Цоколевка транзистора кт817 – Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Содержание

Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Параметры транзистора КТ817

 

Uкбо— max напряжение коллектор-база
Uкбои— max напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо— max напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои— max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax— max постоянный ток коллектора
Iкmax и— max импульсный ток коллектора
Pкmax— max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
Pкmax т— max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
h21э— коэффициент усиления в схеме с ОЭ
Iкбо— ток коллектора (обратный)
fгр— граничная частота h21э в схеме с ОЭ
Uкэн— напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер

 

Цоколевка КТ817

Аналог КТ817

  • КТ817А – аналог BD433
  • КТ817Б – аналог BD233
  • КТ817В – аналог BD235
  • КТ817Г – аналог BD237

Тип корпуса

ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г

DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9

Маркировка КТ817

Пример маркировки транзистора:

Специфика КТ817

• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C

• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Скачать datasheet КТ817 (unknown, скачано: 2 248)

www.joyta.ru

КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом


КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.


Основные технические параметры транзистора КТ817

ПриборМаксимальные параметрыПараметры при температуре = 25°CRТ п-к, °C/Ватт
  при температуре = 25°C       
 
    
IК, max, амперIК и, макс, амперUКЭ0 гран, вольтUКБ0 макс, вольтUЭБ0 макс, вольтPК макс, ваттTК, °CTп макс, °CTК макс, °Ch21ЭUКЭ, вольтIЭ, амперUКЭ насыщ, вольтIКБ0, мАмперfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ817А3525 5252515010025210,60,13 60115   5
КТ817Б3545 5252515010025210,60,13 60115  5
КТ817В3560 5252515010025210,60,13 60115  5
КТ817Г3580 5252515010025210,60,13 60115  5

Обозначение на схеме КТ817

 

Цоколёвка транзистора КТ817

 

Внешний вид транзистора на примере КТ817Г



radiohome.ru

Транзистор КТ817 — DataSheet

ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ817АBD433, TIP31, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, HSE2000 *3, ZT1483A *1, KSh41 *3, 2N1483A *1, MJE520
КТ817БBD175, BD233, BD175, BD633 *3, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301
*3
, ZT1483A *1, KSh41 *1, 2N1483A *1
КТ817ВBD177. BD235, 2N4232 *1, 2N1079 *1, 2SD226A *3, SDT4308 *3, SDT4302 *3, BD635 *3, ZT1484A *1, 2N1484A *1
КТ817ГBD179, BD237, MJD31C *1, CJD31C *1, 2N3676 *1, 2SD129 *1, BD179, 2N4233 *1, 2SD390A *3, 2SD389A *3, 2SD366A *3, 2SD365A *3, 2SD318A *3, 2SD317A *3
КТ817Б-22SD880, BD933 *3, KD233 *2, BD233 *2,  BD813 *2, 2SD235Y *1, 2SD1189FQ, 2SD1189FP, 

2SD1189F, 2SD235G-Y *1

КТ817Г-2BD179-16, 2SC1826, BD179-16 *1, PG1013 *1, BD179-10 *3, 2SD1381FQ, 2SD1381FP, 

2SD1381F, PG1012 *3, 2SD880Y *3, 2SD1902R *3

Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ817А25*Вт
КТ817Б25*
КТ817В25*
КТ817Г25*
КТ817Б-2
25*
КТ817Г-225*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ817А≥3МГц
КТ817Б≥3
КТ817В≥3
КТ817Г≥3
КТ817Б-2≥3
КТ817Г-2≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ817А40*В
КТ817Б45*
КТ817В60*
КТ817Г100*
КТ817Б-245*
КТ817Г-2100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ817А5В
КТ817Б5
КТ817В
5
КТ817Г5
КТ817Б-25
КТ817Г-25
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ817А3(6*)А
КТ817Б3(6*)
КТ817В3(6*)
КТ817Г3(6*)
КТ817Б-23(6*)
КТ817Г-23(6*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ817А25 В≤0.1мА
КТ817Б45 В≤0.1
КТ817В60 В≤0.1
КТ817Г100 В≤0.1
КТ817Б-240 В≤0.1
КТ817Г-240 В≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ817А2 В; 1 А≥25*
КТ817Б2 В; 1 А≥25*
КТ817В2 В;1 А≥25*
КТ817Г2 В; 1 А≥25*
КТ817Б-25 В; 50 мА≥100*
КТ817Г-25 В; 50 мА≥100*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ817А10 В≤60пФ
КТ817Б10 В≤60
КТ817В10 В≤60
КТ817Г10 В≤60
КТ817Б-210 В≤60
КТ817Г-210 В≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ817А≤0.6Ом, дБ
КТ817Б≤0.6
КТ817В≤0.6
КТ817Г≤0.6
КТ817Б-2≤0.08
КТ817Г-2≤0.08
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ817АДб, Ом, Вт
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ817Апс
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2

rudatasheet.ru

Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Содержание страницы

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии.

Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Транзистор КТ817

Параметры транзистора КТ817

Uкбо— max напряжение коллектор-база
Uкбои— max напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо— max напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои— max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax— max постоянный ток коллектора
Iкmax и— max импульсный ток коллектора
Pкmax— max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
Pкmax т— max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
h21э— коэффициент усиления в схеме с ОЭ
Iкбо— ток коллектора (обратный)
fгр— граничная частота h21э в схеме с ОЭ
Uкэн— напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер

Цоколевка КТ817

Цоколевка КТ817

Аналог КТ817

  • КТ817А – аналог BD433
  • КТ817Б – аналог BD233
  • КТ817В – аналог BD235
  • КТ817Г – аналог BD237

Тип корпуса

ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г

DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9

Тип корпуса

Маркировка КТ817

Маркировка КТ817

Специфика КТ817

• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C

• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Datasheet КТ817

elekt.tech

Транзисторы КТ315,КТ3102,КТ817 — маркировка и цоколевка,основные параметры.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А — 2N4123
КТ3102А — 2N2483
КТ3102А — 2SC828
КТ3102А — BC546C
КТ3102А — B547B
КТ3102А — BC547C

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора.3А. Рассеиваемая мощность коллектора 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор кт817г характеристики цоколевка

Кремниевые эпитаксиально — планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналоги КТ817

  • Прототип КТ817 Б – BD233
  • Прототип КТ817 В – BD235
  • Прототип КТ817 Г – BD237

Особенности

  • Диапазон рабочих температур корпуса от — 60 до + 150 °C
  • Комплиментарная пара – КТ816

Обозначение технических условий

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817 А, Б, В, Г
  • пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) — КТ817 А9, Б9, В9, Г9

Назначение выводов

Вывод (корпус КТ-27)Назначение (корпус КТ-27)Вывод (корпус КТ-89)Назначение (корпус КТ-89)
№1Эмиттер№1База
№2Коллектор№2Коллектор
№3База№3Эмиттер

Технические характеристики транзистора КТ817

Таблица 1.Основные электрические параметры КТ817 при Токр.среды=25 °С

ПаpаметpыОбозн.Ед.изм.Режимы измеренияMinMax
Граничное напряжение колл- эмит
КТ817 А, А9Uкэо гp.BIэ =0,1 A
tи =0,3 — 1 мс
25
КТ817 Б, Б945
КТ817 В, В960
КТ817 Г, Г980
Обратный ток коллектора
КТ817 А, А9IкбомкАUкэ =40 В100
КТ817 Б, Б9Uкэ =45 В100
КТ817 В, В9Uкэ =60 В100
КТ817 Г, Г9Uкэ =100 В100
Обратный ток коллектор — эмиттер
КТ817 А, А9I кэrмкАUкэ =40 В, Rбэ≤1 кОм200
КТ817 Б, Б9Uкэ =45 В, Rбэ≤1 кОм200
КТ817 В, В9Uкэ =60 В, Rбэ≤1 кОм200
КТ817 Г, Г9Uкэ =100 В, Rбэ≤1 кОм200
Статический коэффициент передачи токаh21эUкб =2 B, Iэ =1 A25275
Напряжение насыщения коллектор — эмиттерUкэ насВIк=1 A, Iб =0,1 A0,6

Таблица 2.Предельно допустимые электрические режимы КТ817

Аналоги транзистора КТ817А
2N5190, 2SD234, TIP31, 2N6121, BD433, BD435, BD611, BD613

Цоколевка транзистора КТ817А
Цоколевка и размеры транзистора КТ817А

Характеристики транзистора КТ817А

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(6000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(25) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 25-275
Обратный ток коллектора 3 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора

Биполярный транзистор KT817G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT817G

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817G Datasheet (PDF)

5.2. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в усилителях и переключа�

5.3. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в усилителях и переключа�

5.4. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

5.5. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170 высоковольтный биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегули

vi-pole.ru

Параметры транзистора КТ817. Datasheet. Цоколевка, описание, аналоги.

Параметры транзистора КТ817. Datasheet. Цоколевка, описание, аналоги.

КТ817 — кремниевый биполярный  n-p-n транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126

Назначение: КТ817 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г

Комплементарная пара: КТ816

Аналог: BD233, BD235, BD237

Цоколевка КТ817: Э-К-Б, смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ817: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

 

Основные характеристики транзисторов КТ817:
ПараметрыРежим измеренияMin (минимальное значение параметра)Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ817(А-Г)Uкб=2B, Iэ=1A25275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ817(А-Г)
Iк=1А, Iб=0.1A  0.6В
Предельные параметры транзисторов КТ817:
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp
КТ817А
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
Rэб ≤ 1кОм 40В
45В
60В
100В
Напряжение эмиттер-база (обратное)  
Постоянный ток коллектора КТ817  
Импульсный ток коллектораtи ≤ 20 мс, Т/tи≥100 
Максимально допустимый постоянный ток базы  
Постоянная рассеиваемая мощность коллектораТк ≤ 50 °С 25Вт
Температура перехода  -60 +150

Подробные параметры КТ817 и многих других отечественных транзисторов приведены в справочнике мощных транзисторов

www.trzrus.ru

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *