Цоколевка транзистора: Определение цоколевки и типа транзистора

Транзистор 13007: характеристики, цоколевка, отечественные аналоги

13007 — кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор для мощных переключающих цепей. Конструктивное исполнение: TO220 (TO220AB/F/S, TO263, TO3P). 

Основная информация представленна для модели FJP13007. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.

Содержание

1. Корпус, цоколевка
2. Предназначение
3. Характерные особенности
4. Предельные эксплуатационные характеристики
5. Электрические параметры
6. Классификация по величине hFE
7. Модификации транзистора 13007
8. Аналоги
9. Отечественное производство
10. Зарубежное производство
11. Графические иллюстрации характеристик

Корпус, цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для использования в высокочастотных электронных схемах преобразователей, инверторов, импульсных модуляторов, систем электропривода и схем электронного балласта.

Характерные особенности

• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: U(BR)CEO ≥ 400 В.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 2,0 В при IC = 5 А.
• Высокая скорость переключений: tf ≤ 0,7 мкс.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристики		Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В		UCBO	700
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В		UCEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В		UEBO	9
Ток коллектора постоянный, А		IC	8
Ток коллектора импульсный, А		ICP	16
Ток базы постоянный, А		IB	4
Предельная рассеиваемая мощность, Вт	Ta = 25°C	PC	2
	Tc = 25°C	PC	80
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С		Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°		Tstg	-65…+150

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики выключенного состояния
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	U(BR)CEO	IC = 10 мА, IB = 0	≥ 400
Ток эмиттера выключения, мА	IEBO	UEB = 9 В, IC = 0	≤ 1,0
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat) (1)	IC = 2,0А, IB = 0,4 А	≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat) (2)	IC = 5,0А, IB = 1,0 А	≤ 2,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat) (3)	IC = 8,0А, IB = 2,0 А	≤ 3,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat) (1)	IC = 2,0А, IB = 0,4 А	≤ 1,2
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat) (2)	IC = 5,0А, IB = 1,0 А	≤ 1,6
Статический коэффициент усиления по току ٭	hFE (1)	UCE = 5,0 В, IC = 2,0 А	8…60
	hFE (2)	UCE = 5,0 В, IC = 5,0 А	5…30
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГц	fT	IC = 1,0 мА, UCE = 10 В	≥ 4
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ	Cob	UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц	110
Временные характеристики при резистивной нагрузке
Время нарастания импульса тока, мкс	ton	UCC = 125 В, IC = 5 А, IB1 = -IB2 = 1,0 А, RL = 25 Ом	1,6
Время сохранения импульса, мкс	ts (tstg)		3
Время спадания импульса, мкс	tf		0,7

٭ — получено при импульсном тесте: длительность импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Классификация по величине h

_FE

Группа по величине hFE	h2	h3
Величина hFE	15…28	26…39

Модификации транзистора 13007

Данные по временным параметрам (t_on, t_s, t_f) в таблице приведены для резистивной нагрузки (если не указано иное).

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13007	2/85	700	400	9	9/-	150	≥ 5	—	8…35	≤ 0,8	0,5/5,5/0,5	TO220
13007DL	2/80	400	200	9	12/-	150	≥ 4	—	8…30	≤ 1,0	1,0/6,0/0,5	TO220
13007S	2/75	500	350	9	8/-	150	≥ 4	—	8…35	≤ 0,6	0,9/6,0/0,5	TO220
13007T	2/80	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	8…35	≤ 0,8	0,5/5,0/0,5	TO220
3DD13007	2/-	700	400	9	8/-	150	≥ 4	80	5…40	≤ 1,0	-/3,0/0,7	TO263
3DD13007B8	2/80	700	400	9	8/16	150	≥ 5	—	20…30	≤ 1,0	0,5/5,0/0,5	TO220AB
3DD13007B8D	2/80	700	400	9	7/14	150	≥ 5	—	15…30	≤ 1,0	0,5/5,0/0,5	TO220AB
3DD13007H8D	2/90	700	400	9	9/18	150	≥ 5	—	15…30	≤ 1,0	1,0/6,0/0,5	TO220AB
3DD13007K	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	—	8…50	≤ 1,2	-/4,0/0,7	TO220
3DD13007X1	2/80	700	400	9	8/16	150	≥ 5	—	20…35	≤ 1,0	1,0/6,0/0,3	TO220AB
3DD13007Y8	2/80	520	340	9	7/14	150	≥ 4	—	20…35	≤ 0,8	0,6/5,0/0,4	TO220AB
3DD13007Z7	1,5/50	350	200	9	8/16	150	≥ 4	—	15…30	≤ 1,0	1,0/4,0/1,0	TO126F
3DD13007Z8	2/75	350	200	9	8/16	150	≥ 4	—	15…30	≤ 1,0	1,0/4,0/1,0	TO220AB
BR3DD13007 HV7R	2/45	900	500	9	7/14	150	18	80	8…40	≤ 2,0	-/8,0/0,6	TO220
BR3DD13007 V8F	2/80	700	400	9	8/16	150	≥ 8	—	8…40	≤ 2,0	-/9,0/0,6	TO220F
BR3DD13007 V9P	2/80	700	400	9	8/-	150	≥ 8	—	10…40	≤ 0,9	-/9,0/0,6	TO3P
BR3DD13007 X7R	2/90	700	400	9	8/16	150	≥ 5	110	5…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220
BR3DD13007 X8F	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F
BR3DD13007 X9P	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO3P
CDL13007	2/80	700	400	9	8/-	150	≥ 4	—	8…40	≤ 1,5	-/3,6/0,8	TO220	Группы по hFE: A/B/C/E
CDL13007D	2/75	700	400	9	4/-	150	≥ 5	—	10…50	≤ 0,6	-/3,6/0,8	TO220	Группы по hFE: A/B/C/E
CJE13007	2/80	700	400	9	8/-	150	≥ 4	—	8…40	≤ 1,5	-/3,6/0,8	TO220	Гр. по hFE: A/B
FJP13007	2/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	110	5…60	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220	Группы по hFE: h2/h3
FJPF13007	-/40	700	400	9	8/16	150	≥ 4	110	5…60	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220F	Группы по hFE: h2/h3
HMJE13007	-/80	700	400	9	8/-	150	—	—	5…48	≤ 3,0	—	TO220
HMJE13007A	-/80	700	400	9	8/-	150	—	—	13…25	≤ 3,0	—	TO220
KSE13007	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	110	5…60	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220
KSE13007F	-/40	700	400	9	8/16	150	≥ 4	110	5…60	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220F
KSh23007	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	110	5…60	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220
KSh23007A	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	80	5…60	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220
KSh23007AF	-/40	700	400	9	8/16	150	≥ 4	80	5…60	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220F
KSh23007F	-/40	700	400	9	8/16	150	≥ 4	110	5…60	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220F
KSh23007W	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	110	5…40	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO263 (D2PAK)	Группы по hFE: h2/h3/…/H5
MJE13007	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	80	5…40	≤ 3,0	1,5/3,0/0,7	TO220AB
MJE13007A	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	110	6…40	≤ 3,0	0,7/3,0/0,7	TO220
MJE13007D	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	80	5…40	≤ 3,0	1,5/3,0/0,7	TO220
MJE13007DV7	2/80	700	400	9	7/16	150	≥ 8	110	5…40	≤ 2,0	-/9,0/0,6	TO220
MJE13007F	-/40	700	400	9	8/16	150	≥ 4	110	10…39	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220IS	Группы по hFE: R/O
MJE13007HV7	2/45	900	500	9	7/14	150	18	80	8…40	≤ 2,0	-/8,0/0,6	TO220
MJE13007M	-/85	700	400	9	8/16	150	≥ 4	—	5…40	≤ 1,0	-/7,0/0,3	TO220/S
MJE13007M	-/45	700	400	9	8/16	150	≥ 4	—	5…40	≤ 1,0	-/7,0/0,3	TO220FP
MJE13007V7	2/80	700	400	9	8/16	150	≥ 8	110	5…40	≤ 2,0	-/9,0/0,6	TO220
MJE13007V8	2/80	700	400	9	8/16	150	≥ 8	—	8…40	≤ 2,0	-/9,0/0,6	TO220F
MJE13007V9	2/80	700	400	9	8/-	150	≥ 8	—	10…40	≤ 0,9	-/9,0/0,6	TO3P
MJE13007X7	2/90	700	400	9	8/16	150	≥ 5	110	5…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220
MJE13007X8	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F
MJE13007X9	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO3P
MJF13007	-/40	700	400	9	8/16	150	—	—	5…40	≤ 3,0	—	TO220F
PHE13007	-/80	700	400	9	8/16	150	—	—	5…40	≤ 3,0	-/3,0/0,7	TO220AB	٭
SBF13007-O	-/40	700	400	9	8/16	150	≥ 4	—	5…40	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220F
SBP13007D	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	6,5	10…40	≤ 3,0	-/3,6/1,6	TO220
SBP13007-K	2,05/80	700	400	9	8/16	150	—	—	5…40	≤ 2,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBP13007-O	2,05/80	700	400	9	8/16	150	—	—	5…40	≤ 3,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBP13007-S	2,1/80	700	400	9	8/16	150	—	—	5…40	≤ 2,5	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBP13007-X	-/100	600	400	9	12/24	150	—	—	6…40	≤ 3,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
ST13007FP	-/36	700	400	9	8/16	150	—	—	5…40	≤ 3,0	-/2,5/0,11	TO220FP	Гр. по hFE: A/B ٭٭
ST13007DFP	-/36	700	400	9	8/16	150	—	—	8…40	≤ 2,0	-/2,3/0,15	TO220FP	٭٭
ST13007D	-/80	700	400	9	8/16	150	—	—	8…40	≤ 2,0	-/2,3/0,15	TO220	٭٭
STB13007DT4	-/80	700	400	9	8/16	150	14	80	5…45	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220AB
STD13007F	-/40	700	400	9	8/16	150	14	80	5…45	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220F-3L	Гр. по hFE: A/B
STD13007FC	-/40	700	400	9	8/16	150	14	80	5…45	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220F-3SL	Гр. по hFE: A/B
STD13007P	-/87	700	400	9	8/16	150	14	80	5…45	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	TO220AB
SXW13007	-/80	700	400	—	8/-		—	—	10…40	—	-/4,0/-	TO220
TS13007B	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	180	5…40	≤ 3,0	1,0/3,0/0,7	TO220
WBP13007-K	2,05/80	700	400	9	8/16	150	—	—	5…40	≤ 2,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
UMT13007	-/80	700	400	8	8/-	150	≥ 4	200	6	—	—	TO220

٭ — кроме того, в даташит производителя также приводятся данные по временным параметрам (ton, ts, tf) для случаев индуктивной нагрузки.

٭٭ — в даташит производителя (и в этой таблице) приводятся данные по временным параметрам (ts, tf) только для индуктивной нагрузки.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные, предназначенные для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, пускорегулирующих устройствах, схемах строчной развертки ТВ-приемников и во вторичных источниках электропитания.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13007	2/85	700	400	9	9/-	150	≥ 5	—	8…35	≤ 0,8	0,5/5,5/0,5	TO220
КТ8126А1	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	120	5…40	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	КТ-28	(TO220)
2Т856А	-/125	950	950	5	10/12	—	—	—	10…60	≤ 1,5	-/-/0,5	КТ-9	(TO3)
Б		750	750
Г		850	850
КТ872А	-/100	700	700	6	8/15	150	7	—	6	≤ 1,0	-/6,7/0,8	КТ-43	(TO218)
КТ878А	2/100	900	900	6	25/30	150	≥ 10	500	12…50	≤ 1,5	-/3,0/-	КТ-9	(TO3)
КТ8107А	-/100	1500	700	5	5/7	150	≥ 7	≤ 75	≥ 2,25	≤ 1,0	-/3,5/0,5	КТ-43-2	(TO218)
В		1200
КТ8108А/Б/В	-/70	850	850	5	5/7	150	≥ 15	≤ 75	10…50	≤ 1,0	-/3,0/0,3	КТ-9	(TO3)
КТ8114А	-/125	1500	700	6	8/15	150	—	—	≥ 6	≤ 1,0	-/-/0,5	КТ-43-2	(TO218)
Б		1200
КТ8118А	-/50	900	750	5	3/-	150	≥ 15	—	10	—	—	—
КТ8121А	-/75	700	400	5	4/8	150	≥ 4	—	8…60	≤ 1,0	-/3,0/0,4	—
КТ8164А	-/75	700	400	9	4/8	150	≥ 4	110	8…60	≤ 1,0	0,8/4,0/0,9	КТ-28	(TO220)

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13007	2/85	700	400	9	9/-	150	≥ 5	—	8…35	≤ 0,8	0,5/5,5/0,5	TO220
13009T	2/95	700	400	9	11/-	150	≥ 5	—	8…40	≤ 0,8	0,4/6,0/0,4	TO220
BLD137D	-/90	700	400	9	8/-	150	—	—	5…40	≤ 1,5	-/7,0/0,8	TO220/S
BR3DD13009 X7R	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220
BR3DD13009 X8F	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F
BUJ105A	-/80	700	400	—	8/16	150	—	—	10…36	≤ 1,0	1,0/2,5/0,5	TO220AB	٭
BUJ106A	-/80	700	400	—	10/20	150	—	—	10…33	≤ 1,0	0,75/3,3/0,75	TO220AB	٭
BUL67	-/100	700	400	9	10/18	150	—	—	10…50	≤ 1,5	-/3,2/0,18	TO220	٭٭
BUL87	-/110	700	400	9	12/24	150	—	—	8…40	≤ 1,5	-/3,4/0,165	TO220	٭٭
FJP3307D	-/80	700	400	9	8/16	150	—	60	5…40	≤ 3,0	-/3,0/0,7	TO220
MJE13009X7	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220
MJE13009X8	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F
MJE13009ZJ	2/90	700	400	9	12/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO220S
PHE13009	-/80	700	400	—	12/24	150	—	—	8…40	≤ 2,0	-/3,3/0,7	TO220AB	٭
SBP5307DO	-/80	700	400	9	8/16	150	—	—	10…40	≤ 3,0	-/3,6-1,6	TO220
SGSF341	-/80	850	400	—	10/-	175	—	—	—	≤ 1,5	1,2/3,5/0,4	TO220	٭
TSC148D	-/80	700	400	9	8/16	150	—	—	8…40	≤ 2,0	0,6/1,6/0,3	TO220 TO263

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при коллекторном напряжении U_CE = 5 В.

Рис. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и база-эмиттер U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при соотношении токов I_C/I_B = 3.

Рис. 3. Зависимость влияния напряжения коллектор-база U_CB на величину емкости коллекторного перехода C_ob.

Рис. 4. Ограничение предельной тепловой нагрузки транзистора (максимально допустимой рассеиваемой мощности P_C) при возрастании температуры корпуса T_c.

Рис. 5. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время задержки t_D и время нарастания t_R.

t_D + t_R = t_on – время нарастания импульса (включения транзистора).

Характеристики сняты при условиях:

• U_CC = 125 В напряжение питания.
• U_BE(OFF) = 5 В напряжение база-эмиттер перед включением.
• I_С/I_B = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 6. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время сохранения импульса t_s (t_stg) и время спадания импульса t_f.

Характеристики сняты при условиях:

• U_CC = 125 В напряжение питания.
• I_С/I_B = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной или емкостной нагрузки.

Кривые ограничений нагрузки сняты в режиме одиночных импульсов длительностями 10 мкс, 100 мкс и 1 мс, а также в режиме постоянного тока (характеристика обозначена “DC”).

Ограничения нагрузок:

• по величине предельного тока коллектора I_C ≤ 8 А, I_CP ≤ 16 А;
• по величине напряжения коллектор-эмиттер U_CEO ≤ 400 В;
• по общему перегреву п/п структуры;
• по вторичному пробою п/п структуры.

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая индуктивной нагрузки.

При индуктивном характере нагрузки могут возникать перенапряжения, значительно превышающие напряжение питания. Повысить запирающую способность транзистора и устойчивость к перенапряжениям удается введением отрицательного смещения по управляющему электроду (I_B2 = -I_B1 = -1А). В этом случае предельное напряжение коллектор-эмиттер повышается до уровня 700 В.

При снятии характеристик: напряжение питания UCC = 50 В, индуктивность L = 1 мГн.

Правильная цоколёвка транзисторов Deneb-80

Приветствую!

Думаю, многим начинающим (и продолжающим) любителям электроники знакомо чувство разочарования, когда собираешься какое-то устройство по готовой схеме, а устройство отказывается работать. Проверяешь все в очередной раз. Рыщешь в интернете в поиске похожих ошибок. Убиваешь на эту простейшую схему кучу времени, а она не работает и все тут! И вроде схема-то проверенная.

Вот решил поделиться случаем из практики. Когда бился над проблемой не один день, а решение оказалось до смешного простейшим!

Думаю, хватит тянуть кота за… что попалось:) Опишу суть. 

Кому лень читать много букв, можете посмотреть все на видео: 

https://youtu.be/eFxy8aDVwOc

Собирал как-то простейший H-мост для управление моторчиком. Сопротивление обмотки его в районе 1 кОма. В инете полно похожих схем. Единственное отличие было в питании. Двигателю нужно было 24 В, а управление шло от микроконтроллера, т.е. 5 В. В общем-то, сложностей никаких возникнуть не должно. Схема следующая:

Подаём на управляющие транзисторы либо 5 В, либо 0, двигатель вращается в одну, либо в другую сторону.

Сначала для проверки подаю с контроллера на один транзистор (не важно какой) 1, на другой 0. При этом нагрузки никакой нет. Включаю питание – выгорают транзисторы! Проверяю плату на сопли, правильность соединений – все ОК! Меняю транзисторы. Не буду описывать тут весь геморрой. Только основные моменты. Ограничил ток на блоке питания до 50 мА. Включаю, транзисторы pnp потихоньку разогреваются, ток 50 мА напряжение просело до 12 В.

В итоге спалил несколько транзисторов. Перед впайкой проверяю транзисторы мультиметром на проверке диодов. По даташиту на BC557 слева направо идёт коллектор-база-эмиттер (смотрим на лицевую сторону). Вот картинки из нескольких даташитов известных фирм (On Semiconductor, NXP и Farnell):

      

Тыкаем минусовой щуп в базу, плюсовой сначала в эмиттер, потом в коллектор. В обоих случаях прибор показывает 0.7 В. Вроде все правильно. Транзистор целый, база в середине. Но! На своих ли местах коллектор и эмиттер?

Помог мне более опытный знакомый. Он усомнился в правильности цоколёвки китайских транзисторов. И высказал предположение, что коллектор с эмиттером не на своих местах, т. е. цоколёвки в даташиту не совпадает с реальной. Как это проверить?

При проверке тестером можно убедиться только в том, что переходы база-коллектор и база-эмиттер целые, и проверить тип транзистора (pnp или npn). Но нельзя определить где коллектор, а где эмиттер. Для определения нужно собрать две простенькие схемки:

Первая

И вторая

При таком включении ток базы будет определятся так: напряжение питания (5 В) минус падение напряжения на переходе база-эмиттер (0.6-0.7 В) деленное на R1 (4.7 кОм). Получается около 0.9 мА.

Подаём питание, измеряем ток. 

При правильном включении (схема 1) ток, измеренный амперметром будет равен ток базы (0.9 мА), умноженный на коэффициент усиления транзистора (по даташиту минимальный 90).

Затем меняем крайние выводы (коллектор, эмиттер) местами, снова подаем питание и смотрим ток. 

Приведу значения, которые получились у меня: при первом включении ток был равен 6 мА, при другом включении 143 мА.

В итоге оказалась, что расположение выводов купленных транзисторов не совпадает с расположением в даташитах.

В моем случае получалось, что при подаче напряжения в схему открывались эмиттерные переходы pnp транзисторов, а при открытии одного из управляющих транзисторов протекал сквозной ток.

Еще один метод определения коллекторного и эмиттерного переходов состоит в измерении сопротивления. Из-за особенностей изготовления коллекторный переход имеет меньшее сопротивление, в отличие от эмиттерного перехода. Например, у меня получались следующие значения: 6.5 МОм – сопротивление перехода база-коллектор и 6.67 МОм – сопротивление перехода база-эмиттер. Но, думаю, метод определения по измерению тока является более точным.

Мультиметр, используемый мной.

И его обзор.

Мультитестер для измерения характеристик транзисторов, ESR конденсаторов и др.

Оставить сообщение:

[contact-form-7 id=”3550″ title=”Контактная форма 1″]

См. также:

• Замена контактных колец генератора.
• Замена подшипников генератора.
• Как проверить генератор.
• Ремонт выпрямительного (диодного) моста генератора.
• Проверка регулятора напряжения генератора.
• Как самостоятельно изготовить регулятор напряжения генератора.
• Замена поршневых колец Opel Astra G. Часть 1.
• Замена поршневых колец Opel Astra G. Часть 2.
• Замена поршневых колец Opel Astra G. Часть 3.
• Замена подшипника компрессора кондиционера.

---

Если Вы нашли что-то полезное, поделитесь с друзьями:

[SvenSoftSocialShareButtons]

Транзистор BF422 Распиновка, эквивалент, применение, особенности и многое другое

Сегодня мы собираемся обсудить распиновку транзистора BF422, эквивалент, применение, особенности и другие подробности об этом транзисторе с биполярным переходом.

Объявления

Объявления

 

Характеристики/технические характеристики:

• Тип упаковки: TO-92
14
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора (IC): 50 мА
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCE): 250 В
• Макс. напряжение коллектор-база (VCB): 250 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VBE): 5 В
• Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 830 милливатт
• Максимальная частота перехода (fT): 60 МГц
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE): 50
• Максимальный диапазон температур хранения, эксплуатации и перехода: от -55 до +150 градусов Цельсия

 

Транзистор BF422 Объяснение/описание:

BF422 — это транзистор BJT NPN, доступный в пластиковом корпусе TO-92. Как показано на изображении выше, первый контакт транзистора — «Эмиттер», второй контакт — «Коллектор», а третий контакт — «База». Максимальный ток коллектора транзистора составляет 50 мА, максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора составляет 250 В, максимальное напряжение между коллектором и базой также составляет 250 В, напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В, максимальное рассеивание коллектора составляет 830 мВт, а коэффициент усиления по постоянному току транзистора составляет 830 мВт. Транзистор равен 50. Максимальная частота перехода составляет 60 МГц, но некоторые производители делают ее с частотой перехода 100 МГц.

Транзистор в основном предназначен для использования в выходных видеосхемах класса B мониторов и цветных телевизоров. Но он не ограничивается только этим приложением и может также использоваться для других приложений высокого напряжения и коммутации.

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

Как упоминалось выше, этот транзистор в первую очередь предназначен для использования в схемах видеовыхода класса B цветных телевизоров и мониторов, но также может использоваться в различных высоковольтных устройствах. приложений, таких как цепи дверного звонка переменного тока.

 

Дополнительный номер PNP:

Дополнительный номер PNP для BF422 — BF423.

Замена и эквивалент:

ZTX457, STX0560

Приложения:

Clickiting Circuits

Class Beltage BELEGE OFTSE OF TVS СТАВИЛИ TVS СТАВИЛИ TVS СТАВЫЙ СТАЖ. приложения

 

Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные оценки:

Чтобы обеспечить долгосрочную работу этого транзистора, следуйте приведенным ниже рекомендациям:

Не используйте транзистор на его абсолютных максимальных номинальных значениях и всегда оставайтесь на 20% ниже его максимальных номинальных значений. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 50 мА, поэтому не управляйте нагрузкой более 40 мА, максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора 250 В, поэтому не управляйте нагрузкой более 200 В и всегда храните или эксплуатируйте транзистор при температуре выше -55 °С и ниже +150 °С.

 

Техническое описание:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/B/F/4/BF422_PhilipsSemiconductors.pdf , аналог, функции, приложения, как и где его использовать и другую полезную информацию об этом устройстве.

Объявления

Объявления

 

 

Характеристики/технические характеристики:

• Тип упаковки: 90-20013 90-20013
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора (I _C ): 8 А
• Максимальный пиковый ток коллектора: 16 А
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ): 250 В
• Макс. напряжение коллектор-база (В _CB ): 250 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
• Макс. тепловыделение коллектора (шт.): 50 Вт
• Минимальное усиление постоянного тока (h _FE ):  от 10 до 70
• Макс. температура хранения и рабочая температура: от -65 до +150 по Цельсию

 

Дополнительный PNP:

PNP Дополнительный MJE15032 является MJE15033

 

Замена и эквивалент:

MJE5740, 2SD1117, MJE5742, 2SD1118, 2SD1124, 2SD499, 2SD501, BU921T, BU931T

MJE15302 Transistor. Транзистор имеет много хороших характеристик, таких как высокая частота перехода 30 МГц, высокое напряжение между коллектором и эмиттером 250 В постоянного тока и т. д. Ток коллектора транзистора составляет 8 А, а пиковый ток коллектора составляет 16 А. Пиковый коллектор — это значение транзистора, при котором транзистор может прожить всего несколько микросекунд. Максимальная рассеиваемая мощность транзистора 50 Вт. Транзистор в первую очередь предназначен для применения в качестве высокочастотного драйвера аудиоусилителя, но благодаря своим интересным характеристикам его также можно использовать во множестве других электронных приложений. Это силовой транзистор, поэтому необходим подходящий радиатор, коллектор транзистора также соединен с монтажным язычком радиатора, поэтому рекомендуется изолировать радиатор открытыми соединениями схемы.

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

Транзистор MJE15032 в первую очередь предназначен для использования в схеме высокочастотного драйвера аудиоусилителя, но он не ограничивается этими применениями и может также использоваться для множества других целей. для таких целей, как переключатель, драйвер двигателя, различные приложения с высоким напряжением постоянного тока и т. д.0003

Драйверы электродвигателей

Зарядные устройства аккумуляторов

 

Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные номинальные значения:

.