Irf460 datasheet: IRFP460PBF, Транзистор, N-канал 500В 20А [TO-247AC], Vishay

alexxlabРазное

IRF460 — РАДИОМАГ РКС КОМПОНЕНТЫ

Продукція > Мікросхеми > Стабілізатори напруги імпульсні > IRF460

Код товару: 26642

Виробник:
Мікросхеми > Стабілізатори напруги імпульсні

товар відсутній

Технічний опис IRF460

  • MOSFET, N, TO-3
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:500V
  • On State Resistance:0.27ohm
  • Power Dissipation:300W
  • Transistor Case Style:TO-3
  • No. of Pins:2
  • SVHC:No SVHC
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:1200mJ
  • Case Style:TO-3
  • Cont Current Id:21A
  • Current Iar:21A
  • Current Temperature:25`C
  • Fixing Centres:30mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:11mm
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Repetitive Avalanche Energy:30mJ
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:300W
  • Pulse Current Idm:84A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:500V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Weight:11.5g

Інші пропозиції IRF460 за ціною від 91.85 грн до 91.85 грн

IRF460 Виробник: на замовлення 15 шт
термін постачання 2-3&nbspдні (днів)
6+ 91.85 грн
IRF460 Виробник:
IRF460
на замовлення 9 шт
термін постачання 2-3&nbspдні (днів)

З цим товаром купують

STGW45HF60WDB (TO-247, ST)
Код товару: 49052

Виробник: ST
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 45 A
Pd 25: 250 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 30/145

40 шт — очікується 25. 05.2023

1+ 155 грн
10+ 138.6 грн
SPW47N60C3
Код товару: 43153

Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT

121 шт — склад Київ
5 шт — РАДІОМАГ-Київ
2 шт — РАДІОМАГ-Львів
5 шт — РАДІОМАГ-Одеса
3 шт — РАДІОМАГ-Дніпро

на замовлення 199168 шт — ціна та термін постачання

1+ 299 грн
10+ 275 грн
KBU3510 (діодний міст)
Код товару: 42650

Виробник: YJ

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости
Корпус: KBU
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 35 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 400 A

Аналог
KBU3510 (діодний міст)
Код товару: 177800

DataSheet PDF Search Site


Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов.

Преимущества использования сайта

Вы можете скачать все спецификации бесплатно на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость.

Новые листы технических данных

Номер детали Функция Производители ПДФ
2090-р Модуль ФАПЧ

АСБ
2SA1213-G Транзистор общего назначения
Комчип
5КП-ВЧ Подавитель переходного напряжения 5000 Вт
Комчип
5КП100А-ВЧ Подавитель переходного напряжения 5000 Вт
Комчип
5KP100CA-HF Подавитель переходного напряжения 5000 Вт

Комчип
5KP10A-HF Подавитель переходного напряжения 5000 Вт
Комчип
5KP10CA-HF Подавитель переходного напряжения 5000 Вт
Комчип
5KP110A-HF Подавитель переходного напряжения 5000 Вт
Комчип
5KP110CA-HF Подавитель переходного напряжения 5000 Вт

Комчип
5KP11A-HF Подавитель переходного напряжения 5000 Вт
Комчип

Файлы Sitemap



IRF460_5897.

PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE
 Номер связанной детали
ЧАСТЬ Описание Производитель
СТЭ36Н50-ДА N-CHANNEL Enhancement MODE POWERMOS TRANSISTORANDULTRA-FAST DIODEINISOTOPACKAGE
N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor and Ultra-Fast Diode in Isotop Package
STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP5NB40 STP5NB40FP 5321 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N沟道增强模式MOSFET)
N — CHANNEL Enhancement MODE PowerMESH MOSFET
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFET
Из старой системы спецификаций
意法半导
STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
TN2410L VN2406E N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(最小漏源击穿电40V，夹断电. 18AN沟道增强型MOSFET晶体
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(???婕???荤┛?靛?40В锛?す???娴?.18A??娌??澧?己??OSFET?朵?绠?
 Vishay Intertechnology, Inc.
STH7NA100FI STW7NA100FI STW7NA100 5759 СТАРЫЙ ПРОДУКТ: НЕ ПОДХОДИТ ДЛЯ НОВОГО КОНСТРУКЦИИ功率MOS晶体N沟
ST Microelectronics
STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
意法半导
TE Connectivity, Ltd.
CMLDM7002A CMLDM7002AJ SMD Small Signal Mosfet Dual N-Channel Enhancement Mode
ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ PICOmini ДВОЙНОЙ N-КАНАЛЬНЫЙ MOSFET-MODE SILICON MOSFET
ЦЕНТРАЛЬНЫЙ [Central Semiconductor Corp]
IXTh50N30NBSP IXTh50N30 IXTM40N30 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源击穿电00V,导通电.088Ω的N沟道增强B>MegaMOSFET)
N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源击穿电00V,导通电. 085Ω的N沟道增强B>MegaMOSFET)
Из старой системы технических данных
N-Channel Enhancement MOSFET
9000 9
Корпорация IXYS
LS4D18-270-RN LS4D18-3R3-RN LS4D18-560-RN LS4D18-2 Одиночная N-канальная и P-канальная пара MOSFET, режим расширения, 8L PDIP 1 ЭЛЕМЕНТ, 3,3 мкГн, ОБЩАЯ НАЗНАЧЕНИЕ ИНДУКТОР, SMD , ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD
Силовые индукторы для поверхностного монтажа 1 ELEMENT, 2,7 мкГн, ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ INDUCTOR, SMD
10,0 мВ Двойной P-канальный массив MOSFET с согласованной парой, режим расширения, 8L CDIP 1 ELEMENT, 8,2 мкГн, ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ INDUCTOR, SMD Мейбл Массив полевых МОП-транзисторов с согласованной парой, режим расширения, 8L PDIP, EPAD включен 1 ЭЛЕМЕНТ, 22 мкГн, ОБЩАЯ НАЗНАЧЕНИЕ ИНДУКТОРА, SMD
Одиночный N- и P-канальный Пара МОП-транзисторов, режим расширения, 8L MSOP
Одиночный N-канал и P-канал Пара MOSFET, режим расширения, 8L SOIC
http://
ICE Components, Inc.

Похожие записи

05.09.2023 0

Coocox: CooCox. Текущее состояние дел. / CoIDE / Pluslab

05.09.2023 0

Приборы для измерения давления жидкости: Манометр — из чего состоит? Виды и типы

05.09.2023 0

Регулируемая индуктивность: Регулируемая катушка индуктивности на кольцевом сердечнике

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *