Диод д305 технические характеристики. Диоды Д302, Д303, Д304, Д305: технические характеристики и применение

alexxlabРазное
Каковы основные параметры диодов серии Д30х. Чем отличаются модели Д302, Д303, Д304 и Д305. Как правильно подобрать диод для выпрямителя. На что обратить внимание при использовании этих диодов в схемах.

Содержание

Общая характеристика диодов серии Д30х

Диоды Д302, Д303, Д304 и Д305 относятся к семейству сплавных германиевых диодов средней мощности. Они имеют следующие общие характеристики:

  • Металлостеклянный корпус с жесткими выводами
  • Маркировка схемы соединения электродов на корпусе
  • Масса не более 16 г
  • Рабочий диапазон температур от -60°C до +70°C
  • Максимальная температура корпуса +80°C

Эти диоды широко применялись в выпрямительных схемах промышленной и бытовой радиоаппаратуры. Сейчас они считаются устаревшими, но все еще используются для ремонта старой техники.

Сравнение электрических параметров диодов Д302, Д303, Д304 и Д305

Основные различия между моделями заключаются в максимально допустимых значениях обратного напряжения и прямого тока:


ПараметрД302Д303Д304Д305
Макс. обратное напряжение при 25°C200 В150 В100 В50 В
Макс. прямой ток при 25°C1 А3 А5 А10 А

Как видно, Д302 рассчитан на самое высокое обратное напряжение, но наименьший прямой ток. Д305 наоборот — выдерживает наибольший прямой ток, но при меньшем обратном напряжении.

Особенности прямой ветви вольт-амперной характеристики

Прямое падение напряжения на диодах при максимальном прямом токе составляет:

  • Д302, Д304: не более 0.25 В при +25°C
  • Д303, Д305: не более 0.3 В при +25°C

При понижении температуры до -60°C прямое падение напряжения увеличивается:

  • Д302: до 0.5 В
  • Д303: до 0.6 В
  • Д304: до 0.8 В
  • Д305: до 1 В

Это следует учитывать при использовании диодов в условиях низких температур.

Обратный ток и его температурная зависимость

Обратный ток диодов при максимальном обратном напряжении не превышает следующих значений:

ТемператураД302Д303Д304Д305
+25°C0.8 мА1.0 мА2.0 мА2.5 мА
+70°C3.0 мА4.0 мА10.0 мА20 мА

Как видно, обратный ток существенно возрастает при повышении температуры. Это типично для германиевых диодов и является одним из их недостатков по сравнению с кремниевыми.


Зависимость максимально допустимых параметров от температуры

С повышением температуры снижаются максимально допустимые значения обратного напряжения и прямого тока:

  • При +40°C:
    • Д302: 150 В, 1 А
    • Д303: 140 В, 3 А
    • Д304: 100 В, 4 А
    • Д305: 50 В, 8 А
  • При +70°C:
    • Все модели: 50 В
    • Д302: 0.8 А
    • Д303: 1.5 А
    • Д304: 1.8 А
    • Д305: 3.0 А

Это необходимо учитывать при проектировании схем, работающих в широком диапазоне температур.

Допустимая перегрузка по току

Диоды способны выдерживать кратковременные перегрузки по току в течение 0.5 секунд:

  • Д302: до 4 Iпр.ср.макс
  • Д303: до 1.5 Iпр.ср.макс
  • Д304: до 2.5 Iпр.ср.макс
  • Д305: до 2 Iпр.ср.макс

Где Iпр.ср.макс — максимальный средний прямой ток для данной модели при текущей температуре.

Частотные свойства диодов Д30х

Все диоды серии Д30х могут работать на частотах до 5000 Гц без снижения номинальных параметров. Это позволяет использовать их в выпрямителях на частоте сети 50/60 Гц, а также в низкочастотных импульсных схемах.


Особенности применения диодов Д302, Д303, Д304 и Д305

При использовании этих диодов следует учитывать несколько важных моментов:

  1. Допускается параллельное и последовательное соединение диодов для увеличения рабочего тока или напряжения.
  2. При параллельном соединении нужно подбирать диоды с близкими значениями прямого падения напряжения для равномерного распределения тока.
  3. При последовательном соединении каждый диод должен шунтироваться резистором 10-15 кОм для выравнивания обратных напряжений.
  4. Необходимо обеспечивать эффективный теплоотвод, особенно при работе на предельных токах или в условиях повышенной температуры.
  5. Следует учитывать значительный рост обратного тока при нагреве, что может влиять на КПД выпрямителя.

Выбор диода для выпрямительных схем

При проектировании выпрямителя на основе диодов Д30х нужно руководствоваться следующим алгоритмом:

  1. Определить максимальное обратное напряжение, действующее на диод в схеме. Оно должно быть как минимум в 2-2.5 раза меньше паспортного значения Uобр.макс выбранного диода с учетом возможных перенапряжений в сети.
  2. Рассчитать средний прямой ток через диод. Он должен быть не более 70-80% от Iпр.ср.макс диода при максимальной рабочей температуре.
  3. Проверить амплитуду импульсного тока при включении или коммутации нагрузки. Она не должна превышать допустимую перегрузку по току.
  4. Учесть снижение допустимых параметров при повышенной температуре окружающей среды.
  5. При необходимости использовать параллельное или последовательное соединение диодов с соблюдением указанных выше правил.

Следуя этим рекомендациям, можно обеспечить надежную работу выпрямителя на диодах серии Д30х в течение длительного срока.


Современные аналоги диодов Д302, Д303, Д304 и Д305

Хотя диоды серии Д30х все еще производятся некоторыми заводами, для новых разработок рекомендуется использовать современные кремниевые аналоги. Они обладают лучшими характеристиками и большей надежностью. Вот некоторые возможные замены:

  • Для Д302: 1N4007, FR107
  • Для Д303: 1N5408, FR307
  • Для Д304: MUR1560, UF5408
  • Для Д305: MUR3060, UF5408

При замене следует учитывать, что у кремниевых диодов более высокое прямое падение напряжения (обычно 0.7-1.1 В), но значительно меньший обратный ток, особенно при повышенных температурах.


Диод Д302, Д303, Д304, Д305

Поиск по сайту

Новости


Токоизмерительные клещи с мультиметром СМР-1006

ГЛАВНАЯ » ДИОДЫ » Д302, Д303, Д304, Д305


Диод Д302, Д303, Д304, Д305 — сплавной, германиевый. Имеет жёсткие выводы, металлостеклянный корпус. Схема соединения электродов с выводами и тип диода нанесены на корпусе. Масса не более 16 г.

Электрические параметры диодов Д302, Д303, Д304, Д305

• Прямое напряжение (постоянное) при Iпр = Iпр. макс
, не более:
  при +25°C:
  Д302, Д3040.25 В
  Д303, Д3050.3 В
  при −60°C:
  Д3020.5 В
  Д3030. 6 В
  Д3040.8 В
  Д3051 В
• Обратный ток (средний) при Uобр = Uобр. макс, не более:
  при +25°C:
  Д3020.8 мА
  Д3031.0 мА
  Д3042.0 мА
  Д3052.5 мА
  при +70°C:
  Д3023.0 мА
  Д3034.0 мА
  Д30410.0 мА
  Д30520 мА

Предельные характеристики диодов Д302, Д303, Д304, Д305

• Обратное напряжение (амплитудное значение) при температуре −60. ..+25°C:
  Д302200 В
  Д303150 В
  Д304100 В
  Д30550 В
• Обратное напряжение (амплитудное значение):
  при +40°C:
  Д302150 В
  Д303		140 В
  Д304100 В
  Д30550 В
  при +60°C:
  Д302, Д30390 В
  Д30470 В
  Д30550 В
  при +70°C50 В
• Прямой ток (средний):
 −60. ..+25°C:
  Д3021 А
  Д3033 А
  Д3045 А
  Д30510 А
  при +40°C:
  Д302
1 А
  Д3033 А
  Д3044 В
  Д3058 А
  при +50°C:
  Д3021 А
  Д3032.5 А
  Д3043 В
  Д3056.5 А
  при +60°C:
  Д3020.9 А
  Д3032.0 А
  Д3042. 5 В
  Д3055.0 А
  при +70°C:
  Д3020.8 А
  Д3031.5 А
  Д3041.8 В
  Д3053.0 А
• Прямой ток перегрузки (средний) в течение 0.5 с:
  Д3024 Iпр. ср. макс
  Д3031.5 Iпр. ср. макс
  Д3042.5 Iпр. ср. макс
  Д3052 Iпр. ср. макс
• Частота без снижения режимов5000 Гц
• Рабочая температура (окружающей среды)−60…+70°C
• Температура корпуса+80°C

Допускается параллельное и последовательное соединение. При параллельном соединении следует подбирать диоды с близкими значениями прямого падения напряжения. Для последовательного соединения каждый диод должен шунтироваться резистором с сопротивлением в 10…15 кОм.



Диод д305 характеристики

Допускается последовательное и параллельное соединение. При последовательном соединении каждый диод должен шунтироваться резистором с сопротивлением кОм. Для параллельного соединения следует подбирать диоды с близкими значениями прямого падения напряжения. Электроузел — ресурс, связанный с электричеством.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

  • Германиевый диод — тип
  • Ограничительный диод шоттки принцип работы
  • Аналоги для д305
  • Выпрямительный диод
  • Аналоги для д305
  • Контрольная работа по выпрямителям на полупроводниковых диодах
  • Файл:Радио 1958 г. №11.djvu

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Маркировка отечественных диодов

Германиевый диод — тип


Ко мне попала небольшая книжка, выпущенная малым тиражом всего экз. В книжке, наряду с устаревшими типами транзисторов, есть и более современные. Имея технические данные на транзисторы замены, приведённые ниже, можно подобрать замену из более современных компонентов. Мною исправлены некоторые явные опечатки, присутствовавшие на страницах книги.

Ниже приведена постраничная копия материала. В строках, где приведено несколько аналогов, первый — более полный. В круглых скобках Электронные лампы , видимо, полные аналоги, в квадратных — возможная замена например, со сменой цоколёвки. OC41 П OC42 П29А. CK ДА 4шт. CK Д 4шт. Лампа Аналог! Лампа Аналог. Тюмень ноябрь, г.

Другие похожие документы.. Полнотекстовый поиск: Где искать:. Положение о дисквалификации участников краевой многопредметной дистанционной олимпиады. Одним из важных правил проведения олимпиады является обеспечение самостоятельности выполнения заданий учащимися с целью получения объективности и дост О проведении открытых торгов 8.

Должностные лица заказчика , уполномоченные осуществлять связь с участниками фамилия , имя , отчество , должность, номер телефона и телефакса с Конкурсами на выявление и развитие одаренности по годам. Работа по поддержке и развитию одаренных детей является одним из основных направлений образовательной работы ДОУ. В образовательном учреждении создают Аналоги транзисторов, диодов, стабилитронов и радиоламп.

Сохрани ссылку в одной из сетей:. Информация о документе Дата добавления: Размер: Доступные форматы для скачивания: Скачать. Аналог 1 2! Единый тарифно-квалификационный справочник работ и профессий рабочих 3 Документ Приборы электровакуумные стабилитроны , барретеры, декатроны счетные, индикаторы Напряжение стабилизации 3. Приемно-усилительные радиолампы III Термопечатающие Правообладателям Написать нам.


Ограничительный диод шоттки принцип работы

Запомнить меня. Разработано Ext-Joom. Designed by admin radio-portal. Technical support Doc. Искать по сайту. Искать Datasheets. Главное меню.

Вольт-амперная характеристика ДГЦ показана на фиг. . станции может быть собран из германиевых диодов типа Д или кремниевых диодов типа.

Аналоги для д305

Открыть крышку термостата и, установив в ее гнезда германиевый выпрямительный диод Д, вернуть крышку в исходное положение. Предъявить собранную схему преподавателю для проверки. Результаты измерений занести в таблицу 1. Генераторы линейно изменяющегося напряжения ГЛИН формируют напряжение пилообразной формы, которое необходимо для создания разверток на экранах осциллографов, телевизоров и др. Термостат и тестер ММ-1 не выключать. Собрать схему, изображенную на рис. По аналогии с пунктом 3. Установить R9 источника питания Е-1 в крайнее левое положение. Заменить германиевый выпрямительный диод Д на кремниевый выпрямительный диод КДА.

Выпрямительный диод

Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью. Как покупать? Посыпав место пайки песком или натерев крошащимся камнем, можно паять обычными методами даже алюминий.

Пароль Доска объявлений Все разделы прочитаны. Подскажите Можно ли просто заменить обычный диод на диод Шоттки.

Аналоги для д305

На смену электровакуумным диодам и игнитронам пришли диоды из полупроводниковых материалов и диодные мосты четыре диода в одном корпусе. Обычно к быстродействию, ёмкости p-n перехода и стабильности параметров выпрямительных диодов не предъявляют специальных требований [1]. Частотный диапазон выпрямительных диодов невелик. При преобразовании промышленного переменного тока рабочая частота составляет 50 Гц, предельная частота выпрямительных диодов не превышает 20 кГц. По максимально допустимому среднему прямому току диоды делятся на три группы: диоды малой мощности I пр. Диоды средней и большой мощности требуют отвода тепла, поэтому они имеют конструктивные элементы для установки на радиатор.

Контрольная работа по выпрямителям на полупроводниковых диодах

Обратный ток участок. ОД незначительно зависит от приложенного обратного напряжения. Диоды применяют в цепях как переменного, так и постоянного тока. Прямое падение напряжения U Пр. Допустимое обратное напряжение U 0бр —среднее значение за период, при котором обеспечивается надежная и длительная работа диода. При повышении температуры значения об-ратного напряжения и прямого тока снижаются.

Выпрямительные диоды средней мощности . Д, (50), 10,0, 40, 5,0, 0,3, 10,0, 2,5, 80 .. Расшифровка параметров выпрямительных диодов.

Файл:Радио 1958 г. №11.djvu

Открыть крышку термостата и, установив в ее гнезда германиевый выпрямительный диод Д, вернуть крышку в исходное положение. Предъявить собранную схему преподавателю для проверки. Результаты измерений занести в таблицу 1. Термостат и тестер ММ-1 не выключать.

Устройство и работа. Характеристики и особенности. Диод Д, Д, Д, Д — сплавной, германиевый. Имеет жёсткие выводы, металлостеклянный корпус. Наконецто мы перетряхнули два созданьица, которые вишь ширококостны на фувнтусов за тем самозарождением, что у них тоже девятьсот светимостей. Диоды германиевые, сплавные.

Развитие электроники требует все более высоких стандартов от радиодеталей. Для работы на высоких частотах используют диод Шоттки, который по своим параметрам превосходит кремниевые аналоги.

Развитие электроники требует все более высоких стандартов от радиодеталей. Для работы на высоких частотах используют диод Шоттки, который по своим параметрам превосходит кремниевые аналоги. Иногда можно встретить название диод с барьером Шоттки, что в принципе означает то же самое. Отличается диод Шоттки от обыкновенных диодов своей конструкцией, в которой используется металл-полупроводник, а не p-n переход. Понятно, что свойства здесь разные, а значит, и характеристики тоже должны отличаться.

Страницы Назад 1 … 6 7 8 9 Вперед. Для обычных диодов это время составляет единицы-десятки мкс что я мерял , у высокочастотных ультрафаст — сотня, десятки нс. У КД порядка нс, что тоже не особо много. Так вот, в это время моржет возникать обратный короткий импульс тока с накопительного кандера, имеющий широкий спектр.


Диод д305 технические характеристики

На правильность отсчета тока утечки проводимости имеет большое влияние стабильность напряжения, подводимого от источника питания. При большой емкости объекта рекомендуется снабжать установку стабилизатором напряжения. Подобные устройства особенно необходимы в тех случаях, когда испытания проводятся в условиях, при которых возможны значительные и частые толчки напряжения питания. Желательно применение малоинерционных электронных стабилизаторов напряжения. Мощность стабилизаторов напряжения должна быть не менее мощности, потребляемой регулировочным устройством.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

  • Аналоги для д305
  • Test your JavaScript, CSS, HTML or CoffeeScript online with JSFiddle code editor.
  • Файл:Радио 1958 г. №11.djvu
  • Мощные диоды шоттки. Что такое диод шоттки, его характеристики и способ проверки мультиметром
  • Диод д305 характеристика
  • Технические характеристики диода д305
  • Диоды старых типов

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Справочные данные отечественных германиевых диодов Д302(А), Д303(А), Д304, Д305

Аналоги для д305


Пассивные и активные элементы, входящие в микросхему. Соединение элементов и оформление микросхем. Структура микропроцессора, функции микропроцессора, вспомогательные элементы микропроцессора, устройство управления, стековая память. Полупроводниковые запоминающие устройства ЗУ , классификация ЗУ, основные качественные показатели.

Интерфейс в микропроцессорах и микроЭВМ: обмен информацией в микроЭВМ между микропроцессором, ЗУ и устройствами ввода-вывода, определение интерфейса и его функции. Серийно выпускаемые микропроцессорные комплекты МШС , микроЭВМ , программное обеспечение, примеры применения микропроцессорных систем. Обычно при составлении реальной схемы выпрямителя задаются значение мощности потребителя Р d Вт , получающего питание от данного выпрямителя, и выпрямленное напряжение U d В , при котором работает потребитель постоянного тока.

Сравнивая ток потребителя с допустимым током диода I ДОП выбирают диоды для схем выпрямителя. Напряжение, действующее на диод в непроводящий полупериод U B , также зависит от схемы выпрямления. Пример 1. Для данной схемы диод должен удовлетворять условиям. Составляем схему выпрямителя. Пример 2. Пример 3. Определяем напряжение, действующее на диод в непроводящий полупериод для мостовой схемы выпрямителя:.

Составляем схему мостового выпрямителя рис. В этой схеие каждый из диодов имеет параметры диодов. Пример 4. Для составления схемы трёхфазного выпрямителя на трёх диодах заданы диоды Д Дата добавления: ; Просмотров: ; Нарушение авторских прав?

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да Нет. Главная Случайная страница Контакты. Вопросы для самопроверки 1. Область применения и схема принципиальная симметричного мультивибратора. Объясните принцип действия статического триггера. Начертите структурную схему электронного осциллографа и поясните назначение его узлов. Тема 7. Что называется интегральной схемой микроэлектроники ИМС? Что понимают под плёночными и гибридными микросхемами? Какие пассивные и активные элементы входят в микросхему?

Тема 8. Организация микроЭВМ на основе микропроцессоров. Принцип действия полупроводникового запоминающего устройства. Объясните назначение и принцип действия интерфейса. Отключите adBlock!


Test your JavaScript, CSS, HTML or CoffeeScript online with JSFiddle code editor.

Уважаемые клиенты. Фотографии всего процесса:. Фотографии брака и неликвидов:. Изготовление под заказ: любое количество. Наша цена будет наилучшей. Продление гарантии до 5 лет.

Диод ДА, характеристики, параметры, цена, купить.. Д пФ Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях.

Файл:Радио 1958 г. №11.djvu

Содержание задач относится к теме «Выпрямители и включает: 1 составление схемы одно- и двухполупериодного выпрямителей на полупроводниковых вентилях; 2 подбор диодов для таких схем по заданным электрическим параметрам тока, напряжения, мощности. Структурная схема выпрямителя состоит из трех основных частей: трансформатора, вентилей диодов и фильтра. Кроме того, может применятся стабилизатор напряжения. Трансформатор — преобразует напряжение сети переменного тока до величины, необходимой для получения на выходе выпрямителя заданного напряжение постоянного тока. Вентиль — преобразует двухполярное напряжение переменного тока в однополярное пульсирующее напряжение постоянного тока. Для каждого выпрямителя обязательно наличие вентилей в зависимости от технических требований, остальные элементы могут отсутствовать. При более высоких температурах полупроводниковые диоды теряют свойство односторонней проводимости и в качестве вентилей их применять нельзя. Полупроводниковые диоды подбираются для схем выпрямления по двум параметрам: 1 допустимый ток в прямом направлении Iдоп; 2 значение допустимого напряжения, действующее на диод в обратном направлении, когда диод закрыт, Uобр. Эти параметры приводятся в справочниках, выписка из которых для диодов, используемых для решения задач, приведена в таблице 2.

Мощные диоды шоттки. Что такое диод шоттки, его характеристики и способ проверки мультиметром

Развитие электроники требует все более высоких стандартов от радиодеталей. Для работы на высоких частотах используют диод Шоттки, который по своим параметрам превосходит кремниевые аналоги. Иногда можно встретить название диод с барьером Шоттки, что в принципе означает то же самое. Отличается диод Шоттки от обыкновенных диодов своей конструкцией, в которой используется металл-полупроводник, а не p-n переход.

К многочисленному семейству полупроводниковых диодов названных по фамилиям учёных, которые открыли необычный эффект, можно добавить ещё один.

Диод д305 характеристика

Страницы Назад 1 … 6 7 8 9 Вперед. Для обычных диодов это время составляет единицы-десятки мкс что я мерял , у высокочастотных ультрафаст — сотня, десятки нс. У КД порядка нс, что тоже не особо много. Так вот, в это время моржет возникать обратный короткий импульс тока с накопительного кандера, имеющий широкий спектр. Отсюда возможны наводки на входные цепи — что и приводит к ухудшению качества.

Технические характеристики диода д305

Anonymous comments are disabled in this journal. Log in No account? Create an account. Remember me. Facebook Twitter Google. Previous Share Next. Размещение ее на интернет-сайтах разрешаю с указанием, что составитель — Погорилый А. Сигнальные диоды старых типов Самая первая советская система обозначений диодов явно происходит от СВЧ диодов.

Напряжение, действующее на диод в непроводящий полупериод UB, также зависит от схемы выпрямления. 2,1 · U · d. Таблица 4. Технические данные полупроводниковых диодов Д, 0,3, Д ДА, 0,3.

Диоды старых типов

Развитие электроники требует все более высоких стандартов от радиодеталей. Для работы на высоких частотах используют диод Шоттки, который по своим параметрам превосходит кремниевые аналоги. Иногда можно встретить название диод с барьером Шоттки, что в принципе означает то же самое.

Плоскостные германиевые диоды ДД Конструктивное оформление— металлический герметичный корпус с радиатором и со стеклянным изолятором. Д14А, в цепи постоянного тока, величина длительного рабочего постоянного тока, протекающего через прибор, должна быть не более 5 ма. Максимально допустимая мощность рассеяния Обратное сопротивление при смещении — 1 в равно 10 Мом. Материал из РадиоВики — энциклопедии радио и электроники.

В источниках электропитания современных радиотехнических устройств в основном используют германиевые и кремниевые полупроводниковые диоды.

Посмотреть все 58 лота категории Радио и телефония. Все мои лоты я продаю как есть. Если есть известные мне дефекты я о них пишу в описании лота. НЕ торгуюсь, могу несколько снизить цену при оптовых продажах. Все аспекты уточняйте перед покупкой.

Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью. Как покупать?


Какие характеристики диодов действительно имеют смысл?

Несмотря на свою простоту, некоторые технические характеристики современных диодов могут вызвать вопросы у неопытных разработчиков. Дело в том, что некоторые модели диодов были созданы 30 — 50 лет назад. Тогда же для них создавалась и сопутствующая документация. По этой причине в отрасли все еще используют многие устаревшие характеристики и определения, даже если речь касается новых моделей диодов. Старая документация создавалась с прицелом на оптимизацию серийного производства и минимизацию брака. В ней не учитывалась стратегия нулевых дефектов. Очевидно, что разница между этими подходами значительна.

В этой статье мы обсудим наиболее важные параметры, которые должны учитывать разработчики при выборе диодов. Мы также объясним, каким образом производители тестируют диоды и определяют их характеристики. В свою очередь, эти знания помогут разработчикам правильно оценивать характеристики, приведенные в документации.

Мы обсудим наиболее важные предельно допустимые параметры, такие как импульсный ток и напряжение пробоя, а также связанные с ними характеристики, например, I2t и ΔVf. Мы также рассмотрим максимальную температуру перехода и другие технические характеристики, которые требуются для оценки допустимого нагрева в различных приложениях, включая факторы, влияющие на тепловое сопротивление, а также уменьшение допустимого тока при разогреве (дирейтинг).

В статье будут предложены способы оценки надежности компонентов, а также будут обсуждаться другие параметры, в частности, ток утечки и значения Cpk. В настоящей статье обсуждаются только стандартные кремниевые диоды и мостовые выпрямители. Аналогичный обзор параметров для диодов Шоттки будет выполнен в следующей статье.

Предельно допустимые характеристики

На самом деле у диодов есть только две предельно допустимых характеристики: максимальный импульсный ток Ifsm и напряжение пробоя Vrrm. Превышение допустимых токов и напряжений может привести к катастрофическому отказу компонента. Существует несколько механизмов пробоя диодов. Чтобы определить конкретный механизм пробоя, используют растровые электронные микроскопы (SEM). Катастрофические отказы можно воспроизвести при испытаниях.

Уровень напряжения пробоя диодов Vrrm в обязательном порядке проверяют на производстве. Более того, такая проверка выполняется неоднократно, чтобы гарантировать нулевой уровень брака. В результате, разработчики могут не сомневаться в этом параметре и использовать его в расчетах. С другой стороны, проблемы могут возникнуть из-за превышения Vrrm. Большинство стандартных диодов имеют много различных исполнений с рабочими напряжениями от 100 В до 1000 В, однако для производства каждого из них используют один и тот же тип кристалла (или два типа кристаллов). Дело в том, что при массовом производстве неизбежны отклонения. Это и объясняет различия в значениях напряжения пробоя.

Устройства, в которых диод сталкивается с превышением рейтинга напряжения Vrrm, могут без отказов отработать в лабораторных условиях и в прототипах. Однако при крупносерийном производстве подобных изделий поставщику вряд ли удастся обеспечить нулевой уровень отказов. Как правило, диоды не предназначены для работы в режиме лавинообразного пробоя (если об этом напрямую не сказано в документации).

Превышение Vrrm не рекомендуется, так как лавинный ток обычно происходит по поверхности кристалла, а не в его объеме. Разумеется, если производитель определяет стойкость диода к лавинному пробою, то это очень хорошо и является признаком надежности компонента. Однако к этому нужно относиться очень осторожно, так как условия испытаний, используемые производителем, могут существенно отличаться от параметров конкретной схемы. Очень часто в документации приводят параметры устойчивости диодов к одиночным выбросам напряжения, в то время как для реальных схем, как правило, характерны повторяющиеся импульсы перенапряжений.

Импульсный ток Ifsm не тестируется при серийном производстве, но гарантируется конструкцией самого диода. Длительность импульсов тока в большинстве AC/DC-преобразователей не превышает 1,5 мс. Переходное тепловое сопротивление является ключевым параметром, который определяет надежность работы диода. Устойчивость диода к импульсам тока длительностью 1,5 мс определяется размером кристалла и качеством его разварки. Качество разварки в свою очередь очень сильно зависит от качества паяных соединений и способности производителя минимизировать количество пустот в объеме припоя.

Обычно в документации приводят значения Ifsm для импульса 8,3 мс или синусоидальной волны 10 мс и резистивной нагрузки, что соответствует работе линейного источника питания 50/60 Гц. Очевидно, что эти условия испытаний были разработаны еще в прошлом веке и являются устаревшими, так как современные источники питания в большинстве своем оказываются импульсными и обычно работают с емкостной нагрузкой. Для них длительность пускового тока существенно меньше, чем 10 мс.

Некоторые разработчики стараются использовать значения I2t, которые обычно приводят в документации. Однако здесь также легко ошибиться. Величина прямого падения напряжения Vf не является постоянной даже для больших токов, кроме того формы сигналов различаются. По этой причине I2t позволяет выполнять только ориентировочные расчеты. Таким образом, разработчику в любом случае потребуется проверять свои расчеты на прототипах.

Большинство производителей диодов контролируют значение ΔVf в ходе заключительной программы испытании. В ходе таких испытаний измеряется прямое падение напряжения на диоде (Vf) до и после воздействия короткого импульса тока. Хорошо известно, что для диодов значение Vf имеет отрицательный температурный коэффициент. Таки образом, по изменению ΔVf можно судить о тепловом сопротивлении компонента и при необходимости отбраковывать диоды с плохим качеством разварки кристалла.

Для того чтобы свести к нулю число отказов, необходимо обратиться к производителю и обсудить с ним некоторые аспекты производственных процессов и дирейтинг тока с учетом особенностей вашего конкретного приложения.

Температура перехода

Максимально допустимая температура перехода для диода (Tj) необходима для определения рейтинга тока, а также используется при проведении испытаний надежности и при оценке долгосрочной надежности с использованием уравнения Аррениуса.

Диоды – это устройства с сильной температурной зависимостью. Наиболее важное уравнение, используемое для теплового анализа работы диода, имеет вид:

Tj = Ta + Pd*Rthj-a

где Tj – температура перехода, Ta – температура окружающей среды, Pd – рассеиваемая мощность, а Rthj-a – это теплового сопротивление переход – окружающее пространство.

Если не учитывать ток утечки и потери на переключения, то мощность, рассеиваемую на диоде, можно рассчитать как Pd = If * Vf. Так как прямое падение на диоде является величиной практически постоянной, то ограничение мощности в первую очередь определяется рейтингом тока. Очевидно, что допустимый ток зависит от температуры кристалла, а значит и от эффективности отвода тепла от кристалла. Уменьшение предельного тока при разогреве называют «дирейтингом». К сожалению, очень часто из маркетинговых соображений график дирейтинга тока, искусственно «приукрашивается». Если выбрать низкое значение Rthj-a (иногда совсем нереальное) можно сдвинуть точку излома графика в сторону более высоких температур, тем самым сделать дирейтинг тока более привлекательным. В качестве примера мы взяли график снижения тока для 1N4007 (рис. 1).

Рис. 1. Зависимость максимального прямого тока от температуры (дирейтинг) для кремниевого диода общего назначения 1N4007

Как уже было сказано выше, точка излома этой характеристики определяется тепловым сопротивлением кристалл-окружающая среда Rthj-a. Значение Rthj-a может быть выбрано производителем произвольно и очень часто занижается из маркетинговых соображений. Очевидно, что при различных показателях Rthj-a токовая нагрузка диода может изменяться в очень широких пределах. Такой неоднозначности можно избежать, если производитель будет строить график дирейтинга тока в зависимости от температуры корпуса Tc, а не от температуры окружающей среды Ta, и при этом, укажет конкретное значение Rthj-l.

Однако, даже когда производитель указывает дирейтинг с учетом Tc, а не Ta, разработчики все равно должны быть осторожны (особенно в случае с SMD-компонентами). В большинстве устройств тепловое сопротивление состоит из двух частей: тепловое сопротивление переход-корпус (или переход-вывод) и тепловое сопротивление корпус-среда (вывод-среда). Если компонент не имеет внешнего теплоотвода, то основной вклад в общее тепловое сопротивление вносит сопротивление корпус-среда (до 75%). Очевидно, что в таких случаях дирейтинг с учетом Tc становится бессмысленным. Концепция бесконечного радиатора является чисто теоретической – она не может быть реализована на практике.

Производители могут использовать различные условия испытаний, что приводит к тому, что рейтинги тока, представленные в документации, оказываются не столь однозначными и способны вводить в заблуждение разработчиков. Другими словами указание рейтинга тока 2 А или 5 А может не имеет особого практического смысла. Более эффективным будет сравнение диодов по их Vf и по условиям испытаний. Большинство поставщиков включают типовые ВАХ в документацию. Вольт-амперные характеристики являются объективными – их нельзя подстроить по желанию маркетингового отдела. Они позволяют объективно сравнивать диоды.

Максимальная температура перехода также играет очень важную роль с точки зрения надежности. Обратите внимание, что производители диодов могут сами выбирать, как определять максимальную температуру кристалла и как проводить тестирование надежности. Но если компонент сертифицируется согласно требованиям AEC Q101, то условия испытаний становятся четко определенными. Высокотемпературное тестирование с обратным смещением (High-temperature reverse-bias, HTRB) особенно важно для определения надежности. Компоненты, соответствующие требованиям AEC Q101, в обязательном порядке проходят испытания для определения Tj и пробивного напряжения (DC/RMS). Если диод не сертифицирован согласно AEC Q101, то разработчику следует ознакомиться, каким образом производитель выполняет тест HTRB.

Важно понимать, что в документации приводится максимальная температура, однако использование компонента при более низкой температуре позволит снизить количество отказов. Чтобы объяснить эту закономерность, следует изучить факторы ускорения химической реакции в уравнении Аррениуса. Если вы разрабатываете электронику для автомобильной техники с номинальным бортовым напряжением 12 В, то вашими основными инструментами для оценки долгосрочной надежности и вероятности отказов станут модель Коффина-Менсона и испытания с термоциклированием. Однако в случае неавтомобильных приложений, таких как AC/DC- и DC/DC-преобразователи, следует использовать уравнение Аррениуса.

Производители обычно предоставляют значение интенсивности отказов FIT (failures in time) для температуры 55 °C с определенным уровнем достоверности, например, 60% или 90%. Значение FIT определяется как отношение количества отказов на один миллиард устройство-часов. Если разработчик учтет коэффициент ускорения AF, то он сможет определить, каким будет FIT в его устройстве. Коэффициент AF высчитывается для заданной температуры Tj, после чего умножается на значение FIT при 55 °C. В таблице 1 приведены коэффициенты ускорения, рассчитанные с энергией активации 0,7 эВ, которая является стандартной для кремниевых диодов.

Таблица 1. Коэффициенты ускорений для различных температур перехода

Tj  (°C)

AF

55

1

100

19

110

34

120

58

130

97

140

158

149

240

150

251

151

263

Во многих компаниях существует правило, согласно которому допустимый перегрев корпусов компонентов не должен превышать 90 °C. Для диодов это обычно соответствует температуре кристалла Tj от 100 °C до 110 °C. Это очень хорошее правило. Мы также включили в таблицу значения AF для 149 °C и 151 °C, чтобы подчеркнуть, что для диодов с максимальной температурой кристалла Tj 150 °C разница в частоте отказов между 149 °C и 151 C не так велика. Однако и в том, и в другом случае уровень отказов оказывается очень высоким.

Другие параметры

Для многих стандартных диодов в документации указывают предельные значения токов утечки (Ir): 1 мкА или 5 мкА. Такие значения были вполне адекватными 30…50 лет назад, однако за эти годы было сделано много технологических улучшений. Сегодня кривая распределения токов утечки ограничивается сотнями нА, в зависимости от размера кристалла. Таким образом, указанные предельные значения 5 мкА или даже 1 мкА не имеют смысла.

В документации обычно указываются значения Cpk (индекса возможностей процесса) от 20 и более. Значение Cpk не характеризует уровень погрешности ppm, но указывает на ошибку указанных значений. На самом деле диоды, для которых ток утечки располагается между нормальным распределением и предельными значениями (от 1 до 5 мкА), являются наиболее вероятными причинами сбоев в работе. Они имеют механические повреждения, проблемы с пассивацией или другие дефекты. Вместо того чтобы полагаться на значения, приведенные в документации, разработчик, стремящийся приблизить количество отказов к нулю, должен спросить у производителя, выполняет ли он PAT-тестирование (part average tested) для своих компонентов (рис. 2).

Рис. 2. PAT-тестирование предназначено для обнаружения явных отклонений

PAT-тестирование оказывается гораздо полезнее, чем табличные предельные значения, и связывает спецификацию теста с нормальным распределением (методология 6 сигм). Это гарантирует, что компоненты с низкой надежностью будут обнаружены. Если диод должен иметь напряжение пробоя 1000 В, но не соответствует этой спецификации, то его либо отбраковывают, либо понижают рейтинг напряжения и продают как 100 В диод. Но первоначальный провал теста показывает, что у компонента есть дефект, и его надежность будет ниже.

Заключение

Диоды производятся миллиардами штук ежегодно. Во время работы им приходится сталкиваться с различными негативными факторами, например бросками напряжения или перегревом. Обычно при исследовании температурного профиля печатной платы оказывается, что именно диоды являются самыми горячими компонентами. В результате риск отказа диодов может быть выше, чем для других компонентов.

Однако, следуя основным правилам и имея представление о процессе производства и программе испытаний, можно минимизировать риск отказа диода при работе в составе реальных устройств.

Источник: http://www.how2power.com

d304%20Техническое описание диода и примечания по применению

Лучшие результаты (6)

org/Product»> org/Product»>
Часть Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть
UCD3040PFRG4 Инструменты Техаса КОНТРОЛЛЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ, 2000 кГц SWITCHING FREQ-MAX, PQFP80, 14 X 14 MM, ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИК, TQFP-80
UCD3040PFCR Инструменты Техаса Полностью программируемый цифровой контроллер мощности с четырьмя контурами обратной связи и восемью выходами DPWM 80-TQFP от -40 до 125
UCD3040PFCG4 Инструменты Техаса КОНТРОЛЛЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ, 2000 кГц SWITCHING FREQ-MAX, PQFP80, 14 X 14 MM, ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ, TQFP-80
UCD3040RGCR Инструменты Техаса Полностью программируемый цифровой контроллер мощности с четырьмя контурами обратной связи и восемью выходами DPWM 64-VQFN от -40 до 125
UCD3040PFC Инструменты Техаса Полностью программируемый цифровой контроллер мощности с четырьмя контурами обратной связи и восемью выходами DPWM 80-TQFP от -40 до 125
UCD3040RGCT Инструменты Техаса Полностью программируемый цифровой контроллер мощности с четырьмя контурами обратной связи и восемью выходами DPWM 64-VQFN от -40 до 125

d304%20diode Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>
Каталог Лист данных MFG и тип ПДФ Теги документов
1998 — Д304

Резюме: 2SD2061 2SD1957 94L-1016-D304 D301
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SD1957 2SD2061 94Л-919 94Л-1016-Д304) Д304 2SD2061 2SD1957 94Л-1016-Д304 Д301
Д304С

Резюме: D304 x D309 T6C58 T6L02 D304 D308 D306 D302 D301
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF T6L02 300/309-канальный выход 55 МГц. Т6С58 D304X Д304 х Д309 Д304 Д308 Д306 Д302 Д301
BY238

Реферат: LDR07 LDR05 siek2 siek 1 siek-7 siek-6 siek-4 KU208G siek1
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF ———————D210 Д220Б Д226Б Д226Г Д302А Д814В КД103А КД103Б КД106А КД108В BY238 ЛДР07 ЛДР05 siek2 1 сик сик-7 сик-6 сик-4 КУ208Г 1 сик
Д304 х

Реферат: d304x D309 d304 T6C58 LG D302 DA1 309 D306 D308 T6L02
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF T6L02 T6L02 300/309-канальный выход 55 МГц. Т6С58 Д304 х д304х Д309 д304 LG D302 DA1 309 Д306 Д308
рф1001

Реферат: R3003 RF-1001 RE502 R3002 RE501 MAX4146 kf 203 Q3-04 3001 pnp
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF МАКС4144 130 МГц МАКС4144) 70 МГц МАКС4146) 100 мА 000 В/США 14-контактный рф1001 R3003 РФ-1001 RE502 R3002 RE501 МАКС4146 кф 203 Q3-04 3001 пнп
DA1 309

Аннотация: T6C58 D309 D304 х
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF T6L02 T6L02 300/309-канальный выход 55 МГц. Т6С58 SCN02 DA1 309 Д309 Д304 х
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF Т6Л37 Т6Л37 300/309-канальный выход Т6Л12
2008-PIC18F87J50

Аннотация: транзистор D304 D043A КОД D132 SSPX D135 D134 D132 D131 D130
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF PIC18F87J50 ДС39775Б) Д132Б, DS80409B-страница транзистор Д304 Д043А КОД D132 SSPX Д135 Д134 Д132 Д131 Д130
транзистор Д304

Реферат: ТРАНЗИСТОР Д304 2сд2061 Д304 диод д304
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 2SD1957 2SD2061 2SD1957 T0220FP 100 мс 94Л-1016-Д304) транзистор Д304 Д304 ТРАНЗИСТОР 2сд2061 Диод Д304 д304
пд223

Реферат: d304 01401I LG D302
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 81CNQ Д-303 81CNQ. Д-304 pd223 д304 01401I LG D302
саньо ccb

Аннотация: транзистор д231 диод д229
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF ЭНА1425 LC75806PT LC75806PT А1425-35/35 саньо ccb транзистор д231 диод д229
СРН2К2ДЖ

Реферат: CH551H-30PT-GP 150R2F-1-GP плата wistron 0R-0603 SC22P50V2JN-4GP C304 BAV99PT-GP-U 0R0603-PAD-1-GP wistron
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 4HH01 HOLE335R115-GP SRN2K2J Ч551Х-30ПТ-ГП 150Р2Ф-1-ГП вистрон доска 0R-0603 СК22П50В2ДЖН-4ГП С304 БАВ99ПТ-ГП-У 0R0603-ПАД-1-ГП вистрон
2009 — транзистор д304

Реферат: Д226 А ДИОД Д223 ДИОД формат ccb диод д229Д226 диод Д231 диод Д304 диод Д304 Д304 ТРАНЗИСТОР
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF ЭНА1425 LC75806PT LC75806PT А1425-35/35 транзистор д304 D226 А ДИОД D223 ДИОД формат ccb диод д229 Диод Д226 Диод Д231 Диод Д304 Д304 Д304 ТРАНЗИСТОР
2001 — Санио Д315

Аннотация: D319 ic «D312» транзистор D313 принципиальная схема приложение Sanyo D313 D288 D313 эквивалент D313 транзистор D331 схема приложение транзистор D313
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF LC75838E, 5838 Вт LC75838E LC75838W 3159-QIP64E LC75838E] QIP64E 3190-SQFP64 LC75838W] Санио Д315 Д319 ИК «Д312» схема применения транзистора д313 схема Санио Д313 Д288 Эквивалент D313 Д313 схема применения транзистора Д331 транзистор Д313
ТП102

Резюме: UPD78F0756 R614 uPD78F0730 TP601 78k0/ib2 2SJ355-AZ RAPC722X RB055L-40 VR602
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF TP602 TP601 uPD78F0756 RAPC722X SW401 КАС-220ТБ1 МЛ-800С1В 10 мкФ/50 В SN75176BD VR601 ТП102 R614 uPD78F0730 TP601 78k0/ib2 2SJ355-АЗ RAPC722X РБ055Л-40 ВР602
Диод Д304

Реферат: Диодный выпрямитель Д304 тр/П45/диодный выпрямитель Д304 Д304
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF PVT442 Диод Д304 диодный выпрямитель Д304 тр/П45/диодный выпрямитель Д304 Д304
Диод Д226

Реферат: диод tr/P45/D304
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF ЭНА1425 LC75806PT LC75806PT А1425-35/35 Диод Д226 диод тр/П45/Д304
Д304 х

Реферат: транзистор Д304 МНЭТ-Д322 Д304, транзистор Д322 МНЭТ-Д340
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF РС-485 16-Ди/16-Ди 32-ДО Д304 х транзистор Д304 МНЕТ-D322 Д304 транзистор Д322 МНЕТ-D340
ДД106

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF
1996 — тиристор 308

Реферат: D304 x T 308 THYRISTOR 200AB ST280CH TO200AB
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF Д-302 И25160/Б СТ280Ч. О-200АБ Д-306 Д-307 тиристор 308 Д304 х Т 308 ТИРИСТОР 200АБ ST280CH ТО200АБ
2009-PIC18F87J10

Реферат: КОД D132 D004 D132 D130 D131 Серия CE-FC
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF PIC18F87J10 DS39663D) DS80315E-страница КОД D132 Д004 Д132 Д130 Д131 Серия CE-FC
1999 — U201B

Реферат: B204 SLOD002 «Операционный усилитель» C324 U201A SLOP249 b202 конденсаторы slvd002 транзистор D304 C311
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF СЛОУ062 U301C U301B U301D U201B B204 СЛОД002 «Операционный усилитель» C324 U201A SLOP249 конденсаторы б202 slvd002 транзистор Д304 C311
2008 — пример pic18f87j11 spi

Реферат: pic18f87j11 spi sspif Серия CE-FC D304 Диод D043A D132 D131 D130 D135
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF PIC18F87J11 DS39778C) Д133Б) DS80408B-страница pic18f87j11 пример спи pic18f87j11 спи sspif Серия CE-FC Диод Д304 Д043А Д132 Д131 Д130 Д135
2008-PIC18F87J10

Реферат: 356 триггер Шмитта D043A КОД D132 D130 D131 D132
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF PIC18F87J10 ДС39663D) DS80315C-страница 356 спусковой крючок Шмитта Д043А КОД D132 Д130 Д131 Д132
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 170 мА PVT442

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее

диод%20d307 спецификация и примечания по применению0010

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть UJ3D06530TS UnitedSiC 650В-30А Диод ТО-220-2Л Техническая спецификация UJ3D1250K UnitedSiC 1200В-50А Диод ТО-247-3Л Техническая спецификация org/Product»> UJ3D06510TS UnitedSiC 650В-10А Диод ТО-220-2Л Техническая спецификация UJ3D1220K2 UnitedSiC 1200В-20А Диод ТО-247-2Л Техническая спецификация UJ3D06506TS UnitedSiC 650В-6А Диод ТО-220-2Л Техническая спецификация UJ3D1210KS UnitedSiC 1200В-10А Диод ТО-247-3Л Техническая спецификация

диод%20d307 Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>
Каталог Лист данных MFG и тип ПДФ Теги документов
фгт313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
перекрестный диод

Реферат: диод Шоттки перекрестный эталон MV3110 AH513 AH512 AH761 диод Ганна Ah470 импатт диод DMK-6606
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF MA40401 MA40402 MA40404 MA40405 MA40406 MA40408 перекрестная ссылка на диод перекрестная ссылка на диод шоттки МВ3110 AH513 AH512 AH761 Ганн Диод Ач470 ударный диод ДМК-6606
2002 — SE012

Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B
Антенна GPS AT65

Реферат: MA4EX580L1-1225T MA4ST1081CK-287 ELDC-17LITR MA4ST1081 MA4P789ST-287T и т. д.1-1-13tr MAALSS0042 MAAVSS0007 MADRCC0013
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF АМ50-0002 АМ50-0003 АМ50-0004 АМ50-0006 АТ10-0009 АТ10-0017 АТ10-0019АТ-108 АТ-110-2 АТ-113 GPS-антенна AT65 MA4EX580L1-1225T МА4СТ1081СК-287 ЭЛДК-17ЛИТР MA4ST1081 МА4П789СТ-287Т и т.д.1-1-13тр МААЛСС0042 MAAVSS0007 MADRCC0013
диод

Реферат: Стабилитрон диод 1N4148 «Диод ВЧ» стабилитрон А 36 коде диод 1n4148 стабилитрон Шоттки диод Стабилитрон частотный высокочастотный диод 8889
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 1Н4148 1N4148W 1Н4150 1N4150W 1Н914 1Н4151 1N4151W 1Н4448 1N4448W 1N4731 диод диод стабилитрон 1N4148 «высокочастотный диод» стабилитрон А 36 кодовый диод 1н4148 стабилитрон диод Шоттки Частота стабилитрона высокочастотный диод 8889
КИА78*ПИ

Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2N2904E до н.э.859КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API
СТХ12С

Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA7692SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A диод Dual MOSFET 606 2sc5287
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287
2001 — Диод RU 3AM

Реферат: диод РУ 4Б РГ-2А Диод МН638С диод РУ 4АМ ФММ-32 СПФ0001 красный зеленый зеленый стабилитрон sta464c Диод РЖ 4Б
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF
Варистор RU

Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 СЭ090Н 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 СЭ090 РБВ-406
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406
фн651

Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
1N4007 ДИОД ЗЕНЕРА

Реферат: диод А14А диод ст4 диак диод а15а стабилитрон дб3 стабилитрон 1н4744 стабилитрон 1н4002 стабилитрон 5А стабилитрон 400в
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 1N4001 1N4002 1N4003 1Н4004 1N4005 1Н4006 1Н4007 1N5400 1N5401 1N5402 1N4007 ЗЕНЕРСКИЙ ДИОД диод А14А диод ст4 диак диод а15а стабилитрон дб3 стабилитрон 1n4744 диод стабилитрон 1н4002 стабилитрон 5А стабилитрон 400в
хб*9Д5Н20П

Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI КХБ9Схема Д0Н90Н транзистор ктд998
К2Н4401

Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751
2012 — SR506 Диод

Реферат: диод 6А 1000в SM4007 Диод Диод SR360 диод her307
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF СМД4001-4007) СР560 ДО-27 UF4004 ДО-41 UF4007 10А10 LL4148 ФР101-ФР107 SR506 Диод диод 6А 1000в SM4007 Диод Диод SR360 диод her307
2006 — термодиод

Реферат: Термодиод PowerPC970MP CY8C27243 PPC970MP PowerPC970MPTM PowerPC970MP PowerPC 970 PowerPC-970mp Использование термодиодов в процессоре PowerPC 970MP
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF PowerPC970MP® 64-битный PowerPC970MP™ 970MP) 970MP термодиод Термодиод PowerPC970MP CY8C27243 PPC970MP PowerPC970MP™ PowerPC970MP PowerPC 970 PowerPC-970mp Использование термодиодов в процессоре PowerPC 970MP
Оптическое просветляющее покрытие OZ Optics

Реферат: Лазерный диод 1550нм 1300нм 1550нм лазерный диод Радиальный sma ОПТИЧЕСКОЕ ВОЛОКНО LDC-21A ЛАЗЕРНЫЙ ДИСТАНЦИОНЕР лазерный соединитель SMA 905 размер волокна объектив лазерный диод TILT rotATOR
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF -40 дБ Оптическое просветляющее покрытие OZ Optics Fiber Лазерный диод 1550нм 1300нм лазерный диод 1550нм Радиальное ОПТИЧЕСКОЕ ВОЛОКНО ЛДЦ-21А ЛАЗЕРНЫЙ ДАЛЬНОМЕР лазерный соединитель Размеры волокна SMA 905 линза лазерный диод НАКЛОННЫЙ ПОВОРОТНИК
Германиевый диод

Реферат: 5-амперный диодный выпрямитель Германиевый диод OA91 aa117 диод 2-амперный выпрямительный диод-диод 2-амперный стабилитрон ДИОД 1N649германиевый выпрямительный диод OA95 диод
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 1Н34А 1Н38А 1Н60А 1Н100А 1Н270 1Н276 1Н277 1Н456 1Н459 1Н456А германиевый диод Диодные выпрямители на 5 ампер Германиевый диод OA91 диод аа117 Выпрямительный диод на 2 ампера диод 2-амперный стабилитрон ДИОД 1N649 германиевый выпрямительный диод Диод ОА95
диод Шоттки 60В 5А

Реферат: 30А Быстродействующий диод Шоттки Диод 20В 5А Диод Шоттки высокое обратное напряжение код маркировки 1А Диод Шоттки Диод 40В 2А Диод Шоттки код 10 Шоттки Барьер 3А Шоттки БАРЬЕР ДИОД ERG81-004
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 5В/10А) 500нс, диод шоттки 60В 5А 30A быстродействующий диод Диод Шоттки 20В 5А Диод Шоттки высокого обратного напряжения код маркировки 1А диод Диод Шоттки 40В 2А диод Шоттки код 10 Барьер Шоттки 3А БАРЬЕР ШОТТКИ ДИОД ЭРГ81-004
Диод Ганна

Реферат: Микроволновый кремниевый детектор Диод DW9248 микроволновый волновод Marconi gunn Silicon Detector УВЧ-диодный варактор диодный варактор с фильтром
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF DA1304 DA1307 DA1321 DA1321-1 DA1338 DA1338-1 DA1338-2 DA1338-3 DA1349-2 DA1349-4 Ганн Диод Микроволновый кремниевый детекторный диод DW9248 микроволновый волновод Маркони Ганн Кремниевый детектор УВЧ диод варикапный диодный фильтр варактор
м2222а

Резюме: BCB47B SOD80C PHILIPS BF960 PMBTA64 1N4148 SOD80C PXTA14 BCB47BW pzt222a BF606A
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF БА582 ОД123 БА482 BA682 BA683 БА483 БАЛ74 БАВ62, 1Н4148 pm2222a BCB47B SOD80C ФИЛИПС BF960 ПМБТА64 1N4148 СОД80С PXTA14 BCB47BW пзт222а BF606A
схемы сварки

Реферат: многопереходная «солнечная батарея» EMCORE CIC Солнечная батарея Emcore дуговой реактор солнечной батареи Многопереходная ячейка «солнечная батарея» с диодом Шоттки
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF
2009 — 2850КТ

Реферат: 2850MT 1200 RTV 2850FT RTV-615 1N6515 1N5550 scotchcast эпоксидный диод с piv 40 В
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 1Н6515 1N5550 2850КТ 2850 тонн 1200 РТВ 2850 футов РТВ-615 1Н6515 1Н5550 скотчкаст эпоксидная смола горшечный материал диод с пив 40v
1998 — Стабилитрон 3 В 400 мВт

Реферат: транзистор bc548b BC107 транзистор TRANSISTOR bc108 bc547 таблица перекрестных ссылок Транзистор BC109 DIAC OB3 DIAC Br100 74HCT Спецификация семейства IC TRANSISTOR mosfet BF998
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF DS750 87C750 80С51 ПЗ3032-12А44 БУК101-50ГС BUW12AF БУ2520АФ 16 кГц BY328 Стабилитрон 3В 400мВт транзистор bc548b Транзистор BC107 ТРАНЗИСТОР bc108 Таблица перекрестных ссылок bc547 Транзистор BC109ДИАК OB3 ДИАК Br100 Спецификация семейства микросхем 74HCT ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор BF998
УВЧ фазовращатель

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее

7WBD3305USG техническое описание — Технические характеристики: Производитель: ON Semiconductor ; RoHS:

KSA733CYTA : Транзисторы Биполярный (BJT) Эпитаксиальный транзистор PNP. s: Производитель: Fairchild Semiconductor; Категория продукта: Транзисторы биполярные (BJT); RoHS: Подробная информация ; Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс.: 50 В; Эмиттер-База Напряжение ВЭБО: — 5 В; Максимальный ток коллектора постоянного тока: 0,15 А; DC Collector/Base Gain hfe Мин.: 40 ; Конфигурация:.

DS1314S+ : Контроллеры памяти 3V Cntlr с монитором литиевой батареи. s: Производитель: Maxim Integrated Products ; RoHS: Подробная информация ; Упаковка: Тюбик.

PIC16C62B-20I/SP : Микроконтроллеры (MCU) 3,5 КБ 128 ОЗУ 22 ввода-вывода. В наличии Соответствует RoHS s: Производитель: Microchip; Категория продукта: микроконтроллеры (MCU); RoHS: Подробная информация ; Ядро: ПОС; Серия процессора: PIC16C; Разрядность шины данных: 8 бит; Максимальная тактовая частота: 20 МГц; Размер памяти программы: 3,5 КБ; Размер ОЗУ данных: 128 Б; Встроенный АЦП: нет; Оперативное снабжение.

NX3L1G66GW,125 : ИС аналогового переключателя 1SW SPST 4,3 В 60 МГц. с: Производитель: NXP; RoHS: Подробная информация ; Количество переключателей: 1 ; Конфигурация переключателя: SPST; Сопротивление (макс.): 1,6 Ом; Напряжение переключателя (макс.): 4,3 В; Время включения (макс.): 48 нс; Время выключения (макс.): 21 нс; Максимальная рабочая температура: + 125 С; Тип монтажа: СМД/СМТ; Упаковка/кейс: ЦСОП-5 ; Максимальная мощность.

74HCT374D,652 : Вьетнамки ВОСЬМЕРИЧНЫЙ D F/F 3STATE. с: Производитель: NXP; Категория продукта: Вьетнамки; RoHS: Подробная информация ; Количество цепей: 8; Семейство логики: 74HCT; Тип логики: триггер D-типа; Полярность: неинвертирующая; Тип входа: несимметричный; Время задержки распространения: 13 нс; Выходной ток высокого уровня: — 6 мА; Напряжение питания (макс.): 5,5 В; Максимальная рабочая.

BC847CW,135 : Транзисторы биполярные (BJT) TRANS GP TAPE-11. с: Производитель: NXP; Категория продукта: Транзисторы биполярные (BJT); RoHS: Подробная информация ; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс. : 45 В; Эмиттер-База Напряжение VEBO: 6 В; Максимальный ток коллектора постоянного тока: 0,1 А; Конфигурация: Одноместный; Максимальная рабочая частота: 100 МГц; Максимальная рабочая.

PXT2907A,115 : Транзисторы биполярные (BJT) TRANS SW TAPE-7. с: Производитель: NXP; Категория продукта: Транзисторы биполярные (BJT); RoHS: Подробная информация ; Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс.: 60 В; Эмиттер-База Напряжение VEBO: 5 В; Максимальный ток коллектора постоянного тока: 0,6 А; Конфигурация: Одноместный; Максимальная рабочая частота: 200 МГц; Максимальная рабочая.

NTMFS4936NT1G : МОП-транзистор NFET SO8FL 30 В. s: Производитель: ON Semiconductor ; Категория продукта: МОП-транзистор; Полярность транзистора: N-канальный; Напряжение пробоя сток-исток: 30 В; Непрерывный ток стока: 19,5 А; Сопротивление сток-исток RDS (вкл.): 4 мОм; Конфигурация: Одноместный; Тип монтажа: СМД/СМТ; Пакет/кейс: SO-8 ; Упаковка: катушка; Прямая транскондуктивность.

STM32L152VBT6 : Микроконтроллеры (MCU) 32-битный Arm Cortex M3 128kb LCD Ultralow. » » » » Микроконтроллеры Микроконтроллеры для персональных мониторов активности Технологические достижения исторически позволяли неуклонно снижать физическую нагрузку. Например, фермеры освобождаются от ручной обработки почвы, но с этим связаны многие проблемы со здоровьем.

STM706TAM6F : Цепи контроля 5 В Супервизор 200 мс 1,6 с Таймер 40 мкА. s: Производитель: STMicroelectronics; Категория продукта: Цепи контроля; RoHS: Подробная информация ; Количество контролируемых напряжений: 1; Контролируемое напряжение: 5 В; Ручной сброс: сбрасываемый; Сторожевой таймер: Сторожевой таймер ; Напряжение питания (макс.): 5,5 В; Напряжение питания (мин.): 1 В; Потребляемый ток (типовой): 25 мкА; Максимум.

WJA1510 : РЧ-усилитель 50–1000 МГц +44 дБм OIP3. Это семейство усилителей общего назначения InGaP HBT от TriQuint-WJ предлагает превосходный динамический диапазон в недорогих корпусах для поверхностного монтажа. Эти устройства предназначены для обеспечения широкополосного усиления на частотах от постоянного тока до 6 ГГц. Ориентированные на телекоммуникационную инфраструктуру и рынки кабельного телевидения, они могут быть непосредственно применены к различным.

SI4972DY-T1-E3 : MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S). s: Производитель: Vishay ; Категория продукта: МОП-транзистор; RoHS: Подробная информация ; Полярность транзистора: N-канальный; Напряжение пробоя сток-исток: 30 В; Напряжение пробоя затвор-исток: +/- 20 В; Непрерывный ток стока: 8,7 А, 6,4 А; Сопротивление сток-исток RDS (вкл.): 14,5 мОм, 26 мОм; Конфигурация: двойной; Максимальная рабочая.

STL120N2VH5 : МОП-транзистор N-Ch 20 В 0,002 Ом 28 A StripFET V MOS. Эти N-канальные STripFET& 8482; Мощные полевые МОП-транзисторы — это полевые МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которых используются новейшие усовершенствования собственных транзисторов STripFET&8482 компании STMicroelectronics; технология с новой структурой ворот. Получившийся N-канальный STripFET& 8482; Мощный полевой МОП-транзистор обеспечивает требуемый высокий ток и низкий RDS(on).

HV9910CNG-G M934 : Драйверы светодиодного освещения ИС драйвера светодиодов высокой яркости. s: Производитель: Supertex; Входное напряжение: от 15 В до 450 В; Рабочая частота: 25 кГц; Максимальный ток питания: 1,5 мА; Максимальная рабочая температура: + 150 С; Тип монтажа: СМД/СМТ; Упаковка/кейс: SOIC-16 ; Минимальная рабочая температура: — 40 C; Упаковка: катушка; Рассеиваемая мощность: 1300 мВт.

LDK120M15R : Контроллеры с малым падением напряжения — LDO 200 мА, малый ток покоя Очень малошумящий LDO. s: Производитель: STMicroelectronics; Входное напряжение МАКС.: 5,5 В; Выходное напряжение: 1,5 В; Выходной ток: 200 мА; Регулировка нагрузки: 0,006 %/мА; Тип выхода: Фиксированный; Количество выходов: 1 ; Максимальная рабочая температура: + 125 С; Тип монтажа: СМД/СМТ; Упаковка/кейс: СОТ-23-5.

AU80610004392AAS LBLA : Центральный процессор Atom D510 Dual Core 1,66 ГГц FCBGA559. s: Производитель: Intel; Продукт: Процессоры для настольных ПК; Семейство: Intel Atom; Кодовое имя: Пайнвью; Серия процессора: D510; Встроенные варианты: встроенный ; Кэш: 1 МБ; Максимальная тактовая частота: 1,66 ГГц; Тип системной шины: DMI; Скорость системной шины: 2,5 ГТ/с; Количество ядер: 2; Число.

NCP51200MNTXG : Специализированное управление питанием 3A DDR / VTT РАЗЪЕМ. ON Semiconductor NCP51200 3-амперный оконечный стабилизатор VTT источника/приемника для DDR, DDR-2, DDR-3, DDR-4 разработан для систем с низким входным напряжением и низким уровнем шума, где ключевыми соображениями являются ограничения по пространству. Разработчики могут использовать NCP51200 в чипсетах с низким энергопотреблением и ядрах графических процессоров, требующих динамической нагрузки.

Несколько отказов микросхем Alpine MRP-M650, нужны характеристики

Перейти к последнему

Tekjive
Участник

#1