Irf640 datasheet на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Содержание

IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

Главная » Транзисторы

Характеристики мощного полевого транзистора IRF640 говорят нам о том, что он используется в схемах требующих высокой скорости и низкой мощности переключения затвора, в системах управления электроприводом реле.

Также его применяют для управления его биполярными сородичами. Он является n-канальным МОП-транзистором (MOSFET), который можно встретить в блоках питания, телевизорах и компьютерных мониторах. Управление данным изделием может осуществляться непосредственно от микросхемы.

Содержание

Распиновка
Характеристики
Аналоги
Производители

Распиновка

Цоколевка IRF640 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-220АВ с жесткими выводами. На рисунке ниже показано расположение их и геометрические размеры корпуса.

Если смотреть на маркировку то слева направо будут расположены: первая ножка — затвор, вторая — сток, третья — исток.

Характеристики

На русском языке технические характеристики IRF640 найти довольно трудно, поэтому мы перевили их и опубликовали ниже. Предельно допустимые:

Наибольшее возможное напряжение сток-исток: 200 В.
Предельное напряжение затвор-исток: 20 В.
Максимальный ток через сток (напряжение затвор-исток 10 В):
18 А (при Т_с= +25^оС).
11 А (при Т_с= +100^оС).

Наибольший пиковый ток стока: 72 А.
Предельная рассеиваемая мощность при температуре +25^оС: 125 Вт.
Максимальная температура: +300^оС.
Рабочая температура: от -55^оС до +150^оС

Все электрические параметры транзистора можно разделить на две группы: статические и динамические. Данные значения указаны для температуры окружающей среды +25^оС, если явно не написано другое. В приведенных таблицах указаны численные величины режимов работы, при которых производились измерения.

Далее приведем динамические-электрические параметры irf640.

Последними в datasheet всегда указываются сведения о термических характеристиках.

Все эти значения важны при проектировании схем с использованием мощных транзисторов. Например, при использовании его в усилителях мощности или блоков питания.

Если транзисторы не охлаждаются должным образом, они перегреваются и как правило, перегорают через несколько минут или даже секунд. Чтобы избежать этого, нужны тепловые расчеты.

Чтобы убедиться в правильности расчетов можно протестировать готовое изделие. Для этого его нужно оставить работать в обычном режиме в течение нескольких часов. При этом любая ошибка в тепловом расчете может быть легко обнаружена и исправлена.

Старое эмпирическое правило «если можно положить руку то все хорошо» по-прежнему работает. Обратное не всегда верно. Например, транзистор может нагреваться до 80°C и будет слишком горячий для прикосновения, но при этом он будет работать нормально. Иметь горячие компоненты не рекомендуется, потому от них могут нагреваться рядом стоящие устройства. Чем меньшая температура у транзистора, тем больше его срок службы.

На рисунке ниже приведены графики зависимости крутизны передаточной характеристики g_fs от тока стока I_c для температур +25°C и 150°C.

Из данного графика видно, что значение g_fs растет, пока I_c < 18 А. После этого начинает уменьшаться.

Аналоги

Среди зарубежных аналогов транзистора IRF640 можно назвать: 2SK2136, 2SK2521-01, 2SK3111, BUZ31, FQA19N20C, FQP19N20C, PHP18NQ20T, STP19NB20. А среди отечественных аналогов выделяют всего два устройства: КП750А и КП640.

Производители

Транзистор IRF640 производят следующие компании (их datasheet доступен по ссылки): STMicroelectronics, Fairchild Semiconductor, International Rectifier, Suntac Electronic Corp, Dc Components, Comset Semiconductor, Nell Semiconductor, ARTSCHIP ELECTRONICS, NXP Semiconductors, Inchange Semiconductor Company Limited, Weitron Technology, First Components International.

MOSFET

Irf640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

IRF640NPBF Datasheet (PDF)

1.1. irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf Size:336K _upd-mosfet

PD — 95046A
IRF640NPbF
IRF640NSPbF
l Advanced Process Technology IRF640NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 18A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rectif

3.1. irf640n.pdf Size:155K _international_rectifier

PD — 94006
IRF640N
IRF640NS
IRF640NL
Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
D
175C Operating Temperature
VDSS = 200V
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 0.15?
Ease of Paralleling
G
Simple Drive Requirements
Description
ID = 18A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from S
International Rectifier utilize advanced processing
tech

3. 2. irf640n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640N，IIRF640N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤150mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
· Efficient and reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

IRF640S Datasheet (PDF)

Транзистор irf540

1.1. irf640lpbf irf640spbf.pdf Size:196K _upd-mosfet

IRF640S, IRF640L, SiHF640S, SiHF640L
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) 200
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.18
• Low-Profile Through-Hole
Qg (Max.) (nC) 70
• Available in Tape and Reel
Qgs (nC) 13
• Dynamic dV/dt Rating
• 150 °C Operating Temperature
Qgd (nC) 39
• Fast Swi

