C5803 транзистор характеристики: Даташиты (Datasheets C5803) электронных компонентов

Содержание

Качество c5803 транзисторов для электронных проектов

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. c5803 транзисторов на выбор в соответствии с вашими потребностями. c5803 транзисторов являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. c5803 транзисторов, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

c5803 транзисторов состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. c5803 транзисторов охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. c5803 транзисторов скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. c5803 транзисторов для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. c5803 транзисторов на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. c5803 транзисторов для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. c5803 транзисторов на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Самые простые сирены и ревуны сделай сам. Сирена воздушной тревоги своими руками на двух транзисторах

В сегодняшней статье я хочу рассказать о сирене воздушной тревоги

Схема довольно проста и собрать не сложно будет

Попалась мне схема Сирены воздушной тревоги с сайта РадиКот.Ру

Схема прикольная и я решил собрать, но как вы видите что бы поменять тональность, надо нажимать на кнопочку. Я думал как это можно автоматизировать, думал и придумал. Помните я писал про , вот она то и будет работать в этой схеме. Вот что у меня теперь вышло

Минимум деталей, максимум эффекта:

R1 = 68к
R2 = 51к
R3 = 22к
R4,5 = 10к

VT1= КТ315
VT2= П217
VT3,4= S9014

Динамик использовал на 5 Вт 16 Ом от телека разобранного

Результатом остался доволен, но соседи долго потом орали. Хорошо что они не знают кто это сделал. Удачи в сборке

Related Posts

Вынул из телевизоров динамики 3ГДШ-1, чтоб не лежали без дела решил сделать колонки, но так как внешний усилитель с сабвуфером у меня есть, значит, буду собирать сателлиты.

Всем привет, уважаемые радиолюбители и аудиоманы! Сегодня я расскажу как доработать высокочастотный динамик 3ГД-31 (-1300) он же 5ГДВ-1. Применялись они в таких акустических системах, как 10МАС-1 и 1М, 15МАС, 25АС-109…….

Здравствуйте уважаемые читатели. Да уж, давненько я не писал посты для блога, но со всей ответственностью хочу заявить, что теперь буду стараться не отставать, и буду писать обзоры и статьи…….

Здравствуйте уважаемый посетитель. Я знаю зачем вы читаете эту статью. Да да знаю. Нет что вы? Я не телепат, просто я знаю почему вы попали именно на эту страничку. Наверняка…….

И снова мой знакомый Вячеслав (SAXON_1996) Хочет поделится своей наработкой по колонкам. Слово Вячеславу Досталась как — то мне одна колонка 10МАС с фильтром и высокочастотным динамиком. Я долго не…….

На рисунке 1 приведена схема простой двухтональной сирены предназначенной для питания от аккумуляторов напряжением 12 вольт, в частности от автомобильного.

Она содержит три автогенератора: переключающий на элементах DD1.1, DDI.2 (с частотой переключения 1Гц) и два звуковых -на элементах DD1.3, DD1.4 (f=1 кГц) – 1, на элементах DD2.2, DD2.3 (f=500 Гц) — 2. Чтобы звуковые генераторы работали поочередно, управляющие импульсы на второй звуковой генератор поданы с выхода переключающего генератора через инвертор DD2.1. В этом случае, пока напряжение на выходе элемента DD1.2 имеет высокий уровень, возбуждается автогенератор, собранный на элементах DD1.3, DD1.4. Когда же на выходе элемента DD1.2 присутствует низкий уровень, возбуждается автогенератор, реализованный на элементах DD2.2, DD2.3. Импульсы с выходов звуковых генераторов через элемент DD1.4, выполняющий операцию логического сложения, подаются на усилитель звуковой частоты (VT1), нагрузкой которого служит динамическая головка ВА1. Таким образом, динамическая головка ВА1 поочередно воспроизводит два тона 500 Гц и 1 кГц по 0,5 с каждый.

Так как микросхема К561ЛА7 имеет диапазон рабочих напряжений 5…15 вольт, то с помощью резистора R6, изменяя напряжение питания устройства, можно регулировать мощность звукового сигнала, подаваемую на звукоизлучающую головку ВА1. Номинал этого резистора для других напряжений (на схеме указан номинал резистора для напряжения на выходе

микросхемы КРЕН8А – 9 вольт) можно рассчитать по формуле 1) на рис.1. Хотя транзистор VT1 работает в ключевом режиме, ему все равно потребуется радиатор, т.к. мощность подводимая к излучателю ВА1, при напряжении питания более 10 вольт, может намного превышать 10Вт, эта мощность во многом зависит и от сопротивления излучателя. Если в качестве нагрузки будет применен излучатель с большим внутренним сопротивлением, то его необходимо включить в коллекторную цепь транзистора.

Микросхема стабилизатора тоже установлена на небольшой радиатор, хотя при больших мощностях звукового сигнала, габариты радиаторов надо будет увеличить, адаптировать при этом и топологию проводников печатной платы, которую можно вместе со схемой скачать здесь.

При подключении схемы к аккумулятору будьте внимательны. Переполюсовка неизбежно приведет к мору микрух. У нас на работе бытовал термин, я извиняюсь – защита ЗОД – защита от дурака (не примите на свой счет), которая состояла: или из последовательно прямовключенного диода (рассчитанного на соответствующий потребляемый ток), или диода включенного параллельно входным клеммам питания устройства, через предохранитель. В первом случае, на диоде будет выделяться бесполезная мощность, а во втором – придется каждый раз, когда вы окажитесь … — менять предохранитель. ШУТКА.

Иногда, в перерывах между собиранием более сложных устройств, появляется желание развлечься и собрать что-нибудь, пусть не имеющее практической пользы, но как предмет, который так, навскидку, можно показать знакомым, на вопрос, что интересного и оригинального собрал.

Схема этой прерывистой сирены очень простая, я нашел её несколько лет назад в интернете, тогда же была спаяна плата и опробована на практике. В основе её лежит генератор на транзисторах VT1 и VT2, собранный по схеме несимметричного мультивибратора. Как она работает: при нажатии на кнопку SB1 раздается звук сирены с все повышающейся тональностью, после отпускания кнопки тональность понижается и сирена замолкает. Тональность звучания можно изменить подбором конденсатора С2, либо взять несколько конденсаторов соединив их последовательно, параллельно или в смешанное соединение. Динамик взял мощностью 0.1 Вт, он стоял раньше в какой-то китайской игрушке. Взять динамик больших размеров не позволял корпус. Плату тогда травить не стал, а изготовил её путем прорезания канавок.


При проверке сирены экспериментировал с разными динамиками, мощностью от 0.1 до 5 Вт, сопротивлением 4-8 Ом, со всеми работало нормально. Напряжение питания подавал 9-11 вольт, можно запитать от «кроны ” либо если удастся найти в продаже 2 последовательно соединенных батарей

3R12 (советское название 3336 ) на 4.5 вольт, последних хватит на дольше.


Также можно запитать от китайского блока питания выдающего 9-12 вольт. Если кто-либо не захочет вручную, кнопкой, задавать тональность звучания, думаю можно подключить заместо кнопки симметричный мультивибратор, тогда в то время, когда транзистор мультивибратора будет открыт, сирена будет звучать, когда транзистор закрыт, соответственно молчать. Вот фото готового устройства:


Конденсаторы поставил пленочные, просто потому, что они у меня были, но и керамические конденсаторы, я думаю, работали бы здесь не хуже. Транзисторы также можно взять любые соответствующей структуры. В ждущем режиме, при замкнутом выключателе SA1, устройство потребляет незначительный ток, что позволяет при желании использовать его в качестве квартирного звонка. При нажатой кнопке SB1 потребляемый ток возрастает до 40 мА. Привожу рисунок печатной платы этой сирены:

Автор статьи — учащийся седьмого
класса общеобразователь­ного лицея № 17 г. Северодвинска. Он занимается в
городском центре юношеского научно-технического творчества в кружке
радиоэлектроники, которым руководит Виктор Иванович Хохленко. Предлагаемые
устройства могут найти применение в системах тревожного оповещения и охранной
сигнализации.

Звуковые электромеханические и
электронные сирены широко ис­пользуются для оповещения в экстрен­ных ситуациях.
На небольших пред­приятиях, в школах, особенно в сельс­кой местности, можно
применить пред­лагаемые сирены, собранные из до­ступных недорогих деталей. За
основу были приняты схемы устройств, описа­ние которых дано в книге Иванова Б.
С. “Самоделки юного радиолюбителя” (М.: ДОСААФ, 1988, с. 27-31).

Схема сирены на транзисторах пока­зана
на рис. 1. Генератор звуковой частоты собран на транзисторах VT4, VT5 по схеме
несимметричного мульти­вибратора. Его нагрузкой является ди­намическая головка

ВА1. Частота гене­рации зависит от емкости конденсато­ра С4, сопротивлений
резисторов R7, R8, параметров транзисторов VT4, VT5 и напряжения на
конденсаторе СЗ. На транзисторах VT1, VT2 по схеме сим­метричного
мультивибратора собран генератор инфразвуковой частоты, на транзисторе VT3 —
эмиттерный повто­ритель.

Выходной сигнал генератора инфра­звуковой
частоты с периодом следова­ния импульсов несколько секунд через резистор R5 поступает
на базу транзи­стора VT3. Когда транзистор VT2 за­крыт, на резисторе R4 напряжение
близко к нулю, транзистор VT3 открыт и происходит зарядка конденсатора СЗ через
резистор R6. Когда транзистор VT2 открывается, напряжение на резис­торе R4 возрастает
почти до напряже­ния питания, что приводит к закрыва­нию транзистора VT3 и
разрядке кон­денсатора СЗ через резисторы R7, R8 и базу транзистора VT4.

Поскольку напряжение на конденса­торе
СЗ периодически плавно изме­няется (возрастает, убывает и снова возрастает), то

в соответствии с ним изменяется частота звукового генера­тора. Так формируется
сигнал сирены, тональность которого также плавно из­меняется.

На рис. 2 показана схема второй
сирены, в которой генератор инфразву- ковой частоты построен на логической
микросхеме К561ЛЕ5. На элементах DD1.1-DD1.3 собран генератор пря­моугольных
импульсов, скважность ко­торых (отношение периода следования к длительности
импульса) зависит от сопротивления резисторов R2 и R3. Элемент DD1.4 работает
как инвертор сигнала. Генератор звуковой частоты собран на транзисторах VT1, VT2
по такой же схеме, как и в первой сирене. Сигнал с выхода элемента DD1.4 управ­ляет
частотой этого генератора. При напряжении высокого уровня на выходе элемента DD1.4
происходит зарядка конденсатора С2, при низком уровне — его разрядка.

Большинство деталей первой и вто­рой
сирен, кроме динамической голов­ки, устанавливают на печатных платах из

односторонне фольгированного стеклотекстолита толщиной 1… 1,5 мм, чертежи
которых показаны на рис. 3 и рис. 4 соответственно. Внешний вид смонтированных
устройств — на рис. 5 и рис. 6.

Применены резисторы С2-23, МЯТ,
оксидные конденсаторы — импортные, в звуковом генераторе применен конден­сатор
К73-9, в генераторе инфранизкой частоты второй сирены — К10-17. Транзисторы
структуры п-р-п можно применить любые из серий КТ315, КТ3102. Транзистор КТ816Б
заменим на транзисторы серий КТ814, КТ816 с любыми буквенными индексами.

Микросхему К561ЛЕ5 можно заменить
на К561ЛА7. Диоды — любые кремние­вые маломощные импульсные или выпрямительные,
например, серий КД102, КД103, КД510, КД521, КД522, Д220. Динами­ческая головка
— любая средне- частотная или широкополосная с сопротивлением катушки не ме­нее
8 Ом и мощностью более 2 Вт. Питать устройства можно от батареи аккумуляторов
или гальваниче­ских элементов, а также от сетевых ста­билизированных источников

питания с выходным током до 0,5 А.

Налаживания не требуется. При
желании то­нальность сигна­ла первой сире­ны можно изме­нять подборкой
конденсатора С4, а второй — СЗ. Скорость
измене­ния частоты в пер­вой сирене осу­ществляют под­боркой конден­сатора С1, а во второй — кон­денсатора С1 или резисторов R2,
R3.

Устройства ра­ботоспособны в
интервале питаю­щего напряжения 4… 12 В. Однако при этом, во-пер­вых,
изменится тональность, что может потребо­вать дополни­тельного нала­живания.
Во-вто­рых, при увели­чении питающе­го напряжения необходимо при­менять динами­ческие
головки большей мощно­сти, а при ис­пользовании ма­ломощных после­довательно с
ни­ми следует вклю­чить гасящий ре­зистор сопротив­лением 1…5 Ом и мощностью
не­сколько ватт.

Устройства можно использо­вать
как источник сигнала для мощ­ного УЗЧ. Для этого динамичес­кую головку за­меняют
резисто­ром сопротивлением 10… 12 Ом. Сигнал снимают с раз­делительного
конденсатора (С5 — на рис. 1). Для ослабления сигнала можно применить
резистивный делитель. В таком варианте сирена была применена совместно с мощным
трансляционным УЗЧ и использовалась в лицее для подачи сигнала на учениях по
гражданс­кой обороне.


Звуковая сирена используется в разных местах и для самых разнообразных целей для оповещения о чем-то. Её возможно приспособить к какой-то охранной системе, встроить в игрушку, взять в качестве звонка для двери или еще как-нибудь. Собрав эту несложную однотонную сирену, мы получим громкий и неприятный звук, как раз для того чтобы быстро отреагировать на уведомление.


Несложная принципиальная схема сирены с небольшим количеством деталей ждет вас на рисунке выше. Условно принципиальную схему можно разделить на две части: мультивибратор — усилитель низкой частоты. Мультивибратор занимается тем что генерирует сигнал определенной частоты, а усилитель, в свою очередь, усиливает его. В итоге, получается громкий звук с колебаниями около 2000 Гц.

Мультивибратор у нас генерирует импульсы посредством быстрого открытия/закрытия транзисторов BC547. Частота, в главной мере, связана со значениями ёмкости конденсаторов и частично от базовых резисторов и самих транзисторов. В схеме стандартная ёмкость C1 и C2 = 10 нФ и 22 нФ, при вариации этих номиналов правится и тональность электрической сирены. Получать можно с коллектора любого из транзисторов (VT1/VT2). В данном приборе сигнал идет через резистор далее на каскад УНЧ. Усилитель базируется на двух весьма распространенных биполярных транзисторах BC547 и BD137.

Вот некоторые вычислительные параметры мультивибратора. Частота примерно 959,442 Гц (мультиметр показывает на коллекторе сделанного генератора 1-1,1 кГц), скважность S=1,45, период T=0,000104. Сии сведения могут отличаться в зависимости от применяемых транзисторов, других отклонений в характеристиках радиодеталей… На частоту звучания влияет практически все. Ток, который берет от источника питания схемы может доходить до 0,5 Ампер, при 12 Вольтах.

Схемка и плата в Протеусе (файл ISIS и ARES ): (скачиваний: 212)
Трехмерная плата в 3DS : (скачиваний: 127)


Транзистор структуры NPN из усилителя низкой частоты будет нагреваться при активизации сирены, так что его ставим на теплоотвод, у меня используется мощный и большой C5803.


Теперь про замену некоторых деталей. Тут можно много чего заменить, например, транзисторы в гене берем практически любые (нпн) КТ315, BC548 и КТ3102 – все они будут отлично работать. Аналогом BC327 в этой схеме будет BC558/BC557/КТ3107. BD139 заменяется вообще любим такой же мощностью или больше. Ёмкость конденсаторов будут изменять частоту, тут также выбор велик, экспериментируя подбираем предпочтительный звук. Резисторы могут немного меняться, но помним, что в первой части схемы должно сопротивление R1 и R4 должно быть меньше чем R2, R4.


Воспроизводим звук сирены на любой динамик, который есть, R катушки равно 8-25 Ом. Я пробовал с самыми различными и от радиоприёмника, и от домашнего стационарного телефона. Также попробуйте испытать в качестве излучателя звука пьезоэлемент, к нему обязательно крепим резонатор (можно использовать корпус).
Сильно тихая сирена? Не проблема! Берем готовый УНЧ, к примеру, какую-то тдашку (the digital audio). Их разнообразие поражает, от небольших микросхем в DIP-8 на 1 Ватт, до больших с силой более 100 Ватт. Я бы посоветовал взять что-нибудь средненькое, TDA2003 (до 10W) или TDA2030 (до 18 Ватт). Не забываем смотреть какое питание нужно для того или иного «умощнителя» звука звука.


Внешний вид собранной навесным монтажом сирены:


Питание от 6 до 12 Вольт (с большим тоже отлично функционирует). Мощность на выходе до пяти Ватт. При применении аккумуляторов/батареек получаем автономную сирену, которая сможет работать без сетевого напряжения. Если же давать питание от 220V, то тут берем готовый БП или переделываем зарядку для телефона путем замены стабилитрона на нужное напряжение.

Демонстрация сирены, видео:

Полицейская мигалка на велосипед и велосипедная сирена


Простая однотональная сирена для оповещения о важных событиях


Звуковая сирена используется в разных местах и для самых разнообразных целей для оповещения о чем-то. Её возможно приспособить к какой-то охранной системе, встроить в игрушку, взять в качестве звонка для двери или еще как-нибудь. Собрав эту несложную однотонную сирену, мы получим громкий и неприятный звук, как раз для того чтобы быстро отреагировать на уведомление.


Несложная принципиальная схема сирены с небольшим количеством деталей ждет вас на рисунке выше. Условно принципиальную схему можно разделить на две части: мультивибратор — усилитель низкой частоты. Мультивибратор занимается тем что генерирует сигнал определенной частоты, а усилитель, в свою очередь, усиливает его. В итоге, получается громкий звук с колебаниями около 2000 Гц.
Мультивибратор у нас генерирует импульсы посредством быстрого открытия/закрытия транзисторов BC547. Частота, в главной мере, связана со значениями ёмкости конденсаторов и частично от базовых резисторов и самих транзисторов. В схеме стандартная ёмкость C1 и C2 = 10 нФ и 22 нФ, при вариации этих номиналов правится и тональность электрической сирены. Получать можно с коллектора любого из транзисторов (VT1/VT2). В данном приборе сигнал идет через резистор далее на каскад УНЧ. Усилитель базируется на двух весьма распространенных биполярных транзисторах BC547 и BD137.

Вот некоторые вычислительные параметры мультивибратора. Частота примерно 959,442 Гц (мультиметр показывает на коллекторе сделанного генератора 1-1,1 кГц), скважность S=1,45, период T=0,000104. Сии сведения могут отличаться в зависимости от применяемых транзисторов, других отклонений в характеристиках радиодеталей… На частоту звучания влияет практически все. Ток, который берет от источника питания схемы может доходить до 0,5 Ампер, при 12 Вольтах.

Схемка и плата в Протеусе (файл ISIS

и
ARES
): plata-i-shema.rar [47.35 Kb] (скачиваний: 225) Трехмерная плата в
3DS
: pcb-sirena.rar [121.56 Kb] (скачиваний: 135)


Транзистор структуры NPN из усилителя низкой частоты будет нагреваться при активизации сирены, так что его ставим на теплоотвод, у меня используется мощный и большой C5803.


Теперь про замену некоторых деталей. Тут можно много чего заменить, например, транзисторы в гене берем практически любые (нпн) КТ315, BC548 и КТ3102 – все они будут отлично работать. Аналогом BC327 в этой схеме будет BC558/BC557/КТ3107. BD139 заменяется вообще любим такой же мощностью или больше. Ёмкость конденсаторов будут изменять частоту, тут также выбор велик, экспериментируя подбираем предпочтительный звук. Резисторы могут немного меняться, но помним, что в первой части схемы должно сопротивление R1 и R4 должно быть меньше чем R2, R4.


Воспроизводим звук сирены на любой динамик, который есть, R катушки равно 8-25 Ом. Я пробовал с самыми различными и от радиоприёмника, и от домашнего стационарного телефона. Также попробуйте испытать в качестве излучателя звука пьезоэлемент, к нему обязательно крепим резонатор (можно использовать корпус). Сильно тихая сирена? Не проблема! Берем готовый УНЧ, к примеру, какую-то тдашку (the digital audio). Их разнообразие поражает, от небольших микросхем в DIP-8 на 1 Ватт, до больших с силой более 100 Ватт. Я бы посоветовал взять что-нибудь средненькое, TDA2003 (до 10W) или TDA2030 (до 18 Ватт). Не забываем смотреть какое питание нужно для того или иного «умощнителя» звука звука.


Внешний вид собранной навесным монтажом сирены:

Питание от 6 до 12 Вольт (с большим тоже отлично функционирует). Мощность на выходе до пяти Ватт. При применении аккумуляторов/батареек получаем автономную сирену, которая сможет работать без сетевого напряжения. Если же давать питание от 220V, то тут берем готовый БП или переделываем зарядку для телефона путем замены стабилитрона на нужное напряжение.
Демонстрация сирены, видео:

Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.

Простая сирена

У радиолюбителя может накопиться некоторое число динамических го­ловок и радиоэлементов от устаревшей радиоаппаратуры. Используя их вместе с широко распространёнными новыми радиодеталями, можно собрать прос­тую, но эффективную сирену. Она со­брана на основе схемы аналогичного устройства, описанного давным-давно в статье «Бойцам «Зарницы». Внимание, тревога!» в журнале «Юный техник» № 4 за 1974 г., с. 69. Основные отличия — способ включения и применение ми­гающего светодиода для изменения тональности подаваемого сигнала.

Рис. 1

Схема сирены показана на рис. 1. Она собрана по схеме несимметрично­го мультивибратора на транзисторах VT1 и VT2. При подаче питания вспыхивает мигающий светодиод HL1, и через него и резистор R3 заряжает­ся конденсатор С1. Когда светодиод гаснет, конденсатор С1 разряжает­ся через резисторы R1, R2 и базу транзистора VT1. При изменении напряжения на конденсаторе С1 изменяется тональность сигнала сирены. Тон становится то выше, то ниже. Последовательно с выключа­телем SA1 включено гнездо XS1 для головных телефонов. Штекер, вставленный в это гнездо, размы­кает контакты гнезда, через кото­рые поступает напряжение питания, и играет роль чеки, при удалении кото­рой сирена включается (если замкнуты контакты выключателя SA1). Большинство элементов смонтиро­ваны на плате из одностороннего фольгированного стеклотекстолита (рис. 2).

Рис. 2

Разрезы сделаны с помощью резака или скальпеля. Применены постоянные резисторы МЛТ, С2-23. Конденсатор С1 — оксидный К50-35 или импортный, С2 — серии К10-17 или К73. Мигающий светодиод может быть любого цвета свечения. Транзистор МП35 можно заменить транзисторами МП36, МП37 и МП38 с любыми буквен­ными индексами, П213 — любыми се­рий П214, П215. Транзистор VT2 уста­новлен на теплоотвод площадью около 80 см2. Его следует использовать, если предполагается длительная непрерывная работа устройст­ва, а при кратковремен­ном включении (1…2 мин) можно обойтись без него. Выключатель SA1 — любой малогабаритный с фикса­цией, например, кнопоч­ный PBS-11А green. Дина­мическая головка должна быть с сопротивлением ка­тушки не менее 8 Ом, на­пример, 2ГДШ-3, ЗГДШ-1.

Можно применить две последовательно включён­ные головки с сопротивле­нием катушки по 4 Ом, на­пример 2ГД-40. В зависи­мости от применённой го­ловки придётся использо­вать соответствующий кор­пус. Гнездо (моно или сте­рео) — для головных теле­фонов диаметром 3,5 мм, например, ST-214C, К211. Если корпус сирены будет металлический, например, от компьютерного блока питания, теп­лоотвод необходимо изолировать от него. Питается устройство от трёх батарей 3R12 или сетевого источника питания напряжением 12…15 В. Мини­мальное напряжение питания — 9 В, максимальный потребляемый ток — 200 мА.

Рис. 3

Все элементы установлены в корпу­се от компьютерного блока питания (рис. 3). Выключатель SA1 установлен так, чтобы быть труднодоступным (рис. 4). Он «утоплен» в корпусе, а доступ к нему закрыт непрозрач­ной панелью с небольшим отвер­стием, поэтому выключателя прак­тически не видно. При таком раз­мещении нажать на выключатель пальцем невозможно, и понадо­бится отвёртка, гвоздь или другой тонкий стержень. Поэтому опера­тивно отключить сирену без инст­рументов или повреждения корпу­са не получится.

Рис. 4

Налаживание сводится к полу­чению требуемой тональности зву­чания подборкой конденсатора С2 и резисторов R1, R3 (в интервале ±50 %). Сирену можно применить в различных военных играх или дру­гих массовых мероприятиях, а также сделать частью системы охранной сигнализации.

Автор: Д. ЛЕКОМЦЕВ. г. Орёл

Схема сирены на транзисторах

Схема прерывистой электронной сирены приведена на рис.На транзисторах VT1 и VT2 собран генератор по схеме несимметричного мультивибратора. Простота схемы генератора объясняется использованием транзисторов разной структуры, что позволило обойтись без многих деталей, необходимых для постройки мультивибратора на транзисторах одинаковой структуры.

Колебания генератора, а значит, звук в динамической головке, появляются из-за положительной обратной связи между коллектором транзистора VT2 и базой VT1 через конденсатор С2. От емкости этого конденсатора зависит тональность звука.При подаче выключателем SA1 напряжения питания на генератор звука в головке еще не будет, поскольку на базе транзистора VT1 нет напряжения смещения. Мультивибратор находится в ждущем режиме.Как только нажимают кнопку SB1, начинает заряжаться конденсатор С1 (через резистор R1). Напряжение смещения на базе транзистора VT1 начинает возрастать, и при определенном его значении транзистор открывается. В динамической головке раздается звук нужной тональности. Но напряжение смещения возрастает, и тональность звука плавно изменяется до тех пор, пока конденсатор полностью не зарядится. Продолжительность этого процесса равна 3…5 с и зависит от емкости конденсатора и сопротивления резистора R1.Стоит отпустить кнопку — и конденсатор начнет разряжаться через резисторы R2, R3 и эмиттерный переход транзистора VT1. Тональность звука плавно изменяется, и при определенном напряжении смещения на базе транзистора VT1 звук исчезает. Мультивибратор возвращается в ждущий режим. Продолжительность разрядки конденсатора зависит от его емкости, сопротивления резисторов R2, R3 и эмиттерного перехода транзистора. Она подобрана такой, что, как и в первом случае, тональность звука изменяется в течение 3…5 с.Кроме указанных на схеме, в имитаторе можно использовать другие маломощные кремниевые транзисторы соответствующей структуры со статическим коэффициентом передачи тока не менее 50. В крайнем случае подойдут и германиевые транзисторы — на месте VT1 могут работать МП37А, МП101, а вместо VT2 — МП42А, МП42Б с возможно большим статическим коэффициентом передачи. Конденсатор С1 — К50-6, С2 — МБМ, резисторы — МЛТ-0,25 или МЛТ-0,125. Динамическая головка — мощностью 0,Г…1 Вт со звуковой катушкой сопротивлением 6… 10 Ом (например, головка 0.25ГД-19, 0.5ГД-37, 1ГД-39). Источник питания — батарея «Крона» либо две последовательно соединенные батареи 3336. Выключатель питания и кнопка — любой конструкции.В ждущем режиме имитатор потребляет небольшой ток — он зависит в основном от обратного тока коллектора транзисторов. Поэтому контакты выключателя могут быть замкнуты длительное время, что необходимо, скажем, при использовании имитатора в качестве квартирного звонка. Когда же замыкаются контакты кнопки SB1, потребляемый ток возрастает примерно до 40 мА.

P.S. Схема проста и можно рекомендовать начинающим радиолюбителям. Транзисторы в схеме можно заменить аналогичными маломощными низкочастотными разной проводимости импортного производства.

ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ

П О П У Л Я Р Н О Е:

Простейший радиомикрофон с частотной модуляцией

Этот малогабаритный радиомикрофон можно использовать не только по назначению, но и как жучок. Также может использоваться для передачи звука из одной комнаты в другую, например, чтобы узнать проснулся малыш или нет. Также как беспроводной домофон и т.п.

Модулированный ВЧ сигнал от радиомикрофона можно «поймать» на обычном УКВ-приемнике.

Имея под рукой принципиальную электрическую схему автомобиля и любой простейший вольтметр для измерения постоянного напряжения минимум до 15 вольт и омметр (можно собрать самому этот), имея даже небольшие познания в электротехнике можно самому разобраться в поломке электрической части своего автомобиля. Подробнее…

Схемы, предложенные ниже рассчитаны на ловлю мышей, крыс и мелких животных, например котов и даже птиц.

Избавиться от грызунов, особенно крыс, с помощью обычной мышеловки затруднительно. Эти животные достаточно сообразительны, чтобы не попасться самим и предупредить сородичей о грозящей опасности.

Часто возникают ситуации, когда нужно отловить любимого хомячка или домашнюю крысу, так некстати сбежавших из клетки, и не причинить им вреда. Поможет в этой беде электронная мышеловка, которая не только отлавливает любых мелких животных, но и предупреждает об этом звуковым сигналом.

Автор статьи — учащийся седьмого
класса общеобразователь­ного лицея № 17 г. Северодвинска. Он занимается в
городском центре юношеского научно-технического творчества в кружке
радиоэлектроники, которым руководит Виктор Иванович Хохленко. Предлагаемые
устройства могут найти применение в системах тревожного оповещения и охранной
сигнализации.

Звуковые электромеханические и
электронные сирены широко ис­пользуются для оповещения в экстрен­ных ситуациях.
На небольших пред­приятиях, в школах, особенно в сельс­кой местности, можно
применить пред­лагаемые сирены, собранные из до­ступных недорогих деталей. За
основу были приняты схемы устройств, описа­ние которых дано в книге Иванова Б.
С. “Самоделки юного радиолюбителя” (М.: ДОСААФ, 1988, с. 27—31).

Схема сирены на транзисторах пока­зана
на рис. 1. Генератор звуковой частоты собран на транзисторах VT4, VT5 по схеме
несимметричного мульти­вибратора. Его нагрузкой является ди­намическая головка
ВА1. Частота гене­рации зависит от емкости конденсато­ра С4, сопротивлений
резисторов R7, R8, параметров транзисторов VT4, VT5 и напряжения на
конденсаторе СЗ. На транзисторах VT1, VT2 по схеме сим­метричного
мультивибратора собран генератор инфразвуковой частоты, на транзисторе VT3 —
эмиттерный повто­ритель.

Выходной сигнал генератора инфра­звуковой
частоты с периодом следова­ния импульсов несколько секунд через резистор R5 поступает
на базу транзи­стора VT3. Когда транзистор VT2 за­крыт, на резисторе R4 напряжение
близко к нулю, транзистор VT3 открыт и происходит зарядка конденсатора СЗ через
резистор R6. Когда транзистор VT2 открывается, напряжение на резис­торе R4 возрастает
почти до напряже­ния питания, что приводит к закрыва­нию транзистора VT3 и
разрядке кон­денсатора СЗ через резисторы R7, R8 и базу транзистора VT4.

Поскольку напряжение на конденса­торе
СЗ периодически плавно изме­няется (возрастает, убывает и снова возрастает), то
в соответствии с ним изменяется частота звукового генера­тора. Так формируется
сигнал сирены, тональность которого также плавно из­меняется.

На рис. 2 показана схема второй
сирены, в которой генератор инфразву- ковой частоты построен на логической
микросхеме К561ЛЕ5. На элементах DD1.1—DD1.3 собран генератор пря­моугольных
импульсов, скважность ко­торых (отношение периода следования к длительности
импульса) зависит от сопротивления резисторов R2 и R3. Элемент DD1.4 работает
как инвертор сигнала. Генератор звуковой частоты собран на транзисторах VT1, VT2
по такой же схеме, как и в первой сирене. Сигнал с выхода элемента DD1.4 управ­ляет
частотой этого генератора. При напряжении высокого уровня на выходе элемента DD1.4
происходит зарядка конденсатора С2, при низком уровне — его разрядка.

Большинство деталей первой и вто­рой
сирен, кроме динамической голов­ки, устанавливают на печатных платах из
односторонне фольгированного стеклотекстолита толщиной 1… 1,5 мм, чертежи
которых показаны на рис. 3 и рис. 4 соответственно. Внешний вид смонтированных
устройств — на рис. 5 и рис. 6.

Применены резисторы С2-23, МЯТ,
оксидные конденсаторы — импортные, в звуковом генераторе применен конден­сатор
К73-9, в генераторе инфранизкой частоты второй сирены — К10-17. Транзисторы
структуры п-р-п можно применить любые из серий КТ315, КТ3102. Транзистор КТ816Б
заменим на транзисторы серий КТ814, КТ816 с любыми буквенными индексами.

Микросхему К561ЛЕ5 можно заменить
на К561ЛА7. Диоды — любые кремние­вые маломощные импульсные или выпрямительные,
например, серий КД102, КД103, КД510, КД521, КД522, Д220. Динами­ческая головка
— любая средне- частотная или широкополосная с сопротивлением катушки не ме­нее
8 Ом и мощностью более 2 Вт. Питать устройства можно от батареи аккумуляторов
или гальваниче­ских элементов, а также от сетевых ста­билизированных источников
питания с выходным током до 0,5 А.

Налаживания не требуется. При
желании то­нальность сигна­ла первой сире­ны можно изме­нять подборкой
конденсатора С4, а второй — СЗ. Скорость
измене­ния частоты в пер­вой сирене осу­ществляют под­боркой конден­сатора С1, а во второй — кон­денсатора С1 или резисторов R2,
R3.

Устройства ра­ботоспособны в
интервале питаю­щего напряжения 4… 12 В. Однако при этом, во-пер­вых,
изменится тональность, что может потребо­вать дополни­тельного нала­живания.
Во-вто­рых, при увели­чении питающе­го напряжения необходимо при­менять динами­ческие
головки большей мощно­сти, а при ис­пользовании ма­ломощных после­довательно с
ни­ми следует вклю­чить гасящий ре­зистор сопротив­лением 1…5 Ом и мощностью
не­сколько ватт.

Устройства можно использо­вать
как источник сигнала для мощ­ного УЗЧ. Для этого динамичес­кую головку за­меняют
резисто­ром сопротивлением 10… 12 Ом. Сигнал снимают с раз­делительного
конденсатора (С5 — на рис. 1). Для ослабления сигнала можно применить
резистивный делитель. В таком варианте сирена была применена совместно с мощным
трансляционным УЗЧ и использовалась в лицее для подачи сигнала на учениях по
гражданс­кой обороне.

Несложная принципиальная схема сирены с небольшим количеством деталей ждет вас на рисунке выше. Условно принципиальную схему можно разделить на две части: мультивибратор — усилитель низкой частоты. Мультивибратор занимается тем что генерирует сигнал определенной частоты, а усилитель, в свою очередь, усиливает его. В итоге, получается громкий звук с колебаниями около 2000 Гц.

Мультивибратор у нас генерирует импульсы посредством быстрого открытия/закрытия транзисторов BC547. Частота, в главной мере, связана со значениями ёмкости конденсаторов и частично от базовых резисторов и самих транзисторов. В схеме стандартная ёмкость C1 и C2 = 10 нФ и 22 нФ, при вариации этих номиналов правится и тональность электрической сирены. Получать можно с коллектора любого из транзисторов (VT1/VT2). В данном приборе сигнал идет через резистор далее на каскад УНЧ. Усилитель базируется на двух весьма распространенных биполярных транзисторах BC547 и BD137.

Вот некоторые вычислительные параметры мультивибратора. Частота примерно 959,442 Гц (мультиметр показывает на коллекторе сделанного генератора 1-1,1 кГц), скважность S=1,45, период T=0,000104. Сии сведения могут отличаться в зависимости от применяемых транзисторов, других отклонений в характеристиках радиодеталей. На частоту звучания влияет практически все. Ток, который берет от источника питания схемы может доходить до 0,5 Ампер, при 12 Вольтах.


Транзистор структуры NPN из усилителя низкой частоты будет нагреваться при активизации сирены, так что его ставим на теплоотвод, у меня используется мощный и большой C5803.



Питание от 6 до 12 Вольт (с большим тоже отлично функционирует). Мощность на выходе до пяти Ватт. При применении аккумуляторов/батареек получаем автономную сирену, которая сможет работать без сетевого напряжения. Если же давать питание от 220V, то тут берем готовый БП или переделываем зарядку для телефона путем замены стабилитрона на нужное напряжение.

Демонстрация сирены, видео:

Электронная сирена своими руками. Сирена для сигнализации – эффективный способ спугнуть злоумышленника. Зачем покупать – сделаем сирену своими руками

Это видео канала Паяльник TV создано специально для начинающих радиолюбителей, так как мы будем рассматривать очень простую схему, которая будет имитировать звук сирены. Работает она на 2 биполярных транзисторах разной структуры.

схема сирены на 2 транзисторах

Звук, воспроизводимый динамиком, будет создаваться благодаря тому, что база транзистора vt1 связана через конденсатор с небольшой емкостью с коллектором транзистора vt2. Здесь присутствует положительная обратная связь между ними. От емкости конденсатора c2 зависит тональность звука.

Работа сирены в симуляторе

Далее схему будем рассматривать в симуляторе everycircuit, чтобы понять протекающие в ней процессы. В симуляторе отсутствует динамик, поэтому он заменен на лампочку. После подачи питания ничего происходить не будет. Второй транзистор с нагрузкой хоть и подключен к источнику питания, но толк в этом контуре в первый момент времени протекать не будет, так как транзистор vt2 пока закрыт.

В схеме присутствует кнопка. Если на нее нажать, то конденсатор c1 окажется подключенным к источнику питания через резистор r1. Значит, после нажатия на кнопку этот конденсатор начнет заряжаться до напряжения источника питания. Промежуток времени, за который он зарядится, зависит от сопротивления резистора r1 и от емкости конденсатора. Обычно добиваются промежутков в пределах от трех до шести секунд.
При нажатии на кнопку ток от источника питания поступит не только на конденсатор c1, но также и на базу транзистора vt1. По мере зарядки конденсатора c1 возрастает напряжение смещения на базе этого транзистора и он в некоторый момент времени начинает открываться. Вслед за ним открывается транзистор прямой проводимости vt2. В динамике появляется звук определенной тональности. Но в эти первые секунды напряжение на конденсаторе c1 продолжает возрастать, также как и напряжение смещения на базе первого транзистора. Поэтому тональность звука плавно нарастает. Когда c1 полностью зарядится, это примерно через четыре пять секунд после нажатия, тональность перестанет изменяться и если продолжать удерживать кнопку, ничего не произойдет. Но если кнопку отпустить, тональность звука начнет плавно убывать. Это также зависит от емкости конденсатора и сопротивления r2. R3. Они подобраны так, чтобы тональность менялась так же, как и в первом случае, около четырех-пяти секунд. Процесс зарядки конденсатора хорошо виден по показаниям вольтметра, подключенного параллельно.

Радиодетали в схеме сирены. Для начинающих

Радиодетали дешево можно купить в этом китайском магазине .

Что касается выбора компонентов, то в качестве транзисторов можно выбрать отечественную комплиментарную пару кт315 и кт361, но так как на vt2 от этого приходится некоторая нагрузка, то лучше использовать, как и в представленном случае, более мощные кт816.
Динамик сопротивлением около восьми ом мощностью до трех ватт. Больше нет смысла.

Сопротивление резисторов можно отклонять плюс минус 20 процентов от указанных на схеме. Конденсатор c1 от ста до двухсот мкф от напряжением не менее шестнадцати вольт. Кстати, можно заметить что на плате в качестве этого конденсатора помехоподавляющий конденсатор серии mpx. Благодаря ему получается наиболее приятное звучание в отличие от керамических.
В качестве источника питания подходит крона на 9 вольт. Максимум можно питать от 12 вольт.


Звуковая сирена используется в разных местах и для самых разнообразных целей для оповещения о чем-то. Её возможно приспособить к какой-то охранной системе, встроить в игрушку, взять в качестве звонка для двери или еще как-нибудь. Собрав эту несложную однотонную сирену, мы получим громкий и неприятный звук, как раз для того чтобы быстро отреагировать на уведомление.


Несложная принципиальная схема сирены с небольшим количеством деталей ждет вас на рисунке выше. Условно принципиальную схему можно разделить на две части: мультивибратор — усилитель низкой частоты. Мультивибратор занимается тем что генерирует сигнал определенной частоты, а усилитель, в свою очередь, усиливает его. В итоге, получается громкий звук с колебаниями около 2000 Гц.

Мультивибратор у нас генерирует импульсы посредством быстрого открытия/закрытия транзисторов BC547. Частота, в главной мере, связана со значениями ёмкости конденсаторов и частично от базовых резисторов и самих транзисторов. В схеме стандартная ёмкость C1 и C2 = 10 нФ и 22 нФ, при вариации этих номиналов правится и тональность электрической сирены. Получать можно с коллектора любого из транзисторов (VT1/VT2). В данном приборе сигнал идет через резистор далее на каскад УНЧ. Усилитель базируется на двух весьма распространенных биполярных транзисторах BC547 и BD137.

Вот некоторые вычислительные параметры мультивибратора. Частота примерно 959,442 Гц (мультиметр показывает на коллекторе сделанного генератора 1-1,1 кГц), скважность S=1,45, период T=0,000104. Сии сведения могут отличаться в зависимости от применяемых транзисторов, других отклонений в характеристиках радиодеталей… На частоту звучания влияет практически все. Ток, который берет от источника питания схемы может доходить до 0,5 Ампер, при 12 Вольтах.

Схемка и плата в Протеусе (файл ISIS и ARES ): (скачиваний: 212)
Трехмерная плата в 3DS : (скачиваний: 127)


Транзистор структуры NPN из усилителя низкой частоты будет нагреваться при активизации сирены, так что его ставим на теплоотвод, у меня используется мощный и большой C5803.


Теперь про замену некоторых деталей. Тут можно много чего заменить, например, транзисторы в гене берем практически любые (нпн) КТ315, BC548 и КТ3102 – все они будут отлично работать. Аналогом BC327 в этой схеме будет BC558/BC557/КТ3107. BD139 заменяется вообще любим такой же мощностью или больше. Ёмкость конденсаторов будут изменять частоту, тут также выбор велик, экспериментируя подбираем предпочтительный звук. Резисторы могут немного меняться, но помним, что в первой части схемы должно сопротивление R1 и R4 должно быть меньше чем R2, R4.


Воспроизводим звук сирены на любой динамик, который есть, R катушки равно 8-25 Ом. Я пробовал с самыми различными и от радиоприёмника, и от домашнего стационарного телефона. Также попробуйте испытать в качестве излучателя звука пьезоэлемент, к нему обязательно крепим резонатор (можно использовать корпус).
Сильно тихая сирена? Не проблема! Берем готовый УНЧ, к примеру, какую-то тдашку (the digital audio). Их разнообразие поражает, от небольших микросхем в DIP-8 на 1 Ватт, до больших с силой более 100 Ватт. Я бы посоветовал взять что-нибудь средненькое, TDA2003 (до 10W) или TDA2030 (до 18 Ватт). Не забываем смотреть какое питание нужно для того или иного «умощнителя» звука звука.


Внешний вид собранной навесным монтажом сирены:


Питание от 6 до 12 Вольт (с большим тоже отлично функционирует). Мощность на выходе до пяти Ватт. При применении аккумуляторов/батареек получаем автономную сирену, которая сможет работать без сетевого напряжения. Если же давать питание от 220V, то тут берем готовый БП или переделываем зарядку для телефона путем замены стабилитрона на нужное напряжение.

Демонстрация сирены, видео:

Иногда, в перерывах между собиранием более сложных устройств, появляется желание развлечься и собрать что-нибудь, пусть не имеющее практической пользы, но как предмет, который так, навскидку, можно показать знакомым, на вопрос, что интересного и оригинального собрал.

Схема этой прерывистой сирены очень простая, я нашел её несколько лет назад в интернете, тогда же была спаяна плата и опробована на практике. В основе её лежит генератор на транзисторах VT1 и VT2, собранный по схеме несимметричного мультивибратора. Как она работает: при нажатии на кнопку SB1 раздается звук сирены с все повышающейся тональностью, после отпускания кнопки тональность понижается и сирена замолкает. Тональность звучания можно изменить подбором конденсатора С2, либо взять несколько конденсаторов соединив их последовательно, параллельно или в смешанное соединение. Динамик взял мощностью 0.1 Вт, он стоял раньше в какой-то китайской игрушке. Взять динамик больших размеров не позволял корпус. Плату тогда травить не стал, а изготовил её путем прорезания канавок.


При проверке сирены экспериментировал с разными динамиками, мощностью от 0.1 до 5 Вт, сопротивлением 4-8 Ом, со всеми работало нормально. Напряжение питания подавал 9-11 вольт, можно запитать от «кроны ” либо если удастся найти в продаже 2 последовательно соединенных батарей 3R12 (советское название 3336 ) на 4.5 вольт, последних хватит на дольше.


Также можно запитать от китайского блока питания выдающего 9-12 вольт. Если кто-либо не захочет вручную, кнопкой, задавать тональность звучания, думаю можно подключить заместо кнопки симметричный мультивибратор, тогда в то время, когда транзистор мультивибратора будет открыт, сирена будет звучать, когда транзистор закрыт, соответственно молчать. Вот фото готового устройства:


Конденсаторы поставил пленочные, просто потому, что они у меня были, но и керамические конденсаторы, я думаю, работали бы здесь не хуже. Транзисторы также можно взять любые соответствующей структуры. В ждущем режиме, при замкнутом выключателе SA1, устройство потребляет незначительный ток, что позволяет при желании использовать его в качестве квартирного звонка. При нажатой кнопке SB1 потребляемый ток возрастает до 40 мА. Привожу рисунок печатной платы этой сирены:

Сирена применяется для звукового оповещения какого-либо процесса. Как правило, сирена раздается при возникновении тревожного события, но радиолюбители используют такие звуки в устройствах различной сигнализации. Тональность и частота такого звука заставит злоумышленников отказаться от нехорошего намерения.

Собирая сирену, мы преследуем еще одну цель – улучшить навыки и опыт в разработке электронных устройств. Поскольку данная схема сирены является довольно простой и под силу даже начинающему радиолюбителю, то мы подробно рассмотрим назначение всех элементов схемы.

Схема сирены

Схема сирены состоит из трех , двух , динамика или громкоговорителя и источника питания напряжением 9 В, в качестве которого подойдет крона. Динамик подойдет мощностью до одного ватта, сопротивлением 8 Ом.

Как работает сирена на двух транзисторах

Кнопкой с фиксацией или маленьким выключателем K1 подается питания от кроны 9 В на схему. Звук в динамике BA возникает за счет протекания по его обмотке переменного напряжения, которое формируется с помощью генератора, построенного на транзисторах VT1 и VT2.

При нажатии кнопки без фиксации K2 от источника питания начинает заряжаться конденсатор C1 по пути через резистор R1. По мере заряда C1 возрастает потенциал на базе VT1 и некотором значении напряжения транзистор открывается, а звук в динамике начинает плавно нарастать. Максимальная громкость сирены достигается при полностью заряженном конденсаторе C1. Время нарастания звука равно времени заряда C1, то есть его емкостью и сопротивлением резистора R1.

При отпускании кнопки K2 начинается разрядка электролитического конденсатора, и громкость сирены начинает снижаться за счет снижения потенциала на базе VT1. Время разряда конденсатора, а соответственно время работы сирены определяется емкостью C1, величиной сопротивления R2 и R3, а также сопротивлением pn-перехода база-эмиттер VT1.

Керамический конденсатор C2 образует обратную положительную связь двух транзисторов. Путем изменения емкости C2 можно изменять тональность сирены на двух транзисторах.

Сирена используется для подачи мощного и сильного звукового сигнала для привлечения внимания людей и применяется в системах пожарной сигнализации и автоматики, а также в сочетании с устройствами сигнализации на различных охраняемых объектах.

Генераторы в схеме отмечены желтой рамкой. Первый Г1 задаёт частоту изменения тона, а второй Г2 собственно сам тон, который плавно меняется на транзисторе VT1 включенного последовательно ссопротивлением R2. Для выбора требуемого звучания можно вместо сопротивлений R1, R2 использовать подстроечные резисторы тех же значений.

При включение напряжения питания, звукоизлучатель начинает генерировать тональный акустический сигнал, высота тона меняется с высокого на низкий и обратно. Сигнал звучит непрерывно, изменяется только тон звука, который переключаются с частотой 3-4 Гц.

В схеме сирены применены два мультивибратора на элементах D1.1 и D1.2 микросхемы К561ЛН2, управляющий тоном, и мультивибратор на элементах D1.3 и D1.4 этой же микросхемы, генерирующий тональные сигналы. Частота импульсов, генерируемая первым мультивибратором на элементах D1.3 и D1.4 зависит от элементов C2, R2 и C3, R4. Изменять частоту следования импульсов, а значит и тона звукового сигнала можно как сопротивлениями, так и емкостями.

Предположим, в начальный момент на выходе мультивибратора на элементах D1.1 и D1.2 имеется уровень логической единицы. Так как на катоды диодов VD1 и VD2 поступает плюс, то диоды будут запертыми. Сопротивления R4 и R5, в работе схемы не участвуют и частота на выходе мультивибратора минимальна, звучит низкотональный сигнал.

Как только на выходе этих элементов установится логический ноль диоды VD1 и VD2 откроются и подсоединят сопротивления R4 и R5. В результатечастота навыходе мультивибратора возрастет.

Используемые в схеме транзисторы КТ815 можно заменить на КТ817, а КТ814на КТ816. Диоды — КД521, КД522, КД503, КД102.

Следующее устройство может быть использовано в качестве аварийного сигнализатора или звукового сигнала для горного велосипеда. Оно представляет собой двухтональную сирену и состоит из тактового генератора на элементах DD1.1-DD1.3, двух тональных генераторов (первого на элементах DD2.1, DD2.2 и второго на элементах DD2.3, DD2.4), согласующего каскада с усилителем мощности на элементе DD1.4 и транзисторе VT1.

Схема состоит из двух генераторов. Первый используется для генерации тона, второй для изменения и модулирования.

Для максимального уровня громкости, необходимо, чтобы на пьезоэлемент поступала частота эквивалентная его резонансной частоте по мостовой схеме.

Основа конструкции мощный мультивибратор 4047, работающий в нестабильном режиме. Все это управляется мощным полевым MOSFET-транзистором VТ1, которым управляет таймер NE555, посредством генерации соответствующих прямоугольных импульсов низкой частоты, в результате чего осуществляется пожарной сирены. Переключение режимов работы непрерывно или прерывисто устанавливается с помощью тумблера.

Выводы 10 и 11 микросборки 4047 выдают противофазные, сигналы с которых управляют мостом на четырех MOSFET. Для получения максимальной громкости, то есть установки резонансной частоту пьезоэлемента, в конструкцию добавлен подстроечное сопротивление R6.

Эта схема составлена из сочетания музыкального синтезатора на микросхеме УМС-8-08 с мощным выходным каскадом электронной сирены. Для запуска схемы применено реле, обмотка которого имеет гальваническую развязку от остальной части схемы.


Микросхема УМС имеет стандартную схему подключения. Три кнопочных выключателя S1-S3 дают возможность настроить микросхему на исполнение одной из мелодий. При нажатии на первую кнопку начинается воспроизведение мелодии, а нажимая на третью можно перебрать мелодии и выбрать нужную.


Подборка нескольких схем сирен на микроконтроллерах PIC

Данная схема представляет собой простую многотональную сирену на основе микросборки UM3561


В схеме использован динамик на 8 Ом, мощностью 0,5 Вт. С помощью двух переключателей осуществляется выбор и воспроизведения различных тонов звучания тревожного сигнала. Каждая позиция генерирует свой собственный звуковой эффект.

транзистор% 20c% 205803 техническое описание и примечания по применению

Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: нет текста в файле

ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
кб * 9Д5Н20П

Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI

Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ транзистор mosfet хб * 2Д0Н60П KIA7812API
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837

Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор

Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2

Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421.
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S

Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401

Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651

Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471

Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E

Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор

OCR сканирование
PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для ЭЛТ-телевизора Обратный трансформатор ТВ
транзистор

Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
1999 — транзистор

Реферат: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835

Аннотация: Усилитель на транзисторе BC548, стабилизатор на транзисторе AUDIO Усилитель на транзисторе BC548 на транзисторе 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ПУТЕВОДИТЕЛЬ ТРАНЗИСТОРА
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002 — SE012

Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат

Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочной цепи KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF
варикап диоды

Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ

Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef

Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора
2007 — DDA114TH

Аннотация: DCX114EH DDC114TH
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Справочник транзисторов C5148

Справочник транзисторов C5148

Справочник Allieds по основам транзисторов автора.Книга данных по силовым транзисторам и полупроводникам Toshiba за 1983 год. Бесплатные инструменты для разработчиков электроники, библиотеки Eagle. Эта книга easytouse охватывает все типы транзисторов, в том числе. Bc618 транзисторы Дарлингтона npn кремниевые особенности это pb. C5148 2sc5148 техническое описание компонентов pdf техническое описание бесплатно. Бюссюма и большой выбор связанных книг, произведений искусства и предметов коллекционирования, доступных сейчас на сайте. Ремонт и восстановление старинных радиоприемников Великобритании на транзисторах.

B Абсолютные максимальные номинальные параметры символ номинальные значения единица измерения напряжение передатчика vceo 400 В напряжение коллекторной базы vcbo 450 В напряжение эмиттерной базы vebo 8.C5198 — даташит, аналоги, поиск по перекрестным ссылкам. Порекомендуйте, пожалуйста, книгу по схемам и теории транзисторов. Фабрика Прямая поставка, меньшие заказы отправляются в течение 5 дней на складе. Джонсон отличная книга для изучения электроники простым простым языком.

При использовании устройства в качестве эмиттерного повторителя с низким источником. Об этом много книг, но наверняка кто-то знает сайт, на котором они перечислены и доступны для поиска. Мой запрос прост, у меня нет транзисторов 2n5551 под рукой, и я хочу посмотреть, есть ли в моем списке.Руководство по тиристорам и диодам RCA SC14, а также большой выбор сопутствующих книг, произведений искусства и предметов коллекционирования доступны сейчас на сайте. Выводы транзисторов часто включаются в служебные данные для набора. Технические характеристики транзистора объяснены примечаниями по электронике. Они были сделаны путем травления углублений в германиевой основе n-типа с обеих сторон струями сульфата индия до тех пор, пока она не достигла толщины в несколько десятых тысячных дюйма. Описание npn-транзистора в пластиковом корпусе то92 сот54.

Бесплатные устройства максимальные рейтинги рейтинг символ значение единица коллектор.Диоды и транзисторы pdf 28p В этой заметке рассматриваются следующие темы. Производители транзисторов выпускают спецификации для своих транзисторов, которые обычно можно найти в Интернете, хотя много лет назад инженеры изучали справочники, чтобы найти информацию. Быстрая доставка всех заказов на биполярные транзисторы в пределах европы. Бюссюм и большой выбор сопутствующих книг, искусства. При проектировании электронной схемы для выбора правильного транзистора потребуется несколько параметров транзистора, соответствующих требованиям для.Каталог технических данных транзисторов резисторов смещения серии dtc114e. Бесплатный сборщик единиц измерения номинального значения максимального рейтинга устройства. Если я посмотрю на график для i c 150ma, а затем перейду к i b 15ma, я увижу v ce. У нас самый широкий ассортимент биполярных силовых транзисторов в отрасли, а приверженность Motorola к качеству и полному удовлетворению потребностей клиентов идет с ними.

Типичный номер детали высоковольтного транзистора, который используется в мониторе и телевизоре: bu2508df, c3998, c5148, c5047, c5589, c5803 и т. Д.Npn-дисплей с тройным рассеиванием типа mesa, приложения для высокоскоростной коммутации цветного телевидения, техническое описание c5148, схема c5148, техническая информация c5148. Транзистор с резистором Pnp см. Упрощенную схему, символы и выводы для деталей корпуса. Bc547a транзистор npn 45v 100ma to92 fairchild semiconductor техническое описание pdf техническое описание бесплатно из технического паспорта поиск интегральных схем ic, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. Использование транзисторов, правила транзисторов, схема с общим эмиттером, усиление малого сигнала, полевые транзисторы, рабочие области jfet.Техническое описание транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., для диодов от 1n251 и транзисторов от 2n117 на acrobat 7 pdf 34. Нетбуки с временем автономной работы 12 часов доступны менее чем за 400 долларов. Toshiba транзистор кремний pnp эпитаксиальный тип pct процесс 2sc1959 звуковая частота маломощный усилитель приложения драйвер каскад усилитель приложений переключение приложений отличная линейность hfe.

C547c техническое описание, c547c pdf, c547c техническое описание, техническое описание, техническое описание, pdf.Технические характеристики продукта Inchange Semiconductor isc кремниевый npn-транзистор isc 2sc5148 описание высокое напряжение пробоя. C32725 datasheet 45v, 500ma, to92, pnp транзистор nxp. Эпитаксиальный процесс pct кремния pnp транзистора Toshiba. Vcbo 1500 В мин. Высокая скорость переключения, приложения с низким напряжением насыщения, выходное отклонение по горизонтали для высокого разрешения. Транзистор общего назначения 2pc1815 npn отличается малым током макс. Биполярный, силовой, ВЧ, цифровой, IGBT, однопереходный, FET, JFET и МОП-транзисторы. Например, в этом транзисторе p2n2222a npn я могу посмотреть в таблице характеристик и увидеть, что v ce имеет макс.Техническое описание C1845, c1845 pdf, техническое описание c1845, техническое описание, техническое описание, pdf. C5148 datasheet, c5148 pdf, c5148 data sheet, c5148 manual, c5148 pdf, c5148, datenblatt, electronics c5148, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet. Биполярный транзистор большой мощности pnp в поверхностном устройстве smd power sot669 lfpak56. Описание пиновки 1 цоколь 2 коллектор 3 эмиттер.

Vcbo 1500 В мин. Высокая скорость переключения приложения с низким напряжением насыщения выход горизонтального отклонения для дисплея с высоким разрешением, цветного телевидения.Однако на рисунке 4 представлен график зависимости i b от v ce. Npn 100ma 50v цифровые транзисторы резистор смещения, встроенный транзисторы. Применения общего назначения коммутации и усиления, e. 26 декабря 2018 г. c32725 datasheet 45v, 500ma, to92, pnp transistor philips, bc32725 datasheet, c32725 pdf, распиновка c32725, руководство c32725, схема c32725, эквивалент c32725. Он состоит из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами для подключения к внешней цепи. Справочник технических данных дискретных полупроводников, половина страницы m3d186 bc327 pnp транзистор общего назначения прод.Оригинал sencore tech tips lot 101152 sg80 pa81 lc102 отсутствует 2 и 142.

C1815l datasheet, c1815l pdf, c1815l data sheet, c1815l manual, c1815l pdf, c1815l, datenblatt, electronics c1815l, alldatasheet, free, datasheet, datasheets. Техническое описание сверхнадежных силовых транзисторов lp395 texas instruments. Ремонт и восстановление неисправностей транзисторов. Есть ли что-нибудь, чтобы увидеть, можно ли заменить конкретный транзистор другим? Справочник по транзисторам, один из серии справочников по компонентам, дает ответы на все ваши повседневные вопросы по применению.C536 datasheet v cbo 40v, 2sc536, npn транзистор wej. C536 datasheet v cbo 40v, 2sc536, npn transistor wej, 2sc536 datasheet, c536 pdf, распиновка c536, эквивалент c536, данные, схема, выход, схема c536. База 1 2002 Fairchild Semiconductor Corporation Rev.

Об этом много книг, но наверняка кто-то знает сайт, на котором они перечислены и доступны для поиска, мой запрос прост: у меня нет транзисторов 2n5551 под рукой, и я хочу посмотреть, подойдет ли один из них в моей коробке. Обычно их номиналы вольт, ампер и ватт составляют 1500 вольт и выше, 10 ампер, 50 ватт и больше.Toshiba npn-дисплей типа mesa с тройным рассеиванием, приложения для высокоскоростной коммутации цветных телевизоров, все технические данные, технические данные, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Bc147 был чрезвычайно популярным транзистором npn, первоначально выпущенным в середине 1070-х годов компанией Philips Semiconductor для аудиоприложений. Справочники по интегральным схемам, микроконтроллерам и транзисторам. Mps4126 усилитель транзисторный кремниевый pnp особенности это pb.Таблица данных серии dtc143t абсолютные максимальные характеристики ta 25c значения символа параметра единица базовое напряжение коллектора vcbo 50 в напряжение коллектора передатчика vceo 50 в базовое напряжение эмиттера vebo 5 в коллекторный ток ic 100 ма рассеиваемая мощность dtc143tm pd1 150 мВт dtc143teb 150 dtc143te 150 dtc143143 dtc143143 200 техническое описание, c639 pdf, техническое описание c639, техническое описание, техническое описание, pdf. Эпитаксиальные npn-транзисторы общего назначения pn2222 на. Книга данных по силовым транзисторам и полупроводникам Toshiba, 1983 г., корпорация Toshiba, 1983 г., acrobat 7, pdf 52.Таблица данных печатается только для справочной информации. Данные по многим транзисторам доступны на моем компакт-диске с данными о клапанах. В противном случае его обычно можно получить из справочников транзисторов.

Основы физики полупроводников, диоды, нелинейная модель диода, анализ линии нагрузки, модели диодов с большим сигналом, модель смещенного диода, транзисторы, модель bjt с большим сигналом, анализ линии нагрузки, модель малого сигнала и усиление транзистора. Транзистор bc148 транзистор bc149 npn транзистор bc148 bc158 транзистор транзистор bc118 транзистор bc5 транзистор bc117 транзистор bc148 транзистор bc117 текст.Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время. Toshiba, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Bc489, bc489a сильноточные транзисторы npn кремния особенности это pb. B2, декабрь 2002 г. bc635637639 Абсолютные максимальные характеристики эпитаксиального кремниевого транзистора npn ta25c, если не указано иное, pw5ms, скважность 10%. БРТ-транзистор с резистором смещения содержит единственный транзистор с монолитной цепью смещения.C5148 pdf, описание c5148, таблицы данных c5148, просмотр c5148. A673 даташит кремниевый pnp-транзистор Hitachi, даташит 2sa673, a673 pdf, распиновка a673, руководство a673, схема a673, эквивалент a673, данные a673. На этой схеме показаны выводы для транзисторов Маллара, наиболее часто встречающиеся в британских транзисторных радиоприемниках, изготовленных в 1960-х годах, если смотреть снизу. 04 января 2017 г. a673 datasheet, кремниевый pnp-транзистор Hitachi, 2sa673 datasheet, a673 pdf, распиновка a673, руководство a673, схема a673, эквивалент a673, данные a673.

C5803 — Проверить цену и доступность для C5803

CD4017BCMX FAIRCHILD Десятилетний счетчик / делитель с 10 декодированными выходами. Счетчик / делитель деления на 8 с 8 декодированными выходами IC
CD4017BCNX FAIRCHILD Десятилетний счетчик / делитель с 10 декодированными выходами.Счетчик / делитель деления на 8 с 8 декодированными выходами IC
CD4022BCMX FAIRCHILD Десятилетний счетчик / делитель с 10 декодированными выходами. Счетчик / делитель деления на 8 с 8 декодированными выходами IC
CD4022BCNX FAIRCHILD Десятилетний счетчик / делитель с 10 декодированными выходами.Счетчик / делитель деления на 8 с 8 декодированными выходами IC
CCD191 FAIRCHILD 6000-элементный линейный датчик изображения IC
CD4022BCM FAIRCHILD Счетчик декад / делитель с 10 декодированными выходами Счетчик / делитель деления на 8 с 8 декодированными выходами IC
CD4046BCNX FAIRCHILD Микроэнергетическая микросхема фазовой автоподстройки частоты
CD4081BCM FAIRCHILD Счетверенный вентиль с 2 входами ИЛИ с буферизацией, вентиль серии B, с четырьмя входами, с 2 входами И с буферизацией, серия B IC
CD4515BCWM FAIRCHILD 4-разрядный декодер с фиксацией / 4–16 линейных декодеров IC
CD4538BC FAIRCHILD Моностабильная микросхема двойной точности
CNY17FX FAIRCHILD Фототранзисторные оптопары IC
CNY17FXM FAIRCHILD Фототранзисторные оптопары IC

Транзисторы 5l6 Поставщики электроники, Производитель, Дистрибьютор, Заводы, Alibaba

Страна / регион: Китай Основные продукты:

IC, Транзистор , конденсатор, резистор, диод

Общий доход:

10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 20% , Южная Америка 20% , Северная Америка 20%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

IC, Интегральные схемы, Электроника Компоненты

Общий доход:

10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Африка 11% , Восточная Азия 11% , Западная Европа 11%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

IC, диоды, Транзистор , конденсатор, Электронный Компонент

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Северная Америка 12% , Юго-Восточная Азия 12% , Западная Европа 12%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

IC CHIP, интегральная схема, диод, транзистор , конденсатор

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Средний Восток 22% , Центральная Америка 20% , Восточная Азия 20%

Страна / регион: Китай Основные продукты: Датчик

CMOS, Электронные компоненты , конденсатор, разъемы, диоды

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Северная Америка 10% , Южная Америка 10% , Северная Европа 9%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

IC, конденсатор, транзистор , модуль, разъем

Общий доход:

10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 40.0% , Юго-Восточная Азия 9,0% , Южная Америка 6,0%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Электроника Компонент, интегральная схема, детали ИС

Общий доход:

10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 11% , Восточная Европа 11% , Южная Америка 11%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Предохранитель, модуль SCR, модуль IGBT, тиристор, диод

Общий доход:

10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Океания 7% , Южная Азия 7% , Внутренний рынок 7%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

микросхемы IC, оборудование, разъемы, дисплей, печатная плата

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Северная Америка 25% , Южная Европа 25% , Южная Америка 20%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Semiconductor Электронные Компоненты (MOSFET, SCR, SBD, FRD, Voitage)

Общий доход:

1 миллион долларов США — 2 доллара США.5 миллионов

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 90,0% , Юго-Восточная Азия 8,0% , Южная Азия 2.0%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Электронные компоненты , кнопочный переключатель, защитный кожух печатной платы, изготовление на заказ пресс-формы

Топ-3 рынка:

Западная Европа 20% , Северная Америка 15% , Средний Восток 15%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Розетка и вилка, интегрированные схемы, транзистор , диод, конденсатор

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Южная Европа 10% , Юго-Восточная Азия 10% , Средний Восток 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

ИС микросхемы, резисторы, конденсаторы, коннекторы, индукторы

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов — 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Европа 25% , Северная Америка 20% , Юго-Восточная Азия 20%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Электроника Компонент, модуль, интегральная схема, Транзистор , служба спецификации

Топ-3 рынка:

Средний Восток 20% , Восточная Азия 10% , Северная Европа 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Военное дело, связь, авиация, статическое хранение, Система наблюдения и национальная оборона

Общий доход:

5 миллионов долларов США — 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Южная Европа 30% , Западная Европа 20% , Северная Америка 20%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

IC, интегральная схема, транзистор , диод, конденсатор

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов — 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 20% , Северная Америка 15% , Центральная Америка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Диод Шоттки, стабилитроны, диод SMD, мостовые выпрямители, SIDAC

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов — 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Европа 25% , Южная Америка 25% , Восточная Азия 15%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Микросхемы, резисторы, конденсаторы, соединители, индукторы ИС

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов — 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Европа 25% , Северная Америка 20% , Юго-Восточная Азия 20%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

транзистор , диод, резистор, триод, ИС

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 50% , Южная Азия 20% , Восточная Азия 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральные схемы, диоды, транзисторы , конденсатор, резистор

Общий доход:

1 миллион долларов США — 2 доллара США.5 миллионов

Топ-3 рынка:

Северная Америка 50% , Восточная Азия 13% , Юго-Восточная Азия 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Электронные компоненты , микросхема ИС, транзистор , диод, датчик

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов — 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Южная Америка 35% , Северная Америка 12% , Восточная Европа 10%

Страна / регион: Китай Страна / регион: Китай Основные продукты:

ICS, конденсатор, индуктор, автомобильный лазер, модуль GPS

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов — 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Южная Европа 40% , Южная Америка 20% , Северная Америка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральная схема, Транзистор , Электронный Компонент, трансформатор, предохранитель

Общий доход:

5 миллионов долларов США — 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Южная Америка 20% , Восточная Европа 15% , Океания 12%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральные схемы — ИС, пассивные компоненты, светодиодное освещение, электромеханические, разъемы

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Северная Америка 10% , Средний Восток 10% , Центральная Америка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральные схемы, СВЧ компоненты, FPGA, конденсаторы ATC, модуль

Общий доход:

5 миллионов долларов США — 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Северная Америка 60%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Контроллер, АРН, регулятор, привод, датчик захвата

Общий доход:

1 миллион долларов США — 2 доллара США.5 миллионов

Топ-3 рынка:

Средний Восток 25% , Южная Америка 15% , Африка 15%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

ИС, конденсатор, резистор, модуль, транзистор

Общий доход:

5 миллионов долларов США — 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Южная Америка 40% , Средний Восток 20% , Внутренний рынок 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральные схемы, диоды, CAN, Транзистор , модули

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Азия 20% , Африка 10% , Северная Европа 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

микросхема, диод, транзистор , конденсатор, резистор

Общий доход:

10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Азия 22% , Юго-Восточная Азия 11% , Средний Восток 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

IC, Модуль, RF Power Транзистор , Транзистор , Датчик

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Западная Европа 29% , Южная Америка 20% , Восточная Европа 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральные схемы, модуль, конденсаторы, сопротивление, диод

Общий доход:

10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 10% , Северная Америка 9% , Южная Европа 8%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральные схемы, микросхема датчика изображения CMOS, корпус, разъемы, клеммы

Общий доход:

5 миллионов долларов США — 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Европа 25% , Африка 12% , Восточная Азия 11%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

БТИЗ, МОП-транзистор, интегральные схемы, быстрое восстановление, транзисторы

Общий доход:

5 миллионов долларов США — 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 20% , Юго-Восточная Азия 16% , Восточная Азия 12%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Чип-конденсаторы, интегральные схемы, диоды, транзисторы , танталовые конденсаторы

Общий доход:

1 миллион долларов США — 2 доллара США.5 миллионов

Топ-3 рынка:

Северная Америка 20% , Юго-Восточная Азия 10% , Восточная Европа 8%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

микросхема, конденсатор, резистор, транзисторы

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов — 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Северная Америка 25% , Африка 15% , Восточная Европа 15%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Mosfet, SCR, SBD, FRD, Voitage

Общий доход:

5 миллионов долларов США — 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 95.0% , Восточная Азия 5,0%

Страна / регион: Китай Основные продукты: Модуль

, микросхема, конденсатор, дуиды, реле

Общий доход:

1 миллион долларов США — 2 доллара США.5 миллионов

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 30% , Северная Америка 30% , Южная Азия 20%

Компонент США

Транзисторы высокого напряжения

, как правило, представляют собой транзисторы с более высокими характеристиками по сравнению со стандартным транзистором .Он почти всегда идеально расположен в области силового трансформатора, такого как силовой трансформатор изменения режима, а также трансформатор обратного хода. В телевизоре, а также проверьте, в котором используется конкретный обратный трансформатор для создания высокого напряжения, для работы необходим увеличенный существующий транзистор. Это место в основном около трансформатора обратного хода и исправлено для некоторого температурного разрушения, чтобы передавать температуру быстрее. В любом другом случае может случиться действительно ограниченное время в результате работы с этим транзистором при изменении.Стандартный набор элементов высоковольтного транзистора, который используется в мониторе и телевизоре, на самом деле это BU2508DF, C3998, C5148, C5047, C5589, C5803 и т.д. Ранее упоминалось, десять встроенных усилителей мощностью 60 Вт и многое другое. Их собственные стили менее сложны, чем обычные транзисторы передачи. Если голливудский транзистор закорочен, вам нужно найти полный номер запасной части для устройства, чтобы вы могли работать дольше.Альтернативный номер компонента, как правило, вряд ли будет прежним — возможно, через несколько недель или пару месяцев он снова появится, если вы не будете знать о сохранности и длительности скольжения вашего транзистора.

Кто пишет о модулях силовых транзисторов?

Более высокое настоящее, ампер, а также уровень мощности вряд ли гарантируют, что транзистор прослужит долго. Часто более крупная спецификация отключается в течение нескольких секунд, когда человек включает устройство. Вам нужно проверить этого конкретного производителя, чтобы получить техническое описание транзистора и узнать фактическую спецификацию транзистора. Ищите осенью серьезные объемы экономии времени хранения. Главное, наряду с заменой, действительно стоит иметь терпение, включающее не более 20%. В противном случае конкретный замещающий транзистор может очень сильно нагреться и, в конце концов, повредить конкретный транзистор. Это может напрасно тратить ваше время. Почему часто даже транзисторы с ближайшими спецификациями также не будут работать эффективно, просто потому, что фактические продукты, например, мониторные гвозди катушки ярма, а также трансформатор обратного хода, спроектированы с использованием спецификации транзистора.

Больше, чем модули силовых транзисторов!

В результате, только подлинный транзистор с номером детали, который может быть установлен для конкретных продуктов. Я знаю подлинный номер с различными партиями, связанными с транзистором, когда он вставлен из отслеживания, чтобы заставить дисплей иметь возможность контурировать по всему (подушкообразная подушка) вместе с транзистором, работающим очень горячим. Мы проверили все предприятие, а также компоненты, которые будут подключены к транзистору, чтобы все было в порядке.Кроме того, замена обратноходового трансформатора не поможет. Нагрев конкретного транзистора, конечно, продолжает расти, если я не могу выключить экран, я считаю, что это ухудшит http://www.uscomponent.com/USC/Toshiba.html. Я получил конкретный транзистор и сравнил его с оригиналом, а также обнаружил, что ваша заменяющая эмблема немного отличается от оригинальной эмблемы транзистора . Как только я назвал нашу электронную компанию по поводу эмблемы, они сказали, что этот транзистор, который я приобрел, является последней версией, продуманной на том же производственном предприятии.Сразу после часа или около того, связанных с поиском оригинального транзистора, я смог выбрать один. Удивительно, но оригинальный транзистор , который мы заменили, работает круто, и изображение будет в полном порядке. Знаете ли вы, какое количество компонентов высокопрофильного транзистора? Это был C5148!

Отсутствует 1 щелчок мышью.

В других обстоятельствах явно был один конкретный способ «Следить за собой», который был доступен только без индикатора электропитания.После внимательно проверьте место высокого тока; Мы установили, что только HOT закорочены, создавая нулевую силу. После замены (номер детали оказался BU2508DF), если система наблюдения действительно включена, вы сможете закрыть крышки. Я полагал, что были некоторые другие нежелательные элементы , которые, как правило, приводят к возможности мигать. Мы еще раз проверяем мощность, а также текущую площадь, но просто не можем определить вашу вину. Мой партнер и я приобрели опыт, который я только что обменял, и понимаем, что он абсолютно на отличался от первого сингла.Моя супруга и я приобрели еще один очень горячий, похожий на наш карман запчастей, и, вуаля, монитор работает полностью нормально. Мой партнер и я решили сравнить одинаково Теплый, и вы, очевидно, начнете видеть отличия от изображения, испытанного ниже.

Урок , который я понял из-за этой ошибки, определенно должен компенсировать подлинный номер компонента (когда это возможно) и не покупать какие-либо компоненты, которые дешевле традиционной монатарной суммы.

CFRQ техническое описание и примечания к применению

АН-1187

Аннотация: JESD51-7 LM21305 pll pcb design LM213
Текст: 8 июня 2010 г. LM21305 5A Синхронный понижающий стабилизатор с регулируемой частотой Общее описание Основные характеристики LM21305 — это полнофункциональный синхронный понижающий стабилизатор с регулируемой частотой, способный выдавать до 5 А постоянного выходного тока. Устройство оптимизировано для работы


Оригинал
PDF LM21305 LM21305 Ан-1187 JESD51-7 pll дизайн печатной платы LM213
CFRQ

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: SAA7152WP 1/2 IL08 * ЦИФРОВОЙ ВИДЕО COMB ФИЛЬТР COUT2 40 29 YOUT3 30 YOUT2 31 YOUT1 32 YOUT0 GND 33 В DD 2 (+ 5V) 34 35 COUT7 36 COUT6 37 COUT5 38 COUT4 39 COUT3 — TOP VIEW — 281 YOUT4 COUT4 COUT4 41 27 YOUT5 COUT0 42 26 YOUT6 43 GND 25 YOUT7 44 В DD 3 (+ 5 В)


Оригинал
PDF SAA7152WP 27 МГц CFRQ
C3199

Реферат: транзистор c3199 ifr 2040 service C3199 транзистор aeroflex 2040 3225 black star c3192 rohde осциллограф rohde Schwarz UPA3 rohde UPA audio analyzer
Текст: ГЕНЕРАТОРЫ СИГНАЛОВ AM / FM Руководство по эксплуатации серии 2040 Номер документа46892/074, выпуск 27, 23 апреля 2007 г. Руководство по эксплуатации ГЕНЕРАТОРЫ СИГНАЛОВ серии 2040 2040 от 10 кГц до 1,35 ГГц 2041 от 10 кГц до 2,7 ГГц 2042 от 10 кГц до 5,4 ГГц Включает информацию о: Опция 001 — Второй генератор модуляции


Оригинал
PDF o04455 C3199 транзистор c3199 служба ifr 2040 C3199 транзистор аэрофлекс 2040 3225 черная звезда c3192 осциллограф роде rohde Schwarz UPA3 анализатор звука rohde UPA
T4AL250V

Аннотация: Tektronix tds 210 C5144 автомобильный усилитель мощности 50 Вт 556 aplicaciones MS2602A c5271 rohde UPA3 anritsu MS260 cpu aeroflex
Текст: MULTISOURCE GENERATORS 2026A и 2026B Руководство по эксплуатации Номер документа46892/466, выпуск 4 23 июля 2004 г. MULTISOURCE GENERATORS 2026A и B от 10 кГц до 2,05 ГГц 2026A от 10 кГц до 2,51 ГГц (2026B) Включает информацию о: Варианте 1 — Три внутренних источника сигнала.


Оригинал
PDF 2026B 2026B) T4AL250V Tektronix tds 210 C5144 Автомобильный усилитель мощности 50 Вт 556 аппликаций MS2602A c5271 rohde UPA3 anritsu MS260 процессор aeroflex
Marconi 2030 руководство по ремонту

Резюме: инструкция по эксплуатации marconi 2030 Marconi 2030 C3502 e c4367 marconi 2030 код утилиты разблокировки marconi 2030 код сброса утилиты POWER AMPLIFIER PAS 1066 C3502 T4AL250V
Текст: CDMA INTERFERER MULTISOURCE GENERATOR 2026Q Руководство по эксплуатации Номер документа46892/361, выпуск 8 12 ноября 2004 г. CDMA-ИНТЕРФЕРЕР MULTISOURCE GENERATOR 2026Q от 10 кГц до 2,4 ГГц Это руководство применимо к приборам с программным обеспечением версии 2.01 и выше.  Aeroflex International Ltd. 2004 г.


Оригинал
PDF 2026Q Marconi 2030 руководство по ремонту marconi 2030 руководство по эксплуатации Маркони 2030 C3502 e c4367 код утилиты для разблокировки marconi 2030 код сброса утилиты разблокировки marconi 2030 УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ PAS 1066 C3502 T4AL250V
Marconi 2030 руководство по ремонту

Аннотация: инструкция по эксплуатации marconi 2030 marconi 2030 код утилиты для разблокировки marconi 2051 инструкция по эксплуатации Marconi 2050 C3198 транзистор Marconi 2032 инструкция по эксплуатации c3198 rohde UPA audio analyzer rohde Schwarz UPA3
Текст: ГЕНЕРАТОР ЦИФРОВЫХ И ВЕКТОРНЫХ СИГНАЛОВ СЕРИИ 2050T Руководство по эксплуатации Номер детали документа.46892/296, Выпуск 14 15 мая 2007 г. ГЕНЕРАТОРЫ ЦИФРОВЫХ И ВЕКТОРНЫХ СИГНАЛОВ СЕРИЯ 2050T 2050T от 10 кГц до 1,35 ГГц 2051T от 10 кГц до 2,7 ГГц 2052T от 10 кГц до 5,4 ГГц Включает информацию о:


Оригинал
PDF 2050 т 2051T 2052 т Marconi 2030 руководство по ремонту marconi 2030 руководство по эксплуатации код утилиты для разблокировки marconi 2030 маркони 2051 Marconi 2050 руководство по ремонту C3198 транзистор Marconi 2032 руководство по ремонту c3198 анализатор звука rohde UPA rohde Schwarz UPA3
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: LM21305 5A Синхронный понижающий регулятор с регулируемой частотой Общее описание Основные характеристики LM21305 — это полнофункциональный синхронный понижающий регулятор на 5 А, оптимизированный для размеров решения, гибкости и высокой эффективности преобразования.Конструкции LM21305 с высокой удельной мощностью


Оригинал
PDF LM21305
КОД МАРКИРОВКИ SMD КОНДЕНСАТОРА QP

Аннотация: UF10V
Текст: LM10500 Блок управления энергопотреблением 5A с понижающим энергопотреблением, EMU с PowerWise Adaptive Voltage Scaling (AVS) Общее описание Основные характеристики LM10500 — это блок управления энергопотреблением (EMU) 5A, который активно снижает энергопотребление на уровне системы за счет использования непрерывного, реального время, адаптивное масштабирование напряжения с обратной связью


Оригинал
PDF LM10500 КОД МАРКИРОВКИ SMD КОНДЕНСАТОРА QP UF10V
ДАП 8А

Аннотация: преобразователь постоянного тока в постоянный, matlab LM21305 AN-1187 JESD51-7
Текст: 15 апреля 2010 г. LM21305 5A Синхронный понижающий стабилизатор с регулируемой частотой Общее описание Основные характеристики LM21305 — это полнофункциональный синхронный понижающий стабилизатор с регулируемой частотой, способный выдавать до 5 А постоянного выходного тока.Устройство оптимизировано для работы


Оригинал
PDF LM21305 LM21305 DAP 8A Преобразователь постоянного тока в постоянный, matlab Ан-1187 JESD51-7
анализатор звука rohde UPA

Аннотация: Принципиальная схема BIT 3251 счетчика MOD 100 с использованием разъема ic 7490 am2 РАЗЪЕМ КОНТАКТЫ РАСПОЛОЖЕНИЕ РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ Осциллографы pm 3210 NAV-750C Принципиальная схема счетчика MOD 8 с использованием ic 7490 rohde UPA amd am2, контактная схема, эквивалентная интегральная схема ttl
Текст: ГЕНЕРАТОР СИГНАЛОВ NAV-750C Руководство по эксплуатации Номер документа.46892/293, Выпуск 8 17 мая 2007 г. Руководство по эксплуатации ГЕНЕРАТОР СИГНАЛОВ NAV-750C от 10 кГц до 1,35 ГГц Это руководство применимо к приборам с программным обеспечением версии 8.09 и выше. ООО «Аэрофлекс Интернэшнл» 2007 г.


Оригинал
PDF NAV-750C анализатор звука rohde UPA БИТ 3251 принципиальная схема счетчика MOD 100 на микросхеме 7490 am2 РАЗЪЕМ ПИН-код РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ осциллографов pm 3210 NAV-750C принципиальная схема счетчика MOD 8 на микросхеме 7490 Роде УПА Схема контактов разъема amd am2 эквивалентная интегральная схема TTL
c5706

Аннотация: c5706 эквивалент c5803 c5706 транзистор транзистор C5706 c2314 C5802 транзистор c5802 T2al250V круглый предохранитель транзистор c5706
Текст: ГЕНЕРАТОРЫ СИГНАЛОВ AM / FM 2023A, 2023B, 2025 Руководство по эксплуатации Номер документа46892/373 ГЕНЕРАТОР СИГНАЛОВ AM / FM 2023A 2023B 9 кГц — 1,2 ГГц 9 кГц — 2,05 ГГц 2025 9 кГц — 2,51 ГГц Включает информацию о: Варианте 1: Вариант 2: Вариант 3: Вариант 4: Вариант 5: Вариант 7:


Оригинал
PDF 2023B, 2023B c5706 эквивалент c5706 c5803 c5706 эквивалентный транзистор Транзистор С5706 c2314 C5802 транзистор c5802 T2al250V круглый предохранитель c5706 транзистор
Аэрофлекс 2026 руководство по ремонту

Аннотация: eprom 27C512 earom РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ 27C512 28C256 93C86 CY7C109A
Текст: Техническое примечание Защита памяти серии 2026 В этом документе дается полное описание типов запоминающих устройств, содержащихся в генераторе сигналов серии 2026, а также информация о том, как очистить память, когда прибор удаляется из защищенного приложения.


Оригинал
PDF
лм 3573

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: LM10000 www.ti.com SNVS643C — ИЮНЬ 2010 — ПЕРЕСМОТРЕННО, АПРЕЛЬ 2013 Проверка системного контроллера AVS для образцов: LM10000 ОСОБЕННОСТИ ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ • • • • 1 23 • • • • Гибкие входы включения для независимого управления включением внешнего контроллера и


Оригинал
PDF LM10000 SNVS643C LM10000 lm3573
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: LM10500 www.ti.com SNVS630G — СЕНТЯБРЬ 2009 — ПЕРЕСМОТРЕНО, МАРТ 2013 Блок управления энергопотреблением LM10500 5A с понижающим энергопотреблением с адаптивным масштабированием напряжения PowerWise (AVS) Проверка образцов: LM10500 ОПИСАНИЕ ФУНКЦИЙ • • • • • • • • • •


Оригинал
PDF LM10500 SNVS630G LM10500
лм 3754

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: LM3754 www.ti.com SNVS789B — ЯНВАРЬ 2012 ГОДА — ПЕРЕСМОТРЕНО АПРЕЛЬ 2013 LM3754 Масштабируемый двухфазный синхронный понижающий контроллер со встроенными драйверами на полевых транзисторах и контроллером линейного регулятора Проверка образцов: LM3754 ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРИМЕНЕНИЯ • • • • • • • 1


Оригинал
PDF LM3754 SNVS789B LM3754
2N2360

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: LM3753 Масштабируемый двухфазный синхронный понижающий контроллер со встроенными драйверами на полевых транзисторах и контроллером линейного регулятора. Общее описание Не рекомендуется для новых разработок — см. LM3754. LM3753 — это полнофункциональный двухфазный синхронный понижающий ШИМ-контроллер с одним выходом и режимом напряжения.Его можно настроить для управления от 2 до 12 чередующихся ступеней мощности.


Оригинал
PDF LM3753 LM3754 2N2360
HM6264 RAM

Резюме: IC114 earom 28c64 ram 93C46, техническое описание транзистора 2030 IC120 IC109 РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ 2040 27C4002
Текст: Техническая записка о безопасности памяти для серий 2030, 2040 и 2050 В этом документе дается полное описание типов запоминающих устройств, содержащихся в генераторе сигналов серий 2030, 2040 и 2050, а также информация о том, как очистить память при извлечении прибора. из


Оригинал
PDF
rohde Schwarz UPA3

Аннотация: транзистор rohde UPA3 c2570 анализатор звука rohde UPA3 Символ транзистора c2570 C5359 8902A SCR DE POTENCIA цифровой панельный измеритель PM 129 C2558
Текст: VXI SIGNAL GENERATOR 3002 Руководство по эксплуатации Номер документа46892/226, Выпуск 8 8 июля 2004 г. VXI SIGNAL GENERATOR 3002 9 кГц — 2,4 ГГц Это руководство применимо к приборам с программным обеспечением 2,00 и выше.  Aeroflex International Ltd. 2004 Никакая часть этого документа не может быть воспроизведена или передана в какой-либо форме.


Оригинал
PDF exp04455 rohde Schwarz UPA3 rohde UPA3 c2570 транзистор анализатор звука rohde UPA3 Символ транзистора c2570 C5359 8902A SCR DE POTENCIA Цифровой панельный измеритель PM 129 C2558
4800B

Реферат: rohde UPA audio analyzer 4800B datasheet C5184 транзистор c3195 C5720 плавкий RF 16 1200B 4800b транзистор 4800b ic 4800b
Текст: ЦИФРОВЫЕ И ВЕКТОРНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ СИГНАЛОВ СЕРИИ 2050 Руководство по эксплуатации Номер документа46892/237 Выпуск 18 1 мая 2007 г. ГЕНЕРАТОРЫ ЦИФРОВЫХ И ВЕКТОРНЫХ СИГНАЛОВ СЕРИЯ 2050 2050 от 10 кГц до 1,35 ГГц 2051 от 10 кГц до 2,7 ГГц 2052 от 10 кГц до 5,4 ГГц Включает информацию о: Опция 001 — Второй генератор модуляции


Оригинал
PDF form04455 4800B анализатор звука rohde UPA 4800B лист данных C5184 транзистор c3195 C5720 плавкий РФ 16 1200Б 4800b транзистор 4800b ic ic 4800b
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: LM3754 www.ti.com SNVS789A — ЯНВАРЬ 2012 — ПЕРЕСМОТРЕННОЕ ФЕВРАЛЬ 2012 Масштабируемый 2-фазный синхронный понижающий контроллер LM3754 со встроенными драйверами на полевых транзисторах и контроллером линейного регулятора Проверка образцов: ОСОБЕННОСТИ LM3754 1 • • • • • • 2 • • Широкий диапазон входного напряжения 4,5 В. до 18 В


Оригинал
PDF LM3754 SNVS789A LM3754
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: LM3753 www.ti.com SNVS614B — ДЕКАБРЬ 2009 г. — ПЕРЕСМОТРЕНО, МАРТ 2013 г. Масштабируемый 2-фазный синхронный понижающий контроллер LM3753 со встроенными драйверами на полевых транзисторах и контроллером линейного регулятора Проверка образцов: LM3753 ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРИМЕНЕНИЯ • • • • • • •


Оригинал
PDF LM3753 SNVS614B LM3753
2N2360

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: LM3754 Масштабируемый 2-фазный синхронный понижающий контроллер со встроенными драйверами полевых транзисторов и контроллером линейного регулятора Общее описание LM3754 — это полнофункциональный синхронный понижающий ШИМ-контроллер с двумя фазами с одним выходом и режимом напряжения.Его можно настроить для управления от 2 до 12 чередующихся ступеней мощности.


Оригинал
PDF LM3754 2N2360
LA 7376

Аннотация: wj 70 10 35L V6 TDA7376B 4-канальный автомобильный звуковой усилитель схема автомобильного звукового усилителя 25 Вт VR 22K предустановка DD 127 D
Текст: 7 7 S G S -T H O M S O N kT #. M tg G M ilL itg T IW K i! T D A 7 3 7 6 B УСИЛИТЕЛЬ POW ER AM, 2 x 25 Вт, ДЛЯ АВТОМОБИЛЯ • ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ 2 x 25 Вт тип.При 14,4 В, 4SI, 1 кГц, 10% (2 x 20 Вт мин. При 14,4 В, 4Q, 1 кГц, 10%) ■ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ВХОДЫ. МИНИМАЛЬНОЕ КОЛИЧЕСТВО ВНЕШНИХ КОМПОНЕНТОВ


OCR сканирование
PDF TDA7376B LA 7376 wj 70 10 35L V6 TDA7376B Схема 4-канального автомобильного аудиоусилителя автомобильный усилитель звука 25w Предустановка VR 22K DD 127 D
zo 405 mf

Реферат: ROYALOHM cfr KNP03U MOR03S cfr0w2 цементный мешок ROYALOHM MOR-500-SS CFR-100-SS MOR05U
Текст: ROYALOHM Упаковка микросхемы, матрицы микросхем и резисторной сети 1 Размер ленты (мм) a.) Бумажная лента типа A + 0,2 B ± 0,2 C ± 0,05 D + 0,1 -0 E ± 0,1 F ± 0,05 G + 0,1 W ± 0,2 T ± 0,1 0201 0,40 ± 0,05 0,70 ± 0,05 2,0 1,5 1,75 3,5 4,0 8,0 0,42 0402 0,65 1,15 2,0 1,5 1,75 3,5


OCR сканирование
PDF 2D02 / 2C02 4D02 / 4C02 4D03 / 4C03 535x270x200 PRW05W QL0030 QL0040 QL0050 QL0080 zo 405 mf ROYALOHM cfr KNP03U MOR03S cfr0w2 цементный мешок РОЯЛОХМ МОР-500-СС CFR-100-SS MOR05U

Распиновка транзистора 2SC5200, техническое описание, аналоги и характеристики

2SC5200 представляет собой мощный NPN-транзистор с напряжением от коллектора к эмиттеру 230 В и током коллектора 30 А.Транзистор выпускается в корпусе TO-264 и обычно используется в конструкциях усилителей.

Конфигурация контактов

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

База

Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

2

Коллектор

Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке

3

Эмиттер

Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей

Характеристики
  • NPN-транзистор высокой мощности
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) от 55 до 160
  • Непрерывный ток коллектора (IC) 15А
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) 230 В
  • Напряжение коллектор-база (VCB) 230 В
  • Базовое напряжение эмиттера (VBE) 5 В
  • Частота перехода 30 МГц
  • Доступен в пакете To-264

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных 2SC5200 в конце этой страницы.

Дополнительный транзистор PNP

2SA1943

2SC5200 Эквиваленты

2SC3320, 2SC5242, 2SD1313

Где использовать транзистор 2SC5200

2SC5200 — это мощный NPN-транзистор, произведенный Toshiba. Благодаря высокому коэффициенту усиления по току и току коллектора он очень часто используется в «мощных аудиосхемах или усилителях низкой частоты».Но теперь транзистор является абсолютным от Toshiba, и он был заменен на TTA5200, но все же старый добрый 2SA5200 все еще можно найти на рынке, поскольку он все еще клонируется другими производителями в Китае.

Как использовать 2SC5200

2SC5200 в основном используется в усилителях вместе со своим аналогом 2SA1943. В большинстве усилителей используется двухтактная схема, аналогичная схеме усилителя класса B, для которой требуется транзистор NPN и транзистор PNP.2SA1943 является транзистором PNP, а также имеет дополнительный 2SE5200, который является транзистором типа NPN. Оба этих транзистора часто используются вместе для создания усилителей высокой мощности.

Поскольку транзисторы работают с высокой частотой переключения и высоким током коллектора, они имеют тенденцию очень быстро нагреваться, поэтому они всегда используются вместе с радиатором. Обратите внимание, что радиатор также будет действовать как коллекторный вывод транзистора, и, следовательно, радиатор должен быть изолирован от остальной схемы.

Эти транзисторы обычно используются для создания стереосистем, рассчитанных на 200 Вт или выше, они могут реагировать на частоту от 5 Гц до 100 кГц и имеют очень хорошую чувствительность 0,75 В (среднеквадратичное значение). У него очень меньшее соотношение сигнал / шум и меньше общих гармонических искажений, что делает его идеальным для аудио приложений.

Приложения
  • Усилитель звуковой частоты
  • Цепи AF / RF
  • Устройства с низкой скоростью нарастания напряжения
  • Цепи двухтактной конфигурации
  • сильноточная коммутация (до 15А) нагрузки
  • Могут использоваться как выключатели средней мощности

2D-Модель Размеры

2D помогут вам разместить этот компонент во время изготовления схемы на печатной плате или печатной плате.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *