Каковы основные параметры транзистора C1959. Как правильно его использовать в электронных схемах. Какие есть аналоги и замены транзистора C1959. Где можно найти datasheet на C1959.
Основные характеристики транзистора C1959
C1959 (2SC1959) — это биполярный NPN транзистор, предназначенный для работы на высоких частотах. Основные параметры этого транзистора:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 15 В
- Максимальный ток коллектора: 50 мА
- Коэффициент усиления по току (h21E): 30-160
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 ГГц
- Максимальная рассеиваемая мощность: 400 мВт
C1959 относится к высокочастотным транзисторам и предназначен для работы в диапазоне до нескольких гигагерц. Благодаря своим характеристикам, он нашел широкое применение в радиотехнике.
Области применения транзистора C1959
Транзистор C1959 используется в следующих областях и устройствах:
- Усилители высокой частоты
- Генераторы ВЧ и СВЧ сигналов
- Смесители и преобразователи частоты
- Приемники и передатчики радиосигналов
- Мобильные телефоны и базовые станции сотовой связи
- Спутниковое и телевизионное оборудование
- Измерительные приборы СВЧ диапазона
Благодаря высокой граничной частоте, C1959 позволяет создавать компактные усилители и генераторы, работающие на частотах до нескольких гигагерц. Это делает его востребованным в современной радиоаппаратуре.
Особенности использования C1959 в схемах
При разработке устройств с применением транзистора C1959 следует учитывать ряд особенностей:
- Необходимо обеспечить хороший теплоотвод от корпуса транзистора
- Рекомендуется использовать печатные платы с заземляющим экраном
- Важно минимизировать длину выводов и проводников в высокочастотной части схемы
- Следует применять качественные ВЧ конденсаторы и резисторы
- Необходимо обеспечить надежную развязку по питанию
При правильном применении C1959 позволяет получить стабильную работу усилителей и генераторов на частотах до 2-3 ГГц. Для более высоких частот рекомендуется использовать специализированные СВЧ транзисторы.
Аналоги и замены транзистора C1959
В качестве аналогов и возможных замен C1959 можно рассматривать следующие транзисторы:
- 2SC2053 — близкий аналог с похожими параметрами
- 2SC3358 — более современный транзистор с улучшенными характеристиками
- BFR93A — европейский аналог для ВЧ применений
- 2N5109 — американский высокочастотный транзистор
- КТ3115 — отечественный аналог для замены в старых схемах
При замене C1959 на аналог следует внимательно сравнить их параметры и при необходимости скорректировать режимы работы схемы. Не все транзисторы являются полностью взаимозаменяемыми.
Где найти datasheet на транзистор C1959
Подробные технические характеристики и рекомендации по применению транзистора C1959 можно найти в его datasheet (спецификации). Основные источники для поиска datasheet:
- Сайты производителей электронных компонентов (например, Toshiba)
- Специализированные базы данных электронных компонентов (Alldatasheet, Datasheet.su)
- Форумы и сообщества радиолюбителей
- Техническая документация на устройства, где применялся C1959
Изучение datasheet позволит правильно выбрать режимы работы транзистора и обеспечить его надежное функционирование в разрабатываемых устройствах.
Маркировка и внешний вид C1959
Транзистор C1959 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92 с тремя выводами. Маркировка на корпусе обычно содержит код C1959 или 2SC1959. Цоколевка транзистора (слева направо при виде на плоскую часть корпуса):
- Эмиттер (E)
- Коллектор (C)
- База (B)
При монтаже важно правильно определить выводы транзистора, чтобы избежать его повреждения. Рекомендуется сверяться с datasheet для уточнения расположения выводов конкретной партии транзисторов.
Измерение параметров C1959
Для проверки исправности и измерения основных параметров транзистора C1959 можно использовать следующие методы:
- Проверка p-n переходов с помощью мультиметра
- Измерение коэффициента усиления по току транзистором
- Определение граничной частоты усиления
- Измерение входной и выходной емкости транзистора
Измерения на высоких частотах требуют специализированного оборудования. Для большинства практических применений достаточно проверить основные параметры транзистора на низких частотах.
Типовые схемы включения C1959
Транзистор C1959 чаще всего используется в следующих схемах включения:
- Усилитель с общим эмиттером — для получения усиления по напряжению и току
- Каскодная схема — для улучшения частотных характеристик
- Дифференциальный каскад — в смесителях и модуляторах
- Генератор с общей базой — для получения колебаний на высоких частотах
Выбор конкретной схемы зависит от требуемых параметров устройства и рабочей частоты. На частотах выше 1 ГГц рекомендуется использовать специальные ВЧ и СВЧ схемы включения транзисторов.
Что такое Закон Мура и как он работает теперь? Разбор / Хабр
Закон Мура гласит: “Количество транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые 24 месяца”. Вы наверняка слышали про этот закон. А еще вы наверняка слышали, что он больше не работает.Но, если посмотреть на реальные цифры реальных процессоров, мы увидим, что Закон Мура, удивительно точно работает по сей день, вот уже 50 лет.
Тем не менее, мы с вами на собственном опыте чувствуем, что прогресс замедлился. Несмотря на двукратный прирост транзисторов, мы не видим двукратного прироста производительности. Поэтому сегодня мы разберёмся. Что не так с Законом Мура?
Но самое интересное, что важный перелом произошел на рубеже нулевых и 2010-х. И нужны были новые решения.С какими сложностями столкнулось человечество и как мы их обошли? И чего нам ждать, когда закон Мура действительно перестанет работать?
Закон не закон
Начнём, с того, что закон Мура на самом деле никакой не закон, а просто наблюдение Гордона Мура, основателя Fairchild Semiconductor, а также Intel.
С момента изобретения интегральной схемы в 1959 году количество транзисторов на микрочипах вырастало в среднем в два раза каждый год. Гордон Мур это заметил, и сказал: Всё! Так и будет.
А в 1975 году он внес поправку, и сказал:» Нет, всё таки, каждые два года».
И это, очень круто. Ведь чем меньше размер транзистора, тем меньше он потребляет тока. А чем больше количество транзисторов, тем выше вычислительная мощность. Причем зависимости прямо пропорциональные.
А значит, чем больше маленький транзисторов получится разместить на чипе, тем лучше.
Возьмем современный пример:
Например, в первом ASUS Zenbook который вышел в 2011 году стоял процессор Intel Core i7-2677M. В нём было 624 миллиона транзисторов. Звучит неплохо, с учетом того, что когда Мур придумывал свой закон в 65 году в актуальном процессоре было всего 64 транзистора, не миллионов, всего 64.
А вот в ZenBook Duo 14, который вышел через 10 лет используется процессор Intel 11-го поколения Core i7-1165G7, в котором уже 8,2 миллиарда транзисторов! Это в 13 раз больше, и это огромный скачок вперед. Но если прикинуть по закону Мура, то транзисторов в этот момент должно было быть как минимум в 2 раза больше — 19,9 миллиардов, на самом деле. Но почему закон замедлился? Смотрите.
Почему Закон Мура работал?
Долгое время Закон Мура работал как часы. Транзисторы уменьшались, их число росло, а мощность возрастала. А это, на секундочку рост по экспоненте, то есть очень быстро!Обратите внимание, что все графики отражающие Закон Мура изображены в логарифмической шкале, но если перевести график в линейную шкалу, мы поймем какой прорыв совершается каждые два года. В 65 году в микрочипе было 64 транзистора, а сейчас в серверном процессоре AMD Epic их почти 40 миллиардов. Но откуда была такая стабильность?
Скорее всего вы знаете, что процессоры производят путем фотолитографии.
Тут для на нас важен лишь они факт: чем меньше длина волны, с которой светит лазер, тем выше разрешение и меньше техпроцесс!
Наглядная инфографика по лазерам
Так индустрия и развивалась: когда достигали предела разрешения лазера — меняли его на лазер с более короткой длиной волны.
Поначалу использовали дуговые ртутные лампы, а не лазеры, с длиной волны 436 нм — это синий свет. Потом освоили 405 нм — это фиолетовый. И наконец до 365 нм — ближний ультрафиолет. На этом эра ртутных ламп закончилась и началось использование ультрафиолетовых газовых лазеров. Сначала освоили 248 нм — средний ультрафиолет, а потом 193 нм — глубокий ультрафиолет или DUV. Такие лазеры давали максимальное разрешение в 50 нм и на какое-то время этого хватало. Но потом произошел переломный момент…
Переломный момент
К 2006 году надо было осваивать техпроцесс в 40-45 нм.
Разрешения лазеров было недостаточно.Это был тупик! Гиганты Кремниевой Долины потратили сотни миллионов долларов для перехода на 157 нм (лазеры на основе фторид-кальциевой оптики), однако всё было впустую.
Даже сам Гордон Мур в 2007 году сказал: «Мои полномочия как бы всё, из-за фундаментальных причин». Если что, это точная цитата…
Но мы то с вами знаем, что на 45 нм человечество не остановилось. Уже 10 лет назад в первом ZenBook использовалась литография 32 нм. Как же люди смогли обойти оптические ограничения?
Они начали использовать различные хаки:
- Стали экспонировать чипы через воду (видео). Это как-то меняло преломление луча и позволяло повысить разрешение.
- Стали использовать множественное экспонирование, т.е. они стали использовать несколько масок, с разными рисунками, которые дополняют друг друга.
- И прочие хаки: поляризация излучения, коррекция оптической близости, использование фазосдвигающих масок, внеосевое освещение, но проблема с лазерами — это полбеды.
Из-за этого пришлось поставить крест на росте тактовых частот. Если раньше частоты удваивались так же быстро, как транзисторы, прирост практически остановился.
Десять интересных лет
В итоге, вопреки своим планам, Intel застрял на 14 нм техпроцессе, а тактовые частоты остановили свой рост. И примерно с 2010 года начались 10 интересных лет оптимизаций.Если раньше прогресс обеспечивался брутальным уменьшением техпроцесса и прирост производительности давался легко, то теперь началась настоящая работа по допиливанию всего того, что человечество придумало за 40 предыдущих лет.
Люди стали искать инновации за пределами Закона Мура:
- Процессоры стали многоядерными и многопоточными.
- Появилась масса сопроцессоров, которые невероятно эффективно решают отдельные задачи: обработка фотографий, кодирование видео, нейронные движки, облачные вычисления. В конце концов, перенос вычислений на видеокарты.
- Люди наконец начали оптимизировать софт.
- А производителям железа пришлось ежегодно совершенствовать свою продукцию. Ведь просто новый процессор, не позволял продать новый ноутбук
EUV
И вот прошло 10 лет, пока мы с горем пополам производили 14-ти, 10-ти, и даже 7-нанометровые процессоры. Произошло событие, которого все очень долго ждали. Мир перешел на экстремальную УФ-литографию. Длина волны лазера скакнула с 193 нм до 13,5 нм, что является крупнейшим скачком за всю историю создания процессоров.
Технологию разрабатывали 81 год и только в 2020 она заработала в полную мощь.Ключевой момент технологии в том, что она позволит уменьшать техпроцесс вплоть до 1 нм, а это 10 атомов в толщину. И если вы считаете, что это невозможно, это не так. Компания IBM уже в этом году освоила 2 нм. Так, что 1 нм — это лишь дело техники.
Будущее
Но, а что нас ждет за порогом в 1 нм? Как дальше повышать производительность?Это сложный вопрос. Безусловно люди придумают новую форму транзистора, мы перейдем на нанолистовые транзисторы. Вполне возможно, что люди откажутся от кремния и перейдут на новые материалы. Вариантов на замену есть масса:
- Углеродные нанотрубки
- Графеновые наноленты
- Диоксид и селенид гафния
- Дисульфид молибдена
Ну и наконец, скорее всего мы полностью откажемся от текущей концепции центрального процессора, основанной на архитектуре Фон Неймана и перейдем на асинхронные нейроморфные процессоры, построенные по подобию человеческого мозга. Кстати, их разработкой занимается тоже Intel.
В любом случае у нас есть еще 5-10 лет, пока транзисторы будут удваиваться по Закону Мура, а потом посмотрим.
Биполярные транзисторы — презентация онлайн
Похожие презентации:
3D печать и 3D принтер
Видеокарта. Виды видеокарт
Анализ компании Apple
Трансформаторы тока и напряжения
Транзисторы
Устройство стиральной машины LG. Электрика
Конструкции распределительных устройств. (Лекция 15)
Электробезопасность. Правила технической эксплуатации электроустановок
Магнитные пускатели и контакторы
Работа на радиостанциях КВ и УКВ диапазонов. Антенны военных радиостанций. (Тема 5.1)
1. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Студенты группы 18-АУТ-1Федькин Михаил и Маратов Аян
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый
прибор, один из типов транзисторов.
В полупроводниковой структуресформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые
осуществляется носителями двух полярностей —
электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название
«биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного)
транзистора.
3. Основные параметры
Коэффициент передачи по току.Входное сопротивление.
Выходная проводимость.
Обратный ток коллектор-эмиттер.
Время включения.
Предельная частота коэффициента передачи тока базы.
Обратный ток коллектора.
Максимально допустимый ток.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные.
Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от
схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:
коэффициент усиления по току α;
сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току rэ, rк, rб
4.
Сфера примененияУсилители,Генератор
каскады усиления
сигналов
Модулятор
Демодулятор
Инвертор
(Детектор)
(лог. элемент)
Микросхемы
на транзисторной логике
5. Транзисторно-транзисторная логика
Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ, TTL) — разновидностьцифровых логических микросхем, построенных на основе биполярных
транзисторов и резисторов. Название транзисторнотранзисторный возникло из-за того, что транзисторы используются как для
выполнения логических функций (например, И, ИЛИ), так и для усиления
выходного сигнала.
6. Схемы включения биполярных транзисторов
Схема включения с общим эмиттеромЭта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току (а отсюда и по мощности
— до десятков тысяч единиц), в связи с чем является наиболее распространенной.
Здесь переход эмиттер-база включается прямо, а переход база-коллектор — обратно.
А поскольку и на базу, и на коллектор подается напряжение одного знака, то схему
можно запитать от одного источника.
В этой схеме фаза выходного переменногонапряжения меняется относительно фазы входного переменного напряжения на 180
градусов.
Но ко всем плюшкам схема с ОЭ имеет и существенный недостаток. Он заключается
в том, что рост частоты и температуры приводит к значительному ухудшению
усилительных свойств транзистора. Таким образом, если транзистор должен работать
на высоких частотах, то лучше использовать другую схему включения. Например, с
общей базой.
Схема включения с общей базой
Эта схема не дает значительного усиления сигнала, зато хороша на высоких частотах, поскольку
позволяет более полно использовать частотную характеристику транзистора. Если один и тот же
транзистор включить сначала по схеме с общим эмиттером, а потом с общей базой, то во втором
случае будет наблюдаться значительное увеличение его граничной частоты усиления. Поскольку при
таком подключении входное сопротивление низкое, а выходное — не очень большое, то собранные
по схеме с ОБ каскады транзисторов применяют в антенных усилителях, где волновое
сопротивление кабелей обычно не превышает 100 Ом.
В схеме с общей базой не происходит инвертирование фазы сигнала, а уровень шумов на высоких
частотах снижается. Но, как уже было сказано, коэффициент усиления по току у нее всегда немного
меньше единицы. Правда, коэффициент усиления по напряжению здесь такой же, как и в схеме с
общим эмиттером. К недостаткам схемы с общей базой можно также отнести необходимость
использования двух источников питания.
Схема включения с общим коллектором
Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход,
т. е. очень сильна отрицательная обратная связь.
Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме с общим эмиттером. А вот
коэффициент усиления по напряжению маленький (основной недостаток этой схемы). Он
приближается к единице, но всегда меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по
мощности получается равным всего нескольким десяткам единиц.
В схеме с общим коллектором фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением
отсутствует.
Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходноенапряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому
такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным — потому, что выходное
напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.
Такое включение используют для согласования транзисторных каскадов или когда источник
входного сигнала имеет высокое входное сопротивление (например, пьезоэлектрический
звукосниматель или конденсаторный микрофон).
СВЧ транзистор — это транзистор, способный работать на сверхвысоких частотах.
Полупроводниковый прибор планарно-эпитаксиального типа, имеющий
многоэмиттерную встречно-штыревую структуру с чередующимися областями
эмиттера и базы и эмиттерные и базовые контакты на внешней поверхности
кристалла полупроводника.
Создание СВЧ можно рассматривать как вершину транзисторной технологии.
Несмотря на трудности изготовления, осуществлена оптимизация большинства их
параметров.
Первыми СВЧ следует считать германиевые микросплавные транзисторы выпуска
1958–1959 г.г. Но к 1963 г. начинают выходить на первое место кремниевые СВЧ. С
точки зрения потребителя относительная механическая прочность кремниевого БТ
оказалась решающим фактором и германий отошел на второй план. Однако, одна из
основных причин отказа от СВЧ германиевого заключается в том, что германий не
имеет естественного пассивирующего окисла. Поэтому структуры германиевых
планарных БТ пассивируются окисью кремния.
В настоящее время все СВЧ БТ изготовляются по планарной
технологии, и почти все они — кремниевые со структурой n–р–n.
СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой
деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики,
ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения,
базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.
English Русский Правила
DataSheet PDF Search Site
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
com, основного источника таблиц данных.Преимущества использования сайта
Вы можете бесплатно скачать все спецификации на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость. |
Новые листы технических данных
| Номер детали | ПДФ | Функция | Производители |
| 1N4150W | МАЛЕНЬКИЕ СИГНАЛЬНЫЕ ДИОДЫ | Кексин | |
| 28F004 | Усовершенствованная флэш-память загрузочного блока 3 В | Интел | |
| 28F008 | Усовершенствованная флэш-память загрузочного блока 3 В | Интел | |
| 28F016 | Усовершенствованная флэш-память загрузочного блока 3 В | Интел | |
| 28F160B3 | Усовершенствованная флэш-память загрузочного блока 3 В | Интел | |
| 28F320B3 | Усовершенствованная флэш-память загрузочного блока 3 В | Интел | |
| 28F400B3 | Усовершенствованная флэш-память загрузочного блока 3 В | Интел | |
| 28F640B3 | Усовершенствованная флэш-память загрузочного блока 3 В | Интел | |
| 28F800B3 | Усовершенствованная флэш-память загрузочного блока 3 В | Интел | |
5. 0СМЛДЖ100А | Диод TVS, SMD (подавитель переходных напряжений) | МДЭ |