1. 2. irf640s.pdf Size:228K _international_rectifier

PD -90902B
IRF640S/L
HEXFET Power MOSFET
Surface Mount (IRF640S)
D
Low-profile through-hole (IRF640L)
VDSS = 200V
Available in Tape & Reel (IRF640S)
Dynamic dv/dt Rating
RDS(on) = 0.18Ω
150°C Operating Temperature
G
Fast Switching
ID = 18A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide
the designer with the best co

1.3. irf640s-l.pdf Size:935K _international_rectifier

PD — 95113
IRF640S/LPbF
Lead-Free
3/16/04
Document Number: 91037 www.vishay.com
1
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
2
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
3
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
4
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
5
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
6
IRF640S/LPbF
Document N

IRL640 Datasheet (PDF)

1. 1. irl640spbf.pdf Size:986K _upd

PD- 95585
IRL640SPbF
• Lead-Free
07/20/04
Document Number: 91306 www.vishay.com
1
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
2
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
3
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
4
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
5
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
6
IRL640SPbF
Peak Diode Recovery

1.2. irl640pbf.pdf Size:1708K _upd

IRL640, SiHL640
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Dynamic dV/dt Rating
VDS (V) 200
Available
• Repetitive Avalanche Rated
RDS(on) (Ω)VGS = 5.0 V 0.18
RoHS*
• Logic-Level Gate Drive
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 66
• RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V
Qgs (nC) 9.0
• Fast Switching
Qgd (nC) 38
• Ease of Paralleling
Configuration Single
• Si

1.3. irl640a.pdf Size:226K _fairchild_semi

IRL640A
FEATURES
BVDSS = 200 V
Logic-Level Gate Drive
RDS(on) = 0.18?
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
ID = 18 A
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
TO-220
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 200V
Lower RDS(ON): 0.145? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Chara

1.4. irl640s.pdf Size:263K _international_rectifier

1.5. irl640spbf.pdf Size:986K _international_rectifier

PD- 95585
IRL640SPbF
Lead-Free
07/20/04
Document Number: 91306 www.vishay.com
1
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
2
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
3
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
4
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
5
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www. vishay.com
6
IRL640SPbF
Peak Diode Recovery dv/d

1.6. irl640.pdf Size:247K _international_rectifier

1.7. irl640pbf.pdf Size:941K _international_rectifier

PD — 94964
IRL640PbF
Lead-Free
01/30/04
Document Number: 91305 www.vishay.com
1
IRL640PbF
Document Number: 91305 www.vishay.com
2
IRL640PbF
Document Number: 91305 www.vishay.com
3
IRL640PbF
Document Number: 91305 www.vishay.com
4
IRL640PbF
Document Number: 91305 www.vishay.com
5
IRL640PbF
Document Number: 91305 www.vishay.com
6
IRL640PbF
Document Number: 91305 www.vis

1.8. irl640a.pdf Size:881K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 200 V
Logic-Level Gate Drive
?
RDS(on) = 0.18
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
ID = 18 A
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 10 A (Max. ) @ VDS = 200V
?
Lower RDS(ON) : 0.145 (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symb

1.9. irl640 sihl640.pdf Size:1705K _vishay

IRL640, SiHL640
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Dynamic dV/dt Rating
VDS (V) 200
Available
Repetitive Avalanche Rated
RDS(on) (?)VGS = 5.0 V 0.18
RoHS*
Logic-Level Gate Drive
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 66
RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V
Qgs (nC) 9.0
Fast Switching
Qgd (nC) 38
Ease of Paralleling
Configuration Single
Simple Drive Require

1.10. irl640s sihl640s.pdf Size:915K _vishay

IRL640S, SiHL640S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 200
Definition
Surface Mount
RDS(on) (?)VGS = 5 V 0.18
Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 66
Dynamic dV/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
Qgs (nC) 9. 0
Logic-Level Gate Drive
Qgd (nC) 38
RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V
Configurati

IRF640SPBF Datasheet (PDF)

Транзистор irf740

1.1. irf640lpbf irf640spbf.pdf Size:196K _upd-mosfet

3.1. irf640s.pdf Size:228K _international_rectifier

3. 2. irf640s-l.pdf Size:935K _international_rectifier

IRF640NSPBF Datasheet (PDF)

Транзистор irf840

1.1. irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf Size:336K _upd-mosfet

3. 1. irf640n.pdf Size:155K _international_rectifier

3.2. irf640n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

RF1S640SM Datasheet (PDF)

1. 1. irf640 rf1s640 rf1s640sm.pdf Size:128K _fairchild_semi

IRF640, RF1S640, RF1S640SM
Data Sheet January 2002
18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power Features
MOSFETs
• 18A, 200V
These are N-Channel enhancement mode silicon gate
• rDS(ON) = 0.180Ω
power field effect transistors. They are advanced power
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a
specified level of energy in the breakd

3.1. rf1s640.pdf Size:51K _update-mosfet

IRF640, IRF641, IRF642,
S E M I C O N D U C T O R
IRF643, RF1S640, RF1S640SM
16A and 18A, 150V and 200V, 0.18 and 0.22 Ohm,
N-Channel Power MOSFETs
January 1998
Features Description
• 16A and 18A, 150V and 200V These are N-Channel enhancement mode silicon gate
power field effect transistors. They are advanced power
• rDS(ON) = 0.18Ω and 0.22Ω
MOSFETs designed, tested, and guar

3.2. irf640 irf641 irf642 irf643 rf1s640. pdf Size:51K _harris_semi

IRFS640 Datasheet (PDF)

1.1. irfs640b.pdf Size:922K _upd

November 2001
IRF640B/IRFS640B
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 18A, 200V, RDS(on) = 0.18Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 45 nC)
planar, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 45 pF)
This advanced technology has been especially tailored to

1.2. irf640b irfs640b.pdf Size:916K _fairchild_semi

November 2001
IRF640B/IRFS640B
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0. 18? @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)
planar, DMOS technology.
Low Crss ( typical 45 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
Fast switchin

1.3. irfs640a.pdf Size:508K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 200 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.18 ?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 9.8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V
Lower RDS(ON) : 0.144 ? (Typ. )
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Un

IRF640N Datasheet (PDF)

1.1. irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf Size:336K _upd-mosfet

PD — 95046A
IRF640NPbF
IRF640NSPbF
l Advanced Process Technology IRF640NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements RDS(on) = 0. 15Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 18A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rectif

1.2. irf640n.pdf Size:155K _international_rectifier

1.3. irf640n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

IRFS640B Datasheet (PDF)

1. 1. irfs640b.pdf Size:922K _upd

1.2. irf640b irfs640b.pdf Size:916K _fairchild_semi

November 2001
IRF640B/IRFS640B
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0.18? @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)
planar, DMOS technology.
Low Crss ( typical 45 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
Fast switchin

3.1. irfs640a.pdf Size:508K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 200 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0. 18 ?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 9.8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V
Lower RDS(ON) : 0.144 ? (Typ. )
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Un

IRFS630A Datasheet (PDF)

1.1. irfs630a.pdf Size:508K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 200 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.4 ?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 6.5 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V
Low RDS(ON) : 0.333 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Units

4.1. irfs634b.pdf Size:858K _upd

November 2001
IRF634B/IRFS634B
250V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 8. 1A, 250V, RDS(on) = 0.45Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 29 nC)
planar, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 20 pF)
This advanced technology has been especially tailored to

4.2. irf634b irfs634b.pdf Size:859K _fairchild_semi

November 2001
IRF634B/IRFS634B
250V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45? @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)
planar, DMOS technology.
Low Crss ( typical 20 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
Fast switchi

4.3. irfs634a.pdf Size:505K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 250 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.45
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 5.8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max. ) @ VDS = 250V
Lower RDS(ON) : 0.327 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Uni

IRF640NS Datasheet (PDF)

1.1. irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf Size:336K _upd-mosfet

3.1. irf640n.pdf Size:155K _international_rectifier

PD — 94006
IRF640N
IRF640NS
IRF640NL
Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
D
175C Operating Temperature
VDSS = 200V
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 0. 15?
Ease of Paralleling
G
Simple Drive Requirements
Description
ID = 18A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from S
International Rectifier utilize advanced processing
tech

3.2. irf640n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

Оцените статью:

IRF640 Цена — IRF640 в наличии

Описание

IRF640 — это мощный полевой транзистор с N-канальным режимом расширения мощности кремниевого затвора. Это делается с использованием процесса наложения сетки на основе макета полосы. Это технология, которая дополняет и улучшает характеристики по сравнению с другими стандартными устройствами. Это упрощает сборку и снижает риск случайного короткого замыкания в переполненных печатных платах монитора».

Причина, по которой он широко используется во многих приложениях, заключается в том, что он имеет низкое тепловое сопротивление и низкую стоимость упаковки

Конфигурация выводов и их функции

IRF640 Power MOSFET имеет три терминала:

G: GATE

D: Drain

S: Source

92. подключен к положительному источнику питания, а источник подключен к отрицательному источнику питания, напряжение между затвором и источником равно нулю, а канал непроводящий, поэтому трубка отключена. Как только прямое напряжение V _GS приложено между затвором и истоком, а V _GS больше или равно напряжению открытия V _T напряжения трубки; трубка открывается, и канал становится проводящим с током I _D , протекающим между стоком и истоком.

Важно отметить, что чем больше разница между V _GS и V _T, тем выше проводимость и выше ток стока I _D.

Технические характеристики и особенности IRF640

● IRF640 имеет динамическое рейтинг DV/DT

● Повторяющийся в дренажной среде.

● Он имеет простые требования к приводу

● Напряжение затвор-исток, макс.: ±20 В

● Общий заряд затвора 70 нКл

● Рассеиваемая мощность 125 Вт

● Он имеет номинальный постоянный ток стока 18 А и напряжение пробоя сток-исток 200 В

● Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии, rDS(ON), составляет 0,18 Ом

● ИС номинальная энергия лавины одиночного импульса

● Безопасная рабочая область ограничена рассеиваемой мощностью

● Имеет высокую скорость переключения. На самом деле они измеряются в наносекундах

● Имеет свойства линейной передачи

● IRF640 имеет высокий входной импеданс

Принцип работы IRF640

IRF640 относится к N-канальному типу и благодаря своей униполярной природе способен переключаться на очень высокой скорости. Внутренние емкости должны заряжаться или разряжаться при переключении транзистора. Однако это довольно медленная процедура, поскольку ток, протекающий через емкости затвора, ограничен внешней схемой драйвера, и, следовательно, процесс зарядки и разрядки происходит медленно. Внешняя цепь определяет скорость коммутации транзистора.

Применение

Предназначены для низковольтных высокоскоростных коммутационных приложений, таких как преобразователи импульсных регуляторов, источники бесперебойного питания, преобразователи постоянного тока в постоянный для телекоммуникационного, промышленного и осветительного оборудования, драйверы соленоидов и реле. Как правило, он используется во всех коммерческих и промышленных целях при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт.

Мощные полевые МОП-транзисторы IRF640 специально предназначены для таких целей, как драйверы реле, переключающие преобразователи, импульсные регуляторы, драйверы двигателей и драйверы мощных биполярных переключающих транзисторов, которым требуется высокая скорость и низкая мощность привода затвора.

IRF640 Мощный МОП-транзистор | Джеймсо Электроникс

Наверх

Обзор

Силовой полевой МОП-транзистор N-канальный 200 В 18 A (Tc) 125 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Mesh Overlay™ Power MOSFET.

Технические характеристики

Серия: MESH OVERLAY™
Тип полевого транзистора: N-канальный
Технология: МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss): 200 В
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: 18 A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, Min Rds On): 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 мОм @ 9 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ Id: 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs: 72 нКл при 10 В
Vgs (макс.): ±20 В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds: 1560 пФ при 25 В
Рассеиваемая мощность (макс. ): 125 Вт (Tc)
Рабочая температура: 150°C (ТДж)
Тип монтажа: Сквозное отверстие

Комплект поставки устройства: TO-220, TO-220-3
Базовый номер: IRF6

Чтобы узнать больше о транзисторах, нажмите здесь.

Сообщить о проблеме
Предложить продукт

Наверх

Технические характеристики

Спецификация	Значение
Упаковка	ТО-220-3
Полярность транзистора	N
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Continuous Drain Current	18 A
Maximum Gate Source Voltage	±20V
Power Dissipation	125 W
Number Количество элементов на чип	1
Максимальное прямое напряжение	200 В пост. Навигация по записям Светофор из бумаги своими руками. Делаем светофор своими руками: 7 интересных идей для детей и взрослых Схема подключения заземления. Система заземления TN-C-S: схема подключения, особенности и преимущества Похожие записи 21.11.2024 0 Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании 19.11.2024 0 Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка 19.11.2024 0 Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Автолюбителям Датчик Лайфхаки Преобразователь Своими руками Схемы Усилитель Разное Карта сайта © M-Gen

IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

Распиновка

Характеристики

Аналоги

Производители

Irf640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

IRF640NPBF Datasheet (PDF)

IRF640S Datasheet (PDF)

IRL640 Datasheet (PDF)

IRF640SPBF Datasheet (PDF)

IRF640NSPBF Datasheet (PDF)

RF1S640SM Datasheet (PDF)

IRFS640 Datasheet (PDF)

IRF640N Datasheet (PDF)

IRFS640B Datasheet (PDF)

IRFS630A Datasheet (PDF)

IRF640NS Datasheet (PDF)

IRF640 Цена — IRF640 в наличии

IRF640 Мощный МОП-транзистор | Джеймсо Электроникс

Обзор

Силовой полевой МОП-транзистор N-канальный 200 В 18 A (Tc) 125 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Технические характеристики

Технические характеристики

Похожие записи

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий Отменить ответ