C5027 характеристики на русском
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Высказывания: Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора C5027SЭта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора C5027S . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний |
| Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
| 1250 | 700 | 600 | 9 | 2000 | 150 | 5000000 | 5-40 |
Производитель: ATE
Сфера применения:
Популярность: 10711
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора C5027S
| Общий вид транзистора C5027S. | Цоколевка транзистора C5027S. |
Обозначение контактов:
Международное: C – коллектор, B – база, E – эмиттер.
Российское: К – коллектор, Б – база, Э – эмиттер.
Дата создания страницы: 2016-02-11 09:48:42.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора C5027S.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Биполярный транзистор KSC5027 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC5027
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220
KSC5027 Datasheet (PDF)
1.1. ksc5027.pdf Size:53K _fairchild_semi
KSC5027 High Voltage and High Reliability � High Speed Switching � W >1.2. ksc5027.pdf Size:24K _samsung
KSC5027 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY TO-220 HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter C
1.3. ksc5027f.pdf Size:74K _samsung
KSC5027F NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING TO-220F W >1.4. ksc5027.pdf Size:88K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSC5027 DESCRIPTION · ·With TO-220C package ·High voltage and high reliability ·High speed switching ·W >
Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
Корпус транзистора KSC5027 и его обозначение на схеме
Описание
Кремниевый NPN эпитаксиальный транзистор для использования в промышленном оборудовании.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1100 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттера-база | — | — | — | 7 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный | — | — | — | 3,0 | А |
| Ip | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 10,0 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 1,5 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 800 В, Ie = 0 В | — | — | 10 | мкА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 5 В, Ic = 0 В | — | — | 10 | мкА |
| Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 0,2 А | 10 | — | 40 | ||
| Vce = 5 В, Ic = 1,0 А | 8 | — | — | |||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А | — | — | 2 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А | — | — | 1,5 | В |
| tON | Время включения | Ic = 0,3 А, Ib = 0,06 А | — | — | 0,5 | мкс |
| fT | Граничная частота эффективного усиления | Vce = 10 В, Ic = 0,2 А | — | 15 | — | МГц |
| Tf | Время спада импульса | RI = 200 Ом | — | — | 0,3 | мкс |
| N | O | |||||
| 10 20 | 20 40 |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
“>
Параметры транзистора 2SC5027-R биполярного низкочастотного npn. Справочник транзисторов.
Параметры транзистора 2SC5027-R биполярного низкочастотного npn, его основные характеристики и схемы. Цоколевка, продавцы и производители транзистора 2SC5027-R.
Характеристики транзистора KSC5027-R
- Структура – n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 1100 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
- Ток коллектора, не более: 3 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 30
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
- Корпус: TO-220
Источник: http://radiolibrary.ru/reference/transistor-imp/ksc5027-r.html
Основные параметры транзистора 2SC5027-R биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5027-R . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 50W | 1100V | 800V | 7V | 3A | 150°C | 15MHz | 35 | 15/30 |
Производитель: SAMSUNG
Сфера применения: Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 30909
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Источник: http://paratran.com/2paratran.php?tr=65433
Прайс-лист
1. Скачайте наш актуальный прайс-лист:
2. Подпишитесь на рассылку, чтобы еженедельно получать свежий прайс!
| E-mail: | |
| Неверный адрес E-mail Введите E-mail адрес |
+7 (495) 926-81-06
Напишите нам
Источник: http://pl-1.org/catalog-chip/aktivnie-radiodetali/transistory-bipolyarnie/7020-2sc5027-j5027-r-c5027-r-to-220
C5027-Search —–> KSC5027
| Наименование: | C5027 |
|---|---|
| Производитель: | Fairchild Semiconductor |
| Скачать даташит (datasheet): | |
| Описание: | Search —–> KSC5027 |
| Другие, ссылающиеся на этот файл: | C5027 |
Источник: http://radioradar.net/datasheet_search/C/5/0/C5027_FairchildSemiconductor.pdf.html
Классификация по hFE
Транзисторы серии KSC5027 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор
KSC5027-N
имеет коэффициент усиления в диапазоне от
10
до
20
,
KSC5027-R
– в диапазоне от
15
до
30
,
KSC5027-O
– в диапазоне от
20
до
40
.
Источник: http://radiolibrary.ru/reference/transistor-imp/ksc5027-r.html
Схемы транзистора 2SC5027-R
Обозначение контактов:
Международное: C – коллектор, B – база, E – эмиттер.
Российское: К – коллектор, Б – база, Э – эмиттер.
Аналоги транзистора 2SC5027-R
Где купить транзистор 2SC5027-R?
Источник: http://paratran.com/2paratran.php?tr=65433
Информация для покупателей
Доставка по Беларуси
Источник: http://radiosxema.by/products/tranzistor-bipolyarnyj-2sc5027-j5027-r
Цены:
| Цена за 1 шт: | 33,00 р. |
| Спец 1 (от 5 шт): | 27,00 р. |
Источник: http://pl-1.org/catalog-chip/aktivnie-radiodetali/transistory-bipolyarnie/7020-2sc5027-j5027-r-c5027-r-to-220
FJP5027R Datasheet (PDF)
7.1. fjp5027.pdf Size:59K _fairchild_semi
FJP5027High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre
Другие транзисторы… KRA722F, KRA722T, KRA722U, KRA723E, KRA723F, KRA723T, KRA723U, KRA724E, BU508, KRA724T, KRA724U, KRA725E, KRA725T, KRA725U, KRA726E, KRA726T, KRA726U.
Источник: http://alltransistors.com/ru/transistor.php?transistor=69454
Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC5027-R.
Вы знаете больше о транзисторе 2SC5027-R, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2SC5027-R.
Добавить рисунок транзистора 2SC5027-R.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2SC5027-R.
Источник: http://paratran.com/2paratran.php?tr=65433
FJP5027R Аналоги
FJP5027R отечественный анало FJP5027RTU: FJP5027R TO-220 NPN 800V 3A, FJP5027RTU TO-220 NPN 800V 3A 50000mW. FJP5027R характеристики и его российские аналоги FJP5027RTU: FJP5027R Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220, FJP5027RTU Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220 T/R. FJP5027R аналоги FJP5027RTU Корпус/Пакет: FJP5027R Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220, FJP5027RTU Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220 T/R.
индекс соответствующей страницы модели: A B C D E F G H I J
K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9Источник: http://ru.findic.com/compare/fjp5027r-vs-fjp5027rtu-2pEX22v4Z.html
( 1 оценка, среднее 5 из 5 )
Ремонт импульсного блока питания ПК (на примере JNC SY-300ATX)
Вскрытие корпуса БП:
Начинаем проверку, особо обращая внимание на поврежденные, изменившие цвет, потемневшие или сгоревшие детали.
Вскрытие корпуса БП:
Начинаем проверку, особо обращая внимание на поврежденные, изменившие цвет, потемневшие или сгоревшие детали.
1. немного стекла от предохранителя
Сгоревший предохранитель свидетельствует о неисправности диодов входного выпрямителя, либо ключевых транзисторов или схемы дежурного режима (у меня сгорело все 🙂 наверное, от старости)
2. Сгорел транзистор c5027s, корпус разорвало:
3. Сгорел (разорвало) транзистор C945 (дежурка)>
4. Вздулись конденсаторы: 470Мф 10В, 1000Мф 16В (выходные фильтры и дежурка)
5. Нет фото, но скажу, что сгорел оптрон 817 (дежурка).
6. Сгорел диодный мост (диоды).
Диоды должны быть рассчитаны на ток от 4 до 8 ампер. 2А диоды, встречающиеся в дешевых блоках, сразу меняем на что то помощнее.
Ну, вроде и все. 🙂
Сам ремонт:
Начал из замены сгоревшего.
конденсаторы:
— 470Мф 10В
— 1000Мф 16В
— транзистор c5027s на с3150 (из другого БП)
— транзистор C945 на аналогичный (выпаял из платы сгоревшего UPS)
— оптрон 817 на аналогичный
— заменил предохранитель
Проверил дежурное питание на фиолетовом проводе +5VSB (все ок)
После этого запустил БП замкнув +5VSB на черный провод, все заработало кулер зажужжал и появился весь диапазон питания +5 на красном, +12 на желтом, +3,3 на оранжевом проводе.
Модернизация:
— заменил перемычки на дроссель
— сгоревшие диоды на мост KBl406
— допаял недостающих варисторов 472 2KV
— развел ребра радиатора
— смазал кулер силиконовой смазкой (теперь работает очень тихо )
Проверял резисторы, диоды и др. обвязку ничего больше не сгорело.
Впаял конденсатор сетевого фильтра (нет на фото).
Еще хочу заменить дискретные диоды на выпрямительные модули (для улучшения характеристик БП).
Еще хочу добавить, что я после этого немного увлекся ремонтом БП. И что интересного успел заметить, так это то, что я проживаю в сельской местности, а трансформаторы и другая электрическая начинка нашей электросети района еще из советских времен. Короче говоря, качество электричества плохое 170-270 Вольт и т.д. :). Мне попались около 8 блоков питания, в которых вздулись конденсаторы (признаки у кого как, перезагрузка ПК, вообще не включался, слетала постоянно через 1-2 дня windows ну и т.д.) перепаял и все заработало отлично.
Источник: http://electronics-lab.ru/blog/remont/114.html
2n5551 транзистор характеристики, российские аналоги, цоколевка
2N5551C Datasheet (PDF)
1.1. 2n5551csm.pdf Size:31K _upd
2N5551CSM
HIGH VOLTAGE NPN
SWITCHING TRANSISTOR IN A
HERMETICALLY SEALED
MECHANICAL DATA
CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
Dimensions in mm (inches)
FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004) 0.31 FEATURES
rad.
(0.012)
• SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
3
TRANSISTOR
• HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT
PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)
21
• CECC SCREENING OPTIONS
1.9
1.2. 2n5551cn.pdf Size:249K _upd
2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20
1.3. 2n5551cn.pdf Size:249K _auk
2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20
1.4. 2n5551c.pdf Size:32K _kec
SEMICONDUCTOR 2N5551C
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
B C
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
N DIM MILLIMETERS
: VCBO=180V, VCEO=160V
A 4.70 MAX
E
K
Low Leakage Current. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
: ICBO=50nA(Max.), VCB=120V
D 0.45
E 1.00
Low Saturation Voltage
F 1.27
G 0.85
: VCE(sat)=0.2V(Max.),
Биполярный транзистор KST5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KST5551
Маркировка: G1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT-23
KST5551
Datasheet (PDF)
1.1. kst5551.pdf Size:44K _fairchild_semi
KST5551
Amplifier Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V
3
Collector Power Dissipation: PC (max)=350mW
2
SOT-23
1
Mark: G1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V
VEBO Emitter-Base Voltage
4.1. kst5550.pdf Size:56K _fairchild_semi
KST5550
High Voltage Transistor
3
2
SOT-23
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 160 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current 600 mA
PC Collector Power Dissipation 350 mW
TSTG Storage Temperatu
5.1. kst55 kst56.pdf Size:44K _fairchild_semi
KST55/56
Driver Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST55: — 60V
3
KST56: — 80V
Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW
Complement to KST05/06
2
SOT-23
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector Base Voltage
: KST55 -60 V
: KST56 -80 V
5.2. kst55.pdf Size:21K _samsung
KST55/56 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
DRIVER TRANSISTOR
SOT-23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector Base Voltage VCBO
:KST55 -60 V
:KST56 -80 V
Collector-Emitter Voltage VCEO
:KST55 -60 V
:KST56 -80 V
Emitter-Base Voltage VEBO -4 V
Collector Current IC -500 mA
Collector Dissipation PC 350 mW
Storage Temperature TSTG 150
Thermal R
Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.
Биполярный транзистор 2N5551C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5551C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO92
2N5551C
Datasheet (PDF)
1.1. 2n5551csm.pdf Size:31K _upd
2N5551CSM
HIGH VOLTAGE NPN
SWITCHING TRANSISTOR IN A
HERMETICALLY SEALED
MECHANICAL DATA
CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
Dimensions in mm (inches)
FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004) 0.31 FEATURES
rad.
(0.012)
• SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
3
TRANSISTOR
• HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT
PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)
21
• CECC SCREENING OPTIONS
1.9
1.2. 2n5551cn.pdf Size:249K _upd
2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20
1.3. 2n5551cn.pdf Size:249K _auk
2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20
1.4. 2n5551c.pdf Size:32K _kec
SEMICONDUCTOR 2N5551C
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
B C
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
N DIM MILLIMETERS
: VCBO=180V, VCEO=160V
A 4.70 MAX
E
K
Low Leakage Current. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
: ICBO=50nA(Max.), VCB=120V
D 0.45
E 1.00
Low Saturation Voltage
F 1.27
G 0.85
: VCE(sat)=0.2V(Max.),
Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.
Где и как использовать ?
Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.
Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.
PZT5551L3 Datasheet (PDF)
1.1. pzt5551l3.pdf Size:222K _cystek
Spec. No. : C208L3
Issued Date : 2004.09.21
CYStech Electronics Corp.
Revised Date : 2008.07.04
Page No. : 1/5
General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
PZT5551L3
Description
The PZT5551L3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage.
Features
• High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA)
CEO C
• Complement to BT
3.1. pzt5551.pdf Size:193K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
PZT5551 NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
* High Collector-Emitter Voltage:
VCEO=160V
* High current gain
ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
PZT5551L-x-AA3-R PZT5551G-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reel
www.unisonic.com.tw 1of 4
Copyright 2012
3.2. pzt5551.pdf Size:333K _wietron
PZT5551
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
COLLECTOR
2, 4
4
1. BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
BASE
4.COLLECTOR 1
1 2
3
3
SOT-223
EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25?C)
Symbol
Rating Value Unit
V
Collector-Emitter Voltage CEO V
160
VCBO
Collector-Base Voltage 180 V
VEBO
Emitter-Base Voltage 6 V
IC
Collector Current (DC) 600 mA
PD
Total Device Disspation 1.5 W
Junc
2SC5551 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc5551af-td-e.pdf Size:185K _update
Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta
1.2. 2sc5551ae-td-e.pdf Size:185K _update
Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta
1.3. 2sc5551.pdf Size:43K _sanyo
Ordering number:ENN6328
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5551
High-Frequency Medium-Output
Amplifier Applications
Features Package Dimensions
High fT : (fT=3.5GHz typ).
unit:mm
Large current : (IC=300mA).
2038A
Large allowable collector dissipation (1.3W max).
4.5
1.5
1.6
0.4 0.5
3 2 1
0.4
1.5
3.0
1 : Base
0.75
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO :
1.4. 2sc5551a.pdf Size:287K _sanyo
Ordering number : ENA1118 2SC5551A
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
High-Frequency Medium-Output
2SC5551A
Amplifier Applications
Features
High fT : (fT=3.5GHz typ).
Large current : (IC=300mA).
Large allowable collector dissipation (1.3W max).
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collec
KST5551 Datasheet (PDF)
1.1. kst5551.pdf Size:44K _fairchild_semi
KST5551
Amplifier Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V
3
Collector Power Dissipation: PC (max)=350mW
2
SOT-23
1
Mark: G1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V
VEBO Emitter-Base Voltage
4.1. kst5550.pdf Size:56K _fairchild_semi
KST5550
High Voltage Transistor
3
2
SOT-23
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 160 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current 600 mA
PC Collector Power Dissipation 350 mW
TSTG Storage Temperatu
5.1. kst55 kst56.pdf Size:44K _fairchild_semi
KST55/56
Driver Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST55: — 60V
3
KST56: — 80V
Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW
Complement to KST05/06
2
SOT-23
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector Base Voltage
: KST55 -60 V
: KST56 -80 V
5.2. kst55.pdf Size:21K _samsung
KST55/56 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
DRIVER TRANSISTOR
SOT-23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector Base Voltage VCBO
:KST55 -60 V
:KST56 -80 V
Collector-Emitter Voltage VCEO
:KST55 -60 V
:KST56 -80 V
Emitter-Base Voltage VEBO -4 V
Collector Current IC -500 mA
Collector Dissipation PC 350 mW
Storage Temperature TSTG 150
Thermal R
Биполярный транзистор 2SC5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5551
Маркировка: EB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.9
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: PCP
2SC5551
Datasheet (PDF)
1.1. 2sc5551af-td-e.pdf Size:185K _update
Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta
1.2. 2sc5551ae-td-e.pdf Size:185K _update
Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta
1.3. 2sc5551.pdf Size:43K _sanyo
Ordering number:ENN6328
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5551
High-Frequency Medium-Output
Amplifier Applications
Features Package Dimensions
High fT : (fT=3.5GHz typ).
unit:mm
Large current : (IC=300mA).
2038A
Large allowable collector dissipation (1.3W max).
4.5
1.5
1.6
0.4 0.5
3 2 1
0.4
1.5
3.0
1 : Base
0.75
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO :
1.4. 2sc5551a.pdf Size:287K _sanyo
Ordering number : ENA1118 2SC5551A
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
High-Frequency Medium-Output
2SC5551A
Amplifier Applications
Features
High fT : (fT=3.5GHz typ).
Large current : (IC=300mA).
Large allowable collector dissipation (1.3W max).
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collec
Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.
Биполярный транзистор CZT5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CZT5551
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT223
CZT5551
Datasheet (PDF)
1.1. czt5551.pdf Size:527K _central
CZT5551
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551 type
is an NPN silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high voltage amplifier
applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITS
Collect
1.2. czt5551hc.pdf Size:527K _central
CZT5551HC
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551HC type
is a high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE
1.3. czt5551e.pdf Size:534K _central
CZT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE • High Collector Breakdown Voltage
1.4. czt5551.pdf Size:669K _secos
CZT5551
NPN Transistor
Elektronische Bauelemente
Epitaxial Planar Transistor
RoHS Compliant Product
SOT-223
Description
The CZT5551 is designed for general
purpose applications requiring high
breakdown voltages.
REF. REF.
Min. Max. Min. Max.
A 6.70 7.30 B 13 TYP.
C 2.90 3.10 J 2.30 REF.
5 5 5 1
D 0.02 0.10 1 6.30 6.70
Date Code
E 0 10 2 6.30 6.70
I 0.60 0.80 3 3.30 3
1.5. czt5551.pdf Size:924K _kexin
SMD Type Transistors
NPN Transistors
CZT5551 (KZT5551)
Unit:mm
SOT-223
6.50±0.2
3.00±0.1
4
■ Features
● High Voltage
● High Voltage Amplifier Application
1 2 3
0.250
2.30 (typ)
Gauge Plane
1.Base
2.Collector
0.70±0.1
3.Emitter
4.60 (typ)
4.Collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 180
Colle
Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.
кб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 | Оригинал | 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор | |
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API | Оригинал | 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API | |
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор | |
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP | OCR сканирование | 2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | |
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | Оригинал | A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | |
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421. | OCR сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 | |
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406 | |
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | |
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343 | |
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 Транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 Транзистор 2SC5854 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF | OCR сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF | |
fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a | |
транзистор | OCR сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | |
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор | Оригинал | 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для ЭЛТ-телевизора Обратный трансформатор ТВ | |
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 | Оригинал | 2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список | |
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР. | OCR сканирование | BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА | |
2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 СВЧ диод 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287 | |
pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора | OCR сканирование | ||
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор | OCR сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор | |
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный компонент транзистора 2SC5387, 2SC5570 в строчной развертке. | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе | |
2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор | Оригинал | 24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора | |
2007 — DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
10PCS 2SC5027 C5027 TO220 TO-220 Транзистор Новый Оригинал: Amazon.com: Industrial & Scientific
В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.
- Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
- Качество товара хорошее. Вес изделия: 0,1 кг (0,22 фунта).
- Мы проверим продукт перед отправкой. Расчетный срок доставки: 6-24 дня (отслеживаемый) —— Мы предоставляем услуги ускоренной доставки: 2-7 дней. (без учета времени обработки) .Если сумма заказа превышает 120 долларов США, мы будет пользоваться услугой ускоренной доставки бесплатно.
- Мы профессиональный дистрибьютор электронных компонентов. Мы также продаем другие виды продукции. просто найдите номер модели в нашем магазине.
- Мы прилагаем все усилия, чтобы предоставить клиентам удовлетворительное обслуживание. Любой вопрос, пожалуйста, свяжитесь со мной.
Характеристики
| Фирменное наименование | Пайалу |
|---|---|
| Ean | 45523022 |
| Номер детали | paiEle_9404 |
| Код UNSPSC | 32000000 |
| رقم القطعة | Обновление до | المصنعين | |
| 1N3215 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N3944 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N3956 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4314 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4315 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4316 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4317 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4318 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4319 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4381 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4391 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4392 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4445 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4500 | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4500 + JAN | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4500 + JANTX | Диод | American Microsemiconductor | |
| 1N4523 | Диод | American Microsemiconductor |
C5027 Транзисторы FSC | Весвин Электроникс Лимитед
C5027 от производителя FSC — это микросхема с высоким напряжением и высокой надежностью.Более подробную информацию о C5027 можно увидеть ниже.
Категории- Транзисторы
- Производитель
- FSC
- Veswin Номер детали
- V1070-C5027
- Статус бессвинцовой / RoHS
- Бессвинцовый / соответствует требованиям RoHS
- Состояние
- Новое и оригинальное — заводская упаковка
- Состояние на складе
- Наличие на складе
- Минимальный заказ
- 1
- Расчетное время доставки
- 9 ноября — 14 ноября (выберите ускоренную доставку)
- Модели EDA / CAD
- C5027 от SnapEDA
- Условия хранения
- Шкаф для сухого хранения и пакет защиты от влажности
Ищете C5027? Добро пожаловать в Весвин.com, наши специалисты по продажам всегда готовы помочь вам. Вы можете получить доступность компонентов и цены для C5027, просмотреть подробную информацию, включая производителя C5027 и спецификации. Вы можете купить или узнать о C5027 прямо здесь, прямо сейчас. Veswin — дистрибьютор электронных компонентов для бытовых, обычных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Veswin поставляет промышленные, Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, клиентов CEM и ремонтных центров по всему миру.У нас есть большой запас электронных компонентов, который может включать C5027, готовый к отправке в тот же день или в короткие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором C5027 с полным спектром услуг для C5027. У нас есть возможность закупить и поставить C5027 по всему миру, чтобы помочь вам с цепочкой поставок электронных компонентов. Теперь!
- Q: Как заказать C5027?
- A: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
- Q: Как платить за C5027?
- A: Мы принимаем T / T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
- Вопрос: Как долго я могу получить C5027?
- A: Мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
Мы также можем отправить заказной авиапочтой, обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем веб-сайте. - Вопрос: C5027 Гарантия?
- A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
- Вопрос: C5027 Техническая поддержка?
- A: Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке C5027, примечаниями по применению, заменой, таблица данных в pdf, руководство, схема, эквивалент, перекрестная ссылка.
СЕРТИФИКАЦИЯ ISO
Регистрация ISO дает вам уверенность в том, что системы Veswin Electronics точны, всеобъемлющи и соответствуют строгим требованиям стандарта ISO. Эти требования обеспечивают долгосрочную приверженность компании Veswin Electronics постоянному совершенствованию.
Примечание. Мы делаем все возможное, чтобы на нашем веб-сайте появлялись правильные данные о товарах.Перед заказом обратитесь к техническому описанию продукта / каталогу для получения подтвержденных технических характеристик от производителя. Если вы заметили ошибку, сообщите нам об этом.
Время обработки ： Стоимость доставки зависит от зоны и страны.
Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты.Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
ПРИМЕЧАНИЕ. Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal. (AMEX принимается через Paypal).
Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или артикулом продукта.Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal.
- Гарантия 90 дней;
- Предотгрузочная инспекция (PSI) будет применяться;
- Если некоторые из полученных вами товаров не идеального качества, мы ответственно организуем вам возврат или замену.Но предметы должны оставаться в исходном состоянии;
- Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
- Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете A: вернуть его и получить полный возврат или B: получить частичное возмещение и оставить товар себе.
- Налоги и НДС не будут включены;
- Для получения более подробной информации, пожалуйста, просмотрите нашу страницу часто задаваемых вопросов.
