Справочник фототранзисторы
Отечественные фототранзисторы. Что такое фототранзистор и где он используется? Принцип работы и маркировка. Пример использования фототранзистора.
Поиск данных по Вашему запросу:
Справочник фототранзисторы
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Фототранзистор ФТГ-4
- Справочник химика 21
- Параметры фотодиодов и фототранзисторов
- Ик фототранзисторы справочник
- Фототранзистор.
Принцип работы и схема включения
- Проектирование и испытание фототранзистора
- Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора
Принцип работы и схема включенияПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Определение цоколёвки транзистора
Фототранзистор ФТГ-4
Работа приборов данной категории основана на электронных свойствах некоторых «полупроводниковых» материалов. Основным свойством этих материалов является то, что при комнатной температуре их удельная проводимость имеет промежуточные значения между удельной проводимостью проводников металлов и диэлектриков.
Они представляют собой некоторые руды например, кристаллический галенит , четырехвалентные химические элементы германий, кремний и т.
Полупроводниковые материалы, состоящие из четырехвалентного химического элемента, являются обычно монокристаллическими. Они используются не в чистом виде, а после очень слабого легирования в соотношении, выражаемом в частях на миллион специальной примесью легирующей примесью. Для четырехвалентного элемента примесью может быть пятивалентный химический элемент фосфор, мышьяк, сурьма и т.
Первый образует полупроводники n—типа с избытком электронов отрицательно заряженные ; последний образует полупроводники p—типа с дефицитом электронов, то есть в которых преобладают дырки положительно заряженные. Полупроводниковые материалы на основе трех— и пятивалентных химических элементов также легируются. В полупроводниковых материалах, состоящих из руд, примеси, содержащиеся в природной руде, выполняют функции легирующих примесей.
Полупроводниковые приборы этой категории обычно имеют один или более » переходов » между материалами полупроводника p—типа и n—типа. I Диоды , которые являются двухэлектродными приборами с одним p—n—переходом.
Они позволяют проходить току в одном прямом направлении, но обладают очень большим сопротивлением в другом обратном направлении. Они используются для детектирования, выпрямления, коммутации и т.
Главными типами диодов являются: сигнальные диоды, мощные выпрямительные диоды, стабилитроны, опорные диоды. II Транзисторы являются трех— или четырехэлектродными приборами, предназначенными для усиления, генерирования или преобразования частоты электрических токов. Режим работы транзистора зависит от изменения удельного сопротивления между двумя электродами при приложении электрического поля к третьему электроду. Прилагаемый сигнал управления или поле является более слабым, чем получаемый эффект, вызванный изменением сопротивления, и таким образом в результате получают эффект усиления.
Транзисторное воздействие в полевом транзисторе использует лишь один тип носителя заряда поэтому они и называются униполярными. Паразитный диод, который формируется в кристалле МОП—транзисторов также известных как МОППТ , может действовать как обратный диод во время отключения индуктивной нагрузки.
III Аналогичные полупроводниковые приборы. К «аналогичным» приборам, упоминаемым здесь, относятся полупроводниковые приборы, работа которых зависит от изменений удельного сопротивления при приложении электрического поля. Они используются в качестве управляемых выпрямителей, переключателей или усилителей и работают как два включенных навстречу друг другу комплементарных транзистора с общим коллектором. К этой категории, однако, не относятся полупроводниковые приборы, которые отличаются от вышеупомянутых тем, что их работа зависит, в первую очередь, от температуры, давления и т.
Для фоточувствительных приборов, работа которых зависит от световых лучей фотодиоды и т. Описанные выше приборы входят в данную товарную позицию независимо от того, представлены ли они собранными, то есть с их электродами, выводами или соединительными проводниками, или в корпусе компоненты , несобранными элементы или даже в виде не разрезанных на кристаллы шайб пластины.
Однако природные полупроводниковые материалы например, галенит включаются в данную товарную позицию, лишь когда они собраны. В данную товарную позицию также не включаются химические элементы группы 28 например, кремний и селен , легированные для использования в электронике в виде шайб, пластин или в аналогичных формах, независимо от того, полированы они или нет, покрыты однородным эпитаксиальным слоем или нет, при условии , что они не были селективно легированы или легированы методом диффузии для образования участков с различной проводимостью.
К этой категории относятся фоточувствительные полупроводниковые приборы, в которых воздействие видимых лучей, инфракрасных или ультрафиолетовых лучей вызывает изменения в удельном сопротивлении или генерирует электродвижущую силу посредством внутреннего фотоэффекта.Фотоэмиссионные трубки фотоэлементы , работа которых основана на внешнем фотоэффекте фотоэмиссии , относятся к товарной позиции Эти элементы используются в детекторах пламени, в экспонометрах для автоматических камер, для подсчета перемещающихся объектов, для автоматических прецизионных измерительных устройств, в системах автоматического открывания дверей и т.
Фотогальванические элементы на основе селена используются главным образом в люксметрах и экспонометрах. Фотогальванические элементы на основе кремния имеют более высокий квантовый выход и используются, в частности, в управляющем и регулирующем оборудовании, для обнаружения световых импульсов, в волоконно—оптических линиях связи и т.
Они обычно используются в виде солнечных батарей в качестве источников электрической энергии, например, в ракетах или спутниках, используемых при исследовании космоса, для передатчиков, применяемых для спасения потерпевших в горах. В данную товарную позицию также включаются солнечные элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели.
Однако в данную товарную позицию не включаются панели или модули, снабженные элементами, хотя и простыми например, диодами для регулирования направления тока , которые подают энергию непосредственно, например, на двигатель, электролизер товарная позиция Они используются в автоматической обработке информации считывание, запоминание информации , в качестве фотокатодов в некоторых электронных трубках, в радиационных пирометрах и т.
Фототранзисторы и фототиристоры принадлежат к этой категории фотоприемников. Приборы этой категории отличаются, будучи собранными, от диодов, транзисторов и тиристоров вышеприведенного пункта А своим корпусом, который является частично прозрачным для обеспечения возможности прохождения света. Фоточувствительные полупроводниковые приборы включаются в данную товарную позицию независимо от того, представлены ли они собранными например, с их электродами—выводами или соединительными проводниками , в корпусе или несобранными.
Светоизлучающие диоды LED или электролюминесцентные диоды на основе, inter alia, арсенида галлия или фосфида галлия являются устройствами, которые преобразуют электрическую энергию в видимое, инфракрасное или ультрафиолетовое излучение. Они используются, например, для отображения или передачи информации в системах управления. Лазерные диоды излучают луч когерентного света и используются, например, при обнаружении ядерных частиц, в оборудовании для измерения высоты или для телеметрии, в системах связи, использующих волоконную оптику.
К ним относятся в основном кристаллы титаната бария включая поликристаллические поляризованные элементы титаната бария , кристаллы титаната цирконата свинца или другие кристаллы товарной позиции см. Они используются в микрофонах, громкоговорителях, ультразвуковой аппаратуре, колебательных контурах стабилизированной частоты и т.
Они относятся к данной товарной позиции только в случае, если они в сборе. Они обычно выполняются в виде пластин, прутков, дисков, колец и т. Они могут быть покрыты графитом, лаком и т.
Если, однако, из—за добавки других компонентов законченное изделие сборка плюс кристалл не может больше рассматриваться просто как собранный кристалл и идентифицируется как специфическая часть машины или оборудования, то такая сборка классифицируется как часть машины или рассматриваемого оборудования: например, пьезоэлектрические элементы для микрофонов или громкоговорителей товарная позиция , звукоснимателей товарная позиция , элементы датчика чувствительные элементы ультразвуковых приборов для измерения толщины или обнаружения дефектов обычно классифицируются в соответствии с примечанием 2 б к группе 90 или в товарной позиции в зависимости от конкретного случая , кварцевые резонаторы для электронных часов товарная позиция В данную товарную позицию также не включаются несобранные пьезоэлектрические кристаллы в основном товарная позиция , или При условии соблюдения общих положений, относящихся к классификации частей см.
Субпозиция Диоды, транзисторы и аналогичные полупроводниковые приборы; фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светоизлучающие диоды LED ; пьезоэлектрические кристаллы в сборе.
В данную подсубпозицию включаются фотогальванические элементы, собранные в модули или вмонтированные в панели но не блокировочные диоды. Двухконтурные диоды не являются элементами, которые подают энергию непосредственно к, например, мотору см. В дополнение к частям, указанным в пояснениях к товарной позиции , в данную субпозицию включаются:.
Выберите свой регион:. Вы обнаружили опечатку в тексте:. Мы будем рады любым предложениям и замечаниям по работе и содержанию сайта www. Помогите нам стать лучше! Шестой том основан на Пояснениях к Комбинированной номенклатуре Европейского союза и содержит пояснения Евразийского экономического союза. Пояснения, содержащиеся в шестом томе, не заменяют собой пояснения, содержащиеся в первых пяти томах, рассматриваются как дополняющие последние и должны использоваться совместно с ними.
В дополнение к частям, указанным в пояснениях к товарной позиции , в данную субпозицию включаются: 1 крепления и корпуса для пьезоэлектрических кристаллов; 2 корпуса металлические, стеатитовые и другие, для полупроводниковых приборов. В данную субпозицию не включаются: а электрические соединители для передачи электрического тока между штырями или контактами и электродами товарная позиция ; б части из графита подсубпозиция 90 0.
Справочник химика 21
По структуре фототранзистор является аналогом обычного чаще всего биполярного транзистора и имеют тот же принцип работы. Отличие их от фотодиодов — гораздо большая чувствительность. Фототранзисторы могут включаться в режиме фотодиода вывод базы не используется и в режиме транзистора на вывод базы подается напряжение смещения. Еще одно отличие фототранзистора — большая, чем у фотодиода инерционность. Это несколько ограничивает область их применения.
Работа фототранзистора с общим эмиттером Параметры фототранзисторов 16 МДП-фототранзисторы 18 .
. Справочник. Под ред.
Параметры фотодиодов и фототранзисторов
Добавить в избранное. Мощный лабораторный источник питания Схема радио-удлинителя для наушников Громкая сирена сигнализации Система частотного кодирования Автоматический выключатель освещения Цифровой вольтметр на микросхеме К Охранный таймер Переговорные устройства. Ру — Все права защищены. Публикации схем являются собственностью автора. Схема бесконтактного инфракрасного датчика. Категория: Датчики На рисунке приводится схема бесконтактного датчика для выключателя, реагирующего на поднесение к нему руки. Здесь используется инфракрасный датчик отражения. Конструкция датчика представляет собой сочетание фототранзистора и ИК-светодиода, направленных в одну сторону, — к прозрачному окошку в корпусе выключателя. Между ними расположена непрозрачная перегородка, не позволяющая свету от ИК-светодиода непосредственно попадать на фототранзистор.
Ик фототранзисторы справочник
Фототранзистор представляет собой твердотельное полупроводниковое устройство с внутренним усилением, которое используются для обеспечения аналоговых или цифровых сигналов.
Фототранзисторы используются практически во всех электронных устройствах, функционирование которых, так или иначе, зависит от света, например, детекторы дыма, лазерные радары, системы дистанционного управления. Фототранзисторы способны реагировать не только на обычное освещение, но и на инфракрасное и ультрафиолетовое излучение. Фототранзисторы более чувствительные и создают больший ток по сравнению с фотодиодами.
Русский: English:. Бесплатный архив статей статей в Архиве.
Фототранзистор. Принцип работы и схема включения
Главная Скачать бесплатно и без регистрации справочники по. Сборник их 3х справочников по импортным микросхемам, транзисторам, диодам, тиристорам. Скачать себе. Цоколевка распространенных биполярных и полевых транзисторов. Цветовая маркировка контурных катушек импортных радиоприемников. Скачать книгу — Микросхемы для аудио- и радиоаппаратуры — 2.
Проектирование и испытание фототранзистора
В качестве фотоприемников применяются транзисторные структуры.
Простейший фототранзистор рис. Фототранзистор можно рассматривать как комбинацию фотодиода и транзистора. Обозначение фототранзистора вольт-амперные выходные характеристики б ; схемы включения с подключенной базой и со свободной базой г Его характеристики аналогичны характеристикам фотодиода, но соответствующие токи оказываются усиленными, поэтому масштаб по оси токов увеличен в соответствующее число раз рис. Напряжения питания на транзистор подают так же, как и на обычный биполярный транзистор, т. Часто применяют включение, когда напряжение прикладывается только между коллектором и эмиттером, а вывод базы остается оторванным рис. Такое включение называется включением с плавающей базой и характерно только для фототранзисторов.
Название: Датчики. Справочник Автор: Готра З.Я., Чайковский О.И. (ред.) Издательство: Схемы включения и применение фототранзисторов. Глава 4.
Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора
Справочник фототранзисторы
Регулярные обновления базы данных и высокое качество информации.
Помощь профессионалов. Данные, которые мы собираем, предназначены только для использования в нашей системе.
Работа приборов данной категории основана на электронных свойствах некоторых «полупроводниковых» материалов. Основным свойством этих материалов является то, что при комнатной температуре их удельная проводимость имеет промежуточные значения между удельной проводимостью проводников металлов и диэлектриков. Они представляют собой некоторые руды например, кристаллический галенит , четырехвалентные химические элементы германий, кремний и т. Полупроводниковые материалы, состоящие из четырехвалентного химического элемента, являются обычно монокристаллическими. Они используются не в чистом виде, а после очень слабого легирования в соотношении, выражаемом в частях на миллион специальной примесью легирующей примесью. Для четырехвалентного элемента примесью может быть пятивалентный химический элемент фосфор, мышьяк, сурьма и т.
Питанием данного устройства может служить обыкновенная крона с напряжением 9 вольт или два последовательно соединенных литий — ионные аккумулятора от мобильного телефона.
Все конденсаторы в устройстве можно заменить на неполярные емкости 0,1 микрофарад.
Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора. Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации. Источник: РД Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора — Темновой ток коллектор эмиттер фототранзистора D.
Простейший фотодиод представляет собой обычный полупроводниковый диод, в котором обеспечивается возможность воздействия оптического излучения на р—n-переход. В равновесном состоянии, когда поток излучения полностью отсутствует, концентрация носителей, распределение потенциала и энергетическая зонная диаграмма фотодиода полностью соответствуют обычной p-n-структуре. При воздействии излучения в направлении, перпендикулярном плоскости p-n-перехода, в результате поглощения фотонов с энергией, большей, чем ширина запрещенной зоны, в n-области возникают электронно-дырочные пары.
Фототранзисторы справочник
Транзистор от английских слов transfer — переносить и re sistor — сопротивление — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.
Наиболее распространены так называемые биполярные транзисторы. Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая p или n , базы — противоположная n или p. Иными словами, биполярный транзистор содержит два р-n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером эмиттерный переход , другой — с коллектором коллекторный переход. Буквенный код транзисторов — латинские буквы VT.
Поиск данных по Вашему запросу:
Фототранзисторы справочник
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- вольтовая чувствительность фототранзистора
- фототранзисторы
- Готра З.
- Фототранзистор КТФ102А5
- рассказы ушинского для дете
- Справочник химика 21
- Фототранзисторы
Ю., Чайковский О.И. (ред.). Датчики. СправочникПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как читать даташиты на полевые all-audio.pro читать характеристики на отечественные транзисторы.
вольтовая чувствительность фототранзистора
Русский: English:. Бесплатный архив статей статей в Архиве. Справочник бесплатно. Параметры радиодеталей бесплатно. Даташиты бесплатно. Прошивки бесплатно. Русские инструкции бесплатно. Стол заказов:. Бесплатная техническая библиотека, Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники.
Комментарии к статье. Фототранзистор — фоточувствительный полупроводниковый приемник излучения, по структуре подобный биполярному p-n-р или n-р-n транзистору.
В отличие от фотодиода он не только преобразует световое излучение в электрический сигнал, но и обеспечивает его усиление.
Напряжение питания к прибору подводя г так, чтобы коллекторный переход был закрыт, а эмиттерный — открыт. Базу чаще всего оставляют отключенной. Конструктивно фототранзистор выполнен так, что весь световой поток, поступающий через входное окно, поглощается базой, образуя в ней фотогенерированные пары носителей тока. В результате, при приложении к фототранзистору напряжения, через него начинает протекать коллекторный ток.
Так как в основе работы прибора лежит диффузия носителей, рабочая частота фототранзисторов обычно не превышает нескольких десятков килогерц. В настоящее время серийно выпускаются в основном кремниевые фототранзисторы. Но существует несколько типов приборов, изготавливаемых на основе германия.
Высокая чувствительность фототранзисторов, а также сравнительно низкая стоимость позволяют широко использовать эти приборы в системах контроля и автоматики, не требующих максимального быстродействия, в различных датчиках освещенности, пожарных, охранных и др.
Бескорпусные фототранзисторы применяют в оптопарах и гибридных микросхемах в качестве элементов гальванической развязки. Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы КТФА и КТФА1 с площадью фоточувствительного элемента 0,64 мм2 выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами рис. У прибора КТФА1 вывод эмиттера отмечен цветной точкой. Фототранзисторы предназначены для работы в видеомагнитофонах и другой бытовой радиоэлектронной аппаратуре.
Вольт-амперная характеристика фототранзистора при различных условиях освещенности показана на рис. Относительную спектральную чувствительность приборов иллюстрирует рис. Выводы также жесткие луженые, но длина монтажной части 2,9 мм.
Масса — не более 0,2 г. Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы КТФА с селективной фоточувствительностью выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами рис.
Масса прибора — не более 1 г. Фототранзисторы предназначены для работы в системе автостопа бытовых видеокамер и другой радиоэлектронной аппаратуре. На рис. Кремниевые плaнарные n-p-n фототранзисторы КТФА выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами рис. Масса — не более 0,15 г. Приборы предназначены для использования в узлах автостопа магнитофонов и другой бытовой аппаратуре, а также в системах охранной сигнализации, дистанционного управления и автоматики, в таходатчиках.
Зависимость фототока коллектора фототранзистора КТФА от мощности облучения изображена на рис. Масса — не более 0,8 г. Прибор используют в качестве приемника инфракрасного излучения в радиоэлектронной аппаратуре широкого назначения. Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы ФТ-1К гр. ФТ-1К гр.
ФТ-2К гр. А, ФТ-2К гр. Б с круглым фоточувствительным элементом диаметром 1,8 мм выпускают в цилиндрическом металлостеклянном корпусе с гибкими лужеными выводами рис. Входное окно — плоское. Масса — не более 0,9 г.
Приборы предназначены для работы в качестве детектора инфракрасного излучения в радиоэлектронной аппаратуре промышленного и специального назначения. Кремниевые планарные n-р-n фототранзисторы с круглым фо-точувствительным элементом диаметром 1,1 мм выпускают в цилиндрическом пластмассовом корпусе с линзой рис.
Выводы — жесткие проволочные луженые. Масса — не более 0,5 г. Фототранзисторы используют в узлах оптической развязки, для управления световым потоком и в системах сигнализации. Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы ФТ-8 с площадью фоточувствительного элемента 0,5мм2 выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими пластинчатыми лужеными выводами рис.
Используются как приемники инфракрасного излучения в различных устройствах электронной техники. Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы. Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье. Рекомендуем скачать в нашей Бесплатной технической библиотеке :. Лившиц Д.
Соболевский А. Типовая инструкция по охране труда.
фототранзисторы
О компании Реквизиты Сотрудники Вакансии. Информация Сертификаты Вопрос-ответ Справочники. Общие положения Оплата и доставка Гарантия на товар Заказать товар. Популярность Название Цена. Плитка Спискок Таблица. КТФА Кремниевые пленарные п-p-n фототранзисторы КТФА с площадью фоточувствительного элемента 0,64 мм2 выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами. Предназначены для применения в качестве приемников и датчиков инфракрасного излучения в составе оптико-электронной аппаратуры, системы фотоэлектрической автоматики и бесконтактного измерения температуры, вычислительной и измерительной техники.
КТФА Фототранзистор кремниевый. Предназначен для применения в качестве приемников и датчиков инфракрасного излучения в составе.
Готра З.Ю., Чайковский О.И. (ред.). Датчики. Справочник
Русский: English:. Бесплатный архив статей статей в Архиве. Справочник бесплатно. Параметры радиодеталей бесплатно. Даташиты бесплатно. Прошивки бесплатно.
Русские инструкции бесплатно. Стол заказов:. Бесплатная техническая библиотека, Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники. Комментарии к статье.
Фототранзистор КТФ102А5
Русский: English:. Бесплатный архив статей статей в Архиве. Справочник бесплатно. Параметры радиодеталей бесплатно.
Приемники и детекторы излучений.
рассказы ушинского для дете
Простейший фотодиод представляет собой обычный полупроводниковый диод, в котором обеспечивается возможность воздействия оптического излучения на р—n-переход. В равновесном состоянии, когда поток излучения полностью отсутствует, концентрация носителей, распределение потенциала и энергетическая зонная диаграмма фотодиода полностью соответствуют обычной p-n-структуре. При воздействии излучения в направлении, перпендикулярном плоскости p-n-перехода, в результате поглощения фотонов с энергией, большей, чем ширина запрещенной зоны, в n-области возникают электронно-дырочные пары. Эти электроны и дырки называют фотоносителями.
При диффузии фотоносителей в глубь n-области основная доля электронов и дырок не успевает рекомбинировать и доходит до границы p—n-перехода.
Справочник химика 21
Фоточувствительные приборы используются в разных отраслях электроники и радиотехники. Все больше сейчас применяется фототранзистор, у которого более простой принцип работы, нежели у фотодиодов. Фототранзистор — это полупроводниковый прибор оптоволоконного типа, который используется для управления электрическим током при помощи определенного оптического излучения. Эти устройства разработаны на базе обычного транзистора. Их современными аналогами являются фотодиоды, но фототранзисторы лучше подходят для многих современных радио и электронных приборов.
Фототранзистор справочник. Уроки фортепиано для детей. Дальневосточный банк пао сбербанк г хабаровск реквизиты. Закачать на компютер игру.
Фототранзисторы
Фототранзисторы справочник
Русский: English:. Бесплатный архив статей статей в Архиве.
Справочник бесплатно. Параметры радиодеталей бесплатно.
Фототранзистор представляет собой твердотельное полупроводниковое устройство с внутренним усилением, которое используются для обеспечения аналоговых или цифровых сигналов. Фототранзисторы используются практически во всех электронных устройствах, функционирование которых, так или иначе, зависит от света, например, детекторы дыма, лазерные радары, системы дистанционного управления. Фототранзисторы способны реагировать не только на обычное освещение, но и на инфракрасное и ультрафиолетовое излучение. Фототранзисторы более чувствительные и создают больший ток по сравнению с фотодиодами. Как известно, самым распространенным видом транзистора является биполярный транзистор. Фототранзисторы, как правило, биполярные устройства NPN типа.
Фототранзисторы находят широкое применение в различных устройствах автоматики, контроля и управления технологическими процессами. Основным преимуществом фототранзисторов перед другими приемниками оптического излучения является высокий коэффициент преобразования фотосигнала, позволяющий подключать исполнительные устройства автоматики, например реле, непосредственно к выходу фототранзистора.
По всему сайту В разделе Везде кроме раздела Search. Войти через: vk. Файлы Академическая и специальная литература Автоматизация Контрольно-измерительные приборы и автоматика Справочники, каталоги, таблицы. Львов: Каменяр, Авторы: З. Готра, Л.
Добавил: M Дата: , Комментариев: 0. Название: Датчики. Справочник Автор: Готра З.
Фототранзисторы
Фототранзисторы отличаются от фотодиодов дополнительным усилением
фототока на эмяттерном р-п переходе. Фототранзисторы могут работать
как фотодиоды (режим с плавающей базой), так и в транзисторном
режиме с источником смещения в базовой цепи. Вывод эмиттера
фототранзистора маркируется цветной точкой на корпусе или цветной
меткой на проволочном выводе. Фототранзисторы выпускают в
металлостеклянном корпусе с входным окном базы в двух конструктивных
оформлениях, как с отдельным электрическим выводом базы, так и без
него.
Основные параметры фототранзисторов приведены в таблице,
внешний вид фототранзисторов показан на рисунке 1.
| Тип | Площадь фото-чувстви-тельного элемента, мм2 | Основные параметры при температуре 20±5°С | ||||||
| Диапазон спектральной характеристики дельта лямбда,мкм | Максимальная спектральная характеристика дельта лямбда, max, мкм | Рабочее напряжение Uр, В | Темновой ток Iт, мкА | Интегральная токовая чувствительность S1 инт, мкА/Лк, не менее | Ипульсная постоянная времени tи, с, не более | Масса, г не более | ||
| ФТ-1К | 2,8 | 0. 5 … 1.12 |
0.8 … 0.9 | 5 | 3 | (0.4) | 8e-5 | 0.9 |
| ФТ-2К | 2,8 | 0.5 … 1.12 | 0.8 … 0.9 | 5 | 3 | (0.4) | 8e-5 | 0.9 |
| ФТ-1Г | 3 | 0.4 … 1.8 | 1.5 … 1.6 | 1 . .. 5 |
300 | 0.2 | 2e-4 | 1.5 |
| ФТ-2Г | 1 | 0.4 … 1.8 | 1.5 … 1.6 | 12 … 24 | 500 | 2 | 1e-5 | 1.5 |
| ФТ-3Г | 3 | 0.4 … 1.8 | 1.5 … 1.6 | 10 … 12 | 1000 | 2 . .. 7 |
1e-4 | 1.5 |
| ФТГ-3 | 3 | 0.4 … 1.8 | 1.5 … 1.55 | 5 … 10 | 60 | 1 | 1(2 … 10)e-5 | 1.8 |
| ФТГ-4 | 3 | 0.4 … 1.8 | 1.5 … 1.55 | 5 … 10 | 40 | 3 | 3(2 … 10)e-5 | 1. 8 |
| ФТГ-5 | 3 | 0.4 … 1.8 | 1.5 … 1.55 | 5 … 10 | 50 | 1 | (1 … 2)e-5 | 1.8 |
Рис.1 Внешний вид и цоколевка
| ТИП | Фототок IF,мкА |
Темновой ток IT,мкА |
Время нарастания импульса tн,нС |
Обратное напряжение UОБР(UНАС) В | Режим Измерения |
| КТФ102А | 200 | 1. 0 |
500 | 50 (0.5) | Ее=60мВт/ср RНАГР=15 кОм |
| КТФ102А1 | 800 | 0,5 | |||
| КТФ102А2 | |||||
| КТФ104А | 150 | 1.0 | 800 | 0,5 | Ее=7 Лк |
| КТФ104Б | 100 | 5.0 | |||
| КТФ104В | 50 |
Импортные фототранзисторы
|
|
Наименование |
Описание |
|
1 |
L-610MP4BT/BD |
NPN черный пластиковый фототранзистор |
|
2 |
L-32P3C |
T-1 (3мм) фототранзистор |
|
3 |
L-51P3C |
T-1 3/4 (5мм) фототранзистор |
(C) МРБ выпуск 1168, Н.
В.Пароль, С.А.Кайдалов, Фоточувствительные
приборы и их применение: справочник, М., «Радио и связь», 1991г.
Источник: www.qrz.ru
Что такое фототранзистор » Electronics Notes
Фототранзисторы представляют собой разновидность биполярных транзисторов, чувствительных к свету. Имея коэффициент усиления транзистора, они намного более чувствительны, чем фотодиоды, и находят применение во многих схемах обнаружения света.
Фототранзистор Включает:
Основные сведения о фототранзисторах
Приложения и схемы
Фотодарлингтон
Оптопара / оптоизолятор
Фототранзистор — это полупроводниковое устройство, способное определять уровень освещенности и изменять ток, протекающий между эмиттером и коллектором, в зависимости от уровня получаемого света.
Фототранзисторы и фотодиоды могут использоваться для восприятия света, но фототранзистор более чувствителен ввиду усиления, обеспечиваемого тем фактом, что это биполярный транзистор.
Это делает фототранзисторы более подходящими для ряда приложений.
Хотя все биполярные транзисторы сами по себе чувствительны к свету, поэтому большинство транзисторов заключены в металлические или пластиковые корпуса, фототранзисторы представляют собой особую форму биполярных транзисторов, оптимизированных для светочувствительности, что делает эти электронные компоненты идеальными для многих светочувствительных приложений. .
. Типичный фототранзисторОбратите внимание на линзу вверху и тот факт, что она имеет только два вывода, потому что цепь основания часто остается разомкнутой и внешнее соединение не предусмотрено.
Идея фототранзистора известна уже много лет. Уильям Шокли впервые предложил эту идею в 1951 году, вскоре после того, как был открыт обычный биполярный транзистор. Прошло всего два года, прежде чем фототранзистор был продемонстрирован.
С момента своего первого появления и использования фототранзисторы использовались в различных схемах и приложениях, и с тех пор их развитие продолжается.
широко доступны и могут быть легко получены довольно дешево у дистрибьюторов электронных компонентов — ввиду их использования во многих электронных схемах и приложениях они доступны как часть стандартного инвентаря полупроводниковых устройств.
Ввиду того, что эти электронные компоненты дешевы и легкодоступны, необходимо убедиться, что выбранный компонент соответствует требованиям схемы, в которой он будет использоваться. Для этого важно понимать различные спецификации.
Первоначальная разработка фототранзистора
Изобретение фототранзистора последовало за разработкой первого транзистора с точечным контактом. Примерно в это же время в Bell Labs проводилось большое количество разработок полупроводников, и одна из групп разрабатывала фототранзистор.
Хотя история фототранзистора не так хорошо известна, как многие другие ранние разработки полупроводников, это, безусловно, было очень важным событием.
Винтажный фототранзистор OCP71 — это был PNP-транзистор OC71 с непрозрачной оболочкой.
Заметка об истории фототранзистора:
Фототранзистор появился в результате ранних разработок полупроводников, которые проводились в Bell Telephone Laboratories. Впервые об изобретении было объявлено 30 марта 1950 года.
Подробнее о Изобретение фототранзистора
Работа фототранзистора
В основе работы фототранзистора лежит базовая концепция биполярного транзистора. На самом деле фототранзистор можно сделать, облучая полупроводник обычного транзистора. Очень ранние фототранзисторы изготавливались без покрытия пластикового корпуса биполярного транзистора черной краской.
Фототранзистор работает, потому что свет, падающий на полупроводник, высвобождает электроны/дырки и вызывает протекание тока в области базы.
Фототранзисторы работают в активном режиме, хотя соединение базы обычно остается разомкнутым или отключенным, поскольку оно часто не требуется. База фототранзистора будет использоваться только для смещения транзистора, чтобы протекал дополнительный ток коллектора, и это маскировало бы любой ток, протекающий в результате фотовоздействия.
Для работы условия смещения достаточно просты. Коллектор NPN-транзистора выполнен положительным по отношению к эмиттеру или отрицательным для PNP-транзистора.
Свет попадает в базовую область, где вызывает генерацию пар дырочных электронов. Эта генерация в основном происходит в переходе база-коллектор с обратным смещением. Пары дырка-электрон движутся под действием электрического поля и обеспечивают базовый ток, заставляя электроны инжектироваться в эмиттер. В результате ток фотодиода умножается на коэффициент усиления по току β транзистора.
Производительность фототранзистора может быть выше, чем у фотодиода для некоторых приложений с учетом его коэффициента усиления. В качестве приблизительного ориентира, если фотодиод может обеспечивать протекание тока около 1 мкА в типичных комнатных условиях, фототранзистор может пропускать ток 100 мкА. Это очень грубые приближения, но они показывают порядок различных значений и сравнений.
Типичный небольшой инфракрасный фототранзистор Одним из недостатков фототранзистора является то, что он особенно медленный и его высокочастотная характеристика очень плохая.
Фотодиоды являются гораздо более быстрыми электронными компонентами и используются там, где важна скорость, несмотря на их меньшую чувствительность.
Обозначение схемы фототранзистора
Стандартные символы цепей необходимы для каждого типа электронных компонентов, что позволяет легко рисовать принципиальные схемы и делать их узнаваемыми для всех. Символ фототранзистора состоит из основного символа биполярного транзистора с двумя стрелками, указывающими на соединение биполярного транзистора. Это схематически представляет работу фототранзистора.
Условное обозначение схемы фототранзистора (для устройства на основе транзистора NPN)Фототранзисторы могут быть основаны как на транзисторах NPN, так и на транзисторах PNP, и поэтому вполне возможно иметь фототранзистор PNP, и для этого направление стрелки на эмиттере меняется на противоположное обычным способом.
Видно, что показанный символ фототранзистора не дает соединения базы. Часто база остается отключенной, поскольку свет используется для обеспечения протекания тока через фототранзистор.
В некоторых случаях база может быть смещена для установки требуемой рабочей точки. В этом случае база будет показана обычным образом на символе фототранзистора.
Структура фототранзистора
Хотя обычные биполярные транзисторы проявляют фоточувствительный эффект при воздействии света, структура фототранзистора специально оптимизирована для фотоприложений. У фототранзистора площадь базы и коллектора намного больше, чем у обычного транзистора. Эти устройства обычно изготавливались с использованием диффузионной или ионной имплантации.
Планарная структура фототранзистора с гомопереходом Ранние фототранзисторы использовали германий или кремний по всему устройству, что давало структуру с гомопереходом. В более современных фототранзисторах используются полупроводниковые материалы типа III-V, такие как арсенид галлия и тому подобное. Разновидности транзисторов NPN более популярны ввиду того, что используются системы с отрицательным заземлением, и транзисторы NPN лучше подходят для этого режима работы.
, в которых используются разные материалы по обе стороны от PN-перехода, также популярны, поскольку они обеспечивают высокую эффективность преобразования. Обычно их изготавливают с использованием эпитаксиального выращивания материалов с соответствующей структурой решетки.
В этих фототранзисторах обычно используется меза-структура. Иногда в качестве коллектора в фототранзисторе можно использовать переход Шоттки (металл-полупроводник), хотя в наши дни такая практика менее распространена, поскольку другие структуры предлагают более высокие уровни производительности.
Чтобы обеспечить оптимальное преобразование и, следовательно, чувствительность, контакт эмиттера часто смещается в структуре фототранзистора. Это гарантирует, что максимальное количество света достигнет активной области внутри фототранзистора.
Характеристики фототранзистора
Как уже упоминалось, фототранзистор имеет высокий уровень усиления в результате действия транзистора.
Для однородных структур, т.е. использующих один и тот же материал во всем полупроводниковом устройстве, это может быть порядка от 50 до нескольких сотен.
Однако для устройств с гетероструктурой уровни усиления могут возрасти до десяти тысяч. Несмотря на высокий коэффициент усиления, гетероструктурные устройства не получили широкого распространения, поскольку эти полупроводниковые приборы значительно дороже в производстве. Еще одно преимущество всех фототранзисторов по сравнению с лавинным фотодиодом, еще одним устройством с усилением, заключается в том, что фототранзистор имеет гораздо более низкий уровень шума. Лавинные диоды всех форм известны высоким уровнем шума, который они генерируют в результате лавинного процесса.
Одним из основных недостатков фототранзистора является тот факт, что он не имеет особенно хорошей высокочастотной характеристики. Это происходит из-за большой емкости, связанной с переходом база-коллектор. Этот переход спроектирован таким образом, чтобы он был относительно большим, чтобы он мог собирать достаточное количество света.
Для типичного устройства с гомогенной структурой полоса пропускания может быть ограничена примерно 250 кГц. Устройства с гетеропереходом имеют гораздо более высокий предел, и некоторые из них могут работать на частотах до 1 ГГц.
Характеристики фототранзистора при разной освещенности. Они очень похожи на характеристики обычного биполярного транзистора, но в них разные уровни тока базы заменены разными уровнями интенсивности света.
Небольшой ток протекает через фототранзистор даже при отсутствии света. Это называется темновым током и представляет собой небольшое количество носителей, которые инжектируются в эмиттер. Подобно фотогенерируемым носителям, он также подвергается усилению действием транзистора.
Применение фототранзисторов
Тот факт, что фототранзисторы просты в использовании и хорошо работают в пределах своих ограничений, означает, что эти полупроводниковые устройства используются в самых разных электронных схемах.
Часто в схемах и приложениях прерывается световой луч, но иногда их можно использовать для определения уровня освещенности.
- Энкодеры, где вращается вращающийся диск со светлыми и темными полосами — это дает скорость и направление или вращение.
- Считыватели карт.
- Системы безопасности
- Инфракрасные детекторы.
- Управление освещением.
- Оптопары
- Счетные системы — световой или инфракрасный луч прерывается для каждого подсчитываемого предмета.
- Управление освещением.
Конечно, эти электронные компоненты используются во многих других областях.
Обзор преимуществ и недостатков фототранзисторов
Хотя эти полупроводниковые устройства используются в огромном количестве электронных устройств, схем и приложений, необходимо взвесить их преимущества и недостатки, чтобы определить, являются ли они правильным электронным компонентом для данного приложения. Фоторезисторы или светочувствительные резисторы LDR; фотодиоды; фотодарлингтоны, фото-FET и даже фото-тиристоры и симисторы доступны и могут подойти для любого конкретного приложения.
Преимущества фототранзистора
- Имеют относительно высокий коэффициент усиления и поэтому относительно чувствительны.
- Эти электронные компоненты относительно дешевы, поскольку они фактически являются транзисторами, открытыми для света.
- Они могут быть встроены в интегральную схему.
- Предложите разумную скорость.
Недостатки фототранзисторов
- Эти устройства не могут работать с высокими напряжениями других полупроводниковых устройств, таких как фототиристоры и симисторы.
- В приложениях, где они подвергаются кратковременным скачкам и скачкам напряжения, они могут быть повреждены
- Не так быстро, как другие светочувствительные электронные компоненты, такие как фотодиоды.
Вот некоторые из основных преимуществ и недостатков этих электронных компонентов.
Фототранзисторы представляют собой полупроводниковые устройства, основанные на базовом биполярном транзисторе, и они доступны как транзисторы NPN или транзисторы PNP.
Наряду с другими электронными компонентами и полупроводниковыми приборами они доступны практически у всех дистрибьюторов электронных компонентов и часто их стоимость очень низка.
Другие электронные компоненты:
Резисторы
конденсаторы
Индукторы
Кристаллы кварца
Диоды
Транзистор
Фототранзистор
полевой транзистор
Типы памяти
Тиристор
Соединители
ВЧ-разъемы
Клапаны/трубки
Батареи
Переключатели
Реле
Технология поверхностного монтажа
Вернуться в меню «Компоненты». . .
Конфигурации и применение фототранзисторов » Примечания по электронике
Фототранзисторы используются во многих различных приложениях, и используемые схемы, как правило, имеют общий эмиттер или общий коллектор.
Фототранзистор Включает:
Основные сведения о фототранзисторах
Приложения и схемы
Фотодарлингтон
Оптопара / оптоизолятор
Фототранзисторы являются идеальными фотодетекторами и могут использоваться во множестве различных приложений.
Схемы фототранзисторов обычно относительно просты, особенно детектор требуется только для обнаружения наличия или отсутствия конкретного источника света.
Применение фототранзисторов
Благодаря простоте использования и возможности применения фототранзисторы используются во многих приложениях.
- Оптоизоляторы — здесь в качестве датчика света используется фототранзистор, излучатель света находится относительно близко, но с другим потенциалом. Физический зазор между излучателем света и детектором обеспечивает значительную степень электрической изоляции.
- Определение положения — в этом приложении оптоизолятор может использоваться для определения положения движущегося элемента, часто движущийся элемент имеет свет или прерывает луч света, который обнаруживает фототранзистор.
- Системы безопасности — фототранзистор можно использовать по-разному в системах безопасности, часто обнаруживая наличие луча света или его нарушение злоумышленником.
- Счетчики монет — фототранзистор может использоваться для подсчета монет и других приложений. Луч света прерывается каждый раз, когда монета или другой предмет проходит заданную точку. Количество прерываний луча равно количеству монет или предметов, которые нужно подсчитать.
- Многие другие . . .
Фототранзистор можно использовать в различных схемах и различными способами в зависимости от области применения. Будучи недорогим устройством, фототранзистор широко используется в электронных схемах, а также его легко интегрировать.
Конфигурации схемы фототранзистора
Фототранзистор можно использовать в различных схемах. Как и более обычные транзисторы, фототранзистор можно использовать в схемах с общим эмиттером и общим коллектором. Цепи с общей базой обычно не используются, потому что базовое соединение часто остается плавающим внутри и может быть недоступно. Если требуется базовое подключение, то необходимо купить фототранзистор с базовым подключением.
Выбор схемы фототранзистора с общим эмиттером или общим коллектором зависит от требований к схеме. Две конфигурации схемы фототранзистора имеют немного разные рабочие характеристики, и это может определять используемую схему.
Схема фототранзистора с общим эмиттером
Конфигурация схемы фототранзистора с общим эмиттером, возможно, является наиболее широко используемой, как и ее более обычная схема с прямым транзистором. Коллектор подключен к напряжению питания через нагрузочный резистор коллектора, а выход берется из соединения коллектора на фототранзисторе. Схема генерирует выходной сигнал, который переходит из состояния высокого напряжения в состояние низкого напряжения при обнаружении света.
Схема действует как усилитель. Ток, генерируемый светом, воздействует на базовую область. Это усиливается коэффициентом усиления по току транзистора в обычном режиме.
Схема фототранзистора с общим эмиттеромСхема фототранзистора с общим коллектором
Конфигурация схемы фототранзистора с общим коллектором или повторителем эмиттера фактически имеет ту же топологию, что и обычная схема транзистора с общим эмиттером — эмиттер подключается к земле через нагрузочный резистор, а выход для схемы берется от эмиттерного соединения устройства.
.
Схема генерирует выходной сигнал, который переходит из низкого состояния в высокое состояние при обнаружении света.
Схема фототранзистора с общим коллекторомРабота схемы фототранзистора
Схемы фототранзисторов могут использоваться в одном из двух основных режимов работы. Они называются активным или линейным режимом и режимом переключения.
Работа в «линейном» или активном режиме обеспечивает реакцию, которая очень широко пропорциональна световому раздражителю. В действительности фототранзистор не дает особенно линейного выхода на входной стимул, и именно по этой причине этот режим работы правильнее называть активным режимом.
Работа схемы фототранзистора в ключевом режиме более широко используется ввиду нелинейного отклика фототранзистора на свет. Когда света мало или совсем нет, ток в транзисторе практически не течет, и можно сказать, что он находится в «выключенном» состоянии. Однако по мере увеличения уровня света начинает течь ток.
В конце концов достигается точка, когда фототранзистор становится насыщенным, и уровень тока не может увеличиваться. В этом случае говорят, что фототранзистор насыщается. Таким образом, режим переключения имеет два уровня: — «включено» и «выключено», как в цифровой или логической системе. Этот тип режима фототранзистора полезен для обнаружения объектов, отправки данных или чтения энкодеров и т. д.
В большинстве цепей не используется базовое соединение (даже если оно доступно), единственный способ изменить режим работы схемы — изменить номинал нагрузочного резистора. Это устанавливается путем оценки максимального тока, ожидаемого на основе встречающихся уровней освещенности.
Используя это предположение, можно использовать следующие уравнения:
Активный режим: Vcc > RL x Ic
Режим переключения: VCC < RL x Ic
Где:
R L = нагрузочный резистор (т.е. Rc или Re на приведенных выше схемах).
I C = максимальный ожидаемый ток.
В CC = напряжение питания.
Использование базового соединения в схемах фототранзисторов
На некоторых фототранзисторах доступно базовое соединение. Доступ к базовому соединению позволяет настроить условия схемы фототранзистора более подходящим образом для некоторых приложений.
Схема фототранзистора с общим эмиттером с использованием базового резистораВысокие значения базового резистора R b не позволяют низким уровням света повышать уровень тока в цепи коллектор-эмиттер и, таким образом, обеспечивают более надежный цифровой выход. Все остальные аспекты функции схемы остаются прежними.
Основные концепции схем фототранзисторов довольно просты. Как правило, они требуют небольшой конструкции, хотя может потребоваться некоторая оптимизация, чтобы гарантировать минимизацию остаточного тока и в коммутационных приложениях, чтобы ток «выключения» был небольшим. Однако схемы, как правило, надежны и могут быть легко спроектированы.
Другие электронные компоненты:
Резисторы
конденсаторы
Индукторы
Кристаллы кварца
Диоды
Транзистор
Фототранзистор
полевой транзистор
Типы памяти
Тиристор
Соединители
ВЧ-разъемы
Клапаны/трубки
Батареи
Переключатели
Реле
Технология поверхностного монтажа
Вернуться в меню «Компоненты». . .
Фототранзистор | Фотодетекторы | Вишай
Нажмите кнопки, чтобы отсортировать таблицу по возрастанию, убыванию и выключению. Отфильтруйте, щелкнув и перетащив или щелкнув, удерживая клавишу Ctrl, чтобы выбрать несколько элементов.
0009
7
0265 T-1¾
6968
65 x 5
5 x 2 x 2.7
25 x 0.85
3 x 2.3 x 2.8
3 x 2.55 x 2.3
3 x 2.3 x 2.8
