D1047 замена на более мощный. Замена транзисторов D718 и B688 на более мощные аналоги: особенности и рекомендации — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Какие транзисторы можно использовать вместо D718 и B688 в усилителе JVC A-X30. Как правильно подобрать замену по характеристикам. На что обратить внимание при замене транзисторов на более мощные аналоги. Какие проблемы могут возникнуть и как их избежать.

Содержание

Основные характеристики транзисторов D718 и B688

Транзисторы 2SD718 и 2SB688 широко применялись в аудиоусилителях 80-90-х годов, в том числе в модели JVC A-X30. Рассмотрим их ключевые параметры:

2SD718 (NPN) / 2SB688 (PNP) — комплементарная пара
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 140В
Максимальный ток коллектора: 5А
Максимальная рассеиваемая мощность: 80Вт
Коэффициент усиления по току (hFE): 60-180
Граничная частота: 30 МГц

Эти транзисторы обладали хорошими характеристиками для своего времени, но сейчас их производство прекращено. Поэтому актуален вопрос подбора современных аналогов.

Подбор аналогов для замены D718 и B688

При выборе замены следует ориентироваться на следующие критерии:

Тип проводимости (NPN/PNP) должен совпадать
Напряжение коллектор-эмиттер не ниже 140В
Ток коллектора не менее 5А
Рассеиваемая мощность не менее 80Вт
Коэффициент усиления в диапазоне 60-180
Граничная частота не менее 30 МГц

Хорошими современными аналогами являются:

2SD1047 (NPN) / 2SB817 (PNP)
2SC5200 (NPN) / 2SA1943 (PNP)
MJL3281A (NPN) / MJL1302A (PNP)

Эти транзисторы обладают улучшенными характеристиками по сравнению с оригинальными D718/B688.

Особенности замены на более мощные транзисторы

При замене старых транзисторов на более мощные современные аналоги следует учитывать несколько важных моментов:

Влияние на схему смещения

Более мощные транзисторы могут иметь другой коэффициент усиления. Это повлияет на ток покоя выходного каскада. Потребуется корректировка схемы смещения и настройка тока покоя.

Изменение теплового режима

Новые транзисторы могут иметь другое тепловое сопротивление. Необходимо проверить эффективность охлаждения после замены.

Частотные характеристики

Современные транзисторы обычно имеют более высокую граничную частоту. Это может привести к самовозбуждению усилителя на высоких частотах. Возможно, потребуется корректировка цепей частотной коррекции.

Изменение входной емкости

Входная емкость новых транзисторов может отличаться. Это повлияет на частотную характеристику усилителя. Может потребоваться подстройка корректирующих цепей.

Пошаговая инструкция по замене транзисторов

Демонтируйте старые транзисторы D718 и B688
Установите новые транзисторы, соблюдая цоколевку
Проверьте правильность монтажа и отсутствие замыканий
Включите усилитель и измерьте ток покоя выходного каскада
При необходимости откорректируйте ток покоя подстройкой схемы смещения
Проверьте температурный режим транзисторов при работе

Измерьте частотную характеристику усилителя
При необходимости скорректируйте цепи частотной коррекции

Возможные проблемы при замене транзисторов

При замене транзисторов на более мощные аналоги могут возникнуть следующие проблемы:

Повышенный ток покоя из-за большего коэффициента усиления
Перегрев транзисторов при недостаточном охлаждении
Самовозбуждение усилителя на высоких частотах
Искажение частотной характеристики
Ухудшение качества звучания из-за рассогласования параметров

Большинство проблем решается корректной настройкой режимов работы и частотной коррекцией.

Влияние замены транзисторов на звучание усилителя

Замена выходных транзисторов на более современные и мощные аналоги может положительно сказаться на звучании усилителя:

Снижение уровня искажений на высоких уровнях громкости
Улучшение динамических характеристик
Расширение частотного диапазона
Повышение детальности и прозрачности звучания
Увеличение запаса по мощности

Однако для достижения максимального результата требуется тщательная настройка режимов и частотной коррекции усилителя.

Заключение

Замена устаревших транзисторов D718 и B688 на современные мощные аналоги позволяет улучшить характеристики усилителя JVC A-X30. При правильном подборе компонентов и корректной настройке можно добиться заметного повышения качества звучания. Однако процесс замены требует определенных навыков и знаний в области схемотехники усилителей. Неопытным пользователям рекомендуется обратиться к специалистам для проведения модернизации.

Стоит ли покупать мощные транзисторы на AliExpress?

Собираете или ремонтируете устройство, вам вдруг понадобились транзисторы и вы нашли их на AliExpress по привлекательной цене? Лучше посмотрите в локальном магазине или хотя бы не в Китае. «Почему?», спросите вы, ведь заказов много, а рейтинг товара практически 5 звезд, не может же столько человек ошибаться? Если одним словом – то часто это подделка. Если хотите подробностей, добро пожаловать под кат.

Некоторое время назад я читал статью, где автор жаловался на то, что не может купить микросхем УНЧ в интернете – все время попадаются подделки. Причем могут быть настолько откровенные, что вместо микросхемы идет «кирпичик» — кусочек пластика оригинальной формы с выводами, металлической подложкой и правильной маркировкой, только вот… кристалла в этом кирпичике нет от слова «совсем». Тогда я сильно удивился – «Как это возможно? Вроде столько всего уже купил на AliExpress, но ни разу такого не встречал».

Кажется, речь тогда шла об LM3886, и автор заказал порядка 25 микросхем из разных источников, из которых рабочих оказалось ни одной.

И вот месяца 4 назад решил я собрать лабораторный источник питания достаточно приличной (200 Вт) мощности. Да не просто стабилизатор, а с «предрегулятором» — устройством, работающем в ключевом режиме и останавливающим заряд накопительного конденсатора в нужный момент, если максимальное напряжение на нем сейчас не требуется. Стал разрабатывать схему, заряжающую конденсатор, а в качестве ключевого элемента выбрал транзистор IRF4905 (P-Channel, 70 A, 55 V, 200 W). В процессе разработки случайно ввел транзистор в линейный режим (коснувшись пальцем затвора), и… тот сгорел. Я очень удивился, т.к. питал тестовую конструкцию от достаточно маломощного трансформатора, и по ощущениям транзистор с таким трансформатором сгореть вообще никак не должен был (на затворе стоял стабилитрон, так что пробой затвора тоже исключается). Но ощущения при разработке – далеко не главное, поэтому я полез в документацию на транзистор, посмотрел график SOA (Safe Operating Area), после чего померил ток КЗ трансформатора, посчитал его эквивалентное сопротивление и снова пришел к выводу, что транзистор сгореть не может, т.

к. ни одна точка, которую может обеспечить данный трансформатор не выходит за пределы SOA транзистора. В принципе, в линейном режиме эксплуатировать транзистор в реальной схеме я не планировал, но вопрос, почему он сгорел, настолько заинтересовал меня, что я даже создал тему на весьма известном форуме.

К сожалению, как оказалось, на данном форуме присутствует тенденция «закидования» вопрошающего «камнями» вместо реальной помощи, поэтому ответ пришлось искать в интернете дальше. Хотя определенный толчок в данном направлении (а также много полезной информации и обсуждения по другим вопросам) форум мне все же дал, за что ему спасибо.

В результате где-то на просторах интернета была найдена информация, что из Китая могут прийти поддельные транзисторы, размер кристалла в которых в несколько раз меньше нужного. Это меня настолько заинтересовало, что я решил распилить сгоревший IRF4905, чтобы увидеть, какой у него внутри кристалл. Сказано – сделано, я взял «микроболгарку» (дремель на самом деле) и начал пилить ~~гирю~~ IRF4905.

Через пару минут моему взору предстала следующая картина:

Какого размера должен быть кристалл в таком транзисторе, я не знал, однако увиденное явно казалось маленьким для заявленных 200 ватт. Да, куплен IRF4905 был здесь. Как видите, у товара большое количество заказов и отличный рейтинг:

Если включить фильтр на негативные оценки, можно, конечно, найти и реальные отзывы, где основной упор делается на уменьшенную емкость затвор-исток по сравнению с документацией (что как бы косвенно говорит о кристалле меньшей площади) или на завышенное сопротивление канала в открытом состоянии:

Негативный отзыв

Но это сейчас идут такие транзисторы, мои (купленные еще в 2016-м году) показывают как ёмкость, так и сопротивление в пределах нормы! Только что перепроверил — емкость (по транзистор-тестеру) — 3.81 нФ, падение напряжения при токе 1.9 А — 49 мВ, то есть сопротивление канала 26 мОм, что практически соответствует документации.

Из этого можно сделать интересный вывод – оценивать подлинность полевого транзистора только по ёмкости затвора или сопротивлению канала нельзя. Каким уж образом китайцы умудрились в моем случае сделать подделку с низким сопротивлением канала – отдельная загадка, возможно, применяются какие-то более новые технологии для старых транзисторов.

А каким должен быть вообще кристалл у полевого транзистора? Может быть показанных размеров достаточно? Чуть позже у меня сгорел IRFZ44 (94 W, то есть в два раза меньше, чем у IRF4905), купленный лет пять назад в локальном магазине. Ниже фото его кристалла:

Явно видно, что кристалл в разы больше. Его размер примерно 3х2.5 мм, что дает площадь в 7.5 мм². К сожалению, фото с линейной у IRF4905 я тогда не сделал, а сам транзистор выкинул. Но из пропорций относительно корпуса видно, что кристалл там 2-3 мм².

Далее я столкнулся с тем, что купленные здесь TIP142T и TIP147T (100 V, 15 A, 90 W) даже не в состоянии управлять лампочкой 24 В 42 Вт в линейном режиме – сразу перегорают, не успевая при этом хотя бы как-то нагреть радиатор. Но теперь я знал, что делать:

Итого, что мы тут имеем? Кристалл размером 1.2х1.2 мм. То есть 1.44 мм². А каким он вообще должен быть-то, может быть с транзисторами все в порядке? Чтобы ответить на этот вопрос, я решил «открыть» отечественный КТ818Г, который только что сгорел по моей вине от перегрева:

Также на фото кристаллы отечественных КТ805АМ и КТ815Г. КТ818Г (90 V, 10 A, 60 W) и КТ805АМ (60 V, 5 A, 30 W) имеют кристаллы размером 2.6х2.6 мм = 6.76 мм². Странно, максимальная мощность различается в два раза, а кристалл – одинаковый. Предположу, что вот тут дело в более новой технологии (так как 805-й — весьма старый транзистор), и современным транзисторам необходим примерно 1 мм² кристалла на каждые 10 Вт рассеиваемой мощности (оценка взята «с потолка», но все же). И КТ815Г (100 V, 1.5 A, 10 W), имеющий кристалл 1х1 мм = 1 мм² это подтверждает.

Но это отечественные транзисторы, может быть, наше производство просто сильно отстает, и в Китае давно научились использовать кремний гораздо эффективней? Чуть позже у меня сгорел TIP142T, купленный в локальном магазине, не доверять которому (транзистору) повода не было – нагрузку он держал отлично, а сгорел по моей вине (я ошибочно замкнул цепь защиты по току). Да и в магазине заверили, что транзисторы они получают не из Китая. Это позволило посмотреть, какой кристалл находится внутри оригинального (будем считать так) TIP142T:

Как видите, почему-то кристалл в нем стоит под углом и имеет размер 3.17х3.17 мм = 10 мм². То есть предположение, что биполярному транзистору надо примерно 1 мм² на 10 Вт сходится и тут.

Далее мне пришли TIP41C и TIP42C (100 V, 6 A, 65 W), купленные там же. Но теперь я сразу знал, что делать. Нет, я не стал ломать рабочие транзисторы, а собрал тестовую схему с переменным резистором в базовой цепи и подключил её к блоку питания на 20 В. Один транзистор (на радиаторе с термопастой) сгорел при 20 В 1.2 А, другой – при 1.3 А. Это 24 и 26 Вт соответственно. После этого я заглянул «внутрь»:

Кристалл оказался площадью 1.1 мм², то есть на 11 Вт по моей приблизительной оценке. Транзисторы же сгорели при в два раза большей мощности – то есть либо оригинальные транзисторы имеют приличный запас, либо китайцы действительно научились использовать кремний более эффективно. Я склоняюсь скорее к первому варианту, т.к. оригинальные транзисторы «на убой» не тестировал, плюс все мои тесты проходят при низкой температуре, возможно, при более высокой ситуация будет иной (а ведь в реальной жизни мощные транзисторы очень редко работают при 25 градусах на радиаторе).

Затем у меня вдруг сгорел стабилизатор 7815, купленный в том же магазине. Да не просто сгорел – от него отлетел кусок пластика с такой скоростью, что если бы он попал в лицо, все могло бы закончиться печально! Отсюда еще один важный вывод – не рассматривайте что-либо во включенной силовой аппаратуре с небольшого расстояния! А получилось все так – на плате перервалась дорожка, подключающая общий провод стабилизатора к схеме, вход и выход остались подключенными. Я это заметил (по возросшему напряжению в цепи +15 В), выключил устройство, исправил дорожку и включил снова. Сначала от 7815 пошел небольшой дымок, а через буквально секунду он «выстрелил» пластиком. Это стало поводом для его разборки:

Кристалл тут имеет размер 0. 8х0.8 мм, то есть 0.64 мм². Не знаю, насколько это мало, но по вышеописанному предположению это примерно на 6 ватт. Явно маловато. Кстати говоря, это второй 7815 из партии, который сгорел – первый просто не выдержал очередного КЗ, но ушел гораздо более спокойней. Вывод – не только транзисторы, но и силовые микросхемы могут оказаться подделкой. Вот интересно, как это делается? На банальную перемаркировку не похоже, значит есть какой-то завод, который намеренно производит транзисторы и интегральные схемы с уменьшенными кристаллами?

Далее в нашей эстафете идут BD237/BD238 (100 V, 2 A, 25 W), купленные тут:

Как видно, кристалл тут вообще 0.35х0.35 мм = 0.12 мм². При какой мощности сгорит такой транзистор – страшно представить (надо будет проверить). Хотя, конечно, обычно они стоят в предвыходных цепях и больших мощностей не рассеивают. То есть о покупке таких транзисторов еще можно задуматься, если заранее учесть данную «особенность».

Теперь очередь MJL4281A/MJL4302A, купленных тут. По документации – это превосходные транзисторы в корпусе TO-264, рассчитанные на 350 V, 15 A и 230 W. Это – одни из самых мощных биполярных транзисторов в пластиковом корпусе. Нашел я их по справочнику Farnell, а купить уже решил на AliExpress, т.к. там было значительно дешевле (5 пар на момент покупки обошлись около $10), а про подделки я тогда даже не задумывался. На эти транзисторы я возлагал большие надежды использования их в качестве основных транзисторов для стабилизатора – ведь при паспортной мощности в 230 W при 25 градусах, в реальном устройстве (с учетом нагрева) вполне можно рассеивать на таком транзисторе половину, а это 115 ватт! То есть, обойтись только одним транзистором в регуляторе, а не парой.

Но реальность оказалась печальней – при мощности около 75 Вт транзистор сгорел. Правда, радиатор в этот момент был нагрет где-то до 80 градусов, то есть в пересчете это дает порядка 130 Вт «на холодную». Транзистор был отправлен в мусорку, а позже извлечен оттуда и «открыт»:

Что оказалось внутри – кристалл размером 2. 9х2.9 мм = 8.4 мм², что по приблизительной оценке соответствует мощности в 84 ватта. Сгорел же он при 130 (будем считать, с учетом нагрева). Не так уж плохо! Такой транзистор, зная его реальную мощность, вполне можно использовать в схеме. Однако, это все равно почти в два раза меньше документации, то есть подделка. Приобретать такой транзистор или нет – решать вам, отзыв фотографией кристалла на Али я дополнил (к сожалению, изначально пошел по стандартному пути, проверил детали транзистор-тестером и поставил 5 звезд).

Справедливости ради скажу, что в этот момент я задумался, а какого же размера должен быть кристалл у таких транзисторов?

Поиском в интернете была найдена следующая фотография:

Это MJ15003 (140 V, 20 A, 250 W) в металлическом корпусе. Зная, что расстояние между выводами эмиттера и базы у него 10.92 мм, можно приблизительно оценить размер кристалла – 4.2х5 мм = 21 мм². То есть, 210 Вт из предположения 1 мм² = 10 Вт. Учитывая, что тепловое сопротивление кристалл-корпус в металлическом корпусе меньше, вполне возможно, что 21 мм² в данном случае вполне хватит на 250 Вт. Это еще раз говорит, что в китайском MJL4281A кристалл маленький.

Ну и напоследок несколько разных полевых транзисторов, купленных на Али. Все они были опробованы в тестовой схеме (в линейном режиме) и сгорели при значительно меньшей мощности, чем должны были (по документации, с учетом SOA):

Слева направо: IRF3205 (200 W), 1×1.5 мм = 1.5 мм², IRF1407 (330 W), 1.7х2.3 мм = 3.9 мм², IRF3205 (купленный в другом месте), 1х1.4 мм = 1.4 мм², IRF1405 (330 W), 1.6х2.6 = 4.2 мм². Здесь можно вспомнить, что кристалл оригинального IRFZ44 (94 W) имел размер 3х2.5 мм = 7.5 мм², то есть больше, чем кристалл любого из этих.

Внимательный читатель может заметить, что многие поддельные полупроводники были приобретены в одном и том же магазине «Fantasy Electronics CO., Ltd». Да, раньше мне нравился этот магазин своим ассортиментом и ценами, поэтому я часто покупал там. За все время в нем было приобретено много других радиодеталей – операционные усилители, резисторы, конденсаторы, разъемы и т.д., и с ними проблем замечено не было (предполагаю, что ОУ могут быть поддельными, но в работе отличий с документацией пока не встречал). Также после этого случая я пробовал искать мощные полупроводники у других продавцов, и обычно там, где большое количество отзывов всегда находится один-два с одной или двумя звездами, где указывается, что транзисторы – поддельные и иногда даже приводится фото кристалла. То есть, это не проблема конкретно данного магазина, это проблема AliExpress в целом.

Другие отзывы о подделках

IRF3205

IRF1407

IRFZ44N

И так далее… К сожалению, если покупок много, практически всегда есть такой негативный отзыв. А если покупок мало, возможно, просто никто еще не докопался до истины.

Не знаю, будете ли вы после прочтения данного обзора покупать мощные полупроводники на Али, но я для себя решил брать их только в локальных магазинах. Стоят они тут в разы дороже, но это вполне окупится качественной работой собираемых изделий. Да, можно найти на Али более дорогие лоты, но разве есть гарантия, что там не окажутся те же самые подделки? Более того, теперь я прихожу к выводу, что и купленные в других местах полупроводники надо тестировать перед установкой в схему, потому что не известно, откуда они могут быть «родом».

Спасибо за потраченное на прочтение время, всем удачи и качественных деталей!

P.S.

Котика у меня сейчас нет, поэтому фото классного рыжего кота, встреченного осенью по пути на работу:

P.P.S. Если кто-либо покупал на Али мощные транзисторы и они оказались не подделкой (если есть достаточные основания быть в этом уверенным — например, фото кристалла или реальный опыт использования транзистора на мощностях, близких к предельной), просьба скидывать в комментарии модели и ссылки на магазины.

характеристики, аналоги и маркировка 2SD1047

D1047 согласно техническим характеристикам, является мощным транзистором, способным выдержать большой ток. Его изготавливают по новой технологии BiT-LA (биполярный транзистор для линейного усилителя), в результате чего он отличается хорошими показателями линейности коэффициента усиления. Чаще всего используют в усилителях мощности и коммутационных схемах. Он имеет структуру n-p-n.

Цоколевка

2SD1047 изготавливают в корпусе TO-3PN. Производители, при нанесении маркировки на корпус, часто пропускают два первых символа «2S» и пишут только «D1047». Цоколевка выводов представлена в таком порядке:

левый – это база;
средний – коллектор;
правый – эмиттер.

Наглядно увидеть транзистор, узнать его геометрические размеры и расположение ножек можно по рисунку.

Технические характеристики

Главными параметрами на которые стоит обратить внимание это его предельные величины. При превышении этих значений устройство перестанет работать. Тестирование проводится при температуре +25°С.

Максимальные характеристики D1047:

предельно допустимое напряжение К-Б не может быть больше V_CBO = 160 В;
максимальное напряжение К-Э должно быть меньше V_CEO = 140 В;
наибольшее возможное напряжение Э-Б не более V_EBO = 6 В;
максимально допустимый постоянный ток коллектора не более I_C = 12 А;
предельно допустимый кратковременный импульсный ток через коллектор (I_CP) I_CP = 20 А;
наибольший возможный ток, протекающий через базу I_B = 1,2 А;
предельно возможная мощность P_tot = 100 Вт;
термическое сопротивление кристалл-корпус R_thj-case = 1,25 °С/Вт;
Наибольшая возможная температура перехода T_J = 150 ^оC;
Диапазон температур при которых может храниться изделие Т_STG = -55 … +150 ^оC.

Для более детального рассмотрения приводятся его электрические характеристики, все режимы измерения указаны в одноименном столбце таблицы.

*Электрические хар-ки транзистора 2SD1047 (при Т = +25* ^оC)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
Обратный ток коллектор-эмиттер, база разомкнута	V_CE = 140 В, I_B = 0	I_CEO		10	мА
Обратный ток эмиттера	V_EB = 6 В, I_C = 0	I_EBO		10	мА
Напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута	I_C = 30 мA, I_B = 0	V_CEO	140		В
Статический коэффициент передачи постоянного тока	V_CE= 5 В, I_C= 1,0 A V_CE = 5 В, I_C = 6,0 A	h_FE h_FE2	60 20	200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	I_C = 5,0 A, I_B = 0,5 A	V _CE(sat)		2,5	В
Напряжение база-эмиттер	V_CE = 5,0 V, I_C = 1,0 A	V _ВE(sat)		1,5	В
Граничная частота коэффициента передачи тока	V_CE=5,0 В, I_C= 1,0 A	f_T	15		мГц
Выходная емкость коллектора	V_CB = -10 В, I_E =0, f=1 МГц		300		пФ
Время включения.	V_CC = 60 В, I_C = 5А, I_B1 = -I_B2 = 0.5 A	t_on	0,22		мкс
Время рассасывания		t_s	4,3		мкс
Время спада		t_f	0,5		мкс

Аналоги

Самыми близкими аналогами D1047 являются следующие транзисторы:

TIP3055;
2SC3182;
2SB817;
2SC2837;
2SC3856;
TIP33C.

Отечественных устройств с похожими характеристиками нет. Комплементарной парой является 2SB817.

Производители

Ниже в списке вы найдёте основные компании и их datasheet, которые занимаются производством транзистора D1047:

Mospec Semiconductor;
Sanyo Semicon Device;
Savantic;
Foshan Blue Rocket Electronics;
Wing Shing Computer Components;
Tiger Electronic;
Jiangsu Changjiang Electronics Technology.

Отечественные магазины встречается продукция таких фирм:

Inchange Semiconductor Company;
STMicroelectronics.

D1047 Распиновка транзистора, характеристики, эквивалент, области применения и другая информация В этом посте описывается распиновка транзистора D1047, характеристики, аналог, области применения и другая информация.

Объявления

Характеристики/технические характеристики:

Тип упаковки: TO-3P
Тип транзистора: NPN
Максимальный ток коллектора (I _C): 12A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE): 140 В
Максимальное напряжение коллектор-база (В _CB): 200 В
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 В
Максимальное рассеивание коллектора (шт. ): 100 Вт
Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE): от 60 до 200
Макс. температура хранения и рабочая температура: от -65 до +150 по Цельсию

Описание транзистора D1047:

D1047 — это NPN-транзистор, изготовленный в корпусе TO-3P. Транзистор в основном предназначен для усиления звука и усиления мощности. Транзистор имеет хорошие характеристики, благодаря которым он не ограничивается только вышеупомянутыми целями и может использоваться для множества других приложений. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 140 В, благодаря чему его можно использовать во многих различных высоковольтных приложениях до 140 В. Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер 140 В не означает, что вы не можете использовать этот транзистор в маломощных схемах и схемах с батарейным питанием, максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер описывает только максимальное напряжение нагрузки, которое может выдержать этот транзистор.

Кроме того, максимальный ток коллектора составляет 12 А, что делает его идеальным для использования в качестве переключателя в различных приложениях, общая рассеиваемая мощность составляет 100 Вт, максимальная частота перехода составляет 15 МГц, а максимальный коэффициент усиления по постоянному току транзистора составляет 200.

Где мы можем его использовать и как использовать:

D1047 можно использовать в самых разных приложениях усиления и переключения. Его можно использовать в усилителях звука высокой мощности, цепях питания, низкочастотных цепях и т. д. Процедура использования этого транзистора такая же, как и любого другого биполярного транзистора.

PNP Complementary:

PNP Complementary of 2SD1047 is 2SB817

Replacement and Equivalent:

2SC5948, 2SC4059, 2SC5358, 2SC5200 , 2SC3907, 2SC6011, 2SD1717

Приложения:

Приложения для драйверов двигателей

Мощный аудиоусилитель

Схемы питания

Схемы инверторов

Нагрузка привода до 12 А

Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные номиналы:

Использование любого компонента с максимальными номиналами может привести к внезапному или длительному повреждению или ослаблению компонента. Чтобы безопасно эксплуатировать транзистор, всегда лучше не использовать его с максимальным номиналом и всегда оставаться на 20% ниже его максимального номинала. Так же относится и к транзистору Д1047. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 140 В, поэтому не подключайте нагрузку более 112 В. Максимальный ток коллектора составляет 12 А, поэтому не подключайте нагрузку более 9 А..6A и всегда используйте или храните при температуре выше -65°C и ниже +150°C.

Техническое описание:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в браузере.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/D/1/0/D1047_SanyoSemiconDevice.pdf

заменить toshiba b688/d718 на b817/d1047

JavaScript отключен. Для лучшего опыта, пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере, прежде чем продолжить.

Статус: Эта старая тема закрыта. Если вы хотите повторно открыть эту тему, свяжитесь с модератором, нажав кнопку «Пожаловаться».

Перейти к последнему

22.01.2016 23:26

22-01-2016 23:26

привет
Мне нужно заменить 2SD718 и 2SB688 в моем старом Super A JVC a-x30. После неудачного опыта с некоторыми подделками Ebay я сыт по горло. У меня есть несколько пар B817 и D1047, которые, как я знаю, хороши, могу ли я использовать их в качестве замены? Извините, если это глупый вопрос, не знаю, на что обращать внимание при сравнении.