C1213 транзистор. Технические характеристики и применение транзистора C1213

alexxlabРазное
Каковы основные параметры транзистора C1213. Как правильно использовать C1213 в электронных схемах. Какие преимущества дает применение C1213 по сравнению с аналогами. Где чаще всего применяется транзистор C1213.

Содержание

Общая характеристика транзистора C1213

Транзистор C1213 представляет собой кремниевый эпитаксиально-планарный NPN-транзистор средней мощности. Основные технические характеристики данного транзистора:

  • Структура: NPN
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
  • Максимальный ток коллектора: 1 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 10 Вт
  • Коэффициент усиления по току: 20-100
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц

C1213 относится к универсальным транзисторам средней мощности и находит широкое применение в различных электронных устройствах благодаря хорошему сочетанию параметров.

Основные параметры и характеристики C1213

Рассмотрим более подробно ключевые параметры транзистора C1213:

Предельно допустимые значения

  • Напряжение коллектор-база: 120 В
  • Напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
  • Напряжение эмиттер-база: 6 В
  • Постоянный ток коллектора: 1 А
  • Импульсный ток коллектора: 2 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора: 10 Вт

Электрические характеристики

  • Коэффициент усиления по току: 20-100
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
  • Емкость коллекторного перехода: 30 пФ
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.5 В
  • Время рассасывания: 600 нс

Как видно из параметров, C1213 обладает хорошим усилением, достаточно высокой рабочей частотой и способен работать с токами до 1 А, что позволяет использовать его во многих схемах.


Применение транзистора C1213 в электронных устройствах

Благодаря своим характеристикам транзистор C1213 нашел широкое применение в различных областях электроники:

  • Усилители низкой частоты
  • Импульсные схемы
  • Преобразователи напряжения
  • Стабилизаторы напряжения и тока
  • Драйверы светодиодов
  • Электронные ключи и коммутаторы

Рассмотрим некоторые типовые схемы с использованием C1213.

Простой усилитель низкой частоты на C1213

Одно из самых распространенных применений C1213 — усилитель низкой частоты. Вот пример простой схемы:

«`
R1 R2 C1
C2 +Vcc GND Вход Выход «`

В данной схеме C1213 работает в режиме усиления по напряжению. Резистор R1 задает режим работы транзистора по постоянному току, а R2 служит в качестве нагрузки. Конденсаторы C1 и C2 разделяют постоянную и переменную составляющие сигнала.

Преимущества использования C1213

Транзистор C1213 обладает рядом преимуществ по сравнению с аналогами:


  • Высокая надежность и стабильность параметров
  • Хорошее соотношение цена/качество
  • Широкая область применения благодаря универсальным характеристикам
  • Достаточно высокая рабочая частота (до 50 МГц)
  • Способность работать в широком диапазоне напряжений и токов

Эти качества делают C1213 популярным выбором для многих разработчиков электронных устройств.

Особенности применения C1213 в различных схемах

При использовании транзистора C1213 в электронных схемах следует учитывать некоторые особенности:

  • Необходимо обеспечить правильный тепловой режим при работе на больших токах
  • Следует учитывать нелинейность характеристик при работе в аналоговых схемах
  • При работе на высоких частотах важно минимизировать паразитные емкости и индуктивности
  • В импульсных схемах нужно обращать внимание на время переключения транзистора

Правильный учет этих факторов позволит максимально эффективно использовать возможности C1213 в разрабатываемых устройствах.

Сравнение C1213 с аналогичными транзисторами

Для оценки преимуществ и недостатков C1213 полезно сравнить его характеристики с похожими транзисторами:


«` import React from ‘react’; import { Table } from ‘@/components/ui/table’; const TransistorComparisonTable = () => { return (
Параметр C1213 2N3055 BD139
Структура NPN NPN NPN
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 100 В 60 В 80 В
Макс. ток коллектора
1 А		 15 А 1.5 А
Макс. рассеиваемая мощность 10 Вт 115 Вт 12.5 Вт
Коэффициент усиления по току 20-100 20-70 40-250
Граничная частота 50 МГц 2.5 МГц 250 МГц
); }; export default TransistorComparisonTable; «`

Как видно из таблицы, C1213 занимает промежуточное положение между мощным низкочастотным 2N3055 и более высокочастотным BD139. Это делает его универсальным выбором для многих применений.


Рекомендации по выбору режима работы C1213

Для обеспечения оптимальной работы транзистора C1213 в различных схемах важно правильно выбрать режим его работы. Вот несколько рекомендаций:

  • Для линейного усиления лучше выбирать рабочую точку в середине линейного участка характеристики транзистора
  • В ключевых режимах следует обеспечить надежное насыщение транзистора для минимизации потерь
  • При работе на высоких частотах необходимо учитывать частотные свойства транзистора и минимизировать паразитные параметры монтажа
  • Для обеспечения температурной стабильности схемы рекомендуется использовать отрицательную обратную связь по току

Следование этим рекомендациям позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора C1213 в разрабатываемых устройствах.


Цифровые микросхемы транзисторы.

Поиск по сайту

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии
ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские
Зарубежные		 Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4
4,8		 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий
Нагружаемый
выход		 Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ
Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема		 U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема		 0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема		Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема		 Uи. п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема		U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема		U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк. з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

C1213 ошибка причины неисправности

На нашем ресурсе имеется возможность задавать вопросы и делиться собственным опытом по устренению неисправностей связанных с ошибкой C1213. Задав вопрос в течении нескольких дней Вы сможете найти ответ на него.

Принимая во внимание тот факт, что OBD2 ошибки работы двигателя или других электронных систем автомобиля не всегда на прямую указывают на неработающий элемент, и то что разных марках и моделях автомобилей одна и таже ошибка может возникать как следствие неисправности абсолютно разных элементов электронной системы мы создали этот алгоритм помощи и обмена полезной информацией.

Мы надеемся, с Вашей помощью, сформировать причино-следственную связь возникновения той или иной OBD2 ошибки у конкретного автомобиля (марка и модель). Как показал опыт если рассматривать определенную марка-модель автомобиля, то в подавляющем большинстве случаев причина ошибки одна и таже. 

Если ошибка указывает на неверные параметры (высокие или низкие значения) какого нибудь из датчиков или анализаторов, то вероятней всего этот элемент исправен, а проблему надо искать так сказать «выше по течению», в элементах работу которых анализирует датчик или зонд.

Если ошибка указывает на постоянно открытый или закрытый клапан, то тут надо подойти к решению вопроса с умом, а не менять бездумно этот элемент.  Причин может быть несколько: клапан засорен, клапан заклинил, на клапан приходит неверный сигнал от других неисправных узлов. 

Ошибки работы двигателя OBD2 и других систем автомобиля (ELM327) не всегда на прямую указывают на неработающий элемент. Сама по себе ошибка является косвенными данными о неисправности в системе, в некотором смысле подсказкой, и только в редких случаях прямым указанием на неисправный элемент, датчик или деталь. Ошибки (коды ошибок) полученные от  прибора, сканера требуют правильной интерпретации  информации, дабы не тратить время и деньги на замену работающих элементов автомобиля. Проблема зачастую кроется намного глубже чем кажется на первый взгляд. Это вызвано теми обстоятельствами, что информационные сообщения содержат, как было выше сказано, косвенную информацию о шарушении работы системы.

Вот пару общих примеров. Если ошибка указывает на неверные параметры (высокие или низкие значения) какого нибудь из датчиков или анализаторов, то вероятней всего этот элемент исправен, так как он анализирует (выдает некие параметры или значения), а проблему надо искать так сказать «выше по течению», в элементах работу которых анализирует датчик или зонд. 

Если ошибка указывает на постоянно открытый или закрытый клапан, то тут надо подойти к решению вопроса с умом, а не менять бездумно этот элемент.  Причин может быть несколько: клапан засорен, клапан заклинил, на клапан приходит неверный сигнал от других неисправных узлов.

Еще один момент который хотелось бы отметить — это специфика той или иной марки и модели. Поэтому узнав ошибку работы двигателя или дрогой системы Вашего автомобиля не спешите делать поспешных решений, а подойдите к вопросу комплексно.

Наш форум создан для всех пользователей, от простых автолюбителей до профессиональных автоэлектриков. По капле от каждого и всем будет полезно.

транзистор%20c1213%20эквивалент лист данных и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить часть BD6047AGUL РОМ Полупроводник Тип защиты от отрицательного напряжения ИС защиты от заряда со встроенным полевым транзистором БМ2П016-З РОМ Полупроводник ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ, включая переключающий МОП-транзистор БМ2П0361К-З РОМ Полупроводник ИС преобразователя постоянного/постоянного тока ШИМ со встроенным переключающим полевым МОП-транзистором BD9B305QUZ РОМ Полупроводник Входное напряжение от 2,7 В до 5,5 В, 3,0 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный БД9Д300МУВ РОМ Полупроводник Вход от 4,0 В до 17 В, 3 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный БМ2П104ЭФ РОМ Полупроводник Встроенный полевой МОП-транзистор 730 В, 100 кГц, ШИМ-преобразователь постоянного тока ИС

транзистор%20c1213%20эквивалент Листы данных Context Search

Каталог Лист данных MFG и тип ПДФ Теги документов
хб*9Д5Н20П

Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 2N2904E до н. э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ

Реферат: транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П
2SC4793 2sa1837

Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор
транзистор

Реферат: Транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование 		PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2

Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 f 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование 		PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С

Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Реферат: Транзистор SE110N 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 RBV-406 2SC5586
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586
К2Н4401

Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751
фн651

Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471

Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет ФТР 03-Е

Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование 		PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337
фгт313

Реферат: Транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330

Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование 		PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора

Резюме: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора
транзистор

Реферат: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод Дарлингтон транзистор 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор

Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список
транзистор 835

Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование 		PDF БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО транзистор 649
2002 — SE012

Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф
PWM инверторный сварочный аппарат

Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование 		PDF
варикап диоды

Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр GSM-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор УКВ-полевой транзистор lna
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование 		PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна
Транзистор мощности телевизора, техническое описание

Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855
2009 — 2sc3052ef

Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd код маркировки транзистора
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007 — ДДА114ТХ

Резюме: DCX114EH DDC114TH
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

. ..

c1213%20транзистор техническое описание и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить часть MSC1213Y2PAGRG4 Инструменты Техаса 8-БИТ, ФЛЭШ, 40 МГц, МИКРОКОНТРОЛЛЕР, PQFP64, ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИК, TQFP-64 MSC1213Y4PAGTG4 Инструменты Техаса 8-БИТ, ФЛЭШ, 40 МГц, МИКРОКОНТРОЛЛЕР, PQFP64, ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИК, TQFP-64 ADC12138CIWMX/НОПБ Инструменты Техаса Самокалибрующийся 12-разрядный аналого-цифровой преобразователь ввода-вывода с последовательным вводом-выводом со знаком плюс и мультиплексором и выборкой/удержанием 28-SOIC от -40 до 85 ADC12138CIMSAX/НОПБ Инструменты Техаса Самокалибрующийся 12-разрядный аналого-цифровой преобразователь ввода-вывода с последовательным вводом-выводом со знаком плюс и мультиплексором и выборкой/удержанием 28-SSOP от -40 до 85 MSC1213Y4PAGRG4 Инструменты Техаса 8-БИТ, ФЛЭШ, 40 МГц, МИКРОКОНТРОЛЛЕР, PQFP64, ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИК, TQFP-64 ADC12138CIWM Инструменты Техаса Самокалибрующийся 12-разрядный аналого-цифровой преобразователь ввода-вывода с последовательным вводом-выводом со знаком плюс и мультиплексором и выборкой/удержанием 28-SOIC от -40 до 85

транзистор c1213%20 Листы данных Context Search

Каталог Лист данных MFG и тип ПДФ Теги документов
Транзистор с1213

Реферат: транзистор c1213 C1213, транзистор c1213, эквивалентный Carlingswitch M-Series arrow hart D1418 Carlingswitch M-Series Switch Carlingswitch Airpax
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF Д1418 C1113/80 C1113/75 C1213/53 C1213/60 C1113/71 транзистор с1213 транзистор с1213 C1213 аналог транзистора с1213 Carlingswitch серии M стрела олень Д1418 Переключатель Carlingswitch серии M Карлингсвитч Эйрпакс
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: ток коллектора и глубина модуляции SFH601 -4 VCEsat=f (lc) (TA=25°C) Рисунок 20. Транзистор


OCR-сканирование 		PDF SFH601 СФХ601-2, СФХ601-3 СФХ601-4 E52744 SFH601
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: ) Рис. 20. Емкость транзистора C -f(V o ) (Ta=25°C, f=1 МГц) 0 ,1 [· 0 i-i- — L I 10 9СФХ600 5-212


OCR-сканирование 		PDF SFH600 СФХ600-0, СФХ600-1, СФХ600-2 СФХ600-3 E52744 SFH600 лк тире 2 б-5
токо FM если трансформаторы

Реферат: U4062B E528 10421 смеситель C1213 10421 10429 TOKO 1042 DIP18 RL12
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF U4062B D-74025 07 декабря 98 г. токо фм если трансформеры U4062B Е528 10421 миксер C1213 10421 10429ТОКО 1042 DIP18 RL12
С1213

Реферат: SMD 2X C15 ST 0603 smd NEOHM SM 1k5 D0216AA C1619 SMA6032 SM 0603
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование 		PDF СТЭВАЛЬ-ISA026V1 сма6032 c12-13 c16-19 д0216аа СТС12Нх4ЛЛ сц25нх4лл л6732 C1213 СМД 2Х C15 СТ 0603 смд НЕОМ СМ 1к5 C1619 СМ 0603
1998 — МЧ315А101ЖК

Реферат: Конденсатор алюминиевый С1213 С1521 10МВ1200ГХ МЧ312Ф104ЗП Конденсатор керамический 100нФ АН-53 Рон Ленк MBRD835L
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF АБ-18 RC5051 АБ-18 cD835L С8-10 С12-13 С15-21 100пФ 100 нФ МЧ315А101ЖК C1213 алюминиевый конденсатор C1521 10MV1200GX МЧ312Ф104ЗП керамический конденсатор 100нФ Ан-53 Рон Ленк МБРД835Л
транзистор c1213

Реферат: Транзистор с1213 ХАРАКТЕРИСТИКА ТРАНЗИСТОРА С1213 Транзистор Rf C1213 C1213 jmc 5701
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование 		PDF 20AWG, транзистор с1213 транзистор с1213 ХАРАКТЕРИСТИКА ТРАНЗИСТОРА C1213 транзистор Rf C1213 C1213 JMC 5701
1997 — ХАРАКТЕРИСТИКА ТРАНЗИСТОРА C1213

Реферат: транзистор с1213 транзистор с1213 транзистор Rf C1213 G200
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 1-877-ГОЛДМОС 1301-ПТФ ХАРАКТЕРИСТИКА ТРАНЗИСТОРА C1213 транзистор с1213 транзистор с1213 транзистор Rf C1213 G200
2007 — с1213

Реферат: SPM12550T-1R0M220 smd транзистор 2x ECJ4YB0J107M L6725 STPS1L30M STS12Nh4LL STS25Nh4LL HCF1305-1R0 HPI13
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF EVAL6725 L6725: L6725 С12-С13 c1213 СПМ12550Т-1Р0М220 smd-транзистор 2x ECJ4YB0J107M СТПС1Л30М СТС12Нх4ЛЛ СТС25Нх4ЛЛ HCF1305-1R0 HPI13
2007 — НЕОМ

Реферат: EVAL6732 L6732 STPS1L30M STS12Nh4LL STS25Nh4LL st C15 SPM12550T-1R0M220
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF EVAL6732 L6732: L6732 C12-н НЕОМ EVAL6732 СТПС1Л30М СТС12Нх4ЛЛ СТС25Нх4ЛЛ ст С15 СПМ12550Т-1Р0М220
2007 — smd транзистор 2x

Реферат: SMD 2x ECJ4YB0J107M OCH MODULE smd ss 5 транзистор smd транзистор c6 15 United Chemi-Con индуктор вюрта EVAL6732 L6732
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF EVAL6732 L6732: L6732 smd-транзистор 2x СМД 2x ECJ4YB0J107M МОДУЛЬ ОЧ смд сс 5 транзистор smd транзистор c6 15 Юнайтед Хими-Кон индуктор вюрта EVAL6732
транзистор c1213

Реферат: Транзистор с1213 ХАРАКТЕРИСТИКА ТРАНЗИСТОРА С1213 Транзистор Rf C1213 1606 mosfet
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование 		PDF
XQ22

Реферат: BR924 KL1012 XQ20 h22A05 KL-23
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF МАКС3265 ТССОП16 XQ22 BR924 КЛ1012 XQ20 h22A05 КЛ-23
2007 — smd транзистор 2x

Резюме: ss smd smd ss 5 транзистор ECJ4YB0J107M ECJ4YB0J107M техническое описание SMD 2x c1213 SMD nf SPM12550T-1R0M220 КОНДЕНСАТОР SMD EPCOS
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF EVAL6725 L6725: L6725 smd-транзистор 2x сс смд смд сс 5 транзистор ECJ4YB0J107M ECJ4YB0J107M техпаспорт СМД 2x c1213 СМД нф СПМ12550Т-1Р0М220 КОНДЕНСАТОР SMD EPCOS
ЛА3330

Реферат: C1213 11T-GU ci kyp LA3330M
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование 		PDF ЛА3330 3330М NQ1184A 3330Мтт 10Орри C1213 11Т-ГУ си кип ЛА3330М
атк 17-33

Резюме: atc 1733 860-960 МГц
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование 		PDF
ТДА1595Т

Аннотация: C1213 FM-интерфейс
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование 		PDF TDA1595T EN55020 TDA1595T C1213 FM-интерфейс
1997 — транзистор с1213

Реферат: Транзистор с1213 ХАРАКТЕРИСТИКА ТРАНЗИСТОРА С1213 Транзистор Г200 Rf С1213
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF 1-877-ГОЛДМОС 1522-ПТФ транзистор с1213 транзистор с1213 ХАРАКТЕРИСТИКА ТРАНЗИСТОРА C1213 G200 транзистор Rf C1213
1996 — CB50-1206

Резюме: AN4403 10 кОм 0805 упаковка CB50 TDK КОНДЕНСАТОР ТАНТАЛОВЫЙ 22 мкФ 16 В чип c1213 RG58 КАБЕЛЬ 50 ОМ Raytheon r10 1000 Вт ферритовый трансформатор 22 Ом резистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал 		PDF RCC700A АН50000044 КБ50-1206 АН4403 Пакет 10 кОм 0805 CB50 ТДК КОНДЕНСАТОР ТАНТАЛОВЫЙ 22 мкФ 16 В чип c1213 КАБЕЛЬ RG58 50 ОМ райтеон р10 Ферритовый трансформатор на 1000 Вт.

Похожие записи

21.11.2024 0

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

19.11.2024 0

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

19.11.2024 0

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Карта сайта
© M-Gen
.