Irf630 характеристики. IRF630: характеристики и применение N-канального силового МОП-транзистора

Какие основные характеристики IRF630. Где применяется этот МОП-транзистор. Как правильно использовать IRF630 в схемах. Какие есть аналоги и эквиваленты данного транзистора.

Содержание

Основные характеристики IRF630

IRF630 — это N-канальный силовой МОП-транзистор с следующими ключевыми параметрами:

  • Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
  • Максимальный постоянный ток стока: 9 А
  • Максимальный импульсный ток стока: 36 А
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,4 Ом
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
  • Корпус: TO-220

Транзистор обладает высокой скоростью переключения и низким сопротивлением канала, что обеспечивает малые потери мощности.

Области применения IRF630

Благодаря своим характеристикам, IRF630 находит применение в следующих областях:

  • Источники питания
  • Драйверы электродвигателей
  • Зарядные устройства
  • Преобразователи напряжения
  • Системы управления нагрузкой
  • Усилители мощности

Транзистор хорошо подходит для применений, требующих быстрого переключения и работы с напряжениями до 200 В.


Правила использования IRF630 в схемах

При работе с IRF630 следует соблюдать несколько важных правил:

  1. Не превышать максимально допустимое напряжение сток-исток 200 В. Рекомендуется использовать с запасом 20%, т.е. до 160 В.
  2. Ограничивать постоянный ток стока значением не более 7-8 А для обеспечения надежной работы.
  3. Использовать радиатор для отвода тепла при работе на больших токах или в импульсном режиме.
  4. Защищать затвор от перенапряжений, не превышая ±20 В между затвором и истоком.
  5. Обеспечивать быстрое переключение подачей на затвор импульсов с крутыми фронтами.

Соблюдение этих правил позволит максимально эффективно использовать возможности IRF630 и продлить срок его службы.

Аналоги и эквиваленты IRF630

В качестве аналогов и эквивалентов IRF630 могут использоваться следующие транзисторы:

  • IRF640 — имеет схожие характеристики, но большую мощность (125 Вт)
  • IRF730 — более высоковольтный аналог (400 В)
  • IRF540 — транзистор с меньшим сопротивлением канала (0,077 Ом)
  • BUK454-200A — европейский аналог с близкими параметрами
  • 2SK2212 — японский эквивалент IRF630

При выборе замены следует внимательно сравнивать параметры транзисторов, чтобы обеспечить корректную работу схемы.


Особенности применения IRF630 в силовой электронике

IRF630 обладает рядом преимуществ, делающих его привлекательным для использования в силовой электронике:

  • Высокая скорость переключения позволяет работать на частотах до сотен кГц
  • Низкое сопротивление канала обеспечивает малые потери при коммутации больших токов
  • Возможность работы с высокими напряжениями до 200 В расширяет область применения
  • Корпус TO-220 удобен для монтажа и обеспечивает хороший теплоотвод

Эти качества позволяют эффективно использовать IRF630 в импульсных преобразователях, инверторах, системах управления электродвигателями и других устройствах силовой электроники.

Измерение параметров IRF630

Для оценки состояния и характеристик IRF630 можно провести следующие измерения:

  1. Сопротивление канала в открытом состоянии — измеряется между стоком и истоком при подаче на затвор напряжения 10 В
  2. Ток утечки затвора — измеряется при подаче между затвором и истоком максимально допустимого напряжения
  3. Пороговое напряжение — определяется по началу роста тока стока при плавном увеличении напряжения на затворе
  4. Крутизна характеристики — измеряется как отношение приращения тока стока к приращению напряжения на затворе

Эти измерения позволяют оценить состояние транзистора и его соответствие заявленным характеристикам.


Схемы включения IRF630

IRF630 может использоваться в различных схемах включения:

  • С общим истоком — классическая схема для усиления и коммутации
  • С общим стоком — для согласования уровней сигналов
  • Каскодная схема — для работы с высокими напряжениями
  • Мостовая схема — для управления мощной нагрузкой

Выбор конкретной схемы зависит от решаемой задачи и требований к характеристикам устройства.

Защита IRF630 в схемах

Для обеспечения надежной работы IRF630 рекомендуется применять следующие меры защиты:

  1. Защита затвора от перенапряжений с помощью стабилитрона
  2. Снабберные цепи для ограничения выбросов напряжения при коммутации индуктивной нагрузки
  3. Температурная защита с использованием термистора и схемы отключения
  4. Защита от короткого замыкания в нагрузке путем контроля тока стока

Применение этих мер значительно повышает надежность устройств на основе IRF630 и продлевает срок службы транзистора.


Транзистор IRF630: характеристики, цоколевка, аналоги

Главная » Транзистор

IRF630 — N-полярный MOSFET транзистор. Конструктивное исполнение — ТО-220.

Содержание

  1. Цоколевка, корпус
  2. Применение
  3. Основные характеристики
  4. Модификации
  5. Аналоги

Цоколевка, корпус

Применение

Транзистор используется в блоках питания, стабилизаторах, регуляторах, схемах управления электродвигателями и других электронных устройствах.

Основные характеристики

  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V.
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V.
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V.
  • Максимальная мощность рассеивания (Pd): 100 W.
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A.
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C.
  • Общий заряд затвора (Qg): 40 nC.
  • Выходная емкость (Cd): 1500 pf.
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0. 4 Ohm.

Модификации

ТипPdUdsUgsUgs(th)TjCdIdQgRdsКорпус
IRF630 100 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 1500 pf 10 A 40 nC 0.4 Ohm TO220
IRF630A 72 W 200 V 150 °C 500 pf 9 A 0.4 Ohm TO220
IRF630B 72 W 200 V 30 V 4 V 150 °C 9 A 0.4 Ohm TO220
IRF630FI 35 W 200 V 20 V 150 °C 1500 pf 6 A 0.4 Ohm ISOWATT220
IRF630FP 30 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 9 A 31 nC 0.4 Ohm TO220FP
IRF630H 75 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 240 pf 9 A 43 nC 0. 4 Ohm TO-263
IRF630M 75 W 200 V 9 A 0.4 Ohm TO220
IRF630MFP 30 W 200 V 20 V 150 °C 120 pf 9 A 0.4 Ohm TO220FP
IRF630N 82 W 200 V 20 V 9.5 A 23.3 nC 0.3 Ohm TO220AB
IRF630NL 82 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 9.5 A 23.3 nC 0.3 Ohm TO262
IRF630NLPBF 82 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 89 pf 9.3 A 35 nC 0.3 Ohm TO-262
IRF630NPBF 82 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 89 pf 9.3 A 35 nC 0.3 Ohm TO-220AB
IRF630NS 82 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 9. 5 A 23.3 nC 0.3 Ohm D2PAK
IRF630NSPBF 82 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 89 pf 9.3 A 35 nC 0.3 Ohm TO-263
IRF630NSTRRPBF 82 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 89 pf 9.3 A 35 nC 0.3 Ohm TO252
IRF630PBF 74 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 240 pf 9 A 43 nC 0.4 Ohm TO-220AB
IRF630S 74 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 9 A 43 nC 0.4 Ohm D2PAK
IRF630SPBF 74 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 240 pf 9 A 43 nC 0.4 Ohm TO-263
HIRF630F 38 W 200 V 30 V 150 °C 240 pf 9 A 0. 4 Ohm TO220FP
HIRF630 74 W 200 V 30 V 150 °C 240 pf 9 A 0.4 Ohm TO220AB

