Даташит на транзистор irf630. IRF630: мощный МОП-транзистор для силовой электроники

Что такое IRF630. Каковы его основные характеристики. Для чего применяется IRF630. Как выглядит цоколевка IRF630. Какие существуют аналоги IRF630.

Основные характеристики IRF630

IRF630 представляет собой мощный N-канальный полевой МОП-транзистор, разработанный для применения в силовой электронике. Вот его ключевые параметры:

• Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
• Максимальный постоянный ток стока: 9 А
• Максимальный импульсный ток стока: 36 А
• Сопротивление открытого канала: 0,4 Ом
• Максимальная рассеиваемая мощность: 74 Вт
• Корпус: TO-220

Эти характеристики делают IRF630 подходящим для широкого спектра применений, требующих управления большими токами и напряжениями.

Применение IRF630

Благодаря своим характеристикам, IRF630 находит применение во многих областях силовой электроники:

• Импульсные источники питания
• Преобразователи напряжения
• Драйверы двигателей
• Системы управления освещением
• Схемы защиты от перегрузки
• Автомобильная электроника

Способность быстро переключаться и выдерживать большие токи делает IRF630 отличным выбором для этих применений.

Цоколевка IRF630

IRF630 выпускается в корпусе TO-220 с тремя выводами. Цоколевка транзистора следующая:

1. Затвор (Gate)
2. Сток (Drain)
3. Исток (Source)

Металлическая подложка корпуса соединена с выводом стока, что позволяет эффективно отводить тепло при монтаже на радиатор.

Особенности работы с IRF630

При использовании IRF630 следует учитывать некоторые особенности:

• Необходимо обеспечить хорошее охлаждение при работе с большими токами
• Рекомендуется использовать драйвер затвора для быстрого переключения
• Следует соблюдать меры защиты от статического электричества при монтаже
• Важно не превышать максимально допустимые параметры транзистора

Правильное применение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности IRF630.

Аналоги IRF630

Существует ряд транзисторов со схожими характеристиками, которые могут заменить IRF630 в большинстве применений:

• STP19NM50N (ST Microelectronics)
• IRFP640 (Infineon)
• FQP13N50C (Fairchild)
• IXFH20N60 (IXYS)

При выборе аналога важно сравнивать все ключевые параметры, включая напряжение пробоя, максимальный ток, сопротивление открытого канала и тепловые характеристики.

Особенности применения IRF630 в импульсных источниках питания

IRF630 часто используется в импульсных источниках питания благодаря своим характеристикам. Рассмотрим некоторые особенности его применения в этой области:

• Быстрое переключение позволяет работать на высоких частотах, уменьшая размеры трансформатора и фильтров
• Низкое сопротивление открытого канала снижает потери на проводимость
• Высокое пробивное напряжение обеспечивает надежную работу в широком диапазоне входных напряжений
• Способность выдерживать большие импульсные токи важна при работе с индуктивной нагрузкой

При проектировании импульсного источника питания с IRF630 следует уделить внимание схеме управления затвором для обеспечения быстрого и эффективного переключения.

Сравнение IRF630 с современными МОП-транзисторами

Хотя IRF630 остается популярным выбором, современные МОП-транзисторы имеют ряд преимуществ:

• Меньшее сопротивление открытого канала (до 0,1 Ом и ниже)
• Более высокая плотность тока на единицу площади кристалла
• Улучшенные динамические характеристики
• Повышенная устойчивость к лавинному пробою

Однако IRF630 остается хорошим выбором для многих применений благодаря своей доступности, надежности и проверенным характеристикам.

Методы охлаждения IRF630

При работе с большими токами критически важно обеспечить эффективное охлаждение IRF630. Вот несколько методов, которые можно использовать:

• Монтаж на алюминиевый радиатор с использованием теплопроводящей пасты
• Применение принудительного воздушного охлаждения
• Использование тепловых трубок для отвода тепла
• Монтаж на многослойную печатную плату с медными полигонами для распределения тепла

Выбор метода охлаждения зависит от конкретного применения и условий эксплуатации устройства.

Какова максимальная температура канала IRF630?

Максимальная температура канала IRF630 составляет 150°C. Это критически важный параметр, который нельзя превышать при эксплуатации транзистора. Для обеспечения надежной работы и длительного срока службы рекомендуется поддерживать рабочую температуру значительно ниже этого предела, обычно не более 100-120°C.

Как рассчитать необходимый радиатор для IRF630?

Для расчета радиатора нужно знать следующие параметры:

• Максимальную рассеиваемую мощность
• Тепловое сопротивление переход-корпус
• Максимальную температуру окружающей среды
• Желаемую температуру перехода

Расчет проводится по формуле:

R(th)sa = (T(j)max — T(a)) / P — R(th)jc — R(th)cs

где R(th)sa — требуемое тепловое сопротивление радиатор-окружающая среда, T(j)max — максимальная температура перехода, T(a) — температура окружающей среды, P — рассеиваемая мощность, R(th)jc — тепловое сопротивление переход-корпус, R(th)cs — тепловое сопротивление корпус-радиатор.

Заключение

IRF630 является надежным и проверенным временем МОП-транзистором для применений в силовой электронике. Несмотря на появление более современных аналогов, он остается популярным выбором благодаря своим характеристикам, доступности и обширной базе знаний по его применению. При правильном использовании и обеспечении адекватного охлаждения, IRF630 может служить надежным компонентом во многих электронных устройствах.

Транзистор IFR630: характеристики, datasheet и цоколевка

Согласно своим техническим характеристикам, транзистор IRF630 хорошо подходит для использования в импульсных блоках питания, преобразователях тока в постоянный или переменный, стабилизаторах, системах управления двигателями и других устройствах. Это мощный, n-канальный, полевой транзистор. Они завоевали популярность благодаря сочетанию таких качеств: быстрое переключение, надёжность, низкое сопротивления в открытом состоянии и экономическая эффективность.

Распиновка

Цоколевка транзистора IRF630 выполнена в корпусе ТО-220. Маркировка наносится сверху. Если смотреть на устройство, то слева направо будут расположены: затвор, сток, исток, как это показано на рисунке.

Предельно допустимые параметры это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены. Их превышение, так же, как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке изделия. Приведём их ниже.

Характеристики IRF630

• напряжение C-И V_DS = 200 В;
• напряжение З-И V_GS = 20 В;
• ток через сток (напряжение З-И 10 В): при Т_с= +25°С – I_D = 9,0 А; при Т_с= +100°С — I_D = 5,7 А;
• пиковый ток стока I_DM = 36 А;
• к-т линейного снижения мощности 0,59 Вт/°С;
• Предельная рассеиваемая мощность (T_C = +25°С) P_D = 74 Вт;
• Максимальная температура +300°С;
• Рабочая температура (диапазон) -55°С … +150°С.

Электрические характеристики производители делят на три раздела:

• статические;
• динамические;
• канала исток-сток.

Измерения производились при температуре +25°С, если не указано иное значение. Остальные параметры, при которых производилось тестирование, указаны в отдельной колонке.

Электрические характеристики транзистора IRF630 (при Т = +25 оC)
Статические:
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Напряжение пробоя С-И	VGS= 0 В,ID= 250 мА	VDS	200			В
Температурный к-т изменения напряжения С-И	относительно 25°C, I D = 1 мА			0,24		В/°С
Пороговое напряжение З-И	VDS= VGS, ID=250 мА	VGS(th)	2		4	В
Ток утечки затвора	VGS= ± 20 В	IGSS			±100	нА
Ток стока при нулевом напряжении затвора	VDS=200 В, VGS= 0 V	IDSS			25	мкА
	VDS=160 В, VGS=0 В, TJ= 125 °C				250	мкА
Сопротивление С-И при открытом транзисторе	VGS= 10 В, ID= 5,4 A	RDS(on)			0,4	Ом
Крутизна передаточной характеристики	VDS= 50 В, ID= 5,4 A	gfs	3,8
Динамические:
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Входная емкость	VGS= 0 В, VDS= 25 В, f = 1,0 МГц	Ciss		800		пФ
Выходная емкость		Coss		240		пФ
Емкость З-И		Crss		76		пФ
Заряд на затворе открывающий транзистор	VGS = 10 В, ID= 5.9 A, VDS= 160 В	Qg			43	нКл
Заряд З-И	VGS= 10 В, ID= 5.9 A, VDS= 160 В	Qgs			7	нКл
Заряд З-С	VGS= 10 В, ID= 5.9 A, VDS= 160 В	Qgd			23	нКл
Время открытия транзистора	VDD=100 В, ID=5,9A, Rg=12Ом, RD=16Ом	td(on)	9,4			нс
Время нарастания импульса открытия		tr	28			нс
Время закрытия транзистора		td(off)	39			нс
Время спада импульса		tf	20			нс
Индуктивность стока		LD		4,5		нГн
Индуктивность истока		LS		7,5		нГн
Характеристики канала исток-сток:
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Непрерывный длительный ток через истоковый диод		IS			9	А
Максимальный импульсный ток через диод		ISM			36	А
Падение напряжения на диоде	TJ= 25 °C, IS= 9,0 A, VGS= 0 В	VSD			2	В
Время обратного восстановления	TJ= 25 °C, IF= 5,9 A, dI/dt = 100 A/мкС	trr		170	340
Заряд восстановления		Qrr		1,1	2,2

Аналоги

Перечислим полевые транзисторы, которые совпадают с IRF630 как по характеристикам, так и по типу корпуса:

• 2SK2134;
• BUZ32;
• BUZ73;
• FQP10N20;
• FQP630;
• FQP7N20.

Можно также попробовать заменить на следующие устройства, близкие по многим характеристикам, но все же имеющими небольшие отличия:

• FQP7N20;
• FQP630.

Наиболее близкие отечественные аналоги: КП630 и КП737А.

Производители и Datsheet

Среди крупных производителей IFR630 (datasheet можно скачать кликнув название компании) можно выделить: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, VISHAY, STMicroelectronics, Philips Semiconductors, Advanced Power Electronics, Nell Semiconductor, International Rectifier. Есть также и другие производители. В отечественны магазинах чаще всего встречается продукция компаний: STMicroelectronics, VISHAY и International Rectifier.

Транзистор IRF630: характеристики, цоколевка, аналоги

Перейти к содержанию

Search for:

Главная » Транзистор

IRF630 — N-полярный MOSFET транзистор. Конструктивное исполнение — ТО-220.

Содержание

1. Цоколевка, корпус
2. Применение
3. Основные характеристики
4. Модификации
5. Аналоги

Цоколевка, корпус

Применение

Транзистор используется в блоках питания, стабилизаторах, регуляторах, схемах управления электродвигателями и других электронных устройствах.

Основные характеристики

• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V.
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V.
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V.
• Максимальная мощность рассеивания (Pd): 100 W.
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A.
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C.
• Общий заряд затвора (Qg): 40 nC.
• Выходная емкость (Cd): 1500 pf.
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm.

Модификации

Тип	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Tj	Cd	Id	Qg	Rds	Корпус
IRF630	100 W	200 V	20 V	4 V	150 °C	1500 pf	10 A	40 nC	0.4 Ohm	TO220
IRF630A	72 W	200 V			150 °C	500 pf	9 A		0. 4 Ohm	TO220
IRF630B	72 W	200 V	30 V	4 V	150 °C		9 A		0.4 Ohm	TO220
IRF630FI	35 W	200 V	20 V		150 °C	1500 pf	6 A		0.4 Ohm	ISOWATT220
IRF630FP	30 W	200 V	20 V	4 V	150 °C		9 A	31 nC	0.4 Ohm	TO220FP
IRF630H	75 W	200 V	20 V	4 V	150 °C	240 pf	9 A	43 nC	0.4 Ohm	TO-263
IRF630M	75 W	200 V					9 A		0.4 Ohm	TO220
IRF630MFP	30 W	200 V	20 V		150 °C	120 pf	9 A		0.4 Ohm	TO220FP
IRF630N	82 W	200 V	20 V				9. 5 A	23.3 nC	0.3 Ohm	TO220AB
IRF630NL	82 W	200 V	20 V	4 V	175 °C		9.5 A	23.3 nC	0.3 Ohm	TO262
IRF630NLPBF	82 W	200 V	20 V	4 V	175 °C	89 pf	9.3 A	35 nC	0.3 Ohm	TO-262
IRF630NPBF	82 W	200 V	20 V	4 V	175 °C	89 pf	9.3 A	35 nC	0.3 Ohm	TO-220AB
IRF630NS	82 W	200 V	20 V	4 V	175 °C		9.5 A	23.3 nC	0.3 Ohm	D2PAK
IRF630NSPBF	82 W	200 V	20 V	4 V	175 °C	89 pf	9.3 A	35 nC	0.3 Ohm	TO-263
IRF630NSTRRPBF	82 W	200 V	20 V	4 V	175 °C	89 pf	9. 3 A	35 nC	0.3 Ohm	TO252
IRF630PBF	74 W	200 V	20 V	4 V	150 °C	240 pf	9 A	43 nC	0.4 Ohm	TO-220AB
IRF630S	74 W	200 V	20 V	4 V	150 °C		9 A	43 nC	0.4 Ohm	D2PAK
IRF630SPBF	74 W	200 V	20 V	4 V	150 °C	240 pf	9 A	43 nC	0.4 Ohm	TO-263
HIRF630F	38 W	200 V	30 V		150 °C	240 pf	9 A		0.4 Ohm	TO220FP
HIRF630	74 W	200 V	30 V		150 °C	240 pf	9 A		0.4 Ohm	TO220AB

Аналоги

Тип	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Корпус
IRF630	100 W	200 V	20 V	4 V	10 A	150 °C	40 nC		1500 pf	0,4 Ohm	TO220
STP30NF20	125 W	200 V	20 V	4 V	30 A	150 °C	38 nC	15,7 ns	320 pf	0,075 Ohm	TO220
STP19NM50N	110 W	500 V	25 V	4 V	14 A	150 °C	34 nC	16 ns	72 pf	0,25 Ohm	TO220
STP13N60M2	110 W	600 V	25 V	4 V	11 A	150 °C	17 nC	10 ns	32 pf	0,38 Ohm	TO‑220
NCE65T130	260 W	650 V	30 V	4 V	28 A	150 °C	37,5 nC	12 ns	120 pf	0,13 Ohm	TO220
IRFP640	125 W	200 V	20 V	4 V	18 A	150 °C		51 ns	430 pf	0,18 Ohm	TO220
IRFB5620	144 W	200 V	20 V		25 A		25 nC			0,0725 Ohm	TO220AB
IRFB4620	144 W	200 V	20 V		25 A		25 nC			0,0725 Ohm	TO220AB
IRFB4020	100 W	200 V	20 V		18 A		18 nC			0,1 Ohm	TO220AB
IRF644A	139 W	250 V			14 A	150 °C			1230 pf	0,28 Ohm	TO220
IRF640A	139 W	200 V			18 A	150 °C			1160 pf	0,18 Ohm	TO220
IPP60R199CP	139 W	600 V	20 V	3,5 V	16 A	150 °C	32 nC	5 ns	72 pf	0,199 Ohm	TO220
IPP600N25N3G	136 W	250 V	20 V	4 V	25 A	175 °C	22 nC	10 ns	112 pf	0,06 Ohm	TO220
IPP50R190CE	127 W	500 V	20 V	3,5 V	18,5 A	150 °C		8,5 ns	68 pf	0,19 Ohm	TO‑220
IPP410N30N	300 W	300 V	20 V	4 V	44 A	175 °C		9 ns	374 pf	0,041 Ohm	TO‑220
IPP320N20N3	136 W	200 V	20 V	4 V	34 A	175 °C	22 nC	9 ns	135 pf	0,032 Ohm	TO‑220
IPP220N25NFD	300 W	250 V	20 V	4 V	61 A	175 °C		10 ns	398 pf	0,022 Ohm	TO‑220
IPA50R199CP	139 W	500 V	20 V	3,5 V	17 A	150 °C	34 nC	14 ns	80 pf	0,199 Ohm	TO220FP
FCP13N60N	116 W	600 V	30 V	4 V	13 A	150 °C	30,4 nC			0,258 Ohm	TO220
BUZ61	150 W	400 V	20 V		12,5 A	150 °C				0,4 Ohm	TO‑220AB
BUZ30A	125 W	200 V	20 V	4 V	21 A	150 °C		70 ns	280 pf	0,13 Ohm	TO‑220
AOT42S60L	417 W	600 V	30 V	3,8 V	39 A	150 °C		53 ns	135 pf	0,099 Ohm	TO220
AOT11S60	178 W	600 V	30 V		11 A	150 °C		20 ns	37,3 pf	0,399 Ohm	TO‑220
18N20	110 W	200 V	30 V		18 A	150 °C		21,1 ns	81,2 pf	0,16 Ohm	TO251 TO252 TO220
18N40	360 W	400 V	30 V		18 A	150 °C		22 ns	280 pf	0,18 Ohm	TO‑247 TO‑220 TO‑220F1
18N50	277 W	500 V	30 V		18 A	150 °C		165 ns	330 pf	0,24 Ohm	TO‑3P TO‑263 TO‑220 TO‑230 TO‑220F1 TO‑220F2
15N40	170 W	400 V	30 V		15 A	150 °C		55 ns	210 pf	0,26 Ohm	TO‑220 TO‑220F1
15N50	170 W	500 V	30 V		15 A	150 °C		150 ns	250 pf	0,26 Ohm	TO‑220F2
12N40	192 W	400 V	30 V		12 A	150 °C		105 ns	900 pf	0,34 Ohm	TO‑220 TO‑220F1

В качестве отечественных аналогов могут подойти полевые транзисторы КП630 и КП737А.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

IRF630 MOSFET Pinout, Datasheet, Specs & Equivalents

18 августа 2021 — 0 комментариев

IRF630 МОП-транзистор
Распиновка IRF630

IRF630 — мощный полевой МОП-транзистор третьего поколения, специально разработанный для приложений, требующих высокоскоростного переключения. Этот компонент представляет собой отличное сочетание низкого сопротивления в открытом состоянии, экономичности и прочной конструкции.

IRF630 рассчитан на выдерживание напряжения нагрузки до 200 В и силы тока 9 А. Он может управлять током до 36 А в импульсном режиме в течение 300 мкс с рабочим циклом 2%. Этот силовой МОП-транзистор специально разработан для минимизации входной емкости и изменения затвора и доступен в корпусе TO-220.

 

Конфигурация выводов IRF630

Пин №	Имя контакта	Описание контакта
1	Ворота	Управление смещением MOSFET
2	Слив	Втекание тока через сток
3	Источник	Утечка тока через источник

 

Характеристики

• Чрезвычайно высокая производительность dv/dt
• Быстрое переключение
• Низкая собственная емкость
• Простота параллельного соединения
• Заряд ворот сведен к минимуму
• Требование простого привода

 

IRF630 Эквивалентные МОП-транзисторы

IRF630 можно заменить на IRFS630, IRFS631, IRF630PBF, IRF640, IRF640PBF, IRF644, IRFB17N50L.

 

Приложения

Приложение IRF630 указано ниже;

• Применение солнечной энергии
• Драйверы двигателей
• Зарядное устройство
• Телекоммуникационные приложения
• Высокоскоростные коммутационные приложения
• Управление питанием
• Портативные устройства

 

Технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный
• Максимальное приложенное напряжение от стока к истоку (VDS): 200 В
• Максимальный ток стока (длительный) ID: 9 A
• Максимальный ток стока (импульсный): 36 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 74 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии между стоком и истоком: 0,40 Ом
• напряжение затвор-исток: ±20 В
• QD заряда затвора: 43 нКл
• Динамическая надежность dv/dt: 5,8 В/нс
• Диапазон температур рабочего спая и хранения: от -55 до 150 ˚C
• Пакет: ТО-220

 

Примечание. Дополнительные технические характеристики можно найти в техническом описании IRF630 , прикрепленном внизу этой страницы.

 

МОП-транзистор IRF630 Работа с моделированием

МОП-транзистор можно включить, подав соответствующее напряжение затвора между затвором и выводом истока. Если напряжение затвора не подается должным образом, полевой МОП-транзистор останется в выключенном состоянии. Например, мы берем IRF630 в качестве МОП-транзистора и используем этот МОП-транзистор в качестве переключающего устройства для включения и выключения светодиода. Моделирование сделано в proteus.

Условие-1: когда приложенное напряжение затвора превышает 4 В, загорается светодиод. Здесь мы подаем 5 В между затвором и истоком.

Условие-2: Когда приложенное напряжение затвора меньше 4 В, светодиод остается в состоянии ВЫКЛ. В этом примере приложенное напряжение затвора составляет 3 В, а светодиод на рисунке ниже выглядит выключенным.

Метки

МОП-транзистор

Силовой МОП-транзистор

N-канальный МОП-транзистор

Силовая электроника

IRF630 Datasheet PDF — N-Ch, 200 В, 9 А, силовой МОП-транзистор

Опубликовано 1 июня 2022 г. 27 марта 2023 г. от Pinout

Это один из типов МОП-транзисторов и разновидность транзистора.

IRF630 представляет собой N-канальный МОП-транзистор с номинальным напряжением 200 В и номинальным током 9 А.
Он имеет низкое сопротивление во включенном состоянии 0,4 Ом, что позволяет ему работать с большой мощностью и снижать потери мощности.
МОП-транзистор помещен в корпус TO-220, который обеспечивает хорошее рассеивание тепла и упрощает монтаж на радиатор.

Номер детали: IRF630, IRF630FP

Функция: N-КАНАЛЬНЫЙ, 200 В, 0,35 Ом, 9 А, MESH OVERLAY MOSFET

Упаковка: TO-220, TO-220FP Тип

Производитель: STMicroelectronics

3

3 3

Изображения

3

Описание

N-канальный 200 В, 0,35 Ом, 9 А, Mesh Overlay II Power MOSFET.

Этот силовой полевой МОП-транзистор разработан с использованием процесса MESH OVERLAY, основанного на объединенной компоновке полос. Эта технология соответствует и улучшает характеристики по сравнению со стандартными деталями из различных источников.

IRF630 имеет низкое сопротивление во включенном состоянии, что означает, что он может работать с высокой мощностью и снизить потери мощности.
Корпус TO-220 обеспечивает хорошее рассеивание тепла и упрощает установку на радиатор.

Pinout

Особенности

1. Чрезвычайно высокая способность DV/DT

2. Очень низкие внутренние емкости

3. Заряд затвора минимизировал

Применение:

1. Переключение

:

1. Переключение

0002 Максимальные номинальные значения

Абсолютные максимальные номинальные значения (Ta = 25°C)

1. Напряжение сток-исток: VDSS = 200 В

2. Напряжение затвор-исток: VGSS = ± 20 В

3. Ток стока : ID = 9 A

4. Температура канала: Tch = 150 °C

5. Температура хранения: Tstg = от -65 до +150 °C

IRF630 Технический паспорт

Связанные статьи в Интернете

• ТОРПЕДО: универсальный импульсный источник питания
• Дизайн автомобильных интегральных схем способствует инновациям в области моделирования

Эта запись была размещена в STMicroelectronics с меткой MOSFET, Транзистор. Добавьте постоянную ссылку в закладки.

Избранные сообщения

• YX8018 — Драйвер солнечного светодиода — Shiningic
• LTK5128 — Микросхема усилителя звука
• 4558D — двойной операционный усилитель
• 17HS4401 – 40 мм, шаговый двигатель
• 30F124 – GT30F124, 300 В, 200 А, БТИЗ
• 78L05 — 5 В, регулятор положительного напряжения

Последние сообщения

• Техническое описание IRL540N — 100 В, 36 А, МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором
• Техническое описание BC550 — 45 В, 100 мА, транзистор NPN
• BC549 Datasheet PDF — 30 В, 100 мА, транзистор NPN

Datasheet Search Site

• DataSheet39.