Д817Г характеристики. Стабилитрон Д817Г: характеристики, применение и особенности использования — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Что такое стабилитрон Д817Г. Каковы его основные характеристики. Где применяется стабилитрон Д817Г. Как правильно использовать данный полупроводниковый прибор. На что обратить внимание при выборе стабилитрона.

Содержание

Что представляет собой стабилитрон Д817Г

Стабилитрон Д817Г — это полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. Он относится к классу высоковольтных стабилитронов средней мощности. Основные характеристики прибора:

Номинальное напряжение стабилизации: 100 В
Мощность рассеяния: 5 Вт
Минимальное напряжение стабилизации: 90 В
Максимальное напряжение стабилизации: 110 В
Статическое сопротивление: 50 Ом
Минимальный ток стабилизации: 5 мА
Максимальный ток стабилизации: 50 мА
Рабочий диапазон температур: от -60°C до +125°C

Стабилитрон Д817Г выпускается в металлическом корпусе, что обеспечивает хороший теплоотвод. Его конструкция позволяет монтировать прибор в отверстия на печатной плате.

Принцип работы стабилитрона Д817Г

Принцип действия стабилитрона Д817Г основан на использовании участка обратной ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода в области электрического пробоя. На этом участке напряжение слабо зависит от тока, протекающего через прибор. Как это работает?

При подаче обратного напряжения, превышающего напряжение пробоя, через стабилитрон начинает протекать ток.
Увеличение обратного тока приводит лишь к незначительному росту напряжения на стабилитроне.
В результате напряжение на стабилитроне остается практически постоянным в широком диапазоне токов.

Это свойство и позволяет использовать стабилитрон Д817Г для стабилизации напряжения в электрических цепях.

Основные области применения стабилитрона Д817Г

Стабилитрон Д817Г находит широкое применение в различных электронных устройствах и схемах. Основные сферы использования данного прибора включают:

Источники питания: стабилизация выходного напряжения
Измерительная техника: создание эталонных источников напряжения
Радиоаппаратура: стабилизация напряжения в различных узлах
Промышленная электроника: обеспечение стабильного питания датчиков и исполнительных механизмов
Бытовая техника: защита от перенапряжений

Высокое напряжение стабилизации (100 В) делает Д817Г особенно востребованным в высоковольтных цепях и устройствах.

Особенности использования стабилитрона Д817Г

При применении стабилитрона Д817Г необходимо учитывать ряд важных моментов:

Правильная полярность включения: анод стабилитрона подключается к отрицательному полюсу источника питания.
Ограничение тока: необходимо использовать токоограничивающий резистор для защиты стабилитрона.
Соблюдение мощности рассеяния: нельзя превышать максимально допустимую мощность в 5 Вт.

Учет температурного коэффициента: напряжение стабилизации может незначительно меняться при изменении температуры.
Обеспечение теплоотвода: при работе на больших токах может потребоваться дополнительное охлаждение.

Соблюдение этих правил позволит максимально эффективно использовать стабилитрон Д817Г и продлить срок его службы.

Сравнение стабилитрона Д817Г с аналогами

Стабилитрон Д817Г имеет ряд аналогов с похожими характеристиками. Как он соотносится с ними?

Параметр	Д817Г	КС515А	1N5378B
Напряжение стабилизации, В	100	91	100
Мощность рассеяния, Вт	5	5	5
Допуск напряжения стабилизации, %	±10	±5	±5

Как видно, Д817Г имеет более широкий допуск напряжения стабилизации, что может быть как преимуществом, так и недостатком в зависимости от конкретного применения.

Маркировка и идентификация стабилитрона Д817Г

Правильная идентификация стабилитрона Д817Г важна для его корректного применения. На что обратить внимание?

Маркировка на корпусе: обычно присутствует обозначение Д817Г
Цветовая маркировка: может использоваться для обозначения напряжения стабилизации
Форма корпуса: металлический цилиндрический корпус
Полярность: обычно анод обозначается цветной точкой или полосой

Внимательное изучение маркировки позволит избежать ошибок при использовании стабилитрона Д817Г.

Практические советы по применению стабилитрона Д817Г

Для максимально эффективного использования стабилитрона Д817Г рекомендуется следовать ряду практических советов:

Проверяйте напряжение стабилизации перед установкой в схему — оно может отличаться от номинального в пределах допуска.

Используйте стабилитрон в паре с подходящим токоограничивающим резистором для обеспечения оптимального режима работы.
При необходимости стабилизации более высокого напряжения можно включать несколько стабилитронов Д817Г последовательно.
Для увеличения мощности и улучшения стабильности напряжения применяйте параллельное включение стабилитронов.
В критически важных узлах рекомендуется использовать схемы температурной компенсации для минимизации влияния изменений температуры на напряжение стабилизации.

Соблюдение этих рекомендаций поможет добиться наилучших результатов при работе со стабилитроном Д817Г.

Стабилитрон Д817Г

Количество драгоценных металлов в стабилитроне Д817Г согласно документации производителя. Справочник массы и наименований ценных металлов в советских стабилитронах Д817Г.

Стабилитрон Д817Г количество содержания драгоценных металлов:
Золото: 0,0003 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Согласно данным: Из Перечней МЧС.

Справочник содержания ценных металлов из другого источника:
Стабилитрон Д817Г 0,0004 0 0 0 Стабилитрон Д817Г 0,0004 0 0 0 троп. Стабилитрон Д817Г 0,0004 0 0 0 эксп.

Стабилитроны Д817Г теория

Полупроводниковый стабилитрон, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов.

Прежде всего, не следует забывать, что стабилитрон работает только в цепях постоянного тока. Напряжение на стабилитрон подают в обратной полярности, то есть на анод стабилитрона будет подан минус “-“. При таком включении стабилитрона через него протекает обратный ток (I обр) от выпрямителя. Напряжение с выхода выпрямителя может изменяться, будет изменяться и обратный ток, а напряжение на стабилитроне и на нагрузке останется неизменным, то есть стабильным. На следующем рисунке показана вольт-амперная характеристика стабилитрона.

Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона.

Особый тип стабилитронов, высоковольтные лавинные диоды («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяется для защиты электроаппаратуры от перенапряжений.

Стабилитроны Д817Г Принцип действия

Советские и импортные стабилитроны

Полупроводниковый стабилитрон — это диод, предназначенный для работы в режиме пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики. В диоде, к которому приложено обратное, или запирающее, напряжение, возможны три механизма пробоя: туннельный пробой, лавинный пробой и пробой вследствие тепловой неустойчивости — разрушительного саморазогрева токами утечки. Тепловой пробой наблюдается в выпрямительных диодах, особенно германиевых, а для кремниевых стабилитронов он не критичен. Стабилитроны проектируются и изготавливаются таким образом, что либо туннельный, либо лавинный пробой, либо оба эти явления вместе возникают задолго до того, как в кристалле диода возникнут предпосылки к тепловому пробою. Серийные стабилитроны изготавливаются из кремния, известны также перспективные разработки стабилитронов из карбида кремния и арсенида галлия.

Первую модель электрического пробоя предложил в 1933 году Кларенс Зенер, в то время работавший в Бристольском университете. Его «Теория электического пробоя в твёрдых диэлектриках» была опубликована летом 1934 года. В 1954 году Кеннет Маккей из Bell Labs установил, что предложеный Зенером туннельный механизм действует только при напряжениях пробоя до примерно 5,5 В, а при бо́льших напряжениях преобладает лавинный механизм. Напряжение пробоя стабилитрона определяется концентрациями акцепторов и доноров и профилем легирования области p-n-перехода. Чем выше концентрации примесей и чем больше их градиент в переходе, тем больше напряжённость электрического поля в области пространственного заряда при равном обратном напряжении, и тем меньше обратное напряжение, при котором возникает пробой:

Туннельный, или зенеровский, пробой возникает в полупроводнике только тогда, когда напряжённость электрического поля в p-n-переходе достигает уровня в 106 В/см. Такие уровни напряжённости возможны только в высоколегированных диодах (структурах p+-n+-типа проводимости) с напряжением пробоя не более шестикратной ширины запрещённой зоны (6 EG ≈ 6,7 В), при этом в диапазоне от 4 EG до 6 EG (4,5…6,7 В) туннельный пробой сосуществует с лавинным, а при напряжении пробоя менее 4 EG (≈4,5 В) полностью вытесняет его. С ростом температуры перехода ширина запрещённой зоны, а вместе с ней и напряжение пробоя, уменьшается: низковольтные стабилитроны с преобладанием туннельного пробоя имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения (ТКН).

В диодах с меньшими уровнями легирования, или меньшими градиентами легирующих примесей, и, как следствие, бо́льшими напряжениями пробоя наблюдается лавинный механизм пробоя. Он возникает при концентрациях примесей, примерно соответствующих напряжению пробоя в 4 EG (≈4,5 В), а при напряжениях пробоя выше 4 EG (≈7,2 В) полностью вытесняет туннельный механизм. Напряжение, при котором возникает лавинный пробой, с ростом температуры возрастает, а наибольшая величина ТКН пробоя наблюдается в низколегированных, относительно высоковольтных, переходах.

Механизм пробоя конкретного образца можно определить грубо — по напряжению стабилизации, и точно — по знаку его температурного коэффициента. В «серой зоне» (см. рисунок), в которой конкурируют оба механизма пробоя, ТКН может быть определён только опытным путём. Источники расходятся в точных оценках ширины этой зоны: С. М. Зи указывает «от 4 EG до 6 EG» (4,5…6,7 В), авторы словаря «Электроника» — «от 5 до 7 В»8, Линден Харрисон — «от 3 до 8 В»26, Ирвинг Готтлиб проводит верхнюю границу по уровню 10 В9. Низковольтные лавинные диоды (LVA) на напряжения от 4 до 10 В — исключение из правила: в них действует только лавинный механизм.

Оптимальная совокупность характеристик стабилитрона достигается в середине «серой зоны», при напряжении стабилизации около 6 В. Дело не столько в том, что благодаря взаимной компенсации ТКН туннельного и лавинного механизмов эти стабилитроны относительно термостабильны, а в том, что они имеют наименьший технологический разброс напряжения стабилизации и наименьшее, при прочих равных условиях, дифференциальное сопротивление. Наихудшая совокупность характеристик — высокий уровень шума, большой разброс напряжений стабилизации, высокое дифференциальное сопротивление — свойственна низковольтным стабилитронам на 3,3—4,7 В.

Область применения стабилитрона Д817Г

Основная область применения стабилитрона — стабилизация постоянного напряжения источников питания. В простейшей схеме линейного параметрического стабилизатора стабилитрон выступает одновременно и источником опорного напряжения, и силовым регулирующим элементом. В более сложных схемах стабилитрону отводится только функция источника опорного напряжения, а регулирующим элементом служит внешний силовой транзистор.

Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны и стабилитроны со скрытой структурой широко применяются в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения (ИОН), в том числе в наиболее требовательных к стабильности напряжения схемах измерительных аналого-цифровых преобразователей. C середины 1970-х годов и по сей день (2012 год) стабилитроны со скрытой структурой являются наиболее точными и стабильными твердотельными ИОН. Точностные показатели лабораторных эталонов напряжения на специально отобранных интегральных стабилитронах приближаются к показателям нормального элемента Вестона.

Особые импульсные лавинные стабилитроны («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяются для защиты электроаппаратуры от перенапряжений, вызываемых разрядами молний и статического электричества, а также от выбросов напряжения на индуктивных нагрузках. Такие приборы номинальной мощностью 1 Вт выдерживают импульсы тока в десятки и сотни ампер намного лучше, чем «обычные» пятидесятиваттные силовые стабилитроны. Для защиты входов электроизмерительных приборов и затворов полевых транзисторов используются обычные маломощные стабилитроны. В современных «умных» МДП-транзисторах защитные стабилитроны выполняются на одном кристалле с силовым транзистором.

Маркировка стабилитронов Д817Г

Маркировка стабилитронов

Есть информация о стабилитроне Д817Г – высылайте ее нам, мы ее разместим на этом сайте посвященному утилизации, аффинажу и переработке драгоценных и ценных металлов.

Фото Стабилитрон Д817Г:

Предназначение Стабилитрон Д817Г.

Характеристики Стабилитрон Д817Г:

Купить или продать а также цены на Стабилитрон Д817Г (стоимость, купить, продать):

Отзыв о стабилитроне Д817Г вы можете в комментариях ниже:

Стабилитроны

Стабилитрон Д817Г метал (пачка 100 шт.) 3 приёмка в Киеве (Полупроводники)

Украина
Киев
Комплектующие и материалы для электроники
Полупроводники

Цена: 500 грн.

за 1 упаковку

Компания Инструмент-метрология ([email protected]) (Киев) является зарегистрированным поставщиком на сайте BizOrg.su. Вы можете приобрести товар Стабилитрон Д817Г метал (пачка 100 шт.) “3“ приёмка, расчеты производятся в грн. Если у вас возникли проблемы при заказе товара, пожалуйста, сообщите об этом нам через форму обратной связи.

Описание товара

Диод Д817Г относится к классу «Стабилитроны большой мошности».

Стабилитроном называют полупроводниковый диод, напряжение на обратной ветви ВАХ которого в области электрического пробоя слабо зависит от значения проходящего тока. Вольт-амперная характеристика стабилитрона проведена на рис. 2. Как видно, в области пробоя напряжение на стабилитроне (Uст.) лишь незначительно изменяется при больших изменениях тока стабилизации. Такая характеристика используется для получения стабильного напряжения.

Существующие стабилитроны имеют минимальное напряжение стабилизации примерно до 3 В. Для получения меньшего напряжения стабилизации используются стабисторы. В этих приборах, в отличии от стабилитронов, используется прямая ветвь ВАХ.

Важным параметром стабилитронов и стабисторов является температурный коэффициент напряжения стабилизации ТКН=(DUст./ DT) • 100%, который показывает, на сколько процентов изменится напряжение стабилизации при изменении температуры прибора на 1°С. Этот параметр у стабилитронов с напряжением стабилизации более 6В положительный, менее 6В — отрицательный. У стабилитронов с напряжением 6В ТКН минимален. Для уменьшения ТКН разработаны так называемые температурно-компенсированные прецизионные стабилитроны. В этих приборах путем последовательного соединения двух или более p — n переходов с различными по знаку ТКН удается получить стабилитроны с ТКН не более ± 0.0005%/°С в широком диапазоне температур. Такие стабилитроны могут применяться в источниках эталонного напряжения, вместо нормальных элементов.

Новосибирский электровакуумный завод СОЮЗ (НЭВЗ) Россия, Новосибирск

Мощность рассеяния,Вт 5
Номинальное напряжение стабилизации,В 100
Статическое сопротивление Rст.,Ом 50
Способ монтажа в отверстие
Минимальное напряжение стабилизации,В 90
Максимальное напряжение стабилизации,В 110
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С 0.14
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В 6
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА 5
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА 50
Рабочая температура,С -60…125

Характеристики стабилитрона Д817Г метал (пачка 100 шт.) “3“ приёмка

— Производитель: Союзмаш
— Страна производитель: Россия
— Номинальное напряжение стабилизации,В: 100
— Мощность рассеяния,Вт: 5
— Максимальное напряжение стабилизации,В: 110
— Минимальное напряжение стабилизации,В: 90
— Статическое сопротивление Rст. ,Ом: 50

Товары, похожие на Стабилитрон Д817Г метал (пачка 100 шт.) “3“ приёмка

Вы можете оформить заказ на «Стабилитрон Д817Г метал (пачка 100 шт.) 3 приёмка» в компании «Инструмент-метрология ([email protected])» через нашу площадку BizOrg. Цена составляет 500 грн. (минимальный заказ 1 упаковка). Сейчас предложение находится в статусе «в наличии».

Плюсы «Инструмент-метрология ([email protected])»

специальное предложение по сервису и цене для пользователей торговой площадки BizOrg;
своевременное выполнение своих обязательств;
разнообразные способы оплаты.

Оставьте заявку прямо сейчас!

Часто задаваемые вопросы

Как оформить заказ?Чтобы оформить заказ на «Стабилитрон Д817Г метал (пачка 100 шт.) 3 приёмка» свяжитесь с компанией «Инструмент-метрология (elmotor2@ya. ru)» по контактным данным, которые указаны в правом верхнем углу страницы. Обязательно укажите, что нашли компанию на торговой площадке BizOrg.
Где посмотреть более подробную информацию о компании «Инструмент-метрология ([email protected])»?Для получения подробных даных о компании перейдите в правом верхнем углу страницы по ссылке-названию компании. Далее перейдите на нужную вкладку с описанием.
Предложение указано с ошибками, номер телефона не отвечает и т.п.Если у вас возникли проблемы при работе с «Инструмент-метрология ([email protected])» – сообщите идентификаторы компании (175298) и товара/услуги (3785305) в нашу службу технической поддержки.

Служебная информация

«Стабилитрон Д817Г метал (пачка 100 шт.) 3 приёмка» относится к категории: «Полупроводники».
Предложение было создано 02.09.2013, дата последнего обновления — 15.11.2013.
За все время предложение было просмотрено 343 раза.

Обращаем ваше внимание на то, что торговая площадка BizOrg. su носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой.
Заявленная компанией Инструмент-метрология ([email protected]) цена товара «Стабилитрон Д817Г метал (пачка 100 шт.) 3 приёмка» (500 грн.) может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании Инструмент-метрология ([email protected]) по указанным телефону или адресу электронной почты.

Телефоны:

+380 (68) 942-44-94

+380 (67) 287-91-30

+380 (91) 908-61-05

+380 (50) 716-10-88

Купить стабилитрон Д817Г метал (пачка 100 шт.) “3“ приёмка в Киеве:

г.Киев ул.Здолбуновская 7Д, Киев, 03040, Украина

Стабилитрон Д817Г метал (пачка 100 шт.) “3“ приёмка

Структурное понимание CpG-специфического метилирования ДНК человеческой ДНК-метилтрансферазой 3B

1. Лоу Дж.А., Якобсен С.Е.. Установление, поддержание и изменение паттернов метилирования ДНК у растений и животных. Нац. Преподобный Жене. 2010 г.; 11: 204–220. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

2. Смит З.Д., Мейснер А.. Метилирование ДНК: роль в развитии млекопитающих. Нац. Преподобный Жене. 2013; 14: 204–220. [PubMed] [Google Scholar]

3. Юрковская Р.З., Юрковский Т.П., Йелч А.. Структура и функция ДНК-метилтрансфераз млекопитающих. ХимБиоХим. 2011 г.; 12: 206–222. [PubMed] [Академия Google]

4. Лико Ф. Семейство ДНК-метилтрансфераз: универсальный набор инструментов для эпигенетической регуляции. Нац. Преподобный Жене. 2017; 19:81–92. [PubMed] [Google Scholar]

5. Окано М., Белл Д.В., Хабер Д.А., Ли Э.. ДНК-метилтрансферазы Dnmt3a и Dnmt3b необходимы для метилирования de novo и развития млекопитающих. Клетка. 1999 г.; 99: 247–257. [PubMed] [Google Scholar]

6. Чедин Ф., Либер М.Р., Хсие К.Л.. ДНК-метилтрансферазоподобный белок DNMT3L стимулирует метилирование de novo с помощью Dnmt3a. проц. Натл. акад. науч. США 2002 г. ; 99:16916–16921. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

7. Гауэр Х., Йелч А.. Молекулярная энзимология каталитических доменов ДНК-метилтрансфераз Dnmt3a и Dnmt3b. Дж. Биол. хим. 2002 г.; 277:20409–20414. [PubMed] [Google Scholar]

8. Суэтаке И., Миядзаки Дж., Мураками К., Такэсима Х., Тадзима С.. Отличительные ферментативные свойства рекомбинантных ДНК-метилтрансфераз мыши Dnmt3a и Dnmt3b. Дж. Биохим. 2003 г.; 133: 737–744. [PubMed] [Академия Google]

9. Умехара Ю., Ханаока К., Ватанабэ Д.. Различные функции ДНК-метилтрансфераз Dnmt3a и Dnmt3b de novo в пролиферации и дифференцировке ЭС клеток. Дисков стволовых клеток. 2013; 3:127–132. [Google Scholar]

10. Ли Э., Чжан Ю.. Метилирование ДНК у млекопитающих. Харб Колд Спринг. Перспектива. биол. 2014; 6: а019133. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

11. Баубек Т., Коломбо Д.Ф., Вирбелауэр К., Шмидт Дж., Бургер Л., Кребс А.Р., Акалин А., Шубелер Д.. Геномное профилирование ДНК-метилтрансфераз выявляет роль DNMT3B в генном метилировании. Природа. 2015 г.; 520: 243–247. [PubMed] [Академия Google]

12. Нери Ф., Рапелли С., Крепелова А., Инкарнато Д., Парлато К., Базиле Г., Мальдотти М., Ансельми Ф., Оливьеро С.. Внутригенное метилирование ДНК предотвращает ложную инициацию транскрипции. Природа. 2017; 543:72–77. [PubMed] [Google Scholar]

13. Моарефи А.Х., Шедин Ф.. Мутации синдрома ICF вызывают широкий спектр биохимических дефектов в DNMT3B-опосредованном метилировании ДНК de novo . Дж. Мол. биол. 2011 г.; 409: 758–772. [PubMed] [Google Scholar]

14. Хансен Р.С., Вийменга С., Луо П., Станек А.М., Кэнфилд Т.К., Вимаес С.М., Гартлер С.М.. Ген ДНК-метилтрансферазы DNMT3B мутирован при синдроме иммунодефицита ICF. проц. Натл. акад. науч. США 1999; 96:14412–14417. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

15. Джин Б., Тао К., Пэн Дж., Су Х.М., Ву В., Ин Дж., Филдс К.Р., Дельмас А.Л., Лю С., Цю Дж. и др… Мутации ДНК-метилтрансферазы 3B (DNMT3B) при синдроме ICF приводят к измененным эпигенетическим модификациям и аберрантной экспрессии генов, регулирующих развитие, нейрогенез и иммунную функцию. Гум. Мол. Жене. 2008 г.; 17: 690–709. [PubMed] [Google Scholar]

16. Ян Л., Рау Р., Гуделл М.А.. DNMT3A при гематологических злокачественных новообразованиях. Нац. Преподобный Рак. 2015 г.; 15:152–165. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

17. Кондо Т., Бобек М.П., Куик Р., Лэмб Б., Чжу Х., Нараян А., Бурчхис Д., Вьегас-Пекиньо Э., Эрлих М., Ханаш С.М.. Полногеномное сканирование метилирования при синдроме ICF: гипометилирование несателитных ДНК-повторов D4Z4 и NBL2. Гум. Мол. Жене. 2000 г.; 9: 597–604. [PubMed] [Google Scholar]

18. Уолтон Э.Л., Франкастель С., Веласко Г.. Dnmt3b предпочитает гены зародышевой линии и центромерные области: уроки синдрома ICF и рака и значение для болезней. Биология. 2014; 3: 578–605. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

19. Эмперле М., Раджавелу А., Рейнхардт Р., Юрковска Р.З., Йелч А.. Совместное связывание ДНК и образование волокон белка/ДНК увеличивает активность ДНК-метилтрансферазы Dnmt3a. Дж. Биол. хим. 2014; 289:29602–29613. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

20. Гауэр Х., Йелч А.. Ферментативные свойства рекомбинантной ДНК-метилтрансферазы Dnmt3a мыши: фермент модифицирует ДНК непроцессивным образом, а также метилирует не-CpG [коррекция не-CpA] сайтов. Дж. Мол. биол. 2001 г.; 309: 1201–1208. [PubMed] [Google Scholar]

21. Норвил А.Б., Петелл С.Дж., Алабди Л., Ву Л., Росси С., Гоуэр Х.. Dnmt3b метилирует ДНК по некооперативному механизму, и на его активность не влияют манипуляции на предсказанном димерном интерфейсе. Биохимия. 2018; 57:4312–4324. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

22. Ван Эмбург Б.О., Робертсон К.Д.. Модуляция функции Dnmt3b in vitro посредством взаимодействия со сплайс-вариантами Dnmt3L, Dnmt3a и Dnmt3b. Нуклеиновые Кислоты Res. 2011 г.; 39: 4984–5002. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

23. Винхольц Б.Л., Карета М.С., Моарефи А.Х., Гордон К.А., Джинно П.А., Чедин Ф. . DNMT3L модулирует значимое и отчетливое предпочтение фланкирующих последовательностей для метилирования ДНК с помощью DNMT3A и DNMT3B in vivo . Генетика PLoS. 2010 г.; 6:e1001106. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

24. Чжан В., Сюй Дж.. ДНК-метилтрансферазы и их роль в онкогенезе. Биомарк. Рез. 2017; 5:1. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

25. Чжан З.М., Лу Р., Ван П., Ю Ю., Чен Д., Гао Л., Лю С., Цзи Д., Ротбарт С.Б., Ван Ю. и др… Структурная основа опосредованного DNMT3A метилирования ДНК de novo . Природа. 2018; 554: 387–391. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

26. Цзя Д., Юрковска Р.З., Чжан С., Йелч А., Ченг С.. Структура Dnmt3a, связанного с Dnmt3L, предполагает модель метилирования ДНК de novo . Природа. 2007 г.; 449: 248–251. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

27. Го С., Ван Л., Ли Дж., Дин З., Сяо Дж., Инь С., Хе С., Ши П., Дун Л., Ли Г. и др… Структурное понимание аутоингибирования и индуцированной гистоном h4 активации DNMT3A. Природа. 2015 г.; 517:640–644. [PubMed] [Google Scholar]

28. Отвиновский З., Минор В.. Обработка рентгенографических данных, полученных в колебательном режиме. Методы Энзимол. 1997 год; 276: 307–326. [PubMed] [Google Scholar]

29. Бункочзи Г., Эколс Н., Маккой А.Дж., Оффнер Р.Д., Адамс П.Д., Рид Р.Дж.. Phaser.MRage: автоматическая молекулярная замена. Акта Кристаллогр. Д: биол. Кристаллогр. 2013; 69: 2276–2286. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

30. Эмсли П., Локамп Б., Скотт В.Г., Коутан К.. Особенности и развитие Coot. Акта Кристаллогр. Д: биол. Кристаллогр. 2010 г.; 66: 486–501. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

31. Шредингер, ООО 2015 г.; Система молекулярной графики PyMOL, версия 1.8.

32. Годдард Т.Д., Хуанг К.С., Мэн Э.К., Петтерсен Э.Ф., Коуч Г.С., Моррис Дж.Х., Феррин Т.Е.. UCSF ChimeraX: решение современных задач визуализации и анализа. Белковая наука. 2018; 27:14–25. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

33. Гауэр Х., Либерт К., Герман А., Сюй Г., Йелч А.. Механизм стимуляции каталитической активности ДНК-(цитозин-С5)-метилтрансфераз Dnmt3A и Dnmt3B под действием Dnmt3L. Дж. Биол. хим. 2005 г.; 280:13341–13348. [PubMed] [Google Scholar]

34. Се З.Х., Хуан Ю.Н., Чен З.Х., Риггс А.Д., Дин Дж.П., Гоухер Х., Йелч А., Сасаки Х., Хата К., Сюй Г.Л.. Мутации в ДНК-метилтрансферазе DNMT3B при синдроме ICF влияют на ее регуляцию с помощью DNMT3L. Гум. Мол. Жене. 2006 г.; 15:1375–1385. [PubMed] [Академия Google]

35. Пако Р., Сери К., Оливер Л., Валлетт Ф.М., Тост Дж., Картрон П.Ф.. DNMT3L взаимодействует с факторами транскрипции, чтобы нацелить DNMT3L/DNMT3B на определенные последовательности ДНК: роль комплекса DNMT3L/DNMT3B/p65-NFkappaB в (де-)метилировании TRAF1. Биохимия. 2014; 104:36–49. [PubMed] [Google Scholar]

36. Суэтаке И., Шинозаки Ф., Миягава Дж., Такэсима Х., Тадзима С.. DNMT3L стимулирует активность метилирования ДНК Dnmt3a и Dnmt3b посредством прямого взаимодействия. Дж. Биол. хим. 2004 г.; 279: 27816–27823. [PubMed] [Google Scholar]

37. Нери Ф., Крепелова А., Инкарнато Д., Мальдотти М., Парлато К., Гальваньи Ф., Матарезе Ф., Стунненберг Х.Г., Оливьеро С.. Dnmt3L противодействует метилированию ДНК на бивалентных промоторах и способствует метилированию ДНК на телах генов в ESCs. Клетка. 2013; 155:121–134. [PubMed] [Google Scholar]

38. Оой С.К., Цю С., Бернштейн Э., Ли К., Цзя Д., Ян З., Эрджумент-Бромаж Х., Темпст П., Лин С.П., Аллис К.Д. и другие… DNMT3L соединяет неметилированный лизин 4 гистона h4 с de novo метилирование ДНК. Природа. 2007 г.; 448: 714–717. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

39. Аранд Дж., Шпилер Д., Кариус Т., Бранко М.Р., Мейлингер Д., Мейснер А., Йенувейн Т., Сюй Г., Леонхардт Х., Вольф В. и др… In vivo контроль метилирования CpG и не-CpG ДНК ДНК-метилтрансферазами. Генетика PLoS. 2012 г.; 8:e1002750. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

40. Циллер М.Дж., Мюллер Ф., Ляо Дж., Чжан Ю., Гу Х., Бок С., Бойл П., Эпштейн С.Б., Бернштейн Б.Е., Ленгауэр Т. и др… Геномное распределение и межобразцовая вариация метилирования, отличного от CpG, в разных типах клеток человека. Генетика PLoS. 2011 г.; 7:e1002389. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

41. Хата К., Окано М., Лэй Х., Ли Э.. Dnmt3L взаимодействует с семейством Dnmt3 de novo ДНК-метилтрансфераз для установления материнских импринтов у мышей. Разработка. 2002 г.; 129:1983–1993. [PubMed] [Google Scholar]

42. Chen Z.X., Mann J.R., Hsieh C.L., Riggs A.D., Chedin F.. Физические и функциональные взаимодействия между белком DNMT3L человека и членами семейства метилтрансфераз de novo . J. Cell Biochem. 2005 г.; 95:902–917. [PubMed] [Google Scholar]

43. Се К.Л. In vivo Активность мышиных de novo метилтрансфераз, Dnmt3a и Dnmt3b. Мол. Клеточная биол. 1999 г.; 19:8211–8218. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

44. Ян Дж., Лиор-Хоффманн Л., Ван С., Чжан Ю., Бройд С.. Метилирование цитозина ДНК: структурная и термодинамическая характеристика механизма эпигенетической маркировки. Биохимия. 2013; 52:2828–2838. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

45. Чжан С., Брюс Т.С.. Механизм фермента цитозинметилтрансферазы M.HhaI DNA C5: подход квантовой механики / молекулярной механики. проц. Натл. акад. науч. США, 2006 г.; 103:6148–6153. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

46. О’Гара М., Климасаускас С., Робертс Р.Дж., Ченг С.. Ферментативное C5-цитозиновое метилирование ДНК: механистические последствия новых кристаллических структур для комплексов HhaL метилтрансфераза-ДНК-AdoHcy. Дж. Мол. биол. 1996 год; 261: 634–645. [PubMed] [Академия Google]

47. Эмперле М., Адам С., Кунерт С., Дукатц М., Бауд А., Пласс С., Ратерт П., Баштрыков П., Йелч А.. Мутации R882 изменяют предпочтения фланкирующих последовательностей ДНК-метилтрансферазы DNMT3A и паттерны клеточного метилирования. Нуклеиновые Кислоты Res. 2019; 47:11355–11367. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

48. Норвил А.Б., Аль-Абди Л., Лю Б., Форстоффер Н.Е., Мичи А.Р., Чен Т., Гоухер Х.. Вариант острого миелоидного лейкоза DNMT3A Arg882His представляет собой DNMT3B-подобный фермент. 2019; bioRxiv doi: 31 июля 2019 г., препринт: без рецензирования 10.1101/720557. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef]

49. Брейер В.А., Мэтьюз Б.В.. Структурная основа процессуальности. Белковая наука. 2001 г.; 10: 1699–1711. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

50. Хольц-Шитингер К., Райх Н.О.. Присущая процессивность человеческой de novo метилтрансферазы 3A (DNMT3A) усиливается DNMT3L. Дж. Биол. хим. 2010 г.; 285:29091–29100. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

51. Сюй Г.Л., Бестор Т.Х., Буркис Д., Хси С.Л., Томмеруп Н., Бугге М., Хультен М., Цюй С., Руссо Дж.Дж., Вьегас-Пекиньо Э.. Хромосомная нестабильность и синдром иммунодефицита, вызванные мутациями в гене ДНК-метилтрансферазы. Природа. 1999 г.; 402: 187–191. [PubMed] [Google Scholar]

52. Уэда Ю., Окано М., Уильямс С., Чен Т., Георгопулос К., Ли Э.. Роль Dnmt3b в развитии млекопитающих: мышиная модель синдрома ICF. Разработка. 2006 г.; 133: 1183–1192. [PubMed] [Академия Google]

53. Гатто С., Гальярди М., Францезе М., Лепперт С., Папа М., Каммиза М., Грилло Г., Веласко Г., Франкастель К., Тубиана С. и др… ICF-специфическая дисфункция DNMT3B препятствует внутригенной регуляции транскрипции мРНК и альтернативного сплайсинга. Нуклеиновые Кислоты Res. 2017; 45:5739–5756. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

54. Гао Дж., Ван Л., Сюй Дж., Чжэн Дж., Мань Х., У Х., Цзинь Дж., Ван К., Сяо Х., Ли С. и др… Аберрантная экспрессия ДНК-метилтрансферазы при развитии и прогрессировании аденокарциномы протоков поджелудочной железы. Дж. Эксп. клин. Рак Рез. 2013; 32:86. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

55. Ян Дж., Вэй С., Ву Ц., Сюй З., Гу Д., Цзинь Ю., Шен Ю.