Каковы основные параметры транзистора D1047. Где используется этот мощный NPN-транзистор. Какие есть аналоги и замены D1047. Как правильно подключать и применять D1047 в схемах.
Основные характеристики транзистора D1047
D1047 представляет собой мощный NPN биполярный транзистор, предназначенный для применения в усилителях мощности и импульсных источниках питания. Рассмотрим его ключевые параметры:
- Структура: NPN
- Корпус: TO-3P
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 140 В
- Максимальный ток коллектора: 12 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 100 Вт
- Коэффициент усиления по току (hFE): 60-200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
Благодаря высоким значениям допустимого напряжения и тока, а также значительной мощности рассеивания, D1047 относится к категории мощных транзисторов общего применения.
Области применения транзистора D1047
Транзистор D1047 находит широкое применение в различных электронных устройствах и схемах, где требуется обработка значительной мощности. Основные сферы его использования включают:
- Выходные каскады усилителей звуковой частоты
- Импульсные источники питания
- Преобразователи напряжения
- Драйверы электродвигателей
- Коммутационные схемы с большими токами нагрузки
Высокая линейность коэффициента усиления делает D1047 особенно привлекательным для применения в аудиотехнике, где важно обеспечить минимальные искажения сигнала.
Особенности подключения и эксплуатации D1047
При работе с транзистором D1047 следует учитывать ряд важных моментов:
- Цоколевка выводов: база (слева), коллектор (в центре), эмиттер (справа)
- Необходимо обеспечить эффективный теплоотвод, учитывая значительную рассеиваемую мощность
- Рекомендуется использовать режимы не более 80% от предельно допустимых значений
- При работе на высоких частотах важно минимизировать паразитные емкости и индуктивности в цепях транзистора
Правильное подключение и соблюдение рекомендаций по эксплуатации позволит максимально эффективно использовать возможности D1047 и обеспечить его длительную и надежную работу.
Аналоги и замены транзистора D1047
В случае отсутствия D1047 или при необходимости его замены можно использовать ряд аналогичных транзисторов со схожими характеристиками. Наиболее близкими аналогами являются:
- 2SC5200 — популярный мощный NPN-транзистор с близкими параметрами
- TIP3055 — классический силовой NPN-транзистор в корпусе TO-3
- 2SC3856 — высоковольтный NPN-транзистор для аудиоприменений
- 2SC5198 — мощный NPN-транзистор с высоким коэффициентом усиления
При выборе замены важно сравнивать не только основные параметры, но и дополнительные характеристики, такие как граничная частота, емкости переходов и тепловое сопротивление.
Особенности технологии изготовления D1047
Транзистор D1047 изготавливается по современной технологии BiT-LA (биполярный транзистор для линейного усилителя). Какие преимущества это дает:
- Улучшенная линейность характеристики коэффициента усиления
- Повышенная устойчивость параметров при изменении температуры
- Меньший разброс характеристик от экземпляра к экземпляру
- Сниженный уровень шумов
Благодаря этим особенностям D1047 обеспечивает высокое качество усиления сигналов и стабильность работы в различных режимах.
Рекомендации по выбору режима работы D1047
Для обеспечения оптимальной работы транзистора D1047 и продления срока его службы следует придерживаться следующих рекомендаций:
- Выбирать рабочую точку в линейной области характеристик
- Не превышать 80% от максимально допустимых значений тока и напряжения
- Обеспечивать эффективный теплоотвод, поддерживая температуру корпуса не выше 100°C
- Использовать схемы температурной стабилизации режима
- Применять цепи защиты от перегрузки и короткого замыкания
Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально реализовать возможности транзистора и обеспечить его надежную работу в течение длительного времени.
Особенности применения D1047 в аудиотехнике
Транзистор D1047 часто используется в выходных каскадах усилителей звуковой частоты. Рассмотрим ключевые моменты его применения в этой области:
- Высокая линейность обеспечивает низкий уровень искажений
- Значительная мощность позволяет создавать усилители до 100-150 Вт на канал
- Хорошие частотные свойства дают возможность работать во всем звуковом диапазоне
- Низкий уровень шумов способствует чистому звучанию
При проектировании аудиоусилителей на D1047 важно обеспечить правильный выбор режима работы и качественную реализацию цепей обратной связи для достижения наилучших показателей качества звука.
характеристики (параметры), аналоги отечественные, цоколевка
Главная » Транзистор
D1047 — кремниевый, со структурой NPN, планарный транзистор, выполненный по технологии тройной диффузии. Конструктивное исполнение – различные варианты корпуса типа TO-3P.
Содержание
- Предназначение
- Корпус, цоколевка и монтажные размеры
- Характерные особенности
- Предельные эксплуатационные характеристики
- Электрические характеристики
- Схема для измерения параметров времени переключения
- Модификации и группы транзистора D1047
- Аналоги
- Отечественное производство
- Зарубежное производство
- Графические иллюстрации характеристик
Предназначение
Транзистор предназначен для мощных выходных каскадов усилителей звуковой частоты и преобразователей напряжения постоянного тока.
Корпус, цоколевка и монтажные размеры
Характерные особенности
- Высокая линейность характеристики параметра hFE.
- Большая коллекторная нагрузка.
- Широкая область безопасной работы.
- Комплементарная пара: 2SB817.
- Минимальный разброс параметров от партии к партии при поставке.
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс=25°C.
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | VCBO | 160 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | VCEO | 140 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | VEBO | 6 |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 12 |
| Ток коллектора импульсный, А | ICP | 15 |
| Рассеиваемая мощность, Вт | PC | 100 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -55…+150 |
Электрические характеристики
Данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс=25°C.
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | UCB = 80 В, IE = 0 | ≤ 0,1 |
| Ток эмиттера выключения, мА | IEBO | UEB = 4 В, IC = 0 | ≤ 0,1 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 5 А, IB = 500 мА | ≤ 2,5 |
| Напряжение включения база-эмиттер, В | UBE(ON) | IC = 1,0 А, UCE = 5 В | ≤ 1,5 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) ٭ | UCE = 5 В, IC = 1,0 А | 60…200 |
| hFE (2) | UCE = 5 В, IC = 6,0 А | ≥ 20 | |
| Частота среза, МГц | fT | UCE = 5 В, IC = 1,0 А | 15 |
| Выходная емкость, pF | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 210 |
| Время включения, мкс ٭٭ | ton | UCC = 20 В, IC = 1 А = 10×IB1 = -10×IB2, RL = 20 Ом | 0,26 |
| Время спадания импульса, мкс ٭٭ | tf | 0,68 | |
| Время рассасывания заряда, мкс ٭٭ | tstg | 6,88 |
٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы O и Y в пределах указанного диапазона.
٭٭ — параметры сняты в импульсном режиме: схема для измерения параметров представлена ниже.
Схема для измерения параметров времени переключения
На схеме:
- INPUT – вход управляющего сигнала.
- PW = 20 µs ширина импульса управляющего сигнала 20 мкс.
- UBE = 2 В — напряжение смещения.
- UCC = 20 В напряжение питания.
- OUTPUT – выход измеряемого сигнала.
Модификации и группы транзистора D1047
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE ٭ | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | TO-247 |
| 2SD1047 (D, E) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3PN |
| 2SD1047 C | 120 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 140 | 35…200 | TO-3PB |
| 2SD1047 P | 120 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3PB |
| CSD1047 F (O, Y) | 90 | 160 | 160 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3P |
| KSD1047 (O, Y) | 80 | 160 | 140 | 6 | 8 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3P |
| KTD1047 (O, Y) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3P(N) |
| KTD1047 B (O, Y) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3P(N)-E |
| PMD1047 (D, E) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3PI |
٭ — производителями почти во всех модификациях выделяются группы (O, Y) или (D, E) по поддиапазонам величин hFE.
| Обозначение транзистора в группе | 2SD1047 O | 2SD1047 Y | 2SD1047 D | 2SD1047 E |
|---|---|---|---|---|
| Диапазон величины hFE | 60…120 | 100…200 | 60…120 | 100…200 |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения и преобразователях напряжения в аппаратуре общего назначения.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | TO-247 |
| КТ892А/Б | 175 | 350 | 350 | 5 | 15 | 150 | — | — | 300 | TO-3 |
| КТ897Б | 125 | 200 | 200 | 5 | 20 | — | 10 | — | 400 | TO-3 |
| КТ898А/Б | 125 | 350 | — | 5 | 20 | 200 | 10 | — | 400 | TO-218 |
| КТ8101А/Б | 150 | 200 | — | 6 | 16 | 150 | 10 | 1000 | 20 | TO-218 |
| КТ8107А | 100 | 1500 | 700 | 5 | 8 | 150 | 7 | — | 2…8 | TO-3 |
| КТ8114А/Б | 125 | 1500 | — | 5 | 8 | 150 | — | — | 8 | TO-3 |
| КТ8117А | 100 | 700 | 600 | 5 | 10 | 150 | 4 | — | 10 | TO-3 |
| КТ8150А | 115 | 70 | 60 | 7 | 15 | 150 | 4 | — | 20 | TO-3 |
| КТ8158Б | 125 | 100 | 100 | 5 | 12 | 150 | 4 | — | 1000 | TO-3 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | TO-247 |
| 2SC5669 | 140 | 250 | 230 | 6 | 15 | 150 | 15 | 200 | 60 | TO-3PN |
| 2SD1975A | 150 | 200 | 200 | 5 | 15 | 150 | 20 | 200 | 60 | TO-3PL |
| 2SD2489 | 130 | 200 | 200 | 5 | 15 | 150 | 70 | 120 | 5000 | TO-3PN |
| BU941B | 155 | — | 350 | 5 | 15 | 175 | — | — | 300 | TO-3P |
| MJL3281A | 200 | 200 | 200 | 7 | 15 | 150 | 30 | 600 | 75 | TO-3PBL, TO-264 |
| MJL4281A | 230 | 350 | 350 | 5 | 15 | 150 | 35 | 600 | 80 | TO-3PBL, TO-264 |
| NJW0302 | 150 | 250 | 250 | 5 | 15 | 150 | 30 | 400 | 60 | TO-3P |
| NJW1302 | 200 | 200 | 250 | 5 | 15 | 150 | 30 | 600 | 60 | TO-3P |
| 2SC4059 | 130 | 600 | 450 | 7 | 15 | 175 | 20 | — | 60 | TO-247 |
| 2SC4108N | 100 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | 20 | 160 | — | TO-247 |
| ET359 | 100 | 300 | 200 | — | 80 | 175 | — | — | 80 | TO-247 |
| IDD1314 | 150 | 450 | — | — | 15 | 150 | — | — | 100 | TO-247 |
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах управления IB.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC / IB = 10.
Рис. 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.
Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 5.
Зависимость ширины полосы пропускания (частоты среза fT) от коллекторной нагрузки транзистора IC.
Характеристика снята при величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 6. Изменение выходной емкости Cob транзистора при увеличении напряжения на коллекторном переходе UCB.
Характеристика снята при частоте f = 1 МГц.
Рис. 7. Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса TC.
Рис. 8. Область безопасной работы (ОБР) транзистора.
В области больших токов ОБР транзистора ограничена импульсным или постоянным значением тока коллектора ICMAX (Pulse) или ICMAX (DC), определяемыми устойчивостью к нагреву монтажных соединений внутри транзистора или критическим снижением коэффициента усиления.
В области больших напряжений ОБР ограничена предельным напряжением коллектор-эмиттер UCEMAX, при котором развивается лавинообразный пробой п/п структуры.
Между этими двумя ограничениями безопасная работа определяется общим тепловым режимом структуры и перегревами локальных участков, способствующими возникновению вторичных тепловых пробоев.
характеристики, аналоги и маркировка 2SD1047
D1047 согласно техническим характеристикам, является мощным транзистором, способным выдержать большой ток. Его изготавливают по новой технологии BiT-LA (биполярный транзистор для линейного усилителя), в результате чего он отличается хорошими показателями линейности коэффициента усиления. Чаще всего используют в усилителях мощности и коммутационных схемах. Он имеет структуру n-p-n.
Цоколевка
2SD1047 изготавливают в корпусе TO-3PN. Производители, при нанесении маркировки на корпус, часто пропускают два первых символа «2S» и пишут только «D1047». Цоколевка выводов представлена в таком порядке:
- левый – это база;
- средний – коллектор;
- правый – эмиттер.
Наглядно увидеть транзистор, узнать его геометрические размеры и расположение ножек можно по рисунку.
Технические характеристики
Главными параметрами на которые стоит обратить внимание это его предельные величины. При превышении этих значений устройство перестанет работать. Тестирование проводится при температуре +25°С.
Максимальные характеристики D1047:
- предельно допустимое напряжение К-Б не может быть больше VCBO = 160 В;
- максимальное напряжение К-Э должно быть меньше VCEO = 140 В;
- наибольшее возможное напряжение Э-Б не более VEBO = 6 В;
- максимально допустимый постоянный ток коллектора не более IC = 12 А;
- предельно допустимый кратковременный импульсный ток через коллектор (ICP
- наибольший возможный ток, протекающий через базу IB = 1,2 А;
- предельно возможная мощность Ptot = 100 Вт;
- термическое сопротивление кристалл-корпус Rthj-case = 1,25 °С/Вт;
- Наибольшая возможная температура перехода TJ = 150 оC;
- Диапазон температур при которых может храниться изделие ТSTG = -55 … +150 оC.
Для более детального рассмотрения приводятся его электрические характеристики, все режимы измерения указаны в одноименном столбце таблицы.
| Электрические хар-ки транзистора 2SD1047 (при Т = +25 оC) | |||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | max | Ед. изм |
| Обратный ток коллектор-эмиттер, база разомкнута | VCE = 140 В, IB = 0 | ICEO | 10 | мА | |
| Обратный ток эмиттера | VEB = 6 В, IC = 0 | IEBO | 10 | мА | |
| Напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута | IC = 30 мA, IB = 0 | VCEO | 140 | В | |
| Статический коэффициент передачи постоянного тока | VCE = 5 В, IC= 1,0 A VCE = 5 В, IC = 6,0 A | hFE hFE2 | 60 20 | 200 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC = 5,0 A, IB = 0,5 A | V | 2,5 | В | |
| Напряжение база-эмиттер | VCE = 5,0 V, IC = 1,0 A | V ВE(sat) | 1,5 | В | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=5,0 В, IC= 1,0 A | fT | 15 | мГц | |
| Выходная емкость коллектора | VCB = -10 В, IE =0, f=1 МГц | 300 | пФ | ||
Время включения. | VCC = 60 В, IC = 5А, IB1 = -IB2 = 0.5 A | ton | 0,22 | мкс | |
| Время рассасывания | ts | 4,3 | мкс | ||
| Время спада | tf | 0,5 | мкс | ||
Аналоги
Самыми близкими аналогами D1047 являются следующие транзисторы:
- TIP3055;
- 2SC3182;
- 2SB817;
- 2SC2837;
- 2SC3856;
- TIP33C.
Отечественных устройств с похожими характеристиками нет. Комплементарной парой является 2SB817.
Производители
Ниже в списке вы найдёте основные компании и их datasheet, которые занимаются производством транзистора D1047:
- Mospec Semiconductor;
- Sanyo Semicon Device;
- Savantic;
- Foshan Blue Rocket Electronics;
- Wing Shing Computer Components;
- Tiger Electronic;
- Jiangsu Changjiang Electronics Technology.
Отечественные магазины встречается продукция таких фирм:
- Inchange Semiconductor Company;
- STMicroelectronics.
D1047 Распиновка транзистора, характеристики, эквивалент, области применения и другая информация В этом посте описывается распиновка транзистора D1047, характеристики, аналог, области применения и другая информация.
Объявления
Объявления
Характеристики/технические характеристики:
- Тип упаковки: TO-3P
- Тип транзистора: NPN
- Максимальный ток коллектора (I C ): 12A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 140 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 200 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 В
- Максимальное рассеивание коллектора (шт. ): 100 Вт
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): от 60 до 200
- Макс. температура хранения и рабочая температура: от -65 до +150 по Цельсию
): 100 Вт Описание транзистора D1047:
D1047 — это NPN-транзистор, изготовленный в корпусе TO-3P. Транзистор в основном предназначен для усиления звука и усиления мощности. Транзистор имеет хорошие характеристики, благодаря которым он не ограничивается только вышеупомянутыми целями и может использоваться для множества других приложений. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 140 В, благодаря чему его можно использовать во многих различных высоковольтных приложениях до 140 В. Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер 140 В не означает, что вы не можете использовать этот транзистор в маломощных схемах и схемах с батарейным питанием, максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер описывает только максимальное напряжение нагрузки, которое может выдержать этот транзистор.
Кроме того, максимальный ток коллектора составляет 12 А, что делает его идеальным для использования в качестве переключателя в различных приложениях, общая рассеиваемая мощность составляет 100 Вт, максимальная частота перехода составляет 15 МГц, а максимальный коэффициент усиления по постоянному току транзистора составляет 200.
Где мы можем его использовать и как использовать:
D1047 можно использовать в самых разных приложениях усиления и переключения. Его можно использовать в усилителях звука высокой мощности, цепях питания, низкочастотных цепях и т. д. Процедура использования этого транзистора такая же, как и любого другого биполярного транзистора.
PNP Дополнение:
PNP Дополнение к 2SD1047: 2SB817
Запасной и эквивалентный 4
2SC5948, 2SC4059, 2SC5358, 2SC5200 , 2SC3907, 2SC6011, 2SD1717
Приложения:
Приложения для драйверов двигателей
Мощный аудиоусилитель
Схемы питания
Схемы инверторов
Нагрузка на привод до 12 А
Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные номинальные значения:
Использование любого компонента с максимальными номинальными значениями может привести к внезапному или длительному повреждению или ослаблению компонента.
Чтобы безопасно эксплуатировать транзистор, всегда лучше не использовать его с максимальным номиналом и всегда оставаться на 20% ниже его максимального номинала. Так же относится и к транзистору Д1047. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 140 В, поэтому не подключайте нагрузку более 112 В. Максимальный ток коллектора составляет 12 А, поэтому не подключайте нагрузку более 9 А..6A и всегда используйте или храните при температуре выше -65°C и ниже +150°C.
Техническое описание:
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в браузере.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/D/1/0/D1047_SanyoSemiconDevice.pdf
D1047 PDF Технические характеристики — 140 В, 12 А, транзистор NPN (2SD1047)
Posted on by Pinout
Это транзистор npn.
Номер детали: D1047
Функция: 140 В, 12 А, эпитаксиальный планарный биполярный транзистор NPN высокой мощности
Упаковка: TO-3P Type
Производитель: STMicroelectronics
Изображения
Описание
D1047 представляет собой мощный эпитаксиальный планарный биполярный транзистор NPN.
Особенности
1. Высокое напряжение пробоя VCEO = 140 В
2. Типичное значение ft = 20 МГц
3. Полная характеристика при 125 oC Применение
4. Блок питания Описание
Устройство представляет собой транзистор NPN, изготовленный по новой технологии BiT-LA (биполярный транзистор для линейного усилителя). Полученный транзистор демонстрирует хорошую линейность усиления.
3 2 1 TO-3P Рисунок 1. Схема внутреннего устройства Таблица 1. Обзор устройства Код заказа 2SD1047 Апрель 2011 г. Маркировка 2SD1047 Упаковка TO-3P Doc ID 018729 Rev 1 Упаковка Трубка 1/10 www.st.com 10 Электрические характеристики 1 Электрические характеристики номинальные значения Таблица 2. Абсолютные максимальные номинальные значения Обозначение Параметр VCBO VCEO VEBO IC ICM Ptot Tstg TJ Напряжение коллектор-база (IE = 0) Напряжение коллектор-эмиттер (IB = 0) Напряжение эмиттер-база (IC = 0) Ток коллектора Пиковый ток коллектора ( tP < 5 мс) Общее рассеивание при Tc = 25 °C Температура хранения Макс.
рабочая температура перехода Таблица 3. Обозначение Rthj-корпус Тепловые характеристики Параметр Тепловое сопротивление переход-корпус __max 2SD1047 Значение 200 140 6 12 20 100 от -65 до 150 150 Единица измерения В В В A A Вт °C °C Значение 1,25 Единица измерения °C/Вт 2/10 Doc ID 018729Ред. 1 2SD1047 2 Электрические характеристики Электрические характеристики (Tcase = 25 °C; если не указано иное) Таблица 4. Электрические характеристики Символ Параметр Условия испытаний Мин. тип. Макс. Единица ICBO Ток отсечки коллектора (IE = 0) VCB = 200 В 0,1 мкА IEBO Ток отсечки эмиттера (IC = 0) VEB = 6 В 0,1 мкА V(BR)CEO(1) Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (IB = 0) IC = 50 мА 140 В V(BR)CBO Напряжение пробоя коллектор-база (IE = 0) IC = 100 мкА 200 В V(BR)EBO(1) Напряжение пробоя эмиттер-база (IC = 0) IE = 1 мА 6 В VCE(sat)(1) Насыщение коллектор-эмиттер […]
D1047 Лист данных
