C3202 транзистор характеристики – 2SC3202 , , datasheet, , , C3202

2SC3202 транзистор (3200 NPN 000A10 0120V TO-92 2SC3202GR KEC)

  1. Продукция
  2. Транзисторы
  3. 2SC… KSC…

Производитель: KEC

Код товара: Т0000016542

Маркировка: ???

Количество приборов:

Параметры
НаименованиеЗначениеЕдиница измеренияРежим изменения
ПроводимостьNPN
Функциональное назначение выводов1=E 2=C 3=B
Напряжение коллектор-эмиттер120V
Напряжение коллектор-база120V
Напряжение эмиттер-база5V
Ток коллектора max100mA
Ток эмитера max-100mA
Обратный ток коллектора 0,1mkA@Vcb=120Vdc@Ie=0
Обратный ток эмиттера0,1mkA@Veb=5Vdc@Ic=0
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ200…400@Vce=6V@Ic=2mA
Напряжение коллектор-эмиттер насыщения0,3Vmax@Ic=10mA@Ib=1mA
Граничная частота100MHz@Vce=6V@Ic=1mA
Емкость коллекторного перехода3pFmax@Vcb=6V@Ie=0@f=1MHz
Мощность рассеивания625mW@25*C
Температура рабочая-55…+150*C

elcom.zp.ua

2SC3202Y транзистор (3202 NPN 000A50 0025V TO-92 2SC3202Y KEC)

  1. Продукция
  2. Транзисторы
  3. 2SC… KSC…

Производитель: KEC

Код товара: Т0000012634

Маркировка: ???

Количество приборов:

Параметры
НаименованиеЗначениеЕдиница измеренияРежим изменения
ПроводимостьNPN
Функциональное назначение выводов1=E 2=C 3=B
Напряжение коллектор-эмиттер
30
Vdc@25*C@Ic=100mA@Ib=0
Напряжение коллектор-база35Vdc@25*C
Напряжение эмиттер-база5Vdc@25*C
Ток коллектора max500mA@25*C(peak)
Напряжение коллектор-эмиттер насыщения0,25Vmax@Ic=100mA@Ib=10mA
Напряжение база-эмиттер насыщения
0,1
Vmax@Ic=100mA@Vce=1V
Обратный ток коллектора0,1mkA@Vcb=35Vdc@Ie=0
Обратный ток эмиттера0,1mkA@Veb=5Vdc@Ic=0
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ120…240@Ic=50mA@Vce=1V
Граничная частота300MHz@Ie=20mA@Vce=6V
Емкость коллекторного перехода
7
pFmax@Vcb=6V@Ie=0@f=1MHz
Мощность рассеивания500mW@25*C
Температура рабочая-50…+150*C
>комплементарная пара 2SA1270

elcom.zp.ua

ETC C3202Y Даташит, C3202Y PDF, даташитов

Номер в каталогеОписание (Функция)PDFпроизводитель
RN4902Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Toshiba
KTC2235SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE (PCT PROCESS) KEC
2SC3202
SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE ( PCT PROCESS)
KEC
2SC2715Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) Transistor Toshiba
2SC1923Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) Transistor Toshiba
2SC3203
SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)
KEC
RN4986TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Toshiba
RN4911TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Toshiba
RN4904
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Toshiba
RN4909Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Toshiba

ru.datasheetbank.com

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *