D2088 транзистор характеристики. Транзистор D2088: характеристики, аналоги и применение

Какие основные параметры имеет транзистор D2088. Где применяется D2088. Какие есть аналоги транзистора D2088. Как выбрать замену для D2088.

Содержание

Основные характеристики транзистора D2088

Транзистор D2088 (2SD2088) — это кремниевый биполярный NPN-транзистор, разработанный компанией Toshiba. Он относится к семейству высоковольтных транзисторов Дарлингтона и имеет следующие ключевые параметры:

  • Структура: NPN-Дарлингтон
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60 В
  • Максимальный ток коллектора: 2 А
  • Коэффициент усиления по току: 2000 и более
  • Рассеиваемая мощность: 900 мВт
  • Корпус: TO-92MOD

Транзистор D2088 отличается высоким коэффициентом усиления и способностью работать с относительно большими токами при небольших размерах корпуса. Это делает его удобным для применения в различных электронных схемах.

Области применения транзистора D2088

Благодаря своим характеристикам, транзистор D2088 находит применение в следующих областях:

  • Усилители низкой частоты
  • Драйверы электродвигателей
  • Источники питания
  • Импульсные преобразователи
  • Схемы управления реле и соленоидами
  • Схемы драйверов светодиодов

Высокий коэффициент усиления D2088 позволяет использовать его для усиления слабых сигналов, а способность работать с токами до 2 А дает возможность управлять относительно мощными нагрузками.


Аналоги и замены для транзистора D2088

При необходимости замены транзистора D2088 можно рассмотреть следующие аналоги:

  • 2SD2089 — очень близкий аналог с немного лучшими характеристиками
  • 2SD882 — схожий по параметрам NPN-транзистор Дарлингтона
  • TIP120 — популярный NPN-транзистор Дарлингтона в корпусе TO-220
  • BD679 — мощный NPN-транзистор Дарлингтона
  • MPSA13 — маломощный NPN-транзистор Дарлингтона

При выборе замены важно учитывать не только основные электрические параметры, но и особенности корпуса, тепловые характеристики и другие факторы, влияющие на работу схемы.

Как правильно выбрать замену для D2088

При подборе аналога для транзистора D2088 следует обратить внимание на следующие параметры:

  1. Структура транзистора (NPN-Дарлингтон)
  2. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (не менее 60 В)
  3. Максимальный ток коллектора (не менее 2 А)
  4. Коэффициент усиления по току (желательно не менее 2000)
  5. Рассеиваемая мощность (не менее 900 мВт)
  6. Совместимость корпуса или возможность его замены

Важно также учитывать особенности конкретной схемы, в которой планируется использовать транзистор. В некоторых случаях может потребоваться корректировка номиналов других компонентов схемы при замене транзистора.


Особенности использования транзистора D2088

При работе с транзистором D2088 следует учитывать некоторые особенности:

  • Высокий коэффициент усиления может привести к самовозбуждению в некоторых схемах, поэтому может потребоваться дополнительная стабилизация
  • Из-за структуры Дарлингтона транзистор имеет относительно высокое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (до 1,5 В)
  • При работе на больших токах необходимо обеспечить эффективный теплоотвод
  • Транзистор чувствителен к статическому электричеству, поэтому требует осторожного обращения при монтаже

Учет этих особенностей позволит более эффективно использовать транзистор D2088 в различных электронных устройствах.

Сравнение D2088 с другими популярными транзисторами

Для лучшего понимания места D2088 среди других транзисторов, рассмотрим его сравнение с некоторыми популярными моделями:

ПараметрD20882N3055TIP41CBD139
ТипNPN ДарлингтонNPNNPNNPN
Макс. напряжение К-Э60 В60 В100 В80 В
Макс. ток коллектора2 А15 А6 А1,5 А
Коэффициент усиления2000+20-7015-7540-250
Рассеиваемая мощность900 мВт115 Вт65 Вт12,5 Вт
КорпусTO-92MODTO-3TO-220TO-126

Как видно из сравнения, D2088 выделяется очень высоким коэффициентом усиления, но уступает по максимальному току и рассеиваемой мощности. Это определяет его специфическую область применения, где требуется высокое усиление при умеренных токах.


Рекомендации по монтажу и эксплуатации D2088

Для обеспечения надежной работы транзистора D2088 в электронных устройствах следует придерживаться следующих рекомендаций:

  1. При монтаже используйте антистатические меры предосторожности для защиты транзистора от статического электричества.
  2. Соблюдайте правильную ориентацию выводов при установке транзистора в схему.
  3. Не превышайте максимально допустимые значения напряжений и токов, указанные в документации.
  4. При работе на токах, близких к максимальным, обеспечьте эффективный теплоотвод, например, используя небольшой радиатор.
  5. В схемах с высоким коэффициентом усиления предусмотрите меры для предотвращения самовозбуждения, такие как использование конденсаторов обратной связи.
  6. Учитывайте относительно высокое напряжение насыщения коллектор-эмиттер при проектировании схем с низким напряжением питания.
  7. При замене D2088 на аналог в существующей схеме, проверьте работу устройства во всех режимах и при необходимости скорректируйте номиналы других компонентов.

Соблюдение этих рекомендаций поможет обеспечить долгую и надежную работу устройств с использованием транзистора D2088.



2SD2088 транзистор (2088 NPN-Darlington 002A00 0060V TO-92MOD 2SD2088 ROHM)

  1. Продукция
  2. Транзисторы
  3. 2SD…

Производитель: ROHM

Код товара: Т0000016544

Маркировка: D2088

Количество приборов:

Параметры
НаименованиеЗначениеЕдиница измеренияРежим изменения
ПроводимостьNPN
Функциональное назначениеДарлингтон R1=4. 0kOhm R2=800 Ohm
Функциональное назначение выводов1=E 2=C 3=B
Напряжение коллектор-база60V
Напряжение коллектор-эмиттер60V
Напряжение эмиттер-база8V
Ток коллектора max2A
Ток базы max0,5A
Обратный ток коллектора10mkAmax @Vcb=40V@Ie=0
Обратный ток эмиттера4mAmax @Veb=4V@Ic=0
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ2000…@Vce=2V@Ic=1A
Напряжение коллектор-эмиттер насыщения1,5V@Ic=1A@Ib=1mA(Pulsed)
Напряжение база-эмиттер насыщения2V@Ic=1A@Ib=1mA(Pulsed)
Мощность рассеивания900mW@25*C
Граничная частота100MHz@Vce=2V@Ic=0A5(Pulsed)
Температура рабочая-55. ..+150*C

Мастер Винтик. Всё своими руками!Выходные транзисторы строчной развёртки и блока питания.

ТипХарактеристикиДиодАналог
2SC3353800/500V, 5А, 40WNPNBUT11AF, 2SC3750,2SC3795,2SC4518
2SC34791500/800V,2,5A,80WNPN+DBU705D, 2SD1290,2SD1728,2SD1876
2SC34801500/800V, 3,5A,80WNPN+DBU706D,2SD1729,2SD1877
2SC34811500/800V, 5А, 120WNPN+D2SC3681, BU2508D, 2SD1730,2SD1878
2SC34841500,2,5А, 80WNPNBU706,2SD1495
2SC36811500/800V, 6А, 120WNPN+D2SC3482,2SC4292, BU508D, BU706D
2SC36861500/800V, 7 A, 120WNPN2SC3687, BU508A, BU908
2SC3750800/500,5А, 30WNPNBUT11AF, 2SC3353,2SC3795
2SC3795800/500V, 5А, 40WNPN2SC3353,2SC3750,2SC4518, BUT11AF
2SC3884A1500/600V, 6А, 50WNPN2SC3894,2SC4757,2SC4830
2SC3885A1500/600V, 7А, 50WNPN2SC3895,2SC4757
2SC3892A1500/600V, 7А, 50WNPN+D2SC4762,2SC4916
2SC3893A1500/600V,8A,50WNPN+D2SC4763, 2SC5043
2SC38941500/600V, 6А, 60WNPN2SC3884A, 2SC3885A, 2SC4830
2SC38951500/800V, 7А, 60WNPN2SC3885A, 2SC4757
2SC39951500/800V, 12А, 180WNPN2SC4288A
2SC40961400/800V, 10А, 150WNPN2SC3995,2SC4111
2SC41111500/700V, 10А, 150WNPN2SC3995
2SC41221500/800V, 6A, 60WNPN+D2SC4294,2SC4764
2SC41231500/800V, 7A, 60WNPN+D2SC3892A, 2SC4762,2SC4916
2SC41241500/800V, 8A, 70WNPN+D2SC3892,2SC4763
2SC41251500/800V, 10A, 70WNPN+DBU2520DF
2SC41421500/800V, 5A, 50WNPNBU706F, 2SD1545,2SD1655,2SD1656
2SC42881400/600V, 12A, 200WNPN2SC3995,2SC4096,2SC4111
2SC42941500/800V, 6A, 50WNPN+D2SC3892A, 2SC4122, BU2508DF
2SC4518900/550V, 5A, 35WNPNBUT11AF, BUT18AF, 2SC3795
2SC45311500/600V, 10A, 50WNPN+DBU2520DF, 2SC4125, 2SC4878,2SD1881
2SC47571500/600V, 7A, 50WNPN2SC3885A, 2SC3895
2SC47621500/600V, 7A, 50WNPN+D2SC3892A, 2SC4123,2SC4916
2SC47631500/600V, 8A, 50WNPN+DBU2520DF, 2SC3893A, 2SC4124
2SC47641500/600V, 6A, 50WNPN+D2SC3892A, 2SC4294,2SC4122
2SC48301500/600V, 6A, 50WNPN2SC3884A, 2SC3894,2SC4757
2SC48781500,10A, SOWNPN+DBU2520DF, 2SC4125, 2SC4531, 2SD1881
2SC49161500/600V, 7A, SOWNPN+D2SC3892A, 2SC4762
2SC49271500V, 8A,50WNPN+DBU2508DF, 2SC3893A, 2SC4763,2SD2371
2SC50431600/800V, 10A, 50WNPN+D2SC5143
2SC51431700/700V, 10A, 50WNPN+D
2SC51501700/700V, 10A, 50WNPNBU2722AF, BU2727AF
2SC52501500V, 8A,50WNPN+DBU2520DF, 2SC4763
2SD11751500V, 5A, 100WNPN+DBU508D, 2SD953,2SC3481,2SC3681
2SD13971500/800V, 3,5A, 80WNPN+DBU706D, 2CS3480,2SD1729
2SD13981500/800V, 5A, 80WNPN+DBU706D, 2SC3481,2SC3681, 2SD1730
2SD14251500/800V, 2,5A, 80WNPN+DBU705D, 2SC3479,2SD1290,2SD1728
2SD14261500/800V, 3,5A, 80WNPN+DBU706D, 2SC3480, 2SD1729
2SD14271500/800V, 5 A, 80WNPN+DBU508D,BU2508D, 2SC3481,2SD1730
2SD14321500/600V, 6A, 80WNPNBU508A, BU908,2SC3686,2SD1497
2SD14411500,4А, 70WNPN+DBU706D, 2SC3481,2SC3681,2SD1730
2SD14531500/600V,3A,50WNPNBU706,2SC3484,2SD1495
2SD15411500V, ЗА, 50WNPN+DBU706DF,2SD1554,2SD1650,2SD1877
2SD15531500/600V,2M,40WNPN+DBU706D,2SD1649,2SD1876,2SD2367
2SD15541500/600V,3M,40WNPN+DBU706DF, 2SD1650,2SD1877,2SD2089
2SD1555150Q/600V, 5A, 50WNPN+DBU508DF, 2SD1651,2SD2095,2SD2125
2SD1556150Q/600V, 6A, 50WNPN+DBU508DF, 2SC4294,2SD1652,2SD2125
2SD15771500/700V, 5A, 100WNPNBU2508AF, 2SC3884A, 2SC3894,2SC4142
2SD16321500V, 4A,70WNPN+DBU508DF, 2SD1554,2SD1650,2SD2089
2SD16491500/800V, 2,5A, SOWNPN+D2SD795DF, 2SD1553,2SD1876,2SD2367
2SD1650150Q/800V, 3M, 50WNPN+DBU706DF, 2SD1554,2SD1877,2SD2089
2SD16511500/800V,5A,60WNPN+DBU2508DF, 2SD1555,2SD2095,2SD2125
2SD16541500/800V, 3,5A, 50WNPNBU706F, 2SD1544,2SD1883,2SD3484
2SD17291500/700V, 3,5A, 60WNPN+DBU706D, 2SC3480
2SD18761500/800V, ЗА, 50WNPN+DBU706DF, 2SD2089,2SD1554,2SD1650
2SD18771500/800V, 4A, SOWNPN+DBU706DF, 2SD1554, 2SD1650,2SD2089
2SD18781500/800V, 5A, 50WNPN+DBU706DF, 2SD1555,2SD2095,2SD2125
2SD18791S00/800V, 6A, 50WNPN+DBU508DF, 2SC4294,2SD1556,2SD2125
2SD18801500/800V, 8A, 70WNPN+DBU508DF, 2SC3893A, 2SC4124,2SC4531
2SD18861500/800V, 8A, 60WNPNBU508AF, 2SC3886A, 2SC3896,2SC4758
2SD18871500/800V, 10A, 70WNPNBU2520AF, 2SC3897,2SC4542,2SC4759
2SD19101500/600V, 3A,40WNPN+DBU706DF, 2SD1544,2SD1650,2SD2089
2SD19111500/600V, 5A, SOWNPN+DBU706DF, 2SC4293,2SC4122,2SD1651
2SD19411500/650V, 6A, SOWNPNBU508AF, 2SC4143,2SD1546,2SD1656
2SD19591400/6S0V,10A,50WNPNBU2520AF, 2SC3897,2SC4542,2SD1548
2SD20891500/600V, 3,5A, 40WNPN+DBU2508DF, 2SD1554, 2SD1650,2SD1877
2SD20951500/600V, 5A, SOWNPN+DBU508DF, 2SD1555,2SD1651,2SD2125
2SD21481500/700V, 8A, 50WNPNBU508AF, 2SC3886A, 2SC3896,2SC4758
2SD23001500V, 5A, 50WNPN+DBU706D, 2SC4122,2SC4293,2SD1555
2SD23311500/600V, ЗА, 60WNPN+DBU706DF, 2SD1554, 2SD1650,2SD2089
2SD23331500/600V, 5A, 80WNPN+DBU706DF, 2SC4293,2SD1555,2SD2125
2SD23711500/600V, 7A, 100WNPN+DBU2508DF, 2SC3893A, 2SC4124,2SD1880
2SD24541700/600V, 7A, 50WNPN+DBUH517D, 2SC4963
2SD24991500/600V, 6A, SOWNPN+D2SC4764
2SD25391500/600V, 7A, SOWNPN+DBU2508DF, 2SC3892A, 2SG4123,2SD2251
2SD8701500/600V, 2,5 A, 50WNPN+DBU208D, BU706D, 2SD1171,2SD1175
2SD9531500,5A, 95WNPN+DBU2508D, 2SD1174, 2SD1175,2SD1730
BU2081500/700V, 5A, 13WNPNBU508A, 2SC2928,2SD350A, 2SD820
BU2506DF1500/700V, 5A, 45WNPN+DBU2508DF, 2SC3892A, 2SC4765,2SC4916
BU2508AF1S00/700V, 8A, 125WNPN2SC3886A, 2SC3896,2SC4542,2SC4758
BU2515DF1500/800V,9A,45WNPN+DBU2520DF, 2SC4125,2SC4531,2SC4878
BU2520DF150Q/800V, 10A, 45WNPN+DBU2522DF, 2SC4125
BU2708AF1700/825V, 8A, 45WNPNBUH517,2SC4797
BU2722AF1700/825V, 10A, 45WNPNBU2727AF
BU2727AF1700/825V, 12A, 45WNPN
BU407330/150V, 7A, 60WNPNBU109P, BU406, BU408,2SC3173
BU4508DF1500/800V, 8A, 32WNPN+D2SC4124,2SC5043
BU508A1400/700V, 8A, 125WNPN+DBU908, BU2508A, 2SC3687
BU508DF1500/700V, 8A, 34WNPN+DBU2508DF, S2055AF, 2SC3893A, 2SC4124
BU706DF1500/700V, 5A, 100WNPN+DBU508DF, 2SD1555,2SD1556,2SD1651
BU808DFI14O0/7O0V,5A,50WNPN+DBU808FI (составной транзистор)
BUH515D1500/700V, 8A, SOWNPN+DBU2515DF, BU4508DF, 2SC4127
BUH5171700/700V, 8A, 60WNPN2SC5150
BUT11AF850/400V, 5A, 20WNPNBUT18AF, BUV46FI, BUT11AX
BUT12AF1000/450V, 8A, 23WNPNBUT22CF
BUT18AF850/400V, 6A, 33WNPNBUT12AF, BUT56, BUT76
BUT22CF850/400V, 8A, 23WNPNBUT12AF
BUT56800/400V, 8A, 100WNPNBUT12A, BUT54, BUV56A
BUT76850/400V, 10A, 100WNPNBUV56A, BUV66A
BUV46FI850/400V, 6A, 30WNPNBUT11AF, BUT12AF, BUT18AF
BUV56A1000/450V, 9A, 70WNPNBUV66A
BUV66A1000/450V, 15A, 100WNPN
S2000A1500V. 8A, SOWNPNBU508A
S2000AF1500V, 8A, SOWNPNBU508AF
S2000N1500V, 8A, SOWNPNBU508AF
S2055AF1500V, 8A,50WNPN+DBU508DF, S2055N
KSD50701500/800V 2J5A SOWNPN+DBU705DF, 2SD1553,2SD1649,2SD1876
KSD50711500/800V, 3,5A, SOWNPN+DBU706DF, 2SD1650,2SD1877
KSD50721500/800V, 5A 60WNPN+DBU706DF, BU2508DF, 2SC4122,2SD1878
KSD50761500/800V, 5A, 60WNPNBU706F, BU2508AF, 2SC4142,2SD1655
KSD50781500/800V, 8A, 70WNPNBU2508AF, 2SC3896, 2SC5067,2SD1886
KSD50791500/800V, 10A, 70WNPNBU2520AF, 2SC3897,2SC4924,2SC5068
KSD50801500/800V, 8A, 70WNPN+DBU2508DF, 2SC4124,2SD1880
KSD50901500/800V, 8A, 150WNPN+DBU2508D, BU2520D, 2SC3683

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.


На главную страницу || Карта сайта
  1. Справочник транзисторов маломощных биполярных.

  2. Справочник транзисторов средней мощности высокочастотных, биполярных.

  3. Справочник полевых транзисторов отечественных.

  4. Справочник отечественных smd транзисторов .

  5. Каталог MOSFET транзисторов .

  6. Использование справочных данных транзисторов для расчета ключевой схемы с резистивной нагрузкой.
  7. Использование справочных данных транзистора для расчета ключевой схемы с индуктивной нагрузкой.
От составителя:

В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных листков и документация с сайтов производителей. Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления, то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор. Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска. Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например, КТ502, КТ503, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ825, КТ827, КТ829, КТ837, КТ838, КТ846, КТ940, КТ961, КТ972, КТ973, КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой, аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики.
Фильтр параметров позволяет сформировать в справочнике списки по функциональным особенностям транзисторам

Содержание:
  1. Раздел составных транзисторов (всего 49 штук)
  2. Раздел мощных высоковольтных транзисторов (всего 64 штук)
  3. Раздел p-n-p транзисторов (всего 56 штук)
  4. Раздел n-p-n транзисторов (всего 138 штук)
Показать/скрыть краткое описание транзисторов
Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов.
Фильтр параметров:
n-p-n   p-n-p   Составные транзисторы   Высоковольтные  
Показать все
Типы корпусов
        
НаименованиеАналогКорпусPDFТипImax, AUmax, Вh31e max  
КТ501(А-Е)BC212TO-18pnp0,330240 КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит.
КТ502(А-Е)MPSA56TO-92

pnp0,1590240Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 — MPSA56. Комплементарная пара КТ503.
КТ503(А-Е)2SC2240TO-92
npn0,15100240Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 — 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) — КТ502.
КТ504(А,Б,В)BSS73TO-39npn1350100 КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 — BSS73.
KТ505(А,Б)BSS76TO-39pnp1300100 КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке.
КТ506(А,Б)BUX54TO-39npn280030 КТ506А и КТ506Б для  переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54.
2Т509АTO-39pnp0,0245060 2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения.
КТ520(А,Б)MPSA42TO-92
DPAK
npn0.530040Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах.
КТ521(А,Б)MPSA92TO-92pnp0.530040Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520.
КТ529АTO-92pnp160250 КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения. Комплементарная пара — КТ530.
КТ530АTO-92npn160250 Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой.
КТ538АMJE13001TO-92npn0.560090Высоковольтный КТ538 используется в высоковольтных переключательных схемах. Подробно параметры описаны в справочном листке.
КТ704(А-В)MJE18002 npn2,5500100 КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
ГТ705(А-Д)  npn3,530250 ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ.
2Т708(А-В)2SB678TO-39pnp2,51001500составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах.
2Т709(А-В)BDX86TO-3pnp101002000мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств. Подробно характеристики описаны в справочном листке.
КТ710А TO-3npn5300040 КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах.
КТ712(А,Б)BU806TO-220pnp102001000мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах.
2Т713А  TO-3npn32500202Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах
2Т716 (А-В)2SD472HTO-3npn10100750 2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т716 (А1-В1)BDX33TO-220npn10100750составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716.
КТ719АBD139TO-126npn1,512070 КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке.
КТ720АBD140 pnp1,5100
КТ721АBD237 npn1,5100BD237, импортный аналог КТ721А
КТ722АBD238 pnp1,5100Справочные данные BD238, аналога КТ722А
КТ723АMJE15028 npn10100Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723
КТ724АMJE15029 pnp10100Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А
КТ7292N3771 npn3060 Параметры 2N3771, аналога КТ729
КТ7302N3773 npn16140Характеристики 2N3773, аналога КТ730
КТ732АMJE4343TO-218npn1616015 КТ732 используется в преобразователях напряжения.
КТ733АMJE4353TO-218pnp1616015 КТ733 — Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны.
КТ738АTIP3055TO-218npn157070 КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах.
КТ739АTIP2955TO-218pnp157070 КТ739 — Комплементарная пара для КТ738.
КТ740А,А1MJE4343TO-220
TO-218
npn2016030 КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 — MJE4343
КТ805(А-ВМ)KSD363
BD243
TO-220

npn516015 КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора КТ805 приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 — транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837.
КТ807(А-БМ) npn0,5100150 КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП — источник вторичного электропитания)
КТ808(А-ГМ) TO-3 npn1013050 КТ808 для кадровой и строчной разверток
КТ812(А-В) TO-3 npn1070030 КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке.
КТ814(А-Г)BD140
ZTX753
TO-126
DPAK


pnp1,5 100100 Транзистор КТ814. предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие. Импортный аналог КТ814 — транзистор BD140. Комплементарная
пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) — КТ815.
КТ815(А-Г)BD139
ZTX653
TO-126
DPAK


npn1,5100 100КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139.
КТ816(А-Г)BD238
MJE172
TO-126
DPAK


pnp380100 КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара — КТ817.
КТ817(А-Г)BD237
MJE182
TO-126
DPAK


npn380 100 КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б — транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В — BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г — BD237 и MJE182. Комплементарная пара — КТ816.
КТ818(А-ГМ)BDW22
BD912
TO-220
TO-3


pnp10
15
100100Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 — BDW22 и BD912. Комплементарная пара — транзистор КТ819.
КТ819(А-ГМ)BDW51
BD911
TO-220
TO-3


npn10
15
100 100Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 — BDW51 и BD911.
КТ825(Г-Е)2Т6050TO-220
TO-3

pnp15
20
10018000Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 — транзистор КТ827. Импортный аналог — 2T6050.
КТ826(А-В) TO-3 npn1700120Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации.
КТ827(А-В)2N6057
BDX87
TO-3
npn2010018000Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 — транзистор КТ825. Импортный аналог — 2N6057.
КТ828(А-Г)BU207TO-3 npn580015характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит
КТ829(А-Г)TIP122
2N6045
TO-220
npn81003000Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 — транзисторы TIP122 и 2N6045.
2Т830(А-Г)2N5781TO-39 pnp290160транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 — 2N5781.
2Т831(А-В)2N4300TO-39 npn250200 2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей.
КТ834(А-В)BU323TO-3npn155003000составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения.
КТ835(А,Б)2N6111TO-220pnp7,530100транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 — импортный 2N6111
2Т836(А-В)BD180TO-39pnp390100 2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП.
КТ837(А-Ф)2N6108
2N6111
TO-220

pnp870200pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 — транзистор 2N6108 с близкими характеристиками.
КТ838А2SD1554
BU208
TO-3
npn5150014 Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги — 2SD1554 и BU208.
КТ839А2SC1172
MJ16212
TO-3npn10150012Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току.
КТ840(А,Б)BUX97TO-3npn6400100Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле.
КТ841(А-В)MJ413
2N3442
TO-3npn1060035Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит.
КТ842(А,Б)2SB506TO-3pnp530030Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения.
КТ844АMJ15011TO-3npn1025060 КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet
КТ845АTO-3npn5400100 КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах.
КТ846АBU208TO-3
npn5150015 Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet.
КТ847АBUX48
2N6678
TO-3npn15650100 Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48.
КТ848АBUX37TO-3npn154001000Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 — BUX37.
КТ850(А-В)2SD401TO-220npn2250200 КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики  приведены в datasheet .
КТ851(А-В)2SB546TO-220pnp2200200 КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf
КТ852(А-Г)TIP117TO-220pnp21001500Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит.
КТ853(А-Г)TIP127
2N6042
TO-220pnp8100750Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле.
КТ854(А,Б)MJE13006TO-220npn1050050 КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet.
КТ855(А-В)MJE9780TO-220pnp5250100 КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками — MJE9780.
2Т856(А-В)BUX48TO-3npn1095060 2Т856 для переключательных устройств. Аналог — BUX48.
КТ856(А1,Б1)BUV48TO-218npn1060060 КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet .
КТ857АBU408TO-220npn725050 КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог — BU408.
КТ858АBU406TO-220npn740060 транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог — BU406. Подробное описание смотри в datasheet .
КТ859АMJE13005TO-220npn380060Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками — MJE13005.
2Т860(А-В) TO-39pnp2901002Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей.
2Т862(А-Г) TO-3npn15400100 2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах.
КТ863Б,ВD44Vh20TO-220npn10160300Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 — D44Vh20.
КТ863БСD44Vh20TO-220
TO-263
npn12160300 КТ863БС — более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа.
КТ864А2N3442TO-3npn10200100 КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах.
КТ865А2SA1073TO-3pnp1020060Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864.
КТ867АTIP35TO-3npn25200100 КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов.
КТ868(А,Б)BU426 pnp640060 КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 — BU426.
КТ872(А-В)BU508
MJW16212
TO-218
npn870016Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 — транзисторы BU508 и MJV16212.
2Т875(А-Г)2SD1940TO-3npn10902002Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т876(А-Г)MJE2955TO-3pnp10901402Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т877(А-В)2N6285TO-3pnp208010000Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
КТ878(А-В)BUX98TO-3npn3090050 КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП.
КТ879npn5020025 КТ879 для применения в переключающих устройствах.
2Т880(А-В)2N6730pnp2100140 2Т880 — для усилителей и переключательных устройств.
2Т881(А-Г)2N5150 npn2100200 2Т881 — применение аналогично 2Т880
2Т882(А-В) TO-220npn1300100 2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf.
2Т883(А,Б)TO-220pnp1300100 2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220.
2Т884(А,Б)TO-220npn280040 2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet .
2Т885(А,Б) TO-3npn4050012 мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП.
КТ886(А1,Б1)MJW16212TO-218npn10140025Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 — MJW16212.
КТ887 А,Б TO-3pnp2700120 КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения.
КТ888 А,Б TO-39pnp0,1900120Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП.
КТ890(А-В)BU323TO-218npn20350700Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323.
КТ892(А-В)BU323ATO-3npn15400300 мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой.
КТ896 (А,Б)BDW84TO-218pnp208010000Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 — BDW84.
КТ897(А,Б)BU931ZTO-3npn203504000Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 — BU931.
КТ898 (А,Б)BU931PTO-218npn203501500Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 — BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet.
КТ899АBU806TO-220npn81501000Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками — BU806.
КТ8101(А,Б)MJE4343
2SC3281
TO-218
npn16200100 мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 — транзистор MJE4343. Комплементарная пара — КТ8102.
КТ8102(А,Б)MJE4353
2SA1302
TO-218
pnp16200100Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 — MJE4353.
КТ8106 (А,Б)MJH6286TO-218npn20803000Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 — MJH6286.
КТ8107(А-В)BU208TO-218npn870012 КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 — BU208.
КТ8109TIP151TO-220npn7350150Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet.
КТ8110 (А-В)BUT11npn740030Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110.
КТ8111(А9-Б9)BDV67TO-218npn20100750Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог — BDV67.
КТ8115(А-В)BD650
TIP127
TO-220
pnp8
5
1001000Составной pnp транзистор КТ8115А для применения в усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для КТ8115 — BD650. Комплементарная
пара — КТ8116.
КТ8116(А-В)TIP132TO-220
DPAK

npn8
5
1001000Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой.
КТ8117АBUV48TO-218npn1040010 мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока.
КТ8118АMJE8503TO-220npn380040 КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока.
КТ8120АTO-220npn845010 КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями.
КТ8121А,БTO-220npn440060 КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей
КТ8123А TO-220npn2150 40КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей.
КТ8124(А-В) TO-220npn104007Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах.
КТ8126(А1,Б1)MJE13007TO-220
npn840030 мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet .
КТ8130 (А-В)BD676 pnp48015000 
КТ8131 (А,Б)BD677 npn48015000 
КТ8133 (А,Б)  npn82403000
КТ8137АMJE13003TO-126npn1,570040Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями.
КТ8141 (А-Г)   npn8100750
КТ8143 (А-Ш) КТ-9Мnpn80 30015биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры
КТ8144(А,Б) TO-3npn2580055 
КТ8146(А,Б)
КТ8154(А,Б)
КТ8155(А-Г)
 ТО-3

npn15
30
50
800
600
600
 мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания
КТ8156(А,Б)BU807TO-220npn82001000  КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ.
КТ8157(А-В) TO-218npn1515008для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана
КТ8158(А-В)BDV65TO-218npn121001000 КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах.
КТ8159(А,Б,В)BDV64TO-218pnp121001000 КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные.
КТ8163А  npn750040
КТ8164(А,Б)MJE13005TO-220npn440060Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания.
КТ8167 (А-Г)  pnp280250
КТ8168 (А-Г)  npn280250
КТ8170(А1,Б1)MJE13003TO-126npn1. 540040Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания.
КТ8171 (А,Б)  npn2035010000
КТ8176(А,Б,В)TIP31TO-220npn310050 КТ8176 для усилителей и переключательных схем.
КТ8177(А,Б,В)TIP32TO-220pnp310050КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176.
КТ8192 (А-В)  ISOTOPnpn 751500 10мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе
КТ8196 (А-В)  npn10350400
КТ8212(А,Б,В)TIP41TO-220npn610075КТ8212 для линейных и ключевых схем.
КТ8213(А,Б,В)TIP42TO-220pnp610075 Комплементарная пара для КТ8212.
КТ8214(А,Б,В)TIP112TO-220npn21001000Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах.
КТ8215(А,Б,В)TIP117TO-220pnp21001000Составной транзистор КТ8215 — Комплементарная пара КТ8214.
КТ8216 (А-Г)MJD31B npn2800275
КТ8217 (А-Г)MJD32B pnp10100275
КТ8218 (А-Г)  npn4100750
КТ8219 (А-Г)  pnp440750
КТ8224(А,Б)BU2508TO-218npn87007Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог — BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8228(А,Б)BU2525TO-218npn1280010Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером.
КТ8229АTIP35FTO-218npn2518075КТ8229 для линейных и ключевых схем.
КТ8230АTIP36FTO-218pnp2518075КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229.
КТ8231АBU941 npn15500300 datasheet на транзистор BU941
КТ8232 (А,Б)BU941ZPTO-218npn20350300КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания.
КТ8246(А-Г)КТ829TO-220npn151509000Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения.
КТ8247АBUL45DTO-220npn570022Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог — BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8248АBU2506TO-218npn5150060Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог — BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8251АBDV65TO-218npn101801000Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения.
КТД8252(А-Г)BU323ZTO-220
TO-218
npn153502000для работы на индуктивную нагрузку
КТ8254А  npn280030
КТ8255АBU407TO-220npn7330200 КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах.
КТД8257(А-В)SGSD96TO-220npn20180 1000для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах.
КТ8258(А,Б)MJE 13004TO-220npn440080для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004
КТ8259(А,Б)MJE13007
13007
TO-220npn840080для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007
КТ8260(А-В)MJE13008TO-220npn1550015для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008.
КТ8261АBUL44TO-126npn240020 КТ8261 для применения в преобразователях напряжения.
КТД8262(А-В)SEC80TO-220npn7350 300Для систем зажигания автотракторной техники
КТ8270АMJE13001TO-126npn0.560090 КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet.
КТ8271(А,Б,В)BD136TO-126pnp1.580250 КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet.
КТ8272(А,Б,В)BD135TO-126npn1.580250 КТ8272 для линейных усилителей и преобразователей напряжения. Комплементарная
пара для КТ8271
КТД8278(А-В1)SGSD93STTO-220npn201801000Для усилителей НЧ, переключательных устройств.
КТД8279(А-В)2SD1071TO-220
TO-218
npn10350300для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания.
КТД8280(А-В) TO-218npn601201000Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания.
КТД8281(А-В) TO-218pnp601201000Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями.
КТ8283(А-В) TO-218pnp60120100для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит.
КТ8284(А-В)КТ829TO-220npn12100500для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем.
КТ8285(А-В)BUF410TO-218
TO-3
npn3045040для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит.
КТ8286(А-В)2SC1413TO-218
TO-3
npn580040для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet
КТ8290АBUh200TO-220npn1070015Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания.
КТ8296(А-Г)KSD882TO-126npn330400КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях.
КТ8297(А-Г)KSD772TO-126pnp330400КТ8297 — Комплементарная
пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296.
КТ8304А,БTO-220
D2PAK
npn8160250КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения.
ПИЛОН-3TIP122TO-220npn151001000для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками — транзистор TIP122.
ПИР-1BUV48TO-218npn204508ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью.
ПИР-2MJE4343TO-220
TO-218
npn2016030ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем.
Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко

13003 Транзистор характеристики и его российские аналоги

В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003) транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

Режим RBSOA

В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база VBE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

В схемах с импульсными источниками питания, для уменьшения проблем связанных с запиранием транзистора в момент его выключения, чаще всего используют обратное смещение базы.

Комплементарная пара

Комплементарной пары у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Замена и эквиваленты

Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.

И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.

Производители

Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.

Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009

Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009 — это биполярные n-p-n транзисторы широко распространенные в импортных бытовых приборах (люмининсцентные энергосберегающие лампы, зарядные устройства и блоки питания от мощных компьютерных до маломощных бытовых).

Серия транзисторов MJE13001 — MJE13009 биполярные высоковольтные с N-P-N проводимостью специально разработана для использования в импульсной технике. Они характеризуются высоким напряжением и повышенным быстродействием.

Транзистор 13003 — аналог, datasheet, цоколевка, параметры, замена

Транзистор 13003 имеет множество имён, которые зависят от фирмы производителя. Под транзистором 13003 скрываются имена wg2gf 13003, wg 2 gf 13003, wg2 13003, alj 13003 и оригинальное название mje 13003 или MJE13003

Транзистор 13001 Цоколевка

В зависимости от фирмы-производителя цоколевка транзистора может отличаться от приведенной. Указанная распиновка соответствует транзисторам «Motorola Inc»

параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13001

Absolute Maximum Ratings TC=25°C TO-92

Collector-Base Voltage V CBO 500 V

Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V

Emitter- Base Voltage V EBO 9 V

Collector Current I C 0.3 A

Total Power Dissipation P C 7 W

Junction Temperature Tj 150 °C

Storage Temperature Tstg -65-150 °C

параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
100W700V400V9V12A150°C1608/40

Транзистор 13005 Цоколевка

Аналоги импортных транзисторов серии 13001, 13003, 13005, 13007, 13009

Профилактика и ремонт китайских настольных энергосберегалок

Автор: Antares
Опубликовано 11. 04.2013
Создано при помощи КотоРед.

Мяу, товарищи!) Всем доброго времени суток!) Это – первая моя статья, поэтому прошу больно не бить.) Сегодня я расскажу Вам, какие неприятности может принести китайская экономия Вашей настольной лампе, как их ликвидировать и предотвратить.

В общем, история такова. Подарили мне как-то на день рождения настольную лампу. С люминесцентной лампочкой!) Счастья было полный лоток!) Радовался я ей, радовался, да не долго… Проработала она у меня с пол-года, а потом я выдернул из той же розетки, куда была включена эта лампа, советскую лампу дневного света с дроссельно-стартерным пуском… Из настольной лампы раздался звук выстрелившего пистона, лампочка погасла, и по комнате пополз запах радио.((( Я так понял, что причиной стал выброс напряжения из-за резкого отключения индуктивной нагрузки (советской лампы). Вскрытие пациента показало стандартную китайскую халтуру: тёмный припой, остатки активного флюса на плате, и… Полное отсутствие каких-либо фильтров и защит на входе 220 платы. Мало того, что такая кончина этой лампы была неизбежна, так ещё она неплохо какала в сеть помеху во время работы (да, забыл сказать, что в лампе используется импульсный ЭПРА по стандартной схеме двухтактного автогенератора). После обследования пациента с помощью мультиметра, выяснилось, что сгорели оба транзистора автогенератора (их разорвало на части) и четыре резистора (стояли в базовой и коллекторной цепях сгоревших транзисторов). К сожалению, я не сфотографировал платы со взорванными транзисторами, все фотки сделаны уже после ремонта.

Вот, собственно, пациент)

А вот и коробка, в которой он продавался. Если у Вас такой – настоятельно рекомендую взглянуть на плату ЭПРА. Возможно, там тоже нет никаких защит.

Плата. Вид сверху.

Итак, ЭПРА лампы сгорел. Что делать?

Покупать новую лампу я не собирался, благо у меня лежит куча рабочих пускателей от дохлых энергосберегалок, а схемы ЭПРА у них и пациента практически совпадают. Поэтому можно просто заменить горелые компоненты с одной платы на такие же с другой. Главное – проверить мультиметром исправность компонентов-доноров, иначе бабах может повториться). Замена компонентов занимает от силы 10 минут. В моём случае немного различаются номиналы резисторов (так я поставил 1 Ом вместо 1,2 Ом в эмиттерные цепи транзисторов и 10 Ом вместо 12 Ом – в базовые), но это вполне терпимо. А вот с транзисторами может получиться небольшая пакость. Дело в том, что у разных транзисторов может различаться цоколёвка. Так, у родных транзисторов 13001 цоколёвка была БКЭ, а у доноров 13002 цоколёвка уже ЭКБ, хотя оба выпускаются в одинаковых корпусах ТО-92. Называется, повернись избушка… Этот момент нужно учесть при замене транзисторов, иначе, в лучшем случае, генератор может не запуститься.

При замене транзисторов я бы рекомендовал не изобретать велосипед и ставить транзисторы серий 13001-13007, т.к. они специально разработаны для таких преобразователей, и их легко достать. Если таковых транзисторов у Вас нет – открываем даташит на родные транзисторы и смотрим максимальные напряжение коллектор-эмиттер, напряжение база-эмиттер, ток коллектора и коэффициент передачи тока h31. В моём случае Uke = 400V, Ube = 9V, Ik = 300mA, h31 = 8. Подбираем транзисторы-доноры по параметрам так, чтобы они были не хуже родных. Да, с составными транзисторами эта схема скорее всего не запустится, т.к. не хватит напряжения, даваемого коммутирущим трансформатором, для их открывания. И ещё, при замене транзисторов всегда меняем пару, а не один транзистор, даже если второй подаёт признаки жизни, причём транзисторы-доноры тоже должны быть из одного полумоста. В противном случае можно получить перекос напряжения на выходе преобразователя и нестабильную работу лампы.

Итак, горелые детали заменили на исправные, включаем первый раз лампу в сеть последовательно с лампочкой накаливания на 60 Вт. Лампочка в пациенте должна зажечься, а 60-ваттная лампа – максимум моргнуть при старте. Если лампа так и не заработала – продолжаем искать неисправные компоненты и ещё раз проверяем цоколёвку транзисторов. В первую очередь проверяем все полупроводниковые компоненты (диоды и транзисторы). Также часто пробиваются высоковольтные конденсаторы, подключаемые к лампочке. Для прозвонки нужно выпаивать компонент, т.к. низкоомные резисторы и обмотки трансформатора могут шунтировать цепи.Причём проверка мультиметром при низком напряжении показывает, что конденсатор исправен. В этом случае помогает проверка заменой. Также не забываем проверить целостность лампочки пациента и её нитей накала.

Лампа (снова) работает! Как избежать проблем в будущем?

Ну вот, лампу мы-то отремонтировали, но надолго ли? Если у Вас нет на входе защит и фильтров (как у меня), то ближайший всплеск напряжения в сети снова поджарит транзисторы в преобразователе. Причём, не обязательно выдёргивать советскую лампу из соседнего гнезда одной розетки – такой импульс даст отключение от сети любого более-менее мощного трансформатора. 1)) = 430В.

Предохранитель F1 – выводной, от сгоревшей энергосберегалки. Обозначения на нём не было, но точно больше 0,5А, т.к. полуамперный предохранитель сгорел на втором пуске, хотя суммарная ёмкость фильтрующих конденсаторов 1,65 мкФ.

Всё это хозяйство можно смонтировать на небольшую плату, но, т.к. деталей в фильтре мало, я собрал его навесным монтажом и закрутил изолентой. В любом случае, нужно надёжно заизолировать все токоведущие части друг от друга и от окружающей среды, что избежать замыканий между компонентами фильтра и платой преобразователя. Полученный «кокон» укладываем в корпус преобразователя, находящийся в основании лампы, благо места там предостаточно. Я пытался приклеить его к стенке корпуса «моментом», но пластик пациента это клей не взял.(

Фильтр в изоленте

Вот на этом всё.) Разрешите откланяться. Да, не забывайте, что в данной схеме мы имеем дело с сетевым напряжением, что вполне себе смертельно опасно. Поэтому не забываем ВЫКЛЮЧАТЬ ЛАМПУ ИЗ РОЗЕТКИ, прежде чем что-то делать.

Маркировка SMD транзисторов в корпусе SOT-23

«15» на корпусе SOT-23MMBT3960(Datasheet «Motorola»)
«1A» на корпусе SOT-23BC846A(Datasheet «Taitron»)
«1B» на корпусе SOT-23BC846B(Datasheet «Taitron»)
«1C» на корпусе SOT-23MMBTA20LT(Datasheet «Motorola»)
«1D» на корпусе SOT-23BC846(Datasheet «NXP»)
«1E» на корпусе SOT-23BC847A(Datasheet «Taitron»)
«1F» на корпусе SOT-23BC847B(Datasheet «Taitron»)
«1G» на корпусе SOT-23BC847C(Datasheet «Taitron»)
«1H» на корпусе SOT-23BC847(Datasheet «NXP»)
«1N» на корпусе SOT-416BC847T(Datasheet «NXP»)
«1J» на корпусе SOT-23BC848A(Datasheet «Taitron»)
«1K» на корпусе SOT-23BC848B(Datasheet «Taitron»)
«1L» на корпусе SOT-23BC848C(Datasheet «Taitron»)
«1M» на корпусе SOT-416BC846T(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-323BC848W(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-23MMBTA13(Datasheet «Motorola»)
«1N» на корпусе SOT-23MMBTA414(Datasheet «Motorola»)
«1V» на корпусе SOT-23MMBT6427(Datasheet «Motorola»)
«1P» на корпусе SOT-23FMMT2222A,KST2222A,MMBT2222A.
«1T» на корпусе SOT-23MMBT3960A(Datasheet «Motorola»)
«1Y» на корпусе SOT-23MMBT3903(Datasheet «Samsung»)
«2A» на корпусе SOT-23FMMBT3906,KST3906,MMBT3906
«2B» на корпусе SOT-23BC849B(Datasheet «G.S.»)
«2C» на корпусе SOT-23BC849C(Datasheet «G.S.»)
«2E» на корпусе SOT-23FMMTA93,KST93
«2F» на корпусе SOT-23FMMT2907A,KST2907A,MMBT2907AT
«2G» на корпусе SOT-23FMMTA56,KST56
«2H» на корпусе SOT-23MMBTA55(Datasheet «Taitron»)
«2J» на корпусе SOT-23MMBT3640(Datasheet «Fairchild»)
«2K» на корпусе SOT-23FMMT4402(Datasheet «Zetex»)
«2M» на корпусе SOT-23MMBT404(Datasheet «Motorola»)
«2N» на корпусе SOT-23MMBT404A(Datasheet «Motorola»)
«2T» на корпусе SOT-23KST4403,MMBT4403
«2V» на корпусе SOT-23MMBTA64(Datasheet «Motorola»)
«2U» на корпусе SOT-23MMBTA63(Datasheet «Motorola»)
«2X» на корпусе SOT-23MMBT4401,KST4401
«3A» на корпусе SOT-23MMBTh34(Datasheet «Motorola»)
«3B» на корпусе SOT-23MMBT918(Datasheet «Motorola»)
«3D» на корпусе SOT-23MMBTH81(Datasheet «Motorola»)
«3E» на корпусе SOT-23MMBTh20(Datasheet «Motorola»)
«3F» на корпусе SOT-23MMBT6543(Datasheet «Motorola»)
«3J-» на корпусе SOT-143BBCV62A(Datasheet «NXP»)
«3K-» на корпусе SOT-23BC858B(Datasheet «NXP»)
«3L-» на корпусе SOT-143BBCV62C(Datasheet «NXP»)
«3S» на корпусе SOT-23MMBT5551(Datasheet «Fairchild»)
«4As» на корпусе SOT-23BC859A(Datasheet «Siemens»)
«4Bs» на корпусе SOT-23BC859B(Datasheet «Siemens»)
«4Cs» на корпусе SOT-23BC859C(Datasheet «Siemens»)
«4J» на корпусе SOT-23FMMT38A(Datasheet «Zetex S. »)
«449» на корпусе SOT-23FMMT449(Datasheet «Diodes Inc.»)
«489» на корпусе SOT-23FMMT489(Datasheet «Diodes Inc.»)
«491» на корпусе SOT-23FMMT491(Datasheet «Diodes Inc.»)
«493» на корпусе SOT-23FMMT493(Datasheet «Diodes Inc.»)
«5A» на корпусе SOT-23BC807-16(Datasheet «General Sem.»)
«5B» на корпусе SOT-23BC807-25(Datasheet «General Sem.»)
«5C» на корпусе SOT-23BC807-40(Datasheet «General Sem.»)
«5E» на корпусе SOT-23BC808-16(Datasheet «General Sem.»)
«5F» на корпусе SOT-23BC808-25(Datasheet «General Sem.»)
«5G» на корпусе SOT-23BC808-40(Datasheet «General Sem.»)
«5J» на корпусе SOT-23FMMT38B(Datasheet «Zetex S.»)
«549» на корпусе SOT-23FMMT549(Datasheet «Fairchild»)
«589» на корпусе SOT-23FMMT589(Datasheet «Fairchild»)
«591» на корпусе SOT-23FMMT591(Datasheet «Fairchild»)
«593» на корпусе SOT-23FMMT593(Datasheet «Fairchild»)
«6A-«,»6Ap»,»6At» на корпусе SOT-23BC817-16(Datasheet «NXP»)
«6B-«,»6Bp»,»6Bt» на корпусе SOT-23BC817-25(Datasheet «NXP»)
«6C-«,»6Cp»,»6Ct» на корпусе SOT-23BC817-40(Datasheet «NXP»)
«6E-«,»6Et»,»6Et» на корпусе SOT-23BC818-16(Datasheet «NXP»)
«6F-«,»6Ft»,»6Ft» на корпусе SOT-23BC818-25(Datasheet «NXP»)
«6G-«,»6Gt»,»6Gt» на корпусе SOT-23BC818-40(Datasheet «NXP»)
«7J» на корпусе SOT-23FMMT38C(Datasheet «Zetex S. »)
«9EA» на корпусе SOT-23BC860A(Datasheet «Fairchild»)
«9EB» на корпусе SOT-23BC860B(Datasheet «Fairchild»)
«9EC» на корпусе SOT-23BC860C(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-523F2N7002T(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-23BCW60A(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AB» на корпусе SOT-23BCW60B(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AC» на корпусе SOT-23BCW60C(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AD» на корпусе SOT-23BCW60D(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AE» на корпусе SOT-89BCX52(Datasheet «NXP»)
«AG» на корпусе SOT-23BCX70G(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AH» на корпусе SOT-23BCX70H(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AJ» на корпусе SOT-23BCX70J(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AK» на корпусе SOT-23BCX70K(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«AL» на корпусе SOT-89BCX53-16(Datasheet «Zetex»)
«AM» на корпусе SOT-89BCX52-16(Datasheet «Zetex»)
«AS1» на корпусе SOT-89BST50(Datasheet «Philips»)
«B2» на корпусе SOT-23BSV52(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BA» на корпусе SOT-23BCW61A(Datasheet «Fairchild»)
«BA» на корпусе SOT-232SA1015LT1(Datasheet «Tip»)
«BA» на корпусе SOT-232SA1015(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«BB» на корпусе SOT-23BCW61B(Datasheet «Fairchild»)
«BC» на корпусе SOT-23BCW61C(Datasheet «Fairchild»)
«BD» на корпусе SOT-23BCW61D(Datasheet «Fairchild»)
«BE» на корпусе SOT-89BCX55(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BG» на корпусе SOT-89BCX55-10(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BH» на корпусе SOT-89BCX56(Datasheet » BL Galaxy El. »)
«BJ» на корпусе SOT-23BCX71J(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BK» на корпусе SOT-23BCX71K(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BH» на корпусе SOT-23BCX71H(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BG» на корпусе SOT-23BCX71G(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BR2» на корпусе SOT-89BSR31(Datasheet «Zetex»)
«C1» на корпусе SOT-23BCW29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C2» на корпусе SOT-23BCW30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C5» на корпусе SOT-23MMBA811C5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C6» на корпусе SOT-23MMBA811C6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C7» на корпусе SOT-23BCF29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C8» на корпусе SOT-23BCF30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«CEs» на корпусе SOT-23BSS79B(Datasheet «Siemens»)
«CEC» на корпусе SOT-89BC869(Datasheet «Philips»)
«CFs» на корпусе SOT-23BSS79C(Datasheet «Siemens»)
«CHs» на корпусе SOT-23BSS80B(Datasheet «Infenion»)
«CJs» на корпусе SOT-23BSS80C(Datasheet «Infenion»)
«CMs» на корпусе SOT-23BSS82C(Datasheet «Infenion»)
«CLs» на корпусе SOT-23BSS82B(Datasheet «Infenion»)
«D1» на корпусе SOT-23BCW31(Datasheet «KEC»)
«D2» на корпусе SOT-23BCW32(Datasheet «KEC»)
«D3» на корпусе SOT-23BCW33(Datasheet «KEC»)
D6″ на корпусе SOT-23MMBC1622D6(Datasheet «Samsung Sem. »)
«D7t»,»D7p» на корпусе SOT-23BCF32(Datasheet «NXP Sem.»)
«D7» на корпусе SOT-23BCF32(Datasheet «Diotec Sem.»)
«D8» на корпусе SOT-23BCF33(Datasheet «Diotec Sem.»)
«DA» на корпусе SOT-23BCW67A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DB» на корпусе SOT-23BCW67B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DC» на корпусе SOT-23BCW67C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DF» на корпусе SOT-23BCW67F(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DG» на корпусе SOT-23BCW67G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DH» на корпусе SOT-23BCW67H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«E2p» на корпусе SOT-23BFS17A(Datasheet «Philips»)
«EA» на корпусе SOT-23BCW65A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EB» на корпусе SOT-23BCW65B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EC» на корпусе SOT-23BCW65C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EF» на корпусе SOT-23BCW65F(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EG» на корпусе SOT-23BCW65G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EH» на корпусе SOT-23BCW65H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«F1» на корпусе SOT-23MMBC1009F1(Datasheet «Samsung Sem.»)
«F3» на корпусе SOT-23MMBC1009F3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«FA» на корпусе SOT-89BFQ17(Datasheet «Philips»)
«FDp»,»FDt»,»FDW» на корпусе SOT-23BCV26(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FEp»,»FEt»,»FEW» на корпусе SOT-23BCV46(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FFp»,»FFt»,»FFW» на корпусе SOT-23BCV27(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FGp»,»FGt»,»FGW» на корпусе SOT-23BCV47(Datasheet «Philips(NXP)»)
«GFs» на корпусе SOT-23BFR92P(Datasheet «Infenion»)
«h2p»,»h2t»,»h2W» на корпусе SOT-23BCV69(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h3p»,»h3t»,»h3W» на корпусе SOT-23BCV70(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h4p»,»h4t» на корпусе SOT-23BCV89(Datasheet «Philips(NXP)»)
«H7p» на корпусе SOT-23BCF70
«K1» на корпусе SOT-23BCW71(Datasheet «Samsung Sem.»)
«K2» на корпусе SOT-23BCW72(Datasheet «Samsung Sem.»)
«K3p» на корпусе SOT-23BCW81(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K1p»,»K1t» на корпусе SOT-23BCW71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K2p»,»K2t» на корпусе SOT-23BCW72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K7p»,»K7t» на корпусе SOT-23BCV71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K8p»,»K8t» на корпусе SOT-23BCV72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K9p» на корпусе SOT-23BCF81(Datasheet » Guangdong Kexin Ind.Co.Ltd»)
«L1» на корпусе SOT-23BSS65
«L2» на корпусе SOT-23BSS69(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L3» на корпусе SOT-23BSS70(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L4» на корпусе SOT-232SC1623L4(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«L5» на корпусе SOT-23BSS65R
«L6» на корпусе SOT-23BSS69R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L7» на корпусе SOT-23BSS70R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«M3» на корпусе SOT-23MMBA812M3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M4» на корпусе SOT-23MMBA812M4(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M5» на корпусе SOT-23MMBA812M5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6» на корпусе SOT-23MMBA812M6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6P» на корпусе SOT-23BSR58(Datasheet «Philips(NXP)»)
«M7» на корпусе SOT-23MMBA812M7(Datasheet «Samsung Sem.»)
«P1» на корпусе SOT-23BFR92(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P2» на корпусе SOT-23BFR92A(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P4» на корпусе SOT-23BFR92R(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P5» на корпусе SOT-23FMMT2369A(Datasheet «Zetex Sem.»)
«Q2» на корпусе SOT-23MMBC1321Q2(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q3» на корпусе SOT-23MMBC1321Q3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q4» на корпусе SOT-23MMBC1321Q4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q5» на корпусе SOT-23MMBC1321Q5(Datasheet «Motorola Sc.»)
«R1p» на корпусе SOT-23BFR93(Datasheet «Philips(NXP)»)
«R2p» на корпусе SOT-23BFR93A(Datasheet «Philips(NXP)»)
«s1A» на корпусах SOT-23,SOT-363,SC-74SMBT3904(Datasheet «Infineon»)
«s1D» на корпусе SOT-23SMBTA42(Datasheet «Infineon»)
«S2» на корпусе SOT-23MMBA813S2(Datasheet «Motorola Sc.»)
«s2A» на корпусе SOT-23SMBT3906(Datasheet «Infineon»)
«s2D» на корпусе SOT-23SMBTA92(Datasheet «Siemens Sem.»)
«s2F» на корпусе SOT-23SMBT2907A(Datasheet «Infineon»)
«S3» на корпусе SOT-23MMBA813S3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«S4» на корпусе SOT-23MMBA813S4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«T1″на корпусе SOT-23BCX17(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T2″на корпусе SOT-23BCX18(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T7″на корпусе SOT-23BSR15(Datasheet «Diotec Sem.»)
«T8″на корпусе SOT-23BSR16(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U1p»,»U1t»,»U1W»на корпусе SOT-23BCX19(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U2″на корпусе SOT-23BCX20(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U7p»,»U7t»,»U7W»на корпусе SOT-23BSR13(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U8p»,»U8t»,»U8W»на корпусе SOT-23BSR14(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U92» на корпусе SOT-23BSR17A(Datasheet «Philips»)
«Z2V» на корпусе SOT-23FMMTA64(Datasheet «Zetex Sem.»)
«ZD» на корпусе SOT-23MMBT4125(Datasheet «Samsung Sem.»)

# 1d2088 цвет шестигранник

В цветовом пространстве RGB шестнадцатеричный # 1d2088 состоит из 11,4% красного, 12,5% зеленого и 53,3% синего. Тогда как в цветовом пространстве CMYK он состоит из 78,7% голубого, 76,5% пурпурного, 0% желтого и 46,7% черного. Он имеет угол оттенка 238,3 градуса, насыщенность 64,8% и яркость 32,4%. Шестнадцатеричный цвет # 1d2088 может быть получен путем смешивания # 3a40ff с # 000011. Ближайший цвет для веб-безопасности: # 333399.

● # 1d2088 Описание цвета: Синий .

Шестнадцатеричный цвет # 1d2088 имеет значения RGB R: 29, G: 32, B: 136 и значения CMYK C: 0,79, M: 0,76, Y: 0, K: 0,47. Его десятичное значение — 12.

Hex триплет 1d2088 # 1d2088
RGB Десятичный 29, 32, 136 RGB (29,32,136)
RGB Процент 11.4, 12,5, 53,3 RGB (11,4%, 12,5%, 53,3%)
CMYK 79, 76, 0, 47
HSL 238,3 °, 64,8, 32,4 hsl (238,3,64,8%, 32,4%)
HSV (или HSB ) 238,3 °, 78,7, 53,3
Веб-сейф 333399 # 333399
CIE-LAB 20.328, 36,413, -57,497
XYZ 5,466, 3,071, 23,596
xyY 0,17, 0,096, 3,071
CIE- LCH 20,328, 68,057, 302,346
CIE-LUV 20,328, -5,046, -64,046
Hunter-Lab 17,526, 25,005, -67,559
двоичный 00011101, 00100000, 10001000
Разделение дополнительных цветов
  • # 101149
      # 101149   RGB (16,17,73)  
  • # 14165e
      # 14165e   RGB (20,22,94)  
  • # 191b73
      # 191b73   RGB (25,27,115)  
  • # 1d2088
      # 1d2088   RGB (29,32,136)  
  • # 21259d
      # 21259d   RGB (33,37,157)  
  • # 262ab2
      # 262ab2   RGB (38,42,178)  
  • # 2a2fc7
      # 2a2fc7   RGB (42,47,199)  
Монохромный цвет

Ниже вы можете увидеть некоторые цвета, близкие к # 1d2088.Набор связанных цветов может быть полезен, если вам нужна вдохновляющая альтернатива исходному выбору цвета.

  • # 1d3b88
      # 1d3b88   RGB (29,59,136)  
  • # 1d3288
      # 1d3288   RGB (29,50,136)  
  • # 1d2988
      # 1d2988   RGB (29,41,136)  
  • # 1d2088
      # 1d2088   RGB (29,32,136)  
  • # 231d88
      # 231d88   rgb (35,29,136)  
  • # 2c1d88
      # 2c1d88   RGB (44,29,136)  
  • # 351d88
      # 351d88   RGB (53,29,136)  
Похожие цвета Текст с шестнадцатеричным цветом # 1d2088

Этот текст имеет цвет шрифта # 1d2088.

   Текст здесь   
# 1d2088 цвет фона

Цвет фона этого абзаца # 1d2088.

  

Содержимое

# 1d2088 цвет границы

Этот элемент имеет цвет границы # 1d2088.

  
Содержимое
CSS коды
 .текст {color: # 1d2088;}  
  .background {background-color: # 1d2088;}  
  .border {border: 1px solid # 1d2088;}  

Оттенок достигается путем добавления черного к любому чистому оттенку, а оттенок создается путем смешивания белого с любым чистым цветом. В этом примере # 010207 — самый темный цвет, а # f5f6fd — самый светлый.

  • # 010207
      # 010207   RGB (1,2,7)  
  • # 050517
      # 050517   RGB (5,5,23)  
  • # 080927
      # 080927   RGB (8,9,39)  
  • # 0c0d37
      # 0c0d37   RGB (12,13,55)  
  • # 0f1147
      # 0f1147   RGB (15,17,71)  
  • # 131557
      # 131557   RGB (19,21,87)  
  • # 161868
      # 161868   RGB (22,24,104)  
  • # 1a1c78
      # 1a1c78   RGB (26,28,120)  
  • # 1d2088
      # 1d2088   RGB (29,32,136)  
  • # 202498
      # 202498   RGB (32,36,152)  
  • # 2428a8
      # 2428a8   RGB (36,40,168)  
  • # 272bb9
      # 272bb9   RGB (39,43,185)  
  • # 2b2fc9
      # 2b2fc9   RGB (43,47,201)  
Оттенок Изменение цвета
  • # 3338d4
      # 3338d4   RGB (51,56,212)  
  • # 4448d7
      # 4448d7   RGB (68,72,215)  
  • # 5458da
      # 5458da   RGB (84,88,218)  
  • # 6467de
      # 6467de   RGB (100,103,222)  
  • # 7477e1
      # 7477e1   RGB (116,119,225)  
  • # 8487e5
      # 8487e5   RGB (132,135,229)  
  • # 9497e8
      # 9497e8   RGB (148,151,232)  
  • # a5a7ec
      # a5a7ec   RGB (165 167 236)  
  • # b5b6ef
      # b5b6ef   RGB (181 182 239)  
  • # c5c6f3
      # c5c6f3   RGB (197,198,243)  
  • # d5d6f6
      # d5d6f6   RGB (213 214 246)  
  • # e5e6fa
      # e5e6fa   RGB (229,230,250)  
  • # f5f6fd
      # f5f6fd   RGB (245 246 253)  
Оттенок Изменение цвета

Тон получается путем добавления серого к любому чистому оттенку.В этом случае # 505055 — менее насыщенный цвет, а # 0408a1 — наиболее насыщенный.

  • # 505055
      # 505055   RGB (80,80,85)  
  • # 494a5c
      # 494a5c   RGB (73,74,92)  
  • # 434462
      # 434462   RGB (67,68,98)  
  • # 3d3e68
      # 3d3e68   RGB (61,62,104)  
  • # 36386f
      # 36386f   RGB (54,56,111)  
  • # 303275
      # 303275   RGB (48,50,117)  
  • # 2a2c7b
      # 2a2c7b   RGB (42,44,123)  
  • # 232682
      # 232682   RGB (35,38,130)  
  • # 1d2088
      # 1d2088   RGB (29,32,136)  
  • # 171a8e
      # 171a8e   RGB (23,26,142)  
  • # 101495
      # 101495   RGB (16,20,149)  
  • # 0a0e9b
      # 0a0e9b   RGB (10,14,155)  
  • # 0408a1
      # 0408a1   RGB (4,8,161)  
Изменение цвета тона

Ниже вы можете увидеть, как # 1d2088 воспринимается людьми с нарушением цветового зрения.Это может быть полезно, если вам нужно обеспечить доступность ваших цветовых комбинаций для дальтоников.

Монохромность
  • # 2b2b2b Ахроматопсия 0,005% населения
  • # 28293e Атипичная ахроматопсия 0,001% населения
Трихромность
  • # 0a3079 Протаномалия 1% мужчин, 0.01% женщин
  • # 0a326f Дейтераномалия 6% мужчин, 0,4% женщин
  • # 0a355d Тританомалия 0,01% населения

D2088 datasheet — НИЗКОПРОФИЛЬНЫЙ ТРАНСФОРМАТОР В КАПСУЛИРОВАНИИ 4 ВА | D2088.pdf по списку неклассифицированных производителей

0002-08-1002

Обжимной зажим MLX 42024, 14-20 AWG, жестяная банка (Sn)

Molex Electronics Ltd.

0002-08-1002-C

Обжимной зажим MLX 42024, 14-20 AWG, жестяная банка (Sn)

Molex Electronics Ltd.

0002081001

Обжимной зажим MLX 42024, 14-20 AWG, катушка, олово (Sn)

Molex Electronics Ltd.

0002081002

Обжимной зажим MLX 42024, 14-20 AWG, жестяная банка (Sn)

Molex Electronics Ltd.

0002081002-C

Обжимной зажим MLX 42024, 14-20 AWG, жестяная банка (Sn)

Molex Electronics Ltd.

0002081003

Обжимной зажим MLX 42024, 14-20 AWG, катушечное олово (Sn)

Molex Electronics Ltd.

0002081004

Обжимной зажим MLX 42024, 14-20 AWG, жестяная банка (Sn)

Molex Electronics Ltd.

0002081008

Обжимной зажим MLX 42024, 14-20 AWG, золотая селективная упаковка (золото)

Molex Electronics Ltd.

0002081101

Гнездо для обжима клемм Claspcon, контакт из латуни с оловянным (Sn) покрытием, 16-24 AWG, катушка

Molex Electronics Ltd.

0002081102

Гнездо для обжима клемм Claspcon, контакт из латуни с оловянным (Sn) покрытием, 16-24 AWG, сумка

Molex Electronics Ltd.

Транзисторно-транзисторная логика — Wikipédia

Un article de Wikipédia, l’encyclopédie libre.

Залейте омонимы статей, используя TTL.

Transistor-Transistor Logic or TTL — это семейство логических схем, использованных в изобретении электроники в год 1960.Эта известная реальность с технологией двухпроводных транзисторов и имеет тенденцию к несоответствию фактов согласованной энергетической системы (сравнение дополнительных схем CMOS).

Технология TTL нормализована для измерения напряжения 5 V . Сигнал TTL определен в соответствии с логикой базового уровня 0 и 1,4 V , и имеет исходную логику высокого уровня 2,4 V и 5 V [1] (ces niveaux varient légèrement entre les différentes séries ).

  • Cette famille de composants allie une bonne vitesse de commutation à un faible temps de transfert.
  • L’immunité aux parasites is bonne à condition de decoupler l’almentation au plus près de chaque circuit par un конденсатор фильтра.
  • Les Entrées en l’air, sans état fixé, sont à l’état logique «1» по умолчанию (elles ne débitent un courant important que si on les met à zéro et elles sont presque équivalentes à des resistances vers Vcc = 5 V ).
  • Обслуживание цепей TTL с точностью до +5 В ± 5%, для сравнения вспомогательных схем CMOS qui ont, eux, ne plage de tens d’almentation bien plus vaste (от +3 до +18 В). En cas de non-уважение de cet impératif, on risque, au mieux, un fonctionnement erratique du circuit, et au pire, une destroy partielle ou complete du circuit.
  • «Двукратная электротехника»; les mémoires en TTL sont certes rapides, mais ne peuvent guère être sauvegardées bien longtemps en cas de coupure d’alimentation.
  • On ne peut transmettre les signaux émis par les цепи TTL без дополнительных цепей передачи на больших расстояниях без права: максимальная длина 15 м .

Цепи технологии TTL sont généralement prefixés par le chiffre 74 (54 sur les séries militaires et industry). Ce chiffre est suivi d’une ou plusieurs lettres représentant la famille (отсутствие летописи для стандартного семейства), это код 2, 3 voire 4 chiffres représentant le modèle du circuit (la fonction réalisée).

Les diverses familles sont les suivantes:

  • TTL: серия стандартных
  • TTL-L (Низкое энергопотребление): серия надежных соединений
  • TTL-S (Schottky): серия Rapide (использование диодов Шоттки)
  • TTL-AS (Advanced Schottky): améliorée de la série S
  • версия
  • TTL-LS (Low power Schottky): комбинация технологий L et S, c’est la famille la plus répandue
  • TTL-ALS (Advanced Low Power Schottky): améliorée de la série LS
  • версия
  • TTL-F (FAST: передовая технология Fairchild Schottky)
  • TTL-AF (Advanced FAST): améliorée de la série F
  • версия
  • TTL-HC (высокоскоростной C-MOS): цепь TTL, изготовленная с технологией C-MOS в нижнем TTL (TTL, совместимый с натяжением, большая часть установки)
  • TTL-HCT (высокоскоростное транспонирование C-MOS): серия HC dotée de niveaux logiques, совместимая с TTL (100% совместимый TTL, автомобиль не содержит TTL с сохранением)

Объединяет возможности двухполюсной техники (витес) и CMOS (надежное соединение, большой размер напряжения), которые разработчики несут в качестве атташе для создания типов схемной логики, воспроизводящих функции серии TTL-классов.Dans l’ordre chronologique:

  • Псевдо-TTL 74HCxx (Vcc = 2 В 6 V , темп распространения минимальный = 20 нс для Vcc = 6 В, с задержкой 100 нс для Vcc = 2 В).
  • Псевдо TTL 74HCTxx (Vcc = 4,5 V ⇐ 5,5 V , типичное время распространения = 20 нс).

Схема 7400 есть четырехкратный «NON-ET» (NAND).

На alimente le circuit de la manière suivante: Vcc sur la broche 14 (+5 V ) et la masse sur la broche 7.

На утилите peut chacune des quatre portes de la manière suivante:

  • porte NAND-1, Entrées A et B на брошюрах 1 и 2, выход на брошюру 3.
  • porte NAND-2, entrées A et B на брошюрах 4 и 5, вылет на брошюре 6.
  • porte NAND-3, entrées A et B на брошюрах 9 и 10, вылет на брошюре 8.
  • porte NAND-4, entrées des portes ne sont pas utilisées, на peut relier leurs Entrées A et B au + Vcc (ou à la masse) и laisser la sortie «en l’air».

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *