C5802 транзистор характеристики. C5802 — высоковольтный NPN-транзистор для строчной развертки телевизоров

В данной схеме транзистор C5802 работает в ключевом режиме, управляя током через отклоняющую катушку L. Резистор R в цепи базы ограничивает базовый ток, а конденсатор C обеспечивает формирование обратного хода луча.

Альтернативы и аналоги транзистора C5802

В качестве альтернатив или аналогов транзистора C5802 могут использоваться следующие модели:

• BU508A — близкий аналог с похожими характеристиками
• BU508D — версия с встроенным демпферным диодом
• 2SC5251 — транзистор с улучшенными характеристиками переключения
• BUT11A — транзистор с повышенным напряжением пробоя (1700 В)

При выборе альтернативы необходимо тщательно сравнивать все ключевые параметры и убедиться в совместимости с конкретной схемой.

Меры предосторожности при работе с C5802

При работе с высоковольтным транзистором C5802 необходимо соблюдать следующие меры предосторожности:

• Использовать изолированный инструмент при монтаже и настройке схем
• Не прикасаться к выводам транзистора при включенном питании
• Обеспечить надежное заземление оборудования
• Соблюдать меры электростатической защиты при работе с транзистором
• Не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов

Вопросы и ответы по применению C5802

Ниже приведены ответы на некоторые часто задаваемые вопросы по применению транзистора C5802:

Можно ли использовать C5802 в импульсных источниках питания?

Да, C5802 может применяться в высоковольтных импульсных источниках питания благодаря высокому напряжению пробоя и хорошим динамическим характеристикам. Однако следует учитывать, что он оптимизирован для работы на частотах строчной развертки (15-18 кГц).

Какой радиатор рекомендуется использовать с C5802?

Для эффективного охлаждения рекомендуется использовать радиатор с тепловым сопротивлением не более 1.5°C/Вт при максимальной рассеиваемой мощности. Конкретный тип радиатора зависит от условий применения и компоновки устройства.

Требуется ли дополнительная защита транзистора в схеме строчной развертки?

В большинстве случаев рекомендуется использовать дополнительные защитные элементы, такие как снабберные RC-цепи и защитные диоды, для предотвращения выхода транзистора из строя при импульсных перенапряжениях.

Транзистор BU508 — DataSheet

BU508AF Особенности

• Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
• Высокое напряжение пробоя

BU508AW Особенности

• Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
• Высокое напряжение пробоя

BU508DF Особенности

• Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
• Встроенный демпферный диод

BU508DW Особенности

• Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
• Встроенный демпферный диод

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

J5804 транзистор параметры цоколевка

Semiconductor Pinout Informations

J5804 Datasheet – NPN 750V, 10A – Fairchild

Part Number : J5804, FJAF5804TU

Function : NPN 750V, 10A

Package : TO-3P Type

J5804 Datasheet

Reference Datasheet :

The FJA13009 is a 700 V 12 A NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor.

The FJA13009 is designed for high speed switching applications which utilizes the industry standard TO-3P package offering flexibility in design and excellent Power Dissipation.

Features
• High-Speed Switching
• Suitable for Switching Regulator and Motor Control

NTD5804N MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NTD5804N

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 69 A

Общий заряд затвора (Qg): 45 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm

Биполярный транзистор 2SC5804 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5804

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150

Корпус транзистора: T-USM

2SC5804 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5804.pdf Size:374K _isahaya

?SMALL-SIGNAL TRANSISTOR? 2SC5804 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit:mm 2SC5804 is a super mini package resin sealed silicon NPN epitaxial transistor, It is designed for low frequency application. 0.8 0.2 0.2 Since it is a super-thin flat lead type package,a high-density mounting are possible. Complementary

4.1. 2sc5801.pdf Size:100K _update

DATA SHEET NPN SILICON RF TRANSISTOR 2SC5801 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE 3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD FEATURES • Low phase distortion, low voltage operation • Ideal for OSC applications • 3-pin lead-less minimold package ORDERING INFORMATION Part Number Quantity Supplying Form 2SC5801 50 pcs (Non reel) • 8 mm wide embossed taping 2SC5801-T3 10 kpcs/re

4.2. 2sc5808.pdf Size:30K _sanyo

Ordering number : ENN7079 2SC5808 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5808 Switching Power Supply Applications Features Package Dimensions � High breakdown voltage. unit : mm � High speed switching. 2045B � Wide ASO. [2SC5808] � Adoption of MBIT process. 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.85 0.7 1.2 0.6 0.5 1 : Base 2 : Collector 1 2 3 3 : Emitter 4 : Collector SANYO : T

DATA SHEET NPN SILICON RF TRANSISTOR 2SC5800 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD FEATURES � Low phase distortion, low voltage operation � Ideal for OSC applications � Flat-lead 3-pin thin-type ultra super minimold package ORDERING INFORMATION Part Number Quantity Supplying Form 2SC5800 50 pcs (Non reel) � 8 mm wide embos

4.5. 2sc5809.pdf Size:78K _panasonic

Power Transistors 2SC5809 Silicon NPN triple diffusion planar type Unit: mm 4.6�0.2 For high breakdown voltage high-speed switching 9.9�0.3 2.9�0.2 ? 3.2�0.1 � Features � High-speed switching (Fall time tf is short) � High collector-base voltage (Emitter open) VCBO � Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) � TO-220D built-in: Excellent package with withstand voltage 5 kV 1.

4.6. 2sc5807.pdf Size:78K _isahaya

? ? Transistor DEVELOPING 2SC5807 For Low Frequency Amplify Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit :mm 2SC5807 is a silicon NPN epitaxial Transistor. 4.6 MAX It designed with high collector current and high collector dissipation. 1.5 1.6 FEATURE ?High collector current IC=5A ?Small collector to Emitter saturation voltage C E B ??VCE(sat)=0.25V TY

4.7. 2sc5802.pdf Size:146K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC5802 DESCRIPTION ·With TO-3P(H)IS package ·High voltage;high speed ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For high voltage color display horizontal deflection output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings

4.8. 2sc5802.pdf Size:116K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION Ў¤ With TO-3P(H)IS package Ў¤ High voltage;high speed Ў¤ Wide area of safe operation APPLICATIONS Ў¤ For high voltage color display horizontal deflection output applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION 2SC5802 Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol Abso

4.9. 2sc5803.pdf Size:256K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5803 DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) ·High Switching Speed ·W >

RD15HVF1 RD15HVF1-101 [5 шт./1 лот] 175 мГц 520 мГц, 5 Вт заменены 2SC1972 100% Новый оригинальный высокого качества наличии

Описание

Добро пожаловать в наши магазины!

У нас есть только один магазин в AliExpress, и мы нашли другие магазины, которые воруют наши фотографии,Но качество товара отличается, пожалуйста, будьте внимательны при покупке,Поэтому на фото нашего товара был добавлен водяной знак магазина. Если вы хотите просмотреть оригинальную картинку без водяных знаков, свяжитесь с нами! ~

Изображение изделия;

Если вы покупаете больше или у вас есть какие-либо вопросы,

Пожалуйста, свяжитесь с нами как можно скорее!

Возврат и возврат:

Мы предлагаем гарантию на все товары, которые мы продали. Товар будет протестирован перед отправкой, он будет в хорошем состоянии, если есть какие-то проблемы с товаром, не стесняйтесь связаться с нами.

Пожалуйста, напишите нам, чтобы уведомить о дефектном товаре. Если не указано иное, этот товар поставляется с 14 дней гарантии с даты отгрузки.

Вы должны связаться с нами перед возвратом любого товара. Возврат должен быть в новом состоянии (покупатель должен вернуть все оригинальные и неповрежденные предметы при повторной продаже).

Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.

Мы тепло благодарим вас за ваши положительные отзывы, и завершите транзакцию, наша система оставит вам положительные отзывы.

Таможенные пошлины и плата за доставку:

Для всех заказов клиентов, мы не взимаем плату за доставку, даже 1 шт. часть.

Когда части прибыли на ваш местный таможенный обычай, если части были взиманы таможенные пошлины, мы не несем ответственности за какие-либо таможенные пошлины или налог на импорт.

Убедитесь, что вы прочли детали доставки, определите ожидаемое время доставки. Если проект все еще не был доставлен в это время, пожалуйста, дайте нам сообщение, продлить подтверждение получения этого заказа.

Убедитесь, что вы получите 100% удовлетворительный ответ. Выберите, мы вам верный выбор.

Большое спасибо за понимание!

Для покупки товара RD15HVF1 RD15HVF1-101 [5 шт./1 лот] 175 мГц 520 мГц, 5 Вт заменены 2SC1972 100% Новый оригинальный высокого качества наличии нажмите кнопку «купить сейчас». Если вы хотите купить другой товар из категории электронные компоненты и комплектующие или активные компоненты то перейдите по ссылкам вверху страницы.

c5802% 20 техническое описание транзистора и примечания по применению

C5802 Folha de dados (PDF) — Fairchild Semiconductor

C5802 Datenblatt (PDF) — Fairchild Semiconductor

2N5684 (PNP), 2N5686 (NPN) — сильноточные комплементарные кремниевые силовые транзисторы

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > транслировать application / pdf

w008 техническое описание и примечания по применению

C5802 Лист данных, PDF — Альдаташит

Все

Ярлык

Техническое описание

C5802

Дистрибьютор

поиск Описание

Нет данных

Начать с

Нет данных

C5802 (27) рекомендуемый результат.

Match, Like

Выбранный язык

* C5802 (6) * LC5802 (1) * SC5802 (5)

Включено

* C5802 * (21)

Производитель

ALL

TELC9 (

TSC (7)

NSC (2)

JMNIC (2)

FAIRCHILD (1)

C5802 Datasheet, PDF Производитель электроники

Номер детали

Datasheet

Описание электроники High Voltage

Выходной сигнал отклонения дисплея по горизонтали (встроенный демпферный диод)

TSC5802D

Высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением

TSC5802D

Высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением

TSC5802DCHC5G

Высокое напряжение с быстрым переключением NPN

TSC5802DCHC5G

Высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением

TSC5802DCPROG

Высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением 90 009

TSC5802DCPROG высокого напряжения Перемотка Переключение NPN питания Транзистор

TSC5802D_15 высокого напряжения Перемотка Переключение NPN Транзистор силы

TC54VC5802ECB НАПРЯЖЕНИЕ ДАТЧИКА

TC54VC5802ECBRTP НАПРЯЖЕНИЯ ДЕТЕКТОР

Fairchild Semiconductor

Taiwan Semiconductor Co…

TelCom Semiconductor, I …

C5802 Datasheet, PDF Подробнее

C5802 Дистрибьютор Дистрибьютор

Номер детали

5174681-7

Производитель электроники

Цена

PLUKED PLUG. : Соответствует

1,000: 5,9732 доллара США 500: 6,758 доллара США 100: 8,066 доллара США 10: 9,592 доллара США 1: 10,03 доллара США

FIXED IND 6,8UH 8,25 MOHM SMD RoHS: Соответствует

3000: 2,38525 доллара США 1500: 2,4675 доллара США 900: 2,54976 600: 2,632 доллара США 30000 долларов США7965

Taiwan Semiconductor

Транзистор NPN 1050V 2.5A TO-251 IPAK, TU

75: 0,178 £ 750: 0,155 £ 1,500: 0,139 £

2,850

Taiwan Semiconductor

Транзистор NPN 450VL

DPN 450VL 2,5A

250: 0,164 фунта стерлингов 500: 0,147 фунта стерлингов

4800

TE Connectivity Ltd

Digi-Key

B82559A6682A019

TSC5802DCH Компоненты C5G RS

TSC5802DCP ROG 9ty0009. BuyNow

Описание электроники

TDK Epcos

913

300

CLC5802IM

National Semiconductor Corporation

Rochester Electronics

C5802.41.01 Newark element14

SC5802N

1: 2,53 доллара 25: 2,35 доллара 100: 2,26 доллара 500: 2,17 доллара 1000: 2,06 доллара

RoHS: не соответствует

General Cable Technologies Corporation

1C / 18 RG6 / U AERIAL FL + 60% AL

L-com Inc

SPT, 2-WAY 5,3-5,9 ГГц NF CON

570

0

1: 114,19 $

0

C5802 Дистрибьютор Подробнее

C5802 Производитель Электроника Производитель

Номер детали -000

Лист данных Дата Размер

Описание электроники

Rohs Pb Free Жизненный цикл

CONN BACKSHELL ADPT SZ 10-10SL

да активен

TE Connectivity Ltd

Подробная информация о производителе
02

C50007 URL http: // www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=C5802 Помогает ли ALLDATASHEET вашему бизнесу? [ПОЖЕРТВОВАТЬ] Об Alldatasheet | Реклама | Свяжитесь с нами | Политика конфиденциальности | Закладка | Обмен ссылками | Список производителей Все права защищены © Alldatasheet.