Диод зенера маркировка: Маркировка SMD: диоды, светодиоды, стабилитроны

Содержание

Маркировка зарубежных диодов и стабилитронов. Маркировка диодов: типы, особенности, производители

Программа Color and Code имеет обширный сервис и позволяет решать комплекс задач разнообразного характера в одном приложении: находить номинал или вид радиокомпонентов по кодовой или цветовой маркировке, определять электрические параметры радиокомпонентов; выполнять радиотехнические расчеты; находить тип и выбирать нужные размеры радиокомпонентов; подбирать аналоги радиодеталей; изучать назначения ножек микросхем.

Описание программы Color and Code

В программе имеется возможность определять параметры большого спектра радиодеталей таких как – варикапов, транзисторов, конденсаторов, диодов, стабилитронов, резисторов, индуктивностей и чип-компонентов, как по кодовой цветовой, так и цветовой маркировке.

Цветовая маркировка резисторов


Кодовая и цветовая маркировка транзисторов

Можно определять тип транзистора по двум и четырем цветным точкам. Также есть функция определения по графическим символам, горизонтальное и вертикальное обозначение, смешанной и нестандартной.



Маркировка диодов, стабилитронов, варикапов

Диоды, стабилитроны, варикапы определяются по цветным кольцам от 1 до 3 колец.

Стабилитрон еще называют опорным диодом. Предназначены стабилитроны для стабилизации выходного напряжения при колебания входного или при изменении величины нагрузки (рис. 1 ).

Рис. 1 – Функциональная схема работы стабилитрона

Например, если на нагрузке нужно получить 5 В, а напряжение источника питания колеблется в пределах 9 В. Чтобы снизить и стабилизировать напряжение, подводимое от источника питания, до необходимых 5 В применяют стабилитроны. Конечно, можно применять и стабилизаторы напряжения, в данном случае подойдут или . Однако, применение их не всегда оправдано, поэтому в ряде случаев используют стабилитроны.

Внешне они похожи на диоды и имею вид, показанный на рис. 2 .


Рис. 2 – Внешний вид стабилитронов

Обозначение стабилитронов на схемах приведено на

рис. 3 .


Принцип действия стабилитрона

Теперь давайте разберемся каким образом стабилитрон выполняет стабилизацию напряжение.

Основной характеристикой стабилитрона, впрочем, как и диода, является вольтамперная характеристика (ВАХ). Она показывается зависимость величины тока, протекающего через стабилитрон, от величины приложенного к нему напряжения (рис. 4 ).

ВАХ стабилитрона имеет две ветви.


Рис. 4 – ВАХ стабилитрона

Прямая ветвь стабилитрона практически не отличается от прямых ветвей обычных диодов и для последних она же будет рабочей.

Нормальный режим работы стабилитрона является когда он находится под обратным напряжением. Поэтому для него рабочей будет обратная ветвь. Она расположена практически параллельно оси обратных токов. На этой кривой характерными есть две точки: 1 и 2 (рис. 4 ), между ними находится рабочая область стабилитрона.

При некоторой величине обратного напряжения U ст наступает электрический пробой

p n перехода стабилитрона и через наго протекает уже значительный ток. Однако при изменении в широких пределах тока от значения Imin до Imax падение напряжения на стабилитроне U ст практически не изменяется (рис. 4 ). Благодаря этому свойству и осуществляется стабилизация напряжения.

Если ток, протекающий через стабилитрон, превысит значение Imax , то произойдет перегрев полупроводниковой структуры, наступит тепловой пробой и стабилитрон выйдет из строя.

К источнику питания Uип стабилитрон подключается через токоограничивающий резистор Rогр , который служит для ограничения тока, протекающего через стабилитрон, а также совместно с ним образует делитель напряжения (рис. 5 ).


Рис. 5 – Схема включения стабилитрона

Обратите внимание, в отличие от диода стабилитрон подключается в обратном направлении, т. е. на катод подается «+» источника питания, а на анод «-».

Параллельно к выводам стабилитрона подключается нагрузка R н , на зажимах которой требуется поддерживать стабильное напряжение.

Процесс стабилизации напряжения заключается в следующем. При увеличении напряжения источника питания возрастает общий ток цепи I , а следовательно и ток Iст , протекающий через стабилитрон VD , а также увеличивается падение напряжения на токоограничивающем резисторе R огр . При этом напряжение на стабилитроне и соответственно на нагрузке остается почти неизменным.

При изменении сопротивления нагрузки, происходит перераспределение общего тока I между стабилитроном и нагрузкой, а величина напряжения на них практически не меняется.

Если напряжение на нагрузке больше напряжения стабилизации стабилитрона, то применяют несколько последовательно включенных стабилитронов. Например, если необходимо получить 10 В стабильного напряжения, то за неимением нужного стабилитрона, можно включить последовательно два стабилитрона по 5 В (

рис. 6 ).


Рис. 6 – Последовательное соединение стабилитронов

Также стабилитроны успешно используются в системах автоматики в качестве датчиков, реагирующих на изменение напряжения. Например, если величина напряжения превысит определенное значение, то стабилитрон откроется и через катушку реле будет протекать ток. В результате реле сработает и даст команду другим устройствам либо просто просигнализирует о превышении некоторого уровня напряжения.

Помимо стабилизации постоянного напряжения, с помощью стабилитронов можно стабилизировать и переменное напряжения. Для этого используют последовательное встречное включение двух стабилитронов (рис. 7 ).


Рис. 7 – Схема включения стабилитрона на переменное напряжение

Только на выходе будет не идеальная синусоида, а со срезанными верхами, т. е. форма напряжения будут приближена к трапеции (рис. 8, 9 ).


Рис. 8 – Осциллограмма входного напряжения


Рис. 9 – Осциллограмма напряжения на стабилитроне

Применяются несколько способом маркировки стабилитронов. Стабилитроны в стеклянному корпусе, имеющие гибкие выводы, маркируются самым понятным способом. Как правило на корпус наносятся цифры, разделённые латинской буквой «V». Например, 4 V 7 обозначает, что напряжение стабилизации 4,7 В; 9 V 1 – 9,1 В и так далее (рис. 10 ).


Рис. 10 – Маркировка стабилитронов в стеклянных корпусах

Стабилитроны в пластиковом корпусе имеют маркировку в виде цифр и букв. Сами по себе эти цифры ни о чем не говорят, однако, с помощью даташита их можно легко расшифровать. Например обозначение 1N5349B означает, что напряжение стабилизации 12 В (рис. 11 ). Кроме напряжения такая маркировка учитывает и другие параметры стабилитрона.


Рис. 10 – Маркировка стабилитронов в пластиковых корпусах

Черное либо серое кольцо, нанесенное на корпус стабилитрона, обозначает его катод (рис. 12 ).


Рис. 12 –

Маркировка smd стабилитронов

В качестве маркировка smd стабилитронов применяются цветные кольца. Подобная маркировка применяется также для советские не smd стабилитронов. В импортных стабилитронах цветное кольцо наносится со стороны катода (рис. 13 ). Для расшифровки цветных колец используют даташити или онлайн расшифровщики.


Рис. 13 – SMD стабилитрон в стеклянном корпусе

Еще изготавливаются smd стабилитроны с тремя выводами (рис. 14 ). Один из них не задействован. Эти выводы можно определить с помощью мультиметра.


Рис. 14 – SMD стабилитрон с тремя выводами

При отсутствии справочника, даташита или нечеткой маркировки номинальное напряжение стабилитрона можно определить опытным путем. Сначала с помощью мультиметра нужно узнать соответствующие выводы и подключить стабилитрон через токоограничивающий резистор (

см. рис. 5 ). Затем подать напряжение от регулируемого источника питания. Плавно изменяя подведенное напряжение нужно следить за изменение напряжения на стабилитроне. Если при изменении величины напряжения источника питания напряжение на стабилитроне не изменяется, то это и будет его напряжение стабилизации.

Выводы стабилитрона определяются точно также, как и . Мультиметр следует установить в режим прозвонки и коснуться щупами соответствующий выводов (рис. 15, 16 ).


Рис. 15 – Прямое напряжение


Рис. 16 – Обратное напряжение

Под действием протекающего тока через стабилитрон он нагревается. Выделившееся тепло рассеивается в окружающее пространство. Чем больше стабилитрон способен рассеять тепла не перегреваясь, тем выше его мощность рассеивания и тем больший ток можно пропустить через него. Как правило, чем больше габариты стабилитрона, тем большая у него мощность рассеяния (

рис. 17 ).


Рис. 17 – Мощность рассеивания стабилитронов

Имея дома радиоэлектронную лабораторию, можно своими руками сделать самые различные приспособления для электрооборудования или сами приборы, что позволит значительно сэкономить на покупке техники. Важным элементом многих электрических схем приборов является стабилитрон.

Такой элемент (smd, смд) является необходимой частью многих электросхем. Благодаря обширной области применения, стабилитрон имеет различную маркировку. Маркировка, нанесенная на корпус такого диода, дает подробную, но зашифрованную, информацию о данном элементе. Наша сегодняшняя статья поможет вам разобраться в том, какая цветовая маркировка встречается на корпусе (стеклянном и нет) импортных стабилитронов.

Что представляет собой данный элемент электрических схем

Прежде чем приступить к рассмотрению вопроса о том, какая цветовая маркировка таких элементов существует, нужно разобраться, что это вообще такое.

Вольт-амперная характеристика стабилитрона

Стабилитрон представляет собой полупроводниковый диод, который предназначается для стабилизации в электросхеме постоянного напряжения на нагрузке. Наиболее часто такой диод используется для стабилизации напряжения в различных источниках питания. Данный диод (smd) имеет участок с обратной веткой вольт-амперной характеристики, которая наблюдается в области электрического пробоя.

Имея такую область, стабилитрон в ситуации изменения параметра тока, протекающего через диод от IСТ.МИН до IСТ.МАКС практически не наблюдается изменений показателя напряжения. Данный эффект применяется для стабилизации напряжения. В ситуации, когда к смд подключена параллельно нагрузка RH, тогда напряжение диода будет оставаться постоянным, причем в указанных пределах изменения тока, текущего через стабилитрон.

Обратите внимание! Стабилитрон (smd) способен стабилизировать напряжение выше 3,3 В.

Кроме смд существуют еще и стабистроны, которые включаются при прямом включении. Они применяются в ситуации, когда есть необходимость стабилизировать напряжение в определенном диапазоне. Обычный диод можно использовать тогда, когда нужно стабилизировать напряжение в диапазоне от 0,3 до 0,5 В. Область их прямого смещения наблюдается при падении напряжения до 0,7 – 2v. При этом оно практически не зависит от силы тока. Стабисторы в своей работе применяют прямую ветвь вольт-амперной характеристики.

Их также следует включать при прямом подключении. Хотя это будет не самое лучшее решение, поскольку стабилитрон в такой ситуации будет все же более эффективен.
Стабисторы, как и smd, производятся зачастую из кремния.
Стабилитроны маркируют по их основным характеристикам. Эта маркировка имеет следующий вид:

  • UСТ. Эта маркировка означает номинальное напряжение для стабилизации;
  • ΔUСТ. Означает отклонение показателя напряжения номинального напряжения стабилизации;
  • IСТ. Обозначает ток, который протекает через диод при номинальном напряжении стабилизации;
  • IСТ.МИН — минимальное значение тока, которые течет через стабилитрон. При этом значении такой smd диод будет иметь напряжение в диапазоне UСТ ± ΔUСТ;
  • IСТ.МАКС. Означает максимально допустимую величину тока, которая может течь через стабилитрон.

Такая маркировка важна при выборе элемента под определенную электросхему.

Обозначения работы элемента электросхемы

Схематическое обозначение стабилитрона

Поскольку стабилитрон представляет собой специальный диод, то его обозначение не отличается от них. Схематически smd обозначается следующим образом:

Стабилитрон, как и диод, имеет в своем составе катодную и анодную часть. Из-за этого имеется прямое и обратное включение данного элемента.

Включение стабилитрона

На первый взгляд, включение такой диод имеет неправильное, ведь он должен подключаться «наоборот». В ситуации подачи на смд обратного напряжения наблюдается явление «пробоя». В результате чего напряжение между его выводами остается неизменным. Поэтому он должен быть последовательно подключен к резистору с целью ограничения проходящего через него тока, что будет обеспечивать падение «лишнего» напряжения от выпрямителя.

Обратите внимание! Каждый диод, предназначенный для стабилизации напряжения, обладает своим напряжением «пробоя» (стабилизации), а также имеет свой рабочий ток.

Из-за того, что каждый стабилитрон обладает такими характеристиками, для него можно рассчитать номинал резистора, который будет подключаться с ним последовательно. У импортных стабилитронов их напряжение стабилизации представлено в виде маркировки, нанесенной на корпусе (стеклянном или нет). Обозначение такого диода smd всегда начинается с BZY… или BZX…, а их напряжение пробоя (стабилизации) имеет маркировку V. Например, обозначение 3V9 расшифровывается как 3.9 вольта.

Обратите внимание! Минимальное напряжение для стабилизации у таких элементов составляет 2 В.

Принцип функционирования стабилизационных диодов

Несмотря на то, что смд похож на диод, он по сути является иным элементом электросхемы. Конечно, он может выполнять функцию выпрямителя, но обычно используется для стабилизации напряжения. Данный элемент способен поддерживать в цепи постоянного тока постоянное напряжение. Этот его принцип работы применяется в питании различного радиотехнического оборудования.


Внешне смд очень похож на стандартный полупроводник. Схожесть сохраняется и в конструкционных особенностях. Но при обозначении такого радиотехнического элемента, в отличие от диода, на схеме ставится буква Г.
Если не вникать в математические расчеты и физические явления, то принцип функционирования smd будет достаточно понятным.

Обратите внимание! При включении такого smd диода нужно соблюдать обратную полярность. Это означает, что подключение проводится анодом к минусу.

Проходя через этот элемент, небольшое напряжение цепи провоцирует сильный ток. При увеличении обратного напряжения ток так же растет, только в этом случае его рост будет наблюдаться слабо. Доходя до отметки, она может быть любой. Все зависит от типа устройства. При достижении отметки происходит «пробой». После случившегося «пробоя» через smd начинает течь обратный ток большого значения. Именно в этот момент и начинается работа данного элемента до времени превышения его допустимого предела.

Как отличить стабилизационный диод от обычного полупроводника

Очень часто люди задаются вопросом, как можно отличить стабилитрон от стандартного полупроводника, ведь, как мы выяснили раньше, оба этих элемента имеют практически идентичное обозначение на электросхеме и могут выполнять схожие функции.
Самым простым способом отличить стабилизационный полупроводник от обычного является использование схемы приставки к мультиметру. С его помощью можно не только отличить оба элемента друг от друга, но и выявить напряжение стабилизации, которое характерно для данного смд (если оно, конечно, не превышает 35В).
Схема приставки мультиметра является DC-DC преобразователем, в которой между входом и выходом имеется гальваническая развязка. Эта схема имеет следующий вид:


Схема приставки мультиметра

В ней генератор с широтно-импульсной модуляцией выполняется на специальной микросхеме МС34063, а для создания гальванической развязки между измерительной частью схемы и источником питания контрольное напряжение следует снимать с первичной обмотки трансформатора. Для этой цели имеется выпрямитель на VD2. При этом величина для выходного напряжения или тока стабилизации устанавливается путем подбора резистора R3. На конденсаторе С4 происходит выделение напряжения примерно в 40В.
При этом проверяемый смд VDX и стабилизатор для тока А2 будут формировать параметрический стабилизатор. Мультиметр, который подключили к выводам Х1 и Х2, будет измерять на данном стабилитроне напряжение.
При подключении катода к «-«, а анода к «+» диода, а также к несимметричному смд мультиметра, последний покажет незначительное напряжение. Если подключать в обратной полярности (как на схеме), то в ситуации с обычным полупроводником прибор будет регистрировать напряжение около 40В.

Обратите внимание! Для симметричного смд напряжение пробоя будет появляться при наличии любой полярности подключения.

Здесь трансформатор Т1 будет намотан на торообразном ферритовом сердечнике с внешним диаметром в 23 мм. Такая обмотка 1 будет содержать 20 витков, а вторая обмотка — 35 витков провода ПЭВ 0,43. При этом важно при намотке укладывать виток к витку. Следует помнить, что первичная обмотка идет на одной части кольца, а вторая – на другой.
Проводя настройку прибора, подключите резистор вместо smd VDX. Этот резистор должен иметь номинал 10 кОм. А сопротивление R3 нужно подбирать для того, чтобы добиться напряжения в 40В на конденсаторе С4
Вот так можно выяснить, стабилитрон у вас или обычный диод.

Подробно о цветовой маркировке стабилизирующего диода


Любой диод (стабилитрон и т.д.) на своем корпусе содержит специальную маркировку, которая отражает то, какой материал использовался для изготовления каждого конкретного полупроводника. Такая маркировка может иметь следующий вид:

  • буква или цифра;
  • буква.

Кроме этого маркировка отражает электрические свойства и назначение прибора. Обычно за это отвечает цифра. Буква, в свою очередь, отражает соответствующую разновидность устройства. Кроме этого маркировка содержит дату изготовления и условное обозначение изделия.
Смд интегрального типа часто содержат полную маркировку. В такой ситуации на корпусе изделия имеется условный код, который обозначает тип микросхемы. Пример расшифровки нанесенной на корпус кодовой маркировки для микросхем приведен на рисунке:


Пример маркировки микросхем

Кроме этого имеется еще и цветовая маркировка. Она существует в нескольких вариантах, но наиболее часто используется японская маркировка (JIS-C-7012). Обозначения цветовой маркировки приведены в следующей таблице.

Цветовая маркировка стабилитрона

  • первая полоска обозначает тип устройства;
  • вторая – полупроводник;
  • третья – что это за прибор, а также, какая у него проводимость;
  • четвертая — номер разработки;
  • пятая — модификация устройства.

Нужно отметить, что четвертая и пятая полоски не очень важны для выбора изделия.

Заключение

Как видим, существует много разных маркировок и обозначений для стабилитрона, о которых нужно помнить при его выборе для домашней лаборатории и изготовления своими руками различных электротехнических приборов. Если хорошо владеть этим вопросом, то это залог правильного выбора.

Как выбрать датчик движения для туалета Как правильно выбрать для дома радиовыключатель света с пультом, как подключить

Стабилитрон или диод Зенера - подробное описание

Полупроводниковый прибор, каким является диод Зенера или как его еще называют стабилитрон, служит для стабилизации напряжения на выходе.

Принцип действия стабилитрона

Принцип работы прибора заключается в подаче на диод через резистор запирающего напряжения, величина которого превышает величину напряжения пробоя самого диода. До того времени, пока не наступил момент совершения пробоя, через стабилитрон идут токи утечки величина, которых очень незначительна, в тоже время сопротивление прибора очень высокое.

В момент совершения пробоя величина тока резко повысится, а значение дифференциального сопротивления понизится до самых малых величин. Благодаря этому свойству режим пробоя характеризуется стабильным значением напряжения в широких границах обратного тока. Иными словами стабилитрон служит для распределения тока резистора, на который приходится избыток напряжения, а также тока, составляющего полезную нагрузку.

Рис. №1. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) стабилитрона. Для работы стабилитрона используются участки ВАХ, на которых при существенных изменениях тока, напряжение практически  не изменяется, что бывает при обратном подключении прибора на участке электрического пробоя.

Рис.№2. Стабилитрон с резистором

Рис. №3. Стабилитрон, состоящий из двух последовательно-встречно подключенных диодов, служит для ограничения напряжения обеих полярностей.

 

Основа действия прибора строится на двух механизмах – это туннельный пробой и p-n-переход, его называют эффект Зенера и лавинный пробой p-n-перехода.

Основные электрические параметры, характеризующие стабилитрон

Рис. №4. Электрические характеристики важные для стабилитрона.

Пояснение главных величин, которые характеризуют стабилитрон:

  • Стабилизирующее напряжение – U раб, оно соответствует средней точке в месте стабилизации. Напряжение стабилизации – средняя величина между минимальным и предельно-максимальным значением стабилизируемого напряжения.
  • Минимальный ток стабилизации, для этого значения осуществляется лавинный пробой p-n-перехода обратимого действия, он неизменно соответствует минимальному значению стабилизируемого напряжения.
  • Максимальный предельно-допустимый ток стабилитрона.
  • Ток стабилизации или прямой ток, он определяется, как – Iст.ном = Imax – Imin. (он способен выдержать в течение продолжительного отрезка времени p-n-переход без термического разрушения.
  • Температурный коэффициент – величина, которая служит для определения отношения изменяющейся температуры окружающей среды при токе неизменной величины. Для каждого типа стабилитрона свойствен свой коэффициент температуры.
  • Дифференциальное сопротивление – величина, которая зависит от приращения стабилизационного напряжения к приращению тока в определенном диапазоне частоты.
  • Рассеиваемая мощность – величина мощности, обеспечивающей необходимую надежность и рассеиваемую на стабилитроне.

 

Типы стабилитронов

Существует три основных типа стабилитронов:

  1. Прецизионные стабилитроны – для них свойственно наличие повышенной стабильности напряжения. Пример: 2С191 или КС211.
  2. Двухсторонние – ограничивают и стабилизируют двухполярное напряжение. Пример: 2С170А или 2С182А.
  3. Быстродействующий стабилитрон – пониженная величина барьерной емкости и небольшая работа переходного процесса – это делает возможным работать в области кратковременных импульсов напряжений. Это такие стабилитроны: 2С175Е; КС182Е; 2С211Е.

Распределение по мощности – это мощные и маломощные стабилитроны.

 

Особенности использования стабилитронов

Для использования стабилитронов, особенно российских производителей не желательна работа вне зоны пробоя, что является следствием повышения, со временем, тока утечки. Например, на стабилитрон рассчитанный на U15 В, не рекомендуется подавать отличное от расчетного значение напряжения, по крайней мере необходимо следить за минимальным током стабилизации.

Во время неудачного разброса напряжений, при выборе его к предельному значению, может произойти перегрев устройства и возникает режим пробоя.

Нежелательно подключать стабилитроны в сеть в качестве предохранителя, последствия для стабилитрона будут плачевны, при превышении значения тока они выйдут из строя. Для защиты лучше всего использовать, в некоторых случаях, специализированные стабилитроны (супрессоры) марки ZY5.6. Установка стабилитрона (диода Зенера) в цепь низковольтного питания крайне нежелательно из того, что туннельный пробой при U обладает отрицательным температурным коэффициентом.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Похожее

Маркировка стабилитронов

Назначение стабилитрона

Особенности стабилитрона

Устройство стабилитрона

Стабилитрон или диод Зенера

Самым простым стабилизатором напряжения в электронике является радиоэлемент стабилитрон. Иногда его еще называют диодом Зенера. На схемах стабилитроны обозначаются примерно так:

Вывод с “кепочкой” называется также как и у диода – катод, а другой вывод – анод.

Стабилитроны выглядят также, как и диоды. На фото ниже, слева популярный вид современного стабилитрона, а справа один из образцов Советского Союза

Если присмотреться поближе к советскому стабилитрону, то можно увидеть это схематическое обозначение на нем самом, указывающее, где у него находится катод, а где анод.

Напряжение стабилизации

Самый главный параметр стабилитрона – это конечно же, напряжение стабилизации.Что это за параметр?

Давайте возьмем стакан и будем наполнять его водой…

Сколько бы воды мы не лили в стакан, ее излишки будут выливаться из стакана. Думаю, это понятно и дошкольнику.

Теперь по аналогии с электроникой. Стакан – это стабилитрон. Уровень воды в полном до краев стакане – это и есть напряжение стабилизации стабилитрона. Представьте рядом со стаканом большой кувшин с водой. Водой из кувшина мы как раз и будем заливать наш стакан водой, но кувшин при этом трогать не смеем. Вариант только один – лить воду из кувшина, пробив отверстие в самом кувшине. Если бы кувшин был меньше по высоте, чем стакан, то мы бы не смогли лить воду в стакан. Если объяснить языком электроники – кувшин обладает “напряжением” больше, чем “напряжение” стакана.

Так вот в стакане заложен весь принцип работы стабилитрона. Какую бы струю мы на него не лили (ну конечно в пределах разумного, а то стакан унесет и разорвет), стакан всегда будет полным. Но лить надо обязательно сверху. Это значит, напряжение, которое мы подаем на стабилитрон, должно быть выше, чем напряжение стабилизации стабилитрона.

Маркировка стабилитронов

Для того, чтобы узнать напряжение стабилизации советского стабилитрона, нам понадобится справочник. Например, на фото ниже советский стабилитрон Д814В:

Ищем на него параметры в онлайн справочниках в интернете. Как вы видите, его напряжение стабилизации при комнатной температуре примерно 10 Вольт.

Зарубежные стабилитроны маркируются проще. Если приглядеться, то можно увидеть незамысловатую надпись:

5V1 – это означает напряжение стабилизации данного стабилитрона составляет 5,1 Вольта. Намного проще, не так ли?

Катод у зарубежных стабилитронов помечается в основном черной полосой

Как проверить стабилитрон

Как же проверить стабилитрон? Да также как и диод! А как проверить диод, можно посмотреть в этой статье. Давайте же проверим наш стабилитрон. Ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся красным щупом к аноду, а черным к катоду. Мультиметр должен показать падение напряжения прямого PN-перехода.

Меняем щупы местами и видим единичку. Это значит, что наш стабилитрон в полной боевой готовности.

Ну что же, настало время опытов. В схемах стабилитрон включается последовательно с резистором:

где Uвх – входное напряжение, Uвых.ст. – выходное стабилизированное напряжение

Если внимательно глянуть на схему, мы получили ни что иное, как Делитель напряжения. Здесь все элементарно и просто:

Uвх=Uвых.стаб +Uрезистора

Или словами: входное напряжение равняется сумме напряжений на стабилитроне и на резисторе.

Эта схема называется параметрический стабилизатор на одном стабилитроне.

Итак, собираем схемку. Мы взяли резистор номиналом в 1,5 Килоом и стабилитрон на напряжение стабилизации 5,1 Вольта. Слева цепляем блок питания, а справа замеряем мультиметром полученное напряжение:

Теперь внимательно следим за показаниями мультиметра и блока питания:

Так, пока все понятно, еще добавляем напряжение… Опа на! Входное напряжение у нас 5,5 Вольт, а выходное 5,13 Вольт! Так как напряжение стабилизации стабилитрона 5,1 Вольт, то как мы видим, он прекрасно стабилизирует.

Давайте еще добавим вольты. Входное напряжение 9 Вольт, а на стабилитроне 5,17 Вольт! Изумительно!

Еще добавляем… Входное напряжение 20 Вольт, а на выходе как ни в чем не бывало 5,2 Вольта! 0,1 Вольт – это ну очень маленькая погрешность, ей можно даже в некоторых случаях пренебречь.

SMD коды Yxx

Расшифровка диодов, стабилитронов, транзисторов в SMD типе кодов Yxx с их кратким описанием…

 

Код

Наименование

Фирма

Корпус

Цоколевка

Эквивалент/Краткое описание

Диоды, стабилитроны

Y1(p,t) BZX84-C11 Philips SOT23

D1a

zener 0. 3W 11V
Y10 BZX84-C27 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 27V
Y11 BZX84-C30 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 30V
Y12 BZX84-C33 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 33V
Y13 BZX84-C36 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 36V
Y14 BZX84-C39 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 39V
Y15 BZX84-C43 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 43V
Y16 BZX84-C47 Philips SOT23

D1a

zener 0. 3W 47V
Y17 BZX84-C51 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 51V
Y18 BZX84-C56 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 56V
Y19 BZX84-C62 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 62V
Y2(p,t) BZX84-C12 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 12V
Y20 BZX84-C68 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 68V
Y21 BZX84-C75 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 75V
Y3(p,t) BZX84-C13 Philips SOT23

D1a

zener 0. 3W 13V
Y4(p,t) BZX84-C15 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 15V
Y5(p,t) BZX84-C16 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 16V
Y50 BZX84-A2V4 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 2.4V 1%
Y51 BZX84-A2V7 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 2.7V 1%
Y52 BZX84-A3V0 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 3.0V 1%
Y53 BZX84-A3V3 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 3.3V 1%
Y54 BZX84-A3V6 Philips SOT23

D1a

zener 0. 25W 3.6V 1%
Y55 BZX84-A3V9 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 3.9V 1%
Y56 BZX84-A4V3 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 4.3V 1%
Y57 BZX84-A4V7 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 4.7V 1%
Y58 BZX84-A5V1 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 5.1V 1%
Y59 BZX84-A5V6 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 5.6V 1%
Y6(p,t) BZX84-C18 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 18V
Y60 BZX84-A6V2 Philips SOT23

D1a

zener 0. 25W 6.2V 1%
Y61 BZX84-A6V8 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 6.8V 1%
Y62 BZX84-A7V5 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 7.5V 1%
Y63 BZX84-A8V2 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 8.2V 1%
Y64 BZX84-A9V1 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 9.1V 1%
Y65 BZX84-A10 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 10V 1%
Y66 BZX84-A11 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 11V 1%
Y67 BZX84-A12 Philips SOT23

D1a

zener 0. 25W 12V 1%
Y68 BZX84-A13 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 13V 1%
Y69 BZX84-A15 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 15V 1%
Y7(p,t) BZX84-C20 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 20V
Y70 BZX84-A16 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 16V 1%
Y71 BZX84-A18 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 18V 1%
Y72 BZX84-A20 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 20V 1%
Y73 BZX84-A22 Philips SOT23

D1a

zener 0. 25W 22V 1%
Y74 BZX84-A24 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 24V 1%
Y75 BZX84-A27 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 27V 1%
Y76 BZX84-A30 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 30V 1%
Y77 BZX84-A33 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 33V 1%
Y78 BZX84-A36 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 36V 1%
Y79 BZX84-A39 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 39V 1%
Y8(p,t) BZX84-C22 Philips SOT23

D1a

zener 0. 3W 22V
Y80 BZX84-A43 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 43V 1%
Y81 BZX84-A47 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 47V 1%
Y82 BZX84-A51 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 51V 1%
Y83 BZX84-A56 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 56V 1%
Y84 BZX84-A62 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 62V 1%
Y85 BZX84-A68 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 68V 1%
Y86 BZX84-A75 Philips SOT23

D1a

zener 0. 25W 75V 1%
Y9(p,t) BZX84-C24 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 24V
YA SMZG3801A GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 33V 10%
YB SMZG3801B GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 33V 5%
YC SMZG3802A GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 36V 10%
YD SMZG3802B GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 36V 5%
YE SMZG3803A GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 39V 10%
YF SMZG3803B GenSemi SMB

D7

zener 1. 5W 39V 5%
YG SMZG3804A GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 43V 10%
YH SMZG3804B GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 43V 5%
YI SMZG3805A GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 47V 10%
YJ SMZG3805A.B GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 47V 5%
YK SMZG3806A GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 51V 10%
YL SMZG3806B GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 51V 5%
YO BZX284-C2V4 Philips SOD110

D6

zener 0. 4W 2.4V E12 ±5%
YP BZX284-C2V7 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 2.7V E12 ±5%
YQ BZX284-C3V0 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 3.0V E12 ±5%
YR BZX284-C3V3 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 3.3V E12 ±5%
YS BZX284-C3V6 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 3.6V E12 ±5%
YT BZX284-C3V9 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 3.9V E12 ±5%
YU BZX284-C4V3 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 4.3V E12 ±5%
YV BZX284-C4V7 Philips SOD110

D6

zener 0. 4W 4.7V E12 ±5%
YW BZX284-C5V1 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 5.1V E12 ±5%
YX BZX284-C5V6 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 5.6V E12 ±5%
YY BZX284-C6V2 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 6.2V E12 ±5%
YZ BZX284-C6V8 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 6.8V E12 ±5%

Транзисторы

Y* 2SD1949 Rohm UMT3
Y* 2SD1484K Rohm SMT3
YQ 2PA1774JQ Philips SOT490
YQ 2PA1774Q Philips SC75
YR 2PA1774JR Philips SOT490
YR 2PA1774R Philips SC75
YR MSD601R Motorola SC59

T1a

SI-N gp 25V
YS 2PA1774JS Philips SOT490
YS 2PA1774S Philips SC75
YS MSD601S Motorola SC59

T1a

SI-N gp 25V

SMD коды 3xx - РадиоСхема

Код

Наименование

Фирма

Корпус

Цоколевка

Эквивалент/Краткое описание

Диоды, стабилитроны

30 SML4751 GenSemi SMA

D7

zener 1. 0W 30V 10%
301 PZM3.0NB1 Philips SC59

D1a

zener 0.3W 3.0V
302 PZM3.0NB2 Philips SC59

D1a

zener 0.3W 3.0V
30V PZM30NB Philips SC59

D1a

zener 0.3W 30V
30Y BZV49-C30 Philips SOT89

D3b

zener 1W 30V
31 MMBD1402 NatSemi SOT23

D1b

Si diode 200V 100mA
32 MMBD1403 Fairchild SOT23

D1i

dual Si diode 175V 200mA
33 MMBD1404 Fairchild SOT23

D1h

dual Si diode 175V 200mA
33 SML4752 GenSemi SMA

D7

zener 1. 0W 33V 10%
331 PZM3.3NB1 Philips SC59

D1a

zener 0.3W 3.3V
332 PZM3.3NB2 Philips SC59

D1a

zener 0.3W 3.3V
33V PZM33NB Philips SC59

D1a

zener 0.3W 33V
33Y BZV49-C33 Philips SOT89

D3b

zener 1W 33V
34 MMBD1405 Fairchild SOT23

D1j

dual Si diode 175V 200mA
36 SML4753 GenSemi SMA

D7

zener 1.0W 36V 10%
361 PZM3.6NB1 Philips SC59

D1a

zener 0. 3W 3.6V
362 PZM3.6NB2 Philips SC59

D1a

zener 0.3W 3.6V
36V PZM36NB Philips SC59

D1a

zener 0.3W 36V
36Y BZV49-C36 Philips SOT89

D3b

zener 1W 36V
39 SML4754 GenSemi SMA

D7

zener 1.0W 39V 10%
391 PZM3.9NB1 Philips SC59

D1a

zener 0.3W 3.9V
392 PZM3.9NB2 Philips SC59

D1a

zener 0.3W 3.9V
39V PZM39NB Philips SC59

D1a

zener 0. 3W 39V
39Y BZV49-C39 Philips SOT89

D3b

zener 1W 39V
3A0 PZM3.0NB2A Philips SC59

D1f

double zener 0.22W 3.0V
3A3 PZM3.3NB2A Philips SC59

D1f

double zener 0.22W 3.3V
3A6 PZM3.6NB2A Philips SC59

D1f

double zener 0.22W 3.6V
3A9 PZM3.9NB2A Philips SC59

D1f

double zener 0.22W 3.9V
3V0 PZM3.0NB Philips SC59

D1a

zener 0.3W 3.0V
3V3 PZM3.3NB Philips SC59

D1a

zener 0. 3W 3.3V
3V6 PZM3.6NB Philips SC59

D1a

zener 0.3W 3.6V
3V9 PZM3.9NB Philips SC59

D1a

zener 0.3W 3.9V
3Y0 BZV49-C3V0 Philips SOT89

D3b

zener 1W 3.0V
3Y3 BZV49-C3V3 Philips SOT89

D3b

zener 1W 3.3V
3Y6 BZV49-C3V6 Philips SOT89

D3b

zener 1W 3.6V
3Y9 BZV49-C3V9 Philips SOT89

D3b

zener 1W 3.9V

Транзисторы

30 MUN5330DW1 Motorola SOT363

T6c

npn/pnp 1k0+1k0 bias res
301 FDV301N Fairchild SOT23

T1d

n-ch digital fet 25V 0. 22A
302 FDV302P Fairchild SOT23

T1d

p-ch digital fet 25V 0.12A
303 FDV303N Fairchild SOT23

T1d

n-ch digital fet 25V 0.68A
304 FDV304P Fairchild SOT23

T1d

p-ch digital fet 25V 0.46A
31 MUN5331DW1 Motorola SOT363

T6c

npn/pnp 2k2+2k2 bias res
31 PDTA124XE Philips SC75
31 PDTA124XEF Philips SOT490
32 MUN5332DW1 Motorola SOT363

T6c

npn/pnp 4k7+4k7 bias res
32 PDTC124XE Philips SC75
32 PDTC124XEF Philips SOT490
33 DTA143XE Rohm EMT3
33 DTA143XUA Rohm UMT3
33 MUN5333DW1 Motorola SOT363

T6c

npn/pnp 4k7+47k bias res
33 PDTC114YE Philips SC75
331 NDS331N Fairchild SOT23

T1d

n-ch mosfet 1. 3A 20V
332 NDS332P Fairchild SOT23

T1d

p-ch mosfet 1A 20V
335 NDS335N Fairchild SOT23

T1d

n-ch mosfet 1.7A 20V
336 NDS336P Fairchild SOT23

T1d

n-ch mosfet 1.2A 20V
337 NDS337P Fairchild SOT23

T1d

n-ch mosfet 2.5A 20V
338 FDN338P Fairchild SOT23 p-ch mosfet 1.6A 20V
34 MUN5334DW1 Motorola SOT363

T6c

npn/pnp 22k+47k bias res
34 PDTC143XE Philips SC75
35 DTA124XE Rohm EMT3
35 DTA124XUA Rohm UMT3
35 MUN5335DW1 Motorola SOT363

T6c

npn/pnp 2k2+47k bias res
35 PDTA143XE Philips SC75
351 NDS351N Fairchild SOT23

T1d

n-ch mosfet 1. 1A 30V
351A NDS351AN Fairchild SOT23

T1d

n-ch mosfet 1.2A 30V
352 NDS352P Fairchild SOT23

T1d

p-ch mosfet 0.85A 20V
352A NDS352AP Fairchild SOT23

T1d

p-ch mosfet 0.9A 30V
355 NDS355N Fairchild SOT23

T1d

n-ch mosfet 1.6A 30V
355A NDS355AN Fairchild SOT23

T1d

n-ch mosfet 1.7A 30V
356 NDS356P Fairchild SOT23

T1d

p-ch mosfet 1.1A 20V
356A NDS356AP Fairchild SOT23

T1d

p-ch mosfet 1. 1A 30V
357 FDN357N Fairchild SOT23 p-ch mosfet 2.5A 30V
358 FDN358P Fairchild SOT23 p-ch mosfet 1.6A 20V
3A BC856AT Philips SC75

T1a

SI-P BC556A
3A BC856AW Motorola SOT323

T1a

SI-P BC556A
3A MMBTh34 Motorola SOT23

T1a

SI-N VHF mixer fT 600MHz
3A- BC856AW Philips SOT323

T1a

SI-P BC556A
3A(p,s,t) BC856A Phi Inf Mot SOT23

T1a

SI-P BC556A
3At BC856AW Philips SOT323

T1a

SI-P BC556A
3B BC856BT Philips SC75

T1a

SI-P 65V 0. 1A BC556B
3B BC856BW Mot Infin SOT323

T1a

SI-P 65V 0.1A BC556B
3B BC856BW Infineon SOT323

T1a

SI-P 65V 0.1A BC556B
3B FMMT918 Zetex SOT23

T1a

2N918
3B MMBT918 Motorola SOT23

T1a

2N918
3B- BC856BW Philips SOT323

T1a

SI-P 65V 0.1A BC556B
3B(p,s,t) BC856B Phi Inf Mot SOT23

T1a

SI-P 65V 0.1A BC556B
3Bt BC856BW Philips SOT323

T1a

SI-P 65V 0. 1A BC556B
3C(s) BC857S Infineon SOT363

T6c

2xSI-P separate pair gp AF
3D MMBTH81 Motorola SOT23

T1a

SI-P UHF fT 600MHz
3D- BC856W Philips SOT323

T1a

SI-P BC556 hfe 75 min
3D(p,t) BC856 Philips SOT23

T1a

SI-P BC556 hfe 75 min
3D(s) BC856S Infineon SOT363

T6c

2xSI-P separate pair gp AF
3Dt BC856W Philips SOT323

T1a

SI-P BC556 hfe 75 min
3E BC857A Infineon SOT23

T1a

SI-P BC557A
3E BC857AT Philips SC75

T1a

SI-P BC557A
3E BC857AW Motorola SOT323

T1a

SI-P BC557A
3E FMMTA42 Zetex SOT23

T1a

SI-N 300V 0. 2A
3E MMBTh20 Motorola SOT23

T1a

MPSh20 fT 650MHz
3E- BC857AW Philips SOT323

T1a

SI-P BC557A
3E(p,t) BC857A Philips SOT23

T1a

SI-P BC557A
3EM MMBTh20 Motorola SOT23

T1a

VHF amp 650MHz fT
3Et BC857AW Philips SOT323

T1a

SI-P BC557A
3EZ FMMTh20 Zetex SOT23

T1a

SI-N fT 650MHz
3F BC857B ITT Infin SOT23

T1a

SI-P 45V 0. 1A 150MHz BC557B
3F BC857BT Philips SC75

T1a

SI-P 45V 0.1A 150MHz BC557B
3F BC857BW Mot Infin SOT323

T1a

SI-P 45V 0.1A 150MHz BC557B
3F- BC857BW Philips SOT323

T1a

SI-P 45V 0.1A 150MHz BC557B
3F(p,t) BC857B Philips SOT23

T1a

SI-P 45V 0.1A 150MHz BC557B
3Ft BC857BS Philips SOT363 SI-P 45V 0.1A 150MHz BC557B
3Ft BC857BW Philips SOT323

T1a

SI-P 45V 0.1A 150MHz BC557B
3G BC857C ITT Infin SOT23

T1a

SI-P BC557C
3G BC857CT Philips SC75

T1a

SI-P BC557C
3G BC857CW Infineon SOT323

T1a

SI-P BC557C
3G MGSF3454X Motorola SOT363

T6g

n-ch enh tmosfet 1. 75A
3G- BC857CW Philips SOT323

T1a

SI-P BC557C
3G(p,t) BC857C Philips SOT23

T1a

SI-P BC557C
3Gt BC857CW Philips SOT323

T1a

SI-P BC557C
3H- BC857W Philips SOT323

T1a

SI-P BC557
3H(p,t) BC857 Philips SOT23

T1a

SI-P BC557
3Ht BC857W Philips SOT323

T1a

SI-P BC557
3J BC858A Phi Mot Inf SOT23

T1a

SI-P BC558A
3J BC858AW Motorola SOT323

T1a

SI-P BC558A
3J BCV62A Infineon SOT143

T4i

SI-P current mirror hFe 180
3J MMBTH69 Motorola SOT23

T1a

SI-P UHF fT 2GHz
3J(p,s) BCV62A Phil Infin SOT143

T4i

SI-P current mirror hFe 180
3K BC858B Phi ITT Inf SOT23

T1a

SI-P BC558B
3K BC858BW Mot Infin SOT323

T1a

SI-P BC558B
3K(p,s) BCV62B Phil Infin SOT143

T4i

SI-N current mirror hfe=290
3L BC858C Phi ITT Inf SOT23

T1a

SI-P BC558C
3L BC858CW Mot Infin SOT323

T1a

SI-P BC558C
3L(p,s) BCV62C Phil Infin SOT143

T4i

SI-P current mirror hfe=520
3M BC858 Philips SOT23

T1a

SI-P BC558
3Mp BCV62A Philips SOT143

T4i

SI-P current mirror hFe 180
3N MMBT4402 NatSemi SOT23

T1a

SI-P 2N4402
3R MMBT5571 Fairchild SOT23

T1a

SI-P sw 15V 0.2A 850MHz
3S MMBT5551 Fairchild SOT23

T1a

SI-N 160V 200mA 100MHz
3T HT3 Zetex SOT23

T1a

SI-N 80V 100mA
3W FMMT-A12 Zetex SOT23

T1a

MPSA12
3X MUN5330DW1 Motorola SOT363

T6c

npn/pnp 1k+1k bias res

Предыдущая запись

Джейлбрейк и анлок iPhone 3GS с помощью Sn0wBreeze 2.9.3 (Windows) для iOS 5.0.1

Следующая запись

SMD коды Zxx

Вам также могут понравиться

Стабилитрон. Устройство, применение и характеристики

Стабилитрон (или диод Зенера) — сильно легированный полупроводниковый диод, который предназначен для работы в обратном направлении. Другими словами, диод, который специально разработан для оптимизации области пробоя, известен как стабилитрон.

Ниже показано графическое обозначение стабилитрона на электрических схемах:

Устройство стабилитрона

Устройство стабилитрона показано на рисунке ниже. Стабилитрон используется в режиме обратного смещения. Обратное смещение означает, что материал n-типа диода подключен к положительной клемме источника питания, а материал p-типа подключен к отрицательной клемме источника питания. Область истощения (обедненная область) диода очень тонкая, потому что он сделан из сильно легированного полупроводникового материала.

Принцип работы стабилитрона

Стабилитрон изготовлен из сильно легированного полупроводникового материала. Сильно легированный означает, что полупроводниковый материал имеет высокое содержание  примесей и это повышает его проводимость. Область обеднения стабилитрона очень тонкая из-за примесей. Сильно легирующий материал увеличивает напряженность электрического поля в обедненной области элемента даже при небольшом обратном напряжении.

Когда смещение стабилитрона не применяется, электроны остаются в валентной зоне материала р-типа и ток через диод не протекает. Зона, в которой находятся валентные электроны (крайняя электронная орбита), называется электроном валентной зоны. Электроны валентной зоны легко переходят из одной полосы в другую, когда на нее подается внешняя энергия.

Когда обратное смещение применяется к диоду и напряжение питания равно напряжению стабилитрона, оно начинает проводить в обратном направлении смещения. Напряжение стабилитрона — это напряжение, при котором область обеднения полностью исчезает.

Обратное смещение через диод увеличивает напряженность электрического поля в области истощения. Таким образом, это позволяет электронам перемещаться из валентной зоны материала p-типа в зону проводимости материала n-типа. Эта передача электронов валентной зоны в зону проводимости уменьшает барьер между материалом p и n-типа. Когда область истощения исчезает практически полностью, диод начинает проводить в обратном направлении.

Вольт-амперная характеристика стабилитрона

Вольт-амперная характеристика стабилитрона (диода Зенера) показана на рисунке ниже. Эта кривая показывает, что стабилитрон, когда подключен напрямую, ведет себя как обычный диод. Но когда на него подается обратное напряжение и обратное напряжение выходит за пределы заданного значения, в диоде происходит пробой и он начинает работать как стабилитрон.

При пробое диода Зенера ток начинает течь в обратном направлении. График пробоя стабилитрона не совсем вертикальный, как показано выше, который показывает, что стабилитрон имеет сопротивление. Напряжение на диоде Зенера представлено уравнением, показанным ниже.

Применение стабилитрона

Диод Зенера в основном используется в коммерческих и промышленных применениях. Ниже приведены основные применения стабилитрона:

В качестве стабилизатора напряжения — стабилитрон используется для регулирования напряжения. Он обеспечивает постоянное напряжение от источника напряжения к нагрузке. Стабилитрон подключается параллельно нагрузке и поддерживает постоянное напряжение UZ и, следовательно, стабилизирует напряжение.

Для защиты измерителя — стабилитрон обычно используется в мультиметрах для защиты измерителя от случайных перегрузок. Измерительный элемент подключен параллельно с диодом Зенера. Когда в цепи происходит перегрузка, большая часть тока проходит через стабилитрон. Таким образом, измерительный элемент защищается от повреждений.

Для формирования сигнала — стабилитрон используется для преобразования синусоидальной волны в прямоугольную. Это можно сделать, подключив два стабилитрона встречно последовательно с сопротивлением.

Когда напряжение, подаваемое на нагрузку, меньше напряжения пробоя стабилитрона, диод Зенера имеет высокое внутреннее сопротивление, что эквивалентно разрыву электрической сети (разомкнутый контакт) и ток протекает только через нагрузку. Когда напряжение становится больше напряжения пробоя стабилитрона, сопротивление стабилитрона резко снижается, что является аналогом короткого замыкания (контакт замкнут) и ток протекает через стабилитрон, а не через нагрузку. Из-за чего происходит сильное падение напряжения в цепи, после падения напряжения в цепи ниже напряжения пробоя стабилитрона, сопротивление диода Зенера восстанавливается и ток перестает протекать через него. Таким образом, осуществляется защита чувствительных элементов электрической цепи от перенапряжения.

Последовательное включение стабилитронов. Принцип работы и маркировка стабилитронов. Вольт-амперная характеристика стабилитрона

При выпрямлении более высоких напряжений приходится соединять стабилитроны последовательно с тем, чтобы обратное напряжение на каждом стабилитроне не превышало предельного. Но вследствие разброса обратных сопротивлений у различных экземпляров стабилитронов одного и того же типа на отдельных диодах обратное напряжение может оказаться выше предельного, что повлечет пробой диодов.

Для того чтобы обратное напряжение распределялось равномерно между стабилитронами независимо от их обратных сопротивлений, применяют шунтирование стабилитронов резисторами (рисунок 3). Сопротивления R ш резисторов должны быть одинаковы и значительно меньше наименьшего из обратных сопротивлений стабилитронов. Однако R ш не должно быть слишком малым, чтобы чрезмерно не возрос ток при обратном напряжении, т. е. чтобы не ухудшилось выпрямление.

Параллельное соединение стабилитронов применяют в том случае, когда нужно получить прямой ток, больший предельного тока одного стабилитрона. Но если стабилитроны одного типа просто соединить параллельно, то вследствие неодинаковости вольт-амперных характеристик они окажутся различно нагруженными и в некоторых ток будет больше предельного. Различие в прямом токе у однотипных стабилитронов может составлять десятки процентов.(дорисовать палочку в диоде чтобы получился стабилитрон)

Однополупериодный выпрямитель

Когда на диод со вторичной обмотки трансформатора поступает напряжение положительной полярности ("+" приложен к аноду диода), диод открывается, и через нагрузку протекает ток, определяемый напряжением на обмотке и сопротивлением нагрузки. Падение напряжения на кремниевом диоде (около 1 В) обычно мало по сравнению с питающим. Напряжение на выходе выпрямителя имеет вид однополярных импульсов, форма которых практически повторяет форму положительной полуволны переменного напряжения.

Среднее значение выпрямленного напряжения равно:

Среднее значение выпрямленного тока:

Действующее значение тока нагрузки:

Коэффициент пульсаций р (отношение амплитуды первой гармоники к выпрямленному напряжению):

Недостатки однополупериодного выпрямителя:

Большой коэффициент пульсаций;

Малые значения выпрямленного тока и напряжения;

Низкий КПД, т.к. ток нагрузки имеет постоянную составляющую, которая вызывает подмагничивание сердечника трансформатора и уменьшение его магнитной проницаемости.

Рабочий режим ПД

Режим диода с нагрузкой называется рабочим режимом. Если бы диод обладал линейным сопротивлением, то расчет тока в подобной схеме не пред­ставлял бы затруднений, так как общее сопротивление цепи равно сумме сопро­тивления диода постоянному току R o и сопротивления нагрузочного резистора R н. Но диод обладает нелинейным сопротивлением, и значение R o у него из­меняется при изменении тока. Поэтому расчет тока делают графически. Задача состоит в следующем: известны значения Е, R н и характеристика диода, требуется определить ток в цепи и напряжение на диоде.

Характеристику диода следует рас­сматривать как график некоторого урав­нения, связывающего величины i и и. А для сопротивления R H подобным

уравнением является закон Ома: i = u R /R H = (Е - u )/R н. Итак, имеются два уравнения с дву­мя неизвестными i и и, причем одно из уравнений дано графически. Для реше­ния такой системы уравнений надо по­строить график второго уравнения и найти координаты точки пересечения двух графиков.

ВАХПД.

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) – это зависимость тока, протекающего через электронный прибор, от приложенного напряжения. Вольт-амперной характеристикой называют также и график этой зависимости.

Приборы, принцип действия которых подчиняется закону Ома, а ВАХ имеет вид прямой линии, проходящей через начало координат, называют линейными . Приборы, для которых ВАХ не является прямой линий, проходящей через начало координат называются нелинейными . Диод представляет собой пассивный нелинейный электронный прибор.

Вольт-амперная характеристика диода описывается выражением I =I 0 , где I 0 – тепловой ток (обратный ток, образованный за счет неосновных носителей; U Д – напряжение на p-n- переходе; j T – тепловой потенциал, равный контактной разности потенциалов на границе на p-n- перехода при отсутствии внешнего напряжения (при T =300 K, j T =0.025 В).

При отрицательных значениях напряжения менее 0,1 В в выражении (1) пренебрегают единицей, и обратный ток диода определяется значением теплового тока. По мере возрастания положительного напряжения на p-n -переходе прямой ток резко возрастает по экспоненте. Поэтому ВАХ, имеет вид, приведенный на рисунке 3

Рассмотренная характеристика является теоретической ВАХ диода. Она не учитывает рекомбинационно-генерационных процессов, происходящий в объеме и на поверхности p-n -перехода, считая его бесконечно тонким и длинным. ВАХ реального диода, имеет вид, приведенный на рисунке 3 (сплошная линия).

Характеристика для прямого тока вначале имеет значительную нелинейность, т. к. при увеличении напряжения сопротивление запирающего слоя уменьшается. Поэтому кривая идет вверх со все большой крутизной. Но при некотором значении напряжения запирающий слой практически исчезает и остается только сопротивление n- и p- областей, которое приближенно можно считать постоянным. Поэтому далее характеристика становиться почти линейной.Обратный ток при увеличении обратного напряжения сначала быстро возрастает. Это вызвано тем, что уже при небольшом обратном напряжении за счет повышения потенциального барьера в переходе резко снижается диффузионный ток, который направлен навстречу току проводимости. Следовательно, полный ток резко увеличивается. Однако при дальнейшем повышении обратного напряжения ток растет незначительно.

Переход метал-ПП.

В современных полупроводниковых приборах помимо контактов с электронно-дырочным переходом применяют­ся также контакты между металлом и полупроводником. Процессы в таких переходах зависят от так называемой заботы выхода электронов, т. е. от той энергии, которую должен затратить электрон, чтобы выйти из металла или полупроводника. Чем меньше работа выхода, тем больше электронов мо­жет выйти из данного тела.

Если в контакте металла с полу­проводником п-типа (рис. 2.5, а) работа выхода электронов из металла А м мень­ше, чем работа выхода из полупровод­ника А т то будет преобладать выход электронов из металла в полупроводник. Поэтому в слое полупроводника около границы накапливаются основные но­сители (электроны), и этот слой стано­вится обогащенным, т. е. в нем увели­чивается концентрация электронов. Со­противление этого слоя будет малым при любой полярности приложенного напря­жения, и, следова­тельно, такой переход

не обладает выпрямляющими свойства­ми. Его называют невыпрямляющим (омическим) контактом. Подобный же невыпрямляющий переход получается в контакте металла с полупроводником р-типа (рис. 2.5,6), если работа выхода электронов из полупроводника меньше, чем из металла (А п В этом случае из полупроводника в металл уходит больше электронов, чем в обратном на­правлении, и в при­граничном слое полу­проводника также образуется область, обогащенная основными носителями (дыр­ками), имеющая малое сопротивле­ние. Рис. 2.5, в. Если в контакте металла с полупровод­ником п-типа А п то электроны будут переходить главным образом из полупроводника в металл и в приграничном слое полу­проводника образуется область, обед­ненная основными носителями и поэто­му имеющая большое сопротивление. Здесь создается сравнительно высокий потенциальный барьер. Такой переход обладает вы­прямляющими свойствами. Подобные переходы в свое время исследовал немец­кий ученый В. Шотки, и поэтому потен­циальный барьер, возникающий в данном случае, называют барьером Шотки, а диоды с этим барьером - диодами Шоттки

Простейшая схема включения стабилитрона в режиме стабилизации напряжения представлена на рис. 18. В этом режиме напряжение на стабилитроне

остается практически постоянным, поэтому и напряжение на нагрузке постоянно U Н = U ст – const. При этом уравнение для всей цепи имеет вид: E = U ст + R ст (I ст – I Н).

Наиболее часто стабилитрон работает в режиме, когда напряжение Е не стабильно, а R Н – const. Для поддержания режима стабилизации следует правильно выбрать R СТ. Обычно R СТ рассчитывают для средней точки А характеристики стабилитрона (рис. 19). Если предположить, что E min  E  E max , то

Если напряжение Е изменяется в какую либо сторону, то будет, и изменятся ток стабилитрона, но напряжение на нем U CT , а, следовательно, и на нагрузке остается практически неизменным.

Все изменения напряжения поглощаются R CT , поэтому должно выполнится условие:

Второй режим стабилизации: входное напряжение постоянно, а R Н изменяется в пределах от R Н min до R Н max , в этом случае:
,
;
.

Так как R CT постоянно, то падение напряжения на нем равное Е−U CT также постоянно, то и ток через R CT I CP +I Н CP должен быть постоянным. Это возможно, когда ток стабилизации I CP и I Н изменяются в одинаковой степени, но в противоположны стороны (т.е. сумма постоянна).

Из приведенных выражений следует, что для стабилизации в более широком диапазоне изменений входного напряжения Е, R CT нужно увеличивать, а для стабилизации в режиме изменения тока нагрузки, R CT необходимо уменьшать (уменьшать R CT – не выгодно, тратится лишняя энергия источника).

Если необходимо получить стабильное напряжение более низкое, чем дает стабилитрон, возможно включение добавочного сопротивления последовательно с нагрузкой (рис. 20). Значение R доб рассчитывают по закону Ома. Однако, в этом случае сопротивление нагрузки R CT должно быть постоянным.

U Н =U CT ─I Н R доб

Для получения более высоких стабильных напряжений применяется последовательное включение стабилитронов, с одинаковыми токами стабилизации (рис. 21).

U CT =U CT 1 +U CT 2

Для компенсации температурного дрейфа U CT последовательно со стабилитроном возможно включение термозависимого сопротивления R T , имеющее ТКR Т обратный по закону ТКU CT .

Для стабилитронов с ТКU CT >0 в качестве R T можно использовать p-n-переход дополнительного диода, включенного в прямом направлении.

Для стабилизации с термокомпенсацией выпускаются специальные двух-анодные стабилитроны, которые включаются в цепь произвольно, причем один диод включен в обратном направлении – обеспечивает режим стабилизации, а другой в прямом – режим термокомпенсации (рис. 22).

1.10.2. Стабисторы

ВАХ стабистора мало отличается от ВАХ выпрямительных диодов.

Однако для того чтобы обеспечить наибольшую крутизну прямой ветви ВАХ, стабисторы изготавливаются из высоколегированных полупроводников. Это обеспечивает малое r б и малое значение R диф. Слабая зависимость U ПР от I ПР на

рабочем участке (рис. 23) позволяет использовать стабисторы для стабилизации малых напряжений порядка 0,7В. Последовательным включением стабисторов можно подобрать требуемое напряжение стабилизации.

Простейший параллельный стабилизатор состоит из балластного резистора, включенного последовательно между источником питания и нагрузкой, и стабилитрона, шунтирующего нагрузку на общий провод («на землю»). Его можно рассматривать как делитель напряжения , в котором в качестве нижнего плеча используется стабилитрон. Разница между напряжением питания и напряжением пробоя стабилитрона падает на балластном резисторе, а протекающий через него ток питания разветвляется на ток нагрузки и ток стабилитрона. Стабилизаторы такого рода называются параметрическими: они стабилизируют напряжение за счёт нелинейности вольт-амперной характеристики стабилитрона, и не используют цепи обратной связи.

Расчёт параметрического стаилизатора на полупроводниковых стабилитронах аналогичен расчёту стабилизатора на газонаполненных приборах, с одним существенным отличием: газонаполненным стабилитронам свойственен гистерезис порогового напряжения. При емкостной нагрузке газонаполненный стабилитрон самовозбуждается, поэтому конструкции таких стабилизаторов как правило не содержат емкостных фильтров, а конструктору не нужно учитывать переходные процессы в этих фильтрах. В стабилизаторах на полупроводниковых стабилитронах гистерезис отсутствует, фильтрующие конденсаторы подключаются непосредственно к выводам стабилитрона и нагрузки - как результат, конструктор обязан учитывать броски тока заряда (разряда) этих емкостей при включении (выключении) питания. Наихудшими случаями, при которых вероятен выход из строя элементов стабилизатора или срыв стабилизации, являются:

  • Подача на вход стабилизатора максимально возможного напряжения питания при коротком замыкании выхода стабилизатора на общий провод - к примеру, на время зарядки разряженного конденсатора, подключенного непосредственно к выходу стабилизатора, или при катастрофическом отказе стабилитрона. Допустимая мощность рассеивания балластного резистора должна быть достаточной, чтобы выдержать подобное замыкание. В противном случае вероятно разрушение балластного резистора.
  • Подача на вход стабилизатора максимально возможного напряжения питания при отключении нагрузки от выхода стабилизатора. Допустимый ток стабилитрона должен превышать расчётный ток через балластный резистор, определяемый по закону Ома. В противном случае при разогреве кристалла стабилитрона свыше +175 °С стабилитрон разрушается. Соблюдение паспортной области безопасной работы так же важно для стабилитронов, как и для транзисторов .
  • Отбор нагрузкой максимально возможного тока при подаче на вход стабилизатора минимально возможного напряжения питания. Сопротивление балластного резистора должно быть достаточно мало, чтобы и в этих условиях ток через резистор превышал ток нагрузки на величину, равную минимально допустимому току стабилитрона. В противном случае ток стабилитрона прерывается, стабилизация прекращается.

На практике часто оказывается, что соблюсти все три условия нельзя как по соображениям себестоимости компонентов, так и из-за ограниченного диапазона рабочих токов стабилитрона. В первую очередь можно поступиться условием защиты от короткого замыкания, доверив её плавким предохранителям или тиристорным схемам защиты, или положиться на внутреннее сопротивление источника питания, которое не позволит ему выдать и максимальное напряжение, и максимальный ток одновременно.

Последовательное и параллельное включение

В документации на стабилитроны иностранного производства возможность их последовательного или параллельного включения обычно не рассматривается. В документации на советские стабилитроны встречаются две формулировки:

  • для приборов малой и средней мощности «допускается последовательное или параллельное соединение любого числа стабилитронов» [одной серии];
  • для приборов средней и большой мощности «допускается последовательное соединение любого числа стабилитронов [одной серии]. Параллельное соединение допускается при условии, что суммарная рассеиваемая мощность на всех параллельно включенных стабилитронах не превосходит максимально допустимой мощности для одного стабилитрона».

Последовательное соединение стабилитронов разных серий возможно при условии, что рабочие токи последовательной цепочки укладываются в паспортные диапазоны токов стабилизации каждой использованной серии. Шунтировать стабилитроны высокоомными выравнивающими резисторами так, как это делается в выпрямительных столбах, нет необходимости. «Любое число» последовательно соединённых стабилитронов возможно, но на практике ограничено техническими условиями на электробезопасность высоковольтных устройств. При соблюдении этих условий, при подборе стабилитронов по ТКН и их термостатировании возможно построение прецизионных высоковольтных эталонов напряжения. К примеру, в 1990-е годы лучшие в мире показатели стабильности имел стабилитронный эталон на 1 миллион В, построенный российской компанией «Мегавольт-Метрология» по заказу канадского энергетического института IREQ. Основная погрешность этой установки не превышала 20 ppm, а нестабильность по температуре - не более 2,5 ppm во всём рабочем диапазоне температур.

Составной стабилитрон

Если схема требует снимать со стабилитрона большие токи и мощности, чем это допустимо по техническим условиям, то между стабилитроном и нагрузкой включают буферный усилитель постоянного тока . В схеме «составного стабилитрона» коллекторный переход единственного транзистора, усиливающего ток, включен параллельно стабилитрону, а эмиттерный переход - последовательно со стабилитроном. Сопротивление, задающее смещение транзистора, выбирается таким образом, чтобы транзистор плавно окрывался при токе стабилитрона, примерно равном его номинальному току стабилизации. Например, при I ст.ном. =5 мА и U бэ.мин. =500 мВ сопротивление R=500 мВ/5 мA=100 Ом, а напряжение на «составном стабилитроне» равно сумме U ст.ном. и U бэ.мин. . При больших токах тразистор открывается и шунтирует стабилитрон, а ток стабилитрона прирастает незначительно - на величину, равную току базы транзистора, поэтому в первом приближении дифференциальное сопротивление схемы уменьшается в раз (- коэффициент усиления транзистора по току). ТКН схемы равен алгебраической сумме ТКН стабилитрона при I ст.ном. и ТКН прямо смещённого диода (примерно -2 мВ/°C), а её область безопасной работы на практике ограничена ОБР применяемого транзистора.

Схема составного стабилитрона не предназначена для работы на «прямом токе», но легко преобразуется в двустороннюю («двуханодный стабилитрон») с помощью диодного моста .

Базовая схема последовательного стабилизатора

Простейшая схема последовательного стабилизатора также содержит только стабилитрон, транзистор и балластное сопротивление, но транзистор в ней включен по схеме с общим коллектором (эмиттерным повторителем). Температурный коэффициент такого стабилизатора равен алгебраической разнице U ст.ном. стабилитрона и U бэ.мин. транзистора; для нейтрализации влияния U бэ.мин. в практических схемах последовательно со стабилитроном включают прямо включенный диод VD2. Минимальное падение напряжения на регулирующем транзисторе можно снизить, заменив балластный резистор на транзисторный источник тока.

Умножение напряжения стабилизации

Для стабилизации напряжения, превосходящего максимальное напряжение типовых малогабаритных стабилитронов, можно собрать составной «высоковольтный стабилитрон», например, набрать напряжение 200 В из последовательно соединённых стабилитронов на 90, 90 и 20 В. Но в тоже время напряжение шумов и нестабильность такой схемы могут оказаться неприемлемо высоки, а фильтрация шума высоковольтной цепочки потребует дорогих, массивных конденсаторов . Существенно лучшие характеристики имеет схема с умножением напряжения единственного малошумящего низковольтного стабилитрона на напряжение 5…7 В. В этой схеме, также как и в обычном термокомпенсированном стабилитроне, опорное напряжение равно сумме напряжения пробоя стабилитрона и напряжения перехода база-эмиттер биполярного транзистора. Коэффициент умножения опорного напряжения определяется делителем R2-R3. Действительный коэффициент умножения несколько больше расчётного из-за ответвления тока в базу транзистора.

По соображениям безопасности и простоты монтажа в стабилизаторе положительного напряжения удобнее применять pnp-транзистор, в стабилизаторе отрицательного напряжения - npn-транзистор. В таких конфигурациях коллектор силового транзистора электрически соединён с общим проводом и его можно крепить непосредственно к шасси без изолирующих прокладок. По соображениям доступности и себестоимости в стабилизаторах любой полярности проще и дешевле применять npn-транзисторы. При напряжениях и токах, типичных для ламповых усилителей, ёмкость конденсатора, шунтирующего стабилитрон, должна составлять несколько тысяч мкФ. При том она не только фильтрует низкочастотный шум стабилитрона, но и обеспечивает плавное нарастание напряжения при запуске схемы. Как результат, при включении питания возрастает тепловая нагрузка на последовательное сопротивление R1.

ИОН на термокомпенсированном стабилитроне

Термокомпенсированные стабилитроны обычно питаются постоянным током от транзисторного или интегрального источника тока. Использование базовой схемы с балластным резистором не имеет смысла, поскольку даже при питании схемы стабилизированным напряжением нестабильность по току будет неприемлемо велика. Слаботочные стабилитроны на ток 1 мА обычно запитываются от источников тока на биполярных транзисторах, полевых транзисторах с p-n-переходом, стабилитроны на ток 10 мА - от источников тока на МДП-транзисторах со встроенным каналом в режиме обеднения. Интегральные источники тока семейства LM134/LM334 допускают токи до 10 мА, но не рекомендуются к применению в схемах с током более 1 мА из-за высокой нестабильности по температуре (+0,336 %/°C).

Высокоомные нагрузки с постоянным, относительно термостабильным, сопротивлением можно подключать непосредственно к выводам стабилитрона. В иных случах между стабилитроном и нагрузкой включается буферный усилитель на прецизионном операционном усилителе или на дискретных биполярных транзисторах. В грамотно спроектированных схемах такого рода, прошедших длительную электротермотренировку, нестабильность при длительной работе составляет порядка 100 ppm в месяц - существенно выше того же показателя прецизионных интегральных ИОН.

Генератор белого шума на стабилитроне

Собственные шумы стабилитрона лавинного пробоя имеют спектр, близкий к спектру белого шума. В стабилитронах на напряжение 9…12 В уровень шума достаточно высок для того, чтобы его можно было использовать для целенаправленной генерации шума. Частотный диапазон такого генератора определяется полосой пропускания усилителя напряжения и может простираться до сотен МГц. На приведённых иллюстрациях показаны две возможные конструкции усилителей: в первом случае верхняя граничная частота усилителя (1 МГц) задаётся ёмкостью С2, во втором она определяется полосой пропускания интегральных усилителей (900 Мгц) и качеством монтажа.

Уровень шума конкретного стабилитрона мало предсказуем и может быть определён только опытным путём. Отдельные ранние серии стабилитронов отличались особо высоким уровнем шума, но по мере совершенствования технологии их вытеснили малошумящие приборы. Поэтому в серийных изделиях более оправдано применение не стабилитронов, а высокочастотных биполярных транзисторов в обратном включении, например, разработанного ещё в 1960-е годы транзистора 2N918 - спектр его шума простирается до 1 ГГц.

Программируемые перемычки на стабилитронах

Стабилитрон на базе обратно-смещённого эмиттерного перехода интегрального планарного npn-транзистора («поверхностный стабилитрон») отличается от дискретных стабилитронов малым предельным током стабилизации. Максимальный обратный ток, допустимый в типовой эмиттерной структуре с металлизацией алюминием , не превышает 100 мкА. При больших токах в приповерхностном слое происходит видимая глазу вспышка и под слоем оксида возникает алюминиевая перемычка, навсегда превращающая погибший стабилитрон в резистор с сопротивлением около 1 Ом.

Этот недостаток интегральных стабилитронов широко используется в производстве аналоговых интегральных схем для точной подстройки их параметров. В технологии пережигания стабилитронов (англ. zener zapping ) параллельно с коммутируемыми сопротивлениями формируются элементарные стабилитронные ячейки. При необходимости скорректировать величину сопротивления цепи или коэффициент делителя напряжения ненужные стабилитронные ячейки пережигаются импульсами тока длительностью 5 мс и силой 0,3-1,8 A, закорачивая соответствующие им резисторы. Тот же приём может применяться и в цифровых ИС с металлизацией алюминием.

Простейшая схема включения стабилитрона в режиме стабилизации напряжения представлена на рис. 18. В этом режиме напряжение на стабилитроне

остается практически постоянным, поэтому и напряжение на нагрузке постоянно U Н = U ст – const. При этом уравнение для всей цепи имеет вид: E = U ст + R ст (I ст – I Н).

Наиболее часто стабилитрон работает в режиме, когда напряжение Е не стабильно, а R Н – const. Для поддержания режима стабилизации следует правильно выбрать R СТ. Обычно R СТ рассчитывают для средней точки А характеристики стабилитрона (рис. 19). Если предположить, что E min £ E £ E max , то

Если напряжение Е изменяется в какую либо сторону, то будет, и изменятся ток стабилитрона, но напряжение на нем U CT , а, следовательно, и на нагрузке остается практически неизменным.

Все изменения напряжения поглощаются R CT , поэтому должно выполнится условие:

Второй режим стабилизации: входное напряжение постоянно, а R Н изменяется в пределах от R Н min до R Н max , в этом случае: , ; .

Так как R CT постоянно, то падение напряжения на нем равное Е−U CT также постоянно, то и ток через R CT I CP +I Н CP должен быть постоянным. Это возможно, когда ток стабилизации I CP и I Н изменяются в одинаковой степени, но в противоположны стороны (т.е. сумма постоянна).

Из приведенных выражений следует, что для стабилизации в более широком диапазоне изменений входного напряжения Е, R CT нужно увеличивать, а для стабилизации в режиме изменения тока нагрузки, R CT необходимо уменьшать (уменьшать R CT – не выгодно, тратится лишняя энергия источника).

Если необходимо получить стабильное напряжение более низкое, чем дает стабилитрон, возможно включение добавочного сопротивления последовательно с нагрузкой (рис. 20). Значение R доб рассчитывают по закону Ома. Однако, в этом случае сопротивление нагрузки R CT должно быть постоянным.

U Н =U CT ─ I Н R доб

Для получения более высоких стабильных напряжений применяется последовательное включение стабилитронов, с одинаковыми токами стабилизации (рис. 21).

U CT =U CT 1 +U CT 2

Для компенсации температурного дрейфа U CT последовательно со стабилитроном возможно включение термозависимого сопротивления R T , имеющее ТКR Т обратный по закону ТКU CT .

Для стабилитронов с ТКU CT >0 в качестве R T можно использовать p-n-переход дополнительного диода, включенного в прямом направлении.

Для стабилизации с термокомпенсацией выпускаются специальные двух-анодные стабилитроны, которые включаются в цепь произвольно, причем один диод включен в обратном направлении – обеспечивает режим стабилизации, а другой в прямом – режим термокомпенсации (рис. 22).

Стабисторы

ВАХ стабистора мало отличается от ВАХ выпрямительных диодов.

Однако для того чтобы обеспечить наибольшую крутизну прямой ветви ВАХ, стабисторы изготавливаются из высоколегированных полупроводников. Это обеспечивает малое r б и малое значение R диф. Слабая зависимость U ПР от I ПР на

рабочем участке (рис. 23) позволяет использовать стабисторы для стабилизации малых напряжений порядка 0,7В. Последовательным включением стабисторов можно подобрать требуемое напряжение стабилизации.

Туннельные диоды

Туннельные диоды – это полупроводниковые приборы, ВАХ которых имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением (рис. 24).

Туннельные диоды изготавливаются из полупроводников с высокой концентрацией примесей. Вследствие этого толщина запирающего слоя p-n-перехода очень мала (0,01¸0,02мкм), что создает условия для туннельного эффекта.

Наличие высокой концентрации примесей вызывает расщепление примесных уровней в зоны и сильное искривление энергетических зон.

При подаче обратного напряжения ток через диод резко увеличивается (туннелирование электронов из p в n область). Это эквивалентно туннельному пробою p-n-перехода.

При подаче прямого смещения возрастает поток электронов туннелированных из n области в p. По мере роста U пр происходит увеличение I пр, который достигает I max при U 1 (0 ¸ 1) (для германиевых диодов U 1 = 40 ¸ 50 мВ; для арсенид галлиевых - U 1 = 100 ¸ 150 мВ). При этих смещениях величина диффузионного тока через потенциальный барьер ничтожна, и I пр определяется только туннельным эффектом. При дальнейшем увеличении U ПР, I ПР уменьшается (перекрытие энергетических зон уменьшается). При U ПР = U 2 туннельный ток равен нулю (1¸2).

Этот участок ВАХ характеризуется отрицательным дифференциальным сопротивлением т.к. DI

В т.2 I ПР = I min – это обычный прямой диффузионный ток диода. (т.е. в т.2 туннельный диод ведет себя как обычный диод), туннельный эффект закончился.

При дальнейшем увеличении U ПР, I ПР увеличивается (2¸3) за счет роста диффузионного тока – преодоление электронов потенциального барьера.

Основные особенности ВАХ туннельных диодов:

Участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением R диф;

Большие токи при обратных смещениях.

Основные параметры:

Ток максимальный I max – соответствует пику ВАХ;

Ток минимальный I min – соответствует минимуму ВАХ;

Напряжение пика U 1 – соответствует току I max ;

Напряжение U 2 – соответствует I min ;

Максимальный I ПР;

U ПР соответствует I ПР max ;

Постоянное обратное напряжение;

Емкость диода.

Туннельные диоды используются в переключающих цепях сверхвысокого быстродействия (до 1000 мГц).

Разновидностью туннельных диодов являются обращенные диоды. Их особенность – это практическое отсутствие участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением на прямой ветви ВАХ (рис. 25).

По форме ВАХ обращенного диода представляет перевернутую ВАХ обычного диода.

Открытое состояние для таких диодов соответствует обратному смещению. При обратном смещении ток через диод очень сильно зависит от напряжения. Достоинство – диоды могут работать при очень малых напряжениях.

Они обладают хорошими частотными свойствами, т.к. туннелирование процесс малоинерционный, а смещения малы, поэтому практически отсутствует инжекция и накопление неосновных носителей.

Обращенные диоды используются в диапазоне СВЧ. Достоинством туннельных и обращенных диодов является высокая радиационная стойкость, вследствие высокой концентрации примесей.

Варикапы

Варикап – это полупроводниковый диод, который используется как нелинейная емкость, управляемая напряжением (емкость p-n-перехода – функция приложенного напряжения).

В варикапах используется барьерная емкость, т.к. диффузионная зашунтирована малым прямым сопротивлением p-n-перехода.

Варикап работает при обратных смещениях на p-n-переходе. Его емкость меняется в широких пределах (10¸1000 пФ) и определяется выражением:

,

где С 0 – емкость при U Д = 0, U K – значение контактного потенциала, U – приложенное обратное напряжение, n =2 – для резких p-n переходов, n=3 – для плавных переходов. С ростом U обр емкость уменьшается. Основной характеристикой варикапа является вольт-фарадная характеристика (ВФХ) (рис. 26).

Основные параметры:

Емкость варикапа С в – емкость, измеренная при заданном U обр;

Коэффициент перекрытия по емкости – отношение емкостей при двух заданных U обр; ,

− сопротивление потерь r П – суммарное активное сопротивление варикапа;

− добротность Q B – отношение реактивного сопротивления на заданной частоте Х С к сопротивлению потерь ;

ТКС В – температурный коэффициент С В.

Светоизлучающие диоды

Светоизлучающий диод – это полупроводниковый диод, предназначенный для отображения информации. Светодиод (СИД) получают на основе p-n или гетеропереходов с выпрямляющей ВАХ (рис. 27).

Излучение в области перехода вызвано самопроизвольной рекомбинацией носителей заряда при прохождении прямого тока. При этом рекомбинирующий электрон переходит из ЗП в ВЗ с выделением кванта света с энергией hu »DW 3З. Для получения квантов видимого света ширина ∆W ЗЗ должна составлять DW 3 ³1,7эВ. При DW 3

Такой величиной DW 33 обладают полупроводниковые соединения GaAsP с различным соотношением элементов 1,4

В обычных плоских переходах, кванты света поглощаются в кристалле полупроводника вследствие внутреннего отражения. Поэтому в СИД используют сферическую форму кристалла, либо плоский кристалл полупроводника вплавляют в сферическую каплю стекла или пластика, что снижает эффект внутреннего отражения (рис. 28).

Похожая информация.

Стабилитрон, он же диод Зенера, назван в честь первооткрывателя туннельного пробоя Кларенса Зенера и на схемах обозначается следующим образом.

Но в отличие от выпрямительного диода ток через него может течь в обоих направлениях.


Для лучшего понимания его работы, можно представить его как два диода, включённых встречно-параллельно, но с разным падением напряжения.


Для любого стабилитрона, падение напряжение на одном из его диодов равно примерно 0.7 вольт, а падение напряжение на другом зависит от выбранного стабилитрона, так как разные стабилитроны имеют различные напряжения стабилизации (от 3 до 400 вольт). Например, для BZX55C3V3 прямое падение напряжение равно 0.7 вольта, а напряжение пробоя, по нашей аналогии падение напряжения на втором диоде, равно 3.3 вольта.

Описанное выше становится более понятно если посмотреть на вольт - амперную характеристику(ВАХ) стабилитрона.


Правая ветвь ВАХ аналогична ВАХ диода, а левая отвечает за тот самый туннельный пробой. Пока обратное напряжение не достигло напряжения пробоя, ток через стабилитрон практически не течёт, не считая утечки. При дальнейшем увеличении обратного напряжения, в определенный момент начинается пробой, он характеризуется загибом ВАХ. Дальнейшее увеличение обратного напряжения приводит к туннельному пробою, в этом состоянии ток через стабилитрон растёт, а напряжение нет.

Отличительной чертой туннельного пробоя является, его обратимость, то есть после снятия приложенного напряжение стабилитрон вернётся в исходное состояние. Если же максимально допустимый ток будет превышен и произойдёт тепловой пробой, стабилитрон выйдет из строя.

Простейшая схема стабилизатора на стабилитроне выглядит следующим образом.


Давайте соберём её, подключив осциллограф вместо нагрузки и подадим на вход треугольный сигнал амплитудой 10 вольт. Напряжение генератора - первый канал, напряжение на стабилитроне - второй канал.


На осциллограмме видно, что напряжение на стабилитроне изменяется от -0,88 до 3,04 вольта.

Для того чтобы понять почему так происходит, давайте заменим схему выше двумя эквивалентными.
При прямом включения стабилитрона, когда на аноде плюс, на катоде минус.


При обратном включении стабилитрона, когда на аноде минус, на катоде плюс.

До этого мы не учитывали величину сопротивление нагрузки. Прежде чем рассматривать как поведёт себя схема под нагрузкой, необходимо ознакомиться с основными характеристиками стабилитрона.

  • Vz - напряжение стабилизации , обычно указывается минимальное и максимальное значение
  • Iz и Zz - минимальный ток стабилизации и сопротивление стабилитрона
  • Izk и Zzk - ток и сопротивление в точке, где начинается "излом" характеристики
  • Ir и Vr - обратный ток и напряжение при заданной температуре
  • Tc - температурный коэффициент
  • Izrm - максимальный ток стабилизации
Что же произойдёт когда мы подключим нагрузку?
Ток, протекающий через стабилитрон уменьшиться, так как часть его потечёт через нагрузку. Вопрос в том насколько уменьшится, если ток через стабилитрон станет меньше минимального тока стабилизации стабилитрон перестанет стабилизировать напряжение и всё напряжение питания окажется приложенным к нагрузке. Из этого можно сделать вывод, что при отключенной нагрузке ток через стабилитрон должен быть равен сумме 2-х токов, минимального тока стабилизации и тока нагрузки.
Эта сумма токов задается с помощью гасящего резистора, в нашей схеме его номинал 1К.

Формула для его вычисления выглядит следующим образом

Стабилитрон

, стабилитрон, 250 мВт SOT-23, поверхностный монтаж

% PDF-1.4 % 1 0 obj > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток BroadVision, Inc.2020-08-19T10: 35: 13 + 02: 002016-11-01T12: 42 + 01: 002020-08-19T10: 35: 13 + 02: 00application / pdf

  • BZX84C2V4ET1 - стабилитроны, 250 мВт SOT-23 поверхностный монтаж
  • ON Semiconductor
  • Эта серия стабилитронов предлагается в удобном пластиковом корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа.Эти устройства предназначены для регулирования напряжения с минимальными требованиями к пространству. Они хорошо подходят для таких приложений, как сотовые телефоны, портативные портативные устройства и печатные платы высокой плотности.
  • Acrobat Distiller 10.0.0 (Windows) uuid: 9e6ec9dd-b8df-47ea-9767-8fcb281cedd4uuid: 081feedb-93f3-4e23-8624-f9954a2c1236 конечный поток эндобдж 4 0 объект > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > поток HU [o6_q% aHaKh,! AZK.ץ 'FbfwzGϧO3 'J˜ \ HK

    * 06 = LC0e1wuu +] u- ڮ) t {

    Пластиковые кремниевые стабилитроны мощностью 3 Вт для поверхностного монтажа

    % PDF-1.4 % 1 0 obj > эндобдж 6 0 obj / Title (1SMB5913BT3 - Кремниевые стабилитроны с пластиковым поверхностным монтажом мощностью 3 Вт) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 объект > поток BroadVision, Inc.2020-05-16T09: 21: 19 + 08: 002016-04-26T15: 30: 25-07: 002020-05-16T09: 21: 19 + 08: 00application / pdf

  • 1SMB5913BT3 - Пластиковая поверхность мощностью 3 Вт Крепление кремниевых стабилитронов
  • s2190c
  • Эта полностью новая линейка стабилитронов мощностью 3 Вт предлагает следующее: преимущества.
  • Acrobat Distiller 10.1.16 (Windows) uuid: f515cc06-489e-4881-97de-1ca1a9583387uuid: 4c19b1fe-3ae1-49e6-8323-cf6e3eb109ab Распечатать конечный поток эндобдж 5 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > поток HVMo8 {s @ | Eujm $ AhG, 9doMm7f $ p0x'4f9 | epp6cXM = Q | 1 $ 28! P, 25 #) Fu0.νzx'Yp` $ A (b

    Построение идентификатора стабилитрона: 3 шага

    Диоды

    Диод - это полупроводник с двумя выводами, который действует как односторонний затвор для прохождения электрического тока. Когда вывод анода диода сделан более положительным по напряжению, чем его вывод , катод , известный как прямое смещение , ток может течь через устройство. Однако, если полярности поменяны местами (то есть катод становится более положительным, чем его анод) - состояние, известное как обратное смещение - диод будет блокировать поток электронов.

    Диоды используются в цепях, которые преобразуют или выпрямляют переменное напряжение в постоянное. Они также часто встречаются в схемах умножителя напряжения, схемах переключения напряжения, схемах ограничения напряжения и схемах регулятора напряжения. Чтобы узнать о новом дизайне, показывающем, что вы можете делать с обычными старыми диодами, ознакомьтесь с моим руководством «Сделайте солнечную панель с использованием диодов»!

    Характеристики

    Прямое напряжение (В f ): Ток течет в направлении стрелки (от анода к катоду) при условии, что прямое напряжение на диоде превышает его пороговое напряжение перехода .

    Пороговое напряжение перехода: Во многих случаях p-n-переход, составляющий диод, имеет порог 0,6 В, в то время как другие специальные типы диодов, такие как германиевые диоды, имеют пороговое значение 0,2 В, а диоды Шоттки часто можно найти с порогом 0,4 В. Однако не высекайте эти значения на камне, поскольку производственные значения могут отклонить эти пороговые значения более чем на вольт.

    Прямое смещение: Когда анод диода имеет более положительное напряжение, чем его катод

    Обратное смещение : Когда анод диода имеет более отрицательное напряжение, чем его катод.

    Обратите внимание на мои рисунки, приведенные ниже, чтобы увидеть это графически. Имейте в виду, что не все диодные переходы являются p-n-переходами, особенно шоттки, в которых используется металлический переход.


    Максимальный номинальный ток (I omax ): Также называется Максимальный прямой ток , это максимальный ток, который должен проходить через диод по соображениям безопасности, чтобы вы не сгорели.

    Пиковое обратное напряжение (PIV) Рейтинг: При обратном смещении и отрицательном обратном напряжении это отрицательное напряжение должно быть меньше, чем номинальное пиковое обратное напряжение диода.

    Виды диодов

    Как уже упоминалось, существует множество типов диодов, которые могут быть полезны в различных проектах, над которыми вы можете работать. Вот некоторые из лучших и краткое описание того, что они делают.

    Выпрямительные диоды : Эти диоды используются для выпрямления (преобразования) переменного напряжения и тока в постоянное напряжение и ток.
    Сигнальные / переключающие диоды : Часто используются в цепях, в которых задействованы малые токи и высокие частоты, например, радио и ВЧ.
    Диоды быстрого восстановления : сверхбыстрые переключающиеся диоды, используемые, среди прочего, для проведения реактивного тока нагрузки и выпрямления переменного тока.
    Диоды Шоттки: Эти диоды, использующие переход с металлическими проводниками, имеют более низкое напряжение f и обычно используются в схемах ограничения напряжения и модуляции насыщения транзисторов.
    Германиевые диоды : Они имеют низкое значение обратного сопротивления, обеспечивающее меньшее падение прямого напряжения на переходе, но имеют более высокое значение прямого сопротивления из-за их небольшой площади перехода.
    Светодиоды: Ач светодиод. Самый любимый всеми нами мигающий свет.

    Стабилитроны

    Стабилитроны вместо того, чтобы действовать как односторонний затвор для прохождения тока, действуют как двусторонний затвор для протекания тока. В прямом направлении легко пробить, часто 0,5 - 0,7 В, как у стандартного диода. Но в обратном направлении ток может течь, но его сложнее открыть. Требуемое напряжение равно напряжению пробоя стабилитрона . Это напряжение пробоя может быть любым от 1.От 8 В до 200 В. Номинальная мощность различается.

    Характеристики

    Напряжение пробоя (Vz):
    Напряжение, необходимое для открытия и протекания тока в обратном направлении. Это, возможно, основная характеристика стабилитрона (помимо, возможно, номинальной мощности).
    1. Постановление
    2. Регулировка нагрузки
    3. Разделенное питание от трансформатора без ответвлений
    4. Модификация формы волны и ограничитель
    5. Переключатель напряжения
    6. Регулятор напряжения бустерный
    7.Защита от перенапряжения

    стабилитрон% 20diode% 20marking% 20code% 20pm техническое описание и примечания к приложению

    2004 - стабилитрон SMD код маркировки 27 4F

    Аннотация: SMD-диод с кодом Шоттки 2F SMD стабилитрон с кодом 5F panasonic MSL level smd стабилитрон с кодом a2 SMD стабилитрон a2 smd стабилитрон 27 2f SMD стабилитрон с кодом 102 A2 SMD smd стабилитрон с кодом bf
    Текст: текст в файле отсутствует


    Оригинал
    PDF 2002/95 / EC) Стабилитрон SMD маркировка код 27 4F smd диод код шоттки маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ZENER DIODE a2 smd стабилитрон 27 2f Маркировочный код стабилитрона SMD 102 A2 SMD smd стабилитрон код bf
    ЗЕНЕР 148

    Аннотация: 1N414 * стабилитрон 182 диод стабилитрон 182 стабилитрон 102 ZENER 148 Datasheet стабилитрон 183 стабилитроны Выпрямители Шоттки 1N4148WT-7-F
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF AEC-Q101 AEC-Q101 BC817-16 BC817-16-7 BC817-16-7-F BC817-25 BC817-25-7 BC817-25-7-F BC817-40 AP02015 ЗЕНЕР 148 1N414 * стабилитрон стабилитрон 182 диод стабилитрон 182 стабилитрон 102 ZENER 148 Лист данных стабилитрон 183 Стабилитроны Выпрямители Шоттки 1N4148WT-7-F
    стабилитрон BZ

    Аннотация: стабилитрон BZ диод стабилитрон bz DIODE BZ JE SOT23 bz диод СИЛИКОНОВЫЙ ЗЕНЕР ДИОД ЗЕНЕР bzy стабилитрон minimelf
    Текст: Текст файла отсутствует


    OCR сканирование
    PDF fDO-213AB1: GLL47xxy N47xx " ZGL41-xxxy ZM47xx BZX85-yxx DO-35: DO-35 BZX79 стабилитрон БЖ стабилитрон БЖ диод стабилитрон бз ДИОД БЖ JE SOT23 bz диод КРЕМНИЙ ЗЕНЕР ДИОД ЗЕНЕР БЗЫ стабилитрон Стабилитрон minimelf
    2008 - система нумерации стабилитронов

    Аннотация: стабилитрон H 48 0 / 1N52428 стабилитрон SOT-23 DDZX10C DDZX8V2C DDZX12C DDZX13B DDZX43 J-STD-020D
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DDZX43 300 мВт AEC-Q101 ОТ-23 J-STD-020D DS30408 система нумерации стабилитронов Стабилитрон H 48 0 / 1N52428 стабилитрон Стабилитрон СОТ-23 DDZX10C DDZX8V2C DDZX12C DDZX13B DDZX43 J-STD-020D
    2008 - маркировка 683 стабилитрон

    Аннотация: 0 / 1N52428 стабилитрон стабилитрон ZL 7 диод kz стабилитрон маркировка KZ diode DDZ43 SOD-123 zn DDZ11C KS 2152 DDZ11B
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DDZ43 500 мВт AEC-Q101 OD-123 J-STD-020D MIL-STD-202, DS30407 маркировка 683 стабилитрон 0 / 1N52428 стабилитрон стабилитрон диодный ZL 7 диод кз стабилитрон маркировка КЗ диод DDZ43 СОД-123 цин DDZ11C KS 2152 DDZ11B
    2008 - система нумерации стабилитронов

    Аннотация: Стабилитрон H 48 DDZ9690S Стабилитрон MD 202 SOD-323 DDZ9689S DDZ9691S DDZ9692S DDZ9693S J-STD-020D
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DDZ9689S DDZ9717S OD-323 J-STD-020D MIL-STD-202, DS30409 система нумерации стабилитронов Стабилитрон H 48 DDZ9690S MD 202 Стабилитрон СОД-323 DDZ9691S DDZ9692S DDZ9693S J-STD-020D
    2003 - стабилитрон ВЗ 1.2 v

    Резюме: ZENER
    Текст: Нет текста в файле


    Оригинал
    PDF DDZX9682W DDZX9716W ОТ-323 ОТ-323, J-STD-020A MIL-STD-202, DDZX9707W DDZX9713W DDZ9713W DDZ9716W стабилитрон ВЗ 1.2 в ЗЕНЕР
    2003 - Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DDZX47TS ОТ-363 ОТ-363, J-STD-020A MIL-STD-202, DDZX20CTS-DDZX30DTS DS30416 DDZX30DTS-DDZX47TS
    2003 - стабилитрон 7.5 В 48

    Резюме: SOD-123 KN DS30407 6V8C
    Текст: Текст файла недоступен


    Оригинал
    PDF DDZ43 DDZ10C DDZ11C DDZ12C DDZ13B DDZ14 DDZ15 DDZ16 DDZ18C DDZ20C стабилитрон 7,5 В 48 СОД-123 кН DS30407 6V8C
    2003 - стабилитрон 7.5 B 48

    Аннотация: DDZX14W 6V8C
    Текст: Текст файла недоступен


    Оригинал
    PDF DDZX47W DDZX10CW DDZX11CW DDZX12CW DDZX13BW DDZX14W DDZX15W DDZX16W DDZX18CW DDZX20CW стабилитрон 7.5 В 48 6V8C
    2012 - ЗЕНЕР ДИОД yt

    Аннотация: GX SOT23 "Маркировка 183" стабилитрон, зеленый DDZX7V5C Таблица стабилитронов DDZX8V2C DDZX26
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DDZX43 300 мВт AEC-Q101 J-STD-020 MIL-STD-202, DS30408 ЗЕНЕР ДИОД yt GX SOT23 "Маркировка 183" стабилитрон зеленый DDZX7V5C Таблица стабилитронов DDZX8V2C DDZX26
    2006 - стабилитрон 1.2 v

    Аннотация: стабилитрон A3 стабилитрон DIODE A1 H 48 стабилитрон стабилитрон 12c 10c стабилитрон ZENER C2 стабилитрон c1 A2 стабилитрон A2 9 стабилитрон
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DDZX43TS ОТ-363 J-STD-020C MIL-STD-202, DS30416 стабилитрон 1.2 в стабилитрон A3 стабилитрон ДИОД А1 Стабилитрон H 48 стабилитрон 12c 10c стабилитрон ЗЕНЕР С2 стабилитрон c1 Стабилитрон A2 Стабилитрон A2 9
    2003 - H 48 стабилитрон, схема

    Аннотация: МАРКИРОВКА GX SOT323 DDZX14W DDZX22DW DDZX20CW DDZX18CW DDZX16W DDZX15W диод yz 140 стабилитрон DDZX12CW
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DDZX47W ОТ-323 ОТ-323, J-STD-020A MIL-STD-202, DDZX20CW DDZX30DW DDZX30DW Схема стабилитрона H 48 МАРКИРОВКА GX SOT323 DDZX14W DDZX22DW DDZX18CW DDZX16W DDZX15W диод yz 140 стабилитрон DDZX12CW
    2003-стабилитрон ВЧ

    Аннотация: DDZ9684 ZENER DIODE 47 маркировка стабилитрона HG 9698 код маркировки 30C маркировка HG ZENER DIODE с Iz max Iz min DDZ9681 DDZ9682
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DDZ9681 DDZ9682 DDZ9683 DDZ9684 DDZ9685 DDZ9686 DDZ9687 DDZ9688 DDZ9689 DDZ9690 ЗЕНЕР ДИОД ВЧ ЗЕНЕР ДИОД 47 Маркировка стабилитрона HG 9698 код маркировки типа 30C маркировка HG ЗЕНЕР ДИОД с Iz max Iz min
    2003 - Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DDZ9681 DDZ9682 DDZ9683 DDZ9684 DDZ9685 DDZ9686 DDZ9687 DDZ9688 DDZ9689 DDZ9690
    2012 - DDZX8V2C

    Резюме: DDZX26
    Текст: Нет текста в файле


    Оригинал
    PDF DDZX43 300 мВт AEC-Q101 J-STD-020 DS30408 DDZX8V2C DDZX26
    DDZ9V1CS

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DDZ43S OD-323 J-STD-020D MIL-STD-202, DS30414 DDZ9V1CS
    Стекло осевое ZENER

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    OCR сканирование
    PDF DO-35 MZ4614 0-204Ач 0-204AA Осевое стекло ZENER
    2006-DDZ9689T

    Резюме: 9702T DDZ9700T DDZ9699T DDZ9697T DDZ9696T DDZ9694T DDZ9693T 9708 DDZ9691T
    Текст: Текст файла недоступен


    Оригинал
    PDF DDZ9689T DDZ9690T DDZ9691T DDZ9692T DDZ9693T DDZ9694T DDZ9696T DDZ9697T DDZ9699T DDZ9700T 9702T DDZ9700T 9708
    2008 - диод yz стабилитрон

    Аннотация: Система нумерации стабилитронов H 46 Стабилитрон H 48 DDZ43S Стабилитрон DDZ13BS DDZ9V1CS DDZ10CS Стабилитрон SOD-323
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DDZ43S OD-323 J-STD-020D MIL-STD-202, DS30414 диод yz стабилитрон H 46 стабилитрон система нумерации стабилитронов Стабилитрон H 48 DDZ43S ЗЕНЕР ДИОД DDZ13BS DDZ9V1CS DDZ10CS Стабилитрон СОД-323
    2008 - диод yz 140 стабилитрон

    Резюме: ZENER DIODE yt marking KN SOD323 ZENER DIODE pj H 46 zener DDZ9V1CS
    Текст: Нет текста в файле


    Оригинал
    PDF DDZ43S OD-323 J-STD-020D MIL-STD-202, DS30414 диод yz 140 стабилитрон ЗЕНЕР ДИОД yt маркировка КН СОД323 ЗЕНЕР ДИОД pj H 46 стабилитрон DDZ9V1CS
    2008 - маркировка 683 стабилитрон

    Реферат: ky 202 h характеристики стабилитрона стабилитрон kz стабилитрон система нумерации диод стабилитрон ZL 27 H 48 стабилитрон ky 202 диод kz стабилитрон KS 2152
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DDZ43 500 мВт AEC-Q101 OD-123 J-STD-020D MIL-STD-202, DS30407 маркировка 683 стабилитрон ky 202 ч характеристики стабилитрона стабилитрон кз система нумерации стабилитронов стабилитрон диодный ZL 27 Стабилитрон H 48 ky 202 диод кз стабилитрон KS 2152
    2009 - Н8 СОД-123

    Аннотация: стабилитрон h8 HP 9714 DDZ9717 DDZ9684 DDZ9683 DDZ9682 DDZ9681 DDZ9678 H 48 стабилитрон
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DDZ9678 DDZ9717 500 мВт OD-123 J-STD-020 MIL-STD-202, DS30410 H8 SOD-123 h8 диод стабилитрон HP 9714 DDZ9717 DDZ9684 DDZ9683 DDZ9682 DDZ9681 Стабилитрон H 48
    2002-30 2 стабилитрона

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF DO-35 DO-204AH) 1N4370A 1N759A 30 2 зенера
    2007 - маркировка smd 6z

    Реферат: диод smd 6z smd diode Lz стабилитрон ZENER DIODES DZ 12.5 стабилитрон BZ 56 SMD стабилитрон 202 BZ 85 18 стабилитрон серии MZ стабилитрон MM3Z2V4B-MM3Z75VB BZ маркировочный диод smd
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF MM3Z2V4B-MM3Z75VB OD-323F MM3Z2V4B-MM3Z75VB smd маркировка 6z диод smd 6z smd диод Lz стабилитрон ЗЕНЕР ДИОДЫ ДЗ 12,5 стабилитрон БЗ 56 Стабилитрон SMD 202 БЗ 85 18 стабилитрон Стабилитрон серии MZ Маркировочный диод BZ smd

    NZ8F2V4MX2W - стабилизаторы напряжения на стабилитронах

    % PDF-1.4 % 1 0 obj > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток application / pdf

  • NZ8F2V4MX2W - Стабилитроны стабилизаторы напряжения
  • ON Semiconductor
  • Стабилитроны этой серии упакованы в корпус для поверхностного монтажа X2DFNW2 стандартного промышленного размера 0402 дюйма.
  • 2020-09-04T12: 14: 47-07: 00BroadVision, Inc.2020-10-28T11: 28: 13 + 08: 002020-10-28T11: 28: 13 + 08: 00Acrobat Distiller 20.0 (Windows) uuid: dc70408a- 17f2-4798-af06-8213bb08a1e3uuid: 20e4bb9f-8152-439d-aedb-d9e5b7732615 конечный поток эндобдж 4 0 объект > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > поток H | UMoF ^.6> x8CqzB 붝 O

    HUABAN 10PCS BZX84C24-V-GS08 Стабилитрон 24 В SOT-23 Маркировка Y9: Amazon.com: Industrial & Scientific


    Цена: 4 доллара.99 + Депозит без импортных сборов и $ 17,90 за доставку в Российскую Федерацию Подробности
    • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
    • Тип продукта: стабилитрон
    • Номер детали: BZX84C24-V-GS08
    • Пакет: СОТ-23
    • Количество в упаковке: 10 шт.
    ]]>
    Характеристики
    Фирменное наименование УАБАН
    Номер модели BZX84C24-V-GS08
    Номер детали HB-SMD-Диод-BZX84C24-V-GS08-10PCS
    Код UNSPSC 32111500

    Купить Современная маркировка стабилитронов smd для ваших нужд

    О товарах и поставщиках:
     

    Выбрать. smd маркировка стабилитронов из огромной коллекции на Alibaba.com. Вы можете купить массив. Маркировка стабилитронов smd , включая, помимо прочего, светодиоды, микрофон, выпрямитель, лазер, стабилитрон, триггер, Шоттки, SMD, энергосберегающие диоды лампы. Вы можете выбрать. SMD маркировка стабилитронов с широким выбором основных параметров, спецификаций и номиналов для ваших целей. Маркировка стабилитронов

    smd на Alibaba.com удобна в установке и использовании. Используемый пластик более высокого качества обеспечивает изоляцию, снижающую нагрев.Они доступны в кремнии и германии. SMD маркировка стабилитронов используется в различных отраслях промышленности для различных электрических функций и датчиков. Они используются в инверторах, светодиодах, автомобильной электронике, потребительских товарах, USB 2.0 и USB 3.0, HDMI 1.3 и HDMI 1.4, SIM-карте, мобильной одежде, беспроводной связи, автомобильном генераторе и лазерной эпиляции. Они используются как выпрямитель, датчик света, излучатель света, для рассеивания нагрузки и т. Д. Различная физическая упаковка для. Маркировка стабилитронов smd предлагается для монтажа на печатной плате, теплоотвода, проводного и поверхностного монтажа.

    Основные особенности. SMD маркировка стабилитрона - это толстая медная опорная пластина, низкая утечка, высокие токи, малое прямое падение напряжения, легирование золотом, низкое сопротивление инкрементному скачку напряжения, отличная зажимная способность, быстрое время отклика и т. Д. Технические характеристики, предлагаемые на. SMD маркировка стабилитрона включает различные оптические и электрические характеристики, такие как максимальная мощность, напряжение, оптический выход, время обратного восстановления, рабочая температура и т. Д. Маркировка стабилитронов smd производится в соответствии со стандартными процедурами для поддержания высочайшего качества.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *