Цоколевка полевых транзисторов: Цоколевка полевых транзисторов 13−24 — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Содержание

Цоколёвки полевых транзисторов.

У полевых транзисторов, выполненных по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) или MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor) расположение выводов (цоколевка) Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet), которые можно найти в инете (например на сайте alldatasheet.com).

Рассмотрим основные типы корпусов и цоколевку полевых транзисторов импортного производства:

1) Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3 (встречается в основном на «пожилых» платах, на современных используется редко).

2)Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3(используется наиболее часто, представляет собой уменьшенный D²PAK).

3)Корпус типа SO-8 (встречается на материнских платах ПК и видеокартах, внутри может скрываться один или два полевых транзистора).

4)Корпус типа SuperSO-8, он же — TDSON-8 (отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим, корпус характерен для продуктов фирмы Infineon и легко заменяется на аналог в корпусе SO-8).

5)Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3 (полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой, этот тип транзисторов очень часто использует фирма Intel на ряде своих плат).

Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные берутся из Datasheet — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. (Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF). Ниже показаны

примеры цоколевок MOSFET-транзисторов:

на рис. 1 — uPA2724UT1A,
на рис. 2 — TexasInstrumentsMOSFETCSD16321Q5C,
на рис. 3 — LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA),
на рис. 4 — MOSFET-транзисторы NTMFS4834N,
на рис. 5 — VishaySiliconixDualN-Channel 30-V (D-S) MOSFET (withSchottkyDiode) Si4370DY.

Рис. 1. MOSFET-транзисторы uPA2724UT1A

Рис. 2. Texas Instruments MOSFET CSD16321Q5C

Рис. 3. LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA)

Рис. 4. MOSFET-транзисторы NTMFS4834N

Рис. 5. Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET (with Schottky Diode) Si4370DY

Цоколевка корпусов полевых транзисторов

Приведенные ниже данные цоколевка корпусов полевых транзисторов составил Козак Виктор Романович

КП101, КП314, КП333

КП102, КП103

КП308-9

КПС104

КП201

КП202

КПС202, КПС203

КП301

КП302, КП601, КП914

КП303, КП307, КП310, КП337

КП304

КП305

КП306, КП350

КП312, КП341

КП313

КПС315

КП322

КП323-2, 2П335-2

3П324-2, 3П325-2, 3П343-2, 3П344-2

3П320-2

АП321-2

3П326-2, 3П330-2, 3П331-2, 3П339-2, 3П605-2

3П328-2

2П338-1

3П345-2

3П602-2, 3П910-2

3П603-2, 3П604-2, 3П606-2

3П608-2, 3П927-2

2П103-9

КП346-9

2П347-2

2П601-9

2П607-2

КП327

КП103-1

КПС316

КП901, КП902

КП903

КП904

КП905, КП907, КП908

2П909, 2П911, 2П913

КП705, КП801, КП802, КП912, КП921, КП926, КП934, КП937

2П918, 2П923, 2П941

3П915-2, 3П925-2

2П920

2П928

3П930-2

2П933

2П701, 2П702, 2П703, 2П803

КП921, КП931

КП704, КП707-1, КП922-1, КП946, КП948

КП932

КП707

504НТ1 — 504НТ4

КР504НТ1 — КР504НТ4

2П706

КП804

КП501, КП307-1, КП364

КП150.

IRF5210 MOSFET Распиновка, объяснение, эквиваленты, характеристики и применение

IRF5210 — это мощный MOSFET, доступный в корпусе TO-220. В этом посте описывается распиновка IRF5210 MOSFET, объяснение, эквиваленты, функции, приложения и другая полезная информация об этом устройстве.

Характеристики/технические характеристики:

Тип упаковки: TO-220

1414
Тип транзистора: P-канал
Максимальное напряжение от стока к источнику: -100 В
Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
Максимальный постоянный ток утечки: -40A
Максимальный импульсный ток стока: -140 А
Максимальная рассеиваемая мощность: 200 Вт
Макс. сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл. ): 0,06 Ом
Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +175 градусов Цельсия

Замена и эквивалент:
IRF5210PBF
IRF5210 MOSFET ENVELSED / Описание:
IRF5210-Power Power MOSFET в размере 220. Это качественный полевой МОП-транзистор, предназначенный для использования в самых разных приложениях. Максимальное напряжение сток-исток, или мы также можем сказать, что максимальное напряжение нагрузки, которое может управлять этот транзистор, составляет -100 В, максимальный непрерывный ток стока / максимальная нагрузка, которую вы можете управлять, составляет -40 ампер, максимальный импульсный ток стока / максимальная нагрузка, которую вы можете управлять импульсами. составляет -140 ампер, максимальное значение RDS(on) составляет всего 0,06 Ом, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 200 Вт.
Транзистор имеет множество функций, таких как «быстрое переключение», что делает его идеальным для использования в приложениях, где быстрое переключение имеет решающее значение, «полностью лавинный номинал» означает, что он будет стабильно работать в условиях, когда его напряжение сток-исток превышает его пределы, максимальная рабочая температура до 175°C делает его способным стабильно работать при этих температурах по сравнению с другими полевыми МОП-транзисторами, максимальная рабочая температура которых составляет 150°C. Транзистор имеет низкое сопротивление RDS(on)/сток-исток, что обеспечивает низкие потери мощности и низкое тепловыделение во время работы. Другими особенностями являются динамические рейтинги dv/dt, передовые технологические процессы и т. д.

Где и как использовать:
IRF5210 можно использовать в самых разных приложениях, которые подпадают под его рейтинги. Например, его можно использовать в любых целях коммутации и усиления. Приложения, в которых он может использоваться, включают источники питания, автомобильную промышленность, резервное питание, солнечную энергетику, коммутацию нагрузок и т. д. Более подробную информацию о том, какие приложения можно использовать, можно найти в разделе «Приложения» ниже.

Применение:
Солнечные зарядные устройства
Контроллеры солнечного заряда / Солнечные зарядные устройства
Системы управления батареями (BMS)
Различные приложения для транспортных средств
ОБРАЗОВАНИЕ БАЙТА Источники питания
Приложения для драйверов двигателей
Преобразователи постоянного тока в постоянный
Мощные аудиоусилители

Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные значения:
Чтобы обеспечить долгосрочную производительность этого устройства в ваших приложениях, рекомендуется следовать приведенным ниже рекомендациям:
Не допускайте использования МОП-транзистора на его абсолютных максимальных значениях и всегда оставайтесь на уровне 20%. ниже от его максимальных оценок.
Максимальный непрерывный ток стока составляет -40 А, поэтому не подключайте нагрузку более 32 А.
Максимальное напряжение сток-исток составляет -100 В, поэтому не подключайте нагрузку выше -80 В.
Используйте подходящий радиатор с полевым МОП-транзистором.
Всегда храните или используйте транзистор при температуре выше -55°C и ниже +150°C.

Техническое описание:
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF5210_InternationalRectifier.pdf
IRLZ34N MOSFET Распиновка, техническое описание, эквивалент, схема и технические характеристики
19Октябрь 2021 — 0 комментариев
МОП-транзистор IRLZ34N
Распиновка МОП-транзистора IRLZ34N
N-канальные высокомощные полевые МОП-транзисторы (металлооксидно-полупроводниковые полевые транзисторы) популярны для управления более высокими напряжениями и токами от микроконтроллера. У них очень низкое сопротивление в открытом состоянии (@0,035 Ом или 35 мОм), следовательно, они рассеивают меньше тепла и обычно не нуждаются в радиаторе (пока нагрузка не превышает 2,5 А). Семейство мощных полевых МОП-транзисторов IR MOSFET используется в широком спектре устройств для поддержки различных приложений, таких как двигатели постоянного тока, инверторы, импульсные источники питания, освещение, переключатели нагрузки, а также приложения с питанием от батарей.

IRLZ34N MOSFET Конфигурация контактов
Номер контакта

Название контакта
Описание контакта
1
Ворота
Управляет смещением MOSFET
2
Слив
Ток поступает через сток
3
Источник
Ток протекает через источник и покидает МОП-транзистор

Особенности и характеристики
Производитель: Infineon
Способ монтажа: компонент сквозного отверстия
Упаковка/кейс: Чемодан ТО-220
Высота: 15,65 мм
Длина: 10 мм
Ширина: 4,4 мм
Время нарастания: 100 нс
Время падения: 29 нс
Полярность транзистора: N-канальный
Режим канала: расширение
Диапазон рабочих температур: от — 55 ⁰ C до + 175 ⁰ C
Напряжение пробоя сток-исток (VDSS) = 55 В

Непрерывный ток стока (I _d ) = 30 А
Вкл. — Сопротивление сток-исток (R _ds ): 0,035 Ом
Рассеиваемая мощность (P _d): 68 Вт
Напряжение пробоя сток-исток: 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток: ±16 В

IRLZ34N Equivalent MOSFETS
IRLZ44Z, IRLZ44N, IRFB3607G, IRFB3207Z, IRF3205Z, IRF1407, IRFB4310ZG, IRFB4510G, IRF3710, IRF1407, IRF1010EZ, IRFB4321, IRFZ44V, IRFB4410, etc.

IRLZ34N MOSFETs Working (n- канал, тип улучшения)
Чтобы протестировать полевые МОП-транзисторы (тип улучшения), давайте кратко разберемся, что происходит внутри. Сейчас МОП-транзисторы обычно используются в качестве переключателей. На контакт Gate подается напряжение, это включает путь стока к истоку и, следовательно, действует как переключатель. В некоторых случаях это лучше, чем механические переключатели, потому что в них нет движущихся частей. Затвор изолирован от стока и истока и действует как очень маленький конденсатор с положительным напряжением на затворе по отношению к истоку, включает канал и устройство проводит. Когда напряжение затвор-исток падает до нуля, устройство выключается.

Как использовать цифровой мультиметр для проверки состояния ВКЛ и ВЫКЛ МОП-транзистора
Теперь, чтобы проверить МОП-транзистор, установите цифровой мультиметр на функцию диода. Чтобы протестировать МОП-транзистор в выключенном состоянии, оставьте затвор без подачи на него напряжения и проверьте соединение между стоком и истоком. Итак, подключите отрицательный щуп цифрового мультиметра к источнику, а положительный вывод — к стоку. А цифровой мультиметр должен показывать OL (перегрузка, значит обрыв цепи). Теперь мы должны подать небольшое напряжение на вывод Gate и посмотреть, как он действует как небольшой конденсатор. Для этого возьмите положительный щуп цифрового мультиметра и на мгновение коснитесь штифта Gate и соедините положительный щуп обратно со сливом. Теперь мы видим, что произошло короткое замыкание (вы должны услышать звуковой сигнал, указывающий на короткое замыкание).