Irf630 datasheet на русском. IRF630: мощный MOSFET-транзистор для силовой электроники и импульсных источников питания — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Каковы основные характеристики транзистора IRF630. Для каких применений он подходит. Какова его цоколевка и распиновка. Какие есть аналоги IRF630. Как правильно использовать этот MOSFET в схемах.

Содержание

Общие сведения о транзисторе IRF630

IRF630 — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, разработанный компанией International Rectifier. Он относится к семейству HEXFET Power MOSFETs и обладает рядом преимуществ по сравнению с биполярными транзисторами:

Высокое входное сопротивление
Низкое сопротивление открытого канала
Высокая скорость переключения
Возможность работы при высоких частотах
Хорошая температурная стабильность

IRF630 широко применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, драйверах электродвигателей и других устройствах силовой электроники. Его популярность обусловлена оптимальным сочетанием характеристик и доступной ценой.

Основные электрические параметры IRF630

Рассмотрим ключевые характеристики транзистора IRF630:

Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
Максимальный постоянный ток стока: 9 А
Максимальный импульсный ток стока: 36 А
Сопротивление открытого канала: 0.4 Ом (типовое)
Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
Входная емкость: 700 пФ
Время включения: 11 нс
Время выключения: 23 нс

Эти параметры делают IRF630 подходящим выбором для многих применений в силовой электронике, где требуется относительно высокое рабочее напряжение и средний уровень тока.

Конструкция и корпус транзистора IRF630

IRF630 выпускается в пластиковом корпусе TO-220AB. Это трехвыводной корпус с металлическим теплоотводом, который обеспечивает хороший отвод тепла. Размеры корпуса:

Длина: 10 мм
Ширина: 9 мм
Высота: 4.5 мм

Корпус TO-220AB удобен для монтажа на печатную плату или на радиатор. При мощных нагрузках рекомендуется использовать дополнительный теплоотвод для эффективного охлаждения транзистора.

Цоколевка и распиновка IRF630

Распиновка выводов IRF630 в корпусе TO-220AB следующая:

Затвор (Gate)
Сток (Drain)
Исток (Source)

Металлическая подложка корпуса электрически соединена с выводом стока. Это следует учитывать при монтаже транзистора на радиатор — может потребоваться изолирующая прокладка.

Области применения IRF630

Благодаря своим характеристикам, IRF630 находит применение во многих областях силовой электроники:

Импульсные источники питания
DC/DC преобразователи
Инверторы
Драйверы электродвигателей
Системы управления промышленным оборудованием
Зарядные устройства
Источники бесперебойного питания (ИБП)
Усилители класса D

IRF630 особенно хорошо подходит для схем, работающих на частотах до нескольких сотен кГц, где требуется коммутация токов до нескольких ампер при напряжениях до 200 В.

Особенности применения IRF630 в схемах

При использовании IRF630 в электронных устройствах следует учитывать некоторые особенности:

Для полного открытия транзистора напряжение на затворе должно быть не менее 10 В
Максимальное напряжение затвор-исток не должно превышать ±20 В
Рекомендуется использовать резистор между затвором и истоком для предотвращения самопроизвольного открытия транзистора
При работе на высоких частотах важно минимизировать паразитные индуктивности в цепи затвора
Для снижения коммутационных потерь можно применять снабберные цепи

Правильное применение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности IRF630 в ваших схемах.

Аналоги и замены для IRF630

В некоторых случаях может потребоваться замена IRF630 на аналогичный транзистор. Вот несколько подходящих аналогов:

IRF640 — имеет более высокий максимальный ток (18 А), но и более высокое сопротивление открытого канала
IRF730 — схожие характеристики, но с максимальным напряжением сток-исток 400 В
IRF530 — меньший максимальный ток (14 А), но более низкое сопротивление открытого канала
IRF510 — более низкое максимальное напряжение (100 В) и ток (5.6 А)

При выборе замены важно учитывать все ключевые параметры транзистора и особенности конкретной схемы.

Типовые схемы включения IRF630

Рассмотрим несколько типовых схем применения IRF630:

Ключевой режим

В этой схеме IRF630 работает как электронный ключ, управляемый логическим сигналом. Резистор R1 ограничивает ток затвора, а R2 предотвращает самопроизвольное открытие транзистора.

Понижающий DC/DC преобразователь

В этой схеме IRF630 работает в ключевом режиме, периодически подключая и отключая индуктивность L1 от входного напряжения. Диод D1 обеспечивает протекание тока в индуктивности при закрытом транзисторе.

Полумостовой инвертор

Эта схема использует два транзистора IRF630 для формирования переменного напряжения из постоянного. Транзисторы работают в противофазе, поочередно подключая нагрузку к положительной и отрицательной шине питания.

Сравнение IRF630 с другими MOSFET-транзисторами

Сравним IRF630 с некоторыми похожими MOSFET-транзисторами:

Параметр	IRF630	IRF640	IRF530	IRF510
Макс. напряжение сток-исток	200 В	200 В	100 В	100 В
Макс. постоянный ток стока	9 А	18 А	14 А	5.6 А
Сопротивление открытого канала	0.4 Ом	0.18 Ом	0.16 Ом	0.54 Ом
Макс. рассеиваемая мощность	75 Вт	125 Вт	79 Вт	43 Вт

Как видно из таблицы, IRF630 занимает промежуточное положение по основным параметрам, что делает его универсальным выбором для многих применений.

Особенности работы IRF630 при высоких частотах

При использовании IRF630 в высокочастотных схемах следует учитывать ряд факторов:

С ростом частоты увеличиваются динамические потери в транзисторе
Важно минимизировать паразитные индуктивности в цепи затвора
Рекомендуется использовать драйверы затвора для быстрого переключения
При частотах выше 100 кГц может потребоваться снабберная цепь

Правильный учет этих особенностей позволит эффективно использовать IRF630 в высокочастотных схемах.

Температурные характеристики IRF630

Температурные свойства IRF630 важны для обеспечения надежной работы устройства:

Максимальная температура перехода: 175°C
Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.67°C/Вт
Тепловое сопротивление корпус-окружающая среда: 62.5°C/Вт

При проектировании устройств с IRF630 необходимо обеспечить достаточный теплоотвод, чтобы температура перехода не превышала максимально допустимую.

Надежность и срок службы IRF630

IRF630 отличается высокой надежностью при правильном применении:

Устойчив к лавинному пробою
Выдерживает большое количество циклов переключения
Имеет встроенный защитный диод
Средний срок службы превышает 100 000 часов при нормальных условиях эксплуатации

Эти факторы делают IRF630 надежным выбором для ответственных применений.

Заключение и перспективы развития MOSFET-технологий

IRF630 остается популярным выбором для многих приложений силовой электроники благодаря оптимальному сочетанию характеристик и цены. Однако технологии MOSFET-транзисторов продолжают развиваться:

Снижается сопротивление открытого канала
Увеличивается плотность тока
Улучшаются частотные свойства
Появляются новые конструкции, например, SiC MOSFET

Эти тенденции открывают новые возможности для создания еще более эффективных и компактных устройств силовой электроники.

IRF630 транзистор характеристики, datasheet на русском, цоколевка

В данном тексте опишем основные технические характеристики транзистора IRF630. Он используется чаще всего в блоках питания, стабилизаторах, регуляторах, схемах управления электродвигателями и других электронных устройствах. Их можно найти в схемах развертки мониторов, импульсных блоках питания. Основная информация:

Полярность -N;
Тип — MOSFET;
Корпус — TO220.

Распиновка

Цоколевка IRF630 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-220АВ. Маркировка наносится на корпус, его размеры приведены на рисунке.

Выводы контактов у транзистора следующие:

з — ножка затвор;
с — сток;
и — исток.

Характеристики

При выборе MOSFET транзистора в первую очередь нужно обратить внимание на максимально допустимый ток стока. Для IRF630 он равен 9 А. Если ток превысит допустимое значение компонент выйдет из строя.

Еще одним важным параметром является напряжение между стоком и истоком. Если оно будет больше транзистор пробьется.

Максимальные значения:

Максимальное напряжение сток-исток (напряжение на затворе 0 В.) — 200 В;
Предельное напряжение между стоком и затвором — 200 В;
Максимальное напряжение на затворе — 20 В;
Максимальный постоянный ток стока при температуре 25⁰С — 9 А;
Предельный постоянный ток стока при температуре 100⁰С — 5,7 А;
Максимальный импульсный ток стока при температуре 25⁰С — 36 А;
Наибольшая рассеиваемая мощность — 75 Вт;
Температура хранения — -65 … +150⁰С;
Максимальная рабочая температура +150⁰С.

Электрические характеристики

Минимальное сопротивления открытого канала — 0,4 Ом;
Емкость затвора — 700 пФ;
Заряд затвора — 23,3 нКл;
Пороговое напряжение включения — 4 В.

Аналоги

Заменить транзистор IRF630 можно его ближайшим аналогом IRF510. Из отечественных полевых транзисторов подойдут КП630 и КП737А

Особенности монтажа

При выборе 630того в различные схемы следует учитывать его чувствительность к перегреву. Существует также вероятность его пробоя статическим электричеством. Поэтому рекомендуется использовать паяльник с регулировкой температуры и заземлением. Максимальная температура жала — 300⁰С.

Производители

DataSheet от irf630 можно скачать здесь. Его выпускают следующие производители: International Rectifier, STMicroelectronics, Advanced Power Electronics Corp.,INCHANGE Semiconductor, HI-SINCERITYMICROELECTRONICS CORP., NJ Semi-Conductor, FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, VISHAY

Транзистор полевой КП630 — DataSheet

Цоколевка транзисторов КП610, КП620, КП630, КП640, КП704

**Параметры транзистора КП630**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КП630А		IRF630
Структура			—	nМОП
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).	P_СИ,P^_*_{СИ, т max}	КП630А	—	74*	мВт, (Вт*)
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).	U_{ЗИ отс}, U^*_{ЗИ пор}	КП630А	—	2…4*	В
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток.	U_{СИ max}, U^*_ЗC max	КП630А	—	200	В
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное).	U_{ЗИ max}	КП630А	—	±20	В
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный)	I_С, I^*_С,_И	КП630А	—	*9(36)**	А
Начальный ток стока	I_{С нач,}I^*_С ост	КП630А	200 В	≤25*	мкА
Крутизна характеристики полевого транзистора	S	КП630А	50 В; 3.4 А	≥3800	мА/В
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком	C_11и, С^_12и, С^_22и	КП630А	—	950; 76*	пФ
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток	R_СИ отк, K^_у._P, P^*_вых, ΔU_ЗИ	КП630А	—	≤0.4	Ом, (дБ), (Вт),(мВ**)
Коэффициент шума транзистора	К_ш, U^_ш,E^_ш,Q^**	КП630А	—	—	Дб, (мкВ), (нВ/√Гц), (Кл*)
Время включения транзистора	t_вкл, t_выкл, F^*_р,ΔU_ЗИ/ΔT	КП630А	—	t_сп=25	нс, (нс), (МГц), (мкВ/°C**)

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор полевой КП704 — DataSheet

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КП704А		BUZ32, 2SK2161, 2SK757 ^3, 2SK2519-01 ^2, 2SK2520-01MR ^2, SFN220^3, BUZ35 ^3, BUZ32 ^2, PHP8N20E ^2, BUK554-200A ^2, BUK454-200A ^2, BUK564-200A ^3, BUK464-200A ^3, YTF630 ^2, YTF230 ^3, SFN230 ^3, IRF630R ^2, IRF630 ^2, IRF230R ^3, 2N7120 ^3, OM6102ST ^2, OM6002ST ^2
		КП704Б		BUZ31, 2SK459, 2N7080 ^1, IRF630^1, 2N7242 ^1, ВUК554-200В, BUK454-200B, 2N7274D1 ^1, 2N7274D2 ^1, 2N7274D3 ^1, 2N7274H ^1, 2N7274h2 ^1, 2N7274h3 ^1, 2N7274h4 ^1, 2N7274h5 ^1, 2N7274R ^1, 2N7274R1 ^1, 2N7274R2 ^1, 2N7274R3 ^1, 2N7274R4 ^1, FRM230D1 ^1, FRM230D2 ^1, FRM230D3 ^1, FRM230h2 ^1, FRM230h3 ^1, FRM230h4 ^1, FRM230h5 ^1, FRM230R1 ^1, FRM230R2 ^1, FRM230R3 ^1, FRM230R4^*1
Структура				С изолированным затвором, с n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).	P_СИ,P^_*_{СИ, т max}	КП704А	—	75*	мВт, (Вт*)
		КП704Б	—	75*
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).	U_{ЗИ отс}, U^*_{ЗИ пор}	КП704А	—	1.5…4*	В
		КП704Б	—	1.5…4*
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток.	U_{СИ max}, U^*_ЗC max	КП704А	—	200	В
		КП704Б	—	200
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное).	U_{ЗИ max}	КП704А	—	±20	В
		КП704Б	—	±20
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный)	I_С, I^*_С,_И	КП704А	—	10; 30*	А
		КП704Б	—	10; 30*
Начальный ток стока	I_{С нач,}I^*_С ост	КП704А	—	≤0.8	мА
		КП704Б	—	≤1
Крутизна характеристики полевого транзистора	S	КП704А	1 А	1000…2500	мА/В
		КП704Б	1 А	1000…2500
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком	C_11и, С^_12и, С^_22и	КП704А	—	250**	пФ
		КП704Б	—	250**
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток	R_СИ отк, K^_у._P, P^*_вых, ΔU_ЗИ	КП704А	—	≤0.35	Ом, (дБ), (Вт),(мВ**)
		КП704Б	—	≤0.5
Коэффициент шума транзистора	К_ш, U^_ш,E^_ш,Q^**	КП704А	—	—	Дб, (мкВ), (нВ/√Гц), (Кл*)
		КП704Б	—	—
Время включения транзистора	t_вкл, t_выкл, F^*_р,ΔU_ЗИ/ΔT	КП704А	—	≤100; ≤100*	нс, (нс), (МГц), (мкВ/°C**)
		КП704Б	—	≤100; ≤100*

Irf540 транзистор характеристики на русском, цоколевка, аналоги datasheet

IRF540NPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF540NPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 71
nC

Время нарастания (tr): 35
ns

Выходная емкость (Cd): 250
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.044
Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

IRF540NPBF

Datasheet (PDF)

1.1. irf540npbf.pdf Size:242K _update-mosfet

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF540NPBF
·FEATURES
·Drain Current I = 33A@ T =25℃
D C
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 44mΩ(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation
·DESCRITION
·Designed especially for high voltage,high speed applications,
such as off-line switchi

1.2. irf540npbf.pdf Size:153K _international_rectifier

PD — 94812
IRF540NPbF
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = 100V
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
RDS(on) = 44mΩ
Fast Switching
G
Fully Avalanche Rated
ID = 33A
Lead-Free
S
Description
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely l

3.1. irf540n.pdf Size:99K _international_rectifier

PD — 91341B
IRF540N
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
VDSS = 100V
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
RDS(on) = 44m?
G
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
ID = 33A
S
Description
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per s

3.2. irf540nlpbf irf540nspbf.pdf Size:279K _international_rectifier

PD — 95130
IRF540NSPbF
IRF540NLPbF
l Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
l Ultra Low On-Resistance
l Dynamic dv/dt Rating
D
l 175°C Operating Temperature
VDSS = 100V
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 44mΩ
l Lead-Free
G
Description
Advanced HEXFET Power MOSFETs from ID = 33A
International Rectifier utilize advanced processing S
techniques to achi

3.3. irf540ns.pdf Size:125K _international_rectifier

PD — 91342
IRF540NS
IRF540NL
Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
D
175C Operating Temperature VDSS = 100V
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 44m?
Description G
Advanced HEXFET Power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing ID = 33A
S
techniques to achieve extremely low on-resistanc

3.4. irf540n.pdf Size:244K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF540N，IIRF540N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.044Ω
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SY

3.5. irf540ns.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF540NS
·FEATURES
·With To-263(D2PAK) package
·Low input capacitance and gate charge
·Low gate input resistance
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Volt

3.6. irf540ns.pdf Size:2432K _kexin

SMD Type MOSFET
N-Channel MOSFET
IRF540NS (KRF540NS)
TO-263
Unit:mm
9.65 (Min)
10.67 (Max)
■ Features
5.33 (Min)
● VDS (V) = 100V

90 ~ 93
● ID = 33 A (VGS = 10V)
● RDS(ON) ＜ 44mΩ (VGS = 10V)
6.22 (min)
● Fast Switching 4.06 (Min)
4.83 (Max)
1.14 (Min)
1.40 (Max)
1.65 (max)
D
1.27~1.78
1.14~1.40
0.43~0.63
G 1 Gate
0.51~0.99
2 Drain
2.54
3 Sour

Другие MOSFET… IRF5210SPBF
, IRF5305LPBF
, IRF5305PBF
, IRF5305SPBF
, IRF530NPBF
, IRF530NSPBF
, IRF530S
, IRF540NLPBF
, IRF640N
, IRF540NSPBF
, IRF540S
, IRF540SPBF
, IRF540ZLPBF
, IRF540ZPBF
, IRF540ZSPBF
, IRF5800
, IRF5801PBF-1
.

IRF540A Datasheet (PDF)

1.1. irf540a.pdf Size:256K _fairchild_semi

IRF540A
Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 100 V
Avalanche Rugged Technology
?
RDS(on) = 0.052
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 28 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
TO-220
?
175 C Operating Temperature

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V
?
Lower RDS(ON) : 0.041 (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absol

1.2. irf540a.pdf Size:951K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 100 V
Avalanche Rugged Technology
?
RDS(on) = 0.052
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 28 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
?
175 Operating Temperature
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V
?
Lower RDS(ON) : 0.041 (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings

1.3. irf540a.pdf Size:283K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF540A
FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤52mΩ
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed especially for high voltage,high speed applications,
such as off-line switching power supplies.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

IRF540N Datasheet (PDF)

1.1. irf540npbf.pdf Size:242K _update-mosfet

1.2. irf540n.pdf Size:99K _international_rectifier

1.3. irf540npbf.pdf Size:153K _international_rectifier

1.4. irf540nlpbf irf540nspbf.pdf Size:279K _international_rectifier

1.5. irf540ns.pdf Size:125K _international_rectifier

1.6. irf540n.pdf Size:244K _inchange_semiconductor

1.7. irf540ns.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

1.8. irf540ns.pdf Size:2432K _kexin

SMD Type MOSFET
N-Channel MOSFET
IRF540NS (KRF540NS)
TO-263
Unit:mm
9.65 (Min)
10.67 (Max)
■ Features
5.33 (Min)
● VDS (V) = 100V

IRF540NL Datasheet (PDF)

1.1. irf540nlpbf irf540nspbf.pdf Size:279K _international_rectifier

3.1. irf540npbf.pdf Size:242K _update-mosfet

3.2. irf540n.pdf Size:99K _international_rectifier

3.3. irf540npbf.pdf Size:153K _international_rectifier

3.4. irf540ns.pdf Size:125K _international_rectifier

3.5. irf540n.pdf Size:244K _inchange_semiconductor

3.6. irf540ns.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

3.7. irf540ns.pdf Size:2432K _kexin

SMD Type MOSFET
N-Channel MOSFET
IRF540NS (KRF540NS)
TO-263
Unit:mm
9.65 (Min)
10.67 (Max)
■ Features
5.33 (Min)
● VDS (V) = 100V

IRF540NS MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF540NS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 47.3
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052
Ohm

Тип корпуса: D2PAK

IRF540NS

Datasheet (PDF)

1.1. irf540nlpbf irf540nspbf.pdf Size:279K _international_rectifier

1.2. irf540ns.pdf Size:125K _international_rectifier

1.3. irf540ns.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

1.4. irf540ns.pdf Size:2432K _kexin

SMD Type MOSFET
N-Channel MOSFET
IRF540NS (KRF540NS)
TO-263
Unit:mm
9.65 (Min)
10.67 (Max)
■ Features
5.33 (Min)
● VDS (V) = 100V

Другие MOSFET… IRF531
, IRF532
, IRF533
, IRF540
, IRF540A
, IRF540FI
, IRF540N
, IRF540NL
, IRF830
, IRF541
, IRF542
, IRF543
, IRF550A
, IRF610
, IRF610A
, IRF610S
, IRF611
.

IRF540NS Datasheet (PDF)

1.1. irf540nlpbf irf540nspbf.pdf Size:279K _international_rectifier

1.2. irf540ns.pdf Size:125K _international_rectifier

1.3. irf540ns.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

1.4. irf540ns.pdf Size:2432K _kexin

SMD Type MOSFET
N-Channel MOSFET
IRF540NS (KRF540NS)
TO-263
Unit:mm
9.65 (Min)
10.67 (Max)
■ Features
5.33 (Min)
● VDS (V) = 100V

Оцените статью:

Sim800l datasheet на русском. Тиристор PCR406J

For product comparison, please consider: PIC16F Finding the right compiler to support your device is simple:.

The secure programming feature dramatically reduces the risk of unauthorized. The secure programming feature dramatically reduces the risk of unauthorized reconstruction of hex files, and also limits how many times the hex file can be programmed. Note: All technical support and warranty service will be provided by Softlog. You can contact them at support softlog. A member of the ICP G3 family of high-speed, production-grade in-circuit programmers.

This compact, battery-powered device supports up to six different programming environments, making it an ideal, low-cost solution for field upgrades.

This compact, battery-powered device supports up to six different programming environments, making it an ideal, low-cost solution for field.

Tik tok videos telugu

This kit is a versatile development solution, featuring several options for external sensors, off-board communication and human interface. Additionally, it offers ample room for expansion, making it an excellent solution for developers and engineers looking for a For pricing and availability, contact Microchip Local Sales. Development Environment. Similar Devices. Additional Features. Jump to: Select type. Data Sheets. Timer1 Module Data Sheet Errata.

Supporting Collateral. Programming Specifications. Corporate Product Selector Guide. Code Examples. Assembly Code Templates Absolute — no linker rqd. Legacy Collaterals.

Google docs voice typing app

Reference Manuals Download All. User Guides. Transition Socket Specification. Integrated Development Environments.Internet of Things Stack Exchange is a question and answer site for builders and users of networked sensors and control devices in the contexts of smart homes, industry automation, or environmental sensors. It only takes a minute to sign up. Any there setup for wiring like it? I complain it because i need save data pins for other purpose like LCD for serial output and pushbutton input.

I mean the program what i made will saved to board so i can run the program without PC and the power source come from battery. Sign up to join this community. The best answers are voted up and rise to the top.

Транзистор IRF630

Ask Question. Asked 1 month ago. Active 1 month ago. Viewed 21 times. I have seen many tutorials about siml module to arduino setup. Improve this question. It’s tutorial what i saw Active Oldest Votes. Sign up or log in Sign up using Google. Sign up using Facebook. Sign up using Email and Password.

Post as a guest Name. Email Required, but never shown. The Overflow Blog. A deeper dive into our May security incident. Episode Gaming PCs to heat your home, oceans to cool your data centers. Related 8. Hot Network Questions. Question feed.Raspberry Pi Stack Exchange is a question and answer site for users and developers of hardware and software for Raspberry Pi. It only takes a minute to sign up. Am i missing something obvious? I’m tinkering with IoT stuff and a fritzing diagram or something would be amazing.

I disabled echo as per a link i lost and use a 1s delay before sending a command, but it still kinda stalls. I assume these are UCs but i don’t think they’d interfere. Don’t do that! Even if your power supply can provide 4. If you periodically get back the info you stated, then maybe you have issues with power supply. Check if it is about 3,7 volt. If is it too low your sim module may restart sometimes. And also check if your power source can provide up to 2 A current. Sign up to join this community.

Управляемый стабилизатор напряжения TL431 (ON Semiconductor)

The best answers are voted up and rise to the top. Ask Question. Asked 3 years, 11 months ago. Active 11 months ago. Viewed 15k times. I’m out of ideas, i suspect it’s some misconfiguration. Improve this question. Suncatcher 1 1 gold badge 1 1 silver badge 9 9 bronze badges. In the end i used a USB dongle, if i ever get it to work maybe i’ll reply. Suncatcher according to my notes, Huawei K So you utilized RasPBX?

Here is a good place to start. Active Oldest Votes. Improve this answer. Dmitry Grigoryev Dmitry Grigoryev Andy Andy 11 1 1 bronze badge. Please accept your own answer with a click on the tick on its left side.

Only this will finish the question and it will not pop up again year for year. Sign up or log in Sign up using Google. Sign up using Facebook. Sign up using Email and Password. Post as a guest Name.

Email Required, but never shown. The Overflow Blog.Academia Stack Exchange is a question and answer site for academics and those enrolled in higher education. It only takes a minute to sign up. I am working on a thesis in the Engineering field and I came across the problem of citing datasheets, technical documents, test reports, application notes, reference designs Therefore, I think that incluiding the part number or code is essential for providing a good reference, but I don’t know how to insert it in the citation, plus, reference tracking software like Zotero or EndNote do not include any special field for storing this codes.

Any suggestions on how to cite appropriately these documents or how to store them in a citation software will be very much appreciated. Please, share your views on the topic. I cite datasheets as manuals. For example, I recently cited the LTC My experience is with biblatex and JabRef. In JabRef I can choose the ‘manual’ type and can fill in the organisation, datasheet title, url, and use a part number.

I believe that most citation managers have a field for ‘number’, you can use this for part codes. Sign up to join this community. The best answers are voted up and rise to the top.

Asked 1 year, 2 months ago. Active 1 year, 2 months ago. Viewed 5k times. Texas Instruments These documents are not a book, article LM that corresponds to the integrated circuit part number.

Finding the document on the internet is easier searching for the specific code LM than for the title of the document or part Highly Stable Timer Therefore, I think that incluiding the part number or code is essential for providing a good reference, but I don’t know how to insert it in the citation, plus, reference tracking software like Zotero or EndNote do not include any special field for storing this codes.

Improve this question. Active Oldest Votes. Improve this answer. BrtH BrtH 3 3 silver badges 11 11 bronze badges. Sign up or log in Sign up using Google. Sign up using Facebook. Sign up using Email and Password. Post as a guest Name. Email Required, but never shown. Related 7. Hot Network Questions. Question feed. Academia Stack Exchange works best with JavaScript enabled.Electrical Engineering Stack Exchange is a question and answer site for electronics and electrical engineering professionals, students, and enthusiasts.

It only takes a minute to sign up. But the STM32F,can be operated in 3. I send AT command but nothing happen. Am I doing something wrong? For the SIM There is a 0.

The 2. All in all logic level conversion is suggested, it is mentioned in the SIM’s datasheet as well along with a reference circuit. If your problem persist after doing the level shifting, here are a couple of items that you should check:. Sign up to join this community. The best answers are voted up and rise to the top. Asked 3 years, 6 months ago. Active 3 years, 6 months ago. Viewed 3k times. Improve this question. Bence Kaulics 6, 10 10 gold badges 29 29 silver badges 54 54 bronze badges.

But in this case, i want to interfacing siml and stm32f I think MAX is converting ttl serial to cpu serial and vice versa. Active Oldest Votes.

SIM has autobauding enabled by default, and autobauding supports only the following baudrates:,and So if your baudrate is then that should be changed. Improve this answer. Bence Kaulics Bence Kaulics 6, 10 10 gold badges 29 29 silver badges 54 54 bronze badges.

Sign up or log in Sign up using Google. Sign up using Facebook. Sign up using Email and Password. Post as a guest Name. Email Required, but never shown.JavaScript seems to be disabled in your browser. You must have JavaScript enabled in your browser to utilize the functionality of this website. Did you miss this board?

No worries!

The shield uses digital pins 2 and 3 for software serial communication with the M GPRS data downlink and uplink transfer speed maximum is To interface with the cellular network, the board requires a SIM card provided by a network operator. The most recent revision of the board uses the 1. Arduino GSM Shield 2 is open-source hardware! You can build your own board using the following files:. GPRS is a 2G technology. It is recommended that the board be powered with an external power supply that can provide between mA and mA.

It is also possible to make voice calls. There are two small buttons on the shield. The button labeled «Reset» is tied to the Arduino reset pin. When pressed, it will restart the sketch. The button labeled «Power» is connected to the modem and will power the modem on and off. For early versions of the shield, it was necessary to press the power button to turn on the modem.

Newer versions of the board will turn the modem on automatically. Several of the modem pins are exposed on the underside of the board. These provide access to the modem for features like speaker output and microphone input. See the datasheet for complete information. Do you own a past an old version of this product? America Asia Oceania.

Europe Africa. View Categories. In order to something, you must be signed in. If you don’t have an account, you will have to register to create one.

Add to Wishlist. Want to learn more?More concretely, it contains the training data distribution with key training, and the distribution for the actual prediction values of the tree with key predictions. Importance is the amount by which each field in the model reduces prediction error, normalized to be between zero and one. Default strategy followed by the model when it finds a missing value.

GSM/GPRS-модуль SIM800L (#4) — все о DTMF: парсинг, управление, безопасность

At prediction time you can opt for using proportional. A dictionary with an entry per field used by the model (not all the fields that were available in the dataset). They follow the same structure as the fields attribute above except that the summary is not present. A Node Object, a tree-like recursive structure representing the model. Method of choosing best attribute and split point for a given node. For classification models, a number between 0 and 1 that expresses how certain the model is of the prediction.

See the Section on Confidence for more details. Note that for models you might have created using the first versions of BigML this value might be null. An Objective Summary Object summarizes the objective field’s distribution at this node.

Incomparable es tu amor acordes

If the objective field is numeric and the number of distinct values is greater than 32. If the objective field is categorical, an array of pairs where the first element of each pair is one of the unique categories and the second element is the count for that category.

If the objective field is numeric and the number of distinct values is less than or equal to 32, an array of pairs where the first element of each pair is one of the unique values found in the field and the second element is the count. A status code that reflects the status of the model creation. Example: «000005» boosting optional Gradient boosting options for the ensemble.

Buckled wheel meaning in hindi

Required to created an ensemble with boosted trees. Example: 128 description optional A description of the ensemble up to 8192 characters long. Example: flase name optional The name you want to give to the new ensemble. Example: «000003» ordering optional Specifies the type of ordering followed to build the models of the ensemble.

Example: 16 tags optional A list of strings that help classify and retrieve the ensemble. If no significant improvement is made on the holdout, boosting will stop early. This value should be between 0 (inclusive) and 1 (exclusive).

Металлоискатель Пират своими руками — Мир искателей

Пират – это импульсный металлоискатель с простой и доступной для повторения схемой. Металлоискатель содержит небольшое количество элементов и простую для изготовления поисковую катушку. С катушкой 280 мм, пират будит видеть монеты до 20см, а крупный металл до 1,5 метра.

Свое название ПИРАТ (PIRAT) получил от разработчиков его схемы – PI – импульсный принцип его работы, RAT – сокращение от «Радио Скот» – сайт разработчиков.

Металлоискатель ПИРАТ не различает металлы. Но он хорошо подойдет для поиска металла и для новичков. Также огромным достоинством пирата, является его простота для самостоятельного изготовления и доступность компонентов – все детали металлоискателя стоят копейки и их можно найти в любом магазине радиодеталей или на радио рынке. Также в Пирате отсутствуют программируемые элементы, что значительно упрощает жизнь радиолюбителям. Даже человек с минимальным уровнем подготовки, изготовит металлоискатель пират своими руками.

Список деталей необходимых для сборки металлоискателя ПИРАТ своими руками.

Список деталей — исправленный для схемы на NE555, (автор — Василий Субботин)

Схема металлоискателя ПИРАТ

Металлоискатель PIRAT имеет два варианта схемы, в первом варианте используется микросхема NE555 (советский аналог микросхемы — КР1006ВИ1) – таймер. Но в случае если у вас возникли проблемы с ее поиском, то авторы предусмотрели вариант схемы на транзисторах. Рекомендуем вам собирать схему на NE555, она будит иметь лучшую стабильность работы.
Схема металлоискателя Пират на NE555

(На схеме есть ошибка маркировки — R18 — это R9)!

Исправленная схема металлоискателя Пират для версии на NE555

Схема металлоискателя Пират на Транзисторах

При сборке схемы на транзисторах, нужно будит подбирать частоту и длительность. Так как у транзисторов встречается, большой разброс параметров. Для этого, необходимо использовать осциллограф. Архив с осциллограмами.

Резистор R1 в схеме отвечает за частоту генерации.

А резистор R2 — за длительность управляющего импульса.

Печатная плата металлоискателя ПИРАТ

Варианты разводки печатной платы пирата, от его разработчиков, на микросхеме и на транзисторах. Платы в формате Сприн Лайот скачать архив.

Плата на NE555.

Вот еще один вариант платы металлоискателя ПИРАТ на NE555

Плата на транзисторах.

Также в сети, мы нашли вот такой вариант разведения платы для металлодетектора PIRAT.

Скачать файл этой платы в формате Спринт Лайот.

После того как вы спаяли плату металлоискателя, к ней необходимо подключить питание. Для этого подойдет любой источник питания с напряжением 9-12 вольт. Можно использовать несколько соединенных параллельно батареек крона 3-4 шт., или аккумулятор. 1 крону использовать нежелательно, так как будит происходить быстрое падение напряжения, и это будит вызывать постоянный дрейф настройки металлодетектора.

Спаяная плата металлоискателя пират

Обратите внимание на конденсаторы слева! это пленочные конденсаторы с высокой термостабильностью. Их использование также благоприятно скажется на стабильности работы металлоискателя.

ДОПОЛНЕНО 26.01.2018.

В продаже у одного из наших рекламодателей нашел вот такой вариант печатной платы металлоискателя ПИРАТ, достаточно продуманная версия печатной платы. Переменники сразу стоят на плате, для подключения питания стоит штыревой разъем.

Вот чертеж этой печатной платы для Пирата (Правда в виде картинки, если кто-то срисует, присылайте выложу!):

Изготовления катушки для металлоискателя ПИРАТ

Как и другие импульсные металлоискатели, пират не требователен к точности изготовления катушки. Вполне подойдет катушка, намотанная на оправку диаметром 190-200 мм – 25 витков, обмоточным эмаль проводом 0,5 мм. После намотки, витки катушки необходимо обмотать изоляционной лентой или скотчем. Для увеличения глубины поиска металлоискателя, можно намотать катушку 260-270 мм – 21-22 витка, тем же проводом.

Расчеты катушки для металлоискателя ПИРАТ для различных диаметров катушки:

Рекомендуется использовать провод диаметрами 0,5-0,6мм, 0,4 это минимум но работает хуже!

Для работы, катушку металлоискателя, необходимо закрепить в жестком корпусе БЕЗ металла. Можно использовать любой подходящий пластиковый корпус. Это необходимо, для предотвращения воздействие ударов о траву или грунт на работу металлоискателя. Корпус для изготовления катушки, вы сможете найти в интернете, по запросу «Корпус для катушки металлоискателя» При изготовлении поисковых катушек, использования любых металлических частей, крайне не желательно. Выводы от катушки подпаять к многожильному проводу, с диаметром сечения 0,5 – 0,75 мм. В идеале, это два отдельных провода, свитые между собой.

Вышла статья о изготовлении глубинных катушек для импульсных металлоискателей своими руками. И вы сможете превратить ПИРАТ в настоящий глубинник!

Настройка металлоискателя ПИРАТ

Правильно собранный металлоискатель, практически не нуждается в настройке. Максимальная чувствительность металлоискателя, получается в том положении переменного резистора R13, когда в динамике появляются редкие щелчки. Если у вас это возникает в крайних положениях резистора, то нужно заменить наминал резистора R12, так чтобы оптимальная настройка была примерно в среднем положении переменного резистора.

При наличие осциллографа, также можно проконтролировать следующие значения: на затворе транзистора Т2 длительность управляющего импульса и частоту генератора. Нормой будит длительность импульса 130-150мкс, частота 120-150 Гц.

Работа с металлоискателем ПИРАТ

После включения металлоискателя, необходимо подождать 10-20 секунд, для стабилизации работы, а затем переменным резистором R13, произвести его настройку. И можно приступать к поиску.

Видео обзор платы металлоискателя:

Подключение светодиодной индикации к металлоискателю ПИРАТ

Видео работы самодельного металлоискателя ПИРАТ

А вот так можно сделать металлоискатель ПИРАТ:

Также прикрепляю архив, с разведенной под СМД копоненты версией печатной платы металлоискателя Пират — Вариант СМД

Все вопросы по металлоискателю Пират можно задать в комментариях к этой статье.

Управление мощной нагрузкой

Как сделать простой ключ на полевом транзисторе своими руками

Аналоги оптронов

В качестве переключающего транзистора используется полевой транзистор с n-каналом. Его тип зависит от нужного вам максимального тока и рабочего напряжения нагрузки. Подобрать необходимый транзистор можно из таблицы, размещенной в статье «Полевые транзисторы International Rectifier.»

Схема

Схема ключа на полевого транзистора представлена ниже:

Резистор R1 в ней является токоограничивающим, он нужен для того, чтобы уменьшить ток, потребляемый затвором в момент открытия, без него транзистор может выйти из строя. Номинал этого резистора можно спокойно изменять в широких пределах, от 10 до 100 Ом, это не скажется на работе схемы.

Резистор R2 подтягивает затвор к истоку, тем самым уравнивая их потенциалы тогда, когда на затвор не подаётся напряжение. Без него затвор останется «висеть в воздухе» и транзистор не сможет гарантированно закрыться. Номинал этого резистора также можно менять в широких пределах – от 1 до 10 кОм.

Транзистор Т1 – полевой N-канальный транзистор. Его нужно выбирать исходя из мощности, потребляемой нагрузкой и величины управляющего напряжения. Если оно меньше 7-ти вольт, следует взять так называемый «логический» полевой транзистор, который надёжно открывает от напряжения 3.3 – 5 вольт. Их можно найти на материнских платах компьютеров. Если управляющее напряжение лежит в пределах 7-15 вольт, можно взять «обычный» полевой транзистор, например, IRF630, IRF730, IRF540 или любые другие аналогичные. При этом следует обратить внимание на такую характеристику, как сопротивление открытого канала. Транзисторы не идеальны, и даже в открытом состоянии сопротивление перехода Сток – Исток не равно нулю. Чаще всего оно составляет сотые доли Ома, что совершенно не критично при коммутации нагрузки небольшой мощности, но весьма существенно при больших токах. Поэтому, чтобы снизить падение напряжения на транзисторе и, соответственно, уменьшить его нагрев, нужно выбирать транзистор с наименьшим сопротивлением открытого канала.

«N» на схеме – какая-либо нагрузка.

Недостатком ключа на транзисторе является то, что он может работать только в цепях постоянного тока, ведь ток идёт только от Стока к Истоку.

Насыщение ключа

В таких случаях переходы транзистора являются смещенными в прямом направлении. Поэтому, если изменится ток базы, то значение на коллекторе не поменяется. В кремниевых транзисторах для получения смещения необходимо примерно 0,8 В, тогда как для германиевых напряжение колеблется в рамках 0,2-0,4 В. А как вообще достигается насыщение ключа? Для этого увеличивается ток базы. Но всё имеет свои пределы, равно как и увеличение насыщения. Так, при достижении определённого значения тока, оно прекращает увеличиться. А зачем проводить насыщение ключа? Есть специальный коэффициент, что отображает положение дел. С его увеличением возрастает нагрузочная способность, которую имеют транзисторные ключи, дестабилизирующие факторы начинают влиять с меньшей силой, но происходит ухудшение быстродействия. Поэтому значение коэффициента насыщения выбирают из компромиссных соображений, ориентируясь по задаче, которую необходимо будет выполнить.

Транзистор Дарлингтона

Если нагрузка очень мощная, то ток через неё может достигатьнескольких ампер. Для мощных транзисторов коэффициентможетбыть недостаточным. (Тем более, как видно из таблицы, для мощныхтранзисторов он и так невелик.)

В этом случае можно применять каскад из двух транзисторов. Первыйтранзистор управляет током, который открывает второй транзистор. Такаясхема включения называется схемой Дарлингтона.

В этой схеме коэффициентыдвух транзисторов умножаются, чтопозволяет получить очень большой коэффициент передачи тока.

Для повышения скорости выключения транзисторов можно у каждого соединитьэмиттер и базу резистором.

Сопротивления должны быть достаточно большими, чтобы не влиять на токбаза — эмиттер. Типичные значения — 5…10 кОм для напряжений 5…12 В.

Выпускаются транзисторы Дарлингтона в виде отдельного прибора. Примерытаких транзисторов приведены в таблице.

Модель
КТ829В	750	8 А	60 В
BDX54C	750	8 А	100 В

В остальном работа ключа остаётся такой же.

Изготовление ключа на полевом транзисторе

Собрать такую простую схему можно и навесным монтажом, но я решил изготовить миниатюрную печатную плату с помощью лазерно-утюжной технологии (ЛУТ). Порядок действий, следующий:

1) Вырезаем кусок текстолита, подходящий под размеры рисунка печатной платы, зачищаем его мелкой наждачной бумагой и обезжириваем спиртом или растворителем.

2) На специальной термотрансферной бумаге печатаем рисунок печатной платы. Можно использовать глянцевую бумагу из журналов или кальку. Плотность тонера на принтере следует выставить максимальную.

3) Переносим рисунок с бумаги на текстолит, используя утюг. При этом следует контролировать, чтобы бумажка с рисунком не смещалась относительно текстолита. Время нагрева зависит от температуры утюга и лежит в пределах 30 – 90 секунд.

4) В итоге на текстолите появляется рисунок дорожек в зеркальном отображении. Если тонер местами плохо прилип к будущей плате, можно подправить огрехи в помощью женского лака для ногтей.

5) Далее, кладём текстолит травиться. Существует множество способов изготовить раствор для травления, я пользуюсь смесью лимонной кислоты, соли и перекиси водорода.

После травления плата приобретает такой вид:

6) Затем необходимо удалить тонер с текстолита, проще всего это сделать с помощью жидкости для снятия лака для ногтей. Можно использовать ацетон и другие подобные растворители, я применил нефтяной сольвент.

7) Дело за малым – теперь осталось просверлить отверстия в нужных местах и залудить плату. После этого она приобретает такой вид:

Плата готова к запаиванию в неё деталей. Потребуются всего два резистора и транзистор.

На плате имеются два контакта для подачи на них управляющего напряжения, два контакта для подключения источника, питающего нагрузку, и два контакта для подключения самой нагрузки. Плата со впаянными деталями выглядит вот так:

В качестве нагрузки для проверки работы схемы я взял два мощных резистора по 100 Ом, включенных параллельно.

Использовать устройство я планирую в связке с датчиком влажности (плата на заднем плане). Именно с него на схему ключа поступает управляющее напряжение 12 вольт. Испытания показали, что транзисторный ключ прекрасно работает, подавая напряжение на нагрузку. Падение напряжение на транзисторе при этом составило 0,07 вольта, что в данном случае совсем не критично. Нагрева транзистора на наблюдается даже при постоянной работе схемы. Успешной сборки!

Скачать плату и схему:

Схема ключа на полевом транзисторе.

Здесь мы видим n-канальный МОП-транзистор. При заземленном затворе полевик находится в закрытом состоянии и, соответственно, входной сигнал не проходит на выход. Если подать на затвор напряжение, например, +10 В, то транзистор перейдет в открытое состояние и сигнал практически беспрепятственно пройдет на выход.

Тут особо и объяснять нечего

Теперь перейдем к логическим элементам (вентилям) на МОП-транзисторах. И начнем с вариантов исполнения логического инвертора. Посмотрите на схемку:

Что вообще должен делать инвертор? Очевидно, что инвертировать сигнал То есть подаем на вход сигнал низкого уровня, на выходе получаем высокий уровень и наоборот.

Давайте смотреть как это все работает. Если на входе низкий уровень сигнала, то n-канальный МОП-транзистор закрыт, ток через резистор нагрузки не течет, соответственно, все напряжение Vcc оказывается на выходе. А если на входе высокий уровень, то ПТ во включенном состоянии проводит ток, при этом на нагрузке появляется напряжение, а потенциал стока (выходной сигнал) практически равен нулю (низкий уровень). Вот так вот эта схема и работает.

Рассмотрим еще один вариант инвертора, но уже с использованием p-канального ПТ:

Работает эта схема аналогично схеме инвертора на n-канальном транзисторе, поэтому останавливаться на этом не будем.

Есть один большой минус у обеих этих схем – это высокое выходное сопротивление. Можно, конечно, уменьшать R_1, но при это рассеиваемая мощность будет увеличиваться (она обратно пропорциональна квадрату сопротивления). Как вы понимаете, в этом нет ничего хорошего. Отличной альтернативой этим схемам инверторов является схема на комплементарных МОП-транзисторах (КМОП). Она имеет следующий вид:

Итак, пусть у нас на входе сигнал высокого уровня. Тогда p-канальный МОП-транзистор Q2 будет выключен, а Q1, напротив, будет во включенном состоянии. При этом на выходе будет сигнал низкого уровня. А что если на входе низкий уровень? А тогда наоборот Q1 будет выключен, а Q2 включен, и на выходе окажется сигнал высокого уровня. Вот и все

Пожалуй, рассмотрим теперь еще одну схемку на полевиках – схему логического вентиля И-НЕ. Этот вентиль имеет два входа и один выход, и и низкий уровень должен быть на выходе только в том случае, когда на оба входа подан сигнал высокого уровня. Во всех остальных случаях на выходе сигнал высокого уровня.

Смотрите, как это работает. Если на Входе 1 и Входе 2 высокий уровень, то оба n-канальных транзистора Q1 и Q2 проводят ток, а p-канальные Q3 и Q4 закрыты, и на выходе окажется сигнал низкого уровня. Если на одном из входов сигнал низкого уровня, то один из транзисторов Q3, Q4 открыт, а, соответственно, один из транзисторов Q2, Q1 закрыт. Тогда цепь Q1 – Q2 – земля разомкнута, а на выход через открытый транзистор Q3 или Q4 попадает напряжение высокого уровня. Вот и получается, что низкий уровень на выходе возможен только если на обоих входах сигнал высокого уровня.

Заканчиваем на этом разговор о полевых транзисторах Мы сегодня рассмотрели схемы на полевых транзисторах и кроме того разобрались как они работают. Так что до скорых встреч на нашем сайте!

Недостатки ненасыщенного ключа

А что будет, если не было достигнуто оптимальное значение? Тогда появятся такие недостатки:

Напряжение открытого ключа упадёт потеряет примерно до 0,5 В.
Ухудшится помехоустойчивость. Это объясняется возросшим входным сопротивлением, что наблюдается в ключах, когда они в открытом состоянии. Поэтому помехи вроде скачков напряжения будут приводить и к изменению параметров транзисторов.
Насыщенный ключ обладает значительной температурной стабильностью.

Как видите, данный процесс всё же лучше проводить, чтобы в конечном итоге получить более совершенное устройство.

Варианты использования:

управление силовым ключом с помощью сенсорной кнопки “TTP223”

Скачать статью

Скачать “moshhnyj-klyuch-postoyannogo-toka-na-polevom-tranzistore” moshhnyj-klyuch-postoyannogo-toka-na-polevom-tranzistore.rar – Загружено 767 раз – 26 КБ

Обсудить эту статью на – форуме “Радиоэлектроника, вопросы и ответы”.

Драйвер полевого транзистора

Если всё же требуется подключать нагрузку к n-канальному транзисторумежду стоком и землёй, то решение есть. Можно использовать готовуюмикросхему — драйвер верхнего плеча. Верхнего — потому что транзисторсверху.

Выпускаются и драйверы сразу верхнего и нижнего плеч (например,IR2151) для построения двухтактной схемы, но для простого включениянагрузки это не требуется. Это нужно, если нагрузку нельзя оставлять«висеть в воздухе», а требуется обязательно подтягивать к земле.

Рассмотрим схему драйвера верхнего плеча на примере IR2117.

Схема не сильно сложная, а использование драйвера позволяет наиболееэффективно использовать транзистор.

Преимущества:

бесшумная работа
нет механических частей

Описание на “IRF520” (datasheet)

Двунаправленный аналоговый ключ (передающий вентиль) на комплементарных транзисторах

Рассмотрим теперь двунаправленный аналоговый ключ (передающий вентиль) на комплементарных транзисторах (рис. 3.22).
Ключ предназначен для передачи напряжения uас вывода А на вывод В или напряжение ub с вывода В на вывод А. Предполагается, что эти напряжения находятся в пределах от 0 до +Еn. Транзисторы Т1 и Т2 образуют рассмотренный выше комплементарный ключ. Двунаправленный ключ открыт, когда uупр= +Еn. В этом случае по крайней мере один из транзисторов Т3 и Т4 открыт. Ключ закрыт, когда uупр= 0.

Абрамян Евгений Павлович

Доцент кафедры электротехники СПбГПУ

Задать вопрос

Если схему изменить и на затворы транзисторов Т3 и Т4 подавать не только положительные, но и отрицательные напряжения, то ключ будет в состоянии работать не только при положительных, но и отрицательных напряжениях uа и ub.

Ключи на полевых транзисторах с изолированным затвором входят в состав микросхем серий 168, 547 и др., а на комплементарных транзисторах — в состав микросхем серий 590, 591, 176, 561, 1564.

IRF630 Технический паспорт (PDF) — STMicroelectronics

No. de pieza	Descripción Electrónicos	Html View	Fabricante Electrónico
СТБ19НФ20	N-канал 200 В — 0,15Î © — 15А — К-220 — D2PAK — ТО-220ФП СЕТКА НАДПИСЬ ™ Мощность МОП-транзистор	1 2 3 4 5 Более	STMicroelectronics
STE110NS20FD_06	N-канал 200 В — 0.022Î © — 110А — ISOTOP СЕТКА НАДПИСЬ ™ Мощность МОП-транзистор	1 2 3 4 5 Более	STMicroelectronics
СТБ12НМ60Н	N-канал 600 В — 0,35Î © — 10А — D2 / I2PAK — ТО-220 / ФП — К-247 Второй поколение МДмеш ™ Мощность МОП-транзистор	1 2 3 4 5 Более	STMicroelectronics
STP62NS04Z_06	N-канал зажатый 12,5 мОм — 62A — К-220 От корки до корки защищенный СЕТКА НАЛОЖЕНИЕ Мощность МОП-транзистор	1 2 3 4 5 Более	STMicroelectronics
STP14NF12_06	N-канал 120 В — 0.16 Ом — 14А — ТО-220 / ТО-220ФП Низкий ворота заряжать STripFET TM II Мощность МОП-транзистор	1 2 3 4 5 Более	STMicroelectronics
STP3HNK90Z	N-канал 900 В — 0,35Î © — 3А — К-220 — ТО-220ФП С защитой от стабилитрона SuperMESH ™ Мощность МОП-транзистор	1 2 3 4 5 Более	STMicroelectronics
STP60NS04ZB_06	N-канал зажатый — 10 МОм — 60А — К-220 От корки до корки защищенный Сетка Оверлей Мощность МОП-транзистор	1 2 3 4 5 Более	STMicroelectronics
STP75NS04Z	N-канал Зажатый — 7 МОм — 80А — К-220 От корки до корки защищенный СЕТКА Оверлей III Мощность МОП-транзистор	1 2 3 4 5 Более	STMicroelectronics
2N6784	2.25А 200 В 1.500 Ом N-канал Мощность МОП-транзистор	1 2 3 4 5 Более	Полупроводник Fairchild
STP5NK80Z	N-канал 800 В — 1.9Î © — 4,3 А — ТО-220 / ТО-220ФП С защитой от стабилитрона SuperMESH ™ Мощность МОП-транзистор	1 2 3 4 5 Более	STMicroelectronics

% PDF-1.3 % 1 0 объект > поток конечный поток эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > / Parent 3 0 R / Contents [17 0 R] / Type / Page / Resources> / Shading> / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / ColorSpace> / Font >>> / MediaBox [0 0 595 .27563 841.88977] / BleedBox [0 0 595.27563 841.88977] / Аннотации [55 0 R] >> эндобдж 17 0 объект > поток x}]% q; E> + ~

Даташиты IRF630 | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы

На главную Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные даташиты IRF630 | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — Single N-Channel 200V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB

Информационные листы IRF610 | Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночный N-канал 200 В 3.3A (Tc) 36W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Информационные листы IRF630NL | Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Single N-Channel 200V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-262

Автор & nbspapogeeweb, & nbsp & nbspIRF630, Техническое описание IRF630, IRF630 PDF, STMicroelectronics

Обзор продукта

Изображение:
Номер детали производителя:	IRF630
Категория продукта:	Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные
Наличие:	№
Производитель:	STMicroelectronics
Описание:	N-канал 200 В 9A (Tc) 75 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Лист данных:	IRF630 (FP)
Упаковка:	ТО-220-3
Минимум:	1
Время выполнения:	18 недель
Количество:	Под заказ
Отправить запрос предложений:	Запрос

Базовая цена

irf630 лист данных (1/9 страницы) STMICROELECTRONICS | N — КАНАЛ 200 В — 0,35 Ом — 9A

IRF630

IRF630FP

N — КАНАЛ 200 В — 0.35

Ω — 9A — TO-220 / FP

MESH OVERLAY

™ MOSFET

TYPICAL RDS (on) = 0,35

EXTREMELY 9012ABILITY

с очень высокой температурой dV / dV124

ОЧЕНЬ НИЗКАЯ ВНУТРЕННЯЯ ЕМКОСТЬ

МИНИМИЗИРОВАННАЯ ЗАРЯДКА ЗАДВИЖКИ

ОПИСАНИЕ

Этот силовой полевой МОП-транзистор разработан с использованием процесса MESH

на основе консолидированной компоновки полосы

OVERLAY ™

. Эта технология соответствует

и улучшает характеристики по сравнению со стандартными деталями

из различных источников.

ПРИЛОЖЕНИЯ

ВЫСОКОТОКОВОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ

ИСТОЧНИК БЕСПЕРЕБОЙНОГО ПИТАНИЯ (ИБП)

DC / DC COVERTERS FOR TELECOMING, INDUSTRIAL EQUIPMENT,

ВНУТРЕННЯЯ СХЕМАТИЧЕСКАЯ СХЕМА

Февраль 1999 г.

TO-220

TO-220FP

Параметр

Значение

Un it

IRF630

IRF630F P

VDS

Напряжение сток-исток (VGS = 0)

200

Напряжение затвора VDGR

20124

Напряжение сброса

Ом)

200

VGS

Напряжение источника питания

± 20

Ток утечки (непрерывный) при Tc = 25

9 (**)

Ток утечки (непрерывный) при Tc = 100

oC5.7

5,7 (**)

IDM (

•)

Ток стока (импульсный)

Ptot

Общее количество Dissipat ion =

при Tc oC75

Коэффициент снижения

0,6

0,20

Вт /

o C

dv / dt (1)

Наклон напряжения восстановления пикового диода

нс

VISO

Изоляция Выдерживаемое напряжение (постоянный ток)



2000

Tstg

Температура хранения

-65 до 150

o C

9012 Tj Макс.Рабочая температура перехода

150

o C

(

•) Ширина импульса ограничена безопасной рабочей зоной

(1) ISD

≤ 9A, di / dt ≤ 300 A / µs, VDD ≤ V (BR) DSS, Tj ≤ TJMAX

Первая цифра кода даты, являющаяся Z или K, указывает на кремний, указанный в этом техническом описании

(**) Ограничено только максимально допустимой температурой

ТИП

VDSS

RDS (вкл.)

IRF630

IRF630F P

200 В

<0.40

Ом

<0,40

Ом

1/9

1.04000

10:

9,28000

25:

0,88080

22.02000

100:

0,66070

66.07000

500:

0,55998

279,99000

1000:

0.45617

456.17000

2500:

0,44988

1124.70000

5000:

0,40898

2044.

