Каковы основные параметры стабилитрона Д815. Какие существуют модификации этого стабилитрона. Для чего применяется стабилитрон Д815 в электронных схемах. Как правильно выбрать и использовать стабилитрон Д815.
Общие сведения о стабилитроне Д815
Стабилитрон Д815 представляет собой кремниевый полупроводниковый прибор средней мощности, предназначенный для стабилизации напряжения в электронных схемах. Он относится к семейству диффузионно-сплавных стабилитронов и выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Основные характеристики стабилитрона Д815:
- Напряжение стабилизации: от 5 до 20 В (зависит от модификации)
- Максимальный ток стабилизации: до 1,4 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 8 Вт
- Рабочий диапазон температур: от -60°C до +125°C
- Масса: не более 6 г
Модификации стабилитрона Д815
Стабилитрон Д815 выпускается в нескольких модификациях, различающихся напряжением стабилизации:
- Д815А: 5,0 — 6,2 В
- Д815Б: 6,1 — 7,5 В
- Д815В: 7,4 — 9,1 В
- Д815Г: 9,0 — 11,0 В
- Д815Д: 10,8 — 13,3 В
- Д815Е: 13,3 — 16,4 В
- Д815Ж: 16,2 — 19,8 В
Выбор конкретной модификации зависит от требуемого напряжения стабилизации в схеме.
Основные параметры стабилитрона Д815
Рассмотрим подробнее ключевые параметры стабилитрона Д815:
Напряжение стабилизации
Это основной параметр, определяющий рабочую точку стабилитрона. Напряжение стабилизации измеряется при номинальном токе стабилизации, который для Д815 составляет 1 А (для модификаций А-В) или 0,5 А (для Г-Ж).
Температурный коэффициент напряжения стабилизации
Показывает, насколько изменяется напряжение стабилизации при изменении температуры. Для Д815 он составляет от 0,045 до 0,11 %/°C в зависимости от модификации.
Дифференциальное сопротивление
Характеризует качество стабилизации напряжения. Чем меньше дифференциальное сопротивление, тем лучше стабилизация. Для Д815 оно составляет от 0,6 до 3 Ом.
Максимальный ток стабилизации
Определяет предельно допустимый ток через стабилитрон в режиме стабилизации. Для Д815 он составляет от 450 мА до 1,4 А в зависимости от модификации.
Применение стабилитрона Д815 в электронных схемах
Стабилитрон Д815 широко применяется в различных электронных устройствах для стабилизации напряжения. Основные области применения:
- Источники питания
- Параметрические стабилизаторы напряжения
- Схемы защиты от перенапряжения
- Схемы смещения в усилителях
- Генераторы опорного напряжения
Рассмотрим некоторые типовые схемы применения стабилитрона Д815.
Параметрический стабилизатор напряжения
Простейшая схема стабилизатора напряжения на основе стабилитрона Д815 выглядит следующим образом:
«` «`В этой схеме стабилитрон Д815 подключен параллельно нагрузке. Резистор R ограничивает ток через стабилитрон. Напряжение на выходе будет поддерживаться примерно равным напряжению стабилизации стабилитрона.
Защита от перенапряжения
Стабилитрон Д815 может использоваться для защиты чувствительных компонентов от перенапряжения. В этом случае он подключается параллельно защищаемому устройству и ограничивает напряжение на безопасном уровне.
Выбор и правильное использование стабилитрона Д815
При выборе и использовании стабилитрона Д815 необходимо учитывать следующие факторы:
- Требуемое напряжение стабилизации — выбирайте модификацию с подходящим диапазоном напряжений.
- Максимальный ток в цепи — убедитесь, что он не превышает максимально допустимый ток стабилизации для выбранной модификации.
- Рассеиваемая мощность — проверьте, что мощность, рассеиваемая на стабилитроне, не превышает 8 Вт.
- Температурный диапазон — учитывайте влияние температуры на параметры стабилитрона.
- Полярность включения — корпус стабилитрона является катодом, соблюдайте правильную полярность при монтаже.
Альтернативы стабилитрону Д815
В современной электронике существуют альтернативы классическим стабилитронам типа Д815. Рассмотрим некоторые из них:
Интегральные стабилизаторы напряжения
Микросхемы серий 78xx, 79xx и LM317 обеспечивают более качественную стабилизацию напряжения и имеют встроенную защиту от перегрузок. Они удобны в применении, но обычно рассчитаны на меньшие токи, чем Д815.
Импульсные стабилизаторы напряжения
Обеспечивают высокий КПД и могут работать в широком диапазоне входных напряжений. Однако они сложнее в реализации и могут создавать высокочастотные помехи.
Прецизионные источники опорного напряжения
Микросхемы типа TL431 или AD584 обеспечивают более точное и стабильное напряжение, чем обычные стабилитроны. Они часто используются в измерительной технике и аналого-цифровых преобразователях.
Особенности монтажа стабилитрона Д815
При монтаже стабилитрона Д815 следует учитывать следующие моменты:
- Обеспечьте хороший теплоотвод, особенно при работе на больших токах.
- Используйте радиатор, если рассеиваемая мощность приближается к максимально допустимой.
- Соблюдайте осторожность при пайке, чтобы не повредить корпус и выводы стабилитрона.
- Проверяйте полярность включения — корпус стабилитрона является катодом.
- Обеспечьте механическую прочность монтажа, особенно при использовании в условиях вибрации.
Измерение параметров стабилитрона Д815
Для проверки работоспособности и измерения параметров стабилитрона Д815 можно использовать следующие методы:
Измерение напряжения стабилизации
Подключите стабилитрон через резистор к источнику питания. Установите ток через стабилитрон равным номинальному току стабилизации и измерьте напряжение на стабилитроне.
Определение дифференциального сопротивления
Измерьте изменение напряжения на стабилитроне при небольшом изменении тока. Дифференциальное сопротивление равно отношению изменения напряжения к изменению тока.
Проверка максимального тока стабилизации
Постепенно увеличивайте ток через стабилитрон, контролируя напряжение и температуру корпуса. Максимальный ток достигается, когда дальнейшее увеличение тока приводит к резкому росту напряжения или температуры.
Надежность и срок службы стабилитрона Д815
Стабилитроны Д815 отличаются высокой надежностью и долговечностью при правильной эксплуатации. Основные факторы, влияющие на срок службы:
- Температура эксплуатации — работа при повышенных температурах ускоряет деградацию параметров.
- Ток стабилизации — длительная работа на максимальных токах снижает надежность.
- Механические воздействия — вибрации и удары могут привести к нарушению герметичности корпуса.
- Влажность — проникновение влаги в корпус вызывает коррозию и отказ прибора.
При соблюдении рекомендуемых режимов эксплуатации стабилитрон Д815 может надежно работать в течение многих лет.
стабилитрон Д815
220021, Республика Беларусь, г. Минск, ул. Украинская, 8.
отдел генераторных ламп:
+375-17 273-87-99
отдел силовых приборов:
+375-17 273-27-99
отдел общей комплектации:
+375-17 273-68-57
Предназначены для стабилизации напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип стабилитрона приводится на корпусе.
Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит отрицательным электродом (катодом).
Масса стабилитрона с комплектующими деталями не более 6 г.
Основные технические параметры стабилитрона Д815А:
• Разброс напряжения стабилизации: 5… 6,2 В при Iст 1 А;
• Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,045 %/°С;
• Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 4 %;
• Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА;
• Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 0,6 Ом;
• Минимально допустимый ток стабилизации: 50 мА;
• Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 8 Вт;
• Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60… +125 °С
Основные технические параметры стабилитрона Д815Б:
• Разброс напряжения стабилизации: 6,1… 7,5 В при Iст 1 А;
• Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,05 %/°С;
• Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 0,8 Ом;
• Минимально допустимый ток стабилизации: 50 мА;
• Максимально допустимый ток стабилизации: 1,15 А;
Основные технические параметры стабилитрона Д815В:
• Разброс напряжения стабилизации: 7,4… 9.1 В при Iст 1 А;
• Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,07 %/°С;
• Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 1 Ом;
• Минимально допустимый ток стабилизации: 50 мА;
• Максимально допустимый ток стабилизации: 950 мА;
Основные технические параметры стабилитрона Д815Г:
• Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,08 %/°С;
• Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 1,8 Ом;
• Минимально допустимый ток стабилизации: 25 мА;
• Максимально допустимый ток стабилизации: 800 мА;
Основные технические параметры стабилитрона Д815Д:
• Разброс напряжения стабилизации: 10,8… 13,3 В при Iст 500 мА;
• Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,09 %/°С;
• Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 2 Ом;
• Минимально допустимый ток стабилизации: 25 мА;
• Максимально допустимый ток стабилизации: 650 мА;
Основные технические параметры стабилитрона Д815Е:
• Разброс напряжения стабилизации: 13,3… 16,4 В при Iст 500 мА;
• Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,1 %/°С;
• Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 2,5 Ом;
• Минимально допустимый ток стабилизации: 25 мА;
• Максимально допустимый ток стабилизации: 550 мА;
Основные технические параметры стабилитрона Д815Ж:
• Разброс напряжения стабилизации: 16,2… 19,8 В при Iст 500 мА;
• Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,11 %/°С;
• Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 3 Ом;
• Минимально допустимый ток стабилизации: 25 мА;
• Максимально допустимый ток стабилизации: 450 мА;
Типы стабилитронов | Основы электроакустики
Стабилитроны применяют в качестве стабилизаторов или опорных элементов электрических цепей. Их работа основана на электрическом (лавинном или туннельном) пробое р-n-перехода под действием обратного напряжения. В этих диодах для работы ис-, пользуется обратная пробойная ветвь ВАХ p-n-перехода . В пределах рабочего участка АВ этой ветви характеристики значительное изменение тока через диод от Iст.мин До Iст.мако сопровождается лишь небольшим увеличением напряжения AUCТ. Как правило, стабилитроны изготовляют из кремния, обладающего незначительным тепловым током Iо и устойчивыми характеристиками в широком диапазоне температур. Стабилитроны характеризуются следующими параметрами.Номинальное напряжение стабилизации Uст, измеряемое при некотором среднем (номинальном) токе.
Минимальный Iст.мин и максимальный Iст.макс токи стабилизации. При токах, меньших Iст.мин, растет rДИф и пробой становится неустойчивым. При токах, больших Iст.макс, увеличивается мощность рассеивания и разогрев диода, возрастает опасность теплового пробоя и повреждения диода. Температурный уход напряжения стабилизации ДUСт.т, определяемый как разность номинальных- напряжений стабилизации UСт1, Uст2 при двух температурах окружающей среды.
Температурный коэффициент напряжения стабилизации, равный отношению относительного изменения напряжения к абсолютному изменению температуры окружающей среды Несимметричность, напряжения стабилизации Uсе симметричных приборов, состоящих из двух (соединенных встречно) р-л-переходов.
Такие стабилитроны включаются в схему любой полярности и за счет эффекта компенсации (прямая и обратная ветви имеют разные знаки ТКU) обладают меньшим TKUcT.
В стабисторах используются свойства прямой ветви ВАХ Параметры стабис-торов аналогичны параметрам стабилитронов, а их максимальные токи, мощности и тепловые „параметры те же, что и у выпрямительных диодов. Кремниевые сплавные стабилитроны Д815 (А — И) выпускают в металлическом герметичном корпусе винтом, массой 6 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +100 °С. Корпус у стабилитронов является положительным электродом. Если в их обозначение введена дополнительно буква П, например Д815АП, они имеют обратную полярность. Электрические параметры стабилитронов приведены в табл. 86.
Параметры | Типы стабилитронов | |||||||
Д815А | Д815Б | Д815В 1 Д815Г | Д815Д | Д815Е | Д815Ж | Д815И | ||
Напряжение стабилизации, В | 5,6 | 6,8 | 8,2 | 10 | 12 | 15 | 18 | 4,7 |
Дифференциальное сопротивление, Ом, при токе стабилизации | 0,9
| 1,2
| 1,5
| 2,7
| 3
| 3,8 | 4,5
| 0,9
|
Ток стабилизации, А: при котором измеряется на- | 1 | 1 | 1 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 1 |
пряжение стабилизации максимальный при температу- ре от — 60 до +70°С |
1,4
|
1,15
|
0,95
|
0,8
|
0,65
|
0,55
|
0,45
|
1,4
|
минимальный при температуре от — 60 до +100°С | 0,05
| 0,05
| 0/,05 | 0,025
| 0,025
| 0,025
| 0,025
| 0,05
|
Температурный коэффициент на пряжения, %/°С | 0,056
| 0,062
| 0,088 | 0,1
| 0,11
| 0,13
| 0,14
| 0,56
|
Мощность рассеивания, Вт, при температуре от — 60 до +70°С | 8
| 8
| 8
| 8
| 8
| 8
| 8
| 8
|
Прямой ток, А, при температуре корпуса до 100°С | 1
| 1
| 1
| 1 | 1
| 1
| 1
| 1
|
Прямое напряжение, В, при токе 0,5 А в | 1,5
| 1,5
| 1,5
| 1,5
| 1,5
| 1,5
| 1,5
| 1,5
|
Кремниевые сплавные двуханодные стабилитроны КС175А, КС182А, КС191А, КС210Б, КС213Б выпускают в пластмассовом корпусе массой 0,35 г, с диапазоном рабочих температур от — 50 до +100°С. Электрические параметры стабилитронов приведены в табл. 87.
Параметры | Типы стабилитронов | ||||
КС175А | КС182А | КС191А | КС210Б | КС213Б | |
Напряжение стабилизации, В, при номинальном токе | 7,5 | 8,2 | 9,1 | 10 | 10 |
Дифференциальное сопротивление, Ом, при номинальном токе и температуре, °С: |
|
|
|
|
|
20 | 16 | 14 | 18 | 22 | 25 |
100 | — | 30 | 35 | 40 | 50 |
Той стабилизации, мА |
|
|
|
|
|
номинальный | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
максимальный | 18 | 17 | 15 | 14 | 10 |
минимальный | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
Температурный коэффициент напряжения, %/°С |
| 0,05 | 0,06 | 0,07 | 0,08 |
Мощность рассеивания, мВт, при температуре от — 55 до +50°С | 150 | 150 | 150 | 150 | 150 |
Несимметричность напряжения стабилизации, % | ±2 | ±2 | ±2 | ±2 , | ±2 |
Кремниевые сплавные термокомпенсированные стабилитроны КС211 (Б — Д) применяют для работы в качестве источников опорного напряжения и выпускают в пластмассовом корпусе массой 13 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до 125°С. Электрические параметры стабилитронов приведены в табл. 88.
Кремниевые стабилитроны КС482А, КС515А, КС518А, КС522А, КС527А выпускают в металлическом корпусе с гибкими выводами, массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до -ИОО°С. Электрические параметры стабилитронов приведены в табл 89.
Кремниевые стабилитроны КС620А, КС630А, КС650А, КС680А выпускают в металлическом корпусе массой 6 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +100°С Корпус у стабилитронов является положительным электродом. Если в их обозначение введена дополнительная буква П, например КС620АП, они имеют обратную полярность. Электрические параметры приведены в табл. 90.
Таблица 88
Параметры | Типы стабилитронов | |||
КС211В | КС211В | КС211Г | КС2ПД | |
Напряжение стабилизации, В, при токе 10 мА | 11 — 13,2 | 8,8 — 11 | 9,3 — 12,6 | 9,3 — 12,6 |
Дифференциальное сопротивление, Ом, при токе 1,0 мА | 15 | 15 | 15 | 15 |
Ток стабилизации, мА, при температуре, °С: |
|
|
| — |
минимальный в диапазоне от — 60 до — +125 | 5 | 5 | 5 | 5 |
максимальный при 25 | 33 | 33 | 33 | 33 |
Температурный коэффициент напряжения, %/°с | 0,02 | — 0,02 | ±0,01 | ±0,05 |
Мощность рассеивания, мВт, при температуре 50 °С | 280 | 280 | 280 | 280 |
Таблица 89
Параметры | Типы стабилитронов | ||||
КС482А | КС515А | КС518А | КС522А | КС527А | |
Напряжение стабилизации, В, нри токе 5 мА | 7,4 — 9 | 13,5 — 16,5 | 16,2 — 19,8 | 19,8 — 24,2 | 24,3 — 29,7 |
Д ифференци альное сопротивление, Ом, при токе 5 мА | 25 | 25 | 25 | 25 | 40 |
Ток табилизации, мА: номинальный | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
минимальный | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
максимальный при температуре от — 60 до +35°С | 96 | 53 | 45 | 37 | 30 |
Температурный коэффициент напряжения, %/°С | 0,08 | . 0,1 | 0,1 | 0,1 | 0,1 |
Мощность рассеивания, Вт, при температуре от — 60 до +35°С | 1
| 1 | 1 | 1 | 1 |
Таблица 90
Параметры | Типы стабилитронов | |||
КС620А | КС630А | КС650А | КС680А | |
Напряжение стабилизации, В | 120 | 130 | 150 | 180 |
Дифференциальное сопро- | 150 | 180 | 255 | 330 |
тивление, Ом, при номи- |
|
|
|
|
нальном токе стабилиза- |
|
|
|
|
ции |
|
|
|
|
Ток стабилизации, мА: |
|
|
|
|
номинальный | 50 | 50 | 25 . | 25 |
минимальный | 5 | 5 | 2,5 | 2,5 |
максимальный при тем- | 42 | 38 | 33 | 28 |
пературе от — 60 до |
|
|
|
|
Температурный коэффици- | 0,2 | 0,2 | 0,2 | . 0,2 |
ент напряжения, %/°С |
|
|
|
|
Мощность рассеивания, Вт | 5 | 5 | 5 | 5 |
|
|
Для стабилизации напряжения питания нагрузки
нередко пользуются простейшим стабилизатором — параметрическим (рис. 1),
в котором питание от выпрямителя поступает через балластный резистор, а
параллельно нагрузке включают стабилитрон. Подобный стабилизатор работоспособен при токах нагрузки, не превышающих максимального тока стабилизации для данного стабилитрона. А если ток нагрузки значительно больше, пользуются более мощным стабилитроном, например, серии Д815, допускающим ток стабилизации 1…1,4 А. При отсутствии такого стабилитрона подойдет маломощный, но использовать его нужно в паре с мощным транзистором, как показано на рис. 2. В итоге получается аналог мощного стабилитрона, обеспечивающий на нагрузке достаточно стабильное напряжение даже при токе 2 А, хотя максимальный ток стабилизации указанного на схеме стабилизатора КС147А составляет 58 мА. Работает аналог так. Пока питающее напряжение, поступающее от выпрямителя, меньше напряжения пробоя стабилитрона, транзистор закрыт, ток через аналог незначительный (прямая горизонтальная ветвь вольт- амперной характеристики аналога, приведенной на рис. 4). При увеличении питающего напряжения стабилитрон пробивается, через него начинает протекать ток и транзистор приоткрывается (изогнутая часть характеристики) Дальнейшее увеличение питающего напряжения приводит к резкому росту тока через стабилитрон и транзистор, а значит, к стабилизации выходного напряжения на определенном значении (вертикальная ветвь характеристики), как и в обычном параметрическом стабилизаторе. Эффект стабилизации достигается благодаря тому, что в режиме пробоя стабилитрон обладает малым дифференциальным сопротивлением и с коллектора транзистора на его базу осуществляется глубокая отрицательная обратная связь. Поэтому при уменьшении выходного напряжения будет уменьшаться ток через стабилитрон и базу транзистора, что приведет к значительно большему (в h21Э раз) уменьшению коллекторного тока, а значит, к увеличению выходного напряжения. При увеличении же выходного напряжения будет наблюдаться обратный процесс. Значение стабилизированного выходного напряжения определяют суммированием напряжения стабилизации стабилитрона с напряжением эмиттерного перехода открытого транзистора (» 0,7 В для кремниевого транзистора и » 0,3 В для германиевого). Максимальный же ток стабилизации аналога будет практически в h21Э раз превышать такой же параметр используемого стабилитрона. Соответственно во столько же раз будет больше и мощность рассеивания на транзисторе по сравнению с мощностью на стабилитроне. Из приведенных соотношений нетрудно сделать вывод, что статический коэффициент передачи мощного транзистора должен быть не менее частного от деления максимального тока потребления нагрузки к максимальному току стабилизации стабилитрона. Максимально допустимый ток коллектора транзистора и напряжение между коллектором и эмиттером должны превышать соответственно заданный ток стабилизации аналога и выходное напряжение. При использовании транзистора структуры р-п-р его следует подключать в соответствии с приведенной на рис. 3 схемой. В этом варианте транзистор можно укрепить непосредственно на шасси питаемой конструкции, а остальные детали аналога смонтировать на выводах транзистора. Для снижения пульсаций выходного напряжения и уменьшения дифференциального сопротивления аналога параллельно выводам стабилитрона можно включить оксидный конденсатор емкостью 100…500 мкФ. В заключение немного о температурном коэффициенте напряжения (ТКН) аналога. При использовании прецизионных стабилитронов серий Д818, КС191, ТКН аналога будет значительно хуже ТКН стабилитрона. Если применен стабилитрон с напряжением стабилизации более 16 В, ТКН аналога будет примерно равен ТКН стабилитрона, а со стабилитронами Д808 — Д814 ТКН аналога улучшится. |
Стабилитрон
1. Терминология и классификация.
(Terminology and classification)В русской литературе понятие «стабилитрон» без указания «полупроводниковый» применительно к полупроводниковым стабилитроном. требуется уточнение, если это необходимо, чтобы противостоять стабилитроны полупроводниковые — устаревшие газонаполненные стабилитроны тлеющего и коронного разряда. катодом стабилитрона обозначается вывод, в котором обратный ток в N-области обратносмещенного p-n-переход, анод и вывода, из которого ток пробоя вытекает п-площадь р-n перехода. Донаньи двусторонние стабилитроны состоят из двух стабилитронов, соединенных последовательно в противоположных направлениях, «катод к катоду» или «анод к аноду», с точки зрения пользователя равнозначно.
Полупроводниковые стабилитроны вошли в промышленную практику во второй половине 1950-х лет. Последний пункт диоды выделенной функциональной группы, которую впоследствии потерял свое значение, а современные полупроводниковые диоды классифицируются по функциональному назначению на:
- Подавители импульсных помех. (The suppression of impulse noise)
- Дискретные стабилитроны общего назначения-силовые и малой мощности. В СССР стабилитроны классифицируются по рассеиваемой мощности на четыре группы: 0 — 0.3 Вт, 0.3 — 5 Вт, 5 — 10 Вт и за 10 Вт.
- Диоды прецизионные стабилитроны, в том числе стабилитронов и температурной компенсацией стабилитроны со скрытой структурой.
Имя «зенеровский диод» калька с английского zener diode (стабилитрон) от имени Пионерской пробоя туннеля Кларенс Зенер, в соответствии с ГОСТ 15133 — 77 «полупроводниковых приборов. термины и определения» в технической литературе не допустимо. В англоязычной литературе Слово stabilitron (стабилитрон) или stabilotron звонок стабилитрон — не распространенный тип вакуумных генераторные лампы СВЧ-диапазона, а понятие zener или zener diode (стабилитрон) «зенеровский диод» подается на стабилитроны всех типов, независимо от механизма стабилитрон пробой или лавинный преобладает в конкретном приборе. английский язык avalanche diode (диод ценера) «лавинный диод» применяется к любым диодам, лавинного пробоя, тогда как в русской литературе лавинный диод, или «ограничительный диод» для ГОСТ 15133 — 77 — узко определенный подкласс стабилитрона с лавинным механизмом пробоя, предназначенный для защиты электрооборудования от перенапряжения. супрессор диоды не предназначены для непрерывной передачи относительно небольших токов, для кратковременной передачи импульсов тока силой в десятки и сотни А. так называемый «низковольтные лавинные диоды» англ. low voltage avalanche (низкое напряжение лавинного), LVA, напротив, предназначен для непрерывной работы. низкий стабилитрон питания с очень низким дифференциальным сопротивлением, в промышленной практике различие между ними и «обычными» Зенера диоды стирается.
Некоторые «прецизионные стабилитроны» — символы, характерные для дискретных приборов, но в действительности являются сложными интегральных схем. внутренний источник опорного напряжения этих микросхем могут служить стабилитрон, и опора. например, dvuhmestnoe «прецизионный стабилитрон» 2С120 похожие AD589 является запрещенной зоны Броко. в блок-схема микросхемы TL431 изображен стабилитрон, но в действительности TL431 является запрещенной зоны Widlar.
Не стабилитроны, лавинно-пролетных диодов, туннельных диодов, а stabistor. Stabistor-это маломощные диоды, предназначенные для работы на постоянном токе, стабилизаторах напряжения и как датчики температуры. характеристики stabistor в обратном направлении был не нормирован и корма для stabistor обратном смещении общества «переходных процессов включения и выключения оборудования». обращенные диоды в различных источниках определяются и как подкласс стабилитронов, и как подкласс туннельных диодов. концентрация легирующих примесей в диодах настолько велика, что туннельный пробой возникает при нулевом обратном напряжении. из-за особых физических свойств и узкой области применения они обычно рассматриваются отдельно от стабилитронов и обозначаются на схемах особым, отличным от стабилитроны символ.
РЩ 210
РЩ 210РЩ 210
Вид
Расположение
После панели 3 в коридореВзаимосвязанные
АБ, ТРПШ, ДС1, ДС3, Резисторы РЩ, Рейки РЩ, ТН, 98Неисправности
Примечание
| В схеме | Тип | Параметры |
|---|---|---|
| V1-V5 (1В, 5В) | Диод В2-200-4У2 | 200А 400В |
| V9, V10 (9В, 10В) | Тиристор Т10-25-4У2 | 25А 400В |
| V6-V8, V11, V12 (6В-8В, 11В, 12В) | Диод В10-7У2 | 10А 700В |
| СК5, СК6 | Стабилитрон Д-815 Б | 6,1…6,8…7,5 В; 50-1150 мА |
Прозвонка полупроводников на РЩ
Слева-направо силовые диоды звонятся при отключенных ножах. Падение по 350 мВ каждый (на мультиметре в режиме прозвонки диодов). Если звонить по 2 диода (700мВ), то не определить диод в обрыве, так как две ветви параллельно. Последний 5-ый диод (зарядка АБ) звонится при включенном контакторе «К» (подклинить отвёрткой или разомкнуть нижний контакт) и тумблер в «Усиленный заряд», чтобы отключить сопротивление 36 Ом.Стабилитроны на панели тиристоров звонятся со стоек 34, 35 справа вверху (между тиристорами) и корпусом. Тонкий вывод может быть в лаке или кембрике, поэтому со стоек. А если и корпус в лаке, то можно звонить с управляющего вывода тиристора.
Справа 2 диода на контактор К, при прозвонке они как бы запараллелены, один вывод непосредственно, второй через обмотку. Но, если пробит 1 диод, то контактор К будет отключаться и невозможно будет его настроить.
Прозвонка моста с тиристорами, упрощённая: С любой из 4-х пластин-радиаторов (они созваниваются через обмотку ТН) и Г-образную пластину между ними, звоним в обе стороны, в одну сторону диоды покажут падение 350мВ, в другую бесконечность через закрытые диоды и тиристоры. А также звоним падение на управляющем выводе тиристора, он покажет как диодный переход 350мВ, при этом если обрыв или КЗ, значит весь тиристор неисправен, и в принципе достаточно прозвонить управляющий, чтобы дать оценку исправности тиристора.
Если полупроводник созванивается, но при прозвонке в обе стороны показывает разные показания, то вероятнее всего он исправен, так как неисправный полупроводник (в разрыве или в замкнутом состоянии) в обе стороны будет показывать одинаково.
Сгорает предохранитель Пр3 или Пр4
Два варианта: от завышения напряжения в ЦУ или от увеличенной нагрузки на выходе источника питания.- Завышение напряжения в ЦУ.
- Происходит, если по какой то причине в обмотке подмагничивания максимальный ток. При этом напряжение на выходе источника питания 100В, и ток превышает 100А. Ток амперметра показывает только зарядку АБ, но при этом сгорает предохранитель ТРПШ, так как он кроме АБ питает ещё и аппаратуру эл-за и ток немного больше чем через предохранители АБ.
- Чтобы не сжигать предохранители можно использовать либо перемычку на 75А (три 25А проволоки), либо на оба предохранителя поставить перемычку и включить ТРПШ с помощью ВА36 на пол-секунды. Если свет становится очень ярким, то это показатель, что ТРПШ в режиме завышенного напряжения.
- Проверить состояние с открученной фишкой РН.
- Заменить РН, в идеале использовать РН с рабочей секции этого же эл-за, исключая возможность второго неисправного РН.
- Прозвонить фишку, определить, пропадает ли плюс на 6-ом (при этом шевелить провода, так как в момент измерения он может касаться, а при вкручивании снова в разрыв), осмотреть визуально сопротивления, которые являются делителем в РН. Проверить сопротивление между выводами 6 и 8 на самом РН, должно быть 300 Ом.
- Прозвонить тиристоры и стабилитроны (сделать это в процессе замены РН). Можно открутить по очереди тиристор (гайку М10), чтобы исключить одно плечо и тем самым определить, является ли проблема одного из плеч. Даже с одним плечом работа источника питания сохраняется и повышает напряжение в ЦУ до 80В.
- Переключить в аварию, проверить напряжение на ТРПШ.
- Прочитать журнал, где был эл-воз ранее, были ли записи связанные с ремонтом РЩ.
- Увеличенная нагрузка на выходе источника питания.
- Если сильно разряжена АБ и включен тумблер усиленная зарядка АБ. Да ещё если разряжены обе АБ и нож в аварии. Но в этом случае сгореть могут предохранители самой АБ, зависит от того какой из предохранителей слабее, тот и сгорает
- Осмотреть РЩ с обратной стороны на предмет перегрева или оплавлений. Не упал ли ключ. Не оторваны ли стойки сопротивлений. На месте ли силовые кабеля на нижних стойках.
Разъём РН
|
Перегрузка по току стабилизации в течение 1 с, мА: Г=— 60-=-+75°С |
2С402А, 2С402Б, 2С402В, 2С402Г; 2С502А, ГЗО2Б, 2С502В, 2С502Г, 2С502Д, 2С502Е, Г502Ж, 2С502И, 2С502К, 2С502Л, 2С502М, 2С502Н Стабилитроны кремниевые диффузионно-сплавные. Предназна-» для стабилизации напряжения в цепях постоянного тока при Мальмом токе стабили- 5—50 мА и мощности i_A_j i_ 9 . . J8 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Д815А…….2800 Д815Б…….2300 Д815В…….1900 Д815Г…….1600 Д815Д…….1300 Д815Е…….1100 Д815Ж……. 900 Д816А…….460 Гк=130оС Д815А…….720 Д815Б…….600 Д815В…….500 Д815Г…….400 Д815Д…….340 |
Д816Б……. 360 Д816В……. 300 Д816Г .’…… 260 Д816Д……. 220 Д817А……. 180 Д817Б……. 150 Д817В ……. 120 Д817Г.указывается на корпусе. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Масса стабилитрона не lee 0,6 г. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Д815Е…….270 Д815Ж…….220 Д816А…….180 Рассеиваемая мощность, Вт: Т=— 60-=—F75eC Д815А-Д815Ж . . . Д816А—Д816Д, Д817А—Д817Г 7″=130°С…… Температура перехода, °С Температура корпуса, °С . Температура окружающей среды, °С |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
8 5 2 140 130 от —60 до |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Примечания: 1. В диапазоне температур Г„ от 75 до 130°С максимально допустимые постоянные токи стабилизации и рассеиваемая мощность снижается линейно. 2. При креплении стабилитронов к теплоотводу усилие затяжки должно быть в пределах 1—1,17 Н-м. Категорически запрещается при монтаже прилагать к катодному выводу стабилитрона усилия, превышающее 7,35 Н. Пайку следует производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса стабилитрона не более 3 с при температуре жала паяльника не более 280 «С. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
3. Допускается последователь- |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
ное соединение любого числа стабилитронов. Параллельное соединение стабилитронов допускается при условии, что суммарная рассеиваемая мощность на всех параллельно включенных стабилитронах не превосходит максимально допустимой мощности для одного стабилитрона. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| студент | группа | преподаватель | название научной работы | результат | дата начала и заверш. науч. работы |
|---|---|---|---|---|---|
| Манахов Иван Иванович | РММ2-71 | БОГОМОЛОВ Б. К. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Исследование устройства на троичной логике в САПР «Ковчег» | защитил магистерскую диссертацию | от 01.09.2018 до 10.06.2019 |
| Кабирова Ирина Шамильевна | РЭН2-41 | БОГОМОЛОВ Б. К. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Проектирование схемы обработки сигналов в САПР «Ковчег 3.04» | защитила выпускную квалификационную работу бакалавра | от 21.02.2018 до 26.06.2018 |
| Маланина Светлана Андреевна | РЭН2-31 | БОГОМОЛОВ Б. К. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Исследование алгоритмов оптимизации в САПР «Ковчег 3.02» | защитила выпускную квалификационную работу бакалавра | от 02.02.2017 до 27.06.2017 |
| Денисенко Егор Валерьевич | РММ2-51 | — | Разработка специализированных колнтроллеров для систем АФАР | — | от 27.10.2015 до 30.05.2017 |
| Бурлакова Людмила Вячеславовна | РММ2-51 | КЛИМОВ А. Э. д.ф-м.н., профессор кафедра ППиМЭ | Оптимизация технологии создания субмикронных КМОП транзисторов мультиплексора мегапиксельной ИК матрицы | — | от 27.10.2015 до 01.05.2017 |
| Рыжих Александр Вадимович | РММ2-51 | — | Исследование свойств поглощения электромагнитного излучения из нанотрубок | — | от 25.10.2015 до 14.05.2017 |
| Пельменев Константин Геннадьевич | РММ2-51 | — | Исследование термоэлектрических свойств катион-замещенных сульфидов | — | от 20.10.2015 до 19.05.2017 |
| Стефанюк Александр Ярославович | РММ2-51 | — | Исследование тензорезистивных свойств предварительно напряженного кремния | — | от 18.10.2015 до 17.05.2017 |
| Гильгенберг Владимир Владимирович | РМ2-91 | БОГОМОЛОВ Б. К. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Проектирование БИС МП 6502 на основе БМК 5503 ХМ2 | защитил выпускную квалификационную работу бакалавра | от 01.04.2013 до 30.06.2013 |
| Охорзин Алексей Владимирович | РМз-61 | БОГОМОЛОВ Б. К. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Проектирование БИС на основе БМК 5503 ХМ2 с помощью САПР «Ковчег 2.2» | защитил дипломный проект инженера | от 01.09.2011 до 19.12.2011 |
| Колесник Нина Валерьевна | РМз-51 | Макаров Е.А. к.ф.-м.н., доцент каф. ППиМЭ НГТУ | Математическое моделирование лазера на гетеропереходных структурах | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 16.01.2011 до 14.06.2011 |
| Полстянкин Антон Владимирович | РММ2-61 | — | Исследование режимов токового отжига поликремниевых тензорезисторов в сенсоре давления | Основные результаты докладывались и обсуждались на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ . | от 13.12.2010 до 11.04.2012 |
| Блум Кирилл Евгеньевич | РММ2-61 | ОСТЕРТАК Д. И. к.т.н., заведующий кафедрой кафедра НПЭ; заведующий кафедрой кафедра ППиМЭ | Исследование режимов работы и конструктивных особенностей МЭМ преобразователя энергии с изменением площади перекрытия электродов | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ . | от 17.11.2010 до 11.04.2012 |
| Семенов Данил Олегович | РН1-61 | Протасов Д.Ю. к.ф.-м.н., м.н.с. ИФП СО РАН. | Анализ механизмов рассеяния двумерного электронного газа в гетероструктурах AlGaN/GaN, выращенных методами МЛЭ и МОСГФЭ», научный руководитель Анализ механизмов рассеяния двумерного электронного газа в гетероструктурах AlGaN/GaN, выращенных методами МЛЭ | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 17.11.2010 до 11.06.2011 |
| Антонов Андрей Андреевич | РММ2-61 | — | Термокомпенсация тензорезистивных датчиков давления | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 13.11.2010 до 11.04.2012 |
| Макаров Юрий Сергеевич | РНМ-61 | Зверев А.В. к.ф.-м.н. ИФП СО РАН | Оптимизация топологии ячейки схемы считывания КРТ фотоприемных матриц с аналого-цифровым преобразованием | Выполненный проект имеет практическое применение | от 04.11.2010 до 27.04.2012 |
| Файт Александр Яковлевич | РНМ-61 | Брунев Д.В. к.ф.-м.н. ИФП СО РАН | Влияние температуры криостатирования на характеристики фотоприемных модулей на основе КРТ | Результаты работы будут использованы при разработке образцов фотоприемных модулей. | от 04.11.2010 до 09.04.2012 |
| Корольков Евгений Валерьевич | РНМ-61 | Журавлев К.С. д.ф.-м.н., в.н.с. ИФП СО РАН | Исследование процессов захвата и рекомбинации в структурах с InAs/AlAs квантовыми точками, полученными методом капельной эпитаксии | Выполненный проект имеет практическое применение. | от 20.10.2010 до 09.04.2012 |
| Лемзяков Алексей Георгиевич | РММ2-61 | Гольденберг Б.Г. к.т.н., с.н.с. ИЯФ СО РАН | Рентгенолитографический метод формирования глубоких микроструктур с произвольной топологией | Основные результаты докладывались и обсуждались на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ . | от 13.10.2010 до 11.04.2012 |
| Казанцев Никита Владимирович | РММ2-61 | КАЛИНИН С. В., старший преподаватель кафедра ППиМЭ | Модернизация САПР Пран | Основные результаты докладывались и обсуждались на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ . | от 11.10.2010 до 11.04.2012 |
| Князев Иван Викторович | РММ2-61 | — | Исследование характеристик интегрального тензопреобразователя ИТП-2 | Основные результаты докладывались и обсуждались на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ . | от 01.10.2010 до 11.04.2012 |
| Топякова Марина Вениаминовна | РММ2-61 | ИЛЮШИН В. А. к.т.н., доцент кафедра ППиМЭ | Коррекция СБИС с помощью ионного пучка | Основные результаты докладывались и обсуждались на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ . | от 20.09.2010 до 11.04.2012 |
| Котин Игорь Алексеевич | РНМ-61 | АНТОНОВА И. В. д.ф-м.н., профессор кафедра ППиМЭ | Гибридные структуры графен — органический монослой с модулируемыми электронными свойствами | Основные результаты докладывались и обсуждались на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ . | от 20.09.2010 до 09.04.2012 |
| Свит Кирилл Аркадьевич | РНМ-61 | Журавлев К.С. д.ф.-м.н.,в.н.с. ИФП СО РАН | Исследование формирования и туннельной спектроскопии массивов нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра-Блоджетт | Основные результаты докладывались и обсуждались на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ . | от 20.09.2010 до 09.04.2012 |
| Михантьев Евгений Анатольевич | РНМ-61 | ШВАРЦ Н. Л. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Монте-Карло моделирование процесса формирования кремниевых нанокластеров | Основные результаты докладывались и обсуждались на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ . | от 11.09.2010 до 09.04.2012 |
| Доржиев Виталий Юрьевич | РММ2-61 | ДРАГУНОВ В. П. д.т.н., заведующий отделом отдела подготовки кадров высшей квалификации ОПКВК; профессор кафедра ППиМЭ; старший научный сотрудник НЛЭН | Исследование особенностей функционирования электростатических МЭМ генераторов заряда | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 10.09.2010 до 11.04.2012 |
| Ефанов Василий Сергеевич | РНМ-61 | Камаев Г.Н. к.ф.-м.н., с.н.с. ИФП СО РАН | Формирование и исследование фотоэлектрических свойств наноразмерных гетероструктур Si/SiO2 на кремнии | Данные по зависимости свойств структур от параметров технологического процесса осаждения слоев могут быть использованы при проектировании технологий для получения структур с заданными свойствами. | от 09.09.2010 до 09.04.2012 |
| Майоров Анатолий Юрьевич | РМ2-61 | Макаров Е.А. к.ф.-м.н., доцент каф. ППиМЭ НГТУ | Моделирование схем на дополняющих МОП транзисторах | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 26.03.2010 до 08.06.2011 |
| Бортников Сергей Григорьевич | РН1-61 | В. Ш. Алиев к.х.н., с.н.с. ИФП СО РАН | Болометр на фазовом переходе полупроводник-металл | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 17.01.2010 до 16.06.2011 |
| Московских Виталий Анатольевич | РММ2-51 | Шлегель В.Н. к.х.н., с.н.с. ИНХ СО РАН | Экспериментальная проверка возможности устойчивого роста кристаллов германия в условиях низких градиентов температуры | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 17.01.2010 до 14.06.2011 |
| Нечаев Сергей Вениаминович | РМ2-61 | Шевцов Ю.В. к.х.н., н.с. ИНХ СО РАН | Программное управление системой импульсной прецизионной дозировки и смешения газов для установки химического осаждения из газовой фазы», научный руководитель к.х.н., н.с. ИНХ СО РАН Шевцов Ю.В. | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 17.01.2010 до 11.06.2011 |
| Касимкин Павел Викторович | РММ2-51 | Васильев Я.В. к.х.н., в.н.с. ИНХ СО РАН | Совершенствование функциональной структуры и алгоритмов в системе весового контроля процессом роста монокристаллов | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 17.01.2010 до 11.06.2011 |
| Полященкова Мария Николаевна | РММ2-51 | Гридчин В.А. д.т.н., профессор каф. ППиМЭ НГТУ | Численное моделирование динамики сенсора теплового потока | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 16.01.2010 до 14.06.2011 |
| Трубин Илья Владиславович | РМ2-61 | Макаров Е.А. к.ф.-м.н., доцент каф. ППиМЭ НГТУ | Моделирование BiCMOS структур | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 16.01.2010 до 14.06.2011 |
| Смирнов Андрей Викторович | РММ2-51 | Яковкина Л.В. к.х.н., доцент, с.н.с. ИНХ СО РАН | Синтез и исследование пленок Sc-Hf-O, научный руководитель к.х.н., доцент, с.н.с. ИНХ СО РАН Яковкина Л.В. | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 16.11.2009 до 14.06.2011 |
| Карпович Максим Сергеевич | РММ2-51 | Васильев В.Ю. профессор каф. ПпиМЭ НГТУ | Разработка топологии СФ-блоков для СБИС типа система-на-кристалле по субмикронной высоковольтной КМОП технологии», научный руководитель Разработка топологии СФ-блоков для СБИС типа система-на-кристалле по субмикронной высоковольтной КМОП технологии | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 16.11.2009 до 11.06.2011 |
| Черданцев Алексей Игоревич | РММ2-51 | Шлегель В.Н. к.х.н., с.н.с. ИНХ СО РАН | Разработка макета установки для выращивания кристаллов методом вращающегося контейнера», научный руководитель Разработка макета установки для выращивания кристаллов методом вращающегося контейнера | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 20.09.2009 до 16.06.2011 |
| Янчук Сергей Андреевич | РММ2-51 | Резниченко М.Ф. к.ф.-м.н., ведущий инженер-технолог ИНХ СО РАН | Развитие научных основ технологии безуглеродного кремния | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 14.09.2009 до 16.06.2011 |
| Городецкий Дмитрий Владимирович | РММ2-51 | Окотруб А.В. д.ф.-м.н., профессор ИНХ СО РАН | Контролируемый рост массивов углеродных нанотрубок при каталитическом термолизе углеводорода», научный руководитель д.ф.-м.н., профессор ИНХ СО РАН Окотруб А.В. | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 03.09.2009 до 16.07.2011 |
| Вертелецкая Наталья Юрьевна | РММ2-51 | Митькин В.Н. д.т.н., вед.науч. сотрудник ИНХ СО РАН | Резисторные и сенсорные материалы на основе углерод фторуглеродных нанокомпозитов | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 03.09.2009 до 14.06.2011 |
| Носенко Иван Викторович | РНМ-51 | Торопов А.И. к.ф.-м.н., зав.лаб. ИФП СО РАН | Исследование формирования InGaAs квантовых точек методом ДБЭО», научный руководитель к.ф.-м.н., зав.лаб. Торопов А.И., ИФП СО РАН | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 02.03.2009 до 15.04.2011 |
| Рудин Сергей Алексеевич | РНМ-51 | Смагина Ж.В. к.ф.-м.н., н.с. ИФП СО РАН | Формирование гелия Ge квантовых точек на Si(100) | На основе полученных данных написаны и приняты тезисы на X Российскую конференцию по физике полупроводников | от 02.03.2009 до 15.04.2011 |
| Шеремет Евгения Сергеевна | РНМ-51 | Зверев А.В. к.ф.-м.н., н.с. ИФП СО РАН | Разработка логических узлов экспериментальной установки для получения распределенного квантового ключа | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 02.03.2009 до 15.04.2011 |
| Леган Дмитрий Михайлович | РНМ-51 | Тишковский Е.Г. к.ф.-м.н., с.н.с. ИФП СО РАН | Моделирование предельных характеристик солнечного элемента на основе гетероэпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений, выращенных на кремнии | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 02.03.2009 до 15.04.2011 |
| Гисматулин Андрей Андреевич | РНМ-51 | Камаев Г.Н. к.ф.-м.н., с.н.с. ИФП СО РАН | Формирование и электрофизические свойства многослойных наноструктур Si/SiO2 | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 02.03.2009 до 15.04.2011 |
| Заиченко Александр Александрович | РНМ-51 | Семягин Б.Р. к.ф.-м.н. ИФП СО РАН | Формирование комплексов из квантовых точек InAs и нанокластеров As в матрице GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 02.03.2009 до 15.04.2011 |
| Маляренко Николай Федорович | РНМ-51 | Наумова О.В. к.ф.-м.н., с.н.с. ИФП СО РАН | Зарядовое состояние КНИ-нанопроволочных сенсоров | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 02.03.2009 до 15.04.2011 |
| Демин Роман Андреевич | РНМ-51 | Труханов Е.М. д.ф.-м.н., в.н.с. ИФП СО РАН | Исследование морфологии и дислокационной структуры островков Ge, выращенных на Si(111)», научный руководитель д.ф.-м.н., в.н.с. Труханов Е.М., ИФП СО РАН | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 02.03.2009 до 15.04.2011 |
| Гужвин Александр Александрович | РНМ-51 | Никифоров А.И. к.ф.-м.н., зав.лаб. ИФП СО РАН | Исследование роста Ge на поверхности твердого раствора GexSi1-x методом ДБЭ и СТМ», научный руководитель к.ф.-м.н., зав.лаб. Никифоров А.И., ИФП СО РАН | Основные результаты исследований докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 02.03.2009 до 15.04.2011 |
| Горбунов Андрей Вячеславович | РНМ-51 | Половинкин В.Г. к.ф.-м.н. лаб.14 ИФП СО РАН | Исследование влияния химического состава поверхности на рекомбинацию неравновесных носителей заряда в InAs | Основные результаты исследований докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 29.01.2009 до 15.04.2011 |
| Гладкевич Дмитрий Алексеевич | РНМ-51 | Володин В.А. к.ф.-м.н., с.н.с. ИФП СО РАН | Исследование состояния водорода в пленках аморфного кремния, полученных методом ПХО | Результаты работы опубликованы в материалах Всероссийской конференции «Кремний-2010», Нижний Новгород | от 29.01.2009 до 15.04.2011 |
| Лаврухина Светлана Александровна | РММ2-51 | Мазалов Л.Н. д.ф.-м.н., профессор, г.н.с. ИНХ СО РАН | Применение позиционно- чувствительной линейки фотодиодов БЛПП-369Ь4 для регистрации рентгеновских эмиссионных и абсорбционных спектров | Результаты работы были представлены на днях науки НГТУ, опубликованы в сборнике трудов НГТУ в 2010 г., а также в виде стендового доклада на XX всероссийской конференции | от 20.01.2009 до 14.06.2011 |
| Гайслер Алексей Владимирович | РНМ-51 | Щеглов Д.В. к.ф.-м.н., н.с. ИФП СО РАН. | Исследование структурных и оптических характеристик InGaAs квантовых точек | Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах-семинарах, на ежегодных студенческих научных конференциях НГТУ | от 20.01.2009 до 14.06.2011 |
| Скорик Елена Алексеевна | РМ2-41 | Рыжов В. А. ФГУП «НПП «Восток» | Разработка технологии изготовления малогабаритного пироэлектрического датчика ИК-излучения | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Адамов Иван Викторович | РН12-41 | Гуляев Д. В ИФП СО РАН | Влияние электрического поля на кинетику фотолюминесценции GaAs/AlAs сверхрешёток II рода | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Французов Александр Вячеславович | РМ2-41 | Серёгина О. В. ФГУП «НПП «Восток» | Определение гамма-процентного ресурса микросхемы 544 УД16У3 путём оценки стабильности металлизации к явлению электромиграции | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Прохоренко Николай Игоревич | РМ2-41 | Портнягин М. А. ФГУП «НПП «Восток» | Обследование тестовых структур N-канальных МДП транзисторов с различными конструктивно-топологическими вариациями на тестовых кристаллах Ф456 и ТС181 | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Ищенко Денис Вячеславович | РНМ12-41 | Климов А Э д.ф-м.н ИФП СО РАН | Исследование влияния направления электрического поля на вольтамперные характеристики плёнок PbSnTe:In | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Танайно Александр Маркович | РММ2-41 | — | Моделирование вращающихся микроэлектромеханических устройств с помощью пакета MEMS Pro | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Плясовских Андрей Викторович | РМ2-41 | — | Моделирование биполярных транзисторных структур на основе твердых растворов Ge-Si | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Малиновский Денис Александрович | РМ2-41 | Серёгина О. В. ФГУП «НПП «Восток» | Определение гамма-процентного ресурса микросхемы 544УД18У3 | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Антонов Валентин Андреевич | РН12-51 | Торопов А. И. к.ф.-м.н. ИФП СО РАН | Получение массива InAs квантовых точек малой плотности на подложке GaAs(100) | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Рядун Алексей Андреевич | РММ2-41 | Надолинный В. А. д.ф.-м.н. ИНХ СО РАН | Влияние природы катионов на параметры спектров ЭПР солей аниона дикарба-никель-додекабората | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Решетняк Игорь Александрович | РММ2-41 | БОГОМОЛОВ Б. К. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Проектирование цифровой интегральной схемы на базе БМК 5503 ХМ1 | защитил магистерскую диссертацию | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Соколов Юрий Вячеславович | РМ2-41 | Алябьев В. И. ФГУП «НПП «Восток» | Устройство управления деопозитивом | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Шмакова Ксения Алексеевна | РН12-41 | Попов Л. К. к.ф.-м.н. ИФП СО РАН | Микрожидкостное устройсво для измерения коэффициента диффузии белковых молекул | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Дорошенко Алексей Николаевич | РММ2-41 | Алябьев В. И. ФГУП «НПП «Восток» | Разработка измерителя динамических параметров компараторов напряжения | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Назаренко Олеся Александровна | РМ2-41 | Рыжов В. А. ФГУП «НПП «Восток» | Разработка конструкции малогабаритного двухканального пироэлектрического датчика ИК-излучения | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Левин Василий Владимирович | РМ2-41 | Портнягин М. А. ФГУП «НПП «Восток» | Исследование тестовых структур кристаллов ТС177А и ТС177Б | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Мжельский Иван Викторович | РНМ12-41 | Яновицкая З Ш д.ф-м.н. ИФП СО РАН | Моделирование разделения фаз в SiOx слоях при высокотемпературном отжиге | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Сыренова Светлана Гомбоевна | РНМ12-41 | Сафронов Л. Н. к.ф-м.н ИФП СО РАН | Моделирование работы кремниевых биодетекторов | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Пряник Дмитрий Дмитриевич | РМ2-41 | Смирнов А.В. ФГУП «НПП «Восток» | Сильнолегированный р+ скрытый слой и его влияние на параметры транзистора | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Антонова Ольга Викторовна | РМ2-41 | Надолинный В. А. д.ф.-м.н. ИНХ СО РАН | Температурные эффекты в спектрах солей аниона дикарба-никель-додекабората с различными катионами | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Паращенко Максим Александрович | РНМ12-41 | Романов С. И. к.ф-м.н. ИФП СО РАН | Датчик ёмкостного типа для измерения диэлектрической проницаемости жидкости на основе нанопористого диэлектрика | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Сизиков Павел Васильевич | РНМ12-41 | Дерябин А. С. ИФП СО РАН | Особенности роста Ge, в условиях присутствия сурфактанта, на поверхности CaF2/Si(111) | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Вощенков Артем Александрович | РНМ12-41 | Ефремов М.Д. к.ф-м.н. ИФП СО РАН | Изучение электрофизических характеристик МДП — структур с оксидом кремния, полученным в плазмохимическом реакторе индуцированного типа | — | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Мерентаев Александр Сергеевич | РММ2-41 | — | Моделирование КМОП транзисторных структур в пакете Microtek | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Рудин Сергей Алексеевич | РНМ-51 | Качурин Г. А. д.ф-м.н. ИФП СО РАН | Действие ионного облучения на кремниевые квантово-размерные структуры | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Лошкарев Иван Дмитриевич | РНМ12-41 | Василенко А. П. ИФП СО РАН | Исследование структурного состояния полупроводниковых эпитаксиальных слоёв с помощью рентгеновской дифрактометрии в трехосевой схеме малого разрешения | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Кучинская Полина Анатольевна | РН12-41 | Смагина Ж. В. ИФП СО РАН | Зарождение рост островков Ge на Si при импульсном ионном воздействии в процессе гетероэпитаксии | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Комонов Александр Иванович | РНМ12-41 | Селезнев В А к.ф-м.н. ИФП СО РАН | Разработка методов исследования процессов формирования графеновых оболочек | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Дорошенко Иван Александрович | РМ2-41 | Алябьев В. И. ФГУП «НПП «Восток» | Разработка системы управления шаговым двигателем | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Куделина Елизавета Вадимовна | РН12-41 | Никифоров А. И. к.ф.-м.н ИФП СО РАН | Свойства массива островков Ge на поверхности Si(100) | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Ключев Станислав Сергеевич | РН12-41 | Климов А Э д.ф.-м.н. ИФП СО РАН | Исследование фоточувствительности плёнок PbSnTe:In в субмиллиметровой области спектра | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Ерюков Николай Александрович | РНМ12-41 | Могильников К. П. ИФП СО РАН | Исследование нанометровых слоёв рутения с помощью спектроскопической эллипсометрии | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Зарубанов Александр Александрович | РН12-41 | Журавлёв К. С. д.ф.-м.н. ИФП СО РАН | Кинетика фотолюминесценции квантовых точек CdS, сформированных методом Ленгмюра-Блоджетт | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Чебанов Михаил Александрович | РММ2-41 | — | Усовершенствование модели тензорезистора для пакета MEMS Pro | выполнена | от 19.02.2008 до 01.06.2008 |
| Михантьев Евгений Анатольевич | РНМ-61 | ШВАРЦ Н. Л. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Исследование процесса отжига SiOx слоёв методом Монте-Карло моделирования | Представлены отличные результаты моделирования и их анализ. | от 10.02.2008 до 10.06.2010 |
| Усенков Станислав Валерьевич | РФМ1-31 | ШВАРЦ Н. Л. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Испарение тонкого слоя окисла с поверхности Si(111) (моделирование) | — | от 10.02.2007 до 10.06.2009 |
| Зинченко Константин Юрьевич | РФМ1-21 | ШВАРЦ Н. Л. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Монте-Карло моделирование процессов адсорбции и диффузии на поверхности пористого диэлектрика | — | от 10.02.2007 до 10.06.2008 |
| Фромичев Дмитрий Васильевич | РМ2-21 | Портнягин М.А. нач. лаб. ФГУП НПП «Восток» | Исследование фотоприемных устройств видимого диапазона, изготовленных по биполярной технологии | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Хильченко Георгий Викторович | РФ1-21 | Половинкин Владимир Григорьевич к.ф.-м.н. ИФП СО РАН | Исследование свойств многоэлементных линейчатых фотоприемных устройств | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Чевычалов Евгений Вадимович | РФМ-11 | Голод С.В. к.ф.-м.н. лаб. 7 ИФП СО РАН | Создание и исследование свойств трехмерных микроструктур на основе напряженных пленок металл/диэлектрик/SiGe | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Настовьяк Артем Евгеньевич | РФМ-11 | Половинкин Владимир Георгиевич к.ф.-м.н. отдел интегральной микрофотоэлектроники ИФП СО РАН | Генерационные процессы в МДП-структурах. Измерение и моделирование | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Астахов Павел Юрьевич | РМ2-21 | ИЛЮШИН В. А. к.т.н., доцент кафедра ППиМЭ | Исследование процесса роста пленок CaF2 на Si [100] | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Матюхин Владимир Евгеньевич | РММ2-11 | ИЛЮШИН В. А. к.т.н., доцент кафедра ППиМЭ | Разработка системы автоматизации нагревателей молекулярных источников | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Лямкин Станислав Федорович | РМ2-21 | Мухин П.Ф. нач. сектора НПП «Восток» | Корректировка электрических параметров прецезионных операционных усилителей методом лазерной подгонки | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Микулин Илья Борисович | РМ2-21 | Ситникова И.В. вед. инженер НПП «Восток» | Изучение и измерение электрофизических параметров горизонтального р-n-р транзистора | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Клюшина Евгения Борисовна | РФ1-21 | Сафронов Л.Н. | Моделирование непланарных транзисторов | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Мелконян Юлия Артушевна | РФМ1-21 | Принц Александр Викторович лаб. 7 ИФП СО РАН | Изучение жесткости гофрированных трехмерных структур на основе напряженных гетеропленок | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Шевень Дмитрий Григорьевич | РММ2-11 | Первухин Виктор Владимирович к.х.н. лаб. физико-химических методов исследования газовых сред ИНХ СО РАН | Исследование методов подавления облака зарядов в спектрометре приращения ионной подвижности как способа увеличения его чувствительности | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Гуриненко Владимир Сергеевич | РМ2-31 | НОВИКОВ И. Л. к.т.н., доцент кафедра ППиМЭ; старший научный сотрудник ЛККЭ | Создание программного модуля в среде LabVIEW для автоматизации лабораторных работ по исследованию электрических свойств сегнетоэлектриков и ферромагнетиков | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Житов Александр Евгеньевич | РФ1-21 | — | Влияние отжигов на электрофизические параметры пленок CdHgTe | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Корчагина Таисия Тарасовна | РФМ1-21 | Качурин Григорий Аркадьевич д.ф.-м.н. лаб. 10 ИФП СО РАН | Влияние плотности каскадов смещений на дефектообразование при ионном облучении светоизлучающих нанокристаллов кремния | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Котков Роман Владимирович | РФМ-11 | Ковчавцев Анатолий Петрович д.ф.-м.н. лаб. 14 ИФП СО РАН | Туннельные токи в МДП-структурах на основе арсенида индия со сверхтонкими диэлектрическими слоями | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Исмагилов Рашид Маратович | РМ2-21 | ВЕЛИЧКО А. А. д.т.н., профессор кафедра ППиМЭ | Измерение эффекта Холла в многослойных структурах с помощью автоматизированной установки на базе ПК | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Романов Михаил Александрович | РМ2-21 | Портнягин М.А. нач. лаб. ОМЭ НПП «Восток» | Исследование тестовых структур и разработка перечней электрофизических параметров и конструктивно-технологических ограничений для р-канальных МОП-транзисторов | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Фролов Сергей Александрович | РМ2-21 | Алябьев В.И. нач. лаб. НПП «Восток» | Разработка измерителя динамических параметров ОУ серии 544 УД | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Митрофанов Сергей Владимирович | РМ2-21 | Янченко А.Г. нач. отдела ОАО «Октава» | Разработка установки контактной микросварки межкаскадных соединений СВЧ модулей | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Федоренко Анастасия Дмитриевна | РММ2-31 | Крючкова Наталья Анатольевна лаб. физических методов исследования природа химической связи ИНХ СО РАН | Квантово-химическое исследование электронного строения комплексов Cu(II) с 2-имидазолиновыми нитроксильными радикалами | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Дильман Александр Дмитриевич | РФ1-31 | Девятова С.В. к.х.н. лаб. 14 ИФП СО РАН | Исследование параметров осаждения Si3N4 на свойства полученных пленок | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Шевцова Анастасия Георгиевна | РФ1-21 | Попов Л.К. к.ф.-м.н. доцент лаб. 19 ИФП СО РАН | Разработка биосенсора на основе кремниевой микроканальной матрицы | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Лебедев Михаил Сергеевич | РММ2-21 | Яковкина Любовь Владимировна к.х.н. лаб. диэлектрических слоев ИНХ СО РАН | Получение диэлектрика на основе диоксида гафния | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Мисютин Константин Александрович | РММ2-21 | Штыгашев Александр Анатольевич к.ф.-м.н. доцент каф. ОФ НГТУ | Численное моделирование многослойных наноструктур | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Терехов Александр Анатольевич | РМ2-21 | Алейников А.Ф. СО РАСХН | Измеритель влажности биоматериалов | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Коржавина Наталья Сергеевна | РФМ-11 | — | Фотолюминесценция примесей в объеме GaN | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Суров Даниил Андреевич | РМ2-21 | ИЛЮШИН В. А. к.т.н., доцент кафедра ППиМЭ | Исследование процесса роста пленок CaF2 на Si [111] | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Селезнев Александр Николаевич | РММ2-11 | ВЕЛИЧКО А. А. д.т.н., профессор кафедра ППиМЭ | Электрофизические параметры эпитаксиальных слоев PbSnTe | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Купча Алексей Иванович | РММ2-21 | Баковец Владимир Викторович д.х.н. лаб. синтеза и роста монокристаллов соединений РЗЭ ИНХ СО РАН | Формирование наноструктурированных пленок оксида и оксисульфида иттрия химическим осаждением из газовой фазы | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Сахарова Надежда Владимировна | РФ1-21 | — | Поведение заряда в азотированных подзатворных диэлектриках КНИ МОП транзисторов | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Корнеев Иван Александрович | РФМ1-31 | Селезнев В.А. к.ф.-м.н. лаб. 7 ИФП СО РАН | Создание туннельных зондов на основе полупроводниковых микротрубок | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Пушкин Сергей Александрович | РМ2-21 | Мухин П.Ф. нач. отдела НПП «Восток» | Оптимизация режима работы лазера ГОИ-8-1 в установке Гамма 341 | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Дяденко Михаил Сергеевич | РМ2-21 | Степанов И.В. ФГУП НПП «Восток» | Разработка технологии магнетронного напыления резистивного слоя на установке «Оратория-5» | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Киселёв Семён Александрович | РМ2-21 | Щеколдин Б.А. нач. ОТК НПП «Восток» | Исследование напряжения смещения операционного усилителя 544УД13 | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Склокин Дмитрий Александрович | РМ2-21 | Тарарышкин С.В. к.т.н. с.н.с. ИЯФ СО РАН | Разработка микроконтроллера для датчиков дозиметрии | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Тайлакова Анна Валерьевна | РМ2-21 | Грибанов В.И. нач. тех. отдела ОАО «НЭВЗ» | Освоение мезапланарной технологии изготовления кристаллов стабилитрона Д-815 А,Б,В | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Мустафин Александр Сергеевич | РМ2-21 | Старокожев С.А. вед. инж. ООО «СибИС» | Разработка библиотеки элементов для АЦП, выполненного по КМОП технологии 0.25 мкм | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Чернов Николай Андреевич | РФ1-31 | Девятова С.В. к.х.н. лаб. 14 ИФП СО РАН | Электрофизические свойства пленок SiO2, полученных в РПД | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Астанкова Ксения Николаевна | РФМ1-21 | Горохов Евгений Борисович к.ф.-м.н. лаб. 23 ИФП СО РАН | Наноструктурирование на основе соединений германия с применением сканирующей зондовой микроскопии | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Михайлов Борис Иванович | РФМ1-21 | Камаев Геннадий Николаевич к.ф.-м.н. лаб.23 ИФП СО РАН | Влияние радиационно-термических обработок на проводимость нейтронно-легированного кремния | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Дульянинова Елена Алексеевна | РФМ1-21 | Ненашев Алексей Владимирович к.ф.-м.н. лаб.24 ИФП СО РАН | Аналитическая модель распределения упругой деформации в гетероструктурах с квантовыми точками | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Шаяпов Владимир Равильевич | РММ2-21 | Аюпов Борис Мингареевич д.т.н. лаб. диэлектрических слоев ИНХ СО РАН | Решение обратных задач спектральной эллипсометрии | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Голубев Данил Юрьевич | РММ2-11 | Мазалов Лев Николаевич д.ф.-м.н. лаб. физических методов исследования природы химической связи ИНХ СО РАН | Отработка методики получения рентгеновских спектров К-края поглощения меди в ряде соединений | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Настовьяк Алла Георгиевна | РФМ-11 | ШВАРЦ Н. Л. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Монте-Карло моделирование роста нитевидных нанокристаллов | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Лужбин Дмитрий Евгеньевич | РМ2-31 | НОВИКОВ И. Л. к.т.н., доцент кафедра ППиМЭ; старший научный сотрудник ЛККЭ | Создание программного модуля в среде LabVIEW для автоматизации лабораторных работ по исследованию электрических свойств диэлектриков и проводников | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Карнаушенко Даниил Дмитриевич | РФМ1-31 | Половинкин В.Г. к.ф.-м.н. лаб.14 ИФП СО РАН | Разработка и создание измерительного устройства | выполнена | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Ромах Михаил Михайлович | РФ1-21 | Козак Виктор Романович к.т.н. лаб. 6-1 ИЯФ СО РАН | Разработка многофункционального контроллера импульсных устройств | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Гладких Надежда Андреевна | РФМ1-21 | Яновицкая Зоя Шмеровна д.ф.-м.н. гр. 2 ИФП СО РАН | Кинетика начальных стадий роста окисла на Si(111). Моделирование | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Красотин Артем Юрьевич | РФМ1-21 | Колесников Алексей Викторович к.ф.-м.н. лаб. 16 ИФП СО РАН | Искажения кристаллической решетки эпитаксиальных слоев GeSi, выращенных на вициальных (001) подложках Si | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Прозоров Павел Александрович | РММ2-11 | Семянников Петр Петрович к.х.н. лаб. химии летучих координационных и металлоорганических соединений ИНХ СО РАН | Исследование процесса осаждения тонких пленок ирридия | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Малина Евгений Владимирович | РМ2-21 | ВЕЛИЧКО А. А. д.т.н., профессор кафедра ППиМЭ | Сравнительный анализ параметров биполярного транзистора, изготовленного на монолитном кремнии и на структуре КНИ | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Богданов Олег Петрович | РМ2-21 | Алябьев В.И. нач. лаб. НПП «Восток» | Разработка измерителя статических параметров операционных усилителей серии 544 | — | от 10.02.2007 до 10.06.2007 |
| Ковалева Мария Владиславовна | РМ2-21 | — | Моделирование элементов микросистемной техники с помощью пакета программ MEMS Pro | — | от 22.12.2006 до 10.06.2007 |
| Говоруха Татьяна Борисовна | РФ1-11 | ШВАРЦ Н. Л. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Исследование процесса спекания пористых слоев при высокотемпературном отжиге | — | от 10.02.2006 до 10.06.2006 |
| Бикташов Айдар Магруфович | РФ1-21 | Паулиш Андрей Георгиевич н.с. ИНХ СО РАН | Исследование индиевых столбов, используемых для сборки матричных фотоприемных устройств методом перевернутого кристалла | успешная защита | от 18.01.2006 до 01.06.2006 |
| Зинченко Константин Юрьевич | РФМ1-21 | ШВАРЦ Н. Л. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Аb initio расчеты реконструкций поверхности Si(100) с использованием теории функционала плотности | — | от 10.02.2005 до 10.06.2006 |
| Настовьяк Алла Георгиевна | РФМ-11 | ШВАРЦ Н. Л. к.ф-м.н., доцент кафедра ППиМЭ | Учет димеризации ковалентных связей при Монте-Карло моделировании процессов роста на поверхностях алмазоподобных кристаллов | — | от 10.02.2004 до 10.06.2005 |
D3D12 h364 воспроизведение Тест 10
- 2 минуты на чтение
В этой статье
Тест воспроизведения и визуальной проверки: InputType h364 — Проверка декодирования DXVA для H.264
Детали испытаний
| Технические характеристики |
|
| Платформы |
|
| Поддерживаемые версии |
|
| Ожидаемое время работы (в минутах) | 15 |
| Категория | Развитие |
| Тайм-аут (в минутах) | 20 |
| Требуется перезагрузка | ложь |
| Требуется специальная конфигурация | ложь |
| Тип | автомат |
Дополнительная информация
Параметры
| Название параметра | Описание параметра |
|---|---|
| EnableMFTrace | Включает трассировку MF.Файлы ETL удаляются при очистке, если тест проходит успешно. В противном случае их оставляют для анализа |
| DisableDeveloperModeAfterTest | TAEF включает режим разработчика для тестов, в которых используется RunAs: UAP. Этот параметр указывает тесту на отключение режима разработчика после выполнения теста. |
| Источник | Путь к исходному файлу |
Дополнительная документация
Тесты в этой области функций могут содержать дополнительную документацию, включая сведения о предварительных условиях, настройке и устранении неполадок, которые можно найти в следующих разделах: — Устройство.Потоковая передача дополнительной документации
Устранение неисправностей
Общие сведения об устранении неполадок при сбоях теста HLK см. В разделе Устранение сбоев теста Windows HLK.
HB Racing R10 1/10 Дорожный туристический автомобиль
Nitro Touring Car Racing в лучшем виде
HB R10 — это новейший комплект от талантливых дизайнеров из HB-HPI, позволяющий войти в захватывающий, быстрый и опасный мир гонок на нитро-дорожных гоночных автомобилях в масштабе 1/10 с уникальным высокотехнологичным комплектом для туристических гоночных автомобилей, который поразит вас. Поклонники нитро гонок! HB R10 — бескомпромиссная, полностью загруженная гоночная машина высшего класса.Мы не пожалели средств и усилий, чтобы превратить R10 в автомобиль, способный конкурировать с лучшими в мире на самом высоком уровне конкуренции. Это делает его лучшим выбором для ваших гонок, независимо от того, впервые ли вы садитесь за нитро-туристические автомобили, являетесь опытным ветераном гонок или пробуете класс через некоторое время.
Нитро-туристические автомобили высшего уровня — это совершенно другой тип гоночного класса по сравнению с электрическими туристическими автомобилями — вы не можете просто добавить двигатель к любому дизайну туристического автомобиля и отправиться в гонки — по крайней мере, если вы хотите делать хорошо.Правильное проектирование и тестирование автомобиля занимают месяцы, даже годы, с участием команды дизайнеров, работающих на полную ставку, и нескольких гонщиков мирового класса. Материалы и дизайн также должны быть на высшем уровне, с множеством различных дизайнов и материалов, испытанных в течение длительного периода. HB R10 наполнен знаниями, которые появились только в результате многолетнего коллективного гоночного и дизайнерского опыта.
Почему R10 требует особого внимания к деталям? Потому что на скорости более 60 миль в час, даже на небольших трассах, каждый отдельный компонент автомобиля должен служить определенной цели и работать на максимально возможном уровне.Вот почему в HB R10 использовались только лучшие материалы: титан, авиационный алюминий, угольный графит, высококачественные композиты и многое другое.
R10 создан с нуля, чтобы работать и побеждать. На этом автомобиле вы сможете испытать азарт нитрогонок с гоночной командой чемпионата мира! HB R10 представляет собой комплект, для сборки которого требуется набор метрических шестигранных ключей. Вам нужно будет поставить на ваш выбор кузов, установленные шины из пеноматериала, двигатель, выхлопную систему, коллектор, топливо и стартовый блок.
Тотальный контроль
Как и любой гоночный комплект HB, R10 позволяет настраивать и уточнять все возможные настройки шасси. Вы можете настроить такие параметры, как центр крена, схождение передних и задних рычагов, развал, кастер и другие. Вы можете точно настроить передний и задний крен шасси с помощью стабилизаторов поперечной устойчивости на каждом конце, а прочная шарнирно-шарнирная подвеска дает вам точный контроль развала и заднего схождения с помощью быстрого поворота шестигранного ключа.
Шасси
Шасси R10 изготовлено на станке с ЧПУ из авиационного алюминия и спроектировано так, чтобы быть очень узким, что предотвращает любое трение при поворотах, которое может опрокинуть автомобиль, когда вы идете на идеальный круг. Тканый графит высочайшего качества используется для верхней палубы / подноса радиоприемника, а также всех ребер жесткости и опор по всей машине. Толстый тканый графит используется для передней и задней опор амортизаторов для дополнительной защиты от столкновений, поэтому вы можете закончить гонку, не беспокоясь о повреждении автомобиля.Перегородки, поворотные блоки и распорки изготовлены из высококачественного алюминия и анодированы ярко-оранжевого цвета. Легко снимаемый топливный бак расположен точно по центру шасси, а аккумуляторная батарея расположена под ним для полностью централизованной балансировки веса.
Чтобы еще больше опустить CG, сервопривод размещает их на главном шасси для быстрой передачи веса и превосходной скорости прохождения поворотов. Подушка двигателя представляет собой составную часть, позволяющую устанавливать двигатели как OS, так и Novarossi.Производить замену двигателя и техническое обслуживание просто и легко — составное крепление позволяет заменять двигатели без необходимости каждый раз устанавливать зацепление шестерен. Сверхтолстый бампер из пенопласта, зажатый между жесткими пластиковыми опорами, защищает переднюю часть автомобиля, а ручка для переноски поможет вашей команде питаться молниеносно!
Подвеска
R10 был разработан с нуля, однако это не значит, что он игнорирует дизайнерские соглашения только ради того, чтобы быть новым и отличаться от других.В R10 используется проверенная конструкция подвески для гонок, чтобы дать гонщикам любого уровня подготовки все необходимые им возможности настройки, не беспокоясь о сложной и трудной для понимания теории подвески гоночного автомобиля. Передний развал задается чрезвычайно прочной конструкцией «шарнирного шарнира», которая также дает вам неограниченный контроль над шириной колеи автомобиля. Просто вставьте шестигранный ключ в колеса, и вы сможете быстро изменить настройку — стяжные муфты не требуются.
Передний ролик устанавливается путем перемещения верхнего рычага подвески вперед и назад на прочном шарнирном штифте, что дает вам точный контроль над поворотом и поворотом.Задняя гусеница и задняя часть управляются с помощью одних и тех же сверхпрочных шарниров, а задний развал регулируется титановыми талрепами. Амортизаторы имеют обычную маслонаполненную конструкцию с катушкой, с резьбовыми корпусами и резьбовыми верхней и нижней крышками. Корпуса амортизаторов покрыты супер-гладким ПТФЭ для движения поршня почти без трения, что обеспечивает легкое и плавное движение подвески. Крен шасси на каждом конце автомобиля контролируется регулируемыми стабилизаторами поперечной устойчивости — стабилизатором поперечной устойчивости в виде лезвия спереди и обычным стабилизатором поперечной устойчивости с опорой на подшипниках сзади.
Трансмиссия
R10 имеет универсальные карданные валы спереди и сзади с усиленными приводными ремнями, передающими мощность от зубчатого вала к переднему концу и к заднему твердому дифференциалу. Трансмиссия полностью оборудована легкими, закаленными алюминиевыми шкивами для снижения трения, уменьшения вращающейся массы и длительного срока службы. Шкивы также анодированы холодного цвета бронзы, что является отличным примером внимания к деталям. Сверхпрочные ремни, усиленные кевларом, передают мощность от двигателей на передний и задний 4-ступенчатые дифференциалы, которые легко настраиваются в зависимости от вашего стиля вождения и трека.
Высокоэффективная двухступенчатая трансмиссия входит в стандартную комплектацию, и, как жизненно важную часть автомобиля, большое внимание было уделено этой части R10. Использование шестерен модуля 0,08 для меньших зубьев шестерни позволяет снизить вращающуюся массу и увеличить срок службы шестерни. Центробежная муфта контролирует точный момент, когда башмаки муфты входят в зацепление с колокольчиком муфты, обеспечивая точное управление в сложных условиях тягового усилия.
Обзор функций
- Централизованное меньшее распределение веса обеспечивает превосходный баланс с повышенной маневренностью
- Высококачественные универсальные передние и задние карданные валы для максимальной эффективности привода
- Титановые рулевые тяги, тяги заднего развала, средние валы и шарниры заднего стабилизатора поперечной устойчивости
- Алюминиевые шкивы с твердым покрытием (кроме шкива заднего дифференциала)
- Разделенные (верхняя и нижняя) перегородки позволяют быстро и легко менять дифференциал и регулировать натяжение приводного ремня.
- Новый топливный бак с крышкой EZ, предназначенный для минимального изменения уровня топливной жидкости и максимальной топливной эффективности
- Подушка двигателя из 4 частей, совместимая как с двигателями OS, так и с двигателями Novarossi
- Высокоточный тормозной ротор и тормозные колодки, изготовленные из материала, используемого в реальных гоночных автомобилях, обеспечивают превосходное тормозное усилие и ощущение торможения.
- Сервопривод с системой регулировки Акермана в одно касание
- Система регулировки нескольких точек поворота подвески позволяет точно настроить центр крена
- Прямые крепления крыльев на задней амортизаторной стойке
- Масляные амортизаторы с тефлоновым покрытием
- Эффективный 0.08 модуль шестерни
- Колеса, шины, кузов и электроника оставлены на ваш выбор
Что вам понадобится:
- Гоночный двигатель размером .12 с карбюратором заднего суппорта
- Отрегулированная выхлопная труба и коллектор
- Кузов
- Навесные шины из пеноматериала
- 2-канальная радиосистема с 2 сервоприводами, приемником и аккумулятором
- Топливо
- Стартовый ящик
Спецификация : Длина: 366 мм, Ширина: 200 мм, Высота: 105 мм, Колесная база: 261 мм, Вес: 1700 г, Передаточное число: 1-е = 7.56: 1.0, 2-я = 5.27: 1.0
# 108382 Гоночный туристический комплект HB R10 Nitro. Кузов, двигатель, выхлоп, коллектор, электроника, шины и радиосистема необходимы для комплектации автомобиля.
HB Racing Pro 5 1/10 Competition Touring Car
Лучшая в мире электротехника TC Tech
Всемирно известная гоночная команда HB разрабатывает HB PRO5 более года, стремясь взять все, чему научились на предыдущих туристических автомобилях HB, и превратить эти знания в лучший в мире электрический туристический автомобиль.Такие гонщики, как бывший чемпион мира Энди Мур и подающий надежды гонщик Джей Джей Ван, давали отзывы непосредственно дизайнерам HB и товарищам по команде, стремясь сделать PRO5 лучшим гоночным автомобилем для профессионалов RC и клубных гонщиков по всему миру.
Использование HB PRO5 global в качестве шасси для разработки и регулярных гонок с лучшими гонщиками мира дает Team HB возможность испытать PRO5 настоящим огнем. Обновления автомобиля проходят испытания в самых тяжелых условиях, чтобы дать водителям HB реальное сравнение с другими автомобилями и в условиях жесткой конкуренции.Неделя за неделей в водителей Team HB вносятся новые изменения, поэтому они могут вносить постоянные обновления, сражаясь от двери к двери с лучшими из лучших. Все это делает HB PRO5 совершенно новым и совершенно новым дизайном, полным инноваций и совершенно новых деталей.
PRO5 — это кульминация последних тенденций и разработок в области гонок на электромобилях. Он тестируется, перестраивается и настраивается неделя за неделей на гоночных трассах по всему миру. Команда HB потратила тысячи часов на то, чтобы сделать HB PRO5 лучшим из доступных на сегодняшний день туристических автомобилей.
Настроен на совершенство
PRO5 — это идеальный электрический туристический гоночный автомобиль. Полностью регулируемый до мельчайших деталей, он может быть адаптирован к любому стилю вождения на любой гоночной трассе. От центра крена до колесной базы, от развала до ширины колеи — каждый параметр PRO5 может быть настроен так, чтобы автомобиль полностью настраивался при любых обстоятельствах. PRO5 может доставить вас куда угодно — до тех пор, пока вы стремитесь к вершине подиума!
Шасси
На первый взгляд PRO5 — это стандартный двухэтажный туристический автомобиль, однако только когда вы внимательно присмотритесь, вы заметите прекрасные новые детали и совершенно новые детали.Основное шасси изготовлено из тканого углеродного волокна толщиной 2,25 мм и снабжено алюминиевыми переборками 7075. Конструкция двигателя и опоры промежуточного вала совершенно новая для лучшего распределения веса и эффективности. Верхняя дека из углеродного волокна толщиной 2 мм располагается поверх алюминиевых переборок, удерживая трансмиссию на месте. PRO5 также имеет плавающее крепление сервопривода из углеродного волокна и плавающее крепление аккумулятора, что позволяет шасси должным образом изгибаться для стабильной работы в любых условиях.
Трансмиссия
Высокоэффективный приводной ремень и легкосплавные шкивы входят в стандартную комплектацию PRO5, а большие 40-зубчатые шкивы на каждом конце окружают новый очень большой задний дифференциал и переднюю твердую шпульку.Передние универсалы в стиле DCJ и стандартные задние универсалы приводятся в движение выступами дифференциала из сплава, что обеспечивает чрезвычайно низкий вращающийся вес, а шестигранные адаптеры зажимного типа надежно прикреплены к ведущим мостам. Передние шестигранные адаптеры имеют сверхтонкий узкий профиль, что позволяет легко изменять ширину передней колеи для оптимального ощущения рулевого управления в соответствии с вашим стилем вождения.
Подвеска
Подвеска имеет огромное количество обновлений и полна совершенно новых деталей, в том числе толстых тканых опор амортизаторов из углеродного волокна, алюминиевых амортизаторов большого диаметра с резьбой и совершенно новых рычагов подвески.Новые легкодоступные шариковые чашки означают, что вы можете быстро менять центры валков с помощью регулировочных шайб, и, конечно же, полный набор талрепов входит в стандартную комплектацию. Благодаря сверхточному рулевому управлению, которое требуется для всех гонщиков туристических автомобилей, PRO5 оснащен надежным рулевым механизмом с коленчатым рычагом на подшипниках для сверхплавного хода и легкосплавными рычагами для обеспечения прочности и долговечности. Настройка Ackermann легко регулируется с помощью прокладок из анодированного оранжевого цвета, а стяжные винты рулевого управления соединяются с ткаными легкими рулевыми рычагами из углеродного волокна.
Мы поговорили с JJ Wang о HB PRO5. JJ быстро превращается в одного из самых быстрых гонщиков в мире и участвует в Team HB с 2013 года.
Когда вы впервые водили машину и какое участие принимали в ее разработке?
Впервые я проехал на паре PRO5 в конце 2014 года, и первой крупной гонкой для меня стали миры МНТЦ. Я счастлив участвовать в процессе создания PRO5 вместе с главным дизайнером Хара-тюном, Хиро и Энди.
Какие, по вашему мнению, лучшие характеристики PRO5?
Я думаю, что единственная особенность, которая делает автомобиль уникальным, — это бесконечный выбор звеньев развала, что упрощает нам точную настройку автомобиля. PRO5 разработан настолько точно, что мы сосредоточились не только на геометрии автомобиля, но и на всех мелких деталях, которые делают этот автомобиль таким безупречным. Кроме того, он подходит как для гонок на ковровых покрытиях, так и для гонок по асфальту, поскольку автомобиль обладает одновременно скоростью и устойчивостью.Я считаю, что PRO5 может быть одинаково быстрым на обеих поверхностях.
PRO5 хорошо работает с такими профессиональными водителями, как вы, но как вы думаете, подойдет ли он и для клубных гонщиков?
Одно можно сказать наверняка: PRO5 подходит всем водителям, автомобилем так легко управлять прямо из коробки, и мы позаботились о том, чтобы автомобиль был конкурентоспособным и доставлял удовольствие от вождения.
Обзор функций
- Основное шасси из плетеного углеродного волокна 2,25 мм
- Верхняя дека из углеродного волокна толщиной 2 мм
- 7075 алюминиевые передние и задние переборки
- Новая оптимизированная опора двигателя для центральной балки
- Новая конструкция опоры промежуточного вала
- Центральные тяги из сплава
- Высокоэффективные ремни, армированные кевларом, для очень плавной трансмиссии
- Обновленный дифференциал заднего редуктора со шкивом с 40 зубьями
- Передняя катушка с 40 зубьями
- Передние колеса дифференциала из сплава
- Задние универсалы
- Передние универсалы DCJ
- Полностью регулируемая подвеска (колесная база, развал, кастер, дорожный просвет и др.)
- Плетеные опоры амортизаторов из углеродного волокна с несколькими монтажными позициями
- Резьбовые алюминиевые амортизаторы с катушкой под катушки с большим отверстием стандартной длины
- Централизованное нижнее распределение веса обеспечивает превосходную балансировку
- Плавающая опора сервопривода из углеродного волокна и сплава
- Рулевое управление с коленчатым рычагом и сдвоенными легкосплавными рычагами
- Регулируемая система Ackermann, встроенная в рулевой рычаг и сервопривод
- Рулевые рычаги из углеродного волокна
- Совершенно новые рычаги подвески и стойки
- Модульная внутренняя опора рычага развала с регулировкой регулировочных шайб для бесступенчатой регулировки
- Легкодоступные шариковые чашки
- Адаптер ступицы с шестигранной головкой с зажимом
- Узкие передние шестигранные ступицы
- Стойки корпуса с мелким шагом
- Плавающее крепление аккумулятора для оптимальной гибкости шасси
- Новый бампер из пенопласта с зажимом для крепления бампера
- Натяжитель ремня из сплава с шарикоподшипником
- Передний и задний стабилизаторы поперечной устойчивости
- Метрическое оборудование на всей территории
- Цветные вставки из анодированного алюминия в оранжевый
Что вам понадобится:
- Инструменты для строительства
- Двигатель
- Шестерня
- Регулятор скорости
- Радио
- Приемник
- Сервопривод
- Кузов
- Краска поликарбонатная
- Шины
- CA клей
- Колеса
Спецификация : Общая длина: 353 мм, Общая ширина: 190 мм, Колесная база: 254-260 мм (регулируемая)
# 114500 HB PRO5
Страница не найдена
ДокументыМоя библиотека
раз- Моя библиотека
Мы не можем найти эту страницу
(* {{l10n_strings.REQUIRED_FIELD}})
{{l10n_strings.CREATE_NEW_COLLECTION}} *
{{l10n_strings.ADD_COLLECTION_DESCRIPTION}}
{{l10n_strings.COLLECTION_DESCRIPTION}} {{addToCollection.description.length}} / 500 {{l10n_strings.TAGS}} {{$ item}} {{l10n_strings.ПРОДУКТЫ}} {{l10n_strings.DRAG_TEXT}}{{l10n_strings.DRAG_TEXT_HELP}}
{{l10n_strings.LANGUAGE}} {{$ select.selected.display}}{{article.content_lang.display}}
{{l10n_strings.AUTHOR}}{{l10n_strings.AUTHOR_TOOLTIP_TEXT}}
{{$ select.selected.display}} {{l10n_strings.CREATE_AND_ADD_TO_COLLECTION_MODAL_BUTTON}} {{l10n_strings.CREATE_A_COLLECTION_ERROR}}RUR-D810 datasheet — Сверхвысокоскоростные выпрямители
2SC3799 :. Для высокого пробивного напряжения высокоскоростное переключение I Высокоскоростное переключение Высокое напряжение коллектора на базу VCBO Низкое напряжение насыщения коллектора на эмиттер VCE (насыщ.) Полный комплект, который можно установить на радиатор с помощью одного винта Коллектор параметров на коллектор базового напряжения к напряжению эмиттера 2SC3799 2SC3799A VCEO VEBO ICP 25C Tj Tstg PC VCES Symbol.
IL2901 : Счетверенный компаратор. IL2901 состоит из четырех независимых прецизионных компараторов напряжения с максимальным напряжением смещения 2,0 мВ для четырех компараторов, которые были разработаны специально для работы от одного источника питания в широком диапазоне напряжений. Области применения включают предельные компараторы, простые аналого-цифровые преобразователи; генераторы импульсов, прямоугольных импульсов и с задержкой времени ;.
IPD400N06NG : Optimos Power-транзистор. Для быстрого переключения преобразователей и синхронизации.выпрямление N-канальное усиление — нормальный уровень 175 C рабочая температура Лавинное покрытие бессвинцовое покрытие, соответствует RoHS Максимальные номинальные значения, T j = 25 C, если не указано иное Параметр Непрерывный ток стока Обозначение Условия C = 100 C Импульсный ток стока Энергия лавины, одиночный импульсный обратный диод.
ELJND102DF : Чип-индукторы. Безобмоточные (RF, 1E) индукторы с проволочной обмоткой для автоматического монтажа и монтажа с высокой плотностью q Высокая добротность q Подходит для монтажа q Широкий допустимый диапазон до 1000 H) q CTV, VTR, HIC, HDD, FDD, беспроводные телефоны, Переносные телефоны Пейджеры, Видеокамеры.
UM0107 : Преобразователи постоянного тока в постоянный, мощностью 1 Вт. Mespek Oy, PL103, 00701 Helsinki Puh. (09) 3507360 Факс (09) 3453384 Электронная почта: [email protected] http://www.mespek.com Низкопрофильный литой SMD-корпус Нерегулируемый выход Очень низкая высота компонентов 7,3 мм 1000 В постоянного тока Напряжение изоляции Тороидальные магниты Один изолированный выход 5 В , Вход 12 В Многослойные керамические конденсаторы на выходе 9 В, 12 В и 15 В S Все стандартные.
139RPFX : Счетверенные компараторы, низкое напряжение смещения. Технология Rad-Pak, защищенная от естественного космического излучения. Общая стойкость к дозе: -> 100 крад (Si), в зависимости от орбиты и космической миссии. Эффекты единичного события: — SEL 59.8 МэВ / мг / см2 Корпус: — 14-контактный плоский корпус Rad-Pak. Широкий диапазон напряжения питания — от 2 до 36 В постоянного тока или от 1 до 18 В постоянного тока. Очень низкий ток потребления: — (0,8 мА) — независимо от источника питания.
IL0503S : Источники питания постоянного / постоянного тока. Блок SIP с одним выходом Стандартная схема расположения выводов Изоляция 1000 В постоянного тока Опциональная изоляция 3000 В постоянного тока Защита от короткого замыкания +85 C Диапазон входного напряжения при работе Входной ток (без нагрузки) Входной отраженный пульсации Входное сопротивление обратного напряжения Номинальное 10% См. Таблицу от 20 мА (среднеквадратичное значение) до 20 МГц с 12 H) Нет Входное напряжение Без нагрузки Входной ток мА Выходное напряжение.
SP2526XS23RG : Колпачок с низким ESR. Совместимые регуляторы положительного напряжения. Семейство SP2526 — это линейные стабилизаторы положительного напряжения, низкого энергопотребления, высокого напряжения, изготовленные с использованием технологии CMOS. Семейство SP2526 обеспечивает большие токи с низким падением напряжения. SP2526 состоит из цепи тока ограничителя, транзистора, точность опорного напряжения и схемы коррекции ошибок. Семейство SP2526 совместимо.
EEJ-L1CD476R : 47F Танталовый конденсатор 2917 (7343 метрическая система) 16 В; КРЫШКА 47UF 16V 20% 2917.s: Емкость: 47F; Напряжение — номинальное: 16 В; Допуск: 20%; : Общее назначение ; Рабочая температура: -55C ~ 125C; Расстояние между выводами: -; ESR (эквивалентное последовательное сопротивление): 150,0 мОм; Срок службы при температуре: -; Тип установки: поверхностное крепление; Тип: Литой; Упаковка / коробка: 2917.
0876.250MRET1P : Защита цепи предохранителем 250 мА 250 В переменного тока, быстродействующий; ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ 250MA 250VAC AXIAL FAST. s: ток: 250 мА; Напряжение — номинальное: 250 В переменного тока; Упаковка / корпус: осевой, 3,6х10 мм; Тип предохранителя: быстродействующий; Тип установки: Сквозное отверстие; Статус без содержания свинца: без содержания свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.
LM6181IM : Линейный — усилитель — контрольно-измерительные приборы, операционные усилители, интегральная схема буферного усилителя (IC) Трубка обратной связи по току 1 7 В ~ 32 В, 3,5 В ~ 16 В; IC AMP CURR FEEDBK 100MHZ 16SOIC. s: Упаковка: Туба; Тип усилителя: обратная связь по току; Количество цепей: 1; Упаковка / корпус: 16-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм); скорость нарастания: 2000 В / с; произведение на коэффициент усиления: -; ток.
51731-002 : Золотое сквозное отверстие, прямоугольная объединительная плата — специализированные разъемы, соединительный разъем, штыревые контакты и лезвия; R / A HDR POWERBLADE.s: Цвет: черный; Тип разъема: мощность лезвия; Тип разъема: Заголовок, штекерные контакты и лезвия; Использование разъема: -; Контактная отделка: золото; Толщина отделки контактов: 30 дюймов (0,76 м); Расположение контактов, типичное: 32 сигнала, 14 питания.
MAX9650EVKIT + : Программисты тестовых и демонстрационных плат и комплектов, система разработки; КОМПЛЕКТ ДЛЯ ОЦЕНКИ MAX9650. s: Основное назначение: видео, усилитель, сингл; Основные атрибуты: драйвер VCOM для TFT-LCD панелей; Вторичные атрибуты: защита от короткого замыкания и тепловая защита; В комплекте: доска; Используемая микросхема / деталь: MAX9650; Встроенный: Нет; Статус без содержания свинца: без содержания свинца; RoHS.
6-1546119-1 : Монтаж на шасси или на панель; Клеммная колодка со сквозным отверстием — соединители барьерного блока, монтаж на шасси или на панель; Сквозное отверстие; TERM BLK 10CIRC STR TURRET .250. s: Цвет: черный; Тип установки: монтаж на шасси или на панель; Сквозное отверстие ; Количество рядов: 1; Шаг: 0,250 дюйма (6,35 мм); Тип клеммной колодки: барьерный блок; Количество цепей:
BDX96-JQR : 8 А, 100 В, PNP, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-204AA. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: ТО-3, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ, ТО-3, 2 КОНТАКТА.
SQ9945AEY-T1 : 3,7 А, 60 В, 0,08 Ом, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 60 вольт; rDS (вкл.): 0,0800 Ом; Тип упаковки: СОП-8; Количество блоков в ИС: 2.
XRT75VL00DIV-F : IC, ПЕРЕДАТЧИК PCM, ОДИНОЧНЫЙ, E-3, QFP, 52PIN, ПЛАСТИКОВЫЙ. s:: RoHS. Это одноканальный полностью интегрированный линейный интерфейсный блок (LIU) с десинхронизатором Sonet для приложений E3 / DS3 / STS-1. Он включает в себя независимый приемник, передатчик и аттенюатор джиттера в одном 52-выводном корпусе TQFP.XRT75VL00D можно настроить для работы в режимах E3 (34,368 МГц) или DS3 (44,736 МГц) STS-1 (51,84 МГц). Передатчик.
YDA161 : УСИЛИТЕЛЬ АУДИО. s: Тип устройства: усилители звука.
Алгоритм продольного выбора признаков и его применение к профилям экспрессии днРНК у пациентов с псориазом, получающих иммунную терапию.
С быстрым развитием высокопроизводительных технологий эксперименты по продольной экспрессии генов стали доступными и все более распространенными в биомедицинских областях.Подход обобщенного оценочного уравнения (GEE) — широко используемый статистический метод для анализа продольных данных. Выбор характеристик является обязательным при лонгитюдном анализе данных. Среди множества существующих методов выбора функций встроенный метод — регуляризация порогового градиентного спуска (TGDR) — выделяется своими превосходными характеристиками. Согласование GEE с TGDR является многообещающей областью для определения соответствующих маркеров, которые могут объяснить динамические изменения результатов во времени.Мы предложили новый алгоритм выбора новых характеристик для продольных результатов — GEE-TGDR. В методе GEE-TGDR соответствующая функция квазивероятности модели GEE является целевой функцией, которая должна быть оптимизирована, а оптимизация и выбор функций выполняются методом TGDR. Длинные некодирующие РНК (днРНК) являются посттранскрипционными и эпигенетическими регуляторами, имеют более низкие уровни экспрессии и более тканеспецифичны по сравнению с генами, кодирующими белок. До сих пор значение lncRNAs в псориазе остается в значительной степени неизученным и малоизученным, хотя некоторые доказательства в литературе подтверждают, что lncRNAs и псориаз тесно связаны.В этом исследовании мы применили метод GEE-TGDR к набору данных экспрессии lncRNA, который изучал реакцию пациентов с псориазом на иммунное лечение. В результате список, включающий 10 соответствующих днРНК, был идентифицирован с предсказательной точностью 70%, что превосходит точность, достигаемую двумя конкурирующими методами и значимой биологической интерпретацией. Ожидается широкое применение метода GEE-TGDR в продольном анализе данных omics.
1. Введение
С быстрым развитием высокопроизводительных технологий, продольные омические эксперименты стали доступными и все более распространенными во многих областях биомедицины для исследования динамически или временно изменяющихся биологических систем или процессов.Обычно стратегии анализа сосредоточены на отдельном анализе отдельных моментов времени. Как отмечали многие исследователи [1–4], неспособность включить информацию, содержащуюся в зависимой структуре данных о ходе времени, приводит к неэффективной оценке стандартных ошибок, что приводит к неадекватной статистической мощности. Эта проблема особенно выделяется в крупных омических исследованиях, поскольку размер выборки таких данных обычно невелик. Более того, чрезмерно упрощенное рассмотрение путем объединения результатов маржинального анализа в отдельные моменты времени, как правило, не позволяет выявить значимый образец изменений во времени.
Подход с использованием обобщенного уравнения оценки (GEE) [5] — это хорошо зарекомендовавший себя и широко используемый статистический метод для анализа продольных данных. GEE учитывает первые два предельных момента (т.е. среднее значение и дисперсию) данных и рабочую матрицу корреляции для моделирования коррелированных ответов, искусно избегая указания полной совместной функции правдоподобия. Привлекательность GEE заключается в том, что он дает согласованные оценки для интересующих параметров, даже если рабочая корреляционная структура указана неправильно.Естественно, GEE был модифицирован или расширен для идентификации дифференциально экспрессируемых генов с течением времени для данных с высокой пропускной способностью. Такие модификации и / или расширения непросты из-за большой размерности данных omics, хотя были предприняты некоторые усилия [1, 2, 6].
Как и его аналог с поперечным сечением, выбор признаков является обязательным в процессе обучения для продольных омических данных. Отбор признаков направлен на устранение нерелевантных генов, предотвращение переобучения, ускорение процесса обучения и достижение окончательной модели, которая является экономной (т.е., количество выбранных генов как можно меньше). Следовательно, модификация GEE для анализа многомерных данных требует использования выбора функций. В литературе существует несколько таких алгоритмов. Например, Wang et al. В [2] использован термин штрафа за плавно отсеченное абсолютное отклонение (SCAD) [7], которое является новым расширением штрафа L 1 для оснащения моделей GEE возможностью выбора характеристик. Штраф L 1 , также известный как LASSO [8], вытесняет гены с небольшими оценочными коэффициентами из окончательной модели, предоставляя разреженное решение, посредством которого происходит отбор признаков.Однако две последующие работы по этой теме [1, 6] показали, что этот алгоритм обычно не может сходиться, когда количество ковариат намного больше, чем количество выборок. Этот недостаток более очевиден и фатален для данных продольных исследований, где размер выборки обычно меньше, чем при поперечном исследовании.
Среди множества существующих алгоритмов выбора признаков мы приложили значительные усилия для метода регуляризации порогового градиентного спуска (TGDR) [9] (см. Его описание в разделе «Методы»).Ранее мы расширяли TGDR для задачи классификации нескольких групп (> 2) и для идентификации прогностических генов, специфичных для подгрупп, с исходом выживания [10–14]. Применяя эти расширения TGDR к различным типам данных omics, включая данные микрочипов, секвенирования РНК и масс-спектрометрии (МС), мы показали, что TGDR и его соответствующие расширения имеют много достоинств, включая простую и умеренную интенсивность программирования, хорошую предсказательную производительность, и биологически значимое значение полученных подписей.В недавней работе [4] мы показываем, что алгоритм TGDR можно рассматривать как стратегию оптимизации и что окончательные модели, предоставленные TGDR, имеют более высокую предсказательную производительность и более значимую биологическую интерпретацию, чем модели LASSO, оптимизированные методом спуска координат [15 ]. Следовательно, интеграция GEE с TGDR может преодолеть недостатки существующих подходов к продольному выбору признаков.
Длинные некодирующие РНК (днРНК) являются посттранскрипционными и эпигенетическими регуляторами и обладают характеристиками более низких уровней экспрессии и более тканеспецифичными по сравнению с генами, кодирующими белок [16].Когда-то считавшиеся мусором эволюции, днРНК, как было показано, играют важную роль во многих сложных заболеваниях, особенно в раке [16]. Как указывалось в нашем предыдущем исследовании [17], псориаз является идеальной моделью для изучения эффектов направленного иммунного лечения, учитывая, что он хорошо характеризуется молекулярными профилями, проявляет низкие эффекты плацебо и обладает легкодоступными больными тканями. Пока влияние днРНК на псориаз остается в значительной степени неизученным и малоизученным.Среди ограниченных исследований, проведенных для изучения роли днРНК в псориазе; Однако появились некоторые обнадеживающие результаты. Например, совсем недавнее исследование [18] показало, что LOC285194 может служить в качестве губки для miR-616, который регулирует экспрессию GATA3, связываясь с его 3-нетранслируемой областью с помощью вестерн-блоттинга, количественной ПЦР в реальном времени и двойного анализа. люциферазный репортерный анализ. В частности, уровень экспрессии LOC285194 был ниже в пораженной коже пациента с псориазом по сравнению с непораженной кожей.Кроме того, Rakhshan et al. [19] показали, что один SNP (т.е. rs12826786) антисмысловой РНК транскрипта HOX (HOTAIR) связан с более высоким риском развития псориаза (TC + TT по сравнению с CC:,). Таким образом, мы считаем, что роль днРНК при псориазе заслуживает глубокого и широкого изучения.
В этой статье мы предложили новый алгоритм выбора признаков, называемый GEE-TGDR, специально для продольного анализа данных и выбора признаков. В методе GEE-TGDR соответствующая функция квазивероятности модели GEE является целевой функцией, которая должна быть оптимизирована, в то время как оптимизация и выбор функций выполняются методом TGDR.Мы применили этот метод к данным по продольной экспрессии генов на микрочипе, которые нацелены на оценку эффективности лечения двумя иммунотерапевтическими методами для пациентов с псориазом, и определили соответствующие lncRNAs, которые могут предсказать временные изменения баллов площади псориаза и индекса тяжести (PASI), которые используются. чтобы определить, реагирует ли пациент с псориазом на лечение, с целью выявления основных механизмов этих двух методов лечения с точки зрения днРНК.
В соответствии со структурой обзора [20], статья организована следующим образом.В разделе 2 приведены подробные сведения о предлагаемом методе GEE-TGDR. В разделе 3 представлено применение метода GEE-TGDR к данным по продольной экспрессии днРНК при псориазе и результаты анализа. Затем подробно обсуждается биологическая значимость идентифицированной сигнатуры днРНК для псориаза. В разделе 4 обсуждаются ограничения настоящего исследования в дополнение к вкладам и будущей работе. В заключение даются выводы.
2. Материалы и методы
2.1. Экспериментальные данные
Набор данных микроматрицы [17], использованный для характеристики предложенного алгоритма GEE-TGDR, находился в базе данных Gene Expression Omnibus (GEO) (https://www.ncbi.nlm.nih.gov/geo/) под инвентарный номер GSE85034. В этом эксперименте было 179 массивов, включая профили экспрессии генов 30 пациентов с псориазом средней и тяжелой степени на исходной неповрежденной коже и исходной поврежденной коже, а также на 1, 2, 4 и 16 неделях. с адалимумабом (ADA), а другая половина лечилась метотрексатом (MTX).У одного пациента в группе ADA не было измерений экспрессии на 16-й неделе, поскольку его / ее показатель площади псориаза и индекса тяжести (PASI) уже испытали снижение на 75% на 4-й неделе. В исходной статье ответ на лечение был основан на уменьшении 75% по шкале PASI после 12 недели или позже. Продольные профили баллов PASI (исходные очаги поражения на 1, 2 и 4 неделях) были интересными исходами, а значения экспрессии днРНК исходных пораженных участков кожи служат в качестве потенциальных предикторов для исследования, соответствуют ли они баллам PASI для пациенты с псориазом с течением времени.
В этом исследовании предварительно обработанные данные были загружены непосредственно из базы данных GEO. Никакой альтернативной предварительной обработки не производилось. Путем сопоставления генных символов днРНК в базе данных GENCODE (https://www.gencodegenes.org/) (версия 32) с символами генов, аннотированных микрочипами Illumina HumanHT-12 V 4.0, было идентифицировано и включено 662 уникальных днРНК. в последующем анализе.
2.2. Статистические методы
В этой статье мы рассматриваем новый алгоритм выбора характеристик, названный GEE-TGDR, специально для выбора соответствующих характеристик, связанных с временными изменениями продольных результатов, в котором GEE оснащен TGDR, как следует из его названия.Мы кратко описали методы GEE и TGDR, прежде чем перейти к предлагаемой интеграции. Здесь, чтобы сделать его наиболее актуальным, мы сосредоточились на случае непрерывных результатов.
2.2.1. Регуляризация спуска порогового градиента
Для непрерывных результатов алгоритм TGDR основан на линейной модели, где переменная отклика (размер выборки) моделируется -мерным вектором наблюдаемых ковариат (здесь) как. Здесь представлены коэффициенты ковариат для величин связи между ковариатами и результатом.Для непрерывных результатов обычно предполагается нормальное распределение, а затем соответствующая функция правдоподобия используется как функция отклика / целевая функция в алгоритме TGDR. С некоторым алгебраическим упрощением функция отклика может быть записана как
Алгоритм TDGR начался с того, что были изначально установлены на нуле (что соответствует нулевой модели). Использование для обозначения небольшого положительного приращения (например, 0,01) в поиске градиентного спуска и для итерации, (1) По текущей оценке, матрица отрицательного градиента с ее компонентом as вычисляется как (2) Представляет пороговый вектор размера на итерации и является индикатором (если условие истинно, этот индикатор возвращает 1; в противном случае его значение равно 0), тогда его компонент (для гена) равен (3) Обновить и (4) Повторить шаги 1-3 несколько раз .можно рассматривать как параметр настройки, при этом большое значение соответствует плотной модели (больше ненулевых коэффициентов), а небольшое значение — разреженной модели (меньше ненулевых коэффициентов). Оптимальное значение определяется перекрестной проверкой (CV).
В методе TGDR к целевой функции (т.е. функции отклика) не добавляется явный штрафной член. Регуляризация коэффициентов (таким образом, выбор функций) стала возможной благодаря введению пороговой функции на шаге 2, которая определяет, достаточно ли велик градиент коэффициента для спуска или, точнее говоря, для обновления.Более подробное описание метода TGDR можно найти в работах [9, 21].
2.2.2. Обобщенное уравнение оценки
В продольной нотации наблюдаются момент времени / измерение объекта, -мерный вектор переменных отклика (здесь и) и ковариаты (здесь представляют ковариату). Таким образом, обозначает вектор ответов в разные моменты времени для субъекта и является ковариатом для субъекта в момент времени.
В модели GEE первые два предельных момента обозначаются (математическое ожидание данного) и (дисперсия).Здесь коэффициенты, представляющие величину связи между ковариатами и результатами, с отображением того, как атрибут связан со значением результата (то есть результатом в момент времени). Это интересующие параметры. Кроме того, предполагается, что распределение принадлежит экспоненциальному семейству с канонической функцией связи. Пусть и, затем под канонической функцией ссылки. Здесь представлена рабочая корреляционная матрица с конечномерным вектором параметров для корреляций, который обычно оценивается методом остаточных моментов.В модели GEE функцию квазивероятности можно записать в виде четырех структур, которые обычно используются для рабочей корреляционной матрицы — авторегрессия первого порядка (AR1), заменяемая, неструктурированная и независимая структура.
2.2.3. GEE-TGDR
Традиционный метод TGDR имеет дело только с одномерными результатами. Что касается многомерных продольных результатов, метод необходимо расширить.
В этом исследовании мы предложили заменить функцию правдоподобия соответствующей функцией квазивероятности и расширить TGDR как GEE-TGDR.С обозначением небольшого положительного приращения (например, 0,01) в поиске градиентного спуска, затем на итерации, (1) После текущей оценки вычисляется матрица отрицательного градиента с ее компонентами (2) Представим пороговый вектор размера для времени point () на итерации, то его компонент (для гена) равен (3) Обновить и (4) Рассчитать остатки, а именно,, и на их основе оценить мешающие параметры, участвующие в (для различных структур корреляции параметры разные) и.Следует отметить, что, поскольку в разные моменты времени у нас разные пороговые функции, ожидается, что выбранные гены в разные моменты времени будут отличаться. Таким образом, возможен выбор критических моментов времени. (5) Повторите шаги 1–4 несколько раз. — параметр настройки, такой же, как в обычном методе TGDR. Оптимальное значение также определяется CV
В этом исследовании мы разработали только алгоритм GEE-TGDR для непрерывных результатов, представленных в мотивированной базе данных; Показатели PASI, которые являются непрерывными, были интересующими результатами, затем соответствующие ожидания данных.Здесь позвольте представить измеренные моменты времени; затем предназначены для профилей экспрессии генов в момент времени для субъекта и для соответствующих коэффициентов этих значений экспрессии генов в момент времени. На рисунке 1 представлена графическая иллюстрация алгоритма GEE-TGDR для непрерывных продольных результатов.
Поскольку результаты были непрерывными, была рассчитана статистика среднеквадратичной ошибки (MSE) для оценки эффективности полученных сигнатур генов. Стоит отметить, что для результатов других типов расширение, подходящее для базового типа данных алгоритма GEE-TGDR, является простым, с соответствующей функцией квазивероятности, выступающей в качестве целевой функции / функции отклика.
2.3. Статистический язык
Статистический анализ проводился на языке R версии 3.6.1 (http://www.r-project.org).
3. Результаты
3.1. Идентифицированные сигнатуры LncRNA
В этом исследовании мы предлагаем расширить алгоритм выбора признаков TDGR для учета корреляционной структуры продольных данных. Это достигается путем определения целевой функции TDGR как соответствующей функции квазивероятности, которая, как и в GEE, определяется на основе первых двух моментов и рабочей корреляционной матрицы.TDGR-GEE описан в разделе «Материалы и методы». В этом разделе мы проиллюстрируем применение предложенного метода при поиске биомаркеров, которые предсказывают клиническое разрешение псориаза после лечения двумя иммунотерапевтическими методами.
Профили экспрессии генов исходной биопсии пораженной кожи были получены для 30 субъектов, находящихся под наблюдением в течение 16 недель после лечения адалимумабом и метотрексатом. Клиническое разрешение на 1-й, 2-й и 4-й неделях оценивалось с помощью PASI. В этом примере мы хотели бы идентифицировать сигнатуру генов, значения базовой экспрессии которых коррелируют с изменениями PASI, нашего непрерывного продольного результата.Мы использовали 662 lnRNA в качестве ковариант в предлагаемой модели GEE-TGDR при 4 различных рабочих корреляционных структурах. Статистика производительности (т.е. MSE) и идентифицированные гены lncRNA представлены в таблице 1.
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Использовались только базовые значения экспрессии.AR1: порядок авторегрессии 1; MSE: среднеквадратичная ошибка; SD: стандартное отклонение; Резюме: перекрестная проверка. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
В этом приложении результаты, полученные при рабочих корреляционных структурах, взаимозаменяемых, неструктурированных и независимых, практически не различаются с аналогичными наборами биомаркеров, приводящими к аналогичным характеристикам. Это отражает хорошо известную устойчивую характеристику GEE, когда при правильном указании предикторов оценки GEE остаются согласованными, даже если структуры корреляции указаны неправильно.В структуре AR1 GEE-TGDR идентифицировал только одну днРНК как связанную с оценками PASI, что привело к недостаточному соответствию и худшим характеристикам по сравнению с тремя другими корреляционными структурами.
Из-за обременения пациента и бюджетных ограничений продольные данные обычно очень короткие и расположены неравномерно. В этом случае AR1 не очень подходит, и неструктурированная корреляция может быть наиболее подходящей структурой, даже несмотря на то, что эта структура соответствует модели с большим количеством мешающих параметров, включенных в соответствующую рабочую структуру корреляции.
Результаты перекрестной проверки (CV) дали нам представление о вариабельности характеристик модели в этом отношении; Результаты CV показали, что все корреляционные структуры, кроме структуры AR1, дали аналогичные результаты, причем как заменяемые, так и независимые структуры имели наименьшие MSE, но большую изменчивость, а неструктурированная структура имела большую MSE, но меньшие вариации.
Несмотря на то, что в отдельные моменты времени идентифицированные признаки существенно различались для неструктурированных, заменяемых и независимых рабочих корреляционных структур (рис. 2), объединение списков днРНК во времени по существу одинаково, включая 9 днРНК, идентифицированных всеми этими три структуры и одна днРНК, выбранная только независимой структурой (рис. 3).
3.2. Сравнение с конкурирующими методами
Чтобы дополнительно охарактеризовать метод GEE-TGDR, было проведено сравнение с двумя конкурирующими методами. Одним из рассматриваемых конкурирующих методов является метод GEE-скрининга [1], в котором модель GEE соответствовала показателям PASI с течением времени в качестве результата и значениям экспрессии определенной днРНК в качестве ковариаты. Метод GEE-скрининга отфильтровывал гены один за другим. Следует отметить, что в методе GEE-TGDR и модели GEE-скрининга мы рассматривали только неструктурированную рабочую корреляционную структуру.В другом конкурирующем методе, а именно в методе скрининга на основе линейной смешанной модели, модель GEE была заменена линейной смешанной моделью (результат и ковариата такие же, как в модели скрининга GEE), а член пересечения был рассматривается как случайный эффект. ДнРНК с соответствующими значениями коэффициентов <0,05 были выбраны как подходящие для обоих конкурирующих методов. Затем была подобрана машинная модель опорных векторов, используя статус ответа в качестве результата и идентифицированные днРНК с помощью определенного метода в качестве предикторов.Согласно результатам 10-кратной перекрестной проверки (для оценки прогностической эффективности каждого метода), метод GEE-TGDR достиг наилучшей точности предсказания (таблица 2). Следует отметить, что даже GEE-TGDR имеет лучшую производительность по сравнению с двумя другими конкурирующими методами, его точность прогнозирования оценивается в 70%, что далеко от 100%, что оставляет много места для улучшения.
| |||||||||||||||||||||
| Ошибки прогноза были рассчитаны на основе 10-кратной перекрестной проверки. Здесь статус ответа, то есть, если показатель PASI снизился на 75% от исходного уровня пораженной кожи после 12 недели или позже. Размер: количество идентифицированных днРНК определенным методом; здесь были указаны размеры, обученные для всего набора данных; при перекрестной проверке эти числа подвергались изменениям, поскольку обучающие наборы были подмножеством всего набора данных.Для скрининга на основе GEE-TGDR и GEE учитывалась только неструктурированная рабочая корреляционная матрица. | |||||||||||||||||||||
3.3. Биологическая релевантность
Чтобы получить биологические инсайты, идентифицированные биомаркеры, мы оценили релевантность к псориазу 10 идентифицированных днРНК с использованием показателей достоверности заболевания, где высокий балл представляет собой прочную поддержку литературными данными в соответствии с базой данных GeneCards. Ни одна из 10 днРНК не была напрямую связана с псориазом, в то время как 5 днРНК, перечисленных в порядке убывания оценок достоверности и, таким образом, нисходящей поддержки литературой в соответствии с базой данных GeneCards, MIR205 , XIST , SNHG5 , LINC01139 и SDHAP2 были связаны с иммунитетом.
Из аннотированных баз данных днРНК было извлечено мало значимой информации, что неудивительно, поскольку этот псориаз остается в значительной степени неизученным с точки зрения днРНК. Таким образом, мы сосредоточились на изучении мРНК, коррелированных или нацеленных на эти днРНК. В частности, мы идентифицировали гены, чья базовая экспрессия в очагах поражения сильно коррелировала по крайней мере с одной из 10 днРНК (, 5), и идентифицировали 225 генов мРНК. Согласно базе данных GeneCards [22], примерно 30% этих мРНК (64) были непосредственно связаны с псориазом, в первую очередь IL10 , FABP5 , KRT16 , CCR6 , IL18 , STAT3 , GATA3 и SERPINB3 , обеспечивая некоторую проверку биомаркеров днРНК, идентифицированных методом GEE-TGDR.Напротив, среди 29 целевых мРНК, идентифицированных базой данных lncRNA Disease 2.0 [23] как нацеленных на панель из 10 lnRNA (все они были идентифицированы с помощью корреляционного подхода), GeneCards утверждали, что CCR10 , AOC3 , UBB и WNK4 были напрямую связаны с псориазом, но только CCR10 имел высокий балл достоверности в отношении его значимости для псориаза. Следует отметить, что среди 10 днРНК только RAMP2-AS1 , PAX1P1-AS1 , TMEM99 и LIN01018 имеют много коррелированных мРНК, но остальные пять имеют мало коррелированных мРНК или совсем не имеют коррелированных мРНК.
3.4. Пути, обогащенные целевыми мРНК
Анализ избыточного представительства генов был проведен на 225 мРНК, идентифицированных как нацеленные с помощью панели биомаркеров 10 lnRNA, с использованием программного обеспечения STRING [24] на коллекциях KEGG и GO. Около 346 терминов обогащенных биологических процессов (BP), 23 термина молекулярных функций (MF) и 21 термина клеточного компонента (CC) были идентифицированы в коллекции GO, что отражает иммунную патофизиологию заболевания. Три основных пути, обогащенных KEGG [25], отражают воспалительные процессы, не только идентифицируя воспалительные заболевания кишечника () и взаимодействие цитокин-цитокиновых рецепторов (), но также обнуляя ключевой путь при псориазе: дифференцировку Th27 ().
Наконец, среди 225 мРНК мы выбрали 10 лучших с точки зрения релевантности псориазу () и построили сеть взаимодействия днРНК-мРНК, визуализированную программным обеспечением Cytoscape [26] (рис. 4). Мы заметили, что мРНК-мишени сильно связаны с IL10 , выступающим в качестве гена-концентратора. Хорошо известно, что IL10 является иммунодепрессивным цитокином и позволяет поддерживать иммунологический гомеостаз [27]. Основываясь на этом, мы предполагаем, что идентифицированные днРНК могут регулировать экспрессию важных цитокинов, таких как IL10 , и требуют дальнейшего исследования.
4. Обсуждение
4.1. Ограничения и дальнейшая работа
На данном этапе метод GEE-TGDR имеет несколько ограничений. Во-первых, никакая структура группировки не принимается во внимание, и, таким образом, метод GEE-TGDR относится к традиционной категории выбора встроенных функций. К настоящему времени накопленные исследования [28–31] показали, что метод, основанный на путях, который учитывает группирующую информацию, превосходит его основанный на генах аналог, в котором группирующая информация игнорируется.Таким образом, как расширить предлагаемый метод GEE-TGDR для учета корреляций между генами — это направление исследований, которым мы займемся в ближайшем будущем.
Во-вторых, метод TGDR намного медленнее, чем метод координатного спуска (CD) [15], как было показано в нашем предыдущем исследовании [4]. Учитывая, что расширение GEE-TGDR использует метод TGDR в качестве стратегии оптимизации, ожидается, что его скорость сходимости будет очень низкой. Метод, сочетающий в себе достоинства этих двух алгоритмов, безусловно, востребован.В качестве альтернативы алгоритм синус-косинуса [20] может быть интегрирован в этап градиентного спуска для более быстрого обновления и лучшей настройки гиперпараметров (параметров настройки). Кроме того, в текущей версии шаг шага фиксируется на постоянном значении. В будущем этот параметр будет изменен для обновления во время итераций, как в алгоритме Адама, что может повысить эффективность вычислений и избежать застревания в локальном минимальном значении.
В-третьих, метод GEE-TGDR принимает только не зависящие от времени ковариаты в своей текущей версии.Для продольных профилей экспрессии генов будет использоваться суммарная оценка, чтобы суммировать значения экспрессии каждого гена с течением времени как одно общее значение. Следовательно, ковариаты снова стали инвариантными во времени. Например, средние значения профилей экспрессии днРНК на исходном уровне и на 1-й неделе могут использоваться для представления соответствующих днРНК, а затем в качестве ковариант для исследования они связаны с баллами PASI на 1-й, 2-й и 4-й неделе или изменение PASI набирает баллы в эти временные точки по сравнению с исходными уровнями.С другой стороны, метод GEE-TGDR, безусловно, может быть расширен для обработки изменяющихся во времени ковариат, которые могут исследовать влияние динамических изменений в значениях экспрессии генов на интересующие результаты и, таким образом, способствовать своевременной корректировке стратегий лечения соответственно. Наконец, сейчас единственный тип результатов — непрерывный; тем не менее, конечно, он может быть расширен для обработки результатов других типов с соответствующей функцией квазивероятности, выступающей в качестве целевой функции.
4.2. Вклад
В этом исследовании мы предлагаем новый алгоритм выбора признаков, который способен анализировать продольные результаты и исследовать связи между профилями экспрессии генов и временными изменениями результатов. В приложении для лечения псориаза переобучение может быть возможным из-за большого расхождения в статистике MSE между всей обучающей выборкой и перекрестной проверкой. Что еще хуже, но более реалистично, переоснащение и неполное оснащение могут сопровождать друг друга, чтобы существовать в процессе выбора характеристик.Поскольку для реальных приложений истинные релевантные гены неизвестны, поэтому биологическая релевантность обычно прибегает к абстрактным представлениям о присвоении идентифицированных списков генов. Тем не менее, что касается псориаза и основного механизма иммунного лечения для борьбы с этим заболеванием, мало что было исследовано с точки зрения днРНК для сбора такой важной информации. Насколько нам известно, наша работа является одной из первых попыток раскрыть механизмы псориаза и его иммунное лечение с использованием профилей экспрессии днРНК и метода отбора признаков, специфичного для продольных данных.
После того, как ограничения метода GEE-TGDR будут устранены в ближайшем будущем, мы полагаем, что будет собрана сигнатура lncRNA, чтобы точно сказать, какие пациенты будут реагировать на конкретное лечение от тех, кто не будет, и, таким образом, облегчить индивидуальные схемы или наименее дополняющий другие молекулярные маркеры для точных стратегий лечения.
5. Выводы
В этом исследовании мы предложили новый алгоритм выбора признаков — GEE-TGDR — способный обрабатывать продольные результаты и идентифицировать соответствующие гены, связанные с временными изменениями таких результатов.
Наша будущая работа будет сосредоточена на устранении ограничений метода GEE-TGDR. Кроме того, расширение текущей процедуры для анализа других типов результатов, а не непрерывных, и более эффективная и быстрая реализация обновляющих коэффициентов находятся в верхней части этого списка.
Стоит упомянуть, что помимо работы с продольными клиническими исходами, GEE-TGDR может использоваться для вывода ассоциаций между днРНК и мРНК и, таким образом, построения сетей взаимодействия днРНК-мРНК.Например, используя хорошо известные мРНК, связанные с раком, в качестве результатов, днРНК, которые потенциально могут регулировать / нацеливать эти мРНК, можно найти с помощью метода GEE-TGDR, который также является одной из наших будущих работ. Поэтому мы ожидаем широкого применения метода GEE-TGDR в анализе данных omics.
Доступность данных
Предварительно обработанные данные об экспрессии генов (номер доступа: GSE85034) вместе с клинической информацией пациента были загружены из базы данных GEO (https: // www.ncbi.nlm.nih.gov/geo/).
Конфликт интересов
Конфликт интересов не заявлен.
Вклад авторов
ST задумал и разработал исследование. ST и CW проанализировали данные. CW и ST интерпретировали анализ данных и результаты.
