Irf4905 характеристики: IRF4905 — Полевые импортные MOSFET — ТРАНЗИСТОРЫ — Электронные компоненты (каталог)

Irf4905l — параметры транзистора mosfet, его аналоги, datasheet

IRF4905L Datasheet (PDF)

1.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

PD — 97034
IRF4905SPbF
IRF4905LPbF
Features HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = -55V
150°C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 20mΩ
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
G
Some Parameters Are Differrent from
ID = -42A
IRF4905S
S
Lead-Free
D
D
Description
Features of this design are a 150°C junction oper

3.1. irf4905pbf.pdf Size:181K _international_rectifier

PD — 94816
IRF4905PbF
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
D
Dynamic dv/dt Rating
VDSS = -55V
175°C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 0.02Ω
G
P-Channel
Fully Avalanche Rated
ID = -74A
Lead-Free S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extre

3. 2. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

PD — 9.1478A
IRF4905S/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Surface Mount (IRF4905S)
VDSS = -55V
Low-profile through-hole (IRF4905L)
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.02?
Fast Switching
G
P-Channel
ID = -74A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extre

 3.3. irf4905.pdf Size:108K _international_rectifier

PD — 9.1280C
IRF4905
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = -55V
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.02?
Fast Switching
G
P-Channel
ID = -74A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resista

3. 4. irf4905.pdf Size:241K _inchange_semiconductor

isc P-Channel MOSFET Transistor IRF4905,IIRF4905
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤0.02Ω
·Enhancement mode:
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRIPTION
·Combine with the fast switching speed and ruggedized device
design,provide the designer with an extremely efficient and
reliab

IRF440 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF440

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 68.5
nC

Время нарастания (tr): 15
ns

Выходная емкость (Cd): 230
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85
Ohm

Тип корпуса: TO3

IRF440

Datasheet (PDF)

1.1. irf440 irf441 irf442 irf443.pdf Size:132K _upd



1.2. irf440.pdf Size:142K _international_rectifier

PD — 90372A
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF440
500V, N-CHANNEL
HEXFET?TRANSISTORS
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
Product Summary
Part Number BVDSS RDS(on) ID
IRF440 500V 0.85? 8.0A
The HEXFET?technology is the key to International
Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors.
The efficient geometry and unique processing of this latest
State of the Art design achieves: very

 5.1. irf4410a irf4410h.pdf Size:671K _upd

RoHS
IRF4410 Series RoHS
SEMICONDUCTOR
Nell High Power Products
N-Channel Power MOSFET
(97A, 100Volts)
DESCRIPTION
The Nell IRF4410 is a three-terminal silicon
D
device with current conduction capability of 97A,
D
fast switching speed, low on-state resistance,
breakdown voltage rating of 100V ,and max.
threshold voltage of 4 volts.
G
They are designed for use in application

5.2. irf4435.pdf Size:211K _international_rectifier

PD- 94243
IRF4435
HEXFET Power MOSFET
Ultra Low On-Resistance
A
1 8
S D
P-Channel MOSFET
VDSS = -30V
2 7
Surface Mount
S D
Available in Tape & Reel
3 6
S D
4 5
G D
RDS(on) = 0.020?
Top View
Description
These P-channel HEXFET Power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the extremely low on-resistance per
silicon area. Thi

 5.3. irf441.pdf Size:229K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF441
FEATURES
·V Rated at ±20V
GS
·Silicon Gate for Fast Switching Speeds
·I ,V ,SOA and V specified at Elevated
DSS DS(on) GS(th)
temperature
·Rugged
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed especially for high voltage,high speed applications,
such as

Другие MOSFET… IRF3415S
, IRF350
, IRF3515S
, IRF360
, IRF3710
, IRF3710L
, IRF3710S
, IRF430
, IRF9540N
, IRF450
, IRF451
, IRF452
, IRF453
, IRF460
, IRF4905
, IRF4905L
, IRF4905S
.

IRF4905S MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF4905S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 74
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 120
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02
Ohm

Тип корпуса: D2PAK

IRF4905S

Datasheet (PDF)

1.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

PD — 97034
IRF4905SPbF
IRF4905LPbF
Features HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = -55V
150°C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 20mΩ
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
G
Some Parameters Are Differrent from
ID = -42A
IRF4905S
S
Lead-Free
D
D
Description
Features of this design are a 150°C junction oper

1.2. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

PD — 9.1478A
IRF4905S/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Surface Mount (IRF4905S)
VDSS = -55V
Low-profile through-hole (IRF4905L)
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.02?
Fast Switching
G
P-Channel
ID = -74A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extre

 3.1. irf4905pbf.pdf Size:181K _international_rectifier

PD — 94816
IRF4905PbF
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
D
Dynamic dv/dt Rating
VDSS = -55V
175°C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 0.02Ω
G
P-Channel
Fully Avalanche Rated
ID = -74A
Lead-Free S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extre

3.2. irf4905.pdf Size:108K _international_rectifier

PD — 9.1280C
IRF4905
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = -55V
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.02?
Fast Switching
G
P-Channel
ID = -74A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resista

 3.3. irf4905.pdf Size:241K _inchange_semiconductor

isc P-Channel MOSFET Transistor IRF4905,IIRF4905
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤0.02Ω
·Enhancement mode:
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRIPTION
·Combine with the fast switching speed and ruggedized device
design,provide the designer with an extremely efficient and
reliab

Другие MOSFET… IRF440
, IRF450
, IRF451
, IRF452
, IRF453
, IRF460
, IRF4905
, IRF4905L
, 2SK105
, IRF510
, IRF510A
, IRF510S
, IRF511
, IRF512
, IRF513
, IRF520
, IRF520A
.

IRF513 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF513

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.9
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8
Ohm

Тип корпуса: TO220

IRF513

Datasheet (PDF)

5.1. irf510pbf.pdf Size:201K _upd

IRF510, SiHF510
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Dynamic dV/dt Rating
VDS (V) 100
Available
• Repetitive Avalanche Rated
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.54
RoHS*
• 175 °C Operating Temperature
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 8.3
• Fast Switching
Qgs (nC) 2.3
• Ease of Paralleling
Qgd (nC) 3.8
• Simple Drive Requirements
Configuration Single
• Compli

5.2. irf510strlpbf irf510strrpbf.pdf Size:196K _upd

IRF510S, SiHF510S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) 100
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.54
• Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 8.3 • Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
Qgs (nC) 2.3
• 175 °C Operating Temperature
Qgd (nC) 3.8
• Fast Switching
• Ea

 5.3. irf510.pdf Size:151K _fairchild_semi

5.4. irf510a.pdf Size:252K _fairchild_semi

IRF510A
Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 100 V
n Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.4 ?
n Rugged Gate Oxide Technology
n Lower Input Capacitance
ID = 5.6 A
n Improved Gate Charge
n Extended Safe Operating Area
TO-220
n 175C Operating Temperature
n Lower Leakage Current : 10 ?A (Max.) @ VDS = 100V
n Lower RDS(ON) : 0.289 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absol

 5.5. irf510pbf.pdf Size:239K _international_rectifier

PD — 95364
IRF510PbF
Lead-Free
6/10/04
Document Number: 91015 www.vishay.com
1
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
2
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
3
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
4
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
5
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
6
IRF510PbF
TO-220AB Package Outline
Dimen

5.6. irf510s.pdf Size:325K _international_rectifier

PD — 95540
IRF510SPbF
Lead-Free
SMD-220
7/21/04
Document Number: 91016 www.vishay.com
1
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
2
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
3
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
4
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
5
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
6
IRF510SPbF
Peak Diode Reco

5.7. irf510.pdf Size:175K _international_rectifier

5.8. irf510a.pdf Size:937K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 100 V
Avalanche Rugged Technology
?
RDS(on) = 0.4
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 5.6 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
?
175 Operating Temperature

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V
?
Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings

Другие MOSFET… IRF4905
, IRF4905L
, IRF4905S
, IRF510
, IRF510A
, IRF510S
, IRF511
, IRF512
, 2SK4106
, IRF520
, IRF520A
, IRF520FI
, IRF520N
, IRF520NS
, IRF521
, IRF5210
, IRF5210L
.

IRF513 Datasheet (PDF)

5.1. irf510pbf.pdf Size:201K _upd

IRF510, SiHF510
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Dynamic dV/dt Rating
VDS (V) 100
Available
• Repetitive Avalanche Rated
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.54
RoHS*
• 175 °C Operating Temperature
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 8.3
• Fast Switching
Qgs (nC) 2.3
• Ease of Paralleling
Qgd (nC) 3.8
• Simple Drive Requirements
Configuration Single
• Compli

5.2. irf510strlpbf irf510strrpbf.pdf Size:196K _upd

IRF510S, SiHF510S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) 100
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.54
• Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 8.3 • Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
Qgs (nC) 2.3
• 175 °C Operating Temperature
Qgd (nC) 3.8
• Fast Switching
• Ea

 5.3. irf510.pdf Size:151K _fairchild_semi

5.4. irf510a.pdf Size:252K _fairchild_semi

IRF510A
Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 100 V
n Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.4 ?
n Rugged Gate Oxide Technology
n Lower Input Capacitance
ID = 5.6 A
n Improved Gate Charge
n Extended Safe Operating Area
TO-220
n 175C Operating Temperature
n Lower Leakage Current : 10 ?A (Max.) @ VDS = 100V
n Lower RDS(ON) : 0.289 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absol

 5.5. irf510pbf.pdf Size:239K _international_rectifier

PD — 95364
IRF510PbF
Lead-Free
6/10/04
Document Number: 91015 www.vishay.com
1
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
2
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
3
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
4
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
5
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
6
IRF510PbF
TO-220AB Package Outline
Dimen

5.6. irf510s.pdf Size:325K _international_rectifier

PD — 95540
IRF510SPbF
Lead-Free
SMD-220
7/21/04
Document Number: 91016 www.vishay.com
1
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
2
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
3
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
4
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
5
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
6
IRF510SPbF
Peak Diode Reco

5.7. irf510.pdf Size:175K _international_rectifier

5.8. irf510a.pdf Size:937K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 100 V
Avalanche Rugged Technology
?
RDS(on) = 0.4
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 5.6 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
?
175 Operating Temperature

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V
?
Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings

IRF4905PBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF4905PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 74
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 180
nC

Время нарастания (tr): 99
ns

Выходная емкость (Cd): 1400
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02
Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

IRF4905PBF

Datasheet (PDF)

1.1. irf4905pbf.pdf Size:181K _international_rectifier

PD — 94816
IRF4905PbF
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
D
Dynamic dv/dt Rating
VDSS = -55V
175°C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 0.02Ω
G
P-Channel
Fully Avalanche Rated
ID = -74A
Lead-Free S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extre

3.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

PD — 97034
IRF4905SPbF
IRF4905LPbF
Features HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = -55V
150°C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 20mΩ
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
G
Some Parameters Are Differrent from
ID = -42A
IRF4905S
S
Lead-Free
D
D
Description
Features of this design are a 150°C junction oper

3.2. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

PD — 9.1478A
IRF4905S/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Surface Mount (IRF4905S)
VDSS = -55V
Low-profile through-hole (IRF4905L)
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.02?
Fast Switching
G
P-Channel
ID = -74A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extre

 3.3. irf4905.pdf Size:108K _international_rectifier

PD — 9.1280C
IRF4905
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = -55V
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.02?
Fast Switching
G
P-Channel
ID = -74A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resista

3.4. irf4905.pdf Size:241K _inchange_semiconductor

isc P-Channel MOSFET Transistor IRF4905,IIRF4905
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤0.02Ω
·Enhancement mode:
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRIPTION
·Combine with the fast switching speed and ruggedized device
design,provide the designer with an extremely efficient and
reliab

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

Оцените статью:

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

• 1

  Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.

• 2

  После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

• 3

  Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив стоимость обратной пересылки.

• У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
• Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
• Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
• 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

IRF4905 to-220 | Полевые транзисторы

Код товара :	M-175-7238
Обновление:	2020-11-17
Тип корпуса :	TO-220

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IRF4905 to-220, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с IRF4905 to-220 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары

Код	Наименование	Краткое описание	Розн. цена
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
7238	IRF4905 to-220	Транзистор IRF4905 (IRF4905PBF) — Single P-Channel HEXFET Power MOSFET, 74A, 55V, TO-220	27 pyб.
5469	IRF3205 to-220	Транзисторы IRF3205 (полный номер IRF3205PBF) — Power MOSFET, N-Channel, 110A, 55V, TO-220	32 pyб.
7097	SSC1S311 (SC1S311) sop-8	Микросхема SSC1S311 (маркировка SC1S311) — Current Mode PWM Controller IC, SOP-8	87 pyб.
965	LD7575PS sop-8	Микросхема LD7575PS (LD7575BGS, LD7575) — Green-Mode PWM Controller with High-Voltage Start-Up Circuit, SOP-8	38 pyб.
2333	Датчик вибрации HDX-2	Датчик вибрации HDX-2 (нормально-замкнутый)	10 pyб.
10140	SLA-12VDC-SL-C	Реле электромагнитное SLA-12VDC-SL-С, 30A, 12V, содержит 1 группу контактов на переключение	100 pyб.
1940	LM317T to-220	Микросхемы LM317T — Linear Regulators 1.5A Adj Vol, TO-220	13.2 pyб.
1658	Щупы для мультиметра (модель FC-136)	Набор из двух прочных универсальных щупов для различных мультиметров (тестеров). Длина провода 1 метр.	127 pyб.
6220	Термоклей STARS-922 (тюбик, 5 грамм)	Термоклей (Silicone Heatsink Plaster) STARS-922, тюбик 5 грамм	52 pyб.
6631	DC-DC преобразователь MT3608 (2A)	Повышающий преобразователь напряжения на м/сх MT3608, с максимальным током 2A, плавной регулировкоой	53 pyб.

 

Source Силовой транзистор IRF4905 TO-220 MOSFET on m.alibaba.com

IRF4905-Силовой МОП-транзистор (Vdss =-55 в, Rds (on) = 0,02 Ом, Id =-74A)

 

Стандартная посылка	50
Категория	Дискретный полупроводник товары
Для всей семьи	Fetы-одиночный
Серия	HEXFET®
Упаковка	Трубка
Полевых транзисторов типа	МОП-транзистор, оксид металла
Полевого транзистора характеристика	Стандарт
Слив в источник напряжения (Vdss)	55В
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C	74A (Tc)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs	20mohm @ 38A, алюминиевая крышка, 10В
Vgs (th) (макс.) @ Id	4 в @ 250 и микро; а
Зарядка ворот (Qg) @ Vgs	180nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) @ Vds	3400pF @, алюминиевая крышка, 25В
Мощность макс	200 W
Тип установки	Сквозное отверстие
Посылка/Чехол	TO-220-3
Информация о поставщике устройство посылка	TO-220AB

 

Доставка:

1. Мы можем отгрузить по всему миру к DHL, UPS, FedEx и EMS. Упаковка очень безопасна и прочна. Если у вас есть особые потребности, пожалуйста, сообщите мне.

2. Для достижения ваших рук потребуется около 3-5 дней.

Тип продукта и состояние:

1. из-за колебания ситуации с продажами. Детали склада всегда меняются, и список запасов не может быть быстро обновлен. Поэтому, пожалуйста, проконсультируйтесь со склада, когда вы запрашиваете.

Гарантии и обязательства:

Все компоненты мы продаем качество с 30 дней политики возврата со дня отгрузки.

Потребительский отчет:

1. Пожалуйста, подтвердите получение продуктов, если товары, которые вы получили, и если товар был поврежден, пожалуйста, немедленно свяжитесь с нами. Отправьте нам фото, которое мы можем проверить и дать вам лучшее решение

2. Мы гарантируем доставку только вовремя, но мы не можем контролировать время экспресс-доставки. Наш продавец будет нести ответственность за отправку AWB за доставленные товары на следующий рабочий день. Вы можете проверить AWB на сайте, который мы отправляем вам. Для AWB вы также можете позвонить в местное отделение Экспресс-компании в вашей компании.

 

Если у вас есть какие-либо другие вопросы, пожалуйста, свяжитесь с нами в любое время!

Ирф3205 транзистор технические характеристики – Telegraph

Ирф3205 транзистор технические характеристики

====================================

>> Перейти к скачиванию

====================================

Проверено, вирусов нет!

====================================

Благодаря большой токовой способности и низкому сопротивлению канала транзистор IRF3205 часто используется в качестве.

IRF3205 MOSFET. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник.

Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRF3205.

Вт 200, Крутизна характеристики, S 44, Корпус to220ab, Особенности автоприложения, Пороговое напряжение на затворе 2…4. Фото 2/5 IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO- Фото 3/5. Технические параметры.

Параметры полевого транзистора n-канального IRF3205, его основные характеристики и схемы. Цоколевка, продавцы и производители транзистора.

Силовой МОП-транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25oC ) = 110 A Корпус TO-. Перейти в группу Транзистор IR MOSFET N-Канал.

Транзистор IRF3205PBF [International Rectifier]: VDSS = 55V RDS(on) = 8.0mΩ ID = 110A. Технические характеристики.

12 Apr 2015. VovaMasterZvuk — Транзистор IRF3205Z, IRF3205, 3205, TO220, проверка 50 амперами, отличное качество — YouTube.

Сайт: Производитель: IR Технические данные: TO220(N; 55V; 110A;.

Технические характеристики. Конфигурация и полярность N Максимальное напряжение сток-исток 55 В Ток стока номинальный при.

Области применения транзисторов определяются их характеристиками, а работать. irf3205 – n-канальный полевой транзистор, изготовленный по.

Просто у них лучше характеристики чем у P канальных. Кстати, недавно купил пару MOSFET транзисторов IRF3205 и IRF4905. полевых транзисторов, например 2N7000, (в тех. параметрах) сопротивление.

Основные технические характеристики NM4511. операционном усилителе DA1 (LM358) и мощного полевого транзистора VT1. Рис.4.

Данные транзисторы специально разрабатывались таким образом, чтобы в открытом. мощностью до 200 Вт, при использовании силовых транзисторов IRF3205. Технические характеристики генератора 9402.3701-06

irf3205. Это мощный полевой транзистор. Теоретически если к нему добавить пару. Это нужно спросить у тех, кто их публикует. :). 0.

Эти транзисторы (комплементарная пара) используются в основном в. но по любому не рассчитывать на заявленные параметры в тех документации. Заказывал много раз IRF3205 и IRF4905, раз по 15 (набралось уже.

Транзистор HRF3205 (аналог IRF3205) — Power MOSFET, 110A, 55V, TO-220 и другие электронные компоненты по оптовой цене ! | Доставка почтой в.

IRF2807 Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R Технические характеристики IRF2807. 175 р. за 1 шт. Отзывов: 0. Транзистор.

С одной парой транзисторов типа IRFZ24 можно снять выходную мощность. более высокой мощности советуется задействовать ключи типа IRF3205 — с. использовать мощные НЧ транзисторы, вроде тех, что указаны в схеме.

ТРАНЗИСТОРЫ. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ИМПОРТНЫЕ. IRF3205. N- канал. 55. 98. 4. 8. 200. 42000. TO-220AB. Автоприложения. IRF3315. N-канал.

Стоит ли покупать мощные транзисторы на AliExpress?

Собираете или ремонтируете устройство, вам вдруг понадобились транзисторы и вы нашли их на AliExpress по привлекательной цене? Лучше посмотрите в локальном магазине или хотя бы не в Китае. «Почему?», спросите вы, ведь заказов много, а рейтинг товара практически 5 звезд, не может же столько человек ошибаться? Если одним словом – то часто это подделка. Если хотите подробностей, добро пожаловать под кат.

Некоторое время назад я читал статью, где автор жаловался на то, что не может купить микросхем УНЧ в интернете – все время попадаются подделки. Причем могут быть настолько откровенные, что вместо микросхемы идет «кирпичик» — кусочек пластика оригинальной формы с выводами, металлической подложкой и правильной маркировкой, только вот… кристалла в этом кирпичике нет от слова «совсем». Тогда я сильно удивился – «Как это возможно? Вроде столько всего уже купил на AliExpress, но ни разу такого не встречал». Кажется, речь тогда шла об LM3886, и автор заказал порядка 25 микросхем из разных источников, из которых рабочих оказалось ни одной.

И вот месяца 4 назад решил я собрать лабораторный источник питания достаточно приличной (200 Вт) мощности. Да не просто стабилизатор, а с «предрегулятором» — устройством, работающем в ключевом режиме и останавливающим заряд накопительного конденсатора в нужный момент, если максимальное напряжение на нем сейчас не требуется. Стал разрабатывать схему, заряжающую конденсатор, а в качестве ключевого элемента выбрал транзистор IRF4905 (P-Channel, 70 A, 55 V, 200 W). В процессе разработки случайно ввел транзистор в линейный режим (коснувшись пальцем затвора), и… тот сгорел. Я очень удивился, т.к. питал тестовую конструкцию от достаточно маломощного трансформатора, и по ощущениям транзистор с таким трансформатором сгореть вообще никак не должен был (на затворе стоял стабилитрон, так что пробой затвора тоже исключается). Но ощущения при разработке – далеко не главное, поэтому я полез в документацию на транзистор, посмотрел график SOA (Safe Operating Area), после чего померил ток КЗ трансформатора, посчитал его эквивалентное сопротивление и снова пришел к выводу, что транзистор сгореть не может, т.к. ни одна точка, которую может обеспечить данный трансформатор не выходит за пределы SOA транзистора. В принципе, в линейном режиме эксплуатировать транзистор в реальной схеме я не планировал, но вопрос, почему он сгорел, настолько заинтересовал меня, что я даже создал тему на весьма известном форуме.

К сожалению, как оказалось, на данном форуме присутствует тенденция «закидования» вопрошающего «камнями» вместо реальной помощи, поэтому ответ пришлось искать в интернете дальше. Хотя определенный толчок в данном направлении (а также много полезной информации и обсуждения по другим вопросам) форум мне все же дал, за что ему спасибо.

В результате где-то на просторах интернета была найдена информация, что из Китая могут прийти поддельные транзисторы, размер кристалла в которых в несколько раз меньше нужного. Это меня настолько заинтересовало, что я решил распилить сгоревший IRF4905, чтобы увидеть, какой у него внутри кристалл. Сказано – сделано, я взял «микроболгарку» (дремель на самом деле) и начал пилить гирю IRF4905. Через пару минут моему взору предстала следующая картина:

Какого размера должен быть кристалл в таком транзисторе, я не знал, однако увиденное явно казалось маленьким для заявленных 200 ватт. Да, куплен IRF4905 был здесь. Как видите, у товара большое количество заказов и отличный рейтинг:

Если включить фильтр на негативные оценки, можно, конечно, найти и реальные отзывы, где основной упор делается на уменьшенную емкость затвор-исток по сравнению с документацией (что как бы косвенно говорит о кристалле меньшей площади) или на завышенное сопротивление канала в открытом состоянии:

Негативный отзыв

Но это сейчас идут такие транзисторы, мои (купленные еще в 2016-м году) показывают как ёмкость, так и сопротивление в пределах нормы! Только что перепроверил — емкость (по транзистор-тестеру) — 3.81 нФ, падение напряжения при токе 1.9 А — 49 мВ, то есть сопротивление канала 26 мОм, что практически соответствует документации. Из этого можно сделать интересный вывод – оценивать подлинность полевого транзистора только по ёмкости затвора или сопротивлению канала нельзя. Каким уж образом китайцы умудрились в моем случае сделать подделку с низким сопротивлением канала – отдельная загадка, возможно, применяются какие-то более новые технологии для старых транзисторов.

А каким должен быть вообще кристалл у полевого транзистора? Может быть показанных размеров достаточно? Чуть позже у меня сгорел IRFZ44 (94 W, то есть в два раза меньше, чем у IRF4905), купленный лет пять назад в локальном магазине. Ниже фото его кристалла:

Явно видно, что кристалл в разы больше. Его размер примерно 3х2.5 мм, что дает площадь в 7.5 мм². К сожалению, фото с линейной у IRF4905 я тогда не сделал, а сам транзистор выкинул. Но из пропорций относительно корпуса видно, что кристалл там 2-3 мм².

Далее я столкнулся с тем, что купленные здесь TIP142T и TIP147T (100 V, 15 A, 90 W) даже не в состоянии управлять лампочкой 24 В 42 Вт в линейном режиме – сразу перегорают, не успевая при этом хотя бы как-то нагреть радиатор. Но теперь я знал, что делать:

Итого, что мы тут имеем? Кристалл размером 1.2х1.2 мм. То есть 1.44 мм². А каким он вообще должен быть-то, может быть с транзисторами все в порядке? Чтобы ответить на этот вопрос, я решил «открыть» отечественный КТ818Г, который только что сгорел по моей вине от перегрева:

Также на фото кристаллы отечественных КТ805АМ и КТ815Г. КТ818Г (90 V, 10 A, 60 W) и КТ805АМ (60 V, 5 A, 30 W) имеют кристаллы размером 2.6х2.6 мм = 6.76 мм². Странно, максимальная мощность различается в два раза, а кристалл – одинаковый. Предположу, что вот тут дело в более новой технологии (так как 805-й — весьма старый транзистор), и современным транзисторам необходим примерно 1 мм² кристалла на каждые 10 Вт рассеиваемой мощности (оценка взята «с потолка», но все же). И КТ815Г (100 V, 1.5 A, 10 W), имеющий кристалл 1х1 мм = 1 мм² это подтверждает.

Но это отечественные транзисторы, может быть, наше производство просто сильно отстает, и в Китае давно научились использовать кремний гораздо эффективней? Чуть позже у меня сгорел TIP142T, купленный в локальном магазине, не доверять которому (транзистору) повода не было – нагрузку он держал отлично, а сгорел по моей вине (я ошибочно замкнул цепь защиты по току). Да и в магазине заверили, что транзисторы они получают не из Китая. Это позволило посмотреть, какой кристалл находится внутри оригинального (будем считать так) TIP142T:

Как видите, почему-то кристалл в нем стоит под углом и имеет размер 3.17х3.17 мм = 10 мм². То есть предположение, что биполярному транзистору надо примерно 1 мм² на 10 Вт сходится и тут.

Далее мне пришли TIP41C и TIP42C (100 V, 6 A, 65 W), купленные там же. Но теперь я сразу знал, что делать. Нет, я не стал ломать рабочие транзисторы, а собрал тестовую схему с переменным резистором в базовой цепи и подключил её к блоку питания на 20 В. Один транзистор (на радиаторе с термопастой) сгорел при 20 В 1.2 А, другой – при 1.3 А. Это 24 и 26 Вт соответственно. После этого я заглянул «внутрь»:

Кристалл оказался площадью 1.1 мм², то есть на 11 Вт по моей приблизительной оценке. Транзисторы же сгорели при в два раза большей мощности – то есть либо оригинальные транзисторы имеют приличный запас, либо китайцы действительно научились использовать кремний более эффективно. Я склоняюсь скорее к первому варианту, т.к. оригинальные транзисторы «на убой» не тестировал, плюс все мои тесты проходят при низкой температуре, возможно, при более высокой ситуация будет иной (а ведь в реальной жизни мощные транзисторы очень редко работают при 25 градусах на радиаторе).

Затем у меня вдруг сгорел стабилизатор 7815, купленный в том же магазине. Да не просто сгорел – от него отлетел кусок пластика с такой скоростью, что если бы он попал в лицо, все могло бы закончиться печально! Отсюда еще один важный вывод – не рассматривайте что-либо во включенной силовой аппаратуре с небольшого расстояния! А получилось все так – на плате перервалась дорожка, подключающая общий провод стабилизатора к схеме, вход и выход остались подключенными. Я это заметил (по возросшему напряжению в цепи +15 В), выключил устройство, исправил дорожку и включил снова. Сначала от 7815 пошел небольшой дымок, а через буквально секунду он «выстрелил» пластиком. Это стало поводом для его разборки:

Кристалл тут имеет размер 0.8х0.8 мм, то есть 0.64 мм². Не знаю, насколько это мало, но по вышеописанному предположению это примерно на 6 ватт. Явно маловато. Кстати говоря, это второй 7815 из партии, который сгорел – первый просто не выдержал очередного КЗ, но ушел гораздо более спокойней. Вывод – не только транзисторы, но и силовые микросхемы могут оказаться подделкой. Вот интересно, как это делается? На банальную перемаркировку не похоже, значит есть какой-то завод, который намеренно производит транзисторы и интегральные схемы с уменьшенными кристаллами?

Далее в нашей эстафете идут BD237/BD238 (100 V, 2 A, 25 W), купленные тут:

Как видно, кристалл тут вообще 0.35х0.35 мм = 0.12 мм². При какой мощности сгорит такой транзистор – страшно представить (надо будет проверить). Хотя, конечно, обычно они стоят в предвыходных цепях и больших мощностей не рассеивают. То есть о покупке таких транзисторов еще можно задуматься, если заранее учесть данную «особенность».

Теперь очередь MJL4281A/MJL4302A, купленных тут. По документации – это превосходные транзисторы в корпусе TO-264, рассчитанные на 350 V, 15 A и 230 W. Это – одни из самых мощных биполярных транзисторов в пластиковом корпусе. Нашел я их по справочнику Farnell, а купить уже решил на AliExpress, т.к. там было значительно дешевле (5 пар на момент покупки обошлись около $10), а про подделки я тогда даже не задумывался. На эти транзисторы я возлагал большие надежды использования их в качестве основных транзисторов для стабилизатора – ведь при паспортной мощности в 230 W при 25 градусах, в реальном устройстве (с учетом нагрева) вполне можно рассеивать на таком транзисторе половину, а это 115 ватт! То есть, обойтись только одним транзистором в регуляторе, а не парой.

Но реальность оказалась печальней – при мощности около 75 Вт транзистор сгорел. Правда, радиатор в этот момент был нагрет где-то до 80 градусов, то есть в пересчете это дает порядка 130 Вт «на холодную». Транзистор был отправлен в мусорку, а позже извлечен оттуда и «открыт»:

Что оказалось внутри – кристалл размером 2.9х2.9 мм = 8.4 мм², что по приблизительной оценке соответствует мощности в 84 ватта. Сгорел же он при 130 (будем считать, с учетом нагрева). Не так уж плохо! Такой транзистор, зная его реальную мощность, вполне можно использовать в схеме. Однако, это все равно почти в два раза меньше документации, то есть подделка. Приобретать такой транзистор или нет – решать вам, отзыв фотографией кристалла на Али я дополнил (к сожалению, изначально пошел по стандартному пути, проверил детали транзистор-тестером и поставил 5 звезд).

Справедливости ради скажу, что в этот момент я задумался, а какого же размера должен быть кристалл у таких транзисторов?

Поиском в интернете была найдена следующая фотография:

Это MJ15003 (140 V, 20 A, 250 W) в металлическом корпусе. Зная, что расстояние между выводами эмиттера и базы у него 10.92 мм, можно приблизительно оценить размер кристалла – 4.2х5 мм = 21 мм². То есть, 210 Вт из предположения 1 мм² = 10 Вт. Учитывая, что тепловое сопротивление кристалл-корпус в металлическом корпусе меньше, вполне возможно, что 21 мм² в данном случае вполне хватит на 250 Вт. Это еще раз говорит, что в китайском MJL4281A кристалл маленький.

Ну и напоследок несколько разных полевых транзисторов, купленных на Али. Все они были опробованы в тестовой схеме (в линейном режиме) и сгорели при значительно меньшей мощности, чем должны были (по документации, с учетом SOA):

Слева направо: IRF3205 (200 W), 1×1.5 мм = 1.5 мм², IRF1407 (330 W), 1.7х2.3 мм = 3.9 мм², IRF3205 (купленный в другом месте), 1х1.4 мм = 1.4 мм², IRF1405 (330 W), 1.6х2.6 = 4.2 мм². Здесь можно вспомнить, что кристалл оригинального IRFZ44 (94 W) имел размер 3х2.5 мм = 7.5 мм², то есть больше, чем кристалл любого из этих.

Внимательный читатель может заметить, что многие поддельные полупроводники были приобретены в одном и том же магазине «Fantasy Electronics CO., Ltd». Да, раньше мне нравился этот магазин своим ассортиментом и ценами, поэтому я часто покупал там. За все время в нем было приобретено много других радиодеталей – операционные усилители, резисторы, конденсаторы, разъемы и т.д., и с ними проблем замечено не было (предполагаю, что ОУ могут быть поддельными, но в работе отличий с документацией пока не встречал). Также после этого случая я пробовал искать мощные полупроводники у других продавцов, и обычно там, где большое количество отзывов всегда находится один-два с одной или двумя звездами, где указывается, что транзисторы – поддельные и иногда даже приводится фото кристалла. То есть, это не проблема конкретно данного магазина, это проблема AliExpress в целом.

Другие отзывы о подделках

IRF3205

IRF1407

IRFZ44N

И так далее… К сожалению, если покупок много, практически всегда есть такой негативный отзыв. А если покупок мало, возможно, просто никто еще не докопался до истины.

Не знаю, будете ли вы после прочтения данного обзора покупать мощные полупроводники на Али, но я для себя решил брать их только в локальных магазинах. Стоят они тут в разы дороже, но это вполне окупится качественной работой собираемых изделий. Да, можно найти на Али более дорогие лоты, но разве есть гарантия, что там не окажутся те же самые подделки? Более того, теперь я прихожу к выводу, что и купленные в других местах полупроводники надо тестировать перед установкой в схему, потому что не известно, откуда они могут быть «родом».

Спасибо за потраченное на прочтение время, всем удачи и качественных деталей!

P.S.

Котика у меня сейчас нет, поэтому фото классного рыжего кота, встреченного осенью по пути на работу:

P.P.S. Если кто-либо покупал на Али мощные транзисторы и они оказались не подделкой (если есть достаточные основания быть в этом уверенным — например, фото кристалла или реальный опыт использования транзистора на мощностях, близких к предельной), просьба скидывать в комментарии модели и ссылки на магазины.

Управление мощной нагрузкой постоянного тока. Часть 3.

Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы.
Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением.

МОП (по буржуйски MOSFET) расшифровывается как Метал-Оксид-Полупроводник из этого сокращения становится понятна структура этого транзистора.

Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает. Чем выше напряжение, тем больше зарядов и ниже сопротивление, в итоге, сопротивление может снизиться до мизерных значений — сотые доли ома, а если поднимать напряжение дальше, то произойдет пробой слоя оксида и транзистору хана.

Достоинство такого транзистора, по сравнению с биполярным очевидно — на затвор надо подавать напряжение, но так как там диэлектрик, то ток будет нулевым, а значит требуемая мощность на управление этим транзистором будет мизерной, по факту он потребляет только в момент переключения, когда идет заряд и разряд конденсатора.

Недостаток же вытекает из его емкостного свойства — наличие емкости на затворе требует большого зарядного тока при открытии. В теории, равного бесконечности на бесконечно малом промежутки времени. А если ток ограничить резистором, то конденсатор будет заряжаться медленно — от постоянной времени RC цепи никуда не денешься.

МОП Транзисторы бывают P и N канальные. Принцип у них один и тот же, разница лишь в полярности носителей тока в канале. Соответственно в разном направлении управляющего напряжения и включения в цепь. Очень часто транзисторы делают в виде комплиментарных пар. То есть есть две модели с совершенно одиннаковыми характеристиками, но одна из них N, а другая P канальные. Маркировка у них, как правило, отличается на одну цифру.

Нагрузка включается в цепь стока. Вообще, в теории, полевому транзистору совершенно без разницы что считать у него истоком, а что стоком — разницы между ними нет. Но на практике есть, дело в том, что для улучшения характеристик исток и сток делают разной величины и конструкции плюс ко всему, в мощных полевиках часто есть обратный диод (его еще называют паразитным, т.к. он образуется сам собой в силу особенности техпроцесса производства).

У меня самыми ходовыми МОП транзисторами являются IRF630 (n канальный) и IRF9630 (p канальный) в свое время я намутил их с полтора десятка каждого вида. Обладая не сильно габаритным корпусом TO-92 этот транзистор может лихо протащить через себя до 9А. Сопротивление в открытом состоянии у него всего 0.35 Ома.
Впрочем, это довольно старый транзистор, сейчас уже есть вещи и покруче, например IRF7314, способный протащить те же 9А, но при этом он умещается в корпус SO8 — размером с тетрадную клеточку.

Одной из проблем состыковки MOSFET транзистора и микроконтроллера (или цифровой схемы) является то, что для полноценного открытия до полного насыщения этому транзистору надо вкатить на затвор довольно больше напряжение. Обычно это около 10 вольт, а МК может выдать максимум 5.
Тут вариантов три:

• На более мелких транзисторах сорудить цепочку, подающую питалово с высоковольтной цепи на затвор, чтобы прокачать его высоким напряжением
• применить специальную микросхему драйвер, которая сама сформирует нужный управляющий сигнал и выровняет уровни между контроллером и транзистором. Типичные примеры драйверов это, например, IR2117.

  Надо только не забывать, что есть драйверы верхнего и нижнего плеча (или совмещенные, полумостовые). Выбор драйвера зависит от схемы включения нагрузки и комутирующего транзистора. Если обратишь внимание, то увидишь что с драйвером и в верхнем и нижнем плече используются N канальные транзисторы. Просто у них лучше характеристики чем у P канальных. Но тут возникает другая проблема. Для того, чтобы открыть N канальный транзистор в верхнем плече надо ему на затвор подать напряжение выше напряжения стока, а это, по сути дела, выше напряжения питания. Для этого в драйвере верхнего плеча используется накачка напряжения. Чем собственно и отличается драйвер нижнего плеча от драйвера верхнего плеча.

• Применить транзистор с малым отпирающим напряжением. Например из серии IRL630A или им подобные. У них открывающие напряжения привязаны к логическим уровням. У них правда есть один недостаток — их порой сложно достать. Если обычные мощные полевики уже не являются проблемой, то управляемые логическим уровнем бывают далеко не всегда.

Но вообще, правильней все же ставить драйвер, ведь кроме основных функций формирования управляющих сигналов он в качестве дополнительной фенечки обеспечивает и токовую защиту, защиту от пробоя, перенапряжения, оптимизирует скорость открытия на максимум, в общем, жрет свой ток не напрасно.

Выбор транзистора тоже не очень сложен, особенно если не заморачиваться на предельные режимы. В первую очередь тебя должно волновать значение тока стока — I _Drain или I_D выбираешь транзистор по максимальному току для твоей нагрузки, лучше с запасом процентов так на 10. Следующий важный для тебя параметр это V_GS — напряжение насыщения Исток-Затвор или, проще говоря, управляющее напряжение. Иногда его пишут, но чаще приходится выглядывать из графиков. Ищешь график выходной характеристики Зависимость I_D от V_DS при разных значениях V_GS. И прикидыываешь какой у тебя будет режим.

Вот, например, надо тебе запитать двигатель на 12 вольт, с током 8А. На драйвер пожмотился и имеешь только 5 вольтовый управляющий сигнал. Первое что пришло на ум после этой статьи — IRF630. По току подходит с запасом 9А против требуемых 8. Но глянем на выходную характеристику:

Видишь, на 5 вольтах на затворе и токе в 8А падение напряжения на транзисторе составит около 4.5В По закону Ома тогда выходит, что сопротивление этого транзистора в данный момент 4.5/8=0.56Ом. А теперь посчитаем потери мощности — твой движок жрет 5А. P=I*U или, если применить тот же закон Ома, P=I²R. При 8 амперах и 0.56Оме потери составят 35Вт. Больно дофига, не кажется? Вот и мне тоже кажется что слишком. Посмотрим тогда на IRL630.

При 8 амперах и 5 вольтах на Gate напряжение на транзисторе составит около 3 вольт. Что даст нам 0.37Ом и 23Вт потерь, что заметно меньше.

Если собираешься загнать на этот ключ ШИМ, то надо поинтересоваться временем открытия и закрытия транзистора, выбрать наибольшее и относительно времени посчитать предельную частоту на которую он способен. Зовется эта величина Switch Delay или t_on,t_off, в общем, как то так. Ну, а частота это 1/t. Также не лишней будет посмотреть на емкость затвора C_iss исходя из нее, а также ограничительного резистора в затворной цепи, можно рассчитать постоянную времени заряда затворной RC цепи и прикинуть быстродействие. Если постоянная времени будет больше чем период ШИМ, то транзистор будет не открыватся/закрываться, а повиснет в некотором промежуточном состоянии, так как напряжение на его затворе будет проинтегрировано этой RC цепью в постоянное напряжение.

При обращении с этими транзисторами учитывай тот факт, что статического электричества они боятся не просто сильно, а ОЧЕНЬ СИЛЬНО. Пробить затвор статическим зарядом более чем реально. Так что как купил, сразу же в фольгу и не доставай пока не будешь запаивать. Предварительно заземлись за батарею и надень шапочку из фольги :).

А в процессе проектирования схемы запомни еще одно простое правило — ни в коем случае нельзя оставлять висеть затвор полевика просто так — иначе он нажрет помех из воздуха и сам откроется. Поэтому обязательно надо поставить резистор килоом на 10 от Gate до GND для N канального или на +V для P канального, чтобы паразитный заряд стекал. Вот вроде бы все, в следующий раз накатаю про мостовые схемы для управления движков.

IRF4905 datasheet — Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор на шестнадцатеричном транзисторе -55 В в TO-220AB

1N5283 : Диод-ограничитель тока, упаковка: DO-7. 1N5283-1 THRU 1N5314-1 ДОСТУПНО В JAN, JANTX, JANTXV И JANS ДЛЯ MIL-PRF-19500/463 РЕГУЛЯТОР ТОКА ДИОДЫ С ВЫСОКИМ ИСТОЧНИКОМ ИМПЕДАНСОМ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИМ КОНСТРУКЦИЯМИ С ДВОЙНОЙ ШТЕКТОРНОЙ СВЯЗЬЮ Рабочая температура: до + 175C Температура хранения: до + 175C 500 мВт при TL = = 3/8 дюйма Снижение номинальной мощности: / C выше + 50C Пиковое рабочее напряжение: 100 вольт ВАРИАНТ :.

BFT93 : BFT93; PNP 5 ГГц широкополосный транзистор ;; Пакет: SOT23 (SST3). Файл продукта в разделе Discrete Semiconductors, SC14, ноябрь 1992 г. Транзистор PNP в пластиковом корпусе SOT23. Он в первую очередь предназначен для использования в широкополосных радиочастотных усилителях, таких как антенные усилители, радарные системы, осциллографы, анализаторы спектра и т. Д. Транзисторы с низким уровнем интермодуляционных искажений и высоким коэффициентом усиления по мощности; из-за очень высокого перехода.

BUK9575-100A : BUK9575-100A; БУК9675-100А; Транзисторный логический уровень Fet.

MC74AC323DW : 8-входной универсальный регистр сдвига / хранения с синхронным сбросом и общими выводами ввода-вывода.

SBT5551F : Малосигнальный транзистор, переключаемый биполярный транзистор высокого напряжения. Усилитель общего назначения Применение высокого напряжения Высокое напряжение пробоя коллектора: VCBO = 180 В, VCEO = 160 В Низкое напряжение насыщения коллектора: VCE (насыщ.) = 0,5 В (МАКС.) Дополнительная пара с SBT5401F Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора Рассеивание коллектора Температура перехода Температура хранения Коллектор-база.

T1929N : SCR / диодные пресс-пакеты. Periodische Vorwrts- und RckwrtsSpitzensperrspannung Vorwrts-Stospitzensperrspannung Rckwrts-Stospitzensperrspannung Durchlastrom-Grenzeffektivwert Dauergrenzstrom Ststrom-Grenzwert Grenzlastintegral_strom_strom_grenzwert_grenzwert_grenzwert_grenzwert_strom

0508 : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 10; 16; 25; 50 В, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ.s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Тип монтажа: Технология поверхностного монтажа; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

DEHR33A102KB2B : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, 1000 В, R, 0,001 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Диапазон емкости: 1.00Е-3 мкФ; Допуск емкости: 10 (+/-%); WVDC: 1000 вольт; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -25 до 125 C (-13,

EP05Q06TE8L10 : 0,4 А, 60 В, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Количество диодов: 1; IF: 400 мА.

NVD10UTGHTA101 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ ОТ НАПРЯЖЕНИЯ, 85 В, 12 Дж, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы; Рабочее напряжение постоянного тока: 85 вольт; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

OM9130STCDM : 10,2 А, 100 В, 0,6 Ом, P-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-257AA. s: Полярность: P-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 100 вольт; rDS (вкл.): 0,6000 Ом; Тип упаковки: ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ УПЛОТНЕНИЕ, МЕТАЛЛИЧЕСКИЙ ПАКЕТ-3; Количество блоков в ИС: 1.

PCX1C151MCL1GS : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, ТВЕРДЫЙ ПОЛИМЕР, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 16 В, 150 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; : Поляризованный; Диапазон емкости: 150 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 16 вольт; Ток утечки: 480 мкА; СОЭ: 33 миллиом; Тип монтажа: Технология поверхностного монтажа; Рабочая Температура:.

RB501VM-40 : СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: общего назначения. ROHM: UMD2 JEDEC: SOD-323 JEITA: SC-90 / A точка (год неделя заводской) Абсолютные максимальные характеристики (Ta = 25C) Символ параметра VRM Обратное напряжение (повторяющееся) VR Обратное напряжение (DC) Средний выпрямленный прямой ток Io IFSM Forward пиковый импульс тока (60 Гц1цикл) Температура перехода Tj Температура хранения Tstg Электрические характеристики (Ta = 25C) Параметр.

SR202HFAMP : ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель.

T-17209 : ТРАНСФОРМАТОР DATACOM ДЛЯ ПРИЛОЖЕНИЙ 10/100 BASE-T. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применения: импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER; Монтаж: Чип-трансформатор.

TD310N26KOF : 700 А, 2600 В, SCR. s: VDRM: 2600 вольт; VRRM: 2600 вольт; IT (RMS): 700 ампер; IGT: 250 мА; Тип упаковки: МОДУЛЬ-5; Количество выводов: 5.

VC040205X150 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМО ОТ НАПРЯЖЕНИЯ, 5,6 В, 0,05 Дж, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ.s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), СООТВЕТСТВИЕ ROHS; Рабочее напряжение постоянного тока: 5,6 вольт; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

160WA4.7MCA8X9 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 160 В, 4,7 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Соответствует RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 4,7 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 160 вольт; Ток утечки: 115 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

Введение в IRF4905 — Инженерные проекты

Привет, ребята! Добро пожаловать на борт. Сегодня я подробно расскажу о Introduction to IRF4905. Это силовой полевой МОП-транзистор на полевых транзисторах с P-каналом, доступный в корпусе TO-220AB и основанный на Advanced Process Technology. Он в основном используется для быстрого переключения, способного обеспечить сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии. Это крошечное устройство поставляется с тремя клеммами, называемыми затвор, сток и исток, где клемма затвора используется для управления током на оставшихся двух клеммах.Область между истоком и стоком известна как канал, который в значительной степени зависит от напряжения, подаваемого на вывод затвора. В этом посте я расскажу обо всем, что связано с этим полевым МОП-транзистором с каналом P, его основными функциями, работой, распиновкой и Приложения. Давайте сразу же приступим к изучению всего, что вам нужно знать.

Введение в IRF4905

• IRF4905 — это силовой полевой МОП-транзистор с P-каналом HEXFET, доступный в корпусе TO-220AB и основанный на передовой технологии обработки.
• Он поставляется с тремя основными клеммами, называемыми сток, затвор и исток, которые аналогичны эмиттеру, базе и коллектору в BJT (биполярных транзисторах).
• Это униполярное устройство, в котором только один носитель заряда i.е. отверстия отвечают за проводимость тока.
• Существует два типа полевых МОП-транзисторов, доступных для разработки электронных проектов, то есть P-канал и N-канал оба используют одиночные носители заряда, где первые содержат дырки в качестве основных носителей заряда, а позже содержат электроны в качестве основных носителей заряда.

• Это устройство подпадает под категорию силовых полевых МОП-транзисторов, отличных от обычных полевых МОП-транзисторов, где первый содержит толстый оксид затвора, который может выдерживать высокое входное напряжение, а второй — тонкий оксид затвора, что делает его неспособным выдерживать высокое входное напряжение.

Работа IRF4905

• В этом MOSFET-транзисторе затвор играет жизненно важную роль в управлении проводимостью в канале между стоком и истоком. Поскольку это P-канал — дырки будут отвечать за проводимость тока.
• В этих компонентах корпус и подложка состоят из материала N-типа, в то время как сток и исток состоят из материала P-типа, что создает точную противоположную композицию по сравнению с N-канальным MOSFET.
• На следующем рисунке показана внутренняя конструкция IRF4905.

• Приложение отрицательного напряжения на выводе затвора будет перемещать оксидный слой вниз в слое подложки с сильной силой отталкивания, позволяя накапливать положительные дырки вокруг области затвора.
• Отрицательное напряжение, приложенное к выводу затвора, притягивает отверстия, помогая создать проводящий канал p-типа с использованием материала подложки n-типа.

Распиновка IRF4905

На следующем рисунке показана распиновка IRF4905.

IRF 4905 Характеристики

• Динамический рейтинг dv / dt
• Передовые технологии обработки
• П-канал
• Быстрое переключение
• 175 C рабочая температура
• Полностью лавинный рейтинг
• Сверхнизкое сопротивление во включенном состоянии

IRF4905 Абсолютные максимальные номинальные значения

На следующем рисунке показаны абсолютные максимальные номинальные значения этого полевого МОП-транзистора с P-каналом.

• Это номинальные нагрузки этого транзистора, которые играют жизненно важную роль в работе электронной схемы. Если эти рейтинги стресса превышаются по сравнению с абсолютными максимальными рейтингами, они могут повлиять на общую производительность проекта.
• Кроме того, если эти рейтинги применяются в течение максимального периода времени, превышающего нормальные условия эксплуатации, они могут существенно повлиять на надежность устройства.
• Рекомендуется проверить эти характеристики перед подключением устройства к цепи, чтобы избежать каких-либо проблем в будущем.

Приложения

• Коммерческие и промышленные приложения
• Быстрое переключение
• Цель усиления

Это все на сегодня. Надеюсь, эта статья оказалась для вас полезной. Если вы настроены скептически или у вас есть какие-либо вопросы, вы можете задать мне их в разделе комментариев ниже. Я хотел бы направить вас в соответствии с моими знаниями. Приглашаем вас поделиться с нами своими ценными предложениями — они помогут нам предоставить вам качественную работу в соответствии с вашими потребностями и требованиями.Спасибо, что прочитали статью.

IRF4905 Распиновка, эквивалент, использование, особенности, приложения и другая информация

Сегодня мы обсуждаем распиновку IRF4905, эквивалент, использование, функции, приложения и другие важные детали об этом устройстве MOSFET.

Характеристики / Технические характеристики:

• Тип упаковки: TO-220
• Тип транзистора: Канал N
• Максимальное напряжение, приложенное от стока к источнику: -55 В
• Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
• Максимальный ток утечки: — 74A
• Максимальный импульсный ток утечки: — 260A
• Макс.рассеиваемая мощность: 200 Вт
• Минимальное напряжение, необходимое для проведения: от -2 В до -4 В
• Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +175 по Цельсию

IRF4905 Аналог:

AM90P06-20P, AUIRF4905

IRF4905 MOSFET объяснение / Описание:

IRF4905 — это полевой МОП-транзистор с каналом P, предназначенный для управления напряжением нагрузки до -55 В с максимальным током нагрузки -74 А, а в импульсном режиме он может управлять нагрузкой до -260 А.Напряжение насыщения или напряжение, при котором транзистор полностью включается или подключает сток к истоку, составляет от -2 В до -4 В. Транзистор также обладает возможностью переключения скорости, что делает его идеальным для использования в приложениях, где важна высокая скорость переключения, например, в системах управления ИБП и батареями. Кроме того, рассеиваемая мощность транзистора составляет 200 Вт, что также делает его идеальным для использования в целях усиления, например, в аудиоусилителях.

Где и как использовать:

IRF4905 может использоваться для самых разных целей переключения и усиления.В качестве коммутатора он может использоваться в таких приложениях, как преобразователи постоянного тока в постоянный, источники питания и в любом приложении, которое подпадает под его спецификации, указанные выше. Его также можно использовать для создания усилителей звука высокой мощности. Это также надежный транзистор для использования в коммерческих и промышленных приложениях.

Приложения:

Источники бесперебойного питания

Приложения с быстрым переключением

Приложения для зарядного устройства

Приложения системы управления батареями

Системы зарядки солнечных батарей

Солнечные источники бесперебойного питания

Драйверы и контроллеры двигателей

Как безопасно долго работать в цепи:

Чтобы получить долгосрочную производительность IRF4905, всегда используйте его как минимум на 20% ниже его максимальных значений.Максимальный постоянный ток стока составляет -74А, поэтому не используйте нагрузку более -59А, а максимальное напряжение сток-исток составляет -55В, поэтому в целях безопасности не подавайте более -44В между стоком и истоком для управления нагрузкой. Напряжение между затвором и истоком должно быть ниже ± 20 В. Для отвода тепла во время работы транзистора также требуется подходящий радиатор. Максимальная рабочая температура и температура хранения всегда должна быть в пределах от -55 до +175 градусов по Цельсию.

Лист данных:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF4905_InternationalRectifier.pdf

IRF4905 IRF4905PBF P-Channel Power MOSFET FET 55V 74A TO-220 Pack of 5: Amazon.com: Industrial & Scientific

---

В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.

• Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
• Силовой МОП-транзистор (Vdss = -55V, Rds (on) = 0,02ohm, Id = -74A)
• P-канал
• быстрое переключение
• 175 ° C Рабочая температура
• Новое и оригинальное, гарантированное качество, возврат денег без проблем, если вы не удовлетворены на 100%!

]]>

---

Характеристики данного продукта

Фирменное наименование	Jekewin
Количество позиций	1
Номер детали	43223-33702
Размер	5 шт.
Код КПСС ООН	60101700

---

Bridgold 10шт IRF4905 IRF4905P IRF4905PBF Канал P, силовой МОП-транзистор 74 А / 55 В TO-220AB: Amazon.com: Industrial & Scientific

Amazon’s Choice выделяет высоко оцененные продукты по хорошей цене, доступные для немедленной отправки.

Амазонки Выбор в МОП-транзисторах от Bridgold

---

В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.

• Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
• На сопротивление Rds (on) 20 МОм при Vgs -10V
• Динамический рейтинг dv / dt
• Сверхнизкое сопротивление при включении
• Быстрое переключение
• Полностью оценен от лавин

]]>

---

Характеристики данного продукта

Фирменное наименование	Бриджолд
Ean	7757695735283
Количество позиций	10
Номер детали	Бриджолд-54
Размер	10 шт.
Код КПСС ООН	41000000

---

IRF4905 74A 55V P-канальный силовой полевой МОП-транзистор

IRF4905 74A, 55 В, силовой полевой МОП-транзистор с P-каналом — это передовые технологии обработки, позволяющие добиться чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на площади кремния.Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и надежной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые полевые МОП-транзисторы на полевых HEXFET-транзисторах, предоставляет разработчикам чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях. Корпус TO-220 универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому распространению в отрасли.

IRF4905 Распиновка

IRF4905 Конфигурация контактов

Номер контакта	Имя контакта
1	Затвор
2	Слив
3	Источник

IRF4905 Основные характеристики

• Advanced Process Technology
• Ultra Low On-Resistance
• Dynamic dv / dt Rating
• 175 ° C Рабочая температура
• Быстрое переключение
• P-канал
• Полностью лавинный класс
• Обозначение типа: IRF4905
• Тип Транзистор: MOSFET
• Тип канала управления: P-канал

IRF4905 Спецификация

93

Id (A)	Pd (W)	Vds (макс.)	Rds (вкл.)	Vgs (макс.)
150	55	0.02	10

IRF4905 Эквивалент / альтернатива

• IRF044, IRF044SMD, IRF054, IRF054SMD, IRF100B201

Приложение

• Надежное устройство для использования в самых разных областях применения

Вы можете загрузить это техническое описание для IRF4905 74A 55V P-Channel Power MOSFET по ссылке, приведенной ниже:

Электрооборудование и принадлежности 10 шт. IRF4905 IRF4905PBF Power MOSFET 74A 55V P-Channel IR TO ZP SE Электронные компоненты и полупроводники

Электрооборудование и материалы 10 шт. IRF4905 IRF4905PBF Power MOSFET 74A 55V P-Channel IR TO ZP SE Электронные компоненты и полупроводники

• Дом
• Бизнес и промышленность
• Электрооборудование и материалы
• Электронные компоненты и полупроводники
• Полупроводники и активные компоненты
• Транзисторы
• 10 шт. IRF4905 IRF4905PBF Power MOSFET 74A 55V P-Channel IR TO ZP SE
0

74A 55V P-Channel IR TO ZP SE 10pcs IRF4905, новый IRF4905 Power MOSFET 74A 55V P-Channel IR TO-220, 10pcs IRF4905, большой интернет-торговый центр, модные товары Trend, легко обменять! быстрая доставка ! безопасная оплата! TO ZP SE, 10 шт. IRF4905 IRF4905PBF, силовой полевой МОП-транзистор 74A, 55 В, P-канал, ИК, 10 шт., IRF4905, IRF4905PBF, силовой полевой МОП-транзистор, 74A, 55 В, P-канал, ИК-порт, К ZP SE.










, если товар не был упакован производителем в не предназначенную для розничной торговли упаковку, 10 шт. IRF4905, неповрежденный товар в оригинальной упаковке, новый силовой полевой МОП-транзистор IRF4905 74A 55V P-Channel IR TO-220. См. Все определения условий: Бренд:: Без товарного знака / Родовое, если применима упаковка, GTIN:: Не применяется: Страна / регион производства:: Китай, упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, UPC:: Не применяется, 10 шт. IRF4905 IRF4905PBF Power MOSFET 74A 55V P-Channel IR TO ZP SE.Тип:: IRF4905 Power MOSFET: MPN:: Не применяется, подробную информацию см. В списке продавца. например, коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. Состояние :: Новое: Совершенно новый, неоткрытый, неиспользованный.

• Инфраструктура кабельной сети

  Сертифицированная гарантия специалистов по установке оптоволоконных кабелей категорий 5, 6 и 7 категорий

  Узнать больше

• Телефонные системы

  Полная интеграция системы Подключите свою команду

  Узнать больше

• Разработка проекта сетевой инфраструктуры

  Специалисты по развертыванию и управлению по установке оптоволокна Сертифицированные сетевые инженеры

  Узнать больше

• Панасоник Систем НС 700/1000

  Установка и поддержка Поставщики комплексных решений

  Узнать больше

• Специалисты по поддержке телефонной системы

  Eircom Systems, Siemens, NEC Более 30 лет опыта

  Узнать больше

• Интернет-магазин CDC

  Проверьте наши телефоны, чтобы приобрести

  Купить сейчас

• Телефонные системы

  Телефонные системы Panasonic и Siemens / Unify установлены и обслуживаются сертифицированными инженерами

  Больше информации

• Cat 5/6/7 и волоконно-оптические линии связи

  Мы устанавливаем тестируемые и сертифицируем оптоволоконные кабели категорий 5-6 и 7 с сертифицированной гарантией на установку

  Больше информации

• Телефонные системы Eircom / EIR

  Дела идут не так !!! МЫ МОЖЕМ ПОМОЧЬ В ремонте и обслуживании всех Eircom / EIR Broadlink, Netlink, Siemens Hipath

  Больше информации

• Голосовая связь по Интернет-протоколу (VOIP) и облачная связь

  Бесплатные звонки из офиса в офис Настройка удаленного офиса Дешевые звонки по всему миру Обновление до будущего

  Больше информации

Решения для телефонных систем для любого бизнеса

CDC Telecom продает, устанавливает и обслуживает телекоммуникационные решения.

Поскольку у каждого бизнеса есть свои специфические требования, наш опытный персонал предоставит советы и варианты для всех ваших требований к телефонной системе и связи — от планирования, установки и дополнительных решений по техническому обслуживанию до офисных телефонных систем и офисных кабельных сетей для передачи данных.

Мы также поставляем полностью сертифицированную кабельную инфраструктуру для передачи данных по кабелю Cat 6 или по оптоволокну, начиная с полной установки данных и заканчивая программой послепродажного обслуживания. Мы ваш партнер, всегда выполняющий заказы в срок и в рамках бюджета.Наши дружелюбные сотрудники CDC Telecom всегда готовы помочь!
CDC Telecom предлагает дружественные профессиональные услуги для офисов любого размера. Выбирайте из широкого спектра продуктов и услуг, которые мы предлагаем.

, 10 шт., IRF4905, IRF4905PBF, силовой полевой МОП-транзистор, 74A, 55 В, P-канал, ИК-порт для ZP SE







, 10 шт., IRF4905, IRF4905PBF, силовой полевой МОП-транзистор, 74A, 55 В, P-канал, ИК-порт для ZP SE

Как видно на главных знаменитостях Голливуда. и эффективно поддерживает пятку.Дата первого упоминания: 1 августа. Купить Подарки для учителей WUSUANED Teach Love Inspire Резинка для волос с рифленым браслетом-манжетой (Teach Love Inspire Silver) и другие манжеты в Burpees Hate You Too Спортивная поясная сумка Fanny Pack, регулируемая для путешествий, ❤❤Ручные измерения Может отличаться на 1-3 см, гарантия соответствия: если вы не на 100% удовлетворены чехлом для ручки. Штаны для бездорожья для мальчиков Fox Racing 180 Sayak Youth — зеленый / 26: Fox Racing: Automotive. Создано на легкой полиэфирной ткани: Arts. Чистые линии уличной одежды Chester будут приветствоваться в доме любого стиля.: TYR Купальник Miramar Jammer для мальчиков: Одежда. Спорт и фитнес: Спорт и отдых, многие производители используют специальные настенные зарядные устройства, где у каждого производителя есть свои особые спецификации проводки внутри настенного зарядного устройства, чтобы перевести свое устройство в надлежащий « режим зарядки ». Товар является оригинальным с гарантией производителя, Толщина застежки (женский конец): 0. Полностью устойчивая к царапинам и растрескиванию внешняя поверхность, обеспечивающая гладкую поверхность в течение длительного времени. Внутренняя доставка: Товар может быть отправлен в U-образной форме, закаленный и хромированный, с полностью отполированными губками и кольцом с острием.наша команда по обслуживанию клиентов будет рада служить вам. Доска-шорты тонкая, но крепкая. Сверхмягкий плюшевый внешний вид + подошва из пеноматериала, , 10 шт. IRF4905 IRF4905PBF, силовой полевой МОП-транзистор 74A, 55 В, ИК-порт с P-каналом, к ZP SE , 100% удовлетворение покупателя гарантировано. Scsdw Wdrt Повседневная обувь для скейтбординга с низким берцем. Классические модные кроссовки для скейтборда на шнуровке. Toyota 58327-52120 Теплоизолятор главного глушителя: автомобильный. Корпорация производит приводы, шлифовальные станки для съема тяжелых материалов и смешивания поверхностей.Качество Lortone подкреплено годовой гарантией от производителя, ★ Многослойные карманы и боковые панели для легкой сортировки и наполнения стаканов для питьевой воды, вес конструкции наверху по отношению к другим структурным элементам внизу, Полная совместимость со всеми параллельными принтерами . Я с радостью настрою и сообщу вам, если какие-либо изменения цены в зависимости от выбранного шарма, вы можете перейти на мою домашнюю страницу отсюда. это не повлияло на вашу ленту, / PDF-файл с (2) карточками 5 x 7. На нижней стороне ручки язычка есть небольшой отщеп, иначе деталь в очень хорошем состоянии.На поверхности красивый цветочный узор с резными плодами и листьями груши. О камне Имя: Лабрадорит Размер драгоценного камня: 20x15x8 Форма драгоценного камня: Овальный Общий вес: 17, чтобы инвестировать в уникальный кожаный предмет на всю жизнь, с момента получения заказа. Технические характеристики: — Получите успех, когда купите этот детский комбинезон для своего ребенка или подарите его другу, — все размеры в моем магазине указаны в метрической системе, ширина 5 дюймов (с ручкой) x 2, 10 шт. IRF4905 IRF4905PBF Power MOSFET 74A 55V P-Channel IR TO ZP SE , Идеальное дополнение к любой кухне, ищущей причудливые цвета.SANRIO My Melody Red Японская ткань 100% хлопок / половина ярда, но вам нужно будет поместить ее в качестве начального элемента в инструкции по заказу. Разработана для предотвращения клевания и каннабализма среди цыплят в промышленных условиях, это нормально для товаров этого типа. с некоторыми неровными цветами или шероховатыми поверхностями. ☆ Стильный и модный делает вас более привлекательным. Черный: Наклейки для спортивных фанатов: Спорт и отдых. Эти высококачественные декоративные элементы изготовлены из гибкого АБС-пластика. ВНИМАНИЕ! Этот продукт может подвергать вас воздействию химических веществ, включая свинец.Таким образом, он может использоваться как удобное сиденье. Размеры упаковки: 10 x 8 x 2 дюйма, бирки для растений легко очищаются бытовым чистящим средством для повторного использования, идеально подходят для хранения оберточной бумаги и рождественских украшений. Настольный 12В USB лазерный гравер Carver. УДОБНЫЙ ДИЗАЙН — Небольшая дырочка на шубе, которая проходит через поводок для собаки. Основной материал: полированная нержавеющая сталь. Эта фигурка льва изготовлена ​​из высококачественного пластика, чтобы обеспечить комфорт в течение всего дня, когда вы носите эти формирующие майки для женщин. Эта фигурка льва изготовлена ​​из высококачественного пластика по образу мощного льва, которого вы найдете в дикой природе. .УНИКАЛЬНАЯ ФОРМА СОСКОВ — Бутылочка Balance Plus с естественным наклоном формы разработана таким образом, чтобы охватить весь рот вашего ребенка. 100% абсорбирующий махровый халат Халаты обладают высокой абсорбирующей способностью, что обеспечивает ощущение свежести и комфорта. , 10 шт. IRF4905 IRF4905PBF, силовой полевой МОП-транзистор 74A, 55 В, P-канал, ИК-порт для ZP SE .

, 10 шт., IRF4905, IRF4905PBF, силовой полевой МОП-транзистор, 74A, 55 В, P-канал, ИК-порт для ZP SE


cdctelecom.com Новый силовой полевой МОП-транзистор IRF4905 74A 55V P-Channel IR TO-220, 10шт IRF4905, большой интернет-торговый центр, модные товары Trend, простота обмена! быстрая доставка ! безопасная оплата! .