1.Литва

100

2. Объединенные Арабские Эмираты

3.Таиланд

4. Гонконг

5.Сингапур

6. Болгария

7.Китай

8. Индия

9.Мьянма

10. Северная Македония

11.Фиджи

12. Грузия

13.Шри-Ланка

14. Дания

15.Норвегия

16. ALA

17.Канада

18. Вьетнам

19.Беларусь

20. Боливия

21.Египет

22. Франция

23.Пакистан

24. Кения

25.Швеция

26. Камерун

27.Испания

28. Нидерланды

29.Гаити

30. Ирландия

31.Новая Зеландия

32. Черногория

33.Непал

34. Греция

35.Хорватия

36. Австрия

37.Нигерия

38. Чили

39.Индонезия

40. Израиль

41.Иордания

42. Казахстан

43.Филиппины

44. Сальвадор

45.Турция

46. Бангладеш

47.Чешская Республика

48. Латвия

49.Малайзия

50. Уругвай

51.Аруба

52. Сербия

53.Эфиопия

54. Маврикий

55.ЮАР

56. Мадагаскар

57.Бразилия

58. Финляндия

59.Джибути

60. Саудовская Аравия

61.Исландия

62. Армения

63.Австралия

64. Венгрия

65.Румыния

66. Узбекистан

67.Швейцария

68. Тунис

69.Тринидад и Тобаго

70.Кипр

71. Гвинея

72.Азербайджан

73. Панама

74.Пуэрто-Рико

75. Йемен

76.Словения

77. США

78.Бенин

79. Малави

80.Соединенное Королевство

81. Аргентина

82.Доминиканская Республика

83. Гватемала

84.Украина

85. Того

86.Германия

87. Мавритания

88.Гондурас

89. Россия

90.Танзания

91. Мексика

92.Венесуэла

93. Босния и Герцеговина

94.Алжир

95. Эквадор

96.Италия

97. Япония

98.Марокко

99. Мозамбик

100.Перу

101. Польша

102.Португалия

103. Тайвань

104.Колумбия

105. Бельгия

106.Южная Корея

107. Гана

108.Камбоджа

109. Барбадос

IRF630 Популярность по регионам

Вас также могут заинтересовать

Связанный параметр

Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 600V 31A D2PAK
Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные, N-канальный, 30 В, 30 А (Ta), поверхностный монтаж LFPAK
Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные,
Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 100V 0.19А СОТ-23
Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 200V 104A SOT-227
Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, ДИФФЕРЕНЦИРОВАННЫЕ МОП-транзисторы

Статьи по теме

IRF540N MOSFET: Распиновка, эквивалент, схема [FAQ]

Игги 23 декабря 2020 1878 г.

IRF540N — это N-канальный МОП-транзистор.В этом блоге рассказывается о распиновке IRF540N MOSFET, таблице данных, эквиваленте, функциях и другой информации о том, как использовать и где использовать это устройство. 5 лучших проектов в области электроники …

IRF520 Power MOSFET: распиновка, техническое описание, спецификации [FAQ]

Миа 21 декабря 2020 894

IRF520 — это силовой МОП-транзистор 9.Ток коллектора 2А и напряжение пробоя 100В. МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и поэтому обычно используется с микроконтроллерами …

IRFZ44N MOSFET: Техническое описание, применение, эквивалент [видео]

Биллили 21 ноя 2020 1965 г.

Описание IRFZ44N — это N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы, в этом блоге описываются распиновка, техническое описание, характеристики и другая информация о том, как использовать и где использовать это устройство.Каталог Д …

IRF3205 MOSFET: распиновка, эквивалент, техническое описание [видео]

Миа 26 янв.2021 г. 2679

IRF3205 — это сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор, который может коммутировать токи до 110 А и 55 В.Его легко найти в упаковке TO-220AB. Этот чип в основном используется в потребительских устройствах полного моста …

N-канал 200V 9A (Tc) 75W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Атрибуты продукта
Описания
Характеристики
CAD-модели

9000:

0,39010

3510.

IRF630 Изображения только для справки.

CAD-модели

Атрибуты продукта

Упаковка / ящик:	ТО-220-3
Серия:	MESH OVERLAY ™ II
Базовый номер продукта:	IRF6
Комплект устройства поставщика:	К-220АБ
Рассеиваемая мощность (макс.):	75 Вт (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:	700 пФ при 25 В
Напряжение сток-источник (Vdss):	200 В
Технологии:	МОП-транзистор (оксид металла)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C:	9A (Tc)
Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Значения):	10 В
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs:	400 мОм при 4．5A 10 В
Vgs (th) (макс.) @ Id:	4 В при 250 мкА
Vgs (макс.):	± 20 В
Функция полевого транзистора:	–
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs:	45 нКл при 10 В

Альтернативные модели

Деталь	Сравнить	Производителей	Категория	Описание
ПроизводительНомер детали: IRF630	Сравнить: Текущая часть	Производитель: ST Microelectronics	Категория: МОП-транзисторы	Описание: N-канал 200В — 0.35 Ом — 9A TO-220 / TO-220FP Mesh overlay ™ II Power MOSFET
Производитель № детали: IRFB4020PBF	Сравнить: IRF630 VS IRFB4020PBF	Производитель: Infineon	Категория: МОП-транзисторы	Описание: TO-220AB N-CH 200V 18A
ПроизводительНомер детали: IRF630NPBF	Сравнить: IRF630 VS IRF630NPBF	Производитель: International Rectifier	Категория: МОП-транзисторы	Описание: МОП-транзистор, мощность; N-Ch; ВДСС 200В; RDS (ВКЛ) 0.3 Ом; ID 9.3A; ТО-220АБ; PD 82W; ВГС +/- 20В
Производитель № детали: IRF630PBF	Сравнить: IRF630 VS IRF630PBF	Производитель: VISHAY	Категория: МОП-транзисторы	Описание: TO-220-3 N-CH 200V 9A 400mΩ

Описания

Для этой части пока нет релевантной информации.

ХАРАКТЕРИСТИКИ

N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОР МОП

■ ТИПИЧНОЕ RDS (вкл.) = 0,25 Ом ■ СРЕДНЯЯ НАДЕЖНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ
■ 100% ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРОВЕДЕНИЕ ДАННЫХ
ОРИЕНТИРОВАННАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

ПРИЛОЖЕНИЯ ■ ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
■ ИСТОЧНИК БЕСПЕРЕБОЙНОГО ПИТАНИЯ (ИБП)
■ УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ, АУДИОУСИЛИТЕЛИ
■ ИНДУСТРИАЛЬНЫЕ ПРИВОДЫ ДЛЯ ПИТАНИЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА И ПЕРЕМЕННОГО ТОКА 499 ■ ОСОБЕННО ПОДХОДИТ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННЫХ
БАЛЛАСТ ДЛЯ ЛАМПОЧНЫХ ЛАМП
ECCN / UNSPSC
USHTS: 85412
CNHTS: 8541210000
MXHTS: 85412101
ТАРИК: 8541210000
ECCN: EAR99
Экологическая и экспортная классификации
Статус RoHS: Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL): 1 (без ограничений)
Статус REACH: REACH Без изменений
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.29.0095
Производитель продукции STMicroelectronics — глобальная независимая полупроводниковая компания, которая является лидером в разработке и поставке полупроводниковых решений для всего спектра приложений микроэлектроники. Непревзойденное сочетание опыта в области микросхем и систем, производственной мощи, портфеля интеллектуальной собственности (IP) и стратегических партнеров ставит компанию на передовые позиции в области технологии System-on-Chip (SoC), а ее продукты играют ключевую роль в обеспечении современных тенденций конвергенции.
Дистрибьюторы
IRF630 STMicroelectronics N-канал 200V 9A (Tc) 75W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB Под заказ
1: $$ 1.04000
10: $$ 0,
25: $$ 0,88080
100: $$ 0,66070
500: $$ 0,55998
1,000: $$ 0,45617
2,500: $$ 0,44988
5,000: $$ 0,40898 9012 $$
IRF630 STMicroelectronics МОП-транзистор N-Ch, 200 В, 10 А, 2,554
1: 1 доллар.04
10: 0,88 доллара США
100: 0,66 доллара США
500: 0,559 доллара США
1000: 0,449 доллара США
5000: 0,408 доллара США
10 000: 0,39 доллара США
25 000: 0,378 доллара США
IRF630 STMicroelectronics N-канал 200 В 0.Тип 35 Ом ， 9 A силовой полевой МОП-транзистор в корпусе DPAK Под заказ
0,7500 долл. США / 2,5000 долл. США
Популярность по регионам

Упаковка / ящик:	ТО-220-3
Серия:	MESH OVERLAY ™ II
Базовый номер продукта:	IRF6
Комплект устройства поставщика:	К-220АБ
Рассеиваемая мощность (макс.):	75 Вт (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:	700 пФ при 25 В
Напряжение сток-источник (Vdss):	200 В
Технологии:	МОП-транзистор (оксид металла)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C:	9A (Tc)
Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Значения):	10 В
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs:	400 мОм при 4．5A 10 В
Vgs (th) (макс.) @ Id:	4 В при 250 мкА
Vgs (макс.):	± 20 В
Функция полевого транзистора:	–
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs:	45 нКл при 10 В

По этой части пока нет релевантной информации.

ХАРАКТЕРИСТИКИ

N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОР МОП

IRF630 STMicroelectronics | Дискретные полупроводниковые изделия

IRF840	STMicroelectronics	МОП-транзистор N-CH 500V 8A TO-220	5417	0 руб.00000 / ədəd	Запрос предложений səbətinə əlavə edin?
IRF730	STMicroelectronics	МОП-транзистор N-CH 400 В 5.5А ТО-220	11554	$ 0.00000 / ədəd	Запрос предложений səbətinə əlavə edin?
IRFP450	STMicroelectronics	МОП-транзистор N-CH 500V 14A TO-247	11074	0 руб.00000 / ədəd	Запрос предложений səbətinə əlavə edin?
IRF640FP	STMicroelectronics	МОП-транзистор N-CH 200V 18A TO-220FP	10970	0 руб.00000 / ədəd	Запрос предложений səbətinə əlavə edin?
IRF820	STMicroelectronics	МОП-транзистор N-CH 500V 4A TO-220	5354	0 руб.00000 / ədəd	Запрос предложений səbətinə əlavə edin?
IRFP470	IXYS	МОП-транзистор N-CH 500V 24A TO-247AD	3929	0 руб.00000 / ədəd	Запрос предложений səbətinə əlavə edin?
IRFP260	IXYS	МОП-транзистор N-CH 200V 46A TO247	3224	0 руб.00000 / ədəd	Запрос предложений səbətinə əlavə edin?
IRF624STRR	Vishay Siliconix	МОП-транзистор N-CH 250 В 4.4А D2PAK	13996	$ 0.00000 / ədəd	Запрос предложений səbətinə əlavə edin?
IRFBC30STRLPBF	Vishay Siliconix	МОП-транзистор N-CH 600 В 3.6А Д2ПАК	48626	$ 1. / ədəd	Запрос предложений səbətinə əlavə edin?
IRFPC50PBF	Vishay Siliconix	МОП-транзистор N-CH 600V 11A TO-247AC	13208	$ 7.08000 / ədəd	Запрос предложений səbətinə əlavə edin?

Радиоприемники на полевых транзисторах. Усилитель мощности IRF630 для КВ радиостанции Мощный транзисторный КВ усилитель мощности

Транзистор — 600 Вт — UM на ВЧ

Введение.

Статья написана днем, честно признаться, в отличие от статьи Сергея — EX8A.Что прямо призывает всех вернуться назад («назад» — направление движения, «назад» — место прибытия).

Однако, помимо моего желания, были и призывы читающей публики: слишком слабо изложить что-то конкретное … Отвечаю — не слабо. Читай дальше. Но предупреждаю, что не собираюсь распространять свои мысли, не буду учить простым истинам — все есть в учебниках и справочниках, будет минимум лирических отступлений.

1.Обзор ситуации.

Уверен, что идея о невозможности создания ВЧ усилителя мощностью более 1000 Вт на транзисторах была придумана приверженцами ламп. Наверное, потому, что им самим сложно бежать за временем и менять собственные стереотипы мышления. А когда им говорят, что существуют промышленные УМ на ВЧ 1 кВт, они отвечают: это промышленные.

Что касается УМ на современных лампах, то в качестве аргументов против — в первую очередь хрупкость и шум вентилятора.И вместо него предлагается современный ГУ-81 (это «спинка»).

2. Долговечность.

Не понимаю, почему утверждают, что долговечность современных ламп хуже. В справочниках все указано с точностью до наоборот. Кто-то специально кладет в справочники «фейковую» информацию? Или у авторов этой «идеи» просто нет другого выхода, кроме как перевернуть все с ног на голову, подвергнув сомнению данные справочников? И ответ прост — нет другого способа обосновать необходимость появления конструкции на СТАРОХ лампах, которые не только давно сняты с производства по причине их «профессиональной непригодности», но которые давно истекли все мыслимые сроки хранения.

Модерн, видите ли, тренировать надо, а как же эти лохматые годы ГУ-81? Ну, конечно, нельзя сказать, что их не нужно обучать, поэтому так стыдливо говорят, что не будет хуже, если их еще обучат, а потом подробно описывают технологию всей процедуры.

3. Вентиляторы.

Здесь все достаточно просто: любителям ГУ-81 даже не интересно знать, какие бывают современные поклонники. И если вдуматься, в блоке питания трансивера 1-2 вентилятора (в моем GSV-4000 их два), в самом трансивере 1-2 вентилятора (в моем IC-781 есть 4 из них), в компьютере 1-2 вентилятора.Всего непрерывно работают 3-6 вентиляторов. И — ничего, они не мешают, о них даже никто не вспоминает. Почему? Потому что есть вентиляторы, у которых свой уровень шума 22-26 дБ. Это в 10 !!! раз тише тихого разговора. Почувствуйте разницу! И они уже «умеют» откачивать приличные объемы воздуха. А какие сейчас крутые «улитки»! И их еще можно параллельно (по потоку воздуха) … Но если вы об этом не знаете, то можно конечно поругать ВН-2 и тому подобное. Слушал шум вентиляторов ACOM-2000A, скажу: ничего не гудит, ничего не мешает, не отвлекает, даёт 2 кВт, и есть автоматический тюнер, и весь процесс обслуживают восемь микропроцессоров. мониторинг и контроль.А габариты …! И всего 2 штуки ГУ-74Б. Давайте дальше сравнивать с ГУ-81?

4. Источники питания.

Что будет, если «замкнуть» плюс блока питания на минус? Правильно — будет искра. Чем выше мощность блока питания, тем больше искра. Параметр искры — это ее энергия (грубо говоря, это мгновенная мощность, которую может дать источник питания). Теперь посмотрим на блок питания анодов УМ на двух ГУ-81. Это источник напряжения 3000 вольт и силы тока 1-1.5 ампер. Теперь посмотрим на блок питания транзисторного усилителя мощностью 1000 Вт. Это источник на 48 вольт с силой тока около 50 ампер. Что бы там ни говорили, но энергия искры от этих источников будет примерно одинаковой. Правда, разница есть — попробуйте прикоснуться (конечно, случайно) к плюсу истока транзистора MIND — с вами ничего не случится, и попробуйте, тоже случайно приложите палец к аноду. Во втором случае имейте заранее составленное завещание.

О весе блока питания на 2 ГУ-81 даже подумать страшно, наверное, килограмм 30-40.А размеры? Было бы интересно посмотреть фото.

Блок питания для транзисторного усилителя имеет такую характеристику, как удельный объем. Это 2 литра пространства на 1 кВт, а вес всего 600-700 грамм на 1 кВт.

5. Стоимость.

Уместный вопрос. Поинтересуйтесь в интернете, сколько стоит усилитель на ГУ-84 от известных самодельных «производителей» — ответ простой — минимум 2000 у.е., а у ГУ-78Б всего 100000 руб.И тогда — не ранее, чем через 2-3 месяца вы сможете его получить. Правда, надо честно сказать, что все делалось хорошо, добротно, давно. Уже есть опыт длительной эксплуатации таких усилителей — 5-7 лет без поломок и замены ламп (лампы — к неудовольствию вентиляторов ГУ-81 — металлокерамики, современные лампы). Кто сказал, что усилитель с транзисторами такой же мощности должен стоить дешевле? И если вы сделаете это сами, это действительно будет стоить дешевле. Недавний пример: радиолюбитель из Санкт-Петербурга.В Петербурге купили ГУ-91Б с розеткой и вентилятором за 450 долларов, для усилителя украинского производства за 2000 долларов. Стоимость бывшего в употреблении АСОМ-2000А начинается от 3500 долларов США. А у любителя УМ на ГУ-81 спросите, за сколько он его продаст? В лучшем случае скажет, что не продается.

Цена согласованной пары транзисторов для усилителя мощностью 600 Вт находится в пределах 250-300 долларов США. В это время. АД — импульсный. Я использую 2 компьютерных блока питания по 750 Вт каждый. Пара стоит 150 долларов. Это два.

Конечно, нет 10 реле P1D или B1B, или даже B2B. Переключателя диапазонов нет. Нет дурацкой настройки P-петли, но это один-два конденсатора и вариометр. И так далее, со всеми «стопами». Это три.

В остальном стоимость всего УМ немного подорожает за счет цены корпуса, фильтра, байпасного реле и прочей мелочевки.

Если с помощью сумматора сложить мощности двух выходных каскадов по 600 Вт, чтобы получить на выходе 1200 Вт, то, следовательно, все затраты должны быть почти удвоены.Где купить усилитель мощностью 1200 Вт за 900-1000 долларов? И с такими габаритами и с таким весом? Ответа нигде.

6. Схема.

Ничего особенного, никаких «хитростей» — самая обычная двухтактная схема.

На одной плате PA.

Или так:

Присмотритесь:

на втором — реле байпаса, на третьем — фильтры диапазона выходов, на четвертом — источник смещения основных цепей.Напряжение питания — 48В. Ток покоя выходного каскада 150-250 мА. Транзисторы TH-430pp. Ферриты — ТДК. Обмотки выходного трансформатора — многопроволочный серебряный провод 2,5-4 мм2 (не более 1 метра).

Трансформаторы сумматора — отдельная тема. Поскольку схему можно найти в любой литературе, я ее не привожу. Показываю подробные фото — все должно быть понятно.

Здесь все на радиаторе собрано:

7. Элементная база.

Опять ничего особенного — мощные транзисторы, трансформаторы.

7. Перспективы.

Вот на этом ОДНОМ таком «красавце» можно получить 400-600 Вт на ВЧ.

Двухтактная схема легко выдает более 1000 Вт. Два модуля — дадут более 2000 Вт. Вес одного модуля на 600 Вт составляет 2 кг (с радиатором и вентиляторами). Вес одного блока питания 0,65 кг. Кейс — вес 1,5 кг. Площадь радиатора около 2000 см2, ребра обдуваются двумя компьютерными кулерами сбоку.Итого все весит меньше 5 кг.

И еще хотелось бы, чтобы этот автоматический недорогой тюнер на 200 Вт работал с мощностью около 1000 Вт, заменив элементы согласующего устройства на более мощные.

Двойной микрофон HEIL SOUND HM-10-5 (разные частотные диапазоны) предназначен для понимания размеров.

Это промышленный усилитель на 500 Вт с двумя MRF-150, которые я достал;).

И это его обратная сторона.

Промышленный усилитель на 1 кВт такой же схемы быстро найти не удалось, только ребра радиатора у него в три раза выше, а на плате два параллельных канала усиления с сумматором между ними на выходе.

ВОПРОСОВ ???

Часть 2. Транзистор — 600 Вт — УМ на ВЧ

Спасибо всем, кто откликнулся на статью. Даже для тех, кто думал, что я мошенник, и эта статья не более чем «афера» и обман.

Вентиляторы. Отличная статья Н. Филленко. UA9XBI здесь, я не вижу смысла цитировать и повторять. Могу привести лишь некоторые цифры для ориентации: средний жесткий диск издает шум (средний между состоянием ожидания и состоянием поиска) на уровне 30-35 дБ (децибел). Для сравнения: шепот — 10-20 дБ, спокойный человеческий голос — 50-60 дБ, едущий поезд — 90 дБ, взлет самолета — 120 дБ, болевой порог — более 130 дБ. Что касается боевого применения: офисный шум (принтеры, факсы, копировальные аппараты и т. Д.).) — 50 дБ, шум в гостиной — 30-40 дБ, шум компьютерного вентилятора — 20-34 дБ. Хотите купить нормальный вентилятор, пожалуйста: http://www.zifrovoi.ru/catalog/coolers/all/

Фото. Похоже, здесь некоторые пытаются найти уловку. Я заказал и купил первую материнскую плату в Японии, и выложил те же фотографии только потому, что они были сделаны красивее на синем фоне (я так думаю). В этом нет никакого секрета. Но если кому-то кажется, что это не так — пожалуйста, такую же плату (опять же с моим микрофоном).

Мощность. Сейчас буду снимать все на диване J). Вот еще один UM

На листе бумаги, который прикреплен к плате проводом, написана выходная мощность по диапазону. Разрешение всех фотографий достаточное, чтобы все было видно во всех деталях. Что мы там видим: в диапазонах 7, 10, 14, 18 МГц выдает 500 Вт. Вы видите, там написано — с напряжением питания 28 В и входной мощностью 10 Вт на всех диапазонах.

На 3.5 и 21 МГц соответственно — 320 Вт и 400 Вт. На 1,9 МГц — 200 Вт, на 24 МГц — 240 Вт, а на 28 МГц — 160 Вт. Таким образом, на уровне -3 дБ (что составляет половину мощности) частотный диапазон усилителя составляет 1,9 — 24 МГц. Двойное изменение мощности изменяет уровень сигнала S-метра всего на 0,5 балла. На частоте 28 МГц уровень принимаемого сигнала снизится на 0,7 пункта. Кстати, следует отметить, что угол раскрытия антенн определяется точно так же — по уровню половинной мощности, т.е.е. на уровне -3дБ.

Для увеличения выходной мощности на 1,9, 24 и 28 МГц достаточно увеличить входную мощность в 2-3 раза (20-30 Вт). Или сделать систему ALC — автоматический контроль уровня мощности. Я этого не делал, потому что мне легче повернуть ручку RFPWR.

Эта мощность дается платой, которую вы видите на фотографии. Не сомневаюсь, что при питании от источника 48В и конструктивной оптимизации трансформаторов эта плата может дать «чуть больше» мощности.А если добавить пару таких модулей — вот вам 1000 ватт. А теперь подумайте, стоит ли стремиться к 2000 Вт, если в результате вы получите повышение уровня сигнала на приемном конце всего на 0,5 балла? Пример работы моего соседа, его позывной называть не буду. На 20 я беру 9 + 50 дБ (S-метр откалиброван), и я слышу вторую гармонику на 28 МГц на 9 + 5 дБ. У человека хорошая антенна (biggun5 el), но усилитель … сделан безупречно, аккуратно, красиво, всем говорит, что у меня честные двести килограммов.А еще стоят две лампы ГМИ-11 параллельно и анодное напряжение 2500 вольт. На что это похоже? Отлично? Никакие увещевания не помогают. И хотя сам хороший инженер понимает, что снижение уровня на 0,5 балла — ерунда, он НИЧЕГО не делает.

У меня есть усилитель на базе ГУ-73П, охлаждаемый каким-то хладагентом. И блок питания к нему, который мне было лень фотографировать. Ни разу не включал (дает 2500 Вт), весит блок питания около 50 кг. Хотели как-то украсть из-за алюминиевой обшивки, но не смогли поднять хай-хи.

Источники питания. Сначала фото импульсного блока питания известной американской фирмы

Этот ИБП обеспечивает 20 вольт и 125 ампер, всего 2500 вольт. Вес — около 12-15 кг. При рассмотрении на столе на RZ3CC он оказался совершенно непригодным для наших приложений. В моменты переключения ключевых транзисторов такие импульсы скачут, что становится даже неинтересно искать варианты защиты от них приемника. Правда, надо сказать, что это разработка лет 15 назад, а о резонансных ИБП тогда, конечно, не знали.Суть в том, что принцип работы преобразователей, которые используются в блоках питания современных трансиверов, не подходит для больших мощностей.

Теперь давайте посмотрим на ИБП, которые я использую.

Это и понятно — компьютерный ИБП. Для тех, кто что-то сказал про большие токи — увеличьте картинку и увидите надпись 5v / 50a — болтов и гаек нет. Я имею в виду, что ничто не мешает выполнить подключение, например, даже ленточным кабелем.

Есть два ИБП, верхний 5В / 20А, нижний 5В / 90А. Движение вперед заметно — ИБП заметно меньше и легче. В ИБП IC-781 500W блок питания имеет очень маленькие габариты и вес около 1,5-2 кг, но ему уже больше 15 лет. Согласитесь, что технологии шагнули далеко вперед.

ИБП на 750 Вт для компьютера уже имеет две обмотки 12в / 22а. Возьмите два таких ИБП, и вы получите входную мощность 48 В / 22 А.Только не забудьте развязать источники диодами. Если же немного пофантазировать с другими напряжениями этих ИБП, то можно получить потребляемую мощность 1600Вт.

Мой выходной каскад, напротив, работал с традиционным IP — трансформаторным, на фото ниже вы видите шину, с которой заводится OCM -1 1.0, кстати, его цена в интернете 2930 руб.

Обмотка с такой покрышкой особого энтузиазма не вызывает, да и вес трансформатора довольно большой.

Я уже сказал, что к лампам отношусь НОРМАЛЬНО, они еще долго будут вне конкуренции в отрасли. Но все же хочется чего-то более компактного и легкого. Оказалось — делают, но не для широкой аудитории. В одном НИИ мне предложили импульсный блок питания для лампового усилителя мощности. Сказали так: 3000в, 1.5а, в корпусе, с защитами, с надежностью в высшем классе, в объеме 3 литра, весом 2-3 кг, все элементы импортные (только ферриты Epcos), за 30 000 руб., на 1 мес.Спросил, видите ли вы схему, ответ — 15000 рублей, и диаграмма с подробным описанием ваша. Схему не покупал. Но понял, что для радиолюбителей есть очень интересные варианты.

Это киловаттный модуль на два ГИ-46Б. Вентиляторы и радиаторы от процессора. Площадь радиатора каждой лампы составляет 850 см2, что почти вдвое больше, чем у «родного» радиатора. В воплощении этой идеи пока остановились в связи с появлением альтернативы — на транзисторах.

Схема. Приведу обе схемы, которые получил.

Как я уже сказал — ничего необычного — схемы самые стандартные. Ток покоя каждого транзистора составляет 150-250 мА. Что касается ферритов, я бы настоятельно не советовал вообще использовать наши ферриты. Причина только одна — нестабильность параметров. У Red есть несколько вариантов ферритов — выбирайте любой, подходящий по мощности и частоте. Выходные трансформаторы: У меня есть несколько вариантов — синие ферриты AmidonFT-23-43, диаметр 23мм, материал 43, по 6 штук в каждой колонке.4 витка провода сечением 1,5 мм кв. У второго кольцевого усилителя TDKK6a.77.08 внешний диаметр 28мм, внутренний 16мм, высота кольца 8мм. По два кольца в каждом столбике. Четыре витка многожильного серебряного провода, сечением 2-2,5 мм кв. Входные трансформаторы — кольца внутр. Диам. 14-16 мм, внутр. — 8мм, длина стойки — 14-18 мм, материал М600НН. Четыре витка провода сечением 0,35 мм кв. Размеры ферритовых колец в трансформаторах зависят исключительно от потерь мощности.По этой причине при точном подборе размеры колец могут быть очень маленькими. В качестве примера на следующем фото блок полосовых фильтров от 500 Вт, ICOM, который мне подарил RZ3CC (Г. Шульгин).

Не забудьте установить высоковольтные керамические конденсаторы там, где они показаны на схеме.

Здесь показаны измерения выходной и входной мощности. Не мои измерения. Первая фотография — американская, вторая — японская.Но порядок мощностей вполне очевиден, я бы сказал намного лучше, чем на ГУ-74Б, а всего два 2SC2879. Ну и последняя пластинка от японца, посмотрите — очень характерно. Это пара транзисторов MRF448pp, согласно даташиту они имеют мощность 250 Вт, а дают больше 250х2.

Pin (w) Pin (w) Vp (V) Ip (A) Pip (w) КПД (%)

1 82 48,3 7 338 24,3 2 177 48,3 12 580 30,5 5 380 47,8 19 908 41,8 10 530 46,5 24 1116 47,5 14 630 46,0 25 1196 52.7

Координация. Отдельно хотелось бы обратить внимание на согласование с антенной транзисторного PA. Конечно, лучше всего использовать автоматический антенный тюнер (кстати, кто-то на форуме решил, что я хочу втиснуть в один и тот же объем трехкратно большие переменные емкости и индуктивности. Это очень смелое предположение привет-привет), но вам также нужны нормальные антенны или, по крайней мере, портативное согласующее устройство. Я не понимаю утверждений, что лампа будет «держать» большой КСВ, в отличие от транзистора.И при этом его совершенно не интересует то, что при этом погаснут все телевизоры в округе и заговорят не только телефоны, но и утюги. Но «мы работаем» над Альфой или чем-то еще, не менее одного киловатта. Защита транзистора PA довольно простая, думаю, RK3AQW об этом писал на форуме. Я делаю то же самое, но ограничиваю критический КСВ не 10, а 6. То есть выход усилителя загружен на безиндуктивный резистор 300 Ом.Это цена за общую надежность усилителя. Этот резистор состоит из двух резисторов, один на 270 Ом, а второй угольный на 47 Ом. С двигателя этого резистора через пару диодов с конденсатором подается напряжение на базу транзисторного ключа для 2N2222, в коллекторе которого находится РЭС-49, который своими контактами снимает напряжение смещения с выходной каскад. Поскольку КСВН = 6 транзисторов могут «терпеть» достаточно долго, за это время смещение снимается довольно легко.Что ж, тогда — ремонт или настройка антенны.

Па в 1 кВт

А это вид сзади.

Со стороны деталей видно, что каналов два, подключены два блока питания, есть сумматор. Обратите внимание, что справа вы видите отрезанный коаксиальный кабель — выход. Отмечу отдельно — его диаметр 2,5 мм. Думаю, что для мощностей от 1000 Вт и более наши люди используют кабели с внешним диаметром 11-15 мм.Здесь 2,5 мм наверняка вызовут бурю гнева. Но есть кабель РГ-142, диаметр которого с внешней оболочкой 4,95 мм, способный передавать мощность 3,5 кВт на частоте 50 МГц. А также обратите внимание на размер ферритов — никаких намеков на гигантские размеры. И т. Д.

Это довольно «старый» микрофонный процессор, в нем есть компрессор, реверберация, какая-то встроенная мелодия, монитор из ресивера, индикатор уровня. На следующем фото современное устройство для тех же целей.

Это недорогая УКВ 150 Вт стандартная UM, в которую легко поместится UM KV мощностью 600 Вт, хоть и слабый радиатор, но его можно продуть кулером или заменить. А усилитель внутри можно легко преобразовать на 250 кВ ватт.

Микрофонный графический эквалайзер. Хорошая новость в том, что в диапазоне 3 кГц он имеет 5 диапазонов активных настроек.

Это, например, переключатель микрофона, который может переключать два разных микрофона на два разных трансивера в любом порядке (например, HF и VHF).

Это коаксиальный антенный переключатель мощностью 3 кВт для 6 антенн.

Это фильтр TVI.

И время этого чуда, по крайней мере для радиолюбителей, должно быть закончено.

73! RU3BT. Сергей

Линейный транзисторный ВЧ усилитель мощностью 50 Вт на полевых транзисторах IRF520, отличается от большинства известных рядом, хотя и не новыми, но достаточно редко используемыми техническими решениями. Его хорошие параметры и высокое качество сигнала подтверждены большим количеством положительных отзывов, полученных от корреспондентов в QSO

Внешний вид усилителя показан на рис.

Его схема представлена на рис.

Усиленный сигнал, поступающий на разъем XW1, через аттенюатор с резисторов R1-R3 и трансформатора T1 поступает на затворы полевых транзисторов VT1 и VT2. Используемая схема обеспечивает хорошую симметрию сигналов на воротах. С помощью подстроечного резистора R7 на затворах транзисторов устанавливается постоянное смещение, обеспечивающее ток покоя в цепи их стоков (при отсутствии переменного напряжения на затворах) порядка 80… 100 мА. Суммарный ток покоя, который можно измерить включением амперметра в разрыв провода питания, отмеченного на схеме крестиком, в два раза больше — 160 … 200 мА. При максимальной выходной мощности ток здесь возрастает примерно до 4 А.

Резистивный аттенюатор служит для лучшего согласования усилителя с источником сигнала и гашения избыточной мощности этого сигнала. Указанные на схеме значения резисторов R1-R3 являются оптимальными при работе от применяемого автором QRP-трансивера «Кайман» с выходной мощностью 2 Вт.В других случаях эти резисторы, возможно, придется повторно установить. Трансформатор Т1 намотан двойным изолированным медным проводом диаметром 0,55 мм на кольцевом ферритовом магнитопроводе ФТ-82-43. Его обмотки содержат 11 витков.

В усилителе используется оригинальный блок суммирования выходных сигналов плеч двухтактного усилителя, собранный на трансформаторе Т2, который также служит для согласования усилителя с нагрузкой 50 Ом. Блокировочные конденсаторы C6-C9 не пропускают постоянную составляющую тока стока транзисторов в обмотки трансформатора.

Это предохраняет его магнитную цепь от нежелательного намагничивания, которое может привести к увеличению нелинейных искажений выходного сигнала, недостаточной мощности и увеличению гармоник на выходе. Конструкция и количество витков обмоток трансформатора Т2 такие же, как и у Т1. Но его магнитопровод склеен из двух ферритовых колец ФТ-114-43, а диаметр обмоточного провода составляет 1 мм.

Избавиться от постоянной составляющей тока, протекающего в обмотках дросселей L1, L2, L4, L5, невозможно.Опасность насыщения здесь устраняется другим способом — с помощью открытых стержневых, а не замкнутых кольцевых магнитопроводов. Дроссели L1 и L2 имеют по 25 витков провода диаметром 1 мм, намотанного на ферритовый стержень диаметром 8 мм, а дроссели L4 и L5 имеют по 20 витков того же провода на стержне диаметром 5 мм. . Автор, к сожалению, не сообщает о магнитной проницаемости ферритовых стержней, говоря только о том, что она должна быть высокой.

Катушка L3 намотана на кольцевой магнитопровод Т68-2 из карбонильного железа.Он содержит 19 витков провода диаметром 0,9 мм.

Печатная плата усилителя изображена на рис.

Фольга на его обратной стороне полностью сохранилась. Он подключается к общему печатному проводнику на лицевой стороне несколькими проволочными перемычками, пропущенными через специально просверленные отверстия. Для случая полевых транзисторов в плате выполнены окна, а сами транзисторы закреплены на радиаторах. Транзисторы необходимо выбирать с разбросом параметров не более 10%.Если это невозможно сделать, то проволочные перемычки, показанные на схеме печатной платы в цепях истоков транзисторов, необходимо заменить на резисторы с сопротивлением 0,22 Ом и мощностью 2 Вт. При синусоидальном сигнале 9 вольт. на вход усилителя при его нагрузке 50 Ом была получена мощность 55 Вт.

По материалам радиожурнала

Представляю вашему вниманию усилитель мощности для ВЧ трансивера на полевых транзисторах IRF510.

При входной мощности около 1 Вт на выходе легко получается 100–150 Вт.

Сразу прошу прощения за качество схемы.

Усилитель двухкаскадный. Оба каскада выполнены на популярных и дешевых ключевых мосфетах, что выгодно отличает данную конструкцию от многих других. Первый каскад — однотактный. Согласование на входе с источником сигнала 50 Ом достигнуто не лучшим, а простым способом — с помощью резистора R4 на вход 51 Ом.Нагрузкой каскада является первичная обмотка межкаскадного согласующего трансформатора. Этап окружен петлей отрицательной обратной связи для выравнивания частотной характеристики. L1, включенный в эту схему, уменьшает обратную связь в области более высоких частот и тем самым увеличивает коэффициент усиления. Эту же цель преследует установка С1 параллельно резистору на истоке транзистора. Вторая ступень — двухтактная. Для минимизации гармоник применяется отдельное смещение рычагов сцены.Каждое плечо также покрывается цепочкой OOS. Нагрузка каскада — Tr3, а Tr2 отвечает за согласование и переключение на несимметричную нагрузку. Смещение каждой ступени и, соответственно, ток покоя устанавливаются отдельно с помощью подстроечных резисторов. Напряжение на эти резисторы подается через переключатель PTT на транзисторе T6. Переключение на TX происходит, когда точка PTT замкнута на массу. Напряжение смещения стабилизируется на уровне 5В встроенным регулятором. В целом схема очень простая с хорошими характеристиками.

Теперь о деталях. Все транзисторы усилителя — IRF510. Могут быть применены и другие, но с ними можно ожидать увеличения отсечки усиления в диапазоне частот выше 20 МГц, поскольку входная и пропускная способности транзисторов IRF-510 являются самыми низкими из всей линейки ключевых МОП-транзисторов. Если нам удастся найти транзисторы MS-1307, то можно будет рассчитывать на значительное улучшение характеристик усилителя в области высоких частот. Но они дорогие … Индуктивность дросселей dr1 и dr2 не критична — они намотаны на ферритовых кольцах 1000НН с нулем.8 проволоки в один слой перед заливкой. Все конденсаторы smd. Конденсаторы C5, C6 и особенно C14, C15 должны иметь достаточную реактивную мощность. При необходимости можно использовать несколько конденсаторов, соединенных параллельно. Чтобы обеспечить качественную работу усилителя, особое внимание нужно уделить изготовлению трансформаторов. Tr3 намотан на ферритовом кольце 600NN с внешним диаметром 22 мм и содержит 2 обмотки по 7 витков каждая. Он намотан двумя проводами, которые немного скручены. Провод — ПЭЛ-2 0.9.

Тр1 и Тр2 выполнены по классической конструкции однооборотной ДКУ (он же «бинокль»). Тр1 выполнен на 10 кольцах (2 стойки по 5) из феррита 1000НН диаметром 12мм. Обмотки выполнены толстым проводом МГТФ. Первый содержит 5 витков, второй — 2 витка. Хорошие результаты дает соединение обмоток из нескольких проводов меньшего сечения параллельно. Tr2 изготовлен с использованием ферритовых трубок, снятых с сигнальных шнуров монитора. Медные трубки плотно вставлены в свои отверстия, образующие один виток — первичную обмотку.Внутри намотана вторичная обмотка, которая содержит 4 витка и выполнена из провода МГТФ. (7 проводов параллельно). В этой схеме отсутствуют элементы защиты выходного каскада от высокого КСВН, кроме встроенных структурных диодов, эффективно защищающих транзисторы от «мгновенных» перенапряжений на стоках. Отдельный узел, построенный на базе измерителя КСВ, занимается защитой от КСВ и снижает напряжение питания при повышении КСВ выше определенного предела. Эта схема — тема для отдельной статьи.Резисторы R1-R4, R7-R9, R17, R10, R11 — типа МЛТ-1.R6 — МЛТ-2. Р13, Р12 — МЛТ-0,5. Остальные — smd 0,25 Вт.

(статья добавлена 07.02.2016)

UT5UUV Андрей Мошенский.

Усилитель «Джин»

Транзисторный усилитель мощности

с бестрансформаторным блоком питания

от сети 220 (230) В.

Идея создания мощного, легкого и дешевого усилителя большой мощности была актуальна с момента зарождения радиосвязи. За последнее столетие было разработано множество красивых конструкций ламп и транзисторов.

Но до сих пор ведутся споры о превосходстве твердотельной или электронно-вакуумной усилительной технологии большой мощности …

В эпоху импульсных блоков питания вопрос о массогабаритных параметрах вторичных блоков питания стоит не так остро, но, по сути, устранив его, применив выпрямитель напряжения промышленной сети, вы все равно получите выигрыш.

Заманчивой кажется идея использовать современные высоковольтные переключающие транзисторы в усилителе мощности радиостанции, используя для питания сотни вольт постоянного тока.

Обращаем ваше внимание на конструкцию усилителя мощности для «нижних» ВЧ диапазонов мощностью не менее 200 Вт с бестрансформаторным блоком питания, построенного по двухтактной схеме на высоковольтном поле- транзисторы эффекта. Главное преимущество перед аналогами — вес и габариты, низкая стоимость комплектующих, стабильность в работе.

Основная идея заключается в использовании активных элементов — транзисторов с граничным напряжением сток-исток 800 В (600 В), предназначенных для работы в импульсных вторичных источниках питания.В качестве усилительных элементов выбраны полевые транзисторы IRFPE30, IRFPE40, IRFPE50 производства International Rectifier. Цена продукции 2 (два) доллара. СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ АМЕРИКИ. 2SK1692 производства «Тошиба» немного уступает им по частоте среза, обеспечивая работу только в диапазоне 160 метров. Поклонники усилителей на биполярных транзисторах могут поэкспериментировать с 600-800 вольтами BU2508, MJE13009 и другими.

Методика расчета усилителей мощности и ШПТЛ приведена в справочнике коротковолнового радиолюбителя С.Бунина, Л.П. Яйленко. 1984

Данные обмоток трансформаторов показаны ниже. Вход ШПТЛ ТР1 выполнен на кольцевом сердечнике К16-К20 из феррита М1000-2000НМ (НН). Количество витков — 5 витков в 3 проводах. Выходной ШТТЛ ТР2 выполнен на кольцевом сердечнике К32-К40 из феррита М1000-2000НМ (НН). Количество витков — 6 витков в 5 проводах. Проволока для намотки рекомендована МГТФ-035.

Можно сделать выход ШТТЛ в виде бинокля, что хорошо скажется на работе в «верхней» части ВЧ диапазона, хотя транзисторы там не работают из-за времен нарастания и спада Текущий.Такой трансформатор можно сделать из 2-х столбиков по 10 (!) Колец К16 из материала М1000-2000. Все обмотки по схеме — один виток.

Данные измерений параметров трансформатора приведены в таблицах. Входные ШТТЛ загружены на входные резисторы (от автора 5,6 Ом вместо расчетных), включенные параллельно емкости затвор-исток, плюс емкость за счет эффекта Миллера. Транзисторы IRFPE50. Выходные ШТТЛ были загружены со стороны стоков на безиндуктивный резистор 820 Ом.Векторный анализатор AA-200 производства RigExpert. Завышенный КСВН можно объяснить недостаточно плотной упаковкой витков трансформаторов на магнитопроводе, ощутимым несоответствием волнового сопротивления линии МГТФ-0,35, необходимого в каждом конкретном случае. Однако на 160, 80 и 40 метров проблем нет.

Рис. 1. Принципиальная электрическая схема усилителя.

Блок питания выпрямителя моста 1000В 6А, нагруженный на конденсатор 470.0 при 400 В.

Не забываем о нормах безопасности, качестве радиаторов и слюдяных прокладках.

Рис. 2. Принципиальная электрическая схема источника постоянного тока.

Рис. 3. Фотография усилителя со снятой крышкой.

Таблица 1. Параметры ШТТЛ ТР1, выполненного на кольце К16.

Несколько слов об ошибках установки:
Чтобы улучшить читаемость схем, рассмотрим усилитель мощности с двумя парами оконечных полевых транзисторов и источником питания ± 45 В.
В качестве первой ошибки попробуем «спаять» стабилитроны VD1 и VD2 с неправильной полярностью (правильное подключение показано на рисунке 11).Карта напряжений примет форму, показанную на Рисунке 12.

Рисунок 11 Распиновка стабилитронов BZX84C15 (однако распиновка на диодах такая же).

Рисунок 12 Схема напряжений усилителя мощности при неправильной установке стабилитронов VD1 и VD2.

Эти стабилитроны необходимы для формирования напряжения питания операционного усилителя и выбраны равными 15 В исключительно потому, что это напряжение оптимально для данного операционного усилителя. Усилитель сохраняет КПД без потери качества даже при использовании близких номиналов — 12 В, 13 В, 18 В (но не более 18 В).При неправильной установке вместо предписанного напряжения питания ОУ получает только падение напряжения на n-p переходе стабилитронов. Ток покоя регулируется нормально, на выходе усилителя присутствует небольшое постоянное напряжение, выходной сигнал отсутствует.
Также возможна неправильная установка диодов VD3 и VD4. В этом случае ток покоя ограничивается только номиналами резисторов R5, R6 и может достигать критического значения. На выходе усилителя будет сигнал, но довольно быстрый нагрев оконечных транзисторов обязательно приведет к их перегреву и выходу усилителя.Карта напряжения и тока для этой ошибки показана на рисунках 13 и 14.

Рисунок 13 Схема напряжений усилителя при неправильной установке термостабилизирующих диодов.

Рисунок 14 Токовая карта усилителя при неправильной установке термостабилизирующих диодов.

Следующей популярной ошибкой подключения может быть неправильная разводка транзисторов (драйверов) предпоследнего каскада. Карта напряжений усилителя в этом случае принимает вид, показанный на рисунке 15.При этом оконечные транзисторы полностью закрыты и на выходе усилителя звука нет, а уровень постоянного напряжения максимально приближен к нулю.

Рисунок 15 Карта напряжений при неправильной установке транзисторов задающего каскада.

Далее самая опасная ошибка в том, что транзисторы каскада драйвера перепутаны местами, а также перепутана распиновка, в результате чего привязка к выводам транзисторов VT1 и VT2 правильная и они работают в режим эмиттерных повторителей.При этом ток через оконечный каскад зависит от положения ползунка подстроечного резистора и может составлять от 10 до 15 А, что в любом случае вызовет перегрузку блока питания и быстрый нагрев оконечных транзисторов. На рисунке 16 показаны токи в среднем положении триммера.

Рисунок 16 Карта токов при неправильной установке транзисторов драйверного каскада, распиновка тоже перепуталась.

Вряд ли удастся перепаять выходы оконечных полевых транзисторов IRFP240 — IRFP9240 «наоборот», но поменять местами довольно часто.При этом установленные в транзисторы диоды получаются в сложной ситуации — приложенное к ним напряжение имеет полярность, соответствующую их минимальному сопротивлению, что вызывает максимальное потребление от блока питания и насколько быстро они перегорают, зависит больше от удачи, чем от законы физики.
Фейерверк на плате может случиться и по другой причине — стабилитроны мощностью 1,3 Вт продаются в таком же корпусе, что и диоды 1N4007, поэтому перед установкой стабилитронов в плату, если они в черном корпусе, следует взять присмотритесь к надписям на корпусе.При установке вместо стабилитронов напряжение питания операционного усилителя ограничивается только номиналами резисторов R3 и R4 и потребляемым током самого операционного усилителя. В любом случае результирующее значение напряжения намного выше максимального напряжения питания для данного операционного усилителя, что приводит к его выходу из строя, иногда с удалением части самого операционного усилителя, и тогда может появиться постоянное напряжение. на его выходе близкое к напряжению питания усилителя, что повлечет за собой появление постоянного напряжения на выходе самого усилителя мощности.Как правило, заключительный этап в этом случае остается в рабочем состоянии.
И напоследок несколько слов о номиналах резисторов R3 и R4, которые зависят от напряжения питания усилителя. 2,7 кОм — самый универсальный, однако при питании усилителя напряжением ± 80 В (только для нагрузки 8 Ом) эти резисторы будут рассеивать около 1,5 Вт, поэтому его необходимо заменить на 5,6 кОм или 6,2 кОм. резистор, уменьшающий тепловую мощность до 0,7 Вт.

EK B BD135; BD137

З И С IRF240 — IRF9240

Усилитель заслуженно нашел своих поклонников и начал обзаводиться новыми версиями.В первую очередь была изменена цепь генерации напряжения смещения первого транзисторного каскада. Кроме того, в схему была введена защита от перегрузки.
В результате доработок принципиальная схема усилителя мощности с полевыми транзисторами на выходе приняла следующий вид:

УВЕЛИЧИТЬ

Варианты печатной платы показаны в графическом формате (необходимо масштабировать)

Внешний вид получившейся модификации усилителя мощности показан на фотографиях ниже:

Осталось плеснуть ложку дегтя в эту бочку меда…
Дело в том, что используемые в усилителе полевые транзисторы IRFP240 и IRFP9240 были сняты с производства разработчиком International Rectifier (IR), который уделил больше внимания качеству продукции. Основная проблема этих транзисторов в том, что они были разработаны для использования в источниках питания, но оказались вполне подходящими для оборудования звукоусилителя. Повышенное внимание к качеству производимых компонентов со стороны International Rectifier позволило без подбора транзисторов подключить несколько транзисторов параллельно, не беспокоясь о различиях в характеристиках транзисторов — разброс не увеличился. превышают 2%, что вполне допустимо.
Сегодня транзисторы IRFP240 и IRFP9240 производит компания Vishay Siliconix, которая не так чувствительна к выпускаемой продукции и параметры транзисторов стали подходящими только для источников питания — распространение «коробки усиления» транзисторов одной партии превышает 15%. Это исключает параллельное соединение без предварительного выбора, а количество тестируемых транзисторов при выборе 4 равно нескольким десяткам экземпляров.
В связи с этим перед сборкой данного усилителя в первую очередь следует выяснить, транзисторы какой фирмы вы можете приобрести.Если в ваших магазинах продается Vishay Siliconix, то настоятельно рекомендуется отказаться от сборки этого усилителя мощности — вы рискуете довольно много потратить и ничего не добиться.
Однако работа по разработке «ВЕРСИИ 2» этого усилителя мощности и отсутствие достойных и недорогих полевых транзисторов для выходного каскада заставили меня немного задуматься о будущем этой схемотехники. В результате была смоделирована «ВЕРСИЯ 3», в которой используется биполярная пара от TOSHIBA — 2SA1943 — 2SC5200 вместо полевых транзисторов IRFP240 — IRFP9240 от Vishay Siliconix, которые до сих пор имеют вполне приличное качество.
Принципиальная схема новой версии усилителя вобрала в себя модификации «ВЕРСИИ 2» и претерпела изменения в выходном каскаде, что позволило отказаться от использования полевых транзисторов. Принципиальная схема показана ниже:

Принципиальная схема с использованием полевых транзисторов в качестве повторителей УВЕЛИЧИТЬ

В этой версии полевые транзисторы сохранены, но они используются в качестве повторителей напряжения, что значительно разряжает драйверный каскад.В систему защиты было введено небольшое положительное соединение, чтобы избежать возбуждения усилителя мощности на пределе срабатывания защиты.
Печатная плата находится в процессе разработки, предварительные результаты реальных измерений и работоспособная печатная плата появятся в конце ноября, а пока мы можем предложить график измерения THD, полученный с помощью MICROCAP. Вы можете узнать больше об этой программе.

Частота кГц	R	jX	SWR
1850	45,5	+4,2	1,15
3750	40,5	+7,2	1,3
7150	40,2	+31,8	2,1

Таблица 2. Параметры ШТТЛ ТР2, выполненного на кольце К40.

Частота кГц	R	jX	SWR
1800	48	-0,5	1,04
3750	44	-4,5	1,18
7150	40,3	-5,6	1,28
14150	31,1	4,0	1,5
21200	x	x	1,8
28300	x	x	2,2

Рис 4. Выход ШТТЛ на кольцо К40.

Таблица 3. Параметры ШПТЛ ТР2, конструкция «бинокль».

Частота кГц	R	jX	SWR
1850	27,3	+26	2,5
3750	46	+17	1,47
7150	49	-4,4	1,10
14150	43	-0,9	1,21
21200	x	x	1,41
28300	x	x	1,7

Рис 5. Выходные ШТТЛ «бинокулярной» конструкции.

При параллельном включении транзисторов и пересчете ШТТЛ мощность может быть значительно увеличена. Например, 4 шт. IRFPE50 (2 в плече), выход ШТТЛ 1: 1: 1 и питание 310В на стоках, легко получается выходная мощность 1кВт. При такой конфигурации эффективность SHTTL особенно высока, метод выполнения SHTTL описывался неоднократно.

Авторский вариант усилителя на двух IRFPE50, показанный на фотографиях выше, отлично работает на диапазонах 160 и 80 м.Мощность составляет 200 Вт при нагрузке 50 Ом при входной мощности около 1 Вт. Цепи переключения и байпаса не показаны и зависят от ваших пожеланий. Обратите внимание на отсутствие в описании выходных фильтров, работа усилителя без которых недопустима.

Андрей Мошенский

Приложение (07.02.2016):
Уважаемые читатели! По многочисленным просьбам, с разрешения Автора и редколлегии выкладываю также фото новой конструкции усилителя «Джин».

IRF640 Folha de dados (PDF) — Fairchild Semiconductor

Nome de Peças	Descrição Electrónicos	Html View	Fabricante Electrônico
IRF240	18A 200 В 0,180 Ом N-канал Мощность МОП-транзистор	1 2 3 4 5 Более	Корпорация Интерсил
FRK260D	46A 200 В 0.070 Ом Рад Жесткий N-канал Мощность МОП-транзисторы	1 2 3 4 5 Более	Корпорация Интерсил
FRL230D	5А 200 В 0,500 Ом Рад Жесткий N-канал Мощность МОП-транзисторы	1 2 3 4 5 Более	Корпорация Интерсил
IRFD210	0,6 А И 0,45 А 150 В И 200 В 1.5 И 2,4 ОМ N-КАНАЛ МОЩНОСТЬ МОП-транзисторы	1 2 3 4 5 Более	Harris Corporation
FRM230D	8A 200 В 0.50 Ом Рад Жесткий N-канал Мощность МОП-транзисторы	1 2 3 4 5 Более	Корпорация Интерсил
IRF630	9А 200 В 0,400 Ом N-канал Мощность МОП-транзисторы	1 2 3 4 5 Более	Корпорация Интерсил
FRL130D	8A 100 В 0,180 Ом Рад Жесткий N-канал Мощность МОП-транзисторы	1 2 3 4 5 Более	Корпорация Интерсил
FRM240D	16А 200 В 0. Навигация по записям Lm7815 характеристики: LM7815 (15В, 1.5A) — характеристики и цена в магазине 3Volta.ru Часы на газоразрядных индикаторах: особенности, виды и сборка своими руками Похожие записи 21.11.2024 0 Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании 19.11.2024 0 Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка 19.11.2024 0 Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Карта сайта © M-Gen

Общие сведения о транзисторе IRF630

Основные электрические параметры IRF630

Конструкция и корпус транзистора IRF630

Цоколевка и распиновка IRF630

Области применения IRF630

Особенности применения IRF630 в схемах

Аналоги и замены для IRF630

Рекомендации по монтажу IRF630

Типовые схемы включения IRF630

Ключевой режим

Понижающий DC/DC преобразователь

Полумостовой инвертор

Сравнение IRF630 с другими MOSFET-транзисторами

Особенности работы IRF630 при высоких частотах

Температурные характеристики IRF630

Надежность и срок службы IRF630

Заключение и перспективы развития MOSFET-технологий

IRF630 транзистор характеристики, datasheet на русском, цоколевка

Распиновка

Характеристики

Аналоги

Особенности монтажа

Производители

Транзистор полевой КП630 — DataSheet

Транзистор полевой КП704 — DataSheet

Irf540 транзистор характеристики на русском, цоколевка, аналоги datasheet

IRF540NPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF540NPBF

IRF540A Datasheet (PDF)

IRF540N Datasheet (PDF)

IRF540NL Datasheet (PDF)

IRF540NS MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF540NS

IRF540NS Datasheet (PDF)

Sim800l datasheet на русском. Тиристор PCR406J

Транзистор IRF630

Управляемый стабилизатор напряжения TL431 (ON Semiconductor)

Металлоискатель Пират своими руками — Мир искателей

Схема металлоискателя ПИРАТ

Печатная плата металлоискателя ПИРАТ

Изготовления катушки для металлоискателя ПИРАТ

Настройка металлоискателя ПИРАТ

Работа с металлоискателем ПИРАТ

Видео обзор платы металлоискателя:

Управление мощной нагрузкой

Аналоги оптронов

Схема

Насыщение ключа

Транзистор Дарлингтона

Изготовление ключа на полевом транзисторе

Схема ключа на полевом транзисторе.

Недостатки ненасыщенного ключа

Варианты использования:

Скачать статью

Обсудить эту статью на – форуме “Радиоэлектроника, вопросы и ответы”.

Драйвер полевого транзистора

Преимущества:

Двунаправленный аналоговый ключ (передающий вентиль) на комплементарных транзисторах

IRF630 Технический паспорт (PDF) — STMicroelectronics

Даташиты IRF630 | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы

Статьи по теме

IRF540N MOSFET: Распиновка, эквивалент, схема [FAQ]

IRF520 Power MOSFET: распиновка, техническое описание, спецификации [FAQ]

IRFZ44N MOSFET: Техническое описание, применение, эквивалент [видео]

IRF3205 MOSFET: распиновка, эквивалент, техническое описание [видео]

irf630 лист данных (1/9 страницы) STMICROELECTRONICS | N — КАНАЛ 200 В — 0,35 Ом — 9A

IRF630 STMicroelectronics | Дискретные полупроводниковые изделия

Радиоприемники на полевых транзисторах. Усилитель мощности IRF630 для КВ радиостанции Мощный транзисторный КВ усилитель мощности

Печатная плата усилителя изображена на рис.

IRF640 Folha de dados (PDF) — Fairchild Semiconductor

Похожие записи

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий Отменить ответ