Каковы основные параметры транзистора C5027-R. Где применяется этот транзистор. Какие существуют аналоги C5027-R. Как выглядит цоколевка C5027-R.
Общие сведения о транзисторе C5027-R
C5027-R — это мощный биполярный NPN-транзистор, предназначенный для работы в высокочастотных цепях. Данное устройство отличается следующими ключевыми особенностями:
- Высокое максимальное напряжение коллектор-эмиттер — до 800 В
- Большой постоянный ток коллектора — до 3 А
- Хорошая надежность и расширенная зона безопасной работы
- Высокая скорость переключения
Благодаря этим характеристикам, C5027-R находит широкое применение в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и различных коммутационных схемах.
Технические характеристики транзистора C5027-R
Рассмотрим основные электрические параметры транзистора C5027-R:
- Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO): 1100 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 800 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 7 В
- Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 3 А
- Максимальный импульсный ток коллектора (ICP): 10 А
- Максимальный ток базы (IB): 1.5 А
- Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 50 Вт
- Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C
Важно отметить, что указанные параметры действительны при температуре окружающей среды 25°C. При повышении температуры некоторые характеристики могут изменяться.
Особенности применения C5027-R
Транзистор C5027-R обладает рядом преимуществ, которые определяют области его применения:
- Высокая надежность позволяет использовать его в ответственных узлах электронной аппаратуры
- Большой допустимый ток коллектора дает возможность применять C5027-R в силовых цепях
- Высокое пробивное напряжение обеспечивает возможность работы в высоковольтных схемах
- Хорошие частотные свойства позволяют использовать транзистор на высоких частотах
Какие конкретные применения имеет C5027-R? Вот несколько типичных вариантов использования:
- Импульсные источники питания
- DC/DC преобразователи
- Схемы управления электродвигателями
- Высоковольтные ключи
- Усилители мощности
Цоколевка и корпус транзистора C5027-R
C5027-R выпускается в пластиковом корпусе TO-220 или его модификациях (например, TO-220C). Как выглядит цоколевка этого транзистора?
- Левый вывод (если смотреть на лицевую сторону корпуса) — база (Б)
- Средний вывод — коллектор (К)
- Правый вывод — эмиттер (Э)
Металлическая подложка корпуса соединена с выводом коллектора. Это необходимо учитывать при монтаже транзистора на радиатор.
Аналоги транзистора C5027-R
В некоторых ситуациях может потребоваться замена C5027-R на аналогичный транзистор. Какие существуют близкие аналоги?
- 2SC3752
- FJPF5027
- BUL216
- 2SC2979
Следует отметить, что полностью идентичных по всем параметрам транзисторов не существует. При выборе аналога необходимо тщательно сравнивать все ключевые характеристики.
Производители транзистора C5027-R
C5027-R выпускается несколькими известными производителями полупроводниковых компонентов:
- Fairchild Semiconductor
- Samsung
- SavantIC Semiconductor
- Tiger Electronic
- New Jersey Semi-Conductor Products
В российских магазинах электронных компонентов можно встретить продукцию разных производителей. Как правило, характеристики транзисторов от разных компаний очень близки.
Особенности выбора и применения C5027-R
При использовании транзистора C5027-R в своих разработках, следует учитывать ряд важных моментов:
- Не превышайте максимально допустимые параметры, указанные в документации. Это может привести к выходу транзистора из строя.
- Обеспечьте эффективный теплоотвод. При больших токах и напряжениях транзистор может сильно нагреваться.
- Учитывайте паразитные параметры корпуса при работе на высоких частотах.
- При замене на аналог тщательно сравнивайте все ключевые параметры.
- Используйте качественные комплектующие от проверенных поставщиков для обеспечения надежности устройства.
Рекомендации по монтажу C5027-R
Для обеспечения надежной работы транзистора C5027-R важно соблюдать следующие рекомендации при монтаже:
- Используйте качественный теплопроводящий компаунд между корпусом транзистора и радиатором
- Обеспечьте надежную изоляцию корпуса от радиатора, если это требуется схемой
- Не допускайте механических напряжений на выводах транзистора
- Соблюдайте температурный режим при пайке согласно рекомендациям производителя
Области применения C5027-R в современной электронике
Несмотря на то, что C5027-R является достаточно старой моделью транзистора, он до сих пор находит применение в различных областях электроники. Рассмотрим некоторые из них более подробно.
Импульсные источники питания
В импульсных источниках питания C5027-R часто используется в качестве ключевого элемента. Его высокое пробивное напряжение и хорошие частотные свойства позволяют создавать эффективные преобразователи напряжения.
Управление электродвигателями
Благодаря способности работать с большими токами, C5027-R находит применение в схемах управления электродвигателями. Он может использоваться как в цепях коммутации, так и в драйверах двигателей.
Аудиотехника
В некоторых схемах усилителей мощности звуковой частоты C5027-R применяется в качестве выходного транзистора. Его характеристики позволяют получить хорошее качество звучания при достаточно высокой выходной мощности.
Сравнение C5027-R с современными аналогами
Как C5027-R выглядит на фоне более современных транзисторов? Давайте сравним его с некоторыми аналогами:
| Параметр | C5027-R | 2SC5200 | BU2508AF |
|---|---|---|---|
| VCEO max, В | 800 | 230 | 1500 |
| IC max, А | 3 | 15 | 8 |
| Pт max, Вт | 50 | 150 | 125 |
Как видно из сравнения, C5027-R уступает современным аналогам по некоторым параметрам, но превосходит их по максимальному напряжению коллектор-эмиттер. Это определяет его нишу применения в высоковольтных схемах.
Заключительные рекомендации по использованию C5027-R
При работе с транзистором C5027-R следует учитывать несколько важных моментов:
- Тщательно рассчитывайте тепловой режим. Несмотря на относительно большую рассеиваемую мощность, при работе с большими токами может потребоваться дополнительное охлаждение.
- Учитывайте частотные свойства транзистора. Хотя C5027-R имеет неплохие характеристики на высоких частотах, в некоторых применениях могут потребоваться более быстрые транзисторы.
- При разработке новых устройств рассмотрите возможность использования более современных аналогов, которые могут обеспечить лучшие характеристики или меньшее энергопотребление.
- Обратите внимание на доступность C5027-R на рынке. Так как эта модель выпускается достаточно давно, могут возникнуть проблемы с поставками в будущем.
Транзистор C5027-R, несмотря на свой возраст, остается надежным и проверенным компонентом для многих применений в электронике. Правильное использование его возможностей позволяет создавать эффективные и надежные устройства.
Транзистора C5027-R: характеристики, datasheet и аналоги
Главная » Транзисторы
Технические характеристики C5027-R определяют его применение в высокочастотных цепях с максимальным напряжением до 800 В и током до 3 А. Данный биполярный транзистор выделяется хорошей надёжностью, расширенной зоной безопасной эксплуатации и высокой скоростью переключений. Обычно его используют в импульсных регуляторах и различных коммутационных схемах.
С5027-R – это сокращённое обозначение, которое представлено на корпусе серии биполярных NPN-транзисторов KSC5027. Символ «R» в конце маркировки указывает на коэффициент усиления по току (HFE). Согласно данным в описании на устройство (Datasheet) HFE находится в диапазоне от 15 до 30.
Содержание
- Цоколевка
- Технические характеристики
- Электрические
- Аналоги
- Производители
Цоколевка
C5027-R выполнен в пластмассовом корпусе ТО-220 либо более новых модификациях ТО-220C.
Цоколевка устройства следующая: слева база (Б), справа эмиттер (Э), посередине коллектор (К). Металлическая подложка физически соединена с выводом К. Габариты, внешний вид изделия и распиновка представлены на рисунке.
Технические характеристики
Рассмотрим абсолютные (предельно допустимые) характеристики C5027-R. С помощью данных параметров инженеры подбирают первичные варианты использования устройства в той или иной схеме. Их можно найти в самом начале datasheet от производителя.
Максимальные характеристики C5027-R:
- напряжение между выводами: К-Б VCBO = 1100 В; К–Э VCEO = 800 В; Э-Б VEBO = 7 В;
- коллекторный ток: IC = 3.0 А; импульсный ICР = 10 А;
- базовый ток IВ = 1.5 А;
- рассеиваемая мощность РС = 50 Вт;
- температура: p-n-перехода Tj = 150ОС; хранения Tstg = ~ 55 … 150ОС.
Указанные параметры представлены производителями для условий, при которых температура внешней среды (ТА) не будет превышать +25ОС.
В datasheet имеется предупреждение о том, что эксплуатация транзистора в максимальных режимах может привести его порче или нестабильной работе.
Электрические
Ниже можно ознакомиться с электрическими параметрами C5027-R. Они определяют номинальные значения и условия, при которых транзистор будет работать стабильно и продолжительно долгое время. В отдельной графе производитель указывает режимы измерений, при которых транзистор будет работать максимально эффективно. Все данные приведены для практически идеальных условий эксплуатации, когда ТА=+25oC.
Аналоги
В некоторых случаях требуется заменить вышедший из строя C5027-R на похожий аналог. К сожалению полностью идентичных устройств в настоящее время не существует. Иногда в таких случаях используют импортные транзисторы: 2SC3752, FJPF5027. Они практически одинаковые по своим свойствам, но выполнены в полностью пластиковом корпусе и не имеют металлической подложки. Очень близкими по параметрам также являются BUL216, 2SC2979.
У отечественных производителей возможной альтернативы не существует.
Производители
Серию устройств C5027 долгое время производили следующие зарубежные компании: Fairchild Semiconductor; Samsung; SavantIC Semiconductor ; Tiger Electronic; New Jersey Semi-Conductor Products. В российских магазинах можно встретить продукцию разных фирм. Для того чтобы скачать datasheet в pdf-формате необходимо нажать на ссылку с названием соответствующего изготовителя.
NPN
Транзистор C5027-R: Характеристики, datasheet и цоколевка
В технических характеристиках на C5027-R указанно, что он имеет высокую скорость переключения и отличается хорошей надёжностью. Относится к мощным кремниевым n-p-n транзисторам. Обычно его используют в импульсных регуляторах и высоковольтных переключающих схемах.Цоколевка
Изготавливают C5027-R в корпусе ТО-220, который западные производители обычно используют для транзисторов мощностью порядка 50 Вт, или немного ниже.
Если расположить его лицевой стороной к себе, то есть так, чтобы бала видна надпись на корпусе, а ножки должны смотреть вниз, то первой слева ножкой будет база, второй коллектор, а третьей эмиттер. Обычно, при нанесении маркировки, компании пропускают первые две буквы «KS» и остаётся только «C5027R».
Технические характеристики
Рассмотрим максимально допустимые технические значения, так как именно их нужно учитывать в первую очередь при проектировании собственных устройств и подборе замены вышедшему из строя транзистору. Следует помнить что их превышение, даже на короткий промежуток времени может привести в выходу прибора из строя. Их измерение всегда производится при стандартной температуре +25°С.
Для C5027-R эти характеристики равны:
- напряжение К — Б VCBO = 1100 В;
- напряжение К – Э VCEO = 800 В;
- напряжение Э — Б VEBO = 7 В;
- ток коллектора постоянный IC = 3 А;
- ток коллектора импульсный ICР = 10 А;
- ток через базу IВ = 1,5 А;
- максимальная мощность на коллекторе РС = 50 Вт;
- т-ра кристалла Tj = 150ОС;
- диапазон температур, при которых KSC5027-R может сберегаться Tstg = 55 … 150ОС.
| Электрические характеристики транзистора C5027-R (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Пробивное напряжение К — Б | IC = 1 мA, I Е = 0 | V(BR)CВO | 1100 | В | ||
| Пробивное напряжение К — Э | IC=5 мA, RВE= ∞ | V(BR)CEО | 800 | В | ||
| Пробивное напряжение эмиттер-база | IE= 1 мA, IC= 0 | V(BR)EBO | 7 | В | ||
| Напряжение насыщения К — Э | IC= 1,5 A; IB= 0. 3 A | VCE(sat) | 2 | В | ||
| Напряжение насыщения Б — Э | IC= 1,5 A; IB= 0.3 A | VВE(sat) | 1,5 | В | ||
| Обратный ток коллектора | VCВО= 800 В, I | ICВO | 10 | мА | ||
| Обратный ток эмиттера | VЕВ= 5 В, IС = 0 | IEBO | 10 | мА | ||
| Статический коэффициент передачи тока | IC= 5 A; VCE= 0,2 В | hFE1 | 10 | 40 | ||
| IC= 5 A; VCE= 1 В | hFE2 | 8 | ||||
| Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=10В,IC=0,2 A, | fT | 15 | МГц | ||
| Выходная емкость | IE= 0 А, VCB=10 В, f=1 мГц | Сob | 60 | пФ | ||
| Время включения | IC=5A, IB1=1A; VCC=400В,RL=200Ом IC= 5IB1= -2,5IB2= 2А | ton | 0,5 | мс | ||
| Время удержания | tSTG | 3 | мс | |||
| Время выключения | tf | 0,3 | мс | |||
Транзисторы C5027-R также делятся на три группы, в зависимости от коэффициента передачи тока (измеряется при следующих значениях: IC= 5 A; VCE= 0,2 В).
- N не менее 10 и не более 20;
- R не менее 15 и не более 30;
- O не менее 20 и не более 40.
Аналоги
Среди аналогичных транзисторов, на которые можно заменить C5027-R, назовём следующие:
- 2SC3752;
- FJPF5027;
- 2SC2979.
Близким по параметрам является BUL216. Подходящих отечественных аналогов нет. Перед заменой, нужно изучить технические характеристики обеих устройств и только после этого принимать решение.
Производители и Datasheet
Изготавливают транзистор C5027-R (datasheet по клику на названия) следующие зарубежные компании:
- Fairchild Semiconductor;
- Samsung;
- Savantic;
- Tiger Electronic;
- New Jersey Semi-Conductor Products.
В отечественных магазинах можно купить устройства, выпущенные фирмами:
- Foshan Blue Rocket Electronics;
- Inchange Semiconductor;
- Savantic.
