Каковы основные параметры транзистора C5129. Где он используется. Какие у него особенности. Чем отличается от аналогов. Как правильно его применять.
Основные характеристики транзистора C5129
Транзистор C5129 (2SC5129) представляет собой кремниевый NPN диффузионный транзистор, предназначенный для использования в выходных каскадах строчной развертки телевизионных приемников и мониторов. Рассмотрим его ключевые характеристики:
- Максимальное напряжение коллектор-база (Vcbo): 1500 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 600 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (Vebo): 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 10 А
- Максимальный импульсный ток коллектора: 20 А
- Максимальная рассеиваемая мощность на коллекторе: 50 Вт при температуре 25°C
- Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (hFE): 4-8 при Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
- Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 3,0 В при Ic = 6 A, Ib = 1,5 А
- Время спада импульса: 0,15-0,3 мкс при частоте 64 кГц
Эти параметры делают C5129 высоковольтным транзистором с высокой скоростью переключения и низким напряжением насыщения, что идеально подходит для применения в схемах строчной развертки.
Применение транзистора C5129 в электронных устройствах
Транзистор C5129 нашел широкое применение в различных электронных устройствах. Где конкретно он используется?
- Телевизионные приемники: C5129 применяется в выходных каскадах строчной развертки, обеспечивая формирование горизонтальной развертки изображения.
- Мониторы: транзистор используется в схемах горизонтального отклонения электронного луча в ЭЛТ-мониторах.
- Осциллографы: C5129 может применяться в схемах горизонтальной развертки аналоговых осциллографов.
- Импульсные источники питания: благодаря высокой скорости переключения, транзистор подходит для использования в мощных импульсных преобразователях.
Важно отметить, что с развитием технологий и переходом на ЖК и LED-дисплеи, применение C5129 в новых разработках становится менее актуальным. Однако он все еще востребован для ремонта и обслуживания старой техники.
Особенности и преимущества транзистора C5129
Чем выделяется транзистор C5129 среди других полупроводниковых приборов? Рассмотрим его ключевые особенности и преимущества:
- Высокое напряжение пробоя: максимальное напряжение коллектор-база 1500 В позволяет использовать транзистор в высоковольтных схемах.
- Большой ток коллектора: способность работать с токами до 10 А (20 А в импульсном режиме) обеспечивает высокую мощность выходного каскада.
- Высокая скорость переключения: малое время спада импульса (0,15-0,3 мкс) позволяет эффективно работать на высоких частотах.
- Низкое напряжение насыщения: максимальное значение 3,0 В при больших токах способствует уменьшению потерь мощности.
- Изолированный корпус: обеспечивает электрическую изоляцию транзистора от радиатора, упрощая монтаж и повышая безопасность.
Эти характеристики делают C5129 отличным выбором для применений, требующих работы с высокими напряжениями и токами при сохранении высокого быстродействия.
Сравнение C5129 с аналогичными транзисторами
Как C5129 соотносится с другими транзисторами подобного класса? Проведем сравнительный анализ с несколькими аналогами:
| Параметр | C5129 | 2SC5148 | 2SC5149 | 2SC5587 |
|---|---|---|---|---|
| Vcbo (В) | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 |
| Vceo (В) | 600 | 600 | 600 | 750 |
| Ic макс (А) | 10/20 | 8/16 | 8/16 | 17/34 |
| Pc (Вт) | 50 | 50 | 50 | 75 |
| hFE | 4-8 | 3.8-8 | 8-25 | 5-8 |
Из таблицы видно, что C5129 имеет сбалансированные характеристики среди аналогов. 2SC5587 превосходит его по максимальному току и мощности, но C5129 остается конкурентоспособным благодаря оптимальному соотношению параметров для типовых применений в строчной развертке.
Рекомендации по применению транзистора C5129
При использовании транзистора C5129 в электронных схемах следует учитывать ряд важных моментов. Какие рекомендации помогут обеспечить его надежную и эффективную работу?
- Теплоотвод: Учитывая высокую рассеиваемую мощность (до 50 Вт), необходимо обеспечить эффективный отвод тепла от корпуса транзистора.
- Защита от перенапряжений: Несмотря на высокое напряжение пробоя, рекомендуется использовать схемы защиты от импульсных перенапряжений.
- Ограничение тока базы: Не превышайте максимально допустимый ток базы (5,0 А) во избежание повреждения транзистора.
- Учет частотных свойств: При работе на высоких частотах учитывайте время спада импульса для корректного расчета схемы.
- Изоляция корпуса: При монтаже на радиатор используйте изолирующие прокладки и теплопроводящую пасту для улучшения теплоотвода.
Соблюдение этих рекомендаций поможет максимально реализовать потенциал транзистора C5129 и обеспечить долговременную и стабильную работу устройства.
Альтернативы и замены транзистора C5129
Учитывая, что транзистор C5129 снят с производства, возникает вопрос о возможных заменах. Какие альтернативы доступны на рынке?
- 2SC5855: Рекомендованная производителем замена, имеет схожие характеристики и улучшенные параметры.
- 2SC5339: Может использоваться как альтернатива в некоторых применениях, особенно там, где требуется встроенный демпферный диод.
- BU2520DF: Транзистор от STMicroelectronics с аналогичными характеристиками, часто используется как замена в схемах строчной развертки.
- 2SC5249: Другой вариант замены с близкими параметрами, подходящий для большинства применений C5129.
При выборе замены важно тщательно сравнивать параметры транзисторов и, при необходимости, вносить корректировки в схему для обеспечения оптимальной работы устройства.
Влияние параметров C5129 на работу электронных устройств
Понимание влияния характеристик транзистора C5129 на функционирование электронных устройств критически важно для разработчиков и инженеров. Как различные параметры C5129 воздействуют на работу схем?
- Высокое напряжение Vceo (600 В) позволяет работать с большими напряжениями питания, что важно для формирования мощных импульсов в строчной развертке телевизоров и мониторов.
- Большой максимальный ток коллектора (до 20 А в импульсном режиме) обеспечивает эффективное отклонение электронного луча в ЭЛТ-устройствах.
- Низкое напряжение насыщения (до 3 В) способствует уменьшению тепловых потерь, что критично для высокочастотных применений.
- Быстрое время спада импульса (0,15-0,3 мкс) позволяет работать на высоких частотах без искажений формы сигнала, что важно для качественного формирования изображения.
- Коэффициент усиления по току (hFE) в диапазоне 4-8 обеспечивает стабильную работу в широком диапазоне токов, но может потребовать дополнительных каскадов усиления в некоторых схемах.
Учет этих факторов позволяет оптимизировать схемотехнические решения и достичь максимальной производительности устройств, использующих C5129.
2SC5129 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора 2SC5129 и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомендованная замена — 2SC5855.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 600 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 10,0/20 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 6,0 А | 4 | — | 8 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 6 A, Ib = 1,5 А | — | — | 3,0 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | — | — | — | 6,0 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 5,0 | А |
| Tf | Время спада импульса | F = 64 кГц | — | 0,15 | 0,3 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
rudatasheet.ru
Микросхемы.
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
Динамические параметры микросхем ТТЛ серииПри совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи.п.= 4,5 В | 2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В | -40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
| Iк.з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
www.microshemca.ru
2SC5148 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора 2SC5148 и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомендованная замена — 2SC5855.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 600 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 8,0/16 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 5,0 А | 3,8 | — | 8 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5 A, Ib = 1,3 А | — | — | 5,0 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | — | — | — | 6,0 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 4,0 | А |
| Tf | Время спада импульса | F = 64 кГц | — | 0,15 | 0,3 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
rudatasheet.ru
2SC5149 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора 2SC5149 и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомендованная замена — 2SC5339.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 600 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 8,0/16 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 1,0 А | 8 | — | 25 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5 A, Ib = 1,3 А | — | — | 5,0 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | — | — | — | 2 | А |
| Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | IF = 5,0 А | — | 1,35 | 1,8 | В |
| Tf | Время спада импульса | F = 31,55 кГц | — | 0,2 | 0,5 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
rudatasheet.ru
2SC5587 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора 2SC5587 и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 750 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 17/34 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 75 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 14 А | 5 | — | 8 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 14 A, Ib = 3,5 А | — | — | 3,0 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | — | — | — | 14 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 8,5 | А |
| Tf | Время спада импульса | F = 64 кГц | — | 0,15 | 0,3 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
rudatasheet.ru
KSC5386 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
|
Корпус транзистора KSC5386 и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки мониторов.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттера-база | — | — | — | 6 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный | — | — | — | 7,0 | А |
| Ip | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 16,0 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 800 В, Ie = 0 В | — | — | 10 | мкА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 4 В, Ic = 0 В | 40 | — | 250 | мА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 1,0 А | 8 | — | 22 | |
| Vce = 5 В, Ic = 5,0 А | 5 | — | 8 | |||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5,0 А, Ib = 1,2 А | — | — | 4,2 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5,0 А, Ib = 1,2 А | — | — | 1,5 | В |
| VF | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | IF = 6,0 А | — | — | 2 | В |
| Tf | Время спада импульса | Ic = 4,0 А, RI = 50 Ом | — | 0,2 | — | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
rudatasheet.ru
