IRF630A: N-канальный MOSFET-транзистор от Inchange Semiconductor — характеристики и применение

Что представляет собой IRF630A. Каковы основные параметры этого N-канального MOSFET-транзистора. Где применяется IRF630A в электронных схемах. Какие у него есть аналоги. Как правильно использовать IRF630A в проектах.

Основные характеристики IRF630A

IRF630A — это N-канальный MOSFET-транзистор, производимый компанией Inchange Semiconductor. Данный компонент относится к семейству силовых полевых транзисторов с изолированным затвором (MOSFET).

Ключевые параметры IRF630A:

  • Структура: N-канальная
  • Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
  • Максимальный ток стока: 9.5 А
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: 0.4 Ом
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 74 Вт
  • Корпус: TO-220

Какие преимущества дает использование IRF630A в схемах? Благодаря низкому сопротивлению канала транзистор обеспечивает малые потери при коммутации. Высокое пробивное напряжение позволяет применять его в высоковольтных цепях.


Применение IRF630A в электронных устройствах

Где чаще всего используется IRF630A? Данный MOSFET-транзистор находит широкое применение в различных электронных схемах:

  • Импульсные источники питания
  • Инверторы
  • Преобразователи напряжения
  • Драйверы электродвигателей
  • Системы управления освещением
  • Автомобильная электроника

Почему IRF630A популярен в импульсных блоках питания? Благодаря быстрому переключению и низким потерям он позволяет создавать эффективные высокочастотные преобразователи.

Особенности применения IRF630A

На что следует обратить внимание при использовании IRF630A? Несколько важных моментов:

  1. Необходимо обеспечить хороший теплоотвод, особенно при работе с большими токами.
  2. Рекомендуется использовать защитные цепи для предотвращения пробоя затвора статическим электричеством.
  3. При параллельном включении транзисторов важно обеспечить их равномерную нагрузку.
  4. Следует учитывать паразитные емкости и индуктивности при проектировании высокочастотных схем.

Как правильно выбрать режим работы IRF630A? Необходимо внимательно изучить графики и таблицы в техническом описании, чтобы не превысить предельно допустимые значения тока, напряжения и температуры.


Аналоги и замены для IRF630A

Какие транзисторы могут служить заменой IRF630A? Существует ряд близких по характеристикам аналогов:

  • IRF630 — базовая модель с немного меньшим током
  • IRF640 — версия на более высокое напряжение (200В)
  • IRF730 — транзистор с похожими параметрами
  • IRFZ44N — современный аналог с лучшими характеристиками

Чем отличаются эти аналоги от IRF630A? Основные различия заключаются в максимально допустимых токах и напряжениях, а также в значениях сопротивления канала. При замене важно тщательно сравнить все ключевые параметры.

Особенности корпуса TO-220

Какие преимущества дает корпус TO-220, в котором выпускается IRF630A? Этот тип корпуса обладает рядом достоинств:

  • Хороший теплоотвод благодаря металлической подложке
  • Удобство монтажа на радиатор
  • Стандартизированные размеры и расположение выводов
  • Возможность автоматизированной сборки

Как правильно осуществлять монтаж IRF630A на печатную плату? Рекомендуется использовать качественный теплопроводящий компаунд между корпусом и радиатором. При ручной пайке важно не перегреть транзистор и обеспечить надежное соединение выводов с дорожками платы.


Параметры и характеристики IRF630A

Какие ключевые параметры необходимо учитывать при работе с IRF630A? Рассмотрим основные характеристики подробнее:

Максимальные предельные значения:

  • Напряжение сток-исток: 200 В
  • Ток стока (непрерывный): 9.5 А
  • Ток стока (импульсный): 38 А
  • Напряжение затвор-исток: ±20 В
  • Рассеиваемая мощность: 74 Вт
  • Рабочая температура: -55°C до +175°C

Электрические характеристики (при 25°C):

  • Пороговое напряжение затвора: 2-4 В
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: 0.4 Ом
  • Входная емкость: 700 пФ
  • Выходная емкость: 230 пФ
  • Время включения: 25 нс
  • Время выключения: 64 нс

Как влияют эти параметры на работу схемы? Низкое сопротивление канала обеспечивает малые потери при коммутации. Быстрое переключение позволяет использовать транзистор на высоких частотах. Высокое пробивное напряжение дает возможность применять IRF630A в силовых схемах.

Рекомендации по применению IRF630A

Какие меры предосторожности следует соблюдать при работе с IRF630A? Несколько важных рекомендаций:


  1. Используйте антистатические меры защиты при работе с транзистором.
  2. Не превышайте максимально допустимые значения тока и напряжения.
  3. Обеспечьте достаточное охлаждение при работе на больших мощностях.
  4. Применяйте снабберные цепи для защиты от перенапряжений.
  5. Учитывайте влияние паразитных параметров в высокочастотных схемах.

Как оптимизировать работу IRF630A в импульсных преобразователях? Рекомендуется минимизировать длину проводников, использовать качественные драйверы затвора и применять методы синхронного выпрямления для повышения эффективности.

Сравнение IRF630A с современными аналогами

Насколько актуален IRF630A в сравнении с новыми разработками? Хотя IRF630A по-прежнему широко используется, современные MOSFET-транзисторы имеют ряд преимуществ:

  • Меньшее сопротивление канала в открытом состоянии
  • Более высокая скорость переключения
  • Улучшенные температурные характеристики
  • Повышенная устойчивость к электростатическим разрядам

Какие альтернативы можно рассмотреть вместо IRF630A? Для новых разработок стоит обратить внимание на такие транзисторы, как IRFZ44N, IPP60R190P7, или SiHG33N60E. Они обеспечивают лучшую производительность при сохранении совместимости по выводам.


Тем не менее, IRF630A остается надежным и проверенным временем компонентом, который по-прежнему находит применение во многих областях электроники.


Транзистор IRF630 TO-220 — КСП Електроникс

Транзистор IRF630 TO-220 — КСП Електроникс

Search

Home Semiconductors Transistors MOSFET Transistors NFET < 600 V NFET Transistors Транзистор IRF630 TO-220

Out of stock

BGN 0. 98

with VAT ( BGN 0.82 Without VAT )

Request

You want more attractive prices?
Call us at: 0700/19-077

Description
Description
CodeIRF630 TO-220
Barcode020473
ConditionNEW / НОВNEW / НОВ
Brand / ManufacturerMOTOROLA
Description, MOS-N-FET Vdss=200V Id=9. 0A Rds(on)=0.40R 74W,
Quantity in stock0
Technical documentation

Download >

Can’t find what you’re looking for? Let us help you. Inquiry

Free

shipping Free delivery for all orders over BGN 100. Free international delivery for all orders over 100 €

Secure payment
3D Card Payment Security (Verified by Visa or Mastercard SecureCode)

Shipment Insurance
Insurance, tracking and 14 days free return or exchange.

Competent support
Use the online chat or call us on
tel: 0700 19 077

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы Описание Фабрикантес ПДФ
2N7588T3 РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ POWER MOSFET
Международный выпрямитель
ПДФ
2N7590T3 РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ POWER MOSFET
Международный выпрямитель
ПДФ
2N7592T3 РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ POWER MOSFET
Международный выпрямитель
ПДФ
2N7594T3 РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ POWER MOSFET
Международный выпрямитель
ПДФ
2N7599T3 РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ POWER MOSFET
Международный выпрямитель
ПДФ
2SB1465 КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР PNP
Ренесас
ПДФ
2SK613 Кремниевый N-канальный переходной полевой транзистор
Сони
ПДФ
3521 ШИМ-КОНТРОЛЛЕР
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
51494 монолитная биполярная интегральная схема
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
7130-1 LDO малой мощности 30 мА
Холтек
ПДФ
7133-1 LDO малой мощности 30 мА
Холтек
ПДФ
7136-1 LDO малой мощности 30 мА
Холтек
ПДФ
7144-1 LDO малой мощности 30 мА
Холтек
ПДФ
7150-1 LDO малой мощности 30 мА
Холтек
ПДФ

Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *