Транзистор IRF630: характеристики, цоколевка, аналоги
Главная » Транзистор
IRF630 — N-полярный MOSFET транзистор. Конструктивное исполнение — ТО-220.
Содержание
- Цоколевка, корпус
- Применение
- Основные характеристики
- Модификации
- Аналоги
Цоколевка, корпус
Применение
Транзистор используется в блоках питания, стабилизаторах, регуляторах, схемах управления электродвигателями и других электронных устройствах.
Основные характеристики
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V.
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V.
- Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V.
- Максимальная мощность рассеивания (Pd): 100 W.
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A.
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C.
- Общий заряд затвора (Qg): 40 nC.
- Выходная емкость (Cd): 1500 pf.
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.
4 Ohm.
4 Ohm.Модификации
| Тип | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Tj | Cd | Id | Qg | Rds | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF630 | 100 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 1500 pf | 10 A | 40 nC | 0.4 Ohm | TO220 |
| IRF630A | 72 W | 200 V | 150 °C | 500 pf | 9 A | 0.4 Ohm | TO220 | |||
| IRF630B | 72 W | 200 V | 30 V | 4 V | 150 °C | 9 A | 0.4 Ohm | TO220 | ||
| IRF630FI | 35 W | 200 V | 20 V | 150 °C | 1500 pf | 6 A | 0.4 Ohm | ISOWATT220 | ||
| IRF630FP | 30 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 9 A | 31 nC | 0.4 Ohm | TO220FP | |
| IRF630H | 75 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 240 pf | 9 A | 43 nC | 0. 4 Ohm | TO-263 |
| IRF630M | 75 W | 200 V | 9 A | 0.4 Ohm | TO220 | |||||
| IRF630MFP | 30 W | 200 V | 20 V | 150 °C | 120 pf | 9 A | 0.4 Ohm | TO220FP | ||
| IRF630N | 82 W | 200 V | 20 V | 9.5 A | 23.3 nC | 0.3 Ohm | TO220AB | |||
| IRF630NL | 82 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 9.5 A | 23.3 nC | 0.3 Ohm | TO262 | |
| IRF630NLPBF | 82 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 89 pf | 9.3 A | 35 nC | 0.3 Ohm | TO-262 |
| IRF630NPBF | 82 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 89 pf | 9.3 A | 35 nC | 0.3 Ohm | TO-220AB |
| IRF630NS | 82 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 9. 5 A | 23.3 nC | 0.3 Ohm | D2PAK | |
| IRF630NSPBF | 82 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 89 pf | 9.3 A | 35 nC | 0.3 Ohm | TO-263 |
| IRF630NSTRRPBF | 82 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 89 pf | 9.3 A | 35 nC | 0.3 Ohm | TO252 |
| IRF630PBF | 74 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 240 pf | 9 A | 43 nC | 0.4 Ohm | TO-220AB |
| IRF630S | 74 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 9 A | 43 nC | 0.4 Ohm | D2PAK | |
| IRF630SPBF | 74 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 240 pf | 9 A | 43 nC | 0.4 Ohm | TO-263 |
| HIRF630F | 38 W | 200 V | 30 V | 150 °C | 240 pf | 9 A | 0. 4 Ohm | TO220FP | ||
| HIRF630 | 74 W | 200 V | 30 V | 150 °C | 240 pf | 9 A | 0.4 Ohm | TO220AB |
Аналоги
| Тип | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF630 | 100 W | 200 V | 20 V | 4 V | 10 A | 150 °C | 40 nC | 1500 pf | 0,4 Ohm | TO220 | |
| STP30NF20 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 30 A | 150 °C | 38 nC | 15,7 ns | 320 pf | 0,075 Ohm | TO220 |
| STP19NM50N | 110 W | 500 V | 25 V | 4 V | 14 A | 150 °C | 34 nC | 16 ns | 72 pf | 0,25 Ohm | TO220 |
| STP13N60M2 | 110 W | 600 V | 25 V | 4 V | 11 A | 150 °C | 17 nC | 10 ns | 32 pf | 0,38 Ohm | TO‑220 |
| NCE65T130 | 260 W | 650 V | 30 V | 4 V | 28 A | 150 °C | 37,5 nC | 12 ns | 120 pf | 0,13 Ohm | TO220 |
| IRFP640 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 18 A | 150 °C | 51 ns | 430 pf | 0,18 Ohm | TO220 | |
| IRFB5620 | 144 W | 200 V | 20 V | 25 A | 25 nC | 0,0725 Ohm | TO220AB | ||||
| IRFB4620 | 144 W | 200 V | 20 V | 25 A | 25 nC | 0,0725 Ohm | TO220AB | ||||
| IRFB4020 | 100 W | 200 V | 20 V | 18 A | 18 nC | 0,1 Ohm | TO220AB | ||||
| IRF644A | 139 W | 250 V | 14 A | 150 °C | 1230 pf | 0,28 Ohm | TO220 | ||||
| IRF640A | 139 W | 200 V | 18 A | 150 °C | 1160 pf | 0,18 Ohm | TO220 | ||||
| IPP60R199CP | 139 W | 600 V | 20 V | 3,5 V | 16 A | 150 °C | 32 nC | 5 ns | 72 pf | 0,199 Ohm | TO220 |
| IPP600N25N3G | 136 W | 250 V | 20 V | 4 V | 25 A | 175 °C | 22 nC | 10 ns | 112 pf | 0,06 Ohm | TO220 |
| IPP50R190CE | 127 W | 500 V | 20 V | 3,5 V | 18,5 A | 150 °C | 8,5 ns | 68 pf | 0,19 Ohm | TO‑220 | |
| IPP410N30N | 300 W | 300 V | 20 V | 4 V | 44 A | 175 °C | 9 ns | 374 pf | 0,041 Ohm | TO‑220 | |
| IPP320N20N3 | 136 W | 200 V | 20 V | 4 V | 34 A | 175 °C | 22 nC | 9 ns | 135 pf | 0,032 Ohm | TO‑220 |
| IPP220N25NFD | 300 W | 250 V | 20 V | 4 V | 61 A | 175 °C | 10 ns | 398 pf | 0,022 Ohm | TO‑220 | |
| IPA50R199CP | 139 W | 500 V | 20 V | 3,5 V | 17 A | 150 °C | 34 nC | 14 ns | 80 pf | 0,199 Ohm | TO220FP |
| FCP13N60N | 116 W | 600 V | 30 V | 4 V | 13 A | 150 °C | 30,4 nC | 0,258 Ohm | TO220 | ||
| BUZ61 | 150 W | 400 V | 20 V | 12,5 A | 150 °C | 0,4 Ohm | TO‑220AB | ||||
| BUZ30A | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 21 A | 150 °C | 70 ns | 280 pf | 0,13 Ohm | TO‑220 | |
| AOT42S60L | 417 W | 600 V | 30 V | 3,8 V | 39 A | 150 °C | 53 ns | 135 pf | 0,099 Ohm | TO220 | |
| AOT11S60 | 178 W | 600 V | 30 V | 11 A | 150 °C | 20 ns | 37,3 pf | 0,399 Ohm | TO‑220 | ||
| 18N20 | 110 W | 200 V | 30 V | 18 A | 150 °C | 21,1 ns | 81,2 pf | 0,16 Ohm | TO251 TO252 TO220 | ||
| 18N40 | 360 W | 400 V | 30 V | 18 A | 150 °C | 22 ns | 280 pf | 0,18 Ohm | TO‑247 TO‑220 TO‑220F1 | ||
| 18N50 | 277 W | 500 V | 30 V | 18 A | 150 °C | 165 ns | 330 pf | 0,24 Ohm | TO‑3P TO‑263 TO‑220 TO‑230 TO‑220F1 TO‑220F2 | ||
| 15N40 | 170 W | 400 V | 30 V | 15 A | 150 °C | 55 ns | 210 pf | 0,26 Ohm | TO‑220 TO‑220F1 | ||
| 15N50 | 170 W | 500 V | 30 V | 15 A | 150 °C | 150 ns | 250 pf | 0,26 Ohm | TO‑220F2 | ||
| 12N40 | 192 W | 400 V | 30 V | 12 A | 150 °C | 105 ns | 900 pf | 0,34 Ohm | TO‑220 TO‑220F1 |
В качестве отечественных аналогов могут подойти полевые транзисторы КП630 и КП737А.
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Модель измерения заряда переключения МОП-транзистора
Автор: Калинушкин Дмитрий Олегович
Рубрика: Технические науки
Опубликовано в Молодой учёный №20 (258) май 2019 г.
Дата публикации: 16.05.2019 2019-05-16
Статья просмотрена: 321 раз
Скачать электронную версию
Скачать Часть 2 (pdf)
Библиографическое описание:
Калинушкин, Д.
Статья посвящена разработке модели измерения заряда переключения МОП-транзисторов, с дальнейшим использованием при создании стенда измерения параметров полевых транзисторов.
Ключевые слова: МОП-транзистор, заряд затвор — исток, заряд затвор — сток, ток стока, временные интервалы.
Современный рынок электроники — это сложнейшая система взаимоотношений производителей и потребителей, продавцов и покупателей. Одной из больших проблем является появление на нем подделок МДП-транзисторов. Поэтому актуальной задачей является входной контроль основных параметров этих полупроводниковых приборов. Таким параметром является заряд переключения.
Полный заряд затвора имеет две составляющих: заряд затвор — исток и заряд затвор — сток (часто называемый зарядом Миллера). Ток стока может быть получен от источника напряжения величиной 0,8хVds с последовательным резистором соответствующей величины. Импульс, подаваемый на затвор, должен быть достаточной длительности, чтобы гарантировать полное включение полевого транзистора. Он может быть получен от генератора, работающего при малом коэффициенте заполнения [2]. На рис. 1 показана схема измерения заряда переключения и форма сигнала при проведении анализа.
Рис. 1. Схема измерения заряда переключения ПТ
Из соотношения Θ = i, были получены следующие формулы для расчета заряда (1):
, , , (1)
где Qg— полный заряд затвора,
Значение Qgопределяется по уровню напряжения равному 10В, а значение Qgdвычисляется как разница между временными интервалами, так называемой “полки”.
Заряд затвор-исток (Qgs) равен разнице между значением QgиQgd [1].
Для проверки работоспособности построенной модели была выбрана программа Proteus 7.10. В качестве исследуемой модели транзистора был выбран IRF630, характеристики которого представлены в табл. 1.
Таблица 1
Параметры транзистора IRF630
|
Параметр |
Рекомендованное значение, nC |
|
Qg |
До 37 |
|
Qgs |
7,2 |
|
Qgd |
11 |
На рис. 2 представлена модель измерения заряда переключения МДП-транзистора. Моделируется работа АЦП на микросхеме AD7322, которая пересылает данные по SPI шине. На затвор подается постоянный ток 1,5 mA, а на сток напряжение равное 100 В.
В качестве исследуемого транзистора был выбран IRF630
Рис. 2. Схема измерения заряда переключения полевого транзистора
На рис. 3 представлена временная диаграмма заряда переключения транзистора IRF630.
Рис. 3. График заряда переключения IR630
По построенному графику определяются доверительные временные интервалы, после чего измеренные значения подставляются в формулы и вычисляются заряда затвор-исток, заряд затвор-сток и полный заряд затвора. Полученные результаты представлены в табл.2 и входят в доверительные интервалы, соответствующие значениям из рабочей документации (в таблице указаны максимальные значения).
Таблица 2
Экспериментальные идокументационные параметры IRF530
|
Параметр |
Рекомендованное значение, nC |
Измеренное значение, nC |
|
Qg |
До 37 |
9 |
|
Qgs |
7,2 |
7,2 |
|
Qgd |
11 |
1,8 |
Вывод
Исследование показало, что с помощью модели можно измерять заряд переключения полевого транзистора.
Литература:
- А. И. Колпаков В лабиринте силовой электроники (Сборник статей) — СПб: «Издательство Буковского», 2000. — 96 с.: ил.
- Измерение характеристик МОП-транзистора. International Rectifier. AN-975B.
Основные термины (генерируются автоматически): заряд, полевой транзистор, полный заряд затвора, схема измерения заряда переключения, SPI, SPICE, заряд переключения, затвор, параметр, рекомендованное значение, ток стока.
Ключевые слова
временные интервалы, МОП-транзистор, заряд затвор-исток, заряд затвор-сток, ток стокаМОП-транзистор, заряд затвор-исток, заряд затвор-сток, ток стока, временные интервалы
Похожие статьи
Расчет порогового напряжения МДП-структуры с учетом.
..
Точный расчет этого параметра затруднен в связи с неопределенностью значений встроенного заряда в
Снижение подвижности в МДП-транзисторе
уменьшает крутизну передаточнойСнижение дозы ионной имплантации возможно за счет уточненного расчета значения…
Анализ особенностей типовых конструкций
полевых…Полевые транзисторы — это полупроводниковыйприбор
Полевой транзистор, у которого затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика
Прошло немало времени, прежде чем параметры полевого транзистора позволили использовать его в высоконагруженных цепях.
Негативное влияние эффектов «горячих» носителей в
полевых…Во время работы полевого транзистора, если напряжение на затворе сопоставимо или ниже, чем напряжение на стоке VDS, инверсный слой гораздо сильнее со стороны истока, чем со стороны 
..
Системы оперативного постоянного
тока для ПС 110 — 220 кВ‒ пульсации тока в режиме поддерживающего заряда.
‒ на начальной стадии заряда разряженной аккумуляторной батареи необходимо обеспечить ограничение зарядного тока на уровне (0
‒ измерение аналоговыми или цифровыми приборами основных параметров АБ
Моделирование Si MOSFET с n-индуцированным каналом
MOSFET) — разновидность полевого транзистора с изолированным затвором, где затвор отделён от активного слоя слоем диэлектрика (обычно диоксид кремния). Это позволяет избавиться от таких недостатков полевых транзисторов, как захват и рассеивание носителей…
Выбор емкости конденсатора звена постоянного
тока двухзвенного.
..
Угол заряда конденсатора l2 определится как решение уравнения.
Приближенное решение данного уравнения определяет значение угла.
Качество напряжения звена постоянного тока отражается на качестве формируемого выходного напряжения и как следствие тока нагрузки.
Объемные FinFET-
транзисторы: конструирование на 14 нм узле…Длина затвора транзистора уменьшилась с мкм до нескольких десятков нм.
Легирующая концентрация примеси в теле — “плавник” является ключевым параметром, влияющим на
Полевые транзисторы — это полупроводниковыйприбор, работа которого основана на…
Полимерные
транзисторы | Статья в сборнике международной…Полевой транзистор, у которого затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика, получил.
Это позволяет избавиться от таких недостатков полевых транзисторов, как захват и рассеивание носителей заряда на границе активного слоя.
Особенности работы с приемопередатчиком NRF24L01+
Максимальный ток потребления в режиме передачи 11.3 мА, в режиме приема — 12.3 мА. Стоит отметить, что у микросхемы приемопередатчика входы интерфейса SPI толерантны к напряжению 5 В. Это является неоспоримым преимуществом при использовании отладочных…
Похожие статьи
Расчет порогового напряжения МДП-структуры с учетом…
Точный расчет этого параметра затруднен в связи с неопределенностью значений встроенного заряда в
Снижение подвижности в МДП-транзисторе уменьшает крутизну передаточной
Снижение дозы ионной имплантации возможно за счет уточненного расчета значения.
..
Анализ особенностей типовых конструкций
полевых…Полевые транзисторы — это полупроводниковыйприбор
Полевой транзистор, у которого затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика
Прошло немало времени, прежде чем параметры полевого транзистора позволили использовать его в высоконагруженных цепях.
Негативное влияние эффектов «горячих» носителей в
полевых…Во время работы полевого транзистора, если напряжение на затворе сопоставимо или ниже, чем напряжение на стоке VDS, инверсный слой гораздо сильнее со стороны истока, чем со стороны стока и падение напряжения в токовом канале сосредоточено в области стока (если.
..
Системы оперативного постоянного
тока для ПС 110 — 220 кВ‒ пульсации тока в режиме поддерживающего заряда.
‒ на начальной стадии заряда разряженной аккумуляторной батареи необходимо обеспечить ограничение зарядного тока на уровне (0
‒ измерение аналоговыми или цифровыми приборами основных параметров АБ
Моделирование Si MOSFET с n-индуцированным каналом
MOSFET) — разновидность полевого транзистора с изолированным затвором, где затвор отделён от активного слоя слоем диэлектрика (обычно диоксид кремния). Это позволяет избавиться от таких недостатков полевых транзисторов, как захват и рассеивание носителей…
Выбор емкости конденсатора звена постоянного
тока двухзвенного.
..
Угол заряда конденсатора l2 определится как решение уравнения.
Приближенное решение данного уравнения определяет значение угла.
Качество напряжения звена постоянного тока отражается на качестве формируемого выходного напряжения и как следствие тока нагрузки.
Объемные FinFET-
транзисторы: конструирование на 14 нм узле…Длина затвора транзистора уменьшилась с мкм до нескольких десятков нм.
Легирующая концентрация примеси в теле — “плавник” является ключевым параметром, влияющим на
Полевые транзисторы — это полупроводниковыйприбор, работа которого основана на…
Полимерные
транзисторы | Статья в сборнике международной…Полевой транзистор, у которого затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика, получил.
Это позволяет избавиться от таких недостатков полевых транзисторов, как захват и рассеивание носителей заряда на границе активного слоя.
Особенности работы с приемопередатчиком NRF24L01+
Максимальный ток потребления в режиме передачи 11.3 мА, в режиме приема — 12.3 мА. Стоит отметить, что у микросхемы приемопередатчика входы интерфейса SPI толерантны к напряжению 5 В. Это является неоспоримым преимуществом при использовании отладочных…
IRF630 Распиновка, эквивалент, функции, приложения, описание и многое другое
В этой статье описывается распиновка IRF630, функции, приложения, описание и более подробная информация о том, как и где использовать этот N-канальный МОП-транзистор.
Реклама
Реклама
Характеристики/технические характеристики
- Тип упаковки: TO-220 и другие пакеты 4
- Тип транзистора: N Канал
- Максимальное напряжение от стока к источнику: 200 В
- Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
- Максимальный постоянный ток утечки: 9A
- Максимальный импульсный ток стока: 36 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
- Минимальное пороговое напряжение затвора: 2–4 В
- Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 по Цельсию
Replacement and Equivalent
BUK454-200A, BUK454-200B, 2SK1957, 2SK2212, BUK444-200A, BUK444-200B, IRFI630G, IRFS630, IRFS631, RFP2N18, YTA630, 2SK1957.
МОП-транзистор IRF630 Объяснение / Описание
IRF630 — это N-канальный МОП-транзистор, выпускаемый в корпусах TO-220 и других. Транзистор предназначен для приложений, требующих высокой скорости переключения, и он способен обеспечить скорость переключения в наносекундах.
Транзистор также способен управлять нагрузкой до 200 В с током до 9 А, а в импульсном режиме он может управлять нагрузкой до 36 А в течение периода времени 300 мкс или 300 микросекунд с рабочим циклом 2%. Кроме того, транзистор также имеет низкое сопротивление в открытом состоянии между стоком и истоком, что приводит к низким потерям мощности.
Помимо использования в качестве переключателя, его также можно использовать в качестве усилителя для создания усилителей высокой мощности.
Где мы можем его использовать и как использовать
IRF630 может использоваться в приложениях, где требуется высокая скорость переключения.
Помимо этого, его также можно использовать в любом общем приложении, подпадающем под его спецификации. Он также подходит для усиления звука и может использоваться для создания мощных усилителей звука. Процедура использования этого транзистора в схеме такая же, как и при использовании любого другого МОП-транзистора.
Применения
Зарядные устройства
Применения для получения солнечной энергии
Приложения, которые требуют быстрого переключения
Драйверы двигателей
UPS
Телекоммуникационные приложения
ДИВАННАЯ НАБРОКА на выходе Arduino и других платформ
Высокое переключение высокого напряжения под 200 В
.
Чтобы обеспечить долгосрочную производительность этого транзистора, рекомендуется всегда использовать его как минимум на 20% ниже его максимальных значений. Максимальное напряжение сток-исток составляет 200 В, поэтому не подключайте нагрузку более 160 В.
Максимальный непрерывный ток стока составляет 9Поэтому не подключайте нагрузку более 6,2 А и всегда используйте подходящий радиатор с транзистором. Не храните и не используйте транзистор при температуре ниже -55 градусов по Цельсию и выше +150 градусов по Цельсию.
Техническое описание
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в браузере.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF630_IntersilCorporation.pdf
IRF630 MOSFET техпаспорт: ЭКВИВАЛЕНТ, распиновка, спецификация
IRF630 MOSFET IRF630 MOSFET
IRF630 Спецификация POWER MOSFET
- IRF630 — N-канальный POWER MOSFET
- Напряжение сток-исток ( В DS ) 200 В
- Напряжение затвор-исток ( В GS ) составляет +/- 20 В
- Затвор с пороговым напряжением ( В ГС(й) ) 2В на 4В
- Ток стока ( I д ) есть 9А
- Импульсный ток стока ( I DM ) 36A
- Рассеиваемая мощность ( P D ) 74 Вт
- Общий заряд затвора ( Q г ) составляет 43 нКл
- Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ( R DS (ON) ) 40 Ом
- Ток стока нулевого напряжения затвора ( I DSS ) равен от 25 до 250 мкА
- Время нарастания ( tr ) равно 28 нс
- Пиковое восстановление диода dv/dt is 5 В/нс
- Термическое сопротивление перехода к окружающей среде (R th j-A) is 62℃/Вт
- Температура перехода ( T J ) составляет от от -55 до 150 ℃
- Обратное восстановление внутреннего диода (trr) 170–340 нс
- Входная емкость 800 пф
- Выходная емкость 240 пФ
- Чрезвычайно высокая мощность dv/dt
- Очень низкая собственная емкость
- Заряд ворот сведен к минимуму
- Повторяющаяся лавина с рейтингом
- Быстрое переключение
- Простота параллельного подключения
- Требование к простому приводу
- Высокая эффективность
- Прочная конструкция устройства
- Низкое сопротивление во включенном состоянии
- Экономичность
- Низкое тепловое сопротивление
Схема контактов полевого МОП-транзистора IRF630 Схема контактов полевого МОП-транзистора IRF630
| Номер контакта | Имя контакта | Описание |
| 1 | ВОРОТ | Затвор будет использоваться для запуска устройства MOSFET |
| 2 | СЛИВ | Сток — это входная клемма MOSFET |
| 3 | ИСТОЧНИК | В источнике терминальный ток вытекает из MOSFET |
Корпус полевого МОП-транзистора IRF630
МОП-транзистор IRF630 имеет корпус TO-220AB, который в основном используется для силовых устройств, таких как полевые МОП-транзисторы.
TO-220AB представляет собой корпус силового устройства, изготовленный из комбинации эпоксидной смолы и пластика, а задняя сторона выполнена из металла. Эпоксидная смола используется для повышения теплоемкости и снижения веса.
Металлическое покрытие на задней стороне TO-220AB используется для передачи тепла, таким образом, IRF630 MOSFET становится устройством с высокой мощностью.
IRF630 POWER MOSFET объяснение электрических характеристик
В этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики IRF630 MOSFET, это описание действительно полезно для лучшего понимания этого устройства.
Характеристики напряжения
Характеристики напряжения на клеммах полевого МОП-транзистора IRF630: напряжение сток-исток составляет 200 В, напряжение затвор-исток составляет +/-20 В, а пороговое напряжение затвор-исток составляет от 2 В до 4 В.
Спецификации напряжения IRF630 MOSFET показывают, что это силовое устройство, которое имеет больше применений.
Характеристики тока
Значение тока стока IRF630 MOSFET составляет 9 А, а значение импульсного тока стока — 36 А.
Общие текущие характеристики полевого МОП-транзистора IRF630 показывают, что это мощное устройство, имеющее драйвер и переключающие приложения.
Нулевой ток стока напряжения затвора
Значение тока стока при нулевом напряжении затвора составляет от 25 до 250 мкА, это особое состояние, когда напряжение затвора равно нулю, а ток представляет собой конкретное значение по отношению к значению напряжения.
Характеристики рассеивания
Значение рассеивания мощности полевого МОП-транзистора IRF630 составляет 74 Вт. Рассеиваемая мощность устройства показывает, что оно имеет больше применений для переключения питания и источников питания.
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии составляет 0,40 Ом, это общее сопротивление MOSFET.
Температура перехода
Температура перехода МОП-транзистора IRF630 – 55 до +150℃ .
Тепловое сопротивление перехода к окружающей среде
Тепловое сопротивление полевого МОП-транзистора IRF630 составляет 62 ℃/Вт минимальное значение заряда затвора.
Время нарастания
Значение времени нарастания для IRF630 MOSFET составляет 28 нс, это время переключения, предлагаемое MOSFET.
Входная емкость
Значение входной емкости МОП-транзистора IRF630 составляет 800 пФ, этот МОП-транзистор имеет минимальное значение емкости по сравнению с другими устройствами.
Output capacitance
The output capacitance value of IRF630 MOSFET is 240pf
IRF630 MOSFET DATASHEET
If you need the datasheet in pdf please click this link
IRF630 MOSFET EQUIVALENT
The IRF630 Эквиваленты MOSFET, такие как IRF640, IRF644, IRFB17N50L, 2SK1957, 2СК2212, ИРФС631, ИРФ1630Г и БУК454-200Б.
Эти устройства MOSFET имеют одинаковые электрические характеристики, поэтому мы можем использовать их в качестве эквивалента IRF630 MOSFET в цепях.
IRF630, IRF740 и IRF644
В этой таблице мы пытаемся сравнить электрические характеристики трех устройств MOSFET, таких как IRF630, IRF740 и IRF644. Это сравнение действительно полезно для лучшего понимания устройств.
| Характеристики | IRF630 | IRF740 | IRF644 |
|---|---|---|---|
| Напряжение сток-исток (VDS)) | 200 В | 400 В | 250 В |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 В | 20 В | 20 В |
| Пороговое напряжение затвора (Vg(th)) | от 2 до 4 В | от 2 до 4 В | от 2 до 4 В |
| Ток стока (Id) | 9 А | 10 А | 14А |
| Импульсный ток стока | 36 А | 40 А | 56 А |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора (IDSS) | от 25 до 250 мкА | от 25 до 250 мкА | от 25 до 250 мкА |
| Общий заряд затвора (кг) | 43 нКл | 63 нКл | 68 нКл |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 74 Вт | 125 Вт | 125 Вт |
| Температура перехода (ТДж) | от -55 до +150°C | от -55 до +150°C | от -55 до +150°C |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS) | 0,40 Ом | 0,55 Ом | 0,28 Ом |
| Время нарастания (tr) | 28 нс | 27 нс | 24 нс |
| Время обратного восстановления (trr) | от 170 до 340 нс | от 370 до 790 нс | от 250 до 500 нс |
| Входная емкость | 800 пф | 1400пф | 1300пф |
| Выходная емкость | 240 пф | 330 пф | 330 пф |
| Пакет | ТО-220АБ | ТО-220АБ | ТО-220АБ |
Кривые характеристик МОП-транзистора IRF630 Выходные характеристики МОП-транзистора IRF630
На рисунке показаны выходные характеристики МОП-транзистора IRF630, график построен с зависимостью тока стока от напряжения сток-исток.
