C5129 транзистор характеристики – 2SC5129 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

2SC5129 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5129 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC5129 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Изолированный корпус.
  • Прибор снят с производства, рекомендованная замена — 2SC5855.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 10,0/20 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 6,0 А 4 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 6 A, Ib = 1,5 А 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 6,0 А
Ib Ток базы 5,0 А
Tf Время спада импульса F = 64 кГц 0,15 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Микросхемы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.



Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2

2

2

2
U0вх, В
схема

0,8

0,8

0,8

U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В

0,4

0,35 0,5

0,5

0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 2,4 3,5

2,7 3,4

2,7 3,4

2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В

250

100

250

I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В

40

20

50

I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В

-40

-20

-50

I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В

40

20

50

20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В

1

0,1

1

0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В

-1,6

-0,4

-2,0

-0,6
Iк.з., мА U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18

-55

-100

-100 -60 -150

www.microshemca.ru

2SC5148 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5148 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC5148 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Изолированный корпус.
  • Прибор снят с производства, рекомендованная замена — 2SC5855.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 8,0/16 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 5,0 А 3,8 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 A, Ib = 1,3 А 5,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 6,0 А
Ib Ток базы 4,0 А
Tf Время спада импульса F = 64 кГц 0,15 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

2SC5149 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5149 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC5149 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Встроенный демпферный диод.
  • Изолированный корпус.
  • Прибор снят с производства, рекомендованная замена — 2SC5339.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 8,0/16 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 А 8 25
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 A, Ib = 1,3 А 5,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 2 А
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде IF = 5,0 А 1,35 1,8 В
Tf Время спада импульса F = 31,55 кГц 0,2 0,5 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

2SC5587 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5587 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC5587 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Четвертое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Изолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 750 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 17/34 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 75 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 14 А 5 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 14 A, Ib = 3,5 А 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 14 А
Ib Ток базы 8,5 А
Tf Время спада импульса F = 64 кГц 0,15 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

KSC5386 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора KSC5386 и его обозначение на схемеКорпус транзистора KSC5386 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки мониторов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттера-база 6 В
Ic Ток коллектора постоянный 7,0 А
Ip Ток коллектора импульсный 16,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 В 10 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 В 40 250 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 А 8 22
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А 5 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,0 А, Ib = 1,2 А 4,2 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5,0 А, Ib = 1,2 А 1,5 В
VF Падение напряжения на прямосмещенном диоде IF = 6,0 А 2 В
Tf Время спада импульса Ic = 4,0 А, RI = 50 Ом 0,2 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о