Аналоги

ТипPdUdsUgsUgs(th)IdTjQgTrCdRdsКорпус
IRF630100 W200 V20 V4 V10 A150 °C40 nC1500 pf0,4 OhmTO220
STP30NF20125 W200 V20 V4 V30 A150 °C38 nC15,7 ns320 pf0,075 OhmTO220
STP19NM50N110 W500 V25 V4 V14 A150 °C34 nC16 ns72 pf0,25 OhmTO220
STP13N60M2110 W600 V25 V4 V11 A150 °C17 nC10 ns32 pf0,38 OhmTO‑220
NCE65T130260 W650 V30 V4 V28 A150 °C37,5 nC12 ns120 pf0,13 OhmTO220
IRFP640125 W200 V20 V4 V18 A150 °C51 ns430 pf0,18 OhmTO220
IRFB5620144 W200 V20 V25 A25 nC0,0725 OhmTO220AB
IRFB4620144 W200 V20 V25 A25 nC0,0725 OhmTO220AB
IRFB4020100 W200 V20 V18 A18 nC0,1 OhmTO220AB
IRF644A139 W250 V14 A150 °C1230 pf0,28 OhmTO220
IRF640A139 W200 V18 A150 °C1160 pf0,18 OhmTO220
IPP60R199CP139 W600 V20 V3,5 V16 A150 °C32 nC5 ns72 pf0,199 OhmTO220
IPP600N25N3G136 W250 V20 V4 V25 A175 °C22 nC10 ns112 pf0,06 OhmTO220
IPP50R190CE127 W500 V20 V3,5 V18,5 A150 °C8,5 ns68 pf0,19 OhmTO‑220
IPP410N30N300 W300 V20 V4 V44 A175 °C9 ns374 pf0,041 OhmTO‑220
IPP320N20N3136 W200 V20 V4 V34 A175 °C22 nC9 ns135 pf0,032 OhmTO‑220
IPP220N25NFD300 W250 V20 V4 V61 A175 °C10 ns398 pf0,022 OhmTO‑220
IPA50R199CP139 W500 V20 V3,5 V17 A150 °C34 nC14 ns80 pf0,199 OhmTO220FP
FCP13N60N116 W600 V30 V4 V13 A150 °C30,4 nC0,258 OhmTO220
BUZ61150 W400 V20 V12,5 A150 °C0,4 OhmTO‑220AB
BUZ30A125 W200 V20 V4 V21 A150 °C70 ns280 pf0,13 OhmTO‑220
AOT42S60L417 W600 V30 V3,8 V39 A150 °C53 ns135 pf0,099 OhmTO220
AOT11S60178 W600 V30 V11 A150 °C20 ns37,3 pf0,399 OhmTO‑220
18N20110 W200 V30 V18 A150 °C21,1 ns81,2 pf0,16 OhmTO251 TO252 TO220
18N40360 W400 V30 V18 A150 °C22 ns280 pf0,18 OhmTO‑247 TO‑220 TO‑220F1
18N50277 W500 V30 V18 A150 °C165 ns330 pf0,24 OhmTO‑3P TO‑263 TO‑220 TO‑230 TO‑220F1 TO‑220F2
15N40170 W400 V30 V15 A150 °C55 ns210 pf0,26 OhmTO‑220 TO‑220F1
15N50170 W500 V30 V15 A150 °C150 ns250 pf0,26 OhmTO‑220F2
12N40192 W400 V30 V12 A150 °C105 ns900 pf0,34 OhmTO‑220 TO‑220F1

В качестве отечественных аналогов могут подойти полевые транзисторы КП630 и КП737А.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Модель измерения заряда переключения МОП-транзистора

Автор: Калинушкин Дмитрий Олегович

Рубрика: Технические науки

Опубликовано в Молодой учёный №20 (258) май 2019 г.

Дата публикации: 16.05.2019 2019-05-16

Статья просмотрена: 321 раз

Скачать электронную версию

Скачать Часть 2 (pdf)

Библиографическое описание:

Калинушкин, Д. О. Модель измерения заряда переключения МОП-транзистора / Д. О. Калинушкин. — Текст : непосредственный // Молодой ученый. — 2019. — № 20 (258). — С. 104-107. — URL: https://moluch.ru/archive/258/59081/ (дата обращения: 02.03.2023).



Статья посвящена разработке модели измерения заряда переключения МОП-транзисторов, с дальнейшим использованием при создании стенда измерения параметров полевых транзисторов.

Ключевые слова: МОП-транзистор, заряд затвор — исток, заряд затвор — сток, ток стока, временные интервалы.

Современный рынок электроники — это сложнейшая система взаимоотношений производителей и потребителей, продавцов и покупателей. Одной из больших проблем является появление на нем подделок МДП-транзисторов. Поэтому актуальной задачей является входной контроль основных параметров этих полупроводниковых приборов. Таким параметром является заряд переключения.

Полный заряд затвора имеет две составляющих: заряд затвор — исток и заряд затвор — сток (часто называемый зарядом Миллера). Ток стока может быть получен от источника напряжения величиной 0,8хVds с последовательным резистором соответствующей величины. Импульс, подаваемый на затвор, должен быть достаточной длительности, чтобы гарантировать полное включение полевого транзистора. Он может быть получен от генератора, работающего при малом коэффициенте заполнения [2]. На рис. 1 показана схема измерения заряда переключения и форма сигнала при проведении анализа.

Рис. 1. Схема измерения заряда переключения ПТ

Из соотношения Θ = i, были получены следующие формулы для расчета заряда (1):

, , , (1)

где Qg полный заряд затвора,Qgs заряд затвор-исток, Qgd заряд затвор-сток.

Значение Qgопределяется по уровню напряжения равному 10В, а значение Qgdвычисляется как разница между временными интервалами, так называемой “полки”. Заряд затвор-исток (Qgs) равен разнице между значением QgиQgd [1].

Для проверки работоспособности построенной модели была выбрана программа Proteus 7.10. В качестве исследуемой модели транзистора был выбран IRF630, характеристики которого представлены в табл. 1.

Таблица 1

Параметры транзистора

IRF630

Параметр

Рекомендованное значение, nC

Qg

До 37

Qgs

7,2

Qgd

11

На рис. 2 представлена модель измерения заряда переключения МДП-транзистора. Моделируется работа АЦП на микросхеме AD7322, которая пересылает данные по SPI шине. На затвор подается постоянный ток 1,5 mA, а на сток напряжение равное 100 В. В качестве исследуемого транзистора был выбран IRF630

Рис. 2. Схема измерения заряда переключения полевого транзистора

На рис. 3 представлена временная диаграмма заряда переключения транзистора IRF630.

Рис. 3. График заряда переключения IR630

По построенному графику определяются доверительные временные интервалы, после чего измеренные значения подставляются в формулы и вычисляются заряда затвор-исток, заряд затвор-сток и полный заряд затвора. Полученные результаты представлены в табл.2 и входят в доверительные интервалы, соответствующие значениям из рабочей документации (в таблице указаны максимальные значения).

Таблица 2

Экспериментальные идокументационные параметры IRF530

Параметр

Рекомендованное значение, nC

Измеренное значение, nC

Qg

До 37

9

Qgs

7,2

7,2

Qgd

11

1,8

Вывод

Исследование показало, что с помощью модели можно измерять заряд переключения полевого транзистора. Главными достоинствами можно назвать простоту автоматизации измерений и использование при контроле входных параметров МОП-транзисторов на производстве. Другим достоинством можно назвать возможность выявления недоработок самих моделей транзисторов в SPICE — системах.

Литература:

  1. А. И. Колпаков В лабиринте силовой электроники (Сборник статей) — СПб: «Издательство Буковского», 2000. — 96 с.: ил.
  2. Измерение характеристик МОП-транзистора. International Rectifier. AN-975B.

Основные термины (генерируются автоматически): заряд, полевой транзистор, полный заряд затвора, схема измерения заряда переключения, SPI, SPICE, заряд переключения, затвор, параметр, рекомендованное значение, ток стока.

Ключевые слова

временные интервалы, МОП-транзистор, заряд затвор-исток, заряд затвор-сток, ток стока

МОП-транзистор, заряд затвор-исток, заряд затвор-сток, ток стока, временные интервалы

Похожие статьи

Расчет порогового напряжения МДП-структуры с учетом.

..

Точный расчет этого параметра затруднен в связи с неопределенностью значений встроенного заряда в

Снижение подвижности в МДП-транзисторе уменьшает крутизну передаточной

Снижение дозы ионной имплантации возможно за счет уточненного расчета значения

Анализ особенностей типовых конструкций

полевых

Полевые транзисторы — это полупроводниковыйприбор

Полевой транзистор, у которого затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика

Прошло немало времени, прежде чем параметры полевого транзистора позволили использовать его в высоконагруженных цепях.

Негативное влияние эффектов «горячих» носителей в

полевых

Во время работы полевого транзистора, если напряжение на затворе сопоставимо или ниже, чем напряжение на стоке VDS, инверсный слой гораздо сильнее со стороны истока, чем со стороны стока и падение напряжения в токовом канале сосредоточено в области стока (если. ..

Системы оперативного постоянного

тока для ПС 110 — 220 кВ

‒ пульсации тока в режиме поддерживающего заряда.

‒ на начальной стадии заряда разряженной аккумуляторной батареи необходимо обеспечить ограничение зарядного тока на уровне (0

измерение аналоговыми или цифровыми приборами основных параметров АБ

Моделирование Si MOSFET с n-индуцированным каналом

MOSFET) — разновидность полевого транзистора с изолированным затвором, где затвор отделён от активного слоя слоем диэлектрика (обычно диоксид кремния). Это позволяет избавиться от таких недостатков полевых транзисторов, как захват и рассеивание носителей…

Выбор емкости конденсатора звена постоянного

тока двухзвенного. ..

Угол заряда конденсатора l2 определится как решение уравнения.

Приближенное решение данного уравнения определяет значение угла.

Качество напряжения звена постоянного тока отражается на качестве формируемого выходного напряжения и как следствие тока нагрузки.

Объемные FinFET-

транзисторы: конструирование на 14 нм узле…

Длина затвора транзистора уменьшилась с мкм до нескольких десятков нм.

Легирующая концентрация примеси в теле — “плавник” является ключевым параметром, влияющим на

Полевые транзисторы — это полупроводниковыйприбор, работа которого основана на…

Полимерные

транзисторы | Статья в сборнике международной…

Полевой транзистор, у которого затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика, получил.

Это позволяет избавиться от таких недостатков полевых транзисторов, как захват и рассеивание носителей заряда на границе активного слоя.

Особенности работы с приемопередатчиком NRF24L01+

Максимальный ток потребления в режиме передачи 11.3 мА, в режиме приема — 12.3 мА. Стоит отметить, что у микросхемы приемопередатчика входы интерфейса SPI толерантны к напряжению 5 В. Это является неоспоримым преимуществом при использовании отладочных…

Похожие статьи

Расчет порогового напряжения МДП-структуры с учетом…

Точный расчет этого параметра затруднен в связи с неопределенностью значений встроенного заряда в

Снижение подвижности в МДП-транзисторе уменьшает крутизну передаточной

Снижение дозы ионной имплантации возможно за счет уточненного расчета значения. ..

Анализ особенностей типовых конструкций

полевых

Полевые транзисторы — это полупроводниковыйприбор

Полевой транзистор, у которого затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика

Прошло немало времени, прежде чем параметры полевого транзистора позволили использовать его в высоконагруженных цепях.

Негативное влияние эффектов «горячих» носителей в

полевых

Во время работы полевого транзистора, если напряжение на затворе сопоставимо или ниже, чем напряжение на стоке VDS, инверсный слой гораздо сильнее со стороны истока, чем со стороны стока и падение напряжения в токовом канале сосредоточено в области стока (если. ..

Системы оперативного постоянного

тока для ПС 110 — 220 кВ

‒ пульсации тока в режиме поддерживающего заряда.

‒ на начальной стадии заряда разряженной аккумуляторной батареи необходимо обеспечить ограничение зарядного тока на уровне (0

измерение аналоговыми или цифровыми приборами основных параметров АБ

Моделирование Si MOSFET с n-индуцированным каналом

MOSFET) — разновидность полевого транзистора с изолированным затвором, где затвор отделён от активного слоя слоем диэлектрика (обычно диоксид кремния). Это позволяет избавиться от таких недостатков полевых транзисторов, как захват и рассеивание носителей…

Выбор емкости конденсатора звена постоянного

тока двухзвенного. ..

Угол заряда конденсатора l2 определится как решение уравнения.

Приближенное решение данного уравнения определяет значение угла.

Качество напряжения звена постоянного тока отражается на качестве формируемого выходного напряжения и как следствие тока нагрузки.

Объемные FinFET-

транзисторы: конструирование на 14 нм узле…

Длина затвора транзистора уменьшилась с мкм до нескольких десятков нм.

Легирующая концентрация примеси в теле — “плавник” является ключевым параметром, влияющим на

Полевые транзисторы — это полупроводниковыйприбор, работа которого основана на…

Полимерные

транзисторы | Статья в сборнике международной…

Полевой транзистор, у которого затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика, получил.

Это позволяет избавиться от таких недостатков полевых транзисторов, как захват и рассеивание носителей заряда на границе активного слоя.

Особенности работы с приемопередатчиком NRF24L01+

Максимальный ток потребления в режиме передачи 11.3 мА, в режиме приема — 12.3 мА. Стоит отметить, что у микросхемы приемопередатчика входы интерфейса SPI толерантны к напряжению 5 В. Это является неоспоримым преимуществом при использовании отладочных…

IRF630 Распиновка, эквивалент, функции, приложения, описание и многое другое

В этой статье описывается распиновка IRF630, функции, приложения, описание и более подробная информация о том, как и где использовать этот N-канальный МОП-транзистор.

Реклама

Реклама

 

Характеристики/технические характеристики
  • Тип упаковки:  TO-220 и другие пакеты
  • 4
  • Тип транзистора: N Канал
  • Максимальное напряжение от стока к источнику: 200 В
  • Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
  • Максимальный постоянный ток утечки: 9A
  • Максимальный импульсный ток стока: 36 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
  • Минимальное пороговое напряжение затвора: 2–4 В
  • Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

 

Replacement and Equivalent

BUK454-200A, BUK454-200B, 2SK1957, 2SK2212, BUK444-200A, BUK444-200B, IRFI630G, IRFS630, IRFS631, RFP2N18, YTA630, 2SK1957.

 

МОП-транзистор IRF630 Объяснение / Описание

IRF630 — это N-канальный МОП-транзистор, выпускаемый в корпусах TO-220 и других. Транзистор предназначен для приложений, требующих высокой скорости переключения, и он способен обеспечить скорость переключения в наносекундах.

Транзистор также способен управлять нагрузкой до 200 В с током до 9 А, а в импульсном режиме он может управлять нагрузкой до 36 А в течение периода времени 300 мкс или 300 микросекунд с рабочим циклом 2%. Кроме того, транзистор также имеет низкое сопротивление в открытом состоянии между стоком и истоком, что приводит к низким потерям мощности.

Помимо использования в качестве переключателя, его также можно использовать в качестве усилителя для создания усилителей высокой мощности.

 

 

Где мы можем его использовать и как использовать

IRF630 может использоваться в приложениях, где требуется высокая скорость переключения. Помимо этого, его также можно использовать в любом общем приложении, подпадающем под его спецификации. Он также подходит для усиления звука и может использоваться для создания мощных усилителей звука. Процедура использования этого транзистора в схеме такая же, как и при использовании любого другого МОП-транзистора.

 

Применения

Зарядные устройства

Применения для получения солнечной энергии

Приложения, которые требуют быстрого переключения

Драйверы двигателей

UPS

Телекоммуникационные приложения

ДИВАННАЯ НАБРОКА на выходе Arduino и других платформ

Высокое переключение высокого напряжения под 200 В

.

Чтобы обеспечить долгосрочную производительность этого транзистора, рекомендуется всегда использовать его как минимум на 20% ниже его максимальных значений. Максимальное напряжение сток-исток составляет 200 В, поэтому не подключайте нагрузку более 160 В. Максимальный непрерывный ток стока составляет 9Поэтому не подключайте нагрузку более 6,2 А и всегда используйте подходящий радиатор с транзистором. Не храните и не используйте транзистор при температуре ниже -55 градусов по Цельсию и выше +150 градусов по Цельсию.

 

Техническое описание

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в браузере.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF630_IntersilCorporation.pdf

IRF630 MOSFET техпаспорт: ЭКВИВАЛЕНТ, распиновка, спецификация

IRF630 MOSFET IRF630 MOSFET

IRF630 Спецификация POWER MOSFET
  • IRF630 — N-канальный POWER MOSFET
  • Напряжение сток-исток ( В DS ) 200 В
  • Напряжение затвор-исток ( В GS ) составляет +/- 20 В
  • Затвор с пороговым напряжением ( В ГС(й) ) 2В на 4В
  • Ток стока ( I д ) есть
  • Импульсный ток стока ( I DM ) 36A
  • Рассеиваемая мощность ( P D ) 74 Вт
  • Общий заряд затвора ( Q г ) составляет 43 нКл
  • Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ( R DS (ON) ) 40 Ом
  • Ток стока нулевого напряжения затвора ( I DSS ) равен от 25 до 250 мкА
  • Время нарастания ( tr ) равно 28 нс
  • Пиковое восстановление диода dv/dt is 5 В/нс
  • Термическое сопротивление перехода к окружающей среде (R th j-A) is 62℃/Вт
  • Температура перехода ( T J ) составляет от от -55 до 150 ℃
  • Обратное восстановление внутреннего диода (trr) 170–340 нс
  • Входная емкость 800 пф
  • Выходная емкость 240 пФ
  • Чрезвычайно высокая мощность dv/dt
  • Очень низкая собственная емкость
  • Заряд ворот сведен к минимуму
  • Повторяющаяся лавина с рейтингом
  • Быстрое переключение
  • Простота параллельного подключения
  • Требование к простому приводу
  • Высокая эффективность
  • Прочная конструкция устройства
  • Низкое сопротивление во включенном состоянии
  • Экономичность
  • Низкое тепловое сопротивление

Схема контактов полевого МОП-транзистора IRF630 Схема контактов полевого МОП-транзистора IRF630
Номер контакта Имя контакта Описание
1 ВОРОТ Затвор будет использоваться для запуска устройства MOSFET
2 СЛИВ Сток — это входная клемма MOSFET
3 ИСТОЧНИК В источнике терминальный ток вытекает из MOSFET

 

Корпус полевого МОП-транзистора IRF630

МОП-транзистор IRF630 имеет корпус TO-220AB, который в основном используется для силовых устройств, таких как полевые МОП-транзисторы.

TO-220AB представляет собой корпус силового устройства, изготовленный из комбинации эпоксидной смолы и пластика, а задняя сторона выполнена из металла. Эпоксидная смола используется для повышения теплоемкости и снижения веса.

Металлическое покрытие на задней стороне TO-220AB используется для передачи тепла, таким образом, IRF630 MOSFET становится устройством с высокой мощностью.

IRF630 POWER MOSFET объяснение электрических характеристик

В этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики IRF630 MOSFET, это описание действительно полезно для лучшего понимания этого устройства.

Характеристики напряжения

Характеристики напряжения на клеммах полевого МОП-транзистора IRF630: напряжение сток-исток составляет 200 В, напряжение затвор-исток составляет +/-20 В, а пороговое напряжение затвор-исток составляет от 2 В до 4 В.

Спецификации напряжения IRF630 MOSFET показывают, что это силовое устройство, которое имеет больше применений.

Характеристики тока

Значение тока стока IRF630 MOSFET составляет 9 А, а значение импульсного тока стока — 36 А.

Общие текущие характеристики полевого МОП-транзистора IRF630 показывают, что это мощное устройство, имеющее драйвер и переключающие приложения.

Нулевой ток стока напряжения затвора

Значение тока стока при нулевом напряжении затвора составляет от 25 до 250 мкА, это особое состояние, когда напряжение затвора равно нулю, а ток представляет собой конкретное значение по отношению к значению напряжения.

Характеристики рассеивания

Значение рассеивания мощности полевого МОП-транзистора IRF630 составляет 74 Вт. Рассеиваемая мощность устройства показывает, что оно имеет больше применений для переключения питания и источников питания.

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии составляет 0,40 Ом, это общее сопротивление MOSFET.

Температура перехода

Температура перехода МОП-транзистора IRF630 – 55 до +150℃ .

Тепловое сопротивление перехода к окружающей среде

Тепловое сопротивление полевого МОП-транзистора IRF630 составляет 62 ℃/Вт минимальное значение заряда затвора.

Время нарастания

Значение времени нарастания для IRF630 MOSFET составляет 28 нс, это время переключения, предлагаемое MOSFET.

Входная емкость

Значение входной емкости МОП-транзистора IRF630 составляет 800 пФ, этот МОП-транзистор имеет минимальное значение емкости по сравнению с другими устройствами.

Output capacitance

The output capacitance value of IRF630 MOSFET is 240pf

IRF630 MOSFET DATASHEET

If you need the datasheet in pdf please click this link

IRF630 MOSFET EQUIVALENT

The IRF630 Эквиваленты MOSFET, такие как IRF640, IRF644, IRFB17N50L, 2SK1957, 2СК2212, ИРФС631, ИРФ1630Г и БУК454-200Б.

Эти устройства MOSFET имеют одинаковые электрические характеристики, поэтому мы можем использовать их в качестве эквивалента IRF630 MOSFET в цепях.

IRF630, IRF740 и IRF644

В этой таблице мы пытаемся сравнить электрические характеристики трех устройств MOSFET, таких как IRF630, IRF740 и IRF644. Это сравнение действительно полезно для лучшего понимания устройств.

Характеристики IRF630 IRF740 IRF644
Напряжение сток-исток (VDS)) 200 В 400 В 250 В
Напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В 20 В 20 В
Пороговое напряжение затвора (Vg(th)) от 2 до 4 В от 2 до 4 В от 2 до 4 В
Ток стока (Id) 9 А 10 А 14А
Импульсный ток стока 36 А 40 А 56 А
Ток стока при нулевом напряжении затвора (IDSS) от 25 до 250 мкА от 25 до 250 мкА от 25 до 250 мкА
Общий заряд затвора (кг) 43 нКл 63 нКл 68 нКл
Рассеиваемая мощность (PD) 74 Вт 125 Вт 125 Вт
Температура перехода (ТДж) от -55 до +150°C от -55 до +150°C от -55 до +150°C
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS) 0,40 Ом 0,55 Ом 0,28 Ом
Время нарастания (tr) 28 нс 27 нс 24 нс
Время обратного восстановления (trr) от 170 до 340 нс от 370 до 790 нс от 250 до 500 нс
Входная емкость 800 пф 1400пф 1300пф
Выходная емкость 240 пф 330 пф 330 пф
Пакет ТО-220АБ ТО-220АБ ТО-220АБ

Кривые характеристик МОП-транзистора IRF630 Выходные характеристики МОП-транзистора IRF630

На рисунке показаны выходные характеристики МОП-транзистора IRF630, график построен с зависимостью тока стока от напряжения сток-исток.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *