Даташит транзисторов: MOSFET. Справочник. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

Содержание

Транзисторы - справочник радиолюбителя


Типы корпусов транзисторов отечественного производства

Внешний вид и размеры корпусов транзисторов, выпускаемых отечественной промышленностью. Основные типы корпусов отечественных транзисторов, применяемых в конструировании и изготовлении различной радиоэлектронной аппаратуры.

2 5916 0

Транзистор КТ829, kt829 характеристики и цоколевка (datasheet)

Технические характеристики транзисторов КТ829, kt829 с буквенными индексами А, Б, В, Г. Приведено фото транзистора КТ829, его внутренняя схема, а также схема эквивалентной замены. КТ829 - мощный кремниевый составной транзистор со структурой N-P-N.

7 12670 7

Установка режимов работы транзисторов

Для хорошей работы устройства, собранного на транзисторах, необходимо чтобы на их электроды было подано определенной величины и полярности постоянное напряжение. Примерные значения напряжений подаваемых на коллектор, базу и эмиттер для транзисторов ...

3 8221 0

Транзисторы - основные параметры и характеристики, маркировка транзисторов

В современном понимании транзистор — это полупроводниковый прибор с двумя или более р-п переходами и тремя или более выводами, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее широкое применение в радиолюбительских конструкциях находят биполярные и полевые транзисторы. У полевых транзисторов управление выходным током...

12 22823 0

Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ...ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)

Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Даташит, datasheet. Транзисторы достаточно...

3 14391 1

Основные схемы включения транзисторов

Транзистор, как полупроводниковый прибор, имеющий три электрода (эмиттер, базу, коллектор), можно включить тремя основными способами. Как известно, входной сигнал поступает на усилитель по двум проводам; выходной сигнал отводится также по двум проводам ...

1 13177 0

Транзистор КТ827 характеристики (datasheet)

Характеристики транзисторов КТ827, 2Т827 (А-В), эквивалентная схема замены транзистора КТ827, даташит.

11 15388 1

Транзистор КТ825, kt825 характеристики (datasheet)

Характеристики транзисторов КТ825, 2Т825 (А-Е), схема эквивалентной замены транзистора КТ825, даташит.

4 12415 1


Радиодетали, электронные блоки и игрушки из китая:

13003 транзистор характеристики, цоколевка, аналоги, datasheet

В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003)  транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I

C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

Режим RBSOA

В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база VBE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

В схемах с импульсными источниками питания, для уменьшения проблем связанных с запиранием транзистора в момент его выключения, чаще всего используют обратное смещение базы.

Комплементарная пара

Комплементарной пары  у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Замена и эквиваленты

Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.

И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.

Производители

Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.

Цифровые микросхемы транзисторы.

Микросхемы ТТЛ (74...).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5...2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема
0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

Маркировка радиодеталей, Коды SMD FQ, FQ**. Даташиты 2SA1037, 2SA1037AK, 2SA1576A, 2SA1576UB, 2SA1774, 2SA1774EB, 2SA2029, BD4934FVE, BD4934G, MAX6314US31D4-T, PZU20B1.

Главная
Автомагнитолы
DVD
Материнские платы
Мобильные телефоны
Мониторы
Ноутбуки
Принтеры
Планшеты
Телевизоры
Даташиты
Маркировка SMD
Форум
  1. Главная
  2. Маркировка SMD
  3. FQ
Код SMDКорпусНаименованиеПроизводительОписаниеДаташит
FQ SOT-23 2SA1037BL Galaxy ElectricalPNP транзистор
FQ SOT-23 2SA1037TIPPNP транзистор
FQ SOT-346 2SA1037AKROHMPNP транзистор
FQ SOT-23 2SA1037AKTIPPNP транзистор
FQ SOT-323 2SA1576AROHMPNP транзистор
FQ SOT-323 2SA1576ABL Galaxy ElectricalPNP транзистор
FQ UMT3F 2SA1576UBROHMPNP транзистор
FQ SOT-523 2SA1774ROHMPNP транзистор
FQ SOT-523 2SA1774BL Galaxy ElectricalPNP транзистор
FQ SOT-523 2SA1774TIPPNP транзистор
FQ SOT-490 2SA1774EBROHMPNP транзистор
FQ VMT3 2SA2029ROHMPNP транзистор
FQ SOT-553 BD4934FVEROHMДетектор напряжения
FQ SOT-25 BD4934GROHMДетектор напряжения
FQ SOD-323F PZU20B1NXPСтабилитрон
FQ** SOT-143 MAX6314US31D4-TMaximЦепь сброса микропроцессора

SMD КОДИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ

Обозначение на корпусе

Тип транзистора

"15" на корпусе SOT-23

MMBT3960 (Datasheet "Motorola")

"1A" на корпусе SOT-23

BC846A (Datasheet "Taitron")

"1B" на корпусе SOT-23

BC846B (Datasheet "Taitron")

"1C" на корпусе SOT-23

MMBTA20LT (Datasheet "Motorola")

"1D" на корпусе SOT-23

BC846 (Datasheet "NXP")

"1E" на корпусе SOT-23

BC847A (Datasheet "Taitron")

"1F" на корпусе SOT-23

BC847B (Datasheet "Taitron")

"1G" на корпусе SOT-23

BC847C (Datasheet "Taitron")

"1H" на корпусе SOT-23

BC847 (Datasheet "NXP")

"1N" на корпусе SOT-416

BC847T (Datasheet "NXP")

"1J" на корпусе SOT-23

BC848A (Datasheet "Taitron")

"1K" на корпусе SOT-23

BC848B (Datasheet "Taitron")

"1L" на корпусе SOT-23

BC848C (Datasheet "Taitron")

"1M" на корпусе SOT-416

BC846T (Datasheet "NXP")

"1M" на корпусе SOT-323

BC848W (Datasheet "NXP")

"1M" на корпусе SOT-23

MMBTA13 (Datasheet "Motorola")

"1N" на корпусе SOT-23

MMBTA414 (Datasheet "Motorola")

"1V" на корпусе SOT-23

MMBT6427 (Datasheet "Motorola")

"1P" на корпусе SOT-23

FMMT2222A,KST2222A,MMBT2222A.

"1T" на корпусе SOT-23

MMBT3960A (Datasheet "Motorola")

"1Y" на корпусе SOT-23

MMBT3903 (Datasheet "Samsung")

"2A" на корпусе SOT-23

FMMBT3906,KST3906,MMBT3906

"2B" на корпусе SOT-23

BC849B (Datasheet "G.S.")

"2C" на корпусе SOT-23

BC849C (Datasheet "G.S.")

"2E" на корпусе SOT-23

FMMTA93, KST93

"2F" на корпусе SOT-23

FMMT2907A,KST2907A,MMBT2907AT

"2G" на корпусе SOT-23

FMMTA56,KST56

"2H" на корпусе SOT-23

MMBTA55(Datasheet "Taitron")

"2J" на корпусе SOT-23

MMBT3640(Datasheet "Fairchild")

"2K" на корпусе SOT-23

FMMT4402(Datasheet "Zetex")

"2M" на корпусе SOT-23

MMBT404(Datasheet "Motorola")

"2N" на корпусе SOT-23

MMBT404A(Datasheet "Motorola")

"2T" на корпусе SOT-23

KST4403,MMBT4403

"2V" на корпусе SOT-23

MMBTA64(Datasheet "Motorola")

"2U" на корпусе SOT-23

MMBTA63(Datasheet "Motorola")

"2X" на корпусе SOT-23

MMBT4401,KST4401

"3A" на корпусе SOT-23

MMBTh34(Datasheet "Motorola")

"3B" на корпусе SOT-23

MMBT918(Datasheet "Motorola")

"3D" на корпусе SOT-23

MMBTH81(Datasheet "Motorola")

"3E" на корпусе SOT-23

MMBTh20(Datasheet "Motorola")

"3F" на корпусе SOT-23

MMBT6543(Datasheet "Motorola")

"3J-" на корпусе SOT-143B

BCV62A(Datasheet "NXP")

"3K-" на корпусе SOT-23

BC858B(Datasheet "NXP")

"3L-" на корпусе SOT-143B

BCV62C(Datasheet "NXP")

"3S" на корпусе SOT-23

MMBT5551(Datasheet "Fairchild")

"4As" на корпусе SOT-23

BC859A(Datasheet "Siemens")

"4Bs" на корпусе SOT-23

BC859B(Datasheet "Siemens")

"4Cs" на корпусе SOT-23

BC859C(Datasheet "Siemens")

"4J" на корпусе SOT-23

FMMT38A(Datasheet "Zetex S.")

"449" на корпусе SOT-23

FMMT449(Datasheet "Diodes Inc.")

"489" на корпусе SOT-23

FMMT489(Datasheet "Diodes Inc.")

"491" на корпусе SOT-23

FMMT491(Datasheet "Diodes Inc.")

"493" на корпусе SOT-23

FMMT493(Datasheet "Diodes Inc.")

"5A" на корпусе SOT-23

BC807-16(Datasheet "General Sem.")

"5B" на корпусе SOT-23

BC807-25(Datasheet "General Sem.")

"5C" на корпусе SOT-23

BC807-40(Datasheet "General Sem.")

"5E" на корпусе SOT-23

BC808-16(Datasheet "General Sem.")

"5F" на корпусе SOT-23

BC808-25(Datasheet "General Sem.")

"5G" на корпусе SOT-23

BC808-40(Datasheet "General Sem.")

"5J" на корпусе SOT-23

FMMT38B(Datasheet "Zetex S.")

"549" на корпусе SOT-23

FMMT549(Datasheet "Fairchild")

"589" на корпусе SOT-23

FMMT589(Datasheet "Fairchild")

"591" на корпусе SOT-23

FMMT591(Datasheet "Fairchild")

"593" на корпусе SOT-23

FMMT593(Datasheet "Fairchild")

"6A-","6Ap","6At" на корпусе SOT-23

BC817-16(Datasheet "NXP")

"6B-","6Bp","6Bt" на корпусе SOT-23

BC817-25(Datasheet "NXP")

"6C-","6Cp","6Ct" на корпусе SOT-23

BC817-40(Datasheet "NXP")

"6E-","6Et","6Et" на корпусе SOT-23

BC818-16(Datasheet "NXP")

"6F-","6Ft","6Ft" на корпусе SOT-23

BC818-25(Datasheet "NXP")

"6G-","6Gt","6Gt" на корпусе SOT-23

BC818-40(Datasheet "NXP")

"7J" на корпусе SOT-23

FMMT38C(Datasheet "Zetex S.")

"9EA" на корпусе SOT-23

BC860A(Datasheet "Fairchild")

"9EB" на корпусе SOT-23

BC860B(Datasheet "Fairchild")

"9EC" на корпусе SOT-23

BC860C(Datasheet "Fairchild")

"AA" на корпусе SOT-523F

2N7002T(Datasheet "Fairchild")

"AA" на корпусе SOT-23

BCW60A(Datasheet "Diotec Sem.")

"AB" на корпусе SOT-23

BCW60B(Datasheet "Diotec Sem.")

"AC" на корпусе SOT-23

BCW60C(Datasheet "Diotec Sem.")

"AD" на корпусе SOT-23

BCW60D(Datasheet "Diotec Sem.")

"AE" на корпусе SOT-89

BCX52(Datasheet "NXP")

"AG" на корпусе SOT-23

BCX70G(Datasheet "Central Sem.Corp.")

"AH" на корпусе SOT-23

BCX70H(Datasheet "Central Sem.Corp.")

"AJ" на корпусе SOT-23

BCX70J(Datasheet "Central Sem.Corp.")

"AK" на корпусе SOT-23

BCX70K(Datasheet "Central Sem.Corp.")

"AL" на корпусе SOT-89

BCX53-16(Datasheet "Zetex")

"AM" на корпусе SOT-89

BCX52-16(Datasheet "Zetex")

"AS1" на корпусе SOT-89

BST50(Datasheet "Philips")

"B2" на корпусе SOT-23

BSV52(Datasheet "Diotec Sem.")

"BA" на корпусе SOT-23

BCW61A(Datasheet "Fairchild")

"BA" на корпусе SOT-23

2SA1015LT1(Datasheet "Tip")

"BA" на корпусе SOT-23

2SA1015(Datasheet "BL Galaxy El.")

"BB" на корпусе SOT-23

BCW61B(Datasheet "Fairchild")

"BC" на корпусе SOT-23

BCW61C(Datasheet "Fairchild")

"BD" на корпусе SOT-23

BCW61D(Datasheet "Fairchild")

"BE" на корпусе SOT-89

BCX55(Datasheet " BL Galaxy El.")

"BG" на корпусе SOT-89

BCX55-10(Datasheet " BL Galaxy El.")

"BH" на корпусе SOT-89

BCX56(Datasheet " BL Galaxy El.")

"BJ" на корпусе SOT-23

BCX71J(Datasheet "Diotec Sem.")

"BK" на корпусе SOT-23

BCX71K(Datasheet "Diotec Sem.")

"BH" на корпусе SOT-23

BCX71H(Datasheet "Diotec Sem.")

"BG" на корпусе SOT-23

BCX71G(Datasheet "Diotec Sem.")

"BR2" на корпусе SOT-89

BSR31(Datasheet "Zetex")

"C1" на корпусе SOT-23

BCW29(Datasheet "Diotec Sem.")

"C2" на корпусе SOT-23

BCW30(Datasheet "Diotec Sem.")

"C5" на корпусе SOT-23

MMBA811C5(Datasheet "Samsung Sem.")

"C6" на корпусе SOT-23

MMBA811C6(Datasheet "Samsung Sem.")

"C7" на корпусе SOT-23

BCF29(Datasheet "Diotec Sem.")

"C8" на корпусе SOT-23

BCF30(Datasheet "Diotec Sem.")

"CEs" на корпусе SOT-23

BSS79B(Datasheet "Siemens")

"CEC" на корпусе SOT-89

BC869(Datasheet "Philips")

"CFs" на корпусе SOT-23

BSS79C(Datasheet "Siemens")

"CHs" на корпусе SOT-23

BSS80B(Datasheet "Infenion")

"CJs" на корпусе SOT-23

BSS80C(Datasheet "Infenion")

"CMs" на корпусе SOT-23

BSS82C(Datasheet "Infenion")

"CLs" на корпусе SOT-23

BSS82B(Datasheet "Infenion")

"D1" на корпусе SOT-23

BCW31(Datasheet "KEC")

"D2" на корпусе SOT-23

BCW32(Datasheet "KEC")

"D3" на корпусе SOT-23

BCW33(Datasheet "KEC")

D6" на корпусе SOT-23

MMBC1622D6(Datasheet "Samsung Sem.")

"D7t","D7p" на корпусе SOT-23

BCF32(Datasheet "NXP Sem.")

"D7" на корпусе SOT-23

BCF32(Datasheet "Diotec Sem.")

"D8" на корпусе SOT-23

BCF33(Datasheet "Diotec Sem.")

"DA" на корпусе SOT-23

BCW67A(Datasheet "Central Sem. Corp.")

"DB" на корпусе SOT-23

BCW67B(Datasheet "Central Sem. Corp.")

"DC" на корпусе SOT-23

BCW67C(Datasheet "Central Sem. Corp.")

"DF" на корпусе SOT-23

BCW67F(Datasheet "Central Sem. Corp.")

"DG" на корпусе SOT-23

BCW67G(Datasheet "Central Sem. Corp.")

"DH" на корпусе SOT-23

BCW67H(Datasheet "Central Sem. Corp.")

"E2p" на корпусе SOT-23

BFS17A(Datasheet "Philips")

"EA" на корпусе SOT-23

BCW65A(Datasheet "Central Sem. Corp.")

"EB" на корпусе SOT-23

BCW65B(Datasheet "Central Sem. Corp.")

"EC" на корпусе SOT-23

BCW65C(Datasheet "Central Sem. Corp.")

"EF" на корпусе SOT-23

BCW65F(Datasheet "Central Sem. Corp.")

"EG" на корпусе SOT-23

BCW65G(Datasheet "Central Sem. Corp.")

"EH" на корпусе SOT-23

BCW65H(Datasheet "Central Sem. Corp.")

"F1" на корпусе SOT-23

MMBC1009F1(Datasheet "Samsung Sem.")

"F3" на корпусе SOT-23

MMBC1009F3(Datasheet "Samsung Sem.")

"FA" на корпусе SOT-89

BFQ17(Datasheet "Philips")

"FDp","FDt","FDW" на корпусе SOT-23

BCV26(Datasheet "Philips(NXP)")

"FEp","FEt","FEW" на корпусе SOT-23

BCV46(Datasheet "Philips(NXP)")

"FFp","FFt","FFW" на корпусе SOT-23

BCV27(Datasheet "Philips(NXP)")

"FGp","FGt","FGW" на SOT-23

BCV47(Datasheet "Philips(NXP)")

"GFs" на корпусе SOT-23

BFR92P(Datasheet "Infenion")

"h2p","h2t","h2W" на корпусе SOT-23

BCV69(Datasheet "Philips(NXP)")

"h3p","h3t","h3W" на корпусе SOT-23

BCV70(Datasheet "Philips(NXP)")

"h4p","h4t" на корпусе SOT-23

BCV89(Datasheet "Philips(NXP)")

"H7p" на корпусе SOT-23

BCF70

"K1" на корпусе SOT-23

BCW71(Datasheet "Samsung Sem.")

"K2" на корпусе SOT-23

BCW72(Datasheet "Samsung Sem.")

"K3p" на корпусе SOT-23

BCW81(Datasheet "Philips(NXP)")

"K1p","K1t" на корпусе SOT-23

BCW71(Datasheet "Philips(NXP)")

"K2p","K2t" на корпусе SOT-23

BCW72(Datasheet "Philips(NXP)")

"K7p","K7t" на корпусе SOT-23

BCV71(Datasheet "Philips(NXP)")

"K8p","K8t" на корпусе SOT-23

BCV72(Datasheet "Philips(NXP)")

"K9p" на корпусе SOT-23

BCF81(Datasheet " Guangdong Kexin Ind.Co.Ltd")

"L1" на корпусе SOT-23

BSS65

"L2" на корпусе SOT-23

BSS69(Datasheet "Zetex Sem.")

"L3" на корпусе SOT-23

BSS70(Datasheet "Zetex Sem.")

"L4" на корпусе SOT-23

2SC1623L4(Datasheet "BL Galaxy El.")

"L5" на корпусе SOT-23

BSS65R

"L6" на корпусе SOT-23

BSS69R(Datasheet "Zetex Sem.")

"L7" на корпусе SOT-23

BSS70R(Datasheet "Zetex Sem.")

"M3" на корпусе SOT-23

MMBA812M3(Datasheet "Samsung Sem.")

"M4" на корпусе SOT-23

MMBA812M4(Datasheet "Samsung Sem.")

"M5" на корпусе SOT-23

MMBA812M5(Datasheet "Samsung Sem.")

"M6" на корпусе SOT-23

MMBA812M6(Datasheet "Samsung Sem.")

"M6P" на корпусе SOT-23

BSR58(Datasheet "Philips(NXP)")

"M7" на корпусе SOT-23

MMBA812M7(Datasheet "Samsung Sem.")

"P1" на корпусе SOT-23

BFR92(Datasheet "Vishay Telefunken")

"P2" на корпусе SOT-23

BFR92A(Datasheet "Vishay Telefunken")

"P4" на корпусе SOT-23

BFR92R(Datasheet "Vishay Telefunken")

"P5" на корпусе SOT-23

FMMT2369A(Datasheet "Zetex Sem.")

"Q2" на корпусе SOT-23

MMBC1321Q2(Datasheet "Motorola Sc.")

"Q3" на корпусе SOT-23

MMBC1321Q3(Datasheet "Motorola Sc.")

"Q4" на корпусе SOT-23

MMBC1321Q4(Datasheet "Motorola Sc.")

"Q5" на корпусе SOT-23

MMBC1321Q5(Datasheet "Motorola Sc.")

"R1p" на корпусе SOT-23

BFR93(Datasheet "Philips(NXP)")

"R2p" на корпусе SOT-23

BFR93A(Datasheet "Philips(NXP)")

"s1A" на корпусах SOT-23,SOT-363

SMBT3904(Datasheet "Infineon")

"s1D" на корпусе SOT-23

SMBTA42(Datasheet "Infineon")

"S2" на корпусе SOT-23

MMBA813S2(Datasheet "Motorola Sc.")

"s2A" на корпусе SOT-23

SMBT3906(Datasheet "Infineon")

"s2D" на корпусе SOT-23

SMBTA92(Datasheet "Siemens Sem.")

"s2F" на корпусе SOT-23

SMBT2907A(Datasheet "Infineon")

"S3" на корпусе SOT-23

MMBA813S3(Datasheet "Motorola Sc.")

"S4" на корпусе SOT-23

MMBA813S4(Datasheet "Motorola Sc.")

"T1"на корпусе SOT-23

BCX17(Datasheet "Philips(NXP)")

"T2"на корпусе SOT-23

BCX18(Datasheet "Philips(NXP)")

"T7"на корпусе SOT-23

BSR15(Datasheet "Diotec Sem.")

"T8"на корпусе SOT-23

BSR16 (Datasheet "Diotec Sem.")

"U1p","U1t","U1W"на корпусе SOT-23

BCX19 (Datasheet "Philips(NXP)")

"U2"на корпусе SOT-23

BCX20 (Datasheet "Diotec Sem.")

"U7p","U7t","U7W"на корпусе SOT-23

BSR13 (Datasheet "Philips(NXP)")

"U8p","U8t","U8W"на корпусе SOT-23

BSR14 (Datasheet "Philips(NXP)")

"U92" на корпусе SOT-23

BSR17A (Datasheet "Philips")

"Z2V" на корпусе SOT-23

FMMTA64 (Datasheet "Zetex Sem.")

"ZD" на корпусе SOT-23

MMBT4125 (Datasheet "Samsung Sem.")

Базовая схема дифференциальной пары на MOSFET транзисторах

Добавлено 30 января 2020 в 19:34

Сохранить или поделиться

В данной статье мы рассмотрим наиболее простую версию этой базовой схемы усилителя, применяемой в интегральных микросхемах.

Вспомогательная информация

Дифференциальный или несимметричный?

В начале изучения активных цепей обычно значительное время уделяется стандартным несимметричным схемам усилителей (например, с общим истоком, общим затвором, эмиттерный повторитель и пр.). Они, безусловно, заслуживают внимания в контексте знакомства с работой транзисторов, анализом в режиме малого сигнала и характеристиками усилителей. Но практическая ценность схем несимметричных усилителей – это совсем другая история. Дело в том, что в современных аналоговых микросхемах преобладают дифференциальные усилители. Для этого есть несколько причин:

  • Дифференциальные усилители применяют усиление не к одному входному сигналу, а к разности между двумя входными сигналами. Это означает, что дифференциальный усилитель естественным образом устраняет шум и помехи, присутствующие в обоих входных сигналах.
  • Дифференциальное усиление также подавляет синфазные сигналы – иными словами, смещение по постоянному напряжению, присутствующее на обоих входных сигналах, будет удалено, а усиление будет применено только к сигналу, представляющему интерес (при условии, конечно, что сигнал, представляющий интерес не представлен в обоих входах). Это особенно полезно в контексте проектирования микросхем, поскольку устраняет необходимость в громоздких конденсаторах, служащих для развязки по постоянному току.
  • Вычитание, которое происходит в дифференциальной паре, облегчает включение схемы в усилитель с отрицательной обратной связью, и если вы читали серию статей про отрицательную обратную связь, вы знаете, что отрицательная обратная связь – это лучшее, что могло бы случиться со схемой усилителя.

Разумно ожидать, что эти преимущества будут сопровождаться существенными недостатками, но технология производства микросхем сделала схему дифференциальной пары почти идеальной. Но есть две проблемы: 1) большее количество компонентов и 2) важность симметричности характеристик компонентов. О первой проблеме вы можете забыть, потому что стоимость добавления в микросхему еще нескольких транзисторов незначительна. Что касается второй проблемы, оказывается, что технология производства микросхем очень преуспела в достижении повторяемости характеристик компонентов внутри чипа (эта повторяемость приводит к «согласованию» характеристик).

В данной статье мы рассмотрим базовую схему дифференциального усилителя на MOSFET транзисторах с помощью обсуждения общей идеи и моделирования (то есть, не слишком много математики или сложного анализа схемы). Поскольку эта тема имеет отношение в первую очередь к реализации микросхем, мы будем использовать модель NMOS транзистора, которая специфична для технологии CMOS 0,35 мкм.

Пара MOSFET транзисторов

Принципиальная схема:

Рисунок 1 – Дифференциальная пара на MOSFET транзисторах

Обратите внимание на следующее:

  • В реальной жизни условное обозначение источника тока может быть заменено схемой, которая генерирует стабилизированный ток (для дополнительной информации смотрите статью «Базовая схема источника стабилизированного тока на MOSFET транзисторах»). Однако мы хотим, чтобы в этом вводном анализе всё оставалось простым и понятным, и поэтому в наших моделированиях вместо схемы стабилизации тока мы будем использовать идеальный источник тока.
  • В реальной реализации этой схемы в микросхеме резисторы были бы заменены токовым зеркалом, действующим как «активная нагрузка». Однако, если наша цель – понять работу дифференциальной пары, я думаю, мы должны начать с версии с резисторами.
  • Дифференциальная пара полностью сосредоточена на балансе. Таким образом, для оптимальной производительности резисторы и MOSFET транзисторы должны быть подобраны для совпадения характеристик. Это означает, что размеры канала обоих полевых транзисторов должны быть одинаковыми, а R1 должен быть равен R2. Значение сопротивления, выбранное для двух резисторов, будет упоминаться как Rс (т.е. сопротивление стока).

Анализ по постоянному току

Давайте определим условия смещения этой цепи, когда оба входа соединены с землей.

Рисунок 2 – Анализ по постоянному току

Сумма двух токов стока Iс1 и Iс2 должна равняться Iсмещ. Мы также знаем, что два тока стока равны, потому что в этом идеализированном анализе обе половины схемы идентичны. Таким образом,

\[I_{с1}=I_{с2}=\frac{I_{смещ}}{2}\]

Давайте предположим, что транзисторы находятся в состоянии насыщения. Формула для тока стока в режиме насыщения имеет следующий вид:

\[I_{сток}=\frac{1}{2}\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}(V_{зи}-V_{порог})^2\]

(В этой статье мы будем игнорировать модуляцию длины канала.) Ток стока уже установлен (источником тока), а затворы привязаны к узлу земли; это означает, что напряжение истока будет устанавливаться в любое значение, создающее напряжение затвор-исток (Vзи), соответствующее току стока Iсмещ/2. Посмотрим на результаты моделирования. С выходными напряжениями проще: рассчитайте падение напряжения на резисторе как (Iсмещ/2) × Rс, затем вычтите это падение напряжения из напряжения положительного источника питания. Вот пример:

Рисунок 3 – Анализ по постоянному току в LTspice

Выходные напряжения соответствуют ожидаемым. Напряжение истока кажется подходящим, учитывая, что пороговое напряжение (Vпорог) для этой модели SPICE составляет около 0,5 В; Моделирование говорит нам, что Vзи, соответствующее току стока 250 мкА, составляет около 0 В – (–725 мВ) = 725 мВ, что примерно на 225 мВ выше Vпорог.

Давайте вернемся к нашему предположению о насыщении транзисторов (так называемый «активный режим»). Усилитель на MOSFET транзисторе должен оставаться в области насыщения на своей передаточной характеристике, потому что в области насыщения коэффициент усиления выше и более стабилен по сравнению с триодной областью. Для обеспечения насыщения напряжение стока всегда должно быть выше, чем напряжение затвора минус пороговое напряжение:

\[V_{си}\geq V_{зи}-V_{порог}\ \ \Rightarrow \ \ V_{зс}\leq V_{порог}\]

В этом примере напряжение стока (также называемое Vвых) установлено на уровне 2,05 В. Это означает, что у нас есть ограничение по Vвх: синфазное входное напряжение не может превышать 2,05 В + 0,5 В = 2,55 В, поскольку при достижении входного напряжения уровня на Vпорог вольт выше напряжения стока MOSFET транзистор входит в триодную область.

Подавление синфазных сигналов

Давайте проведем быстрое моделирование, чтобы доказать себе, что дифференциальная пара не будет усиливать синфазные напряжения. Вот схема:

Рисунок 4 – Анализ подавления синфазных сигналов в LTspice

Как вы можете видеть, даже при 1 вольте синфазного входного напряжения выходное напряжение по-прежнему находится на уровне напряжения смещения = 2,05 В. Простое объяснение этого режима подавления синфазных сигналов заключается в следующем: величина выходного напряжения регулируется током стока, а не входным напряжением. Пока два входных напряжения одинаковы, фиксированный ток смещения равномерно распределяется между двумя транзисторами, и, таким образом, Vвых1 и Vвых2 не изменяются.

Также обратите внимание, что напряжение затвор-исток примерно такое же (поскольку ток стока не изменился), хотя напряжение истока увеличилось, чтобы компенсировать тот факт, что на затворе теперь напряжение 1 В вместо уровня земли.

Дифференциальное усиление

Вы можете понять дифференциальную работу данной схемы, если вспомните следующее:

  • Iс1 + Iс2 = Iсмещ
  • Vи1 = Vи2

Если напряжение на затворе Q1 выше, чем напряжение на затворе Q2, Vзи1 также должно быть выше, чем Vзи2, поскольку оба транзистора имеют одинаковый потенциал на выводе истока. Более высокое напряжение затвор-исток означает больший ток стока, но сумма токов стока остается неизменной – таким образом, Iс1 увеличивается, а Iс2 уменьшается, и это вызывает соответствующее уменьшение Vвых1 и соответствующее увеличение Vвых2. Например:

Рисунок 5 – Анализ дифференциального усиления в LTspice

Мы закончим этот вводный анализ, промоделировав отклик схемы на малый дифференциальный сигнал и сравнив коэффициент усиления, полученный при моделировании, с теоретическим коэффициентом усиления. Давайте вернем синфазное напряжение обратно на уровень 0 В и затем подадим на затвор Q1 синусоидальный сигнал 1 мВ:

Рисунок 6 – Анализ дифференциального усиления в режиме малых сигналов в LTspice

Мы определим выходное напряжение как разницу, Vвых1 – Vвых2; это удваивает коэффициент усиления относительно использования отдельно Vвых1 или Vвых2, а также устраняет смещение по постоянному напряжению, связанное с напряжениями смещения.2}\times\left(\frac{35\ мкм}{0.35\ мкм}\right)\times500\ мкА}=0.00182\ \frac{А}{В}\]

Всё:

\[A_{дифф}=0.00182\ \frac{А}{В}\times5\ кОм=9.1\]

Расчетное значение = 9,1, промоделированное значение = 10: я бы сказал, что это довольно близко.

Заключение

Базовая схема дифференциальной пары на MOSFET транзисторах важна для всех, кто хочет углубиться в проектирование аналоговых микросхем. Мы можем рассказать об этой схеме гораздо больше, но пока оставим всё, как есть. В следующей статье мы рассмотрим увеличение производительности, которое может быть достигнуто при использовании активной нагрузки вместо резисторов стока.

Оригинал статьи:

Теги

LTspiceMOSFET / МОП транзисторSPICESPICE модельДифференциальная параДифференциальный усилительМоделированиеПолевой транзистор

Сохранить или поделиться

Как проверить полевой транзистор мультиметром


В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором.

Англоязычное обозначение таких транзисторов – MOSFET, что означает «управляемый полем металло-оксидный полупроводниковый транзистор». В отечественной литературе эти приборы часто называют МДП или МОП транзисторами. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.

Особенности конструкции, хранения и монтажа

Транзистор n-канального типа состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, получаемых путем добавления в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями. К n-областям подсоединяются выводы (исток и сток). Под действием источника питания из истока в сток по транзистору может протекать ток. Величиной этого тока управляет изолированный затвор прибора.

При работе с полевыми транзисторами необходимо учитывать их чувствительность к воздействию электрического поля. Поэтому хранить их надо с закороченными фольгой выводами, а перед пайкой необходимо закоротить выводы проволочкой. Паять полевые транзисторы надо с использованием паяльной станции, которая обеспечивает защиту от статического электричества.

Прежде, чем начать проверку исправности полевого транзистора, необходимо определить его цоколевку. Часто на импортном приборе наносятся метки, определяющие соответствующие выводы транзистора. Буквой G обозначается затвор прибора, буквой S – исток, а буквой D- сток.
При отсутствии цоколевки на приборе необходимо посмотреть ее в документации на данный прибор.

Схема проверки полевого транзистора n-канального типа мультиметром

Перед тем, как проверить исправность полевого транзистора, необходимо учитывать, что в современных радиодеталях типа MOSFET между стоком и истоком есть дополнительный диод. Этот элемент обычно присутствует на схеме прибора. Его полярность зависит от типа транзистора.

Порядок проверки исправности n-канального транзистора мультиметром следующий:

  1. Снять статическое электричество с транзистора.
  2. Перевести мультиметр в режим проверки диодов.
  3. Подключить черный провод мультиметра к минусу измерительного прибора, а красный – к плюсу.
  4. Подключить красный провод к истоку, а черный – к стоку транзистора. Если транзистор исправен, то мультиметр покажет напряжение на переходе 0,5 — 0,7 В.
  5. Подключить красный провод мультиметра к стоку, а черный – к истоку транзистора. При исправном приборе мультиметр покажет единицу, что означает бесконечность.
  6. Подключить черный провод к истоку, а красный – к затвору. Таким образом, осуществляется открытие транзистора.
  7. Черный провод оставляется на истоке, а красный подсоединяется к стоку. При исправном приборе мультиметр покажет напряжение от 0 до 800 мВ.
  8. При смене полярности щупов мультиметра величина показаний не должна измениться.
  9. Подключить красный провод к истоку, а черный – к затвору. Произойдет закрытие транзистора.
  10. При этом транзистор возвратиться в состояние, соответствующее п.п.4 и 5.

По проделанным измерениям можно сделать вывод, что если полевой транзистор открывается и закрывается с помощью постоянного напряжения с мультиметра, то он исправен.

Полевой транзистор имеет большую входную емкость, которая разряжается довольно долго.
Это используется при проверке транзистора, когда вначале его открывают напряжением мультиметра (п.6), а затем в течение некоторого времени, пока не разрядилась входная емкость, проводят дополнительные измерения (п.п. 7,8).

Оценка исправности р-канального устройства

Проверка исправности р-канального полевого транзистора производится таким же образом, что и n-канального. Отличие состоит в том, что в п. 3 к минусу мультиметра надо подключить красный провод, а к плюсу мультиметра – черный провод.

Выводы:

  1. Полевые транзисторы типа MOSFET широко используются в технике и радиолюбительской практике.
  2. Проверку работоспособности таких транзисторов можно осуществить с помощью мультиметра, следуя определенной методике.
  3. Проверка p-канального полевого транзистора мультиметром осуществляется таким же образом, что и n-канального транзистора, за исключением того, что следует изменить полярность подключения проводов мультиметра на обратную.

Видео о том, как проверить полевой транзистор

Паспорта BJT

Стр. №

Идентификационный номер
Номер детали

Описание,
Производство,
Веб-сайт

Лист данных Свойства

Копия

Страницы

Примечания к приложению

Принципиальные схемы

110
TIP110 / 112

TIP115 / 117

Дополнительный кремниевый силовой транзистор Дарлингтона
ST Microelectronics
www.st.com

6

да

да

115
TIP115 / 117

См. TIP110 / 112

T1271

MJE243 / 253

Дополнительный кремниевый силовой пластиковый транзистор
On Semiconductor
www.onsemi.com

8

да

243
MJE243 / 253

Дополнительный кремниевый силовой пластиковый транзистор
Motorola
www.motorola.com

6

да

253
MJE253

См. MJE243 / 253

521
MJE521

Пластиковый кремниевый транзистор NPN средней мощности
Motorola
www.motorola.com

4

да

521
MJE521

Кремниевый транзистор NPN
SGS-Thomson Microelectronics
www.st.com

4

2222
2N2222

Высокоскоростной коммутатор
SGS-Thomson Microelectronics
www.st.com

5

2222
2N2222

Коммутационный транзистор NPN
Philips Semiconductors
www.semiconductors.philips.com

8

да

2222
2N2222

NPN-усилитель общего назначения
Fairchild Semiconductor
www.fairchildsemi.com

7

2222
2N2222

Кремниевый транзистор усилителя NPN
Motorola
www.motorola.com

6

2907
2N2907

Усилитель и коммутатор общего назначения
SGS-Thomson Microelectronics
www.st.com

5

2907
2N2907

Коммутационный транзистор PNP
Philips Semiconductors
www.semiconductors.philips.com

8

да

2907
2N2907

Усилитель общего назначения PNP
Fairchild Semiconductor
www.fairchildsemi.com

2

2907
2N2907

PNP Кремниевый транзистор усилителя
Motorola
www.motorola.com

6

2955
TIP2955

Дополнительный кремниевый силовой транзистор
Motorola
www.motorola.com

4

да

3046
CA3046

Универсальная транзисторная матрица NPN
Intersil
www.intersil.com

6

да

3055
TIP3055

См. TIP2955

3904
2N3904

NPN-усилитель общего назначения
Fairchild Semiconductor
www.fairchildsemi.com

7

да

3904
2N3904

Коммутационный транзистор NPN
Philips Semiconductors
www.semiconductors.philips.com

8

3904
2N3904

Малосигнальный NPN-транзистор
SGS-Thomson Microelectronics
www.st.com

5

3904
2N3904

Биполярный транзистор с малым сигналом (0,6 Вт) (NPN)
ROHM
www.rohm.com

4

3904
2N3904

Коммутирующий транзистор (NPN)
KEC (Korea Electronics)
www.keccorp.com

4

T511

3904
Q2N3904

NPN-усилитель общего назначения
Fairchild Semiconductor
www.fairchildsemi.com

7

да

3906
2N3906

Коммутационный транзистор PNP
Philips Semiconductors
www.semiconductors.philips.com

8

3906
2N3906

Малосигнальный PNP-транзистор
SGS-Thomson Microelectronics
www.st.com

5

3906
2N3906

PNP Транзистор общего назначения
ROHM
www.rohm.com

4

3906
2N3906

Усилитель общего назначения PNP
Fairchild Semiconductor
www.fairchildsemi.com

6

да

3906
2N3906

Коммутирующий транзистор (PNP)
KEC (Korea Electronics)
www.keccorp.com

4

T768

3906
Q2N3906

Усилитель общего назначения PNP
Fairchild Semiconductor
www.fairchildsemi.com

6

да

Страница не найдена | MIT

Перейти к содержанию ↓
  • Образование
  • Исследовать
  • Инновации
  • Прием + помощь
  • Студенческая жизнь
  • Новости
  • Выпускников
  • О MIT
  • Подробнее ↓
    • Прием + помощь
    • Студенческая жизнь
    • Новости
    • Выпускников
    • О MIT
Меню ↓ Поиск Меню Ой, похоже, мы не смогли найти то, что вы искали!
Попробуйте поискать что-нибудь еще! Что вы ищете? Увидеть больше результатов

Предложения или отзывы?

Малосигнальный транзистор (BJT) и краткое описание диодов

Ниже приведен список транзисторов и диодов с пометкой
'TUP', (транзистор, универсальный PNP), 'TUN', (транзистор, универсальный NPN), 'DUG' (диод, универсальный германий или 'DUS' (диод, универсальный кремний).
Это означает, что можно использовать большую группу аналогичных устройств, при условии, что они соответствуют минимальным спецификациям, перечисленным в таблицах 1a и 1b.

Подробное описание биполярного транзистора, распиновка с дополнительными парами

На следующем рисунке показан широкий спектр биполярных транзисторов и их подробные характеристики. Вы можете узнать об их полярности NPN / PNP, Uceo, Ic, Pmax, hFE, а также об эквивалентных числах или дополнительных парах.

Биполярные транзисторы работают в четырех различных областях, характеризующихся смещениями БЮТ-перехода.

Активный в прямом направлении (или просто активный)

Переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор смещен в обратном направлении. Большинство биполярных транзисторов рассчитаны на максимальное усиление по току с общим эмиттером, βF, в прямом активном режиме. В таком сценарии ток коллектор-эмиттер примерно пропорционален базовому току, но в большинстве случаев больше для небольших изменений базового тока.

Обратно-активный (или инверсно-активный, или инвертированный)

Инвертируя коэффициенты смещения прямой-активной области, биполярный транзистор переключается в обратно-активную форму.В этой настройке области эмиттера и коллектора меняют свои задачи.

Из-за того, что многие BJT построены для увеличения коэффициента усиления по току в прямом активном режиме, βF в противоположной форме оказывается во много раз меньше (в 2–3 раза для стандартного германиевого транзистора).

Эта функция транзистора практически не применяется, обычно используется только для отказоустойчивых ситуаций плюс некоторые виды биполярной логики. Напряжение пробоя обратного смещения на базе может быть на уровень меньше в этой области.

Насыщение

Имея оба перехода с прямыми смещениями, BJT переходит в режим насыщения и делает возможным проведение сильного тока через эмиттер к коллектору (или другим путем, когда дело доходит до NPN, с отрицательно заряженными носителями, движущимися от эмиттер к коллектору). Этот метод относится к логическому «включению» или выключателю.

Отсечка

В отсечке ситуации смещения противоположны насыщению (оба перехода смещены в обратном направлении).Практически не существует тока, который можно сравнить с логическим «выключением» или разомкнутым переключателем в этом режиме.

Разграбление большого количества информации в листе данных

Справедливо предположить, что большинство читателей Hackaday привыкли работать с электронными компонентами, они являются кровью многих проектов, представленных здесь. Во многих случаях эти проекты будут включать в себя очень общие компоненты, те, которые стали массовыми из-за появления в огромном количестве приложений.Мы знакомимся с этими компонентами путем многократного использования, и мы опираемся на это знакомство, когда создаем собственные схемы с их использованием.

Все производители электронных компонентов опубликуют таблицы данных для этих компонентов. Документ, содержащий всю необходимую информацию для проектировщика, включая числовые параметры, графики, показывающие их характеристики, физические и тепловые параметры, а также некоторую информацию о приложении, где это необходимо. Раньше они публиковались в виде больших толстых книг, содержащих, например, листы для всех компонентов определенного типа от производителя, но теперь они очень удобно доступны онлайн в формате PDF на сайтах производителей или оптовых продавцов.

2N3904 в сквозном пакете TO92.

Datasheets - кладезь информации о компонентах, которые они описывают, но иногда они могут быть довольно непонятными. Необходимо представить лот информации, действительно, когда рассматриваемое устройство представляет собой высоко интегрированный компонент, такой как DSP или микропроцессор, таблица данных может напоминать книгу среднего размера. Мы уверены, что многие наши читатели будут чувствовать себя как дома на страницах таблицы данных, но в равной степени нас беспокоит то, что часть аудитории Hackaday не будет так хорошо знакома с ними и не получит от них полной пользы.Таким образом, мы собираемся изучить и подробно объяснить таблицу и, надеюсь, пролить свет на то, что она содержит.

Устройство, техническое описание которого мы решили поместить под микроскоп, представляет собой транзистор. Основным строительным блоком активных полупроводниковых схем, и мы выбрали именно тот, который мы выбрали, является широко распространенный сигнальный транзистор NPN, 2N3904. Он существует очень давно, был представлен компанией Motorola в 1960-х годах и стал популярным устройством для множества схем.Вы можете купить 2N3904 от различных производителей, каждый из которых публикует свои собственные спецификации, но для целей этой статьи мы будем использовать технические данные в формате PDF 2N3904 от ON Semiconductor, бывшего подразделения Motorola Semiconductor. Возможно, вам стоит открыть этот документ в другом окне или распечатать его для справки вместе с остальной частью этой статьи.

Давайте взглянем на все знания, содержащиеся в этом техническом описании, и на технический взгляд, который вам иногда требуется, чтобы придать значение этим числам, диаграммам и формулам.

Первая страница технического описания ON Semiconductor 2N3904.

Дай мне это прямо

На первой странице спецификации будет информация, которую производитель считает наиболее важной. Это должно включать в себя основные электрические свойства устройства, краткое описание того, что оно делает, и, при условии, что это не устройство с множеством контактов, информацию о его внешних подключениях. К сожалению, некоторые производители, кажется, больше движимы маркетинговыми соображениями, чем техническими, поэтому время от времени вы будете находить спецификации, первые страницы которых больше похожи на рекламные буклеты, и вам придется рыться в поисках самой основной информации.К счастью, сотрудники ON Semiconductor, похоже, хорошо понимают, чего на самом деле хочет инженер, от первой страницы спецификации, так что сразу у вас есть таблица максимальных электрических характеристик 2N3904 и идентификация его внешних подключений.

В случае транзистора таблица максимальных номиналов, вероятно, является самым важным набором информации для разработчика на всем листе. У вас могут быть особые требования, для которых вам нужно больше знать об устройстве, но это самые фундаментальные параметры, которые многое говорят вам о том, для чего подходит транзистор, и те, которые (если вы их игнорируете) могут привести к его высвобождению. его внутреннее хранилище волшебного дыма, которое обходится вам в цену другого транзистора.Это значения напряжения, тока и рассеиваемой мощности, которые будут перед вами при расчете цепи смещения постоянного тока для вашего приложения, чтобы убедиться, что вы работаете с устройством в пределах его электрических возможностей.

Они нужны вам, когда вы выбираете устройство, например, если вы строите аудиоусилитель, вас может заинтересовать рассеиваемая мощность устройства, чтобы получить представление о том, какую мощность оно может передать на громкоговоритель. В случае с 2N3904 вы увидите, что после учета тепловыделения, присущего транзистору, работающему в линейном режиме, он может дать всего несколько сотен милливатт, поэтому более мощный транзистор может быть лучшим выбором в качестве усилителя мощности звука. .

Я хочу все данные

Перевернув страницу, на странице 2 таблицы данных мы находим гораздо более полную таблицу параметров для 2N3904. Характеристики выключения, характеристики, характеристики слабого сигнала и характеристики переключения.

Характеристики выключения относятся к устройству в выключенном состоянии, то есть когда напряжение между базой и эмиттером ниже примерно 0,7 В, необходимых для начала протекания тока между коллектором и эмиттером. Напряжения пробоя такие же, как и в таблице максимальных номиналов на предыдущей странице, это максимальные напряжения, которые может выдержать 2N3904 до того, как он будет поврежден.Хотя токи отсечки разные, они не выделяют волшебного дыма, а представляют собой крошечные токи, которые все еще протекают, даже когда транзистор выключен. Вы заметите, что они измеряются в нА, наноамперах, и это действительно очень маленькая цифра.

Что такое параметр «h»?

Модель параметра h. Пользователь Rohitbd [GFDL или CC-BY-SA-3.0], через Wikimedia Commons Переходя к таблице характеристик включения, мы обнаруживаем наш первый параметр h, текущее усиление hFE. Модель параметра h - это математическая модель для описания работы транзистора.Студенты-первокурсники, изучающие электронику, долго над этим мучаются, но, к счастью, чтобы использовать полученные цифры, вам не нужно знать это в деталях. В случае hFE этот показатель представляет собой коэффициент усиления по току транзистора или соотношение между током базы и током коллектора, которое он генерирует для постоянного напряжения коллектор-эмиттер. Вы часто будете видеть цифру hFE, которую называют просто усилением транзистора. В случае 2N3904 это максимальное значение 300, поэтому в транзисторе с таким значением hFE, если вы поместите 1 мА в базу, вы сможете измерить ток 300 мА, протекающий в коллектор, если напряжение коллектор-эмиттер составляет 1 вольт.Это немного искусственная цифра в том смысле, в каком иногда могут быть математические модели, но она дает прямое представление о том, насколько хорошим усилителем может быть этот транзистор.

Напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер - это напряжения, при которых эти соединения имеют максимальное прямое смещение и не идут дальше с точки зрения напряжения. Путь база-эмиттер и путь коллектор-эмиттер, когда транзистор находится во включенном состоянии, можно рассматривать как диоды с прямым смещением.Одно из свойств диода с прямым смещением состоит в том, что напряжение на нем остается почти постоянным независимо от величины тока, протекающего через него, и именно это постоянное напряжение используется для двух путей через транзистор. Если вы думаете, что постоянное напряжение может привести к прекращению усиления транзистора, подумайте еще раз. Биполярный транзистор представляет собой устройство для усиления тока, поэтому, когда переходы достигают своих напряжений насыщения, ток, протекающий в коллекторе, по-прежнему будет в hFE раз больше, чем в базе, и усиление все еще будет происходить.

Характеристики слабого сигнала относятся к тому, как транзистор работает как усилитель переменного тока. Прежде всего, это произведение коэффициента усиления на полосу пропускания, fT. Может возникнуть соблазн подумать, что, поскольку fT 2N3904 составляет 300 МГц, устройство можно использовать до этой частоты, но это неверная цифра. Фактически это относится к частоте, на которой коэффициент усиления падает до 1, поэтому вероятная максимальная частота, на которой устройство будет полезно, будет значительно ниже. Например, в случае 2N3904 он может быть полезен где-то за пределами 100 МГц.

Под цифрой fT показаны емкости различных частей транзистора, которые, вероятно, не будут иметь большого значения в большинстве приложений, за ними следуют остальные параметры h. Опять же, это вряд ли будет интересно, если вы не добавляете 2N3904 в пакет моделирования. Вы заметите hfe, слабосигнальный аналог DC hFE, о котором мы упоминали ранее.

И, наконец, в этом разделе у нас есть коэффициент шума. Это не та цифра, которая будет беспокоить вас в большинстве приложений, но стоит подумать.Если вы работаете в среде, в которой важны факторы шума - например, радиоприемник или требовательное аудиоприложение - вам необходимо обратить пристальное внимание на то, чтобы это число было настолько низким, насколько вы можете сделать это, в частности, на ранних этапах. усиления. В данном случае 2N3904 с коэффициентом шума 5 дБ не является особо малошумящим транзистором, но, опять же, это рабочая лошадка общего назначения, а не высокопроизводительный чистокровный.

Насколько хорошо он переключается?

Ниже характеристик слабого сигнала приведена таблица характеристик переключения.Если вы представите себе идеальную прямоугольную волну, вы можете представить, что она появится на экране вашего осциллографа в виде последовательности острых прямых углов. Каждый переход от низкого к высокому напряжению должен происходить мгновенно. На практике, конечно, так не работает. преодоление разрыва занимает короткое время. Это параметры, которые дают вам время и, в конечном итоге, говорят вам, какие логические сигналы наиболее быстрые, которые может обрабатывать 2N3904. Вы бы обратили на них пристальное внимание, если бы разрабатывали быструю логическую схему, но для простого постоянного или аналогового использования они не будут тем, что вам нужно знать.

Схемы испытания на время нарастания и спада для 2N3904

На странице 3 таблицы данных 2N3904 вы попадаете в действительно несущественный материал для большинства читателей Hackaday. Удивительно, но на многих листах эта страница была бы ближе к задней части пачки. Информация для заказа - то, что вас заинтересует, если вы покупаете десять миллионов 2N3904 у ON Semiconductor, но поскольку вы, скорее всего, получите свои транзисторы у таких владельцев акций, как RS, Farnell, Mouser или DigiKey, этот раздел не имеет большого значения.Ниже приведены схемы, используемые для измерения характеристик переключения, что снова представляет большой интерес для разработчиков, использующих устройство в быстрых логических схемах, но не столь захватывающих для других.

На следующих трех страницах все параметры транзистора представлены в виде графиков. Теперь вы можете подумать, что это будет основным событием в таблице данных, и в некоторых таблицах вы будете правы, но в случае транзисторного листа все это очень интересно в Art of Electronics , но вы не делаете этого. Не нужно в них закапываться.Вы уже знаете соответствующую информацию о 2N3904 из первых двух страниц, эти графики заполняют крайние случаи и более подробно рассказывают о том, как ведет себя устройство. Интересно, если вы изучаете, как работают транзисторы, но в большинстве случаев простой конструкции транзисторов вы не получите многого от их изучения.

И, наконец, в конце таблицы, информация о пакете. Вы ожидали, что информация для заказа тоже будет здесь, но по какой-то причине ON Semiconductor поместила ее на страницу 3.Информация о пакете - это то, что вы можете не считать важным, однако, если вы создаете печатную плату, вы можете потратить много времени на эту часть таблицы. Если в вашей библиотеке CAD-пакета PCB еще нет устройства, возможно, вам придется создать его. Даже если есть отпечаток CAD, вам лучше убедиться, что размеры соответствуют детали, которую вы получаете. Именно размеры на этой странице гарантируют, что вы все сделаете правильно. Если ваше устройство монтируется на поверхность, вы обычно найдете рекомендованную область для его площадок для печатной платы с полными размерами, что может сэкономить вам много проблем с платами неправильного размера.

Beyond this Лист данных

Мы надеемся, что эта статья помогла вам прояснить таблицу производителя, если она вас запугала. Жаль, что у нас есть только статья на Hackaday, в которой можно раскрыть эту тему, потому что, если бы мы подробно рассмотрели все графики, из этой книги получилась бы глава приличного размера. 2N3904 вряд ли можно назвать совершенным устройством, но, если повезет, теперь вы узнаете немного больше об этом самом простом электронном строительном блоке.

Поскольку мы считаем, что информация, содержащаяся в технических паспортах электронных компонентов, часто скрыта и не всегда полностью понятна, мы хотели бы разместить больше статей, подобных этой.Примером здесь является транзистор, но нет никаких причин, по которым любое из других устройств, которые мы используем каждый день, нельзя было бы также глубоко изучить, аналоговые ИС, цифровые ИС и даже пассивные компоненты. Какие устройства вы, , хотели бы видеть после этого лечения? Какие особенности и лакомые кусочки из других таблиц вам нравятся больше всего? Дайте нам знать в комментариях ниже и отправьте совет для будущих статей.

Распиновка транзистора TIP41C, аналог, спецификации, техническое описание и многое другое

В этой статье описывается распиновка транзистора TIP41C, эквивалент, спецификации, техническое описание и дополнительная информация об этом транзисторе.

Характеристики / технические характеристики
  • Тип корпуса: TO-220
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 6 А или 6000 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 100 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 100 В
  • Макс.напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (ПК): 65 Вт
  • Максимальная частота перехода (fT): 3 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 15-75
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -65 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный

PNP Дополнительным к TIP41C является TIP42C

Запасной и аналогичный

Замена и эквиваленты транзистора TIP41C: 2SD1895, MJE5180, MJE5181, BD711, BC911.Если нагрузка, которую вы хотите управлять с помощью TIP41C, находится в диапазоне от 40 В до 80 В, вы можете легко заменить точно таким же соответствием этого транзистора, а именно: TIP41 (макс. Нагрузка привода 40 В), TIP41A (макс. Нагрузка привода 60 В) и TIP41C (макс. Нагрузка 80 В).

Описание транзистора TIP41C / описание

TIP41C - это недорогой силовой транзистор общего назначения, который можно использовать для усиления и переключения в ваших электронных схемах. Он может управлять нагрузкой максимум 6 ампер.Это может быть идеальный транзистор, если вы хотите заменить в своей схеме транзисторы TIP31, TIP31C или другие подобные транзисторы для увеличения нагрузки. Для управления нагрузками с этим транзистором следует использовать подходящий радиатор. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер и напряжение коллектор-база составляет 100 В, благодаря чему вы можете использовать его для управления максимальной нагрузкой 100 В. Кроме того, максимальное рассеивание коллектора составляет 65 Вт, что является идеальным выходом для использования этого транзистора во многих целях усиления звука.Коллектор транзистора соединен с двумя точками, одна из которых является выводом 2 транзистора, а другая - выводом металлической банки транзистора.

Где и как использовать

TIP41C может использоваться в любом приложении для коммутации и усиления общего назначения. При использовании в качестве переключателя вы можете управлять множеством нагрузок одновременно (сумма всех нагрузок не должна увеличиваться с 6А). Он может управлять двигателями постоянного тока, светодиодами высокой мощности, реле высокой мощности, лампами, устройствами и т. Д.

Кроме того, его также можно использовать для усиления общего назначения. Например, усиление сигнала. Его также можно использовать для построения простой схемы усилителя высокой мощности или, кроме этого, его также можно использовать в каскадах усилителя звука большой мощности.

Приложения

Усиление звука

Усиление сигнала

Управляющие нагрузки до 6 ампер

Приводные двигатели постоянного тока и управление ими

Дарлингтонские пары

Широкий спектр приложений общего назначения

Как добиться долгосрочной производительности в цепи

Чтобы это устройство оставалось стабильным в ваших цепях в течение многих лет, рекомендуется не нагружать нагрузку более 6 А, всегда использовать подходящий радиатор, не нагружать нагрузку более 100 В, для хорошей и стабильной работы всегда оставайтесь ниже максимальных значений и Всегда эксплуатируйте и храните устройство / транзистор при температуре выше -65 по Цельсию и ниже +150 по Цельсию.

Лист данных

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/54799/FAIRCHILD/TIP41.html

Распиновка транзистора

SL100 | Лист данных

транзистора SL100

Транзисторы являются основными строительными блоками интегральных схем (ИС). В каждом электронном устройстве, которое вы можете себе представить сегодня, используются транзисторы. Разработка началась с электронных ламп и привела к транзистору, который мы видим сегодня.Транзистор с биполярным соединением (BJT) - это тип транзистора, в котором в качестве носителей заряда используются как электрон, так и дырка. BJT можно разделить на два типа: транзисторы NPN и PNP. Транзистор NPN состоит из слоя полупроводника, легированного p-примесью, между двумя слоями, легированными n-примесью. В то время как транзистор PNP состоит из полупроводника, легированного n-типом, между двумя слоями, легированными p-типом. Наиболее распространенным примером использования является транзистор SL100.

Транзистор

Sl100 - это NPN-транзистор общего назначения средней мощности. Транзистор общего назначения SL100 открыт для широкого спектра электронных приложений.Основные области применения - от общего переключения, производства логических вентилей, усиления и воспроизведения звука, радиопередачи и обработки сигналов. Тем не менее, он обычно используется в качестве переключателя в конфигурации обычного эмиттера.

Клеммы транзистора требуют фиксированного напряжения постоянного тока для работы в желаемой области его характеристических кривых. Это называется смещением. Транзистор SL100 смещен, чтобы оставаться полностью включенным, если на его базе есть сигнал. Он полностью отключается при отсутствии базового сигнала.

В зависимости от смещения транзистора и подключенных к нему цепей, транзистор действует либо как усилитель, либо как переключатель. Работая в качестве усилителя, транзистор может передавать или принимать радиосигналы, выполнять аналоговые математические вычисления, генерировать формы волны среди других функций. Действуя в качестве переключателя, схема может включать / выключать свет, двигатель, выполнять цифровые логические или математические операции, извлекать и декодировать компьютерные инструкции и тому подобное. Схема контактов типичного транзистора SL100 приведена ниже.

Схема выводов транзистора SL100

Транзистор SL100 имеет 3 вывода, а именно коллектор, базу и эмиттер. Выступающий край корпуса транзистора указывает на эмиттер. База находится ближе всего к эмиттеру, а коллектор находится на другом конце корпуса.

Техническое описание транзистора SL100 доступно в техническом описании транзистора SL100.

Транзистор

SL100 очень дешев и легко доступен на рынке, что дает им широкий спектр применений в различных схемах.Транзистора SL100 достаточно, чтобы построить простую схему проверки целостности цепи, которая выдает визуальные и звуковые выходы при наличии обрыва на пробниках. Другие схемы, использующие транзисторы SL100, - это автоматический индикатор уровня воды, цепь сигнализации датчика дождя. Автоматическая цепь уличного освещения, автоматическое аварийное освещение, цепь звукового сигнала, цепь сигнализации датчика газа, автоматический стабилизатор напряжения, солнечное зарядное устройство также являются некоторыми приложениями.

BC557 Транзистор PNP - Спецификация

BC557 - кремниевый плоский эпитаксиальный транзистор PNP.Эти транзисторы в основном используются в каскадах драйверов звуковых усилителей, малошумящих входных каскадах магнитофонов, усилителях HI-FI и схемах обработки сигналов телевизионных приемников. BC557 имеет значение усиления от 110 до 800. Для транзистора в области насыщения максимальный ток коллектора составляет 100 мА, когда ток базы ограничен 5 мА.

[спонсор_1]

Обычно допустимое напряжение на коллектор-эмиттер (V CE ) составляет 250 мВ, а на базе-эмиттере (V BE ) - 900 мВ.Для транзистора в области отсечки напряжение на базе эмиттера (V BE ) составляет около 660 мВ.

[inaritcle_1]
BC557 Распиновка PNP-транзистора
PIN НОМЕР PIN НАЗВАНИЕ
1 Коллекционер
2 База
3 Эмиттер

Характеристики и характеристики:

  • Тип транзистора: эпитаксиальный кремниевый биполярный PNP-транзистор
  • Коэффициент усиления постоянного тока (h FE ): 110-800
  • Ток коллектора (I C ): 100 мА
  • Базовое напряжение коллектора (VCB): 50 В
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE): 45 В
  • Напряжение базы эмиттера (VEB): 5 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 500 мВт
  • Температура перехода: 150 ° C
  • Произведение коэффициента усиления по току и полосы пропускания: 150 МГц
  • Уровень шума: 10 дБ
  • Доступен в пакете To-92

Применение и использование транзистора BC557

  • Водитель ступеней усилители звука
  • Вход с низким уровнем шума каскады магнитофонов
  • усилители HI-FI
  • обработка сигналов схемы телевизионных приемников
.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *