Каковы основные характеристики IRF460. Какие области применения у этого транзистора. Каковы преимущества использования IRF460 в силовых схемах. Какие особенности конструкции IRF460 обеспечивают его высокую производительность.
Основные характеристики и параметры IRF460
IRF460 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для применения в силовой электронике. Рассмотрим его ключевые характеристики:
- Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
- Максимальный постоянный ток стока: 20 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,27 Ом
- Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт
- Корпус: TO-247AC
- Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
- Входная емкость: 2600 пФ
- Время включения: 35 нс
- Время выключения: 120 нс
Эти параметры делают IRF460 отличным выбором для высоковольтных и высокочастотных применений, требующих эффективного переключения больших токов.
Области применения IRF460 в современной электронике
Благодаря своим характеристикам, IRF460 находит широкое применение в различных областях силовой электроники:
- Импульсные источники питания
- Инверторы для солнечных батарей
- Электроприводы двигателей
- Схемы управления индуктивными нагрузками
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Зарядные устройства для аккумуляторов
- Высокочастотные усилители мощности
Где еще можно эффективно использовать IRF460? Этот транзистор хорошо подходит для построения DC-DC преобразователей, частотных преобразователей для управления электродвигателями, а также в схемах коррекции коэффициента мощности.
Преимущества использования IRF460 в силовых схемах
IRF460 обладает рядом преимуществ, которые делают его привлекательным выбором для разработчиков силовой электроники:
- Высокая скорость переключения позволяет использовать IRF460 в высокочастотных схемах, что способствует уменьшению габаритов устройств.
- Низкое сопротивление канала в открытом состоянии (0,27 Ом) обеспечивает малые потери проводимости и высокий КПД.
- Способность работать при высоких напряжениях (до 500 В) делает IRF460 универсальным решением для различных применений.
- Большой допустимый ток (20 А) позволяет использовать транзистор в мощных устройствах без необходимости параллельного включения.
- Корпус TO-247AC обеспечивает хороший теплоотвод, что важно при работе с большими мощностями.
Как эти преимущества влияют на конечные устройства? Они позволяют создавать более компактные, энергоэффективные и надежные силовые преобразователи и системы управления.
Особенности конструкции IRF460, обеспечивающие высокую производительность
Конструкция IRF460 оптимизирована для достижения высокой производительности в силовых применениях:
- Вертикальная структура DMOS обеспечивает высокую плотность тока и низкое сопротивление канала.
- Оптимизированная геометрия затвора уменьшает входную емкость и улучшает скорость переключения.
- Встроенный быстрый обратный диод позволяет эффективно работать с индуктивными нагрузками.
- Прочная конструкция кристалла обеспечивает высокую устойчивость к лавинному пробою.
- Качественная пассивация поверхности кристалла повышает надежность и стабильность параметров.
Какие технологические решения позволяют IRF460 работать при высоких напряжениях? Ключевую роль играет оптимизированная структура дрейфовой области, обеспечивающая равномерное распределение электрического поля в закрытом состоянии.
Сравнение IRF460 с аналогичными MOSFET транзисторами
Чтобы лучше понять место IRF460 на рынке силовых MOSFET, сравним его с несколькими аналогами:
| Параметр | IRF460 | IRFP460 | STW45NM50 |
|---|---|---|---|
| Макс. напряжение сток-исток | 500 В | 500 В | 500 В |
| Макс. постоянный ток стока | 20 А | 20 А | 45 А |
| Сопротивление канала RDS(on) | 0,27 Ом | 0,27 Ом | 0,077 Ом |
| Корпус | TO-247AC | TO-247AC | TO-247 |
Как видим, IRF460 и IRFP460 имеют идентичные основные характеристики, являясь по сути одним и тем же транзистором в разных вариантах корпуса. STW45NM50 предлагает более высокий ток и меньшее сопротивление канала, но при этом он дороже и может быть избыточным для многих применений.
Рекомендации по применению IRF460 в схемотехнике
При использовании IRF460 в своих разработках следует учитывать несколько важных моментов:
- Обеспечьте надежный теплоотвод. Несмотря на хорошие тепловые характеристики корпуса TO-247AC, при работе на больших мощностях может потребоваться дополнительный радиатор.
- Используйте снабберные цепи для защиты от перенапряжений при коммутации индуктивных нагрузок.
- Обратите внимание на правильное управление затвором. Для быстрого переключения рекомендуется использовать драйверы затвора с малым выходным сопротивлением.
- Учитывайте паразитные индуктивности в цепи затвора и истока, которые могут вызвать нежелательные колебания.
- При параллельном включении нескольких IRF460 обеспечьте симметричное распределение токов между транзисторами.
Какие типовые схемы часто используют IRF460? Этот транзистор хорошо подходит для построения полумостовых и мостовых инверторов, понижающих и повышающих DC-DC преобразователей, а также в качестве ключевого элемента в резонансных преобразователях.
Перспективы развития технологии MOSFET и будущее IRF460
Технология MOSFET продолжает развиваться, и будущие поколения транзисторов обещают еще лучшие характеристики. Однако IRF460, несмотря на свой возраст, остается востребованным компонентом благодаря отработанной технологии производства, проверенной надежности и доступности.
Какие тенденции наблюдаются в развитии силовых MOSFET?
- Дальнейшее снижение сопротивления канала в открытом состоянии.
- Увеличение рабочих частот и скорости переключения.
- Повышение устойчивости к перегрузкам и лавинному пробою.
- Внедрение новых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN).
- Улучшение тепловых характеристик и повышение плотности мощности.
Несмотря на появление новых технологий, IRF460 еще долго будет находить применение в различных устройствах благодаря своей проверенной временем конструкции и оптимальному соотношению цена/качество.
IRF460 — РАДИОМАГ РКС КОМПОНЕНТЫ
Продукція > Мікросхеми > Стабілізатори напруги імпульсні > IRF460
Код товару: 26642
Виробник:
Мікросхеми > Стабілізатори напруги імпульсні
товар відсутній
Технічний опис IRF460
- MOSFET, N, TO-3
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:500V
- On State Resistance:0.27ohm
- Power Dissipation:300W
- Transistor Case Style:TO-3
- No. of Pins:2
- SVHC:No SVHC
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:1200mJ
- Case Style:TO-3
- Cont Current Id:21A
- Current Iar:21A
- Current Temperature:25`C
- Fixing Centres:30mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:11mm
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max Repetitive Avalanche Energy:30mJ
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No.
of Transistors:1 - Power Dissipation Pd:300W
- Pulse Current Idm:84A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:500V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Weight:11.5g
Інші пропозиції IRF460 за ціною від 91.85 грн до 91.85 грн
| IRF460 | Виробник: |
на замовлення 15 шт термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||
| IRF460 |
Виробник: IRF460 |
на замовлення 9 шт термін постачання 2-3 дні (днів) |
З цим товаром купують
| STGW45HF60WDB (TO-247, ST) Код товару: 49052 |
Виробник: ST
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 45 A
Pd 25: 250 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 30/145
40 шт — очікується 25.
05.2023
|
| SPW47N60C3 Код товару: 43153 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT
121 шт — склад Київ
5 шт — РАДІОМАГ-Київ
2 шт — РАДІОМАГ-Львів
5 шт — РАДІОМАГ-Одеса
3 шт — РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 199168 шт — ціна та термін постачання
|
| KBU3510 (діодний міст) Код товару: 42650 |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости
Корпус: KBU
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 35 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж
Імпульсний струм, А: 400 A
| Аналог |
|
KBU3510 (діодний міст) Код товару: 177800 |
DataSheet PDF Search Site
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
Преимущества использования сайта
| Вы можете скачать все спецификации бесплатно на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость. |
Новые листы технических данных
| Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
| 2090-р | Модуль ФАПЧ | АСБ | |
| 2SA1213-G | Транзистор общего назначения | Комчип | |
| 5КП-ВЧ | Подавитель переходного напряжения 5000 Вт | Комчип | |
| 5КП100А-ВЧ | Подавитель переходного напряжения 5000 Вт | Комчип | |
| 5KP100CA-HF | Подавитель переходного напряжения 5000 Вт | Комчип | |
| 5KP10A-HF | Подавитель переходного напряжения 5000 Вт | Комчип | |
| 5KP10CA-HF | Подавитель переходного напряжения 5000 Вт | Комчип | |
| 5KP110A-HF | Подавитель переходного напряжения 5000 Вт | Комчип | |
| 5KP110CA-HF | Подавитель переходного напряжения 5000 Вт | Комчип | |
| 5KP11A-HF | Подавитель переходного напряжения 5000 Вт | Комчип |
PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE
18AN沟道增强型MOSFET晶体 
085Ω的N沟道增强B>MegaMOSFET) 
