Поскольку этот mosfet предназначен для переключения силовых линий, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому не может использоваться непосредственно с выходом микроконтроллера. Для использования с микроконтроллером потребуется дополнительная обвязка.

Распиновка

IRF740 встречается в стандартном корпусе ТО-220AB, выдерживающем достаточно высокие температуры и мощность рассеивания до 50 Вт. Распиновка (цоколевка) характерна для большинства полевиков компании IR — левая ножка — затвор, средняя — сток и крайняя правая -исток. Для определении распиновки всегда смотрите на лицевую сторону устройства, на которую нанесена маркировка. При непосредственном монтаже на плату надо учитывать физическое соединение корпуса с выводом стока. На рисунке распиновка irf740 представлена более наглядно.

Характеристики IRF740

При ознакомлении с характеристиками полевого транзистора IRF740 изначально обращают внимание на его максимальные (предельно допустимые) характеристики. Затем, исходя из поставленной задачи, изучают электрические параметры. После этого переходят к графикам типовых выходных, передаточных и других характеристик. Рассмотрим основные фрагменты из DataSheet irf740 на русском языке.

Максимальные

Ниже представлены предельно допустимые значения МОП-транзистора IRF740. Не следует воспринимать их как основные, при которых mosfet будет работать стабильно. Превышение любого из них, даже на короткий промежуток времени, может привести к выходу устройства из строя.

Электрические

В электрических характеристиках IRF740 содержится информация проверенная производителем при определенных условия. Эти условия указываются дополнительно, в одном из столбцов таблицы. Например, из дополнительных условий можно узнать, что irf740 при напряжении 400 вольт между стоком-истоком, при отсутствующем напряжении на затворе, начинает проводить слабый ток — 250 микроампер.

Тепловые параметры

Основным параметром, который ограничивает применение полевого транзистора, является его рабочая температура. А точнее её увеличение, которое связанно с ростом сопротивления транзистора при прохождении через него электрического тока. Несмотря на низкое сопротивление mosfet, на нём все равно рассеивается некоторая мощность, из-за этого он нагревается. Для упрощения расчётов связанных с нагревом IRF740, в даташит приводятся значения его тепловых сопротивлений: от кристалла к корпусу (Junction-to-Case ) и от корпуса в окружающую среду (Junction-to-Ambient).

Неправильные расчеты тепловых параметров для использования в проектах и плохая пайка приводит к перегреву mosfet. На одном из форумов радиолюбитель жаловался на то, что в собранной им схеме металлоискатель пират на irf740 сильно греется. После продолжительных разбирательств причина перегрева выяснилась и оказалась самой банальной – плохая пайка прибора на плату и охлаждение.

Аналоги

Полными зарубежными аналогами устройства являются: STP11NK40Z (STM), D84EQ2 (National Semiconductor). Аналогичный вид корпуса, распиновка и характеристики этих устройств не потребуют вносить изменения в схему проекта в случае замены. Так же, наиболее подходящим для замены, моно сказать отечественным аналогом irf740, является транзисторы серии КП776. КП776 производит ОАО «ИНТЕГРАЛ», г.Минск, Республика Беларусь. В его даташит транзистор irf740 указан как прототип. Вот максимальные предельно допустимые электрические режимы эксплуатации КП776:

Проверка мультиметром

Большинство полевых n-канальных mosfet можно проверить обычным мультиметром. Сначала проверяют работу, так называемого паразитного диода между выводами стока (D) и истока (S). Затем проводится проверка открытия и закрытие мосфета путем одновременного, кратковременного касания щупами мультиметра контактов «S» и затвора (G). Если при такой подаче плюса на вывод «G» транзистор открывается, а между его выводами «D» — «S» появляется короткое замыкание (в обоих направлениях, несмотря на наличие паразитного диода), то он считается рабочим. Соответственно, если не открывается, то он считается нерабочим.

Для проверки irf740 одним мультиметром не обойтись, так для его открытия требуется напряжение на затворе не менее 4-5 вольт, а мультиметр способен выдать не более 0,3. Поэтому при проверке необходимо запастись источникам питания, например обычной кроной. Кратковременным касанием минусовой клеммой кроны контакта И, а плюсовой «G» можно открыть транзистор. Если после этого ток между «D» и «S» течет в обоих направлениях, то значит транзистор исправен. Конечно, перед проверкой на открытие/закрытие, необходимо проверить исправность паразитного диода. Предлагаем посмотреть видео на эту тему.

Производители

На российском рынке irf740 наиболее распространен под торговой маркой Vishay. Это связано с поглощением этой компанией подразделения IR в 2007 году. Подробнее про этот момент, а так же распространенную маркировку «irf» можно прочитать в статье про IRFZ44n. Даташиты некоторых производителей можно скачать, кликнув мышкой по ссылке:Vishay; National Semiconductor.

BUZ90 datasheet — MOSFET Power Transistor 600v 4.5a To-220ab

2SA1787 : Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор PNP Применение видеовыхода высокого разрешения Ctr-display. BDX27 : Кремниевые планарные транзисторы PNP. SEMD48 : Предварительные данные для массива кремниевых транзисторов Npn / pnp. Массив кремниевых цифровых транзисторов NPN / PNP Предварительные данные Схема переключения, инвертор, схема интерфейса, схема драйвера Два (гальванических) внутренних изолированных NPN / PNP-транзистора в одном корпусе Встроенный резистор смещения NPN: = 47k PNP: = 47k Ориентация нагрузки ленты Маркировка на SOT666 корпус (например, WR) соответствует контакту 1 устройства Положение на ленте :. STB100NH02L : Низкое напряжение. N-канал 24 В — 0,0052 Ом — 60 А D2PAK StripFET Iii Power MOSFET. IXZR08N120A : 1200 В (макс.) МОП-транзисторы с коммутационным режимом Семейство высокочастотных МОП-транзисторов IXYS с коммутационным режимом идеально подходит для приложений, требующих быстрого переключения, включая лазерный драйвер, индукционный нагрев, источники питания с переключателем и другие коммутационные промышленные приложения. A05104F0.07 : RES NET, ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА, 100K OHMS, 200WV, 1% +/- TOL, -100,100PPM TC, 3412 CASE.s: Конфигурация: Chip Array; Категория / Применение: Общее использование. BUZ50A.MOD : 7,5 А, 1000 В, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 1000 вольт; Количество блоков в ИС: 1. C7820RJT : РЕЗИСТОР, ПРОВОДНАЯ НАВИВКА, 7 Вт, 5%, 200 ppm, 820 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 820 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 200 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 7 Вт (0.0094 л.с.); Стандарты. DMMT5401P : 200 мА, 150 В, 2 КАНАЛА, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: УЛЬТРАМАЛЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-6. ES1A-M3 / 5AT : 1 А, 50 В, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД, DO-214AC. s: Пакет: БЕЗ ГАЛОГЕНОВ И СООТВЕТСТВУЮЩИМ ROHS, ПЛАСТИК, SMA, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; ЕСЛИ: 1000 мА. IRFY440-JQR-B : 5,5 А, 500 В, 0,98 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 500 вольт; rDS (вкл.): 0.9800 Ом; Количество блоков в ИС: 1. KBPC1500-LF : 15 А, 50 В, КРЕМНИЙ, МОСТ-ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: BRIDGE RECTIFIER DIODE; Применение диодов: выпрямитель; IF: 300000 мА; VBR: 50 вольт; Соответствует RoHS: RoHS; Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, МЕТАЛЛ, KBPC, 4 КОНТАКТА; Количество контактов: 4; Количество диодов: 4. MRF8S9202GNR3 : ВЧ МОЩНОСТЬ, FET. Предназначен для приложений базовых станций CDMA с частотами от 960 МГц. Может использоваться в классах AB и C для всех типичных форматов модуляции сотовых базовых станций.Типичные характеристики W — CDMA с одной несущей: VDD = 28 В, IDQ = 1300 мА, Pout = 58 Вт в среднем, ограничение величины IQ, полоса пропускания канала = 3,84 МГц, PAR входного сигнала при вероятности 0,01%. SB30W03ZAY : 3 А, 30 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, высокое напряжение; IF: 3000 мА; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2. V39ZU05 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ ОТ НАПРЯЖЕНИЯ, 31 В, 0.3 J, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы; Номинальная мощность: 0,2000 Вт (2,68E-4 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока: 31 вольт; Рабочая температура: от -55 до 85 C (от -67 до 185 F). 10ZL100020CA10X16 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 10 В, 1000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Соответствует RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 1000 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 10 вольт; Ток утечки: 100 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая Температура:. 1210-100F : 1 ЭЛЕМЕНТ, 0,01 мкГн, ФЕНОЛИЧЕСКИЙ ЯДЕР, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Основной материал: фенол; Стиль отведения: J; Применение: общего назначения, ВЧ дроссель; Диапазон индуктивности: 0,0100 мкГн; Номинальный постоянный ток: 966 миллиампер; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F). 74478201 : ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Применение: Универсальное. Kunde / заказчик: Artikelnummer / номер детали: Bezeichnung:: Eigenschaften / свойства Induktivitt / индуктивность Gte / коэффициент добротности DC-Widerstand / сопротивление постоянному току Nennstrom / номинальный ток Eigenres.-Частота / собственная частота Testbedingungen / условия испытаний 100 МГц 800 МГц Wert / значение Einheit / единица допуска. 0,3 нГн Тип. Базисматериал / основной материал :. 800R : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 500 В, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0709. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Тип установки: технология поверхностного монтажа; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

эквивалент% 20pnp% 20for% 20buz% 2090 лист данных и примечания к приложению

Продолжить PCD3 Аннотация: Эквивалент A / ICE2QS03 ​​a / TDA7292 эквивалент TI040 TI041 a / 5r199p эквивалент эквивалент a / k5a50d эквивалент U16594EJ1V0UM IE-V850ES-G1 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	144 ГДж ЭА-144-20-0 GMA144-20-0 U16594EJ1V0UM Продолжить PCD3 Эквивалент A / ICE2QS03 эквивалент a / TDA7292 TI040 TI041 эквивалент a / 5r199p эквивалент эквивалент a / k5a50d U16594EJ1V0UM IE-V850ES-G1
МСМ 7225 Аннотация: MOLEX 10PIN SD CARD TT 2146 гнездовой разъем для печатной платы 9-контактный разъем d-sub 15-контактный разъем D-SUB 68-контактный 50-контактный разъем SCSI 50-контактный (2×25), разъемы с шагом 2 мм 50-контактные разъемы D-SUB jst phr-6 68-контактный разъем SCSI Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SLM-132-01-G-S SLM-140-01-G-S SLM-150-01-G-S SLM-103-01-G-S SLM-104-01-G-S SLM-106-01-G-S SLM-122-01-G-S SLM-104-01-G-D SLM-105-01-G-D SLM-106-01-G-D МСМ 7225 SD-КАРТА MOLEX 10PIN TT 2146 гнездовой разъем для печатной платы 9pin d-sub РАЗЪЕМЫ D-SUB 15PIN 68-контактный 50-контактный разъем SCSI 50-контактные (2×25), разъемы с шагом 2 мм РАЗЪЕМЫ D-SUB 50PIN jst phr-6 68-контактный разъем SCSI
2014 — эквивалент 2SB646 (A) Резюме: SKIIP 12NAB126 V23990-K218-F40-PM 11AC126V1 80-M006PNB010SA01-K615D Эквивалент A / APM2055N 23NAB126V1 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
MRF947T1 эквивалент Аннотация: MRF947T1 эквивалентный транзистор NJ1006 BFP320 fll120mk FLL101ME MGF4919G fujitsu gaas fet fhx76lp HPMA-2086 MMBR521L Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1977 2SA1978 2SC2351 2SC3355 2SC3357 2SC3545 2SC3583 2SC3585 2SC4093 2SC4094 MRF947T1 эквивалент Эквивалентный транзистор MRF947T1 NJ1006 BFP320 fll120mk FLL101ME MGF4919G fujitsu gaas fet fhx76lp HPMA-2086 MMBR521L
1999 — Транзисторы, эквивалентные BC107 Аннотация: 2n5401 эквивалент BC557 эквивалент 2N2907 замена 2n2905 замена bc327 эквивалент bc237 эквивалент MPSa06 эквивалент эквивалент BC337 замена bc327 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N1613 2N1711 2N1893 2N2219 2N2219A 2N2222 / А 2N2369 / А 2N2484 2N2905 2N2905A Эквивалентные транзисторы BC107 2n5401 эквивалент Эквивалент BC557 Эквивалент 2N2907 2н2905 замена эквивалент bc327 эквивалент bc237 Эквивалент MPSa06 эквивалент для BC337 bc327 замена
Разъем климатической установки Аннотация: разъем micro USB 5Pin B SMT VHDCI 68pin molex male 6 1.Гнездо для SD-карты 27 мм, место для печатной платы 48-контактный разъем половинного евро Разъем USB Тип A Женский DIP Прямой 68-контактный разъем SCSI Коннектор molex IDC серии MKL Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	15PIN разъем для переоборудования микро-USB 5Pin B SMT VHDCI 68-контактный штекер Molex штекер 6 1,27 мм Разъем для SD-карты, отпечаток на печатной плате 48-контактный разъем на половину евро Разъем USB типа A, розетка DIP, прямая 68-контактный разъем SCSI Серия MKL разъем заголовка Molex IDC
CM160100 Аннотация: CM160224 cm160200 cm200400 CM160211 CM200201 KS0066 CM080200 KS0066 datasheet cm400202 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	CM080200 CM080210 CM160100 CM160108 CM160110 CM160112 CM160200 CM160211 CM160220 CM160222 CM160100 CM160224 см160200 см200400 CM160211 CM200201 KS0066 CM080200 KS0066 лист данных см400202
ЖК-дисплей 1602G Аннотация: 1602a * lcd lcd 2004A 0802A LCD LCD 240 * 128 T6963C 12864B SG-32240C lcd 1602a LCD 1602B LCD 1602D Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SC-0802A SC-1202A SC-1601C SC-1601D SC-B1601A SC-B1601B SC-1602A SC-1602B SC-1602C SC-1602D ЖК-дисплей 1602G 1602а * ЖК ЖК 2004А 0802A ЖК-дисплей ЖК-дисплей 240 * 128 T6963C 12864B SG-32240C жк 1602а ЖК-дисплей 1602B ЖК-дисплей 1602D
Реле OMRON G2V-2 12В Аннотация: реле OMRON G2V-2 6V JR2a-DC24V FRL264 Panasonic RELAY Cross Reference NEC OMRON rz-24 relay RA4-24WM-K RA12WN-K TF2SA-12V RA5WN-K Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MK3P5-S-AC12 MK3P5-S-AC120 MK3P5-S-AC24 MK3P5-S-AC240 54024U200 G7L-1A-BUB-JCB-AC200 / 240 G7L-1A-TUB-JCB-AC200 / 240 54026U200 AC200 / 240 Реле OMRON G2V-2 12В Реле OMRON G2V-2 6V JR2a-DC24V FRL264 Перекрестная ссылка на реле Panasonic NEC OMRON реле рз-24 RA4-24WM-K RA12WN-K TF2SA-12V RA5WN-K
аналог smd mosfet Аннотация: конденсатор 4700 мкФ SMD 6 PIN IC ДЛЯ PWM smd резистор паразитная емкость sk15 усилитель mosfet 2n7000 mosfet SMD 6 PIN IC для PWM 1 Вт светодиодный драйвер SMD ic smd ic СБРОС СУПЕРВИЗОРА smd вывод конденсатора Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	HV9606DB1 HV9606DB1 HV9606 350 мВт.150 мВт. 500 мВт. SMD-0805 эквивалентный smd mosfet конденсатор 4700uF SMD 6 PIN IC ДЛЯ ШИМ smd резистор паразитная емкость sk15 усилитель MOSFET 2N7000 MOSFET SMD 6 PIN IC ДЛЯ ШИМ 1 Вт светодиодный драйвер SMD ic smd ic СБРОС КОНТРОЛЯ распиновка конденсатора smd
CY78991 Аннотация: upd76f0047 UPD76F uPD76F00 IE-V850ES-GS1 cy78991v Эквивалент PG-FP4 IEV850ES-GS1 gc120 PD76F00 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2009 — эквивалент TIC106M-S Аннотация: TIC106D-S DO92 DO-92 TISP4080M3LM-S TIC106M-S 2009 to92 tic106d TICP106D-S Каталог Bourns Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
YQSOCKET100SDF Аннотация: CD 5888 CA850 V850ES IE-V850ES-G1 терминология операционного усилителя nec Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	HQPACK100SD U16879EJ1V0UM YQSOCKET100SDF YQSOCKET100SDF CD 5888 CA850 V850ES IE-V850ES-G1 терминология для операционных усилителей, не включенных в другие категории
CD 5888 CB Аннотация: uPD703191 CD 5888 v850es / sj3 tip71 uPC393 IE-V850ES-G1 диод P710 диод p711 PCT398 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2003 — CLK180 Аннотация: код vhdl DS485 для DCM Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DS485 CLK180 vhdl-код для DCM
1N4148 SMD ПАКЕТ Аннотация: 1N4148 эквивалент SMD 1N4148 sod123 Diode Equivalent 1n4148 1N4148 DL-35 эквивалент для ZENER DIODE 1N4148 1N4148 SMD sot23 ПАКЕТ 1n4148 smd диод Panasonic PPS film smd 1a 100v диодный мост Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	HV9906DB3 HV9906DB3 HV9906 SMD1206 SMD0805 1N4148 ПАКЕТ SMD 1N4148 эквивалент SMD 1N4148 sod123 Диодный эквивалент 1n4148 1Н4148 ДЛ-35 эквивалент для ZENER DIODE 1N4148 1N4148 SMD sot23 УПАКОВКА 1n4148 smd диод Пленка Panasonic PPS smd 1a 100v диодный мост
2002 — 1Н4148 сод123 Аннотация: 1N4148 эквивалентный SMD-диодный эквивалент 1n4148 1N4148 SMD-ПАКЕТ DL-41 эквивалент корпуса ZENER DIODE 1N4148 диод 1N4148 SMD-диодный эквивалент 1n4148 мост Пленка Panasonic PPS 1N4148 DL-35 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	HV9906DB3 HV9906DB3 HV9906 HV9906 SMD1206 SMD0805 1N4148 sod123 1N4148 эквивалент SMD Диодный эквивалент 1n4148 1N4148 ПАКЕТ SMD Упаковка DL-41 эквивалент для ZENER DIODE 1N4148 диод 1N4148 SMD Диодный эквивалент 1n4148 моста Пленка Panasonic PPS 1Н4148 ДЛ-35
2003 — на2х Аннотация: DF211 na4x AA44 AA2X ami-350 D / SG6841DZ эквивалент, сцена 08-40 DL021 DL011 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	AMI350HXSC na2x DF211 na4x AA44 AA2X ами-350 Эквивалент D / SG6841DZ Sce 08-40 DL021 DL011
1N4148 SOD323 Аннотация: эквивалент диода 1n4148 HV9906DB6 BYD77D стабилитрон 1n4148 1N4148 эквивалент SMD 1N4148 SMD PACKAGE smd-3528 2,2 UF 100V BYD77G Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	HV9906DB6 HV9906DB6 HV9906 SMD0805 SMD0603 DL-41 1N4148 SOD323 Диодный эквивалент 1n4148 BYD77D стабилитрон 1n4148 1N4148 эквивалент SMD 1N4148 ПАКЕТ SMD smd-3528 2,2 мкФ 100В BYD77G
1N4148 SOD323 Аннотация: 1N4148 SMD PACKAGE HV9906DB6 sot87 BYD77D philips 1n4148 SMD стабилитрон 4.7V SMD3528 танталовый конденсатор SMD3528 конденсатор 0,01 мкФ 400 В Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	HV9906DB6 HV9906DB6 HV9906 SMD0805 SMD0603 DL-41 1N4148 SOD323 1N4148 ПАКЕТ SMD sot87 BYD77D Philips 1n4148 SMD стабилитрон 4,7 В Танталовый конденсатор SMD3528 SMD3528 конденсатор 0,01 мкФ 400 в
Molex 2759T 08-50 Аннотация: WIESON 2510c888-001 провод 1007 AWG24 Socket 754 C1100 AMD Athlon socket 754 Dow Corning 340 радиатор 478 AMD Athlon 5000 k8 Intel Socket 775 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	FHS-A7015A40 / FHS-A7015B40 28oC / Вт C1100 SC102 288A0404 молекс 2759T 08-50 WIESON 2510c888-001 провод 1007 AWG24 Розетка 754 Разъем AMD Athlon 754 Dow Corning 340 гнездо радиатора 478 AMD Athlon 5000 k8 Intel Socket 775
2004 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	ГТ1-1С-2428 ГТ1-1С-30 ГТ1-1С-2022 ГТ1-1П-30 ГТ1-1П-2428
1N4148 SMD ПАКЕТ Аннотация: 1N4148 sod123 1N4148_SOD-123 PNP 200V 2A SOT89 эквивалент диода 1n4148 пленка 105k 250v 100uH SMD 1N4148 DL-35 TVS DIODE 6K 105k 250v конденсатор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	HV9906DB4 HV9906DB4 750 мА.HV9906 SMD0805 1N4148 ПАКЕТ SMD 1N4148 sod123 1N4148_SOD-123 ПНП 200В 2А SOT89 Диодный эквивалент 1n4148 пленка 105к 250в 100uH SMD 1Н4148 ДЛ-35 ТВС ДИОД 6К Конденсатор 105к 250в
1N4148 SOD323 Аннотация: 1N4148 ПАКЕТ SMD стабилитрон 4.7V SMD3528 танталовый конденсатор BYD77D 1N4148 SMD st microelectronics smd стабилитрон Philips 1n4148 SMD BYD77D 200V / 2A HV9906DB6 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	HV9906DB6 HV9906DB6 HV9906 SMD0805 SMD0603 1N4148 SOD323 1N4148 ПАКЕТ SMD стабилитрон 4.7В Танталовый конденсатор SMD3528 BYD77D 1N4148 SMD ст микроэлектроника smd стабилитрон Philips 1n4148 SMD BYD77D 200В / 2А
FM0h324Z Аннотация: FM0V224ZTP FMC0h204Z FM0h573Z FMC0h434ZTP FME0h323Z FM0h323ZTP FM0h323Z FME0h323ZTP FM0h203ZTP Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	FMC0h434ZTP ( FM0h324Z FM0V224ZTP FMC0h204Z FM0h573Z FMC0h434ZTP FME0h323Z FM0h323ZTP FM0h323Z FME0h323ZTP FM0h203ZTP

Позиция Спецификация типа полевого транзистора 1 BUZ 90 N-Channel Спецификация типа полевого транзистора 1 BUZ 90 N-Channel 600 В, 4.5A, 70 Вт, 1,6 Ом 2 BUZ 90A N-канал 600 В, 4A, 70 Вт, 2 Ом 3 BUZ 91 N-канал 600 В, 8,5 A,

Позиция Спецификация типа полевого транзистора1 BUZ 90 N-канал 600 В, 4,5 A, 70 Вт, 1,6 Ом2 BUZ 90A N-канал 600 В, 4A, 70 Вт, 2 Ом3 BUZ 91 N-канал 600 В, 8,5 A, 150 Вт, 0,8 Ом4 BUZ 91A N-канал 600 В, 8 A, 150 Вт, 0,8 Ом5 BUZ 92 N-канал 600 В, 3,3 A, 80 Вт, 3 Ом 6 BUZ 93 N-канал 600 В, 3,6 А, 80 Вт, 2,5 Ом 7 BUZ 94 N-канал 600 В, 7,8 А, 125 Вт, 0,9 Ом 8 IRF 510 N-канал 100 В, 5,6 А, 43 Вт, 0,54 Ом 9 IRF 520 N-канал 100 В, 9,2 А, 60 Вт, 0.27 Ом10 IRF 530 N-канал 100 В, 14 А, 88 Вт, 0,16 Ом 11 IRF 540 N-канал 100 В, 28 А, 150 Вт, 77 миллионов Ом 12 IRF 610 N-канал 200 В, 3,3 А, 26 Вт, 1,5 Ом 13 IRF 620 N-канал 200 В, 5,2 А , 50 Вт, 1,2 Ом 14 IRF 630 N-канал 200 В, 9 А, 74 Вт, 0,4 Ом 15 IRF 634 N-канал 250 В, 8,1 А, 74 Вт, 0,45 Ом 16 IRF 640 N-канал 200 В, 18 А, 125 Вт, 0,18 Ом 17 IRF 710 N-канал 400 В, 2 А, 36 Вт, 3,6 Ом 18 IRF 720 N-канал 400 В, 3,3 А, 50 Вт, 1,8 Ом19 IRF 730 N-канал 400 В, 5,5 А, 74 Вт, 1 Ом20 IRF 740 N-канал 400 В, 10 А, 125 Вт, 0,55 Ом 21 IRF 820 N-канал 500 В, 2.5A, 50 Вт, 3 Ом 22 IRF 830 N-канал 500 В, 4,5 А, 74 Вт, 4 Ом 23 IRF 840 N-канал 500 В, 8 А, 125 Вт, 0,85 Ом 24 IRF 841 N-канал 450 В, 8 А, 125 Вт, 0,85 Ом 25 IRF 842 N-канал 500 В , 7A, 125 Вт, 1,1 Ом 26 IRF 843 N-канал 450 В, 7 A, 125 Вт, 1,1 Ом 27 IRF 9610 P-канал 200 В, 1,8 A, 20 Вт, 3 Ом 28 IRF 9620 P-канал 200 В, 3,5 A, 40 Вт, 1,5 Ом 29 IRF 9630 P -Канал 200 В, 6,5 А, 74 Вт, 0,8 Ом 30 IRF 9640 P-канал 200 В, 11 А, 125 Вт, 0,5 Ом 31 IRFI 510G N-канал 100 В, 4,5 А, 27 Вт, 0,54 Ом32 IRFI 520G N-канал 100 В, 7,2 А, 37 Вт, 0,27 Ом33 IRFI 530G N-канал 100 В, 9.7A, 42 Вт, 0,16 Ом 34 IRFI 540G N-канал 100 В, 17 A, 48 Вт, 77 миллиом 35 IRFI 620G N-канал 200 В, 4,1 A, 30 Вт, 0,8 Ом

43 IRFI 830G N-канал 500 В, 3,1 A, 35 Вт, 1,5 ohm44 IRFI 840G N-канал 500 В, 4,6 A, 40 Вт, 0,85 Ом 45 IRFI 9620G P-канал 200 В, 2 A, 30 Вт, 1,5 Ом 46 IRFI 9630G P-канал 200 В, 4,3 А, 30 Вт, 0,8 Ом 47 IRFI 9640G P-канал 200 В, 6,1 A, 40 Вт, 0,5 Ом 48 IRFS 520 N-канал 100 В, 7 A, 30 Вт, 0,27 Ом 49 IRFS 530 N-канал 100 В, 9 A, 35 Вт, 0,16 Ом 50 IRFS 540 N-канал 100 В, 15 A, 40 Вт, 77 милл 51 IRFS 620 N-канал 200 В , 4А, 30Вт, 0.8ohm52 IRFS 630 N-канал 200 В, 6,1 A, 35 Вт, 0,4 Ом 53 IRFS 640 N-канал 200 В, 10,2 A, 40 Вт, 0,18 Ом 54 IRFS 634 N-канал 250 В, 5,5 А, 35 Вт, 0,45 Ом 55 IRFS 720 N-канал 400 В, 2,5 А, 30 Вт, 1,8 Ом 56 IRFS 730 N-канал 400 В, 3,5 А, 35 Вт, 1 Ом 57 IRFS 740 N-канал 400 В, 3,5 А, 40 Вт, 0,55 Ом 58 IRFS 820 N-канал 500 В, 2 А, 30 Вт, 3 Ом 59 IRFS 830 N- Канал 500 В, 3 А, 35 Вт, 1,5 Ом 60 IRFS 840 N-канал 500 В, 4,5 А, 40 Вт, 0,85 Ом 61 IRFS 9620 P-канал 200 В, 3 А, 30 Вт, 1,5 Ом 62 IRFS 9630 P-канал 200 В, 4,4 А, 35 Вт, 0,8 Ом63 IRFS 9640 P-канал 200 В, 6.2A, 40 Вт, 0,5 Ом64 MTP6N10 N-канал 100 В, 6A, 50W65 MTP6N55 N-канал 550 В, 6A, 125W66 MTP6N60 N-канал 600 В, 6A, 125W67 MTP7N20 N-канал 200 В, 7A, 75W68 MTP8N80 N-канал 80 В, 8A, 75W69 MTP8N10 N-канал 100 В, 8A, 75W70 MTP8N12 N-канал 120 В, 8A, 75W71 MTP8N13 N-канал 130 В, 8A, 75W72 MTP8N14 N-канал 140 В, 8A, 75W73 MTP8N15 N-канал 150 В, 8A, 75W74 MTP8N18 N-канал 180V, 8A, 75W75 MTP8N19 N-канал 190V, 8A, 75W76 MTP8N20 N-канал 200V, 8A, 75W77 MTP8N45 N-канал 450V, 8A, 125W78 MTP8N46 N-канал 460V, 8A, 125W

86 2SK525 N-канал 150 В, 10 А, 40 Вт, 0.28ohm87 2SK526 N-канал 250 В, 10 A, 40 Вт, 0,6 Ом88 2SK527 N-канал 60 В, 10 A, 40 Вт, 0,14 Ом89 2SK555 N-канал 500 В, 7 A, 60 Вт, 0,85 Ом 90 2SK556 N-канал 450 В, 12 A, 100 Вт, 0,55 Ом91 2SK557 N-канал 500 В, 12 А, 100 Вт, 0,55 Ом92 2SK727 N-канал 850 В, 5A, 125W93 2SK791 N-канал 850 В, 3 А, 100 Вт, 4,5 Ом 94 2SK792 N-канал 900 В, 3 А, 100 Вт, 4,5 Ом 95 2Sk793 N-канал 850 В, 5A, 150 Вт, 2,5 Ом96 2SK794 N-канал 900 В, 5A, 150 Вт, 2,5 Ом 97 2SK1038 N-канал 400 В, 5A, 50W98 2SK1117 N-канал 600 В, 6A, 100W99 2SK1118 N-канал 600 В, 6A, 45W100 2SK1507 N-канал 600 В , 9A, 50 Вт, 1ohm101 2SK1531 N-канал 500 В, 15 A, 150 Вт, 0.45ohm102 2SK1794 N-канал 900 В, 6A, 100 Вт, 2,8 Ом 103 2SK2038 N-канал 800 В, 5A, 125 Вт, 2,2 Ом 104 2SK2039 N-канал 900 В, 5A, 150 Вт, 2,5 Ом 105 2SK2134 N-канал 200 В, 13 A, 70 Вт, 0,42134 2SKohm106 2SKohm106 2SKohm106 N-канал 200 В, 20 А, 75 Вт, 0,18 Ом 107 2SK2141 N-канал 600 В, 6 А, 35 Вт, 1,1 Ом 108 2SK2161 N-канал 200 В, 9 А, 25 Вт, 0,35 Ом

Популярные транзисторы. Технические характеристики (распиновки, даташиты).

BJT (биполярный) Транзисторы. 2SC945 2SC1815 (C1815) 2SC2223 (C2223) 2SC2230 (C2230) KSC2330 (C2330) 2SC2482 (C2482) C9012 KTC9013 (C9013) KTC9014 (C9014) КТК9015 (C9015) 2N2219 PN2222 2N2222 2N2222A 2N2905 2N2905A 2N2907 2N2907A 2N3703 2N3704 2N3773 2N3866 2N3904 2N3906 2N4401 2N4403 2N5088 2N5401 2N5551 BC107 BC107A BC107B BC108 BC109 BC109C BC142 BC143 BC177 BC178 BC179 BC182L BC183L BC184L BC212L BC213L BC214L BC237 BC307 BC327 BC337 BC546 BC547 BC547A BC547B BC548 BC549 BC550 BC556 BC557 BC557B BC557C BC558 BC639 BC846 BC846A BC846B BC847 BC847A BC847B BC847C BC848A BC848B BC848C BC849B BC849C BC850B BC850C BC856 BC856A BC856B TIP31 TIP41 TIP41C TIP42C TIP120 TIP122 TIP2955 TIP3055 MJE13001 MJE13003 MJE13005 MJE13007

MOSFET Транзисторы. 2N4416 2N5484 2N7000 2N7002 IRF150 IRF510 IRF520 IRF520 IRF540 IRF540N IRF630 IRF640 IRF730 IRF740 IRF830 IRF840 IRF1404 IRF1405 IRF2807 IRF3205 IRF3710 IRF4905 IRF9540 IRFB3306 IRFP064N IRFP250 IRFP260 IRFP450 IRFP460 IRFP4227 IRFP4332 IRFZ34N IRFZ44 IRFZ44N IRFZ44V IRFZ46N IRFZ48N BUZ11 BUZ90 J111 J308

Irf7343 trpbf pdf принтер

Irf7343 trpbf pdf принтер

Сравните цены на infineon irf7343trpbf у 32 дистрибьюторов и найдите альтернативные детали, модели CAD, технические характеристики, таблицы данных и многое другое на octopart.Irf7343trpbf infineon datasheet и cad модель скачать. Это преимущество сочетается с высокой скоростью переключения и прочностью устройства. Мощный МОП-транзистор Hexfet — чрезвычайно эффективное устройство для использования в самых разных приложениях. Irf5210strlpbf Infineon технологии дискретных полупроводников. Реализация контроллера заряда солнечной батареи mppt с powerpsoc. Вторник, 7 октября 2014 г. Международная выпрямительная компания сочтет это изменение утвержденным и введет его в действие до даты вступления в силу. Мощный МОП-транзистор Hexfet, лист данных IRF7343, схема IRF7343, лист данных IRF7343.Примером соответствующего суффикса для ответа являются последние 5 цифр. Irf7343 datasheet, irf7343 pdf, irf7343 data sheet, irf7343 manual, irf7343 pdf, irf7343, datenblatt, электроника irf7343, alldatasheet, free, datasheet, datasheets.

Датчики давления с компенсацией серии Sp100 Датчики давления sp100 — это калиброванные кремниевые пьезорезистивные датчики с цифровой компенсацией и интерфейсом spi. Ознакомьтесь с техническими описаниями, запасами и ценами или найдите другие МОП-транзисторы. Габаритные размеры корпуса So8 указаны в миллиметрах-дюймах e1 d e y b a a1 h k l.Irf7342trpbf infineon datasheet и cad модель скачать octopart. Irf7343 datasheet, irf7343 datasheets, irf7343 pdf, irf7343 схема. Международные выпрямительные МОП-транзисторы с двойным канальным МОП-транзисторами для количества, превышающего указанные в списке, уточняйте стоимость. So8 был изменен с помощью специальной рамки для улучшения. Infineon irf7343 MOSFET можно приобрести в магазине Mouser Electronics. Это полностью изолированный пакет to247 с лучшими в отрасли igbts. Поиск электронных компонентов в техническом описании английский китайский. Irf7341trpbf — двойной МОП-транзистор Infineon, n-канальный, 55 В.Ваш друг получит уведомление, когда план полета будет подан, когда рейс вылетает, прибывает, а также если рейс задерживается, отменяется или изменяется. Наслаждайтесь быстрым и простым в использовании онлайн-инструментом преобразования и преобразования PDF в формат PDF, широко используемый в openstreetmaps и Adobe Reader. Габаритные размеры корпуса Irf7342pbf 6 so8 указаны в миллиметрах-дюймах e1 d e y b a a1 h k l.

Buz 90 sipmos силовой транзистор n-канальный режим расширения лавинный контакт 1 контакт 2 контакт 3 g d s тип vds id код заказа корпуса rdson buz 90 600 v 4.Сравните цену на irf6643trpbf и наличие у авторизованных и независимых дистрибьюторов электронных компонентов. Квалификация описания изменения источника новой пластины. Irf7341trpbf — это двухканальный МОП-транзистор, использующий передовые технологии обработки для достижения минимально возможного сопротивления на площади кремния. Ежедневно мы отправляем 5000 отправлений и обеспечиваем их доставку в кратчайшие сроки. Базовые пользователи могут изменить данные полета по умолчанию и настройки кода аэропорта, отображаемые на этой странице.Irf7343trpbf Infineon Technologies Discreet Semiconductor.

Irf7343 datasheet, irf7343 pdf, irf7343 datasheet, datasheet, data sheet, pdf, международный выпрямитель, двухканальный шестигранный полевой МОП-транзистор с каналом 55 В и p-каналом в корпусе so8. Сравните цены на infineon irf7342trpbf у 31 дистрибьютора и найдите альтернативные детали, модели CAD, технические характеристики, таблицы данных и многое другое на octopart. Irf7343 trpbf pdf массив mosfet n и pchannel 55v a, 2w поверхностный монтаж 8so. Купите irf73trpbf с продленным сроком доставки в тот же день.Pd 91709 irf7343 hexfet power mosfet generation v технология nchannel mosfet nch pch 1 8 сверхнизкое сопротивление s1 d1 двухканальный n и p-канал mosfet 2 7 g1 d1 поверхностный монтаж vdss 55v 55v 3 6 s2 d2 полностью лавинный 4 5 g2 d2 pchannel mosfet rdson 0 . Товары в вашей текущей корзине не будут перенесены. Напряжение сток-источник nканал 0 300 600 900 1200 1 10 100 c, емкость pf v, напряжение сток-источник vds a. Внедрение контроллера заряда солнечной батареи mppt с powerpsoc 17 декабря 2010 г., документ №.Технология IRF поколения v, все технические данные, технические данные, поисковый сайт по электронным компонентам и полупроводникам, интегральным схемам, диодам, симисторам и другим полупроводникам. Условиями устройства является непрерывный ток источника тока, символ MOSFET, показывающий интегральную обратную интеграцию тока источника ism. Irf7343trpbf datasheet, irf7343trpbf pdf, irf7343trpbf datasheet, datasheet, data sheet, pdf, международный выпрямитель, двухканальный шестнадцатеричный силовой МОП-транзистор 55 В с каналом n и p в корпусе so8. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны мощные полевые МОП-транзисторы на шестнадцатеричных транзисторах, обеспечивает.International выпрямительный МОП-транзистор Mouser Electronics.

Все содержимое и материалы на этом сайте предоставляются как есть. Irfr u3707zpbf техническое описание продукта farnell element14. Irf7343trpbf datasheet, pdf 55v двойной канал n и p. Irf7341, irf7341 двухканальный mosfet-транзистор, купить транзистор irf7341.

Irf7343 pdf, описание irf7343, даташиты irf7343. Помимо давления, датчики обеспечивают ускорение в одной из версий датчиков, измерения температуры и напряжения питания. Сравните цены на infineon irf73trpbf у 35 дистрибьюторов и найдите альтернативные детали, модели CAD, технические характеристики, таблицы данных и многое другое на octopart.Irf hexfet power mosfet, alldatasheet, datasheet, datasheet поисковый сайт для электроники. В Tme работает более 800 сотрудников, которые обеспечивают экспертную поддержку на каждом этапе процесса заказа. Наше предложение включает 300 000 электронных компонентов от 950 производителей с 1990 года, мы динамично расширяем нашу деятельность и увеличиваем наш глобальный потенциал. Irf7343trpbf Infineon ir mosfet mosft dual npch 55v 4. Hexfet power mosfet, irf7343pbf datasheet, irf7343pbf circuit, irf7343pbf data sheet. Irf7343trpbf pdf, описание irf7343trpbf, irf7343trpbf.Irf7343trpbf datasheet, irf7343trpbf datasheets, irf7343trpbf pdf, irf7343trpbf circuit. Таблица перевода номеров деталей для заказа opn, здесь вы можете найти соответствующую информацию opn, pcpn, тип продаж, sp. Цена затвора за каждый заряд nc напряжение стока v непрерывный ток стока a рассеиваемая мощность w напряжение источника затвора макс. Заказываемый номер детали Идентификаторы opn описательные идентификаторы в предложении сообщают вам больше об атрибутах продукта. Спецификации Irf7416, цены, доступность, сроки поставки.To220 ab c67078s21a2 максимальные характеристики параметр символ значения единица непрерывный ток стока tc 28 c id 4.

Это может повлиять на цену, варианты доставки и доступность продукта. Данные и спецификации могут быть изменены без предварительного уведомления. В шестигранных полевых транзисторах пятого поколения Pd 91859 от International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния. Устранены проблемы irq trf7960a и конфликтующие irqs. Irf73trpbf infineon datasheet и cad модель скачать.Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые полевые МОП-транзисторы, предоставляет разработчик. Ti и ее соответствующие поставщики и поставщики контента не делают никаких заявлений о пригодности этих материалов для каких-либо целей и отказываются от всех гарантий и условий в отношении этих материалов, включая, помимо прочего, все подразумеваемые гарантии и условия товарной пригодности, пригодности для конкретных цель. C, 21mar11 3 это техническое описание может быть изменено без предварительного уведомления.Irf, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов. Продукты, указанные как приобретенные людьми, не являются рекомендованными аксессуарами и могут быть несовместимы с основным продуктом. Отслеживание полетов с приоритетом платных звонков tfr53 и история полетов. Максимальный эффективный переходный термический импеданс, переход к окружающей среде, рис. 10.

Эта новая концепция корпуса соответствует самым высоким требованиям с точки зрения производительности, гибкости конструкции и простоты использования. Trf37b73 slase41 май 2014 г. trf37b73 16000 МГц блок усиления ВЧ 1 особенности 3 описание trf37b73 упакован в 2.МОП-транзистор на шестнадцатеричном транзисторе с двумя каналами n и p irf 55v в корпусе so8. Irf7343 datasheet, pdf 55v двойной канал n и p hexfet. Irf7343trpbf — это двухканальный МОП-транзистор, использующий передовые технологии обработки для достижения минимально возможного сопротивления на площади кремния. Irf7343trpbf Infineon Dual MOSFET, дополнительный n и. Irf7343pbf международный выпрямитель, irf7343pbf datasheet. Это подробные сведения о деталях и таблицы данных для irf7416, которые содержат такую ​​информацию, как графики тенденций, цены, изображения деталей, аналогичные детали, техническую информацию, складские запасы поставщиков и информацию о производителе.Irf7342trpbf международный выпрямитель, irf7342trpbf. Irf7351trpbf datasheet, irf7351trpbf pdf, irf7351trpbf data sheet, irf7351trpbf manual, irf7351trpbf pdf, irf7351trpbf, datenblatt, электроника irf7351trpbf. Купите irf7343pbf с увеличенным сроком доставки в тот же день. Irf, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и.

LTC6900IS5 прайс-лист, LTC6900IS5 фото | транзисторный mosfet | transistorfet.com

LTC6900IS5 может быть отправлен в тот же день.Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

Купите сейчас, получите удовольствие
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓ Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.

Герберт	2021-05-21 03:30:28
Todo ok, buen vendedor.

Баркли	2021-05-20 00:15:42
как описано

Snax	2021-05-14 21:19:39
Товар прибыл, как описано.

Рулоф	2021-05-11 01:47:10
Хорошие продукты .. Быстрая доставка .. Спасибо

негр	2021-05-02 15:32:42
как описано быстрая доставка спасибо

Барри	2021-04-30 18:42:33
🌟🌟🌟🌟🌟 БЫСТРАЯ отправлена.Отличные предметы. Куплю снова. Спасибо! 🌟🌟🌟🌟🌟

Шардей	2021-04-22 14:18:55
Очень хорошая и профессиональная доставка! Очень доволен!

Susie	2021-04-15 20:58:40
хорошо, спасибо.

Lottie	2021-04-13 16:29:03
Товар как рекламируется, быстрая доставка

Стюарт	2021-04-09 16:36:36
Быстрая доставка, точно описано.Хороший продавец.

Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
Paypal (AMEX принимается через Paypal)
Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.

Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.

Судоходная компания	Расчетное время доставки	Информация для отслеживания
Плоская транспортировка	30-60 дней	Не доступен
Заказная Авиапочта	15-25 дней	В наличии
DHL / EMS / FEDEX / TNT	5-10 дней	В наличии
Окончательный срок поставки Может быть задержан вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
Если товар поврежден каким-либо образом или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возврат.
Если что-то неясно или у вас есть вопросы, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов.

См. Подробную информацию о защите покупок PayPal.
Получите заказанный товар или верните свои деньги.
Покрывает вашу закупочную цену и первоначальную доставку.
Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
PayPal Защита покупателей
Защита вашей покупки от клика до доставки
Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: А: вернуть его и получить полный возврат, или Б: получить частичный возврат и оставить товар себе.

Спецификация или техническая спецификация в формате PDF доступны по запросу для загрузки.

Почему выбирают нас?

Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.

100% гарантия качества компонентов: Подлинный оригинал.

Достаточный запас на ваш срочный запрос.

Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риски с помощью производства по требованию.

Быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.

Круглосуточное обслуживание.

Каковы ваши основные продукты?

Наша основная продукция
Интегральные схемы (ИС)	Дискретный полупроводник	Потенциометры, переменные R
Аудио специального назначения	Принадлежности	Реле
Часы / синхронизация	Мостовые выпрямители	Датчики, преобразователи
Сбор данных	Diacs, Sidacs	Резисторы
Встроенный	Диоды	Индукторы, катушки, дроссели
Интерфейс	МОП-транзисторы	Фильтры
Изоляторы — Драйверы ворот	БТИЗ	Кристаллы и генераторы
Линейный	JFET (эффект поля перехода)	Разъемы, межкомпонентные соединения
Логика	РФ полевые транзисторы	Конденсаторы
Память	РЧ Транзисторы (БЮТ)	Изоляторы
PMIC	SCR	светодиод
	Транзисторы (БЮТ)
	Транзисторы
	Симисторы

Какая цена?

Все цены являются ценами за единицу в долларах США (USD).

Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней и лучшей цены.

Какой способ оплаты?

PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union, MoneyGram.

Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.

Свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.

Что такое возврат и замена?

Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы претендовать на возврат или замену.(Любые использованные или поврежденные предметы не подлежат возврату или замене).

Каков минимальный объем заказа вашей продукции?

Минимальное количество заказа от ОДНОЙ штуки.

Вы можете купить сколько угодно.

Когда вы пришлете мне детали?

Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.

Как разместить заказ?

Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.

Предлагаете ли вы техническую поддержку?

Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 2SD1733TLR, указаниями по применению, замена, техническое описание в pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.

Предлагаете ли вы гарантию?

Да, мы предоставляем 6 месяцев гарантии на наш продукт.

Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.

Мы уважаем каждого клиента как друга и добросовестно ведем бизнес!

Если у Вас возникнут другие вопросы, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!

ehci pdf Datasheet P1 Полнотекстовый поиск — IC-ON-LINE

NXP Semiconductors Деталь № ISP1562BE ISP1562 Текст OCR … ядро ​​интерфейса хост-контроллера (ehci) и два трансивера, совместимые с Hi-Speed ​​USB и Original USB.Функциональные части ISP1562 полностью соответствуют спецификации универсальной последовательной шины Rev. 2.0, Open Host Cont … Описание Высокоскоростной хост-контроллер USB PCI Размер файла 405,37 К / 94 стр. Вид это Онлайн Загрузить лист данных NEC [NEC] Деталь No. UPD720101 UPD720101F1-EA8 UPD720101GJ-UEN UPD720101G Текст OCR … ll- / low-speed signaling и одно ядро ​​хост-контроллера ehci для высокоскоростной передачи сигналов. * Корневой концентратор с 5 (макс.) Нисходящими портами, которые используются совместно ядрами хост-контроллера OHCI и ehci. * Все расположенные ниже по потоку порты могут обрабатывать высокоскоростные … Описание ХОСТ-КОНТРОЛЛЕР USB2.0 Размер файла 393.78 тыс. / 36 стр. Вид это Онлайн Загрузить лист данных NEC Деталь № UPD720101 Текст OCR … ll- / low-speed signaling и одно ядро ​​хост-контроллера ehci для высокоскоростной передачи сигналов.* Корневой концентратор с 5 (макс.) Нисходящими портами, которые используются совместно ядрами хост-контроллера OHCI и ehci. * Все расположенные ниже по потоку порты могут обрабатывать высокоскоростные … Описание ХОСТ-КОНТРОЛЛЕР USB2.0 Размер файла 298,10 тыс. / 36 стр. Вид это Онлайн Загрузить лист данных NXP Semiconductors Деталь No. ISP1564 ISP1564ET ISP1564HL Текст OCR … ядро ​​интерфейса хост-контроллера (ehci) и два трансивера, совместимые с Hi-Speed ​​USB и Original USB. Функциональные части ISP1564 полностью соответствуют спецификации универсальной последовательной шины Rev. 2.0, Open Host Cont … Описание Высокоскоростной хост-контроллер USB PCI Размер файла 443.45 тыс. / 99 стр. Вид это Онлайн Загрузить лист данных NXP Semiconductors Деталь № SAF1562 SAF1562HL Текст OCR … ядро ​​интерфейса хост-контроллера (ehci) и два трансивера, совместимые с Hi-Speed ​​USB и Original USB.Функциональные части SAF1562HL полностью соответствуют спецификации универсальной последовательной шины Rev. 2.0, Open Host Co … Описание Высокоскоростной хост-контроллер PCI с универсальной последовательной шиной Размер файла 408,10 тыс. / 97 стр. Вид это Онлайн Загрузить лист данных PHILIPS [Philips Semiconductors] Деталь No. ISP1563BM ISP1563 Текст OCR … ядро ​​интерфейса хост-контроллера (ehci) и четыре трансивера, совместимые с Hi-Speed ​​USB и Original USB. Функциональные части ISP1563 полностью соответствуют спецификации универсальной последовательной шины Rev. 2.0, Open Host Con … Описание Высокоскоростной хост-контроллер PCI с универсальной последовательной шиной Размер файла 416.05K / 107 стр. Вид это Онлайн Загрузить лист данных NEC, Corp. Деталь № UPD720101F1-EA8 Текст OCR … ll- / low-speed signaling и одно ядро ​​хост-контроллера ehci для высокоскоростной передачи сигналов.? корневой концентратор с 5 (макс.) нисходящими портами, которые используются совместно ядрами хост-контроллеров ohci и ehci. ? все расположенные ниже по потоку порты могут обрабатывать привет … Описание ХОСТ-КОНТРОЛЛЕР USB2.0 USB2.0 Размер файла 400,88 К / 36 стр. Вид это Онлайн Загрузить лист данных Для ehci Найден файл даташита :: 172 Время поиска :: 1.187ms Страница :: | | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | Похожие записи 21.11.2024 0 Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании 19.11.2024 0 Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка 19.11.2024 0 Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт