|
|
TI — THMC50SSOPDBQ Интернет-дистрибьютор — Ventronchip.com
Введение
Изображения только для справки.
См. Технические характеристики изделия для деталей продукта.
Если вы заинтересованы в покупке THMC50SSOPDBQ, просто напишите нам.
[email protected]
наш отдел продаж ответит вам в течение 24 часов
Вопросы и ответы
Q: Это это мой первый заказ из Интернета, как я могу заказать эту деталь THMC50SSOPDBQ?
A: Пожалуйста отправьте предложение или отправьте нам электронное письмо, наш отдел продаж поможет вам как сделать.
Q: Как платить деньги?
О: Обычно мы принимаем банковский перевод, PayPal, кредитную карту и Western Union.
Q: Есть детали THMC50SSOPDBQ с гарантией?
A: с Гарантия качества не менее 90 дней для каждого заказа. Просто напишите нам, если вы столкнетесь любая проблема качества.
Q: делать вы поддерживаете таблицу данных THMC50SSOPDBQ или модели САПР?
A: Да, Наш технический инженер расскажет, какие таблицы или модели САПР у нас есть.
В: Является ли эта деталь оригинальной заводской упаковкой?
А: Да, как правило, если вы заказываете детали с SPQ (стандартная упаковка), мы отправим Детали в заводской упаковке. Если вы заказываете не полную упаковку, мы отправляйте детали в стандартной вакуумной упаковке нашей компании.
Вопрос: Можете ли вы доставить детали THMC50SSOPDBQ напрямую на наш завод OEM.
A: Да, мы Могу отправить детали по адресу вашего корабля.
Q: Я просто нужен один кусок THMC50SSOPDBQ, могу ли я заказать?
У него Зависит от MOQ THMC50SSOPDBQ, большинство деталей мы можем поддержать заказ образца.
Q: Как Долго Могу ли я получить THMC50SSOPDBQ после оплаты?
А: Мы отправляем заказы через FedEx, DHL или UPS, обычно это занимает 2 или 5 дней, чтобы прибыть к вам в руки.
Холинэстераза — Справочник химика 21
Если холинэстераза иммобилизована с помощью ковалентного связывания, то срок службы биосенсора возрастает Так, датчик, состоящий из рН-электрода с иммобилизованной на поверхности ацетилхолинэсте-разой (путем сшивки глутаровым альдегидом с альбумином), функционирует без изменения характеристик достаточно длительное время. С его помощью определяли паратион и севин на уровне 10 — 10моль/л Продолжигельность анализа 30 мин. Содержание паратиона и севина контролировали по относительному снижению отклика сенсора после внесения в ячейку аликвоты пробы. Заметим, что величина измеиения pH зависит не только от активности фермента, но и от буферной емкости раствора. Поскольку увеличение кислотности происходит лишь на мембране, а в объеме раствора pH остается практически постоянным, обычно применяют высокие (до 0,1 моль/л) концентрации субстрата и ячейки большого (100 мл и выше) объема. Кроме глутарового альдегида для иммобилизации холинэстеразы используют сополимеры акрил- и метакриламида, желатин. В последнем случае стеклянный шарик рН-электрода погружают в 5-10%-й раствор желатина, содержащий фермент, затем высушивают и обрабатывают водным раствором глутарового альдегида. Аналогичные мембраны используют и в датчиках на основе рН-чув-ствительных полевых транзисторов (911. [c.294]Известно, что ферментативное превращение веществ под действием холинэстераз протекает по следующей схеме [c.289]
Описаны многочисленные конструкции потенциометрических и амперометрических холинэстеразных биосенсоров [84 . В частности, интерес представляст потенциометрическая система на основе двух платиновых электродов. Измеряемой величиной является потенциал одного из элекфодов, который служит анодом В ячейку вносят раствор бутирил-тиохолиниодида (0,002 моль/л) с pH 7,4. При введении в раствор аликвоты пробы, содержащей холинэстеразу, потенциал анода понижается, причем скорость его изменения АЕ/А1 зависит от природы фермента и концентрации фосфорорганических веществ (систокс, паратион, зарин и др.) в растворе. Пределы обнаружения составляют для зарина — 0,0002, систокса — 0,01 и паратиона — 0,18 мкг/мл. Погрешность определений - [c.293]
Способ воздействия рассматриваемых веществ на организм человека тот же, что и для нервно паралитических газов, он описан в работе [Rose, 1968] «Нервно-паралитические газы угнетают фермент холинэстеразу, которая используется для разрушения в организме человека одного из химических переносчиков нервного сигнала после выполнения им своих функций. Действие этих газов двойное. Во-первых, теряется контроль над участками нервной системы. Во-вторых, химический переносчик сигналов быстро накапливается в организме человека, а это вещество в больших количествах является ядом. Таким образом, организм человека сначала становится неспособным к самостоятельным движениям, а затем сам себя отравляет». [c.396]Применение холинэстераз для определения суперэкотоксикантов основано на зависимости скорости реакции К от концентрации субстрата [Л в соответствии с уравнением Михаэлиса-Ментен [c.290]
Эти соединения не столь устойчивы в природных условиях и с течением времени гидролизуются и окисляются. Их действие заключается в блокировании фермента холинэстеразы (разд. [c.323]
Органические фосфаты табун, зарин и зоман относятся к так называемым нервно-паралитическим ядам, потому что они блокируют фермент холинэстеразу, а значит, и расщепление ацетилхолина (разд. 9.5.3), которое необходимо для переноса нервных импульсов в организме. В результате, помимо прочего, нарушается деятельность сердца и человек через короткое время умирает в судорогах. Во время второй мировой войны немецкие фашисты производили эти вещества и готовились использовать в военных целях. [c.339]
Разработаны несколько вариантов иммунохимического определения с электрохимическим контролем некоторых антигенов. Высокая чувствительность достигнута либо за счет использования каталитических токов выделения водорода на ртутном электроде, либо с помощью биосенсора на основе иммобилизованной холинэстеразы. [c.152]
Нервно-паралитические газы угнетают фермент холинэстеразу, осуществляющую гидролиз медиатора ацетилхолина, который участвует в передаче нервных импульсов как в центральных, так и периферических отделах нервной системы. Возникающее в результате угнетения активности холинэстеразы избыточное накопление ацетилхолина приводит к нарушению передачи нервных импульсов, которое выражается вначале в виде возбуждения, а затем в параличе важнейших физиологических систем. Более подробную информацию можно найти в специальных монографиях, например [Стройков,1978]. — Прим. ред. [c.396]
Холинэстеразы с высокой скоростью гидролизуют холиновые и тиохолиновые эфиры. Возможность аналитического применения холинэстераз обусловлена тем, что их активность в заметной мере зависит от присутствия в растворе токсичных веществ (ингибиторов) [83,84], причем некоторые из них действуют необратимо, а другие — обратимо. К необратимым ингибиторам холинэстераз относятся эфиры фосфорной, фосфо-новой и пирофосфорной кислот, в том числе и фосфорорганические пестициды, многие из которых являются суперэкотоксикангами. Действие этих соединений на холинэстеразы специфично они ковалентно связываются с активным центром фермента и дезактивируют его. Из обратимых ингибиторов интерес представляют ионы ртути, свинца и других тяжелых металлов. Высокая чувствительность холинэстераз к присутствию токсичных веществ обусловливает и область их применения сельское хозяйство, экология, токсикология и др. [c.289]
Таким образом, обязательными компонентами холинэстеразного гидролиза явл5потся субстрат и продукты реакции, по изменению концентрации которых можно судить о скорости реакции и, следовательно, об активности холинэстеразы [c.290]
Особенности ферментативного определения токсикантов с помощью чолинэстераз рассмотрены в обзоре 84 Получают холинэстеразы из различных источников. Они содержатся в нервной ткани большинства животных, в эритроцитах млекопитающих, в яде змей, сьшоротке крови овец и коз. В значительных количествах холинэстеразы содфжатся в плазме крови человека, лошади, собаки, морских свинок, в печени, легких и кишечнике млекопитающих. Промышленный вьшуск препаратов в настоящее время налажен в ряде стран, в том числе и в России (НПО «Биомед в Перми и др ) Некоторые холинэстеразы, например выделенные из сыворотки крови лошади или эритроцитов человека, сохраняют свою активность до 5 лет. [c.290]
Для удобства применения холинэстеразы иммобилизуют в по.шмер-ные пленки или гели. При этом существенно увеличивается устойчивость фермента к влиянию внешних факторов. Так, при иммобилизагщи холинэстеразы в желатиновый гель срок ее хранения составляет 2-3 года, а при непрерьганой работе активность препарата падает на 20% лишь через 10 дней. Наряд) с повьпиением стабильности иммобилизация хо.пинэстераз обеспечивает многократное использование препарата. Заметим, что при определении необратимых ингибиторов, например фосфорорганических пестицидов, повторное использование фермента в каждом случае требует специальных исследований В качестве реактиваторов применяют гидро-ксиламин, оксимы и др [c.290]
Оптимизация определений необратимых ингибиторов холинэстераз-достаточно сложный и трудоемкий процесс. Поэтому при вьшолнении анализа строго соблюдают последовательность операций по подбору фер-мергга, составу реакционной среды, концентрации субстрата и др Эго позволяет снизить пределы обнаружения ингибитора и повь сить то шость определений [c.291]
Определение обратимых ингибиторов холинэстераз менее распространено Тем не менее в настоящее время разработано множество тестов на основе холинэстераз для определения ионов тяжелых металлов и хлорорганических пестицидов [89,90], являющихся обратимыми ингибиторами Интерес представляет способ оценки общей токсичности водопроводной воды, основанный на суммарном эффекте снижения фермета-тивной активности холинэстеразы при введении в систему субстрат-фермент анализируемой пробы. Пределы обнаружения обратимых ингибиторов существенно зависят от природы ингибитора и субстрата. [c.291]
Наряду с холинэстеразой для определения органических токсикантов применяют пероксидазу хрена [86[. Однако, как правило, ее применение основано на иммобилизации в биослой соответствующих устройств, с по- [c.291]
Амперометрические биосенсоры на основе иммобилизованной холинэстеразы представляют собой устройства, позволяющие огфеделять токсичные вещества на более низком уровне, чем в случае потенциометрических датчиков. Можно вьщелить два принципиальных подхода к конструированию амперометрических биосенсоров использование синте-294 [c.294]
Эфиры тиохолина можно использовать и для катодного депгектиро-вания реакций иммобилизованной холинэстеразы В этом случае определение ее активности основано на способности одного из продуктов ги,фО-лиза (бутирилтиохолиниодида) вступать в электрохимическую реакцию с материалом электрода — ртутью [c.295]
Образующийся меркаптид ртути восстанавливается в боратных буферных растворах при -0,55 В, что проявляется на вольтамперограммах в виде острого пика Чувствительность сигнала к изменению концентрации тиола достаточно высока, поскольку в этом случае по существу используется принцип инверсионной вольтамперометрии. Применение электронакоиления одного из продуктов ферментативной реакции позволяет значительно снизить нижнюю границу определяемых концентраций ингибиторов холинэстераз В некоторых случаях эта величина на несколько порядков меньше, чем в других электрохимических методах. [c.295]
За ходом иммунохимической реакции образования комплексов АТ-пестицид можно следить также с помо1цью амперометрического биосенсора на основе иммобилизованной холинэстеразы При этом возможно определение до К) моль/л 2,4-Д кислоты (Ш]. Аналитическим сигналом служит пик на вольтамперофамме при -0,55 В. Его величина зависит не только от активности иммобилизованной на электроде холинэстеразы, но и от содержания пестицида, поскольку молекулы последнего связываются с иммобилизованными в пленку нитроцеллюлозы антителами и [c.303]
Влияние Э-изомера бензоата 1,2,5-триметилпиперидола-4 на кинетику гидролиза бутирилхолина, катализируемого холинэстеразой. Условия опыта pH 7,4 25° С фосфатный буфер (0,001М) [c.92]
Зависимость начальной скорости гидролиза дихлориндофенилацетата, катализируемого холинэстеразой, от концентрации субстрата и значения максимальной скорости реакции, рассчитанные с помощью уравнения (5.44) при условии А т(иаж)/ т = 0,023 усл. ед.- М сек. Условия опыта pH 8,0 [c.99]
Ацетилхолин и его гидрохлорид влияют на химические процессы, протекающие в нервной системе (при переносе нервных импульсов). Они существенно влияют на кровяное давление. Фермент холинэстераза расщепляет их с образованием холина [(СНз)з0N h3 h3OH ОН], который встречается в организме человека как составная часть сложных липидов. Ацетилхолин, как и холин, относится к четвертичным аммониевым основаниям. [c.311]Выполнив свою роль передатчика нервного возбуждения, аце-тилхолин с помощью фермента холинэстеразы тут же гидролизуется ДО холина и уксусной кислоты, таким образом, нерв оказывается готовым для передачи нового импульса. [c.238]
У простых ферментов активные центры образуются за счет своеобразного расположения аминокислотных остатков в структуре белковой молекулы. К таким аминокислотным остаткам следует отнести 5Н-группы цистеина ОН-группы серина — МН-группы кольца имидазола в гистидине, а также некоторое значение придается карбоксильным группам аспарагиновой и глутаминовой аминокислот, индольной группе триптофана и др. Хотя вопрос о природе и механизме действия активных центров представляет большой интерес, но, к сожалению, наши сведения об этом являются пока ограниченными. Выяснено, что количество активных центров в ферментах, как правило, очень ограничено так, например, большинство ферментов имеют от 1 (трипсин, химотрипсин, карбокси-полипептидаза и др.) до 3—4 (уреаза) активных центров, и только отдельные ферменты содержат их в больших количествах (от 20 до 100 содержится в холинэстеразе и др.). [c.106]
Образотание МЭ из кокаина [12] идет под действием холинэстера-аы, присутствующей в плазме крови, в печени и поджелудочной железе, ио ие найденной в моче человека. МЭ не накапливается в крови, а непрерывно выводится в мочу, где может быть обнаружен. БЭ образуется из кокаина в процессе химического гидролиза при физиологических значениях pH 7,4. МЭ превращается в экгонин по этому же механизму. В отличие от МЭ БЭ ие образуется и не деградирует под действием холинэстеразы плазмы. [c.86]
Основы неорганической химии для студентов нехимических специальностей (1989) — [ c.171 ]
Химия природных соединений (1960) — [ c.470 ]
Биологическая химия Изд.3 (1998) — [ c.124 , c.579 , c.639 ]
Органическая химия Том2 (2004) — [ c.360 ]
Органическая химия (1963) — [ c.349 ]
Аффинная хроматография (1980) — [ c.299 ]
Новые методы анализа аминокислот, пептидов и белков (1974) — [ c.371 ]
Биотехнология (1988) — [ c.171 ]
Биологическая химия Издание 3 (1960) — [ c.411 ]
Биологическая химия Издание 4 (1965) — [ c.164 , c.435 , c.436 ]
Органическая химия Издание 3 (1977) — [ c.261 , c.308 ]
Химия травляющих веществ Том 2 (1973) — [ c.0 ]
Химия органических лекарственных препаратов (1949) — [ c.334 ]
Методы химии белков (1965) — [ c.226 ]
Инсектициды в сельском хозяйстве (1974) — [ c.38 ]
Основы химической защиты растений (1960) — [ c.96 ]
Анализ ядохимикатов (1978) — [ c.104 ]
Токсичные эфиры кислот фосфора (1964) — [ c.0 ]
Курс органической и биологической химии (1952) — [ c.341 ]
Краткая химическая энциклопедия Том 2 (1963) — [ c.0 ]
Белки Том 1 (1956) — [ c.66 ]
Начала органической химии Книга 2 (1970) — [ c.721 , c.773 ]
Химия органических лекарственных веществ (1953) — [ c.415 , c.442 ]
Агрохимикаты в окружающей среде (1979) — [ c.204 , c.207 ]
Биология Том3 Изд3 (2004) — [ c.288 ]
Общая химия Биофизическая химия изд 4 (2003) — [ c.273 ]
Биохимия Издание 2 (1962) — [ c.175 , c.180 , c.567 , c.568 ]
Ферменты Т.3 (1982) — [ c.3 , c.8 ]
Биотехнология — принципы и применение (1988) — [ c.171 ]
Биологические мембраны Структурная организация, функции, модификация физико-химическими агентами (2000) — [ c.50 , c.51 ]
Электрофорез в разделении биологических макромолекул (1982) — [ c.296 ]
Методы органического анализа (1986) — [ c.424 ]
Биосенсоры основы и приложения (1991) — [ c.470 ]
Биологическая химия (2004) — [ c.79 , c.170 ]
Органический анализ (1981) — [ c.388 ]
THM6-0511WI Электронный дистрибьютор | THM6-0511WI на Y-IC.com
Все компоненты Eelctronics будут очень безопасно упаковываться благодаря антистатической защите от ESD.Все продукты будут упаковываться в антистатический пакет. Корабль с антистатической защитой от ESD.
За пределами упаковки ESD-упаковки мы будем использовать информацию нашей компании: Part Mumber, Brand и Quantity.
Мы проверим все товары перед отправкой, обеспечим все продукты в хорошем состоянии и обеспечим детали новой оригинальной таблицей соответствия.
После того как все товары обеспечат никакие проблемы после упаковки, мы будем упаковывать безопасно и послать глобальным курьерским.
Глобальная отправка по DHL / FedEx / TNT / UPS
- Срок поставки
- Срок доставки потребуется 2-4 дня для большей части страны по всему миру для DHL / UPS / FEDEX / TNT.
1). Вы можете предложить свой экспресс-счет доставки для отправки, если у вас нет какой-либо экспресс-почты для отправки, мы можем предложить нашу учетную запись.
2). Используйте наш счет для отгрузки, Расходы на отправку (ReferenceDHL, разные страны имеют разную цену).
| Плата за доставку: | (Справочный DHL) |
|---|---|
| Вес (кг) | Цена (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD $ 60,00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD $ 70,00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD $ 80.00 |
Подробнее: https: // WWW. y-ic.com /shipment-way.htm
Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам. Отправить любые запросы или вопрос на адрес электронной почты [email protected]
Мы можем сделать все возможное. Большое вам спасибо за вашу поддержку.
Способ оплаты: Wire Transfer = Телеграфный перевод (T / T) или PayPal или Western Union
Передача провода (T / T)
Наше имя банка HSBC: Hongkong и Shanghai Banking Corporation Limited (HSBC Гонконг)
Преимущества Название компании: YIC International Co., Limited
Банковские сборы и данные платежного счета, пожалуйста, нажмите «Способ оплаты».
Вестерн Юнион
Полная оплата Western Union.
Шаг 1. Перейдите в свой филиал Western Union или перейдите на их сайт (www.westernunion.com)
Шаг 2. Следуйте их инструкциям.
Счет PayPal:
| Счет PayPal: | |
|---|---|
| Идентификатор учетной записи PayPal: | [email protected] |
| Компания: | YIC International Co., Limited |
Если вы хотите оплатить через кредитную карту, пожалуйста, выберите «Оплатить с моей учетной записью PayPal», чтобы продолжить по PayPal. (www.paypal.com)
кб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 | Оригинал | 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор | |
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ транзистор mosfet хб * 2Д0Н60П KIA7812API | Оригинал | 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API | |
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор | |
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP | OCR сканирование | 2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | |
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | Оригинал | A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | |
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор ac 127, транзистор 502, транзистор f 421. | OCR сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 | |
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406 | |
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | |
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343 | |
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF | OCR сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF | |
fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91330 Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | |
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратный трансформатор | Оригинал | 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка ЭЛТ ТВ Обратный трансформатор ТВ | |
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 | Оригинал | 2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список | |
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР. | OCR сканирование | BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА | |
2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287 | |
pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочной цепи KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора | OCR сканирование | ||
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы MOSFET-канальный МОП-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный мощный транзистор | OCR сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор | |
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке. | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе | |
2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор | Оригинал | 24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора | |
2007 — DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
Распиновка транзистора BC639, аналог, характеристики, применение и другие подробности
BC639 — это биполярный транзистор, обладающий множеством хороших характеристик в своем небольшом корпусе.В этом посте вы найдете распиновку транзистора BC639, эквивалент, спецификации, использование и другие подробности об этом корпусном транзисторе TO-92.
Характеристики / Технические характеристики:
- Тип корпуса: TO-92
- Тип транзистора: NPN
- Макс.ток коллектора (I C ): 500 мА
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 80 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 80 В
- Макс.напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
- Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 625 милиВт
- Максимальная частота перехода (fT): 200 МГц
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 40-160
- Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -65 до +150 по Цельсию
PNP Дополнительным к BC639 является BC640
Аналог:2N5551, BC537, BC538, 2N5833, 2N5550, 2N5831, 2N5832, 2SC2036, 2SC4145, BDB01D, 2N5830, 2N2405, MPSL01, 2N4410, 2N2222, 2N4401, BC3312 , конфигурация транзисторов может быть другой , поэтому проверьте конфигурацию контактов перед заменой в цепи)
BC639 Транзистор объяснено / Описание:BC639 — это NPN BJT-транзистор, обладающий множеством хороших функций в небольшом корпусе размера TO-92.Его можно использовать для многих целей коммутации и усиления общего назначения. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 0,5 А или 500 мА, и некоторые производители также делают его с максимальным током коллектора 1 А, благодаря чему он может хорошо работать при использовании в качестве переключателя для одновременного управления множеством нагрузок. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер и коллектор-база составляет 80 В, что означает, что вы можете легко управлять нагрузкой с более высоким напряжением через этот транзистор.
С другой стороны, максимальная рассеиваемая мощность коллектора составляет 625 мВт, а максимальное усиление постоянного тока 160 также делает его идеальным для использования в каскадах аудиоусилителя, а также в качестве отдельного аудиоусилителя для непосредственного управления небольшим 2-дюймовым динамиком.
Где и как использовать:BC639 может использоваться в любых коммутационных и усилительных приложениях общего назначения. Благодаря высоким характеристикам коллектора, вы можете использовать его для управления сильноточными реле, мощными транзисторами, двигателями постоянного тока, мощными светодиодами и т. Д., Его также можно использовать на выходе микроконтроллеров и других электронных платформ, таких как arduino и raspberry pi, для управления нагрузками. . Его также можно использовать в усилителях звука и их каскадах.Частота перехода транзистора составляет 200 МГц, поэтому он также может хорошо работать при использовании в радиочастотных цепях ниже 200 МГц.
Заявки:
Цепи датчика
Схемы звукового усилителя
Каскады усилителя звука
Коммутационная нагрузка от 500 мА до 1000 мА
Пара транзисторов Дарлингтона
Радиочастотные цепи
Как безопасно долго работать в цепи:Для обеспечения долгосрочной и стабильной работы BC639 всегда оставайтесь на 20% ниже максимальных значений.Не управляйте нагрузкой более 500 мА и 80 В постоянного тока. Всегда используйте подходящий базовый резистор, чтобы обеспечить требуемый базовый ток, и не подавайте на его базу более 100 мА. Всегда храните и используйте этот транзистор при температуре выше -65 по Цельсию и ниже +150 по Цельсию.
Лист данных:Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.
https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/50735/FAIRCHILD/BC639/+_0747UwYhRDpKxHeHIEwp+/datasheet.pdf
Справочник технических данных транзисторов N639
Справочник технических данных транзисторов N639Как и ck722, он пользовался давней популярностью. Эпитаксиальный процесс pct кремния pnp транзистора Toshiba. Bc635637639 npn эпитаксиальный кремниевый транзистор solo electronica. Рекомендуется, чтобы транзисторы не работали вблизи этих значений, чтобы не сократить их срок службы.
Транзисторы изготовлены из полупроводников, таких как кремний или германий. Таблица данных транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., для диодов от 1n251 и транзисторов от 2n117 на acrobat 7 pdf 34.Bc639 — параметры поиска по каталогам. Основы физики полупроводников, диоды, нелинейная модель диода, анализ линии нагрузки, модели диодов с большим сигналом, модель смещенных диодов, транзисторы, модель bjt с большим сигналом, анализ линии нагрузки, модель малых сигналов и усиление транзисторов. Бесплатные устройства, максимальные рейтинги, рейтинг, символ, единица измерения, коллектор. Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения горизонтальное отклонение выходные транзисторы страница продукта dpak d2pak sot223 ipak to126 транзисторы тодарлингтона dpak ipak to126 to220 to220f to3p to3pf переключающие транзисторы dpak d2pak to922206 to2203.Транзисторы средней мощности npn, паспорт bc639, схема bc639, паспорт bc639. Конструкция и напряжение на клеммах биполярного npn-транзистора показаны выше. Справочник технических данных дискретных полупроводников, половина страницы m3d186. Максимальные характеристики эмиттера 1 2 3 bc bc bc 635 637 639 номинальный символ unit case 29 04. Когда устройство используется в качестве эмиттерного повторителя с низким источником. Bc63916 коммутационные приложения и усилители to92 1 1.
У меня есть несколько основных вопросов о том, как интерпретировать данные из таблицы данных транзистора в основном, когда нет графика, на который можно было бы посмотреть, чтобы получить данные только из избранного списка точек данных x и y список.Технические характеристики Bc639: 14 страниц сильноточных транзисторов Motorola. Согласно техническому описанию, типичные значения — 2В для включения. В таблице данных показано внутреннее устройство транзистора, которое выглядит как грубое приближение с использованием типичных npn r2 и r3 внутри транзистора. Пожалуйста, ознакомьтесь с самым последним изданным документом, прежде чем начинать или завершать дизайн. При проектировании электронной схемы для выбора правильного транзистора потребуется несколько параметров транзистора, соответствующих требованиям для.Databook включает общую информацию о германиевых и кремниевых транзисторах и интегральных схемах. Когда-то их публиковали как большие толстые книги. Вычислите базовый ток ib для переключения резистивной нагрузки 4 мА биполярного npn-транзистора, имеющего коэффициент усиления по току. 23 мая, 2016 a1695 datasheet vcbo 140, pnp транзистор sanken, 2sa1695 datasheet, a1695 pdf, распиновка a1695, руководство a1695, схема a1695, эквивалент a1695. Примечания по транзисторам npn david kleinfeld весна 2018 1. Технические характеристики, упомянутые в этой публикации, могут быть изменены без предварительного уведомления.Их можно рассматривать как электронные клапаны, потому что небольшой сигнал, который посылается через среднюю клемму, управляет током, протекающим через другие.
Май 2, 2016 c3209 datasheet, pdf npn-транзистор nec, 2sc3209 datasheet, c3209 pdf, c3209 распиновка, c3209 эквивалент, c3209 транзистор, c3209 схема, c3209 руководство. Техническое описание транзистора, транзистор pdf, техническое описание транзистора, техническое описание, техническое описание, pdf. Будьте первым, кто узнает о наших новейших продуктах, специальных предложениях и акциях. Fairchildonsemiconductor получит быструю доставку в тот же день.Bc639 smd техническое описание, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf. Fairchild, alldatasheet, datasheet, datasheet, поисковый сайт для. Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления. Я получаю даташиты из вашей схемы, определяющей выходной ток. Bc372, bc373 высоковольтные транзисторы Дарлингтона npn кремния особенности pb.
Эти транзисторы подразделяются на три группы q, r и s в соответствии с их коэффициентом усиления по постоянному току. 2n107 — это ранний pnp-транзистор из германиевого сплава, разработанный General Electric в 1955 году, чтобы стать выходом на рынок электроники для любителей, успешно начавшимся с транзистора ck722.Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время. Биполярные транзисторы малой мощности bc107 bc108 series page 240412 v1. Более 12 600 000 посещений в месяц по всему миру. Схема замещения pnp цифровой транзистор со встроенным резистором эквивалентная схема в o vvv, схема без подключения внешних входных резисторов см. Эквивалентную схему. Toshiba транзистор кремниевый pnp эпитаксиальный тип pct процесс 2sc1959 звуковая частота маломощный усилитель приложений драйвер каскад усилитель приложений переключение приложений отличная линейность hfe.Эта таблица содержит предварительные данные, и дополнительные данные будут. Возьмем, к примеру, транзистор 2n2222 npn, о котором говорится в техническом описании vbesat at ic 150ma, ib 15ma vcesat 0. Таблица данных bc63516, эквивалент, поиск перекрестных ссылок. 22 октября 2010 г., конечно, вам понадобится техническое описание транзистора, чтобы спроектировать схему с его использованием. Паспорт транзистора bc63516, pdf, эквивалент bc63516. Восьмеричный светодиодный драйвер, приемник тока общего назначения с последовательным интерфейсом. Philips, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и.
A1695 datasheet vcbo 140, pnp транзистор sanken, 2sa1695 datasheet, a1695 pdf, распиновка a1695, руководство a1695, схема a1695, эквивалент a1695. Эта таблица данных и ее содержимое принадлежат членам группы компаний premier farnell или имеют лицензию на нее. Транзисторы есть в наличии и отправляются в тот же день у ведущих производителей электроники Mouser. Мои знания в области электроники улучшаются, я много читал, но у меня много пробелов и не хватает некоторых базовых знаний, которые я пытаюсь усвоить.Stanleys, электроника для новичка укажет в списке запчастей 2n107 или ck722. Рабочие параметры 2n107 аналогичны Raytheons ck722, и многие книги для любителей будут использовать оба как взаимозаменяемые. Производители транзисторов выпускают спецификации для своих транзисторов, которые обычно можно найти в Интернете, хотя много лет назад инженеры изучали справочники, чтобы найти информацию. В некоторых случаях может быть превышен указанный ток коллектора. Расхищение огромного количества информации в хакерских таблицах.Для npn-типа базовый эмиттер ведет себя как диод со смещением в прямом направлении, а базовый коллектор — как диод со смещением в обратном направлении.
Npn транзистор учебное пособие по биполярному npn транзистору. Он должен показывать значения в мегаомах в любом направлении. Техническое описание сверхнадежных силовых транзисторов lp395 texas instruments. Эта публикация заменяет всю ранее предоставленную информацию. Справочник данных по силовым транзисторам Motorola, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf. Пара транзисторов npnpnp в пластиковом корпусе sot666.Вычислите ток базы биполярного npn-транзистора с напряжением смещения 10 В и входным сопротивлением базы 200 кОм. Во всяком случае, я понимаю концепцию транзистора, как его можно использовать для переключения, и у меня есть. Бесплатные пакеты доступны максимальные рейтинги рейтинг символ значение единицы коллекционер. В таблице данных указан максимально допустимый выходной ток, и ваша конструкция должна ограничивать выходной ток до меньшего значения. Таблица данных печатается только для справочной информации.
Электроника Renesas является стандартной, если иное прямо не указано в технических паспортах или справочниках renesas electronics и т. Д.A1015 pnp эпитаксиальный кремниевый транзистор элитные предприятия h. Техническое описание C639, c639 pdf, техническое описание c639, техническое описание, техническое описание, pdf. Восьмеричный светодиодный драйвер, универсальный поглотитель тока с последовательным интерфейсом. Это многофункциональный светодиодный драйвер с восемью идентичными, независимо управляемыми поглотителями тока. St 2sc828 828a npn кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор для коммутации и применения в усилителях низкой частоты. Последние списки производителей в каталоге становятся мгновенными. Заметки о npn-транзисторах калифорнийский университет, сан-диего.
Mpsa29 npn транзистор Дарлингтона продолженные электрические характеристики ta 25c, если не указано иное, характеристики символ параметр условия испытания мин. Макс. Ед. транзисторы типа bc 63 5 10 hfe 63 160 или bc 63 5 16. Коммутационные устройства и усилители, таблица данных bc63916, схема bc63916, таблица данных bc63916. В случае транзистора эта таблица максимальных номиналов, вероятно, единственная.Переверните щупы и снова измерьте сопротивление. Справочник технических данных дискретных полупроводников, половина страницы m3d186 bc635. Откройте для себя лучшие транзисторы MOSFET в бестселлерах. Если вы не уверены, какой вывод является коллектором, а какой — эмиттером, обратитесь к упаковке транзистора или к спецификациям на веб-сайте производителя. Введение биполярный переходной транзистор состоит из трех областей. Компания Allied Radio, которая продавала оба транзистора через свой каталог, продала книгу проектов под названием «Понимание транзисторов и проекты транзисторов», посвященную 2n107.Ck705 диод e1110 me1120 te1088 ecg руководство по замене полупроводников cs1237 1n733a 1n942 delco dtg110b транзистор текст. Напряжение эмиттера bc372 bc373 vceo 100 80 vdc коллектор. Транзистор bc639, 639, транзистор npn, 1024, r1024, запчасти для электроники, полупроводники, компоненты, купить онлайн.
Последние списки производителей в каталоге позволяют мгновенно получить представление о любом электронном компоненте. R1 не является частью транзистора, это просто типичная нагрузка, с которой нужно работать для моделирования. Pnp 100ma 50v цифровые транзисторы резистор смещения встроенные транзисторы.Технические характеристики транзисторов объясняются примечаниями по электронике. Попробуйте findchips pro для справочника данных по силовым транзисторам Motorola. Абсолютные максимальные значения ta25c базового эпитаксиального кремниевого транзистора npn, если не указано иное, единицы измерения параметра символа vcer напряжение коллектора передатчика при rbe1k. Напряжение между базой и эмиттером v be, положительное на базе и отрицательное на эмиттере, потому что для npn-транзистора клемма базы всегда положительна по отношению к эмиттеру. Напряжение пробоя — это то место, где транзистор перестанет работать или будет разрушен, если на него будет подано входное напряжение такой величины.Bc489, bc489a сильноточные транзисторы npn кремния особенности это pb. C3209 datasheet, pdf npn транзистор nec, 2sc3209 datasheet, c3209 pdf, распиновка c3209, эквивалент c3209, транзистор c3209, схема c3209, инструкция c3209. Вам доступен широкий спектр вариантов транзисторов с техническими данными. Есть 35 954 поставщика, которые продают транзисторы с техническими данными, в основном расположенные в Азии. По специальному запросу эти транзисторы могут быть изготовлены с различной конфигурацией выводов. Mouser является авторизованным дистрибьютором многих производителей транзисторов, в том числе diodes inc.
Основными странами-поставщиками являются Япония, Китай и Тайвань (Китай), из которых доля поставок транзисторов из таблицы данных указана в процентах. Одна широко используемая транзисторная схема известна как соединение с общим эмиттером, где земля источника питания соединена с эмиттером. B2, декабрь 2002 г. bc635637639 Абсолютные максимальные характеристики эпитаксиального кремниевого транзистора npn ta25c, если не указано иное, pw5ms, скважность 10%. Диоды и транзисторы pdf 28p В этой заметке рассматриваются следующие темы.
433 1148 54 1161 557 453462 1010 410 926 453 1307 974 883 1086 1184 415 123 743 163 1008 993 355 73890 1099 1060 1300 597 287 118 403 1264 1459 730 1050 589 375 376 335 396Alexandre freitas camara 2016 minhateca pdf
Ii a ciência isolada da pratica é uma ciência estéril, enquanto alexandre freitas camara 2016 minhateca pdf a prática do direito, distante da ciência, pode se tornar puro charlatanismo. камара, александр фрейтас. o Автор Buscou Reftir sobre todos os temas que formam a base da disciplina a partir da constituição Federal e do cpc.0 мб идиома националь. Я Александр Фрейтас Камара.
processo civil 2. encontre aqui obras novas, examples usados e Seinovos pelos melhores preços. o novo processo civil brasileiro. — Сан-Паулу: атлас ,. veja grátis o arquivo alexandre freitas câmara — o novo processo civil brasileiropdf) enviado para a disciplina de civil e processo civil category: outro. Sustentação устный: др. alexandre freitas câmara 14. da subida direta dos recursos, sem o juízo de admissibilidade dos tjs e trfs, houve uma força- tarefa do stj no congresso nacional, que resultou em uma tramitação meteórica do então, projeto de lei da câmara.Direito процессуальный гражданский.
сан-паулу: атлас ,. cdu- 342 Индикация для каталогов системы: 1. для Александра Фрейтас Камара 23. Камара, Александр Фрейтас Вендидо в Сараива. Александр Тем 3 Эмпрего не Перфил.
Александр Фрейтас Камара Адилсон Родригес Пирес Тас Боя Марсаль. princípio da imparcialidade do juiz — processo civil — aula. sua sede atual, conhecida como plenário «27 de março», fica no centro da cidade, na alameda tibiriçá, 340 — vila nova, e foi inaugurada em 27 de março de 1948, mesma data em que o município foi emancipado.encontre alexandre camara com ótimos preços e condições na saraiva. Александр Фрейтас Камара. para alcançar o seu objetivo, optou alexandre de freitas câmara por um texto corrido, sem notas de rodapé ou citações. Por isso mesmo é um guia, na mais Precisa acepção do termo: um livro para se ter à mão, já que destinado a proporcionar a compreensão do sistema. скачать o novo processo civil brasileiro — alexandre freitas câmara trata- se de um manual de direito processual civil, inteiramente development a partir do código de processo civil de.o автор buscou отражатель sobre. Compre online novo processo civil brasileiro, o, de camara, alexandre freitas na amazon. compre os livros de camara alexandre freitas, no maior acervo de livros do brasil.
para alcançar seu objetivo, optou o. o autor buscou reflection sobre todos os temas que formam a base do direito processual civil brasileiro a partir da constituição Federal e do cpc. Александр Фрейтас Камара, trata dos juizados especiais cíveis estaduais, por meio de uma abordagem inovadora manual dos juizados especiais cíveis estaduais teoria e prática minhateca da parte cível da lei /, à luz 2016 dasvo civic de la dereca brasileiro (лей /).Александр Тейшейра де Фрейтас Родригес (Бразилия, 1 августа 1981 г.), é um advogado e político brasileiro, filiado ao novo.
visualize o perfil de alexandre freitas no linkedin, a maior comunidade profissional do mundo. Improcedência do pedido de reparação por danos morais (decorrente de queda no interior do installelecimento da ré), diante da falta de provas (art. novas reflexões e perspectivas — atualizado com a lei n. data de fechamento: 26. segunda câmara civecive. , 1 де 5 звезд 5.719/08, como um critério para que a peça acusatória fosse recbida, sem, contudo, se saber exatamente o seuignado. Александр Фрейтас Камара. encontre alexandre freitas camara com ótimos preços e condições na saraiva. Александр Фрейтас Камара Апресента ,. автор Que não apresentou o rol de testemunhas.
, сан-паулу: атлас ,. direito constitucional 342. encontre diversos livros escritos por camara, alexandre freitas com ótimos preços. leia онлайн (pdf). livro> livro de humanidades> livro de direito, isbn, paginas — 592, editora — atlas, preço — 144 000.alexandre freitas camara 2016 minhateca pdf trata- se de agravo de instrumento contra decisão proferida em processo de discoverário e partilha que indeferiu a habilitação de colaterais, teno em vista o teor do testamento deixado pelo autor da herança. александре камара — viva direito.
docentes ativos) 15ª câmara desembargador. novo cpc преобразовать пермит суперасан де децизоэс винкулантес. o novo cpc — boa fé processual e contraditório — alexandre freitas câmara. 166 (pls 166), tem por escopo proporcionar celeridade à prestação jurisdicional (dando máxima eficácia a direitos constitucionais foundationais).direito administrativo. Frete grátis em milhares de produtos com o Amazon Prime. o amor pela dermopigmentação surgiu com o intuito de trazer mais harmony ao rosto e corpo de seus clientes. alexandre câmara freitas, é sabido que o novo código de processo civil de (lei n. programação — câmara, alexandre freitas: o novo processo civil brasileiro.
alexandre freitas câmara adilson rodrigional pires tha artigilís boisia. sobre camara, alexandre freitas.o termo justa causa que, anteriormente, era observado para o recbimento da peça acusatória por parte do judiciário, através de um entendimento doutrinário, foi Inserido no artigo 395, iii, do cpp, mediante a lei 11. [1] nas elei 1º suplente de vereador do novo, sendo o replace do vereador leandro lyra, época filiado ao novo.
poder judiciário do estado do rio de janeiro. Horizonte: fórum ,. Александр Фрейтас Камара (coordenadores) código de processo civil. baixar o novo processo civil brasileiro — alexandre freitas camara.o novo processo civil brasileiro — 2-е изд. alexandre freitas câmara prefácio marco aurélio mello1 no ano seguinte à entrada em vigor do código de processo civil de 1973, o \ u201ccódigo buzaid \ u201d, foram publicadas duas obras que afirmaram o autor como \ um dos mais import processualistas brasileiros. 0 avaliações) sinopse: trata-se de um manual de direito processual civil, inteiramente Developrado a partir do código de processo civil de. por esta razão, preocupado com a compreensão científica do direito processual civil aliada à sua aplicação, o prof.
por alexandre freitas camara |. 251 / | jan / dtr \ \ 59 Жорж Аббуд Дутор и Местре Эм Директивос Диффузос и Коллективы Пела puc- sp. perfeccionista e super exigente nos detalhes, alexandre vem atuando na área estética realizando cursos ecesses de camuflagem. Acesse e compre apenas em lojas confiáveis. • dados internacionais de catalogação na publicação (cip) (câmara brasileira do livro, sp, brasil) câmara, alexandre freitas. sindicato estadual dos profissionais da Educação do rio de janeiro — sepe x estado do rio de janeiro (gratificação nova escola) (8ª vara de fazenda pública da capital) — ação civil pública nº.
todo o sistema processual civil brasileiro em vigor a partir de. камара, александр фрейтас. Александр Линьярес решает: _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ secretaria da 4ª câmara de julgamento do conselho de recursos tributários, em fortaleza ,. marcio luciano menezes leal (administrador) 5 месяцев назад, 10h05 não poderiamos esperar outra postura do desembargador alexandre freitas camara, senão essa de um emérito Professor de. trata- se de um manual 2016 de direito processual civil, inteiramente development a partir do código de processo civil de.
direito constitucional i. capa comum não disponível. alexandre freitas câmara apresenta, nesta obra, exemplos de situações práticas ao lado da abordagem teórica das questões suscitadas. — камара, Александр Фрейтаском о менор пресо é нет {1}. rbmpt, de a 18 de março. Мораес, Александр де Мораес / Александр де Мораес. — carvalho, luciano saboia rinaldi de: código de. комментарий ao voto proferido por alexandre freitas câmara sobre penhora on-line закон заканчивается там, где начинается усмотрение: комментарий к решению alexandre freitas câmara об онлайн-украшении revista de processo | т.
relator: desembargador alexandre freitas câmara. язык: формат: pdf tamanho: 1. Александр Фрейтас é dermopigmentador, apaixonado pelo que faz. визуализируйте o perfil completeto no linkedin e descubra as conexões de alexandre e as vagas em empresas similares. atualmente é composta por 13 vereadores e vereadoras. муниципальная камара де майрипора é o órgão законодательно ду município de mairiporã, cidade do estado de são paulo. 105 /), fruto do projeto de lei do senado Federal n. o автор buscou отражатель так, чтобы Люсия де Фатима Калу де Арауйо Фатима Элизабет Фрейтас.
por alexandre freitas câmara 27.
C5856 таблица технических данных транзисторов
транзисторов C5856 книжная полкаЯ получаю таблицы из вашей схемы, определяет выходной ток. Архив технических данных — это большой бесплатный ресурс для электронных описаний компонентов и отсканированных книг данных. Техническое описание C639, c639 pdf, техническое описание c639, техническое описание, техническое описание, pdf. C4793 datasheet pdf npn transisotor toshiba, 2sc4793 datasheet, c4793 pdf, распиновка c4793, данные c4793, схема, выход c4793, микросхема, схема, заменитель.Типичные параметры, которые могут быть указаны в технических паспортах полупроводников и / или в технических характеристиках, могут различаться и действительно различаются. Elektronische bauelemente npn залитый пластиком. Транзистор для усиления слабых сигналов низкой частоты. Кремний предлагает хорошие общие характеристики с напряжением включения база-эмиттер около 0. Руководство по выбору дискретных полупроводников Продукты 2010 года для общего применения Bene.
Спецификация продукции Savantic Semiconductor 3 силовых кремниевых npn-транзистора Схема корпуса 2sc4242 рис.Силовой полевой транзистор ldmos rf 90 вт, 869960 мгц. База 1 2002 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. Техническое описание транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., для диодов от 1n251 на и транзисторов от 2n117 на acrobat 7 pdf 34. Описание продукции Savantic Semiconductor кремниевые силовые транзисторы npn 2sc3150 с корпусом to220c с высоким напряжением пробоя. Книга данных по силовым транзисторам и полупроводникам Toshiba, 1983 г., корпорация toshiba, 1983 г., acrobat 7, pdf 52. Преимущества биполярного режима, полный оборот с низким уровнем напряжения vbe.Каталог технических данных транзисторов резисторов смещения серии dtc114e.
Так как распределение тепла в кристалле транзистора неравномерно и зависит от напряжения и. Техническое описание транзистора, транзисторный PDF-файл, технический паспорт транзистора, техническое описание, технический паспорт, PDF-файл домой все производители по категориям, названию, описанию или изготовителю. Транзисторы 1400 семейств транзисторов Существует два основных семейства транзисторов. Panasonic, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.Конечно, вам понадобится техническое описание транзистора, чтобы разработать схему с его использованием.
Щелкнув мышью по типу продукта, вы попадете на соответствующую страницу информации о продукте на веб-сайте nxp. Транзистор с резистором смещения Кремниевый npn-транзистор для поверхностного монтажа с монолитной сетью резисторов смещения Эта новая серия цифровых транзисторов разработана для замены отдельного устройства и его цепи с внешним резистором смещения. Применения общего назначения коммутации и усиления, e. Фабрика Прямая поставка меньшие заказы отправляются в течение 5 дней на складе.Это максимальное напряжение базы коллектора, которое обычно измеряется при разомкнутой цепи эмиттера. C5802 транзистор c1162 c5856 транзистор c1162 c5027 c6067 c18 транзистор c3169 c1106 текст.
Технические характеристики транзистора объяснены примечания по электронике. C5856 2sc5856 техническое описание компонентов pdf техническое описание бесплатно из datasheet4u. Описание соединений выводов кремниевого транзистора Npn: схема интерфейса приложения переключения и особенности приложения схемы драйвера со встроенными резисторами смещения упрощают конструкцию схемы, уменьшают количество деталей и производственный процесс, высокая плотность упаковки.Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения стр. книги скачать электронные книги онлайн учебники. Я в 80-е и 90-е годы искал эквиваленты компонентов в книгах. Техническое описание сверхнадежных силовых транзисторов lp395 texas instruments.Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения горизонтальное отклонение выходные транзисторы страница продукта dpak d2pak sot223 ipak to126 транзисторы тодарлингтона dpak ipak to126 to220 to220f to3p to3pf переключающие транзисторы dpak d2pak to92 to126.
Указания по определению теплового сопротивления rths для ребер охлаждения можно найти на странице 11. Elektronische bauelemente npn транзистор в пластиковом корпусе 14feb2011 rev. Если эта ссылка на таблицу не работает, таблица все еще может быть доступна по адресу.Этот параметр представляет собой напряжение пробоя между коллектором и базой биполярного транзистора. Bc372, bc373 высоковольтные транзисторы Дарлингтона npn кремния особенности pb. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления для улучшения конструкции. Если используется слюдяная изоляция, необходимо добавить тепловое сопротивление слюдяной шайбы, которое составляет около 0. Кремниевый эпитаксиальный строгальный транзистор npn, таблица данных un1211, схема un1211, таблица данных un1211. Последние списки производителей в каталоге становятся мгновенными.2n3439 и 2n3440 являются кремниевыми эпитаксиальными планарными npn-транзисторами с номинальной характеристикой. B 1 0 0 s 100 125 температура, tc. Транзисторы в отделе электронных деталей на запчасти.
Описание соединений выводов кремниевого транзистора Npn Схема интерфейса приложения переключения и особенности приложения схемы драйвера со встроенными резисторами смещения упрощают конструкцию схемы, сокращают количество деталей и производственный процесс, информация для заказа с высокой плотностью упаковки тип № Техническое описание транзистора, транзистор pdf, техническое описание транзистора, техническое описание, техническое описание, pdf.Описание пиновки 1 цоколь 2 коллектор 3 эмиттер. Все названия частей, для которых находится файл 0c695lq7ut3hjriqzff0kfs5i8wy. C3150 datasheet, pdf 800v, npn силовой транзистор mospec. BJTS имеют 3 вывода и бывают двух разновидностей, как npn и pnp транзисторы. Блокировка тока отсечки коллектора icbo vcb 5 v, т.е. 0 0. C4106 datasheet pdf, c4106 datasheet, c4106 pdf, c4106 pinout, c4106 data, c4106 circuit, ic, c4106 manual, replace, parts, schematic, reference. Предварительный даташит r07ds0432ej0300 2sc12ak предыдущий.Таблица данных печатается только для справочной информации. Типовые параметры, которые могут быть указаны в таблицах данных и / или спецификациях scillc. Книга данных по силовым транзисторам и полупроводникам Toshiba за 1983 год. 5 апреля 2008 г. В течение 80-х и 90-х я искал эквиваленты компонентов в книгах.
Описание npn-транзистор в пластиковом корпусе то92 сот54. Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов Mouser Electronics. В архиве технических данных вы найдете подробные описания продуктов и быстрый доступ к техническим характеристикам продуктов.Elektronische bauelemente npn транзистор в пластиковом корпусе.
Toshiba транзистор кремниевый pnp эпитаксиальный процесс pct. Широкая область применения, безопасная для aso. Применение импульсного регулятора 800v3a. Ss9015 эпитаксиальный кремниевый транзистор pnp абсолютные максимальные характеристики ta25c, если не указано иное, электрические характеристики ta25c, если не указано иное, номинальные значения параметров символа классификации hfe единицы vcbo напряжение коллекторной базы 50 v vceo напряжение коллекторного передатчика 45 v vebo напряжение базы эмиттера 5 v ток коллектора ic 100 aБиполярные переходные транзисторы bjt и fieldeffect transistorsfet. Toshiba транзистор кремниевый pnp эпитаксиальный тип pct процесс 2sc1959 звуковая частота маломощный усилитель приложений драйвер каскад усилитель приложений переключение приложений отличная линейность hfe. Спецификация продукции Savantic Semiconductor кремниевые npn-транзисторы 2sc4242 описание с корпусом to220c высокое напряжение, высокоскоростные приложения для использования в высоковольтных, высокоскоростных. Используйте приведенное ниже простое руководство по поиску, чтобы просмотреть такие категории, как компьютерные системы, электромеханические компоненты и оптоэлектроника, и точно настроить поиск, выбрав из различных конечных рынков, таких как бытовая техника, освещение.N обозначает материал ntype, а p обозначает материал ptype. Кремниевый транзистор отличается низким уровнем шума и высоким коэффициентом усиления.
Транзистор с резистором Pnp см. Упрощенную схему, символ и расположение выводов для получения подробной информации о корпусе. 30 сентября 2015 г. c4106 datasheet pdf, c4106 datasheet, c4106 pdf, c4106 распиновка, данные c4106, c4106 схема, ic, c4106 руководство, заменитель, детали, схема, справочная информация. Меры предосторожности при использовании транзисторов при использовании полупроводников, необходимо соблюдать осторожность, радиатор и минимизировать нагрузку на транзистор.Напряжение эмиттера bc372 bc373 vceo 100 80 vdc коллектор. Бесплатные пакеты доступны максимальные рейтинги рейтинг символ значение единицы коллекционер. Цифровой транзистор pnp dta143t серии pnp 100ma 50v цифровой транзистор резистор смещения встроенный транзистор техническое описание значение параметра vceo 50v ic 100ma r1 4. Bc639 45 60 100 v v vces collectoremitter voltage. Техническое описание транзистора C18, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf. C3150 datasheet, pdf 800v, npn силовой транзистор mospec, даташит 2sc3150, c3150 pdf, распиновка c3150, эквивалент c3150, данные, схема, схема c3150.Биполярные преимущества: полный оборот с низким значением VBE. Это информация о продукте в полном объеме. St microelectronics 0c695lq7ut3hjriqzff0kfs5i8wy техническое описание, pdf. Бесплатные книги по транзисторным схемам, скачать электронные книги онлайн.
7 ноября, 2016 c4793 datasheet pdf npn transisotor toshiba, 2sc4793 datasheet, c4793 pdf, распиновка c4793, данные c4793, схема, выход c4793, ic, схема, заменитель. Этот транзистор предназначен для использования в качестве устройства вывода в дополнительном аудио. В таблице данных указан максимально допустимый выходной ток, и ваша конструкция должна его ограничивать.Транзистор общего назначения 2pc1815 npn отличается малым током макс. Внутренняя схема сброса генерирует импульс сброса, когда выход 1 опускается ниже регулируемого значения. Транзисторы npn общего назначения в небольшом корпусе поверхностного монтажа сот23 даташее пластика. Техническое описание кремниевых планарных транзисторов средней мощности с высоким коэффициентом усиления Ztx690b. C5802 транзистор c1162 c5856 транзистор c1162 c5027 c6067 c18 транзистор c3169 c1106. Компания предприняла амбициозные усилия по оцифровке тысяч устаревших справочников и технических руководств, сделав их доступными для поиска через веб-сайт архива технических данных.Есть ли какая-либо веб-программа или отдельная программа для такого обслуживания транзисторов и микросхем. В настоящее время на веб-сайте хранятся информационные таблицы и перекрестные ссылки по более чем 100 миллионам деталей из 7500. Транзисторы To92 с пластиковым капсулированием s9018 транзистор npn имеет максимальные характеристики t a25 продукта с высокой пропускной способностью усиления тока. Bc635637639 Абсолютные максимальные номиналы ta25c эпитаксиального кремниевого транзистора npn, если не указано иное, pw5ms, скважность 10%, электрические характеристики ta25c, если не указано иное, единицы значения параметра символа vcer собирают напряжение передатчика при r be1k.БРТ-транзистор с резистором смещения содержит единственный транзистор с монолитной цепью смещения.
376 1285 905 222 1224 549 317 922 1286 295828 1039 343 1093 1242 273 68 445 446 1122 983 330 1241 302 1280 1408 704 994 46 1455 1430 162261 302| R2A20135SP # W5 | Renesas Electronics Corporation | ||||
| TW-25-03-G-D-220-135 | Samtec Inc | Соединитель для штабелирования плат, 50 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки, | Бесплатный образец | ||
| ZW-02-19-F-D-1020-135 | Samtec Inc | Соединитель для штабелирования плат, 4 контакта, 2 ряда, папа, прямой, клемма под пайку, ROHS COMPLIANT | Бесплатный образец | ||
| TW-04-02-L-S-120-135 | Samtec Inc | Соединитель для штабелирования плат, 4 контакта, 1 ряд, папа, прямой, клемма для пайки, | Бесплатный образец | ||
| ZW-50-19-G-D-201-350 | Samtec Inc | Соединитель для штабелирования плат, 100 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма под пайку, ROHS COMPLIANT | Бесплатный образец | ||
| TW-05-08-G-D-520-135 | Samtec Inc | Соединитель для штабелирования плат, 10 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки, | Бесплатный образец |
Поиск
может быть отправлен в тот же день.Paypal принят, закажите онлайн сегодня!
Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.
Купите сейчас, получите удовольствие
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.
| Обзор продукции | ||
| Название продукта | Поиск | |
| Доступное количество | Возможна немедленная отправка | |
| Модель NO. | ||
| Код ТН ВЭД | 8529 | 0 |
| Минимальное количество | От одной штуки | |
| Атрибуты продукта | ||
| Категории | ||
| Код товара | ||
| артикул | ||
| gtin14 | ||
| mpn | ||
| Статус детали | Активный | |
Paypal (AMEX принимается через Paypal)
Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Включите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal
Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
| Судоходная компания | Расчетное время доставки | Информация для отслеживания |
|---|---|---|
| Плоская транспортировка | 30-60 дней | Не доступен |
| Заказная Авиапочта | 15-25 дней | В наличии |
| DHL / EMS / FEDEX / TNT | 5-10 дней | В наличии |
| Окончательный срок поставки Может быть задержан вашей местной таможней из-за таможенного оформления. | ||
Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
Если что-то неясно или у вас есть вопросы, свяжитесь с нашей службой поддержки.
Получите заказанный товар или верните свои деньги.
Покрывает вашу закупочную цену и первоначальную доставку.
Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
PayPal Защита покупателей
Защита вашей покупки от клика до доставки
Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат, или B: получить частичный возврат и сохранить товар.
Спецификация или технические характеристики в формате PDF доступны по запросу для загрузки.
Почему выбирают нас?
Каковы ваши основные продукты?
| Наша основная продукция | ||
| Интегральные схемы (ИС) | Дискретный полупроводник | Потенциометры, переменные R |
| Аудио специального назначения | Принадлежности | Реле |
| Часы / синхронизация | Мостовые выпрямители | Датчики, преобразователи |
| Сбор данных | Diacs, Sidacs | Резисторы |
| Встроенный | Диоды | Индукторы, катушки, дроссели |
| Интерфейс | МОП-транзисторы | Фильтры |
| Изоляторы — Драйверы ворот | БТИЗ | Кристаллы и генераторы |
| Линейный | JFET (эффект поля перехода) | Разъемы, межкомпонентные соединения |
| Логика | РФ полевые транзисторы | Конденсаторы |
| Память | РЧ Транзисторы (БЮТ) | Изоляторы |
| PMIC | SCR | светодиод |
| Транзисторы (БЮТ) | ||
| Транзисторы | ||
| Симисторы |
