Диод s30d40c характеристики: Справочники

Содержание

S20c40 datasheet pdf ( даташит )

Диод в цепи переменного тока

Кто забыл, что такое переменный ток, читаем . Итак, для того, чтобы рассмотреть работу диода в цепи переменного тока, давайте составим схему. Здесь мы видим генератор частоты G, диод и два клеммника Х1 и Х2, с которых мы будем снимать сигнал с помощью осциллографа.

Мой генератор частоты выглядит вот так.

генератор частот

Осциллограмму будем снимать с помощью цифрового осциллографа

Генератор выдает переменное синусоидальное напряжение.

синусоидальный сигнал

Что же будет после диода? Цепляемся к клеммам X1 и X2 и видим вот такую осциллограмму.

переменное напряжение после диода

Диод вырезал нижнюю часть синусоиды, оставив только верхнюю часть.

А что будет, если мы поменяем выводы диода? Схема примет такой вид.

переменый ток после диода

Что же получим на клеммах Х1 и Х2 ? Смотрим на осциллограмму.

переменный ток после диода

Ничего себе! Диод срезал только положительную часть синусоиды!

S20C40CE Datasheet Download — Mospec Semiconductor

Номер произвS20C40CE
Описание(S20C30CE — S20C60CE) Schottky Barrier Rectifiers
ПроизводителиMospec Semiconductor
логотип  
1Page

MOSPEC
www. DataSheet4U.com
S20C30CE thru S20C60CE
Schottky Barrier Rectifiers
Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal.
These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide
passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high
frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes.
Low Forward Voltage.
Low Switching noise.
High Current Capacity
Guarantee Reverse Avalanche.
Guard-Ring for Stress Protection.
Low Power Loss & High efficiency.
150 Operating Junction Temperature
Low Stored Charge Majority Carrier Conduction.
Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIERS
20 AMPERES
30-60 VOLTS

TO-220AB
MAXIMUM RATINGS
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
S20C
Symbol
Unit
30CE 35CE 40CE 45CE 50CE 60CE

VRRM

VRWM 30 35 40 45 50 60

VR

V
RMS Reverse Voltage

VR(RMS) 21 25 28 32 35 42

V
Average Rectifier Forward Current

Total Device (Rated VR), TC=100

IF(AV)

10
20
A
Peak Repetitive Forward Current

(Rate VR, Square Wave, 20kHz)

Non-Repetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rate load conditions
halfware, single phase, 60Hz)

IFM

IFSM

20
200
A
A
Operating and Storage Junction
Temperature Range

TJ , Tstg

-65 to +150
ELECTRIAL CHARACTERISTICS
Characteristic
S20C
Symbol
30CE 35CE 40CE 45CE 50CE 60CE
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage

( IF =10 Amp TC = 25 )

( IF =10 Amp TC = 125 )

VF

0. 57
0.46
0.70 V
0.57
Maximum Instantaneous Reverse Current

( Rated DC Voltage, TC = 25 )

( Rated DC Voltage, TC = 125 )

IR

0.5 mA
20

DIM MILLIMETERS

MIN MAX
A 14.68 15.32
B 9.78 10.42
C 5.02 6.52
D 13.06 14.62
E 3.57 4.07
F 2.42 2.66
G 1.12 1.36
H 0.72 0.96
I 4.22 4.98
J 1.14 1.38
K 2.20 2.98
L 0.33 0.55
M 2.48 2.98
O 3.70 3.90
Common cathode
Suffix “C”

S20C30CE Thru S20C60CE
www.DataSheet4U.com
FIG-1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
FIG-2 TYPICAL FORWARD CHARACTERISITICS
S20C30CE-45CE
S20C50CE-60CE
CASE TEMPERATURE ( )
FIG-3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
S20C30CE-45CE
S20C50CE-60CE
PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE ( )
FIG-5 PEAK FORWARD SURGE CURRENT
FORWARD VOLTAGE (Volts)
FIG-4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
S20C30CE-45CE
S20C50CE-60CE
REVERSE VOLTAGE (Volts)
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

Всего страниц2 Pages
Скачать PDF

S30D40C Datasheet Download — Won-Top Electronics

Номер произвS30D40C
Описание
(S30D30C — S30D60C) 30A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
ПроизводителиWon-Top Electronics
логотип  
1Page

WTE
POWER SEMICONDUCTORS

S30D30C – S30D60C Pb

30A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features

! Schottky Barrier Chip

! Guard Ring for Transient Protection

! Low Forward Voltage Drop

! Low Reverse Leakage Current

! High Surge Current Capability

! Plastic Material has UL Flammability

S
R
Classification 94V-O

L

H
J
PIN1 2 3
K
P
Mechanical Data

! Case: TO-3P, Molded Plastic

! Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-750, Method 2026

! Polarity: See Diagram

! Weight: 5. 6 grams (approx.)

! Mounting Position: Any

! Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.

! Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
N
M
A
B
C
GD
TO-3P
Dim Min
Max

A 3.20

3.50

B 4.70

5.30

C — 23.00

D 19.00

E 2.80

3.20

G 0.45

0.85

H — 16.20

J 1.70

2.70
K
3.15 Ø
3.65 Ø

L—

4.50

M 5.25

5.65

N 1.10

1.40

P—

2.50

R 11.70 12.70

S 5.00

6.00
All Dimensions in mm
PIN 1 —
PIN 3 —
+
Case, PIN 2
E

Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
www.DataSheet4U.com
Characteristic
Symbol
S30D
30C
S30D
35C
S30D
40C
S30D
45C
S30D
50C
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage

VRRM

VRWM

30
35
40
45
50

VR

S30D
60C
60
RMS Reverse Voltage

VR(RMS)

21
25
28
32
35
42
Average Rectified Output Current

@TC = 95°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.

3ms
Single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)

IO

IFSM

30
275
Forward Voltage

@IF = 15A

Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage

@TA = 25°C

@TA = 100°C

Typical Junction Capacitance (Note 1)

VFM

IRM

Cj

0.55
1.0
60
1100
0.65
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 2)

RJC

1.4
Operating and Storage Temperature Range

Tj, TSTG

-65 to +150
Unit
V
V
A
A
V
mA
pF
°C/W
°C
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.
S30D30C – S30D60C
1 of 4
2006 Won-Top Electronics

30

24
18
12
6

300
250
50 100

TC, CASE TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Forward Derating Curve
150
8.3 ms single half-sine-wave
JEDEC method
200
150
100

S30D30C — S30D45C

10

S30D50C — S30D60C

1.

0

Tj = 25°C

Pulse width = 300 µs
2% duty cycle
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8

VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Fwd Characteristics per Element
4000

Tj = 25°C

f = 1MHz
1000
100
50

1 10 100

www.DataSheet4U.com NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

Fig. 3 Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current
100
100
0.1 1.0
10 100

VR, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 4 Typical Junction Capacitance per Element

TC = 100°C

10

TC = 75°C

1.0

TC = 25°C

0.1
S30D30C – S30D60C
0.01
0 40 80 120
PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
Fig. 5 Typical Reverse Characteristics per Element
2 of 4
2006 Won-Top Electronics

MARKING INFORMATION
S30DxxC
S30DxxC
xx
Polarity
= Device Number
= 30, 35, 40, 45, 50 or 60
= As Marked on Body
PACKAGING INFORMATION
BULK
Tube Size
L x W x H (mm)
505 x 46 x 6. 5
Quantity

(PCS)
30
Inner Box Size
L x W x H (mm)
520 x 145 x 95
Quantity
(PCS)
1,200
Carton Size
L x W x H (mm)
540 x 306 x 115
Quantity
(PCS)
2,400
Approx. Gross Weight
(KG)
18.0

Note: 1. Anti-static tube, water clear color.

RECOMMENDED SCREW MOUNTING ARRANGEMENT
www.DataSheet4U.com
Recommended isolated mounting when
screw is at heatsink potential. 6-32
hardware is used.
A conical washer should be used to
apply proper force to the device. Screw
should not be tightened with any type of
air-forced torque or equipment that may
cause high impact on device package.
The interface should apply a layer of
thermal grease or a highly conductive
thermal pad for better heat dissipation.
6-32 HEX Head Screw
Plain Washer
Rectifier
Insulator
Heatsink
Conical Washer
6-32 HEX Nut
S30D30C – S30D60C
3 of 4
2006 Won-Top Electronics

Всего страниц4 Pages
Скачать PDF

S20C40 Datasheet Download — Mospec Semiconductor

Номер произвS20C40
ОписаниеSCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
ПроизводителиMospec Semiconductor
логотип  
1Page

MOSPEC
Schottky Barrier Rectifiers
Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal.
These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide
passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high
frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes.
Features
Low Forward Voltage.
Low Switching noise.
High Current Capacity
Guarantee Reverse Avalanche.
Guard-Ring for Stress Protection.
Low Power Loss & High efficiency.
150 Operating Junction Temperature
Low Stored Charge Majority Carrier Conduction.
Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
ESD: 4KV(Min.) Human-Body Model
In compliance with EU RoHs 2002/95/EC directives
S20C30 thru S20C60
SCHOTTKY BARRIER

RECTIFIERS
20 AMPERES
30-60 VOLTS
TO-220AB
MAXIMUM RATINGS
Characteristic
Symbol
30
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage

VRRM

VRWM

VR

30
RMS Reverse Voltage

VR(RMS) 21

Average Rectifier Forward Current ( Per diode )

Total Device (Rated VR), TC=125

IF(AV)

Peak Repetitive Forward Current

(Rate VR, Square Wave, 20kHz)

Non-Repetitive Peak Surge Current (Surge
applied at rate load conditions halfware, single
phase, 60Hz)

IFM

IFSM

Operating and Storage Junction Temperature
Range

TJ , Tstg

S20C
35 40 45 50 60
35 40 45 50 60
25 28 32 35 42
10
20
20
200
-65 to +150
Unit
V
V
A
A
A
THERMAL RESISTANCES
Typical Thermal Resistance junction to case
Per diode
Total
Coupling

Rθjc

Rθ c

3. 8
3.4
3.0
/w
DIM
MILLIMETERS
MIN MAX

A 14.68 15.32
B 9.78 10.42
C 5.02 6.52
D 13.06 14.62
E 3.57 4.07
F 2.42 2.66
G 1.12 1.36
H 0.72 0.96
I 4.22 4.98
J 1.14 1.38
K 2.20 2.98
L 0.33 0.55
M 2.48 2.98
O 3.70 3.90
ELECTRIAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Maximum Instantaneous Forward Voltage

( IF =10 Amp TC = 25 )

( IF =10 Amp TC = 100 )

Maximum Instantaneous Reverse Current

( Rated DC Voltage, TC = 25 )

( Rated DC Voltage, TC = 100 )

Symbol
S20C
Unit
30 35 40 45 50 60

VF 0.55 0.70 V

0.48 0.60

IR 0.5 mA

20

S20C30 Thru S20C60
FIG-1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
CASE TEMPERATURE ( )
FIG-3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

Tj=100oc

Tj=75oc

Tj=25oc

PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE ( )
FIG-5 PEAK FORWARD SURGE CURRENT
FIG-2 TYPICAL FORWARD CHARACTERISITICS

TJ=125

S20C50-60

TJ=125

S20C30-45

TJ=25

S20C50-60

TJ=25

S20C30-45
FORWARD VOLTAGE (Volts)
FIG-4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
S20C30-S20C45
S20C50-S20C60
REVERSE VOLTAGE (Volts)
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
DJ-A

Всего страниц2 Pages
Скачать PDF

S30D45C Datasheet Download — Won-Top Electronics

Номер произвS30D45C
Описание(S30D30C — S30D60C) 30A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
ПроизводителиWon-Top Electronics
логотип  
1Page

WTE
POWER SEMICONDUCTORS

S30D30C – S30D60C Pb

30A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features

! Schottky Barrier Chip

! Guard Ring for Transient Protection

! Low Forward Voltage Drop

! Low Reverse Leakage Current

! High Surge Current Capability

! Plastic Material has UL Flammability

S
R
Classification 94V-O

L

H
J
PIN1 2 3
K
P
Mechanical Data

! Case: TO-3P, Molded Plastic

! Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-750, Method 2026

! Polarity: See Diagram

! Weight: 5. 6 grams (approx.)

! Mounting Position: Any

! Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.

! Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
N
M
A
B
C
GD
TO-3P
Dim Min
Max

A 3.20

3.50

B 4.70

5.30

C — 23.00

D 19.00

E 2.80

3.20

G 0.45

0.85

H — 16.20

J 1.70

2.70
K
3.15 Ø
3.65 Ø

L—

4.50

M 5.25

5.65

N 1.10

1.40

P—

2.50

R 11.70 12.70

S 5.00

6.00
All Dimensions in mm
PIN 1 —
PIN 3 —
+
Case, PIN 2
E

Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
www.DataSheet4U.com
Characteristic
Symbol
S30D
30C
S30D
35C
S30D
40C
S30D
45C
S30D
50C
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage

VRRM

VRWM

30
35
40
45
50

VR

S30D
60C
60
RMS Reverse Voltage

VR(RMS)

21
25
28
32
35
42
Average Rectified Output Current

@TC = 95°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8. 3ms
Single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)

IO

IFSM

30
275
Forward Voltage

@IF = 15A

Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage

@TA = 25°C

@TA = 100°C

Typical Junction Capacitance (Note 1)

VFM

IRM

Cj

0.55
1.0
60
1100
0.65
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 2)

RJC

1.4
Operating and Storage Temperature Range

Tj, TSTG

-65 to +150
Unit
V
V
A
A
V
mA
pF
°C/W
°C
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.
S30D30C – S30D60C
1 of 4
2006 Won-Top Electronics

30

24
18
12
6

300
250
50 100

TC, CASE TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Forward Derating Curve
150
8.3 ms single half-sine-wave
JEDEC method
200
150
100

S30D30C — S30D45C

10

S30D50C — S30D60C

1. 0

Tj = 25°C

Pulse width = 300 µs
2% duty cycle
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8

VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Fwd Characteristics per Element
4000

Tj = 25°C

f = 1MHz
1000
100
50

1 10 100

www.DataSheet4U.com NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

Fig. 3 Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current
100
100
0.1 1.0
10 100

VR, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 4 Typical Junction Capacitance per Element

TC = 100°C

10

TC = 75°C

1.0

TC = 25°C

0.1
S30D30C – S30D60C
0.01
0 40 80 120
PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
Fig. 5 Typical Reverse Characteristics per Element
2 of 4
2006 Won-Top Electronics

MARKING INFORMATION
S30DxxC
S30DxxC
xx
Polarity
= Device Number
= 30, 35, 40, 45, 50 or 60
= As Marked on Body
PACKAGING INFORMATION
BULK
Tube Size
L x W x H (mm)
505 x 46 x 6. 5
Quantity
(PCS)
30
Inner Box Size
L x W x H (mm)
520 x 145 x 95
Quantity
(PCS)
1,200
Carton Size
L x W x H (mm)
540 x 306 x 115
Quantity
(PCS)
2,400
Approx. Gross Weight
(KG)
18.0

Note: 1. Anti-static tube, water clear color.

RECOMMENDED SCREW MOUNTING ARRANGEMENT
www.DataSheet4U.com
Recommended isolated mounting when
screw is at heatsink potential. 6-32
hardware is used.
A conical washer should be used to
apply proper force to the device. Screw
should not be tightened with any type of
air-forced torque or equipment that may
cause high impact on device package.
The interface should apply a layer of
thermal grease or a highly conductive
thermal pad for better heat dissipation.
6-32 HEX Head Screw
Plain Washer
Rectifier
Insulator
Heatsink
Conical Washer
6-32 HEX Nut
S30D30C – S30D60C
3 of 4
2006 Won-Top Electronics

Всего страниц4 Pages
Скачать PDF

Применение диодов

Не следует думать, что диоды применяются лишь как выпрямительные и детекторные приборы. Кроме этого можно выделить еще множество их профессий. ВАХ диодов позволяет использовать их там, где требуется нелинейная обработка аналоговых сигналов. Это преобразователи частоты, логарифмические усилители, детекторы и другие устройства. Диоды в таких устройствах используются либо непосредственно как преобразователь, либо формируют характеристики устройства, будучи включенными в цепь обратной связи. Широкое применение диоды находят в стабилизированных источниках питания, как источники опорного напряжения (стабилитроны), либо как коммутирующие элементы накопительной катушки индуктивности (импульсные стабилизаторы напряжения).


Выпрямительные диоды.

С помощью диодов очень просто создать ограничители сигнала: два диода включенные встречно – параллельно служат прекрасной защитой входа усилителя, например, микрофонного, от подачи повышенного уровня сигнала. Кроме перечисленных устройств диоды очень часто используются в коммутаторах сигналов, а также в логических устройствах. Достаточно вспомнить логические операции И, ИЛИ и их сочетания. Одной из разновидностей диодов являются светодиоды. Когда-то они применялись лишь как индикаторы в различных устройствах. Теперь они везде и повсюду от простейших фонариков до телевизоров с LED – подсветкой, не заметить их просто невозможно.

Будет интересно Как устроен туннельный диод?

Параметры диодов

Параметров у диодов достаточно много и они определяются функцией, которую те выполняют в конкретном устройстве. Например, в диодах, генерирующих СВЧ колебания, очень важным параметром является рабочая частота, а также та граничная частота, на которой происходит срыв генерации. А вот для выпрямительных диодов этот параметр совершенно не важен. Основные параметры выпрямительных диодов приведены в таблице ниже.


Таблица основных параметров выпрямительных диодов.

В импульсных и переключающих диодах важна скорость переключения и время восстановления, то есть скорость полного открытия и полного закрытия. В мощных силовых диодах важна рассеиваемая мощность. Для этого их монтируют на специальные радиаторы. А вот диоды, работающие в слаботочных устройствах, ни в каких радиаторах не нуждаются. Но есть параметры, которые считаются важными для всех типов диодов, перечислим их:

  • U пр.– допустимое напряжение на диоде при протекании через него тока в прямом направлении. Превышать это напряжение не стоит, так как это приведёт к его порче.
  • U обр.– допустимое напряжение на диоде в закрытом состоянии. Его ещё называют напряжением пробоя. В закрытом состоянии, когда через p-n переход не протекает ток, на выводах образуется обратное напряжение. Если оно превысит допустимое значение, то это приведёт к физическому «пробою» p-n перехода. В результате диод превратиться в обычный проводник (сгорит).

Очень чувствительны к превышению обратного напряжения диоды Шоттки, которые очень часто выходят из строя по этой причине.

Обычные диоды, например, выпрямительные кремниевые более устойчивы к превышению обратного напряжения. При незначительном его превышении они переходят в режим обратимого пробоя. Если кристалл диода не успевает перегреться из-за чрезмерного выделения тепла, то изделие может работать ещё долгое время.

  • I пр.– прямой ток диода. Это очень важный параметр, который стоит учитывать при замене диодов аналогами или при конструировании самодельных устройств. Величина прямого тока для разных модификаций может достигать величин десятков и сотен ампер. Особо мощные диоды устанавливают на радиатор для отвода тепла, который образуется из-за теплового действия тока. P-N переход в прямом включении также обладает небольшим сопротивлением. На небольших рабочих токах его действие не заметно, но вот при токах в единицы-десятки ампер кристалл диода ощутимо нагревается. Так, например, выпрямительный диодный мост в сварочном инверторном аппарате обязательно устанавливают на радиатор.
  • I обр.– обратный ток диода. Обратный ток – это так называемый ток неосновных носителей. Он образуется, когда диод закрыт. Величина обратного тока очень мала и его в подавляющем числе случаев не учитывают.
  • U стаб.– напряжение стабилизации (для стабилитронов). Подробнее об этом параметре читайте в статье про стабилитрон.

Будет интересно SMD транзисторы

Кроме того следует иметь в виду, что все эти параметры в технической литературе печатаются и со значком “max”. Здесь указывается предельно допустимое значение данного параметра. Поэтому подбирая тип диода для вашей конструкции необходимо рассчитывать именно на максимально допустимые величины.


Диоды высокого тока.

Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-220 SBL2040CT 10A x 2 =20A 40V Vf=0.6V при 10AШоттки TO-247 S30D40 15A x 2 =30A 40V Vf=0.55V при 15AУльтрафаст TO-220 SF1004G 5A x 2 =10A 200V Vf=0.97V при 5AУльтрафаст TO-220 F16C20C 8A x 2 =16A 200V Vf=1.3V при 8AУльтрафаст SR504 5A 40V Vf=0.57Шоттки TO-247 40CPQ060 20A x 2 =40A 60V Vf=0.49V при 20AШоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0. 49VУльтрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20AШоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30AШоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15AШоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30AШоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15AШоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15AШоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10AШоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15AШоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20AУльтрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0.97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:

Также выпускаются высоковольтные диоды Шоттки, которые можно использовать например в БП ламповых усилителей и другой аппаратуры с повышенным питанием. Список приведён ниже:

Хотя более предпочтительным является применение диодов Шоттки в низковольтных мощных выпрямителях с выходными напряжениями в пару десятков вольт, на высоких частотах переключения.

Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-220 SBL2040CT 10A x 2 =20A 40V Vf=0.6V при 10AШоттки TO-247 S30D40 15A x 2 =30A 40V Vf=0.55V при 15AУльтрафаст TO-220 SF1004G 5A x 2 =10A 200V Vf=0.97V при 5AУльтрафаст TO-220 F16C20C 8A x 2 =16A 200V Vf=1.3V при 8AУльтрафаст SR504 5A 40V Vf=0.57Шоттки TO-247 40CPQ060 20A x 2 =40A 60V Vf=0.49V при 20AШоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0.49VУльтрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20AШоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30AШоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15AШоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30AШоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15AШоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15AШоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10AШоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15AШоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20AУльтрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0. 97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:

Также выпускаются высоковольтные диоды Шоттки, которые можно использовать например в БП ламповых усилителей и другой аппаратуры с повышенным питанием. Список приведён ниже:

Хотя более предпочтительным является применение диодов Шоттки в низковольтных мощных выпрямителях с выходными напряжениями в пару десятков вольт, на высоких частотах переключения.

Haven’t found the right supplier yet ?

1 request,multiple quotations 1-click quotation comparison OEM,ODM & multi-category buying

Want product and industry knowledge ?

S20C45CE Datasheet Download — Mospec Semiconductor

Номер произвS20C45CE
Описание(S20C30CE — S20C60CE) Schottky Barrier Rectifiers
ПроизводителиMospec Semiconductor
логотип  
1Page

MOSPEC
www. DataSheet4U.com
S20C30CE thru S20C60CE
Schottky Barrier Rectifiers
Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal.
These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide
passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high
frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes.
Low Forward Voltage.
Low Switching noise.
High Current Capacity
Guarantee Reverse Avalanche.
Guard-Ring for Stress Protection.
Low Power Loss & High efficiency.
150 Operating Junction Temperature
Low Stored Charge Majority Carrier Conduction.
Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIERS
20 AMPERES
30-60 VOLTS
TO-220AB
MAXIMUM RATINGS
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
S20C
Symbol
Unit
30CE 35CE 40CE 45CE 50CE 60CE

VRRM

VRWM 30 35 40 45 50 60

VR

V
RMS Reverse Voltage

VR(RMS) 21 25 28 32 35 42

V
Average Rectifier Forward Current

Total Device (Rated VR), TC=100

IF(AV)

10
20
A
Peak Repetitive Forward Current

(Rate VR, Square Wave, 20kHz)

Non-Repetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rate load conditions
halfware, single phase, 60Hz)

IFM

IFSM

20
200
A
A
Operating and Storage Junction
Temperature Range

TJ , Tstg

-65 to +150
ELECTRIAL CHARACTERISTICS
Characteristic
S20C
Symbol
30CE 35CE 40CE 45CE 50CE 60CE
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage

( IF =10 Amp TC = 25 )

( IF =10 Amp TC = 125 )

VF

0. 57
0.46
0.70 V
0.57
Maximum Instantaneous Reverse Current

( Rated DC Voltage, TC = 25 )

( Rated DC Voltage, TC = 125 )

IR

0.5 mA
20

DIM MILLIMETERS

MIN MAX
A 14.68 15.32
B 9.78 10.42
C 5.02 6.52
D 13.06 14.62
E 3.57 4.07
F 2.42 2.66
G 1.12 1.36
H 0.72 0.96
I 4.22 4.98
J 1.14 1.38
K 2.20 2.98
L 0.33 0.55
M 2.48 2.98
O 3.70 3.90
Common cathode
Suffix “C”

S20C30CE Thru S20C60CE
www.DataSheet4U.com
FIG-1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
FIG-2 TYPICAL FORWARD CHARACTERISITICS
S20C30CE-45CE
S20C50CE-60CE
CASE TEMPERATURE ( )
FIG-3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
S20C30CE-45CE
S20C50CE-60CE
PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE ( )
FIG-5 PEAK FORWARD SURGE CURRENT
FORWARD VOLTAGE (Volts)
FIG-4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
S20C30CE-45CE
S20C50CE-60CE
REVERSE VOLTAGE (Volts)
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

Всего страниц2 Pages
Скачать PDF

S30D40C Datasheet – 30A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Search Keywords: S30D40C, datasheet, pdf, WON-TOP, 30A, DUAL, SCHOTTKY, BARRIER, RECTIFIER, stock, pinout, distributor, price, schematic, inventory, databook, Electronic, Components, Parameters, parts, cross reference, chip, Semiconductor, circuit, Electric, manual, substitute, Equivalent

WON-TOP ELECTRONICS S30D30C – S30D 100C 30A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIE R Pb Features  Schottky Barrier Ch ip H  Guard Ring for Transient Pro tection  Low Forward Voltage Drop � � Low Power Loss, High Efficiency  H igh Surge Current Capability  Epoxy Meets UL 94V-0 Classification  Ideal ly Suited for Use in High Frequency SJ RK PIN1 2 3 SMPS, Inverters and As Free Whe

471 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 недели
− +

В корзину

U30D40C является двойным быстродействующим диодом с возможностями работы с высокими скачками тока, высокой эффективностью и низкими потерями мощности. Выпрямитель обладает пассивированным стеклом переходом, низким уровнем хранения заряда и конфигурацией с двойным общим катодом.

• Низкое прямое напряжение и высокая мощность• Обратное напряжение 280В СКЗ• Типичное значение емкости перехода 150пФ

Полупроводники – ДискретныеДиодыВыпрямители с Быстрым и Ультра Быстрым Восстановлением

Во время сборки блоков питания и преобразователей напряжения для автомобильных усилителей часто возникает проблема с выпрямлением тока с трансформатора. Раздобыть мощные импульсные диоды довольно серьезная проблема, поэтому решил напечатать статью, в которой приводится полный перечень и парметры мощных диодов Шоттки. Некоторое время назад лично у меня возникла проблема с выпрямителем преобразователя для авто усилителя. Преобразователь довольно мощный (500-600 ватт), частота выходного напряжения 60кГц, любой распространенный диод, который можно найти в старом хламе, сразу сгорит, как спичка. Единственным доступным вариантом в то время были отечественные КД213А. Диоды достаточно хорошие, держат до 10 Ампер, рабочая частота в пределах 100кГц, но и они под нагрузкой страшно перегревались.

На самом деле мощные диоды можно найти почти у каждого. Компьютерный БП является импульсным блоком питания, который питает целый компьютер. Как правило их делают с мощностью от 200 ватт до 1кВт и более, а поскольку компьютер питается от постоянного тока, значит в блоке питания должен быть выпрямитель. В современных блоках питания для выпрямления напряжения используют мощные диодные сборки Шоттки – именно у них минимальный спад напряжения на переходе и возможность работы в импульсных схемах, где рабочая частота намного выше сетевых 50 Герц. Недавно на халяву принесли несколько блоков питания, откуда и были сняты диоды для этого небольшого обзора. В компьютерных блоках питания можно найти самые разные диодные сборки, единичных диодов тут почти не бывает – в одном корпусе два мощных диода, часто (почти всегда) с общим катодом. Вот некоторые из них:

D83-004 (ESAD83-004) – Мощная сборка из диодов Шоттки, обратное напряжение 40 Вольт, допустимый ток 30А, в импульсном режиме до 250А – пожалуй, один из самых мощных диодов, который можно встретить в компьютерных блоках питания.

STPS3045CW – Сдвоенный диод Шоттки, ток выпрямленный 15A, прямое напряжение 570мВ, обратный ток утечки 200мкА, напряжение обратное постоянное 45 Вольт.

Оцените статью:

Что такое диод шоттки, его характеристики и способ проверки мультиметром. Диод Шоттки. Особенности и обозначение на схеме

Во время сборки блоков питания и преобразователей напряжения для автомобильных усилителей часто возникает проблема с выпрямлением тока с трансформатора. Раздобыть мощные импульсные диоды довольно серьезная проблема, поэтому решил напечатать статью, в которой приводится полный перечень и парметры мощных диодов Шоттки. Некоторое время назад лично у меня возникла проблема с выпрямителем преобразователя для авто усилителя. Преобразователь довольно мощный (500-600 ватт), частота выходного напряжения 60кГц, любой распространенный диод, который можно найти в старом хламе, сразу сгорит, как спичка. Единственным доступным вариантом в то время были отечественные КД213А. Диоды достаточно хорошие, держат до 10 Ампер, рабочая частота в пределах 100кГц, но и они под нагрузкой страшно перегревались.

На самом деле мощные диоды можно найти почти у каждого. Компьютерный БП является , который питает целый компьютер. Как правило их делают с мощностью от 200 ватт до 1кВт и более, а поскольку компьютер питается от постоянного тока, значит в блоке питания должен быть выпрямитель. В современных блоках питания для выпрямления напряжения используют мощные диодные сборки Шоттки - именно у них минимальный спад напряжения на переходе и возможность работы в импульсных схемах, где рабочая частота намного выше сетевых 50 Герц. Недавно на халяву принесли несколько блоков питания, откуда и были сняты диоды для этого небольшого обзора. В компьютерных блоках питания можно найти самые разные диодные сборки, единичных диодов тут почти не бывает - в одном корпусе два мощных диода, часто (почти всегда) с общим катодом. Вот некоторые из них:

D83-004 (ESAD83-004) - Мощная сборка из диодов Шоттки, обратное напряжение 40 Вольт, допустимый ток 30А, в импульсном режиме до 250А - пожалуй, один из самых мощных диодов, который можно встретить в компьютерных блоках питания.


STPS3045CW - Сдвоенный диод Шоттки, ток выпрямленный 15A, прямое напряжение 570мВ, обратный ток утечки 200мкА, напряжение обратное постоянное 45 Вольт.


Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-220 SBL2040CT 10A x 2 =20A 40V Vf=0.6V при 10A
Шоттки TO-247 S30D40 15A x 2 =30A 40V Vf=0.55V при 15A
Ультрафаст TO-220 SF1004G 5A x 2 =10A 200V Vf=0.97V при 5A
Ультрафаст TO-220 F16C20C 8A x 2 =16A 200V Vf=1.3V при 8A
Ультрафаст SR504 5A 40V Vf=0.57
Шоттки TO-247 40CPQ060 20A x 2 =40A 60V Vf=0.49V при 20A
Шоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0.49V
Ультрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20A
Шоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30A
Шоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30A
Шоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15A
Шоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10A
Шоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15A
Шоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20A
Ультрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0.97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:


Также выпускаются , которые можно использовать например в БП ламповых усилителей и другой аппаратуры с повышенным питанием. Список приведён ниже:


Высоковольтные силовые диоды Шоттки с напряжением до 1200 В

Хотя более предпочтительным является применение диодов Шоттки в низковольтных мощных выпрямителях с выходными напряжениями в пару десятков вольт, на высоких частотах переключения.

Диоды Шоттки или более точно - диоды с барьером Шоттки - это полупроводниковые приборы, выполненные на базе контакта металл-полупроводник, в то время как в обычных диодах используется полупроводниковый p-n-переход.

Диод Шоттки обязан своим названием и появлением в электронике немецкому физику изобретателю Вальтеру Шоттки, который в 1938 году, изучая только что открытый барьерный эффект, подтвердил выдвинутую ранее теорию, согласно которой хоть эмиссии электронов из металла и препятствует потенциальный барьер, но по мере увеличения прикладываемого внешнего электрического поля этот барьер будет снижаться. Вальтер Шоттки открыл этот эффект, который затем и назвали эффектом Шоттки, в честь ученого.

Исследуя контакт металла и полупроводника можно видеть, что если вблизи поверхности полупроводника имеется область обедненная основными носителями заряда, то в области контакта этого полупроводника с металлом со стороны полупроводника образуется область пространственного заряда ионизированных акцепторов и доноров, при этом реализуется блокирующий контакт - тот самый барьер Шоттки. В каких условиях возникает этот барьер? Ток термоэлектронной эмиссии с поверхности твердого тела определяет уравнение Ричардсона:

Создадим условия, когда при контакте полупроводника, например n-типа, с металлом термодинамическая работа выхода электронов из металла была бы больше, чем термодинамическая работа выхода электронов из полупроводника. В таких условиях, в соответствии с уравнением Ричардсона, ток термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника окажется больше, чем ток термоэлектронной эмиссии с поверхности металла:

В начальный момент времени, при контакте названных материалов, ток от полупроводника в металл превысит обратный ток (из металла в полупроводник), в результате чего в приповерхностных областях как полупроводника, так и металла - станут накапливаться объемные заряды - положительные в полупроводнике и отрицательные - в металле. В контактной области возникнет электрическое поле, образованное этими зарядами, и будет иметь место изгиб энергетических зон.

Под действием поля термодинамическая работа выхода для полупроводника возрастет, и возрастание будет происходить до тех пор, пока в контактной области не уравняются термодинамические работы выхода, и соответствующие им токи термоэлектронной эмиссии применительно к поверхности.

Картина перехода к равновесному состоянию с формированием потенциального барьера для полупроводника p-типа и металла аналогична рассмотренному примеру с полупроводником n-типа и металла. Роль внешнего напряжения - регулировка высоты потенциального барьера и напряженности электрического поля в области пространственного заряда полупроводника.

На рисунке выше представлены зонные диаграммы различных этапов формирования барьера Шоттки. В условиях равновесия в области контакта токи термоэлектронной эмиссии выравнялись, вследствие эффекта поля возник потенциальный барьер, высота которого равна разности термодинамических работ выхода: φк = ФМе - Фп/п.

Очевидно, вольт-амперная характеристика для барьера Шоттки получается несимметричной. В прямом направлении ток растет по экспоненте вместе с ростом прикладываемого напряжения. В обратном направлении ток не зависит от напряжения. В обоих случаях ток обусловлен электронами в качестве основных носителей заряда.

Диоды Шоттки поэтому отличаются быстродействием, ведь в них исключены диффузные и рекомбинационные процессы, требующие дополнительного времени. С изменением числа носителей и связана зависимость тока от напряжения, ибо в процессе переноса заряда участвуют эти носители. Внешнее напряжение меняет число электронов, способных перейти с одной стороны барьера Шоттки на другую его сторону.

Вследствие технологии изготовления и на основе описанного принципа действия, - диоды Шоттки имеют малое падение напряжения в прямом направлении, значительно меньшее чем у традиционных p-n-диодов.

Здесь даже малый начальный ток через контактную область приводит к выделению тепла, которое затем способствует появлению дополнительных носителей тока. При этом отсутствует инжекция неосновных носителей заряда.

У диодов Шоттки поэтому отсутствует диффузная емкость, поскольку нет неосновных носителей, и как следствие - быстродействие достаточно высокое по сравнению с полупроводниковыми диодами. Получается подобие резкого несимметричного p-n-перехода.

Таким образом, прежде всего диоды Шоттки - это СВЧ-диоды различного назначения: детекторные, смесительные, лавинно-пролетные, параметрические, импульсные, умножительные. Диоды Шоттки можно применять в качестве приемников излучения, тензодатчиков, детекторов ядерного излучения, модуляторов света, и наконец - выпрямителей высокочастотного тока.

Обозначение диода Шоттки на схемах

Диоды Шоттки сегодня

На сегодняшний день диоды Шоттки распространены весьма широко в электронных устройствах. На схемах они изображаются по иному, чем обычные диоды. Часто можно встретить сдвоенные выпрямительные диоды Шоттки, выполненные в трехвыводном корпусе свойственном силовым ключам. Такие сдвоенные конструкции содержат внутри два диода Шоттки, объединенные катодами или анодами, чаще - катодами.

Диоды в сборке имеют очень близкие параметры, поскольку каждая такая сборка изготавливается единым технологическим циклом, и в итоге их рабочий температурный режим одинаков, соответственно выше и надежность. Прямое падение напряжения 0,2 - 0,4 вольта наряду с высоким быстродействием (единицы наносекунд) - несомненные преимущества диодов Шоттки перед p-n-собратьями.

Особенность барьера Шоттки в диодах, применительно к малому падению напряжения, проявляется при приложенных напряжениях до 60 вольт, хотя быстродействие остается непоколебимым. Сегодня диоды Шоттки типа 25CTQ045 (на напряжение до 45 вольт, на ток до 30 ампер для каждого из пары диодов в сборке) можно встретить во многих импульсных источниках питания, где они служат в качестве силовых выпрямителей для токов частотой до нескольких сотен килогерц.

Нельзя не затронуть тему недостатков диодов Шоттки, они конечно есть, и их два. Во-первых, кратковременное превышение критического напряжения мгновенно выведет диод из строя. Во-вторых, температура сильно влияет на максимальный обратный ток. При очень высокой температуре перехода диод просто пробьет даже при работе под номинальным напряжением.

Ни один радиолюбитель не обходится без диодов Шоттки в своей практике. Здесь можно отметить наиболее популярные диоды: 1N5817, 1N5818, 1N5819, 1N5822, SK12, SK13, SK14. Эти диоды есть как в выводном исполнении, так и в SMD. Главное, за что радиолюбители их так ценят - высокое быстродействие и малое падение напряжения на переходе - максимум 0,55 вольт - при невысокой цене данных компонентов.

Редкая печатная плата обходится без диодов Шоттки в том или ином назначении. Где-то диод Шоттки служит в качестве маломощного выпрямителя для цепи обратной связи, где-то - в качестве стабилизатора напряжения на уровне 0,3 - 0,4 вольт, а где-то является детектором.

В приведенной таблице вы можете видеть параметры наиболее распространенных сегодня маломощных диодов Шоттки.

Развитие электроники требует все более высоких стандартов от радиодеталей. Для работы на высоких частотах используют диод Шоттки, который по своим параметрам превосходит кремниевые аналоги. Иногда можно встретить название диод с барьером Шоттки, что в принципе означает то же самое.

  • Конструкция
  • Миниатюризация
  • Использование на практике

Конструкция

Отличается диод Шоттки от обыкновенных диодов своей конструкцией, в которой используется металл-полупроводник, а не p-n переход. Понятно, что свойства здесь разные, а значит, и характеристики тоже должны отличаться.

Действительно, металл-полупроводник обладает такими параметрами:

  • Имеет большое значение тока утечки;
  • Невысокое падение напряжения на переходе при прямом включении;
  • Восстанавливает заряд очень быстро, так как имеет низкое его значение.

Диод Шоттки изготавливается из таких материалов, как арсенид галлия, кремний; намного реже, но также может использоваться – германий. Выбор материала зависит от свойств, которые нужно получить, однако в любом случае максимальное обратное напряжение, на которое могут изготавливаться данные полупроводники, не выше 1200 вольт – это самые высоковольтные выпрямители. На практике же намного чаще их используют при более низком напряжении – 3, 5, 10 вольт.

На принципиальной схеме диод Шоттки обозначается таким образом:


Но иногда можно увидеть и такое обозначение:


Это означает сдвоенный элемент: два диода в одном корпусе с общим анодом или катодом, поэтому элемент имеет три вывода. В блоках питания используют такие конструкции с общим катодом, их удобно использовать в схемах выпрямителей. Часто на схемах рисуется маркировка обычного диода, но в описании указывается, что это Шоттки, поэтому нужно быть внимательными.

Диодные сборки с барьером Шоттки выпускаются трех типов:

1 тип – с общим катодом;

2 тип – с общим анодом;

3 тип – по схеме удвоения.

Для экономии на платежах за электроэнергию наши читатели советуют "Экономитель энергии Electricity Saving Box". Ежемесячные платежи станут на 30-50% меньше, чем были до использования экономителя. Он убирает реактивную составляющую из сети, в результате чего снижается нагрузка и, как следствие, ток потребления. Электроприборы потребляют меньше электроэнергии, снижаются затраты на ее оплату.

Такое соединение помогает увеличить надежность элемента: ведь находясь в одном корпусе, они имеют одинаковый температурный режим, что важно, если нужны мощные выпрямители, например, на 10 ампер.

Но есть и минусы. Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт. При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а.

Еще один главный недостаток: для этих приборов нельзя превышать обратный ток даже на мгновение. Они тут же выходят из строя, в то время как кремниевые диоды, если не была превышена их температура, восстанавливают свои свойства.

Но положительного все-таки больше. Кроме низкого падения напряжения, диод Шоттки имеет низкое значение емкости перехода. Как известно: ниже емкость – выше частота. Такой диод нашел применение в импульсных блоках питания, выпрямителях и других схемах, с частотами в несколько сотен килогерц.


ВАХ такого диода имеет несимметричный вид. Когда приложено прямое напряжение, видно, что ток растет по экспоненте, а при обратном – ток от напряжения не зависит.

Все это объясняется, если знать, что принцип работы этого полупроводника основан на движении основных носителей – электронов. По этой же самой причине эти приборы и являются такими быстродействующими: у них отсутствуют рекомбинационные процессы, свойственные приборам с p-n переходами. Для всех приборов, имеющих барьерную структуру, свойственна несимметричность ВАХ, ведь именно количеством носителей электрического заряда обусловлена зависимость тока от напряжения.

Миниатюризация

С развитием микроэлектроники стали широко применяться специальные микросхемы, однокристальные микропроцессоры. Все это не исключает использования навесных элементов. Однако если для этой цели использовать радиоэлементы обычных размеров, то это сведет на нет всю идею миниатюризации в целом. Поэтому были разработаны бескорпусные элементы – smd компоненты, которые в 10 и более раз меньше обычных деталей. ВАХ таких компонентов ничем не отличается от ВАХ обычных приборов, а их уменьшенные размеры позволяют использовать такие запчасти в различных микросборках.


Компоненты smd имеют несколько типоразмеров. Для ручной пайки подходят smd размера 1206. Они имеют размер 3,2 на 1,6 мм, что позволяет их впаивать самостоятельно. Другие элементы smd более миниатюрные, собираются на заводе специальным оборудованием, и самому, в домашних условиях, их паять невозможно.

Принцип работы smd компонента также не отличается от его большого аналога, и если, к примеру, рассматривать ВАХ диода, то она в одинаковой степени будет подходить для полупроводников любого размера. По току изготавливаются от 1 до 10 ампер. Маркировка на корпусе часто состоит из цифрового кода, расшифровка которого приводится в специальных таблицах. Протестировать на пригодность их можно тестером, как и большие аналоги.

Использование на практике

Выпрямители Шоттки используется в импульсных блоках питания, стабилизаторах напряжения, импульсных выпрямителях. Самыми требовательными по току – 10а и более – это напряжения 3,3 и 5 вольт. Именно в таких цепях вторичного питания приборы Шоттки используют чаще всего. Для усиления значений по току их включают вместе по схеме с общим анодом или катодом. Если каждый из сдвоенных диодов будет на 10 ампер, то получится значительный запас прочности.

Одна из самых частых неисправностей импульсных модулей питания – выход из строя этих самых диодов. Как правило, они либо полностью пробиваются, либо дают утечку. В обоих случаях неисправный диод нужно заменить, после чего проверить мультиметром силовые транзисторы, а также замерить напряжения питания.

Тестирование и взаимозаменяемость

Проверить выпрямители Шоттки можно так же, как и обычные полупроводники, так как они имеют похожие характеристики. Мультиметром необходимо прозвонить его в обе стороны – он должен показать себя так же, как и обычный диод: анод-катод, при этом утечек быть не должно. Если он показывает даже незначительное сопротивление – 2–10 килоом, это уже повод для подозрений.


Диод с общим анодом или катодом можно проверить как два обычных полупроводника, соединенных вместе. Например, если анод общий, то это будет одна ножка из трех. На анод ставим один щуп тестера, другие ножки – это разные диоды, на них ставится другой щуп.

Можно ли его заменить на другой тип? В некоторых случаях диоды Шоттки меняют на обычные германиевые. К примеру, Д305 при токе 10 ампер давал падение всего 0,3 вольта, а при токах 2–3 ампера их вообще можно ставить без радиаторов. Но главная цель установки Шоттки – это не малое падение, а низкая емкость, поэтому заменить получится не всегда.

Как видим, электроника не стоит на месте, и дальнейшие варианты применения быстродействующих приборов будет только увеличиваться, давая возможность разрабатывать новые, более сложные системы.

К многочисленному семейству полупроводниковых диодов названных по фамилиям учёных, которые открыли необычный эффект, можно добавить ещё один. Это диод Шоттки.

Немецкий физик Вальтер Шоттка открыл и изучил так называемый барьерный эффект возникающий при определённой технологии создания перехода металл-полупроводник.

Основной "фишкой" диода Шоттки является то, что в отличие от обычных диодов на основе p-n перехода, здесь используется переход металл-полупроводник, который ещё называют барьером Шоттки. Этот барьер, так же, как и полупроводниковый p-n переход, обладает свойством односторонней электропроводимости и рядом отличительных свойств.

В качестве материала для изготовления диодов с барьером Шоттки преимущественно используется кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs), а также такие металлы как золото, серебро, платина, палладий и вольфрам.

На принципиальных схемах диод Шоттки изображается вот так.

Как видим, его изображение несколько отличается от обозначения обычного полупроводникового диода .

Кроме такого обозначения на схемах можно встретить и изображение сдвоенного диода Шоттки (сборки).

Сдвоенный диод – это два диода смонтированных в одном общем корпусе. Выводы катодов или анодов у них объединены. Поэтому такая сборка, как правило, имеет три вывода. В импульсных блоках питания обычно применяются сборки с общим катодом.

Так как два диода размещены в одном корпусе и выполнены в едином технологическом процессе, то их параметры очень близки. Поскольку они размещены в едином корпусе, то и температурный режим их одинаков. Это увеличивает надёжность и срок службы элемента.

У диодов Шоттки есть два положительных качества: весьма малое прямое падение напряжения (0,2-0,4 вольта) на переходе и очень высокое быстродействие.

К сожалению, такое малое падение напряжения проявляется при приложенном напряжении не более 50-60 вольт. При дальнейшем его повышении диод Шоттки ведёт себя как обычный кремниевый выпрямительный диод. Максимальное обратное напряжение для Шоттки обычно не превышает 250 вольт, хотя в продаже можно встретить образцы, рассчитанные и на 1,2 киловольта (VS-10ETS12-M3).

Так, сдвоенный диод Шоттки (Schottky rectifier) 60CPQ150 рассчитан на максимальное обратное напряжение 150V, а каждый из диодов сборки способен пропустить в прямом включении 30 ампер!

Также можно встретить образцы, выпрямленный за полупериод ток которых может достигать 400А максимум! Примером может служит модель VS-400CNQ045.

Очень часто в принципиальных схемах сложное графическое изображение катода попросту опускают и изображают диод Шоттки как обычный диод. А тип применяемого элемента указывают в спецификации.

К недостаткам диодов с барьером Шоттки можно отнести то, что даже при кратковременном превышении обратного напряжения они мгновенно выходят из строя и главное необратимо. В то время как кремниевые силовые вентили после прекращения действия превышенного напряжения прекрасно самовосстанавливаются и продолжают работать. Кроме того обратный ток диодов очень сильно зависит от температуры перехода. На большом обратном токе возникает тепловой пробой.

К положительным качествам диодов Шоттки кроме высокого быстродействия, а, следовательно, малого времени восстановления можно отнести малую ёмкость перехода (барьера), что позволяет повысить рабочую частоту. Это позволяет использовать их в импульсных выпрямителях на частотах в сотни килогерц. Очень много диодов Шоттки находят своё применение в интегральной микроэлектронике. Выполненные по нано технологии диоды Шоттки входят в состав интегральных схем, где они шунтируют переходы транзисторов для повышения быстродействия.

В радиолюбительской практике прижились диоды Шоттки серии 1N581x (1N5817, 1N5818, 1N5819). Все они рассчитаны на максимальный прямой ток (I F(AV) ) – 1 ампер и обратное напряжение (V RRM ) от 20 до 40 вольт. Падение напряжения (V F ) на переходе составляет от 0,45 до 0,55 вольт. Как уже говорилось, прямое падение напряжения (Forward voltage drop ) у диодов с барьером Шоттки очень мало.

Также достаточно известным элементом является 1N5822. Он рассчитан на прямой ток в 3 ампера и выполнен в корпусе DO-201AD.

Также на печатных платах можно встретить диоды серии SK12 – SK16 для поверхностного монтажа . Они имеют довольно небольшие размеры. Несмотря на это SK12-SK16 выдерживают прямой ток до 1 ампера при обратном напряжении 20 – 60 вольт. Прямое падение напряжения составляет 0,55 вольт (для SK12, SK13, SK14) и 0,7 вольт (для SK15, SK16). Также на практике можно встретить диоды серии SK32 – SK310, например, SK36 , который рассчитан на прямой ток 3 ампера.

Применение диодов Шоттки в источниках питания.

Диоды Шоттки активно применяются в блоках питания компьютеров и импульсных стабилизаторах напряжения . Среди низковольтных питающих напряжений самыми сильноточными (десятки ампер) являются напряжения +3,3 вольта и +5,0 вольт. Именно в этих вторичных источниках питания и используются диоды с барьером Шоттки. Чаще всего используются трёхвыводные сборки с общим катодом. Именно применение сборок может считаться признаком высококачественного и технологичного блока питания.

Выход из строя диодов Шоттки одна из наиболее часто встречающихся неисправностей в импульсных блоках питания. У него может быть два "дохлых" состояния: чистый электрический пробой и утечка. При наличии одного из этих состояний блок питания компьютера блокируется, так как срабатывает защита. Но это может происходить по-разному.

В первом случае все вторичные напряжения отсутствуют. Защита заблокировала блок питания. Во втором случае вентилятор "подёргивается" и на выходе источников питания периодически то появляются пульсации напряжения, то пропадают.

То есть схема защиты периодически срабатывает, но полной блокировки источника питания при этом не происходит. Диоды Шоттки гарантированно вышли из строя, если радиатор, на котором они установлены, разогрет очень сильно до появления неприятного запаха. И последний вариант диагностики связанный с утечкой: при увеличении нагрузки на центральный процессор в мультипрограммном режиме блок питания самопроизвольно отключается.

Следует иметь в виду, что при профессиональном ремонте блока питания после замены вторичных диодов, особенно с подозрением на утечку, следует проверить все силовые транзисторы выполняющие функцию ключей и наоборот: после замены ключевых транзисторов проверка вторичных диодов является обязательной процедурой. Всегда необходимо руководствоваться принципом: беда одна не приходит.

Проверка диодов Шоттки мультиметром.

Проверить диод Шоттки можно с помощью рядового мультиметра. Методика такая же, как и при проверке обычного полупроводникового диода с p-n переходом. Но и тут есть подводные камни. Особенно трудно проверить диод с утечкой. Прежде всего, элемент необходимо выпаять из схемы для более точной проверки. Достаточно легко определить полностью пробитый диод. На всех пределах измерения сопротивления неисправный элемент будет иметь бесконечно малое сопротивление, как в прямом, так и в обратном включении. Это равносильно короткому замыканию.

Сложнее проверить диод с подозрением на "утечку". Если проводить проверку мультиметром DT-830 в режиме "диод", то мы увидим совершенно исправный элемент. Можно попробовать измерить в режиме омметра его обратное сопротивление. На пределе "20кОм" обратное сопротивление определяется как бесконечно большое. Если же прибор показывает хоть какое-то сопротивление, допустим 3 кОм, то этот диод следует рассматривать как подозрительный и менять на заведомо исправный. Стопроцентную гарантию может дать полная замена диодов Шоттки по шинам питания +3,3V и +5,0V.

Где ещё в электронике используются диоды Шоттки? Их можно обнаружить в довольно экзотических приборах, таких как приёмники альфа и бета излучения, детекторах нейтронного излучения, а в последнее время на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей. Так, что они питают электроэнергией и космические аппараты.

Диод штоки. Диод шоттки - принцип работы, назначение. Общая информация и принцип работы

Многие великие ученые исследовали свойства p-n перехода. Как вы уже догадались, это обычный диод, который можно увидеть в любой электронной схеме. На момент его изобретения это был элемент, который произвел настоящую революцию и изменил все представления о будущем электроники. Также без внимания не оставалась и технология его изготовления. Появился диод Зеннера и Ганна. Еще был изобретен диод Шоттки,

обладающий интересными свойствами. Его использование в электронике не было таким сенсационным, как у его знаменитых “собратьев”. Особые свойства этого элемента ранее применялись в узкоспециализированных схемах и не находили широкого применения. Тем интереснее, что в последнее время диод Шоттки начал использоваться как основной элемент в импульсных источниках питания. Он работает практически во всех электронных бытовых приборох: телевизорах, магнитофонах, персональных компьютерах, ноутбуках и т.д.

Особые свойства прибора проявляются в низком падении напряжения на р-n переходе. Оно не превышает 0,4 Вольта. То есть по этому параметру он максимально приближен к идеальному элементу, который используется в расчетах. Правда, при напряжении более 50 вольт эти свойства пропадают. Но тем не менее, диод Шоттки стал широко использоваться в схемах с Питание таких схем не превышало 15 Вольт постоянного напряжения, что позволяло в полной мере воспользоваться свойствами этого прибора. Он мог стоять в цепи обратной связи в качестве ограничительного элемента или участвовать в работе регуляторов.

Кроме такого немаловажного свойства, как на p-n переходе, диод Шоттки обладает небольшой емкостью. Это позволяет ему работать в высокочастотных схемах. Практически “идеальные” свойства этого элемента не искажают сигнал высокой частоты. Именно поэтому его стали ставить в импульсные блоки питания, устройства связи и регуляторы.

Но кроме положительных качеств необходимо отметить и недостатки. Диоды Шоттки очень чувствительны даже к кратковременному превышению обратного напряжения от допустимого значения. Это приводит к выходу элемента из строя. В отличие от своих кремниевых “собратьев” он не восстанавливается. Тепловой пробой приводит либо к появлениям токов утечки, либо к “превращению” прибора в проводник.

Первая неисправность приведет к нестабильной работе всего электронного устройства. Ее достаточно сложно найти и устранить. Что касается теплового пробоя, то, например, в это приведет к срабатыванию защиты от После замены неисправного элемента блок питания будет нормально работать.

Современная промышленность выпускает достаточно мощные диоды Шоттки. Импульсный ток в таких приборах может достигать 1,2 кА. Постоянный рабочий ток в некоторых типах доходит до 120 А. Такие приборы обладают широким токовым диапазоном и неплохими эксплуатационными характеристиками. Они с успехом применяются в бытовых приборах и промышленной электронике.

Во время сборки блоков питания и преобразователей напряжения для автомобильных усилителей часто возникает проблема с выпрямлением тока с трансформатора. Раздобыть мощные импульсные диоды довольно серьезная проблема, поэтому решил напечатать статью, в которой приводится полный перечень и парметры мощных диодов Шоттки. Некоторое время назад лично у меня возникла проблема с выпрямителем преобразователя для авто усилителя. Преобразователь довольно мощный (500-600 ватт), частота выходного напряжения 60кГц, любой распространенный диод, который можно найти в старом хламе, сразу сгорит, как спичка. Единственным доступным вариантом в то время были отечественные КД213А. Диоды достаточно хорошие, держат до 10 Ампер, рабочая частота в пределах 100кГц, но и они под нагрузкой страшно перегревались.

На самом деле мощные диоды можно найти почти у каждого. Компьютерный БП является , который питает целый компьютер. Как правило их делают с мощностью от 200 ватт до 1кВт и более, а поскольку компьютер питается от постоянного тока, значит в блоке питания должен быть выпрямитель. В современных блоках питания для выпрямления напряжения используют мощные диодные сборки Шоттки - именно у них минимальный спад напряжения на переходе и возможность работы в импульсных схемах, где рабочая частота намного выше сетевых 50 Герц. Недавно на халяву принесли несколько блоков питания, откуда и были сняты диоды для этого небольшого обзора. В компьютерных блоках питания можно найти самые разные диодные сборки, единичных диодов тут почти не бывает - в одном корпусе два мощных диода, часто (почти всегда) с общим катодом. Вот некоторые из них:

D83-004 (ESAD83-004) - Мощная сборка из диодов Шоттки, обратное напряжение 40 Вольт, допустимый ток 30А, в импульсном режиме до 250А - пожалуй, один из самых мощных диодов, который можно встретить в компьютерных блоках питания.


STPS3045CW - Сдвоенный диод Шоттки, ток выпрямленный 15A, прямое напряжение 570мВ, обратный ток утечки 200мкА, напряжение обратное постоянное 45 Вольт.

Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-220 SBL2040CT 10A x 2 =20A 40V Vf=0.6V при 10A
Шоттки TO-247 S30D40 15A x 2 =30A 40V Vf=0.55V при 15A
Ультрафаст TO-220 SF1004G 5A x 2 =10A 200V Vf=0.97V при 5A
Ультрафаст TO-220 F16C20C 8A x 2 =16A 200V Vf=1.3V при 8A
Ультрафаст SR504 5A 40V Vf=0.57
Шоттки TO-247 40CPQ060 20A x 2 =40A 60V Vf=0.49V при 20A
Шоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0.49V
Ультрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20A
Шоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30A
Шоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30A
Шоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15A
Шоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10A
Шоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15A
Шоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20A
Ультрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0.97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:


Также выпускаются , которые можно использовать например в БП ламповых усилителей и другой аппаратуры с повышенным питанием. Список приведён ниже:

Высоковольтные силовые диоды Шоттки с напряжением до 1200 В

Хотя более предпочтительным является применение диодов Шоттки в низковольтных мощных выпрямителях с выходными напряжениями в пару десятков вольт, на высоких частотах переключения.

Большинство современных радиосхем использует диод Шоттки. Его действие основано на физическом эффекте, который открыл немецкий ученый Вальтер Шоттки, поэтому он и носит его имя. Этот элемент имеет много таких же параметров, как и обычные диоды, но есть у него и существенные отличия.

Принцип действия и обозначение

Если обычный полупроводниковый диод основан на свойствах p-n перехода, то принцип работы диода Шоттки основан на свойствах перехода при контакте металла и полупроводника. Такой контакт получил в физике получил название «барьер Шоттки». В качестве полупроводника чаще всего используется арсенид галлия (GaAs), а из металлов применяют в основном следующие:

На радиотехнических схемах обозначение диода Шоттки похоже на обозначение обычного полупроводникового элемента, но есть заметное различие: со стороны катода, где есть небольшая перпендикулярная к основной линии черта, у нее дополнительно загибаются края в разные стороны под прямым углом или с плавным изгибом.

Иногда на принципиальных схемах затруднительно графически обозначить этот элемент, его рисуют, как обычный диод, а в спецификации дополнительно указывают тип.

Положительные и отрицательные качества

Полупроводниковый элемент Шоттки широко применяется в различных электронных и радиотехнических устройствах из-за своих положительных свойств. К ним относят следующие:

  • очень низкое падение напряжения на переходе, максимальное значение которого составляет всего 0,55 В;
  • большая скорость срабатывания;
  • малая емкость барьера (перехода), что дает возможность применять диод Шоттки в схемах с высокой частотой тока.

Но есть и несколько отрицательных свойств, которые необходимо учитывать при использовании этого радиотехнического элемента. А именно:

  • мгновенный необратимый выход из строя даже при кратковременном повышении обратного напряжения выше предельного значения;
  • возникновение теплового пробоя на обратном токе из-за выделения тепла;
  • часто встречаются утечки диодов, которые определить затруднительно.

Сфера применения и популярные модели

Полупроводниковый радиотехнический элемент Шоттки характеризуется отсутствием диффузной емкости из-за отсутствия неосновных носителей. Поэтому этот элемент в первую очередь - это СВЧ-диод широкого спектра применения. Его используют в роли следующих элементов:

  • тензодатчик;
  • приемник излучения;
  • модулятор света;
  • детектор ядерного излучения;
  • выпрямитель тока высокой частоты.

Малое падение напряжения, к сожалению, наблюдается у большинства этих элементов при рабочем напряжении в пределах 55−60 В. Если напряжение выше этого значения, то диод Шоттки имеет такие же качества, как и обычный полупроводниковый элемент на кремниевой основе. Максимум обратного напряжения обычно составляет порядка 250 В, но есть особые модели, которые выдерживают и 1200 В (например, VS-10ETS12-M3).

Из сдвоенных моделей популярной среди радиолюбителей является 60CPQ150. Этот радиоэлемент имеет максимум обратного напряжения 150 В, а каждый отдельный диод из сборки рассчитан на пропускание тока в прямом включении силой 30 А. В мощных импульсных источниках питания иногда можно встретить модель VS-400CNQ045, у которой сила тока на выходе после выпрямления достигает 400 А.

У радиолюбителей пользуются популярностью диоды Шоттки серии 1N581x. Такие образцы, как 1N5817, 1N5818, 1N5819 имеют максимальный номинальный прямой ток 1 А, а обратное напряжение у них составляет 20−40 В . Падение напряжения на барьере (переходе) в диапазоне от 0.45 до 0.55 В. Также в радиолюбительской практике встречается элемент 1N5822 с прямым током до 3 А.

На печатных платах используют миниатюрные диоды серий SK12 - SK16. Несмотря на очень небольшие размеры, они выдерживают прямой ток до 1 А, а напряжение «обратки» составляет от 20 до 60 В. Есть и более мощные диоды, например, SK36. У него прямой ток доходит до 3 А.

Диагностика возможных неисправностей

Существует всего три вида возможных неисправностей. Это пробой, обрыв и утечка. Если первые два вида можно диагностировать самостоятельно в домашних условиях с помощью обычного мультиметра, то третья неисправность в домашних условиях практически не поддается диагностике.

Для надежного определения выхода из строя диода его необходимо выпаять из схемы, иначе шунтирование через другие элементы схемы будет искажать полученные показания. При пробое элемент ведет себя как обычный проводник. При замере его сопротивления в обоих направлениях измерительный прибор будет составлять «0». При обрыве деталь вообще не пропускает электрический ток в любом направлении. Его сопротивление равно бесконечности в каждом направлении.

Косвенным признаком утечки в элементе является его нестабильная работа. Иногда может срабатывать встроенная защита в блоке питания компьютера, монитора и т. д.

Мультиметром определить утечку невозможно, так как она возникает при работе элемента, а замеры необходимо производить при его отключении от схемы.

Диод Шоттки – это полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на использовании выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником

Эффект Шотки возникает при контакте металла с полупроводниковым материалом. В самых старых диодах (точечных) использовалось металлическое остриё. В металле при его соприкосновении с полупроводником образуется область пространственного заряда, что позволяет току течь в одном направлении, но не пропускает его в другом. Диоды Шотки являются развитием этой технологии. Современные диоды Шотки имеют структуру, изображённую на Рис.1

Рис.1 Структура современного диода Шоттки

Выпрямительный переход создаётся слоем металла (обычно золота, платины, алюминия или палладия), нанесённого на поверхность слаболегированного полупроводника. Применяемый металл и уровень легирования влияют на характеристики выпрямления. Свойство выпрямления возникает вследствие разности энергетических уровней материалов. Тыльная сторона полупроводника легируется сильнее, а контакт с обратной стороны называется омическим, так как энергетические уровни материалов очень близки, и область контакта по своим свойствам напоминает резистор. Ток течёт через диод Шотки вследствие того, что под воздействием прямого напряжения смещения p-n-перехода электроны в металле преодолевают потенциальный барьер. Поэтому диоды Шоттки называются также диодами с «горячими» носителями заряда.

а)

б)

в)

г)

д)

Рис 2. Схема контакта металл - полупроводник (а) и его энергетическая диаграмма при нулевом (б), прямом (г) и обратном (д) смещении

Рассмотрим особенности работы диода с барьером Шоттки на основе контакта металла с полупроводником n-типа для случая, когда работа выхода металла больше, чем работа выхода полупроводника (Рис 2 а). При образовании контакта электроны переходят из материала с меньшей работой выхода в материал с большей работой выхода, в результате чего уровни Ферми металла и полупроводника выравниваются. При этом полупроводник оказывается заряженным положительно, а возникающее внутреннее электрическое поле препятствует переходу электронов в металл. Между металлом и полупроводником возникает контактная разность потенциалов Uк=Aп-Ам (Ап и Ам работа выхода полупроводника и металла соответственно).

Благодаря разности работ выхода металла и полупроводника между ними происходит обмен электронами. Электроны из полупроводника, имеющего меньшую работу выхода, переходят в металл с большей работой выхода. В равновесном состоянии (рис. 2 а) металл заряжается отрицательно, в результате чего возникает электрическое поле, прекращающее однородный переход электронов.

Из-за резкого различия концентраций свободных электронов по обе стороны от контакта практически все падение напряжения приходится на приконтактную область полупроводника. Приложенное внешнее напряжение изменяет высоту барьера лишь со стороны полупроводника. Электроны зоны проводимости отталкиваются возникшим контактным полем. Создается обедненный слой с пониженной концентрацией подвижных носителей. Около контакта вследствие изгиба границ зон полупроводник n-типа переходит в полупроводник p-типа.

Распределение электрического поля (рис. 2 в) и объемного заряда в этом случае описывается теми же уравнениями, что и для резкого p-n-перехода. В полупроводнике возникает область, обедненная основными носителями заряда с пониженной проводимостью, ширина которой зависит от уровня легирования полупроводника. В состоянии равновесия поток электронов (основных носителей полупроводника) в металл уравновешивается потоком электронов из металла в полупроводник.

При прямом смещении (рис. 2 г) потенциальный барьер со стороны полупроводника понижается и число переходов электронов в металл увеличивается. При обратном смещении (рис. 2 д), напротив, ток из полупроводника уменьшается, стремясь с ростом напряжения к нулю. Ток электронов из металла все время остается неизменным: роль его незначительна при прохождении прямого тока, им же обусловлен ток утечки при обратном смещении. Величина этого обратного тока в приборах с барьером Шоттки порядка единиц микроампер.

В реальных контактах линейная зависимость высоты барьера от работы выхода металла наблюдается редко ввиду того, что на поверхности полупроводника из-за её неидеальности, имеются поверхностные заряды. При нанесении металла такой поверхностный заряд экранирует влияние металла, вследствие чего высота потенциального барьера в основном определяется состоянием поверхности полупроводника. Кроме того, на свойства контакта металл - полупроводник влияют токи утечки, токи генерации - рекомбинации носителей заряда в обедненной области и возможность туннельного перехода электронов в случае сильнолегированного полупроводника.

Диоде Шоттки отсутствуют накопление неосновных носителей заряда в областях диода при прямом напряжении и рассасывание этого заряда при изменении знака напряжения. Это улучшает быстродействие диода, т. е. частотные и импульсные свойства. Время восстановления обратного сопротивления с диодом Шоттки при использовании кремния и золота - примерно 10 нс и меньше.

Достоинством диода Шоттки при современном уровне технологии является также то, что его вольт-амперная характеристика оказывается очень близкой к характеристике идеализированного p-n-перехода.

Ток в полупроводниковом материале представляет собой поток электронов. Электроны - основные носители заряда, и скорость протекания тока выше, чем p-материале плоскостного диода. Поэтому диоды Шоттки - самые быстродействующие из всех диодов. Поскольку в области перехода отсутствуют неосновные носители заряда, диод запирается сразу же, как только прикладываемое напряжение снижается до нуля. Однако процесс заряда ёмкости перехода вызывает протекание обратного тока. Эта ёмкость весьма мала, поэтому и обратный ток имеет чрезвычайно низкую величину. Диоды Шотки характеризуются практически нулевым временем прямого и обратного восстановления, потому что их проводимость не зависит от неосновных носителей заряда.

Прямое падение напряжения у кремниевого диода Шоттки очень мало, обычно порядка 0.2...0.45 В. Падение напряжения пропорционально максимальному обратному напряжению. Например, падение напряжения на диоде с обратным напряжением 10 В может составлять всего лишь 0.3 В. Чем выше максимальное обратное напряжение и номинальный ток, тем больше прямое падение напряжения вследствие увеличения толщины n-слоя. Диод с повышенной предельно допустимой температурой имеет большее прямое падение напряжения, которое уменьшается с понижением температуры перехода. Этот отрицательный температурный коэффициент по току позволяет снизить рассеивание мощности, но усложняет параллельное включение диодов.

Для многих видов диодов (таких как выпрямительные плоскостные низкочастотные диоды, импульсные диоды и т.д.), основным физическим процессом, ограничивающим диапазон рабочих частот, оказывался процесс накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода. Другой физический процесс – перезаряд барьерной ёмкости выпрямляющего электрического перехода – имел в рассмотренных диодах второстепенное значение и сказывался на их частотных свойствах только при определенных условиях. Поэтому были выдвинуты требования к конструкции и технологии изготовления диодов, выполнение которых обеспечивало бы ускорение рассасывания накопленных в базе за время действия прямого напряжения неосновных носителей заряда. Понятно, что если исключить инжекцию неосновных носителей заряда при работе диода, то не было бы накопления этих неосновных носителей в базе и соответственно относительно медленного процесса их рассасывания. Здесь можно перечислить несколько возможностей практически полного устранения инжекции неосновных носителей заряда при сохранении выпрямительных свойств полупроводниковых диодов.

1. Использование в качестве выпрямляющего электрического перехода (гетероперехода), т.е. электрического перехода, образованного в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещённой зоны. Инжекция неосновных носителей при прямом включении будет отсутствовать при выполнении ряда условий и, в частности, при одинаковом типе электропроводности полупроводников, образующих гетеропереход. Этот способ устранения инжекции неосновных носителей заряда пока не нашел широкого применения в промышленном производстве монокристаллических полупроводниковых диодов из-за технологических трудностей.

2. Использование для выпрямления эффекта туннелирования.

3. Инвертирование диодов, т.е. использование для выпрямления только обратной ветви ВАХ вместе с участком, соответствующим лавинному пробою. Этот способ не нашёл применения из-за необходимости иметь для каждого диода своё напряжение смещения, почти равное напряжению пробоя. Кроме того, в начальной стадии лавинного пробоя в диоде возникают шумы.

4. Использование выпрямляющего перехода Шоттки, т.е. выпрямляющего электрического перехода, образованного в результате контакта между металлом и полупроводником. На таком переходе высота потенциального барьера для электронов и дырок может существенно отличаться. Поэтому при включении выпрямляющего перехода Шоттки в прямом направлении прямой ток возникает благодаря движению основных носителей заряда полупроводника в металл, а носители другого знака (неосновные для полупроводника) практически не могут прейти из металла в полупроводник из-за высокого для них потенциального барьера на переходе.

Таким образом, на основе выпрямляющего перехода Шоттки могут быть созданы выпрямительные, импульсные и сверхвысокочастотные полупроводниковые диоды, отличающиеся от диодов с p-n-переходом лучшими частотными свойствами.

Выпрямительные диоды Шоттки

На частотные свойства диодов Шоттки основное влияние должно оказывать время перезарядки барьерной ёмкости перехода. Постоянная времени перезарядки зависит и от сопротивления базы диода. Поэтому выпрямляющий переход Шоттки целесообразнее создавать на кристалле полупроводника с электропроводностью n-типа – подвижность электронов больше подвижности дырок. По той же причине должна быть большой и концентрация примесей в кристалле полупроводника.

Однако толщина потенциального барьера Шоттки, возникающего в полупроводнике вблизи границы раздела с металлом, должна быть достаточно большой. Только при большой толщине потенциального барьера (перехода Шоттки) можно будет, во-первых, устранить вероятность туннелирования носителей заряда сквозь потенциальный барьер, во-вторых, получить достаточные значении пробивного напряжения и, в-третьих, получить меньшие значения удельной (на единицу площади) барьерной ёмкости перехода. А толщина перехода или потенциального барьера зависит от концентрации примесей в полупроводнике: чем больше концентрация примесей, тем тоньше переход. Отсюда следует противоположное требование меньшей концентрации примесей в полупроводнике.

Учёт этих противоречивых требований к концентрации примесей в исходном полупроводнике приводит к необходимости создания двухслойной базы диода Шоттки (рис. 3). Основная часть кристалла – подложка толщиной около 0,2 мм – содержит большую концентрацию примесей и имеет малое удельное сопротивление. Тонкий монокристаллический слой того же самого полупроводника (толщиной в несколько микрометров) с той же электропроводностью n-типа может быть получен на поверхности подложки методом эпитаксиального наращивания. Концентрация доноров в эпитаксиальном слое должна быть значительно меньше, чем концентрация доноров в подложке.

Рис. 3. Варианты структур диодов Шоттки с двухслойной базой

В качестве исходного полупроводникового материала для выпрямительных диодов Шоттки можно использовать кремний или арсенид галлия. Однако в эпитаксиальных слоях арсенида галлия не удаётся пока достичь малой концентрации дефектов и достаточно низкой концентрации доноров. Поэтому пробивное напряжение диодов Шотки на основе арсенида галлия оказывается низким, что является существенным недостатком для выпрямительных диодов.

Металлический электрод на эпитаксиальный слой полупроводника обычно наносят методом испарения в вакууме с последующим осаждением на поверхность эпитаксиального слоя. Перед нанесением металлического электрода целесообразно методами фотолитографии создать окна в оксидном слое на поверхности полупроводника. Так легче получить выпрямляющий переход Шотки необходимой площади и конфигурации.

Выпрямительные низкочастотные диоды предпочтительнее изготовлять с p-n-переходом. Выпрямительные диоды Шоттки в области низких частот могут в перспективе иметь преимущество перед диодами с p-n-переходом, связанное с простотой изготовления.

Наибольшие преимущества перед диодами с p-n-переходом диоды Шоттки должны иметь при выпрямлении больших токов высокой частоты. Здесь кроме лучших частотных свойств диодов Шоттки следует отметить такие их особенности: меньшее прямое напряжение из-за меньшей высоты потенциального барьера для основных носителей заряда полупроводника; большая максимально допустимая плотность прямого тока, что связано, во-первых, с меньшим прямым напряжением и, во-вторых, с хорошим теплоотводом от выпрямляющего перехода Шоттки. Действительно, металлический слой, находящийся с одной стороны перехода Шоттки, по своей теплопроводности превосходит любой сильнолегированный слой полупроводника. По этим же причинам выпрямительные диоды Шоттки должны выдерживать значительно большие перегрузки по току по сравнению с аналогичными диодами с p-n-переходом на основе того же самого полупроводникового материала.

Ещё одна особенность диодов Шотки заключается в идеальности прямой ветви ВАХ. При этом с изменением прямого тока в пределах нескольких порядков зависимость близка к линейной, или в показателе экспоненты при изменении тока не появляется дополнительных множителей. Учитывая эту особенность, диоды Шоттки можно использовать в качестве быстродействующих логарифмических элементов.

На рис. 4 показаны ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219, рассчитанного на максимально допустимый прямой ток 10 А. Прямое напряжение на диоде при максимально допустимом прямом токе не более 0,6 В, максимально допустимое обратное напряжение для диода 2Д219Б 20 В. Эти диоды допускают прохождение импульсов тока длительностью до 10 мс с периодом повторения не менее 10 мин с амплитудой, в 25 раз превышающей максимально допустимый прямой ток. Диоды рассчитаны на частоту выпрямляемого тока 0,2 МГц.

диод устройство полупроводник Шотки

Рис. 4. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах

Импульсные диоды Шоттки.

Исходным полупроводниковым материалом для этих диодов может быть, так же как и для выпрямительных диодов Шоттки, кремний или арсенид галлия. Но предпочтение здесь должно быть отдано арсениду галлия, так как в этом материале время жизни неосновных носителей заряда может быть менее с. Несмотря на практическое отсутствие инжекции неосновных носителей заряда через переход Шоттки при его включении в прямом направлении (что уже было отмечено ранее), при больших прямых напряжениях и плотностях прямого тока существует, конечно, некоторая составляющая прямого тока, связанная с инжекцией неосновных носителей заряда в полупроводник. Поэтому требование малости времени жизни неосновных носителей в исходном полупроводниковом материале остается и для импульсных диодов Шотки.

Главный недостаток диодов Шоттки - большой обратный ток утечки. Он имеет экспоненциальную зависимость от температуры и возрастает при повышении температуры и обратного напряжения. Максимальный ток утечки определяется технологией производства диодов. Чем выше декларируемые номинальное обратное напряжение диода и максимальная температура перехода, тем меньше утечка.

Электротехника и радиоэлектроника пестрят многими понятиями, одним из которых является диод Шоттки, используемый в многочисленных схемах электроцепей. Многие задаются вопросами о том, что такое диод Шоттки, как он обозначается на схемах, а также каков принцип работы диода Шоттки.

Общая информация и принцип работы

Диод Шоттки – диодное полупроводниковое изделие, которое при прямолинейном включении в цепь выдает малый показатель уменьшения напряжения. Состоит данный элемент из металла и полупроводника. Назван диод в честь известного немецкого физика-испытателя В. Шоттки, какой в 38 году 20 века изобрел его.

В промышленности применяется такой диод с ограниченным обратным напряжением – до 250 В, но на практике в бытовых целях для предотвращения движения тока в противоположную сторону применяются в основном низковольтные варианты – 3-10В.

Диоды Шоттки можно разделить на 3 класса по мощностным характеристикам:

  • высокомощные;
  • среднемощные;
  • маломощные.

Диод с барьером Шоттки (более точное наименование изделия) состоит из проводника, для контакта с каким используется металл, кольца защиты и пассивации стеклом.

В тот момент, когда по электроцепи проходит ток, в разных участках корпуса по всей области полупроводникового барьера и на защитном кольце собираются отрицательные и положительные заряды, что приводит к возникновению электрополя и выделению тепловой энергии – это большой плюс диода для многих физических опытов.

Диодные сборки этого типа могут выпускаться в нескольких вариациях:

  • диоды Шоттки с общим анодом;
  • диодные изделия, имеющие вывод с общего катода;
  • диоды, собранные по схеме удвоения.

Технические характеристики популярных модификаций диодов Шоттки

Наименование Предельное обратное пиковое напряжение Предельный выпрямительный электроток Пиковый прямой электроток Предельный обратный электроток Предельное прямое напряжение
Ед. измерения В А оС А µА В
1N5817 20 1 90 25 1 0,45
1N5818 30 1 90 25 1 0,55
1N5819 40 1 90 25 1 0,6
1N5821 30 3 95 80 2 0,5
1N5822 40 3 95 80 2 0.525

Различия от иных полупроводников

Диоды Шоттки различаются от иных диодных изделий тем, что имеют преграду в виде перехода – полупроводник-металл, характеризующийся односторонней электропроводностью. Металлом в них могут выступать кремний, арсенид галлия, реже могут использоваться соединения германия, вольфрама, золота, платины и прочие.

Работа этого электронного компонента будет полностью зависеть от выбранного металла. Чаще всего в таких конструкциях встречается кремний, так как отличается большей надежностью и отличными рабочими характеристиками на высоких мощностях. Могут также использоваться соединения галлия и мышьяка, германия. Производственная технология этого электронного изделия проста, что обуславливает его низкую стоимость.

Изделие Шоттки характеризуется более стабильным функционированием при подаче электротока, чем прочие типы полупроводниковых диодов. Достигается это за счет того, что в его корпус внедряются специальные кристаллические образования.

Достоинства и недостатки

Вышеописанные диоды имеют некоторые достоинства, которые заключаются в следующем:

  • электроток отлично удерживается в цепи;
  • небольшая емкость барьера Шоттки увеличивает срок службы изделия;
  • низкое падение электронапряжения;
  • быстродействие в электроцепи.

Самым же существенным недостатком компонента является огромный обратный ток, что даже при скачке этого показателя в несколько единиц приводит к выходу диода из строя.

Обратите внимание! При эксплуатации электроэлемента Шоттки в цепях с мощным электротоком при неблагоприятных условиях теплового обмена случается теплопробой.

Диод Шоттки: обозначение и маркировка

Диод Шоттки на электросхемах обозначается практически точно так же, как и обычные полупроводники, но с некоторыми особенностями.

Стоит отметить, что на схемах могут встречаться и сдвоенные варианты диода Шоттки. Представляет собой такая конструкция два соединенных диода в общем корпусе, имеющие спаянные катоды или аноды, что ведет к образованию трех выводов.

Маркировка таких элементов проставляется сбоку в виде букв и символов. Каждый производитель осуществляет маркирование своих изделий по-своему, но выполняя определенные международные стандарты.

Важно! Если буквенно-цифирное обозначение на корпусе диода не понятно, то рекомендуется смотреть расшифровку в радиотехническом справочнике.

Область применение

Применение диодных конструкций с барьером Шоттки можно встретить во многих приборах и электротехнических структур. Наиболее часто они применяются на электросхемах в следующей технике:

  • электроприборы для дома и компьютеры;
  • блоки питания различного типа и стабилизаторы напряжения;
  • теле,- и радиоаппаратура;
  • транзисторы и батареи, работающие от солнечной энергии;
  • прочая электроника.

Столь широкая область применения связана с тем, что такой электротехнический элемент увеличивает многократно эффективность и работоспособность конечного изделия, восстанавливает обратное сопротивление электротока, сохраняет его в электросети, снижает численность утерь динамики электронапряжения, а также вбирает в себя довольно много различного типа излучений.

Диагностирование диодов Шоттки

Проверить исправность электроэлемента Шоттки несложно, однако для этого потребуется некоторое время. Для диагностики неисправностей необходимо проделать нижеследующее:

  1. Из электросхемы или диодного моста требуется изначально выпаять интересующий элемент;
  2. Провести визуальный осмотр на возможные механические повреждения, наличие следов химических и прочих реакций;
  3. Проверить диод тестером или мультиметром;
  4. Если проверка проводится мультиметром, то необходимо после его включения подвести щупы к концам катода и анода, в итоге прибор выдаст реальное напряжение диодной сборки.

Важно! При проведении проверочных мероприятий мультиметром, следует учитывать электроток, который обычно указан сбоку изделия.

Итогом этих простых действий станет установление технического состояния полупроводника. Неисправным же диод может стать по следующим причинам:

  1. При возникновении пробоин элемент Шоттки перестает удерживать электроток, соответственно из полупроводника превращается в проводника;
  2. Когда в диодном мосту или самом диодном элементе случается обрыв, то пропуск электротока прекращается вообще.

Стоит отметить, что при таких происшествиях не будет видно ни дыма, ни запаха гари, соответственно, проверять потребуется все диоды, а лучше всего обратиться в специализированные мастерские.

Диод Шоттки – простой и неприхотливый, но в то же время крайне необходимый элемент в современной электронике, так как именно благодаря ему удается обеспечить бесперебойную работу многих приборов и технических изделий.

Видео

Russian HamRadio - Блоки питания для системных модулей типа IBM PC-XT/AT. Глава 2.7.ВЫХОДНЫЕ ЦЕПИ.

2.7.ВЫХОДНЫЕ ЦЕПИ.

Рассмотрим особенности выходных каналов ИБП. Способ получения выходных напряжений блока может быть различным для разных схем. При этом напряжения основных (сильноточных) каналов +5В и +12В всегда получаются одним и тем же способом во всех схемах. Способ этот заключается в выпрямлении и сглаживании импульсных ЭДС со вторичных обмоток импульсного силового трансформатора. При этом выпрямление во всех двухтактных схемах осуществляется по двухполупериодной схеме со средней точкой. Этим обеспечивается симметричный режим перемагничивания сердечника импульсного трансформатора, т.к. через вторичные обмотки протекает только переменный ток и, следовательно, отсутствует вынужденное подмагничивание сердечника, неизбежное в однополупериодных схемах выпрямления, где ток протекает через вторичную обмотку трансформатора только в одном

 

Рис.27. Получение выходных напряжений в ИБП KYP-150W (TUV FAR EAST CORP.).

Рассмотрим работу вторичной стороны на примере схемы ИБП KYP-150W (рис. 27).

Поскольку все четыре выходных канала схемотехнически реализованы примерно одинаково, то ограничимся подробным рассмотрением работы только одного из них (канал +12В). Когда через первичную обмотку 1-2 силового трансформатора

РТ протекает линейно нарастающий ток в направлении от вывода 1 к выводу 2, на вторичных обмотках РТ действуют ЭДС постоянного уровня. Полярность этих ЭДС такова, что на выводе 3 присутствует положительный потенциал ЭДС относительно корпуса.

На выводе 7 этот потенциал будет отрицательным. Поэтому протекает линейно нарастающий ток по цепи: 3 РТ - верхний диод сборки BD2 - обмотка W2 дросселя L1 - дроссель L2 - конденсатор С21 -корпус - 5 РТ.

Нижний диод сборки BD2 на этом интервале закрыт отрицательным напряжением на аноде, и ток через него не протекает.

Помимо подзарядки конденсатора С21 происходит передача энергии на выход канала (поддерживается ток нагрузки). На этом же интервале времени в сердечниках дросселей L1, L2 запасается магнитная энергия.

Далее ток через первичную обмотку силового трансформатора прерывается как результат закрывания силового транзистора (на схеме не показан). ЭДС на вторичных обмотках исчезают. Длится "мертвая зона". На этом интервале энергия, запасенная в дросселях L1, L2 передается в конденсатор С21 и в нагрузку. При исчезновении ЭДС на вторичных обмотках в дросселя" наводится ЭДС самоиндукции, стремящаяся поддержать ток прежнего направления. Поэтому ток подзарядки С21 во время "мертвой зоны" протекает по цепи: правый (по схеме) вывод L2

- С21 - корпус - 5-3 и 5-7 РТ- диоды BD2 - левый (по схеме) вывод W2 L1.

Ток этот - линейно спадающий во времени. Далее открывается второй силовой транзистор (на схеме не показан) и через первичную обмотку РТ начинает протекать линейно нарастающий ток противоположного предыдущему случаю направления (от вывода 2 к выводу 1). Поэтому полярность ЭДС на вторичных обмотках РТ также будет противоположной: на выводе 7 - положительный потенциал относительно корпуса, а на выводе 3 - отрицательный.

Поэтому проводящим элементом на этом интервале будет теперь нижний диод сборки BD2, а верхний ее диод будет закрыт. Ток через обмотку W2, L1 и L2 опять будет линейно нарастающим и подзарядит конденсатор С21, а также поддержит ток нагрузки: 7 РТ- нижний диод BD2 -W2L

1-L2-C21- корпус -5РТ.

В сердечниках L1, L2 вновь накапливается магнитная энергия, которая опять передается в конденсатор С21 и нагрузку на интервале следующей за этим "мертвой зоны". Далее процессы повторяются. При этом разрядка конденсатора С21 на нагрузку происходит в течение всего периода работы.

Из сказанного ясно, что силовая часть представляет собой комбинацию из двух прямоходовых преобразователей, образующих двухтактную схему.

В качестве выпрямительных диодов в выходных цепях используются импульсные (высокочастотные) силовые диоды, которые кроме статических параметров, определяемых по вольтамперным характеристикам, характеризуются параметрами, определяющими их инерционные свойства при переключении с прямого тока на обратное напряжение.

При смене полярности входного напряжения из-за инерционности процесса рассасывания избыточных носителей заряда, накопленных в базе за время открытого состояния, диод восстанавливает свое обратное сопротивление не мгновенно, а через некоторое время восстановления tв

oc (trr). В течение этого времени диод остается открытым, и через него протекает обратный ток Iобр., значение которого зависит от характера нагрузки выпрямителя и длительности фронта входного переменного напряжения.

При этом пока диод не восстановит свое обратное сопротивление, импульсный трансформатор фактически работает в режиме короткого замыкания по выходу, что неблагоприятно сказывается на режиме работы силовых транзисторов и может привести к выходу их из строя, т.к. короткое замыкание на выходе ИБП приводит к резкому броску коллекторного тока через силовой транзистор в момент его переключения. Поэтому применяемые в качестве выпрямительных элементов диоды должны обладать минимально возможным временем восстановления, которое является одним из основных параметров выпрямительных диодов и характеризует их инерционные свойства.

Для уменьшения динамических коммутационных потерь и устранения режима короткого замыкания при переключении в самом сильноточном канале выработки +5В, где эти потери наиболее значительны, в качестве выпрямительных элементов используется диодная сборка (полумост) из двух диодов Шоттки, например, СТВ-34, S15SC4M, S30D40C и т.п.

Применение диодов Шоттки в канале выработки +5В обусловлено следующими соображениями: диод Шоттки практически безынерционный прибор с почти мгновенным восстановлением обратного сопротивления (время обратного восстановления порядка 0,1мкс) при коммутации [однако они существенно медленнее, чем современные диоды с быстрым восстановлением (Ultrafast Recovery), применяемые нынче, и имеющие trr порядка З0..55нс - прим. АЛ]; прямое падение напряжение на диоде Шоттки равно примерно 0,4В в отличие от кремниевого диода с прямым падением напряжения в

0,8-1,2В, что при токе нагрузки 15-20А дает дополнительный выигрыш в КПД ИБП.

В канале выработки +12В обычно применяется либо диодная сборка из двух кремниевых диодов (полумост) типа С25, ESA C25-020 и т.п., либо два дискретных кремниевых диода.

Применение диодов Шоттки в канале выработки напряжения +12В нецелесообразно, т.к. при обратном напряжении выше 50В (а в канале выработки +12В обратное напряжение достигает 60В!) диоды Шоттки плохо переключаются (значительно возрастают обратные токи) и практически не работают.

В качестве выпрямительных элементов в каналах выработки -5В и -12В используются обычные кремнивые импульсные диоды, например, типа PXPR1002. Все выпрямленные напряжения сглаживаются LC-фильтрами.

Получение выходных напряжений отрицательных каналов может быть различным. В некоторых схемах эти напряжения получают тем же способом, что и +5В и +12В, т.е. выпрямлением и сглаживанием импульсных ЭДС со вторичных обмоток силового трансформатора. В этом случае на вторичной стороне устанавливаются 4 диодных полумоста, каждый из которых работает на свой канал. Силовой трансформатор в этом случае имеет две вторичные обмотки с выводами от средней точки. Такая схема используется, например, в ИБП KYP-150W (рис. 27).

Имеются варианты схем, в которых со вторичных обмоток силового трасформатора получают только три выходных напряжения: +5, +12, -12 В. Напряжение -5В получают из -12В с помощью интегрального линейного трехвыводного стабилизатора типа 7905. Силовой трансформатор в этих схемах также имеет две вторичные обмотки с выводом от средней точки. Так как путем выпрямления здесь получают только

три выходных напряжения, то на вторичной стороне установлены не 4, а только 3 выпрямительных диодных полумоста. Такой вариант построения схемы используется, например, в ИБП LPS-02-150XT (рис.28).

 

Рис.28. Получение выходных напряжений в ИБП LPS-02-150XT.

Количество вторичных обмоток силового импульсного трансформатора может быть различным в разных схемах. Например, в схеме ИБП PS-200В (рис. 29) силовой трансформатор имеет три вторичные обмотки с выводом от средней точки, т.е. каждая из вторичных обмоток работает со своим полумостом.

В схеме ИБП KYP-150W (рис.27) у силового трансформатора всего две вторичные обмотки, каждая из которых работает с двумя полумостами.

Соблазн использовать диоды Шоттки в канале выходного напряжения +12В привел разработчиков к оригинальному схемному решению.

Суть этого решения заключается в том, что средняя точка вторичной обмотки силового трансформатора, с которой получается выходное напряжение +12В, подключается не к корпусу (как в классических схемах), а к шине выходного напряжения +5В. Пример такой схемы показан на рис. 30.

Другими словами, в среднюю точку обмотки канала +12В подается "подпорка", уменьшающая величину обратного напряжения, приложенного к выпрямительным диодам. Поэтому использование диодов Шоттки в канале +12В становится возможным.

 

Рис.29. Получение выходных напряжений в ИБП PS-200B.

Как уже отмечалось, конструктивно и электрически в схему ИБП входит вентилятор принудительного охлаждения схемы самого ИБП и системного блока.

Обычно он представляет собой бесколлекторный вентильный двухфазный двигатель постоянного тока. Обмотки двигателя вентилятора запитыватюся в большинстве схем ИБП с шины выходного напряжения +12В.

Однако имеются схемы, в которых питание для двигателя вентилятора берется с шины -12В. Вентилятор на зарубежных принципиальных электрических схемах обозначается как D.C. FAN. В ИБП KYP-150W, например, используется вентилятор типа SU8025-M, имеющий следующие основные характеристики: номинальное напряжение питания 12В, потребляемый ток 0.12А.

Принцип действия и конструкция двигателя вентилятора будут подробно рассмотрены далее. Здесь же отметим лишь то, что воздушный поток, создаваемый двигателем вентилятора, направлен из системного модуля наружу (в окружающую среду), т.е. теплый воздух выдувается из системного блока. Обычно на корпусе вентилятора имеются указатели в виде стрелок, показывающие направления вращения крыльчатки и направление воздушного потока. Корпус БП имеет отверстия или щелевые прорези на стороне, противоположной вентилятору. Благодаря этому при вращении крыльчатки создается воздушный поток, охлаждающий как элементы узлов системного модуля, так и схему самого ИБП.

Таким образом вторичная сторона ИБП на основе управляющей микросхемы TL494 и полумостового инвертора схемотехнически может отличаться:

• способом получения выходного напряжения -5В и, следовательно, количеством выпрямительных диодных полумостов;

• количеством вторичных обмоток силового импульсного трансформатора;

• способом подачи питания на двигатель вентилятора.

Кроме того, в схемах с самовозбуждением выпрямленное импульсное напряжение с выхода диодного полумоста канала +12В используется для

получения вспомогательного напряжения питания управляющей микросхемы и согласующего каскада. Это напряжение было обозначено ранее как Upom. Для получения этого напряжения к выходу полумоста через развязывающий диод подключается сглаживающая емкость, напряжение с которой обычно через дополнительный Г-образный RC-фильтр развязки подается на шину Upom, с которой и запитывается по выводу 12 управляющая микросхема, а также базовые делители транзисторов согласующего каскада и коллекторы этих транзисторов. Например, на рис.27 диод D14 - диод развязки. С19 - сглаживающая емкость. Элементы R36, С11 образуют Г-образный RC-фильтр.

Необходимость включения развязывающего диода объясняется тем, что при его отсутствии накопительная емкость С19 шины Upom, которая подзаряжается импульсами со вторичной обмотки силового трансформатора, во время пауз разряжалась бы на низкоомную нагрузку канала +12В. Это привело бы к значительному возрастанию пульсации на шине Upom, что нежелательно. Г-образный RC-фильтр также способствует подавлению пульсации на шине Upom.

Уровень напряжения Upom в схемах с самовозбуждением, как уже отмечалось, составляет около +26В. Это объясняется тем, что размах импульсного напряжения на вторичной обмотке импульсного трансформатора, работающее на каналы +12В и -12В, составляет около 60В. Поэтому амплитуда импульсов на выходе выпрямительного полумоста в канале +12В составит половину этой величины, т.е. около +ЗОВ. Примерно до этого уровня и заряжается через диод развязки сглаживающая емкость шины Upom.

Попутно отметим, что размах импульсного напряжения на вторичной обмотке, работающей на каналы +5В и -5В, примерно вдвое меньше и составляет около 26В. Поэтому амплитуда импульсов на выходах диодных полумостов каналов +5В и -5В составляет около 13В.

К шине выходного напряжения +5В во всех схемах ИБП рассматриваемого семейства подключается резистивный делитель, выполняющий функцию измерительного элемента в цепи обратной связи в контуре стабилизации выходных напряжений (см.ниже).

Между шинами -5В и -12В обычно включается диодно-резистивный делитель, выполняющий функцию измерительного элемента схемы защиты от КЗ в нагрузках каналов -5В и -12В (см. ниже).

 

Рис.30. Получение выходных напряжений в ИБП PS-6220C (BENAVIOR TECH. COMPUTER CORP.).

Кроме того, к выходным шинам (ко всем четырем или к некоторым в зависимости от построения схемы ИБП) подключены разрядные резисторы.

Назначение их - быстрая разрядка всех выходных конденсаторов, а также конденсаторов различных вспомогательных схем после выключения ИВП из сети с целью привести всю схему ИБП в исходное состояние перед последующим включением.

Ранее уже была отмечена принципиальная важность этого обстоятельства. Однако здесь повторим еще раз, что для нормального выхода ИБП на режим, все конденсаторы его схемы к моменту включения в питающую сеть должны быть полностью разряжены.

На рис.27, например, разрядным резистором в канале +5В является R37, в канале -5В - R43, в канале +12В - R45, в канале -12В - R42.

Токи, протекающие через эти резисторы в процессе работы ИВП, незначительны по сравнению с токами нагрузок. Поэтому можно считать, что в процессе работы эти резисторы не влияют на работу схемы ИБП.

s30d - наличие на складах

Производитель Наименование Информация Цены Склад  
NINGBO FORWARD RELAY

Оф. дистрибьютор

NVF-CS-30-DC12V Предлагается полный аналог. Реле Asiaon AS408-1Z-12VDC, управление 12vDC, 1перекл. гр, 30А на гр, потребление 1.4W

Минимальный заказ: 25шт - нормоуп.

70.58 р.

110
NINGBO FORWARD RELAY

Оф. дистрибьютор

NVFM-CS-30-DC12V Предлагается полный аналог. Реле Asiaon AS408-1Z-12VDC, управление 12vDC, 1перекл. гр, 30А на гр, потребление 1.4W

Минимальный заказ: 25шт - нормоуп.

70.58 р.

110
NINGBO FORWARD RELAY

Оф. дистрибьютор

4120-AS-30-DC12V-1.6-E Предлагается полный аналог. Реле Helishun HLS-4120-DC12V-S-AE, управление 12vDC, 1вкл. гр, 40А на гр, размеры Европа, потребление 1.6W

Минимальный заказ: 30шт - нормоуп.

35.89 р.

4200

3 недели

NINGBO FORWARD RELAY

Оф. дистрибьютор

JQC-4-AS-30-DC12V-1.6-E Предлагается полный аналог. Реле Helishun HLS-4120-DC12V-S-AE, управление 12vDC, 1вкл. гр, 40А на гр, размеры Европа, потребление 1.6W

Минимальный заказ: 30шт - нормоуп.

35.89 р.

4200

3 недели

NINGBO FORWARD RELAY

Оф. дистрибьютор

4120-CS-30-DC12V-1.6-E Предлагается полный аналог. Реле Helishun HLS-4120-DC12V-S-CE, управление 12vDC, 1перекл. гр, 30А на гр, размеры Европа, потребление 1.6W

Минимальный заказ: 30шт - нормоуп.

40.43 р.

317

Ты и диод: Ремонтируем и модернизируем бюджетные источники питания

Введение

Большой плюс компьютерного блока питания состоит в том, что он стабильно работает при изменении сетевого напряжения от 180 до 250 В, причем некоторые экземпляры работают и при большем разбросе напряжений. От блока мощностью 200 Вт реально получить полезный ток нагрузки 15-17 А, а в импульсном (кратковременном режиме повышенной нагрузки) – вплоть до 22 А. Компьютерные БП типового ряда, соответствующие стандарту ATX12 и предназначенные для использования в ПК на базе процессоров Intel Pentium IV и ниже, чаще всего выполнены на микросхемах 2003, AT2005Z, SG6105, KA3511, LPG-899, DR-B2002, IW1688. Подобные устройства содержат меньшее количество дискретных элементов на плате, имеют меньшую стоимость, чем построенные на основе популярного ШИМ – микросхемы TL494. В данном материале мы рассмотрим несколько подходов по ремонту вышеупомянутых блоков питания и дадим несколько практических советов.

Блоки и схемы

Компьютерный блок питания можно применять не только по прямому назначению, но и в виде источников для широкого спектра электронных конструкций для дома, требующих для своей работы постоянного напряжения 5 и 12 В. Путем незначительной переделки, описанной ниже, сделать это совсем не трудно. А приобрести БП ПК можно отдельно как в магазине, так и бывший в употреблении на любом радиорынке (если не хватает собственных «закромов») за символическую цену.

Этим блок питания компьютера выгодно отличается в перспективе применения в домашней лаборатории радиомастера от всех других промышленных вариантов. Для примера мы возьмем блоки JNC моделей LC-B250ATX и LC-B350ATX, а также InWin IP-P300AQ2, IP-P350AQ2, IP-P400AQ2, IP-P350GJ20, которые используют в своей конструкции микросхему 2003 IFF LFS 0237E. В некоторых других встречаются BAZ7822041H или 2003 BAY05370332H. Все эти микросхемы конструктивно отличаются друг от друга назначением выводов и «начинкой», но принцип работы у них одинаковый. Так микросхема 2003 IFF LFS 0237E (далее будем называть ее 2003) – это ШИМ (широтно-импульсный модулятор сигналов) в корпусе DIP-16. До недавнего времени большинство бюджетных компьютерных БП производства китайских фирм выполнялось на основе микросхемы ШИМ-контроллера TL494 фирмы Texas Instruments (http://www.ti.com) или ее аналогов других фирм-производителей, таких как Motorola, Fairchild, Samsung и прочих. Эта же микросхема имеют отечественный аналог КР1114ЕУ4 и КР1114ЕУ3 (цоколевка выводов в отечественном исполнении различная). Изучим для начала методы диагностики и тестирования неполадок

Как изменить входное напряжение

Сигнал, уровень которого пропорционален мощности нагрузки преобразователя, снимается со средней точки первичной обмотки разделительного трансформатора Т3, далее через диод D11 и резистор R35 поступает на корректирующую цепочку R42R43R65C33, после которой подается на вывод PR микросхемы. Поэтому в данной схеме устанавливать приоритет защиты по какому-либо одному напряжению затруднительно. Здесь пришлось бы сильно изменить схему, что нерентабельно по затратам времени.
В других схемах компьютерных БП, к примеру, в LPK-2-4 (300 Вт), напряжение с катода сдвоенного диода Шоттки типа S30D40C, выпрямителя выходного напряжения +5 В, поступает на вход UVac микросхемы U2 и используется для контроля входного питающим переменным напряжением БП. Регулируемое выходное напряжение бывает полезно для домашней лаборатории. К примеру, для питания от компьютерного БП электронных устройств для легкового автомобиля, где напряжение в бортовой сети (при работающем двигателе) 12.5-14 В. Чем больше уровень напряжения, тем больше полезная мощность электронного устройства. Особенно это важно для радиостанций. Для примера рассмотрим адаптацию популярной радиостанции (трансивера) к нашему БП LC-B250ATX – повышение напряжения по шине 12 В до 13.5-13.8 В.
Припаиваем подстроечный резистор, к примеру, СП5-28В (желательно с индексом «В» в обозначении – признак линейности характеристики) сопротивлением 18-22 кОм между выводом 6 микросхемы U2 и шиной +12 В. На выход +12 В устанавливаем автомобильную лампочку 5-12 Вт в качестве эквивалента нагрузки (можно подключить и постоянный резистор 5-10 Ом с мощностью рассеяния от 5 Вт и выше). После рассмотренной незначительной доработки БП вентилятор можно не подключать и саму плату в корпус не вставлять. Запускаем БП, к шине +12 В подключаем вольтметр и контролируем напряжение. Вращением движка переменного резистора устанавливаем выходное напряжение 13.8 В.
Выключаем питание и замеряем омметром получившееся сопротивление подстроечного резистора. Теперь между шиной +12 В и выводом 6 микросхемы U2 припаиваем постоянный резистор соответствующего сопротивления. Таким же образом можно скорректировать напряжение по выходу +5 В. Сам же ограничительный резистор подключают к выводу 4 микросхемы 2003 IFF LFS 0237E.

Принцип работы схемы 2003

Напряжение питания Vcc (вывод 1) на микросхему U2 поступает от источника дежурного напряжения +5V_SB. На отрицательный вход усилителя ошибки IN микросхемы (вывод 4) поступает сумма выходных напряжений ИП +3.3 В, +5 В и +12 В. Сумматор выполнен соответственно на резисторах R57, R60, R62. Управляемый стабилитрон микросхемы U2 используется в схеме оптронной обратной связи в источнике дежурного напряжения +5V_SB, второй стабилитрон используется в схеме стабилизации выходного напряжения +3.3V. Схема управления выходным полумостовым преобразователем БП выполнена по двухтактной схеме на транзисторах Q1, Q2 (обозначение на печатной плате) типа Е13009 и трансформаторе Т3 типа EL33-ASH по стандартной схеме, применяемой в компьютерных блоках.

Взаимозаменяемые транзисторы – MJE13005, MJE13007, Motorola MJE13009 выпускают многие зарубежные фирмы-производители, поэтому вместо аббревиатуры MJE в маркировке транзистора могут присутствовать символы ST, PHE, KSE, HA, MJF и другие. Для питания схемы используется отдельная обмотка трансформатора дежурного режима Т2 типа EE-19N. Чем большую мощность имеет трансформатор Т3 (чем толще провод использован в обмотках), тем больше выходной ток самого блока питания. В некоторых печатных платах, которые мне приходилось ремонтировать, «раскачивающие» транзисторы имели наименование 2SC945 и Н945Р, 2SC3447, 2SC3451, 2SC3457, 2SC3460(61), 2SC3866, 2SC4706, 2SC4744, BUT11A, BUT12A, BUT18A, BUV46, MJE13005, а обозначение на плате было указано как Q5 и Q6. И при этом на плате было всего 3 транзистора! Сама же микросхема 2003 IFF LFS 0237E была обозначена как U2, и при этом на плате нет ни одного обозначения U1 или U3. Однако оставим эту странность в обозначении элементов на печатных плата на совести китайского производителя. Сами обозначения не принципиальны. Главное отличие рассматриваемых блоков питания типа LC-B250ATX – наличие на плате одной микросхемы типа 2003 IFF LFS 0237E и внешний вид платы.
В микросхеме применен управляемый стабилитрон (выводы 10, 11), аналогичный TL431. Он используется для стабилизации цепи питания 3.3 В. Отмечу, что в моей практике ремонта блоков питания вышеупомянутая схема – самое слабое место в компьютерном БП. Однако прежде чем менять микросхему 2003, рекомендую сначала проверить саму цепь.

Диагностика ATX блоков питания на микросхеме 2003

Если блок питания не запускается, то нужно в первую очередь снять крышку корпуса и проверить оксидные конденсаторы и другие элементы на печатной плате внешним осмотром. Оксидные (электролитические) конденсаторы явно подлежат замене, если их корпуса вздуты и если они имеют сопротивление менее 100 кОм. Определяется это «прозвонкой» омметром, к примеру, моделью М830 в соответствующем режиме измерений. Одна из часто встречающихся неисправностей БП на основе микросхемы 2003 – отсутствие стабильного запуска. Запуск производится кнопкой Power на передней панели системного блока, при этом контакты кнопки замыкаются, причем вывод 9 микросхемы U2 (2003 и аналогичной) соединяется с «корпусом» общим проводом.

В «косе» это, как правило, зеленый и черный провода. Для того чтобы быстро восстановить работоспособность устройства, достаточно отсоединить от печатной платы вывод 9 микросхемы U2. Теперь БП должен включаться стабильно путем нажатия на клавишу задней панели системного блока. Этот метод хорош тем, что позволяет и далее без ремонта, который не всегда выгоден материально, использовать морально устаревший компьютерный БП, или тогда, когда блок используется не по назначению, к примеру, для питания электронных конструкций в домашней радиолюбительской лаборатории.
Если перед включением питания удерживать нажатой кнопку «reset» и отпускать через несколько секунд, то системой будет имитироваться увеличение задержки сигнала Power Good. Так можно проверить причины неисправности потери данных в СМОS (ведь не всегда «виновата» батарейка). Если данные, к примеру, время, периодически теряются, то следует проверить задержку при отключении. Для этого «reset» нажимается перед отключением питания и удерживается еще несколько секунд, имитируя ускорение снятия сигнала Power Good. Если при таком выключении данные сохраняются, дело в большой задержке при выключении.

Увеличение мощности

На печатной плате установлены два высоковольтных электролитических конденсатора емкостью 220 мкФ. Для улучшения фильтрации, ослабления импульсных помех и в итоге для обеспечения устойчивости компьютерного БП к максимальным нагрузкам эти конденсаторы заменяют на аналоги большей емкости, к примеру, 680 мкФ на рабочее напряжение 350 В. Пробой, потеря емкости или обрыв оксидного конденсатора в схеме БП уменьшает или сводит на нет фильтрацию питающего напряжения. Напряжение на обкладках оксидного конденсатора в устройствах БП порядка 200 В, а емкость находится в диапазоне 200-400 мкФ. Китайские производители (VITO, Feron и другие) устанавливает, как правило, самые дешевые пленочные конденсаторы, не сильно заботясь ни о температурном режиме, ни о надежности устройства. Оксидный конденсатор в данном случае применяется в устройстве БП в качестве высоковольтного фильтра питания, поэтому должен быть высокотемпературным. Несмотря на рабочее напряжение, указанное на таком конденсаторе 250-400 В (с запасом, как и положено), он все равно «сдает» по причине своего низкого качества.
Для замены рекомендую оксидные конденсаторы фирм КХ, CapXon, а именно HCY CD11GH и ASH-ELB043 – это высоковольтные оксидные конденсаторы, специально разработанные для применения в электронных устройствах питания. Даже если внешний осмотр не позволил найти неисправные конденсаторы, мы следующим шагом все равно выпаиваем кондеры на шине +12 В и вместо них устанавливаем аналоги большей емкости: 4700 мкФ на рабочее напряжение 25 В. Сам участок печатной платы БП ПК с оксидными конденсаторами по питанию, подлежащими замене, представлен на рисунке 4. Вентилятор мы аккуратно снимаем и устанавливаем наоборот – так, чтобы он дул внутрь, а не наружу. Такая модернизация улучшает охлаждение радиоэлементов и в итоге повышает надежность устройства при длительной эксплуатации. Капля машинного или бытового масла в механических деталях вентилятора (между крыльчаткой и осью электродвигателя) не помешает. По моему опыту, можно сказать, что значительно уменьшается шум нагнетателя при работе.

Замена диодных сборок на более мощные

На печатной плате блока питания диодные сборки установлены на радиаторах. В центре установлена сборка UF1002Г (по питанию 12 В), справа на этом радиаторе установлена диодная сборка D92-02, обеспечивающая питание –5 В. Если такое напряжение в домашней лаборатории не нужно, данную сборку типа можно безвозвратно выпаять. В целом D92-02 рассчитана на ток до 20 А и напряжение 200 В (в импульсном кратковременном режиме в разы больший), поэтому она вполне подходит для установки вместо UF1002Г (ток до 10 А).
На рис. 6 представлен внешний вид диодных сборок UF1002Г и более мощной Fuji D92-02 в корпусе ТО-247. Диодную сборку Fuji D92-02 можно заменить, например, на S16C40C, S15D40C или S30D40C. Все они, в данном случае, для замены подходят. У диодов с барьером Шоттки меньше падение напряжения и, соответственно, нагрев.
Особенность замены в том, что «штатная» диодная сборка по выходу (шина 12 В) UF1002Г имеет полностью пластмассовый корпус из композита, поэтому крепится к общему радиатору или проводящей ток пластине с помощью термопасты. А диодная сборка Fuji D92-02 (и аналогичные) имеет металлическую пластину в корпусе, что предполагает особую осторожность при ее установке на радиатор, то есть через обязательную изолирующую прокладку и диэлектрическую шайбу под винт. Причина выхода из строя диодных сборок UF1002Г состоит в выбросах напряжения на диодах с амплитудой, увеличивающейся при работе БП под нагрузкой. При малейшем превышении допустимого обратного напряжения диоды Шотки получают необратимый пробой, поэтому рекомендуемая замена на более мощные диодные сборки в случае перспективного использования БП с мощной нагрузкой вполне оправдана. Наконец, есть один совет, который позволит проверить работоспособность защитного механизма. Закоротим тонким проводом, к примеру, МГТФ-0.8, шину +12 В на корпус (общий провод). Так должно полностью пропасть напряжение. Чтобы оно восстановилось – выключим БП на пару минут для разряда высоковольтных конденсаторов, снимем шунт (перемычку), удалим эквивалент нагрузки и включим БП снова; он заработает в штатном режиме. Переделанные таким образом компьютерные блоки питания работают годами в режиме 24 часа с полной нагрузкой.

Вывод питания

Положим, необходимо использовать блок питания в бытовых целях и требуется вывести из блока две клеммы. Я сделал это с помощью двух (одинаковой длины) отрезков ненужного провода сетевого питания компьютерного БП и подключил к клеммнику все три предварительно пропаянные жилы в каждом проводнике. Для уменьшения потери мощности в проводниках, идущих от БП к нагрузке, подойдет и другой электрический кабель с медной (меньше потери) многожильный кабель – к примеру, ПВСН 2×2.5, где 2.5 – это есть сечение одного проводника. Также можно не выводить провода на клеммник, а выход 12 В подключить в корпусе БП ПК к неиспользуемому разъему сетевого кабеля монитора ПК.

Назначение выводов микросхемы 2003

  • PSon 2 – Вход сигнала PS_ON, управляющего работой БП: PSon=0, БП включен, присутствуют все выходные напряжения; PSon=1, БП выключен, присутствует только дежурное напряжение +5V_SB
  • V33-3 – Вход напряжения +3.3 В
  • V5-4 – Вход напряжения +5 В
  • V12-6 – Вход напряжения +12 В
  • OP1/OP2-8/7 – Выходы управления двухтактным полумостовым преобразователем БП
  • PG-9 – Тестирование. Выход с открытым коллектором сигнала PG (Power Good): PG=0, одно или несколько выходных напряжений не соответствуют норме; PG=1, выходные напряжения БП находятся в заданных пределах
  • Vref1-11 – Управляющий электрод управляемого стабилитрона
  • Fb1-10 – Катод управляемого стабилитрона
  • GND-12 – Общий провод
  • COMP-13 – Выход усилителя ошибки и отрицательный вход компаратора ШИМ
  • IN-14 – Отрицательный вход усилителя ошибки
  • SS-15 – Положительный вход усилителя ошибки, подключен к внутреннему источнику Uref=2.5 В. Вывод используется для организации «мягкого старта» преобразователя
  • Ri-16 – Вход для подключения внешнего резистора 75 кОм
  • Vcc-1 – Напряжение питания, подключается к дежурному источнику +5V_SB
  • PR-5 – Вход для организации защиты БП

Подбор диодов шоттки по параметрам. Диодные сборки шоттки в компьютерных блоках питания

Во время сборки блоков питания и преобразователей напряжения для автомобильных усилителей часто возникает проблема с выпрямлением тока с трансформатора. Раздобыть мощные импульсные диоды довольно серьезная проблема, поэтому решил напечатать статью, в которой приводится полный перечень и парметры мощных диодов Шоттки. Некоторое время назад лично у меня возникла проблема с выпрямителем преобразователя для авто усилителя. Преобразователь довольно мощный (500-600 ватт), частота выходного напряжения 60кГц, любой распространенный диод, который можно найти в старом хламе, сразу сгорит, как спичка. Единственным доступным вариантом в то время были отечественные КД213А. Диоды достаточно хорошие, держат до 10 Ампер, рабочая частота в пределах 100кГц, но и они под нагрузкой страшно перегревались.

На самом деле мощные диоды можно найти почти у каждого. Компьютерный БП является , который питает целый компьютер. Как правило их делают с мощностью от 200 ватт до 1кВт и более, а поскольку компьютер питается от постоянного тока, значит в блоке питания должен быть выпрямитель. В современных блоках питания для выпрямления напряжения используют мощные диодные сборки Шоттки - именно у них минимальный спад напряжения на переходе и возможность работы в импульсных схемах, где рабочая частота намного выше сетевых 50 Герц. Недавно на халяву принесли несколько блоков питания, откуда и были сняты диоды для этого небольшого обзора. В компьютерных блоках питания можно найти самые разные диодные сборки, единичных диодов тут почти не бывает - в одном корпусе два мощных диода, часто (почти всегда) с общим катодом. Вот некоторые из них:

D83-004 (ESAD83-004) - Мощная сборка из диодов Шоттки, обратное напряжение 40 Вольт, допустимый ток 30А, в импульсном режиме до 250А - пожалуй, один из самых мощных диодов, который можно встретить в компьютерных блоках питания.



STPS3045CW - Сдвоенный диод Шоттки, ток выпрямленный 15A, прямое напряжение 570мВ, обратный ток утечки 200мкА, напряжение обратное постоянное 45 Вольт.


Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-220 SBL2040CT 10A x 2 =20A 40V Vf=0.6V при 10A
Шоттки TO-247 S30D40 15A x 2 =30A 40V Vf=0.55V при 15A
Ультрафаст TO-220 SF1004G 5A x 2 =10A 200V Vf=0.97V при 5A
Ультрафаст TO-220 F16C20C 8A x 2 =16A 200V Vf=1.3V при 8A
Ультрафаст SR504 5A 40V Vf=0.57
Шоттки TO-247 40CPQ060 20A x 2 =40A 60V Vf=0.49V при 20A
Шоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0.49V
Ультрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20A
Шоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30A
Шоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30A
Шоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15A
Шоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10A
Шоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15A
Шоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20A
Ультрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0.97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:



Также выпускаются , которые можно использовать например в БП ламповых усилителей и другой аппаратуры с повышенным питанием. Список приведён ниже:


Высоковольтные силовые диоды Шоттки с напряжением до 1200 В

Хотя более предпочтительным является применение диодов Шоттки в низковольтных мощных выпрямителях с выходными напряжениями в пару десятков вольт, на высоких частотах переключения.

К многочисленному семейству полупроводниковых диодов названных по фамилиям учёных, которые открыли необычный эффект, можно добавить ещё один. Это диод Шоттки.

Немецкий физик Вальтер Шоттка открыл и изучил так называемый барьерный эффект возникающий при определённой технологии создания перехода металл-полупроводник.

Основной "фишкой" диода Шоттки является то, что в отличие от обычных диодов на основе p-n перехода, здесь используется переход металл-полупроводник, который ещё называют барьером Шоттки. Этот барьер, так же, как и полупроводниковый p-n переход, обладает свойством односторонней электропроводимости и рядом отличительных свойств.

В качестве материала для изготовления диодов с барьером Шоттки преимущественно используется кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs), а также такие металлы как золото, серебро, платина, палладий и вольфрам.

На принципиальных схемах диод Шоттки изображается вот так.

Как видим, его изображение несколько отличается от обозначения обычного полупроводникового диода .

Кроме такого обозначения на схемах можно встретить и изображение сдвоенного диода Шоттки (сборки).

Сдвоенный диод – это два диода смонтированных в одном общем корпусе. Выводы катодов или анодов у них объединены. Поэтому такая сборка, как правило, имеет три вывода. В импульсных блоках питания обычно применяются сборки с общим катодом.

Так как два диода размещены в одном корпусе и выполнены в едином технологическом процессе, то их параметры очень близки. Поскольку они размещены в едином корпусе, то и температурный режим их одинаков. Это увеличивает надёжность и срок службы элемента.

У диодов Шоттки есть два положительных качества: весьма малое прямое падение напряжения (0,2-0,4 вольта) на переходе и очень высокое быстродействие.

К сожалению, такое малое падение напряжения проявляется при приложенном напряжении не более 50-60 вольт. При дальнейшем его повышении диод Шоттки ведёт себя как обычный кремниевый выпрямительный диод. Максимальное обратное напряжение для Шоттки обычно не превышает 250 вольт, хотя в продаже можно встретить образцы, рассчитанные и на 1,2 киловольта (VS-10ETS12-M3).

Так, сдвоенный диод Шоттки (Schottky rectifier) 60CPQ150 рассчитан на максимальное обратное напряжение 150V, а каждый из диодов сборки способен пропустить в прямом включении 30 ампер!

Также можно встретить образцы, выпрямленный за полупериод ток которых может достигать 400А максимум! Примером может служит модель VS-400CNQ045.

Очень часто в принципиальных схемах сложное графическое изображение катода попросту опускают и изображают диод Шоттки как обычный диод. А тип применяемого элемента указывают в спецификации.

К недостаткам диодов с барьером Шоттки можно отнести то, что даже при кратковременном превышении обратного напряжения они мгновенно выходят из строя и главное необратимо. В то время как кремниевые силовые вентили после прекращения действия превышенного напряжения прекрасно самовосстанавливаются и продолжают работать. Кроме того обратный ток диодов очень сильно зависит от температуры перехода. На большом обратном токе возникает тепловой пробой.

К положительным качествам диодов Шоттки кроме высокого быстродействия, а, следовательно, малого времени восстановления можно отнести малую ёмкость перехода (барьера), что позволяет повысить рабочую частоту. Это позволяет использовать их в импульсных выпрямителях на частотах в сотни килогерц. Очень много диодов Шоттки находят своё применение в интегральной микроэлектронике. Выполненные по нано технологии диоды Шоттки входят в состав интегральных схем, где они шунтируют переходы транзисторов для повышения быстродействия.

В радиолюбительской практике прижились диоды Шоттки серии 1N581x (1N5817, 1N5818, 1N5819). Все они рассчитаны на максимальный прямой ток (I F(AV) ) – 1 ампер и обратное напряжение (V RRM ) от 20 до 40 вольт. Падение напряжения (V F ) на переходе составляет от 0,45 до 0,55 вольт. Как уже говорилось, прямое падение напряжения (Forward voltage drop ) у диодов с барьером Шоттки очень мало.

Также достаточно известным элементом является 1N5822. Он рассчитан на прямой ток в 3 ампера и выполнен в корпусе DO-201AD.

Также на печатных платах можно встретить диоды серии SK12 – SK16 для поверхностного монтажа . Они имеют довольно небольшие размеры. Несмотря на это SK12-SK16 выдерживают прямой ток до 1 ампера при обратном напряжении 20 – 60 вольт. Прямое падение напряжения составляет 0,55 вольт (для SK12, SK13, SK14) и 0,7 вольт (для SK15, SK16). Также на практике можно встретить диоды серии SK32 – SK310, например, SK36 , который рассчитан на прямой ток 3 ампера.

Применение диодов Шоттки в источниках питания.

Диоды Шоттки активно применяются в блоках питания компьютеров и импульсных стабилизаторах напряжения . Среди низковольтных питающих напряжений самыми сильноточными (десятки ампер) являются напряжения +3,3 вольта и +5,0 вольт. Именно в этих вторичных источниках питания и используются диоды с барьером Шоттки. Чаще всего используются трёхвыводные сборки с общим катодом. Именно применение сборок может считаться признаком высококачественного и технологичного блока питания.

Выход из строя диодов Шоттки одна из наиболее часто встречающихся неисправностей в импульсных блоках питания. У него может быть два "дохлых" состояния: чистый электрический пробой и утечка. При наличии одного из этих состояний блок питания компьютера блокируется, так как срабатывает защита. Но это может происходить по-разному.

В первом случае все вторичные напряжения отсутствуют. Защита заблокировала блок питания. Во втором случае вентилятор "подёргивается" и на выходе источников питания периодически то появляются пульсации напряжения, то пропадают.

То есть схема защиты периодически срабатывает, но полной блокировки источника питания при этом не происходит. Диоды Шоттки гарантированно вышли из строя, если радиатор, на котором они установлены, разогрет очень сильно до появления неприятного запаха. И последний вариант диагностики связанный с утечкой: при увеличении нагрузки на центральный процессор в мультипрограммном режиме блок питания самопроизвольно отключается.

Следует иметь в виду, что при профессиональном ремонте блока питания после замены вторичных диодов, особенно с подозрением на утечку, следует проверить все силовые транзисторы выполняющие функцию ключей и наоборот: после замены ключевых транзисторов проверка вторичных диодов является обязательной процедурой. Всегда необходимо руководствоваться принципом: беда одна не приходит.

Проверка диодов Шоттки мультиметром.

Проверить диод Шоттки можно с помощью рядового мультиметра. Методика такая же, как и при проверке обычного полупроводникового диода с p-n переходом. Но и тут есть подводные камни. Особенно трудно проверить диод с утечкой. Прежде всего, элемент необходимо выпаять из схемы для более точной проверки. Достаточно легко определить полностью пробитый диод. На всех пределах измерения сопротивления неисправный элемент будет иметь бесконечно малое сопротивление, как в прямом, так и в обратном включении. Это равносильно короткому замыканию.

Сложнее проверить диод с подозрением на "утечку". Если проводить проверку мультиметром DT-830 в режиме "диод", то мы увидим совершенно исправный элемент. Можно попробовать измерить в режиме омметра его обратное сопротивление. На пределе "20кОм" обратное сопротивление определяется как бесконечно большое. Если же прибор показывает хоть какое-то сопротивление, допустим 3 кОм, то этот диод следует рассматривать как подозрительный и менять на заведомо исправный. Стопроцентную гарантию может дать полная замена диодов Шоттки по шинам питания +3,3V и +5,0V.

Где ещё в электронике используются диоды Шоттки? Их можно обнаружить в довольно экзотических приборах, таких как приёмники альфа и бета излучения, детекторах нейтронного излучения, а в последнее время на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей. Так, что они питают электроэнергией и космические аппараты.

Диоды Шоттки или более точно - диоды с барьером Шоттки - это полупроводниковые приборы, выполненные на базе контакта металл-полупроводник, в то время как в обычных диодах используется полупроводниковый p-n-переход.

Диод Шоттки обязан своим названием и появлением в электронике немецкому физику изобретателю Вальтеру Шоттки, который в 1938 году, изучая только что открытый барьерный эффект, подтвердил выдвинутую ранее теорию, согласно которой хоть эмиссии электронов из металла и препятствует потенциальный барьер, но по мере увеличения прикладываемого внешнего электрического поля этот барьер будет снижаться. Вальтер Шоттки открыл этот эффект, который затем и назвали эффектом Шоттки, в честь ученого.

Исследуя контакт металла и полупроводника можно видеть, что если вблизи поверхности полупроводника имеется область обедненная основными носителями заряда, то в области контакта этого полупроводника с металлом со стороны полупроводника образуется область пространственного заряда ионизированных акцепторов и доноров, при этом реализуется блокирующий контакт - тот самый барьер Шоттки. В каких условиях возникает этот барьер? Ток термоэлектронной эмиссии с поверхности твердого тела определяет уравнение Ричардсона:

Создадим условия, когда при контакте полупроводника, например n-типа, с металлом термодинамическая работа выхода электронов из металла была бы больше, чем термодинамическая работа выхода электронов из полупроводника. В таких условиях, в соответствии с уравнением Ричардсона, ток термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника окажется больше, чем ток термоэлектронной эмиссии с поверхности металла:

В начальный момент времени, при контакте названных материалов, ток от полупроводника в металл превысит обратный ток (из металла в полупроводник), в результате чего в приповерхностных областях как полупроводника, так и металла - станут накапливаться объемные заряды - положительные в полупроводнике и отрицательные - в металле. В контактной области возникнет электрическое поле, образованное этими зарядами, и будет иметь место изгиб энергетических зон.

Под действием поля термодинамическая работа выхода для полупроводника возрастет, и возрастание будет происходить до тех пор, пока в контактной области не уравняются термодинамические работы выхода, и соответствующие им токи термоэлектронной эмиссии применительно к поверхности.

Картина перехода к равновесному состоянию с формированием потенциального барьера для полупроводника p-типа и металла аналогична рассмотренному примеру с полупроводником n-типа и металла. Роль внешнего напряжения - регулировка высоты потенциального барьера и напряженности электрического поля в области пространственного заряда полупроводника.

На рисунке выше представлены зонные диаграммы различных этапов формирования барьера Шоттки. В условиях равновесия в области контакта токи термоэлектронной эмиссии выравнялись, вследствие эффекта поля возник потенциальный барьер, высота которого равна разности термодинамических работ выхода: φк = ФМе - Фп/п.

Очевидно, вольт-амперная характеристика для барьера Шоттки получается несимметричной. В прямом направлении ток растет по экспоненте вместе с ростом прикладываемого напряжения. В обратном направлении ток не зависит от напряжения. В обоих случаях ток обусловлен электронами в качестве основных носителей заряда.

Диоды Шоттки поэтому отличаются быстродействием, ведь в них исключены диффузные и рекомбинационные процессы, требующие дополнительного времени. С изменением числа носителей и связана зависимость тока от напряжения, ибо в процессе переноса заряда участвуют эти носители. Внешнее напряжение меняет число электронов, способных перейти с одной стороны барьера Шоттки на другую его сторону.

Вследствие технологии изготовления и на основе описанного принципа действия, - диоды Шоттки имеют малое падение напряжения в прямом направлении, значительно меньшее чем у традиционных p-n-диодов.

Здесь даже малый начальный ток через контактную область приводит к выделению тепла, которое затем способствует появлению дополнительных носителей тока. При этом отсутствует инжекция неосновных носителей заряда.

У диодов Шоттки поэтому отсутствует диффузная емкость, поскольку нет неосновных носителей, и как следствие - быстродействие достаточно высокое по сравнению с полупроводниковыми диодами. Получается подобие резкого несимметричного p-n-перехода.

Таким образом, прежде всего диоды Шоттки - это СВЧ-диоды различного назначения: детекторные, смесительные, лавинно-пролетные, параметрические, импульсные, умножительные. Диоды Шоттки можно применять в качестве приемников излучения, тензодатчиков, детекторов ядерного излучения, модуляторов света, и наконец - выпрямителей высокочастотного тока.

Обозначение диода Шоттки на схемах

Диоды Шоттки сегодня

На сегодняшний день диоды Шоттки распространены весьма широко в электронных устройствах. На схемах они изображаются по иному, чем обычные диоды. Часто можно встретить сдвоенные выпрямительные диоды Шоттки, выполненные в трехвыводном корпусе свойственном силовым ключам. Такие сдвоенные конструкции содержат внутри два диода Шоттки, объединенные катодами или анодами, чаще - катодами.

Диоды в сборке имеют очень близкие параметры, поскольку каждая такая сборка изготавливается единым технологическим циклом, и в итоге их рабочий температурный режим одинаков, соответственно выше и надежность. Прямое падение напряжения 0,2 - 0,4 вольта наряду с высоким быстродействием (единицы наносекунд) - несомненные преимущества диодов Шоттки перед p-n-собратьями.

Особенность барьера Шоттки в диодах, применительно к малому падению напряжения, проявляется при приложенных напряжениях до 60 вольт, хотя быстродействие остается непоколебимым. Сегодня диоды Шоттки типа 25CTQ045 (на напряжение до 45 вольт, на ток до 30 ампер для каждого из пары диодов в сборке) можно встретить во многих импульсных источниках питания, где они служат в качестве силовых выпрямителей для токов частотой до нескольких сотен килогерц.

Нельзя не затронуть тему недостатков диодов Шоттки, они конечно есть, и их два. Во-первых, кратковременное превышение критического напряжения мгновенно выведет диод из строя. Во-вторых, температура сильно влияет на максимальный обратный ток. При очень высокой температуре перехода диод просто пробьет даже при работе под номинальным напряжением.

Ни один радиолюбитель не обходится без диодов Шоттки в своей практике. Здесь можно отметить наиболее популярные диоды: 1N5817, 1N5818, 1N5819, 1N5822, SK12, SK13, SK14. Эти диоды есть как в выводном исполнении, так и в SMD. Главное, за что радиолюбители их так ценят - высокое быстродействие и малое падение напряжения на переходе - максимум 0,55 вольт - при невысокой цене данных компонентов.

Редкая печатная плата обходится без диодов Шоттки в том или ином назначении. Где-то диод Шоттки служит в качестве маломощного выпрямителя для цепи обратной связи, где-то - в качестве стабилизатора напряжения на уровне 0,3 - 0,4 вольт, а где-то является детектором.

В приведенной таблице вы можете видеть параметры наиболее распространенных сегодня маломощных диодов Шоттки.

Диод Шоттки еще одна разновидность типичного полупроводникового диода, его отличительная особенность это малое падение напряжения при прямом включении. Название свое он получил в честь немецкого физика изобретателя Вальтера Шоттки. В этих диодах в роли потенциального барьера применяется переход металл-полупроводник, а не p-n переход. Допустимое обратное напряжение диодов Шоттки обычно около 1200 вольт, например CSD05120 и его аналоги, на практике они используются в низковольтных цепях при обратном напряжении до нескольких десятков вольт.

На принципиальных схемах они обозначается почти как диод, мотри рисунок выше, но с небольшими графическими отличиями, кроме того достаточно часто попадаются сдвоенные диоды-шоттки.

Сдвоенный диод Шоттки – это два отдельных элемента собранных в одном общем корпусе причем выводы катодов или анодов этих компонентов объединены. Поэтому сдвоенный диод, обычно трех выводной. В импульсных и компьютерных блоках питания можно достаточно часто увидеть сдвоенные диоды Шоттки с общим катодом.

Так как оба диода размещены в едином корпусе и собраны при одинаковом технологическом процессе, то их технические параметры почти идентичны. При подобном размещение в одном корпусе, во время работе они будут находится в одном температурном режиме, а это один из главный факторов увеличения надежность работы устройства в целом.

Достоинства


Падение напряжения на диоде при прямом включении всего 0,2-0,4 вольт, в то время, как на типовых кремниевых диодах, этот параметр составляет 0,6-0,7 вольта. Такое низкое падение напряжения на полупроводнике, при прямом включении, свойственно только диодам Шоттки с обратным напряжением максимум десятки вольт, но в случае повышения уровня приложенного напряжения, падение напряжения на диоде Шоттки уже сопоставимо с кремниевым диодом, что достаточно сильно ограничивает использование диодов Шоттки в современной электронике.
Теоретически любой диод Шоттки может обладает малой емкостью барьера. Отсутствие в явном виде классического p-n перехода позволяет существенно увеличить рабочую частоту прибора. Этот параметр нашел широкое применение в производстве интегральных микросхем, где диодами Шоттки шунтируют переходы транзисторов, используемых в роле логических элементов. В силовой электронике важен другой параметр диодов Шоттки, а именно, низкое время восстановления дает возможность использовать силовые выпрямители на частоты от сотни кГц и выше. Например, радиокомпонент MBR4015 (на 15 В и 40 А), используется для выпрямления ВЧ напряжения, а его время восстановления всего 10 кВ/мкс.
Благодаря указанным выше положительным свойствам, выпрямители построенные на диодах Шоттки отличаются от выпрямителей на стандартных диодах более низким уровнем помех, поэтому их применяют в аналоговых вторичных блоках питания.

Минусы


В случае краткосрочного превышении допустимого уровня обратного напряжения диод Шоттки выходит из строя, в отличие от типовых кремниевых диодов, которые просто перейдут в режим обратимого пробоя, при условии, что рассеиваемая мощность кристалла не выше допустимых значений, а после снижения напряжения диод полностью восстанавливает свои характеристики.
Диодам Шоттки свойственны более высокие значения обратных токов, увеличивающиеся с ростом температуры кристалла и в случае неудовлетворительных условий работы теплоотвода при работе с высокими токами приводят к тепловому пробою радиокомпонента.

Диоды Шоттки, как я уже отметил выше, активно используются в компьютерных блоках питания и импульсных стабилизаторах напряжения. Они используются в низковольтных и сильноточных частях схемы компьютерных ИБП на + 3,3 вольта и + 5,0 вольт. Чаще всего применяются сдвоенные диоды с общим катодом. Именно использование сдвоенных диодов считаться признаком высококачественного .

Сгоревший диод Шоттки одна из наиболее типовых неисправностей при . У диода может быть два нерабочих состояния: электрический пробой и утечка на корпус. При любом из этих состояний ИБП блокируется благодаря встроенной схеме защиты.

В случае электрического пробоя все вторичные напряжения в блоке питания отсутствуют. Во случае утечки вентилятор компьютерного БП может «подёргиваться» и на выходе могут появляются пульсации выходного напряжения, периодически пропадающие. То есть модуль защиты периодически срабатывает, но полной блокировки не происходит. Диоды Шоттки 100% сгорели, если радиатор, на котором они закреплены, очень теплый или сильно пованивает горелым от них.

Следует сказать пару слов о том, что при ремонте ИБП после замены диодов, особенно с подозрением на утечку на корпус, следует прозвонить все силовые транзисторы работающие в ключевом режиме. А также в случае замены ключевых транзисторов проверка диодов является обязательной и строго необходимой.

Методика проверки диода Шоттки такая же, как и стандартного типового диода. Но и тут есть небольшие отличия. Очень трудно проверить диод этого типа уже впаянный в схему. Поэтому, сборку или отдельный элемент необходимо сначала демонтировать из схемы для проверки. Достаточно просто можно определить полностью пробитый элемент. На всех пределах измерения сопротивления, мультиметр отобразит в обе стороны бесконечно низкое сопротивление или короткое замыкание.

Сложнее проверить с подозрением на утечку. Если проводить проверку типичным мультиметром, например DT-830 в режиме «диода» то мы увидим исправный компонент. Однако если сделать измерение в режиме омметра, то обратное сопротивление на пределе «20 кОм» определяется как бесконечно огромное (1). Если же элемент показывает какое-то сопротивление, например 5 кОм, то этот диод лучше считать подозрительный и заменить на точно работоспособный. Иногда лучше сразу заменить диодов Шоттки по шинам +3,3V и +5,0V в компьютерном ИБП.

Их иногда используют в приемники альфа и бета излучения (дозиметрах), фиксаторах нейтронного излучения, а кроме того на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей которые питают электроэнергией космические аппараты бороздящие просторы нашей необъятной вселенной.

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодных сборок в SOT323 и по 3000 в корпусе SOT23.

Диоды Шоттки от 1 Ампера

Маркировка диода Шоттки Макс. обратное напряжение Макс. ток Имп. прямой ток Макс. прямое напряжение Максимальный обратный ток Тип корпуса диода Характеристики диода Склад Заказ
SM5819 40В 25A 0,6В 1,0мА при 25°С и 10мА при 100°С MELF SS14 40В 30А 0,5В SMA SS16 60В 30А 0,7В 0,5мА при 25°С и 50мА при 100°С SMA S100 100В 30А 0,85В 0,5мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA MS120 200В 30А 0,9В 0,002мА при 25°С и 20мА при 125°С SMA SR24 40В 50A 0,5В SMA SR26 60В 50A 0,7В 0,5 мАпри 25°С и 20мА при 100°С SMA SX34 (SK34А) 40В 80А 0,5В 0,2мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SX36 60В 80А 0,75В 0,1мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SK34 40В 100А 0,5В 0,5 мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB310 (SK39 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB510 (SK59 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 10мА при 100°С SMC SVC10120VB 120В 10А 200А 0,79В 0,010мА TO-277B
Купить
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 330 мм по 5000 диодов Шоттки в TO-277B и MELF, по 3000 в SMC. В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 1800 диодов Шоттки в SMA.

Быстрые диоды Шоттки

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодов Шоттки в SOD123FL.

S30D40C-LF datasheet - Технические характеристики: Расположение: общий катод; Диод

Some Номер детали того же производителя Won Top Electronics
S30D45C-LF Технические характеристики: Расположение: общий катод; Тип диода: общего назначения, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; IF: 15000 мА; Пакет: ТО-3, СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS, ПЛАСТИК, ТО-3П, 3 КОНТАКТА; Количество контактов:
S30D50C-LF
S30D60C-LF
S30D80C
S30D80C-LF
S310-T3-LF Технические характеристики: Конфигурация / технология выпрямителя: Schottky; Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMC, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 100 вольт; IF: 3000 мА; Соответствует RoHS: RoHS
S3A-T3-LF Технические характеристики: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMC, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 50 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2.5 нс
S3AB-T3-LF Технические характеристики: Корпус: SMB, СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMB, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 50 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2,5 нс
S3B-T3-LF Технические характеристики: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMC, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 100 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2,5 нс
S3BB-T3-LF Технические характеристики: Корпус: SMB, СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMB, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 100 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2.5 нс
S3D-T3-LF Технические характеристики: Упаковка: СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS, ПЛАСТИК, SMC, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 200 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2,5 нс
S3DB-T3-LF Технические характеристики: Корпус: SMB, СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMB, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 200 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2,5 нс
S3G-T3-LF Технические характеристики: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMC, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 400 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2.5 нс
S3GB-T3-LF Технические характеристики: Корпус: SMB, СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMB, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 400 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2,5 нс
S3J-T3-LF Технические характеристики: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMC, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 600 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2,5 нс
S3JB-T3-LF Технические характеристики: Корпус: SMB, СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMB, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 600 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2.5 нс
S3K-T3-LF Технические характеристики: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMC, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 800 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2,5 нс
S3KB-T3-LF Технические характеристики: Корпус: SMB, СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMB, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 800 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2,5 нс
S3M-T3-LF Технические характеристики: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMC, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 1000 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2.5 нс
S3MB-T3-LF Технические характеристики: Корпус: SMB, СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMB, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 1000 вольт; IF: 3000 мА; trr: 2,5 нс
S5A-T3-LF Технические характеристики: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMC, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 50 вольт; ЕСЛИ: 5000 мА

P6SMBJ58C-T1:

SA16C-T3:

SF54-T3:

GBPC3514S: 35A Однофазный мостовой выпрямитель с пассивированным стеклом

DF150_06: 1.Однофазный мостовой выпрямитель с пассивированным стеклом 5A

BD3502-LF: 35 А, 200 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Упаковка: ROHS COMPLIANT, PRESSFIT-1; Количество диодов: 1; VRRM: 200 вольт; ЕСЛИ: 35000 мА

KBPC1516PW-LF: 15 А, 1000 В, КРЕМНИЙ, МОСТ-ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Тип диода: МОСТ-ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; IF: 300000 мА; VBR: 1000 вольт; Соответствует RoHS: RoHS; Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, МЕТАЛЛ, KBPC, 4 КОНТАКТА; Количество контактов: 4; Количество диодов: 4

SB120-T3-LF: 1 А, 20 В, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД, DO-41 Технические характеристики: Упаковка: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2; Количество диодов: 1; IF: 1000 мА; Соответствует RoHS: RoHS

1.5SMCJ15C-T3: ПЕРЕХОДНЫЙ ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ, ОДИН, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ, 13 В В (RWM), DO-214AB / SMC

3.0SMCJ17C-T3: 3000 Вт, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ, КРЕМНИЙ, ТВС ДИОД, DO-214AB Технические характеристики: Конфигурация: Одиночный; Направление: однонаправленное; Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SMC, 2 КОНТАКТА; Количество контактов: 2; Количество диодов: 1; VBR: от 16,7 до 18,5 вольт; Соответствует RoHS: RoHS

S30d40c datasheet, pdf 1n4001

S30d40c datasheet, pdf 1n4001

Выпрямители с барьером Шоттки mospec s20c45k, использующие принцип барьера Шоттки с металлическим барьером из молибдена.Информация для заказа 4 отгрузка упаковки устройства. Символ 1n4001 1n4002 1n4003 1n4004 1n4005 1n4006 1n4007 ед. Fdp52n20 mosfet nch 200v 52a to220 fairchild semiconductor datasheet pdf data sheet free from datasheet data sheet поиск интегральных схем ic, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. Общее описание max4508max4509 - это защищенные от сбоев мультиплексоры 8to1 и двойные 4to1, которые по выводам совместимы с промышленным стандартом dg508dg509.Кремниевый выпрямитель общего назначения, диапазон напряжения от 50 до вольт, ток 1 ампер, техническое описание 1n4001, схема 1n4001, техническое описание 1n4001. Вход сброса имеет стандартную помехозащищенность, однако вход синхронизации имеет повышенную помехозащищенность из-за гистерезиса. Таблица данных sf20lc30, таблицы данных sf20lc30, sf20lc30 pdf, схема sf20lc30. S30d40c datasheet pdf, s30d40c pdf datasheet, эквивалент, схема, s30d40c datasheets, s30d40c wiki, транзистор, перекрестная ссылка, скачать pdf, сайт бесплатного поиска, распиновка. Наши преобразователи используются в очень широком диапазоне приложений от сотен футов под поверхностью океана до орбитальных миль над землей.Рекламные карты Dell egift поступают по электронной почте через 1020 дней с момента доставки. Выпрямители с барьером Шоттки 30 ампер 30 60 вольт, s30d40c pdf скачать mospec semiconductor, s30d40c datasheet pdf, распиновки, технический паспорт, эквивалент, схема, перекрестные ссылки, устаревшие, схемы.

Su3040d400cn allinone кольцо ug 400a schneider electric. Стандартные выпрямляющие диоды серии VSSD400NR, шпилька, 400 А, поставляемые vishay intertechnology, мировым производителем электронных компонентов. Lmv721n, lmv722n 1 описание функций lmv721n single и lmv722 dual имеют низкий уровень 2 для типичных значений напряжения питания 5 В.Технический паспорт продукта sdsa3650 spd t1 sdsa 40ka 600v max 3p4w для использования с для использования на 3 фазе 600vac фаза-земля максимум не использовать в незаземленных системах по высоте использовать для насосов, двигателей и мест обслуживания рейтинг шкафа nema 4 номинальное отверстие ступицы корпуса 3.

Технический паспорт содержит проектные спецификации для разработки продукта. C 1n4001 1n4007 выпрямители общего назначения, пассивированные стеклом, абсолютные максимальные номинальные значения t a 25c, если не указано иное, эти номинальные значения являются предельными значениями, при превышении которых эксплуатационная способность любого полупроводникового устройства может быть нарушена.Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции. Обозначение параметра byv26dgp byv26egp unit типичное тепловое сопротивление r ja 1 70 cw r jl 2 16 пример информации для заказа предпочтительный вес pn единицы g предпочтительный код пакета режим доставки базового количества byv26egpe354 0. S30d40c mospec semiconductor corporation, s30d40c datasheet. Инструкция по эксплуатации Samsung sde3004 116 страниц 4-канальный видеорегистратор. S30d40c pdf, s30d40c описание, s30d40c даташиты. Свойства, показанные в этом техническом описании, являются типичными значениями.Mospec, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Новый центр нагрузки siemens серии es - это разумный выбор, когда ценность и быстрая установка являются наивысшим приоритетом. Свяжитесь с вашим представителем Microsoft для получения дополнительной информации о формировании будущего. Техническое описание S30d40c, s30d40c pdf, техническое описание s30d40c, техническое описание, техническое описание, pdf. Доступно аккредитованным школам k12 только для институционального использования.

У нас есть 1 инструкция по эксплуатации samsung sde3004, доступная для бесплатной загрузки в формате pdf. В этом техническом паспорте содержится информация о сверхминиатюрных размерах с установленным осевым выводом. Система поиска электронных компонентов и полупроводников. Ksdt0o016004 1 stk0765bf Advanced Power MOSFET Semiconductor g d контактное соединение g d s to220f3l s приложения импульсного регулятора имеют высокое напряжение. Выпрямители с барьером Шоттки mospec, использующие принцип барьера Шоттки с металлическим барьером из молибдена.

Lmv721lmv722 10 МГц, низкий уровень шума, низкое напряжение и низкая мощность op.Руководство по эксплуатации детектора горючих газов S4000ch. Vishay не дает никаких гарантий, заявлений или гарантий относительно пригодности продуктов для какой-либо конкретной цели или. Последние списки производителей в каталоге позволяют мгновенно получить представление о любом электронном компоненте. Пластиковый выпрямитель общего назначения от 1n4001 до 1n4007 Vishay General Semiconductor отличается низким прямым падением напряжения и низким током утечки. Обычные вариации химического состава, размера и условий термообработки могут вызывать отклонения от этих значений.American Power Design - ведущий поставщик высоковольтных преобразователей постоянного тока в постоянный. Пластиковый выпрямитель общего назначения vishay intertechnology. Благодаря этому нержавеющая сталь 304l может использоваться в сварном состоянии даже в жестких коррозионных средах. Идеально подходит для низкого напряжения, высокочастотного выпрямления или для защиты от холостого хода и полярности. Phoenix contact deutschland gmbh стр. 1 2 24 марта 2010 г. выдержка из онлайн-каталога dut 2, 510, номер заказа 3047028. Эта документация не предназначена для замены и не может использоваться для определения пригодности или надежности этих продуктов для конкретного пользователя. Приложения.

Vishay, отказываемся от любой ответственности за любые ошибки, неточности или неполноту, содержащиеся в любом техническом описании или в любом другом раскрытии, относящемся к любому продукту. Поговорите со своим специалистом по продажам dell или прямым торговым посредником-партнером dell, чтобы узнать, подходит ли ваше учебное заведение для участия в этом специальном предложении. 27 апреля 2016 г. d09k datasheet pdf vceo400v, ic12a, npn power transistor, 3dd09k datasheet, d09k pdf, распиновка d09k, эквивалент, схема, схема d09k. Sdm20u40 оснащен механическими включенными диодами данных.Июнь 2016 docid5505 rev 12 115 bat54 Технические данные диодов Шоттки с малым сигналом имеют низкие значения проводимости и обратные потери. S30d40 datasheet, s30d40 datasheets, s30d40 pdf, схема s30d40. Снижение настройки работы, предотвращение ошибок в настройке, простота в обращении. Устройство имеет калибровку одним человеком и может выполнять виртуальную самокалибровку, просто активируя магнитный переключатель и подавая газ. Пиковая импульсная способность вперед 0 100 200 300 400 500 1 10 100 s30sc4m 2 5 20 50 i fsm 10 мс 10 мс 1 цикл количество циклов циклов пиковый импульсный прямой ток i fsm a.S30d40c техническое описание, перекрестная ссылка, примечания к схемам и применению в формате pdf.

Shindengen super fast recovery rectifiers300v 20a, alldatasheet, datasheet, datasheet search site для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Выпрямители с барьером Шоттки Mospec s40d30 - s40d60, использующие принцип барьера Шоттки с металлическим барьером из молибдена. Lmv721nlmv722 10 МГц, малошумящий, низковольтный и маломощный операционный усилитель для проверки образцов.Hiperfettm ixfj 40n30 v 300 v power mosfets i 40 a r 80. Mospec, alldatasheet, datasheet, datasheet, поиск по запросу. Характеристики продукта su3040d400cn основной продукт или тип компонента allinone ассортимент продуктов homeline meter socket type кольцевой концентратор al дополнительная линия номинальный ток 400 ток короткого замыкания 25 ка Таблица данных cd4001, таблицы данных cd4001, cd4001 pdf, схема cd4001.Назначение диодов 50v 1a do41 онлайн с сайта elcodis, просмотрите и скачайте 1n4001 pdf техническое описание диодов и выпрямителей, единичные технические характеристики. Техническое описание транзистора spp20n60c3, эквивалент spp20n60c3, технические данные в pdf. Высвобождение флуоресценции amc можно контролировать с помощью возбуждения. Выпрямители с барьером Шоттки 30a, 3060v, s30d40c datasheet, s30d40c circuit, s30d40c datasheet. Выпрямители с барьером Шоттки Mospec30a, 3060v, весь список данных, техническое описание, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.Пластиковый выпрямитель общего назначения от 1n4001 до 1n4007 vishay.

Эта современная геометрия отличается эпитаксиальной конструкцией с оксидной пассивацией и металлическим контактом. Esad83004k 30a диод с барьером Шоттки a особенности a. Указанное количество в отгрузке указано только для минимального количества упаковки. D09k datasheet vceo400v, ic12a, npn силовой транзистор. S30d40c to3p 30 unitstube s30d45c to3p 30 unitstube s30d50c to3p 30 unitstube s30d60c to3p 30 unitstube s30d80c to3p 30 unitstube s30d100c to3p 30 unitstube 1.Nsc quad 2input nor, nand с буферизацией серии b, все технические данные, технические данные, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Классификация горючести UL 94v0, чувствительность к влаге. S30d40c datasheet, s30d40c datasheets, s30d40c pdf, схема s30d40c. Mc14024b 7-ступенчатый счетчик пульсаций mc14024b - это 7. Интеллектуальный датчик модели s4000ch для обнаружения горючих газов General monitors Интеллектуальный датчик s4000ch - это микропроцессорный преобразователь, разработанный для использования с каталитическими шариковыми датчиками общего назначения.Преобразователи постоянного тока высокого напряжения american power design, inc. Он также содержит использование s30408, так как он обычно используется в стержнях, листах, пластинах, стальных рулонах, стальных трубах, кованых и других материалах. Sd401 - даташит, аналоги, поиск по каталогам. Внешний резистор позволяет разработчику схемы устанавливать ток возбуждения для различных светодиодных матриц.

Полное техническое описание s20c40 производитель mospec, архив выпрямительных диодов 1. Mbr2045ctd mbr2045ct предпочтительный выпрямитель мощности импульсного режима.Высокая надежность благодаря конструкции строгального станка и применению a. Vishay не дает никаких гарантий, заявлений или гарантий относительно пригодности продуктов для какой-либо конкретной цели или непрерывного производства любого продукта. Техническое описание S30d40, s30d40 pdf, техническое описание s30d40, техническое описание, техническое описание, pdf.

Ikw25n120t2 trenchstop 2-го поколения серии v ifag ipc td vls 6 rev. Nud4001, nsvd4001 драйвер сильноточного светодиода это устройство предназначено для замены дискретных решений для управления светодиодами в низковольтном переменном токе.Жесткий диск для видеонаблюдения Toshiba жесткий диск для видеонаблюдения toshiba s300 toshiba Наблюдение 5300 ведущая инновация toshiba. Минимальный объем заказа можно узнать в отделе продаж. Cd4001 pdf, описание cd4001, спецификации cd4001, cd4001. Стандартные выпрямительные диоды серии VSSD400NR, шпилька. Поиск электронных компонентов и сайт бесплатных загрузок. Wte, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.Если не указано иное, операционные усилители шума, низкого напряжения и мощности, их можно использовать в широком диапазоне приложений. Электронная почта скачать pdf 185k просмотреть всю статью в виде интеллектуального, самооптимизирующегося массива в формате pdf в доступном форм-факторе allinone. Автозапуск Bestinclass теперь является экономичным выбором. To247 онлайн с сайта elcodis, просмотрите и загрузите s30d40c pdf datasheet, спецификации mospec semiconductor corporation. Информация и технические данные, раскрытые в этом документе, могут использоваться и распространяться только для целей и в пределах, специально разрешенных в письменной форме.Символ 1n4001 1n4002 1n4003 1n4004 1n4005 1n4006 1n4007.

Список патентов на полупроводниковую продукцию можно найти по адресу. На этой странице в основном представлено техническое описание s30408, включая химическую информацию, механические свойства, физические свойства, механические свойства, термическую обработку, микроструктуру и т. Д. Boclrramc - это флуорогенный субстрат для измерения трипсиноподобной гидролизующей активности протеасомы 20-х годов. S30d40 техническое описание, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf.Эта современная геометрия имеет эпитаксиальную конструкцию.

byv143-45ma% 20 техническое описание и примечания к применению

2000 - анод общий шоттки то220

Аннотация: BYV143 BYV143-45AM BYV143-45RM BYV143-45MA BYV143-40RM BYV143-40MA BYV143-40AM Диод Шоттки ТО220 диод с двойным общим анодом 40а
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143-40MA BYV143-40AM BYV143-40RM BYV143-45MA BYV143-45AM BYV143-45RM BYV143-xxM BYV143-xxAM BYV143-xxRM общий анод Шоттки to220 BYV143 BYV143-45AM BYV143-45RM BYV143-45MA BYV143-40RM BYV143-40MA BYV143-40AM Диод Шоттки ТО220 двойной общий анодный диод 40а
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143-40MA BYV143-40AM BYV143-40RM BYV143-45MA BYV143-45AM BYV143-45RM BYV143-xxM BYV143-xxAM BYV143-xxRM
1994 - BYV143

Аннотация: PBYR745
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143 O220AB PBYR745
м1204 диод

Абстракция: M1204 M3154 BYV143-35 BYV143 M3161 m2784 M3152 M31 диод
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143 fab53T31 Т-03-19 m1209 м3154 m1204 диод M1204 M3154 BYV143-35 M3161 m2784 M3152 Диод M31
1998 - диод BY 127

Аннотация: общий катод на220 ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ PHILIPS DATA BOOK BYV143 PBYR3045WT Светодиодный диод Шоттки TO220 TO220AB в корпусе PBYR745
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143, г. BYV143B BYV143 OT404 технический диод BY 127 общий катод to220 ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ PHILIPS DATA BOOK PBYR3045WT светодиодный диод Диод Шоттки ТО220 Пакет TO220AB PBYR745
M3150

Аннотация: диод 1ф быв143
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143 M31S2 M3150 диод 1f
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143, г. BYV143B BYV143 OT404
BYV72-200

Аннотация: BYQ28X-100 BYV72-100 BYV133-45 pbyr1540ctx PBYR1540CT BYV72-150 pbyr1035b byv118 PHILIPS BYV72-100
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BR211 BYQ28-100 BYQ28-150 BYQ28-200 BYQ28E-100 BYQ28EB-100 BYQ28ED-100 BYQ28EX-100 BYQ28F-100 BYQ28X-100 BYV72-200 BYQ28X-100 BYV72-100 BYV133-45 pbyr1540ctx PBYR1540CT BYV72-150 pbyr1035b byv118 ФИЛИПС BYV72-100
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143 T03-79 Т-03-19
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143 O220AB
BYV72-200

Аннотация: Транзистор BYV72-100 BYQ28E BYV72EW-200 pbyr1035b BYV72-150 BYV133X-40 PBYR1540CT BYV79E-100 BYQ28-200
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BR211 BYV143-45 PBYR2545CT BZW03 BYQ28-100 BYQ28E-150 BYV143B-35 PBYR2540CTB PBYR1035 PBYR1040 BYV72-200 BYV72-100 транзистор BYQ28E BYV72EW-200 pbyr1035b BYV72-150 BYV133X-40 PBYR1540CT BYV79E-100 BYQ28-200
2010 - 010sc4m

Аннотация: C120H04Q SOT227B S10SC3M s0241 C8P04Q C8P03Q BYV223V45 20 / 010SC4M
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SOHQ030 SOHQ035 0120SC4M SOHQ045 151MQ30 151MQ40 0180SC3M 0180SC4M 0240SC3M 0240SC4M 010sc4m C120H04Q SOT227B S10SC3M s0241 C8P04Q C8P03Q BYV223V45 20 / 010SC4M
1994 - BYV143

Аннотация: BYV143F PBYR745
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143F OT186 BYV143 PBYR745
1996 - BYV143

Аннотация: BYV143F PBYR745
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF OT186 BYV143F BYV143F Повторяющийся BYV143 PBYR745
диод BY229

Реферат: Philips Power MOSFET Руководство по выбору BY229-400, диод с быстрым восстановлением Philips Semiconductors Руководство по выбору силовых диодов BY229F800 PBYR2040CT by329x BY359-1500 BY459X-1500 BYV133-45
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 10 / 700HS BR211-140 BR211-160 BR211-180 BR211-200 BR211-220 BR211-240 BR211-260 BR211-280 BR211SM-140 диод BY229 Philips Power MOSFET Руководство по выбору BY229-400, диод быстрого восстановления Руководство по выбору силовых диодов Philips Semiconductors BY229F800 PBYR2040CT в 329 раз BY359-1500 BY459X-1500 BYV133-45
61M40

Аннотация: 15MA400 70MA160 70MA20 400MAB200 15MA300 61MA120 70ma120 шпилька диоды 70MA40
Текст: 151M80 151M100 151M120 151M140 151M160 Тип шпильки 150 45MA10 45MA20 45MA40


Оригинал
PDF 1001200ВРРМ 14004000VRRM 61М40 61M80 61М120 61М160 61MA40 61MA80 61MA120 61MA160 61М40 15MA400 70MA160 70MA20 400MAB200 15MA300 61MA120 70ma120 диоды типа шпильки 70MA40
БЮВ42-200

Абстракция: BYV72E-200 PBYR1535CT PBYR1540CT BY359-1500 200 BY229F BY359X-1500 1540CT BYV29F500 BYR29800
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BR211-140 BR211-160 BR211-220 BR211-240 BR211SM-140 BR211SM-160 BR211SM-180 BR211SM-200 BR211SM-220 BR211SM-240 BYV42-200 BYV72E-200 PBYR1535CT PBYR1540CT BY359-1500 200 BY229F BY359X-1500 1540CT BYV29F500 29800 бел. Руб.
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143-35 Текущее26 Напряжение35 Напряжение: 600м Current200u Текущее30м СтильTO-220AB
диод 20а 40в

Аннотация: PBYR2040CT
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF PBYR1635F PBYR1640F PBYR1645F BYV133-35 * BYV133F-35 PBYR2035CT PBYR2040CT PBYR2045CT PBYR2035CTF PBYR2040CTF диод 20а 40в
2001 - 2н4441 транзистор

Аннотация: SML1004RGN irfy430 IRFV360 semelaB BUZ10 BUZ50 2N6661 BYV34 Series IRFM044 BYV29 Series
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF O257AA O257AB * IP117AG IP117AHVG IP117G IP117HVG IP120AG-05-12-15 IP120G-05-12-15 IP123AG-05-12-15 2n4441 транзистор SML1004RGN irfy430 IRFV360 семелаБ BUZ10 BUZ50 2N6661 BYV34 серии IRFM044 BYV29 серии
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143 GG21A7
1998 - BYV143

Аннотация: BYV143F PBYR3045WT
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143F, г. BYV143X BYV143F OT186 OT186A OT186 OT186A BYV143 PBYR3045WT
2010 - 30CTQ45

Абстракция: BYV43-45 BYV73-45 S30D40C 30CTQ40 247AA S30D45C BYV73-40 vsk231 TO218AA
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MBR3035CT USD335C USD335CHR 30CPQ040 30CTQ040 MBR2540CT BYV73-40 BYV73-40A BYV173-40 30CTQ45 BYV43-45 BYV73-45 S30D40C 30CTQ40 247AA S30D45C vsk231 TO218AA
3045 PT

Абстракция: BYS 21-45 BYS 21-90 BYS22-90 bys 26-45 PBYR BYS22-45 BYS 26-90 pbyr 1 BYV143
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143 3045 PT BYS 21-45 BYS 21-90 BYS22-90 по 26-45 PBYR BYS22-45 BYS 26-90 пбырь 1
Т0-220АБ

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV133F BYV143B BYV143 BYV143F О-220АБ OT404 T0-220AB OT186 BYT28 BYQ28

byv143% 2c техническое описание и примечания к применению

2000 - анод общий шоттки то220

Аннотация: BYV143 BYV143-45AM BYV143-45RM BYV143-45MA BYV143-40RM BYV143-40MA BYV143-40AM Диод Шоттки ТО220 диод с двойным общим анодом 40а
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143-40MA BYV143-40AM BYV143-40RM BYV143-45MA BYV143-45AM BYV143-45RM BYV143-xxM BYV143-xxAM BYV143-xxRM общий анод Шоттки to220 BYV143 BYV143-45AM BYV143-45RM BYV143-45MA BYV143-40RM BYV143-40MA BYV143-40AM Диод Шоттки ТО220 двойной общий анодный диод 40а
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143-40MA BYV143-40AM BYV143-40RM BYV143-45MA BYV143-45AM BYV143-45RM BYV143-xxM BYV143-xxAM BYV143-xxRM
1994 - BYV143

Аннотация: PBYR745
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143 O220AB PBYR745
м1204 диод

Абстракция: M1204 M3154 BYV143-35 BYV143 M3161 m2784 M3152 M31 диод
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143 fab53T31 Т-03-19 m1209 м3154 m1204 диод M1204 M3154 BYV143-35 M3161 m2784 M3152 Диод M31
1998 - диод BY 127

Аннотация: общий катод на220 ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ PHILIPS DATA BOOK BYV143 PBYR3045WT Светодиодный диод Шоттки TO220 TO220AB в корпусе PBYR745
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143, г. BYV143B BYV143 OT404 технический диод BY 127 общий катод to220 ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ PHILIPS DATA BOOK PBYR3045WT светодиодный диод Диод Шоттки ТО220 Пакет TO220AB PBYR745
M3150

Аннотация: диод 1ф быв143
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143 M31S2 M3150 диод 1f
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143, г. BYV143B BYV143 OT404
BYV72-200

Аннотация: BYQ28X-100 BYV72-100 BYV133-45 pbyr1540ctx PBYR1540CT BYV72-150 pbyr1035b byv118 PHILIPS BYV72-100
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BR211 BYQ28-100 BYQ28-150 BYQ28-200 BYQ28E-100 BYQ28EB-100 BYQ28ED-100 BYQ28EX-100 BYQ28F-100 BYQ28X-100 BYV72-200 BYQ28X-100 BYV72-100 BYV133-45 pbyr1540ctx PBYR1540CT BYV72-150 pbyr1035b byv118 ФИЛИПС BYV72-100
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143 T03-79 Т-03-19
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143 O220AB
BYV72-200

Аннотация: Транзистор BYV72-100 BYQ28E BYV72EW-200 pbyr1035b BYV72-150 BYV133X-40 PBYR1540CT BYV79E-100 BYQ28-200
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BR211 BYV143-45 PBYR2545CT BZW03 BYQ28-100 BYQ28E-150 BYV143B-35 PBYR2540CTB PBYR1035 PBYR1040 BYV72-200 BYV72-100 транзистор BYQ28E BYV72EW-200 pbyr1035b BYV72-150 BYV133X-40 PBYR1540CT BYV79E-100 BYQ28-200
2010 - 010sc4m

Аннотация: C120H04Q SOT227B S10SC3M s0241 C8P04Q C8P03Q BYV223V45 20 / 010SC4M
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SOHQ030 SOHQ035 0120SC4M SOHQ045 151MQ30 151MQ40 0180SC3M 0180SC4M 0240SC3M 0240SC4M 010sc4m C120H04Q SOT227B S10SC3M s0241 C8P04Q C8P03Q BYV223V45 20 / 010SC4M
1994 - BYV143

Аннотация: BYV143F PBYR745
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143F OT186 BYV143 PBYR745
1996 - BYV143

Аннотация: BYV143F PBYR745
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF OT186 BYV143F BYV143F Повторяющийся BYV143 PBYR745
диод BY229

Реферат: Philips Power MOSFET Руководство по выбору BY229-400, диод с быстрым восстановлением Philips Semiconductors Руководство по выбору силовых диодов BY229F800 PBYR2040CT by329x BY359-1500 BY459X-1500 BYV133-45
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 10 / 700HS BR211-140 BR211-160 BR211-180 BR211-200 BR211-220 BR211-240 BR211-260 BR211-280 BR211SM-140 диод BY229 Philips Power MOSFET Руководство по выбору BY229-400, диод быстрого восстановления Руководство по выбору силовых диодов Philips Semiconductors BY229F800 PBYR2040CT в 329 раз BY359-1500 BY459X-1500 BYV133-45
БЮВ42-200

Абстракция: BYV72E-200 PBYR1535CT PBYR1540CT BY359-1500 200 BY229F BY359X-1500 1540CT BYV29F500 BYR29800
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BR211-140 BR211-160 BR211-220 BR211-240 BR211SM-140 BR211SM-160 BR211SM-180 BR211SM-200 BR211SM-220 BR211SM-240 BYV42-200 BYV72E-200 PBYR1535CT PBYR1540CT BY359-1500 200 BY229F BY359X-1500 1540CT BYV29F500 29800 бел. Руб.
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143-35 Текущее26 Напряжение35 Напряжение: 600м Current200u Текущее30м СтильTO-220AB
диод 20а 40в

Аннотация: PBYR2040CT
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF PBYR1635F PBYR1640F PBYR1645F BYV133-35 * BYV133F-35 PBYR2035CT PBYR2040CT PBYR2045CT PBYR2035CTF PBYR2040CTF диод 20а 40в
2001 - 2н4441 транзистор

Аннотация: SML1004RGN irfy430 IRFV360 semelaB BUZ10 BUZ50 2N6661 BYV34 Series IRFM044 BYV29 Series
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF O257AA O257AB * IP117AG IP117AHVG IP117G IP117HVG IP120AG-05-12-15 IP120G-05-12-15 IP123AG-05-12-15 2n4441 транзистор SML1004RGN irfy430 IRFV360 семелаБ BUZ10 BUZ50 2N6661 BYV34 серии IRFM044 BYV29 серии
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143 GG21A7
1998 - BYV143

Аннотация: BYV143F PBYR3045WT
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BYV143F, г. BYV143X BYV143F OT186 OT186A OT186 OT186A BYV143 PBYR3045WT
2010 - 30CTQ45

Абстракция: BYV43-45 BYV73-45 S30D40C 30CTQ40 247AA S30D45C BYV73-40 vsk231 TO218AA
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MBR3035CT USD335C USD335CHR 30CPQ040 30CTQ040 MBR2540CT BYV73-40 BYV73-40A BYV173-40 30CTQ45 BYV43-45 BYV73-45 S30D40C 30CTQ40 247AA S30D45C vsk231 TO218AA
3045 PT

Абстракция: BYS 21-45 BYS 21-90 BYS22-90 bys 26-45 PBYR BYS22-45 BYS 26-90 pbyr 1 BYV143
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143 3045 PT BYS 21-45 BYS 21-90 BYS22-90 по 26-45 PBYR BYS22-45 BYS 26-90 пбырь 1
Т0-220АБ

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV133F BYV143B BYV143 BYV143F О-220АБ OT404 T0-220AB OT186 BYT28 BYQ28
3045 PT

Абстракция: BYS 21-45 BYS 21-90 BYV143 BYS 26-45 BYS 26-90 PBYR
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BYV143 3045 PT BYS 21-45 BYS 21-90 по 26-45 BYS 26-90 PBYR

sr3040 техническое описание и примечания к применению

Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: SR3040R НАПРЯЖЕНИЕ 40В 30.0AMP Выпрямители с барьером Шоттки Elektronische Bauelemente RoHS-совместимый продукт Суффикс «-C» указывает на галогенные и бессвинцовые ОСОБЕННОСТИ TO-220. .108 (2,75) * Низкое падение напряжения в прямом направлении * Высокая токовая нагрузка * Высокая надежность


Оригинал
PDF SR3040R О-220 MIL-STD-202, 01-июн-2006
SR30100CT

Аннотация: SR30150CT 0200CT SR3040CT 040CT
Текст: WILLAS FM120-M + SR3040CT THRUTHRU 30.0A БАРЬЕР-ВЫПРЯМИТЕЛИ SCHOTTKY -40–200 В 1.0A ПАКЕТ ПОВЕРХНОСТНЫХ БАРЬЕРОВ SCHOTTKY BARRIER TO-220RECTIFIERS PACKAGE-20V- 200V FM1200-M + SR30200CT Pb Free Product SOD-123 + PACKAGE Описание пакета Особенности • Пакетный дизайн процесса, отличное рассеивание мощности


Оригинал
PDF О-220 ВЫПРАВЛЯЮЩИЕ OD-123 + FM120-M SR304 SR3FM1200-M 0200CT О-220 MIL-STD-202 FM120-MH FM130-MH SR30100CT SR30150CT 0200CT SR3040CT 040CT
sr3040c

Аннотация: SR30100C SR3060
Текст: WILLAS FM120-M + SR3040C THRUTHRU 30.0A БАРЬЕРНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ SCHOTTKY -40В-200В 1.0A НА ПОВЕРХНОСТНОМ УСТАНОВКЕ ПАКЕТ SCHOTTKY BARRIER-20В-200В TO- 247RECTIFIERS FM1200-M + SR30200C Pb Бесплатный продукт SOD-123 + ПАКЕТ Краткое описание пакета Особенности • Пакетный дизайн процесса, отличное рассеивание мощности


Оригинал
PDF 247 ВЫПРАВЛЯЮЩИЕ OD-123 + FM120-M SR304 FM1200-M + SR30200C OD-123H О-247 FM120-MH FM130-MH sr3040c SR30100C SR3060
Транзисторы SMD w04 sot-23

Аннотация: транзистор SOT-23 w04 SB050 транзистор IN4728A mosfet SMD w04 SN30SC4 smd диод код gs1m W01 SMD mosfet W04 сот 23 1s355
Текст: ВОЗВРАТ В КАТАЛОГ ПРОДУКЦИИ СОДЕРЖАНИЕ ВОЗВРАТ В КАТАЛОГ ПРОДУКЦИИ УКАЗАТЕЛЬ ВОЗВРАТ В DIODES INC.СТРАНИЦА НОВЫХ ПРОДУКТОВ Каталог продукции Diodes Incorporated 3050 E. Hillcrest Drive Westlake Village, CA

-3154 2000/2001 Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления.


Оригинал
PDF представляют9-14 Транзисторы SMD w04 sot-23 транзистор СОТ-23 W04 SB050 транзистор IN4728A MOSFET SMD W04 SN30SC4 smd код диода gs1m W01 SMD MOSFET - описание производителя W04 сот 23 1с355
SR3040PT

Аннотация: 30100PT 3040PT 3060PT SR3030PT 30150PT
Текст: от SR3030PT до SR30150PT ОБРАТНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ - от 30 до 100 Вольт, ПЕРЕДНИЙ ТОК - 30.0 ампер БАРЬЕРНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ SCHOTTKY TO-3P ОСОБЕННОСТИ .645 16.4 .625 (15.9) .085 (2,16) .075 (1,90) ● Металлический кремниевый выпрямитель, проводимость основной несущей .245 (6,2) .820 (5,7) ● Защитное кольцо переходная защита


Оригинал
PDF SR3030PT SR30150PT 100 Вольт SR3040PT SR3050PT SR3060PT SR3080PT SR30100PT SR3040PT 30100PT 3040ПТ 3060PT 30150PT
SR3020C

Аннотация: SR3030C SR3035C SR3040C SR3045C SR3050C SR3060C
Текст: SR3020C RECTRON THRU ПОЛУПРОВОДНИК ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ SR3060C SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER ДИАПАЗОН НАПРЯЖЕНИЯ от 20 до 60 вольт ТОК 30 ампер ХАРАКТЕРИСТИКИ


Оригинал
PDF SR3020C SR3060C О-247 К-247 MIL-STD-202E SR3020C SR3045C SR3050C SR3030C SR3035C SR3040C SR3045C SR3060C
перекрестная ссылка диода

Аннотация: эквивалент IN5408 DIOTEC Electronics Диод IN5408 1N4008 PBL302 rgp20 17 диодный выпрямитель RP602 PBP205 1N4000 1n4004 1n4002
Текст: DIOTEC ELECTRONICS CORPORATION РУКОВОДСТВО ПО ПРОДУКТУ ИСТИННАЯ БЕСПЛАТНАЯ ВАКУУМНАЯ ПАЙКА ДИОДОВ ИЗ МЯГКОГО СТЕКЛА ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ БЛЮДО ДИОДЫ ТЕЛЕВИЗОРЫ PRESS FIT ВЕБ-САЙТ: www.diotec-usa.com ЭЛЕКТРОННАЯ ПОЧТА: [email protected] DIOTEC ELECTRONICS CORP. СПЕЦИАЛИСТЫ ПО ВЫПРЯМАТЕЛЯМ


Оригинал
PDF
SR30200C

Аннотация: SR30150C SR3050C SR3045C SR3040C SR3035C SR3030C SR3020C SR3080C SR30150
Текст: SR3020C THRU SR30200C БАРЬЕР-ВЫПРЯМИТЕЛЬ SCHOTTKY ДИАПАЗОН НАПРЯЖЕНИЯ от 20 до 200 вольт ТОК 30 ампер ХАРАКТЕРИСТИКИ * * * * * * * Низкий коммутируемый шум Низкое падение напряжения в прямом направлении Низкое тепловое сопротивление Высокая способность к току Высокая коммутационная способность


Оригинал
PDF SR3020C SR30200C О-247 К-247 MIL-STD-202E SR30200C SR30150C SR3050C SR3045C SR3040C SR3035C SR3030C SR3020C SR3080C SR30150
CAT7105CA

Аннотация: mp1410es G547E2 G547h3 G547F2 P5504EDG эквивалент G547I1 SP8K10 SP8K10SFD5TB LD1117Al
Текст: Diodes, Inc.- Cross Reference Industry Part Diodes, Inc. Equivalent Diodes, Inc. Ближайшие 1.5CE120C 1.5KE120CA N / A 1.5CE120CA 1.5KE120CA N / A 1.5CE12A 1.5KE12A N / A 1.5CE12C 1.5KE12CA N / A 1.5CE12CA 1.5KE12CA N / A 1.5CE13 1.5KE13A НЕТ 1.5CE130 1.5KE130A НЕТ 1.5CE130A


Оригинал
PDF 5CE120C 5KE120CA 5CE120CA 5CE12A 5КЕ12А 5CE12C 5KE12CA 5CE12CA CAT7105CA mp1410es G547E2 G547h3 G547F2 Эквивалент P5504EDG G547I1 SP8K10 SP8K10SFD5TB LD1117Al
SR30100

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: Выпрямитель с барьером Шоттки SR3030PT-G Thru.SR30150PT-G Обратное напряжение: от 30 до 1000 В Прямой ток: 30,0 А Характеристики устройства RoHS TO-3P - Металл кремниевого выпрямителя, проводимость основной несущей. -Защитное кольцо для защиты от переходных процессов. -Низкие потери мощности, высокая эффективность.


Оригинал
PDF SR3030PT-G SR30150PT-G 94-V0 QW-BB045 SR3030PT-G SR3030PT SR3040PT-G SR3040PT SR3050PT-G SR3050PT SR30100
SR3020

Аннотация: SR3030 SR3035 SR3040 SR3045 SR3050 SR3060 50SR3
Текст: SR3020 SR3060 THRU 30.0 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS ДИАПАЗОН НАПРЯЖЕНИЯ От 20 до 60 В ТОК 30,0 А ХАРАКТЕРИСТИКИ * Низкое прямое падение напряжения * Высокая токовая нагрузка * Высокая надежность * Высокая стойкость к импульсным токам * Эпитаксиальная конструкция TO-247 .120 3,05


Оригинал
PDF SR3020 SR3060 О-247 MIL-STD-202, SR3020 SR3030 SR3035 SR3040 SR3045 SR3050 SR3060 50SR3
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: RoHS Компания SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS ИМЕЕТ КЛАССИФИКАЦИЮ UL 94V-0 по UL 94V-0 ТЕМПЕРАТУРА РАБОТЫ И ХРАНЕНИЯ ТИП ОТ -55 C до +150 C Максимальное пиковое обратное напряжение PRV VPK Максимальный средний выпрямленный ток при полуволновой резистивной нагрузке 60 Гц


Оригинал
PDF 1С100 ИТО-220 АМПЕР-ШОТТКИ / ТО-247 SR3020C SR3030C SR3035C SR3040C SR3045C SR3050C SR3060C
IN 6817

Аннотация: IN5822 sr560 SR5045 IN5819 IN5818 SR540 SFa5 in6819 her308
Текст: RECTRON LT »24E D • T ~ 0 l-0 f 7blOS45 0D000G5 S ■ РЕКТИФИКАТОРЫ БАРЬЕРА SCHOTTKY O ПЕРАТИНОВЫЙ ДИАПАЗОН ТЕМПЕРАТУРЫ От 20 до 45 В: от -6 5 до + 125 ° C, от 50 до 60 В От -6 от 5 ° C до +150 'СТОРОННЯЯ ТЕМПЕРАТУРА ОТ -6 от 5 ° C до + 150 ° G ТИП Максимальный пиковый реверс


OCR сканирование
PDF 7blOS45 АМПЕР-ШОТТКИ / ДО-41 IN6817 IN5818 IN5819 SR130 HER802 HER803 HER804 HER805 IN5822 sr560 SR5045 SR540 SFa5 в6819 ее308
Солитрон J775-2

Аннотация: BT196 SS14 TOSHIBA 1n5822 TOSHIBA SS550 BT127 SE140 NSR8140S NBS25-400 1N4007 toshiba
Текст: ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА, ПРОМЫШЛЕННЫЙ РУКОВОДСТВО №10D05 iœ i îœ i 10D2 1302 im 1004 10D4 10D6 10 6 IO »im 11DQ03 11DQ04 11DQ05 11DQ06 15B4B41 15D4B41 15G4B41 15J4B41 1B4B42 im a im o naco in n o 1G4B1218 1217 1J18 1G4B121 1217 1J18 1J18 1G4B121 1217 1J18 1G4B121 1J18 1J18 1G4B121 1217 1J18 1G4B121 1J18 1J18 1J12 1J18 1G4B121 1217 1J18


OCR сканирование
PDF 10D05 RL151G 1N4934 RL152G 1N4935 RL153G RL154G 1N4936 RL155G Солитрон J775-2 BT196 SS14 TOSHIBA 1n5822 TOSHIBA SS550 BT127 SE140 NSR8140S НБС25-400 1N4007 toshiba
SR3050C

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: CS RECTRON ПОЛУПРОВОДНИК ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БАРЬЕР-ВЫПРЯМИТЕЛЬ SCHOTTKY ДИАПАЗОН НАПРЯЖЕНИЯ От -20 до 60 В ТОК-30 А ХАРАКТЕРИСТИКИ * Низкий уровень шума * Низкий уровень шума * Низкий уровень шума надежность * Высокая производительность


OCR сканирование
PDF ДИАПАЗОН-20 ТЕКУЩИЙ-30 О-247 SR3020C1SR3030C SR3035C SR3040C SR3045C SR3050CI SR3060C SR3020C SR3050C
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: SR3020C E RECTRO N THRU ПОЛУПРОВОДНИК ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ SR3060C SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER ДИАПАЗОН НАПРЯЖЕНИЯ от -20 до 60 вольт, ТОК-30 ампер ХАРАКТЕРИСТИКИ * Низкий зудящий шум * Низкое прямое падение напряжения * Низкое тепловое сопротивление * Высокая способность к переключению *


OCR сканирование
PDF SR3020C SR3060C ДИАПАЗОН-20 ТЕКУЩИЙ-30 О-247 SR3050C SR3060C)
S041P

Аннотация: SD41P SR2020 SR2030 SR2045 5.0 ампер шоттки NSD30 1N6095
Текст: DIODES INC 32E D • 28487 = 53 0Q0Q337 MMDII БАРЬЕРНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ SCHOTTKY ДИАПАЗОН РАБОЧЕЙ / ХРАНЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ -65 ° C до + 150 ° C ТИП Максимальное пиковое обратное напряжение Максимальный средний выпрямленный ток при полуволновой резистивной нагрузке 60 Гц Максимальный прямой пиковый импульс Текущий


OCR сканирование
PDF 0QGQ337 SR3030S SR3040S SR3045S SD41P SR4530S SR4540S SR4545S SR5040 SR5045 S041P SR2020 SR2030 SR2045 5.0 ампер шоттки NSD30 1N6095
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: FCI Semiconductor серии SR 3030.3060 Предварительные технические характеристики ВЫПРЯМИТЕЛИ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ШОТТКИ БАРЬЕРНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ 30 АМ Механическое описание Параметры SR 3 0 3 0 .3 0 6 0 S er ie s TO-3P F ea tu re so O Высокое напряжение и защита от переходных процессов


OCR сканирование
PDF SR3030.SR3050. 9512Применено
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ SCHOTTKY, ПЛАСТИКОВЫЙ УПАКОВКА Номер позиции ISI Вперед Максимальный средний пиковый импульсный ток 8,3 мс Выпрямленный обратный ток ® Tk Напряжение с наложением hiti STC> PlV (V IlilS liS llI MBR745 MBR750 7,5 125 35 45 50 60 1, (Ампер) } Максимум


OCR сканирование
PDF MBR745 MBR750 SRA820 SRA850 SRA860 T5080 -220А MBR1535CT MBR1545CT

Стержни диода.Диод Шоттки - это принцип работы, назначение. Общие сведения и принцип работы

Многие великие ученые исследовали свойства p-N перехода. Как вы уже догадались, это обычный диод, который можно увидеть в любой электронной схеме. На момент его изобретения это был элемент, который произвел настоящую революцию и изменил все представления о будущем электроники. Также без внимания технология его изготовления. Появился диод Зеннера и Ганна. Также был изобретен диод Шоттки

, обладающий интересными свойствами.Его использование в электронике было не таким сенсационным, как его знаменитый «собрат». Особые свойства этого элемента ранее использовались в узкоспециализированных схемах и не нашли широкого распространения. Тем интереснее, что в последнее время диод Шоттки стал использоваться как основной элемент в импульсных источниках питания. Он работает практически со всеми электронными бытовыми приборами: телевизорами, магнитофонами, персональными компьютерами, ноутбуками и т. Д.

Особые свойства устройства проявляются в низком падении напряжения на переходе p-N.Оно не превышает 0,4 вольт. То есть по этому параметру он максимально приближен к идеальному элементу, который используется в расчетах. Правда, при напряжении более 50 вольт эти свойства пропадают. Но тем не менее, диод Шоттки стал широко применяться в схемах с питанием таких схем, не превышающих 15 вольт постоянного напряжения, что позволило в полной мере использовать свойства этого устройства. Он мог стоять в цепочке обратной связи как ограничительный элемент или участвовать в работе регуляторов.

Помимо такого важного свойства, как P-N переход, диод Шоттки имеет небольшую емкость. Это позволяет ему работать в высокочастотных схемах. Практически «идеальные» свойства этого элемента не искажают высокочастотный сигнал. Именно поэтому он стал вставлять его в импульсные блоки питания, устройства связи и регуляторы.

Но кроме положительных качеств нельзя не отметить и недостатки. Диоды Шоттки очень чувствительны даже к кратковременному превышению обратного напряжения от допустимого значения.Это приводит к выходу элемента. В отличие от своего кремниевого «собрата» не восстанавливается. Тепловой пробой приводит либо к появлению токов утечки, либо к «превращению» устройства в проводник.

Первая неисправность приведет к нестабильной работе всего электронного устройства. Найти и устранить довольно сложно. Что касается теплового пробоя, то, например, это приведет к срабатыванию защиты, так как после замены неисправного элемента блок питания будет работать нормально.

Современная промышленность выпускает довольно мощные диоды Шоттки. Импульсный ток в таких устройствах может достигать 1,2 ка. Постоянный рабочий ток у некоторых типов достигает 120 А. Такие устройства обладают широким диапазоном токов и хорошими эксплуатационными характеристиками. Их успешно применяют в бытовой технике и промышленной электронике.

При сборке блоков питания и преобразователей напряжения для автомобильных усилителей Часто возникает проблема с выпрямлением тока с трансформатора. Получить мощные импульсные диоды - достаточно серьезная проблема, поэтому я решил напечатать статью, в которой приведен полный список и параметры мощных диодов Шоттки.Некоторое время назад у меня лично возникла проблема с выпрямителем преобразователя автомобильного усилителя. Преобразователь достаточно мощный (500-600 Вт), частота выходного напряжения 60кГц, любой обычный диод, который можно найти в старом хламе, сразу горит как спичка. Единственным доступным вариантом в то время был отечественный CD213A. Диоды неплохие, держат до 10 ампер, рабочую частоту в пределах 100 кГц, но и под нагрузкой они перегревались.

На самом деле мощные диоды можно встретить практически в каждом.Компьютерный БП - это тот компьютер, который питает весь компьютер. Как правило, их делают мощностью от 200 Вт до 1кВт и более, а поскольку компьютер питается от постоянного тока, то в блоке питания обязательно должен быть выпрямитель. В современных силовых блоках для выпрямления напряжения используются мощные диодные сборки Шоттки - они имеют минимальный спад напряжений на переходе и возможность работы в импульсных схемах, где рабочая частота намного выше сетевых 50 герц. Недавно на халяву вывели несколько блоков питания, откуда для этого небольшого обзора были сняты диоды.В компьютерных блоках питания можно встретить самые разные диодные сборки, одиночных диодов здесь практически не бывает - в одном случае присутствуют два мощных диода, часто (почти всегда) с общим катодом. Вот некоторые из них:

D83-004 (ESAD83-004) - Мощная сборка из диодов Шоттки, обратное напряжение 40 вольт, допустимый ток 30А, в импульсном режиме до 250а - пожалуй, один из самых мощных диодов, которые могут можно найти в компьютерных блоках питания.


STPS3045CW. - Двойной диод Шоттки, выпрямленный ток 15 А, постоянное напряжение 570 мВ, обратная утечка 200 мК, постоянная обратная сила 45 В.

Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Schottki TO-220 SBL2040CT 10A x 2 = 20A 40V VF = 0,6V при 10a
Schottky TO-247 S30D40 15A x 2 = 30A 40V VF \ u003d 0,55V при 15A
Ultrafast TO-220 SF1004G 5A x 2 = 10a 200V VF = 0,97V при 5a
Ultrafast TO-220 F16C20C 8A x 2 = 16A 200V VF = 1.3V при 8A
Ultrafast SR504 5A 40V VF = 0,57
Schottki TO-247 40CPQ060 20A x 2 = 40A 60V VF = 0,49V при 20a
Schottky TO-247 STPS40L45C 20A x 2 = 0,49 u003VF = 40VA
Ultrafast TO-247 SBL4040PT 20A x 2 = 40a 45V VF = 0,58V при 20A
Schottky TO-220 63CTQ100 30A x 2 = 60a 100 VF = 0,69V при 30A
Schottki TO-220 MBR 22545ct 15A u003d 30a 45V VF = 0,65V при 15A
Schottky TO-247 S60D40 30A x 2 = 60a 40-60V VF = 0.65V при 30A
Schottki TO-247 30CPQ150 15A x 2 = 30A 150V VF = 1V при 15A
Schottki TO-220 MBRP3045N 15A x 2 = 30a 45V VF = 0,65V при 15A
220 Schottki 60 Schottki60 2 = 20A 30-60V VF = 0,55V при 10a
Schottky TO-247 SBL3040PT 15A x 2 = 30A 30-40V VF = 0,55V при 15A
Schottki TO-247 SBL4040PT 20A x 2 30 = 40A 40V VF = 0,58V при 20A
ULTRAFAST TO-220 U20C20C 10A x 2 = 20A 50-200V VF = 0,97V при 10a

Существуют современные отечественные диодные сборки на большие токи.Вот их маркировка и внутренняя схема:


Также доступен , который можно использовать, например, в ламповых усилителях БП и другом оборудовании с повышенной мощностью. Список ниже:

Высоковольтные силовые диоды Шоттки с напряжением до 1200 В

Хотя более предпочтительным является использование диодов Шоттки в низковольтных мощных выпрямителях с выходными напряжениями в пару десятков вольт, на высоких частоты переключения.

В большинстве современных радиошемок используется диод Шоттки.Его действие основано на физическом эффекте, который открыл немецкий ученый Вальтер Шоттки, поэтому он носит его имя. Этот элемент имеет многие параметры, аналогичные обычным диодам, но имеет существенные отличия.

Принцип действия и обозначение

Если обычный полупроводниковый диод основан на p-N свойствах перехода, принцип работы диода Шоттки основан на свойствах перехода при контакте металла и полупроводника.Такой контакт, полученный в физике, получил название «Барьер Шоттки». В качестве полупроводника чаще всего используется арсенид галлия (GAAS), а металлы используются в основном следующим образом:

На радиотехнических схемах обозначение диода Шоттки аналогично обозначению обычного полупроводникового элемента, но есть заметное отличие: со стороны катода, где есть небольшой перпендикуляр к основной линии признака, он дополнительно загибает края в разные стороны под прямым углом или плавным загибом.

Иногда на концептуальных схемах графически обозначить этот элемент сложно, он нарисован как обычный диод, а в спецификации дополнительно указывают тип.

Положительные и отрицательные качества

Полупроводниковый элемент

Шоттки широко используется в различных электронных и радиотехнических устройствах благодаря своим положительным свойствам. К ним относятся следующие:

  • очень низкое падение напряжения при переходе, максимальное значение которого всего 0.55 В;
  • высокая скорость отклика;
  • малая емкость барьера (перехода), что дает возможность применять диод Шоттки в цепях с большим током.

Но есть несколько отрицательных свойств, которые необходимо учитывать при использовании этого радиотехнического элемента. А именно:

  • мгновенный необратимый отказ даже при кратковременном повышении обратного напряжения выше предельного значения;
  • возникновение теплового пробоя на обратном токе из-за тепловыделения;
  • часто возникают течи диодов, которые сложно определить.

Сфера применения и популярные модели

Полупроводниковый радиотехнический элемент Schottki отличается отсутствием диффузной емкости из-за отсутствия несущих на ядре. Таким образом, этот элемент представляет собой в первую очередь СВЧ-диод широкого спектра применения. Используется как следующие элементы:

  • тензодатчик;
  • приемник излучения;
  • модулятор света;
  • детектор ядерного излучения;
  • выпрямитель тока высокой частоты.

Небольшое падение напряжения, к сожалению, наблюдается у большинства этих элементов при рабочем напряжении в диапазоне 55-60 В. Если напряжение выше этого значения, то диод Шоттки имеет те же качества, что и обычный полупроводниковый элемент на силиконовая основа. Максимум обратного напряжения обычно составляет около 250 В, но есть специальные модели, выдерживающие 1200 В (например, VS-10ETS12-M3).

Из двухместных моделей популярной среди радиолюбителей стоит 60CPQ150.Этот радиоэлемент имеет максимум обратного напряжения 150 В, а каждый отдельный диод из сборки рассчитан на пропускание тока при прямом включении В мощных импульсных источниках питания можно встретить модель VS-400CNQ045 в мощной импульсной мощности источники;

Радиолюбителям популярны диоды Шотти серии 1N581X. Такие образцы как 1N5817, 1N5818, 1N5819 имеют максимальный номинальный постоянный ток 1 А, а у обратное напряжение составляет 20-40 в . Падение напряжения на преграде (переходе) в диапазоне от 0.45 до 0,55 В. Также в радиолюбительской практике встречается элемент 1Н5822 с постоянным током до 3 А.

На печатных платах Используйте миниатюрные диоды серии SK12 - SK16. Несмотря на очень малые габариты, выдерживают постоянный ток до 1 А, а «обратное» напряжение колеблется от 20 до 60 В. Есть более мощные диоды, например, SK36. У него постоянный ток доходит до 3 А.

Диагностика возможных неисправностей

Всего три типа.возможные неисправности. Это поломка, поломка и протечка. Если первые два вида можно диагностировать самостоятельно в домашних условиях с помощью обычного мультиметра, то третья неисправность в домашних условиях диагностике практически не поддается.

Для достоверного определения выхода из строя диода его необходимо исключить из схемы, иначе шунтирование через другие элементы схемы исказит полученные показания. При пробах элемент ведет себя как обычный проводник. При измерении его сопротивления в обоих направлениях измерительный прибор будет «0».При резке деталь совершенно не пропускает электричество в любом направлении. Его сопротивление бесконечно во всех направлениях.

Косвенным признаком негерметичности элемента является его нестабильная работа. Иногда может сработать встроенная защита в блоке питания компьютера, мониторе и т. Д.

Мультиметром определить утечку невозможно, так как она возникает при возникновении элемента, а измерения необходимо проводить при отключении его от схемы.

Диод Шоттки - полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на использовании выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником.

Эффект промежутка возникает, когда металл находится в контакте с полупроводниковым материалом. В самых старых диодах (точках) использовались металлические покрышки. В металле при его контакте с полупроводником образуется область пространственного заряда, которая позволяет току течь в одном направлении, но не пропускает его в другом.Диоды Скота являются развитием этой технологии. Современные диоды диода имеют структуру, изображенную на рисунке 1

Рис.1 Структура современного диода Шоттки

Выпрямительный переход создается слоем металла (обычно золота, платины, алюминия или палладия), нанесенного на поверхность полупроводника с пластинчатыми волосками. Используемый металл и уровень легирования влияют на характеристики правки. Свойство выпрямления возникает из-за разницы уровней энергии материалов.Тыльная сторона полупроводника более прочная, а контакт с обратной стороны называется омическим, так как уровни энергии материалов очень близки, а площадь контакта по своим свойствам напоминает резистор. Ток протекает через диод зазора за счет того, что под действием постоянного напряжения смещения P-N перехода электрон в металле преодолевает потенциальный барьер. Поэтому диоды Шоттки еще называют диодами с «горячими» носителями заряда.

а)

б)

дюймов)

г)

д)

Рис. 2. Схема контактов металл - полупроводник (а) и его энергетическая диаграмма при нуле (б), прямом (г) и обратном (D) смещении

Рассмотрим особенности работы диода с барьером Шоттки на основе металлического контакта с полупроводником N-типа для случая, когда срабатывание металлического вывода больше, чем срабатывание полупроводникового вывода (рис.2 А). При образовании контакта электроны выходят из материала при меньшей операции вывода в материал при большей работе вывода, в результате чего уровни металла и полупроводника выравниваются. В этом случае полупроводник оказывается заряженным положительно, а возникающее внутреннее электрическое поле препятствует переходу электронов в металл. Между металлом и полупроводником имеется контактная разность потенциалов УК = АП-АМ (работа АП и АМ полупроводника и выхода металла соответственно).

Из-за разницы в работе металла и полупроводника между ними происходит обмен электронами. Электроны из полупроводника, имея меньший выход, уходят в металл с большим выходом. В состоянии равновесия (рис. 2, а) металл заряжается отрицательно, в результате чего возникает электрическое поле, останавливающее однородный переход электронов.

Из-за резкой разницы в концентрациях свободных электронов по обе стороны от контакта почти все падения напряжения приходится на непроизвольную область полупроводника.Приложенное внешнее напряжение изменяет высоту барьера только за счет полупроводника. Электроны зоны проводимости отталкиваются возникающим контактным полем. Обедненный слой создается с уменьшенной концентрацией движущихся носителей. Вблизи контакта из-за изгиба границ зон полупроводника N-типа переходит в полупроводник P-типа.

Распределение электрического поля (рис. 2в) и объемного заряда в этом случае описывается теми же уравнениями, что и для резкого P-N перехода.В полупроводнике есть область, обедненная основными носителями заряда с пониженной проводимостью, ширина которой зависит от уровня легирования полупроводника. В состоянии равновесия поток электронов (основных переносчиков полупроводника) к металлу балансируется потоком электронов из металла в полупроводник.

При прямом перемещении (рис. 2ж) потенциальный барьер на стороне полупроводника уменьшается, а количество переходов электронов в металл увеличивается.При обратном смещении (рис. 2, г), наоборот, ток от полупроводника уменьшается, стремясь с увеличением напряжения к нулю. Ток электронов из металла все время остается неизменным: его роль несущественна при пропускании постоянного тока, определяется ток утечки при обратном вытеснении. Величина этого обратного тока в устройствах с барьером порядка Шоттки микрономических единиц.

В реальных контактах линейная зависимость высоты барьера от работы металла наблюдается редко из-за того, что на поверхности полупроводника из-за его несовершенства имеются поверхностные заряды.При нанесении металла такой поверхностный заряд экранирует влияние металла, в результате чего высота потенциального барьера в основном определяется состоянием поверхности полупроводника. Кроме того, на свойства металл - полупроводник влияют токи утечки, токи генерации - рекомбинация носителей заряда в обедненной области и возможность туннельного перехода электронов в случае сильного полупроводника.

Диод Шоттки В областях диода с постоянным напряжением не происходит накопления неосновных носителей заряда и растворения этого заряда при изменении знака напряжения.Это улучшает быстродействие диода, то есть частотные и импульсные свойства. Время восстановления обратного сопротивления с диодом Шоттки при использовании кремния и золота - около 10 нс и менее.

Преимущество диода Шоттки на современном уровне техники заключается также в том, что его вольт-амперная характеристика очень близка к характеристике идеализированного P-N перехода.

Ток в полупроводниковом материале - это поток электронов. Электроны являются основными носителями заряда, и скорость потока выше, чем у P-материала плоского диода.Поэтому диоды Шоттки - самые быстрые из всех диодов. Поскольку в переходной зоне нет второстепенных носителей заряда, диод блокируется сразу, как только приложенное напряжение падает до нуля. Однако в процессе зарядки переходного контейнера возникает обратный ток. Этот контейнер очень маленький, поэтому обратный ток имеет крайне низкое значение. Диоды Skuff характеризуются практически нулевым временем прямого и обратного восстановления, так как их проводимость не зависит от неосновных носителей заряда.

Прямое падение напряжения в кремниевом диоде Шоттки очень мало, обычно около 0,2 ... 0,45 В. Падение напряжения пропорционально максимальному обратному напряжению. Например, падение напряжения на диоде обратного напряжения 10 В может составлять всего 0,3 В. Чем выше максимальное обратное напряжение и номинальный ток, тем больше прямое падение напряжения из-за увеличения толщины N-слоя. Диод с повышенной предельно допустимой температурой имеет большее прямое падение напряжения, которое уменьшается с понижением температуры перехода.Этот отрицательный температурный коэффициент по току снижает разброс мощности, но затрудняет параллельное включение диодов.

Для многих типов диодов (таких как прямоугольные плоские низкочастотные диоды, импульсные диоды и т. Д.) Основной физический процесс, ограничивающий диапазон рабочих частот, процесс накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода. был предоставлен. Другой физический процесс - это перезагрузка барьерной емкости выпрямляющего электрического перехода - имела вторичное значение в рассматриваемых диодах и влияла на их частотные свойства только при определенных условиях.Поэтому были выдвинуты требования к конструкции и технологии изготовления диодов, выполнение которых обеспечило бы ускорение резорбции накопленной в базе данных при воздействии постоянного напряжения неосновных носителей заряда. Понятно, что если исключить инжекцию неосновных носителей заряда при работе диода, то накопления этих неосновных носителей в базе данных и, соответственно, относительно медленного процесса резорбции не было бы.Здесь можно перечислить несколько возможностей практически полного исключения инжекции неосновных носителей заряда при сохранении выпрямительных свойств полупроводниковых диодов.

1. Использование в качестве выпрямляющего электрического перехода (гетероперехода), т.е. электрического перехода, образованного контактом полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. Инжекция неосновных носителей при прямом включении будет отсутствовать при реализации ряда условий и, в частности, при одинаковом типе электропроводности полупроводников, образующих гетерогерер.Этот метод исключения инжекции неосновных носителей заряда пока не получил широкого распространения в промышленном производстве монокристаллических полупроводниковых диодов из-за технологических трудностей.

2. Используйте для устранения эффекта туннелирования.

3. Инвертирующие диоды, т.е. использовать для выпрямления только питающей ветви Вау с участком, соответствующим лавинному обрыву. Этот метод не нашел применения из-за необходимости иметь для каждого диода свое напряжение смещения, практически равное напряжению пробоя.Кроме того, шумы возникают на начальной стадии лавинного пробоя диода.

4. Использование выпрямляющего перехода Шоттки, т.е. выпрямляющего электрического перехода, образованного контактом металла и полупроводника. При таком переходе высота потенциального барьера для электронов и дырок может существенно различаться. Следовательно, при включении выпрямляющего перехода Шоттки в прямом направлении постоянный ток возникает за счет движения основных носителей заряда полупроводника в металле, а носители другого знака (неминерального в полупроводниковый) могут практически из металла в полупроводнике из-за высокоскоростного потенциального барьера при переходе.

Таким образом, на основе выпрямляющего перехода Шоттки могут быть созданы выпрямительные, импульсные и сверхвысокочастотные полупроводниковые диоды, отличающиеся от диодов с P-N-переходом наилучшими частотными свойствами.

Прямые диоды Schottki

На частотные свойства диодов Шоттки основное влияние должно оказываться перезагрузка барьерной оболочки перехода. Время постоянной перезарядки зависит от сопротивления диодной базы. Поэтому выпрямляющий переход Шоттки целесообразнее создавать на кристалле полупроводника с электропроводностью N-типа - подвижность электронов больше подвижности дырок.По этой же причине в кристалле полупроводника должна быть большая и концентрация примесей.

Однако толщина потенциального барьера Шоттки, возникающего в полупроводнике вблизи границы металлической перегородки, должна быть достаточно большой. Только при большой толщине потенциального барьера (переход Шоттки) можно будет, во-первых, исключить вероятность туннелирования носителей заряда через потенциальный барьер, во-вторых, получить достаточное значение напряжения штампа и, в-третьих, получить меньшие значения удельной (на единицу площади) пропускной способности барьера.А толщина перехода или потенциального барьера зависит от концентрации примесей в полупроводнике: чем больше концентрация примесей, тем тоньше переход. Отсюда противоположное требование меньшей концентрации примесей в полупроводнике.

Учет этих противоречивых требований к концентрации примесей в исходном полупроводнике приводит к необходимости создания двухслойной базы диода Шоттки (рис. 3). Основная часть кристалла представляет собой подложку толщиной около 0 мкм.2 мм - содержит большую концентрацию примесей и имеет небольшое удельное сопротивление. Тонкий монокристаллический слой того же полупроводника (толщиной несколько микрометров) с такой же электропроводностью N-типа может быть получен на поверхности подложки путем эпитаксиального растяжения. Концентрация доноров в эпитаксиальном слое должна быть значительно меньше концентрации доноров в подложке.

Рис. 3. Варианты структур диодов Шоттки с двухслойной базой

В качестве исходного полупроводникового материала для выпрямляемых диодов Шоттки может использовать кремний или арсенид галлия.Однако в эпитаксиальных слоях арсениду галлия не удается добиться малой концентрации дефектов и достаточно низкой концентрации доноров. Поэтому напряжение пробивки диодов на основе арсенида галлия низкое, что является существенным недостатком выпрямительных диодов.

Металлический электрод на эпитаксиальный полупроводниковый слой обычно наносят испарением в вакууме с последующим осаждением на поверхность эпитаксиального слоя. Перед нанесением металлического электрода желательно создать окна в оксидном слое на поверхности полупроводника.Так проще получить выпрямляющие снимки нужной площади и конфигурации.

Прямоугольные низкочастотные диоды предпочтительно изготавливать с P-N-переходом. Прямоугольные диоды Шоттки в области низких частот. В будущем должно появиться преимущество перед диодами с P-N-переходом, связанное с простотой изготовления.

Наибольшие преимущества перед диодами с P-N-переходом диоды Шоттки должны иметь при выпрямлении высокочастотных токов.Здесь, помимо лучших частотных характеристик диодов Шоттки, следует отметить следующие особенности: меньшее постоянное напряжение из-за меньшей высоты потенциального барьера для основных полупроводниковых носителей заряда; Большая максимально допустимая плотность постоянного тока, что связано, во-первых, с меньшим постоянным напряжением и, во-вторых, с хорошим теплоотводом от выпрямляющего перехода Шоттки. Действительно, металлический слой, расположенный по одну сторону от перехода Шоттки, по своей теплопроводности превосходит любой тяжелый полупроводниковый слой.По тем же причинам прямоугольные диоды Шоттки должны выдерживать значительно большие перегрузки по току по сравнению с аналогичными диодами с P-N-переходом на основе того же полупроводникового материала.

Еще одна особенность стержневых диодов - идеальность прямой ветви Вау. При этом при изменении постоянного тока в пределах нескольких порядков зависимость близка к линейной, либо в показателе экспоненты при изменении тока дополнительных факторов не появляется. Учитывая эту особенность, диоды Шоттки можно использовать как быстродействующие логарифмические элементы.

На рис. 4 показан кремниевый диод Schottki 2D219, рассчитанный на максимально допустимый постоянный ток 10 А. Постоянное напряжение на диоде с максимально допустимым током не более 0,6 В, максимально допустимое обратное напряжение для 2D219B 20 В. Диодные диоды допускают ток. длительность импульсов до 10 мс с периодом повторения не менее 10 минут с амплитудой, в 25 раз превышающей максимально допустимый постоянный ток. Диоды рассчитаны на частоту выпрямленного тока 0.2 МГц.

диодный прибор полупроводниковый интервал

Рис. 4. Вау кремниевый диод Schottky 2D219 при разных температурах

Импульсные диоды Шоттки.

Исходным полупроводниковым материалом для этих диодов может быть, а также для прямоугольных диодов Шоттки, кремний или арсенид галлия. Но предпочтение здесь следует отдать Arsenide Gully, так как в этом материале время жизни неосновных носителей заряда может быть меньше чем. Несмотря на практическое отсутствие инжекции неосновных носителей заряда через переход Шоттки при его включении в прямом направлении (что уже отмечалось ранее), с большими постоянными напряжениями и плотностью постоянного тока, конечно, есть , некоторая составляющая постоянного тока, связанная с инжекцией в полупроводник не добывающих носителей заряда.Поэтому требование малости времени жизни неосновных носителей в исходном полупроводниковом материале сохраняется для импульсных щелевых диодов.

Главный недостаток диодов Шоттки - большой обратный ток утечки. Он имеет экспоненциальную зависимость от температуры и увеличивается с увеличением температуры и обратного напряжения. Максимальный ток утечки определяется технологией производства диодов. Чем выше восстановленное номинальное обратное напряжение диода и максимальная температура перехода, тем меньше утечка.

Электротехника и радиоэлектроника имеют множество концепций, одна из которых - диод Шоттки, используемый в многочисленных ступенях электрических конденсаторов. Многих спрашивают о том, что такое диод Шоттки, как указано на схемах, а также каков принцип работы диода Шоттки.

Общая информация и принцип работы

Диод Шоттки - это диодно-полупроводниковое изделие, которое при простом включении в цепочку дает небольшую скорость снижения напряжения.Этот элемент выполнен из металла и полупроводника. Диод назван в честь известного немецкого физика-испытателя В. Шоттки, который в 20 веке его изобрел.

В промышленности используется такой ограниченный диод обратного напряжения - до 250 В, но на практике в бытовых целях для предотвращения токов обратного направления в основном используются низковольтные варианты - 3-10В.

Диоды Шоттки можно разделить на 3 класса 3 класса:

  • высокомощные;
  • среднетоннажный;
  • малой мощности.

Диод с барьером Шоттки (точнее наименование продукта) состоит из проводника для контакта с металлом, защиты и пассивирующего кольца со стеклом.

В тот момент, когда ток проходит в разных частях корпуса по всей области полупроводникового барьера и на защитном кольце, отрицательные и положительные заряды собираются на защитном кольце, что приводит к возникновению электролитического удара и выделение тепловой энергии - это большой плюс диода для многих физических экспериментов.

Диодные сборки данного типа могут изготавливаться в нескольких вариантах:

  • диоды Шоттки с общим анодом;
  • диодные изделия
  • , имеющие выход с общего катода;
  • диодов
  • собрано по схеме дублирования.

Технические характеристики популярных модификаций диодов Шоттки

Наименование Предельное обратное пиковое напряжение Экстремальный выпрямитель электрический Пиковый прямой электрический Дополнительный обратный электроток Предельное постоянное напряжение
шт.Измерения ИН НО oS. НО мкА ВН
1N5817. 20 1 90 25 1 0,45
1N5818. 30 1 90 25 1 0,55
1N5819. 40 1 90 25 1 0,6
1N5821. 30 3 95 80 2 0,5
1N5822. 40 3 95 80 2 0,525

Отличия от других полупроводников

Диоды Шоттки отличаются от других диодных изделий тем, что у них есть барьер в виде перехода - полупроводниковый металл, характеризующийся односторонней электропроводностью.Металл в них может выполнять кремний, арсенид галлия, германий, вольфрам, золото, платина и другие могут использоваться реже.

Работа этого электронного компонента будет полностью зависеть от выбранного металла. Чаще всего в таких структурах присутствует кремний, так как он отличается большей надежностью и отличными характеристиками на больших емкостях. Также можно использовать соединения галлия и мышьяка. Технология производства этого электронного изделия проста, что обуславливает его невысокую стоимость.

Изделие Шоттки характеризуется более стабильной работой при подаче электрического тока, чем другие типы полупроводниковых диодов. Это достигается за счет того, что в его корпус вводятся особые кристаллические образования.

Достоинства и недостатки

Описанные выше диоды имеют ряд преимуществ, которые заключаются в следующем:

  • электроток отлично держится в цепи;
  • малая емкость барьера Шоттки увеличивает срок службы изделия;
  • низкий перепад электрического сопротивления;
  • скорость в электрочашках.

Самым существенным недостатком компонента является огромный обратный ток, который даже при скачке этого показателя на несколько единиц приводит к выходу диода.

Примечание! При работе электрического элемента Шоттки в цепях с мощной электрической мощностью в неблагоприятных условиях теплообмена это происходит в тепле.

Диод Шоттки: обозначение и маркировка

Диод Шоттки на электрических ходах практически такой же, как и у обычных полупроводников, но с некоторыми особенностями.

Стоит отметить, что на схемах можно встретить сдвоенные варианты диода Шоттки. Это такая конструкция двух соединенных диодов в общем корпусе с припаянными катодами или анодами, что приводит к образованию трех выводов.

Маркировка таких элементов осуществляется в виде букв и символов. Каждый производитель реализует свою продукцию по-своему, но при соблюдении определенных международных стандартов.

Важно! Если буквенно-цифровое обозначение на корпусе диода непонятно, то рекомендуется посмотреть расшифровку в справочнике радиовещания.

Область применения

Использование диодных структур с барьером Шоттки можно найти во многих устройствах и электрических структурах. Чаще всего они обращаются к электрикам в следующей технике:

  • электроприборы для дома и компьютеров;
  • блоки питания разных типов и стабилизаторы напряжения;
  • кузов
  • , - и радиоаппаратура;
  • транзисторов и батарей, работающих от солнечной энергии;
  • прочая электроника.

Столь широкий спектр применения связан с тем, что такой электрический элемент многократно увеличивает КПД и КПД конечного продукта, восстанавливает обратное сопротивление Электротока, сохраняет его в электросети, снижает количество потерь динамики электрического барьера, а также поглощает довольно много различных видов излучения.

Диагностика диодов Шоттки

Проверить самоэлемент, обслуживание Шоттки несложно, но для этого потребуется некоторое время. Для диагностики неисправности необходимо сделать следующее:

  1. Из электрохема или диодного моста необходимо изначально выпадать интересующий элемент;
  2. Провести визуальный осмотр на предмет возможных механических повреждений, наличия следов химических и других реакций;
  3. Проверить диодный тестер или мультиметр;
  4. Если проверка проводится мультиметром, то необходимо поднести щуп к концам катода и анода после его включения, в результате прибор выдаст фактическое напряжение диодной сборки.

Важно! При проведении тестовых работ мультиметром следует учитывать наличие электрода, которое обычно указывается на боковой стороне изделия.

Результатом этих простых действий будет установление технического состояния полупроводника. Неисправный диод может быть по следующим причинам:

  1. При возникновении проб, элемент Шоттки перестает удерживать электрические выстрелы, соответственно из полупроводника превращается в проводник;
  2. При обрыве диодного моста или диодного элемента прохождение электрического потока вообще прекращается.

Стоит отметить, что при таких происшествиях не будет ни дыма, ни запаха Гэри, соответственно, необходимо будет проверить все диоды, а лучше всего обратиться в специализированные мастерские.

Диод Шоттки простой и неприхотливый, но в то же время крайне необходимый элемент в современной электронике, так как именно благодаря ему бесперебойно работают многие приборы и технические изделия.

Видео

Подбор диодов Шоттки по параметрам.Диодные сборки Шоттки в блоках питания компьютеров

При сборке блоков питания и преобразователей напряжения для автомобильных усилителей часто возникает проблема с выпрямлением тока с трансформатора. Получить мощные импульсные диоды - серьезная проблема, поэтому я решил напечатать статью, в которой приводится полный список и параметры мощных диодов Шоттки. Некоторое время назад у меня лично возникла проблема с преобразователем-выпрямителем для автоусилителя. Преобразователь достаточно мощный (500-600 Вт), частота выходного напряжения 60кГц, любой обычный диод, который можно найти в старом хламе, сразу же сгорит как спичка.Единственным доступным вариантом на тот момент были отечественные КД213А. Диоды неплохие, держат до 10 ампер, рабочая частота в пределах 100кГц, но под нагрузкой тоже перегревались.

На самом деле мощные диоды можно найти практически у каждого. Компьютерная BS - это та, которая питает весь компьютер. Как правило, их делают мощностью от 200 Вт до 1 кВт и более, а поскольку компьютер питается от постоянного тока, то в блоке питания обязательно должен быть выпрямитель. В современных блоках питания для выпрямления напряжения используются мощные диодные сборки Шоттки - они имеют минимальное падение напряжения на переходе и возможность работы в импульсных цепях, где рабочая частота намного выше, чем в сети 50 Гц.Недавно на халяву принесли несколько блоков питания, с которых сняты диоды для этого небольшого обзора. В компьютерных блоках питания можно встретить самые разные диодные сборки, одиночных диодов практически нет - в одном корпусе два мощных диода, часто (почти всегда) с общим катодом. Вот некоторые из них:

D83-004 (ESAD83-004) - Мощная сборка диодов Шоттки, обратное напряжение 40 вольт, допустимый ток 30А, в импульсном режиме до 250А, пожалуй, один из самых мощных диодов. которые можно найти в компьютерных блоках питания.



STPS3045CW - Двойной диод Шоттки, выпрямленный ток 15 А, прямое напряжение 570 мВ, обратный ток утечки 200 мА, постоянное обратное напряжение 45 В.


Основные диоды Шоттки, используемые в источниках питания

Schottky TO-220 SBL2040CT 10A x 2 = 20A 40V Vf = 0,6V при 10A
Schottky TO-247 S30D40 15A x 2 = 30A 40V Vf = 0,55V при 15A
Ultrastest TO-220 SF1004G 5A x 2 = 10A 200V Vf = 0,97V при 5A
Ultrastest TO-220 F16C20C 8A x 2 = 16A 200V Vf = 1.3 В при 8 А
Сверхбыстрый SR504 5 А 40 В Vf = 0,57
Шоттки TO-247 40CPQ060 20 А x 2 = 40 А 60 В Vf = 0,49 В при 20 А
Шоттки TO-247 STPS40L45C 20 А x 2 = 40 А 45 В Vf = 0,49 В
Ultrastest TO-247 SBL4040PT 20A x 2 = 40A 45V Vf = 0,58V при 20A
Schottky TO-220 63CTQ100 30A x 2 = 60A 100 Vf = 0,69V при 30A
Schottky TO-220 MBR2545CT 15A x 2 = 30A 45V Vf = 0,65V при 15A
Schottky TO-247 S60D40 30A x 2 = 60A 40-60V Vf = 0,65V при 30A
Schottky TO-247 30CPQ150 15A x 2 = 30A 150V Vf = 1V при 15A
Schottky TO-220 MBRP3045N 15A x 2 = 30A 45V Vf = 0.65 В при 15 А
Шоттки TO-220 S20C60 10 А x 2 = 20 А 30-60 В Vf = 0,55 В при 10 А
Шоттки TO-247 SBL3040PT 15 А x 2 = 30 А 30-40 В Vf = 0,55 В при 15 А
Шоттки TO-247 SBL4040PT 20 А x 2 = 40A 30-40V Vf = 0,58V при 20A
Ultrastest TO-220 U20C20C 10A x 2 = 20A 50-200V Vf = 0,97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:



Также выпускается , который может быть использован, например, в источниках питания ламповых усилителей и другого оборудования с повышенной мощностью.Список приведен ниже:


Высоковольтные силовые диоды Шоттки напряжением до 1200 В

Хотя предпочтительнее использование диодов Шоттки в низковольтных выпрямителях большой мощности с выходными напряжениями до пары десятки вольт при высоких частотах переключения.

К большому семейству полупроводниковых диодов, названных в честь ученых, открывших необычный эффект, можно добавить еще один. Это диод Шоттки.

Немецкий физик Вальтер Шоттк открыл и изучил так называемый барьерный эффект, который возникает при использовании определенной технологии для создания перехода металл-полупроводник.

Основная «фишка» диода Шоттки заключается в том, что в отличие от обычных диодов на p-n-переходе здесь используется переход металл-полупроводник, который еще называют барьером Шоттки. Этот барьер, как и полупроводниковый p-n переход, обладает свойством односторонней электропроводности и рядом отличительных свойств.

Кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs), а также такие металлы, как золото, серебро, платина, палладий и вольфрам, в основном используются в качестве материала для изготовления диодов с барьером Шоттки.

В принципе, диод Шоттки изображен так.

Как видите, его изображение немного отличается от обычного полупроводникового диода.

Кроме этих обозначений на схемах можно найти изображение диода Шоттки (сборки).

Двойной диод - это два диода, установленные в одном общем корпусе. Выводы катодов или анодов в них совмещены. Поэтому такая сборка, как правило, имеет три вывода. В импульсных источниках питания обычно используются сборки с общим катодом.

Поскольку два диода размещены в одном корпусе и выполнены в едином технологическом процессе, их параметры очень близки. Поскольку они размещены в одном корпусе, температурный режим у них одинаковый.Это увеличивает надежность и срок службы элемента.

Диоды Шоттки обладают двумя положительными качествами: очень малым прямым падением напряжения (0,2-0,4 В) на переходе и очень высокой скоростью.

К сожалению, такое небольшое падение напряжения возникает, когда приложенное напряжение не превышает 50-60 вольт. При дальнейшем увеличении диод Шоттки ведет себя как обычный кремниевый выпрямительный диод. Максимальное обратное напряжение для Шоттки обычно не превышает 250 вольт, хотя на рынке можно найти образцы, рассчитанные на 1.2 киловольта (ВС-10ЭЦ12-М3).

Итак, выпрямительный диод Шоттки 60CPQ150 рассчитан на максимальное обратное напряжение 150В, а каждый из сборочных диодов способен пропускать через прямое включение 30 ампер!

Также вы можете встретить образцы выпрямленные на полупериодный ток, который может достигать максимум 400А! Примером может служить модель VS-400CNQ045.

Очень часто в концептуальных схемах сложное графическое представление катода просто опускается, а диод Шоттки изображается как обычный диод.А тип применяемого элемента указывается в спецификации.

К недостаткам диодов с барьером Шоттки можно отнести то, что даже при кратковременном превышении обратного напряжения они мгновенно выходят из строя и основное необратимо. При этом кремниевые силовые клапаны после прекращения перенапряжения отлично самовосстанавливаются и продолжают работать. Кроме того, обратный ток диодов очень сильно зависит от температуры перехода. На большом обратном токе происходит тепловой пробой.

К положительным качествам диодов Шоттки, помимо высокой быстродействия, а следовательно, малого времени восстановления, можно отнести небольшую емкость перехода (барьера), позволяющую увеличить рабочую частоту. Это позволяет использовать их в импульсных выпрямителях на частотах в сотни килогерц. Многие диоды Шоттки находят свое применение в интегральной микроэлектронике. Диоды Шоттки, изготовленные с использованием нанотехнологий, являются частью интегральных схем, где они шунтируют переходы транзисторов для повышения производительности.

В радиолюбительской практике прижились диоды Шоттки серии 1N581x (1N5817, 1N5818, 1N5819). Все они рассчитаны на максимальный постоянный ток ( I F (AV) ) - 1 ампер и обратное напряжение ( V RRM ) от 20 до 40 вольт. Падение напряжения ( В F ) на переходе от 0,45 до 0,55 вольт. Как уже упоминалось, прямое падение напряжения ( Прямое падение напряжения ) для диодов с барьером Шоттки очень мало.

Также довольно известный элемент - 1N5822.Он рассчитан на постоянный ток 3 А и выполнен в корпусе ДО-201АД.

Также на печатных платах можно найти диоды серии SK12-SK16 для поверхностного монтажа. Они совсем маленькие. Несмотря на это, SK12-SK16 выдерживает прямой ток до 1 ампера при обратном напряжении от 20 до 60 вольт. Прямое падение напряжения составляет 0,55 В (для SK12, SK13, SK14) и 0,7 В (для SK15, SK16). Также на практике можно встретить диоды серии SK32 - SK310, например, SK36 , которые рассчитаны на постоянный ток 3 ампера.

Применение диодов Шоттки в источниках питания.

Диоды Шоттки

активно используются в компьютерных блоках питания и импульсных стабилизаторах напряжения. Среди низковольтных питающих напряжений наиболее сильноточными (десятки ампер) являются напряжения +3,3 вольт и +5,0 вольт. Именно в этих вторичных источниках питания используются диоды с барьером Шоттки. Чаще всего используются трехвыводные сборки с общим катодом. Именно применение агрегатов можно считать признаком качественного и технологичного силового агрегата.

Выход из строя диодов Шоттки - одна из самых частых неисправностей импульсных источников питания. У него может быть два «мертвых» состояния: чистый электрический пробой и утечка. При наличии одного из этих условий питание компьютера блокируется, так как срабатывает защита. Но это может происходить по-разному.

В первом случае все вторичные напряжения отсутствуют. Защита заблокировала блок питания. Во втором случае вентилятор «трясется» и на выходе из блоков питания периодически то появляются пульсации напряжения, то исчезают.

То есть периодически срабатывает схема защиты, но полной блокировки блока питания нет. Диоды Шоттки гарантированно выйдут из строя, если радиатор, на котором они установлены, очень сильно прогреется до появления неприятного запаха. И последний вариант диагностики, связанный с утечкой: при увеличении нагрузки на центральный процессор в мультипрограммном режиме блок питания самопроизвольно отключается.

Следует иметь в виду, что при профессиональном ремонте блока питания после замены вторичных диодов, особенно при подозрении на утечку, необходимо проверить все силовые транзисторы, выполняющие функцию ключей, и наоборот: после замены ключевых транзисторов , проверка вторичных диодов обязательна.Всегда нужно руководствоваться принципом: беда не приходит.

Проверка диодов Шоттки мультиметром.

Проверить диод Шоттки можно с помощью обычного мультиметра. Процедура такая же, как и при проверке обычного полупроводникового диода с p-n переходом. Но и здесь есть подводные камни. Особенно сложно проверить диод на течь. Прежде всего, элемент необходимо исключить из схемы для более точного тестирования.Определить полностью пробитый диод достаточно просто. Во всех пределах измерения сопротивления неисправный элемент будет иметь бесконечно малое сопротивление как при прямом, так и при обратном переключении. Это равносильно короткому замыканию.

Диод сложнее проверить при подозрении на "течь". Если провести тест мультиметром DT-830 в диодном режиме, то мы увидим идеально рабочий элемент. Можно попробовать измерить в режиме омметра его обратное сопротивление. На пределе «20 кОм» обратное сопротивление определяется как бесконечно большое.Если прибор показывает хоть какое-то сопротивление, скажем 3 кОм, то этот диод следует считать подозрительным и заменить на заведомо исправный. 100% гарантию дает полная замена диодов Шоттки по шинам питания + 3,3 В и + 5,0 В.

Где еще в электронике используются диоды Шоттки? Их можно встретить в довольно экзотических устройствах, таких как приемники альфа- и бета-излучения, детекторы нейтронного излучения, а в последнее время на переходах барьера Шоттки панели солнечных батарей.Итак, они питают электричество и космические аппараты.

Диоды Шоттки, а точнее - диоды с барьером Шоттки - это полупроводниковые приборы, выполненные на основе контакта металл-полупроводник, тогда как в обычных диодах используется полупроводниковый p-n переход.

Диод Шоттки своим названием и появлением в электронике немецкого физика обязан изобретателю Вальтеру Шоттки, который в 1938 году, изучая недавно открытый эффект барьера, подтвердил выдвинутую ранее теорию, согласно которой, хотя потенциальный барьер блокирует эмиссия электронов из металла, электрическое поле этого барьера уменьшится.Вальтер Шоттки открыл этот эффект, который в честь ученого получил название эффекта Шоттки.

Исследуя контакт металла и полупроводника, можно увидеть, что если существует область, обедненная вблизи поверхности полупроводника основными носителями заряда, то область пространственного заряда ионизированных акцепторов и доноров равна формируется в области контакта этого полупроводника с металлом со стороны полупроводника, а блокирующий контакт - тот же барьер Шоттки.В каких условиях возникает этот барьер? Ток термоэлектронной эмиссии с поверхности твердого тела определяет уравнение Ричардсона:

Создадим условия, когда при контакте полупроводника, например n-типа, с металлом термодинамическая работа выхода электрона из металла будет больше, чем термодинамическая работа выхода электрона из полупроводника. В таких условиях, в соответствии с уравнением Ричардсона, ток термоэмиссии с поверхности полупроводника будет больше, чем ток термоэмиссии с поверхности металла:

В начальный момент времени при контакте названных материалов ток от полупроводника к металлу превысит обратный ток (от металла к полупроводнику), в результате чего на поверхности будут накапливаться заряды, как полупроводника, так и металла. объемные заряды - положительные в полупроводнике и отрицательные - в металле.В зоне контакта возникнет электрическое поле, образованное этими зарядами, и произойдет искривление энергетических зон.

Под действием поля термодинамическая работа выхода полупроводника будет увеличиваться, и это увеличение будет происходить до тех пор, пока термодинамическая работа выхода в области контакта и соответствующие токи термоэлектронной эмиссии не будут приложены к поверхности.

Переход в состояние равновесия с образованием потенциального барьера для полупроводника p-типа и металла аналогичен примеру с полупроводником n-типа и металлом.Роль внешнего напряжения заключается в регулировании высоты потенциального барьера и напряженности электрического поля в области пространственного заряда полупроводника.

На приведенной выше диаграмме показаны зональные диаграммы различных стадий образования барьера Шоттки. В условиях равновесия в области контакта токи термоэмиссии были совмещены, в результате действия поля возник потенциальный барьер, высота которого равна разности термодинамических функций выхода: φk = ΦMe - Φn / n.

Очевидно, вольт-амперная характеристика барьера Шоттки асимметрична. В прямом направлении ток растет экспоненциально вместе с увеличением приложенного напряжения. В обратном направлении ток не зависит от напряжения. В обоих случаях ток возникает из-за электронов как основных носителей заряда.

Следовательно, диоды Шоттки

очень быстродействующие, поскольку они устраняют процессы диффузии и рекомбинации, требующие дополнительного времени.Зависимость тока от напряжения связана с изменением количества носителей, поскольку эти носители участвуют в процессе переноса заряда. Внешнее напряжение изменяет количество электронов, которые могут пройти с одной стороны барьера Шоттки на другую его сторону.

Благодаря технологии изготовления и описанному принципу работы диоды Шоттки имеют небольшое падение напряжения в прямом направлении, которое значительно меньше, чем у традиционных диодов p-n.

Здесь даже небольшой начальный ток через область контакта приводит к выделению тепла, которое затем способствует появлению дополнительных носителей тока. В этом случае инжекция неосновных носителей заряда отсутствует.

У диодов Шоттки поэтому нет диффузной емкости, так как нет неосновных носителей, и как следствие - быстродействие довольно высокое по сравнению с полупроводниковыми диодами. Получается подобие резкого несимметричного p-n перехода.

Таким образом, диоды Шоттки - это, прежде всего, СВЧ-диоды различного назначения: детекторные, смесительные, лавинные, параметрические, импульсные, умножительные.Диоды Шоттки могут использоваться как приемники излучения, тензодатчики, детекторы ядерного излучения, модуляторы света и, наконец, выпрямители для высокочастотного тока.

Обозначение диода Шоттки в схемах

диоды Шоттки сегодня

На сегодняшний день диоды Шоттки широко используются в электронных устройствах. На схемах они изображены иначе, чем обычные диоды. Часто можно встретить двойные выпрямительные диоды Шоттки, выполненные в трехпроводном корпусе, присущем силовым ключам.Такие двойные структуры содержат внутри два диода Шоттки, объединенные катодами или анодами, чаще - катодами.

Диоды в сборке

имеют очень близкие параметры, так как каждая такая сборка изготавливается по единому технологическому циклу, и в результате температурный режим их работы такой же, соответственно выше и надежность. Прямое падение напряжения от 0,2 до 0,4 вольт, наряду с высокой скоростью (единицы наносекунды), являются несомненными преимуществами диодов Шоттки перед p-n-аналогами.

Особенность барьера Шоттки в диодах относительно небольшого падения напряжения проявляется при приложенных напряжениях до 60 вольт, хотя характеристики остаются непоколебимыми. Сегодня диоды Шоттки типа 25CTQ045 (до 45 вольт, до 30 ампер на каждую пару диодов в сборке) можно встретить во многих импульсных источниках Power, где они служат выпрямителями мощности на токи до нескольких сотен килогерц.

Нельзя не затронуть тему недостатков диодов Шоттки, они, безусловно, есть, и их два.Во-первых, кратковременное превышение критического напряжения мгновенно выведет из строя диод. Во-вторых, на максимальный обратный ток сильно влияет температура. При очень высокой температуре перехода диод просто пробьет даже при работе при номинальном напряжении.

Ни один радиолюбитель в своей практике не может обойтись без диодов Шоттки. Здесь можно отметить самые популярные диоды: 1N5817, 1N5818, 1N5819, 1N5822, SK12, SK13, SK14. Эти диоды есть как в выходном исполнении, так и в SMD. Главное, за что его так ценят радиолюбители, это высокая скорость и малое падение напряжения на переходе - максимум 0.55 вольт - при невысокой цене этих комплектующих.

Редкая печатная плата обходится без диодов Шоттки в том или ином обозначении. Где-то диод Шоттки служит маломощным выпрямителем для контура обратной связи, где-то - стабилизатором напряжения на уровне от 0,3 до 0,4 вольт, а где-то детектором.

В таблице ниже представлены параметры наиболее распространенных на сегодняшний день маломощных диодов Шоттки.

Диод Шоттки

- еще одна разновидность типичного полупроводникового диода, его отличительной особенностью является небольшое падение напряжения при прямом включении.Свое имя он получил в честь немецкого изобретателя-физика Вальтера Шоттки. В этих диодах в качестве потенциального барьера используется переход металл-полупроводник, а не p-n-переход. Допустимое обратное напряжение диодов Шоттки обычно составляет около 1200 вольт, например CSD05120 и его аналоги, на практике они используются в низковольтных цепях с обратным напряжением до нескольких десятков вольт.

На принципиальных схемах они обозначены почти как диод, диаграмма выше, но с небольшими графическими отличиями, кроме того, часто бывает достаточно двойных диодов Шоттки.

Сдвоенный диод Шоттки - это два отдельных элемента, собранных в одном общем корпусе, причем катодные или анодные выводы этих компонентов объединены. Поэтому диод сдвоенный, выходов обычно три. В импульсных и компьютерных источниках питания часто можно встретить двойные диоды Шоттки с общим катодом.

Поскольку оба диода размещены в одном корпусе и собраны с использованием одного и того же процесса, технические характеристики практически идентичны. При аналогичном расположении в одном корпусе во время работы они будут находиться в одинаковом температурном режиме, а это один из основных факторов повышения надежности устройства в целом.

Преимущества


Падение напряжения на диоде при прямом подключении всего 0,2-0,4 вольта, тогда как на типовых кремниевых диодах этот параметр составляет 0,6-0,7 вольт. Столь малое падение напряжения на полупроводнике при прямом включении характерно только для диодов Шоттки с обратным напряжением максимум в десятки вольт, но в случае увеличения уровня приложенного напряжения падение напряжения на диодах Шоттки Диод уже сопоставим с кремниевым диодом, что весьма ограничивает использование диодов Шоттки в современной электронике.
Теоретически любой диод Шоттки может иметь небольшую барьерную емкость. Отсутствие в явном виде классического p-n перехода может значительно увеличить рабочую частоту устройства. Этот параметр нашел широкое применение при изготовлении интегральных схем, где диоды Шоттки шунтируют переходы транзисторов, используемых в роли логических элементов. В силовой электронике важен еще один параметр диодов Шоттки, а именно малое время восстановления, позволяющее использовать силовые выпрямители для частот от сотен кГц и выше.Например, радиокомпонент MBR4015 (на 15 В и 40 А) используется для выпрямления высокочастотного напряжения, и время его восстановления составляет всего 10 кВ / мкс.
Благодаря указанным выше положительным свойствам выпрямители на диодах Шоттки отличаются от выпрямителей на стандартных диодах меньшим уровнем помех, поэтому используются в аналоговых вторичных источниках питания.

Минусы


При кратковременном превышении допустимого уровня обратного напряжения диод Шоттки выходит из строя, в отличие от типичных кремниевых диодов, которые просто переходят в режим обратимого пробоя при условии, что рассеиваемая мощность кристалла не выше допустимых значений, а после падения напряжения диод полностью восстанавливает свои характеристики.Диоды Шоттки
характеризуются более высокими значениями обратных токов, которые увеличиваются с увеличением температуры кристалла и в случае неудовлетворительных условий работы радиатора при работе с большими токами приводят к тепловому пробою радиодетали. Диоды Шоттки

, как я уже говорил выше, активно используются в компьютерных блоках питания и импульсных стабилизаторах напряжения. Используются в низковольтной и сильноточной частях схемы компьютерного ИБП на + 3,3 В и +5.0 вольт. Чаще всего используются сдвоенные диоды с общим катодом. Использование сдвоенных диодов считается признаком высокого качества.

Перегоревший диод Шоттки - одна из самых типичных неисправностей при. Диод может иметь два нерабочих состояния: электрический пробой и утечка в корпус. В любом из этих состояний ИБП блокируется встроенной схемой защиты.

В случае электрического пробоя все вторичные напряжения в блоке питания отсутствуют. В случае протечки вентилятор БП компьютера может «дергаться» и на выходе могут появляться выходные импульсы, периодически пропадающие.То есть периодически срабатывает модуль защиты, но полной блокировки не происходит. Диоды Шоттки на 100% сгорают, если радиатор, на котором они закреплены, очень теплый или от них сгорел сильно вощеный.

Следует сказать несколько слов, что при ремонте ИБП после замены диодов, особенно при подозрении на протечку в корпус, следует прозвонить все силовые транзисторы, работающие в ключевом режиме. А также в случае замены ключевых транзисторов проверка диодов является обязательной и строго необходимой.

Порядок проверки диода Шоттки такой же, как и для стандартного диода. Но есть и небольшие отличия. Проверить уже впаянный в схему диод такого типа очень сложно. Поэтому сборку или единичный элемент сначала нужно вынуть из схемы для проверки. Определить полностью перфорированный элемент довольно просто. Во всех пределах измерения сопротивления мультиметр будет показывать в обоих направлениях бесконечно низкое сопротивление или короткое замыкание.

С подозрением на протечку проверить сложнее. Если проверить типовым мультиметром, например DT-830 в режиме «диод», то мы увидим исправную деталь. Однако, если производить измерение в режиме омметра, то обратное сопротивление на пределе «20 кОм» определяется как бесконечно большое (1). Если элемент показывает какое-то сопротивление, например 5 кОм, то этот диод лучше считать подозрительным и заменить на точно исправный. Иногда лучше сразу заменить диоды Шоттки на шинах + 3,3В и + 5,0В в ИБП компьютера.

Иногда они используются в приемниках альфа- и бета-излучения (дозиметрах), детекторах нейтронного излучения, и, кроме того, панели солнечных батарей используют переходные барьеры Шоттки, которые питают космические аппараты через огромные просторы нашей огромной Вселенной.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *