Каковы основные параметры транзистора C1213. Как правильно использовать C1213 в электронных схемах. Какие преимущества дает применение C1213 по сравнению с аналогами. Где чаще всего применяется транзистор C1213.
Общая характеристика транзистора C1213
Транзистор C1213 представляет собой кремниевый эпитаксиально-планарный NPN-транзистор средней мощности. Основные технические характеристики данного транзистора:
- Структура: NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Максимальный ток коллектора: 1 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 10 Вт
- Коэффициент усиления по току: 20-100
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
C1213 относится к универсальным транзисторам средней мощности и находит широкое применение в различных электронных устройствах благодаря хорошему сочетанию параметров.
Основные параметры и характеристики C1213
Рассмотрим более подробно ключевые параметры транзистора C1213:
Предельно допустимые значения
- Напряжение коллектор-база: 120 В
- Напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Напряжение эмиттер-база: 6 В
- Постоянный ток коллектора: 1 А
- Импульсный ток коллектора: 2 А
- Рассеиваемая мощность коллектора: 10 Вт
Электрические характеристики
- Коэффициент усиления по току: 20-100
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
- Емкость коллекторного перехода: 30 пФ
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.5 В
- Время рассасывания: 600 нс
Как видно из параметров, C1213 обладает хорошим усилением, достаточно высокой рабочей частотой и способен работать с токами до 1 А, что позволяет использовать его во многих схемах.
Применение транзистора C1213 в электронных устройствах
Благодаря своим характеристикам транзистор C1213 нашел широкое применение в различных областях электроники:
- Усилители низкой частоты
- Импульсные схемы
- Преобразователи напряжения
- Стабилизаторы напряжения и тока
- Драйверы светодиодов
- Электронные ключи и коммутаторы
Рассмотрим некоторые типовые схемы с использованием C1213.
Простой усилитель низкой частоты на C1213
Одно из самых распространенных применений C1213 — усилитель низкой частоты. Вот пример простой схемы:
«` «`В данной схеме C1213 работает в режиме усиления по напряжению. Резистор R1 задает режим работы транзистора по постоянному току, а R2 служит в качестве нагрузки. Конденсаторы C1 и C2 разделяют постоянную и переменную составляющие сигнала.
Преимущества использования C1213
Транзистор C1213 обладает рядом преимуществ по сравнению с аналогами:
- Высокая надежность и стабильность параметров
- Хорошее соотношение цена/качество
- Широкая область применения благодаря универсальным характеристикам
- Достаточно высокая рабочая частота (до 50 МГц)
- Способность работать в широком диапазоне напряжений и токов
Эти качества делают C1213 популярным выбором для многих разработчиков электронных устройств.
Особенности применения C1213 в различных схемах
При использовании транзистора C1213 в электронных схемах следует учитывать некоторые особенности:
- Необходимо обеспечить правильный тепловой режим при работе на больших токах
- Следует учитывать нелинейность характеристик при работе в аналоговых схемах
- При работе на высоких частотах важно минимизировать паразитные емкости и индуктивности
- В импульсных схемах нужно обращать внимание на время переключения транзистора
Правильный учет этих факторов позволит максимально эффективно использовать возможности C1213 в разрабатываемых устройствах.
Сравнение C1213 с аналогичными транзисторами
Для оценки преимуществ и недостатков C1213 полезно сравнить его характеристики с похожими транзисторами:
«`
import React from ‘react’;
import { Table } from ‘@/components/ui/table’; const TransistorComparisonTable = () => {
return (| Параметр | C1213 | 2N3055 | BD139 |
|---|---|---|---|
| Структура | NPN | NPN | NPN |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 100 В | 60 В | 80 В |
| Макс. ток коллектора | 15 А | 1.5 А | |
| Макс. рассеиваемая мощность | 10 Вт | 115 Вт | 12.5 Вт |
| Коэффициент усиления по току | 20-100 | 20-70 | 40-250 |
| Граничная частота | 50 МГц | 2.5 МГц | 250 МГц |
Как видно из таблицы, C1213 занимает промежуточное положение между мощным низкочастотным 2N3055 и более высокочастотным BD139. Это делает его универсальным выбором для многих применений.
Рекомендации по выбору режима работы C1213
Для обеспечения оптимальной работы транзистора C1213 в различных схемах важно правильно выбрать режим его работы. Вот несколько рекомендаций:
- Для линейного усиления лучше выбирать рабочую точку в середине линейного участка характеристики транзистора
- В ключевых режимах следует обеспечить надежное насыщение транзистора для минимизации потерь
- При работе на высоких частотах необходимо учитывать частотные свойства транзистора и минимизировать паразитные параметры монтажа
- Для обеспечения температурной стабильности схемы рекомендуется использовать отрицательную обратную связь по току
Следование этим рекомендациям позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора C1213 в разрабатываемых устройствах.
Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. | |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.
При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.
е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. |
Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи. п.= 4,5 В |
2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
Iк. з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
C1213 ошибка причины неисправности
На нашем ресурсе имеется возможность задавать вопросы и делиться собственным опытом по устренению неисправностей связанных с ошибкой C1213. Задав вопрос в течении нескольких дней Вы сможете найти ответ на него.
Принимая во внимание тот факт, что OBD2 ошибки работы двигателя или других электронных систем автомобиля не всегда на прямую указывают на неработающий элемент, и то что разных марках и моделях автомобилей одна и таже ошибка может возникать как следствие неисправности абсолютно разных элементов электронной системы мы создали этот алгоритм помощи и обмена полезной информацией.
Мы надеемся, с Вашей помощью, сформировать причино-следственную связь возникновения той или иной OBD2 ошибки у конкретного автомобиля (марка и модель).
Как показал опыт если рассматривать определенную марка-модель автомобиля, то в подавляющем большинстве случаев причина ошибки одна и таже.
Если ошибка указывает на неверные параметры (высокие или низкие значения) какого нибудь из датчиков или анализаторов, то вероятней всего этот элемент исправен, а проблему надо искать так сказать «выше по течению», в элементах работу которых анализирует датчик или зонд.
Если ошибка указывает на постоянно открытый или закрытый клапан, то тут надо подойти к решению вопроса с умом, а не менять бездумно этот элемент. Причин может быть несколько: клапан засорен, клапан заклинил, на клапан приходит неверный сигнал от других неисправных узлов.
Ошибки работы двигателя OBD2 и других систем автомобиля (ELM327) не всегда на прямую указывают на неработающий элемент. Сама по себе ошибка является косвенными данными о неисправности в системе, в некотором смысле подсказкой, и только в редких случаях прямым указанием на неисправный элемент, датчик или деталь.
Ошибки (коды ошибок) полученные от прибора, сканера требуют правильной интерпретации информации, дабы не тратить время и деньги на замену работающих элементов автомобиля. Проблема зачастую кроется намного глубже чем кажется на первый взгляд. Это вызвано теми обстоятельствами, что информационные сообщения содержат, как было выше сказано, косвенную информацию о шарушении работы системы.
Вот пару общих примеров. Если ошибка указывает на неверные параметры (высокие или низкие значения) какого нибудь из датчиков или анализаторов, то вероятней всего этот элемент исправен, так как он анализирует (выдает некие параметры или значения), а проблему надо искать так сказать «выше по течению», в элементах работу которых анализирует датчик или зонд.
Если ошибка указывает на постоянно открытый или закрытый клапан, то тут надо подойти к решению вопроса с умом, а не менять бездумно этот элемент. Причин может быть несколько: клапан засорен, клапан заклинил, на клапан приходит неверный сигнал от других неисправных узлов.
Еще один момент который хотелось бы отметить — это специфика той или иной марки и модели. Поэтому узнав ошибку работы двигателя или дрогой системы Вашего автомобиля не спешите делать поспешных решений, а подойдите к вопросу комплексно.
Наш форум создан для всех пользователей, от простых автолюбителей до профессиональных автоэлектриков. По капле от каждого и всем будет полезно.
транзистор%20c1213%20эквивалент лист данных и примечания по применению
транзистор%20c1213%20эквивалент Листы данных Context Search
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор | Оригинал | 2N2904E
до н. э.859
КДС135С
2N2906E
до н.э.860
KAC3301QN
КДС160
2Н3904
BCV71
KDB2151E
хб*9Д5Н20П
хб9д0н90н
6В стабилитрон
хб*2Д0Н60П
транзистор
КХБ7Д0Н65Ф
Транзистор BC557
киа*278R33PI
Схема КХБ9Д0Н90Н
транзистор ктд998 | |
КИА78*ПИ Реферат: транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: Транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | OCR-сканирование | 2Н3904
2Н3906
2Н4124
2Н4126
2N7000
2Н7002
до н. э.327
до н.э.328
до н.э.337
до н.э.338
транзистор
транзистор ИТТ
BC548 п-н-п транзистор
транзистор п-н-п
BC337 п-н-п транзистор
pnp bc547 транзистор
BC327 NPN-транзистор
MPSA92 168
транзистор 206
2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП | |
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ | |
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор SE110N 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 RBV-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337 | |
фгт313 Реферат: Транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Резюме: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц
32 кГц,
64 кГц,
100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора | |
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод Дарлингтон транзистор 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 | OCR-сканирование | БК327;
БК327А;
до н. э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
транзистор 649 | |
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611 | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф | |
PWM инверторный сварочный аппарат Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75 | OCR-сканирование | ||
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр GSM-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор УКВ-полевой транзистор lna | OCR-сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна | |
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855 | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855 | |
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd код маркировки транзистора | Оригинал | 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора | |
2007 — ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
.
..
Транзистор
