Irf540 параметры: IRF540 описание на русском, аналоги, параметры, цоколевка

Irf540 параметры

Сам не менял , но тут писали про замену на автомобильный, а мосфет уже сгорел? Автомобильный, на сколько помню, предлагали куда-то на питание стола напрямую от блока. Но он щелкает. Для повышения есть блоки на али. Мосфет еще не сгорел.

Поиск данных по Вашему запросу:

Irf540 параметры

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Уважаемый Пользователь!
• Реаниматор форсунок
• Импортные аналоги отечественных полевых транзисторов
• Транзистор IRF540 полевой N-канальный 100V 27A корпус TO-220
• (100% новое и оригинальное) IRF540N IRF540 транзистор
• Транзистор IRF540 China
• Полевой транзистор IRF540 MOSFET datasheet документация на русском
• Параметры полевого транзистора IRF540. Интернет-справочник ПАРАТРАН.
• GDPR, Cookies и персональные данные.

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Полевой транзистор в режиме ключа

Уважаемый Пользователь!

Сам не менял , но тут писали про замену на автомобильный, а мосфет уже сгорел? Автомобильный, на сколько помню, предлагали куда-то на питание стола напрямую от блока. Но он щелкает. Для повышения есть блоки на али. Мосфет еще не сгорел. До греет нормально, на печатал порядка 5 часов и все норм, хоть и греется прилично. Просто не люблю лишний раз разбирать бутерброд и ковыряться в куче проводов. А тут раз уж лезть менять предохранитель, то сразу и транзистор перепаять на нормальный.

Транзистор IRF хватит. Или пожалуй лучше логического уровня IRFZ Предел 60 вольт, 50 ампер. Если 50ампер мало — тогда гугел. Предохранитель заменить таким же! Умножте на 1,2 округлите до ближайшего Большего, и в магазин. Вот спасибо Нашел пост с транзисторами, на там все IRL были. На сайте единственного известного мне местного радиотехнического таких нет, а вот IRF есть. Только подскажите, если после указанной маркировки идут буквы, это допустимо или уже другие? Первый отличается от второго тем, что он без содержания свинца P lum b um F ree на лужёных выводах.

Сдохнет на раз. Но у меня стол большой. Световали еще больше, но не нашел чип и дипе. Теперьс платы я беру только управляющий сигнал. А питание на нагрев напрямую с блока питания. Присмотрел уже на алике повышающие блоки с цифровым управлением.

Но это надо еще заказать и дождаться. Местные барыги такие почему-то не возят, только с ручной настройкой. Они оба на 12В? Когда писал про трубчатый, не думал про такой ток. В машине в приблуде на прикуриватель трубчатый был на 10А, так когда сгорел даже не заметил, просто прибор перестал работать.

А ток предохранителей точно такой? В таком случае возникает другой вопрос — если поставить предохранители на больший ток, не получится ли, что на плате найдется место слабее нового предохранителя? И еще момент, почему я в начале вольтаж упомянул, предохранители подписаны как 30В 5А и 16В 11А. И вот тут я окончательно запутался. L в маркировке это логический уровень. Измерить бы напряжение на управляющем электроде при включенном подогреве.

Но поскольку этим хозяйством управляет микроконтроллер то подозреваю это 5в, ато и 3. В результате полевик не доконца открывается: греется как печка сам, а до нагревателя пару вольт не доходит. Буквы в конце в маркировки скорей всего означают закодированный тип корпуса. Вообще нужны транзисторы с эктремально низким Rds on сопротивление открытого канала в миллиомах и полностью открывающегося при 5в.

Если управляющий сигнал не ШИМ а на нагревателях врятли , то на проходную ёмкость транзистора внимания не обращать. Просто здоровенный голый предохранитель опасно использовать в сети в — можно случайно задеть пальцем. Жаль, что рэле быстро умрёт, зато наивысший КПД. Да кстати, NCEK недавно покупал для мотора на вт. И эктремально низкое Rdson 6. Но он полностью открывается при 10вольтах. Дороговаты транзисторы. Но они великолепны!

Для написания комментариев, пожалуйста, авторизуйтесь. Вам было отправлено письмо с инструкцией по восстановлению пароля. Если вы не получили письмо в течение 5 минут, проверьте папку спам, попробуйте еще раз. Alex-S Загрузка. Вопросы и ответы. Подскажите, на что можно заменить самовосстанавливающийся предохранитель подогрева стола на Ramps 1.

Предохранитель не сгорел, но надо было его немного наклонить и отломалась одна нога. Кое-как припаял вставкой из куска медного провода, но надо заменить. Может был у кого опыт замены его на автомобильный или трубчатый стеклянный? Все же их найти проще, чем такой и не будут так сильно торчать над платой. Так же подскажите его параметры. Как ни гуглил, разобраться с маркировкой не смог. И напомните, на какие транзисторы меняется китайский транзистор подогрева стола?

Есть ли отечественные аналоги? Популярные вопросы Печать надувных изделий? SoloMoon Загрузка. Приветствую, дамы и господа! Подскажите, пожалуйста — подходит ли 3D-печать для изготовления надувных изделий?

Из ка Читать дальше. Возвращаясь к напечатанному. MorAlex Загрузка. Этот вопрос я задавал где то в конце прошлого или начале этого года. Сейчас вернувшись к идее собрать принтер другой конструкции используя донор Чем 3D принтер отличается от 3D плоттера?

Коллеги, помогите! На занятиях по моделированию один школьник спросил — Чем 3D принтер отличается от 3D плоттера и что лучше для нови Ответы Rodjerhell. Ссылка Печатает на RepRap. Ссылка Печатает на Flyingbear P Что такое 3D-принтер? Комментарии и вопросы Комментарии Вопросы. Керамический принтер за полтора месяца да и долларов нет. Подписаться на новости Контакты Реклама Обратная связь Наша команда.

Использование материалов Конфиденциальность. Подписаться на еженедельную рассылку.

Реаниматор форсунок

Усилитель звука на микросхеме TAP. Как работают атомные часы. Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться. Копирование материалов сайта возможно только с указанием ссылки на первоисточник — сайт meandr.

(% Новое И Оригинальное) Irfn Irf Транзистор, Find Complete Details about (% Новое И Оригинальное) Irfn Irf Транзистор,Irfn .

Импортные аналоги отечественных полевых транзисторов

Теги: Дешевые Бесплатная доставка 10 шт. Описание продукта Картинка только поставляет ссылку. Описание продукта 1. Мы отправим товар в течение 3 рабочих дней после получения оплаты. Пожалуйста, свяжитесь с нами напрямую, и мы используем ваши предпочтительные способы. Для стран и регионов, где EMS не может доставить, пожалуйста, выберите другие способы доставки. Возврат и замена 1. Мы отправим новую замену или возврат, как только товар будет получен.

Транзистор IRF540 полевой N-канальный 100V 27A корпус TO-220

Поиск возможных замен. Забыли пароль? Описание: Как отличить. Обмен личным опытом. Поиск в теме Версия для печати.

By Aleksandr , February 27, in Измерительная техника.

(100% новое и оригинальное) IRF540N IRF540 транзистор

Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью. Как покупать? Если, нет специального оборудования, типа паяльной станции и фенов, для отпайки микрочипа можно воспользоваться тонким фторопластовым проводом. Вход Регистрация Востановить пароль. Видео Как это работает?

Транзистор IRF540 China

Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода «сток» и «исток» , а управляющий электрод — затвор. Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное — током через транзистор. Поскольку транзистор называется «полевым», управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию. Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний. При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой. Максимальный ток для полевого транзистора IRF составляет 27A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.

В справочниках всегда приводятся такие параметры как: емкости под работу в режиме ключей например IRF, и т.д. можно по.

Полевой транзистор IRF540 MOSFET datasheet документация на русском

Irf540 параметры

Лазил и спалил в блоке ВСМ вежлевый свет в салоне авто, подскажите где можно приобрести полевой транзистор 12N Вот этот трёхногий злодей! Вот и всё, всем спасибо! Списо магазинов в Ставрополе.

Параметры полевого транзистора IRF540. Интернет-справочник ПАРАТРАН.

После инсульта собрал электропривод к инвалидной коляске из движка «индезита» Вт. Управление мощностью китайским ШИМ-регулятором 90в 15А. Хотя потребление при подъёме в горку не более 4А два шима за месяц спалил скорость вроде не превышал, не лихачил, не дрифтовал Хоть и недорогие, но ждать долго и горят в самый неподходящий момент. Хочу попробовать использовать ШИМ ардуино. Подскажите как сделать силовую часть.

Страниц: 1 2. Прошу помощи по акустике Microlab Solo 7c — OAI — Уважаемые форумчане, подскажите и помогите решить проблему.

GDPR, Cookies и персональные данные.

В статье рассмотрен классический irf, его технические характеристики и особенности. Так же приведены примеры его более современных версий, с улучшенными параметрами. Радиатор физически соединен с выводом стока. Между выводами стока и истока встроен паразитный диод. Распиновка представлена на рисунке. Примерно до года, некоторые экземпляры от IR, выпускались в корпусе для поверхностного монтажа SMD

Выберите регион , чтобы увидеть способы получения товара. Вход с паролем и Регистрация. Мой регион: Россия.

VISHAY IRF540 Power MOSFET Инструкция по эксплуатации

IRF540 Мощный МОП-транзистор
Инструкция по эксплуатации

IRF540 Мощный МОП-транзистор

РЕЗЮМЕ ПРОДУКТА

ВДС М	100
RDS(вкл. ) (Ом)	Vas = 10 В	0.077
Qg макс. (нКл)	72
Qgs (нКл)	11
Qгд (нКл)	32
Конфигурация	Один

ФУНКЦИИ И ОСОБЕННОСТИ

• Динамический рейтинг dV/dt
• Повторяющийся лавиноопасный рейтинг
• 175 °C рабочая температура
• Быстрое переключение
• Простота распараллеливания
• Простые требования к приводу
• Классификация материалов: определения соответствия см. www.vishay.com/doc?99912

Внимание
* В этом техническом паспорте содержится информация о деталях, которые соответствуют требованиям RoHS и/или не соответствуют требованиям RoHS. Для бывшегоample, детали со свинцовыми (Pb) выводами не соответствуют требованиям RoHS. Подробности см. в информации/таблицах в этом техническом описании.

ОПИСАНИЕ

Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности.
Корпус TO-220AB повсеместно предпочтителен для всех коммерческих и промышленных приложений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220AB способствуют его широкому распространению в отрасли.

ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА

Упаковка	К-220AB
Без свинца (Pb)	ИРФ540PbF
Без свинца (Pb) и без галогенов	ИРФ540PbF-BE3

АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ

(TC = 25 °C, если не указано иное)

ПАРАМЕТР			SYMBOL	ОГРАНИЧЕНИЯ	ЕД. ИЗМ
Объем стока-источникаtage			VDS	100	V
Ворота-источник томtage			Vas	± 20
Непрерывный ток стока	Вас на 10 В	Тк = 25 °С	ID	28	A
		Тк = 100 °С		20
Импульсный ток стока a			Ipm	110
Линейный коэффициент снижения				1. 0	Вт/°С
Энергия лавины одиночного импульса b			EAS	230	mJ
Повторяющийся лавинный поток a			IAR	28	A
Повторяющаяся энергия лавины a			EAR	15	mJ
Максимальная рассеиваемая мощность	Тк = 25 °С		PD	150	W
Пиковое восстановление диода dV/dt °			dV/dt	6.	В/нс
Диапазон температур рабочего спая и хранения			Тдж, Тстг	-55 до + 175	° C
Рекомендации по пайке (пиковая температура)d	В течение 10 с			300
Момент затяжки	винт 6-32 или М3			10	фунт-сила • дюйм
				1.	Н • м

Заметки
а. Повторяющийся рейтинг; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. рис. 11)
б. VDD = 25 В, пусковая TJ = 25 °C, L = 440 мкГн, Rg = 25 Ом, IAS = 28 А (см. рис. 12)
в. ISD ≤ 28 A, dI/dt ≤ 170 A/мкс, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C
д. 1.6 мм от корпуса

ПОКАЗАТЕЛИ ТЕРМОСТОЙКОСТИ

ПАРАМЕТР	SYMBOL	ТИП.	МАКСИМУМ.	ЕД. ИЗМ
Максимальный переход к окружающей среде	RthJA		62	° C / Вт
Корпус к раковине, плоская, смазанная поверхность	RthCS	0.50	–
Максимальное расстояние от соединения к корпусу (слив)	RthJC		1.0

ХАРАКТЕРИСТИКИ

(T = 25 °C, если не указано иное)

ПАРАМЕТР	SYMBOL	УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ		Минимум	ТИП.	МАКСИМУМ.	ЕД. ИЗМ
статический
Объем стока-источникаtage	VDS	VGS = 0 В, ID = 250 пА		100	–	–	V
Температурный коэффициент VDS	3ВДС/ТДж	Относительно 25 °C, ID = 1 мА			0. 13	–	В/°С
Порог ворот-источника voltage	ВГС(й)	VDS = VGS, ID = 250 пА		2.0	–	4.0	V
Утечка затвора-источника	ИССС	ВГС = ± 20 В		–	–	± 100	nA
Нулевые ворота, томtagе ток стока	от	VDS = 100 В) VGS = 0 В			–	25	VA
		VDS = 80 В, VGS = 0 В, TJ = 150 °C		–	–	250
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии	РД5(вкл.)	ВГС = 10 В	I ID = 17 А б		–	0.077	S2
Прямая крутизна	GRS	VDS = 50 В, ID = 17 А б		9.			S
динамический
Входная емкость	Косс	Vas = 0 В, VDS = 25 В, f = 1. 0 МГц, см. рис. 5			1700		pF
Выходная емкость	Косс				560
Обратная передаточная емкость	Qg				120
Общая стоимость ворот	Qgs	ВГС = 10 В	ВДГ = 1380 В, ИД ан см. рис. 6 дБ			72	nC
Плата затвор-источник	Qgs					11
Зарядка затвора	Qgs					32
Время задержки включения	тд (включено)	VDD = 50 В, ID = 17 А R9 = 9.1 фл, RD = 2.9 52, см. рис. 10 б			11		ns
Время нарастания	tr				44	–
Время задержки выключения	тд (часто)				53	–
Время падения	tf				43	–
Входное сопротивление затвора	Фига	f = 1 МГц, открытый сток		0. 5	–	4.	Si
Индуктивность внутреннего стока	I-0	Между выводом, 6 мм (0.25″) от упаковки и центром контакта матрицы			5.	–	nH
Индуктивность внутреннего источника	Ls				8.	–
Характеристики диода сток-исток
Непрерывный ток диода исток-сток	Is	Символ MOSFET, показывающий интегральный диод с обратным p – n переходом			–	28	A
Прямой ток импульсного диода a	Исм				–	110
Объем корпуса диодаtage	Всо	Tj = 25 °C, Is = 28 А, VGs=0Vb			–	3.	V
Время обратного восстановления диода корпуса	TRR	T j = 25 °C, IF = 17 A, dl/dt = 100 Ails b		–	180	360	ns
Заряд обратного восстановления диода корпуса	Qrr			–	1.	3.	pC
Время включения вперед	тонна	Собственным временем включения можно пренебречь (при включении преобладают Ls и LD)

Заметки
а. Повторяющийся рейтинг; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. рис. 11)
б. Ширина импульса ≤ 300 мкс; рабочий цикл ≤ 2 %

ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

(25 °C, если не указано иное)

Vishay Siliconix поддерживает производственные мощности по всему миру. Продукция может производиться в одном из нескольких квалифицированных мест. Данные о надежности для Silicon Technology и Package Reliability представляют собой совокупность всех соответствующих местоположений. Связанные документы, такие как чертежи упаковки/ленты, маркировка деталей и данные о надежности, см. http://www.vishay.com/ppg?91021.

Информация о пакете

Вишай Силиконикс ТО-220-1

DIM.	МИЛЛИМЕТРЫ		INCHES
	Минимум	МАКСИМУМ.	Минимум	МАКСИМУМ.
A	4.	5.	0.167	0.183
b	0.69	1.	0.027	0.040
Би 1)	1.	2.	0.045	0.070
c	0.36	0.61	0.014	0.024
D	14	16	0.564	0.624
E	10	11	0.392	0.414
e	2.	3.	0.095	0.105
е (1)	5.	5.	0.192	0.208
F	1.	1.40	0.045	0.055
1 1- (1)	6.10	7.	0.240	0.264
Дж(1)	2.	3.	0.095	0.115
L	13	14.40	0.526	0.567
Л (1)	3.	4.	0.131	0.159
0 P	4.	4.	0.139	0.155
0	3.	3.00	0.100	0.118
ECN: E21-0621-Rev. D, 04 ноября 2021 г. DWG: 6031

report this ad

Внимание
• M* = от 0.052 дюйма до 0.064 дюйма (размеры с учетом выступа), отверстие радиатора для HVM

Уведомление об отказе от ответственности

Vishay
Дисклеймер
ВСЕ ПРОДУКТЫ, СПЕЦИФИКАЦИИ И ДАННЫЕ МОГУТ ИЗМЕНЯТЬСЯ БЕЗ УВЕДОМЛЕНИЯ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ, ФУНКЦИОНАЛЬНОСТИ, КОНСТРУКЦИИ ИЛИ ИНЫМ ОБРАЗОМ.
Vishay Intertechnology, Inc., ее аффилированные лица, агенты и сотрудники, а также все лица, действующие от ее или их имени (совместно именуемые «Vishay»), отказываются от какой-либо ответственности за любые ошибки, неточности или неполноту, содержащуюся в любом листе данных или в любом иное раскрытие информации, относящейся к какому-либо продукту.
Vishay не дает никаких гарантий, заявлений или гарантий относительно пригодности продуктов для какой-либо конкретной цели или непрерывного производства любого продукта. В максимальной степени, разрешенной применимым законодательством, Vishay отказывается от (i) любой ответственности, возникающей в результате применения или использования любого продукта, (ii) любой ответственности, включая, помимо прочего, особые, косвенные или случайные убытки, и (iii ) любые и все подразумеваемые гарантии, включая гарантии пригодности для конкретной цели, ненарушения прав и товарной пригодности.
Заявления о пригодности продуктов для определенных типов приложений основаны на знании Vishay типичных требований, которые часто предъявляются к продуктам Vishay в общих приложениях. Такие заявления не являются обязывающими заявлениями о пригодности продуктов для конкретного применения. Клиент несет ответственность за подтверждение того, что конкретный продукт со свойствами, описанными в спецификации продукта, подходит для использования в конкретном приложении. Параметры, представленные в технических описаниях и/или спецификациях, могут различаться в зависимости от приложений, и производительность может меняться со временем. Все рабочие параметры, включая типовые параметры, должны быть проверены техническими экспертами заказчика для каждого приложения клиента.
Спецификации продукта не расширяют и не изменяют каким-либо иным образом условия покупки Vishay, включая, помимо прочего, изложенную в них гарантию.
Гиперссылки, включенные в это техническое описание, могут направлять пользователей на сторонние webместа. Эти ссылки предоставляются для удобства и только в информационных целях. Включение этих гиперссылок не означает поддержку или одобрение со стороны Vishay каких-либо продуктов, услуг или мнений корпорации, организации или отдельного лица, связанного со сторонней организацией. webсайт.
Vishay отказывается от любой ответственности и не несет ответственности за точность, законность или содержание сторонних webсайта или для последующих ссылок.
За исключением случаев, когда это прямо указано в письменной форме, продукты Vishay не предназначены для использования в медицинских, спасательных или поддерживающих жизнь приложениях или для любых других приложений, в которых отказ продукта Vishay может привести к травмам или смерти.
Клиенты, использующие или продающие продукты Vishay, явно не предназначенные для использования в таких приложениях, делают это на свой страх и риск. Пожалуйста, свяжитесь с авторизованным персоналом Vishay, чтобы получить письменные условия относительно продуктов, предназначенных для таких применений. Никакая лицензия, прямо выраженная или подразумеваемая, посредством эстоппеля или иным образом, на какие-либо права интеллектуальной собственности не предоставляется настоящим документом или каким-либо поведением Vishay. Названия продуктов и маркировка, указанные здесь, могут быть товарными знаками соответствующих владельцев.

© 2022 VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC. ВСЕ ПРАВА ЗАЩИЩЕНЫ
Редакция: 01 января 2022 г.
Номер документа: 91000
Скачано от Arrow.com.

Документы / Ресурсы

VISHAY IRF540 Мощный МОП-транзистор [pdf] Инструкция по эксплуатации IRF540 Силовой МОП-транзистор, IRF540, Силовой МОП-транзистор, МОП-транзистор

Рекомендации

• приложения.нет
• IRF540 Мощный МОП-транзистор | Вишай

25 ноября 202225 ноября 2022Опубликовано вVISHAYТеги: IRF540, IRF540 Мощный МОП-транзистор, МОП-транзистор, Мощность МОП-транзистора, VISHAY

Фелер 404

Фелер 404 изображение/svg+xml

Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote

Sprache

Верунг

Preise

нетто

брутто

нетто

брутто

Nutze diesuchmaschine, um Themen zu finden, die Dich interessieren:

Каталог Ви кауфт человек Хильфе

или zurück zu: Дом

Abonnieren Sie jetzt

В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.
Hier können Sie sich auch von der Liste abmelden.

* Pflichtfeld

AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten

Ich habe mich mit der Ordnung des TME-Bulletins bekannt gemacht und erteile meine Zustimmung, damit das elektronische Informationsbulletin des TME-Dienstes meine E-Mail-Adresse geschickt wird. Ordnung des TME-Bulletins

*

1. Transfer Multisort Elektronik sp. о.о. mit Sitz в Лодзи, Адрес: ул. Устронная 41, 93-350 Łódź teilt hiermit mit, dass sie der Administrator Ihrer personenbezogenen Daten sein wird.
2. Ein Datenschutzbeauftragter wird beim Administrator der personenbezogenen Daten ernannt und kann per E-Mail unter [email protected] kontaktiert werden.
3. Ihre Daten werden verarbeitet auf Grundlage von Art. 6 Абс. 1 лит. a) der Verordnung des Europäischen Parlaments und des Rates (EU) 2016/679 vom 27. April 2016 zum Schutz natürlicher Personen bei der Verarbeitung personenbezogener Daten und zum freien Datenverkehr und zur Aufhebung der Richtlinie 95/46/EG (nachstehend «DSGVO» genannt), um an die angegebene E-Mail-Adresse den elektronischen Newsletter von TME zu senden.
4. Die Angabe der Daten ist freiwillig, jedoch für den Versand des Newsletters erforderlich.

5. Ihre personenbezogenen Daten werden gespeichert, bis Ihre Einwilligung für die Verarbeitung Ihre personenbezogenen Daten widerufen.
6. Sie haben das Recht auf Zugang, Berichtigung, Löschung oder Einschränkung der Verarbeitung Ihrer Daten;
Soweit Ihre personenbezogenen Daten aufgrund einer Einwilligung verarbeitet werden, haben Sie das Recht, die Einwilligung zu widerufen. Der Widerruf der Einwilligung berührt nicht die Rechtmäßigkeit der Verarbeitung auf der Grundlage der Einwilligung vor dem Widerruf.
7. Soweit Ihre Daten zum Zwecke des Vertragsabschlusses und der Vertragsabwicklung oder aufgrund Ihrer Einwilligung verarbeitet werden, haben Sie auch das Recht, Ihre personenbezogenen Daten zu übertragen, d. час von der verantwortlichen Stelle in structurierter, allgemein üblicher und maschinenlesbarer Form zu erhalten. Sie können diese Daten einen anderen Datenadministrator übersenden.
8. Sie haben auch das Recht, eine Beschwerde bei der für Datenschutz zuständigen Aufsichtsbehörde einzureichen.

больше Венигер

TME-Newsletter abonnieren

Ангбот — Рабат — Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME

AGB zum Информационный бюллетень Auf Mitteilungsblatt verzichten

Daten werden verarbeitet

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Логин

Пароль

Логин и пароль заранее.

Die Angabe im Feld ist zu kurz. Мин. Отметьте значение %minLength%.

Пароль недействителен?

Dein Browser wird nicht mehr unterstützt, bitte lade eine neue Version herunter

Хром Скачать фон Датей

Fire Fox Скачать фон Датей

Опера Скачать фон Датей

Интернет-проводник Скачать фон Датей

Выбрать почтовый ящик

IRF540 Low Gate Charge STripFET™ II Power Mosfet Технический паспорт Скачать в формате PDF0099

Features

Ordering Information 

Absolute Maximum Ratings

Thermal Data

Electrical Characteristics

Typical Electrical Characteristics

Размеры упаковки

IRF540 Технический паспорт

IRF540 FAQ

 

Description

IRF540 MOSFET series realized with STMicroelectronics  unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. Поэтому он подходит в качестве первичного переключателя в усовершенствованных высокоэффективных высокочастотных изолированных преобразователях DC-DC для телекоммуникаций и Компьютерные приложения . Он также предназначен для любых приложений с низкими требованиями привода затвора .

 

Applications

■ High-efficiency dc-dc converters

■ Ups and motor control

 

Features

ТИП	В ДСС	Р ДС(он)	И Д
ИРФ540	100 В	<0,077 Ом	22 А

■ Типовой R _DS(on)  = 0. 055Ω

■ Exceptional dv/dt capability

■ 100% avalanche tested

■ Low gate charge

■ Application oriented characterization

 

ТИП ПРОДАЖИ	МАРКИРОВКА	УПАКОВКА	УПАКОВКА
ИРФ540	ИРФ540 и	ТО-220	ТРУБКА

Абсолютные максимальные значения

Символ	Параметр	Значение	Блок
В ДС	Напряжение сток-исток (В GS = 0)	100	В
В ДГР	Напряжение дренажного затвора (R GS = 20 кОм)	100	В
В ГС	Напряжение затвора-источника	± 20	В
И Д	Ток стока (непрерывный) при T C = 25°C	22	А
И Д	Ток стока (непрерывный) при T C = 100°C	15	А
I ДМ (1)	Ток стока (импульсный)	88	А
P до	Общее рассеивание при T C = 25°C	85	Вт
	Коэффициент снижения характеристик	0,57	Вт/°C
дв/дт (2)	Пиковое напряжение восстановления диода	9	В/нс
E AS (3)	Одноимпульсная лавинная энергия	220	мДж
Т стг	Температура хранения	от -55 до 175	°С
Т й	Макс. Рабочая температура перехода

(1) Ширина импульса ограничена безопасной рабочей областью .

(2) I _SD ≤ 22A, di/dt ≤ 300A/мкс, В _DD ≤ V _(BR)DSS , T _j ≤ T _JMAX

3 (300023) j = 25℃, I _D = 12 А, В _DD = 30 В

 

Тепловые характеристики

Rthj-кейс	Распределительный корпус теплового сопротивления	Максимум	1,76	°С/Вт
Rthj-амб	Термическое сопротивление переход-окружающая среда	Максимум	62,5	°С/Вт
Т л	Максимальная температура вывода для пайки	Тип	300	°С

 

Электрические характеристики

T _корпус  = 25 °C, если не указано иное

ВЫКЛ.

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Блок

В _(БР)ДСС

Напряжение пробоя сток-исток

I _D = 250 мкА, В _GS = 0

100

 

 

В

I _ДСС

Ток стока при нулевом напряжении затвора (В _ГС = 0)

В _DS = Максимальный номинал

В _DS = Макс. номинальное значение T _C = 125°C

 

 

1

10

мкА мкА

I _ГСС

Ток утечки корпуса затвора (V _DS = 0)

В _ГС = ± 20 В

 

 

±100

нА

 

ВКЛ

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Блок
В ГС(й)	Пороговое напряжение затвора	В DS  = В GS I D = 250 мкА	2	3	4	В
Р ДС(на)	Статический сток-источник на сопротивлении	В GS = 10 В I D = 11 А		0,055	0,077	Вт

 

ДИНАМИЧЕСКИЙ

Символ	Параметр	Условия испытаний		Мин.	Тип.	Макс.	Блок
г фс (*)	Передняя крутизна	В ДС =25 В	I D = 11 А		20		С
С исс	Входная емкость	В DS = 25 В, f = 1 МГц, В GS = 0			870		пФ
С осс	Выходная емкость				125		пФ
С рсс	Обратная передача Емкость				52		пФ

 

ВКЛЮЧЕНИЕ

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Блок
т д(он)	Время задержки включения	В DD = 50 В I D = 12 А		60		нс
т р	Время нарастания	R G = 4,7 Вт В GS = 10 В (резистивная нагрузка)		45		нс
Q г	Общая стоимость ворот	В DD = 80 В I D = 22 А В GS = 10 В		30	41	нК
Q GS	Заряд источника-ворота			6		нКл
Q гд	Дренажная зарядка ворот			10		нК

 

ВЫКЛЮЧЕНИЕ

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Блок
т д(выкл)	Время задержки выключения	В DD = 50 В I D = 12 А		50		нс
т ф		R G = 4,7 Вт, В GS = 10 В (резистивная нагрузка)		20		нс
	Время осени

 

ИСТОЧНИК СТОК ДИОД

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Блок
I SD I СДМ (·)	Исток-сток Ток Ток исток-сток (импульсный)				22 88	А А
В SD (*)	Прямое напряжение при включении	I SD = 22 A V GS = 0			1,3	В
т рр	Время обратного восстановления	I SD = 22 A di/dt = 100 A/мкс		100		нс
Q рр	Заряд обратного восстановления	В DD = 30 В T j = 150°C		375		нК
я РРМ	Обратный ток восстановления			7,5		А

(*) Импульсный: длительность импульса = 300 мкс, коэффициент заполнения 1,5 %.

(·)Ширина импульса ограничена безопасной рабочей областью .

 

Типовые электрические характеристики

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Package Dimensions

NOTES:

1. Размеры и допуски согласно ANSIY14.5M, 1982.

2. Контрольный размер: дюймы.

3.Размер z определяет зону, в которой разрешены все неровности тела и упреждения.

 

ДИМ	ДЮЙМЫ		МИЛЛИМЕТРОВ
	МИН	МАКС	МИН	МАКС
А	0,570	0,620	14,48	15,75
Б	0,380	0,405	9. 66	10,28
С	0,160	0,190	4,07	4,82
Д	0,025	0,035	0,64	0,88
Ф	0,142	0,147	3,61	3,73
Г	0,095	0,105	2,42	2,66
Н	0,110	0,155	2,80	3,93
Дж	0,018	0,025	0,46	0,64
К	0,500	0,562	12,70	14,27
л	0,045	0,060	1,15	1,52
Н	0,190	0,210	4,83	5,33
Q	0,100	0,120	2,54	3,04
Р	0,080	0,110	2,04	2,79
С	0,045	0,055	1,15	1,39
Т	0,235	0,255	5,97	6,47
У	0,000	0,050	0,00	1,27
В	0,045	–––	1,15	–––
З	–––	0,080	–––	2,04

 

IRF540 Datasheet

You can  download  the datasheet of IRF540 from the link given below:

IRF540 Datasheet

 

IRF540 FAQ

What is IRF540 MOSFET?

IRF540 — это N-канальный МОП-транзистор, используемый для операций очень быстрого переключения, а также для процессов усиления . Работает в расширенном режиме. Он имеет множество применений в повседневной жизни, например, импульсные регуляторы, релейные драйверы, импульсные преобразователи, драйверы двигателей, высокоскоростные импульсные драйверы и т. д.

 

Какое напряжение затвор-исток в MOSFET?

Напряжение затвор-исток, VGS, полевого транзистора равно  напряжению, которое падает на вывод затвор-исток транзистора , как показано выше. Напряжение затвор-исток, VGS, является очень важным напряжением, поскольку именно оно отвечает за выключение JFET или MOSFET-транзистора с обеднением.

 

Для чего используются силовые МОП-транзисторы?

Мощные МОП-транзисторы широко используются в транспортная техника , которая включает в себя широкий спектр транспортных средств. В автомобильной промышленности силовые МОП-транзисторы широко используются в автомобильной электронике. Мощные полевые МОП-транзисторы (включая DMOS, LDMOS и VMOS) обычно используются для широкого круга других приложений.